JP2937073B2 - 抵抗材料組成物、抵抗ペースト及び抵抗体 - Google Patents
抵抗材料組成物、抵抗ペースト及び抵抗体Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
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- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
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- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は、抵抗材料組成物、中
性あるいは還元性雰囲気中で焼付けを行うことが可能な
抵抗ペースト、及び該抵抗ペーストを用いて形成される
抵抗体に関する。
性あるいは還元性雰囲気中で焼付けを行うことが可能な
抵抗ペースト、及び該抵抗ペーストを用いて形成される
抵抗体に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】アルミ
ナやジルコニアなどからなるセラミック基板には、通
常、種々の電子部品を搭載することができるように、電
極や抵抗などの回路パターンが形成されている。そし
て、電極（電極パターン）は、通常、銀、銀−パラジウ
ム合金などの貴金属ペーストをスクリーン印刷し、空気
中で焼き付けることにより形成されている。
ナやジルコニアなどからなるセラミック基板には、通
常、種々の電子部品を搭載することができるように、電
極や抵抗などの回路パターンが形成されている。そし
て、電極（電極パターン）は、通常、銀、銀−パラジウ
ム合金などの貴金属ペーストをスクリーン印刷し、空気
中で焼き付けることにより形成されている。
【０００３】また、製品の小型化を図るために、基板材
料を積層化して導体を内部に立体的に配置することによ
り高密度化を図る方法が検討されている。しかし、従来
のアルミナ基板（高温焼結基板）を用いて内層配線・積
層化を行う場合には、アルミナ焼結温度が高いため、導
体材料としてタングステン、モリブデンなどの高融点金
属が使用されているが、これらの材料の比抵抗が高いた
め、用途が制約され実用的ではないという問題点があ
る。そこでこのような問題点を解決する目的で、低温
（１０００℃以下）で焼結することが可能で、銀、パラ
ジウム、銅などの電極材料を内層することが可能な基板
（例えば、セラミックとガラスからなる複合基板などの
低温焼結基板）が用いられるようになってきている。と
ころで、このような低温焼結基板に用いる電極材料とし
ては、上述した貴金属ペーストがあるが、これらの貴金
属ペーストは高価であるばかりでなく、耐マイグレーシ
ョン性などに問題があるため、貴金属ペーストに代えて
銅、ニッケル、アルミニウムなどの卑金属を導電成分と
する卑金属ペーストを基板上にスクリーン印刷し、これ
を中性あるいは還元性雰囲気中で焼き付けることにより
安価な電極パターンを形成する方向に移行してきてい
る。
料を積層化して導体を内部に立体的に配置することによ
り高密度化を図る方法が検討されている。しかし、従来
のアルミナ基板（高温焼結基板）を用いて内層配線・積
層化を行う場合には、アルミナ焼結温度が高いため、導
体材料としてタングステン、モリブデンなどの高融点金
属が使用されているが、これらの材料の比抵抗が高いた
め、用途が制約され実用的ではないという問題点があ
る。そこでこのような問題点を解決する目的で、低温
（１０００℃以下）で焼結することが可能で、銀、パラ
ジウム、銅などの電極材料を内層することが可能な基板
（例えば、セラミックとガラスからなる複合基板などの
低温焼結基板）が用いられるようになってきている。と
ころで、このような低温焼結基板に用いる電極材料とし
