JP3604444B2

JP3604444B2 - Wafer detector

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Publication number: JP3604444B2
Application number: JP7414595A
Authority: JP
Inventors: 久嵩杉山; 信吾林; 信久大村
Original assignee: Toshiba Machine Co Ltd
Current assignee: Shibaura Machine Co Ltd
Priority date: 1995-03-30
Filing date: 1995-03-30
Publication date: 2004-12-22
Anticipated expiration: 2019-12-22
Also published as: JPH08274145A

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、ウエハ移動型半導体製造装置、特にクラスタ型装置等においてチャンバ内にあるウエハの有無を検知するウエハ検知装置に係り、詳しくは、チャンバ上部より反射型ビームセンサを使用し所定の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常、クラスタ型装置等におけるウエハ検知装置としては、チャンバ内にあるウエハの有無を非接触状態で検出する必要がある関係上、ビームセンサを用いた光学的ウエハ検知装置が使用されている。
【０００３】
また、ビームセンサとしては、透過型ビームセンサと反射型ビームセンサとがある。
しかしながら、透過型ビームセンサを使用するウエハ検知装置にあっては、
（ａ）上下センサ取付用の穴加工及び取付具の加工が必要。
（ｂ）上下のセンサの芯出しが必要で芯出し工数がかかる。
（ｃ）センサの配線が上下ともに必要で配線工数が２倍かかる。
等、取付け労力とコストがかかるといった問題がある。
一方、反射型ビームセンサを使用するウエハ検知装置にあっては、取付けが簡単かつ低コストで実施できる反面、以下の（ア）〜（エ）に示すような問題がある。
【０００４】
すなわち、ウエハ検知装置で検知されるウエハは、表面形状や色が一定でなく、表面形状としては、ミラーウエハ、パターンウエハ、エッチングウエハ等があり、また、色としては、無彩色（白色から黒色まで）から有彩色まであり、このため、ウエハによって、表面の反射率が異なる。
【０００５】
このため、
（ア）白色系ウエハ（高反射率ウエハ）に感度を合わせる（センサ検知距離を短くする）と、黒色系ウエハ（低反射率ウエハ）の検知ができない。また、黒色系ウエハ（低反射率ウエハ）に感度を合わせると、センサ検知距離が実質長くなり、チャンバ底面や、落下したウエハを誤認識してしまう。
【０００６】
さらに、反射型ビームセンサを使用した場合、
（イ）検知距離が長いとチャンバ底面の反射を検知して誤認識をする。
（ウ）測定範囲の変更ができない。（変更可能センサは高価である）。
（エ）落下ウエハからの反射ビームを受けて所定位置にウエハが有るとして誤認識する可能性がある。
等の問題がある。
【０００７】
このことを、図９（Ａ）〜（Ｇ）を参照して説明する。
図において、ａは反射型ビームセンサ、ｂはウエハ、ｃはウエハのセット位置、ｄはチャンバ底面を示す。Ｌはウエハ検知距離を示す。
【０００８】
図９（Ａ）は、反射型ビームセンサａの検知範囲を示す。（標準検知片は白色とメーカでは規定している）。
また、半導体製造装置におけるクラスタ型チャンバ等においては、チャンバと反射型ビームセンサａの間はガラスｅによって仕切られる場合が多い。この場合は図９（Ｂ）に示すように、検知距離が１０〜２０％（ガラスの厚さ、材質、色等によって異なる）短くなる。
【０００９】
図９（Ｃ）は高反射率ウエハｂの搬送に合わせて反射型ビームセンサａの検知範囲Ｌを調整した場合である。
同センサａで低反射率ウエハｂを使用すると図９（Ｄ）に示すように、検知距離が短くなってウエハ検知ができなくなる。
【００１０】
図９（Ｅ）は、低反射率ウエハｂにセンサａの感度を合わせた場合を示し、同センサａにおいて、高反射率ウエハｂを使用した場合、図９（Ｆ）に示すように検知距離が延びてしまう。この場合、チャンバ底面ｄによる反射で誤認識を起こしてしまう。
【００１１】
また、図９（Ｇ）に示すように、ロボットがチャックミス等でウエハｂを落下させた場合、ウエハｂが無いにもかかわらず有るものと誤認識してしまうといった問題がある。
【００１２】
理想的な反射型ビームセンサａは、高反射率ウエハｂから低反射率ウエハｂまでをカバーするものであり、図１０に示す検知範囲を有するセンサであるが、現状では開発されていない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、反射型ビームセンサは、取付けが簡単かつ低コストで実施できるといった特長を有するものであるが、現状では高反射率ウエハから低反射率ウエハまでをカバーするセンサが開発されていない。
【００１４】
このため、現状では検知距離の長い反射型ビームセンサを用い、チャンバの深さを深くすることで対処せざるを得ず、チャンバのコストアップを招くといった問題があった。
【００１５】
本発明は、上記事情に基づき成されたもので、安価で、しかも、取付け調整が簡単でありながら、反射率の異なるあらゆる種類のウエハを検知でき、しかも、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できるようにしたウエハ検知装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するための第１の手段として、チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、前記チャンバ底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームを透過させる検知ビーム透過窓と、この検知ビーム透過窓の近傍に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるウエハ支持部とを具備してなる構成としたものである。
【００１７】
また、第２の手段として、チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、前記チャンバの底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させる傾斜面部と、この傾斜面部の近傍に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるウエハ支持部とを具備してなる構成としたものである。
【００１８】
また、第３の手段として、チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、前記チャンバの底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームの反射率を減ずる低反射率面部と、この低反射率面部の近傍に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるウエハ支持部とを具備してなる構成としたものである。
【００１９】
また、第４の手段として、チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、前記チャンバの底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させると共に、上面が前記検知位置にウエハがないことにより到達した検知ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させる傾斜面部となる突起部とを具備してなる構成としたものである。
【００２０】
また、第５の手段として、チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、前記チャンバの底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させると共に、上面が前記検知位置にウエハがないことにより到達した検知ビームの反射率を減ずる低反射率面部となる突起部とを具備してなる構成としたものである。
【００２１】
【作用】
第１の手段のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００２２】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に検知ビーム透過窓を設け、検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームを透過させるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００２３】
また、検知ビーム透過窓の近傍にウエハ支持部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持し、落下したウエハからの反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。
【００２４】
また、第２の手段のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００２５】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に傾斜面部を設け、検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００２６】
また、傾斜面部の近傍にウエハ支持部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持し、落下したウエハからの反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。
【００２７】
また、第３の手段のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００２８】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に低反射率面部を設け、検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームの反射率を減ずるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００２９】
また、低反射率面部の近傍にウエハ支持部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持し、落下したウエハからの反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。
【００３０】
また、第４の手段のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００３１】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に突起部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して落下したウエハからの反射ビームを反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。また、突起部の上面が傾斜面部となっていて、前記検知位置にウエハがないことにより到達した検知ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００３２】
また、第５の手段のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００３３】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に突起部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して落下したウエハからの反射ビームを反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。また、突起部の上面が低反射率面部となっていて、前記検知位置にウエハがないことにより到達した検知ビームの反射率を減ずるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００３４】
【実施例】
以下、本発明の第１の実施例について、図１ないし図３を参照して説明する。
まず、図１および図２を参照して、本発明のウエハ検知装置を適用したクラスター方式の加熱処理装置１０の構成について説明する。
【００３５】
