JP3604791B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は一般に半導体装置の製造方法に関し、特に、酸化膜により素子分離を行う構造の半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子の微細化に伴い集積度は向上するが、集積度を決定づける要因のひとつとして素子間分離がある。素子間分離に要求されることに、素子間リーク電流が小さいこと、分離耐圧が高いこと、素子領域に対して素子間分離領域が平坦であること、素子間分離領域が小さいこと及び素子間分離領域端での応力が小さいこと、の5点が挙げられる。以下、素子間分離技術を概観し、その問題点を挙げる。
【0003】
素子間分離方法の代表的な技術として、LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon)法、改良LOCOS法、トレンチ法の3つがある。LOCOS法とは、シリコン基板を選択的に酸化して形成された熱酸化膜を素子間分離領域とする方法である。
【0004】
図14〜図17は従来のLOCOS法によるプロセスフローを示す断面図である。以下、これらの図を参照してLOCOS法のプロセスを説明する。
【0005】
まず、図14に示すように、シリコン基板21上に薄い酸化膜22を形成し、その酸化膜22上に窒化膜23を堆積する。酸化膜22は、窒化膜23による応力でシリコン基板に結晶欠陥が発生するのを防ぐための膜である。
【0006】
次に、図15に示すように、酸化膜22及び窒化膜23から、素子領域を所望する箇所のみを残して、他の箇所はエッチング処理を施して除去する。次に、この状態で酸化する。窒化膜23中では酸化剤の拡散係数が小さいため窒化膜23下はほとんど酸化されず、シリコン基板21が露出した箇所が選択的に酸化される。
【0007】
その結果、図16に示すように、選択的に膜厚が厚いLOCOS酸化膜24が形成される。このLOCOS酸化膜24が素子分離膜である。そして、窒化膜23をエッチング除去すると図17に示すようになる。LOCOS酸化膜24は、素子分離領域の端部でシリコン基板と滑らかに接続する。そのため、素子分離領域の端部の断面は鳥の嘴のような滑らかなテーパを持つ。これをバーズビーク25という。このバーズビーク25は平坦化には有効であるが、一方では素子分離領域の実質的な拡大であり、集積度向上にあたっての問題点であった。
【0008】
バーズビークの長さを短くするために、従来のLOCOSに改良が加えられた。それらを総称して改良LOCOS法という。
【0009】
図18〜図21は改良LOCOS法の第1の態様を示す断面図である。以下、図18〜図21を参照して改良LOCOS法の第1の態様を説明する。
【0010】
まず、図18に示すように、シリコン基板41上に酸化膜42、ポリシリコン膜43、窒化膜44を順次堆積する。次に、図19に示すように窒化膜44を選択的にエッチング除去し、ポリシリコン膜43を一部露出させる。
【0011】
次に、図20に示すように酸化してLOCOS酸化膜45が形成され、これが素子分離領域26となる。酸化時には、酸化剤はポリシリコン膜43とシリコン基板41に拡散し、ポリシリコン膜43がない場合に比べてシリコン基板41へ到達する酸化剤の量が少なくなるため、バーズビークの長さが抑制される。次に、窒化膜44、ポリシリコン膜43及び酸化膜42をエッチング除去すると、図21のように、LOCOS酸化膜45により素子間を分離することができる。
【0012】
しかしながら、この方法では、LOCOS酸化膜45の端部(バーズビークが形成されるところ)の傾きが急であるために、ゲート電極を転写工程でパターニングするときに光の一部がLOCOS酸化膜45の端部の斜面に反射してゲート電極に側面からあたるため、ゲート電極がマスクパターンどおりにパターニングされないという、ハレーションと呼ばれる現象が生じてしまう問題点があった。
【0013】