ては、上述した貴金属ペーストがあるが、これらの貴金
属ペーストは高価であるばかりでなく、耐マイグレーシ
ョン性などに問題があるため、貴金属ペーストに代えて
銅、ニッケル、アルミニウムなどの卑金属を導電成分と
する卑金属ペーストを基板上にスクリーン印刷し、これ
を中性あるいは還元性雰囲気中で焼き付けることにより
安価な電極パターンを形成する方向に移行してきてい
る。
【０００４】そして、この場合、卑金属ペーストを焼き
付けた後の複数の卑金属電極間を連結するように基板上
に配設される抵抗体（抵抗パターン）を形成するための
抵抗ペーストもまた、中性あるいは還元性雰囲気中で焼
き付けることができるものであることが望ましい。
付けた後の複数の卑金属電極間を連結するように基板上
に配設される抵抗体（抵抗パターン）を形成するための
抵抗ペーストもまた、中性あるいは還元性雰囲気中で焼
き付けることができるものであることが望ましい。
【０００５】そこで、上述のような中性あるいは還元性
雰囲気中で焼付けを行うことが可能な抵抗ペーストとし
て、特公昭５９−６４８１号公報に記載されたＬａＢ6
系の抵抗ペースト、特開昭６３−２２４３０１号公報に
記載されたＮｂＢ2系の抵抗ペースト、特開平２−２４
９２０３号公報に記載されたＮｂxＬａ1-xＢ6-4x固溶体
系の抵抗ペーストなどが提案されるに至っている。さら
に、本願出願人（及び発明者）は、特願平６−３３９８
７８号（本願出願時には未公開）において、ＣａxＳｒ
1-xＲｕＯ3系の抵抗材料及び抵抗ペーストを提案してい
る。
雰囲気中で焼付けを行うことが可能な抵抗ペーストとし
て、特公昭５９−６４８１号公報に記載されたＬａＢ6
系の抵抗ペースト、特開昭６３−２２４３０１号公報に
記載されたＮｂＢ2系の抵抗ペースト、特開平２−２４
９２０３号公報に記載されたＮｂxＬａ1-xＢ6-4x固溶体
系の抵抗ペーストなどが提案されるに至っている。さら
に、本願出願人（及び発明者）は、特願平６−３３９８
７８号（本願出願時には未公開）において、ＣａxＳｒ
1-xＲｕＯ3系の抵抗材料及び抵抗ペーストを提案してい
る。
【０００６】ところで、上述のＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3系
抵抗ペーストにおいては、導電材料とガラスフリットの
混合比を変えることにより、広範囲な抵抗値（面積抵抗
値）を得ることが行われるが、その場合に、セラミック
スとガラスの複合基板などの低温焼結基板に抵抗体を形
成したときに得られる抵抗値は、アルミナ基板（高温焼
結基板）上に抵抗体を形成したときに得られる抵抗値の
１／１００〜１／１０００程度にまで低下するととも
に、抵抗温度係数（ＴＣＲ）などの特性が低下するとい
う問題点がある。特に１０ｋΩ／□以上の高い面積抵抗
値を得ることができず、この点で、実用上必要とされる
特性を得ることができないという問題点がある。なお、
これらの問題点は、主として、基板とその上に形成され
る抵抗体との間でガラス成分の移動が生じることによる
ものである。
抵抗ペーストにおいては、導電材料とガラスフリットの
混合比を変えることにより、広範囲な抵抗値（面積抵抗
値）を得ることが行われるが、その場合に、セラミック
スとガラスの複合基板などの低温焼結基板に抵抗体を形
成したときに得られる抵抗値は、アルミナ基板（高温焼
結基板）上に抵抗体を形成したときに得られる抵抗値の
１／１００〜１／１０００程度にまで低下するととも
に、抵抗温度係数（ＴＣＲ）などの特性が低下するとい
う問題点がある。特に１０ｋΩ／□以上の高い面積抵抗
値を得ることができず、この点で、実用上必要とされる
特性を得ることができないという問題点がある。なお、
これらの問題点は、主として、基板とその上に形成され
る抵抗体との間でガラス成分の移動が生じることによる
ものである。
【０００７】本願発明は、上記問題点を解決しようとす
