JPH109949A - 赤外線検出素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 赤外線検出素子の赤外線検出感度を高くす
る。 【構成】 検出される赤外線を吸収して温度変化する赤
外線検出部5 を備え、雰囲気ガス中に支持される赤外線
検出素子100 において、雰囲気ガスの平均自由工程より
も小さい空隙14,19 を有して赤外線検出部5 に対向する
対向部材33が設けられた構成としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、赤外線の吸収に基
づく温度変化により、赤外線を検出する赤外線検出素子
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の赤外線検出素子X とし
て、図10及び図11に示すものがある。このものは、基板
A と、基板A と共に架橋構造を形成する薄膜B と、薄膜
B 上に配設されて検出される赤外線を吸収して発熱する
ことにより温度変化する赤外線検出部C と、を備えてい
る。詳しくは、赤外線検出部C は、赤外線が入射される
一方側に赤外線吸収層C₁が設けられ、この赤外線吸収層
C₁により赤外線を吸収して温度変化する。この赤外線検
出部C は、温度変化に基づいて抵抗値が変化する抵抗体
C₂及びその抵抗体C₂の抵抗値の変化を検出する電極C₃が
設けられている。そして、この赤外線検出素子X は、図
11に示すように、その赤外線検出素子X そのものを支持
して収容するパッケージY 内で、窒素等の雰囲気ガスと
共に減圧状態で気密封止される。

【０００３】この赤外線検出素子X は、赤外線検出部C
から雰囲気ガスへの放熱量の絶対量が小さく、しかも薄
膜B が非常に薄いために薄膜B 自体の熱抵抗が大きくな
っているから、薄膜B を介して基板A へ伝熱する熱も少
なくなっている。従って、赤外線検出部C での温度変化
は、検出された赤外線の吸収による発熱に略基づくもの
となっているので、この赤外線検出素子X の赤外線検出
感度が高いものとなっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の赤外線
検出素子X にあっては、赤外線検出部C から雰囲気ガス
への放熱量は、その絶対量が小さいものではあるが、薄
膜B の厚みや材質を吟味して薄膜B 自体の熱抵抗を大き
くすることにより薄膜B を介しての基板A への伝熱量を
少なくしていくと、基板A への伝熱量に比較して相対的
に小さいものとはいえなくなり、薄膜B 自体の熱抵抗を
より大きくしていっても、赤外線検出部Cから雰囲気ガ
スへの放熱量が赤外線検出部C での温度変化に大きな影
響を及ぼすようになって、赤外線検出感度をより高くす
ることができなかった。

【０００５】本発明は、上記の点に着目してなされたも
ので、その目的とするところは、より高い赤外線検出感
度を有する赤外線検出素子を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、請求項１記載のものは、検出される赤外線を吸
収して温度変化する赤外線検出部を備え、雰囲気ガス中
に支持される赤外線検出素子において、前記雰囲気ガス
の平均自由工程よりも小さい空隙を有して前記赤外線検
出部に対向する対向部材が設けられた構成としている。

【０００７】また、請求項２記載のものは、請求項１記
載のものにおいて、前記赤外線検出部は平板状であっ
て、前記対向部材は前記赤外線検出部の両面にそれぞれ
対向する第１及び第２の対向板からなる構成としてい
る。

【０００８】また、請求項３記載のものは、請求項１記
載のものにおいて、前記対向部材は、前記雰囲気ガスの
平均自由工程よりも小さい間隙を有して互いに対向する
複数の対向片からなる構成している。

【０００９】また、請求項４記載の製造方法は、雰囲気
ガス中に支持される赤外線検出素子を製造する赤外線検
出素子の製造において、前記雰囲気ガスの平均自由工程
よりも小さい厚みを有したエッチング可能な犠牲層及び
エッチング不能な残存層からなる多重層を基板上に形成
してから赤外線を検出する板状の赤外線検出部を形成
し、犠牲層のみをエッチングにより除去して赤外線検出
部に対向する対向部材を形成するようにしている。