図22はハレーション現象の説明用の断面図である。ゲート電極部は、ゲート酸化膜27とポリシリコン膜28とから構成されるが、配線には、タングステンシリサイド29が用いられる。ゲート電極をパターニングするときには、レジスト30とマスク31を用いる。レジスト30はポジ型であり、光があたると分解する。ハレーションがない場合は図中の破線のようにマスク31の形状を正確に反映してパターニングされるが、ハレーションがあると光線32がタングステンシリサイド29に反射して、レジスト30のうち、マスク31で覆っている部分の側面からも光があたるため、図中の実線のようにレジスト膜33がパターニングされてしまう。
【0014】
このレジスト膜33をマスクとして異方性エッチング処理を行うと、図23に示すように、台形のゲート電極46が形成される。
【0015】
図24〜図26は改良LOCOS法の第2の態様を示す断面図である。以下、図24〜図26を参照して改良LOCOS法の第2の態様を説明する。
【0016】
図24に示すように、シリコン基板51の一部をテーパをつけてエッチング除去し、酸化膜52を全面に形成後、窒化膜53を全面に堆積後、窒化膜53の一部をエッチング除去する。
【0017】
次に、酸化処理を施すと、図25に示すように、LOCOS酸化膜54が形成される。その後、窒化膜53を除去すると図26に示すようになる。シリコン基板51をエッチング除去したところにLOCOS酸化膜54が形成されるため、素子分離領域と素子領域との段差は小さくなる。そのため、ハレーションの問題は回避されるがバーズビークはどうしても形成されるという問題が依然として残る。
【0018】
バーズビークとハレーションの問題を回避する方法としてトレンチ分離法がある。図27〜図29はトレンチ分離法を示す断面図である。以下、図27〜図29を参照してトレンチ分離法を説明する。
【0019】
まず、シリコン基板21上の全面に酸化膜22を形成後、窒化膜23を全面に堆積する。次に、トレンチを形成する以外の領域をレジスト(図示せず)で覆う。このレジストをマスクとして窒化膜23、酸化膜22及びシリコン基板21とに対して異方性エッチングを施すとトレンチ34が形成される。次に、素子間リーク電流を防ぐためにトレンチ34の底面と側面にホウ素35を注入すると、図27に示すように、ホウ素の不純物層36が形成される。
【0020】
そして、トレンチ34の底面と側壁をクリーニングをした後に図28に示すようにトレンチ34の内部を薄く熱酸化して熱酸化膜39を形成する。次に、図29に示すように、トレンチ34の内部を埋め尽くす厚さでCVD(Chemical Vapor Deposition)酸化膜37を堆積すると、トレンチ分離領域38が形成される。
【0021】
トレンチ分離法はバーズビークがなくハレーションの問題もない。しかしながら、トレンチ34の内部に薄い酸化膜を形成するときに応力が発生し、このために素子間に微小リーク電流が生じるという問題点があった。
【0022】
【発明が解決しようとする課題】
従来の素子間分離方法は以上のように行われており、ハレーション、バーズビーク、素子間の微小リーク電流の発生等、種々の問題点があった。
【0023】
この発明は、これらの問題点を解決するために考案されたもので、製造時にハレーションが起きず、バーズビークが形成されず、素子間を流れるリーク電流を最小限に抑えた素子分離が可能な半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
【0024】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る請求項1記載の半導体装置の製造方法は、酸化膜により素子分離される半導体装置を製造する方法であって、(a) 半導体基板を準備するステップと、(b) 前記半導体基板上に酸化膜を形成するステップと、(c) 前記酸化膜を選択的に除去して溝を形成するステップとを備え、前記溝は前記酸化膜の表面から所定の深さより深い部分において内側にテーパが形成され、(d) ステップ (c) 実行後の前記酸化膜下にある前記半導体基板の上層部に、イオン注入法を用いてチャネルカット層を形成するステップと、 (e) 前記溝を充填して半導体領域を形成するステップと、 (f) 前記半導体領域の前記所定の深さよりも浅い領域に半導体素子を形成するステップとをさらに備え、前記ステップ (d) は、少なくとも前記溝のテーパ全ての下方に位置するように前記チャネルカット層を形成し、前記ステップ(f) は、前記半導体素子を構成する拡散領域の少なくとも一部の下方に前記溝のテーパが位置するように前記半導体素子を形成している。
