JP3631666B2 - ミリ波送受信器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ミリ波集積回路等の高周波回路を用いた非放射性誘電体線路型のミリ波レーダー等に好適なミリ波送受信器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の非放射性誘電体線路型のミリ波送受信器を図13,図14に示す。まず、非放射性誘電体線路(NonRadiative Dielectric waveguideで、以下、NRDガイドという)について説明する。NRDガイドは、一対の平行平板導体を、それらの間隔zをz≦λ/2として設置することにより、これらの平行平板導体間に配置された誘電体線路に対し外部からノイズの侵入をなくし、かつ誘電体線路から外部への高周波信号(以下、信号ともいう)の放射をなくして信号を伝送させるものである。なお、λは使用周波数において空気中を伝搬する電磁波(高周波信号)の波長である。
【0003】
そして、図13,図14に示したミリ波送受信器は、一対の平行平板導体間に各種部品を配置した上記NRDガイド型のものであり、図13は送信アンテナと受信アンテナが一体化されたものの平面図、図14は送信アンテナと受信アンテナが独立したものの平面図である。
【0004】
図13において、41は一方の平行平板導体(他方は省略する)、42は第1の誘電体線路43の一端に設けられた電圧制御型のミリ波信号発振部、即ち電圧制御発振部であり、バイアス電圧印加方向が高周波信号の電界方向に合致するように、第1の誘電体線路43の高周波ダイオード近傍に配置された可変容量ダイオードのバイアス電圧を周期的に制御して、三角波,正弦波等とすることにより、周波数変調した送信用のミリ波信号として出力する。
【0005】
43は、高周波ダイオードから出力された高周波信号が変調されたミリ波信号を伝搬させる第1の誘電体線路、44は、第1,第3,第4の誘電体線路にそれぞれ結合される第1,第2,第3の接続部(図示せず)を有する、フェライト円板44a等から成るサーキュレータ、45は、サーキュレータ44の第2の接続部に接続され、ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送受信アンテナ46を有する第3の誘電体線路、46は、第3の誘電体線路45の先端をテーパー状等とすることにより構成された送受信アンテナである。
【0006】
また47は、送受信アンテナ46で受信され第3の誘電体線路45を伝搬してサーキュレータ44の第3の接続部より出力した受信波をミキサー49側へ伝搬させる第4の誘電体線路、48は、第1の誘電体線路43に一端側が電磁結合するように近接配置されて、送信用のミリ波信号の一部をミキサー49側へ伝搬させる第2の誘電体線路、48aは、第2の誘電体線路48のミキサー49と反対側の一端部に設けられた無反射終端部(ターミネータ)である。また、図中M1は、第2の誘電体線路48の中途と第4の誘電体線路47の中途とを近接させて電磁結合させることにより、送信用のミリ波信号の一部と受信波とを混合して中間周波信号を発生するミキサー部である。
【0007】
また、送信アンテナと受信アンテナを独立させた図14のタイプにおいて、51は一方の平行平板導体(他方は省略する)、52は第1の誘電体線路53の一端に設けられた電圧制御型のミリ波信号発振部であり、バイアス電圧印加方向が高周波信号の電界方向に合致するように第1の誘電体線路53の高周波ダイオード近傍に配置された可変容量ダイオードのバイアス電圧を周期的に制御して、三角波,正弦波等とすることにより、周波数変調した送信用のミリ波信号として出力する。
【0008】
53は、高周波ダイオードから出力された高周波信号が変調されたミリ波信号を伝搬させる第1の誘電体線路、54は、第1,第3,第5の誘電体線路53,55,57にそれぞれ接続される第1,第2,第3の接続部(図示せず)を有する、フェライト円板54a等から成るサーキュレータ、55は、サーキュレータ54の第2の接続部に接続され、ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送信アンテナ56を有する第3の誘電体線路、56は、第3の誘電体線路55の先端をテーパー状等とすることにより構成された送信アンテナ、57は、サーキュレータ54の第3の接続部に接続され、送信用のミリ波信号を減衰させる無反射終端部57aが先端に設けられた第5の誘電体線路である。
【0009】
また58は、第1の誘電体線路53に一端側が電磁結合するように近接配置されて、送信用のミリ波信号の一部をミキサー61側へ伝搬させる第2の誘電体線路、58aは、第2の誘電体線路58のミキサー61と反対側の一端部に設けられた無反射終端部、59は、受信アンテナ60で受信された受信波をミキサー61側へ伝搬させる第4の誘電体線路である。また、図中M2は、第2の誘電体線路58の中途と第4の誘電体線路59の中途とを近接させて電磁結合させることにより、送信用のミリ波信号の一部と受信波とを混合
して中間周波信号を発生するミキサー部である。
【0010】
このようなミリ波送受信器において、高周波ダイオードを備えたミリ波信号発振部42,52は、図15,図16に示すような構成とされていた。図15において、1は一対の平行平板導体であり、それらの間隔zはz≦λ/2であり、NRDガイドを構成する。尚、λは使用周波数において空気中を伝搬する電磁波(高周波信号)の波長である。
【0011】
また、2は高周波ダイオードとしてのガンダイオードを設置(マウント)するための金属ブロック等の金属部材、3はガンダイオード、4は金属部材2の一側面に設置され、ガンダイオード3にバイアス電圧を供給するとともに高周波信号の漏れを防ぐローパスフィルタとして機能するチョーク型バイアス供給線路4aを形成した配線基板、5はチョーク型バイアス供給線路4aとガンダイオード3の上部導体とを接続する金属箔リボン等の帯状導体、6は誘電体基体に共振用の金属ストリップ線路6aを設けた金属ストリップ共振器、7は金属ストリップ共振器6により共振した高周波信号を外部へ伝送させる誘電体線路(上記第1の誘電体線路43,53に相当する)である。尚、図15では、内部を透視するために平行平板導体1の上側を一部切り欠いている。
【0012】
図15のミリ波信号発振部(ガンダイオード発振器)は、一対の平行平板導体1の間に、ガンダイオード3を搭載した金属部材2が配置されており、ガンダイオード3から発振されたミリ波,マイクロ波等の高周波信号(電磁波)は、金属ストリップ線路6aを有する金属ストリップ共振器6を介して誘電体線路7に導出される。そして、チョーク型バイアス供給線路4aは、図16に示すように、幅の広い線路の長さと幅の狭い線路の長さがそれぞれ略λ/4とされ、それらが反復形成されたチョークを構成しており、また帯状導体5の長さも略λ/4に設定されローパスフィルタの一部として機能している。
【0013】
さらに、図17,図18に示すように、誘電体線路7の中途には、周波数変調用ダイオードであって可変容量ダイオードの1種であるバラクタダイオード110を装荷した配線基板18を設置しており、このバラクタダイオード110のバイアス電圧印加方向Bは誘電体線路7での高周波信号の伝搬方向Dに垂直かつ平行平板導体1の主面に平行な方向とされている。このバイアス電圧印加方向Bは、誘電体線路7中を伝搬するLSM01モードの高周波信号の電界方向Eに合致しており、これにより高周波信号とバラクタダイオード110とを電磁結合させ、バイアス電圧を制御することによりバラクタダイオード110の静電容量を変化させることで、高周波信号の発振周波数を制御可能となる。また、図17において、19はバラクタダイオード110と誘電体線路7とのインピーダンス整合をとるための高比誘電率の誘電体板である。
【0014】
また図18に示すように、配線基板18の一主面には第2のチョーク型バイアス供給線路112が形成され、第2のチョーク型バイアス供給線路112の中途にビームリードタイプのバラクタダイオード110が配置される。第2のチョーク型バイアス供給線路112のバラクタダイオード110との接続部には、電極111が形成されている。
【0015】
そして、ガンダイオード3から発振された高周波信号は、金属ストリップ共振器6を通して誘電体線路7に導出される。次いで、高周波信号の一部はバラクタダイオード110部で反射されてガンダイオード3側へ戻る。この反射信号がバラクタダイオード110の容量とともに変化することにより、発振周波数が変化する。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のミリ波信号発振部においては、金属ストリップ共振器6、金属部材2と誘電体線路7を各々個別に位置決め配置し、平行平板導体1,1で挟持するように構成しており、このため、金属ストリップ共振器6の加工精度が低いと、金属ストリップ共振器6が振動や自重で位置ずれを起こし、またその位置決めが正確でないと、誘電体線路7への伝搬特性が劣化していた。即ち、金属ストリップ共振器6の加工精度および位置決め精度の管理が必要であり、また製造の作業性が悪く、従って量産に向かないという問題点があった。
