JP3579756B2 - 結合基に不飽和結合を有する液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents
結合基に不飽和結合を有する液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶性化合物および液晶組成物に関し、さらに詳しくは結合基に不飽和結合を有する新規な液晶性化合物、これを含有する液晶組成物および該液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
液晶化合物の特性である光学(屈折率)異方性(△n)や誘電率異方性(Δε)を利用した液晶表示素子はこれまで多数作られており、時計を始め電卓、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子手帳、プリンタ−、コンピュ−タ−、テレビ等に広く利用され、需要も年々高くなってきている。
液晶化合物には個体相と液体相の中間に位置する固有の液晶相があり、その相形態はネマチック相、スメクチック相およびコレステリック相に大別されるが、そのうち表示素子用にはネマチック相が現在最も広く利用されている。
また、液晶表示に応用されている方式のうち、表示方式としてはこれまでに多数のものが考案されており、例えば動的散乱型(DS型)、ゲスト・ホスト型(GH型)、ねじれネマチック型(TN型)、超ねじれネマチック型(STN型)、薄膜トランジスター型(TFT型)および強誘電性液晶(FLC)等が知られており、駆動方式としてはスタティック駆動方式、時分割駆動方式、アクティブマトリックス駆動方式および2周波駆動方式等が知られている。
【0003】
上記の表示方式の中でも、近年は特にSTN型方式のものが、表示性能が高い上製造コストが低いといった経済上の利点からパーソナルコンピューター等のディスプレイ用として多く使用されている。
しかし、このSTN方式のものにあっても、表示素子自体の高性能化に伴って種々の特性が要求されており、特に
1)応答時間が短い、
2)急峻なしきい値電圧(Vth)特性を示す、
3)広い動作駆動温度範囲を示す、
4)駆動電力が小さい、
といった点が重要とされている。
これらの特性を発現せしめるためには、表示素子に用いられる液晶組成物の特性を改良すること、そのためには液晶組成物の構成成分である液晶性化合物を上記特性を与えるものへ改善することが必要とされる。
【0004】
液晶性化合物についてのこの改善を上記表示素子に求められる特性順に示すと、1)については、液晶性化合物を低粘性のものとすることである。
すなわち、液晶組成物の粘性は液晶パネル中で配向した液晶分子の電場に対する応答速度を支配する要素であり、これを低く保つことにより応答時間を短くできることは既に知られているところである(Phys.Lett.,39A,69(1972))。
従って、高速応答性を示す液晶組成物を得るには、非常に粘性の低い液晶性化合物を多量に使用して液晶組成物を調製することが好ましい。
次に、2)については、液晶性化合物を大きな弾性定数比K33/K11を持つ(より急峻なしきい値特性を有する)ものとすることである。
すなわち、液晶組成物におけるしきい値電圧(Vth)特性の急峻性は弾性定数比K33/K11に大きく起因しており(Proc.of the Japan Display,388(1986))、急峻なVth特性を示す液晶組成物を得るには、大きな弾性定数比を示す液晶性化合物を使用して液晶組成物を調製することが好ましい。
【0005】
3)については、構成成分として用いられる液晶性化合物を、液晶組成物のネマチック相温度範囲を縮小させることがなく、かつ低温領域において結晶の析出等の相分離を生じ難いものとすることである。
すなわち、液晶組成物を広い温度範囲下で使用可能とするためには、液晶組成物が特に低温下でもネマチック相を有しており、かつ結晶の析出またはスメクチック相の発現がないものであることが必要とされる。
特に上記後者の必要性については、液晶組成物が個々の表示素子に要求される特性を発現するため一般に数種ないし三十数種の液晶性化合物を混合することにより得られているので、極めて重要なことである。
【0006】
4)については、液晶性化合物を誘電率異方性(Δε)が大きくかつ化学的に安定なものとすることである。
すなわち、近年は液晶表示素子の低消費電力化とこれに伴う駆動電圧の低電圧化が一段と要請されている。
駆動電圧(しきい値電圧(Vth))は下式から知られる通りΔεの関数であり、 Vth=π(K/ε0Δε)1/2
(Mol.Cryst.Liq.Cryst.,12,57(1970))
低駆動電圧化のためには液晶組成物のΔεを大きくすること、従ってこれに用いられる液晶性化合物は大きなΔεを示すものであることが重要になっている。
また、液晶表示素子はしばしば高温下や屋外といった過酷な条件下で使用されるので、液晶組成物とこれに用いられる液晶性化合物は十分に高い化学的安定性を有していなければならない。
さらに、各物性項目毎の温度依存性も、液晶表示素子の性能を高める上で重要な要素と云える。
ちなみに、実用の液晶表示素子は、種々の環境下、特に極めて広い温度範囲(−20〜140℃)下でその表示品位を一定に維持しなければならないが、これを実現するためには、液晶組成物とこれに用いられる液晶性化合物は各物性値の温度依存性が無いかあるいは極めて小さいものであることが必要である。
【0007】
この様な要請に応えるべく、現在までに種々STN用化合物が検討され、優れた化合物が数多く開発されている。例えば、分子末端基に不飽和結合を有する構造でかつ弾性定数比K33/K11に特徴を持つものとして式(A)で表されるアルケニル化合物(特開昭59−176221号)が、また比較的広いネマチック液晶相温度範囲を示すものとして式(B)で表されるビニレン化合物(特公平7−72148号)がよく知られている。
【0008】
【化14】
【0009】
しかし、これらの化合物は何れもディスプレイのさらなる高品位化に対応できるものではない。
すなわち、式(A)で表されるアルケニル化合物は比較的大きなK33/K11を示すものの、粘度が大き過ぎて要求される応答速度を達成できない。
しかも、この化合物は式(B)で表されるビニレン化合物と同様、液晶組成物の成分として用いた場合に他の成分との相溶性が特に極低温下において問題であり、ネマチック相を保持できない上結晶の析出やスメクチック相の発現を来すといった欠点があった。
さらに、最近はSTN型表示素子においてしきい値ムラ(焼き付き)という現象が問題になり、種々の報告がなされている。その発生要因は必ずしも明かではないが、ディスプレイ面内における不純物イオンの偏りに起因するものと想定されている。
これらの現象を抑制または軽減する上で、最近液晶材料の成分として上記式(A)または(B)で表される化合物を始めとする不飽和結合含有化合物を用いることが効果的とされ知られるに至っているが、未だその効果は充分とは云えない。