【0025】
また、請求項2記載の半導体装置の製造方法のように、前記ステップ(c)は、(c−1) 前記酸化膜を選択的に除去し、前記酸化膜の一部を貫通させて、露出した前記半導体基板の表面を底面とした前記溝を形成するステップと、(c−2) 前記溝を充填して前記半導体領域を形成するステップとを備えてもよい。
【0029】
また、請求項3記載の半導体装置の製造方法のように、前記ステップ(c)は、(c-1) 前記酸化膜を選択的に除去し、前記酸化膜の一部を貫通して貫通溝を形成するステップと、(c-2) 前記貫通溝を充填して、単結晶質の前記半導体領域を形成するステップと、(c-3) 前記半導体基板の表面に対して酸化処理を行い第2の酸化膜を形成し、前記貫通溝の底部を第2の酸化膜で塞いで、底部が前記第2の酸化膜となる前記溝を形成するステップとを備えてもよい。
【0036】
【発明の実施の形態】
<実施の形態1.>
図1〜図4は、はこの発明の実施の形態1である素子間分離方法を示す断面図である。以下、図1〜図4を参照して素子間分離方法を説明する。
【0037】
まず、図1に示すように、シリコン基板1を洗浄後、シリコン基板1の全面を酸化し、シリコン基板1上の全面に熱酸化膜2を形成する。次に、イオン注入法によりシリコン基板1の上層部にウェル領域1aを形成する。ウェル領域1aはN型の場合に砒素イオンを、P型の場合にボロンイオンを注入して形成する。以降、ウェル領域1aを含めてシリコン基板1とする。
【0038】
その後、熱酸化膜2上にレジスト(図示せず)を形成し、このレジストに対してパターニング処理を施し、パターニングされたレジストをマスクとして熱酸化膜2に対して異方性エッチングを施し溝20を形成する。この溝20内が(半導体)素子形成領域となり、素子形成領域内に半導体素子が形成される。
【0039】
溝20の形成時において、深さd1まではテーパをつけずに垂直に熱酸化膜2を除去し、深さd1より深いところでは内側にテーパをつけて除去する。エッチング除去された部分が溝20となり、エッチングされずに残った熱酸化膜2が素子分離膜となる。なお、深さd1は、半導体素子の拡散領域の形成深さに若干の余裕をもたせた深さである。
【0040】
このような構造の溝20の形成のエッチング処理は以下のように行う。深さd1までは通常の異方性エッチングを行い、深さd1からは気相中の成分、シリコン基板1の温度等のエッチング条件を変えて、内側にテーパが形成されるように異方性エッチングを行う。
【0041】
次に、図2に示すように、熱酸化膜2下にあるシリコン基板1の上層部にイオン注入法等を用いてチャネルカット層3を形成する。
【0042】
そして、図3に示すように、溝20の底面である、露出したシリコン基板1の表面を種として、シリコンを溝20内にエピタキシャル成長させてエピタキシャルシリコン層4を形成する。このエピタキシャルシリコン層4が素子形成領域になる。なお、異方性エッチングで形成された溝20の底面、すなわち、露出したシリコン基板1の表面にはエッチングダメージに伴う結晶欠陥が発生し、これがリーク電流の原因になる。結晶欠陥を回避するために、エピタキシャル成長する前に異方性エッチング後のシリコン基板1の表面クリーニングとしてウェットケミカル液による洗浄に加えて犠牲酸化膜による表面層除去処理を行って、結晶欠陥が発生したシリコン基板1の表面を除去する。なお、犠牲酸化膜とは、後で完成する素子の構造に残らずに、溝の形状を整え、かつ、溝内部の欠陥、歪、汚染等を除去するために犠牲となるために、一旦形成された後に直ちに除去される酸化膜である。
【0043】