図１に示すように、加熱処理装置１０は、ウエハＷを所定位置に搬送するためのウエハ搬送手段としてのロボット１を主とした搬送室２を中心に、ウエハＷを格納したカセット３，４を収容するカセット室５，６と、ウエハＷを加熱状態で処理する処理室としてのプロセス室７，８等が周囲に配置されたものとなっている。
【００３６】
また、カセット室５，６には、カセット室５，６を大気に対して開放あるいは遮断する第１ゲートバルブ２０，２１が付設されており、これら第１ゲートバルブ２０，２１を介してカセット３，４を交換するようになっている。
【００３７】
また、カセット室５，６と搬送室２との間には、これらの間を開閉するための第２ゲートバルブ２２，２３が設けられている。この図においては第２ゲートバルブ２２は開いた状態にある。さらに、プロセス室７，８と搬送室２との間を開閉するための第３ゲートバルブ２４，２５が設けられている。
【００３８】
また、カセット室５およびカセット室６内には、図２に示すように、モータ３０を含む上下動駆動機構３１によって所望の位置決め可能に上下動される昇降台３２，３３が設けられている。これら昇降台３２，３３上には、カセット３，４が交換可能に設置されるようになっている。
【００３９】
ロボット１は、図１に示すように、旋回中心軸４０に取付けられたアーム４１と、このアーム４１の自由端に軸４２を中心に対称的に配置された２つのウエハ載置部としてのピック４３Ａ、４３Ｂを有し、これらのピック４３Ａ、４３Ｂを軸４２の回りに１８０°旋回させることにより交互にカセット３，４内に出入させるようになっている。
【００４０】
また、図２に示すように制御手段である制御装置５０が設けられており、加熱処理装置１０を制御するようになっている。そして、制御装置５０は、カセット室５，６内に配設された昇降台３２，３３の上下動駆動機構３１，３１のモータ３０，３０と接続していると共に、ロボット１を駆動するための駆動装置５１と接続している。
【００４１】
次いで本装置の作用について説明する。第１ゲートバルブ２０を開き、処理済みのウエハＷが入っているカセット３をカセット室５から取出し、代わりに未処理のウエハＷを入れたカセット３を昇降台３２上に設置する。
【００４２】
次に、第１ゲートバルブ２０を閉じてカセット室５を搬送室２と同じ減圧状態ないし同じ雰囲気状態にした後、第２ゲートバルブ２２を開き、カセット３の上下動とロボット１の動作によってカセット３内のウエハＷを１枚ずつ取出してプロセス室７または８へ１枚ずつ搬入し、加熱を伴う処理を行なう。
【００４３】
また、処理されたウエハＷは、ロボット１によりプロセス室７または８から取出され、カセット室５内に搬送されると共に、カセット３内の未処理ウエハＷを１枚ずつ取出してプロセス室７または８へ１枚ずつ搬入し、加熱を伴う処理を行なう。
【００４４】
このように、ロボット１により、プロセス室７、８から処理済みウエハＷの搬出と、該プロセス室７、８への未処理のウエハＷの搬入を順次行ない、かつ処理済みのウエハＷをカセット３へ戻す動作を繰返すようになっている。
【００４５】
また、図２に示すように、搬送室２を構成するチャンバ５２Ａの上面には、反射型ビームセンサ６０を有するウエハ検知装置６１Ａが設けられており、チャンバ５２Ａ内のウエハＷ、すなわち、前記ロボット１のピック４３Ａ、４３Ｂで支承されたウエハＷを検知するようになっている。
【００４６】
次に、ウエハ検知装置６１Ａの第１の実施例について、図３を参照して説明する。
このウエハ検知装置６１Ａで使用する反射型ビームセンサ６０は、感度を低反射率ウエハに合わせた検知距離Ｌの長い赤色光反射型ビームセンサを用い、検知距離調整フィルタ９０により検知距離Ｌが７０〜３００ｍｍになるようにした。
【００４７】
検知距離Ｌの選定は、チャンバ５２の天井部を構成するガラス５２Ａ越しであるため１０〜２０％の減衰を見越し、一番検知距離が短いと感知することができない黒色ウエハに対応するため検知距離Ｌを長めにした。なぜならば検知距離Ｌが短いと黒色ウエハの検知が不可能となる可能性があるためである。
【００４８】
また、前記チャンバ５２の底部５２Ａのウエハ検知位置に対応する部分、すなわち、反射型ビームセンサ６０と対向する位置には、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′を反射することなく透過させる検知ビーム透過窓６２が形成されている。また、この検知ビーム透過窓６２は、検知ビームＬＢ′を透過させる材質からなるガラス板６３により閉塞されチャンバ５２の気密性が保持されている。
【００４９】
また、前記検知ビーム透過窓６２の近傍には、ウエハ支持部としての突起６４が形成され、検知位置であるピック４３Ａ、４３Ｂから落下したウエハＷをチャンバ５２の底部５２Ｂに対して例えば４〜１５°程度の角度Θの傾斜状態に支持するようになっている。
【００５０】
そして、ウエハＷからの反射ビームＬＢ_１を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようになっている。
この第１の実施例のウエハ検知装置６１Ａによれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサ６０を使用するようにしたから、センサ検知距離Ｌが実質長くなり、白色系ウエハやミラーウエハ等の高反射率ウエハＷから黒色系ウエハ等の低反射率ウエハＷまで、反射率の影響を受けることなく検知することができる。
【００５１】
また、チャンバ底部５２Ａの反射型ビームセンサ６０に対向する位置に検知ビーム透過窓６２を設け、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′を透過させるようにしたから、チャンバ底面５２Ｂからの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００５２】
また、検知ビーム透過窓６２の近傍にウエハ支持部としての突起６４を設け、検知位置からチャンバ５２の底部５２Ｂに落下したウエハＷを傾斜状態に支持し、落下したウエハＷからの反射ビームＬＢ_１を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハＷによる誤検知を確実に防止できる。
【００５３】
次に、図４を参照して、第２の実施例のウエハ検知装置６１Ｂの構成について説明する。
このウエハ検知装置６１Ｂで使用する反射型ビームセンサ６０は、感度を低反射率ウエハに合わせた検知距離Ｌの長い赤色光反射型ビームセンサを用い、検知距離調整フィルタ９０により検知距離Ｌが７０〜３００ｍｍになるようにした。
【００５４】
また、前記チャンバ５２の底部５２Ｂのウエハ検知位置に対応する部分、すなわち、反射型ビームセンサ６０と対向する位置には、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させる傾斜面部７０Ａが形成されている。なお、この傾斜面部７０Ａは、チャンバ５２の底部５２Ｂに底面が傾斜するように形成した凹所７１からなっている。
【００５５】
また、前記傾斜面部７０の近傍には、ウエハ支持部としての突起６４が形成され、検知位置であるピック４３Ａ、４３Ｂから落下したウエハＷをチャンバ５２の底部５２Ｂに対して４〜１５°程度の角度Θの傾斜状態に支持するようになっている。そして、ウエハＷからの反射ビームＬＢ_１を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようになっている。
【００５６】
この第２の実施例のウエハ検知装置６１Ｂによれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサ６０を使用するようにしたから、センサ検知距離Ｌが実質長くなり、白色系ウエハやミラーウエハ等の高反射率ウエハＷから黒色系ウエハ等の低反射率ウエハＷまで、反射率の影響を受けることなく検知することができる。
【００５７】
また、チャンバ底部５２Ａの反射型ビームセンサ６０に対向する位置に傾斜面部７０Ａを設け、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、チャンバ底面５２Ｂからの反射光ＬＢ_２の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００５８】
また、傾斜面部７０Ａの近傍にウエハ支持部としての突起６４を設け、検知位置からチャンバ５２の底部５２Ｂに落下したウエハＷを傾斜状態に支持し、落下したウエハＷからの反射ビームＬＢ_１を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハＷによる誤検知を確実に防止できる。
【００５９】
次に、図５を参照して、第３の実施例のウエハ検知装置６１Ｃの構成について説明する。
このウエハ検知装置６１Ｃで使用する反射型ビームセンサ６０は、感度を低反射率ウエハに合わせた検知距離Ｌの長い赤色光反射型ビームセンサを用い、検知距離調整フィルタ９０により検知距離Ｌが７０〜３００ｍｍになるようにした。
【００６０】
また、前記チャンバ５２の底部５２Ｂのウエハ検知位置に対応する部分、すなわち、反射型ビームセンサ６０と対向する位置には、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させる傾斜面部７０Ｂが形成されている。
【００６１】
この反射用の傾斜面部７０Ｂは、チャンバ５２の底部５２Ｂの一部を傾斜状態とすることにより形成された広角のＶ字状凹所７２の一傾斜面部７２Ａにより構成されている。また、前記一傾斜面部７２Ａの傾斜上端部は、検知位置であるピック４３Ａ、４３Ｂから落下したウエハＷをチャンバ５２の底部５２Ｂに対して例えば４〜１５°程度の角度Θの傾斜状態に支持するためのウエハ支持部としての支持面６４′を兼用している。そして、ウエハＷからの反射ビームＬＢ_１を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようになっている。
【００６２】
この第３の実施例のウエハ検知装置６１Ｃによれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサ６０を使用するようにしたから、センサ検知距離Ｌが実質長くなり、白色系ウエハやミラーウエハ等の高反射率ウエハＷから黒色系ウエハ等の低反射率ウエハＷまで、反射率の影響を受けることなく検知することができる。
【００６３】
また、チャンバ底部５２Ａの反射型ビームセンサ６０に対向する位置に傾斜面部７０Ｂを設け、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、チャンバ底面５２Ｂからの反射光ＬＢ_２の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００６４】
また、傾斜面部７０Ｂの近傍にウエハ支持部としての支持面６４′を設け、検知位置からチャンバ５２の底部５２Ｂに落下したウエハＷを傾斜状態に支持し、落下したウエハＷからの反射ビームＬＢ_１を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハＷによる誤検知を確実に防止できる。
【００６５】
次に、図６を参照して、第４の実施例のウエハ検知装置６１Ｄの構成について説明する。
このウエハ検知装置６１Ｄで使用する反射型ビームセンサ６０は、感度を低反射率ウエハに合わせた検知距離Ｌの長い赤色光反射型ビームセンサを用い、検知距離調整フィルタ９０により検知距離Ｌが７０〜３００ｍｍになるようにした。
【００６６】
また、前記チャンバ５２の底部５２Ｂのウエハ検知位置に対応する部分、すなわち、反射型ビームセンサ６０と対向する位置には、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′の反射率を減ずる低反射率面部７５が形成されている。なお、この低反射率面部７５は、チャンバ５２の底部５２Ｂに底面を粗面あるいは黒色に着色する等して形成されている。
【００６７】
また、前記低反射率面部７５の近傍には、ウエハ支持部としての突起６４が形成され、検知位置であるピック４３Ａ、４３Ｂから落下したウエハＷをチャンバ５２の底部５２Ｂに対して４〜１５°程度の角度Θの傾斜状態に支持するようになっている。そして、ウエハＷからの反射ビームＬＢ_１を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようになっている。
【００６８】
この第４の実施例のウエハ検知装置６１Ｄによれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサ６０を使用するようにしたから、センサ検知距離Ｌが実質長くなり、白色系ウエハやミラーウエハ等の高反射率ウエハＷから黒色系ウエハ等の低反射率ウエハＷまで、反射率の影響を受けることなく検知することができる。
【００６９】
また、チャンバ底部５２Ａの反射型ビームセンサ６０に対向する位置に低反射率面部７５を設け、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′の反射率を減ずるようにしたから、チャンバ底面５２Ｂからの反射光ＬＢ_２の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００７０】
