JP3585114B2 - 分周器 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は無線通信機の局部発振器等に利用することができる分周器に関し、さらに詳細には選択的に入力信号(本明細書において、基本波とも記す)をそのまま出力できる分周器に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の分周器には、例えば図5に示すように、分周器を構成する分周器集積回路1に端子SW1および端子SW2を有し、端子SW1および端子SW2に印加する制御信号のHレベル、Lレベルに基づいて、図6に示すように、分周比を1/2、1/4、1/8に切り換えることができるものが存在する。かかる分周器集積回路1の一つに例えば、モトローラ社製のMC12093がある。図5において、端子SBはスタンバイモードのための端子を、端子INは入力端子を、端子Vccは電源端子を、端子GNDはアース端子を、端子OUTは出力端を示し、符号C1およびC2は結合コンデンサである。
【0003】
かかる分周器を無線通信機の局部発振器等を構成する周波数シンセサイザの一部に使用することにより、該周波数シンセサイザの一部を構成する電圧制御発振器の発振周波数範囲を狭くすることが可能になる。
【0004】
しかしながら、かかる分周器集積回路1には入力信号、すなわち基本波をそのまま(分周比1/1)で出力する機能はなく、基本波をも選択的に出力したい分周器を構成する場合、図7に示す如く、分周器集積回路1の外部に、例えば入力信号発生源である電圧制御発振器2の発振出力を分周器集積回路1に選択的に入力するための切り換えスイッチ回路3および電圧制御発振器2の発振出力を分周器集積回路1の分周出力に代わって選択的に出力するための切り換えスイッチ回路4を設けて、分周器集積回路1の端子SW1および端子SW2に各別に制御信号1、制御信号2を供給すると共に、切り換えスイッチ回路3には制御信号3をインバータ6を介して供給して切り換えスイッチ回路3を切り換え、切り換えスイッチ回路4には制御信号3を直接供給して切り換えスイッチ回路4を切り換えるように構成していた。
【0005】
このように構成することによって、図8に示す如く、制御信号がLレベルのときにおける制御信号1、2のHレベル、Lレベルの組み合わせに基づいて、分周比1/2、1/4、1/8の出力信号のほかに、制御信号3がHレベルのとき制御信号1および2のレベルにかかわらず分周比1/1の出力信号、すなわち基本波が送出される。図8において×はHまたはLレベルの何れでもよいことを示している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記したような従来の分周器では、分周器集積回路の制御に基本波を出力する制御がなかったために、基本波を選択的に通す切り換えスイッチ回路を設け、該切り換えスイッチ回路を切り換制御するための制御信号が必要となるという問題点があった。
【0007】
このために、制御のための信号線の数が増加するという問題点もあった。
【0008】
本発明は、分周器制御のための信号線の数を増加させることなく、基本波を選択的に出力することができる分周器を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる請求項1の分周器は、入力された制御信号の組み合わせに基づく分周比で入力信号を分周して出力する分周器集積回路と、
該分周器集積回路に供給される入力信号を選択的に遮断する第1の切り換え手段と、
前記分周器集積回路の出力に代わって前記入力信号を選択的に送出する第2の切り換え手段と、
前記分周器集積回路が同一分周比の出力を送出させる制御信号の複数の組み合わせ中の一方の組み合わせのみの制御信号が入力されたとき出力によって第2の切り換え手段を導通状態に制御するアンドゲートと、該アンドゲートの出力を入力とし前記第2の切換手段が導通状態に制御されているとき出力によって第1の切り換え手段を遮断状態に制御するインバータとを含む制御手段と、