このように、高品位のSTN型液晶表示素子を提供するに当たり要求される液晶材料の特性は複雑であり、これを満たし得る新たな液晶性化合物の出現が要望されている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、著しく大きな弾性定数比(K33/K11)、著しく低い粘性、良好な相溶解性と高い化学的安定性および大きな誘電率異方性値を示すと共に、しきい値ムラ(焼き付き)の発生抑制に有効な液晶性化合物、これを含む液晶組成物および該液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは前述した従来技術の問題を解決すべく鋭意検討した結果、2つの共役しないビニレン基を含む炭素数8以下のアルカジエン−ジイル基を結合基に有する2環、3環および4環状の化合物が上記目的を達成し得ることを見い出し、本発明に到達した。
本発明は以下の構成よりなる。
(1) 一般式(1)
【0012】
【化15】
【0013】
(式中、環A0、A1、A2およびA3は相互に独立して、1、4−シクロヘキシレン基、1、3−ジオキサン−2、5−ジイル基、1個以上のハロゲン原子が置換されていてもよい1、4−フェニレン基、ピリジン−2、5−ジイル基または1、3−ピリミジン−2、5−ジイル基、R0およびR1は相互に独立してハロゲン原子、CN基または1〜20個の炭素からなるアルキル基を示すが、基中のメチレン基は酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子、−CH=CH−、−C≡C−で置き換わってもよく、さらに基中の任意の水素原子はハロゲン原子で置換されてもよいが、2つ以上のメチレン基が連続して酸素原子または硫黄原子に置換されることはない。Z0およびZ1は相互に独立して共有結合、1、2−エチレン基、メチレンオキシ基、オキシメチレン基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、ジフルオロメチレンオキシ基、オキシジフルオロメチレン基あるいは1、4−ブチレン基を示し、lおよびnは相互に独立して0、1または2、mは1から4までの整数、oおよびpは相互に独立して0または1から4までの整数である。ただし、l+n≦2、m+o+p≦4であり、化合物を構成する元素はその同位体元素で置換されていてもよい。)で表される液晶性化合物。
【0014】
(2)lとnが共に0である(1)項に記載の液晶性化合物。
(3)環A0と環A3が共に1、4−シクロヘキシレン基であり、mが2、oとpが共に0である(2)項に記載の液晶性化合物。
(4)lが1、nが0である(1)項に記載の液晶性化合物。
(5)lとnが共に1である(1)項に記載の液晶性化合物。
(6)環A0と環A3はそれらのいずれかがハロゲン原子で置換されていてもよい1、4−フェニレン基である(1)項に記載の液晶性化合物。
(7)環A0と環A3はそれらのいずれかがハロゲン原子で置換されていてもよい1、4−フェニレン基である(2)項に記載の液晶性化合物。
(8)環A0と環A3はそれらのいずれかがハロゲン原子で置換されていてもよい1、4−フェニレン基である(4)項に記載の液晶性化合物。
(9)環A0と環A3はそれらのいずれかがハロゲン原子で置換されていてもよい1、4−フェニレン基である(5)項に記載の液晶性化合物。
(10)第一成分として、(1)〜(9)項のいずれかに記載の液晶性化合物を少なくとも1種類含有し、第二成分として、一般式(2)、(3)および(4)
【0015】
【化16】
【0016】
(式中、R2は炭素数1〜10のアルキル基、X1はフッ素原子、塩素原子、OCF3、OCF2H、CF3、CF2HまたはCFH2、L1、L2、L3およびL4は相互に独立して水素原子またはフッ素原子、Z2およびZ3は相互に独立して1,2−エチレン基、−CH=CH−または共有結合を示し、aは1または2である。)からなる群から選択される化合物を少なくとも1種類含有することを特徴とする液晶組成物。
(11)第一成分として、(1)〜(9)項のいずれかに記載の液晶性化合物を少なくとも1種類含有し、第二成分として、一般式(5)、(6)、(7)、(8)および(9)
【0017】
【化17】
【0018】
(式中、R3はフッ素原子、炭素数1〜10のアルキル基または炭素数2〜10のアルケニル基を示すが、該アルキル基またはアルケニル基中の相隣接しない一つ以上のメチレン基は酸素原子によって置換されていてもよい。環Bは1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレンまたは1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、環Cは1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレンまたはピリミジン−2,5−ジイル、環Dは1,4−シクロヘキシレンまたは1,4−フェニレン、Z4は1,2−エチレン基、−COO−または共有結合、L5およびL6は相互に独立して水素原子またはフッ素原子を示し、bおよびcは相互に独立して0または1である。)
【0019】
【化18】
【0020】
(式中、R4は炭素数1〜10のアルキル基、L7は水素原子またはフッ素原子を示し、dは0または1である。)
【0021】
【化19】
【0022】
(式中、R5は炭素数1〜10のアルキル基、環Eおよび環Fは相互に独立して1,4−シクロヘキシレンまたは1,4−フェニレン、Z5およびZ6は相互に独立して−COO−または共有結合、Z7は−COO−または−C≡C−、L8および L9は相互に独立して水素原子またはフッ素原子、X2はフッ素原子、OCF3、OCF2H、CF3、CF2HまたはCFH2を示し、e、fおよびgは相互に独立して0または1である。)
【0023】
【化20】
【0024】
(式中、R6およびR7は相互に独立して炭素数1〜10のアルキル基または炭素数2〜10のアルケニル基を示すが、該アルキル基またはアルケニル基中の相隣接しない一つ以上のメチレン基は酸素原子によって置換されていてもよい。環Hは1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレンまたはピリミジン−2,5−ジイル、環Iは1,4−シクロヘキシレンまたは1,4−フェニレン、Z8は−C≡C−、−COO−、1,2−エチレン基、−CH=CH−C≡C−または共有結合、Z9は−COO−または共有結合を示す。)
【0025】
【化21】
【0026】
(式中、R8およびR9は相互に独立して炭素数1〜10のアルキル基または炭素数2〜10のアルケニル基を示すが、該アルキル基またはアルケニル基中の相隣接しない一つ以上のメチレン基は酸素原子によって置換されていてもよい。環Jは1,4−シクロヘキシレン、1,4−フェニレンまたはピリミジン−2,5−ジイル、環Kは1,4−シクロヘキシレン、環上の1つ以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい1,4−フェニレンまたはピリミジン−2,5−ジイル、環Lは1,4−シクロヘキシレンまたは1,4−フェニレン、Z10およびZ12は相互に独立して−COO−、1,2−エチレン基または共有結合、Z11は−CH=CH−、−C≡C−、−COO−または共有結合を示し、hは0または1である。)からなる群から選択される化合物を少なくとも1種類含有することを特徴とする液晶組成物。
