JP3619174B2 - 高分子液晶性化合物、それらを含む電解質および二次電池 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は高分子液晶性化合物、それらを含む電解質および二次電池に関し、特にスメクチック液晶材料として有用な新規な化合物、電池、センサデバイス等エレクトロニクス分野に用いる電解質および二次電池に関する。
【0002】
【従来の技術】
スメクチック液晶は、液晶ディスプレーの表示素子として利用されている他に、液晶の機能性から様々な分野への応用が研究されている。例えば、光スイッチング素子への応用(M.Ozaki et al,“Jpn.J.Appl.Phys.”,23,ppL843,1990年)、非線形光学素子への応用(M.Ozaki et al,“Ferroelectrics”,121,pp259,1991年)等があり、それに伴い様々なスメクチック液晶化合物も合成されている。
【0003】
1973年にWrightらによって、ポリエチレンオキシド(PEO)とアルカリ金属塩の錯体のイオン伝導特性が報告され、1979年にArmandらにより電池に用いる電解質の可能性が示されたことにより、固体電解質の研究が世界的に広まった。固体電解質は形状が液体ではないので、部外への漏れがなく、耐熱性、信頼性、安全性、デバイスの小型化に対して液状電解質に比べ有利である。また、有機物は無機物に比べ柔軟である為、加工し易いという利点がある。
【0004】
一般に電解質のイオン伝導率はキャリア密度と電荷、イオン移動度の積で表わされる為にイオンを解離する為の高い極性と解離したイオンを移動させる為の低い粘性が必要とされる。その観点ではPEOは固体電解質として十分な特性を備えているとは言えない。そもそもPEOのイオン輸送機構はドナー性極性基部分ヘの配位により解離されたイオンが熱によるセグメント運動により次々に手渡される配位子交換によるものである。その為に温度依存性を受けやすい。また、キャリア密度を増加させる為に金属イオンを多く溶解させると結晶化が起こり、逆にイオン移動度が低下してしまう。この結晶化を防ぐ為にウレタン架橋によるPEO(M.Watanabe et al,“Solid State Ionics”,28〜30,911,1988),更には低温でのイオン移動度を向上させる為に架橋部分に側鎖を導入したPEO(“第40回高分子討論会予稿集”,3766,1991)も開発されている。また最近ではPEOの末端に塩を導入した溶融塩型のPEO(K.Ito et al.,“Solid State Ionics”,86〜88,325,1996、K.Ito et al.,“Electorochim. Acta”,42,1561,1997)も開発されている。しかしながら現状ではまだイオン伝導率が十分に得られない為に高誘電率有機溶媒と低粘度溶媒を混合した電解液あるいは電解液を有機高分子で固定化したゲル電解質が主流となっている。また、固体電解質を電池デバイスとして利用する場合、イオン輸送効率だけではなく電極との接触面において電気化学反応の効率性が問題となっている。液晶の配向を利用したチャネルによるイオン伝導については、特開平11−86629号公報等で開発されているが、PEO側鎖が一本であり、末端が重合しているために本発明とは化合物が異なり、また、高分子化方法も異なる。
【0005】
また、スメクチック液晶の電解質への応用として、メソーゲン基にエチレンオキシド鎖を1本導入した液晶化合物(“J.Mater.Chem.”,1079〜1086,6(7),1996年)及びエチレンオキシド鎖の両末端にメソーゲン基を導入した2量体液晶(“日本液晶学会討論会予稿集”,432,1998年)等が開発されているが、まだイオン伝導率が十分に得られていない。また、リチウム負極のデンドライト抑制の為、スメクチック液晶化合物を電解液に添加する(特開平10−112333号公報)ことなどが開発されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、この様な従来技術に鑑みなされたものであり、スメクチック液晶材料として有用な新規の高分子液晶性化合物、それらを含むイオン伝導度の高い電解質および二次電池を提供する事を目的とするものである。
【0020】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、下記一般式(2)乃至(4)のいずれかで示される重合体からなる高分子液晶性化合物である。
【化12】
【0021】
(式中、Aは液晶性メソーゲン基でA1−B1−A2−B2−A3−B3−A4−B4−A5−B5−A6を示す。A1,A2,A3は1,4−フェニレン(1つ以上のCHはCFまたはNに置き換わっていてもよい)または1,4−シクロヘキシレンを示す。A4,A5,A6は単結合または1,4−フェニレン(1つ以上のCHはCFまたはNに置き換わっていてもよい)または1,4−シクロヘキシレンを示す。B1,B2,B3,B4,B5は単結合または−CH 2 O−,−OCH 2 −,−COO−または−OOC−を示す。Xは−CH 2 CH 2 O−または−CHCH 3 CH 2 O−を示し、Yは−OCH 2 CH 2 −または−OCH 2 CHCH 3 −を示す。R 1 、R 2 はそれぞれ独立に炭素原子数が1から100までの直鎖状または分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の1つ以上のメチレンは−O−,−CO−,−S−,−CH=CH−,−C(CH 3 )=CH−,−CH=C(CH 3 )−,−C≡C−またはエポキシ基に置き換わっていてもよい。また、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換わっていてもよい。m,nは3〜25の整数を示す。光学活性化合物でもよい。
【0022】
R11、R12は
【0023】
【化13】
を示す。
【0024】
R3 、R4 はそれぞれ独立に単結合または炭素原子数が1から100までの直鎖状または分岐状のアルキレン基であり、該アルキレン基中の1つ以上のメチレンは−O−,−CO−,−S−に置き換わっていてもよい。また、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換わっていてもよい。P、Qは下記の式で表わされる基を示す。
【0025】
【化14】
