JP2001345638A - ３バンド切替型発振器 - Google Patents

３バンド切替型発振器

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 切替端子の数を削減して小型化を図ると共
に、切替電圧を発生する携帯電話機本体側の構成を簡素
化する。 【解決手段】 第一及び第二の電圧制御発振器１、１１
の動作・不動作を切替ると共に、第一の電圧制御発振器
１の発振周波数帯の切替回路９は第一の電圧制御発振器
１動作のための第一のスイッチ手段９ｇと、第二の電圧
制御発振器１１動作のための第二のスイッチ手段９ｈ、
９ｉと、切替電圧用の切替端子９ｂ、９ｃとを有し、切
替端子９ｂに入力される切替電圧で第一のスイッチ手段
９ｇを開閉し、切替端子９ｃに入力される切替電圧で発
振周波数帯を切り換え、第二のスイッチ手段９ｈ、９ｉ
を、切替端子９ｃをハイレベルにした状態においての
み、切替端子９ｂがハイレベルのときに開状態とすると
共に、ローレベルのときに閉状態とし、切替端子９ｃが
ローレベルのときには、切替端子９ｂの電圧の如何に関
わらず開状態とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話機等に使
用され、三つの周波数帯域のいずれかで発振信号を出力
する３バンド切替型発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の発振器は、携帯電話の複数のシス
テムに対応出来るように、複数の周波数帯域で発振させ
るように構成されている。図５は、三つのシステムに対
応する従来の３バンド切替型発振器の構成を示し、例え
ば、ＤＣＳ（１８００ＭＨｚ帯のセルラー電話）、ＰＣ
Ｓ（１９００ＭＨｚ帯のセルラー電話）、ＧＳＭ（９０
０ＭＨ帯のセルラー電話）の各システムに対応させてい
る。そして、いずれかの周波数帯の発振信号を出力する
か、または、いずれの周波数帯の発振信号も出力しない
かの四通りのモードで使用される。
【０００３】図５において、第一の電圧制御発振器３１
は第一の発振トランジスタ３２と、そのベースに接続さ
れた第一の共振回路３３とを有し、コレクタ接地型の発
振器として構成される。第一の共振回路３３には第一の
バラクタダイオード３３ａ、直列接続された共振線路３
３ｂ、３３ｃ等が設けられ、一方の共振線路３３ｃには
スイッチダイオード３３ｄが並列に接続される。第一の
バラクタダイオード３３ａのアノードは接地され、カソ
ードは制御端子３４に接続される。また、スイッチダイ
オード３３ｄのカソードは接地される。発振信号は第一
の発振トランジスタ３２のエミッタから出力されて、第
一の増幅器３５を構成する第一の増幅トランジスタ３５
ａのベースに入力される。そして、増幅された発振信号
は第一の増幅トランジスタ３５ａのコレクタから出力さ
れる。
【０００４】第一の増幅トランジスタ３５ａと第一の発
振トランジスタ３２とは電源に対して直列に接続され、
第一の増幅トランジスタ３５ａのコレクタに電源電圧Ｖ
ｂが印加され、そのエミッタから第一の発振トランジス
タ３２のコレクタに電圧が供給される。また、第一の増
幅トランジスタ３５ａのベースと第一の発振トランジス
タ３２のベースとにはバイアス電圧を設定するための抵
抗３６、３７、３８が接続され、抵抗３６は第一のスイ
ッチトランジスタ３９のエミッタに接続される。第一の
スイッチトランジスタ３９のコレクタには電源電圧Ｖｂ
が供給され、ベースは第一の切替端子４０に接続され
る。また、スイッチダイオード３３ｄのアノードは第二
の切換端子４１に接続される。
【０００５】一方、第二の電圧制御発振器５１は第二の
発振トランジスタ５２と、そのベースに接続された第二
の共振回路５３とを有し、コレクタ接地型の発振器とし
て構成される。第二の共振回路５３には第二のバラクタ
ダイオード５３ａ、共振線路５３ｂ等が設けられる。第
二のバラクタダイオード５３ａのアノードは接地され、
カソードは制御端子３４に接続される。発振信号は第二
の発振トランジスタ５２のエミッタから出力され、第二
の増幅器５４を構成する第二の増幅トランジスタ５４ａ
のベースに入力される。そして、増幅された発振信号は
第二の増幅トランジスタ５４ａのコレクタから出力され
る。
【０００６】第二の増幅トランジスタ５４ａと第二の発
振トランジスタ５２とは電源に対して直列に接続され、
第二の増幅トランジスタ５４ａのコレクタに電源電圧Ｖ
ｂが印加され、そのエミッタから第二の発振トランジス
タ５２のコレクタに電圧が供給される。また、第二の増
幅トランジスタ５４ａのベースと第二の発振トランジス
タ５２のベースとにはバイアス電圧を設定するための抵
抗５５、５６、５７が接続され、抵抗５５が第二のスイ
ッチトランジスタ５８のエミッタに接続される。第二の
スイッチトランジスタ５８のコレクタには電源電圧Ｖｂ
が供給され、ベースは第三の切替端子５９に接続され
る。
【０００７】以上の構成において、第一の切替端子４０
と第二の切換端子４１と第三の切換端子５９とには携帯