(12)第一成分として、(1)〜(9)項のいずれかに記載の液晶性化合物を少なくとも1種類含有し、第二成分の一部分として、(10)項に記載の一般式(2)、(3)および(4)からなる群から選択される化合物を少なくとも1種類含有し、第二成分の他の部分として、(10)項に記載の一般式(5)、(6)、(7)、(8)および(9)からなる群から選択される化合物を少なくとも1種類含有することを特徴とする液晶組成物。
(13)(10)〜(12)項のいずれかに記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
【0027】
本発明の一般式(1)で表される液晶性化合物は、課題の項で述べた通り、著しく大きな弾性定数比(K33/K11)、著しく低い粘性、良好な相溶解性と高い化学的安定性および大きな誘電率異方性値を示すと共に、液晶組成物に対する添加量が10〜15%程度の少量であってもしきい値ムラ(焼き付き)の発生抑制に有効な特性を示す。
また、これらの液晶性化合物は粘度の温度依存性(特に低温下において)が極めて小さい上、他の液晶性化合物あるいは液晶組成物に対する溶解度が高いので該化合物を用いた液晶組成物は低温(例えば実用面から要求される−20℃)においてもネマチック相を損なうことがない。さらに化学的に非常に安定であるため、該化合物を用いることにより液晶組成物はその比抵抗値が比較的高くかつ紫外光や加熱といった外的要因に対する安定性が著しく高くなるといった利点が得られる。
従って、本発明の化合物をSTN用を始め、その他のTN、ゲストホストモ−ド、動的散乱モ−ド、アクティブマトリックスおよびFLC等用の液晶組成物の成分として用いた場合、好ましい特性を有する新たな液晶組成物を提供し得る。
【0028】
本発明液晶性化合物における上記の特性は、一般式(1)中で用いられている構造式特定用のパラメ−タを適宜選択することにより得られる。
例えば、l+n=2(4環系)を選ぶことにより、液晶相温度範囲がより高温側にあることが望まれる液晶組成物用の化合物とすることができ、一方l=n=0(2環系)またはl+n=1(3環系)を選ぶことにより上記以外の用途に適するものとすることができる。
また、環A0または環A3に1、4−フェニレン基、R0またはR1にハロゲン原子、CN基、CF3基、CF2H基、CFH2基、OCF3基またはOCHF2基を選択することによりΔεが比較的大きな化合物を得ることができ、上記R0または R1のオルト位に1個または2個のフッ素原子を置換し、以て双極子が同一方向へ向くようにすることによりさらに大きなΔεを示す化合物を得ることができる。 環A0、A1、A2またはA3に1、4−フェニレン基を選択し、さらにそれらの環上にフッ素原子が置換するようにしたものは、極低温下で特に相溶解性に優れたものとなる。
【0029】
さらに、前記(1)式中のR0、R1、環A0、A1、A2、A3、Z0、Z1、l、m、n、oおよびpを適宜に選択することにより、屈折率異方性(△n)についてもこれを任意に調整することができる。
すなわち、1、4−フェニレン基の含有量を多くしかつZ0とZ1に単結合を選ぶことにより△nが大きな化合物を得ることができ、一方1、4−シクロヘキシレン基の含有量を多くすることにより△nが小さな化合物を得ることができる。
【0030】
なお、一般式(1)中の上記R0はハロゲン原子、CN基または炭素数1〜20個のアルキル基を示す。
該アルキル基は、基中のメチレン基が酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子、−CH=CH−または−C≡C−で置き換わったものでもよく、さらに基中の任意の水素原子がハロゲン原子で置換されたものでもよい。
このようなアルキル基の具体例として、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲン化アルコキシ基、ハロゲン置換アルコキシアルキル基、ハロゲン置換アルケニル基およびハロゲン置換アルキニル基を示すことができる。
【0031】
より具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等のアルキル基、
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等のアルコキシ基、
メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プロポキシプロピル基等のアルコキシアルキル基、ビニル基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、1−ペンテニル基、3−ブテニル基、3−ペンテニル基等のアルケニル基、
エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、1−ペンチニル基、3−ブチニル基、3−ペンチニル基等のアルキニル基、
アリルオキシ基等のアルケニルオキシ基、
【0032】
トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、ジフルオロクロロメチル基、2、2、2−トリフルオロエチル基、2−フルオロエチル基、3−フルオロプロピル基、4−フルオロブチル基、5−フルオロペンチル基、3−クロロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基、
トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、ジフルオロクロロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、1,1,2,2−テトラフルオロエトキシ基、ヘプタフルオロプロポキシ基、1,1,2,3,3,3−ヘキサフルオロプロポキシ基等のハロゲン化アルコキシ基、
トリフルオロメトキシメチル基等のハロゲン置換アルコキシアルキル基、
2−フルオロエテニル基、2,2−ジフルオロエテニル基、1,2,2−トリフルオロエテニル基、3−フルオロ−1−ブテニル基、4−フルオロ−1−ブテニル基等のハロゲン置換アルケニル基、
3,3,3−トリフルオロ−1−プロピニル基等のハロゲン置換アルキニル基を挙げることができる。
【0033】
本発明の一般式(1)で表される化合物は、次の式(1−a)〜(1−h)で表される化合物に類別される。
なお、各式中、R0、R1、環A0、A1、A2、A3、Z0、Z1、lおよびnは前記と同一の意味を示す。
【0034】
【化22】
【0035】