【0017】
また、金属部材2,誘電体線路7,金属ストリップ共振器6等の各部品の設置位置が微妙にくるうと、発振周波数が微妙に変化してしまい、ミリ波レーダ等に適用した場合、その探知距離、ターゲットの位置探知、ターゲットの速度探知等の性能が低下して正確な探知が困難になるという問題点があった。
【0018】
さらに、上記従来のミリ波信号発振部においては、高周波信号がバラクタダイオード110を設置した配線基板18を透過する構造となっているため、高周波信号出力が低下するという問題点があった。また、高周波信号の周波数変調幅を調整するには、バラクタダイオード110の挿入位置を変化させる必要があるが、位置調整による周波数変調幅の制御は困難であり、容易に周波数変調幅を制御できなかった。
【0019】
このようなミリ波信号発振部を備えたミリ波送受信器では、発振周波数がずれた場合にそれを調整するのが困難なため、ミリ波レーダ等に適用した際に正確な探知が困難になるという問題があった。
【0020】
従って、本発明は上記事情に鑑みて完成されたものであり、その目的は、各部品の加工および位置決めの困難性を軽減し、加工精度および位置決め精度の管理を容易にし、また組み立ての作業性が良好なものとし、また発振周波数の微調整を再現性良く可能とすることである。また、高出力の高周波信号が得られ、周波数変調幅を容易に制御可能なものとすることである。
【0021】
そして、ミリ波レーダ等に適用した場合に、探知レンジ、探知距離、ターゲットの位置探知、ターゲットの速度探知等の性能が向上するとともに安定したものとすることである。
【0022】
【課題を解決するための手段】
本発明のミリ波送受信器は、ミリ波信号の波長λの2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体間に、高周波ダイオードが一端部に付設され、前記高周波ダイオードから出力されたミリ波信号を伝搬させる第1の誘電体線路と、該第1の誘電体線路の一端にバイアス電圧印加方向が前記ミリ波信号の電界方向に合致するように配置され、前記バイアス電圧を周期的に制御することによって前記ミリ波信号を周波数変調した送信用のミリ波信号として出力する周波数変調用ダイオードと、前記第1の誘電体線路に一端側が電磁結合するように近接配置されるかまたは前記第1の誘電体線路に一端が接合されて、前記送信用のミリ波信号の一部をミキサー側へ伝搬させる第2の誘電体線路と、前記平行平板導体に平行に配設されたフェライト板の周縁部に所定間隔で配置され、かつそれぞれ前記ミリ波信号の入出力端とされた第1の接続部,第2の接続部および第3の接続部を有し、一つの接続部から入力された前記ミリ波信号を前記フェライト板の面内で時計回りまたは反時計回りに隣接する他の接続部より出力するサーキュレータであって、前記第1の誘電体線路の前記送信用のミリ波信号の出力端に前記第1の接続部が接合されるサーキュレータと、該サーキュレータの前記第2の接続部に接合され、前記ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送受信アンテナを有する第3の誘電体線路と、前記送受信アンテナで受信され前記第3の誘電体線路を伝搬して前記サーキュレータの前記第3の接続部より出力した受信波を前記ミキサー側へ伝搬させる第4の誘電体線路と、前記第2の誘電体線路の中途と前記第4の誘電体線路の中途とを近接させて電磁結合させるかまたは接合させることにより、前記送信用のミリ波信号の一部と前記受信波とを混合して中間周波信号を発生するミキサー部と、を設けたミリ波送受信器において、前記高周波ダイオードは金属部材の一側面に設置されており、該金属部材は、幅の広い線路と幅の狭い線路とが交互に形成され、前記高周波ダイオードに前記バイアス電圧を供給するチョーク型バイアス供給線路を形成した配線基板と、前記チョーク型バイアス供給線路および前記高周波ダイオードを直線状に接続する、中途部分が宙に浮いた状態となっている帯状導体とが設けられているとともに、前記チョーク型バイアス供給線路の前記幅の広い線路および前記幅の狭い線路の長さがそれぞれ略λ/4(λは使用周波数において空気中を伝搬する高周波信号の波長)であり、前記帯状導体の長さが略{(3/4)+n}λ(nは0以上の整数)であることを特徴とするものである。
【0023】
本発明のミリ波送受信器によれば、このような構成により、チョーク型バイアス供給線路と帯状導体とが高周波ダイオードの発振周波数を決定する共振器として機能し、金属ストリップ共振器等の別個の共振器が不要となり、従って高周波ダイオードマウント用の金属部材と誘電体線路との位置決めが容易になり、製造の作業性が大幅に向上する。また、金属ストリップ共振器等の別個の共振器による損失が解消され、高周波信号の伝搬特性が向上し、その結果、ミリ波レーダ等に適用した場合に、探知レンジ、探知距離、ターゲットの位置探知、ターゲットの速度探知等の性能が向上するとともに安定したものとなる。
【0024】
本発明において、好ましくは、前記帯状導体の主面と対向する主面を有する誘電体チップを、前記帯状導体に近接配置して電磁結合させたことを特徴とする。
【0025】
上記の構成により、高周波ダイオード発振器の発振周波数の調整が容易になり、発振周波数が安定するため製造歩留まりが向上し量産性も向上する。
【0026】
また好ましくは、バイアス電圧印加方向が前記帯状導体に生じる電界に平行な方向とされた前記周波数変調用ダイオードを前記帯状導体に近接配置して電磁結合させたことを特徴とする。
【0027】
上記の構成により、帯状導体に周波数変調用ダイオードを設けた変調回路基板を近接配置して電磁結合させるとともに、周波数変調用ダイオードに印加するバイアス電圧を変化させることで、発振周波数を制御できる。また、誘電体線路中に周波数変調用ダイオードを配置する必要がないため、損失が小さく高出力が得られるとともに、全体が小型化する。さらに、周波数変調用ダイオードの位置を調整することにより、共振器としても機能する帯状導体と周波数変調用ダイオードとの電磁結合の強さを変えることができ、それにより周波数変調幅を調整し得る。
【0028】
本発明において、好ましくは、前記周波数変調用ダイオードは、第2のチョーク型バイアス供給線路が主面に形成され、かつ該主面が前記平行平板導体に対し垂直に設置される配線基板と、前記第2のチョーク型バイアス供給線路の中途に立設され、かつ前記第2のチョーク型バイアス供給線路に連続する接続導体をその主面上に有する補助基板とから成る変調回路基板上に設置されて、前記補助基板の前記接続導体の中途に接続されていることを特徴とする。
【0029】
上記構成により、変調回路基板の上面視における形状が凸型となり、位置ずれや捩じれ等が小さくなり設置の安定性がきわめて高くなる。また、周波数変調用ダイオードのバイアス電圧印加方向を高周波信号の電界方向に合致させた状態で、周波数変調用ダイオードを帯状導体に近接配置し、位置調整できるため、容易に周波数変調幅を調整可能となる。
【0030】
また好ましくは、前記周波数変調用ダイオードと前記帯状導体との間隔をλ以下としたことを特徴とする。
【0031】
上記の範囲内に調整することで、高周波信号の出力を大きくして周波数変調幅を広げることができる。
【0032】
また好ましくは、少なくとも一方の前記平行平板導体の前記帯状導体近傍に貫通孔を形成し、かつ該貫通孔に前記平行平板導体間側の表面に突出して前記帯状導体と電磁結合する柱状の周波数調整部材を設けたことを特徴とする。
【0033】
上記構成により、帯状導体に周波数調整部材を近接配置して電磁結合させる際に、周波数調整部材の位置を容易かつ再現性良く微調整可能な構成とすることで、共振器の実質的な共振器長を微妙に調整でき、その結果発振周波数を再現性良く微調整できる。また、周波数調整部材を小型化して位置の微調整を可能とすることで全体が小型化される。
【0034】
また好ましくは、前記周波数調整部材と前記帯状導体との距離がλ/2以下であることを特徴とする。
【0035】
上記構成により、周波数調整部材と帯状導体とが良好に電磁結合し、その状態で電磁結合の度合いを微調整することにより、共振器の実質的な共振器長を微調整できる。
【0036】