電話機の本体側から送られてくるハイレベル又はローレ
ベルの切替電圧が印加される。この切替電圧による各電
圧制御発振器３１、５１の動作を図６に従って説明す
る。図６の説明において、第一乃至第三の切替端子４
０、４１、５９をそれぞれＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３と
し、ハイレベル、ローレベルの切替電圧をそれぞれ
（Ｈ）、（Ｌ）とする。また、第一の電圧制御発振器３
１をＶＣＯ１、第二の電圧制御発振器５１をＶＣＯ２と
する。
【０００８】先ず、ＳＷ１が（Ｌ）のときは、第一のス
イッチトランジスタ３９がオフとなって第一の発振トラ
ンジスタ３２のベースにバイアス用の電圧が供給されな
いので、第一の電圧制御発振器３１は不動作である。逆
に、ＳＷ１が（Ｈ）のときは動作状態となる。そして、
動作状態のときに、ＳＷ２が（Ｌ）であればスイッチダ
イオード３３ｄがオフとなるのでＶＣＯ１は周波数の低
い第一の周波数帯で発振する。この周波数帯はＤＣＳシ
ステムに対応するものとなる。一方、ＳＷ２が（Ｈ）で
あればスイッチダイオード３３ｄがオンとなるのでＶＣ
Ｏ１は周波数の高い第二の周波数帯で発振する。この周
波数帯はＰＣＳシステムに対応するものとなる。
【０００９】同様に、ＳＷ３が（Ｌ）のときは、第二の
スイッチトランジスタ５８がオフとなって第二の発振ト
ランジスタ５２のベースにバイアス用の電圧が供給され
ないので、第二の電圧制御発振器５１は不動作である。
逆に、ＳＷ２が（Ｈ）のときは動作状態となり、第三の
周波数帯で発振する。この周波数帯はＧＳＭシステムに
対応するものとなる。
【００１０】以上の動作をまとめると、第一乃至第三の
三つの切り替え端４０、４１、５９に対して、それぞれ
ハイレベル又はローレベルの切り替え電圧が入力される
ので、その組み合わせによって八通りの切り替えモード
ができる。図６はそれを示しているが、このうち、モー
ドＮｏ．１とＮｏ．２とは同じ動作内容となり、モード
Ｎｏ．３とＮｏ．４とが同じ動作内容となっているの
で、それぞれ一方のモードだけが使用される。また、第
一の電圧制御発振器３１と第二の電圧制御発振器とを同
時に使用することはないので、モードＮｏ．７とＮｏ．
８とは使用されない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の３
バンド切替型発振器においては、必要とする四通りの切
替モードを得るために三つの切替端子（４１、３４、５
９）を使用している。携帯電話機に使用する発振器は小
型化が最重要課題であり、それを実現するために種々の
改良を行っている。端子数の削減は小型化に大きく寄与
するが、今までは端子数の削減が図られていなかった。
【００１２】また、従来の３バンド切替型発振器におい
ては、三つの切替端子に対して二値の切替電圧を印加す
ることから、不必要な切替モードが出来る。これは、切
替電圧を発生する携帯電話機の本体側の回路を複雑にし
ている。
【００１３】そこで、本発明の３バンド切替型発振器で
は、切替端子の数を削減して小型化を図ると共に、切替
電圧を発生する携帯電話機本体側の構成を簡素化するの
に寄与させることを目的としている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、本発明では、第一又は第二の周波数帯で発振するよ
うに切り替えられる第一の電圧制御発振器と、第三の周
波数帯で発振する第二の電圧制御発振器と、前記第一及
び第二の電圧制御発振器のそれぞれを動作状態又は不動
作状態に切り替えると共に、前記第一の電圧制御発振器
の発振周波数帯を切り替える切替回路とを備え、前記切
替回路は前記第一の電圧制御発振器を動作状態にするた
めの電流を通流する第一のスイッチ手段と、前記第二の
電圧制御発振器を動作状態にするための電流を通流する
第二のスイッチ手段と、切替電圧が入力される第一及び
第二の切替端子とを有し、前記第一の切替端子に入力さ
れるローレベル又はハイレベルの切替電圧に対応して前
記第一のスイッチ手段を開状態又は閉状態とし、第二の
切替端子に入力されるハイレベル又はローレベルの切替
電圧に対応して前記発振周波数帯を切り換え、前記第二
のスイッチ手段を、前記第二の切替端子にハイレベルの
切替電圧を入力した状態においてのみ、前記第一の切替
端子に入力されるハイレベルの切替電圧によって開状態
とすると共に、ローレベルの切替電圧によって閉状態と
し、前記第二の切替端子にローレベルの切替電圧を入力
した状態においては第一の切替端子に入力される切替電
圧の如何に関わらず開状態とした。
【００１５】また、前記第一の電圧制御発振器に第一の
発振トランジスタを設け、前記第二の電圧制御発振器に
第二の発振トランジスタを設け、前記第一の発振トラン
ジスタのベースにバイアス電圧を供給するための第一の
抵抗回路に前記第一のスイッチ手段を直列に介挿し、前
記第二の発振トランジスタのベースにバイアス電圧を供
給するための第二の抵抗回路に前記第二のスイッチ手段
を直列に介挿した。