るものであり、中性又は還元性雰囲気中で焼き付けるこ
とが可能で、低温焼結基板上にも、面積抵抗値が高く、
ＴＣＲの良好な抵抗体を形成することが可能な抵抗ペー
スト、該抵抗ペーストを構成する抵抗材料組成物、及び
本願発明の抵抗ペーストを用いて形成される実現可能な
面積抵抗値が高く、ＴＣＲの良好な抵抗体を提供するこ
とを目的とする。
るものであり、中性又は還元性雰囲気中で焼き付けるこ
とが可能で、低温焼結基板上にも、面積抵抗値が高く、
ＴＣＲの良好な抵抗体を形成することが可能な抵抗ペー
スト、該抵抗ペーストを構成する抵抗材料組成物、及び
本願発明の抵抗ペーストを用いて形成される実現可能な
面積抵抗値が高く、ＴＣＲの良好な抵抗体を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明の抵抗材料組成物は、一般式：ＣａxＳｒ
1-xＲｕＯ3（ｘ＝０．２５〜０．７５モル）で表される
第１の抵抗材料と、一般式：ＬａyＳｒ1-yＣｏＯ3（ｙ
＝０．４０〜０．６０モル）で表される第２の抵抗材料
と、酸化チタン（ＴｉＯ2）とを含有することを特徴と
している。
に、本願発明の抵抗材料組成物は、一般式：ＣａxＳｒ
1-xＲｕＯ3（ｘ＝０．２５〜０．７５モル）で表される
第１の抵抗材料と、一般式：ＬａyＳｒ1-yＣｏＯ3（ｙ
＝０．４０〜０．６０モル）で表される第２の抵抗材料
と、酸化チタン（ＴｉＯ2）とを含有することを特徴と
している。
【０００９】また、一般式：ＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3（ｘ
＝０．２５〜０．７５モル）で表される第１の抵抗材料
と、非還元性ガラスフリットと、一般式：ＬａyＳｒ1-y
ＣｏＯ3（ｙ＝０．４０〜０．６０モル）で表される第
２の抵抗材料と前記第１及び第２の抵抗材料と非還元性
ガラスフリットの合計量１００重量部に対して１〜１５
重量部の割合で添加された酸化チタン（ＴｉＯ2）とを
含有することを特徴としている。
＝０．２５〜０．７５モル）で表される第１の抵抗材料
と、非還元性ガラスフリットと、一般式：ＬａyＳｒ1-y
ＣｏＯ3（ｙ＝０．４０〜０．６０モル）で表される第
２の抵抗材料と前記第１及び第２の抵抗材料と非還元性
ガラスフリットの合計量１００重量部に対して１〜１５
重量部の割合で添加された酸化チタン（ＴｉＯ2）とを
含有することを特徴としている。
【００１０】また、前記第１の抵抗材料と前記非還元性
ガラスフリットの配合割合が、６５〜５重量部（第１の
抵抗材料）：３５〜９５重量部（非還元性ガラスフリッ
ト）の範囲にあることを特徴としている。
ガラスフリットの配合割合が、６５〜５重量部（第１の
抵抗材料）：３５〜９５重量部（非還元性ガラスフリッ
ト）の範囲にあることを特徴としている。
【００１１】また、本願発明の抵抗ペーストは、上記抵
抗材料組成物に有機ビヒクルを添加、混練してなること
を特徴としている。
抗材料組成物に有機ビヒクルを添加、混練してなること
を特徴としている。
【００１２】さらに、本願発明の抵抗ペーストは、上記
抵抗材料組成物を用いてなる抵抗ペーストであって、前
記第１の抵抗材料６２〜４重量部と、前記第２の抵抗材
料５〜２０重量部と、前記非還元性ガラスフリット２８
〜９０重量部と、前記酸化チタン（ＴｉＯ2）１〜１５
重量部とを含有する組成物に有機ビヒクルを添加、混練
してなることを特徴としている。
抵抗材料組成物を用いてなる抵抗ペーストであって、前
記第１の抵抗材料６２〜４重量部と、前記第２の抵抗材
料５〜２０重量部と、前記非還元性ガラスフリット２８
〜９０重量部と、前記酸化チタン（ＴｉＯ2）１〜１５
重量部とを含有する組成物に有機ビヒクルを添加、混練
してなることを特徴としている。
【００１３】さらに、本願発明の抵抗ペーストは、Ｂａ
Ｏ１５〜７５重量％、ＳｉＯ2２５〜８０重量％、Ａｌ2