また、傾斜面部７０Ｂの近傍にウエハ支持部としての突起６４を設け、検知位置からチャンバ５２の底部５２Ｂに落下したウエハＷを傾斜状態に支持し、落下したウエハＷからの反射ビームＬＢ_１を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハＷによる誤検知を確実に防止できる。
【００７１】
次に、図７を参照して、第５の実施例のウエハ検知装置６１Ｅの構成について説明する。
このウエハ検知装置６１Ｅで使用する反射型ビームセンサ６０は、感度を低反射率ウエハに合わせた検知距離Ｌの長い赤色光反射型ビームセンサを用い、検知距離調整フィルタ９０により検知距離Ｌが７０〜３００ｍｍになるようにした。
【００７２】
また、前記チャンバ５２の底部５２Ｂのウエハ検知位置に対応する部分、すなわち、反射型ビームセンサ６０と対向する位置には、検知位置であるピック４３Ａ、４３Ｂから落下したウエハＷをチャンバ５２の底部５２Ｂに対して例えば４〜１５°程度の角度Θの傾斜状態に支持するためのウエハ支持部としての突起６４Ｂが設けられている。
【００７３】
そして、ウエハＷからの反射ビームＬＢ_１を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようになっている。
また、突起６４Ｂの上面は、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させる傾斜面部８０が形成されている。
【００７４】
この第５の実施例のウエハ検知装置６１Ｅによれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサ６０を使用するようにしたから、センサ検知距離Ｌが実質長くなり、白色系ウエハやミラーウエハ等の高反射率ウエハＷから黒色系ウエハ等の低反射率ウエハＷまで、反射率の影響を受けることなく検知することができる。
【００７５】
また、前記チャンバ５２の底部５２Ｂのウエハ検知位置に対応する部分にウエハ支持部としての突起６４Ｂを設け、検知位置からチャンバ５２の底部５２Ｂに落下したウエハＷを傾斜状態に支持し、落下したウエハＷからの反射ビームＬＢ_１を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハＷによる誤検知を確実に防止できる。
【００７６】
また、突起６４Ｂの上面に傾斜面部８０を形成し、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、チャンバ底面５２Ｂからの反射光ＬＢ_２の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００７７】
次に、図８を参照して、第６の実施例のウエハ検知装置６１Ｆの構成について説明する。
このウエハ検知装置６１Ｆで使用する反射型ビームセンサ６０は、感度を低反射率ウエハに合わせた検知距離Ｌの長い赤色光反射型ビームセンサを用い、検知距離調整フィルタ９０により検知距離Ｌが７０〜３００ｍｍになるようにした。
【００７８】
また、前記チャンバ５２の底部５２Ｂのウエハ検知位置に対応する部分、すなわち、反射型ビームセンサ６０と対向する位置には、検知位置であるピック４３Ａ、４３Ｂから落下したウエハＷをチャンバ５２の底部５２Ｂに対して例えば４〜１５°程度の角度Θの傾斜状態に支持するためのウエハ支持部としての突起６４Ｃが設けられている。
【００７９】
そして、ウエハＷからの反射ビームＬＢ_１を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようになっている。
また、突起６４Ｃの上面は、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′の反射率を減ずる低反射率面部８１が形成されている。
【００８０】
この第６の実施例のウエハ検知装置６１Ｆによれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサ６０を使用するようにしたから、センサ検知距離Ｌが実質長くなり、白色系ウエハやミラーウエハ等の高反射率ウエハＷから黒色系ウエハ等の低反射率ウエハＷまで、反射率の影響を受けることなく検知することができる。
【００８１】
また、前記チャンバ５２の底部５２Ｂのウエハ検知位置に対応する部分にウエハ支持部としての突起６４Ｃを設け、検知位置からチャンバ５２の底部５２Ｂに落下したウエハＷを傾斜状態に支持し、落下したウエハＷからの反射ビームＬＢ_１を前記反射型ビームセンサ６０の配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハＷによる誤検知を確実に防止できる。
【００８２】
また、突起６４Ｃの上面に低反射率面部８１を形成し、検知位置にウエハＷがないことによりチャンバ５２の底部５２Ｂに到達した検知ビームＬＢ′の反射率を減ずるようにしたから、チャンバ底面５２Ｂからの反射光ＬＢ_２の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００８３】
本発明は、上記実施例のようにすることにより、一つの反射型ビームセンサにより鏡面ウエハから黒色ウエハまで幅広い表面反射率の異なるウエハＷの検知が可能となった。
【００８４】
また、ウエハＷの面からチャンバ５２の底面５２Ｂまでの距離も、設計時の制約が減り、より適切なチャンバ５２の形状とすることが可能となった。
また、万一、ウエハＷをチャンバ５２内に落下した際にも、誤認識することなくその後の適切な処理に大いに役立つことになった。
なお、本発明は、上記実施例に限らず、本発明の要旨を変えない範囲で種々変形実施可能なことは勿論である。
【００８５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、次のような効果を奏する。
請求項１記載のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００８６】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に検知ビーム透過窓を設け、検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームを透過させるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００８７】
また、検知ビーム透過窓の近傍にウエハ支持部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持し、落下したウエハからの反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。
【００８８】
また、請求項２記載のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００８９】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に傾斜面部を設け、検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００９０】
また、傾斜面部の近傍にウエハ支持部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持し、落下したウエハからの反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。
【００９１】
また、請求項３記載のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００９２】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に低反射率面部を設け、検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームの反射率を減ずるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００９３】
また、低反射率面部の近傍にウエハ支持部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持し、落下したウエハからの反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。
【００９４】
また、請求項４記載のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００９５】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に突起部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して落下したウエハからの反射ビームを反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。また、突起部の上面が傾斜面部となっていて、前記検知位置にウエハがないことにより到達した検知ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【００９６】
また、請求項５記載のウエハ検知装置によれば、感度を低反射率ウエハに合わせた反射型ビームセンサを使用するようにしたから、センサ検知距離が実質長くなり、高反射率ウエハから低反射率ウエハまで、反射率の影響を受けることなく検知することが可能となる。
【００９７】
また、チャンバ底部の反射型ビームセンサに対向する位置に突起部を設け、検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して落下したウエハからの反射ビームを反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるようにしたから、落下したウエハによる誤検知を確実に防止できる。また、突起部の上面が低反射率面部となっていて、前記検知位置にウエハがないことにより到達した検知ビームの反射率を減ずるようにしたから、チャンバ底面からの反射光の影響がなく誤検知を確実に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のウエハ検知装置を適用したクラスター方式の加熱処理装置の構成を示す概略的平面断面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図。
【図３】本発明のウエハ検知装置の第１の実施例を示す一部断面側面図。
【図４】本発明のウエハ検知装置の第２の実施例を示す一部断面側面図。
【図５】本発明のウエハ検知装置の第３の実施例を示す一部断面側面図。
【図６】本発明のウエハ検知装置の第４の実施例を示す一部断面側面図。
【図７】本発明のウエハ検知装置の第５の実施例を示す一部断面側面図。
【図８】本発明のウエハ検知装置の第６の実施例を示す一部断面側面図。
【図９】反射型ビームセンサの種々の検知範囲を示す説明図。
【図１０】理想的なセンサの検知範囲を示す説明図。
【符号の説明】
Ｗ…ウエハ、１０…加熱処理装置、４３Ａ、４３Ｂ…ピック（ウエハ載置部）、５２…チャンバ、５２Ａ…ガラス、５２Ｂ…底部、６０…反射型ビームセンサ、６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ，６１Ｄ，６１Ｅ，６１Ｆ，６１Ｇ…ウエハ検知装置、６２…検知ビーム透過窓、６３…ガラス板、６４，６４′，６４Ｂ，６４Ｃ…突起（ウエハ支持部）、７０…傾斜面部、７０Ｂ…傾斜面部、７１，７２…凹所、７５…低反射率面部、８０…傾斜面部、８１…低反射率面部、９０…検知距離調整フィルタ、Ｌ…検知距離、ＬＢ…検知ビーム、ＬＢ′…底部に到達した検知ビーム、ＬＢ_１ …ウエハからの反射ビーム、ＬＢ_２ …底部からの反射ビーム。[0001]
[Industrial applications]
The present invention relates to a wafer detection apparatus for detecting the presence or absence of a wafer in a chamber in a wafer moving type semiconductor manufacturing apparatus, particularly a cluster type apparatus, and more particularly, to a predetermined detection position using a reflection type beam sensor from the upper part of the chamber. The present invention relates to a wafer detection device for detecting a wafer in the above.
