JP2002014155A

JP2002014155A - ミリ波送受信器

Info

Publication number: JP2002014155A
Application number: JP2000193382A
Authority: JP
Inventors: Toshihiko Kawada; 俊彦河田; Hironori Yoshii; 浩紀喜井
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2000-06-27
Filing date: 2000-06-27
Publication date: 2002-01-18
Anticipated expiration: 2020-06-27
Also published as: JP3631666B2

Abstract

(57)【要約】【課題】部品の位置決めが容易になり、製造の作業性が
大幅に向上し、また高周波信号の伝搬特性が向上し、そ
の結果ミリ波レーダ等に適用した際に探知レンジ、探知
距離、ターゲットの位置探知、ターゲットの速度探知等
の性能が向上、安定したものとすること。【解決手段】送信アンテナと受信アンテナとが一体化し
たミリ波送受信器において、ガンダイオード３は金属部
材２に設置され、金属部材２は、幅の広い線路と幅の狭
い線路が交互に形成されたチョーク型バイアス供給線路
４ａと、チョーク型バイアス供給線路４ａおよびガンダ
イオード３を直線状に接続する帯状導体５とが設けられ
るとともに、チョーク型バイアス供給線路４ａの幅の広
い線路および幅の狭い線路の長さがそれぞれ略λ／４、
帯状導体５の長さが略｛（３／４）＋ｎ｝λ（ｎは０以
上の整数）である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ミリ波集積回路等
の高周波回路を用いた非放射性誘電体線路型のミリ波レ
ーダー等のミリ波送受信器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の非放射性誘電体線路型のミリ波送
受信器を図１３，図１４に示す。まず、非放射性誘電体
線路（NonRadiative Dielectric waveguideで、以
下、ＮＲＤガイドという）について説明する。ＮＲＤガ
イドは、一対の平行平板導体を、それらの間隔ｚをｚ≦
λ／２として設置することにより、これらの平行平板導
体間に配置された誘電体線路に対し外部からノイズの侵
入をなくし、かつ誘電体線路から外部への高周波信号
（以下、信号ともいう）の放射をなくして信号を伝送さ
せるものである。なお、λは使用周波数において空気中
を伝搬する電磁波（高周波信号）の波長である。

【０００３】そして、図１３，図１４に示したミリ波送
受信器は、一対の平行平板導体間に各種部品を配置した
上記ＮＲＤガイド型のものであり、図１３は送信アンテ
ナと受信アンテナが一体化されたものの平面図、図１４
は送信アンテナと受信アンテナが独立したものの平面図
である。

【０００４】図１３において、４１は本発明の一方の平
行平板導体（他方は省略する）、４２は第１の誘電体線
路４３の一端に設けられた電圧制御型のミリ波信号発振
部、即ち電圧制御発振部であり、バイアス電圧印加方向
が高周波信号の電界方向に合致するように、第１の誘電
体線路４３の高周波ダイオード近傍に配置された可変容
量ダイオードのバイアス電圧を周期的に制御して、三角
波，正弦波等とすることにより、周波数変調した送信用
のミリ波信号として出力する。

【０００５】４３は、高周波ダイオードから出力された
高周波信号が変調されたミリ波信号を伝搬させる第１の
誘電体線路、４４は、第１，第３，第４の誘電体線路に
それぞれ結合される第１，第２，第３の接続部（図示せ
ず）を有する、フェライト円板４４ａ等から成るサーキ
ュレータ、４５は、サーキュレータ４４の第２の接続部
に接続され、ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に
送受信アンテナ４６を有する第３の誘電体線路、４６
は、第３の誘電体線路４５の先端をテーパー状等とする
ことにより構成された送受信アンテナである。

【０００６】また４７は、送受信アンテナ４６で受信さ
れ第３の誘電体線路４５を伝搬してサーキュレータ４４
の第３の接続部より出力した受信波をミキサー４９側へ
伝搬させる第４の誘電体線路、４８は、第１の誘電体線
路４３に一端側が電磁結合するように近接配置されて、
ミリ波信号の一部をミキサー４９側へ伝搬させる第２の
誘電体線路、４８ａは、第２の誘電体線路４８のミキサ
ー４９と反対側の一端部に設けられた無反射終端部（タ
ーミネータ）である。また、図中Ｍ１は、第２の誘電体
線路４８の中途と第４の誘電体線路４７の中途とを近接
させて電磁結合させることにより、ミリ波信号の一部と
受信波を混合させて中間周波信号を発生させるミキサー
部である。

【０００７】また、送信アンテナと受信アンテナを独立
させた図１４のタイプにおいて、５１は一方の平行平板
導体（他方は省略する）、５２は第１の誘電体線路５３
の一端に設けられた電圧制御型のミリ波信号発振部であ
り、バイアス電圧印加方向が高周波信号の電界方向に合
致するように第１の誘電体線路５３の高周波ダイオード
近傍に配置された可変容量ダイオードのバイアス電圧を
周期的に制御して、三角波，正弦波等とすることによ
り、周波数変調した送信用のミリ波信号として出力す
る。

【０００８】５３は、高周波ダイオードから出力された
高周波信号が変調されたミリ波信号を伝搬させる第１の
誘電体線路、５４は、第１，第３，第５の誘電体線路５
３，５５，５７にそれぞれ接続される第１，第２，第３
の接続部（図示せず）を有する、フェライト円板５４ａ
等から成るサーキュレータ、５５は、サーキュレータ５
４の第２の接続部に接続され、ミリ波信号を伝搬させる
とともに先端部に送信アンテナ５６を有する第３の誘電
体線路、５６は、第３の誘電体線路５５の先端をテーパ
ー状等とすることにより構成された送信アンテナ、５７
は、サーキュレータ５４の第３の接続部に接続され、送
信用のミリ波信号を減衰させる無反射終端部５７ａが先
端に設けられた第５の誘電体線路である。

【０００９】また５８は、第１の誘電体線路５３に一端
側が電磁結合するように近接配置されて、ミリ波信号の
一部をミキサー６１側へ伝搬させる第２の誘電体線路、
５８ａは、第２の誘電体線路５８のミキサー６１と反対
側の一端部に設けられた無反射終端部、５９は、受信ア
ンテナ６０で受信された受信波をミキサー６１側へ伝搬
させる第４の誘電体線路である。また、図中Ｍ２は、第
２の誘電体線路５８の中途と第４の誘電体線路５９の中
途とを近接させて電磁結合させることにより、ミリ波信
号の一部と受信波とを混合させて中間周波信号を発生さ
せるミキサー部である。

【００１０】このようなミリ波送受信器において、高周
波ダイオードを備えたミリ波信号発振部４２，５２は、
図１５，図１６に示すような構成とされていた。図１５
において、１は一対の平行平板導体であり、それらの間
隔ｚはｚ≦λ／２であり、ＮＲＤガイドを構成する。
尚、λは使用周波数において空気中を伝搬する電磁波
（高周波信号）の波長である。

【００１１】また、２は高周波ダイオードとしてのガン
ダイオードを設置（マウント）するための金属ブロック
等の金属部材、３はガンダイオード、４は金属部材２の
一側面に設置され、ガンダイオード３にバイアス電圧を
供給するとともに高周波信号の漏れを防ぐローパスフィ
ルタとして機能するチョーク型バイアス供給線路４ａを
形成した配線基板、５はチョーク型バイアス供給線路４
ａとガンダイオード３の上部導体とを接続する金属箔リ
ボン等の帯状導体、６は誘電体基体に共振用の金属スト
リップ線路６ａを設けた金属ストリップ共振器、７は金
属ストリップ共振器６により共振した高周波信号を外部
へ伝送させる誘電体線路（上記第１の誘電体線路４３，
５３に相当する）である。尚、図１５では、内部を透視
するために平行平板導体１の上側を一部切り欠いてい
る。

【００１２】図１５のミリ波信号発振部（ガンダイオー
ド発振器）は、一対の平行平板導体１の間に、ガンダイ
オード３を搭載した金属部材２が配置されており、ガン
ダイオード３から発振されたミリ波，マイクロ波等の高
周波信号（電磁波）は、金属ストリップ線路６ａを有す
る金属ストリップ共振器６を介して誘電体線路７に導出
される。そして、チョーク型バイアス供給線路４ａは、
図１６に示すように、幅の広い線路の長さと幅の狭い線
路の長さがそれぞれ略λ／４とされ、それらが反復形成
されたチョークを構成しており、また帯状導体５の長さ
も略λ／４に設定されローパスフィルタの一部として機
能している。

【００１３】さらに、図１７，図１８に示すように、誘
電体線路７の中途には、周波数変調用ダイオードであっ
て可変容量ダイオードの１種であるバラクタダイオード
１１０を装荷した配線基板１８を設置しており、このバ
ラクタダイオード１１０のバイアス電圧印加方向Ｂは誘
電体線路７での高周波信号の伝搬方向Ｄに垂直かつ平行
平板導体１の主面に平行な方向とされている。このバイ
アス電圧印加方向Ｂは、誘電体線路７中を伝搬するＬＳ
Ｍ₀₁モードの高周波信号の電界方向Ｅに合致しており、
これにより高周波信号とバラクタダイオード１１０とを
電磁結合させ、バイアス電圧を制御することによりバラ
クタダイオード１１０の静電容量を変化させることで、
高周波信号の発振周波数を制御可能となる。また、図１
７において、１９はバラクタダイオード１１０と誘電体
線路７とのインピーダンス整合をとるための高比誘電率
の誘電体板である。