Ｏ3３０重量％以下、Ｂ2Ｏ3１．５〜５重量％、ＣａＯ
１．５〜５重量％の組成を有する低温焼結基板上に抵抗
体を形成するために用いられるものであることを特徴と
している。
Ｏ１５〜７５重量％、ＳｉＯ2２５〜８０重量％、Ａｌ2
Ｏ3３０重量％以下、Ｂ2Ｏ3１．５〜５重量％、ＣａＯ
１．５〜５重量％の組成を有する低温焼結基板上に抵抗
体を形成するために用いられるものであることを特徴と
している。
【００１４】さらに、本願発明の抵抗体は、上記の抵抗
ペーストを塗布、焼付けすることにより形成されたもの
であることを特徴としている。
ペーストを塗布、焼付けすることにより形成されたもの
であることを特徴としている。
【００１５】本願発明の抵抗材料組成物は、一般式：Ｃ
ａxＳｒ1-xＲｕＯ3（ｘ＝０．２５〜０．７５モル）で
表される第１の抵抗材料と、一般式：ＬａyＳｒ1-yＣｏ
Ｏ3（ｙ＝０．４０〜０．６０モル）で表される第２の
抵抗材料と、酸化チタン（ＴｉＯ2）とを含有している
ことから、この抵抗材料組成物に非還元性ガラスフリッ
トや有機ビヒクルを配合して抵抗ペーストを作成し、こ
れを塗布、焼付けすることにより、従来の抵抗ペースト
を用いて抵抗体を形成した場合には、高抵抗領域を実現
することが困難で、しかもＴＣＲが０から（＋）側ある
いは（−）側に大きく離れてしまうような低温焼結基板
上に、高抵抗で、しかもＴＣＲが良好な（０に近い）抵
抗体を形成することが可能になる。
ａxＳｒ1-xＲｕＯ3（ｘ＝０．２５〜０．７５モル）で
表される第１の抵抗材料と、一般式：ＬａyＳｒ1-yＣｏ
Ｏ3（ｙ＝０．４０〜０．６０モル）で表される第２の
抵抗材料と、酸化チタン（ＴｉＯ2）とを含有している
ことから、この抵抗材料組成物に非還元性ガラスフリッ
トや有機ビヒクルを配合して抵抗ペーストを作成し、こ
れを塗布、焼付けすることにより、従来の抵抗ペースト
を用いて抵抗体を形成した場合には、高抵抗領域を実現
することが困難で、しかもＴＣＲが０から（＋）側ある
いは（−）側に大きく離れてしまうような低温焼結基板
上に、高抵抗で、しかもＴＣＲが良好な（０に近い）抵
抗体を形成することが可能になる。
【００１６】なお、本願発明の抵抗材料組成物を構成す
る第１の抵抗材料（ＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3）のｘの値を
０．２５〜０．７５モルの範囲としたのは、ｘの値がこ
の範囲から外れると、抵抗体組成物（固形分）中の非還
元性ガラスフリット含有量増加にともなう抵抗値の急激
な増加を招き、抵抗値の再現性が劣化することによる。
る第１の抵抗材料（ＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3）のｘの値を
０．２５〜０．７５モルの範囲としたのは、ｘの値がこ
の範囲から外れると、抵抗体組成物（固形分）中の非還
元性ガラスフリット含有量増加にともなう抵抗値の急激
な増加を招き、抵抗値の再現性が劣化することによる。
【００１７】また、本願発明の抵抗材料組成物において
は、第１の抵抗材料であるＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3の粒子
径は、０．１〜５μmの範囲が好ましく、０．５〜３μm
の範囲がより好ましい。また、第２の抵抗材料であるＬ
ａyＳｒ1-yＣｏＯ3の粒子径は、０．５〜５μmの範囲が
好ましく、１〜３μmの範囲がより好ましい。
は、第１の抵抗材料であるＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3の粒子
径は、０．１〜５μmの範囲が好ましく、０．５〜３μm
の範囲がより好ましい。また、第２の抵抗材料であるＬ
ａyＳｒ1-yＣｏＯ3の粒子径は、０．５〜５μmの範囲が
好ましく、１〜３μmの範囲がより好ましい。
【００１８】また、非還元性ガラスフリットとしては、