熱酸化膜2とエピタキシャル層4の表面は必ずしも平坦でないので、図3に示すように、CMP(Chemical Mechanical Polishing)等の工程によって平坦化処理を行う。
【0044】
次に、全面に酸化膜、ポリシリコン膜を順次堆積後、これら酸化膜及びポリシリコン膜に対しパターニング処理を施し、図4に示すように、ゲート酸化膜5及びポリシリコンゲート6を形成する。
【0045】
そして、ポリシリコンゲート6をマスクとして、例えば、砒素をイオン注入することにより自己整合的にn−層7を形成する。次に、全面に酸化膜を堆積した後、酸化膜に対し異方性エッチングを施してポリシリコンゲート6の側面に、図4に示すように、サイドウォール9を形成する。
【0046】
その後、ポリシリコンゲート6及びサイドウォール9をマスクとして、例えば砒素をイオン注入して自己整合的にn+層8を形成する。この後、熱処理すると不純物が電気的に活性化され、NMOSトランジスタが形成される。すなわち、n−層7及びn+層8がNMOSトランジスタの拡散領域(ドレイン,ソース領域)となる。このとき、図4に示すように、n−層7及びn+層8は溝20の深さd1より浅い領域に形成され、n+層8の一部の下方に溝20のテーパが位置するようにする。
【0047】
なお、実施の形態1の素子間分離方法では、エピタキシャルシリコン層4内に形成され、素子間分離される半導体素子としてNMOSトランジスタを例に挙げたが、PMOSトランジスタ、バイポーラトランジスタ、電力素子、TFT(Thin Film Transistor)等を形成することも勿論可能である。
【0048】
このように、実施の形態1の素子間分離方法は、熱酸化膜2の一部に溝20を形成し、溝20の形状を深さd1までは垂直に、深さd1より深い部分では内側にテーパ状に形成している。そして、溝20内に形成されるエピタキシャルシリコン層4を素子形成領域とし、このエピタキシャルシリコン層4の上層部に半導体素子(NMOSトランジスタ)を形成し、残存した熱酸化膜2を素子間分離膜としている。
【0049】
溝20の深さd1まで酸化膜2の側壁を垂直に形成することにより、半導体素子(NMOSトランジスタ)を構成する拡散領域(n−層7,n+層8)の底面での横幅を十分に確保してシート抵抗を下げることができる。
【0050】
また、深さd1より深い箇所で内側テーパをつけ、半導体素子を構成する拡散領域の少なくとも一部の下方に溝20のテーパ−が位置するようにすることにより、半導体素子の拡散領域7,8に逆バイアスを印加したときに空乏層が、シリコン基板1の表面にあるチャネルカット層3に達するのを溝20のテーパにより抑制することができる。
【0051】
その結果、従来のLOCOS法で製造される場合に比べて、拡散領域7,8からの空乏層がチャネルカット層3に達しにくくなるため装置の分離耐圧が向上する。
【0052】
加えて、熱酸化膜2に溝20を形成した後、残存した熱酸化膜2を素子間分離酸化膜としているため、バーズビークが生じることもない。
【0053】
さらに加えて、熱酸化膜2の形成はシリコン基板1上の全面に形成し、従来のLOCOS法のように局所的に酸化を行わないため、酸化による応力が生じることはなく素子分離された半導体素子間の微小リーク電流を極めて少なくすることができる。
【0054】
また、異方性エッチングによる溝20の形成後、結晶欠陥が発生したシリコン基板1の表面に対し、エピタキシャルシリコン層4を形成する前に表面クリーニングとしてウェットケミカル液による洗浄に加えて犠牲酸化膜による表面層除去を行っているため、結晶欠陥に起因して生じるリーク電流をも確実に抑制することができる。
【0055】
<実施の形態2>
実施の形態1の素子間分離方法では、熱酸化膜2とエピタキシャル層4の表面が一致するように平坦化処理を行った。実施の形態1の素子間分離方法により得られる構造は、ゲート電極形成時のハレーションが少ないという利点があるが、図4で示した構造から、さらに配線や保護膜を堆積させたときに、トランジスタのゲート部分が熱酸化膜2及びエピタキシャルシリコン層4から突出してしまうため、配線及び保護膜を平坦に形成するのが困難となり、配線についてはとくに凹凸の部分に電界が集中しマイグレーションによる信頼性の低下を引き起こしてしまう問題がある。
