JP3622673B2 - 誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ及び通信装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ及び通信装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、例えば誘電体ブロックに複数の誘電体共振器を設けた誘電体フィルタとして、図20に示すものが知られている。この誘電体フィルタ200は、対向する面200a,200bを貫通して2つの共振器孔202a,202bを設けたものである。それぞれの共振器孔202a,202bは、大径孔部222a,222bと、その大径孔部222a,222bに連通した小径孔部223a,223bとを有している。
【0003】
図21に示すように、小径孔部223a,223bの軸は、それぞれ大径孔部222a,222bの軸に対して偏心してずれている。また、大径孔部222a,222bの底部224a,224bと、小径孔部223a,223bの底部225a,225bはそれぞれ同一面に形成されている。
【0004】
図20に示すように、誘電体フィルタ200の外面には、外導体204と一対の入出力電極205が形成されている。一対の入出力電極205は外導体204に対して所定の間隔を確保して、外導体204に非導通の状態で形成されている。共振器孔202a,202bの内周全面には内導体203が形成されている。内導体203は、面200aでは外導体204から電気的に開放(分離)され、小径孔部223a,223bが開口している面200bでは、外導体204に電気的に短絡(導通)されている。このような外導体204及び内導体203の形成方法として、従来より、湿式めっき法が用いられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、湿式めっき法の場合、めっきしたい表面付近のめっき液を循環させ、常に新しいめっき液を供給する必要がある。従って、通常、湿式めっき法では、めっき液を撹拌したり、被めっき物を揺動させたりしてめっき液の循環を促進させている。
【0006】
ところが、従来の誘電体フィルタ200の共振器孔202a,202bは、屈曲形状を有し、大径孔部222a,222bと小径孔部223a,223bの連結部分bが細く狭められている。従って、共振器孔202a,202b内のめっき液の通りが悪く、新しいめっき液の供給が少ないため、めっきが十分にできず、共振器孔202a,202bの内周面に形成される内導体203の膜厚を所望の値にすることが困難であった。
【0007】
そこで、本発明の目的は、共振器孔の内周面に形成される内導体を、十分な膜厚でかつ安定して形成することができる誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ及び通信装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段及び作用】
前記目的を達成するため、本発明に係る誘電体フィルタは、誘電体ブロックの内部に複数の共振器孔を設け、該共振器孔の内周面に内導体を形成し、誘電体ブロックの外面に外導体を形成してなる誘電体フィルタにおいて、内導体と外導体が湿式めっき法で形成され、共振器孔のうち少なくとも1つの共振器孔が大径孔部とこの大径孔部に連通した小径孔部とを有し、大径孔部の軸と小径孔部の軸をずらせて、隣接する共振器孔間の電磁界結合の調整用屈曲形状を形成し、共振器孔の軸方向に対して大径孔部と小径孔部をオーバーラップさせて、大径孔部と小径孔部の連結部分をめっき液が通り易い形状としている。そして、大径孔部の半径Rと、小径孔部の半径rと、大径孔部の軸と小径孔部の軸のずれ距離Pとが、関係式R−r<P<R+rを満足している。より具体的には、屈曲形状の共振器孔を複数隣り合わせて形成し、この隣り合う共振器孔の小径孔部相互間の軸間距離を大径孔部相互間の軸間距離より小さくしたり、あるいは大きくしたり、あるいは等しくしたりしている。
【0009】
以上の構成により、大径孔部と小径孔部の連結部分が、従来より広くなるため、共振器孔内のめっき液の通りが良くなる。