【００１４】また図１８に示すように、配線基板１８の
一主面には第２のチョーク型バイアス供給線路１１２が
形成され、第２のチョーク型バイアス供給線路１１２の
中途にビームリードタイプのバラクタダイオード１１０
が配置される。第２のチョーク型バイアス供給線路１１
２のバラクタダイオード１１０との接続部には、電極１
１１が形成されている。

【００１５】そして、ガンダイオード３から発振された
高周波信号は、金属ストリップ共振器６を通して誘電体
線路７に導出される。次いで、高周波信号の一部はバラ
クタダイオード１１０部で反射されてガンダイオード３
側へ戻る。この反射信号がバラクタダイオード１１０の
容量とともに変化することにより、発振周波数が変化す
る。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のミリ波信号発振部においては、金属ストリップ共振
器６、金属部材２と誘電体線路７を各々個別に位置決め
配置し、平行平板導体１，１で挟持するように構成して
おり、このため、金属ストリップ共振器６の加工精度が
低いと、金属ストリップ共振器６が振動や自重で位置ず
れを起こし、またその位置決めが正確でないと、誘電体
線路７への伝搬特性が劣化していた。即ち、金属ストリ
ップ共振器６の加工精度および位置決め精度の管理が必
要であり、また製造の作業性が悪く、従って量産に向か
ないという問題点があった。

【００１７】また、金属部材２，誘電体線路７，金属ス
トリップ共振器６等の各部品の設置位置が微妙にくるう
と、発振周波数が微妙に変化してしまい、ミリ波レーダ
等に適用した場合、その探知距離、ターゲットの位置探
知、ターゲットの速度探知等の性能が低下して正確な探
知が困難になるという問題点があった。

【００１８】さらに、上記従来のミリ波信号発振部にお
いては、高周波信号がバラクタダイオード１１０を設置
した配線基板１８を透過する構造となっているため、高
周波信号出力が低下するという問題点があった。また、
高周波信号の周波数変調幅を調整するには、バラクタダ
イオード１１０の挿入位置を変化させる必要があるが、
位置調整による周波数変調幅の制御は困難であり、容易
に周波数変調幅を制御できなかった。

【００１９】このようなミリ波信号発振部を備えたミリ
波送受信器では、発振周波数がずれた場合にそれを調整
するのが困難なため、ミリ波レーダ等に適用した際に正
確な探知が困難になるという問題があった。

【００２０】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、各部品の加工および位置
決めの困難性を軽減し、加工精度および位置決め精度の
管理を容易にし、また組み立ての作業性が良好なものと
し、また発振周波数の微調整を再現性良く可能とするこ
とである。また、高出力の高周波信号が得られ、周波数
変調幅を容易に制御可能なものとすることである。

【００２１】そして、ミリ波レーダ等に適用した場合
に、探知レンジ、探知距離、ターゲットの位置探知、タ
ーゲットの速度探知等の性能が向上するとともに安定し
たものとすることである。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明のミリ波送受信器
は、ミリ波信号の波長λの２分の１以下の間隔で配置し
た平行平板導体間に、高周波ダイオードが一端部に付設
され、前記高周波ダイオードから出力されたミリ波信号
を伝搬させる第１の誘電体線路と、バイアス電圧印加方
向が前記ミリ波信号の電界方向に合致するように配置さ
れ、前記バイアス電圧を周期的に制御することによって
前記ミリ波信号を周波数変調した送信用のミリ波信号と
して出力する周波数変調用ダイオードと、前記第１の誘
電体線路に一端側が電磁結合するように近接配置される
かまたは前記第１の誘電体線路に一端が接合されて、前
記ミリ波信号の一部をミキサー側へ伝搬させる第２の誘
電体線路と、前記平行平板導体に平行に配設されたフェ
ライト板の周縁部に所定間隔で配置されかつそれぞれ前
記ミリ波信号の入出力端とされた第１の接続部，第２の
接続部および第３の接続部を有し、一つの前記接続部か
ら入力された前記ミリ波信号をフェライト板の面内で時
計回りまたは反時計回りに隣接する他の接続部より出力
させるサーキュレータであって、前記第１の誘電体線路
の前記ミリ波信号の出力端に前記第１の接続部が接合さ
れるサーキュレータと、該サーキュレータの第２の接続
部に接合され、前記ミリ波信号を伝搬させるとともに先
端部に送受信アンテナを有する第３の誘電体線路と、前
記送受信アンテナで受信され第３の誘電体線路を伝搬し
て前記サーキュレータの第３の接続部より出力した受信
波をミキサー側へ伝搬させる第４の誘電体線路と、前記
第２の誘電体線路の中途と前記第４の誘電体線路の中途
とを近接させて電磁結合させるかまたは接合させること
により、ミリ波信号の一部と受信波とを混合させて中間
周波信号を発生させるミキサー部と、を設けたミリ波送
受信器において、前記高周波ダイオードは金属部材に設
置されており、該金属部材は、幅の広い線路と幅の狭い
線路が交互に形成され前記高周波ダイオードにバイアス
電圧を供給するチョーク型バイアス供給線路と、該チョ
ーク型バイアス供給線路および前記高周波ダイオードを
直線状に接続する帯状導体とが設けられるとともに、前
記チョーク型バイアス供給線路の幅の広い線路および幅
の狭い線路の長さがそれぞれ略λ／４、前記帯状導体の
長さが略｛（３／４）＋ｎ｝λ（ｎは０以上の整数）で
あることを特徴とする。

【００２３】本発明は、このような構成により、チョー
ク型バイアス供給線路と帯状導体とが高周波ダイオード
の発振周波数を決定する共振器として機能し、金属スト
リップ共振器等の別個の共振器が不要となり、従って高
周波ダイオードマウント用の金属部材と誘電体線路との
位置決めが容易になり、製造の作業性が大幅に向上す
る。また、金属ストリップ共振器等の別個の共振器によ
る損失が解消され、高周波信号の伝搬特性が向上し、そ
の結果、ミリ波レーダ等に適用した場合に、探知レン
ジ、探知距離、ターゲットの位置探知、ターゲットの速
度探知等の性能が向上するとともに安定したものとな
る。

【００２４】本発明において、好ましくは、前記帯状導
体の主面と対向する主面を有する誘電体チップを、前記
帯状導体に近接配置し電磁結合させたことを特徴とす
る。

【００２５】上記の構成により、高周波ダイオード発振
器の発振周波数の調整が容易になり、発振周波数が安定
するため製造歩留まりが向上し量産性も向上する。

【００２６】また好ましくは、バイアス電圧印加方向が
前記帯状導体に生じる電界に平行な方向とされた前記周
波数変調用ダイオードを前記帯状導体に近接配置して電
磁結合させたことを特徴とする。

【００２７】上記の構成により、帯状導体に周波数変調
用ダイオードを設けた変調回路基板を近接配置して電磁
結合させるとともに、周波数変調用ダイオードに印加す
るバイアス電圧を変化させることで、発振周波数を制御
できる。また、誘電体線路中に周波数変調用ダイオード
を配置する必要がないため、損失が小さく高出力が得ら
れるとともに、全体が小型化する。さらに、周波数変調
用ダイオードの位置を調整することにより、共振器とし
ても機能する帯状導体と周波数変調用ダイオードとの電
磁結合の強さを変えることができ、それにより周波数変
調幅を調整し得る。

【００２８】本発明において、好ましくは、前記周波数
変調用ダイオードは、第２のチョーク型バイアス供給線
路が主面に形成されかつ該主面が前記平行平板導体に対
し垂直に設置される配線基板と、前記第２のチョーク型
バイアス供給線路の中途に立設されかつ前記第２のチョ
ーク型バイアス供給線路に連続する接続導体をその主面
上に有する補助基板とから成る変調回路基板上に設置さ
れて、前記補助基板の前記接続導体の中途に接続されて
いることを特徴とする。

【００２９】上記構成により、変調回路基板の上面視に
おける形状が凸型となり、位置ずれや捩じれ等が小さく
なり設置の安定性がきわめて高くなる。また、周波数変
調用ダイオードのバイアス電圧印加方向を高周波信号の
電界方向に合致させた状態で、周波数変調用ダイオード
を帯状導体に近接配置し、位置調整できるため、容易に
周波数変調幅を調整可能となる。

【００３０】また好ましくは、前記周波数変調用ダイオ
ードと前記帯状導体との間隔をλ以下としたことを特徴
とする。

【００３１】上記の範囲内に調整することで、高周波信
号の出力を大きくして周波数変調幅を広げることができ
る。

【００３２】また好ましくは、少なくとも一方の前記平
行平板導体の前記帯状導体近傍に貫通孔を形成し、かつ
該貫通孔に前記平行平板導体間側の表面に突出して前記
帯状導体と電磁結合する柱状の周波数調整部材を設けた
ことを特徴とする。

【００３３】上記構成により、帯状導体に周波数調整部
材を近接配置して電磁結合させる際に、周波数調整部材
の位置を容易かつ再現性良く微調整可能な構成とするこ
とで、共振器の実質的な共振器長を微妙に調整でき、そ
の結果発振周波数を再現性良く微調整できる。また、周
波数調整部材を小型化して位置の微調整を可能とするこ
とで全体が小型化される。

【００３４】また好ましくは、前記周波数調整部材と前
記帯状導体との距離がλ／２以下であることを特徴とす
る。

【００３５】上記構成により、周波数調整部材と帯状導
体とが良好に電磁結合し、その状態で電磁結合の度合い
を微調整することにより、共振器の実質的な共振器長を
微調整できる。