【００１０】また、請求項５記載の製造方法は、前記雰
囲気ガスの平均自由工程よりも小さい厚みを有したエッ
チング可能な犠牲層及びエッチング不能な残存層からな
る第２の多重層を第２の基板上に形成し、犠牲層のみを
エッチングにより除去し、前記残存層と請求項４記載の
製造方法により製造された赤外線検出素子の前記赤外線
検出部とが前記厚み寸法離間して対向する状態で請求項
４記載の製造方法により製造された赤外線検出素子の前
記基板と第２の基板とを接合するするようにしている。

【００１１】また、請求項６記載の製造方法は、請求項
４又は５記載のいずれかの製造方法において、前記多重
層又は前記第２の多重層の少なくとも一方を前記犠牲層
を複数層有して形成するするようにしている。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態を図１乃至図
９に基づいて以下に説明する。なお、図１は、図２のＰ
−Ｑ断面図である。

【００１３】1 はシリコン製の第１の基板で、その表面
には窒化シリコンからなる絶縁膜2が形成され、更にこ
の絶縁膜2 上には酸化シリコン製の堆積層3 が堆積され
ている。この堆積層3 からは、後述する赤外線検出部5
及び第１の対向板13を中空にて保持する複数の梁4 が延
設されている。

【００１４】赤外線検出部5 は、一方及び他方面6,7 を
有した平板状であって、一方面6 側に設けられた後述す
る赤外線吸収層11により赤外線を吸収して温度変化す
る。この赤外線検出部5 は、その一方及び他方面6,7 が
後述する第１及び第２の対向板13,17 にそれぞれ対向さ
れる。詳しくは、この赤外線検出部5 は、薄膜抵抗体
（赤外線検出体）8 、電極9 、支持層10及び赤外線吸収
層11からなる。薄膜抵抗体8 は、アモルファスシリコン
製であって、その抵抗値が温度変化とともに変化する。
電極9 は、クロム製であって、薄膜抵抗体8 の抵抗値を
検出して外部回路（図示せず）に出力する。この電極9
は、薄膜抵抗体8 を挟持するようパターン形成されてお
り、外部回路に接続されるよう前述した梁4 により引き
出されて、堆積層3 に設けられた電極端子12に接続され
ている。支持層10は、酸化シリコン製であって、薄膜抵
抗体8 及び電極9 を支持する。赤外線吸収層11は、酸化
シリコン製であって、支持層10とは反対側に位置するよ
う、電極9 上に設けられる。

【００１５】第１の対向板13は、酸化シリコン製であっ
て、例えば１μｍの空隙14を有して、赤外線検出部5 の
一方面6 と対向する。詳しくは、この第１の対向板13
は、例えば１μｍの間隙15を有して互いに対向する複数
の対向片16から構成されている。なお、パッケージ200
による本赤外線検出素子100 の支持状態については、詳
しく後述する。

【００１６】第２の対向板17は、ポリシリコン製であっ
て、第１の基板1 に接合された第２の基板18から、延設
根本部分を残して中空に位置するよう延設され、例えば
１μｍの空隙19を有して、赤外線検出部5 の他方面7 と
対向している。詳しくは、この第２の対向板17は、例え
ば１μｍの間隙20を有して互いに対向する２個の対向片
21から構成されている。

【００１７】次に、パッケージ200 による本赤外線検出
素子100 の支持状態について説明する。本赤外線検出素
子100 は、金属製のキャップ201 と共にパッケージ200
を構成する金属製のステム202 上に支持され、例えば、
その内部圧力が５０Ｐａとなるよう雰囲気ガスとして窒
素が気密封止された状態でパッケージ200 内に収容され
る。窒素は、圧力が５０Ｐａのとき、平均自由工程が約
１００μｍである。従って、本赤外線検出素子100 の１
μｍの間隙15,20 は、雰囲気ガスの平均自由工程よりも
小さいものとなっている。なお、キャップ201 は、シリ
コン製のフィルター203 を有した窓部204 が設けられて
いる。そして、本赤外線検出素子100 は、ステム202 に
貫通固定されたピン205 にワイヤ206 を介して前述した
電極端子12が結線されて、外部回路に接続される。

