JP3616088B1

JP3616088B1 - マイクロプラズマジェット発生装置

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Publication number: JP3616088B1
Application number: JP2004076940A
Authority: JP
Inventors: 隆範一木
Original assignee: Japan Science and Technology Agency; National Institute of Japan Science and Technology Agency
Current assignee: Japan Science and Technology Agency; National Institute of Japan Science and Technology Agency
Priority date: 2004-03-17
Filing date: 2004-03-17
Publication date: 2005-02-02
Anticipated expiration: 2024-03-17
Also published as: WO2005091687A1; JP2005267975A; US20080063576A1; US8663572B2

Abstract

【課題】大気圧にて微小空間での安定したマイクロプラズマジェットを小電力で良好に生成させることのできるマイクロプラズマジェット発生装置を提供する。
【解決手段】ＶＨＦ帯の高周波電源により駆動されるマイクロ誘導結合プラズマジェットを生成するマイクロプラズマジェット発生装置において、基板１と、基板上に配設されたマイクロアンテナ２ａ,２ｂ,２ｃと、マイクロアンテナの近傍に設置された放電管３とを備え、マイクロアンテナが平板状に複数巻の波状形態を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、マイクロプラズマジェット発生装置に関し、詳しくは、大気圧にてマイクロプラズマジェットを良好に生成させ、被加工物の局所部位に溶断、エッチング、薄膜堆積などの加工・表面処理を高速で行うことができ、かつ、マイクロ化学分析システム（Micro Total Analysis System）（以下、「μＴＡＳ」と称する）にも有用なマイクロプラズマジェット発生装置に関する。

従来より、プラズマジェットは、被加工物に溶断、エッチング、薄膜堆積等の加工・表面処理を行うのに有用とされており、また有害物質の高温処理等、他の様々な分野で利用されている。

このようなプラズマジェットに関し、現在、直径２ｍｍ以下の精細プラズマジェットを発生させるには、直流アーク放電を用いる方法がよく知られている。しかしながら、直流アーク放電を用いる方法は、電極が劣化しやすいこと、反応性ガスの使用ができないこと、被加工材料が導体に限定されることなどの様々な問題を有している。

一方、近年、マイクロプラズマジェット発生装置がプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等の実用的な応用面から非常に注目されており、更には、化学・生化学分析の分野における分析装置や、マイクロデバイスに用いられるマイクロチップ等の加工・表面処理などのプロセス装置への応用も期待されている。

とりわけ、化学・生化学分析の分野においてシリコン、ガラス、プラスチックなどのチップ上に数十μｍ幅の溝を微細加工してガスクロマトグラフィー（ＧＣ）やマイクロキャピラリ電気泳動（μＣＥ）などの極微量物質の高速分離を行うフロー型分析システムを形成し、レーザー誘起蛍光検出や微小電極を用いた電気化学計測などのオンチップ高感度検出方法と組み合わせ、革新的な高性能分析を実現するμＴＡＳの研究が急速に進んでおり、遺伝子解析、医用検査、新薬開発など幅広い分野での応用が期待されている。

また、近年、ベンチトップの分析装置ではキャピラリー電気泳動などの分離技術に極めて感度の高い元素分析法として知られる誘導結合プラズマ発光分光分析（ICP-OES:Inductively Coupled Plasma Optical Emission Spectroscopy）やＩＣＰ質量分析を結合させた高速かつ超高感度な物質検出方法が開発されている。そこで、高密度マイクロプラズマをガラス等のチップ上で生成させ、μＴＡＳに集積して高感度検出モジュールとして応用することが考えられる。

分析用マイクロプラズマチップの最初の報告は、Ａ．ＭａｎｚらによりμＴＡＳ化したＧＣ（ガスクロマトグラフィー）での原子、分子検出を目的として１９９９年に発表されている。ガラスチップ内に形成した幅４５０μｍ×深さ２００μｍ×長さ２０００μｍの微小空間内に約１７ｋＰａの減圧下で１０〜５０ｍＷの電力でＨｅの直流グロー放電を発生させ、メタンの検出限界６００ｐｐｍを見積もっている。減圧下での動作ではカソード電極のスパッタにより、２時間で放電不能になったが、その後、大気圧では２４時間の動作も可能であると報告されている。