【００３６】また、本発明のミリ波送受信器は、ミリ波
信号の波長λの２分の１以下の間隔で配置した平行平板
導体間に、高周波ダイオードが一端部に付設され、前記
高周波ダイオードから出力されたミリ波信号を伝搬させ
る第１の誘電体線路と、バイアス電圧印加方向が前記ミ
リ波信号の電界方向に合致するように配置され、前記バ
イアス電圧を周期的に制御することによって前記ミリ波
信号を周波数変調した送信用のミリ波信号として出力す
る周波数変調用ダイオードと、前記第１の誘電体線路に
一端側が電磁結合するように近接配置されるかまたは前
記第１の誘電体線路に一端が接合されて、前記ミリ波信
号の一部をミキサー側へ伝搬させる第２の誘電体線路
と、前記平行平板導体に平行に配設されたフェライト板
の周縁部に所定間隔で配置されかつそれぞれ前記ミリ波
信号の入出力端とされた第１の接続部，第２の接続部お
よび第３の接続部を有し、一つの前記接続部から入力さ
れた前記ミリ波信号をフェライト板の面内で時計回りま
たは反時計回りに隣接する他の接続部より出力させるサ
ーキュレータであって、前記第１の誘電体線路の前記ミ
リ波信号の出力端に前記第１の接続部が接合されるサー
キュレータと、該サーキュレータの第２の接続部に接続
され、前記ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に送
信アンテナを有する第３の誘電体線路と、先端部に受信
アンテナ、他端部にミキサーが各々設けられた第４の誘
電体線路と、前記サーキュレータの第３の接続部に接続
され、前記送信アンテナで受信混入したミリ波信号を伝
搬させるとともに先端部に設けられた無反射終端部で前
記ミリ波信号を減衰させる第５の誘電体線路と、前記第
２の誘電体線路の中途と前記第４の誘電体線路の中途と
を近接させて電磁結合させるかまたは接合させることに
より、ミリ波信号の一部と受信波とを混合させて中間周
波信号を発生させるミキサー部と、を設けたミリ波送受
信器において、前記高周波ダイオードは金属部材に設置
されており、該金属部材は、幅の広い線路と幅の狭い線
路が交互に形成され前記高周波ダイオードにバイアス電
圧を供給するチョーク型バイアス供給線路と、該チョー
ク型バイアス供給線路および前記高周波ダイオードを直
線状に接続する帯状導体とが設けられるとともに、前記
チョーク型バイアス供給線路の幅の広い線路および幅の
狭い線路の長さがそれぞれ略λ／４、前記帯状導体の長
さが略｛（３／４）＋ｎ｝λ（ｎは０以上の整数）であ
ることを特徴とする。

【００３７】本発明は、このような構成により、チョー
ク型バイアス供給線路と帯状導体とが高周波ダイオード
の発振周波数を決定する共振器として機能し、金属スト
リップ共振器等の別個の共振器が不要となり、従って高
周波ダイオードマウント用の金属部材と誘電体線路との
位置決めが容易になり、製造の作業性が大幅に向上す
る。また、金属ストリップ共振器等の別個の共振器によ
る損失が解消され、高周波信号の伝搬特性が向上し、そ
の結果、ミリ波レーダ等に適用した場合に、探知レン
ジ、探知距離、ターゲットの位置探知、ターゲットの速
度探知等の性能が向上するとともに安定したものとな
る。また、送信用のミリ波信号がサーキュレータを介し
てミキサーへ混入することがなく、その結果受信信号の
ノイズが低減して探知距離が増大し、ミリ波信号の伝送
特性に優れたものとなる。

【００３８】本発明において、好ましくは、前記帯状導
体の主面と対向する主面を有する誘電体チップを、前記
帯状導体に近接配置し電磁結合させたことを特徴とす
る。

【００３９】上記の構成により、高周波ダイオード発振
器の発振周波数の調整が容易になり、発振周波数が安定
するため製造歩留まりが向上し量産性も向上する。

【００４０】また好ましくは、バイアス電圧印加方向が
前記帯状導体に生じる電界に平行な方向とされた前記周
波数変調用ダイオードを前記帯状導体に近接配置して電
磁結合させたことを特徴とする。

【００４１】上記の構成により、帯状導体に周波数変調
用ダイオードを設けた変調回路基板を近接配置して電磁
結合させるとともに、周波数変調用ダイオードに印加す
るバイアス電圧を変化させることで、発振周波数を制御
できる。また、誘電体線路中に周波数変調用ダイオード
を配置する必要がないため、損失が小さく高出力が得ら
れるとともに、全体が小型化する。さらに、周波数変調
用ダイオードの位置を調整することにより、共振器とし
ても機能する帯状導体と周波数変調用ダイオードとの電
磁結合の強さを変えることができ、それにより周波数変
調幅を調整し得る。

【００４２】本発明において、好ましくは、前記周波数
変調用ダイオードは、第２のチョーク型バイアス供給線
路が主面に形成されかつ該主面が前記平行平板導体に対
し垂直に設置される配線基板と、前記第２のチョーク型
バイアス供給線路の中途に立設されかつ前記第２のチョ
ーク型バイアス供給線路に連続する接続導体をその主面
上に有する補助基板とから成る変調回路基板上に設置さ
れて、前記補助基板の前記接続導体の中途に接続されて
いることを特徴とする。

【００４３】上記構成により、変調回路基板の上面視に
おける形状が凸型となり、位置ずれや捩じれ等が小さく
なり設置の安定性がきわめて高くなる。また、周波数変
調用ダイオードのバイアス電圧印加方向を高周波信号の
電界方向に合致させた状態で、周波数変調用ダイオード
を帯状導体に近接配置し、位置調整できるため、容易に
周波数変調幅を調整可能となる。

【００４４】また好ましくは、前記周波数変調用ダイオ
ードと前記帯状導体との間隔をλ以下としたことを特徴
とする。

【００４５】上記の範囲内に調整することで、高周波信
号の出力を大きくして周波数変調幅を広げることができ
る。

【００４６】また好ましくは、少なくとも一方の前記平
行平板導体の前記帯状導体近傍に貫通孔を形成し、かつ
該貫通孔に前記平行平板導体間側の表面に突出して前記
帯状導体と電磁結合する柱状の周波数調整部材を設けた
ことを特徴とする。

【００４７】上記構成により、帯状導体に周波数調整部
材を近接配置して電磁結合させる際に、周波数調整部材
の位置を容易かつ再現性良く微調整可能な構成とするこ
とで、共振器の実質的な共振器長を微妙に調整でき、そ
の結果発振周波数を再現性良く微調整できる。また、周
波数調整部材を小型化して位置の微調整を可能とするこ
とで全体が小型化される。

【００４８】また好ましくは、前記周波数調整部材と前
記帯状導体との距離がλ／２以下であることを特徴とす
る。

【００４９】上記構成により、周波数調整部材と帯状導
体とが良好に電磁結合し、その状態で電磁結合の度合い
を微調整することにより、共振器の実質的な共振器長を
微調整できる。

【００５０】

【発明の実施の形態】本発明のミリ波送受信器につい
て、以下に説明する。本発明のミリ波送受信器は、全体
の基本的構成は図１３，図１４に示したものと同様であ
り、以下これらの図に基き説明する。図１３は送信アン
テナと受信アンテナが一体化されたものの平面図、図１
４は送信アンテナと受信アンテナが独立したものの平面
図である。

【００５１】図１３において、４１は本発明の一方の平
行平板導体（他方は省略する）、４２は第１の誘電体線
路４３の一端に設けられた電圧制御型のミリ波信号発振
部、即ち電圧制御発振部であり、バイアス電圧印加方向
が高周波信号の電界方向に合致するように、第１の誘電
体線路４３の高周波ダイオード近傍に配置された可変容
量ダイオードのバイアス電圧を周期的に制御して、三角
波，正弦波等とすることにより、周波数変調した送信用
のミリ波信号として出力する。

【００５２】４３は、高周波ダイオードから出力された
高周波信号が変調されたミリ波信号を伝搬させる第１の
誘電体線路、４４は、第１，第３，第４の誘電体線路に
それぞれ結合される第１，第２，第３の接続部（図示せ
ず）を有する、フェライト円板４４ａ等から成るサーキ
ュレータ、４５は、サーキュレータ４４の第２の接続部
に接続され、ミリ波信号を伝搬させるとともに先端部に
送受信アンテナ４６を有する第３の誘電体線路、４６
は、第３の誘電体線路４５の先端をテーパー状等とする
ことにより構成された送受信アンテナである。

【００５３】また４７は、送受信アンテナ４６で受信さ
れ第３の誘電体線路４５を伝搬してサーキュレータ４４
の第３の接続部より出力した受信波をミキサー４９側へ
伝搬させる第４の誘電体線路、４８は、第１の誘電体線
路４３に一端側が電磁結合するように近接配置されて、
ミリ波信号の一部をミキサー４９側へ伝搬させる第２の
誘電体線路、４８ａは、第２の誘電体線路４８のミキサ
ー４９と反対側の一端部に設けられた無反射終端部（タ
ーミネータ）である。また、図中Ｍ１は、第２の誘電体
線路４８の中途と第４の誘電体線路４７の中途とを近接
させて電磁結合させることにより、ミリ波信号の一部と
受信波を混合させて中間周波信号を発生させるミキサー
部である。

