JP3616622B2 - 赤外線撮像装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、赤外線検出器が複数個配置されている赤外線イメージセンサ、中でも赤外線を熱として感知する熱型赤外線撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、赤外線を熱として感知する熱型赤外線撮像装置は、複数個の熱型赤外線検出器が2次元に配置されたものである。熱型赤外線撮像装置の一例としては、例えば、検知部にSiのpn接合ダイオードを用いた熱型赤外線撮像装置がある(特開2001−281051号公報参照)。この熱型赤外線撮像装置は、物体から照射される赤外線を、pn接合ダイオードの温度変化に応じて拡散電位障壁の高さやキャリア数が変化するのを利用したものである。具体的には熱型赤外線撮像装置の各画素の表面に赤外線の照射により温度が変化する赤外線吸収体が設けられており、その温度変化を例えばpn接合ダイオードに導くことにより、pn接合のバンド構造が変化される。この変化を例えば定電流動作による電圧変化で読み取ることにより、照射された赤外線強度を観測し、測定物体及び表面温度を検知することが出来る。
【0003】
特開2001−281051号公報に開示された熱型赤外線撮像装置においては、基板の表面に複数の微少空洞領域がマトリクス状に設けられ、この微少空洞領域のそれぞれの内部に支持脚を介して各画素の検知部が中空状態で支持された構造をしている。検知部を中空状態で支持することにより、検知部を熱的分離状態で支持している。検知部は入射赤外線を吸収し熱に変換する赤外線吸収層と、赤外線吸収層による温度変化を電気信号に変換する熱電交換部を備えている。各画素の熱電交換部には水平アドレス線及び垂直信号線が接続されている。水平アドレス線及び垂直信号線はそれぞれ直交する格子状に配置されている。信号読み出し時には水平アドレス線にパルス信号が印加される。検知部が支持脚を介して基板の表面の微少空洞領域に中空状態で支持されていることにより、検知部で発生した熱が外部に放出されにくくなり、断熱構造を形成している。
【0004】
この従来の熱型赤外線撮像装置は感度を上昇させるためには、S/N比が大きくなるようなバイアス電流値に設定することが必要となり、又、熱の閉じ込めを大きくしたほうが赤外線に対する温度変化を大きく感知することが可能となる。結果として図27に示すような検知部全体の温度が上昇する自己過熱現象が起こる。この自己加熱効果は検知部にバイアスパルスを印加するときに生じるが、パルスの無印加時(ブランキング時間)に検知部温度が低下するために熱暴走による検知部の破壊現象は起こらない。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
最近、熱型赤外線撮像装置を、乗用車の夜間前方監視への利用する試みがなされている。通常の可視カメラでは得られない情報を検知するのが目的である。車載目的となると現状の熱型赤外線カメラの何倍もの高いフレームレート(F.R.)が要求される。しかしながら従来の熱型赤外線撮像装置において、フレームレートが上昇すると、自己加熱現象により発生した検知部での熱上昇がブランキング時間により十分低下することが出来なくなり、結果として図28のように検知部での熱上昇が重畳されて熱破壊現象を引き起こす。
【0006】
上記の熱破壊現象を防ぐためには、支持脚の熱抵抗を減少させると同時に、検知部の熱容量を減少させることにより熱時定数を減らす必要がある。しかしながら熱時定数の減少させることは同時に熱型赤外線撮像装置の感度の減少することになってしまう。
【0007】
上述した従来の熱型赤外線撮像装置の問題点を鑑み、本発明は、フレームレートを上昇させても感度を低下させることなく、且つ自己加熱現象による熱破壊を起こすことがない熱型赤外線撮像装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、(イ)複数の微小空洞領域を表面に配置した基体と、(ロ)微小空洞領域に、基体からそれぞれ熱的分離状態で支持された赤外線を検知する複数の検知部と、(ハ)基体と複数個の検知部との間にそれぞれ設けられ、検知部が検知した赤外線を電気信号として読み出すタイミングにおいて熱的分離状態を維持し、タイミング以外のブランキング時において、熱的分離状態を短絡し、検知部に蓄積される熱を基体に放散させる機械的スイッチング素子とを備える赤外線撮像装置であることを要旨とする。ここで、「基体から熱的分離状態で支持」とは、赤外線撮像装置の動作に問題とならない大きさに、基体への熱の流れを抑制した状態で支持するという意味である。具体的には、検知部を基体に対して中空状態で支持する支持脚の熱抵抗を大きくすることにより、熱伝導を抑制し、基体への熱の流れを抑制することが出来る。
【0009】
本発明の特徴に係る赤外線撮像装置によれば、機械的スイッチング素子を用いることにより、自己加熱による検知部の温度上昇を、基体に放散させ、リセットすることが可能となる。したがって、赤外線撮像装置のフレームレートを更に増加することが可能となり、高感度で高速なレスポンスを得ることが可能となる。又、フレームレートを上昇させても、自己加熱現象により発生した検知部での熱放散が良好なので、熱破壊現象も回避出来る。この結果、従来の熱型赤外線カメラの5〜10倍程度高いフレームレートの高速・高感度の熱型赤外線撮像装置を提供出来る。
【0010】
本発明の特徴に係る赤外線撮像装置に用いる機械的スイッチング素子は、例えば、基体の表面に配置された可動部配線に電気的に接続され、且つ基体に固定端が固定され、この固定端側から検知部の上部に自由端が延在する片持ち梁構造の導電性可動部と、基体の表面に配置された制御電極配線に電気的に接続され、且つ基体の表面において固定端と自由端の間に配置された制御電極とを備えるようにすれば良い。こうすれば、可動部配線を介して可動部に供給される電圧と、制御電極配線を介して制御電極に供給される電圧を調整することにより、静電引力で、自由端を検知部に接触若しくは、近接させ、自己加熱による検知部の温度上昇を、基体に放散させ、リセットすることが可能となる。
【0011】
或いは、機械的スイッチング素子は、基体の表面に配置された可動部配線に電気的に接続され、且つ基体に固定端が固定され、この固定端側から検知部の上部に自由端が延在する片持ち梁構造の導電性可動部と、基体の表面に配置された制御電極配線に電気的に接続され、且つ検知部の表面に配置された制御電極とを備えるようにしても良い。この場合も、可動部配線を介して可動部に供給される電圧と、制御電極配線を介して制御電極に供給される電圧を調整することにより、静電引力で、自由端を検知部に接触若しくは、近接させ、自己加熱による検知部の温度上昇を、基体に放散させ、リセットすることが可能となる。制御電極を検知部内に配置することにより、機械的スイッチング素子として機能する制御電極及びこれに対向する部分の有効面積が大きくなるので、結果として低電圧で、高効率の熱放散用スイッチ動作が可能となる。
【0012】
更に、検知部は、導電性可動部の上方に配置され、赤外線を吸収する赤外線吸収層と、導電性可動部の下方に配置され、赤外線吸収層において発生した熱を電気信号に変換する熱電変換部と、赤外線吸収層と熱電変換部とを熱的に接続し、且つ赤外線吸収層を熱電変換部に対して機械的に支持する支持部とを備えるようにすれば良い。即ち、赤外線吸収層と熱電変換部との間に導電性可動部が位置し、赤外線吸収層は熱電変換部と熱的に接続される支持部を用いて、熱電変換部の上方に中空状態で固定されるので、赤外線吸収の開口率が増大し、更に高感度検出が可能となる。
【0013】
【発明の実施の形態】
次に、図面を参照して、本発明の第1〜第5の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【0014】
(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態に係る赤外線撮像装置は、図1に示すように、複数の垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・と、この複数の垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・に対し垂直方向に伸延する複数の水平アドレス線Wi−1,Wi,Wi+1,・・・・・により構成されたマトリクスの内部に、それぞれ画素(ピクセル)を構成する検知部Xi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j・・・・・が2次元配置されている。更に、垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・と平行して、可動部配線Gj−2,Gj−1,Gj,・・・・・が走行している。又、水平アドレス線Wi−1,Wi,Wi+1,・・・・・と平行して、制御電極配線Ci−1,Ci,Ci+1,・・・・・が走行している。
【0015】
図2(a)は、図1のA−A方向に沿った断面図で、図2(b)は、図1のB−B方向に沿った断面図で、微小空洞領域Qi,jを表面に配置した基体(1,2,4)と、この微小空洞領域Qi,jに基体(1,2,4)からそれぞれ熱的分離状態で支持された検知部Xi,jとからなる構造を示している。基体(1,2,4)は、SOI構造を基礎とし、支持基板(単結晶Si)1と、支持基板(単結晶Si)1の上部の埋め込み酸化膜(SiO2膜)2と、埋め込み酸化膜2の上部の素子分離酸化膜4とから構成されている。素子分離酸化膜4は、SOI構造を構成する単結晶Si層(SOI膜)3を置き換えたものであり(図7参照。)、この一部に単結晶Si層3が残留していても良い。図2に示すように、検知部Xi,jを、微少空洞領域Qi,jの内部に中空状態で収納することにより、検知部Xi,jを基体(1,2,4)から熱的に分離できる。図1及び図2(a)に示すように、各ピクセルを構成する検知部Xi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j・・・・・は、基体(1,2,4)に対して第1支持脚21及び第2支持脚22により中空状態で支持されている。「熱的分離状態で支持」するために、第1支持脚21及び第2支持脚22の熱抵抗を大きくし、熱伝導を抑制し、基体(1,2,4)への熱の流れを抑制している。微少空洞領域Qi,jは、基体(1,2,4)の一部を選択的に除去した凹部の底部に逆ピラミッド形状に構成されている。
【0016】
図1に示す検知部Xi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j・・・・・は、図2に示すように、入射赤外線を吸収し熱に変換する赤外線吸収層42と、赤外線吸収層42で発生した熱による温度変化を電気信号に変換する熱電変換部41を含んでいる。熱電変換部41は、単結晶Si層の表面に不純物を選択的にドープしたpn接合ダイオードを集積化した構造である。単結晶Si層41の底面と側面を、それぞれ埋め込み酸化膜2及び素子分離酸化膜4が覆っている。pn接合ダイオードの代わりに、ドープドポリシリコン、酸化バナジウム(VO2)、チタン(Ti)、アモルファスシリコン等のボロメータが採用可能である。単結晶Si層41で構成された熱電変換部41の上には、第1層間絶縁膜33a及び第2層間絶縁膜33bとしての酸化膜が配置されている。この酸化膜33a,33bの上部には窒化膜(Si3N4膜)34が配置されている。酸化膜33a,33bと、この上部の窒化膜34とからなる複合膜で、赤外線吸収層42が構成されている。赤外線吸収層42は、熱電変換部41と実質的に同一の形状で配置されている。酸化膜33a,33bの合計の厚さは、例えば、1.5μm程度で、窒化膜34の厚さは0.5μm程度に選ぶことが可能である。
【0017】
図1及び図2(a)に示すように、第1支持脚21及び第2支持脚22は、検知部Xi,jを支持基板1、及び支持基板1の上部の埋め込み酸化膜2及び素子分離酸化膜4に対して機械的に支持している。そして、第1支持脚21の内部には熱電変換部41を垂直信号線 Bjに接続する第1検知部配線51、第2支持脚22の内部には熱電変換部41を水平アドレス線Wiに接続する第2検知部配線52が埋め込まれている。第1検知部配線51及び第2検知部配線52は、タングステン(W)、チタン(Ti)、コバルト(Co)、モリブデン(Mo)等の高融点金属、これらのシリサイド(WSi2,TiSi2,CoSi2,MoSi2)等、或いはこれらのシリサイドを用いたポリサイドで構成しても良い。第1検知部配線51及び第2検知部配線52により、熱電変換部41で生じた信号が処理回路に導かれる。