【0056】
そこで、実施の形態2では、図5に示すように、溝20の上部に未充填の空間が残るように、溝20の一部にエピタキシャルシリコン層4を形成する。
【0057】
なお、溝20の形状は、溝20の未充填空間距離をd2とすると、深さd1に上部空間距離d2を加えた深さまでは垂直に、深さ(d1+d2)より深い部分では内側にテーパ状に形成している。
【0058】
そして、実施の形態1の素子間分離方法と同様の方法により、図7に示すように、熱酸化膜2とポリシリコンゲート電極6の上端が一致するように、NMOSトランジスタを形成する。
【0059】
このように、実施の形態2の素子間分離方法は、実施の形態1の効果に加え、溝20内にエピタキシャルシリコン層4を形成する際、エピタキシャルシリコン層4の上方に形成される半導体素子の形成高さ分の空間が溝20の上部の未充填空間として残るように形成するため、配線10及び保護膜11の形成時に、配線10と保護膜11とをそれぞれ薄い膜厚で比較的容易に平坦化して形成することができる。
【0060】
<実施の形態3>
図5及び図6で示した実施の形態2の素子間分離方法で製造される構造の利点は、ハレーションがないこと、バーズビークが無いこと、酸化による応力が生じないため微小リーク電流が極めて少ないことであり、さらに、従来のLOCOS分離構造に比べて、素子分離酸化膜のシリコン基板側(テーパ部分)が長く、表面側が短いため、分離耐圧は高く、かつ、素子形成領域は広く取ることができる。
【0061】
この構造をさらに推し進めたのが図7で示す実施の形態3による素子間分離方法である。この方法では、溝20の形成時に、熱酸化膜2を貫通することなく形成し、溝20の下部の側壁は内側にテーパをつけて、底面で熱酸化膜2を残存させる。溝20の形状は、実施の形態2同様、溝20の上部の未充填空間の深さをd2とすると、深さ(d1+d2)までは垂直に、深さ(d1+d2)より深い部分では内側にテーパ状になるように形成する。
【0062】
溝20の底部に残存する酸化膜12を埋め込み酸化膜と呼ぶ。この場合、溝の底面にシリコン基板1が露出していないので、溝20をエピタキシャルシリコン層で充填することはできない。そこで、代わりにアモルファスシリコンあるいはポリシリコンからなる非単結晶シリコン層13で溝20を充填する。
【0063】
このように、実施の形態3の素子間分離方法により得られる構造は、SOI(Silicon on Insulator)構造と呼ばれている。SOI構造は、パッケージ中に微量に含まれているウランやトリウム等から放射されるα線がシリコン基板に照射され、このときに発生した2次キャリアによって半導体素子が誤動作をするソフトエラーが起こりにくいという利点がある。
【0064】
SOI構造は、通常、SIMOX(Separation IMplanted OXygen)法といって、シリコン基板1に酸素イオンを注入した後、高温で熱処理する方法によって形成することができる。SIMOX法の欠点は、部分的に基板とSOI層をシリコン層で接続するのが困難なこと、コストが高いことである。
【0065】
実施の形態3の素子間分離方法では、素子形成領域の幅と異方性エッチングのテーパ角を調節することにより選択的に最適なSOI構造を形成することができる。
【0066】
<実施の形態4>
図7に示した実施の形態3の素子間分離方法では、SOI層である非単結晶シリコン層13の構成物は、ポリシリコンあるいはアモルファスシリコンに限定されてしまっていた。しかしながら、SOI層を単結晶シリコンで形成しない場合、キャリアの移動度が下がり素子のスピードが低下してしまうという問題がある。
【0067】
そこで、実施の形態4の素子間分離方法では、溝20形成の第1段階として、図8に示すように、溝20の底面にシリコン基板1の小さな領域が露出するようにテーパをつけて溝を形成する。そして、シリコン基板1の小さな露出領域を種結晶としてエピタキシャルシリコン層4を形成する。