【0010】
また、本発明に係る通信装置や誘電体デュプレクサは、前述の特徴を有する誘電体フィルタを備えることにより、優れた電気特性が得られる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ及び通信装置の実施の形態について添付の図面を参照して説明する。なお、各実施形態において、同一部品及び同一部分には同じ符号を付し、重複した説明は省略する。
【0012】
[第1実施形態、図1〜図7]
第1実施形態に係る誘電体フィルタは、図1に示すように、誘電体フィルタ1の対向する面1a,1bを貫通して二つの共振器孔2a,2bを形成している。それぞれの共振器孔2a,2bは、横断面円形の大径孔部22a,22bと、その大径孔部22a,22bに連通した横断面円形の小径孔部23a,23bとを有している。小径孔部23aと23bは相互に遠ざかるように形成されている。すなわち、小径孔部23a,23bの軸は、それぞれ大径孔部22a,22bの軸に対して偏心してずれている。大径孔部22a,22bの半径をR、小径孔部23a,23bの半径をr、大径孔部22a,22bの軸と小径孔部23a,23bの軸相互のずれ距離を距離P(図2参照)とすると、関係式R−r<P<R+rを満足する範囲で、大径孔部22a,22bの軸を基準にして小径孔部23a,23bの軸を偏心させている。従って、共振器孔2a,2bは屈曲した形状を成している。
【0013】
また、図3に示すように、共振器孔2a,2bの軸方向に対して、大径孔部22a,22bと小径孔部23a,23bは点線E示した領域でオーバーラップしている。つまり、大径孔部22a,22bの長さ(面1aから大径孔部22a,22bの底部24a,24bまでの軸方向の長さ)L1と、小径孔部23a,23bの長さ(面1bから小径孔部23a,23bの底部25a,25bまでの軸方向の長さ)L2の合計長さは、共振器孔2a,2bの長さ(面1aから面1bまでの長さ)Lに比べてオーバーラップ長さAだけ長く設定されている。
【0014】
また、図1に示すように、誘電体フィルタ1の外面には、外導体4と一対の入出力電極5が形成されている。一対の入出力電極5は外導体4に対して所定の間隔を確保して、外導体4に非導通の状態で形成されている。外導体4は、入出力電極5の形成領域と大径孔部22a,22bが開口している面1a(以下、開放側端面1aと記す)を残して外面の略全面に形成されている。共振器孔2a,2bの内周全面には内導体3が形成されている。内導体3は、開放側端面1aでは外導体4から電気的に開放(分離)され、小径孔部23a,23bが開口している面1b(以下、短絡側端面1bと記す)では、外導体4に電気的に短絡(導通)されている。さらに、共振器孔2a,2bの軸方向の長さLは略λ/4(λは共振器孔2a,2b毎に形成される共振器の中心波長)に設定されている。そして、共振器孔2a,2bのそれぞれの内導体3と入出力電極5との間には、外部結合容量が生じている。
【0015】
図3に示すように、誘電体フィルタ1は、共振器孔2a,2bの軸方向に対して、大径孔部22a,22bと小径孔部23a,23bが点線Eで示した領域でオーバーラップしているので、大径孔部22a,22bと小径孔部23a,23bの連結部分aは、従来の連結部分b(図21参照)より広くなる。従って、共振器孔2a,2bは、めっき液の通り易い形状を有することとなり、共振器孔2a,2bの内周面に形成される内導体3を、十分な膜厚でかつ安定して形成することができる。この結果、共振器のQ値を向上させることができる。
【0016】
さらに、図2に示すように、この構成の誘電体フィルタ1において、開放側端面1a側では、共振器孔2a,2bの大径孔部22aと22b間の軸間距離d2を固定しているので、共振器孔2aと共振器孔2b間の結合に関わる電界エネルギーの割合はほとんど変化しない。しかし、短絡側端面1b側では、小径孔部23aと23b間の軸間距離d1を、大径孔部22aと22bの間の軸間距離d2より広く設定しているため、結合に関わる磁界エネルギーの割合が減少し、容量性結合の度合いが強くなる。しかも、小径孔部23aと23b間の軸間距離d1を広くしているため、強い容量性結合が得られ、共振器孔2a,2b毎に形成される二つの共振器間は、強い容量性結合で結合されることになる。従って、誘電体フィルタ1の外形形状や寸法を変えることなく、より強い容量性結合を有する誘電体フィルタを得ることができる。