ＢａやＣａ、あるいはさらに他のアルカリ土類金属の硼
珪酸ガラスや硼アルミノ珪酸ガラスなどが選ばれる。な
お、非還元性ガラスフリットの粒子径は、１〜１０μm
の範囲が好ましく、１〜５μmの範囲がより好ましい。
ＢａやＣａ、あるいはさらに他のアルカリ土類金属の硼
珪酸ガラスや硼アルミノ珪酸ガラスなどが選ばれる。な
お、非還元性ガラスフリットの粒子径は、１〜１０μm
の範囲が好ましく、１〜５μmの範囲がより好ましい。
【００１９】また、本願発明の抵抗材料組成物におい
て、酸化チタン（ＴｉＯ2）を、第１及び第２の抵抗材
料と非還元性ガラスフリットの合計量１００重量部に対
して１〜１５重量部の割合で添加するようにしたのは、
酸化チタンの添加量が１重量部未満になると、抵抗値及
びＴＣＲの制御効果が不十分になり、また、１５重量部
を越えると抵抗値が高くなり過ぎるばかりでなくＴＣＲ
の劣化が著しくなることによる。
て、酸化チタン（ＴｉＯ2）を、第１及び第２の抵抗材
料と非還元性ガラスフリットの合計量１００重量部に対
して１〜１５重量部の割合で添加するようにしたのは、
酸化チタンの添加量が１重量部未満になると、抵抗値及
びＴＣＲの制御効果が不十分になり、また、１５重量部
を越えると抵抗値が高くなり過ぎるばかりでなくＴＣＲ
の劣化が著しくなることによる。
【００２０】また、本願発明の抵抗材料組成物において
は、第１の抵抗材料と非還元性ガラスフリットの配合割
合を、第１の抵抗材料６５〜５重量部に対して、非還元
性ガラスフリット３５〜９５重量部の範囲とすることに
より、基板への密着性に優れ、かつ、ガラス成分の流れ
出しのない抵抗ペーストを得ることができるようにな
る。すなわち、非還元性ガラスフリットの割合が上記範
囲を下回ると、この抵抗材料組成物を用いて形成した抵
抗ペーストを基板に塗布、焼付けした場合の基板への密
着性が低下し、また、上記範囲を上回ると、ガラス成分
が流れ出して電極のはんだ付け性が劣化する。
は、第１の抵抗材料と非還元性ガラスフリットの配合割
合を、第１の抵抗材料６５〜５重量部に対して、非還元
性ガラスフリット３５〜９５重量部の範囲とすることに
より、基板への密着性に優れ、かつ、ガラス成分の流れ
出しのない抵抗ペーストを得ることができるようにな
る。すなわち、非還元性ガラスフリットの割合が上記範
囲を下回ると、この抵抗材料組成物を用いて形成した抵
抗ペーストを基板に塗布、焼付けした場合の基板への密
着性が低下し、また、上記範囲を上回ると、ガラス成分
が流れ出して電極のはんだ付け性が劣化する。
【００２１】また、本願発明の抵抗ペーストにおいて
は、第１及び第２の抵抗材料と非還元性ガラスフリット
の混合物（固形成分）に有機ビヒクルを添加して混練す
ることにより、必要な印刷特性が付与されているが、こ
の有機ビヒクルとしては、例えば、厚膜材料ペーストに
おいて使用されているエチルセルロース系樹脂やアクリ
ル系樹脂などをα−テルピネオールのようなテルペン系
やケロシン、ブチルカルビトール、カルビトールアセテ
ートなどの高沸点溶剤に溶解させたものなど、種々のも
のを用いることが可能であり、また、必要であればチキ
ソ性を付与する添加剤を添加することも可能である。
は、第１及び第２の抵抗材料と非還元性ガラスフリット
の混合物（固形成分）に有機ビヒクルを添加して混練す
ることにより、必要な印刷特性が付与されているが、こ
の有機ビヒクルとしては、例えば、厚膜材料ペーストに
おいて使用されているエチルセルロース系樹脂やアクリ
ル系樹脂などをα−テルピネオールのようなテルペン系
やケロシン、ブチルカルビトール、カルビトールアセテ
ートなどの高沸点溶剤に溶解させたものなど、種々のも
のを用いることが可能であり、また、必要であればチキ
ソ性を付与する添加剤を添加することも可能である。
【００２２】また、第１の抵抗材料６２〜４重量部と、
第２の抵抗材料５〜２０重量部と、非還元性ガラスフリ