【0068】
その後、図9に示すように、エピタキシャルシリコン層4の表面に下敷酸化膜14を形成後、窒化膜15を堆積する。その後、酸化処理を行うと、熱酸化膜2が成長して、エピタキシャルシリコン層4とシリコン基板1との間に埋め込み酸化膜12が形成される。このときSOI層であるエピタキシャルシリコン層4は、窒化膜15に保護されるのでほとんど酸化されない。以上の工程により、単結晶シリコンからなるSOI層(エピタキシャルシリコン層4)を形成することができる。
【0069】
このように、実施の形態4の素子間分離方法では、SOI層を単結晶で形成することができるため、実施の形態3の効果に加え、キャリアの移動度を上げ、素子のスピード化を図ることができる。
【0070】
<実施の形態5>
実施の形態1〜4は、説明の都合上、素子形成領域であるエピタキシャルシリコン層4を1つしか図示していないが、残存した熱酸化膜2により素子分離を行うことから、実際には熱酸化膜2に複数の溝20が形成され、その溝20を充填して複数のエピタキシャルシリコン層4がそれぞれ形成される。
【0071】
実施の形態5の素子間分離方法は、複数のエピタキシャルシリコン層4の形成時に、エピタキシャルシリコン層4ごとに異なる不純物分布となるようにエピタキシャル成長させる。
【0072】
その結果、実施の形態5の素子間分離方法は、各エピタキシャルシリコン層4の内部に形成される半導体素子に適合した不純物分布を設定することができる。
【0073】
例えば、PMOSトランジスタを形成する場合を考える。図10は従来の埋め込み型のPMOSトランジスタのチャネル領域の深さ方向の不純物濃度分布である。通常これらの分布はイオン注入を用いて形成するため、急峻に変化する分布を得るのは困難である。
【0074】
これに対して、実施の形態5による素子間分離方法では、PMOSトランジスタを形成用のエピタキシャルシリコン層4の形成時に、選択エピタキシャル成長させて図11のように接合付近で急峻に変化する分布を得ることができる。
【0075】
その結果、図11に示すような不純物分布を有するチャネル領域を有するPMOSトランジスタを形成することにより、このPMOSトランジスタは、パンチスルーが起こりにくく、ゲート電圧による電流制御を精度よく行うことができるという良好な特性を得ることができる。
【0076】
<実施の形態6>
素子形成領域用の層は、シリコンに限らず他の物質でもよい。実施の形態6による素子間分離方法は、素子形成領域を砒化ガリウム層18で形成する方法である。実施の形態2同様、熱酸化膜2に溝20を形成後、例えば、図12に示すように、シリコンイオン16を注入し、シリコン基板1の表面をアモルファス化してアモルファス層17を形成する。アモルファス層17はシリコン基板1の表面の結晶構造を乱して内部に格子間シリコンが形成された層であり、この格子間シリコンのために砒化ガリウムの格子定数に近い間隔をもつシリコン原子が表面に複数存在する。
【0077】
その後、図13に示すように、砒化ガリウムを成長させて砒化ガリウム層18を形成する。先にアモルファス化させてアモルファス層17を形成したのは、シリコンと砒化ガリウムとの格子定数の違いを緩和させて、アモルファス層17を介することにより、シリコン基板1と砒化ガリウム層18との接続を容易にするためである。砒化ガリウムは、シリコンより移動度が大きいため、砒化ガリウム層18に半導体素子を形成することにより、スイッチング精度がすぐれた半導体素子を得ることができる。この他、図には示さないがSiGeを用いたバイポーラトランジスタを作成することも可能である。
【0078】
このように、実施の形態6の素子間分離方法は、素子形成領域として砒化ガリウム層を形成したため、スイッチング精度がすぐれた半導体素子を得ることができる。