【００１６】また、前記第一のスイッチ手段はコレクタ
が電源電圧印加端に接続されると共にエミッタが前記第
一の抵抗回路に接続された第一のＮＰＮトランジスタか
らなり、前記第二のスイッチ手段はコレクタが前記電源
電圧印加端に接続された第二のＮＰＮトランジスタと前
記第二のＮＰＮトランジスタのエミッタにエミッタが接
続されると共にコレクタが前記第二の抵抗回路に接続さ
れた第一のＰＮＰトランジスタとからなり、前記第一の
ＮＰＮトランジスタ及び前記第一のＰＮＰトランジスタ
の各ベースを前記第一の切替端子に接続し、前記第二の
ＮＰＮトランジスタのベースを前記第二の切替端子に接
続した。
【００１７】また、前記第一の電圧制御発振器には共振
線路と前記共振線路に並列接続されたスイッチダイオー
ドとを設け、前記スイッチダイオードのカソードを接地
すると共に、アノードを前記第二のＮＰＮトランジスタ
のエミッタに接続した。
【００１８】また、前記第一の電圧制御発振器に第一の
発振トランジスタを設け、前記第二の電圧制御発振器に
第二の発振トランジスタを設け、前記第一のスイッチ手
段を前記第一の発振トランジスタのエミッタとグランド
との間に介挿し、前記第二のスイッチ手段を前記第二の
発振トランジスタのベースにバイアス電圧を供給する第
二の抵抗回路に直列に介挿した。
【００１９】また、前記第一のスイッチ手段はコレクタ
が前記第一の発振トランジスタのエミッタ側に接続され
エミッタがグランド側に接続された第三のＮＰＮトラン
ジスタからなり、前記第二のスイッチ手段はエミッタが
共に電源電圧印加端に接続された第二のＰＮＰトランジ
スタ及び第三のＰＮＰトランジスタからなり、前記第三
のＰＮＰトランジスタのコレクタを前記第二の抵抗回路
に接続し、前記第三のＮＰＮトランジスタのベースを前
記第一の切替端子に接続し、前記第二のＰＮＰトランジ
スタのコレクタと前記第三のＰＮＰトランジスタのベー
スとを互いに接続すると共に抵抗を介して前記第一の切
替端子に接続し、前記第二のＰＮＰトランジスタのベー
スを前記第二の切替端子に接続した。
【００２０】また、前記第一の電圧制御発振器には共振
線路と前記共振線路に並列接続されたスイッチダイオー
ドとを設け、前記スイッチダイオードのカソードを接地
すると共に、アノードを前記第二の切替端子に接続し
た。
【００２１】また、前記第一の周波数帯と前記第二の周
波数帯との各中心周波数の差が前記第一の周波数帯と前
記第三の周波数帯との各中心周波数の差及び前記第二の
周波数帯と前記第三の周波数帯との各中心周波数の差よ
りも小さくした。
【００２２】
【発明の実施の形態】先ず、本発明の３バンド切替型発
振器における第一の実施の形態を図１及び図２によって
説明する。図１において、第一の電圧制御発振器１は第
一の発振トランジスタ２と、そのベースに接続された第
一の共振回路３とを有し、コレクタ接地型の発振器とし
て構成される。第一の共振回路３には第一のバラクタダ
イオード３ａ、直列接続された第一及び第二の二つの共
振線路３ｂ、３ｃ等が設けられ、第二の共振線路３ｃに
はカソードが接地されたスイッチダイオード３ｄが並列
に接続される。第一のバラクタダイオード３ａのアノー
ドは接地され、カソードは制御端子４に接続される。そ
して、第一の電圧制御発振器１の発振周波数は制御端子
４に印加される制御電圧を変えることによって変化す
る。
【００２３】第一の電圧制御発振器１は、スイッチダイ
オード３ｄがオフのときに周波数が低い第一の周波数帯
で発振し、オンのときに周波数が高い第二の周波数帯で
発振する。第一の周波数帯はＤＣＳ（１８００ＭＨｚ帯
のセルラー電話）のシステムで使用され、第二の周波数
帯はＰＣＳ（１９００ＭＨｚ帯のセルラー電話）のシス
テムで使用される。発振信号は第一の発振トランジスタ
２のエミッタから出力され、第一の増幅器５を構成する
第一の増幅トランジスタ５ａのベースに入力される。そ
して、増幅された発振信号は第一の増幅トランジスタ５
ａのコレクタから出力される。
【００２４】第一の増幅トランジスタ５ａと第一の発振
トランジスタ２とは直列に接続され、第一の増幅トラン
ジスタ５ａのコレクタには電源電圧印加端７から電源電
圧Ｖｂが供給され、そのエミッタから第一の発振トラン
ジスタ２のコレクタに電圧が供給される。また、第一の
増幅トランジスタ５ａのベースと第一の発振トランジス
タ３２のベースとにはバイアス電圧を供給するための第
一の抵抗回路６が接続される。第一の抵抗回路６は抵抗
６ａ、６ｂ、６ｃが直列に接続されて構成され、抵抗６
ｃは第一の発振トランジスタ２のベースとグランドとの
間に接続され、抵抗６ｂは第一の発振トランジスタ２の
ベースと第一の増幅トランジスタ５ａのベースとの間に
接続される。そして、第一の共振回路３におけるスイッ
チダイオード３ｄのアノードと抵抗６ａとには切替回路
９から電圧が供給される。
【００２５】一方、第二の電圧制御発振器１１は第二の
発振トランジスタ１２と、そのベースに接続された第二
の共振回路１３とを有し、コレクタ接地型の発振器とし