s,tはそれぞれ独立に2〜10000の整数を示す。光学活性化合物でもよい。)
【0026】
また、前記高分子液晶性化合物の少なくとも1種と金属塩を含有してなる電解質である。
また、前記電解質が液晶性を有する事を特徴とする電解質である。
また、前記金属塩がアルカリ金属塩である事を特徴とする電解質である。
【0027】
また、有機溶剤を含む事を特徴とする高分子液晶性化合物と金属塩からなる電解質である。
更に、イオン伝導性に異方性のある事を特徴とする前記高分子液晶性化合物と金属塩からなる電解質である。
【0028】
さらに、本発明は、上記の高分子液晶性化合物の少なくとも1種と金属塩を含有してなる電解質を用いた二次電池である。
【0029】
【発明の実施の形態】
本発明によれば、液晶性メソーゲン基とそれと結合する2つの側鎖が(OCH2CH2 )xあるいは(OCH2CHCH3)y(x、yは3〜25の整数を示す)骨格部分を有する液晶性化合物をモノマーとして重合してなる高分子液晶性化合物が提供される。
【0030】
また、本発明の液晶性化合物は、下記一般式(1)で示される化合物が好ましい。
【0031】
【化15】
【0032】
一般式(1)において、Aは液晶性メソーゲン基でA1−B1−A2−B2−A3−B3−A4−B4−A5−B5−A6を示す。A1,A2,A3は1,4−フェニレン(1つ以上のCHはCFまたはNに置き換わっていてもよい)または1,4−シクロヘキシレンを示す。A4,A5,A6は単結合または1,4−フェニレン(1つ以上のCHはCFまたはNに置き換わっていてもよい)または1,4−シクロヘキシレンを示す。
【0033】
B1,B2,B3,B4,B5は単結合または−CH2 O−,−OCH2 −,−COO−または−OOC−を示す。
Xは−CH2 CH2 O−または−CHCH3 CH2 O−を示し、Yは−OCH2 CH2 −または−OCH2 CHCH3 −を示す。
【0034】
R1、R2はそれぞれ独立に炭素原子数が1〜100、好ましくは1〜25の直鎖状または分岐状のアルキル基である。該アルキル基中の1つ以上のメチレンは−O−,−CO−,−S−,−CH=CH−,−C(CH3)=CH−,−CH=C(CH3)−,−C≡C−またはエポキシ基に置き換わっていてもよい。また、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換わっていてもよい。
【0035】
m,nは3〜25、好ましくは3〜15の整数を示す。
一般式(1)で示される化合物は光学活性化合物でもよい。
【0036】
また、本発明によれば、前記一般式(1)で示される化合物のAが下記一般式(1a)〜(1j)で表される化合物が提供される。
式中、zはそれぞれ独立に0〜4の整数を示す。
【0037】
【化16】
【0038】
【化17】
【0039】
本発明の化合物は液晶相を有していることが好ましいが、特にスメクチック液晶相が好ましい。
更に、本発明によれば前記一般式(1)で示される化合物をモノマーとして重合してなる高分子液晶性化合物と金属塩を含有してなる電解質が提供される。
【0040】
前記金属塩はアルカリ金属塩が好ましく、例えばMClO4 ,MBF4 ,MPF6 ,MCF3 SO3 ,Li(CF3 SO2 )2 N(MはLi,Na,Kを示す。)といったアルカリ金属塩の他、CuSO4 ,Ni(NO3 )2 ,Ni(BF4 )2 等の金属塩を含有していることが好ましい。特に好ましくは、LiClO4 ,LiBF4 ,LiPF6 ,LiCF3 SO3 ,Li(CF3 SO2 )2 N等のリチウム金属塩である。
【0041】
また、本発明の電解質に含有される金属塩の含有量は、通常0.01〜50重量%、好ましくは0.1から30重量%が望ましい。
【0042】
本発明の電解質は有機溶剤を含有しても良い。好ましくは極性有機溶剤であるが、例えばエチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルエチルケトン、メチルプロピオネート、ジメトキシエタン、グリコール類である。
【0043】
本発明の電解質は液晶相を有していることが好ましいが、特にスメクチック液晶相が好ましい。更に、本発明の一般式(1)で示される化合物は、他の液晶化合物、非液晶化合物の1種以上と適当な割合で混合する事により、液晶相、液晶転移温度を調整する事が出来る。
【0044】
次に、本発明の高分子液晶性化合物は、液晶性メソーゲン基と、該液晶性メソーゲン基と結合する2つの側鎖を有し、該2つの側鎖が(OCH2 CH2 )x あるいは(OCH2 CHCH3 )y (x、yは3〜25の整数を示す)骨格部分を有するモノマーを重合してなることを特徴とする。
【0045】
前記モノマーには、上記の一般式(1)で示される化合物で不飽和結合およびエポキシ基を有する化合物が用いられる。
重合は光重合、熱重合により行なわれる。
【0046】
高分子液晶性化合物には、重合により得られる下記一般式(2)乃至(4)のいずれかで示される重合体を含有する。
【0047】
【化18】
【0048】
式中、A、X、Y、R1 、R2 、m、nは前記と同じものを示す。
【0049】
R11、R12は
【0050】
【化19】
を示す。
【0051】
R3 、R4 はそれぞれ独立に単結合または炭素原子数が1から100までの直鎖状または分岐状のアルキレン基であり、該アルキレン基中の1つ以上のメチレンは−O−,−CO−,−S−,に置き換わっていてもよい。また、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換わっていてもよい。P、Qは下記の式で表わされる基を示す。
【0052】
【化20】
【0053】
s,tはそれぞれ独立に2〜10000、好ましくは2〜1000の整数を示す。光学活性化合物でもよい。
【0054】
本発明の高分子液晶性化合物の重合度は、2〜10000である事が望ましい。更に好ましくは、2〜1000である事が望ましい。さらに、本発明の高分子液晶性化合物は液晶相を有していることが好ましいが、特にスメクチック液晶相が好ましい。更に、本発明の高分子液晶性化合物は、重合反応の際に、他のモノマー化合物と適当な割合で混合して、共重合する事により、液晶相、液晶転移温度、重合度を調整する事が出来る。
【0055】
また、本発明は、上記の高分子液晶性化合物と金属塩を含有してなる電解質が提供される。
【0056】