【0079】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明の請求項1記載の半導体装置の製造方法において、ステップ(c)で形成する溝は、酸化膜の表面から所定の深さより深い部分において内側にテーパが形成され、ステップ(f) で半導体領域の所定の深さよりも浅い領域に半導体素子を形成するため、半導体素子が形成される領域はテーパの影響を受けない。
【0080】
そして、ステップ(c)で溝の所定の深さより深い部分において内側にテーパを形成し、ステップ(f) で半導体素子を構成する拡散領域の少なくとも一部の下方にテーパが位置するように半導体素子を形成することにより、半導体素子を構成する拡散領域に逆バイアスを印加したとき空乏層が半導体基板の表面に達するのを溝のテーパにより抑制することができる。
【0081】
その結果、半導体素子を構成する拡散領域のシート抵抗を十分に低くすることができるとともに、装置の分離耐圧を向上させることができる。
【0082】
加えて、ステップ(c)で酸化膜に溝を形成した後、残存した熱酸化膜を素子間分離酸化膜とすることにより、バーズビークが生じることもない。
【0083】
さらに、ステップ(b)で行う酸化膜の形成処理は局所的な酸化処理でないため、ステップ(b)の酸化による応力が生じない。したがって、半導体素子と他の半導体素子との間に微小リーク電流が流れることもない。
【0084】
また、請求項2記載の半導体装置の製造方法は、ステップ(c−1)で露出した半導体基板の表面を底面とした溝を形成するため、ステップ(C−2)で半導体基板を種としたエピタキシャル成長により単結晶質の半導体領域を形成することができる。
【0085】
その結果、請求項2記載の製造方法により製造される半導体装置は、半導体領域内に形成される半導体素子のキャリアの移動度を高め、動作速度の早い半導体素子を形成することができる。
【0092】
また、請求項3記載の半導体装置の製造方法は、ステップ(c-1)で露出した半導体基板の表面を底面とした貫通溝を形成するため、ステップ(C-2)で半導体基板を種としたエピタキシャル成長により単結晶質の半導体領域を形成することができる。
【0093】
加えて、ステップ(c−3)は、貫通溝の底部を第2の酸化膜で塞いで、底部が第2の酸化膜となる溝を形成するため、半導体領域は、半導体基板上に絶縁膜(酸化膜)を介して形成されるSOI構造を呈する。
【0094】
その結果、請求項3記載の製造方法により製造される半導体装置は、半導体領域内に形成される半導体素子のキャリアの移動度を高め、動作速度の早い半導体素子を形成することができるとともに、2次キャリアによって半導体素子が誤動作をするソフトエラーを起こりにくくするという効果を奏する。
【0096】
この発明における請求項4記載の半導体装置において、溝は酸化膜の表面から所定の深さより深い部分において内側にテーパが形成され、半導体素子は半導体領域の所定の深さよりも浅い領域に形成されるため、半導体素子が形成される領域は溝のテーパの影響を受けない。
【0097】
また、半導体素子を構成する拡散領域の少なくとも一部の下方に溝のテーパが位置するため、半導体素子を構成する拡散領域に逆バイアスを印加したとき空乏層が半導体基板の表面に達するのを溝のテーパにより抑制することができる。
【0098】
その結果、半導体素子を構成する拡散領域のシート抵抗を十分に低くすることができるとともに、装置の分離耐圧を向上させることができる。
【0102】
その結果、請求項6記載の半導体装置は、SOI構造にすることにより、2次キャリアによって半導体素子が誤動作をするソフトエラーを起こりにくい。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1の素子間分離方法を示す断面図である。
【図2】この発明の実施の形態1の素子間分離方法を示す断面図である。
【図3】この発明の実施の形態1の素子間分離方法を示す断面図である。
【図4】この発明の実施の形態1の素子間分離方法を示す断面図である。
【図5】この発明の実施の形態2の素子間分離方法を示す断面図である。
【図6】この発明の実施の形態2の素子間分離方法を示す断面図である。
【図7】この発明の実施の形態3の素子間分離方法を示す断面図である。