これらの化合物は、結合基Wを式(W−1)〜(W−8)
【0036】
【化23】
【0037】
の何れかで表されるものとすると、より具体的には次の式(1−1)〜(1−13)で表される2環系の第1群化合物、式(1−14)〜(1−127)で表される3環系の第2群化合物および式(1−128)〜(1−210)で表される4環系の第3群化合物に展開される。
なお、各式中、R0とR1は前記と同一の意味を示し、またベンゼン環は環上の任意の水素原子がハロゲン原子に置換されたものでもよい。
【0038】
【化24】
【0039】
【化25】
【0040】
【化26】
【0041】
【化27】
【0042】
【化28】
【0043】
【化29】
【0044】
【化30】
【0045】
【化31】
【0046】
【化32】
【0047】
【化33】
【0048】
【化34】
【0049】
【化35】
【0050】
【0051】
【化36】
【0052】
【化37】
【0053】
上記の式(1−1)〜(1−210)で表されものはいずれも既述した通りの優れた特性を有し好ましい化合物であるが、中でも特に第1群の化合物は、粘性が著しく低い上極低温下における相溶解性が著しく優れているため、液晶組成物の成分として用いた場合、応答速度が速くかつ急峻なしきい値電圧特性を有する液晶組成物を調製することが可能である。
また、第2群および第3群の化合物は、高い透明点を有しながら比較的低粘性を示すことから、液晶組成物の成分として用いた場合、液晶組成物の透明点を維持しながら粘度を低下させることが可能である。
【0054】
本発明により提供される液晶組成物は、第一成分として一般式(1)で表される液晶性化合物の少なくとも1種類を含有することからなる。
その含有量は、液晶組成物に基ずき0.1〜99.9重量%であることが優良な特性を発現する上で好ましい。
本発明の液晶組成物は該第一成分のみを含むものであってもよいが、これに加え、第二成分として既述参照の一般式(2)、(3)および(4)からなる群から選ばれる少なくとも1種類の化合物(以下第二A成分と称する)および/または一般式(5)、(6)、(7)、(8)および(9)からなる群から選ばれる少なくとも1種類の化合物(以下第二B成分と称する)を混合したものが好ましく、さらに、Vth、液晶相温度範囲、△n、Δεおよび粘度等を調製する目的で、公知の化合物を第三成分として混合することもできる。
【0055】
上記第二A成分のうち、一般式(2)に含まれる化合物の好適例として次の式(2−1)〜(2−15)、一般式(3)に含まれる化合物の好適例として式(3−1)〜(3−48)、一般式(4)に含まれる化合物の好適例として式(4−1)〜(4−55)で表される化合物をそれぞれ挙げることができる。
【0056】
【化38】
【0057】
【化39】
【0058】
【化40】
【0059】
【化41】
【0060】
【化42】
【0061】
【化43】
【0062】
【化44】
【0063】
【化45】
【0064】
【化46】
【0065】
(各式中、R2は前記と同一の意味を示す。)
これらの一般式(2)〜(4)で表される化合物は、Δεが正を示し、熱的安定性や化学的安定性にも優れているので、特に電圧保持率が高いかまたは比抵抗値が大きいといった高信頼性が要求されるTFT用の液晶組成物を調製する場合には不可欠な化合物であるが、通常のTN型表示方式やSTN型表示方式用の液晶組成物を調製する場合にもこれを使用することができる。
該化合物の使用量は、TFT用の液晶組成物を調製する場合には、液晶組成物の全重量に基ずき1〜99重量%の範囲が適するが、好ましくは10〜97重量%、より好ましくは40〜95重量%である。
なお、その際には後記参照の一般式(5)〜(9)で表される化合物を一部含有してもよい。
【0066】
次に、前記第二B成分のうち、一般式(5)、(6)および(7)に含まれる化合物の好適例として、それぞれ式(5−1)〜(5−24)、(6−1)〜(6−3)および(7−1)〜(7−28)で表される化合物を挙げることができる。
【0067】
【化47】
【0068】
【化48】
【0069】
【化49】
【0070】
【化50】
【0071】
【化51】
【0072】
(各式中、R3〜R5は前記と同一の意味を示す。)
【0073】
これらの一般式(5)〜(7)で表される化合物は、Δεが正でその値が大きく、組成物成分として特にVthを小さくする目的で使用される。また、粘度の調整、△nの調整および透明点を高くする等のネマチックレンジを広げる目的や、さらにVthの急峻性を改良する目的にも使用される。
【0074】
また第二B成分のうち、一般式(8)および(9)に含まれる化合物の好適例として、それぞれ式(8−1)〜(8−8)および(9−1)〜(9−13)で表される化合物を挙げることができる。
【0075】
【化52】
【0076】
【化53】
【0077】
(各式中、R6〜R9は前記と同一の意味を示す。)
これらの一般式(8)および(9)で表される化合物は、Δεが負かまたは若干正を示す化合物であり、そのうち一般式(8)で表される化合物は、組成物成分として主に粘度低下や△nの調整の目的に、また、一般式(9)で表される化合物は、透明点を高くする等のネマチックレンジを広げる目的および/または △nの調整の目的で使用される。
【0078】
上記の一般式(5)〜(9)で表される化合物は、特にSTN型表示方式やTN型表示方式用の液晶組成物を調製する場合には不可欠な化合物である。
該化合物の使用量は、通常のTN型表示方式やSTN型表示方式用の液晶組成物を調製する場合には、液晶組成物の全重量に基ずき1〜99重量%の範囲が適するが、好ましくは10〜97重量%、より好ましくは40〜95重量%である。 なお、その際には前記参照の一般式(2)〜(4)で表される化合物を一部含有してもよい。
【0079】
本発明の液晶組成物は、それ自体慣用な方法、例えば各成分を減圧かつ高温度下で互いに溶解させるか、または各成分を有機溶媒に溶かして混合した後減圧下溶媒を留去する方法等により調製される。
また、必要により適当な添加物を加えることによって意図する用途に応じた改良がなされ、最適化される。このような添加物は当業者によく知られており、文献等に詳細に記載されている。通常、液晶のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整し、逆ねじれ(reverse twist)を防ぐといった効果を有するキラルド−プ剤(chiral dopants)などが添加される。
【0080】
また、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系およびテトラジン系等の二色性色素を添加すれば、ゲストホスト(G/H)モ−ド用の液晶組成物として使用することもできる。 本発明に係る液晶組成物は、ネマチック液晶をマイクロカプセル化して作製したNCAPや、液晶中に三次元編み目状高分子を形成して作製したポリマ−ネットワ−ク液晶表示素子(PNLCD)に代表されるポリマ−分散型液晶表示素子(PDLCD)用をはじめ、複屈折制御(ECB)モ−ドや動的散乱(DS)モ−ド用の液晶組成物としても使用できる。