【００５４】本発明のサーキュレータ４４は、平行平板
導体４１，４１間に平行に配設された一対のフェライト
円板４４ａの周縁部に所定間隔、例えばフェライト円板
４４ａの中心点に関して角度で１２０°間隔で配置さ
れ、かつそれぞれミリ波信号の入出力端とされた第1の
接続部，第2の接続部および第3の接続部を有し、一つの
接続部から入力されたミリ波信号をフェライト円板４４
ａの面内で時計回りまたは反時計回りに隣接する他の接
続部より出力させるものである。また、平行平板導体４
１の外側主面のフェライト円板４４ａに相当する部位に
は、フェライト円板４４ａを伝搬する電磁波の波面を回
転させるための磁石が、磁力線がフェライト円板４４ａ
に対し略垂直方向（略上下方向）に通過するように設け
られる。なお、本発明のフェライト円板４４ａは円板状
のもの限らず、多角形状等のものでもよい。

【００５５】また、本発明のミリ波送受信器の他の実施
形態として、送信アンテナと受信アンテナを独立させた
図１４のタイプがある。同図において、５１は一方の平
行平板導体（他方は省略する）、５２は第１の誘電体線
路５３の一端に設けられた電圧制御型のミリ波信号発振
部であり、バイアス電圧印加方向が高周波信号の電界方
向に合致するように第１の誘電体線路５３の高周波ダイ
オード近傍に配置された可変容量ダイオードのバイアス
電圧を周期的に制御して、三角波，正弦波等とすること
により、周波数変調した送信用のミリ波信号として出力
する。

【００５６】５３は、高周波ダイオードから出力された
高周波信号が変調されたミリ波信号を伝搬させる第１の
誘電体線路、５４は、第１，第３，第５の誘電体線路５
３，５５，５７にそれぞれ接続される第１，第２，第３
の接続部（図示せず）を有する、フェライト円板５４ａ
等から成るサーキュレータ、５５は、サーキュレータ５
４の第２の接続部に接続され、ミリ波信号を伝搬させる
とともに先端部に送信アンテナ５６を有する第３の誘電
体線路、５６は、第３の誘電体線路５５の先端をテーパ
ー状等とすることにより構成された送信アンテナ、５７
は、サーキュレータ５４の第３の接続部に接続され、送
信用のミリ波信号を減衰させる無反射終端部５７ａが先
端に設けられた第５の誘電体線路である。

【００５７】また５８は、第１の誘電体線路５３に一端
側が電磁結合するように近接配置されて、ミリ波信号の
一部をミキサー６１側へ伝搬させる第２の誘電体線路、
５８ａは、第２の誘電体線路５８のミキサー６１と反対
側の一端部に設けられた無反射終端部、５９は、受信ア
ンテナ６０で受信された受信波をミキサー６１側へ伝搬
させる第４の誘電体線路である。また、図中Ｍ２は、第
２の誘電体線路５８の中途と第４の誘電体線路５９の中
途とを近接させて電磁結合させることにより、ミリ波信
号の一部と受信波とを混合させて中間周波信号を発生さ
せるミキサー部である。

【００５８】本発明では、図１３において、第１の誘電
体線路４３に第２の誘電体線路４８の一端側を近接配置
するかまたは一端部を接合するが、接合する場合、接合
部において、第１の誘電体線路４３を直線状、第２の誘
電体線路４８を円弧状となし、その円弧状部の曲率半径
ｒを高周波信号の波長λ以上とする。これにより、高周
波信号を損失を小さくして均等の出力で分岐させること
ができる。また、接合部において、第２の誘電体線路４
８を直線状、第１の誘電体線路４３を円弧状となし、そ
の円弧状部の曲率半径ｒを高周波信号の波長λ以上とし
てもよく、この場合も上記と同様の効果が得られる。

【００５９】また、ミキサー４９部において、第２の誘
電体線路４８と第４の誘電体線路４７とを接合すること
もでき、この場合、上記と同様に、これらの誘電体線路
４８，４７のうちいずれか一方の接合部を円弧状とな
し、その円弧状部の曲率半径ｒを高周波信号の波長λ以
上とするのがよい。また、第２の誘電体線路４８と第４
の誘電体線路４７とを接合させずに、電磁結合するよう
に近接配置する場合、その近接部において、第２の誘電
体線路４８と第４の誘電体線路４７との近接部の少なく
とも一方を円弧状とすることにより、近接配置の構成と
することができる。

【００６０】また好ましくは、接合部の曲率半径ｒは３
λ以下が良く、３λを超えると接合構造が大きくなり小
型化のメリットが得られない。接合部の曲率半径ｒを波
長λより小さく設定すると、円弧状の接合部を有する誘
電体線路への分岐強度は小さくなる。

【００６１】このような第１の誘電体線路４３と第２の
誘電体線路４８との接合構造、および第２の誘電体線路
４８と第４の誘電体線路４７との接合構造、並びに第２
の誘電体線路４８と第４の誘電体線路４７との近接配置
の構成については、図１４の場合も上記と同様である。

【００６２】そして、これらの各種部品は、ミリ波信号
の波長の２分の１以下の間隔で配置した平行平板導体間
に設けられている。

【００６３】図１３のものにおいて、第１の誘電体線路
４３の中途にスイッチを設け、それをＯＮ−ＯＦＦする
ことでパルス変調制御することもできる。例えば、図１
８に示すように、配線基板１８の一主面に第２のチョー
ク型バイアス供給線路１１２を形成し、その中途に半田
実装されたビームリードタイプのＰＩＮダイオードやシ
ョットキーバリアダイオードを設けたスイッチである。
この配線基板１８を、第１の誘電体線路４３の第２の誘
電体線路４８との信号分岐部とサーキュレータ４４との
間に、ＰＩＮダイオードやショットキーバリアダイオー
ドのパルス変調用ダイオードのバイアス電圧印加方向が
ＬＳＭモードの高周波信号の電界方向に合致するように
配置し、第１の誘電体線路４３に介在させるものであ
る。また、第１の誘電体線路４３にもう一つのサーキュ
レータを介在させ、その第１，第３の接続部に第１の誘
電体線路４３を接続し、第２の接続部に他の誘電体線路
を接続し、その誘電体線路の先端部の端面に、図１８の
ような構成でショットキーバリアダイオードを設けたス
イッチを設置してもよい。

【００６４】図１４のものにおいて、サーキュレータ５
４をなくし、第１の誘電体線路５３の先端部に送信アン
テナ５６を接続した構成とすることもできる。この場
合、小型化されたものとなるが、受信波の一部が電圧制
御発振部５２に混入しノイズ等の原因となり易いため、
図１４のタイプが好ましい。

【００６５】また、図１４のタイプにおいて、第２の誘
電体線路５８は、第３の誘電体線路５５に一端側が電磁
結合するように近接配置されるか第３の誘電体線路５５
に一端が接合されて、ミリ波信号の一部をミキサー６１
側へ伝搬させるように配置されていてもよい。この構成
においても、図１４のものと同様の機能、作用効果を有
する。

【００６６】この図１４のものにおいて、第１の誘電体
線路５３の中途に、図１８に示したものと同様に構成し
たスイッチを設け、それをＯＮ−ＯＦＦすることでパル
ス変調制御することもできる。例えば、図１８のよう
に、配線基板１８の一主面に第２のチョーク型バイアス
供給線路１１２を形成し、その中途に半田実装されたビ
ームリードタイプのＰＩＮダイオードやショットキーバ
リアダイオードを設けたスイッチである。この配線基板
１８を、第１の誘電体線路５３の第２の誘電体線路５８
との信号分岐部と、サーキュレータ５４との間に、ＰＩ
Ｎダイオードやショットキーバリアダイオードのバイア
ス電圧印加方向がＬＳＭモードの高周波信号の電界方向
に合致するように配置し、第１の誘電体線路５３に介在
させるものである。

【００６７】また、第１の誘電体線路５３にもう一つの
サーキュレータを介在させ、その第１，第３の接続部に
第１の誘電体線路５３を接続し、第２の接続部に他の誘
電体線路を接続し、その誘電体線路の先端部の端面に、
図１８のような構成のショットキーバリアダイオードを
設けたスイッチを設置してもよい。

【００６８】また、これらのミリ波送受信器において、
平行平板導体間の間隔は、ミリ波信号の空気中での波長
であって、使用周波数での波長の２分の１以下となる。

【００６９】また、図１３，図１４のミリ波送受信器は
ＦＭＣＷ（Frequency ModulationCotinuous Waves）
方式であり、ＦＭＣＷ方式の動作原理は以下のようなも
のである。電圧制御発振部の変調信号入力用のＭＯＤＩ
Ｎ端子に、電圧振幅の時間変化が三角波等となる入力信
号を入力し、その出力信号を周波数変調し、電圧制御発
振部の出力周波数偏移を三角波等になるように偏移させ
る。そして、送受信アンテナ４６，送信アンテナ５６よ
り出力信号（送信波）を放射した場合、送受信用アンテ
ナ４６，送信アンテナ５６の前方にターゲットが存在す
ると、電波の伝搬速度の往復分の時間差をともなって、
反射波（受信波）が戻ってくる。この時、ミキサー４
９，６１の出力側のＩＦＯＵＴ端子には、送信波と受信
波の周波数差が出力される。

【００７０】このＩＦＯＵＴ端子の出力周波数等の周波
数成分を解析することで、Ｆif＝４Ｒ・ｆｍ・Δｆ／ｃ
｛Fif：ＩＦ（Intermediate Frequency）出力周波数，
Ｒ：距離，ｆｍ：変調周波数，Δｆ：周波数偏移幅，
ｃ：光速｝という関係式から距離を求めることができ
る。

