JPH06329573A - ベンゼン誘導体および液晶性媒体 - Google Patents

ベンゼン誘導体および液晶性媒体

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JPH06329573A
JPH06329573A JP6096668A JP9666894A JPH06329573A JP H06329573 A JPH06329573 A JP H06329573A JP 6096668 A JP6096668 A JP 6096668A JP 9666894 A JP9666894 A JP 9666894A JP H06329573 A JPH06329573 A JP H06329573A
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compound
chemical
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JP6096668A
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Ekkehard Bartmann
バルトマン エッケハルト
Herbert Plach
プラハ ヘルベルト
Andreas Ruhl
ルール アンドレアス
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Merck Patent GmbH
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 従来技術における欠点を解消し、好ましくは
極めて高い比抵抗および低い閾電圧を持ち、特にＭＬ
Ｃ、ＴＮおよびＳＴＮディスプレイ用の液晶性媒体を提
供する。 【構成】 一般式Ｉ 具体的には、例えば で示される化合物を１種以上含有する正の誘電異方性を
有する極性化合物の混合物から成る液晶性媒体。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はベンゼン誘導体および液
晶性媒体に関し、さらに電気光学目的に後者を使用する
ことおよびこの媒体を含有するディスプレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶は特に誘電体としてデイスプレイ装
置中で使用されており、その理由はこれらの物質の光学
的な特性が印加電圧によって影響を受けるからである。
液晶を原料とする電気光学装置は当業者には極めて良く
知られており、種々の効果に基づくのであろう。このタ
イプの装置は例えばダイナミック スキャッタリングを
有するセル、ＤＡＰ（配向相の変形）セル、ゲスト／ホ
ストセル、ねじれネマチック構造を有するＴＮセル、Ｓ
ＴＮ（スーパーツイステドネマチック）セル、ＳＢＥ
（スーパー複屈折効果）セル、およびＯＭＩ（オプティ
カルモード干渉）セルである。最も良く知られたディス
プレイ装置はシャットーヘルフリッチ効果に基ずいてお
り、ねじれネマチック構造を持っている。
【０００３】液晶素材は化学的ならびに熱的な安定性を
持っていなければならず、電場および電磁波にたいして
も良い安定性をもっていなければならない。さらに液晶
素材は低い粘性を持っていなければならず、さらに短い
アドレス時間、低い閾値電圧、セル中での高いコントラ
ストを示さなければならない。さらに、これらの素材は
例えば上記のセル中で適当な中間相、普通の操作温度、
すなわち室温以上及び以下の出来るだけ広い範囲で、ネ
マチックあるいはコレステリック中間相を持っていなけ
ればならない。液晶は、通常は複数の成分の混合物とし
て使用されるので、成分が相互に容易に混合しうること
が重要である。電気伝導度、誘電異方性および光学異方
性のようなその他の特性はセルタイプおよび使用分野に
よって異なるが、種々の要求条件に合致しなければなら
ない。例えば、ねじれネマチック構造を有するセル用の
素材は正の誘電異方性および低い電気伝導度を持ってい
なければならない。
【０００４】例えば、個々の画像点をスイッチングする
ための集積非線形素子を含有するマトリックス液晶ディ
スプレイ（ＭＬＣ−デイスプレイ）用に設計されている
媒体は高い正の誘電異方性、広いネマチック相、比較的
低い複屈折、極めて高い比抵抗、良好なＵＶ安定性およ
び抵抗の温度安定性並びに低い蒸気圧を有する媒体であ
る。
【０００５】このタイプのマトリックス液晶ディスプレ
イは公知である。個々の画像点を個々にスイッチするよ
うに使用可能な非線形素子の例はアクティブ素子（すな
わちトランジスター）である。これを今後はアクチブマ
トリックスと称し、次の２種のタイプ間の区分が出来る
ことになる。 １ ＭＯＳ（金属酸化物半導体）あるいは基板としての
シリコンウエファー上のその他のダイオード ２ 基板としてのガラス板上の薄いフィルムトランジス
ター（ＴＦＴ） 種々の部分デイスプレイのモジュラーアセンブリーが接
合点では問題を生ずるから、基板素材としての単結晶シ
リコンの使用はデイスプレイ大きさを限定している。
【０００６】もっと遥かに有望で、好ましいなタイプ２
の場合には、使用している電気光学効果は通常はＴＮ効
果である。２種の技術間に分化が行われており、例えば
ＣｄＳｅのような化合物半導体から成るＴＦＴあるいは
多結晶または非晶質シリコンに基ずくＴＦＴである。後
者の技術について全世界的に広範囲の研究努力がおこな
われている。
【０００７】ＴＦＴマトリックスはデイスプレイの一方
のガラス板の内側に使用されており、他のガラス板の内
側には透明の対電極が付けられている。画像点電極の大
きさと比較して、ＴＦＴは極めて小さく、殆ど画像には
影響を示さない。この技術をフルカラー対応の画像デイ
スプレイに拡大することも可能であり、その場合に各フ
ィルター素子をスイッチ可能な画像素子に対面させるよ
うな方法で赤、緑、青フィルターのモザイクを配置して
いる。
【０００８】ＴＮＴディスプレイは透過では直交偏光子
を有するＴＮセルとして通常は動作しており、背面から
照射されている。
【０００９】ＭＬＣデイスプレイという用語はここでは
集積非線形素子を含むいかなるマトリックスデイスプレ
イをもカバーし、すなわちアクチブマトリックスに加え
て、バリスターあるいはダイオードのようなパッシブ素
子を含有するディスプレイをもカバーしている（ＭＩＭ
＝金属−絶縁体−金属）。
【００１０】このタイプのＭＬＣディスプレイは特にＴ
Ｖ利用（例えばポケットＴＶセット）あるいはコンピュ
ーター用の高度情報デイスプレイ（ラップトップ）さら
に自動車および航空機内での高度情報デイスプレイには
特に適している。コントラストの角度依存性およびスイ
ッチングタイムに関する問題に加えて、液晶混合物の不
適切な比抵抗によってＭＬＣデイスプレイ中で問題が発
生している。Ｓ．トガシ（Ｔｏｇａｓｈｉ）、Ｋ．セキ
グチ（Ｓｅｋｉｇｕｃｈｉ）、Ｈ．タナベ（Ｔａｎａｂ
ｅ）、Ｅ．ヤマモト（Ｙａｍａｍｏｔｏ）、Ｋ．ソリマ
チ（Ｓｏｒｉｍａｃｈｉ）、Ｅ．タジマ（Ｔａｊｉｍ
ａ）、Ｈ．ワタナベ（Ｗａｔａｎａｂｅ）、Ｈ．シミズ
（Ｓｈｉｍｉｚｕ）、Ｐｒｏｃ．Ｅｕｒｏｄｉｓｐｌａ
ｙ８４，１９８４年９月、Ａ２１０−２８８，ダブルス
テージダイオードリングによって制御されたマトリック
スＬＣＤ １４１頁以下、パリ；Ｍ．ストローマー（Ｓ
ｔｒｏｍｅｒ），Ｐｒｏｃ．Ｅｕｒｏｄｉｓｐｌａｙ８
４、１９８４年９月、テレビジョン液晶デイスプレイの
マトリックスアドレッシング用の薄いフィルムトランジ
スターデザイン １４５頁以下、パリ。抵抗が減少する
につれて、ＭＬＣデイスプレイのコントラストが悪化
し、「残像消去」の問題が生ずるかもしれない。液晶混
合物の比抵抗は一般にはデイスプレイの内部表面との相
互作用によってＭＬＣデイスプレイの寿命の全期間に亙
って減少するので、高い（初期の）抵抗が承認可能な利
用寿命を得るためには極めて重要である。特に、低電圧
混合物の場合には、極めて高い比抵抗を達成することは
今までは不可能であった。さらに比抵抗が温度上昇とと
もに、加熱後および／またはＵＶ光曝光後に出来るかぎ
り小さくしか増加しないことが重要である。従来の技術
からの混合物の低温特性も特に不利であった。結晶化お
よび／またはスメクチック相が低温においてさえも発現
せずに、粘性の温度依存性が出来るだけ小さいことが要
求されている。従来技術のＭＬＣデイスプレイは従って
現在の要求を満足させるものではなかった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従って、極めて高い比
抵抗、同時に広い操作温度範囲、低温においてさえも短
いスイチイングタイム、低い閾値電圧を持ち、これらの
欠点を全く持たないか、あるいは僅かしか持たないＭＬ
Ｃデイスプレイへ強い要望が継続して存在している。
【００１２】ＴＮ（シャット−ヘルフリッチ）セルで
は、セル中で以下の長所を発揮する媒体が設計されてい
る。 −拡張されたネマチック相範囲（特に低温まで） −極めて低温においてもスイッチング可能性（戸外使
用、自動車用、アビオニクス） −ＵＶ照射に対する増大した安定性（長寿命） 従来技術から利用可能な媒体は他のパラメーターを同時
に維持しながらこれらの長所を達成することは不可能で
あった。
【００１３】スーパーツイステド（ＳＴＮ）セルにあっ
ては、大きな多重化能力および／または低い閾値電圧お
よび／または広いネマチック相範囲（特に低温で）を持
つ媒体が望まれている。この目的には使用可能なパラメ
ーターの幅（透明点、スメクチック−ネマチック転移、
融点、粘性、誘電率、弾性率）を更に広げることが緊急
に望まれている。
【００１４】本発明は上記の欠点を持たないか、あるい
は少ししか持たず、かつ好ましくは同時に極めて高い比
抵抗および低い閾電圧を持つこのタイプの特にＭＬＣ，
ＴＮあるいはＳＴＮデイスプレイ用の媒体を提供するこ
とを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明による媒体がディ
スプレイ中で使用されるならば、この目的を達成するこ
とができることが見出されたのである。
【００１６】従って本発明は正の誘電異方性を有する極
性化合物の混合物を主成分とする液晶性媒体に関し、そ
の特徴とするところはこの混合物が一般式Ｉ
【００１７】
【化１０】 （式中、Ｒは水素、置換されてないか、あるいはＣＮま
たはＣＦ3 でモノ置換されているあるいはハロゲンで少
なくともモノ置換されている１ないし１５個迄の炭素原
子を有するアルキルあるいはアルケニル基であり、 こ
れらの基の中の１個以上のＣＨ2 が、それぞれの場合
に、たがいにそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、
【００１８】
【化１１】 −ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−または−Ｏ−Ｃ
Ｏ−Ｏ−で、−Ｏ−がおたがいに直接結合しないように
置換されていても良く、Ａ1 およびＡ2 おたがいに独立
であって、それぞれ（ａ） トランス−１，４−シクロ
ヘキシレン基であって、この基では１以上の非隣接ＣＨ
2 基が−Ｏ−および／または−Ｓ−で置換されていても
良く、（ｂ） １，４−フェニレン基であって、この基
では１あるいは２個のＣＨ基がＮで置換されていても良
く、（ｃ） １，４−シクロヘキセニレン、１，４−ビ
シクロ（２，２，２）−オクチレン、ピペリジン−１，
４−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、デカヒドロ
ナフタレン−２，６−ジイルおよび１，２，３，４−テ
トラヒドロナフタレン−２，６−ジイルから成る群から
選ばれた基であり、さらに基（ａ）および（ｂ）は１あ
るいは２個の弗素原子で置換可能であり、Ｚ1 およびＺ
2 は互いに独立であって、それぞれ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ
−ＣＯ−、−ＣＨ2 Ｏ−、−ＯＣＨ2 −、−ＣＨ2 ＣＨ
2 −、−ＣＨ＝ＣＨ−，−Ｃ≡Ｃ−あるいは単結合であ
り、あるいは基Ｚ1 およびＺ2 の一方が−（ＣＨ2 ）4
−または−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ2 ＣＨ2 −であり、Ｌ1 、
Ｌ2 およびＬ3 は互いに独立であり、それぞれ水素ある
いはＦであり、ｍは０、１あるいは２であり、ｎは０あ
るいは１である）の化合物の１種以上を含有しているこ
とである。
【００１９】式Ｉの化合物は広い使用範囲を持ってい
る。置換基の選択によって異なるが、これらの化合物は
液晶性媒体を圧倒的に構成する原料素材として使用する
ことができる。しかしながら、例えばこのタイプの誘電
体の誘電異方性および光学異方性を改善するために、か
つその閾値電圧および／またはその粘性を最適化するた
めに他のクラスの化合物からの液晶性原料素材に式Ｉの
化合物を添加することも可能である。
【００２０】純粋な状態では、式Ｉの化合物は無色であ
り、電気光学使用に好ましい位置にある温度範囲では液
晶性の中間相を成している。これら化合物は化学的に、
熱的に安定であり、光にたいしても安定である。
【００２１】本発明はまた式Ｉの化合物にも関する。
【００２２】式Ｉの化合物はＷＯ９０−０１０５６の中
の一般式に含まれている。本発明による弗素化化合物は
そこでは言及されていない。１個以上の弗素原子を導入
することはこの化合物の粘性に顕著な効果を持ってい
る。
【００２３】特に好ましい化合物はＬ3 がＦであってｎ
＝０であるか、Ｌ3 ＝Ｆであって、ｎ＝１である式Ｉの
化合物である。Ａ1 がＦで一置換あるいは二置換されて
いるか、あるいはＣＮで一置換されている１，４−フェ
ニレンである式Ｉのおよび全ての従属式に言及される。
これらは特に２−フロロ−１，４−フェニレン、３−フ
ロロ−１，４−フェニレン、３，５−ジフロロ−１，４
−フェニレン、２−シアノ−１，４−フェニレン、３−
シアノ−１，４−フェニレンである。
【００２４】Ｚ1 およびＺ2 は好ましくは単結合あるい
は−ＣＨ2 ＣＨ2 −であり、第二義的に好ましくは−Ｃ
Ｈ2 Ｏ−、−ＯＣＨ2 −、−Ｏ−ＣＯ−，−ＣＯ−Ｏ−
である。
【００２５】基Ｚ1 およびＺ2 の一方が−（ＣＨ2 ）4
−あるいは−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ2 ＣＨ2 −であるなら
ば、基Ｚ1 およびＺ2 の他方が（もし存在するならば）
好ましくは単結合である。
【００２６】Ｒがアルキル基および／またはアルコキシ
基の場合には、直鎖あるいは枝別れしていてもよい。好
ましくは直鎖であり、２、３、４、５、６または７炭素
原子を有し、従って好ましくはエチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、エトキシ、プロポ
キシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシあるいはヘプ
トキシであり、更にメチル、オクチル、ノニル、デシ
ル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシ
ル、ペンタデシル、メトキシ、オクトキシ、ノノキシ、
デコキシ、ウンデコキシ、ドデコキシ、トリデコキシあ
るいはテトラデコキシである。
【００２７】オクサアルキルは好ましくは直鎖の２−オ
クサプロピル（＝メトキシメチル）、２−（＝エトキシ
メチル）あるいは３−オクサブチル（＝２−メトキシメ
チル）、２−、３−あるいは４−オクサペンチル、２
−、３−、４−あるいは５−オクサヘキシル、２−、３
−、４−、５−あるいは６−オクサヘプチル、２−、３
−、４−、５−、６−あるいは７−オクサオクチル、２
−、３−、４−、５−、６−、７−あるいは８−オクサ
ノニルあるいは２−、３−、４−、５−、６−、７−、
８−あるいは９−オクサデシルである。
【００２８】Ｒが１個のＣＨ2 基が−ＣＨ＝ＣＨ−で置
換されているアルキル基であるならば、これは直鎖であ
るかまたは枝別れしていても良い。好ましくは直鎖であ
ってかつ２ないし１０個の炭素を有している。従って特
にビニル、プロプ−１−または−２−エニルであり、し
かし−１−、−２−または−３−エニル、ペント−１