また、マイクロストリップアンテナを用いた２．４５ＧＨｚマイクロ波放電チップが、大気圧かつ無電極で動作する最初のマイクロプラズマチップとして報告され、深さ０．９ｍｍ×幅１ｍｍ×長さ９０ｍｍの放電室内に長さ２〜３ｃｍの放電を１０〜４０Ｗで発生させ、水銀蒸気の検出限界として１０ｎｇ／ｍｌが報告されている。

しかしながら、微小空間での安定した高密度プラズマを小電力で生成することは容易ではないことから、μＴＡＳチップへのマイクロプラズマの実現による高感度な微量分析を可能とすることは実現不可能とされてきた。

そのような状況の中で、本発明者は、先に、マイクロプラズマを利用したＶＨＦ駆動マイクロ誘導結合プラズマ源を用いたμＴＡＳを提案し、これにより高感度な微量分析の途を開くことに成功した（特許文献１）。この特許文献１に開示したＶＨＦ駆動マイクロ誘導結合プラズマ源は、図１０に示すような、３０ｍｍ角の石英製の基板１０１中央に放電管１０３と、一巻き平板型アンテナ１０２を具備するマイクロプラズマチップ１１０である。このマイクロプラズマチップ１１０は、ＶＨＦ帯の高周波電源により駆動され、放電管１０３の一方からプラズマガス１０４を導入し、他方からマイクロプラズマジェット１０５を生成させる。
特開２００２−２５７７８５号公報（特許請求の範囲、［図１］等）

上記特許文献１に報告されているＶＨＦ駆動マイクロ誘導結合プラズマ源によりμＴＡＳにおける高感度な微量分析が可能となったが、その有用性から、マイクロプラズマジェット発生装置については更なる性能の向上が望まれている。

そこで本発明の目的は、これまで以上に、大気圧にて微小空間での安定したマイクロプラズマジェットを小電力で良好に生成させることのできるマイクロプラズマジェット発生装置を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明のマイクロプラズマジェット発生装置は、ＶＨＦ帯の高周波電源により駆動されるマイクロ誘導結合プラズマジェットを生成するマイクロプラズマジェット発生装置において、基板と、該基板上に配設されたマイクロアンテナと、該マイクロアンテナの近傍に設置された放電管とを備え、前記マイクロアンテナが平板状に複数巻の波状形態を有することを特徴とするものである。

また、本発明は、前記マイクロプラズマジェット発生装置に、プラズマガスを流量０．０５〜５ｓｌｍで導入し、かつＶＨＦ帯の高周波をマイクロアンテナに印加することを特徴とするマイクロプラズマジェットの生成方法である。

本発明においては、細い放電管中でイオン及び電子の一部を捕捉することができるＶＨＦ帯を利用し、かつ、静電界により電子を加速する容量結合方式よりも、アンテナに流れる電流により生じる誘導電界を利用する誘導結合方式で効率よく電力をプラズマガスに供給することで、高密度プラズマジェットを小電力で安定して生成させることができる。

本発明の装置および方法によれば、マイクロプラズマ部は放電体積に反比例して電力密度が高くなることに起因して数十Ｗの小電力でも大気圧において極めて高密度のプラズマジェットを安定して生成させることが可能である。

また、本発明の装置は、それ自体を小型化することができるだけでなく、駆動に必要な電力がベンチトップ型装置の１ｋＷ程度と比して１０分の１以下になるため、高周波電源の小型化につながり、装置全体の軽量化に有利である。更に、ガスの消費量も大幅に削減可能になることと、水冷が不要になることから、システム全体の携帯化が可能となる。このようなシステム全体の小型化に伴い、より微細なエッチング、薄膜堆積等の加工および表面処理を行うことが可能となる。

以下、本発明の一実施形態について図面を参照して具体的に説明する。
図１（ａ）〜（ｃ）に示す各マイクロプラズマジェット発生装置（以下、「プラズマチップ」と略記する）１０、２０および３０は、基板１と、基板１上に配設されたマイクロアンテナ２ａ、２ｂおよび２ｃ（図１の（ａ）では２巻、（ｂ）では３巻、（ｃ）では４巻）と、基板１に貫設された放電管３とを夫々備えている。本発明においては、かかるマイクロアンテナ２ａ、２ｂおよび２ｃが、平板状に複数巻、好ましくは２〜４巻、より好ましくは４巻の波状形態を有することが重要である。かかる波状形態のマイクロアンテナとすることにより、特許文献１記載の１巻の波状形態を有するプラズマチップに比し、格段にその効果が向上し、大気圧下、微小空間で安定したマイクロプラズマジェットを極めて良好に生成させることが可能となる。