[0002]
[Prior art]
Generally, as a wafer detection device in a cluster type device or the like, an optical wafer detection device using a beam sensor is used because it is necessary to detect the presence or absence of a wafer in a chamber in a non-contact state.
[0003]
As the beam sensor, there are a transmission beam sensor and a reflection beam sensor.
However, in a wafer detection device using a transmission beam sensor,
(A) Hole processing for mounting the vertical sensor and processing of the mounting fixture are required.
(B) The centering of the upper and lower sensors is required, and the centering man-hour is required.
(C) Wiring of the sensor is required for both upper and lower parts, and the number of wiring steps is twice as long.
There is a problem that installation labor and cost are required.
On the other hand, a wafer detection device using a reflection type beam sensor can be easily mounted at low cost, but has the following problems (A) to (D).
[0004]
That is, the surface shape and color of the wafer detected by the wafer detection device are not constant, and the surface shape includes a mirror wafer, a pattern wafer, an etching wafer, and the like, and the color is achromatic (from white to black). ) To chromatic colors, and the reflectivity of the surface differs depending on the wafer.
[0005]
For this reason,
(A) If the sensitivity is adjusted to the white wafer (high reflectance wafer) (the sensor detection distance is shortened), the black wafer (low reflectance wafer) cannot be detected. Further, when the sensitivity is adjusted to a black wafer (low-reflectivity wafer), the sensor detection distance becomes substantially long, and the bottom of the chamber or the dropped wafer is erroneously recognized.
[0006]
Furthermore, when using a reflection type beam sensor,
(A) If the detection distance is long, the reflection on the bottom of the chamber is detected and erroneous recognition is performed.
(C) The measurement range cannot be changed. (Changeable sensors are expensive).
(D) Receiving the reflected beam from the falling wafer, there is a possibility that the wafer is erroneously recognized as being at a predetermined position.
There are problems such as.
[0007]
This will be described with reference to FIGS.
In the figure, a is a reflection type beam sensor, b is a wafer, c is a wafer setting position, and d is a chamber bottom surface. L indicates a wafer detection distance.
[0008]
FIG. 9A shows a detection range of the reflection type beam sensor a. (The standard detection piece is specified by the manufacturer as white.)
Further, in a cluster type chamber or the like in a semiconductor manufacturing apparatus, the chamber and the reflection type beam sensor a are often partitioned by glass e. In this case, as shown in FIG. 9B, the detection distance is shortened by 10 to 20% (depending on the thickness, material, color and the like of glass).
[0009]
FIG. 9C shows a case where the detection range L of the reflection type beam sensor a is adjusted in accordance with the transfer of the high reflectance wafer b.
When a low-reflectivity wafer b is used for the sensor a, the detection distance is shortened and the wafer cannot be detected, as shown in FIG. 9D.
[0010]
FIG. 9E shows a case where the sensitivity of the sensor a is adjusted to the low-reflectance wafer b. In the same sensor a, when the high-reflectivity wafer b is used, the detection distance is as shown in FIG. Will be extended. In this case, erroneous recognition occurs due to reflection by the chamber bottom surface d.
[0011]
Further, as shown in FIG. 9 (G), when the robot drops the wafer b due to a chuck error or the like, there is a problem that the robot b is erroneously recognized as being present even though there is no wafer b.
[0012]
An ideal reflection-type beam sensor a covers from the high-reflectivity wafer b to the low-reflectivity wafer b, and has a detection range shown in FIG. 10, but has not been developed at present.
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the reflection type beam sensor has a feature that it can be easily mounted and can be implemented at low cost. However, at present, a sensor covering from a high reflectance wafer to a low reflectance wafer has not been developed. .
[0014]
For this reason, at present, there is a problem that a reflection type beam sensor having a long detection distance has to be used and the depth of the chamber has to be increased, resulting in an increase in the cost of the chamber.
[0015]
The present invention has been made based on the above circumstances, and can detect all kinds of wafers having different reflectances while being inexpensive, easy to adjust, and reliably detect erroneous detection due to a dropped wafer. It is an object of the present invention to provide a wafer detection device capable of preventing such a problem.
[0016]
[Means for Solving the Problems]
According to a first aspect of the present invention, there is provided a wafer detecting apparatus for detecting a wafer at a detection position in a chamber, wherein the sensitivity is adjusted to a low-reflectivity wafer and the wafer at the detection position is adjusted. A reflective beam sensor that detects the presence of a wafer by irradiating a detection beam and detects a reflected beam from the wafer, and a reflective beam sensor provided at a position opposite to the reflective beam sensor at the bottom of the chamber, and there is no wafer at the detection position. A detection beam transmission window for transmitting the detection beam reaching the bottom of the chamber, and a reflected beam provided in the vicinity of the detection beam transmission window, supporting the wafer dropped from the detection position to the bottom of the chamber in an inclined state. And a wafer support that reflects the light in a direction different from the direction in which the reflective beam sensor is provided.
[0017]
As a second means, there is provided a wafer detection device for detecting a wafer at a detection position in a chamber, wherein the sensitivity is adjusted to a low-reflectivity wafer, and a detection beam is irradiated to the wafer at the detection position to reflect the wafer. A reflective beam sensor that detects a wafer by detecting a beam, and is provided at a position opposite to the reflective beam sensor at the bottom of the chamber, and reaches the bottom of the chamber due to the absence of a wafer at the detection position. An inclined surface portion for reflecting the detection beam in a direction different from the direction in which the reflection type beam sensor is disposed, and a wafer provided near the inclined surface portion and supporting the wafer dropped from the detection position to the bottom of the chamber in an inclined state. A wafer support for reflecting a reflected beam in a direction different from the direction in which the reflective beam sensor is provided. A.
[0018]
As a third means, there is provided a wafer detecting device for detecting a wafer at a detection position in a chamber, wherein the sensitivity is adjusted to a low-reflectance wafer, and a detection beam is irradiated to the wafer at the detection position to reflect the wafer from the detection position. A reflective beam sensor that detects a wafer by detecting a beam, and is provided at a position opposite to the reflective beam sensor at the bottom of the chamber, and reaches the bottom of the chamber due to the absence of a wafer at the detection position. A low-reflectance surface for reducing the reflectance of the detection beam; and a reflection-type beam sensor provided near the low-reflectivity surface for supporting the wafer dropped from the detection position to the bottom of the chamber in an inclined state. And a wafer support for reflecting light in a direction different from the disposing direction.
[0019]
As a fourth means, there is provided a wafer detection device for detecting a wafer at a detection position in a chamber, wherein the sensitivity is adjusted to a low-reflectivity wafer, and a detection beam is irradiated to the wafer at the detection position to reflect the light from the wafer. A reflection type beam sensor that detects a wafer by detecting a beam, and a wafer that is provided at a position opposite to the reflection type beam sensor at the bottom of the chamber and falls from the detection position to the bottom of the chamber in an inclined state. While supporting and reflecting the reflected beam in a direction different from the direction in which the reflection type beam sensor is disposed, the detection beam that has reached the upper surface due to the absence of the wafer at the detection position is determined by the direction in which the reflection type beam sensor is disposed. Are configured to include a projection serving as an inclined surface that reflects light in different directions.
[0020]
As a fifth means, there is provided a wafer detection device for detecting a wafer at a detection position in a chamber, wherein the sensitivity is adjusted to the low-reflectivity wafer, and a detection beam is irradiated to the wafer at the detection position to reflect the light from the wafer. A reflection type beam sensor that detects a wafer by detecting a beam, and a wafer that is provided at a position opposite to the reflection type beam sensor at the bottom of the chamber and falls from the detection position to the bottom of the chamber in an inclined state. While supporting and reflecting the reflected beam in a direction different from the direction in which the reflection type beam sensor is provided, the upper surface is a low reflectance surface portion that reduces the reflectance of the detection beam that has arrived due to the absence of the wafer at the detection position. And a projection.