−、−２−、−３−または−４−エニル、ヘクス−１
−、−２−、−３−、−４−または−５−エニル、ヘプ
ト−１−、−２−、−３−、−４−、−５−または−６
−エニル、オクト−１−、−２−、−３−、−４−、−
５−、−６−、−７−エニル、ノン−１−、−２−、−
３−、−４−、−５−、−６−、−７−または−８−エ
ニル、デシ−１−、−２−、−３−、−４−、−５−、
−６−、−７−、−８−または−９−エニルである。
【００２９】Ｒが、１個のＣＨ2 基が−Ｏ−で、他のＣ
Ｈ2 が−ＣＯ−で置換されているアルキル基であるな
ら、これらは好ましくは隣接している。従って、これら
の基はアシロキシ基−ＣＯ−Ｏ−またはオキシカルボニ
ル基−Ｏ−ＣＯ−を含有している。これらの基は好まし
くは直鎖であって、かつ２ないし６個の炭素を含有して
いる。 従って、特にアセトキシ、プロピオニルオキ
シ、ブチリルオキシ、ペンタノイルオキシ、ヘキサノイ
ルオキシ、アセトキシメチル、プロピオニルオキシメチ
ル、ブチリルオキシメチル、ペンタノイルオキシメチ
ル、２−アセトキシエチル、２−プロピオニルオキシエ
チル、２−ブチリルオキシエチル、３−アセトキシプロ
ピル、３−プロピオニルオキシプロピル、４−アセトキ
シブチル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、
プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペントキ
シカルボニル、メトキシカルボニルメチル、エトキシカ
ルボニルメチル、プロポキシカルボニルメチル、ブトキ
シカルボニルメチル、２−（メトキシカルボニル）エチ
ル、２−（エトキシカルボニル）エチル、２−（プロポ
キシカルボニル）エチル、３−（メトキシカルボニル）
プロピル、３−（エトキシカルボニル）プロピルあるい
は４−（メトキシカルボニル）ブチルである。
【００３０】Ｒが１個のＣＨ2 基が置換されてないか、
あるいは置換されている−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されてい
て、かつ隣接したＣＨ2 基がＣＯあるいはＣＯ−Ｏまた
はＯ−ＣＯで置換されているアルキル基ならば、この基
は直鎖であっても枝別れしていてもよい。好ましくは直
鎖であって、かつ４ないし１３個の炭素原子を含有して
いる。従って、特にアクリロイルオキシメチル、２−ア
クリロイルオキシエチル、３−アクリロイルオキシプロ
ピル、４−アクリロイルオキシブチル、５−アクリロイ
ルオキシペンチル、６−アクリロイルオキシヘキシル、
７−アクリロイルオキシヘプチル、８−アクリロイルオ
キシオクチル、９−アクリロイルオキシノニル、１０−
アクリロイルオキシデシル、メタクリロイルオキシメチ
ル、２−メタクリロイルオキシエチル、３−メタクリロ
イルオキシプロピル、４−メタクリロイルオキシブチ
ル、５−メタクリロイルオキシペンチル、６−メタクリ
ロイルオキシヘキシル、７−メタクリロイルオキヘプチ
ル、８−メタクリロイルオキシオクチルまたは９−メタ
クリロイルオキシノニルである。
【００３１】ＲがＣＮまたはＣＦ3 で一置換されている
アルキルあるいはアルケニル基であるならば、この基は
好ましくは直鎖である。このＣＮあるいはＣＦ3 による
置換は希望したどの位置でも良い。
【００３２】Ｒがハロゲンで少なくとも一置換されてい
るアルキルまたはアルケニル基であるならば、この基は
好ましくは直鎖であって、かつハロゲンは好ましくは弗
素か塩素である。多重置換の場合には、ハロゲンは好ま
しくは弗素である。得られた基もペルフロロ化した基を
も包含する。一置換の場合には、弗素または塩素の置換
基は希望したどの位置でも良いが、好ましくはω−位置
である。
【００３３】重合反応に適した側鎖Ｒを含有する式Ｉの
化合物は液晶性ポリマーの製造には適している。
【００３４】枝別れした側鎖Ｒを含有する式Ｉの化合物
は、通常の液晶性の原料素材中での良好な溶解性のため
に時には重要なこともあるが、しかし特に光学活性体で
あるならば、キーラルドーピングとして特に重要であ
る。このタイプのスメクチック化合物は強誘電性素材の
成分として適している。
【００３５】ＳA 相を有する式Ｉの化合物は例えば熱的
にアドレスされるディスプレイ用に適している。
【００３６】このタイプの枝別れ基は一般的には１より
多い枝別れをもっていない。好ましい枝別れした基Ｒは
イソプロピル、２−ブチル（＝１−メチルプロピル）、
イソブチル（＝２−メチルプロピル）、２−メチルブチ
ル、イソペンチル、（＝３−メチルブチル）、２−メチ
ルペンチル、３−メチルペンチル、２−エチルヘキシ
ル、２−プロピルペンチル、イソプロポキシ、２−メチ
ルプロポキシ、２−メチルブトキシ、３−メチルブトキ
シ、２−メチルペントキシ、３−メチルペントキシ、２
−エチルヘキソキシ、１−メチルヘキソキシおよび１−
メチルヘプトキシである。
【００３７】Ｒが、２個以上のＣＨ2 が−Ｏ−および／
または−ＣＯ−Ｏ−で置換されているアルキル基なら
ば、この基は直鎖あるいは枝別れしていてもよい。Ｒは
好ましくは枝別れしており、３ないし１２個の炭素原子
を持っている。従って、特にビスカルボキシメチル、
２，２−ビスカルボキシエチル、３，３−ビスカルボキ
シプロピル、４，４−ビスカルボキシブチル、５，５−
ビスカルボキシペンチル、６，６−ビスカルボキシヘキ
シル、７，７−ビスカルボキシヘプチル、８，８−ビス
カルボキシオクチル、９，９−ビスカルボキシノニル、
１０，１０−ビスカルボキシデシル、ビス（メトキシカ
ルボニル）メチル、２，２−ビス（メトキシカルボニ
ル）エチル、３，３−ビス（メトキシカルボニル）プロ
ピル、４，４−ビス（メトキシカルボニル）ブチル、
５，５−ビス（メトキシカルボニル）ペンチル、６，６
−ビス（メトキシカルボニル）ヘキシル、７，７−ビス
（メトキシカルボニル）ヘプチル、８，８−ビス（メト
キシカルボニル）オクチル、ビス（エトキシカルボニ
ル）メチル、２，２−ビス（エトキシカルボニル）エチ
ル、３，３−ビス（エトキシカルボニル）プロピル、
４，４−ビス（エトキシカルボニル）ブチル、５，５−
ビス（エトキシカルボニル）ペンチルである。
【００３８】式Ｉの化合物の好ましい比較的小さな基は
従属式Ｉ１ないしＩ２７の基である。
【００３９】
【化１２】
【００４０】
【化１３】
【００４１】
【化１４】
【００４２】
【化１５】 式Ｉ１、Ｉ３、Ｉ７、Ｉ１０、Ｉ１２、Ｉ１３、Ｉ１
５、Ｉ１６、Ｉ１８、Ｉ１９、Ｉ２２、Ｉ２３およびＩ
２４の化合物が特に好ましい。
【００４３】１，４−ヘキシレングループは好ましくは
下記の構造を持っている。
【００４４】
【化１６】 式Ｉの化合物は文献記載のような（例えばホウベン−ワ
イル著、有機化学の方法、ゲオルク−ティーメ（Ｇｅｏ
ｒｇ−Ｔｈｉｅｍｅ）出版社、シュツットガルトのよう
な標準的な著作）それ自身公知の方法で合成することが
可能であって、もっと厳密には公知であってかつ上記の
反応に適した反応条件で合成することができる。
【００４５】さらにそれ自身公知である変法をここで使
用することも可能であるが、ここでは詳細には記載しな
い。
【００４６】本発明による化合物は例えば式ＩＩの化合
物
【００４７】
【化１７】 （式中Ｒ、Ａ1 、Ａ2 、Ｚ1 、Ｚ2 、Ｌ1 、Ｌ2 、Ｌ
3 、ｍおよびｎは既に定義した通りである）を下記の反
応様式にしたがって金属と反応させることによって、し
かも得られた製品を求電子性化合物と反応させることに
よって合成することができる。様式１
【００４８】
【化１８】 様式２
【００４９】
【化１９】 本発明は不活性溶媒の存在下にフェノキサイドと１−ブ
ロモ−２，２−ジフロロエタンとを反応させるというこ
とによって特徴づけられた、対応するフェノキサイドか
ら置換した２，２−ジフロロエトキシベンゼンの合成方
法にも関する。特に、式ＩＩＩ* の化合物は本発明によ
る方法によって合成可能である。式ＩＩＩ* 化合物では
Ｒ* はフォルミル、ハロゲンあるいはメソーゲン性の基
である。
【００５０】反応は不活性溶媒の存在中で行なわれ、適
当な溶媒はアルキルハライドとフェノキサイドとの反応
に適した溶媒であり、好ましくは極性の非プロトン性の
溶媒であり、例えばジメチルアミド（ＤＭＡ）、ヘキサ
メチルフォスフォリックトリアマイド（ＨＭＰＴＡ）、
またはＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）のような有機ア
ミドあるいは例えばＮ，Ｎ−ジメチルプロピレンユレア
（ＤＭＰＵ）更に特に１，３−ジメチル−２−イミダゾ
リジノン（ＤＭＥＵ）のような環状尿素誘導体である。
【００５１】これら溶媒にＴＭＤＡのような共溶媒ある
いは１８−クラウン−６のようなクラウンエーテルを添
加することも可能である。溶媒の量は特に問題ではな
く、一般にはフェノキサイド１モルについて溶媒１００
ないし１０，０００ｇを使用することができる。
【００５２】本発明による方法で反応を実施するための
手法は簡単である。出発物質を、使用したフェノキサイ
ドによって異なるが、−２０℃から＋２００℃、好まし
くは−２０ないし＋１５０℃の温度で、しかも大気圧以
上の圧力であるいは減圧下で、このましくは大気圧で反
応させることができる。
【００５３】フェノキサイドを、好都合なことには先ず
最初に不活性溶媒に溶解し、それを加熱する。１−ブロ
モ−２，２−ジフロロエタンを一般的には攪拌しながら
０．２ないし２４時間にわたって−２０℃ないし１００
℃の温度で滴下し、場合によってはその混合物を溶媒の
沸点まで徐々に加熱する。
【００５４】一般的には反応するフェンキサイド１モル
あたり１−ブロモ−２，２−ジフロロエタンを０．８か
ら１．５モル、特に０．９から１．２モルが必要であ
る。
【００５５】反応混合物の処理加工および製品の単離を
通常の方法で行ない、例えば反応混合物を水および／ま
たは氷あるいは希薄酸に注ぎ、水性相を分離し、２，２
−ジフロロエトキシベンゼン誘導体を蒸留及び／または
再結晶で単離する。
【００５６】驚くべきことには本発明による方法は例え
ば液晶、助剤、農薬、医薬品用の有効な中間体である置
換２，２−ジフロエトキシベンセン誘導体をも先行技術
に比較して簡単な方法で、かつ高収率で合成可能であ
る。
【００５７】その他の合成方法は当業者には明瞭であ
る。例えば５−置換１，３−ジフロロベンゼン化合物お
よび一弗素置換したその同族体（ｎ＝０，Ｌ3 が水素）
は便利なことには上記の様式にしたがって１，３−ジフ
ロロ化合物あるいは一弗素置換したその同族体（Ｌ3 が
水素）に転換することができ、基Ｒ−（Ａ1 −Ｚ1 ）m
はその後に液晶化学では普通である反応によって導入す
ることができる（例えば、Ｅ．ペッチュ（Ｐｏｅｔｓｃ
ｈ）の論文、コンタクテ（Ｋｏｎｔａｋｔｅ），ダルム
シュタット（Ｄａｒｍｓｔａｄｔ），１９８８年
（２）、１５頁、に記載されているようなエステル化、
エーテル化あるいはカップリング）。
【００５８】ｎ＝０である式ＩＩの化合物は例えば以下
の合成様式によって合成することが可能である。様式３ （Ａ＝−（Ａ’−Ｚ’）m −Ａ2 ）
【００５９】
【化２０】 様式４
【００６０】
【化２１】 様式５
【００６１】
【化２２】 様式６
【００６２】
【化２３】 様式７
【００６３】
【化２４】 出発物質は公知であるか、あるいは公知の方法に類似し
た方法で合成することが可能である。式Ｉのエステルは
アルコールか、またはフェノール（あるいはその反応誘
導体）を使用して相当するカルボン酸（あるいはその反
応誘導体）をエステル化することによって、あるいはＤ
ＣＣ（ＤＣＣ＝ジシクロヘキシルカルボジイミド）法に
よって得ることができる。
【００６４】対応するカルボン酸およびアルコールまた
はフェノールは公知であるか、あるいは公知の方法に類
似した方法で合成することも可能である。
【００６５】式Ｉの化合物の他の合成方法では、アリー
ルハライドを第四級アミンの存在下で、かつパラジウム
触媒の存在下でオレフィンと反応させる（Ｒ．Ｆ．ヘッ
ク（Ｈｅｃｋ） ＡＣＣ．Ｃｈｅｍ．Ｒｅｓ．１２（１
９７９）１４６頁参照）。
【００６６】適当なアリールハライドの例は塩化物、臭
化物およびヨウ化物であり、特にヨウ化物である。例え
ばトリエチルアミンのようなカップリング反応の成功の
ために臭化物および必要な第四級アミンは溶媒としても
適している。適当なパラジウム触媒の例はパラジウム
塩、特にＰｄ（ＩＩ）酢酸塩と例えばトリアリールフォ
スフィンような有機燐化合物（ＩＩＩ）との塩である。
【００６７】反応は不活性溶媒の存在下または無しで０
℃と１５０℃との間の温度、好ましくは２０℃と１００
℃との間の温度で行なうことができる。適当な溶媒の例
はアセトニトリルのようなニトリルまたはベンゼンある
いはトルエンのような炭化水素である。出発物質として
使用したアリールハライドおよびオレフィンは多くの場
合に市販品として入手可能であり、文献から公知の反応
によって、例えば対応するもとの化合物をハロゲン化す
ることによって、または対応するアルコールまたはハラ
イドからの脱離反応によって合成することができる。
【００６８】この方法で例えばスチルベン誘導体を合成
することも可能である。そのスチルベン類もさらに４−
位置換したベンズアルデヒドを対応する燐イリドとウィ
ッティヒ法によって反応させることによって合成するこ
とも可能である。しかしながら、式Ｉのトランもオレフ
ィンの代わりに一置換アセチレンを使用することによっ
て合成することができる（シンセシス（Ｓｙｎｔｈｅｓ
ｉｓ，６２７（１９８０）あるいはテトラヘドロン レ
ターズ（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．）２７
１１７１頁（１９８６））。
【００６９】芳香族化合物はアリールハライドとアリー
ル錫化合物を反応させることによってカップリングする
ことができる。これらの反応は好ましくは例えばパラジ
ウム（０）錯体のような触媒を炭化水素のような不活性
溶媒に添加して、高温で、例えば沸騰しているキシレン
中で保護気体の存在下で行われる。
【００７０】アルキニル化合物とアリールハライドとの
カップリング反応はＡ．Ｏ．キング（Ｋｉｎｇ）、Ｅ．
ネギシ（Ｎｅｇｉｓｈｉ）、Ｆ．Ｊ．ビラニ（Ｖｉｌｌ
ａｎｉ）およびＡ．シルベイラ（Ｓｉｌｖｅｉｒａ）が
有機化学雑誌（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）４３、３５８
（１９７８）に発表した方法に類似して実施することが
できる。
【００７１】式Ｉのトランも１，１−ジアリール−２−
ハロエチレンを強塩基の存在下にジアリールアセチレン
に転位するフリッチュ−ブッテンベルグ−ビーヒェル
（Ｆｒｉｔｓｃｈ−Ｂｕｔｔｅｎｂｅｒｇ−Ｗｉｅｃｈ
ｅｌｌ）転位（アンナーレン（Ａｎｎ．）２７９、３１
９（１９８４））によって合成することが可能である。
【００７２】式Ｉのトランは対応するスチルベンをブロ
ム化し、ついでその生成物を脱ハロゲン化水素すること
によって合成することができる。それ自身公知である変
法をここで使用することができるが、ここには詳細には
記載しない。
【００７３】式Ｉのエーテルは対応するヒドロキシル化
合物、好ましくは対応するフェノールをエーテル化する
ことによって得られ、ヒドロキシル化合物は好都合なこ
とには先ず対応する金属誘導体、例えば対応するアルカ
リ金属アルコキサイドあるいはアルカリ金属フェノキサ
イドにＮａＨ，ＮａＮＨ2 ＮａＯＨ，ＫＯＨ，Ｎａ2Ｃ
Ｏ3 あるいはＫ2 ＣＯ3 による処理によって転換され
る。ついでこれを対応するアルキルハライド、アルキル
スルフォネートあるいはジアルキルスルフォネートと例
えばアセトン、１，２−ジメトキシエタン、ＤＭＦある
いはジメチルスルフォキサイドのような不活性溶媒中、
あるいはＮａＯＨまたはＫＯＨの水溶液あるいは水−ア
ルコール溶液を過剰に使って約２０℃と１００℃との間
の温度で反応させることができる。
【００７４】Ｒ＝アルケニルである式Ｉの化合物はジイ
ソブチルアルミニウムを使用してアルデヒド（Ｒ＝ＣＨ
Ｏ）に転換される対応するシアノ化合物（Ｒ＝ＣＮ）か
ら得ることも可能である。例えば、次のステップでは、
メチレン基をアルデヒドとメトキシメチルトリフェニル
フォスフォニウム クロライドとのウィッティヒ（Ｗｉ
ｔｔｉｇ）反応によって、更に引き続いて得られたエノ