ット２８〜９０重量部と、酸化チタン（ＴｉＯ2）１〜
１５重量部とを含有する組成物に有機ビヒクルを添加、
混練することにより得られた抵抗ペーストを用いること
により、低温焼結基板上に塗布、焼付けした場合にも、
高抵抗でしかもＴＣＲが０に近い抵抗体を確実に形成す
ることが可能になり、本願発明をより実効あらしめるこ
とができる。
第２の抵抗材料５〜２０重量部と、非還元性ガラスフリ
ット２８〜９０重量部と、酸化チタン（ＴｉＯ2）１〜
１５重量部とを含有する組成物に有機ビヒクルを添加、
混練することにより得られた抵抗ペーストを用いること
により、低温焼結基板上に塗布、焼付けした場合にも、
高抵抗でしかもＴＣＲが０に近い抵抗体を確実に形成す
ることが可能になり、本願発明をより実効あらしめるこ
とができる。
【００２３】なお、本願発明の抵抗ペーストにおいて、
第１の抵抗材料、第２の抵抗材料、非還元性ガラスフリ
ット及び酸化チタン（ＴｉＯ2）の配合割合を上記の範
囲としたのは、各成分の配合割合がこの範囲を外れると
抵抗値を増加させる効果が十分に発揮されなかったり、
抵抗値の急激な増加を招いたり、さらには、ＴＣＲが劣
化したりして好ましくないことによる。
第１の抵抗材料、第２の抵抗材料、非還元性ガラスフリ
ット及び酸化チタン（ＴｉＯ2）の配合割合を上記の範
囲としたのは、各成分の配合割合がこの範囲を外れると
抵抗値を増加させる効果が十分に発揮されなかったり、
抵抗値の急激な増加を招いたり、さらには、ＴＣＲが劣
化したりして好ましくないことによる。
【００２４】また、本願発明の抵抗ペーストによれば、
具体的には、例えばＢａＯ１５〜７５重量％、ＳｉＯ2
２５〜８０重量％、Ａｌ2Ｏ3３０重量％以下、Ｂ2Ｏ
3１．５〜５重量％、ＣａＯ１．５〜５重量％の組成を
有する低温焼結基板上に塗布、焼付けした場合にも、高
抵抗でしかもＴＣＲが０に近い抵抗体を形成することが
できる。
具体的には、例えばＢａＯ１５〜７５重量％、ＳｉＯ2
２５〜８０重量％、Ａｌ2Ｏ3３０重量％以下、Ｂ2Ｏ
3１．５〜５重量％、ＣａＯ１．５〜５重量％の組成を
有する低温焼結基板上に塗布、焼付けした場合にも、高
抵抗でしかもＴＣＲが０に近い抵抗体を形成することが
できる。
【００２５】また、本願発明の抵抗ペーストを塗布、焼
付けすることにより形成された抵抗体は、基板との密着
性が良好で、かつ、低温焼結基板上に形成された場合に
も、実現可能な面積抵抗値が高く、しかも、ＴＣＲが良
好であるという特徴を有している。
付けすることにより形成された抵抗体は、基板との密着
性が良好で、かつ、低温焼結基板上に形成された場合に
も、実現可能な面積抵抗値が高く、しかも、ＴＣＲが良
好であるという特徴を有している。
【００２６】
【実施例】以下、本願発明の実施例を示してその特徴と
するところをさらに詳しく説明する。
するところをさらに詳しく説明する。
【００２７】［低温焼結基板の作成及び電極パターンの
形成］ＢａＯ，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＣａＯ，Ｂ2Ｏ
3を、重量比で３０：６０：５：２：３の割合で配合
し、これを粉砕混合した後、８５０〜９５０℃で仮焼
し、さらに粉砕した。そして、得られた粉体に有機バイ
ンダーを加えてドクターブレード法により厚さ１２８μ
mのシートに成形した。それから、このシートを乾燥し
た後、所定の大きさに切断して基材を得た。次に、この
基材を、窒素をキャリアガスとし、酸素及び水素を微量
含有させた窒素−水蒸気雰囲気（Ｎ2９９．７〜９９．
８％）中、８５０〜１０００℃の条件で電気炉により仮
焼、本焼を行い基板（低温焼結基板）を得た。そして、
この低温焼結基板上に銅ペーストをスクリーン印刷し、
窒素雰囲気中で焼き付けて電極（電極パターン）を形成
した。
形成］ＢａＯ，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＣａＯ，Ｂ2Ｏ
3を、重量比で３０：６０：５：２：３の割合で配合
し、これを粉砕混合した後、８５０〜９５０℃で仮焼
し、さらに粉砕した。そして、得られた粉体に有機バイ
ンダーを加えてドクターブレード法により厚さ１２８μ
mのシートに成形した。それから、このシートを乾燥し
た後、所定の大きさに切断して基材を得た。次に、この
基材を、窒素をキャリアガスとし、酸素及び水素を微量
含有させた窒素−水蒸気雰囲気（Ｎ2９９．７〜９９．
８％）中、８５０〜１０００℃の条件で電気炉により仮
焼、本焼を行い基板（低温焼結基板）を得た。そして、
この低温焼結基板上に銅ペーストをスクリーン印刷し、
窒素雰囲気中で焼き付けて電極（電極パターン）を形成
した。
【００２８】［第１の抵抗材料の作成］第１の抵抗材料
の原料として、粉末状のＲｕＯ2、ＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ
3を、一般式ＣａxＳｒx-1ＲｕＯ3で表され、かつ、ｘが
０．３，及び０．６となるような割合で配合し、空気中
において１１００℃で２時間保持して合成熱処理し、固
溶体を得た。なお、この合成熱処理工程において、昇温
速度は３℃／minとした。それから、得られた固溶体
（合成物）を部分安定化ジルコニア製のポット及びメデ
ィアを用い、純水媒体中、振動ミルで平均粒径が２〜３
μmとなるまで粉砕した後、乾燥を行い、抵抗材料とし
た。
の原料として、粉末状のＲｕＯ2、ＣａＣＯ3、ＳｒＣＯ
3を、一般式ＣａxＳｒx-1ＲｕＯ3で表され、かつ、ｘが
０．３，及び０．６となるような割合で配合し、空気中
において１１００℃で２時間保持して合成熱処理し、固
溶体を得た。なお、この合成熱処理工程において、昇温
速度は３℃／minとした。それから、得られた固溶体
（合成物）を部分安定化ジルコニア製のポット及びメデ
ィアを用い、純水媒体中、振動ミルで平均粒径が２〜３
μmとなるまで粉砕した後、乾燥を行い、抵抗材料とし
た。
【００２９】［非還元性ガラスフリットの作成］非還元
性ガラスフリットの原料として、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｂ
ａＯ、ＣａＯ、Ａｌ2Ｏ3を用意し、これらを３６．０：
３１．７：１８．０：９．３：５．０のモル比で混合し
た後、１２００〜１３５０℃にて溶融し、純水中に投入
して急冷した後、振動ミルを用いて平均粒径が５μm以
下になるまで粉砕し、非還元性ガラスフリットを得た。
なお、この実施例では、原料として上記の各酸化物を用
いたが、炭酸塩を原料として用いることも可能である。
性ガラスフリットの原料として、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｂ
ａＯ、ＣａＯ、Ａｌ2Ｏ3を用意し、これらを３６．０：
３１．７：１８．０：９．３：５．０のモル比で混合し
た後、１２００〜１３５０℃にて溶融し、純水中に投入
して急冷した後、振動ミルを用いて平均粒径が５μm以
下になるまで粉砕し、非還元性ガラスフリットを得た。
なお、この実施例では、原料として上記の各酸化物を用
いたが、炭酸塩を原料として用いることも可能である。
【００３０】［第２の抵抗材料の作成］粉末状のＬａ2
Ｏ、ＳｒＣＯ3、Ｃｏ2Ｏ3を、ＬａyＳｒ1-yＣｏＯ3で表
され、かつ、ｙが０．５となるような割合で配合し、粉
砕混合した後るつぼに入れ、空気中１０５０℃でそれぞ
れ５時間保持することにより合成熱処理を行った。それ
から、得られた合成物を部分安定化ジルコニア製のポッ
ト及びメディアを用い、純水媒体中、振動ミルで平均粒
径が２〜３μmとなるまで粉砕した後、乾燥を行い、第
２の抵抗材料を得た。
Ｏ、ＳｒＣＯ3、Ｃｏ2Ｏ3を、ＬａyＳｒ1-yＣｏＯ3で表
され、かつ、ｙが０．５となるような割合で配合し、粉