て構成される。第二の共振回路１３には第二のバラクタ
ダイオード１３ａ、第三の共振線路１３ｂ等が設けられ
る。
【００２６】第二の電圧制御発振器１１の発振周波数は
制御端子４に印加される制御電圧を変えることによって
変化する。そして、第三の周波数帯で発振するが、この
周波数帯はＧＳＭ（９００ＭＨｚ帯のセルラー電話）シ
ステムで使用される。その周波数は第一の電圧制御発振
器１の第一及び第二の周波数帯よりも低い。発振信号は
第二の発振トランジスタ１２のエミッタから出力され、
第二の増幅器１４を構成する第二の増幅トランジスタ１
４ａのベースに入力される。そして、増幅された発振信
号は第二の増幅トランジスタ１４ａのコレクタから出力
される。
【００２７】第二の増幅トランジスタ１４ａと第二の発
振トランジスタ１２とは直列に接続され、第二の増幅ト
ランジスタ１４ａのコレクタに電源電圧Ｖｂが供給さ
れ、そのエミッタから第二の発振トランジスタ１２のコ
レクタに電圧が供給される。また、第二の増幅トランジ
スタ１４ａのベースと第二の発振トランジスタ１２のベ
ースとにはバイアス電圧を供給するための第二の抵抗抵
抗回路１５が接続される。第二の抵抗回路１５は抵抗１
５ａ、１５ｂ、１５ｃが直列に接続されて構成される。
そして、抵抗１５ｃは第二の発振トランジスタ１２のベ
ースとグランドとの間に接続され、抵抗１５ｂは第二の
発振トランジスタ１２のベースと第二の増幅トランジス
タ１４ａのベースとの間に接続される。そして、抵抗１
５ａに切替回路９から電圧が供給される。
【００２８】切替回路９は電源電圧Ｖｂが入力される電
圧入力端子９ａと、ハイレベル又はローレベルの二値の
電圧が入力される第一及び第二の切替端子９ｂ、９ｃ
と、第一の電圧制御発振器１及び第一の増幅器５を動作
状態にするための電圧を出力する第一の出力端子９ｄ
と、第一の電圧制御発振器１の発振周波数帯域を切り替
えるための電圧を出力する第二の出力端子９ｅと、第二
の電圧制御発振器１１及び第二の増幅器１４動作状態に
するための電圧を出力する第三の出力端子９ｆとを有し
ている。また、第一のＮＰＮトランジスタ９ｇと、第二
のＮＰＮトランジスタ９ｈと、第一のＰＮＰトランジス
タとを有している。そして、第一の出力端子９ｄに第一
の抵抗回路６の抵抗６が接続され、第二の出力端子９ｅ
にスイッチダイオード３ｄのアノードが接続され、第三
の出力端子９ｆに第二の抵抗回路１５の抵抗１５ａが接
続される。
【００２９】電圧入力端子９ａと第一の出力端子９ｄと
の間には第一のスイッチ手段である第一のＮＰＮトラン
ジスタ９ｇが介挿され、そのコレクタが電圧入力端子９
ａに接続され、エミッタが第一の出力端子９ｄに接続さ
れる。また、電圧入力端子９ａと第三の出力端子９ｆと
の間には第二のＮＰＮトランジスタ９ｈと第一のＰＮＰ
トランジスタ９ｉとが介挿される。そして、第二のＮＰ
Ｎトランジスタ９ｈと第一のＰＮＰトランジスタ９ｉと
によって第二のスイッチ手段が構成される。第二のＮＰ
Ｎトランジスタ９ｈのコレクタが電圧入力端子９ａに接
続され、エミッタが第一のＰＮＰトランジスタ９ｉのエ
ミッタに接続されると共に、第二の出力端子９ｅに接続
される。第一のＰＮＰトランジスタ９ｉのコレクタは第
三の出力端子９ｆに接続される。
【００３０】以上の構成における動作は以下の通りであ
る。第一のＮＰＮトランジスタ９ｇは第一の切替端子９
ｂに入力されるハイレベル又はローレベルの切替電圧に
対応してオン又はオフとなる。また、第二のＮＰＮトラ
ンジスタ９ｈは第二の切替端子に９ｃに入力されるハイ
レベル又はローレベルの切替電圧に対応してオン又はオ
フとなる。さらに、第一のＰＮＰトランジスタ９ｉは第
二の切替端子９ｃにハイレベルの切替電圧が入力されて
いる状態で第一の切替端子９ｂに入力されるローレベル
又はハイレベルの切替電圧に対応してオン又はオフとな
る。第二の切替端子９ｃにローレベルの切替電圧が入力
されている状態では、第二のＮＰＮトランジスタ９ｈが
オフなので、第一の切替端子９ｂにローレベルの切替電
圧が入力されても第一のＰＮＰトランジスタ９ｉはオフ
である。従って、第二のＮＰＮトランジスタ９ｈ又は第
一のＰＮＰトランジスタ９ｉの少なくとも一方がオフで
あれば第三の出力端子９ｆには電圧が現れない。
【００３１】そして、第一のＮＰＮトランジスタ９ｇが
オフであれば、第一の抵抗回路６には第一の発振トラン
ジスタ２を動作状態とするためのバイアス電圧を作る電
流が流れないので、第一の電圧制御発振器１は不動作状
態となる。同様に、第二のＮＰＮトランジスタ９ｈ又は
第一のＰＮＰトランジスタ９ｉの少なくとも一方がオフ
であれば、第二の抵抗回路１５には第二の発振トランジ
スタ１２を動作状態とするためのバイアス電圧を作る電
流が流れないので、第二の電圧制御発振器１１は不動作
状態となる。
【００３２】以上の動作をまとめると図２のようにな
る。図２において、ＳＷ１、ＳＷ２はそれぞれ第一の切
替端子９ｂ、第二の切替端子９ｃを示し、ＳＷ１、ＳＷ
２における（Ｈ）はハイレベルの電圧、（Ｌ）はローレ