ールエーテル（例えば希塩酸を使用して）の加水分解に
よって導入することができる。
【００７５】出発物質は公知であるか、あるいは公知化
合物に類似した方法で合成することができる。
【００７６】−（ＣＨ2 ）4 −ブリッジを持つ化合物は
次の様式に従って合成できる。様式８
【００７７】
【化２５】 Ｐｄ（ＩＩ）触媒を用いるカップリング反応では目標と
する製品Ｉ* が直接に得られ、あるいは基−Ｙを式Ｉの
化合物のために上記の方法に全く類似した方法で導入し
ている前駆体を生ずるのである。
【００７８】−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ2 ＣＨ2 −ブリッジを
有する化合物を以下の様式に従ったウィッティヒ反応で
合成することができる。様式９
【００７９】
【化２６】 特定の好ましい数個の化合物の合成を以下に詳細に示す
ことにする。様式１０
【００８０】
【化２７】 様式１１
【００８１】
【化２８】 本発明はこのタイプの媒体を含有する電気光学ディスプ
レイおよび電気光学目的用のこれら媒体の使用にも関す
る（特に２枚の平行板状外部板を有するＳＴＮあるいは
ＭＬＣディスプレイであって、枠とともにセルを形成
し、外側板上に個々の画像点をスイッチングするための
集積非線形素子を形成し、セル中に存在する正の誘電異
方性と高い比抵抗のネマチック液晶混合物を生成してい
る）。
【００８２】本発明による液晶混合物は使用できるパラ
メーターの幅を顕著に広くすることを促進している。
【００８３】透明点、低温における粘性、熱的およびＵ
Ｖ安定性、誘電異方性の実現可能な組合せは先行技術か
らの今までの素材よりは遥かに優れている。
【００８４】高い透明点、低温におけるネマチック相、
および高いΔεに対する要求は今までは不満足な程度に
しか達せられなかった。例えばＺＬＩ−３１１９のよう
なシステムは同等の透明点および比較的好ましい粘性を
持っているにもかかわらず、このシステムは僅かに＋３
のΔεを持っているに過ぎない。
【００８５】他の混合物システムは同等の粘性およびΔ
ε値を持っているが、透明点を６０℃領域に持っている
に過ぎない。
【００８６】本発明による液晶混合物はネマチック相を
−２０℃にまで、好ましくは−３０℃、特に好ましくは
−４０℃にまで維持しながら、透明点を８０℃より高
く、好ましくは９０℃より高く、特に好ましくは１００
℃より高く、同時にΔε≧６、好ましくは≧８の誘電異
方性値および高い値の比抵抗を達成することを可能にし
ており、このことは優れたＳＴＮおよびＭＬＣディスプ
レイを達成することができることを示している。
【００８７】この混合物は特に低作動電圧に特徴を有し
ている。ＴＮ閾値（ＶＩＰ）は２．０Ｖより少なく、好
ましくは１．５Ｖより少なく、特に好ましくは１．３Ｖ
より少ない。
【００８８】言うまでもないことであるが、本発明によ
る混合物成分の適当な選択がより高い透明点（例えば１
１０℃）をより高い閾電圧で達成し、より低い透明点を
より低い閾電圧で達成させ、他方では他の有利な特性を
維持するのである。粘性を相当する少量だけ増加するな
らば、比較的高いΔεおよび従って低い閾値の混合物を
得ることも可能になっている。本発明によるＭＬＣディ
スプレイは好ましくはグーチ−タリーの第１の透過ミニ
マム（Ｃ．Ｈ．ＧｏｏｃｈおよびＨ．Ａ．Ｔａｒｒｙ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．１０，２−４，１９７
４、Ｃ．Ｈ．ＧｏｏｃｈおよびＨ．Ａ．Ｔａｒｒｙ、Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．巻８、１５７５−１５８４、１９７
５年）で作動することである。この場合には、例えば特
性線の急勾配、類似のディスプレイ中と同じような閾電
圧におけるコントラストの低い角度依存性（ドイツ特許
３０ ２２ ８１８）のような特に好ましい電気光学特
性に加えて、第２のミニマムにおける低い誘電異方性は
十分である。このことは本発明による混合物を使用する
ことによって、シアン化合物を含有する混合物を使用す
ることよりも第１のミニマム中でおいて顕著に高い比抵
抗を達成することになるのである。当業者は個々の成分
およびその重量の適当な選択によってＭＬＣディスプレ
イの所定の層厚さに必要な複屈折を製造する簡単な日常
的な方法を使用することが出来る。
【００８９】２０℃における粘性は好ましくは＜６０ｍ
Ｐａ．ｓ、特に好ましくは＜５０ｍＰａ．ｓである。ネ
マチック相範囲は好ましくは少なくとも９０℃であり、
特に少なくとも１００℃である。この範囲は好ましくは
少なくとも−２０℃から＋８０℃に広がっている。
【００９０】「容量保持率」（ＨＲ）の測定［Ｓ．マツ
モト（Ｍａｔｓｕｍｏｔｏ）など、液晶５、１３２０
（１９８９）、Ｋ．ニワ（Ｎｉｗａ）などＳＩＤ会議会
議録、サンフランシスコ、１９８４年６月、３０４頁
（１９８４）、Ｇ．ウエーバー（Ｗｅｂｅｒ）など、液
晶５、１３８１（１９８４）］は式Ｉの化合物を含有す
る本発明による混合物が温度の上昇とともに式Ｉの化合
物が式
【００９１】
【化２９】 のシアノフェニルシクロヘキセンで置換されている類似
の混合物よりもかなり小さい減少を示している。
【００９２】本発明による混合物のＵＶ安定性もかなり
良好である。すなわちＵＶ光に曝光してもＨＲには極め
て小さな減少があるに過ぎない。
【００９３】本発明による媒体は好ましくは式Ｉの複数
（好ましくは２種以上）の化合物を原料にしており、す
なわちこれらの化合物の割合は５−９５％、好ましくは
１０−６０％、特に好ましくは２０−５０％の範囲内に
ある。
【００９４】本発明による媒体中で使用することができ
る式ＩないしＸＩおよびその従属式の個々の化合物は公
知であるかあるいは公知化合物に類似した方法で合成す
ることができる。
【００９５】好ましい実施態様を以下に示す： ＊媒体は一般式ＩＩないしＶから成るグループから選択
された１種以上の化合物を付加的に含有する。
【００９６】
【化３０】 （これらの式においては個々の基は以下のように定義さ
れている。 Ｒ0 それぞれの場合に７個までの炭素を有するアル
キル、オクサアルキル、フロロアルキル、あるいはアル
ケニルであり、 Ｘ0 弗素、塩素、ＣＦ3 、ＯＣＦ3 、ＯＣＨＦ2 、
ＯＣＨ＝ＣＦ2 、ＯＣＦ＝ＣＦ2 、ＯＣＦＨ−ＣＦ2 Ｈ
あるいはＯＣＦ2 −ＣＦ2 Ｈであり、Ｙ1 およびＹ2 は
たがいに独立に、それぞれ水素あるいは弗素であり、ｒ
は０または１である）。
【００９７】式ＩＶの化合物は好ましくは
【００９８】
【化３１】 である。 ＊媒体は一般式ＶＩないしＸＩから成るグループから選
択された１種以上の化合物を付加的に含有する。
【００９９】
【化３２】 （これらの式においてはＲ0 、Ｙ1 およびＹ2 はたがい
に独立であり、それぞれ請求項２に定義されたとおりで
あり、Ｘ0 は弗素、塩素、ＣＦ3 、ＯＣＦ3 、ＯＣＨＦ
2 、それぞれ７個までの炭素原子を有するアルキル、オ
クサアルキル、フロロアルキル、あるいはアルケニルで
ある。 ＊式ＩないしＶの化合物の全混合物中での割合はまとめ
て少なくとも５０重量％である。 ＊式Ｉの化合物の割合は全混合物中で１０ないし５０重
量％である。 ＊式ＩＩないしＶの化合物の割合は全混合物中で３０な
いし７０重量％である。 ＊式
【０１００】
【化３３】 は好ましくは
【０１０１】
【化３４】 である。 ＊媒体は式ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶまたはＶの化合物を含有
している。 ＊Ｒ0 は２ないし７個の炭素原子を有する直鎖のアルキ
ルまたはアルケニルである。 ＊媒体は実質的には式ＩないしＶの化合物から構成され
ている。 ＊媒体は一般式ＸＩＩないしＸＶＩから成る群から好ま
しくは選択されたその他の化合物を含有する。
【０１０２】
【化３５】 （この式においてＲ0 およびＸ0 は請求項２で定義され
たとりであり、１，４−フェニレン環はＣＮ，塩素ある
いは弗素で置換されていても良い。１，４−フェニレン
環は好ましくは弗素原子で一置換あるいは多置換されて
いてもよい）。 ＊式Ｉの化合物と式（ＩＩ＋ＩＩＩ＋ＩＶ＋Ｖ）の化合
物の重量比は好ましくは１：１０ないし１０：１であ
る。 ＊媒体は実質的には一般式ＩないしＸＩから成るグルー
プらら選択された化合物から成り立っている。
【０１０３】慣用の液晶素材、特に式ＩＩ、ＩＩＩ、Ｉ
Ｖおよび／またはＶの１種以上の化合物と式Ｉの化合物
を比較的低い割合で混合しても閾値電圧を顕著に低下さ
せ、かつ低い複屈折値を生じ、さらに同時に低いスメク
チック−ネマチック転移温度を有する広いネマチック相
が見出され、その結果保存期間が改善された。式Ｉない
しＶの化合物は無色、安定であり、さらに相互に混合す
ることも他の液晶素材と混合することも可能である。
【０１０４】「アルキル」という用語は２−７個の炭素
原子を有する直鎖および枝別れしたアルキル基をカバー
し、特に直鎖の基はメチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシルおよびヘプチルである。２−５
個の炭素原子を有する基が一般的に好ましい。
【０１０５】「アルケニル」という用語は２−７個の炭
素原子を有する直鎖および枝別れしたアルケニル基をカ
バーし、特に直鎖の基をカバーしている。好ましいアル
ケニル基はＣ2 −Ｃ7 −１Ｅ−アルケニル、Ｃ4 −Ｃ7
−３Ｅ−アルケニル、Ｃ5 −Ｃ7 −４−アルケニル Ｃ
6 −Ｃ7 −５−アルケニル、Ｃ7 −６−アルケニル、特
にＣ2 −Ｃ7 −１Ｅ−アルケニル、Ｃ4 −Ｃ7 −３Ｅ−
アルケニル、Ｃ5 −Ｃ 7 −４−アルケニルである。特に
好ましいアルケニル基の例はビニル、１Ｅ−プロペニ
ル、１Ｅ−ブテニル、１Ｅ−ペンテニル、１Ｅ−ヘキセ
ニル、１Ｅ−ヘプテニル、３−ブテニル、３Ｅ−ペンテ
ニル、３Ｅ−ヘキセニル、３Ｅ−ヘプテニル、４−ペン
テニル、４Ｚ−ヘキセニル、４Ｅ−ヘキセニル、４Ｚ−
ヘプテニル、５−ヘキセニル、６−ヘプテニル、および
これらの類似化合物である。５個迄の炭素原子を有する
基が一般的に好ましい。
【０１０６】「フロロアルキル」という用語は好ましく
は末端に弗素を含有する直鎖の基、すなわちフロロメチ
ル、２−フロロエチル、３−フロロプロピル、４−フロ
ロブチル、５−フロロペンチル、６−フロロヘキシルお
よび７−フロロヘプチルをカバーしている。しかしなが
ら、他の場所の弗素も除外するものではない。
【０１０７】「オクサアルキル」という用語は好ましく
は式Ｃn Ｈ2n+1−Ｏ−（ＣＨ2 ）mの直鎖の基をカバー
し、この式中、ｎおよびｍは互いに独立であって、それ
ぞれ１ないし６である。ｎは好ましくは１であり、ｍは
好ましくは１ないし６である。
【０１０８】Ｒ0 およびＸ0 の意味を適当に選択するこ
とによって、アドレッシングタイム、閾値電圧、透過特
性線の勾配などを希望通りに改善することができる。例
えば、１Ｅ−アルケニル基、３Ｅ−アルケニル基、２Ｅ
−アルケニルオキシ基および類似の基は一般的に短いア
ドレッシグ時間、改善されたネマチック傾向、およびア
ルキルおよびアルコキシ基に比較して弾性定数ｋ33（湾
曲）およびｋ11（広がり）間の高い比率を示すことにな
る。４−アルケニル基、３−アルケニル基および類似の
基は一般的には低い閾値電圧、アルキルおよびアルコキ
シ基に比較して低いｋ33／ｋ11値を示すことになる。
【０１０９】Ｚ1 中の−ＣＨ2 ＣＨ2 −基は一般的には
単純な共有結合に比較して高いｋ33／ｋ11値を生ずる。
高いｋ33／ｋ11値は例えば９０0 のねじれ（グレイトー
ンを達成するために）を有するＴＮセルではフラットな
透過特性線およびＳＴＮ、ＳＢＥおよびＯＭＩセル（大
きな複合能力）では急峻な透過特性線を促進し、逆の場
合には逆になる。
【０１１０】式Ｉおよび式ＩＩ＋ＩＩＩ＋ＩＶ＋Ｖの化
合物の最適混合比は実質的には希望する特性によって、
式Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ，ＩＶおよび／またはＶの成分の選
択、存在しても良い他のいずれかの成分の選択によって
異なる。上記の範囲内での適当な混合比は容易に１件毎
に決めることができる。
【０１１１】本発明による混合物中の式ＩないしＸＩの
化合物の全量は決定的ではない。したがって、混合物は
その他の種々の特性を最適化するためにさらに１種以上
の他の成分を含有していてもよい。しかしながら、式Ｉ
ないしＸＩの化合物の全濃度が高くなるほど、アドレッ
シングタイムおよび閾値電圧に観察された効果は一般的
には大きくなる。
【０１１２】特に好ましい実施態様では本発明による媒
体はＸ0 がＯＣＦ3 、ＯＣＨＦ2 、Ｆ、ＯＣＨ＝ＣＦ
2 、ＯＣＦ＝ＣＦ2 あるいはＯＣＦ2 −ＣＦ2 Ｈである
式ＩＩないしＶの化合物（好ましくはＩＩおよび／また
はＩＩＩ）を含有している。式Ｉの化合物との好ましい
相乗効果は特に有利な特性になって表われている。
【０１１３】ＳＴＮ利用では、媒体は好ましくはＸ0 が
好ましくはＯＣＨＦ2 あるいはＣＮである式ＩＩないし
Ｖから成るグループから選択された化合物を含有する。
【０１１４】本発明による媒体はさらに−１．５ないし
＋１．５の誘電異方性を有する一般式Ｉ’の１種以上の
化合物から成る成分Ａを含有していてもよい。
【０１１５】
【化３６】 （この式において、Ｒ1 およびＲ2 は互いに独立であ
り、それぞれ９個迄の炭素原子を有するｎ−アルキル、
ｎ−アルコキシ、ω−フロロアルキルまたはｎ−アルケ
ニルであり、 ３種の基
【０１１６】
【化３７】 は互いに独立であり、それぞれ１，４−フェニレン、２
−あるいは３−フロロ−１，４−フェニレン、トランス
−１，４−シクロヘキシレン、あるいは１，４−シクロ
ヘキセニレンであり、Ｚ1'およびＺ2'は互いに独立であ
り、それぞれ−ＣＨ2 ＣＨ2 −、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯ−
Ｏ、−Ｏ−ＣＯ−あるいは単結合であり、ｎは０、１あ
るいは２である）。
【０１１７】成分Ａは好ましくは式ＩＩ１ないしＩＩ７
【０１１８】
【化３８】 （この式において、Ｒ1 およびＲ2 は式Ｉ’で定義した
通りである）から成るグループから選択された１種以上
の化合物を含有している。
【０１１９】成分Ａは好ましくは付加的にＩＩ８ないし
ＩＩ２０
【０１２０】
【化３９】 （この式においてＲ1 およびＲ2 は式Ｉ’で定義した通
りであり、ＩＩ８ないしＩＩ１７中の１，４−フェニレ
ン基は互いに独立であって、それぞれ弗素の一置換ある
いは多置換であっても良い）から成るグループから選択
された１種以上の化合物を更に含んでいる。
【０１２１】成分Ａは好ましくは付加的にＩＩ２１ない
しＩＩ２５
【０１２２】
【化４０】 （この式においてＲ1 およびＲ2 は式Ｉ’で定義した通
りであり、ＩＩ２１ないしＩＩ２５中の１，４−フェニ
レン基は互いに独立であって、それぞれ弗素の一置換あ
るいは多置換であってもよい）から成るグループから選
択された１種以上の化合物を更に含んでいる。
【０１２３】正の誘電異方性を有する極性化合物のタイ
プと量はそれ自身決定的ではない。当業者は公知の、し
かも多くの場合市販の成分および原料混合物の広い範囲
から適当な素材を選択する簡単な日常的な実験を利用す
ることができる。本発明による媒体は好ましくは１種以
上の式Ｉ”の化合物を含有している。
【０１２４】
【化４１】 （この式においてはＺ1'、Ｚ2'およびｎは式Ｉ’で定義
した通りであり、 ２種の基
【０１２５】
【化４２】 は互いに独立であって、それぞれ１，４−フェニレン、
トランス−１，４−シクロヘキシレン、あるいは３−フ
ロロ−１，４−フェニレン、かつ両基のうちのいずれか
はトランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピ
リミジン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル
あるいは１，４−シクロヘキセニレンであり、Ｒ0 はｎ
−アルキル、ｎ−アルケニル、ｎ−アルコキシ、ｎ−オ
クサアルキルであり、それぞれの場合に９個までの炭素
原子を有し、Ｙ1 あるいはＹ2 は水素または弗素であ
り、Ｘ’はＣＮ、ハロゲン、ＣＦ3 、ＯＣＦ3 あるいは