【0018】
更に、図1及び図2(b)に示すように、各ピクセルには、制御電極37が設けられている。各ピクセルの制御電極37は、制御電極補助配線53を介して、それぞれ制御電極配線Ci−1,Ci,Ci+1,・・・・・に接続され、制御電極配線Ci−1,Ci,Ci+1,・・・・・を介して電圧が印加される。例えば、図1に示すように、制御電極37と制御電極補助配線53とを、制御電極配線Ci−1,Ci,Ci+1,・・・・・の金属配線層(配線レベル)の上層の同一金属配線層(配線レベル)とし、バイアホール56を介して、制御電極37と対応するそれぞれの制御電極配線Ci−1,Ci,Ci+1,・・・・・とを電気的に接続することが可能である。
【0019】
図1及び図2(b)に示すように、各ピクセルの制御電極37に対向して、片持ち梁構造の導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,j,・・・・・が設けられ、導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,j,・・・・・は、可動部配線Gj−2,Gj−1,Gj,・・・・・に接続されている。導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,j,・・・・・は、それぞれ支持基板1の上部の埋め込み酸化膜2、素子分離酸化膜4、酸化膜33a,33b、窒化膜34からなる積層構造の表面に固定端が固定され、この固定端側から検知部Xi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j・・・・・の上部に自由端が延在する構造である。制御電極37、導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,jにより、機械的スイッチング素子が構成されている。この導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,j,・・・・・はアルミニウム(Al),銅(Cu),チタン(Ti)、窒化チタン(TiN)、タングステン(W)などの金属材料(導電性材料)が適当である。
【0020】
図2は、水平アドレス線Wiに行選択パルスViが印加されている状態における検知部Xi,jの選択状態を示している。行選択パルスViが印加される直前のブランキング状態では、制御用電極配線Ciに制御用電極電圧V+L iを印加することにより、片持ち梁構造の導電性可動部Mi,jを撓ませ、導電性可動部Mi,jの自由端と検知部Xi,jを接触状態にし、検知部Xi,jに蓄積された熱を熱伝導で放出する。導電性可動部Mi,jの自由端と検知部Xi,jとを接触状態にすると、導電性可動部Mi,jの自由端を介して検知部Xi,jの熱は支持基板(単結晶Si)1に一瞬にして熱伝導で移動し、検知部Xi,jの温度は自己過熱する前の温度に安定する。導電性可動部Mi,jの自由端と検知部Xi,jとの接触状態が解除された選択状態では、赤外線吸収層42に赤外線が照射されると、その赤外線強度に対応して赤外線吸収層42の温度が自己過熱現象により上昇する。
【0021】
図3の等価回路に示すように、第1の実施の形態に係る赤外線撮像装置においては、垂直アドレス回路101と水平アドレス回路102が撮像領域の行方向と列方向に各々隣接配置されている。垂直アドレス回路101には水平アドレス線Wi−1,Wi,Wi+1,・・・・・が接続され、水平アドレス回路102には水平選択線Hj−1,Hj,Hj+1,・・・・・が接続されている。赤外線撮像装置の検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・,Xi−1,j−1,Xi−1,j,Xi−1,j+1,・・・・・,・・・・・は、それぞれ対応する垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・と水平アドレス線Wi−1,Wi,Wi+1,・・・・・の間に接続されている。画素出力電圧を得るための定電流源として、各列の垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・には負荷MOSトランジスタTd j−1,Td j,Td j+1,・・・・・が接続されている。負荷MOSトランジスタTd j−1,Td j,Td j+1,・・・・・のソースには基板電圧Vssが印加されている。図3においては、導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,jで代表して、機械的スイッチング素子を表示している。図3に示される抵抗ri−1,j−1,ri−1,j,・・・・・,ri,j−1,ri,jは、図2に示した赤外線吸収層42の有する熱抵抗及び導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,jを赤外線吸収層42に接触させたときの熱的コンタクト抵抗の合計となる熱抵抗を表す。導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,jを赤外線吸収層42に接触させたとき、図2に示すように、大部分の熱は窒化膜(第3層間絶縁膜)34、酸化膜(第2層間絶縁膜)33b、酸化膜(第1層間絶縁膜)33aを介して、基体(1,2,4)に流れるが、この熱の流れは、図3の等価回路においては、図示を省略している。
【0022】
垂直アドレス回路101により選択された水平アドレス線Wi−1,Wi,Wi+1,・・・・・には電源電圧Vdが印加され、垂直アドレス回路101により選択されない水平アドレス線Wi−1,Wi,Wi+1,・・・・・には基板電圧Vssが印加される。その結果、選択された行の検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・,Xi+1,j−1,Xi+1,j,Xi+1,j+1,・・・・・の内部のpn接合が順バイアスとなりバイアス電流が流れ、検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・,Xi+1,j−1,Xi+1,j,Xi+1,j+1,・・・・・内部のpn接合の温度と順バイアス電流とにより動作点が決まり、各列の垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・に検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・,Xi+1,j−1,Xi+1,j,Xi+1,j+1,・・・・・の信号出力電圧が発生する。このとき、垂直アドレス回路101によって選択されない検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・,Xi+1,j−1,Xi+1,j,Xi+1,j+1,・・・・・のpn接合は逆バイアスとなる。即ち、検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・,Xi+1,j−1,Xi+1 ,j,Xi+1,j+1,・・・・・内部のpn接合は検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・,Xi+1,j−1,Xi+1,j,Xi+1,j+1,・・・・・選択の機能を持っている。
【0023】
垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・に発生する電圧は、極めて低電圧であり、垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・に発生する雑音を発生する電圧(例えば5μV)以下にすることが必要になる。この雑音の値は、例えば、MOS型の可視光イメージセンサであるCMOSセンサの雑音の約1/80である。この低電圧の信号電圧を増幅するために、列毎に増幅読み出し回路Aj−1,Aj,Aj+1,・・・・・が配置されており、各列の増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・のゲートと各列の垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・とは、結合容量Ccj−1,Ccj,Ccj+1,・・・・・により容量結合している。この結合容量Ccj−1,Ccj,Ccj+1,・・・・・により、垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・と増幅読み出し回路Aj−1,Aj,Aj+1,・・・・・とはDC的に分離される。
【0024】
増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・のドレイン側には、電流増幅した信号電流を積分し蓄積するための蓄積容量Csj−1,Csj,Csj+1,・・・・・が接続されている。信号電流を積分する蓄積時間は、垂直アドレス回路101により水平アドレス線Wi−1,Wi,Wi+1,・・・・・に印加される行選択パルスにより決定される。蓄積容量Csj−1,Csj,Csj+1,・・・・・には、この蓄積容量Csj−1,Csj,Csj+1,・・・・・の電圧をリセットするためのリセットトランジスタTR j−1,TR j,TR j+1,・・・・・が接続され、水平選択トランジスタSj−1,Sj,Sj+1,・・・・・による信号電圧の読み出しが完了した後にリセット動作を行うようになっている。
【0025】
増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・のドレインは、サンプルトランジスタTS j−1,TS j,TS j+1,・・・・・を介して増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・のゲートに接続されており、サンプルトランジスタTS j−1,TS j,TS j+1,・・・・・をオンすることにより、増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・のゲートとドレインが同電位となる。
【0026】
図4は、第1の実施の形態に係る赤外線撮像装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。タイミングチャートに表示されない負荷MOSトランジスタTd j−1,Td j,Td j+1,・・・・・のソース電位と増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・のソース電位は何れも基板電圧Vssを与えており、リセットトランジスタTR j−1,TR j,TR j+1,・・・・・のドレイン電圧には電源電圧を与えている。
【0027】