【００１８】次に、図３乃至図８に基づき、本赤外線検
出素子100 の製造方法について説明する。先ず、図３
(a) に示すように、シリコン製の第１の基板1 の表面
に、プラズマＣＶＤ法により、導入ガスとしてモノシラ
ン及びアンモニアを用いて、第１の基板1 の温度が４０
０°Ｃ、周波数が１３．５６ＭＨｚという条件で、０．
５μｍの厚みを有した絶縁膜2 を形成する。

【００１９】それから、図３(b) に示すように、絶縁膜
2 の上に、真空蒸着法によって、厚みが１．０μｍであ
るアルミ製の犠牲層22を堆積してから、一般的なフォト
リソグラフィー技術によって、後述するエッチングによ
り前述した空隙14となる部分を残して、犠牲層22を除去
する。

【００２０】それから、図３(c) に示すように、この犠
牲層22の上に、プラズマＣＶＤ法によって、導入ガスと
してモノシラン及び一酸化二窒素を用いて、第１の基板
1 の温度が２００°Ｃ、周波数が１３．５６ＭＨｚとい
う条件下で、０．５μｍの厚みを有した酸化シリコン製
の残存層23を堆積して、犠牲層及び残存層22,23 からな
る第１の多重層24を形成する。

【００２１】それから、図３(d) に示すように、再度、
１．０μｍの厚みを有したアルミ製の犠牲層22を前回と
同様の手順により堆積してから、フォトリソグラフィー
技術によって、後述するエッチングにより前述した間隙
15となる部分を残して、犠牲層22を除去する。なお、今
回のフォトリソグラフィー技術によって除去された後の
残った部分が、前回のフォトリソグラフィー技術によっ
て除去された後の残った部分よりも小さくなるようにし
ておく。この後に、再度、０．５μｍの厚みを有した酸
化シリコン製の残存層23を前回と同様の手順により堆積
して、第１の多重層24を形成する。なお、この第１の多
重層24の形成手順を２度繰り返す。

【００２２】それから、図４(a) に示すように、この第
１の多重層24の上に真空蒸着法によって、０．２μｍの
厚みを有したクロム製の電極9 を堆積してから、一般的
なフォトリソグラフィー技術によって、前述した赤外線
検出部5 の構成部分及びその構成部分から引き出される
引出部分となる所望のパターンが得られるよう、この電
極9 をパターンエッチングする。

【００２３】それから、図４(b) に示すように、この電
極9 の上に、プラズマＣＶＤ法によって、導入ガスとし
てモノシラン、水素及びジボランを用いて、第１の基板
1 の温度が２５０°Ｃ、周波数が１３．５６ＭＨｚ、圧
力が０．７５Ｔｏｒｒという条件下で、１．０μｍの厚
みを有したアモルファスシリコン製の薄膜抵抗体8 を堆
積してから、一般的なフォトリソグラフィー技術によっ
て、所望のパターンが得られるよう、この薄膜抵抗体8
パターンエッチングする。

【００２４】それから、図４(c) に示すように、この薄
膜抵抗体8 の上に、クロム製の電極9 を前回と同様の手
順により形成する。

【００２５】それから、図４(d) に示すように、これら
の薄膜抵抗体8 及び電極9 の上に、前述したプラズマＣ
ＶＤ法によって、１．５μｍの厚みを有した酸化シリコ
ン製の残存層23を堆積して赤外線吸収層11を形成する。
こうして形成された赤外線吸収層11が、薄膜抵抗体8 及
び電極9 と共に、一方面及び他方面6,7 を有した平板状
の赤外線検出部5 を構成する。