を備えたことを特徴とし、
本発明にかかる請求項2の分周器は、入力された制御信号の組み合わせに基づく分周比で入力信号を分周して出力する分周器集積回路と、
該分周器集積回路に供給される入力信号を選択的に遮断する第1のダイオードを含む第1の切り換え手段と、
前記分周器集積回路の出力に代わって前記入力信号を選択的に送出する第2のダイオードを含む第2の切り換え手段と、
前記分周器集積回路が同一分周比の出力を送出させる制御信号の複数の組み合わせ中の一方の組み合わせのみの制御信号が入力されたとき、第1のダイオードをオフ状態に制御し、かつ第2のダイオードをオン状態に制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする。
【0010】
本発明にかかる請求項1および2の分周器によれば、分周器集積回路が同一分周比の出力を送出させる制御信号の複数の組み合わせ中の一方の組み合わせの制御信号のみが制御手段に供給されたとき、第1の切り換え手段が遮断状態に制御されて分周器集積回路への入力信号の供給が遮断され、第2の切り換え手段が導通状態に制御されて分周器集積回路の分周出力に代わって入力信号がそのまま出力されるため、分周のための制御信号の数を増加させることなしに、分周比1/1である入力信号をそのまま送出することができることになる。また、前記一方の組み合わせの制御信号以外の組み合わせの制御信号が分周器集積回路に供給されているときは、供給された制御信号の組み合わせに基づく分周比で分周された入力信号が、分周器の出力信号として出力される。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明にかかる分周器を実施の一形態によって説明する。
【0012】
図1は本発明の実施の一形態にかかる分周器10の構成を示すブロック図であり、図1において図5および図7に示した構成要素と同一の構成要素には同一の符号を付して示し、分周器集積回路1の各端子の説明は省略する。
【0013】
本発明の実施の一形態にかかる分周器10は、分周器集積回路1の外部に、入力信号発生源である電圧制御発振器2の発振出力を分周器集積回路1に選択的に入力するための切り換えスイッチ回路3および電圧制御発振器2の発振出力を分周器集積回路1の分周出力に代わって選択的に出力するための切り換えスイッチ回路4と、制御信号1と制御信号2を反転した信号を入力するアンドゲート5と、アンドゲート5の出力を反転するインバータ6とを設けて、分周器集積回路1の端子SW1および端子SW2に各別に制御信号1、制御信号2を供給すると共に、切り換えスイッチ回路3にはインバータ6を介してアンドゲート5の出力を供給して切り換えスイッチ回路3を切り換え、切り換えスイッチ回路4にはアンドゲート5の出力を直接供給して切り換えスイッチ回路4を切り換えるように構成する。
【0014】
ここで、切り換えスイッチ回路3は第1の切り換え手段に対応し、切り換えスイッチ回路4は第2の切り換え手段に対応し、アンドゲート5およびインバータ6は制御手段に対応している。
【0015】
上記のように構成した分周器10において、制御信号1および制御信号2が共にLレベルのときは、アンドゲート5の出力はLレベルであって、切り換えスイッチ回路4はオフ状態に制御され、オフ状態に制御された切り換えスイッチ回路4によって電圧制御発振器2の発振出力は遮断されて分周器10から出力されず、インバータ6の出力はHレベルであって、切り換えスイッチ回路3はオン状態に制御され、オン状態に制御された切り換えスイッチ回路3を介して電圧制御発振器2の発振出力は分周器集積回路1に供給されて、分周器集積回路1の分周出力が分周器10の出力として送出される。一方、分周器集積回路1の端子SW1および端子SW2にはLレベルの制御信号1および2が供給されるために、分周器10の分周比は、図2に示す如く、1/8となる。
【0016】