前述したように、スメクチック液晶の電解質への応用として、メソーゲン基と結合する1つの側鎖がエチレンオキシド鎖骨格部分を有する液晶化合物(“J.Mater.Chem.”,1079〜1086,6(7),1996年)及びエチレンオキシド鎖の両末端にメソーゲン基を導入した2量体液晶(“日本液晶学会討論会予稿集”,432,1998年)等が開発されているが、本発明の化合物はメソーゲン基と結合する2つの側鎖がエチレンオキシド鎖あるいはプロピレンオキシド鎖の骨格部分を有する化合物であり構造が異なる。また、前者はスメクチック液晶相の温度範囲が狭く、後者はエチレンオキシド鎖の両末端にメソーゲン基が有る為、エチレンオキシド鎖の自由度が少ない等の課題が有り、まだイオン伝導率が十分に得られていない。
【0057】
本発明の電解質はイオン伝導性に異方性を備えたものであるが、その起因となるものは、イオン伝導性の小さいフェニレン等から構成される液晶メソーゲン基とイオン伝導性の大きいエチレンオキシド鎖が、そのモノマーの液晶性から規則的に配列された構造体をつくることにある。即ち、液晶相の層構造に対して平行方向にイオンが移動する場合、エチレンオキシド鎖が連続して並んでいる為にその伝導度は高いが、垂直方向の場合、エチレンオキシド鎖とメソーゲン基が交互に配列する為に、イオンはメソーゲン基を飛び越えなければ移動できない。そこには大きなポテンシャルが存在し、その為にイオン伝導度は小さくなる。それゆえ、液晶相の2方向(XとY方向、図2参照)のイオン伝導度に差が生じ、異方性を持つものである。
【0058】
次に、本発明の一般式(1)で示される化合物の具体的な構造を表1〜11に示す。但し、本発明はこれらのみに限定されるものではない。尚、表中のAの略記は、以下の基を示す。
【0059】
【化21】
【0060】
【化22】
【0061】
【表1】
【0062】
【表2】
【0063】
【表3】
【0064】
【表4】
【0065】
【表5】
【0066】
【表6】
【0067】
【表7】
【0068】
【表8】
【0069】
【表9】
【0070】
【表10】
【0071】
【表11】
【0072】
次に本発明の高分子液晶性化合物の具体的な構造を表12〜13に示す。但し、本発明はこれらのみに限定されるものではない。
【0073】
【表12】
【0074】
【表13】
【0075】
(注)表中のs,tは2〜100の値を示す。
【0076】
次に、本発明の電解質の応用例として、二次電池について説明する。
図1は二次電池の模式的な構成例である。11、12はそれぞれ負、正の電極である。13が電解質層であって、この層を通路として特定極性のイオンが負電極から正電極へ、あるいは正電極から負電極へ伝達される。上記負および正の電極はイオンの放出と吸収の機能、外部デバイスとの連携機能(例えば電子伝導性機能)、機械的な支持機能等、多義に渉る機能が要求されることから通常機能分離された複数の部材からなる複合体となる場合が多い。
【0077】
負電極11は外部回路との電子的接続機能を兼ねた銅、アルミニウム、金、白金などの電子伝導性支持体111に負極活物質112をコーティングしたものが用いられる。或いは支持体としての機能をかねた負極活物質を用いることもできる。負極活物質材料としてはLiイオン、Naイオン、Kイオン等のアルカリイオン、アルカリ土類イオン、水素イオン等のカチオンを放出する能力を有する材料として、金属材料のなかからリチウム金属箔、リチウム−アルミニウム合金等が、高分子材料のなかから好ましくはn型にドープされたポリアセチレン、ポリチオフェン、ポリp−フェニレン、ポリアセン等およびその誘導体が、また炭素系材料のなかからグラファイト(黒鉛)、ピッチ、コークス、有機高分子の焼結体、あるいはこれらの材料と有機高分子の複合体が適宜選択的に用いられる。
【0078】
正電極12は、外部回路との電子的接続機能を兼ねた銅、アルミニウム、金、白金などの電子伝導性支持体121に正極活物質122をコーティングしたものが用いられる。或いは支持体としての機能をかねた正極活物質を用いることもできる。正極活物質材料としては無機材料のなかからコバルト、バナジウム、チタン、モリブデン、鉄、マンガンなど遷移金属のカルコゲン化合物及び酸化物、さらにこれらとリチウムの複合体が、炭素系材料のなかからグラファイト、弗化カーボンなど一連の層状化合物、あるいはこれらの材料と有機高分子の複合体が、高分子材料のなかから好ましくはp型またはn型にドープされたポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリp−フェニレン、ポリアセン、ポリフタロシアニン、ポリピリジン等、およびこれらの誘導体が適宜選択的に用いられる。
【0079】
【実施例】
以下、実施例により本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
なお、本発明の実施例は実施例13であり、その他の実施例1〜12、14〜15は参考例を示す。
【0080】
実施例1
4’−[メチルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸 4−[メチルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4’−ビフェニル(例示化合物No.1)の製造例
(1)メチルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシトシレートの製造
100mlナスフラスコにトリエチレングリコールモノメチルエーテル20g(122mmol)とピリジン20mlを仕込み、氷浴で0℃に冷却した。p−トルエンスルホン酸クロライド30.2g(158mmol)をゆっくりと添加し、0℃で12時間撹拌した。水を加えクロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー(クロロホルム/メタノール=100/1)で分離精製して、メチルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシトシレート36.8g(116mmol),収率95%を得た。
【0081】
(2)4’−[メチルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸の製造