図4の左端の期間は非選択期間を示す。即ち、図3において図示を省略した1行目の水平アドレス線W1が選択される選択期間TSELの前に、垂直アドレス回路101が行選択を行わない非選択期間がある。この非選択期間で増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・の閾値情報を取得し保存する動作を行う。この非選択期間においては、垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・の電圧は負荷MOSトランジスタTd j−1,Td j,Td j+1,・・・・・のソース電圧と等しくなるので基板電圧Vssになる。非選択期間では、まず、リセットトランジスタTR j−1,TR j,TR j+1,・・・・・をオンして蓄積容量Csj−1,Csj,Csj+1,・・・・・の電圧Vcj−1,Vcj,Vcj+1,・・・・・をリセットする。次に、サンプルトランジスタTS j−1,TS j,TS j+1,・・・・・をオンして、増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・のゲートに電源電圧にリセットされた増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・のドレイン電圧を与える。そのため、増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・はオンされドレイン電流が流れる。このドレイン電流によりドレイン電圧Vcj−1,Vcj,Vcj+1,・・・・・は低下して増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・のコンダクタンス低下させ、ドレイン電流が流れない状態のゲート電圧がドレイン電圧Vcj−1,Vcj,Vcj+1,・・・・・に取得される。この電圧が各列毎の増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・の閾値電圧である。増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・の閾値情報がドレイン電圧Vcj−1,Vcj,Vcj+1,・・・・・に読み出された後にサンプルトランジスタTS j−1,TS j,TS j+1,・・・・・をオフすることで、閾値情報は結合容量Ccj−1,Ccj,Ccj+1,・・・・・に保持されることになる。この閾値情報の読み出しは、フレーム期間内に一度行うものであるので、2行目以降の行選択前には行わず、以降は1行目選択前に保持された閾値情報をそのまま使用する。次に、リセットトランジスタTR j−1,TR j,TR j+1,・・・・・をオンして、ドレイン電圧Vcj−1,Vcj,Vcj+1,・・・・・をリセットする。
【0028】
非選択期間に続く1行目の選択期間TSELにおいては、水平アドレス線W1に行選択パルスV1が印加される。
【0029】
図4において、1/60秒間隔で水平アドレス線W1,W2,・・・・・,Wi−1,Wi,Wi+1,・・・・・に20μ秒間、行選択パルスV1,V2,・・・・・,Vi−1,Vi,Vi+1,・・・・が印加されているとする。水平アドレス線W1に行選択パルスV1が印加される10μ秒前まで、制御用電極配線C1に制御用電極電圧V+L1を印加し、導電性可動部M1,j−1,M1,j,M1,j+1,・・・・・と検知部X1,j−1,X1,j,X1,j+1,・・・・・とを接触状態にして、自己過熱する前の温度に設定しておく。そして、水平アドレス線W1に行選択パルスV1の印加される10μ秒前に、制御電極37に接続している制御用電極配線C1に0Vを印加することにより導電性可動部M1,j−1,M1,j,M1,j+1,・・・・・と検知部X1,j−1,X1,j,X1,j+1,・・・・・との接触を解除する。導電性可動部M1,j−1,M1,j,M1,j+1,・・・・・に接続している可動部配線Gj−1,Gj,Gj+1,・・・・・には、一定電圧0Vが印加されている。そして、検知部X1,j−1,X1,j,X1,j+1,・・・・・への赤外線の照射により、検知部X1,j−1,X1,j,X1,j+1,・・・・・の温度を上昇させる。この状態で、水平アドレス線W1に行選択パルスV1が印加されると、負荷MOSトランジスタTd j−1,Td j,Td j+1,・・・・・〜垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・〜1行目の検知部X1,j−1,X1,j,X1,j+1,・・・・・〜1行目の水平アドレス線W1〜垂直アドレス回路101の電流パスを、負荷MOSトランジスタTd j−1,Td j,Td j+1,・・・・・により決定されるバイアス電流が流れる。このバイアス電流と検知部X1,j−1,X1,j,X1,j+1,・・・・・の熱電変換手段であるpn接合の温度とにより検知部X1,j−1,X1,j,X1,j+1,・・・・・の動作点が決まり、検知部X1,j−1,X1,j,X1,j+1,・・・・・の温度により変化する検知部X1,j−1,X1,j,X1,j+1,・・・・・の出力電圧が各列の垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・に発生する。そして、垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・の電圧が基板電圧Vssから検知部X1,j−1,X1,j,X1,j+1,・・・・・の出力電圧に変化する。
【0030】
この垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・の電圧変化は、結合容量Ccj−1,Ccj,Ccj+1,・・・・・によるカップリングで増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・のゲート電圧を変化させる。したがって、増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・のゲート電圧は、非選択期間において保持された増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・の閾値情報に検知部X1,j−1,X1,j,X1,j+1,・・・・・の出力電圧変化情報が加わったものとなる。その結果、増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・がオンされ垂直信号線電圧に応じたドレイン電流が流れ、蓄積容量Csj−1,Csj,Csj+1,・・・・・で1行目の選択期間TSELの期間、電流が積分されドレイン電圧Vcj−1,Vcj,Vcj+1,・・・・・が変化する。このとき、増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・のドレイン電流を支配するゲート電圧は、保持された閾値電圧からのシフト量により決定されるので、列毎にばらつく閾値の影響を受けない。そして、1行目選択期間TSELの終了後10μ秒経過して、再び、制御用電極配線C1に制御用電極電圧V+L1を印加し、導電性可動部M1,j−1,M1,j,M1,j+1,・・・・・と検知部X1,j−1,X1,j,X1,j+1,・・・・・とを接触状態にすれば、検知部X1,j−1,X1,j,X1,j+1,・・・・・に蓄積された熱を放出させることが出来る。
【0031】
1行目選択期間TSELに続く1行目水平読み出し期間TREADに、水平アドレス回路102により水平選択トランジスタSj−1,Sj,Sj+1,・・・・・が順次選択されドレイン電圧Vcj−1,Vcj,Vcj+1,・・・・・が時系列で水平信号線104に読み出される。
【0032】
2行目以降の動作は、サンプルトランジスタTS j−1,TS j,TS j+1,・・・・・の動作がないこと以外は、1行目での動作と同様である。
【0033】
例えば、i行目においては、図4に示すようにして、i行目の選択期間のドレイン電流を積分し、順次読み出す。即ち、水平アドレス線Wiに行選択パルスViが印加される10μ秒前まで、制御用電極配線Ciに制御用電極電圧V+L iを印加し、導電性可動部Mi,j−1,Mi,j,Mi,j+1,・・・・・と検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・とを接触状態にして、自己過熱する前の温度に設定しておく。そして、水平アドレス線Wiに行選択パルスViの印加される10μ秒前に、制御電極37に接続している制御用電極配線C1に0Vを印加することにより導電性可動部Mi,j−1,Mi,j,Mi,j+1,・・・・・と検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・との接触を解除する。導電性可動部Mi,j−1,Mi,j,Mi,j+1,・・・・・に接続している可動部配線Gj−1,Gj,Gj+1,・・・・・には、一定電圧0Vが印加されている。そして、検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,への赤外線の照射により、検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・の温度を上昇させる。この状態で、水平アドレス線Wiに行選択パルスViが印加され、i行目の選択期間TSELが開始される。i行目の選択期間TSELにおいては、負荷MOSトランジスタTd j−1,Td j,Td j+1,・・・・・〜垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・〜i行目の検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・〜i行目の水平アドレス線Wi〜垂直アドレス回路101の電流パスを、負荷MOSトランジスタTd j−1,Td j,Td j+1,・・・・・により決定されるバイアス電流が流れる。このバイアス電流と検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・の熱電変換手段であるpn接合の温度とにより検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・の動作点が決まり、検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・の温度により変化する検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・,Xi+1,j−1,Xi+1,j,Xi+1,j+1,・・・・・の出力電圧が各列の垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・に発生する。そして、垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・の電圧が基板電圧Vssから検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・の出力電圧に変化する。
【0034】
この垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・の電圧変化は、結合容量Ccj−1,Ccj,Ccj+1,・・・・・によるカップリングで増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・のゲート電圧を変化させる。したがって、増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・のゲート電圧は、非選択期間において保持された増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・の閾値情報に検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・の出力電圧変化情報が加わったものとなる。その結果、増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・がオンされ垂直信号線電圧に応じたドレイン電流が流れ、蓄積容量Csj−1,Csj,Csj+1,・・・・・でi行目選択期間TSELの期間、電流が積分されドレイン電圧Vcj−1,Vcj,Vcj+1,・・・・・が変化する。このとき、増幅トランジスタTA j−1,TA j,TA j+1,・・・・・のドレイン電流を支配するゲート電圧は、保持された閾値電圧からのシフト量により決定されるので、列毎にばらつく閾値の影響を受けない。そして、i行目選択期間TSELの終了後10μ秒経過して、再び、制御用電極配線C1に制御用電極電圧V+L iを印加し、導電性可動部Mi,j−1,Mi,j,Mi,j+1,・・・・・と検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・とを接触状態にすれば、検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・に蓄積された熱を放出させることが出来る。
【0035】
i行目選択期間TSELに続くi行目水平読み出し期間TREADに、水平アドレス回路102により水平選択トランジスタSj−1,Sj,Sj+1,・・・・・が順次選択されドレイン電圧Vcj−1,Vcj,Vcj+1,・・・・・が時系列で水平信号線104に読み出される。
【0036】
i+1行目以降の動作は、図4に示すように、i行目での動作と同様であり、i+1行目選択期間のドレイン電流を積分し、順次読み出す。
【0037】