制御信号1がHレベルであり、かつ制御信号2がLレベルのときは、アンドゲート5の出力はHレベルであって、インバータ6の出力はLレベルであり、切り換えスイッチ回路3はオフ状態に制御され、オフ状態に制御された切り換えスイッチ回路3によって電圧制御発振器2の発振出力は遮断されて分周器集積回路1には供給されず、切り換えスイッチ回路4はオン状態に制御され、オン状態に制御された切り換えスイッチ回路4を介して電圧制御発振器2の発振出力はそのまま分周器10の出力として送出される。すなわち、分周器10の分周比は、図2に示す如く、1/1となる。
【0017】
制御信号1がLレベルであり、かつ制御信号2がHレベルのときは、アンドゲート5の出力はLレベルであって、切り換えスイッチ回路4はオフ状態に制御され、オフ状態に制御された切り換えスイッチ回路4によって電圧制御発振器の発振出力は遮断されて分周器10から出力されず、インバータ6の出力はHレベルであって、切り換えスイッチ回路3はオン状態に制御され、オン状態に制御された切り換えスイッチ回路3を介して電圧制御発振器2の発振出力は分周器集積回路1に供給されて、分周器集積回路1の分周出力が分周器10の出力として送出される。一方、分周器集積回路1の端子SW1にはLレベルの制御信号1が供給され、かつ分周器集積回路1の端子SW2にはHレベルの制御信号2が供給されるために、分周器10の分周比は、図2に示す如く、1/4となる。
【0018】
制御信号1および制御信号2が共にHレベルのときは、アンドゲート5の出力はLレベルであって、切り換えスイッチ回路4はオフ状態に制御され、オフ状態に制御された切り換えスイッチ回路4によって電圧制御発振器の発振出力は遮断されて分周器10から出力されず、インバータ6の出力はHレベルであって、切り換えスイッチ回路3はオン状態に制御され、オン状態に制御された切り換えスイッチ回路3を介して電圧制御発振器2の発振出力は分周器集積回路1に供給されて、分周器集積回路1の分周出力が分周器10の出力として送出される。一方、分周器集積回路1の端子SW1および端子SW2にはHレベルの制御信号が供給されるために、分周器10の出力の分周比は、図2に示す如く、1/2となる。
【0019】
上記のように、分周器10によれば、分周器集積回路1に供給される入力信号を選択的に遮断する切り換えスイッチ回路3と、前記入力信号を分周集積回路1の出力に代わって選択的に送出する切り換えスイッチ回路4とを設けて、分周器集積回路1が同一の分周比の出力を送出する制御信号の2つの組み合わせを利用して、該2つの組み合わせの一方の組み合わせの制御信号によって切り換えスイッチ回路3および4を制御して、入力信号を分周器集積回路1の出力に代わって分周器10の出力としたため、制御信号の数を増加させずに、選択的に分周器集積回路1による分周出力と分周器集積回路1をバイパスさせた入力信号とを送出することができる。
【0020】
次に本発明にかかる分周器の他の実施の形態について説明する。
【0021】
図3は本発明の他の実施の形態にかかる分周器20の構成を示すブロック図である。
【0022】
分周器20は、分周器集積回路1の端子SW1および端子SW2に各別に制御信号1と制御信号2を印加し、分周器集積回路1の端子OUTからの分周出力を結合コンデンサC4を介して分周器20の分周出力として選択的に送出させる。
【0023】
一方、電源電圧がエミッタに供給されたトランジスタQ2のベースに抵抗R5およびダイオードD1の直列回路を介して制御信号1を印加して、制御信号1に基づいてダイオードD1をオン・オフ制御して、ダイオードD1のオン・オフに基づいてトランジスタQ2をオン・オフ制御する。
【0024】
さらに、トランジスタQ2のベースを抵抗R5とトランジスタQ1との直列回路を介してアースし、トランジスタQ1のベースに制御信号2を印加して、制御信号2に基づいてトランジスタQ1をオン・オフ制御して、トランジスタQ1のオン・オフに基づいてトランジスタQ2をオン・オフ制御する。
【0025】