【００７１】このように、自動車のミリ波レーダ等に適
用した場合、自動車の周囲の障害物および他の自動車に
対しミリ波を照射し、反射波を元のミリ波と合成して中
間周波信号を得、この中間周波信号を分析することによ
り障害物および他の自動車までの距離、それらの移動速
度等が測定できる。

【００７２】本発明の誘電体線路は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ
の複合酸化物を主成分としたセラミックスを用いるのが
好ましく。このセラミックスは比誘電率４．５〜８程度
が良く、比誘電率が４．５未満の場合ＬＳＭモードの電
磁波のＬＳＥモードへの変換が大きくなり、比誘電率が
８を超えると、５０ＧＨｚ以上の周波数で使用する際、
誘電体線路の幅を非常に細くしなければならず、加工が
困難になって形状精度が劣化し、強度の点でも問題が生
じる。

【００７３】また、誘電体線路の材料として、使用周波
数５０〜９０ＧＨｚでのＱ値が１０００以上である、Ｍ
ｇ，Ａｌ，Ｓｉの複合酸化物を主成分としたセラミック
を用いるのがよい。これは、近年におけるマイクロ波帯
域，ミリ波帯に含まれる５０〜９０ＧＨｚで使用される
誘電体線路として、十分な低損失性を実現する。特に、
コーディエライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ₂Ｏ₃・５Ｓｉ
Ｏ₂）セラミックスがよい。

【００７４】さらに、その他の材料として、テフロン
（登録商標），ポリスチレン，ガラスエポキシ樹脂等の
樹脂系のもの、アルミナセラミックス，ガラスセラミッ
クス，フォルステライトセラミックス等のものでもよい
が、誘電特性、加工性、強度、小型化、信頼性等の点で
コーディエライトセラミックスが好ましい。

【００７５】このコーディエライトセラミックスに対
し、Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｄｙ，
Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕから選ばれる少なくとも
１種を含有させることにより、Ｑ値等の誘電特性を向上
させ、低損失の伝送特性となる。

【００７６】本発明の誘電体線路用の誘電体磁器組成物
は、以下のようにして製造する。原料粉末として、例え
ばＭｇＣＯ₃粉末，Ａｌ₂Ｏ₃粉末，ＳｉＯ₂粉末を用い、
これらを所定割合で秤量し、湿式混合した後乾燥し、こ
の混合物を大気中において１１００〜１３００℃で仮焼
した後、粉砕し粉末状とする。得られた粉末に適量の樹
脂バインダを加えて成形し、この成形体を大気中１３０
０〜１４５０℃で焼成することにより得られる。

【００７７】原料粉末中に含まれるＭｇ，Ａｌ，Ｓｉの
各元素は、それぞれ酸化物，炭酸塩，酢酸塩等の無機化
合物、もしくは有機金属等の有機化合物のいずれであっ
てもよく、焼成により酸化物となるものであれば良い。

【００７８】なお、本発明の誘電体磁器組成物の主成分
は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉの複合酸化物を主成分とし、５０
〜９０ＧＨｚでのＱ値を１０００以上であるという特性
を損なわない範囲で、上記元素以外に、粉砕ボールや原
料粉末の不純物が混入したり、焼結温度範囲の制御、機
械的特性向上を目的に他の成分を含有させても良い。例
えば、希土類元素化合物、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｎｉ，Ｃ
ｏ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｔｉ等の酸化物、ならびに窒化ケイ素
等の窒化物などの非酸化物である。これらは単独または
複数種が含まれていても良い。

【００７９】本発明の高周波ダイオード発振器を用いた
電圧制御発振部４２，５２について以下に説明する。図
１，図２は本発明のＮＲＤガイド型の高周波ダイオード
発振器を示し、これらの図において、１は一対の平行平
板導体、２はガンダイオード３を設置（マウント）する
ための略直方体状の金属ブロック等の金属部材、３はマ
イクロ波，ミリ波を発振する高周波ダイオードの１種で
あるガンダイオード、４は金属部材２の一側面に設置さ
れ、ガンダイオード３にバイアス電圧を供給するととも
に高周波信号の漏れを防ぐローパスフィルタとして機能
するチョーク型バイアス供給線路４ａを形成した配線基
板、５はチョーク型バイアス供給線路４ａとガンダイオ
ード３の上部導体とを接続する金属箔リボン等の帯状導
体、７はガンダイオード３の近傍に配置され高周波信号
を受信し外部へ伝搬させる誘電体線路（第１の誘電体線
路４３，５３）である。

【００８０】また図２において、チョーク型バイアス供
給線路４ａは、幅の広い線路および幅の狭い線路の長さ
がそれぞれ略λ／４の広狭線路から成り、また帯状導体
５の長さは略｛（３／４）＋ｎ｝λ（ｎは０以上の整
数）である。この帯状導体５の長さは略３λ／４〜略
｛（３／４）＋３｝λが良く、略｛（３／４）＋３｝λ
を超えると帯状導体５が長くなり、撓み、捩じれ等が生
じ易くなり、個々の高周波ダイオード発振器間で発振周
波数等の特性のばらつきが大きくなるとともに、種々の
共振モードが発生して、所望の発振周波数と異なる周波
数の信号が発生するという問題が生じる。より好ましく
は、略３λ／４，略｛（３／４）＋１｝λである。

【００８１】また、略｛（３／４）＋ｎ｝λとしたの
は、｛（３／４）＋ｎ｝λから多少ずれていても共振は
可能だからである。例えば、帯状導体５を｛（３／４）
＋ｎ｝λよりも１０〜２０％程度長く形成しても良く、
その場合、帯状導体５の接するチョーク型バイアス供給
線路４ａの１パターン目の長さλ／４のうち一部が共振
に寄与すると考えられるからである。従って、帯状導体
５の長さは｛（３／４）＋ｎ｝λ±２０％程度の範囲内
で変化させることができる。

【００８２】これらチョーク型バイアス供給線路４ａお
よび帯状導体５の材料は、Ｃｕ，Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，
Ｗ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐｄ，Ｐｔ等から成り、特にＣ
ｕ，Ａｇが、電気伝導度が良好であり、損失が小さく、
発振出力が大きくなるといった点で好ましい。

【００８３】また、帯状導体５は金属部材２の表面から
所定間隔をあけて金属部材２と電磁結合しており、チョ
ーク型バイアス供給線路４ａとガンダイオード３間に架
け渡されている。即ち、帯状導体５の一端はチョーク型
バイアス供給線路４ａの一端に半田付け等により接続さ
れ、帯状導体５の他端はガンダイオード３の上部導体に
半田付け等により接続されており、帯状導体５の接続部
を除く中途部分は宙に浮いた状態となっている。

【００８４】そして、金属部材２は、ガンダイオード３
の電気的な接地（アース）を兼ねているため金属導体で
あれば良く、その材料は金属（合金を含む）導体であれ
ば特に限定するものではなく、真鍮（黄銅：Ｃｕ−Ｚｎ
合金），Ａｌ，Ｃｕ，ＳＵＳ（ステンレススチール），
Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ等から成る。また金属部材２は、全体
が金属から成る金属ブロック、セラミックスやプラスチ
ック等の絶縁基体の表面全体または部分的に金属メッキ
したもの、絶縁基体の表面全体または部分的に導電性樹
脂材料等をコートしたものであっても良い。

【００８５】また、誘電体線路７は、図1３，図１４の
第1の誘電体線路４３，５３に相当するものであり、そ
の材料は上記の通りコーディエライト（２ＭｇＯ・２Ａ
ｌ₂Ｏ₃・５ＳｉＯ₂）セラミックス（比誘電率４〜５）
等好ましく、これらは高周波帯域において低損失であ
る。ガンダイオード３と誘電体線路７との間隔は１．０
ｍｍ程度以下が好ましく、１．０ｍｍを超えると損失を
小さくして電磁的結合が可能な最大離間幅を超える。

【００８６】本発明でいう高周波帯域は、数１０〜数１
００ＧＨｚ帯域のマイクロ波帯域およびミリ波帯域に相
当し、例えば３０ＧＨｚ以上、特に５０ＧＨｚ以上、更
には７０ＧＨｚ以上の高周波帯域が好適である。

【００８７】また、本発明の高周波ダイオードとして
は、インパット（impatt：impact ionisation avalan
che transit time）・ダイオード，トラパット（trap
att：trapped plasma avalanche triggered transi
t）・ダイオード，ガンダイオード等のマイクロ波ダイ
オードおよびミリ波ダイオードが好適に使用される。

【００８８】本発明のＮＲＤガイド用の平行平板導体１
は、高い電気伝導度および加工性等の点で、Ｃｕ，Ａ
ｌ，Ｆｅ，ＳＵＳ（ステンレススチール），Ａｇ，Ａ
ｕ，Ｐｔ等の導体板、あるいはセラミックス，樹脂等か
ら成る絶縁板の表面にこれらの導体層を形成したもので
もよい。

【００８９】本発明において、好ましくは、図３および
図４の断面図に示すように、高周波信号の発振周波数を
調整する誘電体チップ８を、帯状導体５に近接させて配
置する。尚、同図において９はガンダイオード３のネジ
止め部である。この誘電体チップ８の形状は特に限定す
るものではないが、帯状導体５の主面に対向し近接する
平行な主面Ａを有する直方体状，板状，四角錐状，三角
柱等の角柱状，蒲鉾状等が良く、帯状導体５を伝搬する
高周波信号との電磁結合を主面Ａにより制御し易いとい
う利点がある。そして、主面Ａの長さＬを調整する、ま
たは種々の長さＬを有する誘電体チップ８を用意してお
き、長さＬを変化させることにより、発振周波数を制御
できる。即ち、誘電体チップ８を帯状導体５に近接させ
ることで、チョーク型バイアス供給線路４ａと帯状導体
５とから成る共振器の実質的な共振器長を微妙に調整で
き、例えば帯状導体５の電気的な共振器長を｛（３／
４）＋ｎ｝λよりも僅かに大きくし、発振周波数を低く
することが可能である。