また、本発明のミリ波送受信器は、ミリ波信号の波長λの2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体間に、高周波ダイオードが一端部に付設され、前記高周波ダイオードから出力されたミリ波信号を伝搬させる第1の誘電体線路と、該第1の誘電体線路の一端にバイアス電圧印加方向が前記ミリ波信号の電界方向に合致するように配置され、前記バイアス電圧を周期的に制御することによって前記ミリ波信号を周波数変調した送信用のミリ波信号として出力する周波数変調用ダイオードと、前記第1の誘電体線路に一端側が電磁結合するように近接配置されるかまたは前記第1の誘電体線路に一端が接合されて、前記送信用のミリ波信号の一部をミキサー側へ伝搬させる第2の誘電体線路と、前記平行平板導体に平行に配設されたフェライト板の周縁部に所定間隔で配置され、かつそれぞれ前記ミリ波信号の入出力端とされた第1の接続部,第2の接続部および第3の接続部を有し、一つの接続部から入力された前記ミリ波信号を前記フェライト板の面内で時計回りまたは反時計回りに隣接する他の接続部より出力するサーキュレータであって、前記第1の誘電体線路の前記送信用のミリ波信号の出力端に前記第1の接続部が接合されるサーキュレータと、該サーキュレータの前記第2の接続部に接続され、前記送信用のミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送信アンテナを有する第3の誘電体線路と、先端部に受信アンテナ、他端部に前記ミキサーが各々設けられ、前記受信アンテナで受信された受信波を前記ミキサー側へ伝搬させる第4の誘電体線路と、前記サーキュレータの前記第3の接続部に接続され、前記送信アンテナで受信混入したミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に設けられた無反射終端部で前記受信混入したミリ波信号を減衰させる第5の誘電体線路と、前記第2の誘電体線路の中途と前記第4の誘電体線路の中途とを近接させて電磁結合させるかまたは接合させることにより、前記送信用のミリ波信号の一部と前記受信波とを混合して中間周波信号を発生するミキサー部と、を設けたミリ波送受信器において、前記高周波ダイオードは金属部材の一側面に設置されており、該金属部材は、幅の広い線路と幅の狭い線路とが交互に形成され、前記高周波ダイオードに前記バイアス電圧を供給するチョーク型バイアス供給線路を形成した配線基板と、前記チョーク型バイアス供給線路および前記高周波ダイオードを直線状に接続する、中途部分が宙に浮いた状態となっている帯状導体とが設けられているとともに、前記チョーク型バイアス供給線路の前記幅の広い線路および前記幅の狭い線路の長さがそれぞれ略λ/4(λは使用周波数において空気中を伝搬する高周波信号の波長)であり、前記帯状導体の長さが略{(3/4)+n}λ(nは0以上の整数)であることを特徴とするものである。
【0037】
本発明のミリ波送受信器によれば、このような構成により、チョーク型バイアス供給線路と帯状導体とが高周波ダイオードの発振周波数を決定する共振器として機能し、金属ストリップ共振器等の別個の共振器が不要となり、従って高周波ダイオードマウント用の金属部材と誘電体線路との位置決めが容易になり、製造の作業性が大幅に向上する。また、金属ストリップ共振器等の別個の共振器による損失が解消され、高周波信号の伝搬特性が向上し、その結果、ミリ波レーダ等に適用した場合に、探知レンジ、探知距離、ターゲットの位置探知、ターゲットの速度探知等の性能が向上するとともに安定したものとなる。また、送信用のミリ波信号がサーキュレータを介してミキサーへ混入することがなく、その結果、受信信号のノイズが低減して探知距離が増大し、ミリ波信号の伝送特性に優れたものとなる。
【0038】
本発明において、好ましくは、前記帯状導体の主面と対向する主面を有する誘電体チップを、前記帯状導体に近接配置して電磁結合させたことを特徴とする。
【0039】
上記の構成により、高周波ダイオード発振器の発振周波数の調整が容易になり、発振周波数が安定するため製造歩留まりが向上し量産性も向上する。
【0040】
また好ましくは、バイアス電圧印加方向が前記帯状導体に生じる電界に平行な方向とされた前記周波数変調用ダイオードを前記帯状導体に近接配置して電磁結合させたことを特徴とする。
【0041】
上記の構成により、帯状導体に周波数変調用ダイオードを設けた変調回路基板を近接配置して電磁結合させるとともに、周波数変調用ダイオードに印加するバイアス電圧を変化させることで、発振周波数を制御できる。また、誘電体線路中に周波数変調用ダイオードを配置する必要がないため、損失が小さく高出力が得られるとともに、全体が小型化する。さらに、周波数変調用ダイオードの位置を調整することにより、共振器としても機能する帯状導体と周波数変調用ダイオードとの電磁結合の強さを変えることができ、それにより周波数変調幅を調整し得る。
【0042】
本発明において、好ましくは、前記周波数変調用ダイオードは、第2のチョーク型バイアス供給線路が主面に形成され、かつ該主面が前記平行平板導体に対し垂直に設置される配線基板と、前記第2のチョーク型バイアス供給線路の中途に立設され、かつ前記第2のチョーク型バイアス供給線路に連続する接続導体をその主面上に有する補助基板とから成る変調回路基板上に設置されて、前記補助基板の前記接続導体の中途に接続されていることを特徴とする。
【0043】
上記構成により、変調回路基板の上面視における形状が凸型となり、位置ずれや捩じれ等が小さくなり設置の安定性がきわめて高くなる。また、周波数変調用ダイオードのバイアス電圧印加方向を高周波信号の電界方向に合致させた状態で、周波数変調用ダイオードを帯状導体に近接配置し、位置調整できるため、容易に周波数変調幅を調整可能となる。
【0044】
また好ましくは、前記周波数変調用ダイオードと前記帯状導体との間隔をλ以下としたことを特徴とする。
【0045】
上記の範囲内に調整することで、高周波信号の出力を大きくして周波数変調幅を広げることができる。
【0046】
また好ましくは、少なくとも一方の前記平行平板導体の前記帯状導体近傍に貫通孔を形成し、かつ該貫通孔に前記平行平板導体間側の表面に突出して前記帯状導体と電磁結合する柱状の周波数調整部材を設けたことを特徴とする。
【0047】
上記構成により、帯状導体に周波数調整部材を近接配置して電磁結合させる際に、周波数調整部材の位置を容易かつ再現性良く微調整可能な構成とすることで、共振器の実質的な共振器長を微妙に調整でき、その結果発振周波数を再現性良く微調整できる。また、周波数調整部材を小型化して位置の微調整を可能とすることで全体が小型化される。
【0048】
また好ましくは、前記周波数調整部材と前記帯状導体との距離がλ/2以下であることを特徴とする。
【0049】
上記構成により、周波数調整部材と帯状導体とが良好に電磁結合し、その状態で電磁結合の度合いを微調整することにより、共振器の実質的な共振器長を微調整できる。
【0050】
【発明の実施の形態】
本発明のミリ波送受信器について、以下に説明する。本発明のミリ波送受信器は、全体の基本的構成は図13,図14に示したものと同様であり、以下これらの図に基き説明する。図13は送信アンテナと受信アンテナが一体化されたものの平面図、図14は送信アンテナと受信アンテナが独立したものの平面図である。
【0051】
図13において、41は一方の平行平板導体(他方は省略する)、42は第1の誘電体線路43の一端に設けられた電圧制御型のミリ波信号発振部、即ち電圧制御発振部であり、バイアス電圧印加方向が高周波信号の電界方向に合致するように、第1の誘電体線路43の高周波ダイオード近傍に配置された可変容量ダイオードのバイアス電圧を周期的に制御して、三角波,正弦波等とすることにより、周波数変調した送信用のミリ波信号として出力する。
【0052】
43は、高周波ダイオードから出力された高周波信号が変調されたミリ波信号を伝搬させる第1の誘電体線路、44は、第1,第3,第4の誘電体線路にそれぞれ結合される第1,第2,第3の接続部(図示せず)を有する、フェライト円板44a等から成るサーキュレータ、45は、サーキュレータ44の第2の接続部に接続され、ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送受信アンテナ46を有する第3の誘電体線路、46は、第3の誘電体線路45の先端をテーパー状等とすることにより構成された送受信アンテナである。
【0053】
また47は、送受信アンテナ46で受信され第3の誘電体線路45を伝搬してサーキュレータ44の第3の接続部より出力した受信波をミキサー49側へ伝搬させる第4の誘電体線路、48は、第1の誘電体線路43に一端側が電磁結合するように近接配置されて、送信用のミリ波信号の一部をミキサー49側へ伝搬させる第2の誘電体線路、48aは、第2の誘電体線路48のミキサー49と反対側の一端部に設けられた無反射終端部(ターミネータ)である。また、図中M1は、第2の誘電体線路48の中途と第4の誘電体線路47の中途とを近接させて電磁結合させることにより、送信用のミリ波信号の一部と受信波とを混合して中間周波信号を発生するミキサー部である。
【0054】