検知部Xi,jの温度の時間的な変化を図5に示す。ここで、図6に示すような幅W=10μm、長さL=20μm、厚さt=0.5μmの片持ち梁構造の導電性可動部Mi,jによる熱の流れを検討してみる。この場合、熱の流れに直交する断面積S=10μm×0.5μm=5μm2となる。導電性可動部Mi,jの材料をAlとすれば、熱容量C=1.6×10−9J/K、熱伝導係数G=237W/(m/K)として良いであろうから、
熱時定数τ=C・L/G・S=59μsec・・・・・(1)
となる。仮にフレームレート=120fpsとすれば、垂直走査周期Tは、1/120=8.3msであるので、熱時定数τは、垂直走査周期Tより2桁ほど速いことがわかる。
【0038】
この様に、第1の実施の形態に係る赤外線撮像装置によれば、機械的スイッチング素子を用いることにより、熱電変換部41にパルス電圧を印加する際に生じる自己加熱による検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・,Xi+1,j−1,Xi+1,j,Xi+1,j+1,・・・・・の温度上昇を図5に示すように、リセットすることが可能となる。したがって、フレームレートを更に増加することが可能となり、高感度で高いレスポンスを有する熱型赤外線撮像装置を提供出来る。又、フレームレートを上昇させても、自己加熱現象により発生した検知部での熱上昇がブランキング時間により十分低下することが可能であるので、熱破壊現象も回避出来る。この結果、従来の熱型赤外線カメラの5〜10倍程度高いフレームレートの熱型赤外線撮像装置を提供出来るので、乗用車の夜間前方監視へ好適となる。
【0039】
図7〜図14を用いて、微少空洞領域Qi,jのピクセルに着目して、本発明の第1の実施の形態に係る赤外線撮像装置の製造方法を説明する。なお、以下に述べる赤外線撮像装置の製造方法は、一例であり、この一例を含めて、これ以外の種々の製造方法により、実現可能であることは勿論である。
【0040】
(イ)まず、図7(a)に示すように、単結晶Si支持基板1上に埋め込み酸化膜2、単結晶Si層3が順次積層された、いわゆるSOI基板を準備する。 次に、フォトリソグラフィー等の技術を用いて素子分離領域を定義し、素子分離領域形成予定の部分の単結晶Si層3を、例えば反応性イオンエッチング(RIE)法等の技術によりエッチング除去する。そして、図7(b)に示すように、素子分離酸化膜4を化学気相堆積(CVD)法等の技術により埋め込み、化学的機械研磨(CMP)法等の技術で平坦化する。
【0041】
(ロ)次に、図2(a)に示す第1支持脚21及び第2支持脚22の形成予定領域の素子分離酸化膜4と埋め込み酸化膜2とを、例えばRIE等の技術により選択的にエッチング除去し、図7(c)に示すような溝部5を形成する。図7(c)は図1のA−A方向に沿った断面図であり、図1のB−B方向に沿った断面図においては、図7(c)よりも幅の狭い溝部が同時に形成される。この溝部5に第1犠牲Si膜6をCVD法等の技術により埋め込み、CMP法等の技術で図7(d)に示すように平坦化する。この第1犠牲Si膜6は、単結晶、多結晶、非晶質のいずれであっても構わない。 図7(d)に示す平坦化工程において、いわゆる活性領域となる単結晶Si層3の表面を保護するために、溝部5の形成工程に先立ち、単結晶Si層3表面を酸化膜等で保護する工程を実施することがより好ましい。次に、図3に示した垂直アドレス回路101と水平アドレス回路102、可動部ドライバ103及び定電流源の周辺回路を構成するそれぞれのトランジスタのソース・ドレイン領域と同様に、検知部X1,j−1,X1,j,X1,j+1,・・・・・Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・,Xi+1,j−1,Xi+1,j,Xi+1,j+1,・・・・・のpn接合ダイオードを構成するためのn型不純物領域及びn型不純物領域をフォトリソグラフィー技術を用いたイオン注入等の選択的なドーピング技術により形成する。周辺回路は、通常の標準的なMOS集積回路の製造方法によれば良い。詳細は省略するが、反転防止層(チャネルストップ領域)、素子分離領域等の標準的なMOS集積回路に必要な領域を形成した後、単結晶Si層3の表面を熱酸化して、厚さ50nm〜100nmのゲート酸化膜を形成する。この際Vth制御イオン注入を加えても良い。次に、ゲート酸化膜の上の全面にCVD法によりポリシリコン膜を300nm〜600nm程度、例えば400nm堆積する。次にフォトレジスト膜(以下において、単に「フォトレジスト」という。)をポリシリコン膜の表面にスピン塗布する。そして、フォトリソグラフィー技術により、フォトレジストをパターニングする。そして、このフォトレジストをマスクとして、RIE法等によりポリシリコン膜をエッチングして、ゲート電極及びポリシリコン配線(図示しない)を形成する。その後、フォトレジストを除去し、新たなフォトレジストをゲート電極の表面にスピン塗布する。そして、次に、フォトリソグラフィー技術を用いて、MOSトランジスタ形成領域にイオン注入用開口部を形成し、ポリシリコンゲート電極を露出させる。そして、露出したポリシリコンゲート電極と新たなフォトレジストをマスクとして、自己整合的に、ヒ素イオン(75As+)をドーズ量1015cm−2のオーダーでイオン注入する。このとき、ポリシリコンゲート電極にもヒ素(75As+)がイオン注入される。新たなフォトレジストを除去してから、単結晶Si層3を熱処理し、注入した不純物イオンを活性化及び拡散し、単結晶Si層3にn型ソース領域及びn型ドレイン領域を形成する。但し、単結晶Si層3中のn型ソース領域、n型ドレイン領域、n型不純物領域及びn型不純物領域等は図示を省略している。
【0042】
(ハ)次に図8に示すように、単結晶Si層3の表面に熱酸化法若しくはCVD法を用いて、第1層間絶縁膜33aとしての酸化膜を厚さ0.5μm〜1.0μm程度に形成する。なお、図8〜図14において、(a)は、それぞれ図1のA−A方向に沿った断面図であり、(b)はそれぞれ図1のB−B方向に沿った断面図である。更に、図示を省略しているが、周辺回路のトランジスタのソース・ドレイン領域、及びpn接合ダイオードに対する配線のため、第1層間絶縁膜33aの所定の箇所に、コンタクトホールを開口する。更に、スパッタリング法又は電子ビーム真空蒸着法等によりチタン(Ti)、タングステン(W)等からなる金属膜を堆積する。その後、フォトリソグラフィー技術等を用いたメタライゼーション技術により、金属膜をパターニングすれば、図8(a)に示すように、第1層金属配線として、第1検知部配線51,第2検知部配線52,水平アドレス線Wi及び制御電極配線Ciが形成される。図示を省略しているが、隣接する画素(ピクセル)にも、同様に第1検知部配線51,第2検知部配線52,水平アドレス線Wi−1,Wi+1,・・・・・及び制御電極配線Ci−1,Ci+1,・・・・・が形成されることは勿論である。それぞれの画素の第2検知部配線52と、水平アドレス線Wi−1,Wi,Wi+1,・・・・・とは同一レベル(メタライゼーションレベル)にあるので、連続した金属パターンとして、電気的に接続することが可能である。第1検知部配線51,第2検知部配線52,水平アドレス線Wi−1,Wi,Wi+1,・・・・・及び制御電極配線Ci−1,Ci,Ci+1,・・・・と同時に、周辺回路及びpn接合ダイオードに対する第1層金属配線も形成されるが、これらも図示を省略している。
【0043】
(ニ)次に、第1層間絶縁膜33aの上に、CVD法を用いて厚さ1.0μm程度の第2層間絶縁膜33bとしての酸化膜を形成する。第2層間絶縁膜33bとしては、PSG膜、BSG膜、BPSG膜等を使用しても良い。そして、CMP法等を用いて平坦化した後、図9に示すように、厚さ0.5μm程度の第3層間絶縁膜34としての窒化膜を形成する。更に、フォトリソグラフィー技術及びRIE法等を手用いて、第3層間絶縁膜(窒化膜)34の所定の位置にバイアホールを開口する。例えば、図1に示す、制御電極配線Ci−1,Ci,Ci+1,・・・・・・の上部に、バイアホール56を開口する。又、それぞれの第1検知部配線51の端部の上部、バイアホールが開口される。その後、図9(b)に示すように、第3層間絶縁膜34の上に、第2層金属配線として、制御電極37及び垂直信号線 Bj及びBj+1を形成する。制御電極37からは、図1に示すように、制御電極補助配線53が、制御電極配線Ci−1,Ci,Ci+1,・・・・・・の上部に形成されたバイアホール56まで延在して形成される。したがって、バイアホール56を介して、制御電極配線Ci−1,Ci,Ci+1,・・・・・・と、それぞれの制御電極37とは電気的に接続される。図示を省略しているが、隣接する画素(ピクセル)にも、同様に制御電極37及び垂直信号線 Bj−2, Bj−1,Bj+2,Bj+3,・・・・・が形成されることは勿論である。したがって、それぞれの画素の第1検知部配線51の端部の上部と垂直信号線 Bj−2, Bj−1, Bj,Bj+1,Bj+2,Bj+3,・・・・・とはバイアホールを介して電気的に接続される。制御電極37及び垂直信号線 Bj−2, Bj−1, Bj,Bj+1,Bj+2,Bj+3,・・・・・と同時に、周辺回路に対する第2層金属配線も形成されるが、これらも図示を省略している。第1層間絶縁膜33a、第2層間絶縁膜33b及び第3層間絶縁膜34は、図2に示すように、赤外線吸収層42の役割と層間絶縁膜及びパッシベーション膜の役割を果たしている。
(ホ)次に、第1支持脚21及び第2支持脚22形成予定部の周辺部の位置に、溝部76a,77aをRIE法若しくはECRイオンエッチング法等で形成する。更に、図11に示すように、溝部76a,77aを埋めるように、厚さ1.5〜3.0μmの第2犠牲Si膜7を堆積する。更に、CMP法等を用いて、図11に示すように、第2犠牲Si膜7の表面を平坦化する。
【0044】
(ヘ)その後、フォトリソグラフィー技術及びRIEを用いた異なる深さのエッチングを選択的に繰り返すことにより、図12(b)に示すように、第2犠牲Si膜7の表面に深さの異なる溝部37a,37b,37cを形成する。溝部37cは、窒化膜34が露出するまで行う。次に、第3層金属配線として、スパッタリング法又は電子ビーム真空蒸着法等によりアルミニウム合金膜(Al−Si,Al−Cu−Si)を厚さ0.5μm〜1μm程度に形成する。この上に、フォトリソグラフィー技術を用いて、フォトレジストのマスクを形成し、このマスクを用いて、RIEにより、アルミニウム合金膜をパターニングして、図13に示すように、導電性可動部Mi,jのパターンを形成する。導電性可動部Mi,jのパターンは、垂直信号線 Bj +1と制御電極37のパターンの間を支持部(支柱)とする片持ち梁構造である。
【0045】
(ト)その後、図14に示すように、第2犠牲Si膜7をシリコンエッチング液で除去する。このエッチングで露出した支持基板1の表面の一部を、引き続き、単結晶Siの異方性エッチャント、例えばTMAH等の薬液を用いて、異方性エッチングを行えば、図2に示すように、微少空洞領域Qi,jが形成され、本発明の第1の実施の形態に係る赤外線撮像装置が完成する。
【0046】
上記説明においては、第1犠牲Si膜6及び第2犠牲Si膜7のエッチング除去工程と、それに続く支持基板1の異方性エッチング工程として、独立に説明したが、これらのエッチングに用いる薬液は、基本的に同一の薬液であるので、実際の工程においては、図13の形状となった後に、例えばTMAH等の薬液によるエッチングを行うことで、図14の形状を意識することなく、最終形状である図2の構造を得ることが出来る。
【0047】
図7〜図14においては、SOI基板を用いた赤外線撮像装置の製造方法を説明したが、SOI基板を用いなくても、赤外線撮像装置を製造することも可能である。図15及び図16を用いて、本発明の第1の実施の形態の変形例(第1の変形例)に係る赤外線撮像装置の製造方法を説明する。
【0048】