【００９０】そして、誘電体チップ８はコーディエライ
トセラミックス，アルミナセラミックス等が好ましく、
これらは高周波帯域において低損失である。また、誘電
体チップ８の主面Ａと帯状導体５の主面との間隔Ｂは
０．１ｍｍ〜１．０ｍｍが良く、０．１ｍｍ未満では、
振動等により誘電体チップ８が位置ずれしたり、熱変
形、撓み等を起こして帯状導体５に接触し、高周波の伝
搬特性が変化し易くなる。１．０ｍｍを超えると、帯状
導体５と誘電体チップ８との電磁結合が弱すぎて、発振
周波数の制御が困難となる。

【００９１】本発明の他の実施形態として、周波数調整
部材を金属部材２の内部に設けた例を図５〜図７に示
す。なお、図６，図７は周波数調整部材周辺の部分断面
図である。これらの図に示すように、金属部材２の帯状
導体５に対応する位置に孔９ａ，１１が形成されてお
り、その孔９ａ，１１には柱状の周波数調整部材１０，
１２が挿入配置され、かつ金属部材２の表面より周波数
調整部材１０，１２の端部が突出して帯状導体５に近接
し電磁結合している。これらの孔９ａ，１１は貫通孔で
あってもよく、その場合、金属部材２の帯状導体５と反
対側の面より周波数調整部材１０，１２を挿入して、位
置調整をすることができ好適である。

【００９２】また図７の実施形態は、孔１１を内面にネ
ジ切りを施したネジ孔とし、この孔１１にネジ状の周波
数調整部材１２をネジ込み、回転挿入させて位置の微調
整をより微妙に行えるようにしたものである。これによ
り、さらに微妙な発振周波数の制御が可能となる。これ
らの周波数調整部材１０，１２は、金属部材２の帯状導
体５に対応する位置に複数設けても良く、例えば断面積
の大きなものと断面積の小さなものとを設け、断面積の
大きなものにより周波数を粗調整し、断面積の小さなも
のにより周波数を微調整することもできる。

【００９３】周波数調整部材１０，１２の材料として
は、コーディエライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ₂Ｏ₃・５Ｓｉ
Ｏ₂），アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の誘電体、またはＣ
ｕ，Ａｌ，Ｆｅ，ＳＵＳ（ステンレス）等の金属が良
く、上記誘電体は高周波信号に対する誘電体損失が小さ
く、上記金属は加工性に優れる。

【００９４】このように、周波数調整部材１０，１２を
帯状導体５に近接させこれらの間隔を調整することで、
帯状導体５と周波数調整部材１０，１２との間の結合容
量を変化させ、その結果チョーク型バイアス供給線路４
ａと帯状導体５とから成る共振器の実質的な共振器長を
微妙に調整できる。例えば、帯状導体５の電気的な共振
器長を略｛（３／４）＋ｎ｝λよりも僅かに大きくし、
発振周波数を低くすることが可能となる。

【００９５】そして、周波数調整部材１０，１２と帯状
導体５との間隔ｄ（図６）は、０．０５〜０．１ｍｍと
するのが良く、０．０５ｍｍ未満では、周波数調整部材
１０，１２と帯状導体５とが接触し易くなり、０．１ｍ
ｍを超えると、周波数調整部材１０，１２と帯状導体５
とが電磁結合し難くなり、発振周波数の制御が困難にな
る。

【００９６】さらに、周波数調整部材１０，１２と帯状
導体５との間隔ｄだけでなく、周波数調整部材１０，１
２の帯状導体５に対向する端面の面積を調整することに
よっても、発振周波数の制御が可能であり、その端面の
面積が小さい場合は細かな制御ができるとともに周波数
変調可能幅が小さくなり、端面の面積が大きい場合は相
対的に粗い制御となり周波数変調可能幅も大きくなる。
好ましくは、端面の面積は０．１〜２ｍｍ²が良く、
０．１ｍｍ²未満では発振周波数の制御が困難であり、
２ｍｍ²を超えると、周波数調整部材１０，１２の断面
の幅が大きくなり、平行平板導体１と接触し易くなるう
え、帯状導体５よりはみ出した部分は周波数制御に殆ど
影響しない。より好ましくは、０．１３〜０．８ｍｍ²
である。

【００９７】本発明の他の実施形態を図８，図９に示
す。これらの図において、２０は補助基板１４に設置さ
れた周波数変調用ダイオードとしてのバラクタダイオー
ドであり、そのバイアス電圧印加方向は帯状導体５に生
じ空間に放射形成される電磁界の電界に平行な方向とさ
れ、即ち電界方向と合致した状態とされ、帯状導体５に
近接配置されて電磁結合している。２１は、補助基板１
４に形成されたバラクタダイオード２０接続用の電極
（接続導体）、２２は、配線基板２３の主面に形成され
た第２のチョーク型バイアス供給線路である。２３は、
バラクタダイオード２０を設けた変調回路基板であり、
第２のチョーク型バイアス供給線路２２が主面に形成さ
れかつその主面が平行平板導体１に対し垂直に設置され
る配線基板１３と、第２のチョーク型バイアス供給線路
２２の中途に立設され、かつ第２のチョーク型バイアス
供給線路２２に連続する接続導体をその主面に有する補
助基板１４とから成る。

【００９８】本実施形態において、好ましくは、周波数
変調用ダイオードのバラクタダイオード２０と帯状導体
５との間隔をλ以下とする。λよりも大きいと、バラク
タダイオード２０の容量変化による周波数の変調が困難
となり、周波数変調幅が小さくなる。より好ましくは、
周波数変調用ダイオードと帯状導体５との間隔は０．１
ｍｍ〜λであり、０．１ｍｍ未満では電極２１と帯状導
体５とが接触し易くなる。

【００９９】また、バラクタダイオード２０の帯状導体
５に対する位置は、帯状導体５の中心部から、チョーク
型バイアス供給線路４ａ側、またはガンダイオード３側
へ帯状導体５の長さの１／４程度までの範囲が良い。バ
ラクタダイオード２０が、帯状導体５の中心部よりもガ
ンダイオード３側へ帯状導体５の長さの１／４を超えて
近くなると発振出力が低下し、チョーク型バイアス供給
線路４ａ側へ帯状導体５の長さの１／４を超えて配置さ
れると、周波数変調幅が小さくなる。

【０１００】上記実施形態では、バラクタダイオード２
０のバイアス電圧印加方向が、帯状導体５で生じる電界
の方向、即ち平行平板導体１に平行な方向かつ帯状導体
５表面に垂直な方向に合致するようにしたが、帯状導体
５より生じる電界は帯状導体５から離れるに従い広が
り、平行平板導体１に垂直な方向の成分が発生する。従
って、平行平板導体１に垂直な方向の電界にバラクタダ
イオード２０のバイアス電圧印加方向を合致させるよう
に設けることもできる。

【０１０１】さらに、本発明の他の実施形態について、
図１０〜図１２に示す。図１１（ａ），（ｂ）、図１２
（ａ），（ｂ）は、２種類の周波数調整部材周辺の部分
平面図および側断面図をそれぞれ示すものである。これ
らの図に示すように、一方の平行平板導体１には、帯状
導体５近傍に位置し厚さ方向に貫通する貫通孔２８と、
貫通孔２８に挿置されかつ平行平板導体１間側の表面よ
り突出して帯状導体５に近接し電磁結合する柱状の周波
数調整部材２９とが設けられている。この場合、平行平
板導体１の外側より周波数調整部材２９を挿入して、位
置調整をすることができる。

【０１０２】また図１２の実施形態は、貫通孔３０にネ
ジ切りを施し、これにネジ状の周波数調整部材３１を螺
合させ挿入することで、ネジの回転により周波数調整部
材３１の突出長を微調整でき、さらに微妙な発振周波数
の制御が可能になる。

【０１０３】これらの実施形態において、周波数調整部
材２９，３１の高周波ダイオード発振器内部への突出部
の形状を先細り状，テーパー状とすることにより、さら
に微妙な制御ができる。また、突出部の形状を種々に変
化させたものを複数用意し、それらを所望の特性に応じ
て使用することもできる。例えば、発振周波数の変化
幅、発振周波数の変化率、Ｑ特性等について、種々の制
御が可能なように、複数種の周波数調整部材２９，３１
を使用してもよい。これらの周波数調整部材２９，３１
は、帯状導体５に近接する位置に複数設けても良く、例
えば断面積の大きなものと断面積の小さなものとを設
け、断面積の大きなものにより周波数を粗調整し、断面
積の小さなものにより周波数を微調整することもでき
る。