サーキュレータ44は、平行平板導体41,41間に平行に配設された一対のフェライト円板44aの周縁部に所定間隔、例えばフェライト円板44aの中心点に関して角度で120°間隔で配置され、かつそれぞれミリ波信号の入出力端とされた第1の接続部,第2の接続部および第3の接続部を有し、一つの接続部から入力されたミリ波信号をフェライト円板44aの面内で時計回りまたは反時計回りに隣接する他の接続部より出力させるものである。また、平行平板導体41の外側主面のフェライト円板44aに相当する部位には、フェライト円板44aを伝搬する電磁波の波面を回転させるための磁石が、磁力線がフェライト円板44aに対し略垂直方向(略上下方向)に通過するように設けられる。なお、本発明のフェライト円板44aは円板状のものに限らず、多角形状等のものでもよい。
【0055】
また、本発明のミリ波送受信器の他の実施形態として、送信アンテナと受信アンテナを独立させた図14のタイプがある。同図において、51は一方の平行平板導体(他方は省略する)、52は第1の誘電体線路53の一端に設けられた電圧制御型のミリ波信号発振部であり、バイアス電圧印加方向が高周波信号の電界方向に合致するように第1の誘電体線路53の高周波ダイオード近傍に配置された可変容量ダイオードのバイアス電圧を周期的に制御して、三角波,正弦波等とすることにより、周波数変調した送信用のミリ波信号として出力する。
【0056】
53は、高周波ダイオードから出力された高周波信号が変調されたミリ波信号を伝搬させる第1の誘電体線路、54は、第1,第3,第5の誘電体線路53,55,57にそれぞれ接続される第1,第2,第3の接続部(図示せず)を有する、フェライト円板54a等から成るサーキュレータ、55は、サーキュレータ54の第2の接続部に接続され、ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送信アンテナ56を有する第3の誘電体線路、56は、第3の誘電体線路55の先端をテーパー状等とすることにより構成された送信アンテナ、57は、サーキュレータ54の第3の接続部に接続され、送信用のミリ波信号を減衰させる無反射終端部57aが先端に設けられた第5の誘電体線路である。
【0057】
また58は、第1の誘電体線路53に一端側が電磁結合するように近接配置されて、送信用のミリ波信号の一部をミキサー61側へ伝搬させる第2の誘電体線路、58aは、第2の誘電体線路58のミキサー61と反対側の一端部に設けられた無反射終端部、59は、受信アンテナ60で受信された受信波をミキサー61側へ伝搬させる第4の誘電体線路である。また、図中M2は、第2の誘電体線路58の中途と第4の誘電体線路59の中途とを近接させて電磁結合させることにより、送信用のミリ波信号の一部と受信波とを混合して中間周波信号を発生するミキサー部である。
【0058】
本発明では、図13において、第1の誘電体線路43に第2の誘電体線路48の一端側を近接配置するかまたは一端部を接合するが、接合する場合、接合部において、第1の誘電体線路43を直線状、第2の誘電体線路48を円弧状となし、その円弧状部の曲率半径rを高周波信号の波長λ以上とする。これにより、高周波信号を損失を小さくして均等の出力で分岐させることができる。また、接合部において、第2の誘電体線路48を直線状、第1の誘電体線路43を円弧状となし、その円弧状部の曲率半径rを高周波信号の波長λ以上としてもよく、この場合も上記と同様の効果が得られる。
【0059】
また、ミキサー49部において、第2の誘電体線路48と第4の誘電体線路47とを接合することもでき、この場合、上記と同様に、これらの誘電体線路48,47のうちいずれか一方の接合部を円弧状となし、その円弧状部の曲率半径rを高周波信号の波長λ以上とするのがよい。また、第2の誘電体線路48と第4の誘電体線路47とを接合させずに、電磁結合するように近接配置する場合、その近接部において、第2の誘電体線路48と第4の誘電体線路47との近接部の少なくとも一方を円弧状とすることにより、近接配置の構成とすることができる。
【0060】
また好ましくは、接合部の曲率半径rは3λ以下が良く、3λを超えると接合構造が大きくなり小型化のメリットが得られない。接合部の曲率半径rを波長λより小さく設定すると、円弧状の接合部を有する誘電体線路への分岐強度は小さくなる。
【0061】
このような第1の誘電体線路43と第2の誘電体線路48との接合構造、および第2の誘電体線路48と第4の誘電体線路47との接合構造、並びに第2の誘電体線路48と第4の誘電体線路47との近接配置の構成については、図14の場合も上記と同様である。
【0062】
そして、これらの各種部品は、ミリ波信号の波長の2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体間に設けられている。
【0063】
図13のものにおいて、第1の誘電体線路43の中途にスイッチを設け、それをON−OFFすることでパルス変調制御することもできる。例えば、図18に示すように、配線基板18の一主面に第2のチョーク型バイアス供給線路112を形成し、その中途に半田実装されたビームリードタイプのPINダイオードやショットキーバリアダイオードを設けたスイッチである。この配線基板18を、第1の誘電体線路43の第2の誘電体線路48との信号分岐部とサーキュレータ44との間に、PINダイオードやショットキーバリアダイオードのパルス変調用ダイオードのバイアス電圧印加方向がLSMモードの高周波信号の電界方向に合致するように配置し、第1の誘電体線路43に介在させるものである。また、第1の誘電体線路43にもう一つのサーキュレータを介在させ、その第1,第3の接続部に第1の誘電体線路43を接続し、第2の接続部に他の誘電体線路を接続し、その誘電体線路の先端部の端面に、図18のような構成でショットキーバリアダイオードを設けたスイッチを設置してもよい。
【0064】
図14のものにおいて、サーキュレータ54をなくし、第1の誘電体線路53の先端部に送信アンテナ56を接続した構成とすることもできる。この場合、小型化されたものとなるが、受信波の一部が電圧制御発振部52に混入しノイズ等の原因となり易いため、図14のタイプが好ましい。
【0065】
また、図14のタイプにおいて、第2の誘電体線路58は、第3の誘電体線路55に一端側が電磁結合するように近接配置されるか第3の誘電体線路55に一端が接合されて、送信用のミリ波信号の一部をミキサー61側へ伝搬させるように配置されていてもよい。この構成においても、図14のものと同様の機能、作用効果を有する。
【0066】
この図14のものにおいて、第1の誘電体線路53の中途に、図18に示したものと同様に構成したスイッチを設け、それをON−OFFすることでパルス変調制御することもできる。例えば、図18のように、配線基板18の一主面に第2のチョーク型バイアス供給線路112を形成し、その中途に半田実装されたビームリードタイプのPINダイオードやショットキーバリアダイオードを設けたスイッチである。この配線基板18を、第1の誘電体線路53の第2の誘電体線路58との信号分岐部と、サーキュレータ54との間に、PINダイオードやショットキーバリアダイオードのバイアス電圧印加方向がLSMモードの高周波信号の電界方向に合致するように配置し、第1の誘電体線路53に介在させるものである。
【0067】
また、第1の誘電体線路53にもう一つのサーキュレータを介在させ、その第1,第3の接続部に第1の誘電体線路53を接続し、第2の接続部に他の誘電体線路を接続し、その誘電体線路の先端部の端面に、図18のような構成のショットキーバリアダイオードを設けたスイッチを設置してもよい。
【0068】
また、これらのミリ波送受信器において、平行平板導体間の間隔は、ミリ波信号の空気中での波長であって、使用周波数での波長の2分の1以下となる。
【0069】
また、図13,図14のミリ波送受信器はFMCW(Frequency Modulation Continuous Waves)方式であり、FMCW方式の動作原理は以下のようなものである。電圧制御発振部の変調信号入力用のMODIN端子に、電圧振幅の時間変化が三角波等となる入力信号を入力し、その出力信号を周波数変調し、電圧制御発振部の出力周波数偏移を三角波等になるように偏移させる。そして、送受信アンテナ46,送信アンテナ56より出力信号(送信波)を放射した場合、送受信用アンテナ46,送信アンテナ56の前方にターゲットが存在すると、電波の伝搬速度の往復分の時間差をともなって、反射波(受信波)が戻ってくる。この時、ミキサー49,61の出力側のIFOUT端子には、送信波と受信波の周波数差が出力される。
【0070】
このIFOUT端子の出力周波数等の周波数成分を解析することで、Fif=4R・fm・Δf/c{Fif:IF(Intermediate Frequency)出力周波数,R:距離,fm:変調周波数,Δf:周波数偏移幅,c:光速}という関係式から距離を求めることができる。