(イ)まず、Si基板31の主表面に垂直アドレス回路101と水平アドレス回路102、可動部ドライバ103及び定電流源等の周辺回路を形成する。次に周辺回路のMOS集積回路に対しては層間絶縁膜として機能する下地酸化膜32を、厚さ1μm程度に堆積する。例えば、下地酸化膜32は、CVD法により堆積された膜厚0.5μm程度の酸化膜と、この酸化膜の上の膜厚0.5μm程度のPSG膜又はBPSG膜の2層構造から構成された複合膜で良い。この複合膜の上層のBPSG膜は、リフローされて下地酸化膜32の表面が平坦化される。次に、図15(a)に示すように、下地酸化膜32に対して、フォトリソグラフィー技術及びRIE法を用いて、Si基板31の表面の一部を露出するように選択的に溝部61,62,63を設ける。これらの溝部61,62,63は、第1検知部配線51,熱電変換部41、第2検知部配線52を形成するための第1検知部配線形成用溝部61、熱電変換部形成用溝部62及び第2検知部配線形成用溝部63である。そして、溝部61,62,63が設けられた下地酸化膜32の表面に、図15(a)に示すように、鞘層(SiO2膜)35をCVD法で堆積する。
【0049】
(ロ)そして、鞘層(SiO2膜)35で被覆された溝部61,62,63を埋めるように、厚さ1.0〜1.5μmのボロメータポリシリコン41を堆積する。更に、CMPを用いて、図15(b)に示すように、ボロメータポリシリコン41の表面を鞘層(SiO2膜)35が露出するまで平坦化させ、ボロメータポリシリコン41を溝部61,62,63のそれぞれの内部に埋め込む。図示を省略するが、この後、p+型ドープドポリシリコン41を用意し、このp+型ドープドポリシリコン41の表面にn型不純物イオンを選択的にイオン注入してカソード領域を形成し、pn接合ダイオードを構成しても良い。
【0050】
(ハ)次に、フォトレジストからなるエッチングマスクを用いて、第1検知部配線形成用溝部61及び第2検知部配線形成用溝部63のそれぞれの内部に埋め込まれたボロメータポリシリコン41をエッチング除去する。更に、エッチングマスクとして用いたフォトレジストをリフトオフマスクとして用い、スパッタリング法又は電子ビーム真空蒸着法等によりTiからなる金属膜64を堆積する。その後、リフトオフマスクとして用いたフォトレジストを除去すれば、第1検知部配線形成用溝部61及び第2検知部配線形成用溝部63のそれぞれの内部にTiからなる金属膜が埋め込まれる。更に、CMP法を用いて、図15(c)に示すように、金属膜の表面を下地酸化膜32が露出するまで平坦化させ、Tiからなる金属膜の表面のレベルを、下地酸化膜32の表面のレベル及びボロメータポリシリコン41の表面のレベルと一致させる。この結果、Tiからなる第1検知部配線51及び第2検知部配線52が、第1検知部配線形成用溝部61及び第2検知部配線形成用溝部63のそれぞれの内部に下地酸化膜32及び素子分離酸化膜4を介して埋め込まれる。更に、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングされたフォトレジストをマスクにして、RIE法若しくはECRイオンエッチング法等により下地酸化膜32をエッチングし、図3に示した赤外線撮像装置の周辺回路101,102,103,・・・・・を構成する各トランジスタに対するコンタクトホールを開口する。そして、このコンタクトホールを形成に用いたフォトレジストを除去する。次に、スパッタリング法又は電子ビーム真空蒸着法等によりW膜を厚さ0.5μm程度に形成する。この上に、フォトリソグラフィー技術を用いて、フォトレジストのエッチングマスクを形成し、このエッチングマスクを用いて、これをRIE法により、W膜をパターニングして、周辺回路101,102,103,・・・・・を構成する各トランジスタに対するコンタクトプラグを埋め込む。更に同時に、
図15(c)に示すように水平アドレス線Wi及び制御電極配線Ciのパターンを形成する。図示を省略しているが、隣接する画素(ピクセル)にも、同様に水平アドレス線Wi−1,Wi+1,・・・・・及び制御電極配線Ci−1,Ci+1,・・・・・が形成される。水平アドレス線Wi−1,Wi,Wi+1,・・・・・及び制御電極配線Ci−1,Ci,Ci+1,・・・・と同時に、周辺回路等に対する金属配線も形成されるが、これらも図示を省略している。このとき、ボロメータポリシリコン41と支持脚溝部61,63のそれぞれの内部に埋め込まれた第1検知部配線51及び第2検知部配線52とがW膜で接続される。又、各画素の第2検知部配線52と水平アドレス線Wi−1,Wi,Wi+1,・・・・・とが互いに接続される。
【0051】
(ニ)この後、図15(d−1)に示すように、厚さ0.5μm〜1.5μm程度の酸化膜33及び厚さ0.5μmの窒化膜34を全面にCVD法で堆積する。図15(d−1)は、図1のA−A方向から見た断面図である。酸化膜33及び窒化膜34とからなる複合膜は、検知部Xi,jにおいては、赤外線吸収層42として機能するが、周辺回路101,102,103,・・・・・部では、層間絶縁膜として機能する。そして、フォトリソグラフィー技術を用いてパターニングされたフォトレジストをマスクにして、RIE法若しくはECRイオンエッチング法等により層間絶縁膜33,34をエッチングし、赤外線撮像装置の周辺回路101,102,103,・・・・・の第1層金属配線、第1検知部配線51と垂直信号線 Bjのパターンとを接続するための接続金属(プラグ)に対するバイアホールを開口する。次に、第2層金属配線として、スパッタリング法又は電子ビーム真空蒸着法等によりシリコンなどを含有するアルミニウム合金膜(Al−Si,Al−Cu−Si)を厚さ0.5μm程度に形成する。この上に、フォトリソグラフィー技術を用いて、フォトレジストのマスクを形成し、このマスクを用いて、これをRIE法により、アルミニウム合金膜をパターニングして、周辺回路101,102,103,・・・・・を構成する各トランジスタに対するバイアプラグと同時に、第2層金属配線として、図15(d−2)に示すように、垂直信号線Bj +1及び制御電極37のパターンを同時に形成する。図15(d−2)は、図1のB−B方向から見た場合に相当し、図15(d−1)に直交する方向の断面図である。以下の説明において、図16(e−2)、(f−2)は、同様に図1のB−B方向から見た断面図であり、図16(e−1)、(f−1)は、同様に図1のA−A方向から見た断面図である。図15(d−2)において、図示を省略しているが、隣接する画素(ピクセル)にも、同様に制御電極37及び垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+2,Bj+3,・・・・・が形成されることは勿論である。したがって、それぞれの画素の第1検知部配線51の端部の上部と垂直信号線 Bj−2, Bj−1, Bj,Bj+1,Bj+2,Bj+3,・・・・・とはバイアホールを介して電気的に接続される。制御電極37及び垂直信号線 Bj−1, Bj,Bj+1,Bj+2,Bj+3,・・・・・と同時に、周辺回路に対する金属配線も形成されるが、これらも図示を省略している。その後、この第2層金属配線や垂直信号線Bj−2, Bj−1, Bj,Bj+1,Bj+2,Bj+3,・・・・・のパターニングに用いたフォトレジストを除去する。
【0052】
(ホ)そして、窒化膜34、制御電極配線37及び第2層金属配線Bj−2, Bj−1, Bj,Bj+1,Bj+2,Bj+3,・・・・・の上に新たなフォトレジストを塗布する。更に、フォトリソグラフィー技術を用いてフォトレジストをパターニングする。このパターニングされたフォトレジストを用いて、RIE法若しくはECRイオンエッチング法等により、窒化膜34及び酸化膜33を選択的にエッチング除去し、溝部を形成する。更に、溝部を埋めるように、厚さ1.5〜3.0μmの犠牲ポリシリコン膜36を堆積する。更に、CMP法を用いて、図16(e−1)及び(e−2)に示すように、犠牲ポリシリコン膜36の表面を平坦化する。
【0053】
(ヘ)その後、フォトリソグラフィー技術及びRIE法を用いた異なる深さのエッチングを選択的に繰り返すことにより、犠牲ポリシリコン膜36の表面に深さの異なる溝部を形成する。更に、各画素の制御電極37と垂直信号線 Bj−1, Bj,Bj+1,Bj+2,Bj+3,・・・・・のそれぞれの間の位置の犠牲ポリシリコン膜36を選択的に窒化膜34が露出するまで除去しコンタクトホールを開口する。次に、第3層金属配線として、スパッタリング法又は電子ビーム真空蒸着法等によりアルミニウム合金膜(Al−Si,Al−Cu−Si)を厚さ0.5μm〜1μm程度に形成する。この上に、フォトリソグラフィー技術を用いて、フォトレジストのマスクを形成し、このマスクを用いて、RIE法により、アルミニウム合金膜をパターニングして、図16(f−1)及び(f−2)に示すように、導電性可動部Mi,jのパターンを形成する。導電性可動部Mi,jのパターンは、制御電極37と垂直信号線Bj+1のパターンの間を支持部(支柱)とする片持ち梁構造である。同様に、導電性可動部Mi,j−1,Mi,j+1,Mi,j+2,Mi,j+3,・・・・・のパターンは、各画素の制御電極37と垂直信号線 Bj−1,Bj+1,Bj+2,Bj+3,・・・・・のパターンの間を支持部(支柱)とする片持ち梁構造である。
【0054】
(ト)その後、犠牲ポリシリコン膜36をシリコンエッチング液で除去し、このエッチングで露出したSi基板31の表面の一部を、引き続きシリコンエッチング液で除去すれば、図2と同様な微少空洞領域Qi,jが形成され、本発明の第1の実施の形態の変形例(第1の変形例)に係る赤外線撮像装置が完成する。この場合、本発明の「基体」は、Si基板31とその上部の下地酸化膜32とで構成される。
【0055】
図17に、第1の実施の形態の他の変形例(第2の変形例)に係る赤外線撮像装置を示す(図1のB−B方向に沿った断面図に対応する。)。図2と異なり、微少空洞領域がSi基板31とその上部の下地酸化膜32とで構成される基体の表面に浅く形成されている。このため、片持ち梁構造の導電性可動部Mi,jと検知部Xi,jとを接触状態にした状態では、検知部Xi,jが弾性変形で下方に沈み、その底部がSi基板31に接触する。水平アドレス線Wiに行選択パルスViが印加され、検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・が選択されると、導電性可動部M1,j−1,M1,j,M1,j+1,・・・・・と検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・とは非接触状態になる。この場合、図17に示すように、弾性で、検知部Xi,jの底部はSi基板31から浮き上がり、検知部Xi,jの底部はSi基板31と非接触状態となる。即ち、ブランキング状態では、熱抵抗を小さくし、より熱の流れを良好とすると同時に、導電性可動部M1,j−1,M1,j,M1,j+1,・・・・・と、対応する検知部Xi,j−1,Xi,j,Xi,j+1,・・・・・とがそれぞえ接触することによる応力変形が小さくなるので、機械的強度を維持することが出来、長寿命である。
【0056】
(第2の実施形態)
本発明の第1の実施形態に係る熱型赤外線撮像装置においては、制御電極37は、検知部Xi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j・・・・・を囲む支持基板(単結晶Si)1の表面に配置されていた。本発明の第2の実施形態に係る熱型赤外線撮像装置は、図18及び図19に示すように、制御電極38が検知部Xi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j・・・・・・・・・・の内部に配置されている点が第1の実施形態と異なる。又、第2の実施形態においては、基体がSi基板31とその上部の下地酸化膜32とで構成される場合で説明するが、SOI構造の基体でも良いことは勿論である。
【0057】
即ち、第2の実施形態に係る熱型赤外線撮像装置の機械的スイッチング素子は、基体(31,32)の表面に配置された可動部配線Gj−2,Gj−1,Gj,・・・・・に電気的に接続され、且つ基体(31,32)に固定端が固定され、この固定端側から検知部の上部に自由端が延在する片持ち梁構造の導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,j,・・・・・と、基体(31,32)の表面に配置された制御電極配線Ci−1,Ci,Ci+1,・・・・・に電気的に接続され、且つ検知部の表面に配置された制御電極38とを備える。可動部配線Gj−2,Gj−1,Gj,・・・・・を介して可動部に供給される電圧と、制御電極配線Ci−1,Ci,Ci+1,・・・・・を介して制御電極38に供給される電圧を調整することにより、静電引力で、導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,j,・・・・・のそれぞれの自由端を検知部に接触若しくは、近接させる。第2支持脚22の内部には、熱電変換部41をそれぞれ水平アドレス線Wi−1,Wi,Wi+1,・・・・・に接続する第2検知部配線52と共に、制御電極38と制御電極配線Ci−1,Ci,Ci+1,・・・・・とを接続するための制御電極補助配線53が収納されている。