【0017】
次に、誘電体フィルタ1の誘電体ブロックを成形する方法の一例として、プレス成形について図4〜図7を用いて説明する。図4に示すように、プレス成形装置は下型76と上型77を有している。下型76はダイス70と、下パンチ71と、下パンチ71に対して摺動可能な下芯金71a,71bとを備えている。ダイス70は横断面略矩形状のキャビティ70aを有しており、そのキャビティ70aの内部に下パンチ71を嵌挿している。下芯金71a,71bの形状は大径孔部22a,22bと略同じ形状であって半径Rの円柱形状である。また、上型77は、上パンチ72と、上パンチ72に対して摺動可能な上芯金72a,72bとを備えている。上芯金72a,72bの形状は小径孔部23a,23bと略同じ形状であって半径rの円柱形状である。上芯金72a,72bの下側の端部にそれぞれ傾斜部73が形成されており、下芯金71a,71bの上側の端部にはそれぞれ傾斜部74が形成されている。
【0018】
下型76の位置と上型77の位置はそれぞれサーボ制御されている。下芯金71a,71b、ダイス70、上パンチ72及び上芯金72a,72bの駆動(下降又は上昇)は、それぞれACサーボモータM1,M2,M3,M4を利用している。そして、下パンチ71の上面を基準面とし、この基準面から上パンチ72の下面の位置、上芯金72a,72bの下面の位置、下芯金71a,71bの上面の位置及びダイス70の上面までの距離をリニアスケール(図示せず)で測定し、それぞれの測定された位置情報に基づいてACサーボモータM1〜M4を数値制御する。
【0019】
下芯金71a,71bの傾斜部74を、予め、面f1を超える位置まで上昇させ、その後、誘電体粉末80を所定量充填する。次に、上型77を下降させる。上芯金72a,72bのそれぞれの傾斜部73が下芯金71a,71bのそれぞれの傾斜部74に接触する位置に上型77が達すると、上型77の下降を一旦停止する。上芯金72a,72bの傾斜部73と下芯金71a,71bの傾斜部74が接触した部分は、後工程で、図3に示す共振器孔2a,2bの連結部分aを成形する。
【0020】
次に、図5に示すように、キャビティ70a内の誘電体粉末80に圧力を加えないようにして、上芯金72a,72bの傾斜部73と下芯金71a,71bの傾斜部74をそれぞれ接触させた状態で、上芯金72a,72bと下芯金71a,71bを下パンチ71側へ摺動させる。そして、上芯金72a,72bと下芯金71a,71bがキャビティ70a内の所定の位置に達すると、上下芯金72a,72b,71a,71bの下降を一旦停止する。
【0021】
次に、図6に示すように、ダイス70と上パンチ72と下芯金71a,71bと上芯金72a,72bを下側方向に移動させ、誘電体粉末80を加圧圧縮して誘電体フィルタ1の形状に成形する。このとき、上芯金72a,72bの傾斜部73と下芯金71a,71bの傾斜部74をそれぞれ接触させた状態で、上芯金72a,72bと下芯金71a,71bを下方向に摺動させる。
【0022】
加圧完了後、図7に示すように、ダイス70と下芯金71a,71bを下方向に移動させ、上パンチ72と上芯金72a,72bを上方向に移動させて、成形された誘電体ブロックを取り出す。
【0023】
また、別の製造方法として、加圧圧縮して誘電体ブロックを成形した後に、対向する面をそれぞれ大径及び小径のエンドミルを用いて切削加工をし、共振孔を形成してもよい。
【0024】
[第2実施形態、図8及び図9]
図8に示すように、第2実施形態の誘電体フィルタ1は、小径孔部23cと23d間の軸間距離d3が、大径孔部22cと22d間の軸間距離d4より狭く設定されている。さらに、図9に示すように、共振器孔2c,2dの軸方向に対して、大径孔部22c,22dと小径孔部23c,23dが点線Eで示した領域でオーバーラップしている。このため、大径孔部22c,22dと小径孔部23c,23dの連結部分aは、従来の連結部分b(図21参照)より広くなる。従って、共振器孔2c,2dは、めっき液の通り易い形状を有することとなり、共振器孔2c,2dの内周面に形成される内導体3を、十分な膜厚でかつ安定して形成することができる。この結果、共振器のQ値を向上させることができる。
【0025】
さらに、図8に示すように、この構成の誘電体フィルタ1において、開放側端面1a側では、共振器孔2c,2dの大径孔部22cと22d間の軸間距離d4を固定しているので、共振器孔2cと共振器孔2d間の結合に関わる電界エネルギーの割合はほとんど変化しない。しかし、短絡側端面1b(図9参照)側では、小径孔部23cと23d間の軸間距離d3を、大径孔部22cと22d間の軸間距離d4より狭く設定しているため、結合に関わる磁界エネルギーの割合が増加し、誘導性結合の度合いが強くなる。しかも、小径孔部23cと23d間の軸間距離d3を狭くしているため、強い誘導性結合が得られ、共振器孔2c,2d毎に形成される二つの共振器間は強い誘導性結合で結合されることになる。従って、誘電体フィルタ1の外形形状や寸法を変えることなく、より強い誘導性結合を有する誘電体フィルタを得ることができる。
【0026】
[第3実施形態、図10及び図11]
図10に示すように、第3実施形態の誘電体フィルタ1は、小径孔部23eと小径孔部23f間の軸間距離d5が、大径孔部22eと大径孔部22f間の軸間距離d6と等しくなるように設定されている。さらに、図11に示すように、共振器孔2e,2fの軸方向に対して、大径孔部22e,22fと小径孔部23e,23fは、点線Eで示した領域でオーバーラップして連結されている。
【0027】
本第3実施形態の誘電体フィルタは、前記第1実施形態及び第2実施形態の誘電体フィルタと同様の構造を有しているので、前記第1実施形態及び第2実施形態の作用効果と同様の作用効果を奏する。さらに、電磁界結合度の設計自由度を高めることができる。
【0028】
[第4実施形態、図12〜図14]
第4実施形態は携帯電話等の移動用の通信装置に使用される誘電体デュプレクサについて説明する。図12は開放側端面51a側から見た誘電体デュプレクサ51の外観斜視図であり、実装面(底面)51cを上にして示している。図13は短絡側端面51b側から見た誘電体デュプレクサ51の背面図であり、実装面51cを下にして示している。図14は図13に示された誘電体デュプレクサ51の平面図である。
【0029】
図12に示すように、誘電体デュプレクサ51は、略直方体形状の対向する一対の開放側端面51a及び短絡側端面51bを貫通して、七つの共振器孔52a〜52gが一列状に形成されている。共振器孔52aと52bの間、共振器孔52cと52dの間、及び共振器孔52fと52gの間には、それぞれ外部結合孔55a,55b,55c及びグランド孔56a,56b,56cが形成されている。
【0030】
図14に示すように、それぞれの共振器孔52a〜52gは、横断面円形の大径孔部62a〜62gと、その大径孔部62a〜62gに連通した横断面円形の小径孔部63a〜63gとを有している。小径孔部63c〜63fの軸は、それぞれ大径孔部62c〜62fの軸に対して偏心してずれている。すなわち、大径孔部62c〜62fの半径をR、小径孔部63c〜63fの半径をr、大径孔部62c〜62fの軸と小径孔部63c〜63fの軸相互のずれ距離をPとすると、関係式R−r<P<R+rを満足する範囲で、大径孔部62c〜62fの軸を基準にして小径孔部63c〜63fの軸を偏心させている。従って、共振器孔52c〜52fは屈曲した形状を成している。さらに、共振器孔52c〜52fの軸方向に対して、大径孔部62c〜62fと小径孔部63c〜63fはオーバーラップしている。
【0031】
小径孔部63bと63c間の軸間距離d11は、大径孔部62bと62c間の軸間距離d14より狭く設定されている。小径孔部63dと63e間の軸間距離d12は、大径孔部62dと62e間の軸間距離d15より広く設定されている。小径孔部63eと63f間の軸間距離d13は、大径孔部62eと62f間の軸間距離d16と等しい軸間距離に設定されている。
【0032】
図12に示すように、誘電体デュプレクサ51の外面の略全面には、外導体54が形成されている。入出力電極である送信側電極Tx、受信側電極Rx及びアンテナ電極ANTは、外導体54に対して所定の間隔を確保して外導体54に非導通の状態で、実装面51cから短絡側端面51bに渡って誘電体デュプレクサ51に形成されている。
【0033】
共振器孔52a〜52gの略内周全面には内導体53が形成されており、大径孔部62a〜62g(図14参照)の開口部に延在している外導体54との間にギャップ58を設けている。このギャップ58が設けられている大径孔部62a〜62g(図14参照)の開口側の面51aが開放側端面であり、小径孔部63a〜63gの開口側の面51bが短絡側端面である。内導体53は、開放側端面51aでは外導体54から電気的に開放(分離)され、短絡側端面51bでは外導体54に電気的に短絡(導通)されている。さらに、共振器孔52a〜52gの軸方向の長さLは略λ/4(λは共振器孔52a〜52g毎に形成される共振器の中心波長)に設定されている。
【0034】
外部結合孔55a,55b,55c及びグランド孔56a,56b,56cの内周全面には、それぞれ内導体53が形成されている。図13に示すように、外部結合孔55a,55b,55cは、それぞれ送信側電極Tx、アンテナ電極ANT及び受信側電極Rxに導通している。すなわち、外部結合孔55a〜55cのそれぞれの内導体53は、開放側端面51aでは外導体54と電気的に導通し、短絡側端面51bでは外導体54と電気的に分離している。
【0035】
一方、グランド孔56a〜56cは、外部結合孔55a〜55cの近傍に、外部結合孔55a〜55cに対して平行に設けられ、それぞれの内導体53は開放側端面51a及び短絡側端面51bで外導体54と電気的に導通している。このグランド孔56a〜56cの形成位置、形状、内寸(大きさ)を変えることにより、外部結合孔55a〜55cの自己容量を増減することができるので、外部結合を変えることができ、より適切な外部結合を設定することができる。外部結合孔55a〜55cの自己容量とは、外部結合孔55a〜55cの内導体53とグランド導体(外導体54及びグランド孔56a〜56cの内導体53)間に発生する容量である。
【0036】
この誘電体デュプレクサ51は、共振器孔52b,52cで形成される二つの共振器からなる送信フィルタ(帯域通過フィルタ)と、共振器孔52d,52e,52fで形成される三つの共振器からなる受信フィルタ(帯域通過フィルタ)と、両側の共振器孔52a,52gで形成される各共振器からなる二つのトラップ(帯域阻止フィルタ)とで構成されている。外部結合孔55aとこれに隣り合う共振器孔52a,52b、外部結合孔55bとこれに隣り合う共振器孔52c,52d、及び外部結合孔55cとこれに隣り合う共振器孔52f,52gはそれぞれ電磁界結合され、この電磁界結合により外部結合を得ている。
【0037】
図14に示すように、以上の構成からなる誘電体デュプレクサ51の大径孔部62c〜62fと小径孔部63c〜63fの連結部分は、従来の連結部分より広くなる。従って、共振器孔52c〜52fは、めっき液の通り易い形状を有することとなり、共振器孔52c〜52fの内周面に形成される内導体53を、十分な膜厚でかつ安定して形成することができる。この結果、共振器のQ値を向上させることができる。
【0038】
さらに、図12に示すように、送信回路系(図示せず)から送信側電極Txに入った送信信号を共振器孔52b,52cからなる送信フィルタを介してアンテナ電極ANTから出力すると共に、アンテナ電極ANTから入った受信信号を共振器孔52d,52e,52fからなる受信フィルタを介して受信側電極Rxから受信回路系(図示せず)に出力する。そして、共振器孔52b,52cで形成される二つの共振器間の結合は強い誘導性結合となり、共振器孔52d,52eで形成される二つの共振器間の結合は強い容量性結合となる。従って、誘電体デュプレクサ51の外形形状や寸法を変えることなく、より強い容量性結合や誘導性結合を有する誘電体デュプレクサ51を得ることができる。
【0039】
さらに、図14に示すように、共振器孔52e,52fの小径孔部63eと63f間の軸間距離d13が、大径孔部62eと62f間の軸間距離d16と等しくなるように設定することにより、誘電体デュプレクサ51の外形寸法を大きくしなくても、共振器孔52e,52fで形成される二つの共振器間の電磁界結合度を一定に保つことができ、設計の自由度を高めることができる。
【0040】
さらに、通過帯域の低域側(あるいは高域側)に形成される減衰極を、より低周波側(あるいは高周波側)に移動させることができ、誘電体デュプレクサ51の通過帯域の広帯域化を図り、かつ、減衰特性の急峻な高性能小型の誘電体デュプレクサ51を容易に実現できる。
【0041】
[第5実施形態、図15]
第5実施形態は、本発明に係る通信装置として、携帯電話を例にして説明する。
【0042】
図15は携帯電話150のRF部分の電気回路ブロック図である。図15において、152はアンテナ素子、153はデュプレクサ、161は送信側アイソレータ、162は送信側増幅器、163は送信側段間用バンドパスフィルタ、164は送信側ミキサ、165は受信側増幅器、166は受信側段間用バンドパスフィルタ、167は受信側ミキサ、168は電圧制御発振装置(VCO)、169はローカル用バンドパスフィルタである。
【0043】
ここに、デュプレクサ153として、例えば前記第5実施形態の誘電体デュプレクサ51を使用することができる。また、送信側段間用バンドパスフィルタ163及び受信側段間用バンドパスフィルタ166並びにローカル用バンドパスフィルタ169として、例えば第1実施形態〜第3実施形態の誘電体フィルタ1を使用することができる。誘電体デュプレクサ51や誘電体フィルタ1等を実装することにより、優れた電気特性を有する携帯電話を実現することができる。
【0044】
[他の実施形態]
なお、本発明に係る誘電体フィルタ、誘電体デュプレクサ及び通信装置は前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
【0045】
例えば、図16に示すように、誘電体フィルタ1内に四つの共振器孔2a,2b,2c,2dを設けてもよい。この場合、大径孔部22a〜22dの半径をR、小径孔部23a〜23dの半径をr、大径孔部22a〜22dの軸と小径孔部23a〜23dの軸相互の偏心距離を距離Pとすると、共振器孔2a,2cは、0<P<R−rの関係を満足する範囲で、大径孔部22a,22cの軸を基準にして小径孔部23a,23cの軸を偏心させている。共振器孔2b,2dは、R−r<P<R+rの関係を満足する範囲で、大径孔部22b,22dの軸を基準にして小径孔部23b,23dの軸を偏心させている。
【0046】
さらに、共振器孔2b,2dの軸方向に対して、大径孔部22b,22dと小径孔部23b,23dはオーバーラップしている。このため、大径孔部22b,22dと小径孔部23b,23dの連結部分は、従来の連結部分より広くなる。従って、共振器孔2b,2dは、めっき液の通り易い形状を有することとなり、共振器孔の内周面に形成される内導体3を、十分な膜厚でかつ安定して形成することができる。この結果、共振器のQ値を向上させることができる。
【0047】
また、共振器孔2a,2cにそれぞれ形成される二つの共振器間は強い誘導性結合で結合され、共振器孔2c,2dにそれぞれ形成される二つの共振器間は強い容量性結合で結合される。そして、共振器孔2b,2dにそれぞれ形成される二つの共振器間は、共振器孔2a,2c間の誘導性結合よりさらに強い結合度で誘導性結合される。このことにより、誘電体フィルタの電磁界結合の自由設計度をさらに高めることができ、バンドパスフィルタやデュプレクサ等の設計を容易にすることができる。さらに、共振器孔を五つ以上設けるものであってもよい。
【0048】
また、図17に示すように、共振器孔2g,2hの大径孔部22g,22h及び小径孔部23g,23hが設けられる位置は、大径孔部22gが開放側端面1a側で小径孔部23gが短絡側端面1b側、小径孔部23hが開放側端面1a側で大径孔部22hが短絡側端面1b側となっていてもよい。
【0049】
また、図18に示すように、共振器孔2i,2jの大径孔部22i,22j及び小径孔部23i,23jの形状は、横断面円形の他に横断面矩形のものであってもよい。
【0050】
また、図19に示す誘電体フィルタであってもよい。この誘電体フィルタは、誘電体フィルタ1の外面の略全面に外導体4が形成されている。1対の入出力電極5は、この外導体4に対して所定の間隔を確保して、外導体4に非導通の状態で誘電体フィルタ1の外面に形成されている。共振器孔2a,2bの略内周全面には内導体3が形成されており、大径孔部22a,22bの開口部に延在している外導体4との間にギャップ8を設けている。このギャップ8が設けられている大径孔部22a,22bの開口側の面1aが開放側端面であり、小径孔部23a,23bの開口側の面1bが短絡側端面である。そして、共振器孔2a,2bの軸方向に対して、大径孔部22a,22bと小径孔部23a,23bはオーバーラップしている。
【0051】
また、共振器孔の軸方向の長さは略λ/4に限るものではなく、例えば略λ/2であってもよい。この場合、共振器孔の両開口面は、両面とも短絡側端面に設定するか、又は、両面とも開放側端面に設定する必要がある。
【0052】
また、図3に示した共振器孔2a,2bにおける大径孔部22a,22bの底部24a,24bと小径孔部23a,23bの底部25a,25bのオーバーラップ長さAの位置が共振器孔2a,2bの軸方向にずれていてもよく、必ずしも前記実施形態のように軸方向に等しい位置に全ての共振器孔2a,2bを配設する必要はない。すなわち、共振器孔2aの軸方向に対して、大径孔部22aと小径孔部23aがオーバーラップしていれば、大径孔部22aの長さ(開放側端面1aから底部24aまでの距離)と大径孔部22bの長さ(開放側端面1aから底部24bまでの距離)が異なっていてもよい。同様に、共振器孔2bの軸方向に対して、大径孔部22bと小径孔部23bがオーバーラップしていれば、小径孔部23aの長さ(短絡側端面1bから底部25aまでの距離)と小径孔部23bの長さ(短絡側端面1bから底部25bまでの距離)が異なっていてもよい。
【0053】
さらに、内径一定の共振器孔を含めた誘電体フィルタあるいは誘電体デュプレクサであってもよい。さらに、誘電体ブロックに結合溝を設ける等の共振器孔間の他の電磁界結合手段を併用して構成し、結合度をより大きく変えるようにしてもよい。
【0054】
また、前記第1実施形態〜第4実施形態では、開放側端面側に大径孔部を、短絡側端面側に小径孔部を形成した共振器孔にて説明したが、これに限ることはなく、短絡側端面側に大径孔部を形成し、開放側端面側の小径孔部相互間の軸間距離を変えるようにしてもよい。この場合、隣り合う共振器孔間の結合関係は前記実施形態で説明したものとは逆の関係となる。すなわち、小径孔部相互間の軸間距離を狭くしていくと徐々に容量性結合度が強くなり、小径孔部相互間の軸間距離を広くしていくと誘導性結合度が強くなっていく。この場合も、大径孔部の軸方向の長さと、小径孔部の軸方向の長さの合計長さは、共振器孔の軸方向の長さに比べて長く設定する。
【0055】
また、前記第1実施形態〜第4実施形態では、誘導体ブロックの外面の所定箇所に入出力電極を形成した誘導体フィルタあるいは誘電体デュプレクサについて説明したが、これに限るものではなく、入出力電極に代えて、入出力樹脂ピン等により外部回路と接続するものでもよい。
【0056】
また、前記第1実施形態〜第4実施形態では、所定のピッチに配置された大径孔部の軸を基準にして小径孔部の軸をずらせた場合を説明したが、必ずしもこれに限定されるものではなく、所定のピッチに配置された小径孔部の軸を基準にして大径孔部の軸をずらせるようにしてもよい。
【0057】
また、前記第1実施形態〜第4実施形態では、共振器孔の大径及び小径孔部の軸が一直線状に並んでいるが、大径孔部の軸と小径孔部の軸が例えば誘電体ブロックの高さ方向に千鳥状に配置されるようにしたものであってもよい。
【0058】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、大径孔部と小径孔部を連通させた共振器孔の軸方向に対して、大径孔部と小径孔部をオーバーラップさせたので、大径孔部と小径孔部の連結部分を広くすることができ、めっき液が通り易い形状を有することができる。この結果、大径孔部と小径孔部に必要な内導体の電極膜厚を容易に得ることができ、共振器のQ値を向上させることができる。これより、誘電体フィルタや誘電体デュプレクサの通過帯域の広帯域化を図り、かつ、減衰特性の急峻な高性能の小型誘電体フィルタや小型誘電体デュプレクサを容易に実現できる。