【０１０４】さらには、一対の平行平板導体１，１の両
方に対向する貫通孔を設け、それらの貫通孔に一本の周
波数調整部材２９，３１を挿入する、または平行平板導
体１，１の両方に対向しない貫通孔を設け、それらの貫
通孔に周波数調整部材２９，３１を一本ずつ挿入するこ
ともできる。上記実施形態においては、円柱状の周波数
調整部材２９について説明したが、円柱状に限らず、三
角柱状，四角柱状等の角柱状、円錐状，角錐状、突出端
部が半球状のもの等種々の形状とし得る。また、周波数
調整部材２９の断面形状を凸型，逆Ｔ型等として、一端
に突出長さを制限する止め部を設けてもよい。あるい
は、周波数調整部材２９，３１の内部を空洞として軽量
化、低コスト化を行ってもよく、また周波数調整部材２
９，３１を複数種の材質から構成してもよい。

【０１０５】周波数調整部材２９，３１の材料として
は、コーディエライト（２ＭｇＯ・２Ａｌ₂Ｏ₃・５Ｓｉ
Ｏ₂）セラミックス，アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）セラミック
ス等の誘電体、またはＣｕ，Ａｌ，Ｆｅ，ＳＵＳ（ステ
ンレス）等の金属が良く、上記誘電体は高周波信号に対
する誘電体損失が小さく、上記金属は加工性に優れる。

【０１０６】このように、周波数調整部材２９，３１を
帯状導体５に近接させ、周波数調整部材２９，３１の突
出長さ、即ち電磁結合長を調整することで、帯状導体５
と周波数調整部材２９，３１との間の結合容量を変化さ
せ、その結果チョーク型バイアス供給線路４ａと帯状導
体５とから成る共振器の実質的な共振器長を微妙に調整
できる。例えば、帯状導体５の電気的な共振器長を略
｛（３／４）＋ｎ｝λよりも僅かに大きくし、発振周波
数を低くすることが可能となる。

【０１０７】そして、周波数調整部材２９，３１と帯状
導体５との距離はλ／２以下が好ましく、λ／４以下が
より好ましい。例えば、発振周波数が約７７ＧＨｚでは
０．０５〜２ｍｍとするのが良い。０．０５ｍｍ未満で
は周波数調整部材２９，３１と帯状導体５とが接触し易
くなり、２ｍｍを超えると周波数調整部材２９，３１と
帯状導体５とが電磁結合し難くなり、発振周波数の制御
が困難になる。

【０１０８】さらに、周波数調整部材２９，３１と帯状
導体５との距離だけでなく、周波数調整部材２９，３１
の帯状導体５に対向する面の面積を調整することによっ
ても、発振周波数の制御が可能であり、対向する面の面
積が小さい場合は細かな制御ができるとともに周波数変
調可能幅が小さくなり、対向する面の面積が大きい場合
は相対的に粗い制御となり周波数変調可能幅も大きくな
る。好ましくは、対向する面の面積は０．５〜３ｍｍ²
が良く、０．５ｍｍ²未満では発振周波数の制御が困難
であり、３ｍｍ²を超えると、周波数調整部材９，１１
と誘電体線路６とが電磁結合しそれが無視できない程度
に大きくなる。

【０１０９】かくして、本発明のミリ波送受信器は、チ
ョーク型バイアス供給線路と帯状導体とが高周波ダイオ
ードの発振周波数を決定する共振器として機能し、金属
ストリップ共振器等の別個の共振器が不要となり、従っ
て高周波ダイオードマウント用の金属部材と誘電体線路
との位置決めが容易になり、製造の作業性が大幅に向上
する。また、金属ストリップ共振器等の別個の共振器に
よる損失が解消され、高周波信号の伝搬特性が向上し、
その結果、ミリ波レーダ等に適用した場合に、探知レン
ジ、探知距離、ターゲットの位置探知、ターゲットの速
度探知等の性能が向上するとともに安定したものとな
る。さらに、本発明は、ミリ波信号の伝送特性に優れ、
ミリ波レーダーの探知距離を増大し得るものとなり（図
１３のもの）、また送信用のミリ波信号がサーキュレー
タを介してミキサーへ混入することがなく、その結果受
信信号のノイズが低減し探知距離がさらに増大する（図
１４のもの）。

【０１１０】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内におい
て種々の変更を行うことは何等差し支えない。

【０１１１】

【発明の効果】本発明は、送信アンテナと受信アンテナ
とが一体化したミリ波送受信器、または送信アンテナと
受信アンテナとが独立したミリ波送受信器において、高
周波ダイオードは金属部材に設置されており、金属部材
は、幅の広い線路と幅の狭い線路が交互に形成され高周
波ダイオードにバイアス電圧を供給するチョーク型バイ
アス供給線路と、チョーク型バイアス供給線路および高
周波ダイオードを直線状に接続する帯状導体とが設けら
れるとともに、チョーク型バイアス供給線路の幅の広い
線路および幅の狭い線路の長さがそれぞれ略λ／４、帯
状導体の長さが略｛（３／４）＋ｎ｝λ（ｎは０以上の
整数）であることにより、チョーク型バイアス供給線路
と帯状導体とが高周波ダイオードの発振周波数を決定す
る共振器として機能し、金属ストリップ共振器等の別個
の共振器が不要となり、従って高周波ダイオードマウン
ト用の金属部材と誘電体線路との位置決めが容易にな
り、製造の作業性が大幅に向上する。また、金属ストリ
ップ共振器等の別個の共振器による損失が解消され、高
周波信号の伝搬特性が向上し、その結果、ミリ波レーダ
等に適用した場合に、探知レンジ、探知距離、ターゲッ
トの位置探知、ターゲットの速度探知等の性能が向上す
るとともに安定したものとなる。

【０１１２】また本発明は、好ましくは、帯状導体の主
面と対向する主面を有する誘電体チップを、帯状導体に
近接配置し電磁結合させたことにより、高周波ダイオー
ド発振器の発振周波数の調整が容易になり、発振周波数
が安定するため製造歩留まりが向上し量産性も向上す
る。

【０１１３】また好ましくは、バイアス電圧印加方向が
帯状導体に生じる電界に平行な方向とされた周波数変調
用ダイオードを帯状導体に近接配置して電磁結合させた
ことにより、帯状導体に周波数変調用ダイオードを設け
た変調回路基板を近接配置して電磁結合させるととも
に、周波数変調用ダイオードに印加するバイアス電圧を
変化させることで、発振周波数を制御できる。また、誘
電体線路中に周波数変調用ダイオードを配置する必要が
ないため、損失が小さく高出力が得られるとともに、全
体が小型化する。さらに、周波数変調用ダイオードの位
置を調整することにより、共振器としても機能する帯状
導体と周波数変調用ダイオードとの電磁結合の強さを変
えることができ、それにより周波数変調幅を調整し得
る。

【０１１４】また好ましくは、周波数変調用ダイオード
は、第２のチョーク型バイアス供給線路が主面に形成さ
れかつその主面が平行平板導体に対し垂直に設置される
配線基板と、第２のチョーク型バイアス供給線路の中途
に立設されかつ第２のチョーク型バイアス供給線路に連
続する接続導体をその主面上に有する補助基板とから成
る変調回路基板上に設置されて、補助基板の前記接続導
体の中途に接続されていることにより、変調回路基板の
上面視における形状が凸型となり、位置ずれや捩じれ等
が小さくなり設置の安定性がきわめて高くなる。また、
周波数変調用ダイオードのバイアス電圧印加方向を高周
波信号の電界方向に合致させた状態で、周波数変調用ダ
イオードを帯状導体に近接配置し、位置調整できるた
め、容易に周波数変調幅を調整可能となる。

【０１１５】また好ましくは、周波数変調用ダイオード
と帯状導体との間隔をλ以下としたことで、高周波信号
の出力を大きくして周波数変調幅を広げることができ
る。

【０１１６】また好ましくは、少なくとも一方の平行平
板導体の帯状導体近傍に貫通孔を形成し、かつその貫通
孔に平行平板導体間側の表面に突出して帯状導体と電磁
結合する柱状の周波数調整部材を設けたことにより、帯
状導体に周波数調整部材を近接配置して電磁結合させる
際に、周波数調整部材の位置を容易かつ再現性良く微調
整可能な構成とすることで、共振器の実質的な共振器長
を微妙に調整でき、その結果発振周波数を再現性良く微
調整できる。また、周波数調整部材を小型化して位置の
微調整を可能とすることで全体が小型化される。

【０１１７】また好ましくは、周波数調整部材と帯状導
体との距離がλ／２以下であることにより、周波数調整
部材と帯状導体とが良好に電磁結合し、その状態で電磁
結合の度合いを微調整することにより、共振器の実質的
な共振器長を微調整できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のミリ波送受信器用の高周波ダイオード
発振器の一実施形態の斜視図である。