ここで、マイクロアンテナ２ａ、２ｂおよび２ｃは、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板１のマイクロプラズマジェット生成側縁部に近接して配設されていることが好ましい。この理由は、ＶＨＦ帯の高周波電源により駆動され生成したプラズマの電子密度分布がマイクロアンテナに近接する程、より高密度となるためである。尚、プラズマの電子密度分布は、プラズマ中にわずかに添加した水素のＨ_β発光線幅のシュタルク広がりから算出することができる。

また、マイクロアンテナ２ａ、２ｂおよび２ｃは、導電性金属、好ましくは銅、金、白金またはこれらの積層膜のメッキが施されており、そのメッキ厚は、次式、
δ＝（２／（ωμσ））^1/2
（式中、σは金属の導電率、μは透磁率、ωは高周波の角周波数である）で表される、高周波電流が流れる導体表面からの深さ（δ）の２倍以上とすることが好ましく、例えば、銅メッキでは１００ＭＨｚで１００μｍ程度の厚さが実際の臨界厚となる。

更に、高密度プラズマジェットを安定して生成させる上で、マイクロアンテナ２ａ〜２ｃの波形の波長は、好ましくは２〜１０ｍｍであり、また太さ（幅）は、好ましくは０．５〜２ｍｍである。

また、本発明においては、基板１の材料は、熱伝導率が高く絶縁物質であることが好ましく、例えば、アルミナ、サファイヤ、アルミナイトライド、シリコンナイトライド、窒化ホウ素、炭化ケイ素等を好適に挙げることができ、特に好ましくはアルミナである。

更に、マイクロアンテナ２ａ〜２ｃ近傍に設置される放電管３は、マイクロアンテナ２ａ〜２ｃの波状形態部分の直下に基板に貫設されていることが好ましい。但し、放電管３は、プラズマチップ１０、２０、３０と常に一体である必要はなく、マイクロプラズマの使用用途に合わせて、適宜設置する位置を変更することが可能である。放電管３の管断面積は、高密度プラズマジェットを安定化して生成させる上で、好ましくは０．０１〜１０ｍｍ²である。

上述の本発明のプラズマチップは、既知のフォトリソグラフィ法等を採用することにより製造することができる。この製造工程を図２に基づき説明する。先ず、（ａ）に示すように、基板１上にマイクロアンテナ形状の開口４を有するレジストマスク５を形成する。次いで、（ｂ）に示すように、ＲＦマグネトロンスパッタリングにより基板状にマイクロアンテナを形成する金属材料６をメッキし、この際、必要に応じ、接着層として、好ましくはクロム層を設ける。次いで、（ｃ）に示すように、リフトオフによりアンテナ形状の金属層６を残し、電解メッキによりアンテナ形状部を所望の厚さに形成する。その後に、（ｄ）に示すように、放電管３を封じるために基板１の裏面に基板と同じ材料の板７を接着する。

放電管の形成方法は上述の他に、マイクロアンテナを形成した基板上にアルミナ管などの絶縁管を密着させて配置することでも可能である。

上述のようにして形成されたプラズマチップに流量０．０５〜５ｓｌｍ、好ましくは０．５〜２ｓｌｍのプラズマガスを導入し、ＶＨＦの高周波電源（高電圧発生装置）からＶＨＦ帯の高周波を、整合回路を介してマイクロアンテナに印加することにより、安定してプラズマジェットの生成を行うことができる。使用し得るプラズマガスとしては、アルゴン、ネオン、ヘリウムを好適に挙げることができ、また、これらガスと水素、酸素または窒素との混同ガスも使用することができる。

本発明の装置および方法は、マイクロ化学分析方法、特にはマイクロキャピラリ電気泳動を用いるマイクロ化学分析に好適に用いることができる。

更に、本発明の装置および方法は、加工・表面処理方法、特には被加工物の局所部位の溶断、エッチング、薄膜堆積、洗浄または親水化処理の加工・表面処理方法に好適に用いることができる。

また、本発明のマイクロプラズマジェット発生装置を用いた加工・表面処理方法においては、マイクロプラズマジェット源に近接して反応性ガスの導入機構を必要とし、その反応性ガスは、好ましくは酸素、窒素、空気、フッ化炭素、および六フッ化硫黄である。プラズマ源の出口近傍にリング状のノズルを設けることにより反応性ガスを供給することができる。

