JP3605321B2 - 誘電体共振器および高周波ダイオード発振器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波帯域,ミリ波帯域で使用される高周波回路等に組み込まれる誘電体共振器、およびそれを用いたガンダイオード発振器等の高周波ダイオード発振器であって、高周波ダイオードを設置する金属ブロック等の金属部材に近接させて使用する誘電体共振器において、共振周波数の安定性を改善した誘電体共振器およびそれを用いた高周波ダイオード発振器に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の金属ストリップ共振器およびそれを用いたガンダイオード発振器Gを図4に示す。同図において、1は一対の平行平板導体であり、それらの間隔zをz≦λ/2とすることにより外部から誘電体線路5へのノイズの侵入をなくしかつ外部への高周波信号の放射をなくして信号を伝送させる、所謂非放射性誘電体線路(nonradiative dielectric waveguide で、以下、NRDガイドという)を構成する。尚、λは使用周波数において空気中を伝搬する電磁波(高周波信号)の波長である。また、2はマイクロ波を発振するマイクロ波ダイオードの1種であるガンダイオード素子、3はガンダイオード素子2を設置(マウント)するための金属ブロック等の金属部材、4は誘電体の基体に共振用の金属ストリップ線路を設けた金属ストリップ共振器、5は金属ストリップ共振器4により決定された特定の周波数で発振した高周波信号を伝送させる誘電体線路である。尚、図4では、内部を透視するために平行平板導体1の上側を一部切り欠いている。
【0003】
図4に示す従来のガンダイオード発振器を組み込んだNRDガイドは、一対の平行平板導体1の間に、ガンダイオード素子2を搭載した金属部材3が配置されており、ガンダイオード素子2から発振されたマイクロ波等の高周波信号(電磁波)は、金属ストリップ線路4aを有する金属ストリップ共振器4を介して誘電体線路5に導出される。このような金属ストリップ共振器4に対し、誘電体材料のみから成る誘電体共振器は高いQ値が得られ、低ノイズで周波数の安定性に優れるという利点がある(電子情報通信学会技術報告MW86−72「金属ポスト共振器を用いた35GHz帯NRDガイドガン発振器」参照)。
【0004】
そして、ガンダイオード素子2に誘電体共振器を接して、または近接させて配置した場合の高周波の電場分布を図5(矢印)に示す。同図は誘電体共振器16に生じるLSE01(longitudinal section electric )モードを示すものであり、(a)は金属部材3のガンダイオード素子設置面3aに対し間隔aをおいて誘電体共振器16を設置した場合のLSE01モード、(b)は金属部材3のガンダイオード素子設置面3aに誘電体共振器16を接して設けた場合のLSE01モードである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような誘電体共振器16およびガンダイオード発振器においては、ガンダイオード素子2は金属部材3から突き出しているため、必然的に誘電体共振器16を金属部材3に密着させることはできず、従って金属部材3のガンダイオード素子設置面3aに誘電体共振器16の端面16aを近接させて配置することになる。図5(b)に示すように、誘電体共振器16の端面16aを金属部材3のガンダイオード素子設置面3aに密着させるとλ/4共振となり、(a)のように金属部材3のガンダイオード素子設置面3aから離していくと徐々にλ/2共振となる。そして、金属部材3のガンダイオード素子設置面3aと、誘電体共振器16の端面16aとの間隔aによって共振周波数が大きく影響を受けるため、NRDガイド型のガンダイオード発振器の発振周波数が大きく変わる。そのため、発振周波数の制御が非常に困難であるという問題点があった。
【0006】
従って、本発明は上記事情に鑑みて完成されたものであり、その目的は、NRDガイド型のガンダイオード発振器の発振周波数を安定化させるとともに、発振周波数の制御を容易にすることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の誘電体共振器は、高周波ダイオードが一側面に設置された直方体状の金属部材の前記一側面に底面を当接させて立設され、前記底面の中央部に前記高周波ダイオードが非接触で挿入配置される切欠部を有し、前記高周波ダイオードの発振する高周波によりλ/2共振に近いLSE01モードとなって所定の共振周波数で共振することを特徴とする柱状のものである。
【0008】
本発明の誘電体共振器によれば、このような構成により、誘電体共振器における高周波の電場分布が図1に示すようなλ/2共振に近いLSE01モードとなり、また柱状の誘電体共振器の高周波ダイオードが非接触で挿入配置される切欠部が中央部に形成された一底面を、金属部材の高周波ダイオード設置面に当接させることにより、図5(a)の如く誘電体共振器と金属部材との間隔の精度によって発振周波数が左右されることがないため、従来のように誘電体共振器と金属部材との間に隙間が存在する場合と比較して、発振周波数の精度および安定性を高くすることができる。
【0009】
また、本発明の高周波ダイオード発振器は、上記本発明の誘電体共振器と高周波ダイオードとを、該高周波ダイオードが発振する高周波信号の波長の2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体間に配したことを特徴とする。
【0010】