ベルの電圧を示す。また、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３はそれぞれ
第一のＮＰＮトランジスタ９ｇ、第二のＮＰＮトランジ
スタ９ｈ、第一のＰＮＰトランジスタｉを示し、（Ｏ
Ｎ）、（ＯＦＦ）はそれぞれ導通（閉状態）、非導通
（開状態）を示す。さらに、ＶＣＯ１、ＶＣＯ２はそれ
ぞれ第一の電圧制御発振器１、第二の電圧制御発振器１
１を示し、ＶＣＯ１、ＶＣＯ２における（ＤＣＳ）は第
一の電圧制御発振器１が第一の周波数帯で発振している
ことを示し、（ＰＣＳ）は第二の周波数帯で発振してい
ることを示す。（ＧＳＭ）は第二の発振器１１が第三の
周波数帯で発振していることを示す。
【００３３】先ず、第一の切替モード（Ｎｏ１）におい
て、ＳＷ１、ＳＷ２が共に（Ｌ）であれば、Ｑ１乃至Ｑ
３が全て（ＯＦＦ）となる。従って、ＶＣＯ１、ＶＣＯ
２共に不動作状態となる。次に、第二の切換モード（Ｎ
ｏ２）で、ＳＷ１が（Ｌ）、ＳＷ２が（Ｈ）であれば、
Ｑ１が（ＯＦＦ）、Ｑ２、Ｑ３が（ＯＮ）となる。従っ
て、ＶＣＯ１は不動作状態となり、ＶＣＯ２は動作状態
となる。次に、第三の切替モード（Ｎｏ３）で、ＳＷ１
が（Ｈ）、ＳＷ２が（Ｌ）であれば、Ｑ１が（ＯＮ）、
Ｑ２、Ｑ３が（ＯＦＦ）となって、ＶＣＯ１は動作状態
となる。そして第一の周波数帯で発振する。また、ＶＣ
Ｏ２は不動作状態となる。最後に、第四の切替モード
（Ｎｏ４）で、ＳＷ１、ＳＷ２が共に（Ｈ）であれば、
Ｑ１とＱ２とが（ＯＮ）となり、Ｑ３が（ＯＦＦ）とな
る。従ってＶＣＯ１は第二の周波数帯で発振し、ＶＣＯ
２は不動作状態となる。
【００３４】以上のように、本発明では、二つの切替端
子９ｂ、９ｃに入力する切替電圧によって四つの切り替
えモードを作り、それによっていずれの周波数帯でも発
振させず、また、三つの周波数帯のそれぞれで発振させ
ることが可能となる。
【００３５】図３、図４は本発明の３バンド切替型発振
器の第二の実施の形態を示し、切替回路９の構成を変更
したものである。図３において、第一の抵抗回路６にお
ける抵抗６ａは電源電圧印加端７と第一の増幅トランジ
スタ５ａのベースとの間に接続され、抵抗６ｃは第一の
発振トランジスタ２のベースとエミッタとの間に接続さ
れる。また、切替回路９は第三のＮＰＮトランジスタ９
ｊと、第二のＰＮＰトランジスタ９ｈと、第三のＰＮＰ
トランジスタ９ｌとを有している。
【００３６】切替回路９の電圧入力端子９ａには電源電
圧Ｖｂが入力され、第一の出力端子９ｄは第一の発振ト
ランジスタ２のエミッタと第一の抵抗回路６の抵抗６ｃ
に接続される。また、第二の出力端子９ｅがスイッチダ
イオード３ｄのアノードに接続され、第三の出力端子９
ｆが第二の抵抗回路１５の抵抗１５ａに接続される。
【００３７】第一の出力端子９ｄとグランドとの間には
第一のスイッチ手段である第三のＮＰＮトランジスタ９
ｊが介挿され、そのコレクタが第一の出力端９ｄに、エ
ミッタがグランドに接続される。また、電圧入力端子９
ａと第三の出力端子９ｆとの間には第二のＰＮＰトラン
ジスタ９ｋと第三のＰＮＰトランジスタ９ｌとが介挿さ
れる。そして、第二のＰＮＰトランジスタ９ｋと第三の
ＰＮＰトランジスタ９ｌとによって第二のスイッチ手段
が構成される。
【００３８】そして、第二のＰＮＰトランジスタ９ｋ及
び第三のＰＮＰトランジスタ９ｌの各エミッタが電圧入
力端子９ａに接続れ、第三のＰＮＰトランジスタ９ｌの
コレクタが第三の出力端子９ｆに接続され、さらに、第
二のＰＮＰトランジスタ９ｋのコレクタが第三のＰＮＰ
トランジスタ９ｌのベースに接続される。第三のＮＰＮ
トランジスタ９ｊのベースが第一の切替端子９ｂに接続
され、第二のＰＮＰトランジスタ９ｋのベースが第二の
切替端子９ｃに接続され、第二の出力端子９ｅと第二の
切替端子９ｃとが接続される。そして、第二のＰＮＰト
ランジスタ９ｋのコレクタと第三のＰＮＰトランジスタ
９ｌのベースとが抵抗９ｍを介して第一の切り替え端子
９ｂに接続される。
【００３９】以上の図３の構成における動作は以下の通
りである。第三のＮＰＮトランジスタ９ｊは第一の切替
端子９ｂに入力されるハイレベル又はローレベルの切替
電圧に対応してオン又はオフとなる。また、第二のＰＮ
Ｐトランジスタ９ｋは第二の切替端子に９ｃに入力され
るハイレベル又はローレベルの切替電圧に対応してオフ
又はオンとなる。さらに、第三のＰＮＰトランジスタ９
ｌは第二の切替端子９ｃにハイレベルの切替電圧が入力
されている状態で（従って、第二のＰＮＰトランジスタ
９ｋがオフの状態で）第一の切替端子９ｂに入力される
ローレベル又はハイレベルの切替電圧に対応してオン又
はオフとなる。第二の切替端子９ｃにローレベルの切替
電圧が入力されている状態では第二のＰＮＰトランジス
タ９ｋがＯＮなので、第一の切替端子９ｂにローレベル
の切替電圧が入力されても第三のＰＮＰトランジスタ９
ｌはオンになることはない。従って、第二のＰＮＰトラ
ンジスタ９ｋがＯＮであるか又は第三のＰＮＰトランジ
スタ９ｌがオフであれば第三の出力端子９ｆには電圧が
現れない。