【0071】
このように、自動車のミリ波レーダ等に適用した場合、自動車の周囲の障害物および他の自動車に対しミリ波を照射し、反射波を元のミリ波と合成して中間周波信号を得、この中間周波信号を分析することにより障害物および他の自動車までの距離、それらの移動速度等が測定できる。
【0072】
本発明のミリ波送受信器における誘電体線路は、Mg,Al,Siの複合酸化物を主成分としたセラミックスを用いるのが好ましく、このセラミックスは比誘電率4.5〜8程度が良い。比誘電率が4.5未満の場合、LSMモードの電磁波のLSEモードへの変換が大きくなり、比誘電率が8を超えると、50GHz以上の周波数で使用する際、誘電体線路の幅を非常に細くしなければならず、加工が困難になって形状精度が劣化し、強度の点でも問題が生じる。
【0073】
また、誘電体線路の材料として、使用周波数50〜90GHzでのQ値が1000以上である、Mg,Al,Siの複合酸化物を主成分としたセラミックを用いるのがよい。これは、近年におけるマイクロ波帯域,ミリ波帯に含まれる50〜90GHzで使用される誘電体線路として、十分な低損失性を実現する。特に、コーディエライト(2MgO・2Al2O3・5SiO2)セラミックスがよい。
【0074】
さらに、その他の材料として、テフロン(登録商標)(テフロン(登録商標)は登録商標である。),ポリスチレン,ガラスエポキシ樹脂等の樹脂系のもの、アルミナセラミックス,ガラスセラミックス,フォルステライトセラミックス等のものでもよいが、誘電特性、加工性、強度、小型化、信頼性等の点でコーディエライトセラミックスが好ましい。
【0075】
このコーディエライトセラミックスに対し、Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luから選ばれる少なくとも1種を含有させることにより、Q値等の誘電特性を向上させ、低損失の伝送特性となる。
【0076】
本発明のミリ波送受信器における誘電体線路用の誘電体磁器組成物は、以下のようにして製造する。原料粉末として、例えばMgCO3粉末,Al2O3粉末,SiO2粉末を用い、これらを所定割合で秤量し、湿式混合した後乾燥し、この混合物を大気中において1100〜1300℃で仮焼した後、粉砕し粉末状とする。得られた粉末に適量の樹脂バインダを加えて成形し、この成形体を大気中1300〜1450℃で焼成することにより得られる。
【0077】
原料粉末中に含まれるMg,Al,Siの各元素は、それぞれ酸化物,炭酸塩,酢酸塩等の無機化合物、もしくは有機金属等の有機化合物のいずれであってもよく、焼成により酸化物となるものであれば良い。
【0078】
なお、誘電体線路用の誘電体磁器組成物の主成分は、Mg,Al,Siの複合酸化物を主成分とし、50〜90GHzでのQ値を1000以上であるという特性を損なわない範囲で、上記元素以外に、粉砕ボールや原料粉末の不純物が混入したり、焼結温度範囲の制御、機械的特性向上を目的に他の成分を含有させても良い。例えば、希土類元素化合物、Ba,Sr,Ca,Ni,Co,In,Ga,Ti等の酸化物、ならびに窒化ケイ素等の窒化物などの非酸化物である。これらは単独または複数種が含まれていても良い。
【0079】
本発明のミリ波送受信器における高周波ダイオード発振器を用いた電圧制御発振部42,52について以下に説明する。図1,図2は本発明のミリ波送受信器におけるNRDガイド型の高周波ダイオード発振器を示し、これらの図において、1は一対の平行平板導体、2はガンダイオード3を設置(マウント)するための略直方体状の金属ブロック等の金属部材、3はマイクロ波,ミリ波を発振する高周波ダイオードの1種であるガンダイオード、4は金属部材2の一側面に設置され、ガンダイオード3にバイアス電圧を供給するとともに高周波信号の漏れを防ぐローパスフィルタとして機能するチョーク型バイアス供給線路4aを形成した配線基板、5はチョーク型バイアス供給線路4aとガンダイオード3の上部導体とを接続する金属箔リボン等の帯状導体、7はガンダイオード3の近傍に配置され、高周波信号を受信し外部へ伝搬させる誘電体線路(第1の誘電体線路43,53)である。
【0080】
また図2において、チョーク型バイアス供給線路4aは、幅の広い線路および幅の狭い線路の長さがそれぞれ略λ/4の広狭線路から成り、また帯状導体5の長さは略{(3/4)+n}λ(nは0以上の整数)である。この帯状導体5の長さは略3λ/4〜略{(3/4)+3}λが良く、略{(3/4)+3}λを超えると帯状導体5が長くなり、撓み、捩じれ等が生じ易くなり、個々の高周波ダイオード発振器間で発振周波数等の特性のばらつきが大きくなるとともに、種々の共振モードが発生して、所望の発振周波数と異なる周波数の信号が発生するという問題が生じる。より好ましくは、略3λ/4,略{(3/4)+1}λである。
【0081】
また、略{(3/4)+n}λとしたのは、{(3/4)+n}λから多少ずれていても共振は可能だからである。例えば、帯状導体5を{(3/4)+n}λよりも10〜20%程度長く形成しても良く、その場合、帯状導体5の接するチョーク型バイアス供給線路4aの1パターン目の長さλ/4のうち一部が共振に寄与すると考えられるからである。従って、帯状導体5の長さは{(3/4)+n}λ±20%程度の範囲内で変化させることができる。
【0082】
これらチョーク型バイアス供給線路4aおよび帯状導体5の材料は、Cu,Al,Au,Ag,W,Ti,Ni,Cr,Pd,Pt等から成り、特にCu,Agが、電気伝導度が良好であり、損失が小さく、発振出力が大きくなるといった点で好ましい。
【0083】
また、帯状導体5は金属部材2の表面から所定間隔をあけて金属部材2と電磁結合しており、チョーク型バイアス供給線路4aとガンダイオード3間に架け渡されている。即ち、帯状導体5の一端はチョーク型バイアス供給線路4aの一端に半田付け等により接続され、帯状導体5の他端はガンダイオード3の上部導体に半田付け等により接続されており、帯状導体5の接続部を除く中途部分は宙に浮いた状態となっている。
【0084】
そして、金属部材2は、ガンダイオード3の電気的な接地(アース)を兼ねているため金属導体であれば良く、その材料は金属(合金を含む)導体であれば特に限定するものではなく、真鍮(黄銅:Cu−Zn合金),Al,Cu,SUS(ステンレススチール),Ag,Au,Pt等から成る。また金属部材2は、全体が金属から成る金属ブロック、セラミックスやプラスチック等の絶縁基体の表面全体または部分的に金属メッキしたもの、絶縁基体の表面全体または部分的に導電性樹脂材料等をコートしたものであっても良い。
【0085】
また、誘電体線路7は、図13,図14の第1の誘電体線路43,53に相当するものであり、その材料は上記の通りコーディエライト(2MgO・2Al2O3・5SiO2)セラミックス(比誘電率4〜5)等好ましく、これらは高周波帯域において低損失である。ガンダイオード3と誘電体線路7との間隔は1.0mm程度以下が好ましく、1.0mmを超えると損失を小さくして電磁的結合が可能な最大離間幅を超える。
【0086】
本発明でいう高周波帯域は、数10〜数100GHz帯域のマイクロ波帯域およびミリ波帯域に相当し、例えば30GHz以上、特に50GHz以上、更には70GHz以上の高周波帯域が好適である。
【0087】
また、本発明の高周波ダイオードとしては、インパット(impatt:impact ionisation avalanche transit time)・ダイオード,トラパット(trapatt:trapped plasma avalanche triggered transit)・ダイオード,ガンダイオード等のマイクロ波ダイオードおよびミリ波ダイオードが好適に使用される。
【0088】
本発明のミリ波送受信器におけるNRDガイド用の平行平板導体1は、高い電気伝導度および加工性等の点で、Cu,Al,Fe,SUS(ステンレススチール),Ag,Au,Pt等の導体板、あるいはセラミックス,樹脂等から成る絶縁板の表面にこれらの導体層を形成したものでもよい。
【0089】
本発明において、好ましくは、図3および図4の断面図に示すように、高周波信号の発振周波数を調整する誘電体チップ8を、帯状導体5に近接させて配置する。尚、同図において9はガンダイオード3のネジ止め部である。この誘電体チップ8の形状は特に限定するものではないが、帯状導体5の主面に対向し近接する平行な主面Aを有する直方体状,板状,四角錐状,三角柱等の角柱状,蒲鉾状等が良く、帯状導体5を伝搬する高周波信号との電磁結合を主面Aにより制御し易いという利点がある。そして、主面Aの長さLを調整する、または種々の長さLを有する誘電体チップ8を用意しておき、長さLを変化させることにより、発振周波数を制御できる。即ち、誘電体チップ8を帯状導体5に近接させることで、チョーク型バイアス供給線路4aと帯状導体5とから成る共振器の実質的な共振器長を微妙に調整でき、例えば帯状導体5の電気的な共振器長を{(3/4)+n}λよりも僅かに大きくし、発振周波数を低くすることが可能である。