ＯＣＨＦ2 である） 好ましい実施態様では、ＳＴＮあるいはＴＮ利用のため
の本発明による媒体はＸ’がＣＮである式Ｉ”の化合物
を原料にしている。当然のことながら、式Ｉ”の他の化
合物（Ｘ’≠ＣＮ）を多量または少量にすることも可能
である。ＭＬＣ利用のためには、本発明による媒体は好
ましくは式Ｉ”のニトリルを約１０％しか含有しない
（しかし好ましくは式Ｉ”のニトリルを含まないが、そ
の代わりとしてＸ’がハロゲン、ＣＦ3 、ＯＣＦ3 、Ｏ
ＣＨＦ2 である式Ｉ’の化合物を含む）。これらの媒体
は好ましくは式ＩＩないしＸＩの化合物を原料としてい
る。
【０１２６】本発明による媒体は好ましくは−６≦Δε
≦−１．５の範囲の誘電異方性を有する式Ｉ’’’
【０１２７】
【化４３】 （この式において、Ｒ1 、Ａ1 、Ｚ1'、Ａ2 、Ｚ2'、ｎ
およびＲ2 は式Ｉ’で定義した通りである）の化合物を
１種以上含有し、スイッチングしたときに画素の容量の
小変化を希望する利用（例えばディスプレイあるいはＴ
ＦＴデイスプレイ）のための媒体である。
【０１２８】式Ｉ1'''ないしＩ3'''の化合物が好まし
い。
【０１２９】
【化４４】 偏光子、電極基板および表面処理された電極から成る本
発明によるＳＴＮおよびＭＬＣデイスプレイの構造はこ
のタイプのディスプレイに慣用である構造に一致してい
る。ここで言う「慣用の構造」という用語は広い意味で
用いられており、ＭＬＣデイスプレイ、特にポリＳｉＴ
ＦＴあるいはＭＩＭに基づくマトリックスディスプレイ
素子の全ての誘導形態および変更形態をカバーしてい
る。
【０１３０】本発明によるディスプレイとツイステッド
ネマチックセルを原料とする従来の普通のディスプレイ
との間の基本的な相違はしかしながら、液晶層中の液晶
パラメーターの選択である。
【０１３１】本発明によって使用することができる液晶
混合物はそれ自身慣用の方法で製造することができる。
一般的には、少量使用する成分の希望量を主構成成分に
なっている成分に、好適には温度を挙げて溶解する。例
えばアセトン、クロロフォルムあるいはメタノールのよ
うな有機溶媒に成分を溶解した溶液を混合し、完全な混
合の後に溶媒を例えば蒸留によって再び除去することも
可能である。
【０１３２】誘電体は当業者に公知であって、かつ文献
記載のその他の添加物を含有していてもよい。例えば、
多色性の染料あるいはキーラルドーピング剤０−１５％
を添加しても良い。
【０１３３】Ｃは結晶性相、Ｓはスメクチック相、ＳB
はスメクチックＢ相、Ｎはネマチック相およびＩは等方
性相を示す。
【０１３４】Ｖ10は１０％透過のため（板表面に直角な
視角）の電圧を示す。ｔonはＶ10値の２．５倍に相当す
る操作電圧でのスイッチオン時間およびｔoff はＶ10値
の２．５倍に相当する操作電圧でのスイッチオフ時間を
示す。Δｎは光学異方性を示し、ｎ0 は屈折率を示す。
Δεは誘電異方性（Δε＝ε‖−ε⊥、ここでε‖は長
さ方向の分子軸に平行な誘電率、ε⊥は長さ方向の分子
軸に直角な誘電率である）を示す。特に記載しないかぎ
り、電気光学データは２０℃で第１ミニマム（すなわち
ｄ・Δｎ値が０．５における）でのＴＮセル中で測定し
た。
【０１３５】本出願中および以下の実施例では液晶化合
物の構造を略成語で示し、その化学式への変換は以下の
表ＡおよびＢによって行なう。全ての基Ｃn Ｈ2n+1およ
びＣ m Ｈ2m+1はｎあるいはｍの炭素原子を含有する直鎖
アルキル基である。表Ｂ中のコーディングは自明であ
る。表Ａでは基本構造の略成語のみを示す。個々の場合
には基本構造の略成語の後にハイフンで分離して、置換
基Ｒ1 、Ｒ2 、Ｌ1 およびＬ2 のコードが続くのであ
る。
【０１３６】
【化４５】 表Ａ
【０１３７】
【化４６】
【０１３８】
【化４７】 表Ｂ
【０１３９】
【化４８】
【０１４０】
【化４９】
【０１４１】
【実施例】以下の実施例は発明を説明することを意図し
たものであって、これの制限を意図するものではない。
今までおよびこれ以下においても、百分率は重量百分率
である。全ての温度表示はセ氏温度である。ｍ．ｐ．は
融点、ｃ．ｐ．は透明点を示す。さらにＣは結晶性状
態、Ｎはネマチック相、Ｓはスメクチック相、Ｉは等方
性相を示す。これらの記号間の数値は転移温度を示す。
Δｎは光学異方性（５８９ｎｍおよび２０℃）を示し、
粘度（ｍｍ2 ／ｓｅｃ）は２０℃で測定した。「通常の
加工処理操作」とは必要な場合には水を添加し、混合物
をジクロロメタン、ジエチルエーテルあるいはトルエン
で抽出し、有機相を分離し、乾燥し、蒸発し、生成物を
減圧下に蒸留、再結晶および／またはクロマトグラフィ
ーによって精製することを意味する。以下の略語を使用
する。 ＤＭＥＵ １，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン ＰＯＴ ターシャリーブトキサイドカリウム ＴＨＦ テトラヒドロフラン ｐＴＳＯＨ ｐ−トルエンスルフォン酸
【０１４２】実施例１
【０１４３】
【化５０】 工程１．１
【０１４４】
【化５１】 １−ブロモ−３．５−ジフロロフェノキサイドナトリウ
ム０．０５モルをＤＭＥＵ５０ｍｌに窒素雰囲気下にフ
ラスコ中で混合し、この混合物を５０℃に加熱する。１
−ブロモ−２，２−ジフロロエタン０．０５モルを攪拌
しながらこれに滴下する。その混合物をその後に１夜５
０℃で攪拌する。１−ブロモ−２，２−ジフロロエタン
０．００５モルを添加し、その混合物を２４時間７０℃
で攪拌し、その後に室温に冷却する。水を添加し、その
混合物を通常の加工処理操作に付する。融点は８８℃／
１５ｍｍである。工程１．２
【０１４５】
【化５２】 ｐ−トランス−［４−プロピルシクロヘキシル］−フェ
ニルボロニック酸０．０３モルをトルエン６０ｍｌに溶
解し、この液を水酸化ナトリウム４．８ｇを水３０ｍｌ
に溶解した水溶液に添加し、この混合物を０．５時間４
５℃で攪拌する。１−（２，２−ジフロロエトキシ）−
４−ブロモ−２，６−ジフロロベンゼン０．０３モルお
よびテトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウ
ム（０）０．７ｇをこの溶液に添加し、この混合物を１
００℃で１夜攪拌し、その後に室温に冷却し、有機相を
分離する。溶媒をロータリーエバポレータで除去し、残
留物を石油エーテル５０−７０℃を使用して、シリカゲ
ルフリットを使って濾過する。濾液を蒸発し、残留物を
ｎ−ヘキサンから再結晶する。Ｃ８１Ｎ１２１．６Ｉ
Δｎ＝＋０．１５３，Δε＝１０．４１である。 式
【０１４６】
【化５３】 の化合物群を同様に合成する。
【０１４７】
【化５４】
【０１４８】
【化５５】
【０１４９】
【化５６】
【０１５０】
【化５７】
【０１５１】
【化５８】
【０１５２】
【化５９】
【０１５３】
【化６０】
【０１５４】実施例２
【０１５５】
【化６１】 工程２．１ ＨＣＦ2 ＣＨ2 ＯＳＯ2 ＣＨ3 ２，２−ジフロロエタノール４．０ｍｌをジクロロメタ
ン２００ｍｌに溶解し、トリエチルアミン４．０４モル
をこの溶液に１０−１５℃で滴下する。この混合物をそ
の後に１０分間攪拌し、その後にメタンスルフォニルク
ロライド４．０４モルを５−１０℃で滴下する。反応混
合物を１夜攪拌し、その間に白色の沈殿物が生成する。
沈殿物を濾過し、濾液を１０％の塩化水素酸で、さらに
その後に水で洗浄する。溶液をその後に硫酸ナトリウム
で乾燥し、蒸発させ、残留物を蒸留する。沸点は１７２
℃／１００ｍｍである。工程２．２
【０１５６】
【化６２】 ４−ブロモ−２．６−ジフロロフェノキサイド０．４２
モルをＤＭＥＵ３５０ｍｌに窒素雰囲気下に溶解し、こ
の溶液を１４０℃に加熱する。工程２．１からのメシル
化体０．４２モルを０．５時間かかってこの溶液に滴下
し、その混合物を１夜１４０℃で攪拌する。その反応混
合物を室温に冷却し、水２ｌ中に注ぐ。エーテルで抽出
後にエーテル相を先ず水酸化ナトリウムの５％溶液で、
その後に水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶液
を蒸発させ、残留物を蒸留する。沸点は８８−８９℃／
１５ｍｍである。工程２．３
【０１５７】
【化６３】 ｐ−トランス−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニ
ルボロニック酸と１−（２，２−ジフロロエトキシ）−
４−ブロモ−２，６−ジフロロベンゼンとのカップリン
グは工程１．２と同様に行なう。Ｃ５４Ｎ１２２．７Ｉ
Δｎ＝＋０．１４７，Δε＝９．８５である。実施例３
【０１５８】
【化６４】 トランス−４−（トランス−４−プロピル−シクロヘキ
シル）シクロヘキシルブロマイド ０．１モル、粒状リ
チューム０．２モル、臭化亜鉛０．０５モルをトルエン
／ＴＨＦ混合液（４：１）１５０ｍｌに入れ、１０−１
５℃で４時間超音波処理を行なう。１−（２，２−ジフ
ロロエトキシ）−４−ブロモ−２，６−ジフロロベンゼ
ン０．０５モルおよび１，１’−ビス（ジフェニルフォ
スフィン）フェロセンパラジウム（ＩＩ）クロライド
１．２ｇを添加し、その混合物を１夜室温で攪拌する。
飽和塩化アンモニウム溶液２００ｍｌをこの溶液に滴下
し、その後に０．５時間攪拌する。有機相を分離し、水
溶液相をトルエンで抽出する。合体させた有機抽出物を
硫酸ナトリウムを使って乾燥する。Ｃ７２Ｎ１５２．９
Ｉ Δｎ＝＋０．０８７，Δε＝７．７５である。式
【０１５９】
【化６５】 の化合物群が同様に得られた。
【０１６０】
【化６６】
【０１６１】
【化６７】
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年５月１７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はベンゼン誘導体および液
晶性媒体に関し、さらに電気光学目的に後者を使用する
ことおよびこの媒体を含有するディスプレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶は特に誘電体としてデイスプレイ装
置中で使用されており、その理由はこれらの物質の光学
的な特性が印加電圧によって影響を受けるからである。
液晶を原料とする電気光学装置は当業者には極めて良く
知られており、種々の効果に基づくのであろう。このタ
イプの装置は例えばダイナミック スキャッタリングを
有するセル、ＤＡＰ（配向相の変形）セル、ゲスト／ホ
ストセル、ねじれネマチック構造を有するＴＮセル、Ｓ
ＴＮ（スーパーツイステドネマチック）セル、ＳＢＥ
（スーパー複屈折効果）セル、およびＯＭＩ（オプティ
カルモード干渉）セルである。最も良く知られたディス
プレイ装置はシャットーヘルフリッチ効果に基ずいてお
り、ねじれネマチック構造を持っている。
【０００３】液晶素材は化学的ならびに熱的な安定性を
持っていなければならず、電場および電磁波にたいして
も良い安定性をもっていなければならない。さらに液晶
素材は低い粘性を持っていなければならず、さらに短い
アドレス時間、低い閾値電圧、セル中での高いコントラ
ストを示さなければならない。さらに、これらの素材は
例えば上記のセル中で適当な中間相、普通の操作温度、
すなわち室温以上及び以下の出来るだけ広い範囲で、ネ
マチックあるいはコレステリック中間相を持っていなけ
ればならない。液晶は、通常は複数の成分の混合物とし
て使用されるので、成分が相互に容易に混合しうること
が重要である。電気伝導度、誘電異方性および光学異方
性のようなその他の特性はセルタイプおよび使用分野に
よって異なるが、種々の要求条件に合致しなければなら
ない。例えば、ねじれネマチック構造を有するセル用の
素材は正の誘電異方性および低い電気伝導度を持ってい
なければならない。
【０００４】例えば、個々の画像点をスイッチングする
ための集積非線形素子を含有するマトリックス液晶ディ
スプレイ（ＭＬＣ−デイスプレイ）用に設計されている
媒体は高い正の誘電異方性、広いネマチック相、比較的
低い複屈折、極めて高い比抵抗、良好なＵＶ安定性およ
び抵抗の温度安定性並びに低い蒸気圧を有する媒体であ
る。
【０００５】このタイプのマトリックス液晶ディスプレ
イは公知である。個々の画像点を個々にスイッチするよ
うに使用可能な非線形素子の例はアクティブ素子（すな
わちトランジスター）である。これを今後はアクチブマ
トリックスと称し、次の２種のタイプ間の区分が出来る
ことになる。 １ ＭＯＳ（金属酸化物半導体）あるいは基板としての
シリコンウエファー上のその他のダイオード ２ 基板としてのガラス板上の薄いフィルムトランジス
ター（ＴＦＴ） 種々の部分デイスプレイのモジュラーアセンブリーが接
合点では問題を生ずるから、基板素材としての単結晶シ
リコンの使用はデイスプレイ大きさを限定している。
【０００６】もっと遥かに有望で、好ましいなタイプ２
の場合には、使用している電気光学効果は通常はＴＮ効
果である。２種の技術間に分化が行われており、例えば
ＣｄＳｅのような化合物半導体から成るＴＦＴあるいは
多結晶または非晶質シリコンに基ずくＴＦＴである。後
者の技術について全世界的に広範囲の研究努力がおこな
われている。
【０００７】ＴＦＴマトリックスはデイスプレイの一方
のガラス板の内側に使用されており、他のガラス板の内
側には透明の対電極が付けられている。画像点電極の大
きさと比較して、ＴＦＴは極めて小さく、殆ど画像には
影響を示さない。この技術をフルカラー対応の画像デイ
スプレイに拡大することも可能であり、その場合に各フ
ィルター素子をスイッチ可能な画像素子に対面させるよ
うな方法で赤、緑、青フィルターのモザイクを配置して
いる。
【０００８】ＴＮＴディスプレイは透過では直交偏光子
を有するＴＮセルとして通常は動作しており、背面から
照射されている。
【０００９】ＭＬＣデイスプレイという用語はここでは
集積非線形素子を含むいかなるマトリックスデイスプレ
イをもカバーし、すなわちアクチブマトリックスに加え
て、バリスターあるいはダイオードのようなパッシブ素
子を含有するディスプレイをもカバーしている（ＭＩＭ
＝金属−絶縁体−金属）。
【００１０】このタイプのＭＬＣディスプレイは特にＴ
Ｖ利用（例えばポケットＴＶセット）あるいはコンピュ
ーター用の高度情報デイスプレイ（ラップトップ）さら
に自動車および航空機内での高度情報デイスプレイには
特に適している。コントラストの角度依存性およびスイ
ッチングタイムに関する問題に加えて、液晶混合物の不
適切な比抵抗によってＭＬＣデイスプレイ中で問題が発
生している。Ｓ．トガシ（Ｔｏｇａｓｈｉ）、Ｋ．セキ
グチ（Ｓｅｋｉｇｕｃｈｉ）、Ｈ．タナベ（Ｔａｎａｂ
ｅ）、Ｅ．ヤマモト（Ｙａｍａｍｏｔｏ）、Ｋ．ソリマ
チ（Ｓｏｒｉｍａｃｈｉ）、Ｅ．タジマ（Ｔａｊｉｍ
ａ）、Ｈ．ワタナベ（Ｗａｔａｎａｂｅ）、Ｈ．シミズ
（Ｓｈｉｍｉｚｕ）、Ｐｒｏｃ．Ｅｕｒｏｄｉｓｐｌａ
ｙ８４，１９８４年９月、Ａ２１０−２８８，ダブルス
テージダイオードリングによって制御されたマトリック
スＬＣＤ １４１頁以下、パリ；Ｍ．ストローマー（Ｓ
ｔｒｏｍｅｒ），Ｐｒｏｃ．Ｅｕｒｏｄｉｓｐｌａｙ８
４、１９８４年９月、テレビジョン液晶デイスプレイの
マトリックスアドレッシング用の薄いフィルムトランジ
スターデザイン １４５頁以下、パリ。抵抗が減少する
につれて、ＭＬＣデイスプレイのコントラストが悪化
し、「残像消去」の問題が生ずるかもしれない。液晶混
合物の比抵抗は一般にはデイスプレイの内部表面との相
互作用によってＭＬＣデイスプレイの寿命の全期間に亙
って減少するので、高い（初期の）抵抗が承認可能な利
用寿命を得るためには極めて重要である。特に、低電圧
混合物の場合には、極めて高い比抵抗を達成することは
今までは不可能であった。さらに比抵抗が温度上昇とと
もに、加熱後および／またはＵＶ光曝光後に出来るかぎ
り小さくしか増加しないことが重要である。従来の技術
からの混合物の低温特性も特に不利であった。結晶化お
よび／またはスメクチック相が低温においてさえも発現
せずに、粘性の温度依存性が出来るだけ小さいことが要
求されている。従来技術のＭＬＣデイスプレイは従って
現在の要求を満足させるものではなかった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従って、極めて高い比
抵抗、同時に広い操作温度範囲、低温においてさえも短
いスイチイングタイム、低い閾値電圧を持ち、これらの