500mlナスフラスコに4’−ヒドロキシ−4−カルボン酸3g(14mmol)、水酸化カリウム1.8g、メタノール250mlを仕込み、1時間加熱還流を行った。メチルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシトシレート4.2g(14mmol)を加え、更に24時間加熱還流を行った。
【0082】
反応溶液を室温まで冷やし、1N塩酸で中和した後、水を加えクロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー(クロロホルム/メタノール=30/1)で分離精製して、白色固体の4’−[メチルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸4.3g(12.0mmol),収率61%を得た。
【0083】
(3)4’−[メチルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ヒドロキシビフェニルの製造
500mlナスフラスコに4,4’−ビフェノール2.6g(14mmol)、水酸化カリウム1.8g、メタノール250mlを仕込み、1時間加熱還流を行った。メチルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシトシレート4.2g(14mmol)を加え、更に24時間加熱還流を行った。反応溶液を室温まで冷やし、1N塩酸で中和した後、水を加えクロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー(クロロホルム/メタノール=50/1)で分離精製して、白色固体の4’−[メチルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ヒドロキシビフェニル2.5g(7.5mmol),収率53.6%を得た。
【0084】
(4)4’−[メチルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸 4−[メチルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4’−ビフェニル(例示化合物No.1)の製造
100mlナスフラスコに4’−[メチルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸1.41g(3.9mmol)、4’−[メチルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ヒドロキシビフェニル1.30g(3.9mmol)、1,3−ジシクロカルボジイミド0.4g(5.1mmol)、4−ジメチルアミノピリジン0.48g(3.9mmol)、乾燥クロロホルム20mlを仕込み、24時間室温撹拌を行った。
【0085】
反応終了後、水を加えクロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー(クロロホルム/メタノール=30/1)で分離精製した後、再結晶(メタノール/アセトン=1/1)を行い、白色固体の4’−[メチルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸 4−[メチルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4’−ビフェニル(例示化合物No.1)1.8g(2.6mmol),収率66.6%を得た。
【0086】
1H−NMR(CDC13 /TMS,σppm):3.4(6H,s)、3.6〜4.2(24H,m)、7.0(4H,m)、7.3(2H,d)、7.5〜7.7(8H,m)、8.3(2H,d)
【0087】
相転移温度を以下に示す。
昇温過程: K(63℃)SmX(120℃)SmC(187℃)N(223℃)Iso
降温過程; Iso(221℃)N(185℃)SmC(116℃)SmX(17℃)K
K:結晶相、SmX:高次のスメクチック相、SmC;スメクチックC相、Iso:等方相、N:ネマチック相
【0088】
実施例2
(1)液晶電解質Aの製造
例示化合物No.1:101mg(0.15mmol)に乾燥クロロホルム4mlを加え、撹拌し完全に溶解させた。それにトリフルオロメタンスルホン酸リチウム7.02mg(0.045mmol)を溶解したTHF溶液1mlを加え2時間撹拌した。溶媒をゆっくりと減圧留去した後、減圧乾燥し、液晶電解質Aを得た。
【0089】
相転移温度を以下に示す。
昇温過程: SmX(107℃)SmC(180℃)SmA(199℃)N(213℃)Iso
降温過程: Iso(212℃)N(198℃)SmA(179℃)SmC(103℃)SmX
SmX:高次のスメクチック相、SmC:スメクチックC相、SmA:スメクチックA相、N:ネマチック相、Iso:等方相
【0090】
(2)液晶電解質Aのイオン伝導度の評価
2枚のガラス板を用意し、1枚のガラス板上に金膜を400Å形成し、図2に示すパターンにエッチングを行った。それぞれのガラス板上にポリイミド樹脂前駆体[東レ(株)製SP−710]1.5%ジメチルアセトアミド溶液を回転数2000r.p.m.のスピナーで15秒間塗布した。成膜後、60分間、300℃加熱縮合焼成処理を施した。この時の塗膜の膜厚は約250Åであった。この焼成後の被膜にはアセテート植毛布によるラビング処理がなされ、その後、イソプロピルアルコール液で洗浄し、平均粒径2.0μmのシリカビーズを一方のガラス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸が互いに平行となるようにし、接着シール剤[三井東圧(株)ストラクトボンド]を用いてガラス板を張り合わせ、60分間、170℃にて加熱乾燥しセルAを作成した。
【0091】
このセルAに液晶電解質Aを等方性液体状態で注入し、等方相から20℃/hでスメクチックA相を示す温度まで冷却した。このセルを偏光顕微鏡でクロスニコル下、テクスチャーを観察した所、スメクチックA相のホモジニアス均一配向が観測された。次に0.001〜100kHz、3000mVの交流電圧を印加した時の電流を測定して複素インピーダンスを測定し、イオン伝導率を算出した。図2はインピーダンス測定のセルのパターン図である。その結果を以下に示す。
【0092】
【0093】
実施例3
(1)液晶電解質Bの製造