【0058】
この様に制御電極38を検知部Xi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j・・・・・内に配置することにより、機械的スイッチング素子として機能する制御電極38及びこれに対向する導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,j,・・・・・の電極部分の有効面積が大きくなり、結果として低電圧での熱放散用スイッチ動作が可能となる。
【0059】
(第3の実施形態)
図20に示すように、本発明の第3の実施形態に係る熱型赤外線撮像装置の平面構造は、第1の実施形態に係る熱型赤外線撮像装置と同様に、制御電極37が、検知部Xi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j・・・・・・・・・・を囲むSi基板31の表面に配置されている。即ち、第3の実施形態に係る熱型赤外線撮像装置の機械的スイッチング素子は、基体(31,32)の表面に配置された可動部配線Gj−2,Gj−1,Gj,・・・・・に電気的に接続され、且つ基体(31,32)に固定端が固定され、この固定端側から検知部の上部に自由端が延在する片持ち梁構造の導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,j,・・・・・と、基体(31,32)の表面に配置された制御電極配線Ci−1,Ci,Ci+1,・・・・・に電気的に接続され、且つ基体(31,32)の表面において固定端と自由端の間に配置された制御電極37とを備える。
【0060】
しかし、図21に示す図20のB−B方向に沿った断面構造から明らかなように、検知部Xi,jは、導電性可動部Mi,jの上方に配置され、赤外線を吸収する赤外線吸収層42と、導電性可動部Mi,jの下方に配置され、赤外線吸収層42において発生した熱を電気信号に変換する熱電変換部41と、赤外線吸収層42と熱電変換部41とを熱的に接続し、且つ赤外線吸収層42を熱電変換部41に対して機械的に支持する支持部54a,54b,54c,54dとを備える。即ち、各ピクセルの赤外線吸収層42が4本の支持部54a,54b,54c,54dで支えられた傘構造をなしている。但し、図21においては、4本の支持部の内、54a,54bのみが示され、断面(紙面)より手前の支持部54c,54dは図示を省略している。図20においては、2点鎖線(想像線)で赤外線吸収層42で示し、赤外線吸収層42の下に接続される4本の支持部54a,54b,54c,54dの構造を明示している。
【0061】
赤外線吸収層42は、熱電導率の高い4本の支持部(導電性支持部)54a,54b,54c,54d介して熱電変換部41に接続されている。第3の実施形態に係る熱型赤外線撮像装置においては、熱電変換部41の上部の酸化膜33a,33b及び窒化膜34とからなる複合膜は、層間絶縁膜として機能しているに過ぎない。図21から明らかなように、片持ち梁構造の導電性可動部Mi,jは赤外線吸収層42と熱電変換部41の間に配置されている。
【0062】
第1の実施形態及び第2の実施形態では、金属性の導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,jが赤外線吸収層42の上に配置されているために照射された赤外線が導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,jで反射され、赤外線吸収率が低下してしまう。図20及び図21に示す第3の実施形態の構造においては、赤外線吸収層42が導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,jの上に位置するため、照射された赤外線はすべて赤外線吸収層42にて吸収することが可能となる。このため、第3の実施形態に係る熱型赤外線撮像装置の赤外線吸収率は、極めて高くなる。又、図20の2点鎖線(想像線)で示すように、赤外線吸収層42をSi基板31の上の領域まで、広い面積に張り出した構造とすることが可能となる。つまり、第3の実施形態に係る熱型赤外線撮像装置の各ピクセルの赤外線吸収の開口率は、第1及び第2の実施形態に比し、十分に増大させることが出来る。図20において、2点鎖線(想像線)の領域を互いに隣接するまで広げれば、赤外線の不感部となるデッドスペースを少なくすることも可能となる。
【0063】
(第4の実施形態)
図18及び図19に示した第2の実施形態に係る熱型赤外線撮像装置は、制御電極38を検知部Xi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j・・・・・内に配置し、機械的スイッチング素子として機能する制御電極38及びこれに対向する導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,j,・・・・・の電極部分の有効面積が大きくなり、結果として低電圧での熱放散用スイッチ動作が可能となる。しかし、図18に明らかなように、制御電極38が、各ピクセルの赤外線吸収の開口率を低下させている。
【0064】
図22に示す本発明の第4の実施形態に係る熱型赤外線撮像装置においては、第2の実施形態に係る熱型赤外線撮像装置と同様に、制御電極38が検知部Xi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j・・・・・内に配置されている。しかし、各ピクセルの赤外線吸収層42が、第3の実施形態と同様に、4本の支持部54a,54b,54c,54dで支えられた傘構造をなしている。図23においては、4本の支持部の内、54a,54bのみが示され、断面(紙面)より手前の支持部54c,54dは図示が省略されている。図22の2点鎖線(想像線)で示される領域が、赤外線吸収層42である。
【0065】
第3の実施形態で説明したと同様に、赤外線吸収層42は、熱電導率の高い4本の支持部(導電性支持部)54a,54b,54c,54d介して熱電変換部41に接続されている。そして、片持ち梁構造の導電性可動部Mi,jは赤外線吸収層42と熱電変換部41の間に配置されている。つまり、赤外線吸収層42が導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,jの上に位置するため、照射された赤外線はすべて赤外線吸収層42にて吸収することが可能となる。このため、第4の実施形態に係る熱型赤外線撮像装置の赤外線吸収率は、極めて高くなると同時に、低電圧での熱放散用スイッチ動作が可能となる利点を合わせ持つことが可能となる。
【0066】
(第5の実施形態)
本発明の第5の実施の形態に係る赤外線撮像装置は、図24に示すように、複数の垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・と、この複数の垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・に対し垂直方向に伸延する複数の水平アドレス線Wi−1,Wi,Wi+1,・・・・・により構成されたマトリクスの内部に、それぞれ画素(ピクセル)を構成する検知部Xi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j・・・・・が2次元配置されている。各画素の検知部Xi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j・・・・・は、それぞれ対応する垂直スイッチングトランジスタTi−1,j−1,Ti−1,j,・・・・・,Ti,j−1,Ti,j・・・・・を備え、それぞれ第2検知部配線52を介して互いに接続されている。即ち、各画素の検知部Xi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j・・・・・の一方の電極は、それぞれ対応する垂直スイッチングトランジスタTi−1,j−1,Ti−1,j,・・・・・,Ti,j−1,Ti,j・・・・・のドレイン電極に接続されている。例えば、図26に示すように、各画素の検知部Xi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j・・・・・が、pn接合ダイオードで構成されているとすれば、pn接合ダイオードXi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j・・・・・の一方の電極(アノード電極)は、それぞれ対応する垂直スイッチングトランジスタTi−1,j−1,Ti−1,j,・・・・・,Ti,j−1,Ti,j・・・・・のドレイン電極に、それぞれ第2検知部配線52を介して互いに接続されている。各画素の検知部Xi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j・・・・・の他方の電極は、共通電位(例えば接地電位)に接続されている。垂直スイッチングトランジスタTi−1,j−1,Ti−1,j,・・・・・,Ti,j−1,Ti,j・・・・・のゲート電極は、各行毎に、水平アドレス線Wi−1,Wi,Wi+1,・・・・・に接続されている。垂直スイッチングトランジスタTi−1,j−1,Ti−1,j,・・・・・,Ti,j−1,Ti,j・・・・・のソース電極は、各列毎に、垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・に接続されている。更に、垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・と平行して、可動部配線Gj−2,Gj−1,Gj,・・・・・が走行している。又、水平アドレス線Wi−1,Wi,Wi+1,・・・・・と平行して、制御電極配線Ci−1,Ci,Ci+1,・・・・・が走行している。
【0067】
図25(a)は、図24のA−A方向に沿った断面図で、図25(b)は、図24のB−B方向に沿った断面図で、検知部Xi,jが、微少空洞領域Qi,jの内部に中空状態で収納されていることが示されている。この中空構造は、検知部Xi,jをSi基板31から熱的分離状態にするために形成されている。図24及び図25(a)に示すように、各ピクセルを構成する検知部Xi,jは、Si基板31、及びSi基板31の上部の下地酸化膜32に対して、熱的抵抗の大きな第1支持脚21及び第2支持脚22により中空状態で支持し、熱的分離状態を維持している。微少空洞領域Qi,jは、Si基板31の一部を選択的に除去した凹部の底部に逆ピラミッド形状に構成されている。Si基板31の表面の一部には、垂直スイッチングトランジスタTi,jのソース領域71及びドレイン領域72が形成されている。ソース領域71とドレイン領域72の間に位置する下地酸化膜32内部に垂直スイッチングトランジスタTi,jのゲート電極73が埋め込まれている。図24に示す検知部Xi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j・・・・・は、それぞれ、図25に示すように、入射赤外線を吸収し熱に変換する赤外線吸収層42と、赤外線吸収層42で発生した熱による温度変化を電気信号に変換する熱電変換部41を含んでいる。熱電変換部41は、ポリシリコン層の表面に不純物を選択的にドープしたpn接合ダイオードを集積化した構造である。ポリシリコン層41の底面と側面を、それぞれ酸化膜からなる鞘層35が覆っている。pn接合ダイオードの代わりに、ドープドポリシリコン、VO2、Ti等のボロメータが採用可能である。熱電変換部41の上には、層間絶縁膜33としての酸化膜が配置されている。この酸化膜33の上部には窒化膜34が配置されている。酸化膜33と、この上部の窒化膜34とからなる複合膜で、赤外線吸収層42が構成されている。赤外線吸収層42は、熱電変換部41と実質的に同一の形状で配置されている。
【0068】