欠点を全く持たないか、あるいは僅かしか持たないＭＬ
Ｃデイスプレイへ強い要望が継続して存在している。
【００１２】ＴＮ（シャット−ヘルフリッチ）セルで
は、セル中で以下の長所を発揮する媒体が設計されてい
る。 −拡張されたネマチック相範囲（特に低温まで） −極めて低温においてもスイッチング可能性（戸外使
用、自動車用、アビオニクス） −ＵＶ照射に対する増大した安定性（長寿命） 従来技術から利用可能な媒体は他のパラメーターを同時
に維持しながらこれらの長所を達成することは不可能で
あった。
【００１３】スーパーツイステド（ＳＴＮ）セルにあっ
ては、大きな多重化能力および／または低い閾値電圧お
よび／または広いネマチック相範囲（特に低温で）を持
つ媒体が望まれている。この目的には使用可能なパラメ
ーターの幅（透明点、スメクチック−ネマチック転移、
融点、粘性、誘電率、弾性率）を更に広げることが緊急
に望まれている。
【００１４】本発明は上記の欠点を持たないか、あるい
は少ししか持たず、かつ好ましくは同時に極めて高い比
抵抗および低い閾電圧を持つこのタイプの特にＭＬＣ，
ＴＮあるいはＳＴＮデイスプレイ用の媒体を提供するこ
とを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明による媒体がディ
スプレイ中で使用されるならば、この目的を達成するこ
とができることが見出されたのである。
【００１６】従って本発明は正の誘電異方性を有する極
性化合物の混合物を主成分とする液晶性媒体に関し、そ
の特徴とするところはこの混合物が一般式Ｉ
【００１７】
【化１０】 （式中、Ｒは水素、置換されてないか、あるいはＣＮま
たはＣＦ3 でモノ置換されているあるいはハロゲンで少
なくともモノ置換されている１ないし１５個迄の炭素原
子を有するアルキルあるいはアルケニル基であり、 こ
れらの基の中の１個以上のＣＨ2 が、それぞれの場合
に、たがいにそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、
【００１８】
【化１１】 −ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−または−Ｏ−Ｃ
Ｏ−Ｏ−で、−Ｏ−がおたがいに直接結合しないように
置換されていても良く、Ａ1 およびＡ2 おたがいに独立
であって、それぞれ（ａ） トランス−１，４−シクロ
ヘキシレン基であって、この基では１以上の非隣接ＣＨ
2 基が−Ｏ−および／または−Ｓ−で置換されていても
良く、（ｂ） １，４−フェニレン基であって、この基
では１あるいは２個のＣＨ基がＮで置換されていても良
く、（ｃ） １，４−シクロヘキセニレン、１，４−ビ
シクロ（２，２，２）−オクチレン、ピペリジン−１，
４−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、デカヒドロ
ナフタレン−２，６−ジイルおよび１，２，３，４−テ
トラヒドロナフタレン−２，６−ジイルから成る群から
選ばれた基であり、さらに基（ａ）および（ｂ）は１あ
るいは２個の弗素原子で置換可能であり、Ｚ1 およびＺ
2 は互いに独立であって、それぞれ−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ
−ＣＯ−、−ＣＨ2 Ｏ−、−ＯＣＨ2 −、−ＣＨ2 ＣＨ
2 −、−ＣＨ＝ＣＨ−，−Ｃ≡Ｃ−あるいは単結合であ
り、あるいは基Ｚ1 およびＺ2 の一方が−（ＣＨ2 ）4
−または−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ2 ＣＨ2 −であり、Ｌ1 、
Ｌ2 およびＬ3 は互いに独立であり、それぞれ水素ある
いはＦであり、ｍは０、１あるいは２であり、ｎは０あ
るいは１である）の化合物の１種以上を含有しているこ
とである。
【００１９】式Ｉの化合物は広い使用範囲を持ってい
る。置換基の選択によって異なるが、これらの化合物は
液晶性媒体を圧倒的に構成する原料素材として使用する
ことができる。しかしながら、例えばこのタイプの誘電
体の誘電異方性および光学異方性を改善するために、か
つその閾値電圧および／またはその粘性を最適化するた
めに他のクラスの化合物からの液晶性原料素材に式Ｉの
化合物を添加することも可能である。
【００２０】純粋な状態では、式Ｉの化合物は無色であ
り、電気光学使用に好ましい位置にある温度範囲では液
晶性の中間相を成している。これら化合物は化学的に、
熱的に安定であり、光にたいしても安定である。
【００２１】本発明はまた式Ｉの化合物にも関する。
【００２２】式Ｉの化合物はＷＯ９０−０１０５６の中
の一般式に含まれている。本発明による弗素化化合物は
そこでは言及されていない。１個以上の弗素原子を導入
することはこの化合物の粘性に顕著な効果を持ってい
る。
【００２３】特に好ましい化合物はＬ3 がＦであってｎ
＝０であるか、Ｌ3 ＝Ｆであって、ｎ＝１である式Ｉの
化合物である。Ａ1 がＦで一置換あるいは二置換されて
いるか、あるいはＣＮで一置換されている１，４−フェ
ニレンである式Ｉのおよび全ての従属式に言及される。
これらは特に２−フロロ−１，４−フェニレン、３−フ
ロロ−１，４−フェニレン、３，５−ジフロロ−１，４
−フェニレン、２−シアノ−１，４−フェニレン、３−
シアノ−１，４−フェニレンである。
【００２４】Ｚ1 およびＺ2 は好ましくは単結合あるい
は−ＣＨ2 ＣＨ2 −であり、第二義的に好ましくは−Ｃ
Ｈ2 Ｏ−、−ＯＣＨ2 −、−Ｏ−ＣＯ−，−ＣＯ−Ｏ−
である。
【００２５】基Ｚ1 およびＺ2 の一方が−（ＣＨ2 ）4
−あるいは−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ2 ＣＨ2 −であるなら
ば、基Ｚ1 およびＺ2 の他方が（もし存在するならば）
好ましくは単結合である。
【００２６】Ｒがアルキル基および／またはアルコキシ
基の場合には、直鎖あるいは枝別れしていてもよい。好
ましくは直鎖であり、２、３、４、５、６または７炭素
原子を有し、従って好ましくはエチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、エトキシ、プロポ
キシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシあるいはヘプ
トキシであり、更にメチル、オクチル、ノニル、デシ
ル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシ
ル、ペンタデシル、メトキシ、オクトキシ、ノノキシ、
デコキシ、ウンデコキシ、ドデコキシ、トリデコキシあ
るいはテトラデコキシである。
【００２７】オクサアルキルは好ましくは直鎖の２−オ
クサプロピル（＝メトキシメチル）、２−（＝エトキシ
メチル）あるいは３−オクサブチル（＝２−メトキシメ
チル）、２−、３−あるいは４−オクサペンチル、２
−、３−、４−あるいは５−オクサヘキシル、２−、３
−、４−、５−あるいは６−オクサヘプチル、２−、３
−、４−、５−、６−あるいは７−オクサオクチル、２
−、３−、４−、５−、６−、７−あるいは８−オクサ
ノニルあるいは２−、３−、４−、５−、６−、７−、
８−あるいは９−オクサデシルである。
【００２８】Ｒが１個のＣＨ2 基が−ＣＨ＝ＣＨ−で置
換されているアルキル基であるならば、これは直鎖であ
るかまたは枝別れしていても良い。好ましくは直鎖であ
ってかつ２ないし１０個の炭素を有している。従って特
にビニル、プロプ−１−または−２−エニルであり、し
かし−１−、−２−または−３−エニル、ペント−１
−、−２−、−３−または−４−エニル、ヘクス−１
−、−２−、−３−、−４−または−５−エニル、ヘプ
ト−１−、−２−、−３−、−４−、−５−または−６
−エニル、オクト−１−、−２−、−３−、−４−、−
５−、−６−、−７−エニル、ノン−１−、−２−、−
３−、−４−、−５−、−６−、−７−または−８−エ
ニル、デシ−１−、−２−、−３−、−４−、−５−、
−６−、−７−、−８−または−９−エニルである。
【００２９】Ｒが、１個のＣＨ2 基が−Ｏ−で、他のＣ
Ｈ2 が−ＣＯ−で置換されているアルキル基であるな
ら、これらは好ましくは隣接している。従って、これら
の基はアシロキシ基−ＣＯ−Ｏ−またはオキシカルボニ
ル基−Ｏ−ＣＯ−を含有している。これらの基は好まし
くは直鎖であって、かつ２ないし６個の炭素を含有して
いる。 従って、特にアセトキシ、プロピオニルオキ
シ、ブチリルオキシ、ペンタノイルオキシ、ヘキサノイ
ルオキシ、アセトキシメチル、プロピオニルオキシメチ
ル、ブチリルオキシメチル、ペンタノイルオキシメチ
ル、２−アセトキシエチル、２−プロピオニルオキシエ
チル、２−ブチリルオキシエチル、３−アセトキシプロ
ピル、３−プロピオニルオキシプロピル、４−アセトキ
シブチル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、
プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペントキ
シカルボニル、メトキシカルボニルメチル、エトキシカ
ルボニルメチル、プロポキシカルボニルメチル、ブトキ
シカルボニルメチル、２−（メトキシカルボニル）エチ
ル、２−（エトキシカルボニル）エチル、２−（プロポ
キシカルボニル）エチル、３−（メトキシカルボニル）
プロピル、３−（エトキシカルボニル）プロピルあるい
は４−（メトキシカルボニル）ブチルである。
【００３０】Ｒが１個のＣＨ2 基が置換されてないか、
あるいは置換されている−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されてい
て、かつ隣接したＣＨ2 基がＣＯあるいはＣＯ−Ｏまた
はＯ−ＣＯで置換されているアルキル基ならば、この基
は直鎖であっても枝別れしていてもよい。好ましくは直
鎖であって、かつ４ないし１３個の炭素原子を含有して
いる。従って、特にアクリロイルオキシメチル、２−ア
クリロイルオキシエチル、３−アクリロイルオキシプロ
ピル、４−アクリロイルオキシブチル、５−アクリロイ
ルオキシペンチル、６−アクリロイルオキシヘキシル、
７−アクリロイルオキシヘプチル、８−アクリロイルオ
キシオクチル、９−アクリロイルオキシノニル、１０−
アクリロイルオキシデシル、メタクリロイルオキシメチ
ル、２−メタクリロイルオキシエチル、３−メタクリロ
イルオキシプロピル、４−メタクリロイルオキシブチ
ル、５−メタクリロイルオキシペンチル、６−メタクリ
ロイルオキシヘキシル、７−メタクリロイルオキヘプチ
ル、８−メタクリロイルオキシオクチルまたは９−メタ
クリロイルオキシノニルである。
【００３１】ＲがＣＮまたはＣＦ3 で一置換されている
アルキルあるいはアルケニル基であるならば、この基は
好ましくは直鎖である。このＣＮあるいはＣＦ3 による
置換は希望したどの位置でも良い。
【００３２】Ｒがハロゲンで少なくとも一置換されてい
るアルキルまたはアルケニル基であるならば、この基は
好ましくは直鎖であって、かつハロゲンは好ましくは弗
素か塩素である。多重置換の場合には、ハロゲンは好ま
しくは弗素である。得られた基もペルフロロ化した基を
も包含する。一置換の場合には、弗素または塩素の置換
基は希望したどの位置でも良いが、好ましくはω−位置
である。
【００３３】重合反応に適した側鎖Ｒを含有する式Ｉの
化合物は液晶性ポリマーの製造には適している。
【００３４】枝別れした側鎖Ｒを含有する式Ｉの化合物
は、通常の液晶性の原料素材中での良好な溶解性のため
に時には重要なこともあるが、しかし特に光学活性体で
あるならば、キーラルドーピングとして特に重要であ
る。このタイプのスメクチック化合物は強誘電性素材の
成分として適している。
【００３５】ＳA 相を有する式Ｉの化合物は例えば熱的
にアドレスされるディスプレイ用に適している。
【００３６】このタイプの枝別れ基は一般的には１より
多い枝別れをもっていない。好ましい枝別れした基Ｒは
イソプロピル、２−ブチル（＝１−メチルプロピル）、
イソブチル（＝２−メチルプロピル）、２−メチルブチ
ル、イソペンチル、（＝３−メチルブチル）、２−メチ
ルペンチル、３−メチルペンチル、２−エチルヘキシ
ル、２−プロピルペンチル、イソプロポキシ、２−メチ
ルプロポキシ、２−メチルブトキシ、３−メチルブトキ
シ、２−メチルペントキシ、３−メチルペントキシ、２
−エチルヘキソキシ、１−メチルヘキソキシおよび１−
メチルヘプトキシである。
【００３７】Ｒが、２個以上のＣＨ2 が−Ｏ−および／
または−ＣＯ−Ｏ−で置換されているアルキル基なら
ば、この基は直鎖あるいは枝別れしていてもよい。Ｒは
好ましくは枝別れしており、３ないし１２個の炭素原子
を持っている。従って、特にビスカルボキシメチル、
２，２−ビスカルボキシエチル、３，３−ビスカルボキ
シプロピル、４，４−ビスカルボキシブチル、５，５−
ビスカルボキシペンチル、６，６−ビスカルボキシヘキ
シル、７，７−ビスカルボキシヘプチル、８，８−ビス
カルボキシオクチル、９，９−ビスカルボキシノニル、
１０，１０−ビスカルボキシデシル、ビス（メトキシカ
ルボニル）メチル、２，２−ビス（メトキシカルボニ
ル）エチル、３，３−ビス（メトキシカルボニル）プロ
ピル、４，４−ビス（メトキシカルボニル）ブチル、
５，５−ビス（メトキシカルボニル）ペンチル、６，６
−ビス（メトキシカルボニル）ヘキシル、７，７−ビス
（メトキシカルボニル）ヘプチル、８，８−ビス（メト
キシカルボニル）オクチル、ビス（エトキシカルボニ
ル）メチル、２，２−ビス（エトキシカルボニル）エチ
ル、３，３−ビス（エトキシカルボニル）プロピル、
４，４−ビス（エトキシカルボニル）ブチル、５，５−
ビス（エトキシカルボニル）ペンチルである。
【００３８】式Ｉの化合物の好ましい比較的小さな基は
従属式Ｉ１ないしＩ２７の基である。
【００３９】
【化１２】
【００４０】
【化１３】
【００４１】
【化１４】
【００４２】
【化１５】 式Ｉ１、Ｉ３、Ｉ７、Ｉ１０、Ｉ１２、Ｉ１３、Ｉ１
５、Ｉ１６、Ｉ１８、Ｉ１９、Ｉ２２、Ｉ２３およびＩ
２４の化合物が特に好ましい。
【００４３】１，４−ヘキシレングループは好ましくは
下記の構造を持っている。
【００４４】
【化１６】 式Ｉの化合物は文献記載のような（例えばホウベン−ワ
イル著、有機化学の方法、ゲオルク−ティーメ（Ｇｅｏ
ｒｇ−Ｔｈｉｅｍｅ）出版社、シュツットガルトのよう
な標準的な著作）それ自身公知の方法で合成することが
可能であって、もっと厳密には公知であってかつ上記の
反応に適した反応条件で合成することができる。
【００４５】さらにそれ自身公知である変法をここで使
用することも可能であるが、ここでは詳細には記載しな
い。
【００４６】本発明による化合物は例えば式ＩＩの化合
物
【００４７】
【化１７】 （式中Ｒ、Ａ1 、Ａ2 、Ｚ1 、Ｚ2 、Ｌ1 、Ｌ2 、Ｌ
3 、ｍおよびｎは既に定義した通りである）を下記の反
応様式にしたがって金属と反応させることによって、し
かも得られた製品を求電子性化合物と反応させることに
よって合成することができる。様式１
【００４８】
【化１８】 様式２
【００４９】
【化１９】 本発明は不活性溶媒の存在下にフェノキサイドと１−ブ
ロモ−２，２−ジフロロエタンとを反応させるというこ
とによって特徴づけられた、対応するフェノキサイドか
ら置換した２，２−ジフロロエトキシベンゼンの合成方
法にも関する。特に、式ＩＩＩ* の化合物は本発明によ
る方法によって合成可能である。式ＩＩＩ* 化合物では
Ｒ* はフォルミル、ハロゲンあるいはメソーゲン性の基
である。
【００５０】反応は不活性溶媒の存在中で行なわれ、適
当な溶媒はアルキルハライドとフェノキサイドとの反応
に適した溶媒であり、好ましくは極性の非プロトン性の
溶媒であり、例えばジメチルアミド（ＤＭＡ）、ヘキサ
メチルフォスフォリックトリアマイド（ＨＭＰＴＡ）、
またはＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）のような有機ア
ミドあるいは例えばＮ，Ｎ−ジメチルプロピレンユレア
（ＤＭＰＵ）更に特に１，３−ジメチル−２−イミダゾ
リジノン（ＤＭＥＵ）のような環状尿素誘導体である。
【００５１】これら溶媒にＴＭＤＡのような共溶媒ある
いは１８−クラウン−６のようなクラウンエーテルを添