[0021]
[Action]
According to the wafer detecting device of the first means, since the reflection type beam sensor whose sensitivity is adjusted to that of the low-reflectivity wafer is used, the sensor detection distance becomes substantially long, and the high-reflectivity wafer is switched to the low-reflectivity wafer. Up to this point, detection can be performed without being affected by the reflectance.
[0022]
In addition, a detection beam transmission window is provided at a position opposite to the reflection type beam sensor at the bottom of the chamber so that the detection beam reaching the bottom of the chamber is transmitted when there is no wafer at the detection position. There is no influence of light, and erroneous detection can be reliably prevented.
[0023]
Further, a wafer support portion is provided near the detection beam transmitting window, the wafer that has fallen from the detection position to the bottom of the chamber is supported in an inclined state, and the reflected beam from the dropped wafer is aligned with the arrangement direction of the reflection type beam sensor. Since the light is reflected in different directions, erroneous detection due to the dropped wafer can be reliably prevented.
[0024]
Further, according to the wafer detecting device of the second means, since the reflection type beam sensor whose sensitivity is adjusted to the low reflectance wafer is used, the sensor detection distance becomes substantially long, and the low reflection from the high reflectance wafer is performed. It is possible to perform detection up to the wafer without being affected by the reflectance.
[0025]
Further, an inclined surface is provided at a position opposite to the reflection type beam sensor at the bottom of the chamber, and the detection beam reaching the bottom of the chamber due to the absence of the wafer at the detection position is directed in a direction different from the arrangement direction of the reflection type beam sensor. Since the light is reflected, there is no influence of the light reflected from the bottom surface of the chamber, and erroneous detection can be reliably prevented.
[0026]
Further, a wafer support is provided near the inclined surface to support the wafer dropped from the detection position to the bottom of the chamber in an inclined state, and the reflected beam from the dropped wafer is different from the arrangement direction of the reflection type beam sensor. Since the light is reflected in the direction, erroneous detection due to the dropped wafer can be reliably prevented.
[0027]
Further, according to the wafer detecting device of the third means, since the reflection type beam sensor whose sensitivity is adjusted to that of the low-reflectivity wafer is used, the sensor detection distance becomes substantially long, and the low-reflection wafer from the high-reflectivity wafer has low reflection. It is possible to perform detection up to the wafer without being affected by the reflectance.
[0028]
In addition, a low-reflectance surface is provided at a position opposite to the reflective beam sensor at the bottom of the chamber to reduce the reflectance of the detection beam reaching the bottom of the chamber due to the absence of a wafer at the detection position. Erroneous detection can be reliably prevented without the influence of reflected light.
[0029]
Further, a wafer support portion is provided near the low reflectivity surface portion, the wafer that has fallen from the detection position to the bottom of the chamber is supported in an inclined state, and the reflected beam from the dropped wafer is arranged in the same direction as the arrangement of the reflection type beam sensor. Since the light is reflected in different directions, erroneous detection due to the dropped wafer can be reliably prevented.
[0030]
Further, according to the wafer detecting device of the fourth means, since the reflection type beam sensor whose sensitivity is adjusted to that of the low-reflectivity wafer is used, the sensor detection distance becomes substantially long, and the low-reflection It is possible to perform detection up to the wafer without being affected by the reflectance.
[0031]
Further, a projection is provided at a position opposite to the reflection type beam sensor at the bottom of the chamber to support the wafer which has fallen from the detection position to the bottom of the chamber in an inclined state and distribute the reflection beam from the dropped wafer to the reflection type beam sensor. Since the light is reflected in a direction different from the setting direction, erroneous detection due to a dropped wafer can be reliably prevented. Further, the upper surface of the projection is an inclined surface, and the detection beam arrived by the absence of the wafer at the detection position is reflected in a direction different from the direction in which the reflection type beam sensor is provided. There is no influence of the reflected light from the bottom surface, and erroneous detection can be reliably prevented.
[0032]
Further, according to the wafer detecting device of the fifth means, since the reflection type beam sensor whose sensitivity is adjusted to that of the low-reflectivity wafer is used, the sensor detection distance becomes substantially longer, and the low-reflection It is possible to perform detection up to the wafer without being affected by the reflectance.
[0033]
Further, a projection is provided at a position opposite to the reflection type beam sensor at the bottom of the chamber to support the wafer which has fallen from the detection position to the bottom of the chamber in an inclined state and distribute the reflection beam from the dropped wafer to the reflection type beam sensor. Since the light is reflected in a direction different from the setting direction, erroneous detection due to a dropped wafer can be reliably prevented. In addition, since the upper surface of the protruding portion is a low-reflectance surface portion and the reflectivity of the detection beam reached by the absence of the wafer at the detection position is reduced, there is no influence of the reflected light from the bottom surface of the chamber, and the error is caused. Detection can be reliably prevented.
[0034]
【Example】
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
First, with reference to FIGS. 1 and 2, the configuration of a cluster-type heat treatment apparatus 10 to which the wafer detection apparatus of the present invention is applied will be described.
[0035]
As shown in FIG. 1, heat treatment apparatus 10 includes cassettes 3 and 4 in which wafers W are stored centering on transfer chamber 2 mainly including robot 1 as a wafer transfer means for transferring wafers W to predetermined positions. , And process chambers 7, 8 serving as processing chambers for processing the wafer W in a heated state are arranged around the cassette chambers 5, 6.
[0036]
The cassette chambers 5 and 6 are provided with first gate valves 20 and 21 for opening or shutting the cassette chambers 5 and 6 to the atmosphere. , 4 are exchanged.
[0037]
Further, between the cassette chambers 5, 6 and the transfer chamber 2, there are provided second gate valves 22, 23 for opening and closing between them. In this figure, the second gate valve 22 is open. Further, third gate valves 24 and 25 for opening and closing between the process chambers 7 and 8 and the transfer chamber 2 are provided.
[0038]
In the cassette chamber 5 and the cassette chamber 6, as shown in FIG. 2, there are provided elevating tables 32, 33 which can be moved up and down to a desired position by a vertically moving drive mechanism 31 including a motor 30. The cassettes 3 and 4 are exchangeably set on the lift tables 32 and 33.
[0039]
As shown in FIG. 1, the robot 1 has an arm 41 attached to a turning center shaft 40 and a pick as two wafer mounting portions symmetrically arranged around a shaft 42 at a free end of the arm 41. 43A and 43B, and the picks 43A and 43B are rotated 180 ° around the shaft 42 so as to alternately enter and leave the cassettes 3 and 4.
[0040]
Further, as shown in FIG. 2, a control device 50 as a control means is provided to control the heat treatment device 10. The control device 50 is connected to the motors 30, 30 of the vertical drive mechanisms 31, 31 of the lifts 32, 33 disposed in the cassette chambers 5, 6, and also for driving the robot 1. It is connected to the driving device 51.
[0041]
Next, the operation of the present apparatus will be described. The first gate valve 20 is opened, the cassette 3 containing the processed wafer W is taken out from the cassette chamber 5, and the cassette 3 containing the unprocessed wafer W is placed on the lift 32 instead.
[0042]
Next, the first gate valve 20 is closed to bring the cassette chamber 5 into the same reduced pressure state or the same atmospheric state as the transfer chamber 2, and then the second gate valve 22 is opened, and the cassette 3 is moved up and down and the robot 1 operates. The wafers W in the wafer 3 are taken out one by one and loaded one by one into the process chamber 7 or 8 to perform a process involving heating.
[0043]
The processed wafer W is taken out of the process chamber 7 or 8 by the robot 1 and transported into the cassette chamber 5, and the unprocessed wafers W in the cassette 3 are taken out one by one and processed in the process chamber 7 or 8. And carry out a process involving heating.
[0044]
In this way, the robot 1 sequentially carries out the processed wafers W from the process chambers 7 and 8 and carries in the unprocessed wafers W into the process chambers 7 and 8, and transfers the processed wafers W to the cassette 3. The operation of returning to is repeated.
[0045]
As shown in FIG. 2, a wafer detection device 61A having a reflection type beam sensor 60 is provided on an upper surface of a chamber 52A constituting the transfer chamber 2, and a wafer W in the chamber 52A, that is, the robot The wafer W supported by one pick 43A, 43B is detected.
[0046]
Next, a first embodiment of the wafer detecting device 61A will be described with reference to FIG.
The reflection type beam sensor 60 used in the wafer detection device 61A uses a red light reflection type beam sensor having a long detection distance L whose sensitivity is adjusted to that of a low-reflectivity wafer. It was adjusted to 300 mm.