【0090】
そして、誘電体チップ8はコーディエライトセラミックス,アルミナセラミックス等が好ましく、これらは高周波帯域において低損失である。また、誘電体チップ8の主面Aと帯状導体5の主面との間隔Bは0.1mm〜1.0mmが良く、0.1mm未満では、振動等により誘電体チップ8が位置ずれしたり、熱変形、撓み等を起こして帯状導体5に接触し、高周波の伝搬特性が変化し易くなる。1.0mmを超えると、帯状導体5と誘電体チップ8との電磁結合が弱すぎて、発振周波数の制御が困難となる。
【0091】
本発明の他の実施形態として、周波数調整部材を金属部材2の内部に設けた例を図5〜図7に示す。なお、図6,図7は周波数調整部材周辺の部分断面図である。これらの図に示すように、金属部材2の帯状導体5に対応する位置に孔9a,11が形成されており、その孔9a,11には柱状の周波数調整部材10,12が挿入配置され、かつ金属部材2の表面より周波数調整部材10,12の端部が突出して帯状導体5に近接し電磁結合している。これらの孔9a,11は貫通孔であってもよく、その場合、金属部材2の帯状導体5と反対側の面より周波数調整部材10,12を挿入して、位置調整をすることができ好適である。
【0092】
また図7の実施形態は、孔11を内面にネジ切りを施したネジ孔とし、この孔11にネジ状の周波数調整部材12をネジ込み、回転挿入させて位置の微調整をより微妙に行えるようにしたものである。これにより、さらに微妙な発振周波数の制御が可能となる。これらの周波数調整部材10,12は、金属部材2の帯状導体5に対応する位置に複数設けても良く、例えば断面積の大きなものと断面積の小さなものとを設け、断面積の大きなものにより周波数を粗調整し、断面積の小さなものにより周波数を微調整することもできる。
【0093】
周波数調整部材10,12の材料としては、コーディエライト(2MgO・2Al2O3・5SiO2),アルミナ(Al2O3)等の誘電体、またはCu,Al,Fe,SUS(ステンレス)等の金属が良く、上記誘電体は高周波信号に対する誘電体損失が小さく、上記金属は加工性に優れる。
【0094】
このように、周波数調整部材10,12を帯状導体5に近接させてこれらの間隔を調整することで、帯状導体5と周波数調整部材10,12との間の結合容量を変化させ、その結果、チョーク型バイアス供給線路4aと帯状導体5とから成る共振器の実質的な共振器長を微妙に調整できる。例えば、帯状導体5の電気的な共振器長を略{(3/4)+n}λよりも僅かに大きくし、発振周波数を低くすることが可能となる。
【0095】
そして、周波数調整部材10,12と帯状導体5との間隔d(図6)は、0.05〜0.1mmとするのが良く、0.05mm未満では、周波数調整部材10,12と帯状導体5とが接触し易くなり、0.1mmを超えると、周波数調整部材10,12と帯状導体5とが電磁結合し難くなり、発振周波数の制御が困難になる。
【0096】
さらに、周波数調整部材10,12と帯状導体5との間隔dだけでなく、周波数調整部材10,12の帯状導体5に対向する端面の面積を調整することによっても、発振周波数の制御が可能であり、その端面の面積が小さい場合は細かな制御ができるとともに周波数変調可能幅が小さくなり、端面の面積が大きい場合は相対的に粗い制御となり周波数変調可能幅も大きくなる。好ましくは、端面の面積は0.1〜2mm2が良く、0.1mm2未満では発振周波数の制御が困難であり、2mm2を超えると、周波数調整部材10,12の断面の幅が大きくなり、平行平板導体1と接触し易くなるうえ、帯状導体5よりはみ出した部分は周波数制御に殆ど影響しない。より好ましくは、0.13〜0.8mm2である。
【0097】
本発明の他の実施形態を図8,図9に示す。これらの図において、20は補助基板14に設置された周波数変調用ダイオードとしてのバラクタダイオードであり、そのバイアス電圧印加方向は帯状導体5に生じ空間に放射形成される電磁界の電界に平行な方向とされ、即ち電界方向と合致した状態とされ、帯状導体5に近接配置されて電磁結合している。21は、補助基板14に形成されたバラクタダイオード20接続用の電極(接続導体)、22は、配線基板23の主面に形成された第2のチョーク型バイアス供給線路である。23は、バラクタダイオード20を設けた変調回路基板であり、第2のチョーク型バイアス供給線路22が主面に形成され、かつその主面が平行平板導体1に対し垂直に設置される配線基板13と、第2のチョーク型バイアス供給線路22の中途に立設され、かつ第2のチョーク型バイアス供給線路22に連続する接続導体をその主面に有する補助基板14とから成る。
【0098】
本実施形態において、好ましくは、周波数変調用ダイオードのバラクタダイオード20と帯状導体5との間隔をλ以下とする。λよりも大きいと、バラクタダイオード20の容量変化による周波数の変調が困難となり、周波数変調幅が小さくなる。より好ましくは、周波数変調用ダイオードと帯状導体5との間隔は0.1mm〜λであり、0.1mm未満では電極21と帯状導体5とが接触し易くなる。
【0099】
また、バラクタダイオード20の帯状導体5に対する位置は、帯状導体5の中心部から、チョーク型バイアス供給線路4a側、またはガンダイオード3側へ帯状導体5の長さの1/4程度までの範囲が良い。バラクタダイオード20が、帯状導体5の中心部よりもガンダイオード3側へ帯状導体5の長さの1/4を超えて近くなると発振出力が低下し、チョーク型バイアス供給線路4a側へ帯状導体5の長さの1/4を超えて配置されると、周波数変調幅が小さくなる。
【0100】
上記実施形態では、バラクタダイオード20のバイアス電圧印加方向が、帯状導体5で生じる電界の方向、即ち平行平板導体1に平行な方向かつ帯状導体5表面に垂直な方向に合致するようにしたが、帯状導体5より生じる電界は帯状導体5から離れるに従い広がり、平行平板導体1に垂直な方向の成分が発生する。従って、平行平板導体1に垂直な方向の電界にバラクタダイオード20のバイアス電圧印加方向を合致させるように設けることもできる。
【0101】
さらに、本発明の他の実施形態について、図10〜図12に示す。図11(a),(b)、図12(a),(b)は、2種類の周波数調整部材周辺の部分平面図および側断面図をそれぞれ示すものである。これらの図に示すように、一方の平行平板導体1には、帯状導体5近傍に位置し厚さ方向に貫通する貫通孔28と、貫通孔28に挿置され、かつ平行平板導体1間側の表面より突出して帯状導体5に近接し電磁結合する柱状の周波数調整部材29とが設けられている。この場合、平行平板導体1の外側より周波数調整部材29を挿入して、位置調整をすることができる。
【0102】
また図12の実施形態は、貫通孔30にネジ切りを施し、これにネジ状の周波数調整部材31を螺合させ挿入することで、ネジの回転により周波数調整部材31の突出長を微調整でき、さらに微妙な発振周波数の制御が可能になる。
【0103】
これらの実施形態において、周波数調整部材29,31の高周波ダイオード発振器内部への突出部の形状を先細り状,テーパー状とすることにより、さらに微妙な制御ができる。また、突出部の形状を種々に変化させたものを複数用意し、それらを所望の特性に応じて使用することもできる。例えば、発振周波数の変化幅、発振周波数の変化率、Q特性等について、種々の制御が可能なように、複数種の周波数調整部材29,31を使用してもよい。これらの周波数調整部材29,31は、帯状導体5に近接する位置に複数設けても良く、例えば断面積の大きなものと断面積の小さなものとを設け、断面積の大きなものにより周波数を粗調整し、断面積の小さなものにより周波数を微調整することもできる。
【0104】
さらには、一対の平行平板導体1,1の両方に対向する貫通孔を設け、それらの貫通孔に一本の周波数調整部材29,31を挿入する、または平行平板導体1,1の両方に対向しない貫通孔を設け、それらの貫通孔に周波数調整部材29,31を一本ずつ挿入することもできる。上記実施形態においては、円柱状の周波数調整部材29について説明したが、円柱状に限らず、三角柱状,四角柱状等の角柱状、円錐状,角錐状、突出端部が半球状のもの等種々の形状とし得る。また、周波数調整部材29の断面形状を凸型,逆T型等として、一端に突出長さを制限する止め部を設けてもよい。あるいは、周波数調整部材29,31の内部を空洞として軽量化、低コスト化を行ってもよく、また周波数調整部材29,31を複数種の材質から構成してもよい。
【0105】
周波数調整部材29,31の材料としては、コーディエライト(2MgO・2Al2O3・5SiO2)セラミックス,アルミナ(Al2O3)セラミックス等の誘電体、またはCu,Al,Fe,SUS(ステンレス)等の金属が良く、上記誘電体は高周波信号に対する誘電体損失が小さく、上記金属は加工性に優れる。