【0081】
この様にして本発明の液晶組成物は調製されるが、その例として以下の組成例1〜23を示すことができる。
なお、各組成例中において、化合物の表示は下記表1に示す取り決めに従い、左末端基、結合基、環構造および右末端基の各欄に示された基を記号の欄に示されたそれに対応させることにより行った。
本発明化合物に付した化合物 No.は後述の実施例中に示されるそれと同一であり、化合物の含有量は特に規定のない限り重量%を意味する。
また、組成例の特性デ−タは、TNI(ネマチック−等方性液体転移温度)、η(粘度)、Δn(屈折率異方性値)、Δε(誘電率異方性値)およびVth(しきい値電圧)により示した。
【0082】
【表1】
【0083】
組成例1
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
この組成物の特性を求めたところ、以下の通りであった。
TNI=90.5℃
η=14.2mPa・s
Δn=0.165
Δε=7.1
Vth=2.10V
【0084】
組成例2
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
この組成物の特性を求めたところ、以下の通りであった。
TNI=88.1℃
η=17.2mPa・s
Δn=0.157
Δε=8.8
Vth=1.98V
【0085】
組成例3
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
この組成物の特性を求めたところ、以下の通りであった。
TNI=91.0℃
η=80.0mPa・s
Δn=0.155
Δε=31.3
Vth=0.84V
【0086】
組成例4
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
この組成物の特性を求めたところ、以下の通りであった。
TNI=68.5℃
η=38.1mPa・s
Δn=0.116
Δε=11.5
Vth=1.30V
【0087】
組成例5
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
この組成物の特性を求めたところ、以下の通りであった。
TNI=78.5℃
η=17.0mPa・s
Δn=0.138
Δε=8.1
Vth=1.75V
【0088】
組成例6
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
この組成物の特性を求めたところ、以下の通りであった。
TNI=77.0℃
η=34.5mPa・s
Δn=0.118
Δε=23.7
Vth=0.97V
【0089】
組成例7
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
この組成物の特性を求めたところ、以下の通りであった。
TNI=91.0℃
η=14.6mPa・s
Δn=0.113
Δε=4.8
Vth=2.36V
【0090】
組成例8
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
この組成物の特性を求めたところ、以下の通りであった。
TNI=99.0℃
η=24.5mPa・s
Δn=0.091
Δε=5.3
Vth=2.10V
【0091】
組成例9
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
この組成物の特性を求めたところ、以下の通りであった。
TNI=88.5℃
η=18.0mPa・s
Δn=0.090
Δε=3.3
Vth=2.65V
【0092】
組成例10
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
この組成物の特性を求めたところ、以下の通りであった。
TNI=85.0℃
η=24.6mPa・s
Δn=0.115
Δε=5.8
Vth=1.99V
【0093】
組成例11
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
この組成物の特性を求めたところ、以下の通りであった。
TNI=73.0℃
η=27.5mPa・s
Δn=0.085
Δε=8.5
Vth=1.62V
【0094】
組成例12
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
この組成物の特性を求めたところ、以下の通りであった。
TNI=75.2℃
η=34.0mPa・s
Δn=0.084
Δε=12.9
Vth=1.43V
【0095】
組成例13
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
この組成物の特性を求めたところ、以下の通りであった。
TNI=90.6℃
η=21.2mPa・s
Δn=0.124
Δε=4.8
Vth=2.35V
【0096】
組成例14
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
この組成物の特性を求めたところ、以下の通りであった。
TNI=97.2℃
η=34.0mPa・s
Δn=0.113
Δε=9.0
Vth=1.76V
【0097】
組成例15
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
この組成物の特性を求めたところ、以下の通りであった。
TNI=84.8℃
η=14.5mPa・s
Δn=0.090
Δε=4.5
Vth=2.40V
【0098】
組成例16
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
この組成物の特性を求めたところ、以下の通りであった。
TNI=68.7℃
η=24.0mPa・s
Δn=0.087
Δε=8.2
Vth=1.75V
【0099】
組成例17
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
この組成物の特性を求めたところ、以下の通りであった。
TNI=95.5℃
η=34.6mPa・s
Δn=0.131
Δε=7.3
Vth=1.91V
【0100】
組成例18
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
【0101】
組成例19
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
【0102】
組成例20
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
【0103】
組成例21
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
【0104】
組成例22