【図8】この発明の実施の形態4の素子間分離方法を示す断面図である。
【図9】この発明の実施の形態4の素子間分離方法を示す断面図である。
【図10】従来のイオン注入による不純物プロファイルを示すグラフである。
【図11】この発明の実施の形態5の素子間分離方法で製造されたエピタキシャルシリコン層の不純物プロファイルを示すグラフである。
【図12】この発明の実施の形態6の素子間分離方法を示す断面図である。
【図13】この発明の実施の形態6の素子間分離方法を示す断面図である。
【図14】従来のLOCOS法を示す断面図である。
【図15】従来のLOCOS法を示す断面図である。
【図16】従来のLOCOS法を示す断面図である。
【図17】従来のLOCOS法を示す断面図である。
【図18】従来の改良LOCOS法の第1の態様を示す断面図である。
【図19】従来の改良LOCOS法の第1の態様を示す断面図である。
【図20】従来の改良LOCOS法の第1の態様を示す断面図である。
【図21】従来の改良LOCOS法の第1の態様を示す断面図である。
【図22】従来の改良LOCOS法の問題点を示す断面図である。
【図23】従来の改良LOCOS法の問題点を示す断面図である。
【図24】従来の改良LOCOS法の第2の態様を示す断面図である。
【図25】従来の改良LOCOS法の第2の態様を示す断面図である。
【図26】従来の改良LOCOS法の第2の態様を示す断面図である。
【図27】従来のトレンチ分離法を示す断面図である。
【図28】従来のトレンチ分離法を示す断面図である。
【図29】従来のトレンチ分離法を示す断面図である。
【符号の説明】
1 シリコン基板、2 熱酸化膜、3 チャネルカット層、4 エピタキシャルシリコン層、5 ゲート酸化膜、6 ポリシリコンゲート、7 n−層、8 n+層、9 サイドウォール、10 配線、11 保護膜、12 埋め込み酸化膜、13 非単結晶シリコン層、17 アモルファス層、18 砒化ガリウム層。
Claims (3)
- 酸化膜により素子分離される半導体装置の製造方法であって、
(a) 半導体基板を準備するステップと、
(b) 前記半導体基板上に酸化膜を形成するステップと、
(c) 前記酸化膜を選択的に除去して溝を形成するステップとを備え、前記溝は前記酸化膜の表面から所定の深さより深い部分において内側にテーパが形成され、
(d)ステップ(c) 実行後の前記酸化膜下にある前記半導体基板の上層部に、イオン注入法を用いてチャネルカット層を形成するステップと、
(e) 前記溝を充填して半導体領域を形成するステップと、
(f) 前記半導体領域の前記所定の深さよりも浅い領域に半導体素子を形成するステップとをさらに備え、
前記ステップ(d) は、少なくとも前記溝のテーパ全ての下方に位置するように前記チャネルカット層を形成し、
前記ステップ(f) は、前記半導体素子を構成する拡散領域の少なくとも一部の下方に前記溝のテーパが位置するように前記半導体素子を形成する、
を備える半導体装置の製造方法。 - 前記ステップ(c)は、
(c-1) 前記酸化膜を選択的に除去し、前記酸化膜の一部を貫通させて、露出した前記半導体基板の表面を底面とした前記溝を形成するステップと、
(c-2) 前記溝を充填して前記半導体領域を形成するステップと、
を備える請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ステップ(c)は、
(c-1) 前記酸化膜を選択的に除去し、前記酸化膜の一部を貫通して貫通溝を形成するステップと、
(c-2) 前記貫通溝を充填して、単結晶質の前記半導体領域を形成するステップと、
(c-3) 前記半導体基板の表面に対して酸化処理を行い第2の酸化膜を形成し、前記貫通溝の底部を第2の酸化膜で塞いで、底部が前記第2の酸化膜となる前記溝を形成するステップと、
を備える請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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