【0106】
このように、周波数調整部材29,31を帯状導体5に近接させ、周波数調整部材29,31の突出長さ、即ち電磁結合長を調整することで、帯状導体5と周波数調整部材29,31との間の結合容量を変化させ、その結果、チョーク型バイアス供給線路4aと帯状導体5とから成る共振器の実質的な共振器長を微妙に調整できる。例えば、帯状導体5の電気的な共振器長を略{(3/4)+n}λよりも僅かに大きくし、発振周波数を低くすることが可能となる。
【0107】
そして、周波数調整部材29,31と帯状導体5との距離はλ/2以下が好ましく、λ/4以下がより好ましい。例えば、発振周波数が約77GHzでは0.05〜2mmとするのが良い。0.05mm未満では周波数調整部材29,31と帯状導体5とが接触し易くなり、2mmを超えると周波数調整部材29,31と帯状導体5とが電磁結合し難くなり、発振周波数の制御が困難になる。
【0108】
さらに、周波数調整部材29,31と帯状導体5との距離だけでなく、周波数調整部材29,31の帯状導体5に対向する面の面積を調整することによっても、発振周波数の制御が可能であり、対向する面の面積が小さい場合は細かな制御ができるとともに周波数変調可能幅が小さくなり、対向する面の面積が大きい場合は相対的に粗い制御となり周波数変調可能幅も大きくなる。好ましくは、対向する面の面積は0.5〜3mm2が良く、0.5mm2未満では発振周波数の制御が困難であり、3mm2を超えると、周波数調整部材9,11と誘電体線路6とが電磁結合しそれが無視できない程度に大きくなる。
【0109】
かくして、本発明のミリ波送受信器によれば、チョーク型バイアス供給線路と帯状導体とが高周波ダイオードの発振周波数を決定する共振器として機能し、金属ストリップ共振器等の別個の共振器が不要となり、従って高周波ダイオードマウント用の金属部材と誘電体線路との位置決めが容易になり、製造の作業性が大幅に向上する。また、金属ストリップ共振器等の別個の共振器による損失が解消され、高周波信号の伝搬特性が向上し、その結果、ミリ波レーダ等に適用した場合に、探知レンジ、探知距離、ターゲットの位置探知、ターゲットの速度探知等の性能が向上するとともに安定したものとなる。さらに、本発明によれば、ミリ波信号の伝送特性に優れ、ミリ波レーダーの探知距離を増大し得るものとなり(図13のもの)、また送信用のミリ波信号がサーキュレータを介してミキサーへ混入することがなく、その結果、受信信号のノイズが低減し探知距離がさらに増大する(図14のもの)。
【0110】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更を行うことは何等差し支えない。
【0111】
【発明の効果】
本発明のミリ波送受信器によれば、送信アンテナと受信アンテナとが一体化したミリ波送受信器、または送信アンテナと受信アンテナとが独立したミリ波送受信器において、高周波ダイオードは金属部材の一側面に設置されており、金属部材は、幅の広い線路と幅の狭い線路とが交互に形成され、高周波ダイオードにバイアス電圧を供給するチョーク型バイアス供給線路を形成した配線基板と、チョーク型バイアス供給線路および高周波ダイオードを直線状に接続する、中途部分が宙に浮いた状態となっている帯状導体とが設けられているとともに、チョーク型バイアス供給線路の幅の広い線路および幅の狭い線路の長さがそれぞれ略λ/4(λは使用周波数において空気中を伝搬する高周波信号の波長)であり、帯状導体の長さが略{(3/4)+n}λ(nは0以上の整数)であることにより、チョーク型バイアス供給線路と帯状導体とが高周波ダイオードの発振周波数を決定する共振器として機能し、金属ストリップ共振器等の別個の共振器が不要となり、従って高周波ダイオードマウント用の金属部材と誘電体線路との位置決めが容易になり、製造の作業性が大幅に向上する。また、金属ストリップ共振器等の別個の共振器による損失が解消され、高周波信号の伝搬特性が向上し、その結果、ミリ波レーダ等に適用した場合に、探知レンジ、探知距離、ターゲットの位置探知、ターゲットの速度探知等の性能が向上するとともに安定したものとなる。
【0112】
また本発明のミリ波送受信器によれば、好ましくは、帯状導体の主面と対向する主面を有する誘電体チップを、帯状導体に近接配置して電磁結合させたことにより、高周波ダイオード発振器の発振周波数の調整が容易になり、発振周波数が安定するため製造歩留まりが向上し量産性も向上する。
【0113】
また好ましくは、バイアス電圧印加方向が帯状導体に生じる電界に平行な方向とされた周波数変調用ダイオードを帯状導体に近接配置して電磁結合させたことにより、帯状導体に周波数変調用ダイオードを設けた変調回路基板を近接配置して電磁結合させるとともに、周波数変調用ダイオードに印加するバイアス電圧を変化させることで、発振周波数を制御できる。また、誘電体線路中に周波数変調用ダイオードを配置する必要がないため、損失が小さく高出力が得られるとともに、全体が小型化する。さらに、周波数変調用ダイオードの位置を調整することにより、共振器としても機能する帯状導体と周波数変調用ダイオードとの電磁結合の強さを変えることができ、それにより周波数変調幅を調整し得る。
【0114】
また好ましくは、周波数変調用ダイオードは、第2のチョーク型バイアス供給線路が主面に形成されかつその主面が平行平板導体に対し垂直に設置される配線基板と、第2のチョーク型バイアス供給線路の中途に立設されかつ第2のチョーク型バイアス供給線路に連続する接続導体をその主面上に有する補助基板とから成る変調回路基板上に設置されて、補助基板の前記接続導体の中途に接続されていることにより、変調回路基板の上面視における形状が凸型となり、位置ずれや捩じれ等が小さくなり設置の安定性がきわめて高くなる。また、周波数変調用ダイオードのバイアス電圧印加方向を高周波信号の電界方向に合致させた状態で、周波数変調用ダイオードを帯状導体に近接配置し、位置調整できるため、容易に周波数変調幅を調整可能となる。
【0115】
また好ましくは、周波数変調用ダイオードと帯状導体との間隔をλ以下としたことで、高周波信号の出力を大きくして周波数変調幅を広げることができる。
【0116】
また好ましくは、少なくとも一方の平行平板導体の帯状導体近傍に貫通孔を形成し、かつその貫通孔に平行平板導体間側の表面に突出して帯状導体と電磁結合する柱状の周波数調整部材を設けたことにより、帯状導体に周波数調整部材を近接配置して電磁結合させる際に、周波数調整部材の位置を容易かつ再現性良く微調整可能な構成とすることで、共振器の実質的な共振器長を微妙に調整でき、その結果、発振周波数を再現性良く微調整できる。また、周波数調整部材を小型化して位置の微調整を可能とすることで全体が小型化される。
【0117】
また好ましくは、周波数調整部材と帯状導体との距離がλ/2以下であることにより、周波数調整部材と帯状導体とが良好に電磁結合し、その状態で電磁結合の度合いを微調整することにより、共振器の実質的な共振器長を微調整できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のミリ波送受信器用の高周波ダイオード発振器の一実施形態の斜視図である。
【図2】図1の高周波ダイオード発振器のチョーク型バイアス供給線路と帯状導体を示す平面図である。
【図3】本発明のミリ波送受信器用の高周波ダイオード発振器の他の実施形態の斜視図である。
【図4】図3において、誘電体チップと帯状導体およびガンダイオード周辺の部分断面図である。
【図5】本発明のミリ波送受信器用の高周波ダイオード発振器の他の実施形態の斜視図である。
【図6】図5において、周波数調整部材周辺の部分断面図である。
【図7】図5において、他の周波数調整部材周辺の部分断面図である。
【図8】本発明のミリ波送受信器用の高周波ダイオード発振器の他の実施形態の斜視図である。
【図9】図8において、周波数変調用ダイオードを設けた変調回路基板の斜視図である。
【図10】本発明のミリ波送受信器用の高周波ダイオード発振器の他の実施形態の斜視図である。
【図11】図10において、(a)はチョーク型バイアス供給線路,帯状導体および円柱状の周波数調整部材の平面図、(b)は(a)の側断面図である。
【図12】図10において、(a)はチョーク型バイアス供給線路,帯状導体およびネジ状の周波数調整部材の平面図、(b)は(a)の側断面図である。
【図13】本発明の送受信アンテナを備えたNRDガイド型のミリ波送受信器の内部の平面図である。
【図14】本発明の送信アンテナと受信アンテナを備えたNRDガイド型のミリ波送受信器の内部の平面図である。
【図15】従来の高周波ダイオード発振器の斜視図である。
【図16】図15の高周波ダイオード発振器のチョーク型バイアス供給線路と帯状導体を示す平面図である。
【図17】従来の発振周波数を変調可能な高周波ダイオード発振器の斜視図である。