【００２６】それから、図５(a) に示すように、犠牲層
22を除去するようエッチングするためのエッチング孔25
及び電極端子12を配設する配設孔26を設け、赤外線吸収
層11に所望のパターンが得られるよう、全ての酸化シリ
コン製の部分を同時にパターンエッチングする。

【００２７】それから、図５(b) に示すように、配設孔
26に、真空蒸着法によって、１．５μｍの厚みを有した
金製の電極端子12を堆積してから、一般的なフォトリソ
グラフィー技術によって、所望のパターンが得られるよ
う、この電極端子12をパターンエッチングする。

【００２８】それから、図５(c) に示すように、前述し
たエッチング孔25を通して、ウエットエッチングにより
アルミ製の犠牲層22を除去して、１μｍの空隙14を有し
て赤外線検出部5 の一方面6 に対向する第１の対向板13
を形成する。この第１の対向板13は、１μｍの間隙15を
有して互いに対向する２個の対向片16からなる。

【００２９】そして、図６(a) に示すように、（１０
０）面を有した第２の基板18を熱酸化して酸化シリコン
製の被酸化層27を形成し、製造工程を経て赤外線検出部
5 と対向することとなる部分等を、一般的なフォトリソ
グラフィー技術によって除去する。

【００３０】それから、図６(b) に示すように、パター
ンニングされた被酸化層27をマスクとして、４０ｗｔ％
である８０°Ｃの水酸化カリウム水溶液を用いて、シリ
コンの結晶方位の違いによりエッチング速度が異なる、
いわゆる異方性エッチッグ法により、第２の基板18を堀
り込んで凹部28を形成する。なお、エッチング時間によ
り凹部28の深さを正確に制御して、本実施形態では、こ
の深さを１２μｍとした。

【００３１】それから、一旦、被酸化層27を全面的に除
去してから、図６(c) に示すように、ＬＰＣＶＤ法によ
り、１μｍの厚みを有した燐シリケートガラス（ＰＳ
Ｇ）製の犠牲層29を堆積し、一般的なフォトリソグラフ
ィー技術によって、後述するエッチングにより前述した
間隙20となる部分を残して、犠牲層29を除去する。

【００３２】それから、図６(d) に示すように、この犠
牲層29の上に、ＬＰＣＶＤ法により、０．５μｍの厚み
を有したポリシリコン製の残存層30を堆積して、犠牲層
及び残存層29,30 からなる第２の多重層31を形成する。

【００３３】それから、図７(a) に示すように、再度、
１．０μｍの厚みを有したＰＳＧ製の犠牲層29を前回と
同様の手順により堆積してから、フォトリソグラフィー
技術によって、後述するエッチングにより前述した間隙
20となる部分を残して、犠牲層29を除去する。なお、今
回のフォトリソグラフィー技術によって除去された後の
残った部分が、前回のフォトリソグラフィー技術によっ
て除去された後の残った部分よりも小さくなるようにし
ておく。この後に、再度、０．５μｍの厚みを有したポ
リシリコン製の残存層30を前回と同様の手順により堆積
して、第２の多重層31を形成する。なお、この第２の多
重層31の形成手順を繰り返す。

【００３４】それから、図７(b) に示すように、全ての
ポリシリコン製の部分をパターンエッチングして、犠牲
層22を除去するようエッチングするためのエッチング孔
32を設ける。

【００３５】それから、図７(c) に示すように、前述し
たエッチング孔32を通して、ウエットエッチングにより
ポリシリコン製の犠牲層29を除去して、１μｍの空隙19
を有して赤外線検出部5 の他方面7 に対向する第２の対
向板17を形成する。この第２の対向板17は、１μｍの間
隙20を有して互いに対向する２個の対向片21からなる。