加することも可能である。溶媒の量は特に問題ではな
く、一般にはフェノキサイド１モルについて溶媒１００
ないし１０，０００ｇを使用することができる。
【００５２】本発明による方法で反応を実施するための
手法は簡単である。出発物質を、使用したフェノキサイ
ドによって異なるが、−２０℃から＋２００℃、好まし
くは−２０ないし＋１５０℃の温度で、しかも大気圧以
上の圧力であるいは減圧下で、このましくは大気圧で反
応させることができる。
【００５３】フェノキサイドを、好都合なことには先ず
最初に不活性溶媒に溶解し、それを加熱する。１−ブロ
モ−２，２−ジフロロエタンを一般的には攪拌しながら
０．２ないし２４時間にわたって−２０℃ないし１００
℃の温度で滴下し、場合によってはその混合物を溶媒の
沸点まで徐々に加熱する。
【００５４】一般的には反応するフェンキサイド１モル
あたり１−ブロモ−２，２−ジフロロエタンを０．８か
ら１．５モル、特に０．９から１．２モルが必要であ
る。
【００５５】反応混合物の処理加工および製品の単離を
通常の方法で行ない、例えば反応混合物を水および／ま
たは氷あるいは希薄酸に注ぎ、水性相を分離し、２，２
−ジフロロエトキシベンゼン誘導体を蒸留及び／または
再結晶で単離する。
【００５６】驚くべきことには本発明による方法は例え
ば液晶、助剤、農薬、医薬品用の有効な中間体である置
換２，２−ジフロエトキシベンセン誘導体をも先行技術
に比較して簡単な方法で、かつ高収率で合成可能であ
る。
【００５７】その他の合成方法は当業者には明瞭であ
る。例えば５−置換１，３−ジフロロベンゼン化合物お
よび一弗素置換したその同族体（ｎ＝０，Ｌ3 が水素）
は便利なことには上記の様式にしたがって１，３−ジフ
ロロ化合物あるいは一弗素置換したその同族体（Ｌ3 が
水素）に転換することができ、基Ｒ−（Ａ1 −Ｚ1 ）m
はその後に液晶化学では普通である反応によって導入す
ることができる（例えば、Ｅ．ペッチュ（Ｐｏｅｔｓｃ
ｈ）の論文、コンタクテ（Ｋｏｎｔａｋｔｅ），ダルム
シュタット（Ｄａｒｍｓｔａｄｔ），１９８８年
（２）、１５頁、に記載されているようなエステル化、
エーテル化あるいはカップリング）。
【００５８】ｎ＝０である式ＩＩの化合物は例えば以下
の合成様式によって合成することが可能である。様式３ （Ａ＝−（Ａ’−Ｚ’）m −Ａ2 ）
【００５９】
【化２０】 様式４
【００６０】
【化２１】 様式５
【００６１】
【化２２】 様式６
【００６２】
【化２３】 様式７
【００６３】
【化２４】 出発物質は公知であるか、あるいは公知の方法に類似し
た方法で合成することが可能である。式Ｉのエステルは
アルコールか、またはフェノール（あるいはその反応誘
導体）を使用して相当するカルボン酸（あるいはその反
応誘導体）をエステル化することによって、あるいはＤ
ＣＣ（ＤＣＣ＝ジシクロヘキシルカルボジイミド）法に
よって得ることができる。
【００６４】対応するカルボン酸およびアルコールまた
はフェノールは公知であるか、あるいは公知の方法に類
似した方法で合成することも可能である。
【００６５】式Ｉの化合物の他の合成方法では、アリー
ルハライドを第四級アミンの存在下で、かつパラジウム
触媒の存在下でオレフィンと反応させる（Ｒ．Ｆ．ヘッ
ク（Ｈｅｃｋ） ＡＣＣ．Ｃｈｅｍ．Ｒｅｓ．１２（１
９７９）１４６頁参照）。
【００６６】適当なアリールハライドの例は塩化物、臭
化物およびヨウ化物であり、特にヨウ化物である。例え
ばトリエチルアミンのようなカップリング反応の成功の
ために臭化物および必要な第四級アミンは溶媒としても
適している。適当なパラジウム触媒の例はパラジウム
塩、特にＰｄ（ＩＩ）酢酸塩と例えばトリアリールフォ
スフィンような有機燐化合物（ＩＩＩ）との塩である。
【００６７】反応は不活性溶媒の存在下または無しで０
℃と１５０℃との間の温度、好ましくは２０℃と１００
℃との間の温度で行なうことができる。適当な溶媒の例
はアセトニトリルのようなニトリルまたはベンゼンある
いはトルエンのような炭化水素である。出発物質として
使用したアリールハライドおよびオレフィンは多くの場
合に市販品として入手可能であり、文献から公知の反応
によって、例えば対応するもとの化合物をハロゲン化す
ることによって、または対応するアルコールまたはハラ
イドからの脱離反応によって合成することができる。
【００６８】この方法で例えばスチルベン誘導体を合成
することも可能である。そのスチルベン類もさらに４−
位置換したベンズアルデヒドを対応する燐イリドとウィ
ッティヒ法によって反応させることによって合成するこ
とも可能である。しかしながら、式Ｉのトランもオレフ
ィンの代わりに一置換アセチレンを使用することによっ
て合成することができる（シンセシス（Ｓｙｎｔｈｅｓ
ｉｓ，６２７（１９８０）あるいはテトラヘドロン レ
ターズ（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．）２７
１１７１頁（１９８６））。
【００６９】芳香族化合物はアリールハライドとアリー
ル錫化合物を反応させることによってカップリングする
ことができる。これらの反応は好ましくは例えばパラジ
ウム（０）錯体のような触媒を炭化水素のような不活性
溶媒に添加して、高温で、例えば沸騰しているキシレン
中で保護気体の存在下で行われる。
【００７０】アルキニル化合物とアリールハライドとの
カップリング反応はＡ．Ｏ．キング（Ｋｉｎｇ）、Ｅ．
ネギシ（Ｎｅｇｉｓｈｉ）、Ｆ．Ｊ．ビラニ（Ｖｉｌｌ
ａｎｉ）およびＡ．シルベイラ（Ｓｉｌｖｅｉｒａ）が
有機化学雑誌（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）４３、３５８
（１９７８）に発表した方法に類似して実施することが
できる。
【００７１】式Ｉのトランも１，１−ジアリール−２−
ハロエチレンを強塩基の存在下にジアリールアセチレン
に転位するフリッチュ−ブッテンベルグ−ビーヒェル
（Ｆｒｉｔｓｃｈ−Ｂｕｔｔｅｎｂｅｒｇ−Ｗｉｅｃｈ
ｅｌｌ）転位（アンナーレン（Ａｎｎ．）２７９、３１
９（１９８４））によって合成することが可能である。
【００７２】式Ｉのトランは対応するスチルベンをブロ
ム化し、ついでその生成物を脱ハロゲン化水素すること
によって合成することができる。それ自身公知である変
法をここで使用することができるが、ここには詳細には
記載しない。
【００７３】式Ｉのエーテルは対応するヒドロキシル化
合物、好ましくは対応するフェノールをエーテル化する
ことによって得られ、ヒドロキシル化合物は好都合なこ
とには先ず対応する金属誘導体、例えば対応するアルカ
リ金属アルコキサイドあるいはアルカリ金属フェノキサ
イドにＮａＨ，ＮａＮＨ2 ＮａＯＨ，ＫＯＨ，Ｎａ2Ｃ
Ｏ3 あるいはＫ2 ＣＯ3 による処理によって転換され
る。ついでこれを対応するアルキルハライド、アルキル
スルフォネートあるいはジアルキルスルフォネートと例
えばアセトン、１，２−ジメトキシエタン、ＤＭＦある
いはジメチルスルフォキサイドのような不活性溶媒中、
あるいはＮａＯＨまたはＫＯＨの水溶液あるいは水−ア
ルコール溶液を過剰に使って約２０℃と１００℃との間
の温度で反応させることができる。
【００７４】Ｒ＝アルケニルである式Ｉの化合物はジイ
ソブチルアルミニウムを使用してアルデヒド（Ｒ＝ＣＨ
Ｏ）に転換される対応するシアノ化合物（Ｒ＝ＣＮ）か
ら得ることも可能である。例えば、次のステップでは、
メチレン基をアルデヒドとメトキシメチルトリフェニル
フォスフォニウム クロライドとのウィッティヒ（Ｗｉ
ｔｔｉｇ）反応によって、更に引き続いて得られたエノ
ールエーテル（例えば希塩酸を使用して）の加水分解に
よって導入することができる。
【００７５】出発物質は公知であるか、あるいは公知化
合物に類似した方法で合成することができる。
【００７６】−（ＣＨ2 ）4 −ブリッジを持つ化合物は
次の様式に従って合成できる。様式８
【００７７】
【化２５】 Ｐｄ（ＩＩ）触媒を用いるカップリング反応では目標と
する製品Ｉ* が直接に得られ、あるいは基−Ｙを式Ｉの
化合物のために上記の方法に全く類似した方法で導入し
ている前駆体を生ずるのである。
【００７８】−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ2 ＣＨ2 −ブリッジを
有する化合物を以下の様式に従ったウィッティヒ反応で
合成することができる。様式９
【００７９】
【化２６】 特定の好ましい数個の化合物の合成を以下に詳細に示す
ことにする。様式１０
【００８０】
【化２７】 様式１１
【００８１】
【化２８】 本発明はこのタイプの媒体を含有する電気光学ディスプ
レイおよび電気光学目的用のこれら媒体の使用にも関す
る（特に２枚の平行板状外部板を有するＳＴＮあるいは
ＭＬＣディスプレイであって、枠とともにセルを形成
し、外側板上に個々の画像点をスイッチングするための
集積非線形素子を形成し、セル中に存在する正の誘電異
方性と高い比抵抗のネマチック液晶混合物を生成してい
る）。
【００８２】本発明による液晶混合物は使用できるパラ
メーターの幅を顕著に広くすることを促進している。
【００８３】透明点、低温における粘性、熱的およびＵ
Ｖ安定性、誘電異方性の実現可能な組合せは先行技術か
らの今までの素材よりは遥かに優れている。
【００８４】高い透明点、低温におけるネマチック相、
および高いΔεに対する要求は今までは不満足な程度に
しか達せられなかった。例えばＺＬＩ−３１１９のよう
なシステムは同等の透明点および比較的好ましい粘性を
持っているにもかかわらず、このシステムは僅かに＋３
のΔεを持っているに過ぎない。
【００８５】他の混合物システムは同等の粘性およびΔ
ε値を持っているが、透明点を６０℃領域に持っている
に過ぎない。
【００８６】本発明による液晶混合物はネマチック相を
−２０℃にまで、好ましくは−３０℃、特に好ましくは
−４０℃にまで維持しながら、透明点を８０℃より高
く、好ましくは９０℃より高く、特に好ましくは１００
℃より高く、同時にΔε≧６、好ましくは≧８の誘電異
方性値および高い値の比抵抗を達成することを可能にし
ており、このことは優れたＳＴＮおよびＭＬＣディスプ
レイを達成することができることを示している。
【００８７】この混合物は特に低作動電圧に特徴を有し
ている。ＴＮ閾値（ＶＩＰ）は２．０Ｖより少なく、好
ましくは１．５Ｖより少なく、特に好ましくは１．３Ｖ
より少ない。
【００８８】言うまでもないことであるが、本発明によ
る混合物成分の適当な選択がより高い透明点（例えば１
１０℃）をより高い閾電圧で達成し、より低い透明点を
より低い閾電圧で達成させ、他方では他の有利な特性を
維持するのである。粘性を相当する少量だけ増加するな
らば、比較的高いΔεおよび従って低い閾値の混合物を
得ることも可能になっている。本発明によるＭＬＣディ
スプレイは好ましくはグーチ−タリーの第１の透過ミニ
マム（Ｃ．Ｈ．ＧｏｏｃｈおよびＨ．Ａ．Ｔａｒｒｙ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．１０，２−４，１９７
４、Ｃ．Ｈ．ＧｏｏｃｈおよびＨ．Ａ．Ｔａｒｒｙ、Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．巻８、１５７５−１５８４、１９７
５年）で作動することである。この場合には、例えば特
性線の急勾配、類似のディスプレイ中と同じような閾電
圧におけるコントラストの低い角度依存性（ドイツ特許
３０ ２２ ８１８）のような特に好ましい電気光学特
性に加えて、第２のミニマムにおける低い誘電異方性は
十分である。このことは本発明による混合物を使用する
ことによって、シアン化合物を含有する混合物を使用す
ることよりも第１のミニマム中でおいて顕著に高い比抵
抗を達成することになるのである。当業者は個々の成分
およびその重量の適当な選択によってＭＬＣディスプレ
イの所定の層厚さに必要な複屈折を製造する簡単な日常
的な方法を使用することが出来る。
【００８９】２０℃における粘性は好ましくは＜６０ｍ
Ｐａ．ｓ、特に好ましくは＜５０ｍＰａ．ｓである。ネ
マチック相範囲は好ましくは少なくとも９０℃であり、
特に少なくとも１００℃である。この範囲は好ましくは
少なくとも−２０℃から＋８０℃に広がっている。
【００９０】「容量保持率」（ＨＲ）の測定［Ｓ．マツ
モト（Ｍａｔｓｕｍｏｔｏ）など、液晶５、１３２０
（１９８９）、Ｋ．ニワ（Ｎｉｗａ）などＳＩＤ会議会
議録、サンフランシスコ、１９８４年６月、３０４頁
（１９８４）、Ｇ．ウエーバー（Ｗｅｂｅｒ）など、液
晶５、１３８１（１９８４）］は式Ｉの化合物を含有す
る本発明による混合物が温度の上昇とともに式Ｉの化合
物が式
【００９１】
【化２９】 のシアノフェニルシクロヘキセンで置換されている類似
の混合物よりもかなり小さい減少を示している。
【００９２】本発明による混合物のＵＶ安定性もかなり
良好である。すなわちＵＶ光に曝光してもＨＲには極め
て小さな減少があるに過ぎない。
【００９３】本発明による媒体は好ましくは式Ｉの複数
（好ましくは２種以上）の化合物を原料にしており、す
なわちこれらの化合物の割合は５−９５％、好ましくは
１０−６０％、特に好ましくは２０−５０％の範囲内に
ある。
【００９４】本発明による媒体中で使用することができ
る式ＩないしＸＩおよびその従属式の個々の化合物は公
知であるかあるいは公知化合物に類似した方法で合成す
ることができる。
【００９５】好ましい実施態様を以下に示す： ＊媒体は一般式ＩＩないしＶから成るグループから選択
された１種以上の化合物を付加的に含有する。
【００９６】
【化３０】 （これらの式においては個々の基は以下のように定義さ
れている。Ｒ0 それぞれの場合に７個までの炭素を
有するアルキル、オクサアルキル、フロロアルキル、あ
るいはアルケニルであり、Ｘ0 弗素、塩素、ＣＦ
3 、ＯＣＦ3 、ＯＣＨＦ2 、ＯＣＨ＝ＣＦ2 、ＯＣＦ＝
ＣＦ2 、ＯＣＦＨ−ＣＦ2 ＨあるいはＯＣＦ2 −ＣＦ2
Ｈであり、Ｙ1 およびＹ2 はたがいに独立に、それぞれ
水素あるいは弗素であり、ｒは０または１である）。
【００９７】式ＩＶの化合物は好ましくは
【００９８】
【化３１】 である。 ＊媒体は一般式ＶＩないしＸＩから成るグループから選
択された１種以上の化合物を付加的に含有する。
【００９９】
【化３２】 （これらの式においてはＲ0 、Ｙ1 およびＹ2 はたがい
に独立であり、それぞれ請求項２に定義されたとおりで
あり、Ｘ0 は弗素、塩素、ＣＦ3 、ＯＣＦ3 、ＯＣＨＦ
2 、それぞれ７個までの炭素原子を有するアルキル、オ
クサアルキル、フロロアルキル、あるいはアルケニルで
ある。 ＊式ＩないしＶの化合物の全混合物中での割合はまとめ
て少なくとも５０重量％である。 ＊式Ｉの化合物の割合は全混合物中で１０ないし５０重
量％である。 ＊式ＩＩないしＶの化合物の割合は全混合物中で３０な
いし７０重量％である。 ＊式
【０１００】
【化３３】 は好ましくは
【０１０１】
【化３４】 である。 ＊媒体は式ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶまたはＶの化合物を含有
している。 ＊Ｒ0 は２ないし７個の炭素原子を有する直鎖のアルキ
ルまたはアルケニルである。 ＊媒体は実質的には式ＩないしＶの化合物から構成され
ている。 ＊媒体は一般式ＸＩＩないしＸＶＩから成る群から好ま
しくは選択されたその他の化合物を含有する。
【０１０２】
【化３５】 （この式においてＲ0 およびＸ0 は請求項２で定義され
たとりであり、１，４−フェニレン環はＣＮ，塩素ある
いは弗素で置換されていても良い。１，４−フェニレン
環は好ましくは弗素原子で一置換あるいは多置換されて
いてもよい）。 ＊式Ｉの化合物と式（ＩＩ＋ＩＩＩ＋ＩＶ＋Ｖ）の化合
物の重量比は好ましくは１：１０ないし１０：１であ
る。 ＊媒体は実質的には一般式ＩないしＸＩから成るグルー
プらら選択された化合物から成り立っている。
【０１０３】慣用の液晶素材、特に式ＩＩ、ＩＩＩ、Ｉ
Ｖおよび／またはＶの１種以上の化合物と式Ｉの化合物
を比較的低い割合で混合しても閾値電圧を顕著に低下さ
せ、かつ低い複屈折値を生じ、さらに同時に低いスメク
チック−ネマチック転移温度を有する広いネマチック相
が見出され、その結果保存期間が改善された。式Ｉない