【図２】図１の高周波ダイオード発振器のチョーク型バ
イアス供給線路と帯状導体を示す平面図である。

【図３】本発明の高周波ダイオード発振器の他の実施形
態の斜視図である。

【図４】図３において、誘電体チップと帯状導体および
ガンダイオード周辺の部分断面図である。

【図５】本発明の高周波ダイオード発振器の他の実施形
態の斜視図である。

【図６】図５において、周波数調整部材周辺の部分断面
図である。

【図７】図５において、他の周波数調整部材周辺の部分
断面図である。

【図８】本発明の高周波ダイオード発振器の他の実施形
態の斜視図である。

【図９】図８において、周波数変調用ダイオードを設け
た変調回路基板の斜視図である。

【図１０】本発明の高周波ダイオード発振器の他の実施
形態の斜視図である。

【図１１】図１０において、（ａ）はチョーク型バイア
ス供給線路，帯状導体および円柱状の周波数調整部材の
平面図、（ｂ）は（ａ）の側断面図である。

【図１２】図１０において、（ａ）はチョーク型バイア
ス供給線路，帯状導体およびネジ状の周波数調整部材の
平面図、（ｂ）は（ａ）の側断面図である。

【図１３】本発明の送受信アンテナを備えたＮＲＤガイ
ド型のミリ波送受信器の内部の平面図である。

【図１４】本発明の送信アンテナと受信アンテナを備え
たＮＲＤガイド型のミリ波送受信器の内部の平面図であ
る。

【図１５】従来の高周波ダイオード発振器の斜視図であ
る。

【図１６】図１５の高周波ダイオード発振器のチョーク
型バイアス供給線路と帯状導体を示す平面図である。

【図１７】従来の発振周波数を変調可能な高周波ダイオ
ード発振器の斜視図である。

【図１８】図１７の周波数変調用のバラクタダイオード
を設けた配線基板の斜視図である。

【符号の説明】

１：平行平板導体２：金属部材３：ガンダイオード４：配線基板５：帯状導体７：誘電体線路４３：第1の誘電体線路４４：サーキュレータ４６：送受信アンテナ４５：第3の誘電体線路４７：第４の誘電体線路４８：第２の誘電体線路４９：ミキサー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ミリ波信号の波長λの２分の１以下の間隔
で配置した平行平板導体間に、高周波ダイオードが一端部に付設され、前記高周波ダイ
オードから出力されたミリ波信号を伝搬させる第１の誘
電体線路と、バイアス電圧印加方向が前記ミリ波信号の電界方向に合
致するように配置され、前記バイアス電圧を周期的に制
御することによって前記ミリ波信号を周波数変調した送
信用のミリ波信号として出力する周波数変調用ダイオー
ドと、前記第１の誘電体線路に一端側が電磁結合するように近
接配置されるかまたは前記第１の誘電体線路に一端が接
合されて、前記ミリ波信号の一部をミキサー側へ伝搬さ
せる第２の誘電体線路と、前記平行平板導体に平行に配設されたフェライト板の周
縁部に所定間隔で配置されかつそれぞれ前記ミリ波信号
の入出力端とされた第１の接続部，第２の接続部および
第３の接続部を有し、一つの前記接続部から入力された
前記ミリ波信号をフェライト板の面内で時計回りまたは
反時計回りに隣接する他の接続部より出力させるサーキ
ュレータであって、前記第１の誘電体線路の前記ミリ波
信号の出力端に前記第１の接続部が接合されるサーキュ
レータと、該サーキュレータの第２の接続部に接合され、前記ミリ
波信号を伝搬させるとともに先端部に送受信アンテナを
有する第３の誘電体線路と、前記送受信アンテナで受信され第３の誘電体線路を伝搬
して前記サーキュレータの第３の接続部より出力した受
信波をミキサー側へ伝搬させる第４の誘電体線路と、前記第２の誘電体線路の中途と前記第４の誘電体線路の
中途とを近接させて電磁結合させるかまたは接合させる
ことにより、ミリ波信号の一部と受信波とを混合させて
中間周波信号を発生させるミキサー部と、を設けたミリ
波送受信器において、前記高周波ダイオードは金属部材に設置されており、該
金属部材は、幅の広い線路と幅の狭い線路が交互に形成
され前記高周波ダイオードにバイアス電圧を供給するチ
ョーク型バイアス供給線路と、該チョーク型バイアス供
給線路および前記高周波ダイオードを直線状に接続する
帯状導体とが設けられるとともに、前記チョーク型バイ
アス供給線路の幅の広い線路および幅の狭い線路の長さ
がそれぞれ略λ／４、前記帯状導体の長さが略｛（３／
４）＋ｎ｝λ（ｎは０以上の整数）であることを特徴と
するミリ波送受信器。
【請求項２】前記帯状導体の主面と対向する主面を有す
る誘電体チップを、前記帯状導体に近接配置し電磁結合
させたことを特徴とする請求項１記載のミリ波送受信
機。
【請求項３】バイアス電圧印加方向が前記帯状導体に生
じる電界に平行な方向とされた前記周波数変調用ダイオ
ードを前記帯状導体に近接配置して電磁結合させたこと
を特徴とする請求項１記載のミリ波送受信器。
【請求項４】前記周波数変調用ダイオードは、第２のチ
ョーク型バイアス供給線路が主面に形成されかつ該主面
が前記平行平板導体に対し垂直に設置される配線基板
と、前記第２のチョーク型バイアス供給線路の中途に立
設されかつ前記第２のチョーク型バイアス供給線路に連
続する接続導体をその主面上に有する補助基板とから成
る変調回路基板上に設置されて、前記補助基板の前記接
続導体の中途に接続されていることを特徴とする請求項
３記載のミリ波送受信器。
【請求項５】前記周波数変調用ダイオードと前記帯状導
体との間隔をλ以下としたことを特徴とする請求項３ま
たは請求項４記載のミリ波送受信器。
【請求項６】少なくとも一方の前記平行平板導体の前記
帯状導体近傍に貫通孔を形成し、かつ該貫通孔に前記平
行平板導体間側の表面に突出して前記帯状導体と電磁結
合する柱状の周波数調整部材を設けたことを特徴とする
請求項１記載のミリ波送受信器。
【請求項７】前記周波数調整部材と前記帯状導体との距
離がλ／２以下であることを特徴とする請求項６記載の
ミリ波送受信器。
【請求項８】ミリ波信号の波長λの２分の１以下の間隔
で配置した平行平板導体間に、高周波ダイオードが一端部に付設され、前記高周波ダイ
オードから出力されたミリ波信号を伝搬させる第１の誘
電体線路と、バイアス電圧印加方向が前記ミリ波信号の電界方向に合
致するように配置され、前記バイアス電圧を周期的に制
御することによって前記ミリ波信号を周波数変調した送
信用のミリ波信号として出力する周波数変調用ダイオー
ドと、前記第１の誘電体線路に一端側が電磁結合するように近
接配置されるかまたは前記第１の誘電体線路に一端が接
合されて、前記ミリ波信号の一部をミキサー側へ伝搬さ
せる第２の誘電体線路と、前記平行平板導体に平行に配設されたフェライト板の周
縁部に所定間隔で配置されかつそれぞれ前記ミリ波信号
の入出力端とされた第１の接続部，第２の接続部および
第３の接続部を有し、一つの前記接続部から入力された
前記ミリ波信号をフェライト板の面内で時計回りまたは
反時計回りに隣接する他の接続部より出力させるサーキ
ュレータであって、前記第１の誘電体線路の前記ミリ波
信号の出力端に前記第１の接続部が接合されるサーキュ
レータと、該サーキュレータの第２の接続部に接続され、前記ミリ
波信号を伝搬させるとともに先端部に送信アンテナを有
する第３の誘電体線路と、先端部に受信アンテナ、他端部にミキサーが各々設けら
れた第４の誘電体線路と、前記サーキュレータの第３の接続部に接続され、前記送
信アンテナで受信混入したミリ波信号を伝搬させるとと
もに先端部に設けられた無反射終端部で前記ミリ波信号
を減衰させる第５の誘電体線路と、前記第２の誘電体線路の中途と前記第４の誘電体線路の
中途とを近接させて電磁結合させるかまたは接合させる
ことにより、ミリ波信号の一部と受信波とを混合させて
中間周波信号を発生させるミキサー部と、を設けたミリ
波送受信器において、前記高周波ダイオードは金属部材に設置されており、該
金属部材は、幅の広い線路と幅の狭い線路が交互に形成
され前記高周波ダイオードにバイアス電圧を供給するチ
ョーク型バイアス供給線路と、該チョーク型バイアス供
給線路および前記高周波ダイオードを直線状に接続する
帯状導体とが設けられるとともに、前記チョーク型バイ
アス供給線路の幅の広い線路および幅の狭い線路の長さ
がそれぞれ略λ／４、前記帯状導体の長さが略｛（３／
４）＋ｎ｝λ（ｎは０以上の整数）であることを特徴と
するミリ波送受信器。
【請求項９】前記帯状導体の主面と対向する主面を有す
る誘電体チップを、前記帯状導体に近接配置し電磁結合
させたことを特徴とする請求項８記載のミリ波送受信
機。
【請求項１０】バイアス電圧印加方向が前記帯状導体に
生じる電界に平行な方向とされた前記周波数変調用ダイ
オードを前記帯状導体に近接配置して電磁結合させたこ
とを特徴とする請求項８記載のミリ波送受信器。
【請求項１１】前記周波数変調用ダイオードは、第２の
チョーク型バイアス供給線路が主面に形成されかつ該主
面が前記平行平板導体に対し垂直に設置される配線基板
と、前記第２のチョーク型バイアス供給線路の中途に立
設されかつ前記第２のチョーク型バイアス供給線路に連
続する接続導体をその主面上に有する補助基板とから成
る変調回路基板上に設置されて、前記補助基板の前記接
続導体の中途に接続されていることを特徴とする請求項
１０記載のミリ波送受信器。
【請求項１２】前記周波数変調用ダイオードと前記帯状
導体との間隔をλ以下としたことを特徴とする請求項１
０または請求項１１記載のミリ波送受信器。
【請求項１３】少なくとも一方の前記平行平板導体の前
記帯状導体近傍に貫通孔を形成し、かつ該貫通孔に前記
平行平板導体間側の表面に突出して前記帯状導体と電磁
結合する柱状の周波数調整部材を設けたことを特徴とす
る請求項８記載のミリ波送受信器。
【請求項１４】前記周波数調整部材と前記帯状導体との
距離がλ／２以下であることを特徴とする請求項１３記
載のミリ波送受信器。