【００４０】そして、第三のＮＰＮトランジスタ９ｊが
オフであれば、第一の抵抗回路６のみならず第一の発振
トランジスタ２のコレクタ、エミッタにも発振トランジ
スタ２を動作状態とするための電流が流れないので、第
一の電圧制御発振器１は不動作状態となる。同様に、少
なくとも第二のＰＮＰトランジスタ９ｋがＯＮであるか
又は少なくとも第三のＰＮＰトランジスタ９ｌがオフで
あれば、第二の抵抗回路１５には第二の発振トランジス
タ１２を動作状態とするためのバイアス電圧を作る電流
が流れないので、第二の電圧制御発振器１１は不動作状
態となる。
【００４１】以上の動作をまとめると図４のようにな
る。図４における、Ｑ４、Ｑ５、Ｑ６はそれぞれ第三の
ＮＰＮトランジスタ９ｊ、第二のＰＮＰトランジスタ９
ｋ、第三のＰＮＰトランジスタｌを示し、その他の記号
は図２のものと同じである。
【００４２】先ず、第一の切替モード（Ｎｏ１）におい
て、ＳＷ１、ＳＷ２が共に（Ｌ）であれば、Ｑ４乃至Ｑ
６が全て（ＯＦＦ）となる。従って、ＶＣＯ１、ＶＣＯ
２共に不動作状態となる。次に、第二の切換モード（Ｎ
ｏ２）で、ＳＷ１が（Ｌ）、ＳＷ２が（Ｈ）であれば、
Ｑ４、Ｑ５が（ＯＦＦ）、Ｑ６が（ＯＮ）となる。従っ
て、ＶＣＯ１は不動作状態となり、ＶＣＯ２は動作状態
となる。次に、第三の切替モード（Ｎｏ３）で、ＳＷ１
が（Ｈ）、ＳＷ２が（Ｌ）であれば、Ｑ４、Ｑ５が（Ｏ
Ｎ）、Ｑ６が（ＯＦＦ）となって、ＶＣＯ１は動作状態
となる。そして第一の周波数帯で発振する。また、ＶＣ
Ｏ２は不動作状態となる。最後に、第四の切替モード
（Ｎｏ４）で、ＳＷ１、ＳＷ２が共に（Ｈ）であれば、
Ｑ４が（ＯＮ）となり、Ｑ５、Ｑ６が（ＯＦＦ）とな
る。従ってＶＣＯ１は第二の周波数帯で発振し、ＶＣＯ
２は不動作状態となる。
【００４３】以上のように、第二の実施の形態において
も、二つの切替端子９ｂ、９ｃに入力する切替電圧によ
って四つの切り替えモードを作り、それによっていずれ
の周波数帯でも発振させず、また、三つの周波数帯のそ
れぞれで発振させることが可能となる。
【００４４】以上述べた本発明の３バンド切替型発振器
では、第一の周波数帯と第二の周波数帯とが互いに近接
し（例えば中心周波数差は１３０ＭＨ程度）、これらの
周波数帯と第三の周波数帯との周波数が離間しているの
で（例えば中心周波数差で９００ＭＨｚ程度）、第一の
周波数帯と第二の周波数帯との発振を第一の電圧制御発
振器１に分担することで安定した発振動作が得られる。
【００４５】
【発明の効果】以上のように、本発明では、第一及び第
二の電圧制御発振器を動作状態又は不動作状態に切り替
えると共に、第一の電圧制御発振器の発振周波数帯を切
り替える切替回路を備え、切替回路には第一のスイッチ
手段と、第二のスイッチ手段と、切替電圧が入力される
第一及び第二の切替端子とを有し、第一の切替端子に入
力されるローレベル又はハイレベルの切替電圧に対応し
て第一のスイッチ手段を開状態又は閉状態とし、第二の
切替端子に入力されるハイレベル又はローレベルの切替
電圧に対応して発振周波数帯を切り換え、第二のスイッ
チ手段を、第二の切替端子にハイレベルの切替電圧を入
力した状態においてのみ、第一の切替端子に入力される
ハイレベルの切替電圧によって開状態とすると共に、ロ
ーレベルの切替電圧によって閉状態とし、第二の切替端
子にローレベルの切替電圧を入力した状態においては第
一の切替端子に入力される切替電圧の如何に関わらず開
状態としたので、二つの切替端子に入力する切替電圧に
よって四つの切り替えモードを作り、それによっていず
れの周波数帯でも発振させず、また、三つの周波数帯の
それぞれで発振させることが可能となる。
【００４６】また、第一の電圧制御発振器に第一の発振
トランジスタを設け、第二の電圧制御発振器に第二の発
振トランジスタを設け、第一の発振トランジスタのベー
スにバイアス電圧を供給するための第一の抵抗回路に第
一のスイッチ手段を直列に介挿し、第二の発振トランジ
スタのベースにバイアス電圧を供給するための第二の抵
抗回路に第二のスイッチ手段を直列に介挿したので、第
一及び第二の電圧制御発振器の動作状態、不動作状態へ
の切替が簡単である。
【００４７】また、第一のスイッチ手段はコレクタが電
源電圧印加端に接続されると共にエミッタが前記第一の
抵抗回路に接続された第一のＮＰＮトランジスタからな
り、第二のスイッチ手段はコレクタが電源電圧印加端に
接続された第二のＮＰＮトランジスタと第二のＮＰＮト
ランジスタのエミッタにエミッタが接続されると共にコ
レクタが第二の抵抗回路に接続された第一のＰＮＰトラ
ンジスタとからなり、第一のＮＰＮトランジスタ及び第
一のＰＮＰトランジスタの各ベースを第一の切替端子に
接続し、第二のＮＰＮトランジスタのベースを第二の切
替端子に接続したので、第一のＮＰＮトランジスタによ
って第一の電圧制御発振器を動作又は不動作とし、第二
のＮＰＮトランジスタと第一のＰＮＰトランジスタとに
よって第二の電圧制御発振器を動作又は不動作に切り替
えられる。
【００４８】また、第一の電圧制御発振器には共振線路