しＶの化合物は無色、安定であり、さらに相互に混合す
ることも他の液晶素材と混合することも可能である。
【０１０４】「アルキル」という用語は２−７個の炭素
原子を有する直鎖および枝別れしたアルキル基をカバー
し、特に直鎖の基はメチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ペンチル、ヘキシルおよびヘプチルである。２−５
個の炭素原子を有する基が一般的に好ましい。
【０１０５】「アルケニル」という用語は２−７個の炭
素原子を有する直鎖および枝別れしたアルケニル基をカ
バーし、特に直鎖の基をカバーしている。好ましいアル
ケニル基はＣ2 −Ｃ7 −１Ｅ−アルケニル、Ｃ4 −Ｃ7
−３Ｅ−アルケニル、Ｃ5 −Ｃ7 −４−アルケニル Ｃ
6 −Ｃ7 −５−アルケニル、Ｃ7 −６−アルケニル、特
にＣ2 −Ｃ7 −１Ｅ−アルケニル、Ｃ4 −Ｃ7 −３Ｅ−
アルケニル、Ｃ5 −Ｃ 7 −４−アルケニルである。特に
好ましいアルケニル基の例はビニル、１Ｅ−プロペニ
ル、１Ｅ−ブテニル、１Ｅ−ペンテニル、１Ｅ−ヘキセ
ニル、１Ｅ−ヘプテニル、３−ブテニル、３Ｅ−ペンテ
ニル、３Ｅ−ヘキセニル、３Ｅ−ヘプテニル、４−ペン
テニル、４Ｚ−ヘキセニル、４Ｅ−ヘキセニル、４Ｚ−
ヘプテニル、５−ヘキセニル、６−ヘプテニル、および
これらの類似化合物である。５個迄の炭素原子を有する
基が一般的に好ましい。
【０１０６】「フロロアルキル」という用語は好ましく
は末端に弗素を含有する直鎖の基、すなわちフロロメチ
ル、２−フロロエチル、３−フロロプロピル、４−フロ
ロブチル、５−フロロペンチル、６−フロロヘキシルお
よび７−フロロヘプチルをカバーしている。しかしなが
ら、他の場所の弗素も除外するものではない。
【０１０７】「オクサアルキル」という用語は好ましく
は式Ｃn Ｈ2n+1−Ｏ−（ＣＨ2 ）mの直鎖の基をカバー
し、この式中、ｎおよびｍは互いに独立であって、それ
ぞれ１ないし６である。ｎは好ましくは１であり、ｍは
好ましくは１ないし６である。
【０１０８】Ｒ0 およびＸ0 の意味を適当に選択するこ
とによって、アドレッシングタイム、閾値電圧、透過特
性線の勾配などを希望通りに改善することができる。例
えば、１Ｅ−アルケニル基、３Ｅ−アルケニル基、２Ｅ
−アルケニルオキシ基および類似の基は一般的に短いア
ドレッシグ時間、改善されたネマチック傾向、およびア
ルキルおよびアルコキシ基に比較して弾性定数ｋ33（湾
曲）およびｋ11（広がり）間の高い比率を示すことにな
る。４−アルケニル基、３−アルケニル基および類似の
基は一般的には低い閾値電圧、アルキルおよびアルコキ
シ基に比較して低いｋ33／ｋ11値を示すことになる。
【０１０９】Ｚ1 中の−ＣＨ2 ＣＨ2 −基は一般的には
単純な共有結合に比較して高いｋ33／ｋ11値を生ずる。
高いｋ33／ｋ11値は例えば９０0 のねじれ（グレイトー
ンを達成するために）を有するＴＮセルではフラットな
透過特性線およびＳＴＮ、ＳＢＥおよびＯＭＩセル（大
きな複合能力）では急峻な透過特性線を促進し、逆の場
合には逆になる。
【０１１０】式Ｉおよび式ＩＩ＋ＩＩＩ＋ＩＶ＋Ｖの化
合物の最適混合比は実質的には希望する特性によって、
式Ｉ，ＩＩ，ＩＩＩ，ＩＶおよび／またはＶの成分の選
択、存在しても良い他のいずれかの成分の選択によって
異なる。上記の範囲内での適当な混合比は容易に１件毎
に決めることができる。
【０１１１】本発明による混合物中の式ＩないしＸＩの
化合物の全量は決定的ではない。したがって、混合物は
その他の種々の特性を最適化するためにさらに１種以上
の他の成分を含有していてもよい。しかしながら、式Ｉ
ないしＸＩの化合物の全濃度が高くなるほど、アドレッ
シングタイムおよび閾値電圧に観察された効果は一般的
には大きくなる。
【０１１２】特に好ましい実施態様では本発明による媒
体はＸ0 がＯＣＦ3 、ＯＣＨＦ2 、Ｆ、ＯＣＨ＝ＣＦ
2 、ＯＣＦ＝ＣＦ2 あるいはＯＣＦ2 −ＣＦ2 Ｈである
式ＩＩないしＶの化合物（好ましくはＩＩおよび／また
はＩＩＩ）を含有している。式Ｉの化合物との好ましい
相乗効果は特に有利な特性になって表われている。
【０１１３】ＳＴＮ利用では、媒体は好ましくはＸ0 が
好ましくはＯＣＨＦ2 あるいはＣＮである式ＩＩないし
Ｖから成るグループから選択された化合物を含有する。
【０１１４】本発明による媒体はさらに−１．５ないし
＋１．５の誘電異方性を有する一般式Ｉ’の１種以上の
化合物から成る成分Ａを含有していてもよい。
【０１１５】
【化３６】 （この式において、Ｒ1 およびＲ2 は互いに独立であ
り、それぞれ９個迄の炭素原子を有するｎ−アルキル、
ｎ−アルコキシ、ω−フロロアルキルまたはｎ−アルケ
ニルであり、３種の基
【０１１６】
【化３７】 は互いに独立であり、それぞれ１，４−フェニレン、２
−あるいは３−フロロ−１，４−フェニレン、トランス
−１，４−シクロヘキシレン、あるいは１，４−シクロ
ヘキセニレンであり、Ｚ1'およびＺ2'は互いに独立であ
り、それぞれ−ＣＨ2 ＣＨ2 −、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯ−
Ｏ、−Ｏ−ＣＯ−あるいは単結合であり、ｎは０、１あ
るいは２である）。
【０１１７】成分Ａは好ましくは式ＩＩ１ないしＩＩ７
【０１１８】
【化３８】 （この式において、Ｒ1 およびＲ2 は式Ｉ’で定義した
通りである）から成るグループから選択された１種以上
の化合物を含有している。
【０１１９】成分Ａは好ましくは付加的にＩＩ８ないし
ＩＩ２０
【０１２０】
【化３９】 （この式においてＲ1 およびＲ2 は式Ｉ’で定義した通
りであり、ＩＩ８ないしＩＩ１７中の１，４−フェニレ
ン基は互いに独立であって、それぞれ弗素の一置換ある
いは多置換であっても良い）から成るグループから選択
された１種以上の化合物を更に含んでいる。
【０１２１】成分Ａは好ましくは付加的にＩＩ２１ない
しＩＩ２５
【０１２２】
【化４０】 （この式においてＲ1 およびＲ2 は式Ｉ’で定義した通
りであり、ＩＩ２１ないしＩＩ２５中の１，４−フェニ
レン基は互いに独立であって、それぞれ弗素の一置換あ
るいは多置換であってもよい）から成るグループから選
択された１種以上の化合物を更に含んでいる。
【０１２３】正の誘電異方性を有する極性化合物のタイ
プと量はそれ自身決定的ではない。当業者は公知の、し
かも多くの場合市販の成分および原料混合物の広い範囲
から適当な素材を選択する簡単な日常的な実験を利用す
ることができる。本発明による媒体は好ましくは１種以
上の式Ｉ”の化合物を含有している。
【０１２４】
【化４１】 （この式においてはＺ1'、Ｚ2'およびｎは式Ｉ’で定義
した通りであり、２種の基
【０１２５】
【化４２】 は互いに独立であって、それぞれ１，４−フェニレン、
トランス−１，４−シクロヘキシレン、あるいは３−フ
ロロ−１，４−フェニレン、かつ両基のうちのいずれか
はトランス−１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピ
リミジン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル
あるいは１，４−シクロヘキセニレンであり、Ｒ0 はｎ
−アルキル、ｎ−アルケニル、ｎ−アルコキシ、ｎ−オ
クサアルキルであり、それぞれの場合に９個までの炭素
原子を有し、Ｙ1 あるいはＹ2 は水素または弗素であ
り、Ｘ’はＣＮ、ハロゲン、ＣＦ3 、ＯＣＦ3 あるいは
ＯＣＨＦ2 である） 好ましい実施態様では、ＳＴＮあるいはＴＮ利用のため
の本発明による媒体はＸ’がＣＮである式Ｉ”の化合物
を原料にしている。当然のことながら、式Ｉ”の他の化
合物（Ｘ’≠ＣＮ）を多量または少量にすることも可能
である。ＭＬＣ利用のためには、本発明による媒体は好
ましくは式Ｉ”のニトリルを約１０％しか含有しない
（しかし好ましくは式Ｉ”のニトリルを含まないが、そ
の代わりとしてＸ’がハロゲン、ＣＦ3 、ＯＣＦ3 、Ｏ
ＣＨＦ2 である式Ｉ’の化合物を含む）。これらの媒体
は好ましくは式ＩＩないしＸＩの化合物を原料としてい
る。
【０１２６】本発明による媒体は好ましくは−６≦Δε
≦−１．５の範囲の誘電異方性を有する式Ｉ’’’
【０１２７】
【化４３】 （この式において、Ｒ1 、Ａ1 、Ｚ1'、Ａ2 、Ｚ2'、ｎ
およびＲ2 は式Ｉ’で定義した通りである）の化合物を
１種以上含有し、スイッチングしたときに画素の容量の
小変化を希望する利用（例えばディスプレイあるいはＴ
ＦＴデイスプレイ）のための媒体である。
【０１２８】式Ｉ1'''ないしＩ3'''の化合物が好まし
い。
【０１２９】
【化４４】 偏光子、電極基板および表面処理された電極から成る本
発明によるＳＴＮおよびＭＬＣデイスプレイの構造はこ
のタイプのディスプレイに慣用である構造に一致してい
る。ここで言う「慣用の構造」という用語は広い意味で
用いられており、ＭＬＣデイスプレイ、特にポリＳｉＴ
ＦＴあるいはＭＩＭに基づくマトリックスディスプレイ
素子の全ての誘導形態および変更形態をカバーしてい
る。
【０１３０】本発明によるディスプレイとツイステッド
ネマチックセルを原料とする従来の普通のディスプレイ
との間の基本的な相違はしかしながら、液晶層中の液晶
パラメーターの選択である。
【０１３１】本発明によって使用することができる液晶
混合物はそれ自身慣用の方法で製造することができる。
一般的には、少量使用する成分の希望量を主構成成分に
なっている成分に、好適には温度を挙げて溶解する。例
えばアセトン、クロロフォルムあるいはメタノールのよ
うな有機溶媒に成分を溶解した溶液を混合し、完全な混
合の後に溶媒を例えば蒸留によって再び除去することも
可能である。
【０１３２】誘電体は当業者に公知であって、かつ文献
記載のその他の添加物を含有していてもよい。例えば、
多色性の染料あるいはキーラルドーピング剤０−１５％
を添加しても良い。
【０１３３】Ｃは結晶性相、Ｓはスメクチック相、ＳB
はスメクチックＢ相、Ｎはネマチック相およびＩは等方
性相を示す。
【０１３４】Ｖ10は１０％透過のため（板表面に直角な
視角）の電圧を示す。ｔonはＶ10値の２．５倍に相当す
る操作電圧でのスイッチオン時間およびｔoff はＶ10値
の２．５倍に相当する操作電圧でのスイッチオフ時間を
示す。Δｎは光学異方性を示し、ｎ0 は屈折率を示す。
Δεは誘電異方性（Δε＝ε‖−ε⊥、ここでε‖は長
さ方向の分子軸に平行な誘電率、ε⊥は長さ方向の分子
軸に直角な誘電率である）を示す。特に記載しないかぎ
り、電気光学データは２０℃で第１ミニマム（すなわち
ｄ・Δｎ値が０．５における）でのＴＮセル中で測定し
た。
【０１３５】本出願中および以下の実施例では液晶化合
物の構造を略成語で示し、その化学式への変換は以下の
表ＡおよびＢによって行なう。全ての基Ｃn Ｈ2n+1およ
びＣ m Ｈ2m+1はｎあるいはｍの炭素原子を含有する直鎖
アルキル基である。表Ｂ中のコーディングは自明であ
る。表Ａでは基本構造の略成語のみを示す。個々の場合
には基本構造の略成語の後にハイフンで分離して、置換
基Ｒ1 、Ｒ2 、Ｌ1 およびＬ2 のコードが続くのであ
る。
【０１３６】
【化４５】 表Ａ
【０１３７】
【化４６】
【０１３８】
【化４７】 表Ｂ
【０１３９】
【化４８】
【０１４０】
【化４９】
【０１４１】
【実施例】以下の実施例は発明を説明することを意図し
たものであって、これの制限を意図するものではない。
今までおよびこれ以下においても、百分率は重量百分率
である。全ての温度表示はセ氏温度である。ｍ．ｐ．は
融点、ｃ．ｐ．は透明点を示す。さらにＣは結晶性状
態、Ｎはネマチック相、Ｓはスメクチック相、Ｉは等方
性相を示す。これらの記号間の数値は転移温度を示す。
Δｎは光学異方性（５８９ｎｍおよび２０℃）を示し、
粘度（ｍｍ2 ／ｓｅｃ）は２０℃で測定した。「通常の
加工処理操作」とは必要な場合には水を添加し、混合物
をジクロロメタン、ジエチルエーテルあるいはトルエン
で抽出し、有機相を分離し、乾燥し、蒸発し、生成物を
減圧下に蒸留、再結晶および／またはクロマトグラフィ
ーによって精製することを意味する。以下の略語を使用
する。 ＤＭＥＵ １，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン ＰＯＴ ターシャリーブトキサイドカリウム ＴＨＦ テトラヒドロフラン ｐＴＳＯＨ ｐ−トルエンスルフォン酸
【０１４２】実施例１
【０１４３】
【化５０】 工程１．１
【０１４４】
【化５１】 １−ブロモ−３．５−ジフロロフェノキサイドナトリウ
ム０．０５モルをＤＭＥＵ５０ｍｌに窒素雰囲気下にフ
ラスコ中で混合し、この混合物を５０℃に加熱する。１
−ブロモ−２，２−ジフロロエタン０．０５モルを攪拌
しながらこれに滴下する。その混合物をその後に１夜５
０℃で攪拌する。１−ブロモ−２，２−ジフロロエタン
０．００５モルを添加し、その混合物を２４時間７０℃
で攪拌し、その後に室温に冷却する。水を添加し、その
混合物を通常の加工処理操作に付する。融点は８８℃／
１５ｍｍである。工程１．２
【０１４５】
【化５２】 ｐ−トランス−［４−プロピルシクロヘキシル］−フェ
ニルボロニック酸０．０３モルをトルエン６０ｍｌに溶
解し、この液を水酸化ナトリウム４．８ｇを水３０ｍｌ
に溶解した水溶液に添加し、この混合物を０．５時間４
５℃で攪拌する。１−（２，２−ジフロロエトキシ）−
４−ブロモ−２，６−ジフロロベンゼン０．０３モルお
よびテトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウ
ム（０）０．７ｇをこの溶液に添加し、この混合物を１
００℃で１夜攪拌し、その後に室温に冷却し、有機相を
分離する。溶媒をロータリーエバポレータで除去し、残
留物を石油エーテル５０−７０℃を使用して、シリカゲ
ルフリットを使って濾過する。濾液を蒸発し、残留物を
ｎ−ヘキサンから再結晶する。Ｃ８１Ｎ１２１．６Ｉ
Δｎ＝＋０．１５３，Δε＝１０．４１である。式
【０１４６】
【化５３】 の化合物群を同様に合成する。
【０１４７】
【化５４】
【０１４８】
【化５５】
【０１４９】
【化５６】
【０１５０】
【化５７】
【０１５１】
【化５８】
【０１５２】
【化５９】
【０１５３】
【化６０】
【０１５４】実施例２
【０１５５】
【化６１】 工程２．１ ＨＣＦ2 ＣＨ2 ＯＳＯ2 ＣＨ3 ２，２−ジフロロエタノール４．０ｍｌをジクロロメタ
ン２００ｍｌに溶解し、トリエチルアミン４．０４モル
をこの溶液に１０−１５℃で滴下する。この混合物をそ
の後に１０分間攪拌し、その後にメタンスルフォニルク
ロライド４．０４モルを５−１０℃で滴下する。反応混
合物を１夜攪拌し、その間に白色の沈殿物が生成する。
沈殿物を濾過し、濾液を１０％の塩化水素酸で、さらに
その後に水で洗浄する。溶液をその後に硫酸ナトリウム
で乾燥し、蒸発させ、残留物を蒸留する。沸点は１７２
℃／１００ｍｍである。工程２．２
【０１５６】
【化６２】 ４−ブロモ−２．６−ジフロロフェノキサイド０．４２
モルをＤＭＥＵ３５０ｍｌに窒素雰囲気下に溶解し、こ
の溶液を１４０℃に加熱する。工程２．１からのメシル
化体０．４２モルを０．５時間かかってこの溶液に滴下
し、その混合物を１夜１４０℃で攪拌する。その反応混
合物を室温に冷却し、水２ｌ中に注ぐ。エーテルで抽出
後にエーテル相を先ず水酸化ナトリウムの５％溶液で、
その後に水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥する。溶液
を蒸発させ、残留物を蒸留する。沸点は８８−８９℃／
１５ｍｍである。工程２．３
【０１５７】
【化６３】 ｐ−トランス−（４−ペンチルシクロヘキシル）フェニ
ルボロニック酸と１−（２，２−ジフロロエトキシ）−
４−ブロモ−２，６−ジフロロベンゼンとのカップリン
グは工程１．２と同様に行なう。Ｃ５４Ｎ１２２．７Ｉ
Δｎ＝＋０．１４７，Δε＝９．８５である。実施例３
【０１５８】
【化６４】 トランス−４−（トランス−４−プロピル−シクロヘキ
シル）シクロヘキシルブロマイド ０．１モル、粒状リ
チューム０．２モル、臭化亜鉛０．０５モルをトルエン
／ＴＨＦ混合液（４：１）１５０ｍｌに入れ、１０−１
５℃で４時間超音波処理を行なう。１−（２，２−ジフ
ロロエトキシ）−４−ブロモ−２，６−ジフロロベンゼ