図24及び図25(a)に示すように、第1支持脚21の内部には熱電変換部41を共通電位(接地電位)に接続する第1検知部配線51、第2支持脚22の内部には熱電変換部41を垂直スイッチングトランジスタTi,jのドレイン電極にiに接続する第2検知部配線52が埋め込まれている。第1検知部配線51及び第2検知部配線52は、W、Ti、Co、Mo等の高融点金属、これらのシリサイド等、或いはこれらのシリサイドを用いたポリサイドで構成しても良い。
【0069】
更に、図24及び図25(b)に示すように、各ピクセルには、制御電極37が設けられている。各ピクセルの制御電極37は、制御電極補助配線53を介して、それぞれ制御電極配線Ci−1,Ci,Ci+1,・・・・・に接続され、制御電極配線Ci−1,Ci,Ci+1,・・・・・を介して電圧が印加される。図25(b)に示すように、各ピクセルの制御電極37に対向して、片持ち梁構造の導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,j,・・・・・が設けられ、導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,j,・・・・・は、可動部配線Gj−2,Gj−1,Gj,・・・・・に接続されている。導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,j,・・・・・は、それぞれSi基板31の上部の下地酸化膜32、酸化膜33、窒化膜34からなる積層構造の表面に固定端が固定され、この固定端側から検知部Xi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j・・・・・の上部に自由端が延在する構造である。制御電極37、導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,jにより、機械的スイッチング素子が構成されている。この導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,j,・・・・・はAl,Cu,Ti、TiN、Wなどの導電性材料が適当である。
【0070】
図25は、水平アドレス線Wiに行選択パルスViが印加されている状態における検知部Xi,jの選択状態を示している。行選択パルスViが印加される直前のブランキング状態では、制御用電極配線Ciに制御用電極電圧V+L iを印加することにより、片持ち梁構造の導電性可動部Mi,jを撓ませ、導電性可動部Mi,jの自由端と検知部Xi,jを接触状態にし、検知部Xi,jに蓄積された熱を熱伝導で放出する。導電性可動部Mi,jの自由端と検知部Xi,jとを接触状態にすると、導電性可動部Mi,jの自由端を介して検知部Xi,jの熱はSi基板31に一瞬にして熱伝導で移動し、検知部Xi,jの温度は自己過熱する前の温度に安定する。導電性可動部Mi,jの自由端と検知部Xi,jとの接触状態が解除された選択状態では、赤外線吸収層42に赤外線が照射されると、その赤外線強度に対応して赤外線吸収層42の温度が上昇する。
【0071】
図26の等価回路において、導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,jで代表して、機械的スイッチング素子を表示している。図26に示される抵抗ri−1,j−1,ri−1,j,・・・・・,ri,j−1,ri,jは、図25に示した赤外線吸収層42の有する熱抵抗及び導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,jを赤外線吸収層42に接触させたときの熱的コンタクト抵抗の合計となる熱抵抗を表す。導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,jを赤外線吸収層42に接触させたとき、図25に示すように、大部分の熱は窒化膜34、酸化膜33を介して、基体(31,32)に流れるが、この熱の流れは、図26の等価回路においては、図示を省略している。図26の等価回路において、例えば、1/60秒間隔で水平アドレス線W1,W2,・・・・・,Wi−1,Wi,Wi+1,・・・・・に20μ秒間、行選択パルスV1,V2,・・・・・,Vi−1,Vi,Vi+1,・・・・が印加されているとする。水平アドレス線W1に行選択パルスV1が印加される10μ秒前まで、制御用電極配線C1に制御用電極電圧V+L1を印加し、導電性可動部M1,j−1,M1,j,M1,j+1,・・・・・と検知部X1,j−1,X1,j,X1,j+1,・・・・・とを接触状態にして、自己過熱する前の温度に設定しておく。そして、水平アドレス線W1に行選択パルスV1の印加される10μ秒前に、制御電極37に接続している制御用電極配線C1に0Vを印加することにより導電性可動部M1,j−1,M1,j,M1,j+1,・・・・・と検知部X1,j−1,X1,j,X1,j+1,・・・・・との接触を解除する。導電性可動部M1,j−1,M1,j,M1,j+1,・・・・・に接続している可動部配線Gj−1,Gj,Gj+1,・・・・・には、一定電圧0Vが印加されている。そして、検知部X1,j−1,X1,j,X1,j+1,・・・・・への赤外線の照射により、検知部X1,j−1,X1,j,X1,j+1,・・・・・の温度を上昇させる。この状態で、水平アドレス線W1に行選択パルスV1が印加され、水平アドレス回路102により水平選択トランジスタSj−1,Sj,Sj+1,・・・・・が順次選択されると、
垂直信号線 Bj−1,Bj,Bj+1,・・・・・を介して、検知部X1,j−1,X1,j,X1,j+1,・・・・・の信号が、時系列で水平信号線104に読み出される。
【0072】
この様に、第5の実施の形態に係る赤外線撮像装置によれば、機械的スイッチング素子を用いることにより、熱電変換部41にパルス電圧を印加する際に生じる自己加熱による検知部Xi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j・・・・・の温度上昇を、リセットすることが可能となる。したがって、フレームレートを更に増加することが可能となり、高感度で高いレスポンスを有する熱型赤外線撮像装置を提供出来る。又、フレームレートを上昇させても、自己加熱現象により発生した検知部での熱上昇がブランキング時間により十分低下することが可能であるので、熱破壊現象も回避出来る。
【0073】
(その他の実施の形態)
上記のように、本発明は第1〜第5の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【0074】
既に述べた第1〜第5の実施の形態の説明においては、導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,jとして金属材料を用いているが、導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,jの一部に制御電極37によって引力を発生する材料が使ってあれば良い。又、導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,jには0Vの電圧を印加しているが、フローティングしていても良く、機械的スイッチング素子が第1〜第5の実施の形態と同様の動作となるならば制御電極37と導電性可動部Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,jに与える電圧の組み合わせは自由である。
【0075】
既に述べた第1〜第5の実施の形態の説明においては、ブランキング状態で、片持ち梁構造の導電性可動部Mi,j−1を撓ませ、導電性可動部Mi,j−1と検知部Xi,j−1を接触状態にし、検知部Xi,j−1に蓄積された熱を熱伝導で放出する場合について説明した。しかし、導電性可動部Mi,j−1と検知部Xi,j−1とを完全な接触状態にせず、0.5〜0.1μm程度、若しくはこれ以下のミクロなギャップ(間隙部)を介して近接さるような機械的スイッチング素子としても、導電性可動部Mi,j−1と検知部Xi,j−1との間に輻射による熱の流れが形成出来る。輻射による熱の流れは、熱伝導に比し小さいので、図3や図26に示す熱抵抗ri−1,j−1,ri−1,j,・・・・・,ri,j−1,ri,jの値は大きくなる。しかし、導電性可動部Mi,j−1と検知部Xi,j−1とが機械的に接触することによる物理的疲労が回避出来るので、熱型赤外線撮像装置の長寿命化に効果がある。導電性可動部Mi,j−1と検知部Xi,j−1との間のミクロなギャップを確保するためには、所定の高さのスペーサを導電性可動部Mi,j−1と支持基板(単結晶Si)1の表面の間に設けておけば良い。
【0076】
既に述べた第1〜第5の実施の形態の説明においては、垂直信号線及び水平アドレス線とからなるX−Yマトリクスを構成た2次元赤外線撮像装置(エリア型赤外線撮像装置)について説明した。しかし、水平アドレス線を1本のままとして、1次元赤外線撮像装置(ライン型赤外線撮像装置)としても良いことは勿論である。
【0077】
この様に、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【0078】
【発明の効果】
本発明によれば、フレームレートを上昇させても感度を低下させることなく、且つ自己加熱現象による熱破壊を起こすことがない熱型赤外線撮像装置を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る赤外線撮像装置の画素の配列の一部(2×2部分)を示す平面図である。
【図2】図2(a)は図1のA−A方向に沿った断面図で、図2(b)はB−B方向に沿った断面図である。
【図3】本発明の第1の実施の形態に係る赤外線撮像装置(センサアレイ)の周辺回路を含めた簡略化した等価回路である。
【図4】本発明の第1の実施の形態に係る赤外線撮像装置における垂直信号線に印加される読み出し電圧と、制御用電極配線に印加される制御用電極電圧との関係を示すタイミングチャートである。
【図5】本発明の第1の実施の形態に係る赤外線撮像装置における検知部の温度の時間的な変化を示す図である。
【図6】本発明の第1の実施の形態に係る赤外線撮像装置における片持ち梁構造の可動部による熱の流れを検討するための片持ち梁構造の寸法を例示する模式図である。
【図7】本発明の第1の実施の形態に係る赤外線撮像装置の製造方法を説明する工程断面図である(その1)。
【図8】本発明の第1の実施の形態に係る赤外線撮像装置の製造方法を説明する工程断面図である(その2)。
【図9】本発明の第1の実施の形態に係る赤外線撮像装置の製造方法を説明する工程断面図である(その3)。
【図10】本発明の第1の実施の形態に係る赤外線撮像装置の製造方法を説明する工程断面図である(その4)。
【図11】本発明の第1の実施の形態に係る赤外線撮像装置の製造方法を説明する工程断面図である(その5)。
【図12】本発明の第1の実施の形態に係る赤外線撮像装置の製造方法を説明する工程断面図である(その6)。
【図13】本発明の第1の実施の形態に係る赤外線撮像装置の製造方法を説明する工程断面図である(その7)。
【図14】本発明の第1の実施の形態に係る赤外線撮像装置の製造方法を説明する工程断面図である(その8)。
【図15】本発明の第1の実施の形態の変形例(第1の変形例)に係る赤外線撮像装置の製造方法を説明する工程断面図である(その1)。
【図16】本発明の第1の実施の形態の変形例(第1の変形例)に係る赤外線撮像装置の製造方法を説明する工程断面図である(その2)。
【図17】本発明の第1の実施の形態の他の変形例(第2の変形例)に係る赤外線撮像装置の画素の断面図である。
【図18】本発明の第2の実施の形態に係る赤外線撮像装置の画素の配列の一部(2×2部分)を示す平面図である。
【図19】図18のB−B方向に沿った断面図である。
【図20】本発明の第3の実施の形態に係る赤外線撮像装置の画素の配列の一部(2×2部分)を示す平面図である。
【図21】図20のB−B方向に沿った断面図である。
【図22】本発明の第4の実施の形態に係る赤外線撮像装置の画素の配列の一部(2×2部分)を示す平面図である。
【図23】図22のB−B方向に沿った断面図である。
【図24】本発明の第5の実施の形態に係る赤外線撮像装置の画素の配列の一部(2×2部分)を示す平面図である。
【図25】図25(a)は図24のA−A方向に沿った断面図で、図25(b)はB−B方向に沿った断面図である。