[0047]
The detection distance L is selected through the glass 52A constituting the ceiling of the chamber 52, so that the attenuation is expected to be 10 to 20%. In order to correspond to a black wafer that cannot be detected if the detection distance is shortest, the detection distance L is selected. L was made longer. This is because if the detection distance L is short, detection of a black wafer may not be possible.
[0048]
Further, at a portion corresponding to the wafer detection position of the bottom 52A of the chamber 52, that is, at a position facing the reflection type beam sensor 60, the detection beam reaching the bottom 52B of the chamber 52 due to the absence of the wafer W at the detection position. A detection beam transmission window 62 for transmitting LB 'without reflection is formed. The detection beam transmitting window 62 is closed by a glass plate 63 made of a material that transmits the detection beam LB ′, and the airtightness of the chamber 52 is maintained.
[0049]
In the vicinity of the detection beam transmitting window 62, a projection 64 as a wafer support is formed, and the wafer W dropped from the picks 43A, 43B, which are detection positions, is moved to the bottom 52B of the chamber 52 by, for example, 4 to 15 mm. It is designed to be supported at an angle of about °.
[0050]
Then, the reflected beam LB from the wafer W ₁ Is reflected in a direction different from the direction in which the reflective beam sensor 60 is provided.
According to the wafer detection device 61A of the first embodiment, since the reflection type beam sensor 60 whose sensitivity is adjusted to that of the low-reflectivity wafer is used, the sensor detection distance L becomes substantially long, and a white-based wafer or the like is used. Detection can be performed from a high-reflectivity wafer W such as a mirror wafer to a low-reflectance wafer W such as a black wafer without being affected by the reflectance.
[0051]
Further, a detection beam transmission window 62 is provided at a position of the chamber bottom 52A facing the reflection type beam sensor 60 so that the detection beam LB 'reaching the bottom 52B of the chamber 52 can be transmitted when there is no wafer W at the detection position. Therefore, there is no influence of the reflected light from the chamber bottom surface 52B, and erroneous detection can be reliably prevented.
[0052]
Further, a projection 64 as a wafer support is provided near the detection beam transmitting window 62 to support the wafer W dropped from the detection position to the bottom 52B of the chamber 52 in an inclined state, and the reflected beam LB from the dropped wafer W is provided. ₁ Is reflected in a direction different from the direction in which the reflection type beam sensor 60 is disposed, so that erroneous detection due to the dropped wafer W can be reliably prevented.
[0053]
Next, with reference to FIG. 4, a configuration of a wafer detection device 61B according to a second embodiment will be described.
The reflection type beam sensor 60 used in the wafer detection device 61B uses a red light reflection type beam sensor having a long detection distance L whose sensitivity is adjusted to a low reflectance wafer. It was adjusted to 300 mm.
[0054]
In addition, at a portion corresponding to the wafer detection position on the bottom 52B of the chamber 52, that is, at a position facing the reflection type beam sensor 60, the detection beam reaching the bottom 52B of the chamber 52 due to the absence of the wafer W at the detection position. An inclined surface portion 70A for reflecting LB 'in a direction different from the direction in which the reflective beam sensor 60 is provided is formed. The inclined surface portion 70A is formed of a concave portion 71 formed on the bottom portion 52B of the chamber 52 so that the bottom surface is inclined.
[0055]
A projection 64 as a wafer support is formed in the vicinity of the inclined surface 70, and the wafer W dropped from the picks 43A and 43B, which are the detection positions, is about 4 to 15 ° with respect to the bottom 52B of the chamber 52. It is designed to be supported at an angle Θ. Then, the reflected beam LB from the wafer W ₁ Is reflected in a direction different from the direction in which the reflective beam sensor 60 is provided.
[0056]
According to the wafer detection device 61B of the second embodiment, since the reflection type beam sensor 60 whose sensitivity is adjusted to that of the low-reflectivity wafer is used, the sensor detection distance L becomes substantially long, and a white-based wafer or the like is used. Detection can be performed from a high-reflectivity wafer W such as a mirror wafer to a low-reflectance wafer W such as a black wafer without being affected by the reflectance.
[0057]
Further, an inclined surface 70A is provided at a position of the chamber bottom 52A opposite to the reflection type beam sensor 60, and the detection beam LB 'reaching the bottom 52B of the chamber 52 due to the absence of the wafer W at the detection position is reflected by the reflection type beam sensor 60. Is reflected in a direction different from the direction in which the light beam LB is disposed. ₂ It is possible to reliably prevent erroneous detection without being affected by the above.
[0058]
Further, a projection 64 as a wafer support is provided near the inclined surface 70A to support the wafer W dropped from the detection position to the bottom 52B of the chamber 52 in an inclined state, and the reflected beam LB from the dropped wafer W is provided. ₁ Is reflected in a direction different from the direction in which the reflection type beam sensor 60 is disposed, so that erroneous detection due to the dropped wafer W can be reliably prevented.
[0059]
Next, a configuration of a wafer detection device 61C according to a third embodiment will be described with reference to FIG.
The reflection type beam sensor 60 used in the wafer detection device 61C uses a red light reflection type beam sensor having a long detection distance L whose sensitivity is adjusted to a low reflectance wafer. It was adjusted to 300 mm.
[0060]
In addition, at a portion corresponding to the wafer detection position on the bottom 52B of the chamber 52, that is, at a position facing the reflection type beam sensor 60, the detection beam reaching the bottom 52B of the chamber 52 due to the absence of the wafer W at the detection position. An inclined surface portion 70B for reflecting LB 'in a direction different from the direction in which the reflective beam sensor 60 is provided is formed.
[0061]
The inclined surface portion 70B for reflection is constituted by one inclined surface portion 72A of a wide-angle V-shaped recess 72 formed by making a part of the bottom portion 52B of the chamber 52 inclined. The inclined upper end portion of the one inclined surface portion 72A supports the wafer W dropped from the picks 43A and 43B, which are the detection positions, in an inclined state at an angle 例えば of, for example, about 4 to 15 ° with respect to the bottom 52B of the chamber 52. And a support surface 64 'as a wafer support portion for the same. Then, the reflected beam LB from the wafer W ₁ Is reflected in a direction different from the direction in which the reflective beam sensor 60 is provided.
[0062]
According to the wafer detection device 61C of the third embodiment, since the reflection type beam sensor 60 whose sensitivity is adjusted to the low-reflectivity wafer is used, the sensor detection distance L becomes substantially long, and a white-based wafer or the like is used. Detection can be performed from a high-reflectivity wafer W such as a mirror wafer to a low-reflectance wafer W such as a black wafer without being affected by the reflectance.
[0063]
Further, an inclined surface portion 70B is provided on the chamber bottom 52A at a position facing the reflection type beam sensor 60, and the detection beam LB 'reaching the bottom 52B of the chamber 52 due to the absence of the wafer W at the detection position is reflected by the reflection type beam sensor 60. Is reflected in a direction different from the direction in which the light beam LB is disposed. ₂ It is possible to reliably prevent erroneous detection without being affected by the above.
[0064]
Further, a support surface 64 'as a wafer support portion is provided near the inclined surface portion 70B to support the wafer W dropped from the detection position to the bottom 52B of the chamber 52 in an inclined state, and the reflected beam LB from the dropped wafer W is provided. ₁ Is reflected in a direction different from the direction in which the reflection type beam sensor 60 is disposed, so that erroneous detection due to the dropped wafer W can be reliably prevented.
[0065]
Next, a configuration of a wafer detecting device 61D according to a fourth embodiment will be described with reference to FIG.
The reflection type beam sensor 60 used in the wafer detection device 61D uses a red light reflection type beam sensor having a long detection distance L whose sensitivity is adjusted to that of a low-reflectivity wafer. It was adjusted to 300 mm.
[0066]
In addition, at a portion corresponding to the wafer detection position on the bottom 52B of the chamber 52, that is, at a position facing the reflection type beam sensor 60, the detection beam reaching the bottom 52B of the chamber 52 due to the absence of the wafer W at the detection position. A low reflectance surface portion 75 for reducing the reflectance of LB 'is formed. The low reflectance surface portion 75 is formed on the bottom portion 52B of the chamber 52 by coloring the bottom surface with a rough surface or black.
[0067]
In the vicinity of the low-reflectance surface portion 75, a projection 64 as a wafer support portion is formed, and the wafer W dropped from the picks 43A and 43B, which are the detection positions, is set at 4 to 15 degrees with respect to the bottom 52B of the chamber 52. It is designed to be supported at an angle of about Θ. Then, the reflected beam LB from the wafer W ₁ Is reflected in a direction different from the direction in which the reflective beam sensor 60 is provided.
[0068]
According to the wafer detection device 61D of the fourth embodiment, since the reflection type beam sensor 60 whose sensitivity is adjusted to that of the low-reflectivity wafer is used, the sensor detection distance L becomes substantially long, and a white wafer or the like can be used. Detection can be performed from a high-reflectivity wafer W such as a mirror wafer to a low-reflectance wafer W such as a black wafer without being affected by the reflectance.