【００３６】それから、図８(a) に示すように、残存層
30と赤外線検出部5 とが、犠牲層22,29 の厚み寸法であ
る１μｍ離間して対向する状態で、第１及び第２の基板
1,18を残存層23を介して接合すると、図８(b) に示す本
赤外線検出素子100 が形成される。そして、第１及び第
２の対向板13,17 によって、１μｍの空隙14,19 を有し
て赤外線検出部5 の一方及び他方面6,7 にそれぞれ対向
する対向部材33が構成される。

【００３７】かかる赤外線検出素子100 にあっては、雰
囲気ガス分子は、犠牲層22,29 をそれぞれエッチングに
より除去することにより形成された板状の赤外線検出部
5 の一方及び他方面6,7 からそれぞれ熱エネルギーが伝
達されると、他の雰囲気ガス分子に衝突する前に、犠牲
層22,29 をそれぞれエッチングにより除去することによ
り設けられて平均自由工程よりも小さい空隙14,19 を有
して赤外線検出部5 と対向する第１及び第２の対向板1
3,17 にそれぞれ衝突するから、雰囲気ガス分子同士の
衝突に基づく熱エネルギーの伝達が少なくなり、つまり
雰囲気ガスへの放熱が少なくなるので、赤外線検出感度
を高くすることができる。

【００３８】また、第１及び第２の多重層24,31 は、犠
牲層22,29 がエッチングによりそれぞれ除去されると平
均自由工程よりも小さい間隙15,20 を有して互いに対向
する対向片16,21 を２個ずつ有した第１及び第２対向板
13,17 がそれぞれ形成される。従って、赤外線検出部5
から熱エネルギーを伝達された雰囲気ガス分子に衝突さ
れて熱エネルギーが伝達された一対向片16,21 から、再
び別の雰囲気ガス分子に熱エネルギーが伝達されても、
その熱エネルギーが伝達された雰囲気ガス分子は、他の
雰囲気ガス分子に衝突する前に、第１及び第２の対向板
13,17 をそれぞれ構成する別の対向片16,21 に衝突する
から、雰囲気ガス分子同士の衝突に基づく熱エネルギー
の伝達が少なくなり、つまり雰囲気ガスへの放熱が少な
くなるので、一段と、赤外線検出感度が高いものとなっ
ている。

【００３９】なお、本実施形態では、対向部材33は、第
１及び第２の対向板13,17 からなるが、例えば、パッケ
ージ200 内の雰囲気ガスの種類や内部圧力等の条件を適
宜選択して、雰囲気ガスへの放熱が少ないときは、第１
の対向板13のみにより構成してもよく、そのときは、製
造がよりやり易くなる。

【００４０】また、本実施形態では、第１及び第２の対
向板13,17 はいずれも、間隙15,20を有して互いに対向
する２個の対向片16,21 からそれぞれなるが、例えば、
パッケージ200 内の雰囲気ガスの種類や内部圧力等の条
件を適宜選択して、雰囲気ガスへの放熱が少ないとき
は、このような対向片16,21 からそれぞれなる構成でな
くてもよく、そのときは、製造がよりやり易くなる。ま
た、対向片16,21 の数は、２個に限るものではなく、多
い方が望ましい。

【００４１】また、本実施形態では、薄膜抵抗体8 によ
り赤外線検出体を構成しているが、薄膜熱電対や薄膜焦
電体等でもよい。

【００４２】また、本実施形態を構成する各部分の構成
材料の種類及び寸法は、上記したものに限るものではな
い。

【００４３】また、本実施形態では、雰囲気ガスとして
窒素が用いられ、その雰囲気ガスの圧力が５０Ｐａであ
るが、雰囲気ガスの種類や圧力は、上記したものに限る
ものではない。

【００４４】また、本実施形態の空隙14,19 及び間隙1
5,20 はいずれも１μｍであるが、１μｍに限るもので
はなく、雰囲気ガスの平均自由工程よりも小さいもので
あればよい。