例示化合物No.10:108mg(0.15mmol)に乾燥クロロホルム4mlを加え、撹拌し完全に溶解させた。それにトリフルオロメタンスルホン酸リチウム7.02mg(0.045mmol)を溶解したTHF溶液1mlを加え2時間撹拌した。溶媒をゆっくりと減圧留去した後、減圧乾燥し、液晶電解質Bを得た。
【0094】
(2)液晶電解質Bのイオン伝導度の評価
実施例2と同様の方法によりセルAを作成し、液晶電解質Aの代わりに液晶電解質Bを用いる以外は実施例2と同様の方法により注入し、イオン伝導率を算出した。その結果を以下に示す。
【0095】
【0096】
実施例4
(1)液晶電解質Cの製造
例示化合物No.136:100.5mg(0.15mmol)に乾燥クロロホルム4mlを加え、撹拌し完全に溶解させた。それにトリフルオロメタンスルホン酸リチウム7.02mg(0.045mmol)を溶解したTHF溶液1mlを加え2時間撹拌した。溶媒をゆっくりと減圧留去した後、減圧乾燥し、液晶電解質Cを得た。
【0097】
(2)液晶電解質Cのイオン伝導度の評価
実施例2と同様の方法によリセルAを作成し、液晶電解質Aの代わりに液晶電解質Cを用いる以外は実施例2と同様の方法により注入し、イオン伝導率を算出した。その結果を以下に示す。
【0098】
【0099】
実施例5
(1)液晶電解質Dの製造
例示化合物No.139:100.2mg(0.15mmol)に乾燥クロロホルム4mlを加え、撹拌し完全に溶解させた。それにトリフルオロメタンスルホン酸リチウム7.02mg(0.045mmol)を溶解したTHF溶液1mlを加え2時間撹拌した。溶媒をゆっくりと減圧留去した後、減圧乾燥し、液晶電解質Dを得た。
【0100】
(2)液晶電解質Dのイオン伝導度の評価
実施例2と同様の方法によりセルAを作成し、液晶電解質Aの代わりに液晶電解質Dを用いる以外は実施例2と同様の方法により注入し、イオン伝導率を算出した。その結果を以下に示す。
【0101】
【0102】
実施例6
例示化合物No.11の製造
(1)メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシトシレートの製造
100mlナスフラスコにテトラエチレングリコールモノメチルエーテル20g(96mmol)とピリジン20mlを仕込み、氷浴で0℃に冷却した。p−トルエンスルホン酸クロライド23.8g(125mmol)をゆっくりと添加し、0℃で12時間攪拌した。水を加えクロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー(クロロホルム/メタノール=100/1)で分離精製して、メチルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシトシレート34.5g(95.2mmol,収率99%)を得た。
【0103】
(2)4’−[メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸の製造
500mlナスフラスコに4’−ヒドロキシ−4−ビフェニルカルボン酸5g(23mmol)、水酸化カリウム3.3g、メタノール400mlを仕込み、1時間加熱還流を行った。メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシトシレート8.5g(23mmol)を加え、更に24時間加熱還流を行った。反応溶液を室温まで冷やし、1N塩酸で中和した後、水を加えクロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー(クロロホルム/メタノール=30/1)で分離精製して、白色固体4’−[メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸3.8g(9.4mmol,収率40%)を得た。
【0104】
(3)4’−[メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ヒドロキシビフェニルの製造
500mlナスフラスコに4、4’−ビフェノール2.6g(14mmol)、水酸化カリウム1.8g、メタノール250mlを仕込み、1時間加熱還流を行った。メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシトシレート5.1g(14mmol)を加え、更に24時間加熱還流を行った。反応溶液を室温まで冷やし、1N塩酸で中和した後、水を加えクロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー(クロロホルム/メタノール=50/1)で分離精製して、白色固体4’−[メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ヒドロキシビフェニル1.8g(4.7mmol,収率33.6%)を得た。
【0105】
(4)4’−[メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸 4−[メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4’−ビフェニル(例示化合物No.11)の製造
100mlナスフラスコに4’−[メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸2g(5.0mmol)、4’−[メチルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ヒドロキシビフェニル1.9g(5.0mmol)、1,3−ジシクロカルボジイミド0.8g(10mmol)、4−ジメチルアミノピリジン0.6g(5mmol)、乾燥クロロホルム20mlを仕込み、24時間室温攪拌を行った。反応終了後、水を加えクロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー(クロロホルム/メタノール=30/1)で分離精製した後、再結晶(アセトン)を行い、白色固体4’−[メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸 4−[メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4’−ビフェニル2.9g(3.8mmol,収率75.2%)を得た。
【0106】