本発明の高周波ダイオード発振器によれば、上記構成により、発振周波数の安定性に優れ、誘電体共振器の切欠部の構造のみによって発振周波数の制御を容易に行える高周波ダイオード発振器が得られる。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明の誘電体共振器および高周波ダイオード発振器について以下に説明する。図1〜図3は、本発明の誘電体共振器およびNRDガイド型の高周波ダイオード発振器(ガンダイオード発振器A)を示し、これらの図において、1は高周波ダイオードが発振する高周波信号の空気中での波長の2分の1以下の間隔で配置した一対の平行平板導体、2は高周波を発振する高周波ダイオード素子の1種であるガンダイオード素子、3は一側面にガンダイオード素子2を設置した直方体状の金属部材、3aは金属部材3の一側面であるガンダイオード素子設置面、5は誘電体共振器6で共振した高周波信号を伝搬させ外部へ出力する誘電体線路、6は本発明の誘電体共振器である。
【0012】
本発明において、誘電体共振器6は、柱状のものであって、金属部材3のガンダイオード素子設置面3aに対し、その長手方向が平行平板導体1の面方向に沿った状態で一底面6cが当接され立設される。そして、誘電体共振器6の一底面6cの中央部にガンダイオード素子2を非接触で挿入配置させる切欠部6bを設ける。誘電体共振器6の全体形状は、図2のような直方体状,多角柱状,円柱状等の柱状であり、このうち直方体状が構造による共振周波数の制御の容易さ等の点で好ましい。そして、図2のような直方体状の場合、共振周波数は主に誘電体共振器6の外径寸法h,t,Lで決定され、また切欠部6bの深さdにより共振モードの形が変わり、従ってこれらのパラメータを調整することにより共振周波数を制御できる。
【0013】
切欠部6bの深さdは、ガンダイオード素子2の突出部に接触しない大きさ以上で、ガンダイオード素子2と電磁的な結合が可能な最大離間幅となる大きさ以下が良く、具体的には0.2〜1.0mm程度が好ましい。また、切欠部6bの幅wは、基本的にはガンダイオード素子2の大きさ(幅)より大きければ良いが、切欠部6bの機械的強度を保持できる最大幅以下であれば良く、具体的にはガンダイオード素子2の種類にもよるが、例えば0.9〜2.0mm程度が好ましい。切欠部6bの形状は図2のような凹型の他、半円形(半円筒形),ガンダイオード素子2が外部から視認できないような半球形等でも良く、また切欠部6bの内面はガンダイオード素子2に接触せず、切欠部6bが形成された底面6cが金属部材3のガンダイオード素子設置面3aと当接して固定される。誘電体共振器6と金属部材3との接合は、単に接触させて設置固定する他、樹脂接着剤等により接着してもよい。
【0014】
誘電体共振器6の材料は、コーディエライト(2MgO・2Al2 O3 ・5SiO2 ),アルミナ(Al2 O3 )等が好ましく、これらは高周波帯域において低損失であり、高いQ値が得られる。金属部材3は、ガンダイオード素子2の電気的な接地(アース)を兼ねているため金属導体であれば良く、その材料は金属(合金を含む)導体であれば特に限定するものではなく、真鍮(黄銅:Cu−Zn合金),Al,Cu,SUS(ステンレス),Ag,Au,Pt等から成る。また金属部材3は、全体が金属から成る金属ブロック,セラミックスやプラスチック等の絶縁基体の表面全体または部分的に金属メッキしたもの,絶縁基体の表面全体または部分的に導電性材料をコートしたものであっても良い。
【0015】
本発明でいう高周波帯域は、数10〜数100GHz帯域のマイクロ波帯域およびミリ波帯域に相当し、例えば30GHz以上、特に50GHz以上、更には70GHz以上の高周波帯域が好適である。
【0016】
また本発明の高周波ダイオードとしては、インパット(impatt:impact ionisation avalanche transit time)・ダイオード,トラパット(trapatt :trapped plasma avalanche triggered transit)・ダイオード,ガンダイオード等のマイクロ波ダイオードおよびミリ波ダイオードが好適に使用される。
【0017】
本発明のNRDガイド用の平行平板導体1は、高い電気伝導度および加工性等の点で、Cu,Al,Fe,SUS(ステンレス),Ag,Au,Pt等の導体板、あるいはこれらの導体層を表面に形成した、セラミックス,樹脂等から成る絶縁板でもよい。
【0018】
また、本発明のNRDガイド型の高周波ダイオード発振器は、無線LAN,自動車のミリ波レーダ等に使用されるものであり、例えば自動車の周囲の障害物および他の自動車に対しミリ波を照射し、反射波を元のミリ波と合成してビート信号を得、このビート信号を分析することにより障害物および他の自動車までの距離、それらの移動速度、移動方向等が測定できる。
【0019】
かくして、本発明は、誘電体共振器と金属部材との間隔の精度によって発振周波数が左右されることがないため、発振周波数の精度および安定性を高くすることができ、また切欠部の構造のみによって発振周波数の制御を容易に行えるという作用効果を有する。
【0020】
尚、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を行っても何等差し支えない。
【0021】
【実施例】
本発明の実施例を以下に説明する。
【0022】
(実施例)