[0069]
Further, a low reflectance surface portion 75 is provided at a position of the chamber bottom 52A facing the reflection type beam sensor 60, and the absence of the wafer W at the detection position reduces the reflectance of the detection beam LB 'reaching the bottom 52B of the chamber 52. The reflected light LB from the chamber bottom surface 52B. ₂ It is possible to reliably prevent erroneous detection without being affected by the above.
[0070]
Further, a projection 64 as a wafer support is provided near the inclined surface 70B to support the wafer W dropped from the detection position to the bottom 52B of the chamber 52 in an inclined state, and the reflected beam LB from the dropped wafer W is provided. ₁ Is reflected in a direction different from the direction in which the reflection type beam sensor 60 is disposed, so that erroneous detection due to the dropped wafer W can be reliably prevented.
[0071]
Next, a configuration of a wafer detection device 61E according to a fifth embodiment will be described with reference to FIG.
The reflection type beam sensor 60 used in the wafer detection device 61E uses a red light reflection type beam sensor having a long detection distance L whose sensitivity is adjusted to that of the low-reflectivity wafer. It was adjusted to 300 mm.
[0072]
In addition, a portion of the bottom 52B of the chamber 52 corresponding to the wafer detection position, that is, a position facing the reflective beam sensor 60, is provided with the wafer W dropped from the picks 43A and 43B, which are the detection positions, at the bottom 52B of the chamber 52. For example, a projection 64B is provided as a wafer support portion for supporting an inclined state at an angle 程度 of about 4 to 15 °.
[0073]
Then, the reflected beam LB from the wafer W ₁ Is reflected in a direction different from the direction in which the reflective beam sensor 60 is provided.
The upper surface of the projection 64B has an inclined surface 80 that reflects the detection beam LB ′ reaching the bottom 52B of the chamber 52 due to the absence of the wafer W at the detection position in a direction different from the direction in which the reflective beam sensor 60 is provided. Is formed.
[0074]
According to the wafer detecting device 61E of the fifth embodiment, since the reflection type beam sensor 60 whose sensitivity is adjusted to that of the low-reflectivity wafer is used, the sensor detection distance L becomes substantially long, and a white-based wafer or the like is used. Detection can be performed from a high-reflectivity wafer W such as a mirror wafer to a low-reflectance wafer W such as a black wafer without being affected by the reflectance.
[0075]
Further, a projection 64B as a wafer support is provided at a portion corresponding to the wafer detection position on the bottom 52B of the chamber 52, and the wafer W that has fallen from the detection position to the bottom 52B of the chamber 52 is supported in an inclined state. Reflected beam LB from W ₁ Is reflected in a direction different from the direction in which the reflection type beam sensor 60 is disposed, so that erroneous detection due to the dropped wafer W can be reliably prevented.
[0076]
Further, an inclined surface portion 80 is formed on the upper surface of the projection 64B, and the detection beam LB ′ reaching the bottom portion 52B of the chamber 52 due to the absence of the wafer W at the detection position is directed to a direction different from the disposition direction of the reflection type beam sensor 60. LB reflected from the chamber bottom surface 52B. ₂ It is possible to reliably prevent erroneous detection without being affected by the above.
[0077]
Next, a configuration of a wafer detecting device 61F according to a sixth embodiment will be described with reference to FIG.
The reflection type beam sensor 60 used in the wafer detection device 61F uses a red light reflection type beam sensor having a long detection distance L whose sensitivity is adjusted to that of a low-reflectivity wafer. It was adjusted to 300 mm.
[0078]
In addition, a portion of the bottom 52B of the chamber 52 corresponding to the wafer detection position, that is, a position facing the reflective beam sensor 60, is provided with the wafer W dropped from the picks 43A and 43B, which are the detection positions, at the bottom 52B of the chamber 52. For example, a projection 64C is provided as a wafer support portion for supporting an inclined state at an angle 程度 of about 4 to 15 °.
[0079]
Then, the reflected beam LB from the wafer W ₁ Is reflected in a direction different from the direction in which the reflective beam sensor 60 is provided.
On the upper surface of the projection 64C, a low-reflectance surface portion 81 for reducing the reflectance of the detection beam LB 'reaching the bottom 52B of the chamber 52 due to the absence of the wafer W at the detection position is formed.
[0080]
According to the wafer detecting device 61F of the sixth embodiment, since the reflection type beam sensor 60 whose sensitivity is adjusted to the low-reflectivity wafer is used, the sensor detection distance L becomes substantially long, and the white wafer and the Detection can be performed without being affected by the reflectance from a high-reflectivity wafer W such as a mirror wafer to a low-reflectivity wafer W such as a black wafer.
[0081]
Further, a projection 64C as a wafer support is provided at a portion corresponding to the wafer detection position on the bottom 52B of the chamber 52, and the wafer W that has fallen from the detection position to the bottom 52B of the chamber 52 is supported in an inclined state. Reflected beam LB from W ₁ Is reflected in a direction different from the direction in which the reflection type beam sensor 60 is disposed, so that erroneous detection due to the dropped wafer W can be reliably prevented.
[0082]
Further, a low-reflectance surface portion 81 is formed on the upper surface of the projection 64C to reduce the reflectance of the detection beam LB 'reaching the bottom portion 52B of the chamber 52 due to the absence of the wafer W at the detection position. Light LB reflected from ₂ It is possible to reliably prevent erroneous detection without being affected by the above.
[0083]
According to the present invention, by adopting the above-described embodiment, it is possible to detect a wide range of wafers W having different surface reflectivities from a mirror surface wafer to a black wafer by one reflection type beam sensor.
[0084]
In addition, the distance from the surface of the wafer W to the bottom surface 52B of the chamber 52 is reduced due to less restrictions at the time of design, and a more appropriate shape of the chamber 52 can be obtained.
Also, should the wafer W fall into the chamber 52, it will be greatly useful for subsequent appropriate processing without erroneous recognition.
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified without departing from the spirit of the present invention.
[0085]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained.
According to the wafer detecting device of the present invention, since the reflection type beam sensor whose sensitivity is adjusted to that of the low reflectance wafer is used, the sensor detection distance is substantially long, and the high reflectance wafer and the low reflectance wafer are used. Up to this point, detection can be performed without being affected by the reflectance.
[0086]
In addition, a detection beam transmission window is provided at a position opposite to the reflection type beam sensor at the bottom of the chamber so that the detection beam reaching the bottom of the chamber is transmitted when there is no wafer at the detection position. There is no influence of light, and erroneous detection can be reliably prevented.
[0087]
Further, a wafer support portion is provided near the detection beam transmitting window, the wafer that has fallen from the detection position to the bottom of the chamber is supported in an inclined state, and the reflected beam from the dropped wafer is aligned with the arrangement direction of the reflection type beam sensor. Since the light is reflected in different directions, erroneous detection due to the dropped wafer can be reliably prevented.
[0088]
According to the second aspect of the present invention, since the reflective beam sensor whose sensitivity is adjusted to the low-reflectivity wafer is used, the sensor detection distance becomes substantially long, and the low-reflection from the high-reflectivity wafer. It is possible to perform detection up to the wafer without being affected by the reflectance.
[0089]
Further, an inclined surface is provided at a position opposite to the reflection type beam sensor at the bottom of the chamber, and the detection beam reaching the bottom of the chamber due to the absence of the wafer at the detection position is directed in a direction different from the arrangement direction of the reflection type beam sensor. Since the light is reflected, there is no influence of the light reflected from the bottom surface of the chamber, and erroneous detection can be reliably prevented.
[0090]
Further, a wafer support is provided near the inclined surface to support the wafer dropped from the detection position to the bottom of the chamber in an inclined state, and the reflected beam from the dropped wafer is different from the arrangement direction of the reflection type beam sensor. Since the light is reflected in the direction, erroneous detection due to the dropped wafer can be reliably prevented.
[0091]
According to the third aspect of the present invention, since the reflection type beam sensor whose sensitivity is adjusted to that of the low-reflectivity wafer is used, the sensor detection distance becomes substantially long, and the low-reflection from the high-reflectivity wafer. It is possible to perform detection up to the wafer without being affected by the reflectance.
[0092]
In addition, a low-reflectance surface is provided at a position opposite to the reflective beam sensor at the bottom of the chamber to reduce the reflectance of the detection beam reaching the bottom of the chamber due to the absence of a wafer at the detection position. Erroneous detection can be reliably prevented without the influence of reflected light.
[0093]
Further, a wafer support portion is provided near the low reflectivity surface portion, the wafer that has fallen from the detection position to the bottom of the chamber is supported in an inclined state, and the reflected beam from the dropped wafer is arranged in the same direction as the arrangement of the reflection type beam sensor. Since the light is reflected in different directions, erroneous detection due to the dropped wafer can be reliably prevented.