1H−NMR(CDCl3/TMS,σppm):3.4(6H,s)、3.6〜4.2(32H,m)、7.0(4H,m)、7.3(2H,d)、7.5〜7.7(8H,m)、8.2(2H,d)
【0107】
相転移温度を以下に示す。
昇温過程: K(51℃)SmX(104℃)SmC(154℃)N(173℃)Iso
降温過程: Iso(170℃)N(150℃)SmC(99℃)SmX(9℃)K
K:結晶相、SmX:高次のスメクチック相、SmC:スメクチックC相、N:ネマチック相、Iso:等方相
【0108】
実施例7
(1)電解質Eの製造
例示化合物No.11 50mg(0.066mmol)に乾燥クロロホルム4mlを加え、攪拌し完全に溶解させた。それにトリフルオロメタンスルホン酸リチウム4.09mg(0.026mmol)を溶解したTHF溶液1mlを加え2時間攪拌した。溶媒をゆっくりと減圧留去した後、減圧乾燥し、電解質Eを得た。
【0109】
相転移温度を以下に示す。
昇温過程: SmX(94℃)SmC(151℃)SmA(165℃)N(171℃)Iso
降温過程: Iso(169℃)N(164℃)SmA(151℃)SmC(89℃)SmX
SmX:高次のスメクチック相、SmA:スメクチックA相、SmC:スメクチックC相、N:ネマチック相、Iso:等方相
【0110】
(2)液晶電解質Eのイオン伝導度の評価
実施例2と同様の方法によりセルA作成し、液晶電解質Aの代わりに液晶電解質Eを用いる以外は実施例2と同様の方法により注入しイオン伝導率を算出した。その結果を以下に示す。また、このセルを偏光顕微鏡でクロスニコル下、テクスチャーを観察した所、スメクチックA相のホモジニアス均一配向が観測された。
【0111】
【0112】
実施例8
(1)電解質Fの製造
例示化合物No.11 30mg(0.039mmol)に乾燥クロロホルム4mlを加え、攪拌し完全に溶解させた。それにLi(CF3SO2)2N4.52mg(0.016mmol)を溶解したTHF溶液1mlを加え2時間攪拌した。溶媒をゆっくりと減圧留去した後、減圧乾燥し、電解質Fを得た。
【0113】
相転移温度を以下に示す。
昇温過程: SmX(90℃)SmC(137℃)SmA(166℃)Iso
降温過程: Iso(164℃)SmA(135℃)SmC(79℃)SmX
SmX:高次のスメクチック相、SmA:スメクチックA相、SmC:スメクチックC相、Iso:等方相
【0114】
(2)液晶電解質Fのイオン伝導度の評価
実施例2と同様の方法によりセルA作成し、液晶電解質Aの代わりに液晶電解質Fを用いる以外は実施例2と同様の方法により注入しイオン伝導率を算出した。その結果を以下に示す。また、このセルを偏光顕微鏡でクロスニコル下、テクスチャーを観察した所、スメクチックA相のホモジニアス均一配向が観測された。
【0115】
【0116】
実施例9
例示化合物No.125の製造
(1)4−メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ−1−ベンジルオキシベンゼンの製造
100mlナスフラスコに4−ベンジルオキシフェノール1.1g(5.5mmol)、DMF15mlを仕込み、氷浴中でメチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシトシレート2.0g(5.5mmol)、炭酸セシウム3.6g(11mmol)を加えた後、3時間撹拌を行った。室温に戻し、さらに72時間撹拌を行った。反応溶液を減圧留去した後、水を加えクロロホルムで抽出した。飽和食塩水で有機層を洗い、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー(クロロホルム/メタノール=100/1)で分離精製して、4−メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ−1−ベンジルオキシベンゼン1.7g(4.4mmol,収率79%)を得た。
【0117】
(2)4−メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシフェノールの製造
100mlナスフラスコに4−メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ−1−ベンジルオキシベンゼン1.7g(4.4mmol)、エタノール50ml、10%Pd/C 0.4gを仕込み、反応系内を水素置換し、室温で8時間撹拌を行った。反応溶液を減圧濾過し、濾液を減圧留去した後、水を加えクロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、4−メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシフェノール1.3g(4.2mmol,収率96%)を得た。
【0118】
(3)4’−[メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸 4−メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシフェニル(例示化合物No.125)の製造
100mlナスフラスコに4’−[メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸2g(5.0mmol)、4−メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシフェノール1.5g(5.0mmol)、1,3−ジシクロカルボジイミド0.8g(10mmol)、4−ジメチルアミノピリジン0.6g(5mmol)、乾燥クロロホルム20mlを仕込み、24時間室温攪拌を行った。反応終了後、水を加えクロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー(クロロホルム/メタノール=50/1)で分離精製した後、白色固体4’−[メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸 4−メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシフェニル1.0g(1.6mmol,収率33%)を得た。
【0119】
1H−NMR(CDCl3/TMS,σppm):3.4(6H,s)、3.6〜4.2(32H,m)、7.0(4H,m)、7.1(2H,d)、7.6〜7.7(4H,m)、8.2(2H,d)