ン０．０５モルおよび１，１’−ビス（ジフェニルフォ
スフィン）フェロセンパラジウム（ＩＩ）クロライド
１．２ｇを添加し、その混合物を１夜室温で攪拌する。
飽和塩化アンモニウム溶液２００ｍｌをこの溶液に滴下
し、その後に０．５時間攪拌する。有機相を分離し、水
溶液相をトルエンで抽出する。合体させた有機抽出物を
硫酸ナトリウムを使って乾燥する。Ｃ７２Ｎ１５２．９
Ｉ Δｎ＝＋０．０８７，Δε＝７．７５である。式
【０１５９】
【化６５】 の化合物群が同様に得られた。
【０１６０】
【化６６】
【０１６１】
【化６７】
【０１６２】混合物実施例 例１
【０１６３】
【表１】 例２
【０１６４】
【表２】 例３
【０１６５】
【表３】 例４
【０１６６】
【表４】 例５
【０１６７】
【表５】 例６
【０１６８】
【表６】 例７
【０１６９】
【表７】 例８
【０１７０】
【表８】 例９
【０１７１】
【表９】 例１０
【０１７２】
【表１０】 例１１
【０１７３】
【表１１】 例１２
【０１７４】
【表１２】 例１３
【０１７５】
【表１３】 例１４
【０１７６】
【表１４】 例１５
【０１７７】
【表１５】 例１６
【０１７８】
【表１６】 例１７
【０１７９】
【表１７】 例１８
【０１８０】
【表１８】 例１９
【０１８１】
【表１９】 例２０
【０１８２】
【表２０】 例２１
【０１８３】
【表２１】 例２２
【０１８４】
【表２２】 例２３
【０１８５】
【表２３】 例２４
【０１８６】
【表２４】 例２５
【０１８７】
【表２５】 例２６
【０１８８】
【表２６】 例２７
【０１８９】
【表２７】 例２８
【０１９０】
【表２８】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｃ 69/92 255/37 323/10 7419−4Ｈ Ｃ０７Ｄ 239/26 8615−4Ｃ 239/34 8615−4Ｃ Ｃ０９Ｋ 19/10 9279−4Ｈ 19/30 9279−4Ｈ 19/34 9279−4Ｈ 19/54 Ａ 9279−4Ｈ Ｚ 9279−4Ｈ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ (72)発明者 エッケハルト バルトマン ドイツ連邦共和国 64293 ダルムシュタ ット フランクフルター シュトラーセ 250 (72)発明者 ヘルベルト プラハ ドイツ連邦共和国 64293 ダルムシュタ ット フランクフルター シュトラーセ 250 (72)発明者 アンドレアス ルール ドイツ連邦共和国 64293 ダルムシュタ ット フランクフルター シュトラーセ 250

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 正の誘電異方性を有する極性化合物の混
    合物を原料とする液晶性媒体であって、その媒体が一般
    式Ｉ 【化１】 （式中Ｒは水素、置換されてないかまたはＣＮまたはＣ
    Ｆ3 で一置換されているかまたはハロゲンで少なくとも
    一置換されている炭素原子１ないし１５個を有するアル
    キルまたはアルケニルであり、これらの基の中の１個以
    上のＣＨ2 基がそれぞれの場合にたがいに独立して−Ｏ
    −、−Ｓ−、 【化２】 −ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−または−Ｏ−Ｃ
    Ｏ−Ｏ−により、Ｏ原子がたがいに直接結合しないよう
    に置換されていても良く、Ａ1 およびＡ2 はたがいに独
    立であって、それぞれ（ａ） トランス−１，４−シク
    ロヘキシレン基であって、この基では更に１以上の非隣
    接ＣＨ2 基が−Ｏ−および／または−Ｓ−で置換されて
    いても良く、（ｂ） １，４−フェニレン基であって、
    この基では更に１あるいは２個のＣＨ基がＮで置換され
    ていても良く、（ｃ） １，４−シクロヘキセニレン、
    １，４−ビシクロ（２，２，２）−オクチレン、ピペリ
    ジン−１，４−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、
    デカヒドロナフタレン−２，６−ジイルおよび１，２，
    ３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイルから
    成る群から選ばれた基であって、基（ａ）および（ｂ）
    は１あるいは２個の弗素原子で置換されていても良く、
    Ｚ1 およびＺ2 は互いに独立に、それぞれ−ＣＯ−Ｏ
    −、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＨ 2 Ｏ−、−ＯＣＨ2 −、−Ｃ
    Ｈ2 ＣＨ2 −、−ＣＨ＝ＣＨ−，−Ｃ≡Ｃ−または単結
    合であり、かつＺ1 およびＺ2 の一方が−（ＣＨ2 ）4
    −または−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ2 ＣＨ2 −であり、Ｌ1 、
    Ｌ2 およびＬ3 は互いに独立に、それぞれ水素または弗
    素であり、ｍは０、１または２であり、ｎは０または１
    である）の１種以上の化合物を含有することを特徴とす
    る液晶性媒体。
  2. 【請求項２】 一般式ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶおよびＶ 【化３】 （式中、Ｒ0 はそれぞれ炭素数７個までのアルキル、オ
    クサアルキル、フロロアルキルまたはアルケニル、Ｘ0
    は弗素、塩素、ＣＦ3 、ＯＣＦ3 、ＯＣＨＦ2 、ＯＣＨ
    ＝ＣＦ2 、ＯＣＦ＝ＣＦ2 、ＯＣＦＨ−ＣＦ2 Ｈあるい
    はＯＣＦ2 −ＣＦ2 Ｈであり、Ｙ1 およびＹ2 は互いに
    独立に、それぞれ水素あるいは弗素であり、ｒは０また
    は１である）、の化合物から成る群から選択された１種
    以上をさらに含有することを特徴とする請求項１による
    媒体。
  3. 【請求項３】 媒体がさらに一般式ＶＩないしＸＩ 【化４】 （式中、Ｒ0 、Ｙ1 およびＹ2 は互いに独立であり、そ
    れぞれ請求項２で定義した意味を有し、Ｘ0 は弗素、塩
    素、ＣＦ3 、ＯＣＦ3 、ＯＣＨＦ2 、炭素数７個までの
    アルキル、オクサアルキル、フロロアルキルあるいはア
    ルケニルである）、の化合物から成る群から選択された
    １種以上を含有していることを特徴とする請求項１また
    は２による媒体。
  4. 【請求項４】 式ＩないしＶの化合物の全体の割合が全
    混合物中で少なくとも５０重量％であることを特徴とす
    る請求項２による媒体。
  5. 【請求項５】 式Ｉの化合物の割合が全混合物中で３な
    いし８０重量％であることを特徴とする請求項１または
    ２による媒体。
  6. 【請求項６】 式ＩＩないしＶの化合物の割合が全混合
    物中で２０ないし８０重量％であることを特徴とする請
    求項２ないし４のいずれか１項による媒体。
  7. 【請求項７】 媒体が実質的には一般式ＩないしＸＩの
    化合物から成る群から選択された化合物を含有すること
    を特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項による媒
    体。
  8. 【請求項８】 媒体が式Ｉ１３ 【化５】 の化合物を含有していることを特徴とする請求項１また
    は２による媒体。
  9. 【請求項９】 電気光学目的のためにもちいられる請求
    項１による液晶性媒体。
  10. 【請求項１０】 請求項１による液晶性媒体を含有する
    電気光学液晶ディスプレイ。
  11. 【請求項１１】 請求項１による式Ｉの化合物。
  12. 【請求項１２】 式Ｉ１ａの化合物 【化６】 （式中、Ｒは請求項１で定義したとおりである）。
  13. 【請求項１３】 式Ｉ３ａの化合物 【化７】 （式中、Ｒは請求項１で定義したとおりである）。
  14. 【請求項１４】 下記の式の化合物 【化８】 （式中、Ｒは請求項１で定義したとおりである）。
  15. 【請求項１５】 式ＩＩＩ* の化合物 【化９】 （式中、Ｒ* はハロゲン、フォルミルあるいはメソーゲ
    ン性の基であり、Ｌ1 およびＬ2 はたがいに独立に、そ
    れぞれ水素または弗素である）。
  16. 【請求項１６】 フェノキサイドを１−ブロモ−２，２
    −ジフロロエタンと不活性溶媒の存在中で反応させるこ
    とを特徴とする対応するフェノキサイドから置換２，２
    −ジフロロエトキシベンゼンの製造方法。
  17. 【請求項１７】 反応を２０℃と不活性溶媒の沸点間の
    温度で行うことを特徴とする請求項１６による方法。
  18. 【請求項１８】 ジメチルアミド（ＤＭＡ）、ヘキサメ
    チルフォスフォリックトリアミド（ＨＭＰＴＡ）、Ｎ−
    メチルピロリドン（ＮＭＰ），Ｎ，Ｎ−ジメチレルプロ
    ピレンユレア、および１，３−ジメチル−２−イミダゾ
    リジノン（ＤＭＥＵ）から成る群から選択された溶媒を
    使用することを特徴とする請求項１６または１７による
    方法。
JP6096668A 1993-05-10 1994-05-10 ベンゼン誘導体および液晶性媒体 Pending JPH06329573A (ja)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09125066A (ja) * 1995-10-10 1997-05-13 Merck Patent Gmbh ベンゼン誘導体および液晶媒体
US6004478A (en) * 1995-03-16 1999-12-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silacyclohexane compounds, preparation thereof, liquid crystal compositions comprising the same, and liquid crystal devices comprising the composition
JPH11349945A (ja) * 1998-04-30 1999-12-21 Merck Patent Gmbh 液晶媒体
JP2003507526A (ja) * 1999-08-11 2003-02-25 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング 液晶媒体
JP2006249425A (ja) * 2005-02-25 2006-09-21 Merck Patent Gmbh 液晶媒体
JP2007045833A (ja) * 1994-12-17 2007-02-22 Merck Patent Gmbh ベンゼン誘導体
KR20170021843A (ko) 2014-09-05 2017-02-28 디아이씨 가부시끼가이샤 액정 조성물 및 그것을 사용한 액정 표시 소자

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE59209827D1 (de) * 1991-02-12 2000-05-25 Merck Patent Gmbh Flüssigkristalline verbindungen
US5582767A (en) * 1992-11-16 1996-12-10 Hoffmann-La Roche Inc. Fluorosubstituted tolane derivatives
DE4308028B4 (de) * 1993-03-13 2012-08-16 Merck Patent Gmbh 1,2,2,2-Tetrafluorethylether und flüssigkristallines Medium
US5718840A (en) * 1993-05-10 1998-02-17 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung Benzene derivatives, and liquid-crystalline medium
AU6017196A (en) * 1995-06-16 1997-01-15 Chisso Corporation Liquid-crystal composition for liquid-crystal display elements and process for producing the composition
GB2310669B (en) * 1996-02-27 2000-09-27 Merck Patent Gmbh An electrooptical liquid crystal display of the IPS type containing a liquid crystalline medium having positive dielectric anisotropy and such a medium
JP2903493B2 (ja) * 1996-09-25 1999-06-07 チッソ株式会社 テルフェニル誘導体、液晶組成物および液晶表示素子
DE102006033572A1 (de) * 2006-07-20 2008-01-24 Bayer Cropscience Ag N'-Cyano-N-halogenalkyl-imidamid Derivate

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3909802A1 (de) * 1988-07-27 1990-04-05 Merck Patent Gmbh Difluormethylverbindungen
DE3807910A1 (de) * 1988-03-10 1989-09-21 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung von 2,3-difluorbenzolen
KR0184869B1 (ko) * 1989-12-06 1999-05-15 위르겐 호이만 1,4-이치환된 2,6-디플루오로벤젠 화합물 및 액정 매질

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007045833A (ja) * 1994-12-17 2007-02-22 Merck Patent Gmbh ベンゼン誘導体
US6004478A (en) * 1995-03-16 1999-12-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silacyclohexane compounds, preparation thereof, liquid crystal compositions comprising the same, and liquid crystal devices comprising the composition
JPH09125066A (ja) * 1995-10-10 1997-05-13 Merck Patent Gmbh ベンゼン誘導体および液晶媒体
JPH11349945A (ja) * 1998-04-30 1999-12-21 Merck Patent Gmbh 液晶媒体
JP2010163623A (ja) * 1998-04-30 2010-07-29 Merck Patent Gmbh 液晶媒体
JP2003507526A (ja) * 1999-08-11 2003-02-25 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング 液晶媒体
JP2006249425A (ja) * 2005-02-25 2006-09-21 Merck Patent Gmbh 液晶媒体
KR20170021843A (ko) 2014-09-05 2017-02-28 디아이씨 가부시끼가이샤 액정 조성물 및 그것을 사용한 액정 표시 소자

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