【図18】図17の周波数変調用のバラクタダイオードを設けた配線基板の斜視図である。
【符号の説明】
1:平行平板導体
2:金属部材
3:ガンダイオード
4:配線基板
5:帯状導体
7:誘電体線路
43:第1の誘電体線路
44:サーキュレータ
46:送受信アンテナ
45:第3の誘電体線路
47:第4の誘電体線路
48:第2の誘電体線路
49:ミキサー
Claims (14)
- ミリ波信号の波長λの2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体間に、
高周波ダイオードが一端部に付設され、前記高周波ダイオードから出力されたミリ波信号を伝搬させる第1の誘電体線路と、
該第1の誘電体線路の一端にバイアス電圧印加方向が前記ミリ波信号の電界方向に合致するように配置され、前記バイアス電圧を周期的に制御することによって前記ミリ波信号を周波数変調した送信用のミリ波信号として出力する周波数変調用ダイオードと、
前記第1の誘電体線路に一端側が電磁結合するように近接配置されるかまたは前記第1の誘電体線路に一端が接合されて、前記送信用のミリ波信号の一部をミキサー側へ伝搬させる第2の誘電体線路と、
前記平行平板導体に平行に配設されたフェライト板の周縁部に所定間隔で配置され、かつそれぞれ前記ミリ波信号の入出力端とされた第1の接続部,第2の接続部および第3の接続部を有し、一つの接続部から入力された前記ミリ波信号を前記フェライト板の面内で時計回りまたは反時計回りに隣接する他の接続部より出力するサーキュレータであって、前記第1の誘電体線路の前記送信用のミリ波信号の出力端に前記第1の接続部が接合されるサーキュレータと、
該サーキュレータの前記第2の接続部に接合され、前記ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送受信アンテナを有する第3の誘電体線路と、
前記送受信アンテナで受信され前記第3の誘電体線路を伝搬して前記サーキュレータの前記第3の接続部より出力した受信波を前記ミキサー側へ伝搬させる第4の誘電体線路と、
前記第2の誘電体線路の中途と前記第4の誘電体線路の中途とを近接させて電磁結合させるかまたは接合させることにより、前記送信用のミリ波信号の一部と前記受信波とを混合して中間周波信号を発生するミキサー部と、を設けたミリ波送受信器において、
前記高周波ダイオードは金属部材の一側面に設置されており、該金属部材は、幅の広い線路と幅の狭い線路とが交互に形成され、前記高周波ダイオードに前記バイアス電圧を供給するチョーク型バイアス供給線路を形成した配線基板と、前記チョーク型バイアス供給線路および前記高周波ダイオードを直線状に接続する、中途部分が宙に浮いた状態となっている帯状導体とが設けられているとともに、前記チョーク型バイアス供給線路の前記幅の広い線路および前記幅の狭い線路の長さがそれぞれ略λ/4(λは使用周波数において空気中を伝搬する高周波信号の波長)であり、前記帯状導体の長さが略{(3/4)+n}λ(nは0以上の整数)であることを特徴とするミリ波送受信器。 - 前記帯状導体の主面と対向する主面を有する誘電体チップを、前記帯状導体に近接配置して電磁結合させたことを特徴とする請求項1記載のミリ波送受信器。
- バイアス電圧印加方向が前記帯状導体に生じる電界に平行な方向とされた前記周波数変調用ダイオードを前記帯状導体に近接配置して電磁結合させたことを特徴とする請求項1記載のミリ波送受信器。
- 前記周波数変調用ダイオードは、第2のチョーク型バイアス供給線路が主面に形成され、かつ該主面が前記平行平板導体に対し垂直に設置される配線基板と、前記第2のチョーク型バイアス供給線路の中途に立設され、かつ前記第2のチョーク型バイアス供給線路に連続する接続導体をその主面上に有する補助基板とから成る変調回路基板上に設置されて、前記補助基板の前記接続導体の中途に接続されていることを特徴とする請求項3記載のミリ波送受信器。
- 前記周波数変調用ダイオードと前記帯状導体との間隔をλ以下としたことを特徴とする請求項3または請求項4記載のミリ波送受信器。
- 少なくとも一方の前記平行平板導体の前記帯状導体近傍に貫通孔を形成し、かつ該貫通孔に前記平行平板導体間側の表面に突出して前記帯状導体と電磁結合する柱状の周波数調整部材を設けたことを特徴とする請求項1記載のミリ波送受信器。
- 前記周波数調整部材と前記帯状導体との距離がλ/2以下であることを特徴とする請求項6記載のミリ波送受信器。
- ミリ波信号の波長λの2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体間に、
高周波ダイオードが一端部に付設され、前記高周波ダイオードから出力されたミリ波信号を伝搬させる第1の誘電体線路と、
該第1の誘電体線路の一端にバイアス電圧印加方向が前記ミリ波信号の電界方向に合致するように配置され、前記バイアス電圧を周期的に制御することによって前記ミリ波信号を周波数変調した送信用のミリ波信号として出力する周波数変調用ダイオードと、
前記第1の誘電体線路に一端側が電磁結合するように近接配置されるかまたは前記第1の誘電体線路に一端が接合されて、前記送信用のミリ波信号の一部をミキサー側へ伝搬させる第2の誘電体線路と、
前記平行平板導体に平行に配設されたフェライト板の周縁部に所定間隔で配置され、かつそれぞれ前記ミリ波信号の入出力端とされた第1の接続部,第2の接続部および第3の接続部を有し、一つの接続部から入力された前記ミリ波信号を前記フェライト板の面内で時計回りまたは反時計回りに隣接する他の接続部より出力するサーキュレータであって、前記第1の誘電体線路の前記送信用のミリ波信号の出力端に前記第1の接続部が接合されるサーキュレータと、
該サーキュレータの前記第2の接続部に接続され、前記送信用のミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送信アンテナを有する第3の誘電体線路と、
先端部に受信アンテナ、他端部に前記ミキサーが各々設けられ、前記受信アンテナで受信された受信波を前記ミキサー側へ伝搬させる第4の誘電体線路と、
前記サーキュレータの前記第3の接続部に接続され、前記送信アンテナで受信混入したミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に設けられた無反射終端部で前記受信混入したミリ波信号を減衰させる第5の誘電体線路と、
前記第2の誘電体線路の中途と前記第4の誘電体線路の中途とを近接させて電磁結合させるかまたは接合させることにより、前記送信用のミリ波信号の一部と前記受信波とを混合して中間周波信号を発生するミキサー部と、を設けたミリ波送受信器において、
前記高周波ダイオードは金属部材の一側面に設置されており、該金属部材は、幅の広い線路と幅の狭い線路とが交互に形成され、前記高周波ダイオードに前記バイアス電圧を供給するチョーク型バイアス供給線路を形成した配線基板と、前記チョーク型バイアス供給線路および前記高周波ダイオードを直線状に接続する、中途部分が宙に浮いた状態となっている帯状導体とが設けられているとともに、前記チョーク型バイアス供給線路の前記幅の広い線路および前記幅の狭い線路の長さがそれぞれ略λ/4(λは使用周波数において空気中を伝搬する高周波信号の波長)であり、前記帯状導体の長さが略{(3/4)+n}λ(nは0以上の整数)であることを特徴とするミリ波送受信器。 - 前記帯状導体の主面と対向する主面を有する誘電体チップを、前記帯状導体に近接配置して電磁結合させたことを特徴とする請求項8記載のミリ波送受信器。
- バイアス電圧印加方向が前記帯状導体に生じる電界に平行な方向とされた前記周波数変調用ダイオードを前記帯状導体に近接配置して電磁結合させたことを特徴とする請求項8記載のミリ波送受信器。
- 前記周波数変調用ダイオードは、第2のチョーク型バイアス供給線路が主面に形成され、かつ該主面が前記平行平板導体に対し垂直に設置される配線基板と、前記第2のチョーク型バイアス供給線路の中途に立設され、かつ前記第2のチョーク型バイアス供給線路に連続する接続導体をその主面上に有する補助基板とから成る変調回路基板上に設置されて、前記補助基板の前記接続導体の中途に接続されていることを特徴とする請求項10記載のミリ波送受信器。
- 前記周波数変調用ダイオードと前記帯状導体との間隔をλ以下としたことを特徴とする請求項10または請求項11記載のミリ波送受信器。
- 少なくとも一方の前記平行平板導体の前記帯状導体近傍に貫通孔を形成し、かつ該貫通孔に前記平行平板導体間側の表面に突出して前記帯状導体と電磁結合する柱状の周波数調整部材を設けたことを特徴とする請求項8記載のミリ波送受信器。
- 前記周波数調整部材と前記帯状導体との距離がλ/2以下であることを特徴とする請求項13記載のミリ波送受信器。
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