【0120】
相転移温度を以下に示す。
昇温過程: SmX(40℃)Iso
降温過程: Iso(42℃)SmC(31℃)SmX
SmX:高次のスメクチック相、SmC:スメクチックC相、Iso:等方相
【0121】
実施例10
(1)電解質Gの製造
例示化合物No.125 30mg(0.044mmol)に乾燥クロロホルム4mlを加え、攪拌し完全に溶解させた。それにトリフルオロメタンスルホン酸リチウム2.73mg(0.017mmol)を溶解したTHF溶液1mlを加え2時間攪拌した。溶媒をゆっくりと減圧留去した後、減圧乾燥し、電解質Gを得た。
【0122】
相転移温度を以下に示す。
昇温過程: SmX(30℃)SmC(48℃)Iso
降温過程: Iso(46℃)SmA(31℃)SmC(16℃)SmX
SmX:高次のスメクチック相、SmA:スメクチックA相、SmC:スメクチックC相、Iso:等方相
【0123】
(2)液晶電解質Gのイオン伝導度の評価
実施例2と同様の方法によりセルA作成し、液晶電解質Aの代わりに液晶電解質Gを用いる以外は実施例2と同様の方法により注入しイオン伝導率を算出した。その結果を以下に示す。また、このセルを偏光顕微鏡でクロスニコル下、テクスチャーを観察した所、スメクチックA相のホモジニアス均一配向が観測された。
【0124】
【0125】
実施例11
4’−[メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸 4−[アクリロイルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4’−ビフェニル(例示化合物No.154)の製造
(1)4’−ヒドロキシジ(エチレンオキシ)エチルオキ−4−ヒドロキシ−ビフェニルの製造
反応容器に、4、4’−ビフェノール1.9g(10mmol)、炭酸カリウム3.0g、エタノール40mlを仕込み、3時間加熱還流を行った。ヒドロキシトリ(エチレンオキシ)エチルクロライド1.7g(10mmol)を加え、更に24時間加熱還流を行った。反応溶液を室温まで冷やし、ろ過を行った後、濾液を減圧留去した後、1N塩酸で中和し、水を加えクロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー(酢酸エチル)で分離精製して、4’−ヒドロキシジ(エチレンオキシ)エチルオキ−4−ヒドロキシ−ビフェニル1.8g(5.7mmol,収率57%)を得た。
【0126】
(2)4’−[メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸 4−[ヒドロキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4’−ビフェニルの製造
反応容器に、4’−[メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸1g(2.5mmol)、4’−ヒドロキシジ(エチレンオキシ)エチルオキ−4−ヒドロキシ−ビフェニル0.8g(2.5mmol)、1,3−ジシクロカルボジイミド1.0g(5mmol)、4−ジメチルアミノピリジン0.3g(2.5mmol)、乾燥クロロホルム20mlを仕込み、24時間室温攪拌を行った。反応終了後、水を加えクロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー(クロロホルム/メタノール=50/1)で分離精製した後、4’−[メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸 4−[ヒドロキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4’−ビフェニル1.1g(1.5mmol,収率60%)を得た。
【0127】
(3)4’−[メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸 4−[アクリロイルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4’−ビフェニル(例示化合物No.154)の製造
反応容器に4’−[メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸4−[ヒドロキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4’−ビフェニル200mg(0.28mmol)、トリエチルアミン0.1ml、乾燥クロロホルム5mlを仕込み、氷浴で0℃に冷却した。アクリル酸クロライド70mg(0.79mmol)をゆっくりと滴下した後、0℃で4時間撹拌を行った。反応終了後、水を加えクロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー(クロロホルム/メタノール=50/1)で分離精製した後、再結晶(メタノール/アセトン)を行い、白色結晶4’−[メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4−ビフェニルカルボン酸 4−[アクリロイルオキシジ(エチレンオキシ)エチルオキシ]−4’−ビフェニル140mg(0.18mmol,収率69%)を得た。
【0128】
1H−NMR(CDCl3/TMS,σppm):3.4(3H,s)、3.6〜4.3(38H,m)、5.8(1H,d)、6.2(1H,q)、6.4(1H,d)、7.0(4H,m)、7.3(2H,d)、7.5〜7.7(8H,m)、8.2(2H,d)
【0129】
相転移温度を以下に示す。
昇温過程: SmX(103℃)SmC(166℃)N(186℃)Iso
降温過程: Iso(186℃)N(164℃)SmC(100℃)SmX
SmX:高次のスメクチック相、SmC:スメクチックC相、N:ネマチック相、Iso:等方相
【0130】
実施例12
(1)電解質Hの製造
例示化合物No.154:50mg(0.066mmol)に乾燥クロロホルム4ml、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール0.5mg、光重合開始剤1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン2.5mgを加え、攪拌し完全に溶解させた。それにトリフルオロメタンスルホン酸リチウム4.09mg(0.026mmol)を溶解したTHF溶液1mlを加え2時間攪拌した。溶媒をゆっくりと減圧留去した後、減圧乾燥し、電解質Hを得た。