図3の誘電体共振器およびNRDガイド型のガンダイオード発振器Aを以下のように構成した。表面を鏡面加工したCu板から成る縦100mm×横100mm×厚さ8mmの2枚の平行平板導体1を用い、これらの平行平板導体1の間に、真鍮から成り高さHが2.27mmの直方体状の金属部材3と、金属部材3の一側面(3a)に設置されたガンダイオード素子2と、コーディエライトからなり、ガンダイオード素子2に対応する底面6cの中央部に凹型の切欠部6bを形成した四角柱状の誘電体共振器6と、誘電体共振器6の底面6cと反対側端部の一側面に結合された誘電体線路5とを、設けた。四角柱状の誘電体共振器6は、h=2.25mm,t=0.5mm,L=2.0mmであり、平行平板導体1,1間に、その長手方向が平行平板導体1の面方向に沿った横倒し状態で設置した。
【0023】
また、比較例として、図5(b)のように、切欠部6bのない誘電体共振器16をガンダイオード素子2に近接させて配置した以外は上記実施例と同様に構成したガンダイオード発振器Bを作製した。
【0024】
そして、ガンダイオード発振器Aについて、切欠部6bの深さd,幅wを種々変化させたもの、およびガンダイオード発振器Bについて、誘電体共振器16の端面16aと金属部材3のガンダイオード設置面3aとの間隔aを種々変えたものに関し、発振周波数,発振出力をスペクトラムアナライザを用いて測定した。その結果を表1に示す。
【0025】
【表1】
【0026】
表1より、ガンダイオード発振器Aの発振周波数は誘電体共振器6の切欠部6bの形状によって制御でき、ガンダイオード発振器Bの発振周波数は誘電体共振器16と金属部材3との間隔aの大きさで大きく変化することが判った。即ち、ガンダイオード発振器Bでは、発振周波数(共振周波数)が誘電体共振16の配置の精度に大きく左右された。一方、本発明のガンダイオード発振器Aでは、誘電体共振器6は金属部材3に当接配置されるため、発振周波数が安定化し、切欠部6bの形状により所定の発振周波数が得られた。従って、本発明のガンダイオード発振器Aは、発振周波数の制御を容易に行うことができることが確認できた。
【0027】
【発明の効果】
本発明の誘電体共振器によれば、高周波ダイオードが一側面に設置された直方体状の金属部材の前記一側面に底面を当接させて立設され、底面の中央部に高周波ダイオードが非接触で挿入配置される切欠部を有し、高周波ダイオードの発振する高周波によりλ/2共振に近いLSE01モードとなって所定の共振周波数で共振する柱状の誘電体共振器としたことにより、誘電体共振器と金属部材との間隔の精度によって発振周波数が左右されることがないため、発振周波数の精度および安定性を高くすることができ、また切欠部の構造のみによって発振周波数の制御を容易に行えるという作用効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の誘電体共振器に生じるLSE01モードの電場分布を示す斜視図である。
【図2】本発明の誘電体共振器の構造を説明する斜視図である。
【図3】本発明のNRDガイド型のガンダイオード発振器を示す一部切欠斜視図である。
【図4】従来の金属ストリップ共振器を用いたNRDガイド型のガンダイオード発振器を示す一部切欠斜視図である。
【図5】誘電体共振器に生じるLSE01モードの電場分布を示し、(a)は誘電体共振器の端面と金属部材のガンダイオード設置面との間に間隔aがある場合の電場分布を示す斜視図、(b)は誘電体共振器の端面と金属部材のガンダイオード設置面とが接している場合の電場分布を示す斜視図である。
【符号の説明】
1:平行平板導体
2:ガンダイオード素子
3:金属部材
4:金属ストリップ共振器
5:誘電体線路
6:誘電体共振器
a:誘電体共振器の端面と金属部材との間隔
h:誘電体共振器の高さ
t:誘電体共振器の厚み
L:誘電体共振器の共振部の長さ
d:切欠部の深さ
w:切欠部の幅
Claims (2)
- 高周波ダイオードが一側面に設置された直方体状の金属部材の前記一側面に底面を当接させて立設され、前記底面の中央部に前記高周波ダイオードが非接触で挿入配置される切欠部を有し、前記高周波ダイオードの発振する高周波によりλ/2共振に近いLSE 01 モードとなって所定の共振周波数で共振することを特徴とする柱状の誘電体共振器。
- 請求項1記載の誘電体共振器と高周波ダイオードとを、該高周波ダイオードが発振する高周波信号の波長の2分の1以下の間隔で配置した平行平板導体間に配したことを特徴とする高周波ダイオード発振器。
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JP21805499A JP3605321B2 (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 誘電体共振器および高周波ダイオード発振器 |
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JP2001044720A JP2001044720A (ja) | 2001-02-16 |
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JP21805499A Expired - Lifetime JP3605321B2 (ja) | 1999-07-30 | 1999-07-30 | 誘電体共振器および高周波ダイオード発振器 |
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-
1999
- 1999-07-30 JP JP21805499A patent/JP3605321B2/ja not_active Expired - Lifetime
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