と共振線路に並列接続されたスイッチダイオードとを設
け、スイッチダイオードのカソードを接地すると共に、
アノードを第二のＮＰＮトランジスタのエミッタに接続
したので、第二のＮＰＮトランジスタによって第一の電
圧制御発振器の発振周波数帯を切り替えられる。
【００４９】また、第一の電圧制御発振器に第一の発振
トランジスタを設け、第二の電圧制御発振器に第二の発
振トランジスタを設け、第一のスイッチ手段を第一の発
振トランジスタのエミッタとグランドとの間に介挿し、
第二のスイッチ手段を第二の発振トランジスタのベース
にバイアス電圧を供給する第二の抵抗回路に直列に介挿
したので、一及び第二の電圧制御発振器の動作状態、不
動作状態への切替が簡単である。
【００５０】また、第一のスイッチ手段はコレクタが第
一の発振トランジスタのエミッタ側に接続されエミッタ
がグランド側に接続された第三のＮＰＮトランジスタか
らなり、第二のスイッチ手段はエミッタが共に電源電圧
印加端に接続された第二のＰＮＰトランジスタ及び第三
のＰＮＰトランジスタからなり、第三のＰＮＰトランジ
スタのコレクタを第二の抵抗回路に接続し、第三のＮＰ
Ｎトランジスタのベースを前記第一の切替端子に接続
し、第二のＰＮＰトランジスタのコレクタと第三のＰＮ
Ｐトランジスタのベースとを互いに接続すると共に抵抗
を介して第一の切替端子に接続し、第二のＰＮＰトラン
ジスタのベースを第二の切替端子に接続したので、第三
のＮＰＮトランジスタによって第一の電圧制御発振器を
動作又は不動作とし、第二のＰＮＰトランジスタと第三
のＰＮＰトランジスタとによって第二の電圧制御発振器
を動作又は不動作に切り替えられる。
【００５１】また、第一の電圧制御発振器には共振線路
と共振線路に並列接続されたスイッチダイオードとを設
け、スイッチダイオードのカソードを接地すると共に、
アノードを第二の切替端子に接続したので、第二の切替
端子に入力する切替電圧によって直接第一の電圧制御発
振器の発振周波数帯を切り替えられる。
【００５２】また、第一の周波数帯と第二の周波数帯と
の各中心周波数の差が第一の周波数帯と第三の周波数帯
との各中心周波数の差及び第二の周波数帯と第三の周波
数帯との各中心周波数の差よりも小さくしたので、第一
の電圧制御発振器を第一の周波数帯及び第二の周波数帯
で安定して発振させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の３バンド切替型発振器における第一の
実施の形態の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の３バンド切替型発振器の第一の実施の
形態の動作を示す動作状態図である。
【図３】本発明の３バンド切替型発振器における第二の
実施の期待の構成を示す回路図である。
【図４】本発明の３バンド切替型発振器の第二の実施の
形態の動作を示す動作状態図である。
【図５】従来のバンド切替型発振器の構成を示す回路図
である。
【図６】従来の３バンド切替型発振器の動作を示す動作
状態図である。
【符号の説明】
１ 第一の電圧制御発振器 ２ 第一の発振トランジスタ ３ 第一の共振回路 ３ａ 第一のバラクタダイオード ３ｂ 第一の共振線路 ３ｃ 第二の共振線路 ３ｄ スイッチダイオード ４ 制御端子 ５ 第一の増幅器 ５ａ 第一の増幅トランジスタ ６ 第一の抵抗回路 ６ａ、６ｂ、６ｃ 抵抗 ７ 電源電圧印加端 ９ 切替回路 ９ａ 電圧入力端子 ９ｂ 第一の切替端子 ９ｃ 第二の切替端子 ９ｄ 第一の出力端子 ９ｅ 第二の出力端子 ９ｆ 第三の出力端子 ９ｇ 第一のＮＰＮトランジスタ（第一のスイッチ手
段） ９ｈ 第二のＮＰＮトランジスタ（第二のスイッチ手
段） ９ｉ 第一のＰＮＰトランジスタ（第二のスイッチ手
段） １１ 第二の電圧制御発振器 １２ 第二の発振トランジスタ １３ 第二の共振回路 １３ａ 第二のバラクタダイオード １３ｂ 第三の共振線路 １４ 第二の増幅器 １４ａ 第二の増幅トランジスタ １５ 第二の抵抗回路 １５ａ、１５ｂ、１５ｃ 抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J081 AA03 AA19 BB01 CC22 DD03 EE02 EE03 EE18 FF17 FF25 GG05 KK02 KK23 LL08 MM01

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第一又は第二の周波数帯で発振するよう
    に切り替えられる第一の電圧制御発振器と、第三の周波
    数帯で発振する第二の電圧制御発振器と、前記第一及び
    第二の電圧制御発振器のそれぞれを動作状態又は不動作
    状態に切り替えると共に、前記第一の電圧制御発振器の
    発振周波数帯を切り替える切替回路とを備え、前記切替
    回路は前記第一の電圧制御発振器を動作状態にするため
    の電流を通流する第一のスイッチ手段と、前記第二の電
    圧制御発振器を動作状態にするための電流を通流する第