トランジスタQ2のコレクタは分周器集積回路1の端子Vccおよび端子SBに接続して、トランジスタQ2を介して分周器集積回路1の端子Vccおよび端子SBに電源電圧Vccを印加すると共に、トランジスタQ2のコレクタを介して出力される電源電圧Vccを抵抗R1を介して分周器集積回路1の入力端子INおよびダイオードD2のアノードに印加する。抵抗R1を介した電源電圧Vccの印加によってダイオードD2をオン状態に制御して、結合コンデンサC1およびダイオードD2を介して供給される入力信号を分周器20の端子INに印加する。
【0026】
一方、電源電圧Vccを抵抗R3とR4とによって分圧し、ダイオードD2のカソードは抵抗R2を介してアースして、ダイオードD2を介して抵抗R1と抵抗R2とによって電源電圧Vccを分圧し、抵抗R3と抵抗R4との分圧電圧をダイオードD3のアノードに供給し、抵抗R1と抵抗R2との分圧電圧をダイオードD3のカソードに印加して、抵抗R1と抵抗R2による分圧電圧に基づいてダイオードD3をオン・オフ制御して、結合コンデンサC1を介して供給される入力信号をダイオードD3および結合コンデンサC3を介して分周器20の出力として選択的に送出させる。
【0027】
ここで、トランジスタQ2がオン状態の時には、抵抗R1と抵抗R2とによる分圧電圧が抵抗R3と抵抗R4とによる分圧電圧より高くなるように、逆にトランジスタQ2がオフ状態の時には、抵抗R1と抵抗R2とによる分圧電圧が抵抗R3と抵抗R4とによる分圧電圧より低くなるように、抵抗R1、R2、R3、R4の抵抗値が選択してある。
【0028】
ここで、ダイオードD2が第1の切り換え手段に対応し、ダイオードD3が第2の切り換え手段に対応し、トランジスタQ1およびQ2、ダイオードD1、抵抗R1〜抵抗R4が実質的に制御手段に対応している。
【0029】
上記のように構成された分周器20において、制御信号1および制御信号2が共にLレベルのときは、トランジスタQ1がオフ状態に制御され、ダイオードD1がオン状態に制御されて、トランジスタQ2はオン状態になって電源電圧Vccが分周器集積回路1の端子SB、端子Vccおよび抵抗R1に印加される。したがって、ダイオードD2はオン状態に制御され、かつ抵抗R1と抵抗R2による分圧電圧によってダイオードD3はオフ状態に制御されて、分周器20の入力はダイオードD2を介して分周器集積回路1の端子INに供給されて分周され、分周器集積回路1の分周出力が分周器20の分周出力として送出される。この場合、出力の分周比は制御信号1および制御信号2が共にLレベルのため、図4に示す如く、1/8となる。
【0030】
制御信号1がHレベルであり、かつ制御信号2がLレベルのときは、ダイオードD1およびトランジスタQ1が共にオフ状態に制御されて、トランジスタQ2はオフ状態になって電源電圧Vccは分周器集積回路1の端子SB、端子Vccおよび抵抗R1に印加されない。したがって、ダイオードD2はオフ状態に制御され、かつ抵抗R3と抵抗R4による分圧電圧によってダイオードD3はオン状態に制御されて、分周器20の入力はダイオードD3および結合コンデンサC3を介して分周器20の出力としてそのまま送出される。すなわちこの場合は、分周器20の出力は、図4に示す如く、1/1となる。
【0031】
制御信号1がLレベルであり、かつ制御信号2がHレベルのときは、ダイオードD1がオン状態に制御され、かつトランジスタQ1もオン状態に制御されて、トランジスタQ2はオン状態になって電源電圧Vccが分周器集積回路1の端子SB、端子Vccおよび抵抗R1に印加される。したがって、ダイオードD2はオン状態に制御され、かつ抵抗R1と抵抗R2による分圧電圧によってダイオードD3はオフ状態に制御されて、分周器20の入力はダイオードD2を介して分周器集積回路1の端子INに供給されて分周され、分周器集積回路1の分周出力が分周器20の分周出力として送出される。この場合、出力の分周比は制御信号1がLレベルであり、かつ制御信号2がHレベルのため、図4に示す如く、1/4となる。
【0032】