例えば、シリコンウエファエッチングを行う際は、プラズマ源を基板に接近しすぎても、離れすぎてもエッチング深さが浅くなる傾向にある。また、反応性ガスの流量が増加するに従い、エッチング深さは深くなるが、ある一定以上の流量を超えるとプラズマが消滅しエッチング深さは減少する。更に、プラズマ源を走査した場合も固定した場合とほぼ同じエッチング速度を得ることができるが、ある一定の速度を超えるとエッチング速度が減少する傾向が見られる。これはプラズマによる基板の局所的加熱の効果がエッチングに影響するためと考えられる。

以下、本発明を実施例に基づき説明する。
製造例１
図２に示す製造工程に従いプラズマチップを製造した。先ず、図２（ａ）に示す工程にてアルミナ基板（縦１５ｍｍ×横３０ｍｍ）１上に、マイクロアンテナの巻数が２往復のマイクロアンテナ形状の開口４を有するレジストマスク５を形成した。この際、マイクロアンテナ形状の開口４をプラズマチップのマイクロジェット生成側縁部に近接させて形成した。これにより、プラズマアンテナ近傍の高密度プラズマをマイクロチップからジェット状に生成させた状態で利用することができる。尚、基板１の裏面には放電管用の凹部（縦１ｍｍ×横１ｍｍ×長さ３０ｍｍ）を予め形成しておいた。

次いで、（ｂ）に示す工程にてＲＦマグネトロンスパッタリングにより基板−Ｃｕ間の接着層となるＣｒを約５００Å、後の電解Ｃｕメッキの工程におけるシード層となるＣｕを約１０００Å堆積させた。次に、（ｃ）に示す工程にてリフトオフによりアンテナ形状部にＣｒ−Ｃｕの層６を残し、電解Ｃｕメッキによりアンテナ形状部に５０〜２００μｍのＣｕを堆積させた。最後に、（ｄ）に示す工程にて放電管３を封じるためにチップ裏面にアルミナ板７を接着し、プラズマチップを製造した。

製造例２
製造例１において、アルミナ基板を石英基板に代えた以外は製造例１と同様にしてプラズマチップを製造した。

製造例３および４
図１の（ｂ）および（ｃ）に示すようにマイクロアンテナの巻数を（ｂ）３往復および（ｃ）４往復とした以外は製造例１と同様にして２種のプラズマチップを製造した。

試験例１：基板材料の違いによるマイクロアンテナの温度変化試験
製造例１および製造例２のプラズマチップを夫々用い、電力５Ｗ、１０Ｗ、２０Ｗおよび５０Ｗにてプラズマを発生させたときの放射性の違いをサーモグラフィ（ＦＬＩＲ社製ＣＰＡ−７０００）により可視化した。その結果、基板が石英のときとアルミナのときのいずれの場合も、電力増加に伴うアンテナ部のジュール加熱による温度上昇が確認された。チップ面内の温度分布を比較すると石英基板ではアンテナ近傍で集中的に電力増加に伴う急激な温度上昇が確認されたが、アルミナ基板ではチップ全体でほぼ均一に温度が上昇することが確認された。このことにより石英基板よりアルミナ基板の方が放熱性が良好であることが分かった。

図３は、製造例１および製造例２のプラズマチップの基板材料の違いによる電力とアンテナ温度との関係を示すグラフである。供給電力の増加に伴い、アルミナ基板に比べ石英基板の方で大幅なアンテナ温度の上昇が確認された。一般的にプラズマに投入される電力は次式、
Ｐ_plasma＝（Ｒ_plasma／（Ｒ_plasma＋Ｒ_system））（Ｐ_f−Ｐ_r）
（式中、Ｐ_plasma：プラズマ投入電力、Ｒ_plasma：プラズマ抵抗、Ｒ_system：システム抵抗、Ｐ_f：入射電力、Ｐ_r：反射電力）で与えられる。従って、石英の約１５倍の放熱性を有するアルミナを基板としたプラズマチップの方がアンテナにかかる温度上昇による銅製アンテナの温度上昇による抵抗増大が緩和されるため、アルミナ基板のプラズマチップの方が冷却機構を伴わないマイクロプラズマジェット発生装置に適していることが分かる。