[0094]
According to the wafer detecting device of the present invention, since the reflection type beam sensor whose sensitivity is adjusted to that of the low-reflectivity wafer is used, the sensor detection distance becomes substantially longer, and the low-reflection from the high-reflectivity wafer is reduced. It is possible to detect the wafer up to the wafer without being affected by the reflectance.
[0095]
Further, a projection is provided at a position opposite to the reflection type beam sensor at the bottom of the chamber to support the wafer which has fallen from the detection position to the bottom of the chamber in an inclined state and distribute the reflection beam from the dropped wafer to the reflection type beam sensor. Since the light is reflected in a direction different from the setting direction, erroneous detection due to a dropped wafer can be reliably prevented. Further, the upper surface of the projection is an inclined surface, and the detection beam arrived by the absence of the wafer at the detection position is reflected in a direction different from the direction in which the reflection type beam sensor is provided. There is no influence of the reflected light from the bottom surface, and erroneous detection can be reliably prevented.
[0096]
According to the wafer detecting device of the present invention, since the reflection type beam sensor whose sensitivity is adjusted to that of the low reflectance wafer is used, the sensor detection distance becomes substantially long, and the low reflection from the high reflectance wafer is performed. It is possible to perform detection up to the wafer without being affected by the reflectance.
[0097]
Further, a projection is provided at a position opposite to the reflection type beam sensor at the bottom of the chamber to support the wafer which has fallen from the detection position to the bottom of the chamber in an inclined state and distribute the reflection beam from the dropped wafer to the reflection type beam sensor. Since the light is reflected in a direction different from the setting direction, erroneous detection due to a dropped wafer can be reliably prevented. In addition, since the upper surface of the protruding portion is a low-reflectance surface portion and the reflectivity of the detection beam reached by the absence of the wafer at the detection position is reduced, there is no influence of the reflected light from the bottom surface of the chamber, and the error is caused. Detection can be reliably prevented.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic plan sectional view showing the configuration of a cluster type heat treatment apparatus to which a wafer detection device of the present invention is applied.
FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA in FIG. 1;
FIG. 3 is a partial cross-sectional side view showing a first embodiment of the wafer detection device of the present invention.
FIG. 4 is a partial cross-sectional side view showing a second embodiment of the wafer detection device of the present invention.
FIG. 5 is a partial cross-sectional side view showing a third embodiment of the wafer detection device of the present invention.
FIG. 6 is a partial cross-sectional side view showing a fourth embodiment of the wafer detection device of the present invention.
FIG. 7 is a partial cross-sectional side view showing a fifth embodiment of the wafer detection device of the present invention.
FIG. 8 is a partial cross-sectional side view showing a sixth embodiment of the wafer detection device of the present invention.
FIG. 9 is an explanatory diagram showing various detection ranges of the reflection type beam sensor.
FIG. 10 is an explanatory diagram showing an ideal detection range of a sensor.
[Explanation of symbols]
W: Wafer, 10: Heat treatment device, 43A, 43B: Pick (wafer mounting portion), 52: Chamber, 52A: Glass, 52B: Bottom, 60: Reflective beam sensor, 61A, 61B, 61C, 61D, 61E , 61F, 61G: Wafer detecting device, 62: Detection beam transmitting window, 63: Glass plate, 64, 64 ', 64B, 64C: Projection (wafer supporting portion), 70: Inclined surface portion, 70B: Inclined surface portion, 71, 72 ... recess, 75 ... low reflectance surface part, 80 ... inclined surface part, 81 ... low reflectance surface part, 90 ... detection distance adjustment filter, L ... detection distance, LB ... detection beam, LB '... detection beam reaching the bottom part, LB ₁ ... Reflected beam from wafer, LB ₂ ... the reflected beam from the bottom.

Claims

チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、
感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、
前記チャンバ底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームを透過させる検知ビーム透過窓と、
この検知ビーム透過窓の近傍に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるウエハ支持部と、
を具備することを特徴するウエハ検知装置。A wafer detection device that detects a wafer at a detection position in a chamber,
A reflection type beam sensor that detects the presence of a wafer by irradiating a detection beam to the wafer at the detection position by adjusting the sensitivity to the low reflectance wafer and detecting the reflection beam from the wafer,
A detection beam transmission window provided at a position opposite to the reflection type beam sensor at the bottom of the chamber and transmitting a detection beam reaching the bottom of the chamber due to the absence of a wafer at the detection position;
A wafer support that is provided near the detection beam transmitting window and supports the wafer that has fallen from the detection position to the bottom of the chamber in an inclined state to reflect a reflected beam in a direction different from the direction in which the reflection type beam sensor is provided; Department and
A wafer detection device comprising:

チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、
感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、
前記チャンバの底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させる傾斜面部と、
この傾斜面部の近傍に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるウエハ支持部と、
を具備することを特徴するウエハ検知装置。A wafer detection device that detects a wafer at a detection position in a chamber,
A reflection type beam sensor that detects the presence of a wafer by irradiating a detection beam to the wafer at the detection position by adjusting the sensitivity to the low reflectance wafer and detecting the reflection beam from the wafer,
The detection beam is provided at a position opposite to the reflection type beam sensor at the bottom of the chamber and reaches the bottom of the chamber due to the absence of a wafer at the detection position in a direction different from the direction in which the reflection type beam sensor is provided. An inclined surface to be reflected,
A wafer support unit provided in the vicinity of the inclined surface, for supporting the wafer dropped from the detection position to the bottom of the chamber in an inclined state and reflecting a reflected beam in a direction different from the direction in which the reflective beam sensor is provided; ,
A wafer detection device comprising:

チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、
感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、
前記チャンバの底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置にウエハがないことによりチャンバの底部に到達した検知ビームの反射率を減ずる低反射率面部と、
この低反射率面部の近傍に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させるウエハ支持部と、
を具備することを特徴するウエハ検知装置。A wafer detection device that detects a wafer at a detection position in a chamber,
A reflection type beam sensor that detects the presence of a wafer by irradiating a detection beam to the wafer at the detection position by adjusting the sensitivity to the low reflectance wafer and detecting the reflection beam from the wafer,
A low-reflectance surface portion provided at a position opposite to the reflection-type beam sensor at the bottom of the chamber and reducing the reflectance of the detection beam reaching the bottom of the chamber due to the absence of a wafer at the detection position;
A wafer support provided in the vicinity of the low reflectivity surface portion for supporting the wafer dropped from the detection position to the bottom of the chamber in an inclined state to reflect a reflected beam in a direction different from the direction in which the reflection type beam sensor is provided; Department and
A wafer detection device comprising:

チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、
感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、
前記チャンバの底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させると共に、上面が前記検知位置にウエハがないことにより到達した検知ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させる傾斜面部となる突起部と、
を具備することを特徴するウエハ検知装置。A wafer detection device that detects a wafer at a detection position in a chamber,
A reflection type beam sensor that detects the presence of a wafer by irradiating a detection beam to the wafer at the detection position by adjusting the sensitivity to the low reflectance wafer and detecting the reflection beam from the wafer,
The direction in which the reflection beam sensor is provided at a position opposite to the reflection type beam sensor at the bottom of the chamber and supports the wafer that has fallen from the detection position to the bottom of the chamber in an inclined state, and reflects the reflection beam. A projecting portion that becomes an inclined surface portion that reflects in a different direction, and reflects a detection beam whose upper surface has reached by the absence of the wafer at the detection position in a direction different from the arrangement direction of the reflective beam sensor,
A wafer detection device comprising:

チャンバ内の検知位置にあるウエハを検知するウエハ検知装置であって、
感度を低反射率ウエハに合わせ前記検知位置にあるウエハに検知ビームを照射しウエハからの反射ビームを検知することによりウエハ有として検知する反射型ビームセンサと、
前記チャンバの底部の前記反射型ビームセンサに対向する位置に設けられ、前記検知位置からチャンバの底部に落下したウエハを傾斜状態に支持して反射ビームを前記反射型ビームセンサの配設方向とは異なる方向へ反射させると共に、上面が前記検知位置にウエハがないことにより到達した検知ビームの反射率を減ずる低反射率面部となる突起部と、
を具備することを特徴するウエハ検知装置。A wafer detection device that detects a wafer at a detection position in a chamber,
A reflection type beam sensor that detects the presence of a wafer by irradiating a detection beam to the wafer at the detection position by adjusting the sensitivity to the low reflectance wafer and detecting the reflection beam from the wafer,
The direction in which the reflection beam is provided is provided at a position opposite to the reflection type beam sensor at the bottom of the chamber and supports the wafer dropped from the detection position to the bottom of the chamber in an inclined state and the reflection beam is disposed. While projecting in a different direction, a projection that becomes a low-reflectance surface portion that reduces the reflectance of the detection beam that has reached because the upper surface has no wafer at the detection position,
A wafer detection device comprising: