JP3567774B2 - 抵抗材料、これを用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板 - Google Patents
抵抗材料、これを用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板 Download PDFInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、抵抗材料、これを用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板に関するもので、特に、中性または還元性雰囲気中で焼付けを行なうことが可能な抵抗ペースト、この抵抗ペーストに有利に含有される抵抗材料、この抵抗ペーストを用いて形成される抵抗体、およびこの抵抗体を備えるセラミック多層基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
アルミナからなるセラミック基板には、通常、種々の電子部品を搭載できるように、電極や抵抗体などをもって構成される回路パターンが形成されている。また、電極あるいは電極パターンを形成するため、銀、銀−パラジウム合金などの貴金属ペーストをスクリーン印刷し、空気中で焼き付けることが一般に行なわれている。
【０００３】
また、基板を積層化して導体を内部に立体的に配置することにより高密度化を図り、それによって、さらなる製品の小型化を図ろうとする検討もされている。しかし、従来の一般的なアルミナ基板を用いて、内層配線および積層化を行なおうとする場合には、アルミナの焼結温度が高いため、導体材料として、タングステン、モリブデンなどの高融点金属を用いなければならないが、これらの金属の比抵抗が高いため、用途が制約され、実用的でないという問題がある。
【０００４】
そこで、このような問題を解決する目的で、低温（１０００℃以下）で焼結することが可能で、銀、パラジウム、銅などの金属を内層材料として用いることが可能とする低温焼結基板（たとえば、セラミックとガラスとからなる複合基板など）が用いられるようになってきている。
【０００５】
このような低温焼結基板において用いる電極材料としては、前述した貴金属ペーストが考えられる。しかしながら、貴金属ペーストは、高価であるばかりでなく、インピーダンスが高く、エレクトロマイグレーションを起こしやすいという欠点があるため、実用上問題となっている。
【０００６】
これに対して、インピーダンスが低く、エレクトロマイグレーションを起こさない銅などの卑金属材料を含む卑金属ペーストを、焼結基板またはグリーンシート上にスクリーン印刷し、これを中性または還元性雰囲気中で焼成すれば、高品質の電極パターンを安価に形成できることがわかっており、注目されている。
【０００７】
この場合、卑金属ペーストを焼き付けた後の複数の卑金属電極間を連結するように基板上に設けられる抵抗体あるいは抵抗パターンを形成するための抵抗ペーストは、導電材料としてＲｕＯ２ 系材料を使用したものでは還元されてしまうため、使用できない。抵抗材料としては、窒素などの中性または還元性雰囲気中で焼き付けることができるものであることが望ましい。
【０００８】
そこで、上述のような中性または還元性雰囲気中で焼付けを行なうことが可能な抵抗ペーストとして、特公昭５５−３０８８９号公報に記載されたＬａＢ６ 系の導電材料を含有する抵抗ペースト、特開昭６３−２２４３０１号公報に記載されたＮｂＢ２ 系の導電材料を含有する抵抗ペースト、特開平２−２４９２０３号公報に記載されたＮｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ固溶体系の導電材料を含有する抵抗ペーストなどが提案されている。
【０００９】
特に、導電材料としてＮｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ系を含有する抵抗ペーストを用いて形成された抵抗体は、ＬａＢ６ 系などの導電材料を含有する抵抗ペーストを用いて形成された抵抗体よりも、導電材料およびガラスフリットの混合比率を変えることによって、良好な再現性が得られる面積抵抗値の範囲が広いという利点を有している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特にＮｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ系の導電材料を含有する抵抗ペーストをもって形成された抵抗体では、その面積抵抗値が低い領域（約１００Ω／□〜１ｋΩ／□）において抵抗温度係数（以下、「ＴＣＲ」と言う。）がプラス（＋）方向へシフトし、絶対値が０から離れていく傾向にある。特開平７−１９２９０３号公報では、第１添加剤としてＴｉＯ２ 、第２添加剤としてＣｏ３ Ｏ４ 、ＣｏＯおよびＦｅ２ Ｏ３ を添加することで、アルミナ基板上でのＴＣＲをマイナス方向にシフトさせられることが示されているが、セラミックとガラスとの複合基板などの低温焼結基板に抵抗体を形成した場合には、特に低抵抗領域でのＴＣＲ制御効果および再現性が十分ではなく、必要とされるＴＣＲ特性が十分に得られないのが実状であった。
【００１１】
そこで、この発明の目的は、Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ系の導電材料を含有する抵抗ペーストを低温焼結基板上で焼き付けても、それによって形成された抵抗体における面積抵抗値の低い領域（約１００Ω／□〜１ｋΩ／□）のＴＣＲを、マイナス方向へシフトさせて０に近づけることを可能にして、上述したような問題を解決しようとすることである。
【００１２】
より特定的には、この発明の目的は、上述のような問題の解決を図り得る、抵抗ペースト、この抵抗ペーストに有利に含有される抵抗材料、この抵抗ペーストを用いて形成される抵抗体、およびこの抵抗体を備えるセラミック多層基板を提供しようとすることである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上述した技術的課題を解決するため、この発明は、まず、抵抗ペーストに有利に含有される抵抗材料に向けられる。
【００１４】
この発明に係る抵抗材料は、一般的には、導電材料と添加剤とを含有し、導電材料として、一般式：Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ（ｘ＝０．１〜０．９）で表される導電材料を含有し、添加剤として、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）を含有することを特徴としている。
【００１５】
この発明に係る抵抗材料は、より特定的な局面では、一般式：Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ（ｘ＝０．１〜０．９）で表される導電材料と非還元性ガラスフリットと添加剤とを含有し、添加剤として、導電材料および非還元性ガラスフリットの合計量１００重量部に対して、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）が１〜５重量部、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）が１〜１０重量部、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）が１〜５重量部、それぞれ、含有することを特徴としている。
【００１６】
上述したより特定的な局面において、導電材料／非還元性ガラスフリットの配合割合が、７０〜１０重量部／３０〜９０重量部の範囲にあることが好ましい。
【００１７】
この発明は、また、上述した抵抗材料に有機ビヒクルを添加し、混練して得られた、抵抗ペーストにも向けられる。
【００１８】
この抵抗ペーストは、ＢａＯが１５〜７５重量％、ＳｉＯ２ が２５〜８０重量％、Ａｌ２ Ｏ３ が３０重量％以下、Ｂ２ Ｏ３ が１．５〜５重量％、ＣａＯが１．５〜５重量％、それぞれ、含有する組成を有する低温焼結基板上に抵抗体を形成するために有利に用いられる。
【００１９】
この発明は、また、上述した抵抗ペーストを塗布し、焼き付けることによって形成された、抵抗体にも向けられる。
【００２０】
この発明は、さらに、上述した抵抗体を備える、セラミック多層基板にも向けられる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
この発明の好ましい実施形態による抵抗ペーストでは、一般式：Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ（ｘ＝０．１〜０．９）で表される導電材料と非還元性ガラスフリットと添加剤とを含有し、添加剤として、導電材料および非還元性ガラスフリットの合計量１００重量部に対して、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）が１〜５重量部、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）が１〜１０重量部、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）が１〜５重量部、それぞれ、含有する、そのような抵抗材料が添加される。
【００２２】
上述した抵抗材料は、これに有機ビヒクルを添加し、混練することによって、抵抗ペーストとされる。この抵抗ペーストは、これを塗布し、焼き付けることによって抵抗体を形成する。
【００２３】
上述の導電材料であるＮｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘの粒子径は、０．１〜５μｍの範囲が好ましく、０．１〜３μｍの範囲がより好ましい。
【００２４】
非還元性ガラスフリットとしては、Ｂａ、Ｃａ、もしくは他のアルカリ土類金属の硼珪酸ガラスまたは硼アルミノ珪酸ガラスなどが選ばれる。また、非還元性ガラスフリットの粒子径は、１〜１０μｍの範囲が好ましく、１〜５μｍの範囲がより好ましい。
【００２５】
上述した抵抗材料において、導電材料および非還元性ガラスフリットの合計量１００重量部に対して、添加剤としての酸化チタン（ＴｉＯ２ ）を１〜５重量部、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）を１〜１０重量部、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）を１〜５重量部、それぞれ、添加するようにしたのは、いずれも、添加量の各範囲を下回ると、当該抵抗材料を含む抵抗ペーストから得られた抵抗体の抵抗値およびＴＣＲの制御効果が不十分になることがあり、また、添加量の各範囲を上回ると、抵抗値が高くなることがあるばかりでなく、ＴＣＲが大きく０より外れたり、再現性が悪くなったりすることがあるからである。
【００２６】
また、上述した抵抗材料に係る各実施形態において、好ましくは、導電材料／非還元性ガラスフリットの配合割合が、７０〜１０重量部／３０〜９０重量部の範囲にあるように選ばれる。これによって、基板への密着性を優れたものとし、かつ、ガラス成分の流れ出しのない抵抗ペーストを得ることができるようになる。より詳細には、非還元性ガラスフリットの割合が上記範囲を下回ると、当該抵抗材料を含む抵抗ペーストを基板に塗布し、焼き付けることによって得られた抵抗体の基板への密着性が低下することがあり、他方、上記範囲を上回ると、焼付け工程において、抵抗ペースト中のガラス成分が流れ出すことがあり、これによって、隣接して配置される電極の半田付け性を劣化させ、また、抵抗値が急変したり、再現性に乏しかったりして、実用に適さないことがある。
【００２７】
また、この発明に係る抵抗ペーストにおいては、前述したように、導電材料と非還元性ガラスフリットとの混合物（固形成分）に有機ビヒクルを添加して、混練することにより、必要な印刷特性が付与されているが、この有機ビヒクルとしては、たとえば、厚膜材料ペーストにおいて使用されているエチルセルロース系樹脂やアクリル系樹脂などをα−テレピネオールのようなテルペン系やケロシン、ブチルカルビトール、カルビトールアセテートなどの高沸点溶剤に溶解させたものなど、種々のものを用いることが可能であり、また、必要であれば、チキソ性を付与するための添加剤を添加することも可能である。
【００２８】
以上のようにして、導電材料７０〜１０重量部と非還元性ガラスフリット３０〜９０重量部との合計量１００重量部に対して、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）を１〜５重量部、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）を１〜１０重量部、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）を１〜５重量部、それぞれ、含有する抵抗材料に、有機ビヒクルを添加し、混練することにより得られた抵抗ペーストを用いることにより、低温焼結基板上に塗布、焼付けした場合にも、ＴＣＲが０により近い抵抗体を確実に形成することが可能になる。
【００２９】
また、この発明に係る抵抗ペーストによれば、アルミナ基板上でのＴＣＲのみならず、従来、制御効果の十分でなかった、たとえば、ＢａＯが１５〜７５重量％、ＳｉＯ２ が２５〜８０重量％、Ａｌ２ Ｏ３ が３０重量％以下、Ｂ２ Ｏ３ が１．５〜５重量％、ＣａＯが１．５〜５重量％、それぞれ、含有する組成を有する低温焼結基板上に塗布、焼付けした場合にも、ＴＣＲが０に近い抵抗体を形成することができる。
【００３０】
また、この発明に係る抵抗ペーストを塗布、焼付けすることにより形成された抵抗体は、基板との密着性が良好で、かつ、低温焼結基板上に形成された場合にも、実用可能な面積抵抗値が広く、しかも、ＴＣＲが良好であるという特徴を有している。
【００３１】
図１は、この発明の一実施形態によるセラミック多層基板１を図解的に示す断面図である。
【００３２】
セラミック多層基板１は、複数のセラミック層２を備える。セラミック多層基板１を製造するにあたり、所定のセラミック組成物を含む複数のグリーンシートを積層して得られたセラミック積層体を焼成することが行なわれるが、複数のセラミック層２は、これら複数のグリーンシートの焼成の結果としてもたらされたものである。
【００３３】
セラミック多層基板１の外表面上には、表面導体３、４、５および６が形成され、かつ、同じく内部には、特定のセラミック層２間の界面に沿って内部導体７、８、９、１０および１１が形成されるともに、特定のセラミック層２を貫通するようにバイアホール導体１２、１３、１４、１５および１６が形成されている。また、セラミック多層基板１の外表面上であって、表面導体３および４間を接続するように、抵抗体１７が形成されている。
【００３４】
上述の表面導体３〜６、内部導体７〜１１ならびにビアホール導体１２〜１６は、これらを形成するための金属ペーストを前述のセラミック積層体に予め付与しておき、このセラミック積層体と同時焼成することによって形成されたものである。この場合、好ましくは、金属ペーストとしては、卑金属ペーストが用いられ、焼成において、中性または還元性雰囲気が適用される。
【００３５】
また、抵抗体１７は、前述したようなこの発明に係る抵抗ペーストを、焼成後の表面導体３および４間を接続するように付与し、中性または還元性雰囲気中で焼き付けることによって形成される。
【００３６】
なお、図１に示したセラミック多層基板１の構造、より特定的には、電気的要素および電気的接続態様等は、この発明が適用され得るセラミック多層基板の一例にすぎないことを指摘しておく。
【００３７】
【実施例】
まず、以下の要領により、電極を形成した基板を作製した。
【００３８】
ＢａＯ、ＳｉＯ２ 、Ａｌ２ Ｏ３ 、ＣａＯ、およびＢ２ Ｏ３ をそれぞれ用意し、これらを、重量比で３０：６０：５：２：３の割合で配合し、これを粉砕混合した後、８５０〜９５０℃の温度で仮焼し、さらに粉砕した。そして、得られた粉体に有機バインダを加えて、ドクターブレード法により、厚さ１２８μｍのシートを成形した。次いで、所定の大きさに切断したこのシートに銅ペーストをスクリーン印刷し、乾燥した後、圧着成形し、基材を得た。次に、この基材を、窒素をキャリアガスとし、酸素および水素を微量含有させた窒素−水蒸気雰囲気（Ｎ２ が９９．７〜９９．８％）中、８５０〜１０００℃の条件で、電気炉により、仮焼および本焼を行ない、銅電極を形成した基板を得た。
【００３９】
他方、以下のような手順で、Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ（ｘ＝０．１〜０．９）の組成を有する導電材料と非還元性ガラスフリットとを作製した後、所要の添加剤および有機ビヒクルを加えて、抵抗ペーストを作製した。
【００４０】
まず、導電材料の出発原料である粉末状のＮｂＢ２ とＬａＢ６ とを用意し、これらをＮｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ（ｘ＝０．１〜０．９）の組成となるように秤量して混合した後、るつぼに入れ、ピーク温度が１０００℃に設定された窒素（Ｎ２ ）雰囲気中で２時間以上焼成することにより、ＮｂＢ２ にＬａＢ６ を固溶させた状態の合成物を作製した。なお、このときの昇温速度は、１分間当たり３℃となるように設定した。そして、得られた合成物を、振動ミルを用いて、平均粒径が０．５μｍとなるまで粉砕した上で乾燥させることにより、Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ（ｘ＝０．１〜０．９）の組成を有する導電材料を得た。
【００４１】
また、導電材料とは別に、非還元性ガラスフリットの出発原料であるＢ２ Ｏ３ 、ＳｉＯ２ 、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｎｂ２ Ｏ５ 、およびＫ２ Ｏをそれぞれ用意し、これら各々を３５．５６：３１．２４：１７．７８：１０．０４：２．４１：２．９７のモル比で混合した後、得られた混合物を１３００℃ないし１４００℃の温度下で溶融することによって溶融ガラスを作製した。さらに、この溶融ガラスを純水中で急冷した後、振動ミルを用いて、平均粒径が２μｍとなるまで粉砕することにより、非還元性ガラスフリットを得た。
【００４２】
さらに、ＴｉＯ２ を第１添加剤、Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方を第２添加剤、ＳｉＯ２ を第３添加剤として用意し、これらを、振動ミルを用いて、平均粒径が２μｍになるまで粉砕した後、表１に示すように、Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ系の導電材料と非還元性ガラスフリットとの混合物に対して、添加することによって、混合物を得た。なお、表１中のパラメータであるｘは、Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ系の導電材料における組成割合を示している。
【００４３】
【表１】
【００４４】
以上のようにして得られた混合物に対し、アクリル樹脂をα−テルピネオールに溶解した有機ビヒクルを加えた後、混練することによって、抵抗ペーストを得た。
【００４５】
得られた各抵抗ペーストを、先に、銅電極を形成した低温焼結基板上の電極間に、長さ１．０ｍｍ、幅１．０ｍｍ、乾燥膜厚２０μｍをもって、スクリーン印刷した後、１５０℃の温度で１０分間にわたって乾燥させた。その後、Ｎ２ 雰囲気としたトンネル炉にて、ピーク温度９００℃で１０分間保持して焼付けを行ない、それによって抵抗体を形成した試料を得た。
【００４６】
次に、得られた各試料について、面積抵抗値（１．０×１．０ｍｍ□）およびＴＣＲ（Ｃｏｌｄ／ＴＣＲ：２５〜−５５℃間、Ｈｏｔ／ＴＣＲ：２５〜１５０℃間）を測定した。その結果を表２に示す。
【００４７】
【表２】
【００４８】
なお、表２および前掲の表１において、＊を付した試料は、この発明における好ましい範囲外の比較例であり、それ以外は、すべて、この発明における好ましい範囲内の実施例である。
【００４９】
図２は、表２に示した各試料の面積抵抗値とＴＣＲとの関係を示したものである。ＴＣＲは、Ｃｏｌｄ／Ｈｏｔいずれか絶対値の大きい方の値をプロットしている。図２において、○は、添加剤を添加していない試料に相当し、△は、その他のこの発明における好ましい範囲外の試料に相当し、●は、この発明における好ましい範囲内の試料に相当している。
【００５０】
表１、表２および図２に示すように、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）を、それぞれ、この発明における好ましい範囲内で添加した実施例に係る試料では、比較例である、いずれの添加剤も添加していない試料に比べて、ＴＣＲが下方へシフトしており、同レベルの抵抗値で比較しても、そのＴＣＲは、±０ｐｐｍ／℃に近づいている。
【００５１】
このように、この発明における好ましい範囲内にある試料では、±１５０ｐｐｍ／℃以内に入り、添加量の変更により、ＴＣＲの調整が可能である。他方、この発明における好ましい範囲を外れている試料では、ＴＣＲの劣化、および抵抗値の増大が認められるとともに、これに加えて、抵抗値あるいはＴＣＲの再現性およびばらつきの劣化も認められる。
【００５２】
この結果から、添加剤の添加量に関して、導電材料と非還元性ガラスフリットとの合計量１００重量部に対して、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）が１〜５重量部、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）が１〜１０重量部、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）が１〜５重量部であるものが、特に好ましいことがわかる。
【００５３】
なお、この実施例では、導電材料の組成比に関して、ｘ＝０．５、０．２５、０．７５であったが、組成比はこれらに限定されるものではない。
【００５４】
また、非還元性ガラスフリットの成分および組成比についても、実施例で用いられたものに限定されるものではなく、他の種々の材料または組成比を備える非還元性ガラスフリットを用いることもできる。
【００５５】
また、抵抗体を形成する対象である基板は、実施例に示した低温焼結基板に限定されるものではなく、他の種々の材料からなる基板に抵抗体を形成する場合にも、この発明を適用することができる。
【００５６】
この発明は、さらに、その他の点においても、実施例に限定されるものではなく、材料、組成、焼付け条件、雰囲気条件などに関し、この発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００５７】
【発明の効果】
以上のように、この発明に係る抵抗材料、これを用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびにこの抵抗体を備えるセラミック多層基板によれば、抵抗材料が、導電材料と添加剤とを含有し、導電材料として、一般式：Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ（ｘ＝０．１〜０．９）で表される導電材料を含有し、添加剤として、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）を含有しているので、この抵抗材料を含む抵抗ペーストを焼き付けて形成した抵抗体において、その面積抵抗値が低い領域（１００Ω／□〜１ｋΩ／□付近）におけるＴＣＲをプラスからマイナス方向へシフトさせ、ＴＣＲの絶対値を０に近づけることが可能となり、中性または還元性雰囲気中で焼き付けられる抵抗ペーストに実用上必要とされるＴＣＲを十分満たすような調整が可能となる。
【００５８】
この発明において、導電材料および非還元性ガラスフリットの合計量１００重量部に対する、上述した添加剤の添加量が、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）が１〜５重量部、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）が１〜１０重量部、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）が１〜５重量部とそれぞれなるように選ばれると、上述した効果がより確実に達成される。
【００５９】
また、この発明において、導電材料／非還元性ガラスフリットの配合割合が、７０〜１０重量部／３０〜９０重量部の範囲にあるように選ばれると、基板への密着性を優れたものとし、かつ、ガラス成分の流れ出しのない抵抗ペーストを得ることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態によるセラミック多層基板１を図解的に示す断面図である。
【図２】この発明に係る実施例および比較例の面積抵抗値とＴＣＲとの関係を示す図である。
【符号の説明】
１ セラミック多層基板
１７ 抵抗体
【発明の属する技術分野】
この発明は、抵抗材料、これを用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびにセラミック多層基板に関するもので、特に、中性または還元性雰囲気中で焼付けを行なうことが可能な抵抗ペースト、この抵抗ペーストに有利に含有される抵抗材料、この抵抗ペーストを用いて形成される抵抗体、およびこの抵抗体を備えるセラミック多層基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
アルミナからなるセラミック基板には、通常、種々の電子部品を搭載できるように、電極や抵抗体などをもって構成される回路パターンが形成されている。また、電極あるいは電極パターンを形成するため、銀、銀−パラジウム合金などの貴金属ペーストをスクリーン印刷し、空気中で焼き付けることが一般に行なわれている。
【０００３】
また、基板を積層化して導体を内部に立体的に配置することにより高密度化を図り、それによって、さらなる製品の小型化を図ろうとする検討もされている。しかし、従来の一般的なアルミナ基板を用いて、内層配線および積層化を行なおうとする場合には、アルミナの焼結温度が高いため、導体材料として、タングステン、モリブデンなどの高融点金属を用いなければならないが、これらの金属の比抵抗が高いため、用途が制約され、実用的でないという問題がある。
【０００４】
そこで、このような問題を解決する目的で、低温（１０００℃以下）で焼結することが可能で、銀、パラジウム、銅などの金属を内層材料として用いることが可能とする低温焼結基板（たとえば、セラミックとガラスとからなる複合基板など）が用いられるようになってきている。
【０００５】
このような低温焼結基板において用いる電極材料としては、前述した貴金属ペーストが考えられる。しかしながら、貴金属ペーストは、高価であるばかりでなく、インピーダンスが高く、エレクトロマイグレーションを起こしやすいという欠点があるため、実用上問題となっている。
【０００６】
これに対して、インピーダンスが低く、エレクトロマイグレーションを起こさない銅などの卑金属材料を含む卑金属ペーストを、焼結基板またはグリーンシート上にスクリーン印刷し、これを中性または還元性雰囲気中で焼成すれば、高品質の電極パターンを安価に形成できることがわかっており、注目されている。
【０００７】
この場合、卑金属ペーストを焼き付けた後の複数の卑金属電極間を連結するように基板上に設けられる抵抗体あるいは抵抗パターンを形成するための抵抗ペーストは、導電材料としてＲｕＯ２ 系材料を使用したものでは還元されてしまうため、使用できない。抵抗材料としては、窒素などの中性または還元性雰囲気中で焼き付けることができるものであることが望ましい。
【０００８】
そこで、上述のような中性または還元性雰囲気中で焼付けを行なうことが可能な抵抗ペーストとして、特公昭５５−３０８８９号公報に記載されたＬａＢ６ 系の導電材料を含有する抵抗ペースト、特開昭６３−２２４３０１号公報に記載されたＮｂＢ２ 系の導電材料を含有する抵抗ペースト、特開平２−２４９２０３号公報に記載されたＮｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ固溶体系の導電材料を含有する抵抗ペーストなどが提案されている。
【０００９】
特に、導電材料としてＮｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ系を含有する抵抗ペーストを用いて形成された抵抗体は、ＬａＢ６ 系などの導電材料を含有する抵抗ペーストを用いて形成された抵抗体よりも、導電材料およびガラスフリットの混合比率を変えることによって、良好な再現性が得られる面積抵抗値の範囲が広いという利点を有している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特にＮｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ系の導電材料を含有する抵抗ペーストをもって形成された抵抗体では、その面積抵抗値が低い領域（約１００Ω／□〜１ｋΩ／□）において抵抗温度係数（以下、「ＴＣＲ」と言う。）がプラス（＋）方向へシフトし、絶対値が０から離れていく傾向にある。特開平７−１９２９０３号公報では、第１添加剤としてＴｉＯ２ 、第２添加剤としてＣｏ３ Ｏ４ 、ＣｏＯおよびＦｅ２ Ｏ３ を添加することで、アルミナ基板上でのＴＣＲをマイナス方向にシフトさせられることが示されているが、セラミックとガラスとの複合基板などの低温焼結基板に抵抗体を形成した場合には、特に低抵抗領域でのＴＣＲ制御効果および再現性が十分ではなく、必要とされるＴＣＲ特性が十分に得られないのが実状であった。
【００１１】
そこで、この発明の目的は、Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ系の導電材料を含有する抵抗ペーストを低温焼結基板上で焼き付けても、それによって形成された抵抗体における面積抵抗値の低い領域（約１００Ω／□〜１ｋΩ／□）のＴＣＲを、マイナス方向へシフトさせて０に近づけることを可能にして、上述したような問題を解決しようとすることである。
【００１２】
より特定的には、この発明の目的は、上述のような問題の解決を図り得る、抵抗ペースト、この抵抗ペーストに有利に含有される抵抗材料、この抵抗ペーストを用いて形成される抵抗体、およびこの抵抗体を備えるセラミック多層基板を提供しようとすることである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上述した技術的課題を解決するため、この発明は、まず、抵抗ペーストに有利に含有される抵抗材料に向けられる。
【００１４】
この発明に係る抵抗材料は、一般的には、導電材料と添加剤とを含有し、導電材料として、一般式：Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ（ｘ＝０．１〜０．９）で表される導電材料を含有し、添加剤として、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）を含有することを特徴としている。
【００１５】
この発明に係る抵抗材料は、より特定的な局面では、一般式：Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ（ｘ＝０．１〜０．９）で表される導電材料と非還元性ガラスフリットと添加剤とを含有し、添加剤として、導電材料および非還元性ガラスフリットの合計量１００重量部に対して、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）が１〜５重量部、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）が１〜１０重量部、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）が１〜５重量部、それぞれ、含有することを特徴としている。
【００１６】
上述したより特定的な局面において、導電材料／非還元性ガラスフリットの配合割合が、７０〜１０重量部／３０〜９０重量部の範囲にあることが好ましい。
【００１７】
この発明は、また、上述した抵抗材料に有機ビヒクルを添加し、混練して得られた、抵抗ペーストにも向けられる。
【００１８】
この抵抗ペーストは、ＢａＯが１５〜７５重量％、ＳｉＯ２ が２５〜８０重量％、Ａｌ２ Ｏ３ が３０重量％以下、Ｂ２ Ｏ３ が１．５〜５重量％、ＣａＯが１．５〜５重量％、それぞれ、含有する組成を有する低温焼結基板上に抵抗体を形成するために有利に用いられる。
【００１９】
この発明は、また、上述した抵抗ペーストを塗布し、焼き付けることによって形成された、抵抗体にも向けられる。
【００２０】
この発明は、さらに、上述した抵抗体を備える、セラミック多層基板にも向けられる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
この発明の好ましい実施形態による抵抗ペーストでは、一般式：Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ（ｘ＝０．１〜０．９）で表される導電材料と非還元性ガラスフリットと添加剤とを含有し、添加剤として、導電材料および非還元性ガラスフリットの合計量１００重量部に対して、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）が１〜５重量部、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）が１〜１０重量部、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）が１〜５重量部、それぞれ、含有する、そのような抵抗材料が添加される。
【００２２】
上述した抵抗材料は、これに有機ビヒクルを添加し、混練することによって、抵抗ペーストとされる。この抵抗ペーストは、これを塗布し、焼き付けることによって抵抗体を形成する。
【００２３】
上述の導電材料であるＮｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘの粒子径は、０．１〜５μｍの範囲が好ましく、０．１〜３μｍの範囲がより好ましい。
【００２４】
非還元性ガラスフリットとしては、Ｂａ、Ｃａ、もしくは他のアルカリ土類金属の硼珪酸ガラスまたは硼アルミノ珪酸ガラスなどが選ばれる。また、非還元性ガラスフリットの粒子径は、１〜１０μｍの範囲が好ましく、１〜５μｍの範囲がより好ましい。
【００２５】
上述した抵抗材料において、導電材料および非還元性ガラスフリットの合計量１００重量部に対して、添加剤としての酸化チタン（ＴｉＯ２ ）を１〜５重量部、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）を１〜１０重量部、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）を１〜５重量部、それぞれ、添加するようにしたのは、いずれも、添加量の各範囲を下回ると、当該抵抗材料を含む抵抗ペーストから得られた抵抗体の抵抗値およびＴＣＲの制御効果が不十分になることがあり、また、添加量の各範囲を上回ると、抵抗値が高くなることがあるばかりでなく、ＴＣＲが大きく０より外れたり、再現性が悪くなったりすることがあるからである。
【００２６】
また、上述した抵抗材料に係る各実施形態において、好ましくは、導電材料／非還元性ガラスフリットの配合割合が、７０〜１０重量部／３０〜９０重量部の範囲にあるように選ばれる。これによって、基板への密着性を優れたものとし、かつ、ガラス成分の流れ出しのない抵抗ペーストを得ることができるようになる。より詳細には、非還元性ガラスフリットの割合が上記範囲を下回ると、当該抵抗材料を含む抵抗ペーストを基板に塗布し、焼き付けることによって得られた抵抗体の基板への密着性が低下することがあり、他方、上記範囲を上回ると、焼付け工程において、抵抗ペースト中のガラス成分が流れ出すことがあり、これによって、隣接して配置される電極の半田付け性を劣化させ、また、抵抗値が急変したり、再現性に乏しかったりして、実用に適さないことがある。
【００２７】
また、この発明に係る抵抗ペーストにおいては、前述したように、導電材料と非還元性ガラスフリットとの混合物（固形成分）に有機ビヒクルを添加して、混練することにより、必要な印刷特性が付与されているが、この有機ビヒクルとしては、たとえば、厚膜材料ペーストにおいて使用されているエチルセルロース系樹脂やアクリル系樹脂などをα−テレピネオールのようなテルペン系やケロシン、ブチルカルビトール、カルビトールアセテートなどの高沸点溶剤に溶解させたものなど、種々のものを用いることが可能であり、また、必要であれば、チキソ性を付与するための添加剤を添加することも可能である。
【００２８】
以上のようにして、導電材料７０〜１０重量部と非還元性ガラスフリット３０〜９０重量部との合計量１００重量部に対して、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）を１〜５重量部、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）を１〜１０重量部、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）を１〜５重量部、それぞれ、含有する抵抗材料に、有機ビヒクルを添加し、混練することにより得られた抵抗ペーストを用いることにより、低温焼結基板上に塗布、焼付けした場合にも、ＴＣＲが０により近い抵抗体を確実に形成することが可能になる。
【００２９】
また、この発明に係る抵抗ペーストによれば、アルミナ基板上でのＴＣＲのみならず、従来、制御効果の十分でなかった、たとえば、ＢａＯが１５〜７５重量％、ＳｉＯ２ が２５〜８０重量％、Ａｌ２ Ｏ３ が３０重量％以下、Ｂ２ Ｏ３ が１．５〜５重量％、ＣａＯが１．５〜５重量％、それぞれ、含有する組成を有する低温焼結基板上に塗布、焼付けした場合にも、ＴＣＲが０に近い抵抗体を形成することができる。
【００３０】
また、この発明に係る抵抗ペーストを塗布、焼付けすることにより形成された抵抗体は、基板との密着性が良好で、かつ、低温焼結基板上に形成された場合にも、実用可能な面積抵抗値が広く、しかも、ＴＣＲが良好であるという特徴を有している。
【００３１】
図１は、この発明の一実施形態によるセラミック多層基板１を図解的に示す断面図である。
【００３２】
セラミック多層基板１は、複数のセラミック層２を備える。セラミック多層基板１を製造するにあたり、所定のセラミック組成物を含む複数のグリーンシートを積層して得られたセラミック積層体を焼成することが行なわれるが、複数のセラミック層２は、これら複数のグリーンシートの焼成の結果としてもたらされたものである。
【００３３】
セラミック多層基板１の外表面上には、表面導体３、４、５および６が形成され、かつ、同じく内部には、特定のセラミック層２間の界面に沿って内部導体７、８、９、１０および１１が形成されるともに、特定のセラミック層２を貫通するようにバイアホール導体１２、１３、１４、１５および１６が形成されている。また、セラミック多層基板１の外表面上であって、表面導体３および４間を接続するように、抵抗体１７が形成されている。
【００３４】
上述の表面導体３〜６、内部導体７〜１１ならびにビアホール導体１２〜１６は、これらを形成するための金属ペーストを前述のセラミック積層体に予め付与しておき、このセラミック積層体と同時焼成することによって形成されたものである。この場合、好ましくは、金属ペーストとしては、卑金属ペーストが用いられ、焼成において、中性または還元性雰囲気が適用される。
【００３５】
また、抵抗体１７は、前述したようなこの発明に係る抵抗ペーストを、焼成後の表面導体３および４間を接続するように付与し、中性または還元性雰囲気中で焼き付けることによって形成される。
【００３６】
なお、図１に示したセラミック多層基板１の構造、より特定的には、電気的要素および電気的接続態様等は、この発明が適用され得るセラミック多層基板の一例にすぎないことを指摘しておく。
【００３７】
【実施例】
まず、以下の要領により、電極を形成した基板を作製した。
【００３８】
ＢａＯ、ＳｉＯ２ 、Ａｌ２ Ｏ３ 、ＣａＯ、およびＢ２ Ｏ３ をそれぞれ用意し、これらを、重量比で３０：６０：５：２：３の割合で配合し、これを粉砕混合した後、８５０〜９５０℃の温度で仮焼し、さらに粉砕した。そして、得られた粉体に有機バインダを加えて、ドクターブレード法により、厚さ１２８μｍのシートを成形した。次いで、所定の大きさに切断したこのシートに銅ペーストをスクリーン印刷し、乾燥した後、圧着成形し、基材を得た。次に、この基材を、窒素をキャリアガスとし、酸素および水素を微量含有させた窒素−水蒸気雰囲気（Ｎ２ が９９．７〜９９．８％）中、８５０〜１０００℃の条件で、電気炉により、仮焼および本焼を行ない、銅電極を形成した基板を得た。
【００３９】
他方、以下のような手順で、Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ（ｘ＝０．１〜０．９）の組成を有する導電材料と非還元性ガラスフリットとを作製した後、所要の添加剤および有機ビヒクルを加えて、抵抗ペーストを作製した。
【００４０】
まず、導電材料の出発原料である粉末状のＮｂＢ２ とＬａＢ６ とを用意し、これらをＮｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ（ｘ＝０．１〜０．９）の組成となるように秤量して混合した後、るつぼに入れ、ピーク温度が１０００℃に設定された窒素（Ｎ２ ）雰囲気中で２時間以上焼成することにより、ＮｂＢ２ にＬａＢ６ を固溶させた状態の合成物を作製した。なお、このときの昇温速度は、１分間当たり３℃となるように設定した。そして、得られた合成物を、振動ミルを用いて、平均粒径が０．５μｍとなるまで粉砕した上で乾燥させることにより、Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ（ｘ＝０．１〜０．９）の組成を有する導電材料を得た。
【００４１】
また、導電材料とは別に、非還元性ガラスフリットの出発原料であるＢ２ Ｏ３ 、ＳｉＯ２ 、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｎｂ２ Ｏ５ 、およびＫ２ Ｏをそれぞれ用意し、これら各々を３５．５６：３１．２４：１７．７８：１０．０４：２．４１：２．９７のモル比で混合した後、得られた混合物を１３００℃ないし１４００℃の温度下で溶融することによって溶融ガラスを作製した。さらに、この溶融ガラスを純水中で急冷した後、振動ミルを用いて、平均粒径が２μｍとなるまで粉砕することにより、非還元性ガラスフリットを得た。
【００４２】
さらに、ＴｉＯ２ を第１添加剤、Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方を第２添加剤、ＳｉＯ２ を第３添加剤として用意し、これらを、振動ミルを用いて、平均粒径が２μｍになるまで粉砕した後、表１に示すように、Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ系の導電材料と非還元性ガラスフリットとの混合物に対して、添加することによって、混合物を得た。なお、表１中のパラメータであるｘは、Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ系の導電材料における組成割合を示している。
【００４３】
【表１】
以上のようにして得られた混合物に対し、アクリル樹脂をα−テルピネオールに溶解した有機ビヒクルを加えた後、混練することによって、抵抗ペーストを得た。
【００４５】
得られた各抵抗ペーストを、先に、銅電極を形成した低温焼結基板上の電極間に、長さ１．０ｍｍ、幅１．０ｍｍ、乾燥膜厚２０μｍをもって、スクリーン印刷した後、１５０℃の温度で１０分間にわたって乾燥させた。その後、Ｎ２ 雰囲気としたトンネル炉にて、ピーク温度９００℃で１０分間保持して焼付けを行ない、それによって抵抗体を形成した試料を得た。
【００４６】
次に、得られた各試料について、面積抵抗値（１．０×１．０ｍｍ□）およびＴＣＲ（Ｃｏｌｄ／ＴＣＲ：２５〜−５５℃間、Ｈｏｔ／ＴＣＲ：２５〜１５０℃間）を測定した。その結果を表２に示す。
【００４７】
【表２】
なお、表２および前掲の表１において、＊を付した試料は、この発明における好ましい範囲外の比較例であり、それ以外は、すべて、この発明における好ましい範囲内の実施例である。
【００４９】
図２は、表２に示した各試料の面積抵抗値とＴＣＲとの関係を示したものである。ＴＣＲは、Ｃｏｌｄ／Ｈｏｔいずれか絶対値の大きい方の値をプロットしている。図２において、○は、添加剤を添加していない試料に相当し、△は、その他のこの発明における好ましい範囲外の試料に相当し、●は、この発明における好ましい範囲内の試料に相当している。
【００５０】
表１、表２および図２に示すように、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）を、それぞれ、この発明における好ましい範囲内で添加した実施例に係る試料では、比較例である、いずれの添加剤も添加していない試料に比べて、ＴＣＲが下方へシフトしており、同レベルの抵抗値で比較しても、そのＴＣＲは、±０ｐｐｍ／℃に近づいている。
【００５１】
このように、この発明における好ましい範囲内にある試料では、±１５０ｐｐｍ／℃以内に入り、添加量の変更により、ＴＣＲの調整が可能である。他方、この発明における好ましい範囲を外れている試料では、ＴＣＲの劣化、および抵抗値の増大が認められるとともに、これに加えて、抵抗値あるいはＴＣＲの再現性およびばらつきの劣化も認められる。
【００５２】
この結果から、添加剤の添加量に関して、導電材料と非還元性ガラスフリットとの合計量１００重量部に対して、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）が１〜５重量部、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）が１〜１０重量部、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）が１〜５重量部であるものが、特に好ましいことがわかる。
【００５３】
なお、この実施例では、導電材料の組成比に関して、ｘ＝０．５、０．２５、０．７５であったが、組成比はこれらに限定されるものではない。
【００５４】
また、非還元性ガラスフリットの成分および組成比についても、実施例で用いられたものに限定されるものではなく、他の種々の材料または組成比を備える非還元性ガラスフリットを用いることもできる。
【００５５】
また、抵抗体を形成する対象である基板は、実施例に示した低温焼結基板に限定されるものではなく、他の種々の材料からなる基板に抵抗体を形成する場合にも、この発明を適用することができる。
【００５６】
この発明は、さらに、その他の点においても、実施例に限定されるものではなく、材料、組成、焼付け条件、雰囲気条件などに関し、この発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００５７】
【発明の効果】
以上のように、この発明に係る抵抗材料、これを用いた抵抗ペーストおよび抵抗体、ならびにこの抵抗体を備えるセラミック多層基板によれば、抵抗材料が、導電材料と添加剤とを含有し、導電材料として、一般式：Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ（ｘ＝０．１〜０．９）で表される導電材料を含有し、添加剤として、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）を含有しているので、この抵抗材料を含む抵抗ペーストを焼き付けて形成した抵抗体において、その面積抵抗値が低い領域（１００Ω／□〜１ｋΩ／□付近）におけるＴＣＲをプラスからマイナス方向へシフトさせ、ＴＣＲの絶対値を０に近づけることが可能となり、中性または還元性雰囲気中で焼き付けられる抵抗ペーストに実用上必要とされるＴＣＲを十分満たすような調整が可能となる。
【００５８】
この発明において、導電材料および非還元性ガラスフリットの合計量１００重量部に対する、上述した添加剤の添加量が、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）が１〜５重量部、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）が１〜１０重量部、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）が１〜５重量部とそれぞれなるように選ばれると、上述した効果がより確実に達成される。
【００５９】
また、この発明において、導電材料／非還元性ガラスフリットの配合割合が、７０〜１０重量部／３０〜９０重量部の範囲にあるように選ばれると、基板への密着性を優れたものとし、かつ、ガラス成分の流れ出しのない抵抗ペーストを得ることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態によるセラミック多層基板１を図解的に示す断面図である。
【図２】この発明に係る実施例および比較例の面積抵抗値とＴＣＲとの関係を示す図である。
【符号の説明】
１ セラミック多層基板
１７ 抵抗体
Claims (7)
- 導電材料と添加剤とを含有し、前記導電材料として、一般式：Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ（ｘ＝０．１〜０．９）で表される導電材料を含有し、前記添加剤として、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）を含有することを特徴とする、抵抗材料。
- 一般式：Ｎｂｘ Ｌａ１−ｘ Ｂ６−４ｘ（ｘ＝０．１〜０．９）で表される導電材料と非還元性ガラスフリットと添加剤とを含有し、前記添加剤として、前記導電材料および前記非還元性ガラスフリットの合計量１００重量部に対して、酸化チタン（ＴｉＯ２ ）が１〜５重量部、酸化コバルト（Ｃｏ３ Ｏ４ およびＣｏＯの少なくとも一方）が１〜１０重量部、および酸化珪素（ＳｉＯ２ ）が１〜５重量部、それぞれ、含有することを特徴とする、抵抗材料。
- 前記導電材料／前記非還元性ガラスフリットの配合割合が、７０〜１０重量部／３０〜９０重量部の範囲にあることを特徴とする、請求項２に記載の抵抗材料。
- 請求項２または３に記載の抵抗材料に有機ビヒクルを添加し、混練して得られたことを特徴とする、抵抗ペースト。
- ＢａＯが１５〜７５重量％、ＳｉＯ２ が２５〜８０重量％、Ａｌ２ Ｏ３ が３０重量％以下、Ｂ２ Ｏ３ が１．５〜５重量％、ＣａＯが１．５〜５重量％、それぞれ、含有する組成を有する低温焼結基板上に抵抗体を形成するために用いられることを特徴とする、請求項４に記載の抵抗ペースト。
- 請求項４または５に記載の抵抗ペーストを塗布し、焼き付けることによって形成された、抵抗体。
- 請求項６に記載の抵抗体を備える、セラミック多層基板。
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