【００４５】

【発明の効果】請求項１記載の発明は、赤外線検出部と
対向部材との間の空隙が雰囲気ガスの平均自由工程より
も小さいために、赤外線検出部から熱エネルギーを伝達
された雰囲気ガス分子は、他の雰囲気ガス分子に衝突す
る前に対向部材に衝突するから、雰囲気ガス分子同士の
衝突に基づく熱エネルギーの伝達が少なくなり、つまり
雰囲気ガスへの放熱が少なくなるので、赤外線検出部で
の温度変化が赤外線吸収による発熱に基づくものとなる
から、赤外線検出感度をより高くすることができる。

【００４６】請求項２記載の発明は、雰囲気ガス分子
は、赤外線検出部の一方又は他方のいずれの面から熱エ
ネルギーを伝達されても、他の雰囲気ガス分子に衝突す
る前に第１又は第２の対向板のいずれかに衝突するか
ら、雰囲気ガス分子同士の衝突に基づく熱エネルギーの
伝達が少なくなり、つまり雰囲気ガスへの放熱が少なく
なるので、請求項１記載の発明よりも、一段と赤外線検
出感度をより高くすることができる。

【００４７】請求項３記載の発明は、赤外線検出部から
熱エネルギーを伝達された雰囲気ガス分子に衝突されて
熱エネルギーが伝達された一対向片から、再び別の雰囲
気ガス分子に熱エネルギーが伝達されても、その熱エネ
ルギーが伝達された雰囲気ガス分子は、他の雰囲気ガス
分子に衝突する前に、対向部材を構成する別の対向片に
衝突するから、雰囲気ガス分子同士の衝突に基づく熱エ
ネルギーの伝達が少なくなり、つまり雰囲気ガスへの放
熱が少なくなるので、請求項１記載のものよりも、一段
と赤外線検出感度をより高くすることができる。

【００４８】請求項４記載の発明の製造方法によれば、
犠牲層のみをエッチングにより除去することにより形成
された板状の赤外線検出部の一方面から熱エネルギーを
伝達された雰囲気ガス分子は、他の雰囲気ガス分子に衝
突する前に、犠牲層のみをエッチングにより除去するこ
とにより設けられて平均自由工程よりも小さい空隙を有
して赤外線検出部と対向する対向部材に衝突するから、
雰囲気ガス分子同士の衝突に基づく熱エネルギーの伝達
が少なくなり、つまり雰囲気ガスへの放熱が少なくなる
ので、赤外線検出部での温度変化が赤外線吸収による発
熱に基づくものとなるから、赤外線検出感度をより高く
することができる。

【００４９】請求項５記載の発明の製造方法によれば、
雰囲気ガス分子は、犠牲のみをエッチングにより除去す
ることにより形成された平板状の赤外線検出部の両方面
からそれぞれ熱エネルギーが伝達されても、他の雰囲気
ガス分子に衝突する前に、請求項４記載の製造方法によ
り製造された赤外線検出素子の対向部材又は犠牲層のみ
をエッチングにより除去することにより設けられて平均
自由工程よりも小さい空隙を有して赤外線検出部と対向
する対向部分にそれぞれ衝突するから、雰囲気ガス分子
同士の衝突に基づく熱エネルギーの伝達が少なくなり、
つまり雰囲気ガスへの放熱が少なくなるので、請求項４
記載の製造方法によるよりも、一段と赤外線検出感度を
高くすることができる。