【0131】
相転移温度を以下に示す。
昇温過程: SmX(85℃)SmC(138℃)SmA(149℃)N(161℃)Iso
降温過程: Iso(160℃)N(148℃)SmA(137℃)SmC(83℃)SmX
SmX:高次のスメクチック相、SmA:スメクチックA相、SmC:スメクチックC相、N:ネマチック相、Iso:等方相
【0132】
(2)液晶電解質Hのイオン伝導度の評価
実施例2と同様の方法によりセルA作成し、液晶電解質Aの代わりに液晶電解質Hを用いる以外は実施例2と同様の方法により注入しイオン伝導率を算出した。その結果を以下に示す。また、このセルを偏光顕微鏡でクロスニコル下、テクスチャーを観察した所、スメクチックA相のホモジニアス均一配向が観測された。
【0133】
【0134】
実施例13
高分子液晶電解質I(例示化合物No.157)の製造及びイオン伝導度の評価
実施例2と同様の方法によりセルA作成し、実施例12で作製した電解質Hを、等方相で注入し、等方相から20℃/hでスメクチック相を示す温度まで冷却した。このセルを偏光顕微鏡でクロスニコル下、テクスチャーを観察した所、スメクチックA相のホモジニアス均一配向が観測された。次に、この温度で高圧水銀ランプを用いて、UV光(10mW/cm2)を1分間照射して重合を行い、高分子液晶電解質Iを得た。この高分子液晶は、−20℃から200℃の温度領域において、スメクチックA相が保持されていた。
【0135】
次に0.001〜100kHz、3000mVの交流電圧を印加した時の電流を測定して複素インピーダンスを測定し、イオン伝導率を算出した。その結果を以下に示す。
【0136】
【0137】
実施例14
2,5−ビス[4−メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシフェニル]ピリミジン(例示化合物No.155)の製造
ナスフラスコに2,5−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ピリミジン0.42g(1.6mmol)、メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシトシレート1.16g(3.2mmol)、炭酸セシウム2.09g(6.4mmol)、DMF10mlを仕込み、室温で72時間撹拌した。反応終了後、クロロホルムを加え、析出した結晶をろ過して除去した。得られたろ液を濃縮したのち、水を加えクロロホルムで抽出した。抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム/メタノール=30/1)で分離精製、更に再結晶(メタノール)により精製して2,5−ビス[4−メチルオキシトリ(エチレンオキシ)エチルオキシフェニル]ピリミジン 0.9g(1.4mmol)を得た。収率88%、mp92℃
【0138】
実施例15
2,5−ビス[4−メチルオキシテトラ(エチレンオキシ)エチルオキシフェニル]ピリミジン(例示化合物No.156)の製造
ナスフラスコに2,5−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ピリミジン0.42g(1.6mmol)、メチルオキシテトラ(エチレンオキシ)エチルオキシトシレート1.30g(3.2mmol)、炭酸セシウム2.09g(6.4mmol)、DMF10mlを仕込み、室温で72時間撹拌した。反応終了後、クロロホルムを加え、析出した結晶をろ過して除去した。得られたろ液を濃縮したのち、水を加えクロロホルムで抽出した。抽出液を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム/メタノール=30/1)で分離精製、更に再結晶(メタノール)により精製して2,5−ビス[4−メチルオキシテトラ(エチレンオキシ)エチルオキシフェニル]ピリミジン0.8g(1.1mmol)を得た。収率68%
【0139】
得られた化合物の相転移温度を示す。
昇温過程: K(17℃)SmX(71℃)Iso
降温過程: Iso(68℃)SmX(14℃)K
K:結晶相、SmX:高次のスメクチック相、Iso:等方相
【0140】
以上の結果より、本発明の高分子液晶性化合物は、スメクチック液晶材料として有用である。また、本発明の電解質はイオン伝導度が高く、イオン伝導性に異方性があることがわかる。
【0141】
【発明の効果】
以上説明した様に、本発明によれば、スメクチック液晶材料として有用な新規の高分子液晶性化合物、および電池、センサデバイス等エレクトロニクス分野に用いる電解質においてイオン伝導性に異方性がある電解質および二次電池を提供する事が出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】二次電池の模式的な構成図である。
【図2】インピーダンス測定のセルのパターン図である。
【符号の説明】
11 負電極
12 正電極
13 電解質層
111、121 電子伝導性支持体
112 負極活物質
122 正極活物質
Claims (7)
- 下記一般式(2)乃至(4)のいずれかで示される重合体からなる高分子液晶性化合物。
R11、R12は
R3 、R4 はそれぞれ独立に単結合または炭素原子数が1から100までの直鎖状または分岐状のアルキレン基であり、該アルキレン基中の1つ以上のメチレンは−O−,−CO−,−S−に置き換わっていてもよい。また、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換わっていてもよい。P、Qは下記の式で表わされる基を示す。
- 請求項1記載の高分子液晶性化合物の少なくとも1種と金属塩を含有してなる電解質。
- 液晶相を有する請求項2記載の電解質。
- 前記金属塩がアルカリ金属塩である請求項2または3記載の電解質。
- 有機溶剤を含む請求項2乃至4のいずれかの項に記載の電解質。
- イオン伝導性に異方性のある請求項2乃至5のいずれかの項に記載の電解質。
- 請求項2乃至6のいずれかに記載の電解質を用いた二次電池。
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