試験例２：基板材料の違いによるＡｒ発光強度の電力依存性試験
図４は、アルゴン発光強度の測定装置の模式図である。基板１に設置されている放電管３に管８よりアルゴンを導入した。高周波電源および整合回路を用い、マイクロアンテナに電力を変動させて周波数１４４ＭＨｚの高周波を印加することによりプラズマＰが発生した。発生したプラズマＰを光ファイバー９を介してアルゴン発光強度を分光器にて測定した。測定条件として、アルゴン流量を０．７ｓｌｍとし、マイクロアンテナ端から２ｍｍの位置にて、７６３ｎｍのＡｒＩスペクトルの発光強度を測定した。図５は、製造例１および製造例２のプラズマチップの基板材料の違いによる電力とアルゴン発光強度の関係を示す。

その結果、石英製チップに比べアルミナ製チップの方が高い発光強度が得られることが分かった。このことにより、基板材料としては熱伝導率の高い絶縁物質が好ましいことが分かる。よって、以降の実験では製造例１のアルミナ製チップを用いた。

試験例３：Ａｒ発光強度のＣｕマイクロアンテナの膜厚依存性試験
アルゴン流量を０．７ｓｌｍ、放電時間１０分間、周波数１４４ＭＨｚ、供給電力５０Ｗとし、アンテナ端から２ｍｍの位置にて、６９６ｎｍ，７０６ｎｍ，７３８ｎｍ，７５０ｎｍ，７６３ｎｍ，７７２ｎｍのＡｒＩスペクトルの発光強度を測定した。図６は、各波長のＡｒＩスペクトルにおけるアルゴン発光強度とアンテナの銅膜厚の関係を示す。

図６より、Ｃｕ膜厚が１００μｍ以下になると、いずれのＡｒＩ発光線においても発光強度が低下することが確認され、１００μｍ以上の膜厚ではどのＡｒＩ発光強度も飽和することが確認された。アンテナに流れる高周波電流は表皮効果により導体表面からある深さ（表皮深さと呼ばれる）以上には侵入できないため、厚さを増してもアンテナの抵抗はもはや低下しなくなる。この厚さに満たない場合にはアンテナの抵抗が増し、プラズマに投入される電力の効率が劣化する。この実験結果から、このモデルにおけるアンテナに最低限必要なＣｕ膜厚は１００μｍ程度であることが分かった。

試験例４：Ａｒ発光強度の経時変化試験
アルゴン流量を０．７ｓｌｍ、供給電力５０Ｗとし、アンテナ端から２ｍｍの位置にて、整合回路内を常温の状態から放電を開始させてから６９６ｎｍ，７０６ｎｍ，７３８ｎｍ，７５０ｎｍ，７６３ｎｍ，７７２ｎｍのＡｒＩスペクトルの発光強度の測定を行った。図７は、各波長のＡｒＩスペクトルにおけるアルゴン発光強度と放電時間の関係を示す。

本実験例では冷却機構を有しない整合回路を用いたため、図７より、放電開始から５分間は回路全体に生じるジュール加熱からの温度上昇による熱抵抗の上昇によりプラズマ投入電力の低下から各Ａｒ発光強度が低下し、放電開始５分以降は回路内の温度上昇が飽和することからプラズマ投入電力が一定となるため、Ａｒ発光強度が一定となることが確認された。

試験例５：Ａｒ発光強度のガス流量依存性試験
供給電力５０Ｗとし、アンテナ端から２ｍｍの位置で波長７６３ｎｍのＡｒＩスペクトルの発光強度の測定を行った。図８は、アルゴン発光強度とアルゴンガス流量の関係を示す。その結果、Ａｒガス流量０．７ｓｌｍ付近にて最大の発光強度が得られた。この程度のガス流量であれば小型のガスボンベでも供給ができるため、マイクロプラズマジェット発生装置を可搬することが可能であると考えられる。

試験例６：マイクロアンテナ形状変化によるＡｒ発光強度の電力依存性試験
アルゴン流量を０．７ｓｌｍとし、アンテナ端から２ｍｍの位置で波長７６３ｎｍのＡｒＩスペクトルの発光強度の測定を、図１に示したようにアンテナ形状の巻数を２、３、４と変化させて行った。図９は、アンテナ形状を変えた時のＡｒ発光強度の電力依存性を示す。

その結果、放電管上部に配置されるアンテナを長くすると高い発光強度が得られることが分かった。但し、アンテナの巻数が３と４の場合に、もはやあまり大きな発光強度、即ちプラズマ密度の上昇が見られなかった。更に、アンテナを長くしすぎると電力の損失が問題になると考えられ、よって、巻数が４のときが最適なアンテナ形状と判断された。