【００５０】請求項６記載の発明の製造方法によれば、
多重層は、犠牲層のみがエッチングにより除去されると
平均自由工程よりも小さい空隙を有して互いに対向する
対向片を複数個有した対向部材が形成される。また、第
２の多重層は、犠牲層のみがエッチングにより除去され
ると平均自由工程よりも小さい空隙を有して互いに対向
する対向片を複数個有した対向部分が形成される。従っ
て、赤外線検出部から熱エネルギーを伝達された雰囲気
ガス分子に衝突されて熱エネルギーが伝達された一対向
片から、再び別の雰囲気ガス分子に熱エネルギーが伝達
されても、その熱エネルギーが伝達された雰囲気ガス分
子は、他の雰囲気ガス分子に衝突する前に、対向部材又
は対向部分を構成する別の対向片に衝突するから、雰囲
気ガス分子同士の衝突に基づく熱エネルギーの伝達が少
なくなり、つまり雰囲気ガスへの放熱が少なくなるの
で、請求項４又は５記載のいずれかの製造方法によるよ
りも、一段と赤外線検出感度を高くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態の断面図である。

【図２】同上の平面図である。

【図３】同上の製造工程を示す断面図である。

【図４】図３に続く製造工程を示す断面図である。

【図５】図４に続く製造工程を示す断面図である。

【図６】図５に続く製造工程を示す断面図である。

【図７】図６に続く製造工程を示す断面図である。

【図８】図７に続く製造工程を示す断面図である。

【図９】同上のものをパッケージ内で支持して収容した
状態を示す断面図である。

【図１０】従来例の断面図である。

【図１１】同上のものをパッケージ内で支持して収容し
た状態を示す断面図である。

【符号の説明】

1 第１の基板 5 赤外線検出部 13 第１の対向板 14 空隙 15 間隙 16 対向片 17 第２の対向板 18 第２の基板 19 空隙 20 間隙 21 対向片 22 犠牲層 23 残存層 24 第１の多重層 29 犠牲層 30 残存層 31 第２の多重層 33 対向部材 100 赤外線検出素子

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 検出される赤外線を吸収して温度変化す
   る赤外線検出部を備え、雰囲気ガス中に支持される赤外
   線検出素子において、 前記雰囲気ガスの平均自由工程よりも小さい空隙を有し
   て前記赤外線検出部に対向する対向部材が設けられたこ
   とを特徴とする赤外線検出素子。
2. 【請求項２】 前記赤外線検出部は平板状であって、前
   記対向部材は前記赤外線検出部の両面にそれぞれ対向す
   る第１及び第２の対向板からなることを特徴とする請求
   項１記載の赤外線検出素子。
3. 【請求項３】 前記対向部材は、前記雰囲気ガスの平均
   自由工程よりも小さい間隙を有して互いに対向する複数
   の対向片からなることを特徴とする請求項１記載の赤外
   線検出素子。
4. 【請求項４】 雰囲気ガス中に支持される赤外線検出素
   子を製造する赤外線検出素子の製造において、前記雰囲
   気ガスの平均自由工程よりも小さい厚みを有したエッチ
   ング可能な犠牲層及びエッチング不能な残存層からなる
   多重層を基板上に形成してから赤外線を検出する板状の
   赤外線検出部を形成し、犠牲層のみをエッチングにより
   除去して赤外線検出部に対向する対向部材を形成するこ
   とを特徴とする赤外線検出素子の製造方法。
5. 【請求項５】 前記雰囲気ガスの平均自由工程よりも小
   さい厚みを有したエッチング可能な犠牲層及びエッチン
   グ不能な残存層からなる第２の多重層を第２の基板上に
   形成し、犠牲層のみをエッチングにより除去し、前記残
   存層と請求項４記載の製造方法により製造された赤外線
   検出素子の前記赤外線検出部とが前記厚み寸法離間して
   対向する状態で請求項４記載の製造方法により製造され
   た赤外線検出素子の前記基板と第２の基板とを接合する
   ことを特徴とする赤外線検出素子の製造方法。
6. 【請求項６】 前記多重層又は前記第２の多重層の少な
   くとも一方を前記犠牲層を複数層有して形成することを
   特徴とする請求項４又は５記載のいずれかの赤外線検出
   素子の製造方法。