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
【0105】
組成例23
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
【0106】
本発明の一般式(1)で表される化合物は、公知の一般的な有機合成化学的手法、例えばオ−ガニック・シンセシス、オ−ガニック・リアクションズおよび実験化学講座等に記載の手法を駆使することにより容易に製造することができる。すなわち、オーガニック・リアクションズ、14巻、第3章に記載の方法に準じ、アルキルハライドから調製したウイッティヒ試薬(11)にテトラヒドロフラン(以下THFと略す)中、水素化ナトリウム、ナトリウムアルコキシドまたはアルキルリチウム等の塩基を作用させてイリドを調製し、これにアルデヒド誘導体(10)を作用させることにより一般式(1)で表される本発明の化合物を製造することができる。なお、式中のR0、R1、A0、A1、A2、A3、Z0、Z1、l、m、n、oおよびpは前記と同一の意味を示し、Xはハロゲン原子を示すが、これらは後記の各反応においても同様である。
かくして得られる本発明化合物は、必要により例えば特公平4−30382号に記載の方法に準じてベンゼンスルフィン酸またはp−トルエンスルフィン酸による作用に付し、異性化させて2つの含有ビニレン基が共にトランス(E)体である誘導体へと導くことができる。
【0107】
【化54】
【0108】
出発物質のうち、一般式(10)で表される上記アルデヒド誘導体は以下の方法により好適に製造される。
一般式(10)においてm=2の場合:
一般式(12)で表されるアルデヒド誘導体を、ジアルキルホスホノ酢酸アルキル(ジャーナル オブ アメリカン ケミカルソサイエティー、113巻、p.3850(1991))と水素化ナトリウム、ナトリウムアルコキシドまたはアルキルリチウム等の塩基から調製したイリドに反応させてα、β−不飽和エステル誘導体(13)を得、これを水素化ジイソブチルアルミニウム(以下DIBALと略す)で還元してアルコール誘導体(14)を製造する。
次いで、これにN、N−ジメチルホルムアミド(以下DMFと略す)中五塩化リンを作用させてクロル体(15)とした後、このクロル体(15)にTHF中、アルキル(好ましくはブチル)リチウムを作用させてリチオ化し、ついでアセトニトリルを作用させてニトリル誘導体(16)とする。次いでこれをDIBALで還元処理することにより、一般式(10)で表されるアルデヒド誘導体においてm=2のアルデヒド誘導体例(10−2)を製造することができる。
【0109】
【化55】
【0110】
一般式(10)においてm=1の場合:
前記のクロル体(15)をジメチルスルホキシド(以下DMSOと略す)等の極性非プロトン溶媒中、シアン化カリウムと加熱することによりニトリル誘導体(17)を製造し、次いでこのニトリル誘導体(17)をDIBALで還元処理することにより、一般式(10)で表されるアルデヒド誘導体においてm=1のアルデヒド誘導体例(10−1)を製造することができる。
【0111】
【化56】
【0112】
一般式(10)においてm=3の場合:
前記のアルデヒド誘導体(10−2)に、メトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリドと水素化ナトリウム、ナトリウムアルコキシドまたはアルキルリチウム等の塩基から調製したイリドを作用させて化合物(18)を製造し、次いでこの化合物(18)にぎ酸、酢酸、塩酸または硫酸等の酸を作用させて脱保護することにより、一般式(10)で表されるアルデヒド誘導体においてm=3のアルデヒド誘導体例(10−3)を製造することができる。
【0113】
【化57】
【0114】
他方の出発物質、すなわち一般式(11)で表されるウイッティッヒ試薬は以下の方法により好適に製造される。
すなわち、オーガニック・リアクションズ、14巻、第3章に記載の方法に準じ、一般式(19)で表されるアルキルハライドをベンゼン、トルエンまたはキシレン等の溶媒中でトリフェニルホスフィンと加熱反応させることにより調製することができる。
【0115】
【化58】
【0116】
【実施例】
以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら制限されるものではない。
なお、各実施例中において、Crは結晶、Nはネマチック相、Isoは等方性液体、Smはスメクチック相を示し、相転移温度の単位は全て℃である。また、質量スペクトル(GC−MS)において、M+は分子イオンピークを表す。
【0117】
実施例1
1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−6−(トランス−4−エチルシクロヘキシル)−1(E)、5(E)−ヘキサジエン(一般式(1)において、R0がn−プロピル基、R1がエチル基、l=n=o=p=0、m=2で表される化合物(No.7))の製造
【0118】
出発物質である5−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−4(E)−ペンテン−1−アルの製造
第1工程
攪拌機、温度計、滴下ロートおよび窒素導入管を備えた3L三口フラスコ中、窒素雰囲気下でTHF1.5Lにジエチルホスホノ酢酸エチル174.7g(0.78mol)を加えて溶解させた後、攪拌しながら0℃以下まで冷却した。これにカリウム−t−ブトキシド96.1g(0.86mol)を0℃以下で20分間をかけて添加した。添加後同温度を維持しながら2時間攪拌し、次いでトランス−4−プロピルシクロヘキシルカルバルデヒド100.0g(0.65mol)のTHF溶液300mlを同温度を維持しながら1時間をかけて滴下した。滴下後室温まで昇温し、さらに10時間室温で攪拌した。得られる反応溶液は、これに水1Lを添加して反応を終了させた後酢酸エチル(500mlX4)で抽出処理した。抽出層をさらに水(500mlX4)で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に溶媒を留去、濃縮することにより、茶褐色油状物136.7gを得た。
【0119】
第2工程
この茶褐色油状物を同様な3L三口フラスコ中、窒素雰囲気下でトルエン600mlに溶解し、氷冷下攪拌しながら10℃以下まで冷却した後、水素化ジイソブチルアルミニウムの1Mトルエン溶液1340mlを10℃以下を保ちながら2.5時間をかけて滴下した。滴下後室温まで昇温し、さらに1.5時間攪拌した。得られる反応溶液を再度氷冷下で冷却した後、水500mlおよび6N−塩酸水溶液500mlを滴下して反応を終了させ、トルエン層を分離した。水層についてはさらにトルエン600mlで抽出処理し、得られる抽出層を上記トルエン層と混合した後水(500mlx3)で洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した後減圧下に溶媒を留去、濃縮して茶褐色油状物98.8gを得た。これが3−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2(E)−プロペノールである。