【0059】
また、本発明に係る通信装置は、前述の特徴を有する誘電体デュプレクサを備えることにより、優れた電気特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る誘電体フィルタの第1実施形態を示す外観斜視図。
【図2】図1に示した誘電体フィルタの開放側端面側から見た正面図。
【図3】図2に示した誘電体フィルタのIII−III断面図。
【図4】図1に示した誘電体フィルタのプレス成形方法を示す縦概略断面図。
【図5】図4に続く工程を示す縦概略断面図。
【図6】図5に続く工程を示す縦概略断面図。
【図7】図6に続く工程を示す縦概略断面図。
【図8】本発明に係る誘電体フィルタの第2実施形態を示す開放側端面側から見た正面図。
【図9】図8に示した誘電体フィルタのIX−IX断面図。
【図10】本発明に係る誘電体フィルタの第3実施形態を示す開放側端面側から見た正面図。
【図11】図10に示した誘電体フィルタのXI−XI断面図。
【図12】本発明に係る誘電体デュプレクサの第4実施形態を示す外観斜視図。
【図13】図12に示した誘電体デュプレクサの短絡側端面側から見た背面図。
【図14】図12に示した誘電体デュプレクサの平面図。
【図15】本発明に係る通信装置の一実施形態を示す電気回路ブロック図。
【図16】本発明に係る誘電体フィルタの他の実施形態を示す正面図。
【図17】本発明に係る誘電体フィルタの別の他の実施形態を示す水平断面図。
【図18】本発明に係る誘電体フィルタのさらに別の他の実施形態を示す正面図。
【図19】本発明に係る誘電体フィルタのさらに別の他の実施形態を示す外観斜視図。
【図20】従来の誘電体フィルタの外観斜視図。
【図21】図20に示した誘電体フィルタのXXI−XXI断面図。
【符号の説明】
1…誘電体フィルタ
2a〜2j,52a〜52g…共振器孔
3,53…内導体
4,54…外導体
22a〜22j,62a〜62g…大径孔部
23a〜23j,63a〜63g…小径孔部
51…誘電体デュプレクサ
150…携帯電話
A…オーバーラップ長さ
d1,d3,d5,d11,d12,d13…小径孔部相互間の軸間距離
d2,d4,d6,d14,d15,d16…大径孔部相互間の軸間距離
P…大径孔部の軸と小径孔部の軸とのずれ距離
Claims (6)
- 誘電体ブロックの内部に複数の共振器孔を設け、該共振器孔の内周面に内導体を形成し、誘電体ブロックの外面に外導体を形成してなる誘電体フィルタにおいて、
前記内導体と前記外導体が湿式めっき法で形成され、前記共振器孔のうち少なくとも1つの共振器孔が大径孔部とこの大径孔部に連通した小径孔部とを有し、前記大径孔部の軸と前記小径孔部の軸をずらせて、隣接する共振器孔間の電磁界結合の調整用屈曲形状を形成し、前記共振器孔の軸方向に対して前記大径孔部と前記小径孔部をオーバーラップさせて、大径孔部と小径孔部の連結部分をめっき液が通り易い形状とし、前記大径孔部の半径Rと、前記小径孔部の半径rと、前記大径孔部の軸と前記小径孔部の軸のずれ距離Pとが、関係式R−r<P<R+rを満足していることを特徴とする誘電体フィルタ。 - 前記屈曲形状の共振器孔を複数隣り合わせて形成し、この隣り合う共振器孔の小径孔部相互間の軸間距離が大径孔部相互間の軸間距離より大きいことを特徴とする請求項1記載の誘電体フィルタ。
- 前記屈曲形状の共振器孔を複数隣り合わせて形成し、この隣り合う共振器孔の小径孔部相互間の軸間距離が大径孔部相互間の軸間距離より小さいことを特徴とする請求項1記載の誘電体フィルタ。
- 前記屈曲形状の共振器孔を複数隣り合わせて形成し、この隣り合う共振器孔の小径孔部相互間の軸間距離が大径孔部相互間の軸間距離と等しいことを特徴とする請求項1記載の誘電体フィルタ。
- 請求項1〜請求項4のいずれかに記載の誘電体フィルタを有したことを特徴とする誘電体デュプレクサ。
- 請求項5に記載の誘電体デュプレクサを備えたことを特徴とする通信装置。
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