本発明のマイクロプラズマジェット発生装置はこれまで以上に小型化が可能となるため、μＴＡＳにおいては、特に携帯可能かつ微量サンプルに対する検出感度に優れた効果を発揮し、浄水場での有害物質混入などの突発性異変探知や工場排水汚染の逐次モニタリング、食中毒や薬物汚染事故現場での緊急分析、土地売買で必要となる土壌汚染分析などの「その場分析」への利用が期待できる。また、エッチング、薄膜堆積等の加工・表面処理の利用においても、本発明の装置の小型化に伴い、プラズマジェット源自体を動かすことが容易となり、従来より微細な加工・表面処理が可能となる。

アンテナの巻数が（ａ）２巻、（ｂ）３巻、（ｃ）４巻、である各プラズマチップの斜視図である。プラズマチップの製造の工程図である。プラズマチップの基板材料の違いによる電力とアンテナ温度との関係を示すグラフである。アルゴン発光強度の測定方法を示す模式図である。プラズマチップの基板材料の違いによる電力とアルゴン発光強度との関係を示すグラフである。各波長のＡｒＩスペクトルにおけるアルゴン発光強度とアンテナの銅膜厚との関係を示すグラフである。各波長のＡｒＩスペクトルにおけるアルゴン発光強度と放電時間との関係を示すグラフである。アルゴン発光強度とアルゴンガス流量との関係を示すグラフである。アンテナの巻数とアルゴン発光強度−電力との関係を示すグラフである。従来のプラズマチップの斜視図である。

符号の説明

１、１０１基板
２ａ、２ｂ、２ｃマイクロアンテナ
３、１０３放電管
４開口
５レジストマスク
６金属層（金属材料）
７板
８管
９光ファイバー
１０、２０、３０プラズマチップ
１０２一巻き平板型アンテナ
１０４プラズマガス
１０５マイクロプラズマジェット
１１０マイクロプラズマチップ

Claims

ＶＨＦ帯の高周波電源により駆動されるマイクロ誘導結合プラズマジェットを生成するマイクロプラズマジェット発生装置において、基板と、該基板上に配設されたマイクロアンテナと、該マイクロアンテナの近傍に設置された放電管とを備え、前記マイクロアンテナが平板状に複数巻の波状形態を有することを特徴とするマイクロプラズマジェット発生装置。
前記マイクロアンテナが、基板のマイクロプラズマジェット生成側縁部に近接して配設されている請求項１記載のマイクロプラズマジェット発生装置。
前記マイクロアンテナに銅、金、白金またはこれらの積層膜のメッキが施されている請求項１または２記載のマイクロプラズマジェット発生装置。
前記メッキ厚が、次式、
δ＝（２／（ωμσ））^1/2
（式中、σは金属の導電率、μは透磁率、ωは高周波の角周波数である）で表される、高周波電流が流れる導体表面からの深さ（δ）の２倍以上である請求項３記載のマイクロプラズマジェット発生装置。
前記基板材料がアルミナ、サファイヤ、アルミナイトライド、シリコンナイトライド、窒化ホウ素、および炭化ケイ素からなる群から選ばれる請求項１〜４のうちいずれか一項記載のマイクロプラズマジェット発生装置。
前記基板材料がアルミナである請求項５記載のマイクロプラズマジェット発生装置。
高電圧発生装置を備えた請求項１〜６のうちいずれか一項記載のマイクロプラズマジェット発生装置。
請求項１〜７のうちいずれか一項記載のマイクロプラズマジェット発生装置に、プラズマガスを流量０．０５〜５ｓｌｍで導入し、かつＶＨＦ帯の高周波をマイクロアンテナに印加することを特徴とするマイクロプラズマジェットの生成方法。
請求項１〜７のうちいずれか一項記載のマイクロプラズマジェット発生装置を使用することを特徴とするマイクロ化学分析方法。
マイクロキャピラリ電気泳動を用いる請求項９記載のマイクロ化学分析方法。
請求項１〜７のうちいずれか一項記載のマイクロプラズマジェット発生装置を使用することを特徴とする加工・表面処理方法。
前記加工・表面処理が被加工物の局所部位の溶断、エッチング、薄膜堆積、洗浄または親水化処理である請求項１１記載の加工・表面処理方法。
前記マイクロプラズマジェット発生装置のマイクロプラズマジェット源に近接して反応性ガスの導入機構を備えた請求項１１または１２記載の加工・表面処理方法。
前記反応性ガスが酸素、窒素、空気、フッ化炭素、および六フッ化硫黄からなる群から選ばれる請求項１３記載の加工・表面処理方法。