【0120】
第3工程
同様な2L三口フラスコ中、窒素雰囲気下でDMFに五塩化リン112.5g(0.54mol)を加えて溶解し、これに上記により得られた3−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−プロペノール98.8gのDMF溶液200mlを室温下、30分をかけて攪拌しながら滴下し、次いで室温下で3時間攪拌した後2Lの水中に投下した。得られる溶液を酢酸エチル(300mlX3)で抽出処理した後、水(300mlX2)、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液(300ml)および水(300mlX2)で順次洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した後減圧下に溶媒を留去、濃縮して茶褐色油状物115.4gを得た。これを展開溶媒にヘプタンを使用したカラムクロマトグラフィーに付して精製し、無色油状物70.2gを得た。これが1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−3−クロロ−1(E)−プロペンである。
【0121】
第4工程
このもの70.2gを同様な2L三口フラスコ中、窒素雰囲気下でTHF300mlに加えて溶解し、ドライアイス−アセトン浴上で−60℃以下まで冷却した後、n−ブチルリチウムのシクロヘキサン1M溶液420mlを同温度を維持しながら2時間をかけて滴下した。滴下後同温度を保ちながら、2時間攪拌した後アセトニトリル16.5g(0.53mol)を25分かけて滴下し、さらに1時間攪拌した。水200mlを添加して反応を終了させた後、反応溶液を酢酸エチル(300mlX2)で抽出処理した。抽出層は水(300mlX3)で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで減圧下に溶媒を留去、濃縮して濃縮物58.7gを得た。この濃縮残査を展開溶媒にトルエン−酢酸エチル系の混合溶媒を使用したシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付して精製し、無色結晶物48.9gを得た。これが5−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−4(E)−ペンテン−1−ニトリルである。
【0122】
第5工程
このもの48.9gを同様な1L三口フラスコ中、窒素雰囲気下でトルエン300mlに加えて溶解し、氷冷下攪拌しながら0℃以下まで冷却した後、水素化ジイソブチルアルミニウムの1Mトルエン溶液360mlを0℃以下を保ちながら、1時間かけて滴下し、さらに同温度にて1時間攪拌した。反応溶液に水300mlと6N−塩酸水溶液200mlを滴下して反応を終了させ、トルエン層を分離した。水層についてはさらにトルエン300mlで抽出処理し、得られる抽出層を上記トルエン層と混合した後水(300mlx3)で洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した後減圧下に溶媒を留去、濃縮して茶褐色油状物34.4gを得た。これが5−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−4(E)−ペンテン−1−アルである。
【0123】
目的物質である1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−6−(トランス−4−エチルシクロヘキシル)−1(E)、5(E)−ヘキサジエンの製造第6工程
同様な300ml三口フラスコ中、窒素雰囲気下で例えば特開平3−127748号公報に記載のある(トランス−4−エチルシクロヘキシル)メチルトリフェニルホスホニウムブロミド29.2g(62.5mmol)をTHF100mlに加えて懸濁させ、攪拌しながら0℃以下まで冷却した後、カリウム−t−ブトキシド7.7g(68.8mmol)を同温度にて10分間かけて添加し、さらに同温度を維持しながら2時間攪拌した。これに、前記の第5工程で得られた5−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−4(E)−ペンテン−1−アル10.0g(48.1mmol)のTHF溶液30mlを、同温度を維持しながら12分間をかけて滴下した。滴下後、室温まで昇温し、さらに2時間室温で攪拌した。反応溶液に水100mlを添加して反応を終了させ、ヘプタン100mlを添加して生成するヘプタン不溶物をろ取除去した後ろ液を酢酸エチル(50mlX4)で抽出処理した。抽出層はさらに水(100mlX4)で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に溶媒を留去、濃縮して茶褐色個体18.3gを得た。得られた反応物を展開溶媒にヘプタンを使用したシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付して精製し、無色ペースト状物12.9gを得た。
このものは、結合基である1、5−ヘキサジエン−1、6−ジイル基の5位のオレフィン部位にE/Zを混合して含む1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−6−(トランス−4−エチルシクロヘキシル)−1(E)、5−ヘキサジエンであり、ガスクロマトグラフィーの分析結果から上記のE/Z比は5/95であることが知られた。
【0124】
第7工程
攪拌機、温度計および冷却管を備えた200ml三口フラスコ中、上記の第6工程で得られた化合物12.9gをトルエン30mlに加えて溶解し、これにp−トルエンスルフィン酸ナトリウム1.1g(4.1mmol)および6規定塩酸2mlを添加して4時間加熱環流を行った後室温まで冷却し、水100mlを添加した後酢酸エチル200mlで抽出処理した。抽出層は水(100mlX2)、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液50mlおよび水(100mlX2)で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去、濃縮した後、濃縮残査を展開溶媒にヘプタンを用いたカラムクロマトグラフィーに付して精製し、さらにヘプタン/ジエチルアルコールの混合溶媒から再結晶を繰り返し行うことにより無色結晶物2.1gを得た。 これが目的とする1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−6−(トランス−4−エチルシクロヘキシル)−1(E)、5(E)−ヘキサジエンである。
尚各種スペクトルの測定結果はその構造を強く支持した。
SB 29.6−30.1 Iso、 K33/K11=2.25