制御信号1および制御信号2が共にHレベルのときは、ダイオードD1がオフ状態に制御されるが、トランジスタQ1がオン状態に制御されて、トランジスタQ2はオン状態になって電源電圧Vccが分周器集積回路1の端子SB、端子Vccおよび抵抗R1に印加される。したがって、ダイオードD2はオン状態に制御され、かつ抵抗R1と抵抗R2による分圧電圧によってダイオードD3はオフ状態に制御されて、分周器20の入力はダイオードD2を介して分周器集積回路1の端子INに供給されて分周され、分周器集積回路1の分周出力が分周器20の分周出力として送出される。この場合、出力の分周比は制御信号1および制御信号2が共にHレベルのため、図4に示す如く、1/2となる。
【0033】
以上説明したように分周器20によれば、分周器集積回路1に供給される入力信号を選択的に遮断するダイオードD2と、前記入力信号を分周集積回路1の出力に代わって選択的に送出するダイオードD3とを設けて、分周器集積回路1が同一の分周比の出力を送出する制御信号の2つの組み合わせを利用して、該2つの組み合わせの一方の組み合わせの制御信号によってダイオードD2およびD3を制御して、入力信号を分周器集積回路1の出力に代わって分周器20の出力としたため、制御信号の数を増加させずに、選択的に分周器集積回路1による分周出力と分周器集積回路1をバイパスさせた入力信号とを送出することができる。
【0034】
【発明の効果】
以上説明したように本発明にかかる分周器によれば、分周器制御のための信号線の数を増加させることなく、基本波を選択的に出力することができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態にかかる分周器の構成を示すブロック図である。
【図2】図1に示した分周器の作用の説明に供する説明図である。
【図3】本発明の他の実施の形態にかかる分周器の構成を示すブロック図である。
【図4】図3に示した分周器の作用の説明に供する説明図である。
【図5】分周器集積回路の説明に供するブロック図である。
【図6】図5に示した分周器集積回路の作用の説明に供する説明図である。
【図7】従来の分周器の構成を示すブロック図である。
【図8】図7に示した分周器集積回路の作用の説明に供する説明図である。
【符号の説明】
1 分周器集積回路
3および4 切り換えスイッチ回路
5 アンドゲート
6 インバータ
10および20 分周器
D1〜D3 ダイオード
Q1およびQ2 トランジスタ
Claims (2)
- 入力された制御信号の組み合わせに基づく分周比で入力信号を分周して出力する分周器集積回路と、
該分周器集積回路に供給される入力信号を選択的に遮断する第1の切り換え手段と、
前記分周器集積回路の出力に代わって前記入力信号を選択的に送出する第2の切り換え手段と、
前記分周器集積回路が同一分周比の出力を送出させる制御信号の複数の組み合わせ中の一方の組み合わせのみの制御信号が入力されたとき出力によって第2の切り換え手段を導通状態に制御するアンドゲートと、該アンドゲートの出力を入力とし前記第2の切換手段が導通状態に制御されているとき出力によって第1の切り換え手段を遮断状態に制御するインバータとを含む制御手段と、
を備えたことを特徴とする分周器。 - 入力された制御信号の組み合わせに基づく分周比で入力信号を分周して出力する分周器集積回路と、
該分周器集積回路に供給される入力信号を選択的に遮断する第1のダイオードを含む第1の切り換え手段と、
前記分周器集積回路の出力に代わって前記入力信号を選択的に送出する第2のダイオードを含む第2の切り換え手段と、
前記分周器集積回路が同一分周比の出力を送出させる制御信号の複数の組み合わせ中の一方の組み合わせのみの制御信号が入力されたとき、第1のダイオードをオフ状態に制御し、かつ第2のダイオードをオン状態に制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする分周器。
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