【図26】本発明の第5の実施の形態に係る赤外線撮像装置(センサアレイ)の周辺回路を含めた簡略化した等価回路である。
【図27】従来の熱型赤外線撮像装置における自己加熱現象による検知部の温度の時間的な変化を示す図である(フレームレートが低い場合。)。
【図28】従来の熱型赤外線撮像装置における自己加熱現象による検知部の温度の時間的な変化を示す図である(フレームレートが高い場合。)。画素の配列の一部を示す平面図である。
【符号の説明】
1 支持基板(単結晶Si)
2 埋め込み酸化膜
3 単結晶Si層
4 素子分離酸化膜
5,76a,76b,77a,77b 溝部
6 第1犠牲Si膜
7 第2犠牲Si膜
21 第1支持脚
22 第2支持脚
31 基体(Si基板)
32 下地酸化膜
33 酸化膜
33a 第1層間絶縁膜(酸化膜)
33b 第2層間絶縁膜(酸化膜)
34 窒化膜(第3層間絶縁膜)
35 鞘層
36 犠牲ポリシリコン膜
37,38 制御電極
37a,37b,37c 溝部
41 熱電変換部(単結晶Si層又はボロメータポリシリコン)
42 赤外線吸収層
51 第1検知部配線
52 第2検知部配線
53 制御電極補助配線
54a,54b,54c,54d 支持部
55 空洞形成用ポリシリコン
61 第1検知部配線形成用溝部
62 熱電変換部形成用溝部
63 第2検知部配線形成用溝部
64 金属膜
76,77 スリット部
83 フォトレジスト
71 ソース領域
72 ドレイン領域
73 ゲート電極73
74 ゲート酸化膜
101 垂直アドレス回路
102 水平アドレス回路
103 可動部ドライバ
104 水平信号線
105 定電流源
Aj−1,Aj,Aj+1 増幅読み出し回路
Bj−1,Bj,Bj+1 垂直信号線
Ccj−1,Ccj,Ccj+1 結合容量
Ci −1,Ci,Ci +1 制御電極配線
Csj−1,Csj,Csj+1 蓄積容量
Gj−1,Gj,Gj+1 可動部配線
Hj−1,Hj,Hj+1 水平選択線
Mi−1,j−1,Mi−1,j,・・・・・,Mi,j−1,Mi,j 可動部
Wi−1,Wi,Wi+1 水平アドレス線
Qi,j−1,Qi,j 微少空洞領域
ri−1,j−1,ri−1,j,・・・・・,ri,j−1,ri,j 抵抗
Sj−1,Sj,Sj+1 水平スイッチトランジスタ
Ti−1,j−1,Ti−1,j,Ti,j−1,Ti,j 垂直スイッチングトランジスタ
Td j−1,Td j,Td j+1 負荷MOSトランジスタ
TA j−1,TA j,TA j+1 増幅トランジスタ
TR j−1,TR j,TR j+1 リセットトランジスタ
TS j−1,TS j,TS j+1 サンプルトランジスタ
Xi−1,j−1,Xi−1,j,・・・・・,Xi,j−1,Xi,j 検知部
Claims (5)
- 複数の微小空洞領域を表面に配置した基体と、
前記微小空洞領域に、前記基体からそれぞれ熱的分離状態で支持された赤外線を検知する複数の検知部と、
前記基体と前記複数個の検知部との間にそれぞれ設けられ、前記検知部が検知した赤外線を電気信号として読み出すタイミングにおいて前記熱的分離状態を維持し、前記タイミング以外のブランキング時において、前記熱的分離状態を短絡し、前記検知部に蓄積される熱を前記基体に放散させる機械的スイッチング素子
とを備えることを特徴とする赤外線撮像装置。 - 前記機械的スイッチング素子は、
前記基体の表面に配置された可動部配線に電気的に接続され、且つ前記基体に固定端が固定され、該固定端側から前記検知部の上部に自由端が延在する片持ち梁構造の導電性可動部と、
前記基体の表面に配置された制御電極配線に電気的に接続され、且つ前記基体の表面において前記固定端と自由端の間に配置された制御電極とを備え、
前記可動部配線を介して前記可動部に供給される電圧と、前記制御電極配線を介して前記制御電極に供給される電圧を調整することにより、静電引力で、前記自由端を前記検知部に接触若しくは、近接させることを特徴とする請求項1に記載の赤外線撮像装置。 - 前記機械的スイッチング素子は、
前記基体の表面に配置された可動部配線に電気的に接続され、且つ前記基体に固定端が固定され、該固定端側から前記検知部の上部に自由端が延在する片持ち梁構造の導電性可動部と、
前記基体の表面に配置された制御電極配線に電気的に接続され、且つ前記検知部の表面に配置された制御電極とを備え、
前記可動部配線を介して前記可動部に供給される電圧と、前記制御電極配線を介して前記制御電極に供給される電圧を調整することにより、静電引力で、前記自由端を前記検知部に接触若しくは、近接させることを特徴とする請求項1に記載の赤外線撮像装置。 - 前記検知部は、
前記赤外線を吸収する赤外線吸収層と、
前記赤外線吸収層において発生した熱を前記電気信号に変換する熱電変換部と、
前記赤外線吸収層と前記熱電変換部とを熱的に接続し、且つ前記赤外線吸収層を前記熱電変換部に対して機械的に支持する支持部
とを備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の赤外線撮像装置。 - 前記検知部は、
前記導電性可動部の上方に配置され、前記赤外線を吸収する赤外線吸収層と、
前記導電性可動部の下方に配置され、前記赤外線吸収層において発生した熱を前記電気信号に変換する熱電変換部と、
前記赤外線吸収層と前記熱電変換部とを熱的に接続し、且つ前記赤外線吸収層を前記熱電変換部に対して機械的に支持する支持部
とを備えることを特徴とする請求項2又は3に記載の赤外線撮像装置。
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---|---|---|---|---|
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US7351973B2 (en) * | 2005-02-15 | 2008-04-01 | Delphi Technologies, Inc. | Apparatus and method for providing thermal conductance in thermally responsive photonic imaging devices |
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KR100704378B1 (ko) * | 2006-09-19 | 2007-04-09 | (주)한비젼 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
EP2072976A4 (en) * | 2006-10-11 | 2013-08-14 | Panasonic Corp | ELECTRONIC EQUIPMENT |
US7622717B2 (en) * | 2007-08-22 | 2009-11-24 | Drs Sensors & Targeting Systems, Inc. | Pixel structure having an umbrella type absorber with one or more recesses or channels sized to increase radiation absorption |
JP2009074898A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Toshiba Corp | ボロメータ型非冷却赤外線センサおよびその駆動方法 |
JP5357430B2 (ja) * | 2008-02-04 | 2013-12-04 | 株式会社ユニバーサルエンターテインメント | 赤外線センサ |
JP5543703B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2014-07-09 | 株式会社東芝 | 被写***置検出素子 |
US9998697B2 (en) * | 2009-03-02 | 2018-06-12 | Flir Systems, Inc. | Systems and methods for monitoring vehicle occupants |
US8967859B2 (en) * | 2009-04-20 | 2015-03-03 | Eric S. Harmon | Microbolometer and pixel exploiting avalanche breakdown |
US8304850B2 (en) * | 2009-12-22 | 2012-11-06 | Texas Instruments Incorporated | Integrated infrared sensors with optical elements, and methods |
JP5917790B2 (ja) * | 2010-02-19 | 2016-05-18 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5143176B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2013-02-13 | 株式会社東芝 | 赤外線撮像素子およびその製造方法 |
US8927934B2 (en) * | 2010-09-13 | 2015-01-06 | Ricoh Company, Ltd. | Thermal infrared sensor and manufacturing method thereof |
CN103229028B (zh) * | 2010-10-25 | 2016-02-10 | Nec东金株式会社 | 热释电传感器阵列以及热释电型红外线检测装置 |
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JP7280681B2 (ja) * | 2017-11-30 | 2023-05-24 | ブリルニクス シンガポール プライベート リミテッド | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、および電子機器 |
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Family Cites Families (5)
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---|---|---|---|---|
US5486698A (en) * | 1994-04-19 | 1996-01-23 | Texas Instruments Incorporated | Thermal imaging system with integrated thermal chopper |
US5844238A (en) * | 1996-03-27 | 1998-12-01 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Infrared imager using room temperature capacitance sensor |
JPH109949A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線検出素子及びその製造方法 |
JP3040356B2 (ja) * | 1997-01-27 | 2000-05-15 | 三菱電機株式会社 | 赤外線固体撮像素子 |
JP3946406B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2007-07-18 | 株式会社東芝 | 熱型赤外線センサの製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7535003B2 (en) | 2007-03-27 | 2009-05-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device and driving method thereof |
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US7026617B2 (en) | 2006-04-11 |
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