GC−MS : M+ 316
【0125】
実施例1の方法に準じ、次の化合物(No.1)〜(No.316)を製造する。なお、各化合物の表示は、一般式(1)を順次適宜単位に分割し、かくして得られる部分に各化合物のそれをそれぞれ対応させることにより行った。また、化合物(No.7)についても合わせ示した。
【0126】
【化59】
【0127】
【化60】
【0128】
【化61】
【0129】
【化62】
【0130】
【化63】
【0131】
【化64】
【0132】
【化65】
【0133】
【化66】
【0134】
【化67】
【0135】
【化68】
【0136】
【化69】
【0137】
【化70】
【0138】
【化71】
【0139】
【化72】
【0140】
【化73】
【0141】
【化74】
【0142】
【化75】
【0143】
【化76】
【0144】
【化77】
【0145】
【化78】
【0146】
【化79】
【0147】
【化80】
【0148】
【化81】
【0149】
比較例1
比較化合物として、既述した式(A)で表されるアルケニル化合物(特開昭59−176221号)のうち、式中のRがn−C3H7、R’がC2H5である誘導体(A−1)を記載の方法に従って合成した。
【0150】
【化82】
【0151】
この比較化合物(A−1)のK33/K11を実施例1と同一の条件下で求めたところ、1.88であった。
この値と実施例1のそれとの比較から、本発明の化合物(No.7)は従来知られているアルケニル誘導体に比べ著しく大きな弾性定数比(K33/K11)を示すことが知られる
【0152】
実施例2(使用例1)
シアノフェニルシクロヘキサン系液晶化合物を含む組成物(以下、液晶組成物B1と称することがある):
4−(4−プロピルシクロヘキシル)ベンゾニトリル 24%
4−(4−ペンチルシクロヘキシル)ベンゾニトリル 36%
4−(4−ヘプチルシクロヘキシル)ベンゾニトリル 25%
4ー(4ープロピルフェニル)ベンゾニトリル 15%
は以下の特性を有する。
透明点(TNI):71.7℃、 Δε:11.0、Δn:0.137、20℃における粘度(η20):26.9mPa・s、セル厚8.7μmでのしきい値電圧(Vth):1.78V。
この液晶組成物B1の85重量%に1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−6−(トランス−4−エチルシクロヘキシル)−1(E)、5(E)−ヘキサジエン(化合物No.7)を15重量%混合して液晶組成物A1を調製した。このものの特性は次の通りであった。
TNI:63.0℃、Δε:9.3、Δn:0.123、η20:23.9mPa・s、セル厚9.0μmでのVth:1.72V。
また、この組成物を−20℃のフリ−ザ−に60日間放置したが、結晶の析出は認められなかった。
【0153】
実施例3(使用例2)
下記の化合物含量からなる液晶組成物Cを調製し、その特性を求めたところ以下の通りであった。
TNI:100.1℃、Δε:8.6、Δn:0.132、η20:16.4mPa・s、セル厚8.7μmでのVth:2.19V。
【0154】
【化83】
【0155】
また、この液晶組成物Cをセル厚6μm、240ツイストセル中に封入し、下記の条件下で電圧を印加して目視による観察を行ったところ、しきい値ムラ(焼き付き)が全面において認められた。
印加波形:1/240duty−1/15bias
周波数 :70Hz
印加電圧:28V
印加時間:9時間
液晶組成物Cを、このもの90重量%に本発明化合物例の1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−6−(トランス−4−エチルシクロヘキシル)−1(E)、5(E)−ヘキサジエン(化合物No.7)を10重量%混合した液晶組成物C−1に代える以外は上記と同様にして液晶組成物のセル中への封入、電圧の印加、目視によるしきい値ムラ(焼き付き)の観察を行ったところ、しきい値ムラは認められなかった。
このように、本発明化合物によれば僅か10重量%程度の添加で、液晶組成物のしきい値ムラ(焼き付き)を解消できることが知られる。
【0156】
比較例2
本発明化合物例のNo.7を比較化合物(A−1)に代える以外は実施例3と同様にして液晶組成物のセル中への封入、電圧の印加、目視によるしきい値ムラ(焼き付き)の観察を行ったところ、しきい値ムラが一部で認められた。
【0157】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明の液晶性化合物は著しく大きな弾性定数比(K33/K11)、著しく低い粘性、良好な相溶解性と高い化学的安定性および大きな誘電率異方性値を示すと共に、特にSTN方式の表示素子において問題とされるしきい値ムラ(焼き付き)の発生抑制に少量の添加で有効であることが知られる。
従って、本発明の液晶性化合物を液晶組成物の成分とした場合、上記の特徴を備えた液晶組成物が得られる上、該化合物につき分子構成要素の環、置換基および/または結合基を適当に選択することにより、所望の物性を有する新たな液晶組成物を提供することができる。
Claims (15)
- 一般式(1)
- lとnが共に0である請求項1に記載の液晶性化合物。
- 環A0と環A3が共に1、4−シクロヘキシレン基であり、mが2、oとpが共に0である請求項2に記載の液晶性化合物。
- lが1、nが0である請求項1に記載の液晶性化合物。
- lとnが共に1である請求項1に記載の液晶性化合物。
- 環A0と環A3はそれらのいずれかがハロゲン原子で置換されていてもよい1、4−フェニレン基である請求項1に記載の液晶性化合物。
- 環A0と環A3はそれらのいずれかがハロゲン原子で置換されていてもよい1、4−フェニレン基である請求項2に記載の液晶性化合物。
- 環A0と環A3はそれらのいずれかがハロゲン原子で置換されていてもよい1、4−フェニレン基である請求項4に記載の液晶性化合物。
- 環A0と環A3はそれらのいずれかがハロゲン原子で置換されていてもよい1、4−フェニレン基である請求項5に記載の液晶性化合物。
- 第一成分として、請求項1〜9のいずれかに記載の液晶性化合物を少なくとも1種類含有し、第二成分として、一般式(5)、(6)、(7)、(8)および(9)
- 第一成分として、請求項1〜9のいずれかに記載の液晶性化合物を少なくとも1種類含有し、第二成分の一部分として、一般式(2)、(3)および(4)
- 請求項10に記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
- 請求項11に記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
- 請求項12に記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
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