    二のスイッチ手段と、切替電圧が入力される第一及び第
    二の切替端子とを有し、前記第一の切替端子に入力され
    るローレベル又はハイレベルの切替電圧に対応して前記
    第一のスイッチ手段を開状態又は閉状態とし、第二の切
    替端子に入力されるハイレベル又はローレベルの切替電
    圧に対応して前記発振周波数帯を切り換え、前記第二の
    スイッチ手段を、前記第二の切替端子にハイレベルの切
    替電圧を入力した状態においてのみ、前記第一の切替端
    子に入力されるハイレベルの切替電圧によって開状態と
    すると共に、ローレベルの切替電圧によって閉状態と
    し、前記第二の切替端子にローレベルの切替電圧を入力
    した状態においては第一の切替端子に入力される切替電
    圧の如何に関わらず開状態としたことを特徴とする３バ
    ンド切替型発振器。
  2. 【請求項２】 前記第一の電圧制御発振器に第一の発振
    トランジスタを設け、前記第二の電圧制御発振器に第二
    の発振トランジスタを設け、前記第一の発振トランジス
    タのベースにバイアス電圧を供給するための第一の抵抗
    回路に前記第一のスイッチ手段を直列に介挿し、前記第
    二の発振トランジスタのベースにバイアス電圧を供給す
    るための第二の抵抗回路に前記第二のスイッチ手段を直
    列に介挿したことを特徴とする請求項１に記載の３バン
    ド切替型発振器。
  3. 【請求項３】 前記第一のスイッチ手段はコレクタが電
    源電圧印加端に接続されると共にエミッタが前記第一の
    抵抗回路に接続された第一のＮＰＮトランジスタからな
    り、前記第二のスイッチ手段はコレクタが前記電源電圧
    印加端に接続された第二のＮＰＮトランジスタと前記第
    二のＮＰＮトランジスタのエミッタにエミッタが接続さ
    れると共にコレクタが前記第二の抵抗回路に接続された
    第一のＰＮＰトランジスタとからなり、前記第一のＮＰ
    Ｎトランジスタ及び前記第一のＰＮＰトランジスタの各
    ベースを前記第一の切替端子に接続し、前記第二のＮＰ
    Ｎトランジスタのベースを前記第二の切替端子に接続し
    たことを特徴とする請求項２に記載の３バンド切替型発
    振器。
  4. 【請求項４】 前記第一の電圧制御発振器には共振線路
    と前記共振線路に並列接続されたスイッチダイオードと
    を設け、前記スイッチダイオードのカソードを接地する
    と共に、アノードを前記第二のＮＰＮトランジスタのエ
    ミッタに接続したことを特徴とする請求項３に記載の３
    バンド切替型発振器。
  5. 【請求項５】 前記第一の電圧制御発振器に第一の発振
    トランジスタを設け、前記第二の電圧制御発振器に第二
    の発振トランジスタを設け、前記第一のスイッチ手段を
    前記第一の発振トランジスタのエミッタとグランドとの
    間に介挿し、前記第二のスイッチ手段を前記第二の発振
    トランジスタのベースにバイアス電圧を供給する第二の
    抵抗回路に直列に介挿したことを特徴とする請求項１に
    記載の３バンド切替型発振器。
  6. 【請求項６】 前記第一のスイッチ手段はコレクタが前
    記第一の発振トランジスタのエミッタ側に接続されエミ
    ッタがグランド側に接続された第三のＮＰＮトランジス
    タからなり、前記第二のスイッチ手段はエミッタが共に
    電源電圧印加端に接続された第二のＰＮＰトランジスタ
    及び第三のＰＮＰトランジスタからなり、前記第三のＰ
    ＮＰトランジスタのコレクタを前記第二の抵抗回路に接
    続し、前記第三のＮＰＮトランジスタのベースを前記第
    一の切替端子に接続し、前記第二のＰＮＰトランジスタ
    のコレクタと前記第三のＰＮＰトランジスタのベースと
    を互いに接続すると共に抵抗を介して前記第一の切替端
    子に接続し、前記第二のＰＮＰトランジスタのベースを
    前記第二の切替端子に接続したことを特徴とする請求項
    ５に記載の３バンド切替型発振器。
  7. 【請求項７】 前記第一の電圧制御発振器には共振線路
    と前記共振線路に並列接続されたスイッチダイオードと
    を設け、前記スイッチダイオードのカソードを接地する
    と共に、アノードを前記第二の切替端子に接続したこと
    を特徴とする請求項６に記載の３バンド切替型発振器。
  8. 【請求項８】 前記第一の周波数帯と前記第二の周波数
    帯との各中心周波数の差が前記第一の周波数帯と前記第
    三の周波数帯との各中心周波数の差及び前記第二の周波
    数帯と前記第三の周波数帯との各中心周波数の差よりも
    小さくしたことを特徴とする請求項乃至７のいずれかに
    記載の３バンド切替型発振器。
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