砕混合した後るつぼに入れ、空気中１０５０℃でそれぞ
れ５時間保持することにより合成熱処理を行った。それ
から、得られた合成物を部分安定化ジルコニア製のポッ
ト及びメディアを用い、純水媒体中、振動ミルで平均粒
径が２〜３μmとなるまで粉砕した後、乾燥を行い、第
２の抵抗材料を得た。
【００３１】［酸化チタン（ＴｉＯ2）粉体の調製］市
販のＴｉＯ2を部分安定化ジルコニア製のポット及びメ
ディアを用い、純水媒体中、振動ミルで平均粒径が２〜
３μmとなるまで粉砕して粒径を調整した後、乾燥を行
い、酸化チタン（ＴｉＯ2）粉体を得た。
販のＴｉＯ2を部分安定化ジルコニア製のポット及びメ
ディアを用い、純水媒体中、振動ミルで平均粒径が２〜
３μmとなるまで粉砕して粒径を調整した後、乾燥を行
い、酸化チタン（ＴｉＯ2）粉体を得た。
【００３２】［抵抗ペーストの作成］上述のようにして
作成した第１の抵抗材料（ＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3）、第
２の抵抗材料（ＬａyＳｒ1-yＣｏＯ3）、非還元性ガラ
スフリット、及び酸化チタン（ＴｉＯ2）粉体を、表
１，表２に示すような割合で混合し、この混合物にアク
リル樹脂をα−テルピネオールに溶解してなる有機ビヒ
クルを添加し、３本ロールなどの混練機を用いて混練し
て抵抗ペーストを作成した。
作成した第１の抵抗材料（ＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3）、第
２の抵抗材料（ＬａyＳｒ1-yＣｏＯ3）、非還元性ガラ
スフリット、及び酸化チタン（ＴｉＯ2）粉体を、表
１，表２に示すような割合で混合し、この混合物にアク
リル樹脂をα−テルピネオールに溶解してなる有機ビヒ
クルを添加し、３本ロールなどの混練機を用いて混練し
て抵抗ペーストを作成した。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【表２】
【００３５】なお、このときの上記各原料の混合物と有
機ビヒクルの混合割合は、重量比で約７０：３０とし
た。
機ビヒクルの混合割合は、重量比で約７０：３０とし
た。
【００３６】［抵抗体（パターン）の形成］次いで、得
られた抵抗ペーストを、上記手順にて作成した低温焼結
基板上にスクリーン印刷した。なお、抵抗ペーストの印
刷パターンは、長さ＝１mm、幅＝１mmとし、乾燥膜厚＝
約２０μmとした。そして、抵抗ペーストを印刷した低
温焼結基板を１２０℃で１０分間乾燥した後、窒素雰囲
気としたトンネル炉にて、ピーク温度９００℃で１０分
間保持して焼付けを行うことにより抵抗体（抵抗パター
ン）を形成し、これを試料とした。
られた抵抗ペーストを、上記手順にて作成した低温焼結
基板上にスクリーン印刷した。なお、抵抗ペーストの印
刷パターンは、長さ＝１mm、幅＝１mmとし、乾燥膜厚＝
約２０μmとした。そして、抵抗ペーストを印刷した低
温焼結基板を１２０℃で１０分間乾燥した後、窒素雰囲
気としたトンネル炉にて、ピーク温度９００℃で１０分
間保持して焼付けを行うことにより抵抗体（抵抗パター
ン）を形成し、これを試料とした。
【００３７】上記のようにして、得られた各試料（試料
番号１〜２６）について、面積抵抗値及び抵抗温度係数
｛ＴＣＲ（Ｈ／ＴＣＲ：２５〜１５０℃間，Ｃ／ＴＣ
Ｒ：２５〜−５５℃間）｝を測定した。その結果を表
１，表２に併せて示す。
番号１〜２６）について、面積抵抗値及び抵抗温度係数
｛ＴＣＲ（Ｈ／ＴＣＲ：２５〜１５０℃間，Ｃ／ＴＣ
Ｒ：２５〜−５５℃間）｝を測定した。その結果を表
１，表２に併せて示す。
【００３８】なお、表１，表２において、試料番号に*
印を付したものは本願発明の範囲外の比較例である。す
なわち、試料番号１〜９は、酸化チタン（ＴｉＯ2）を
添加していないもの、試料番号１０，１１は、酸化チタ
ン（ＴｉＯ2）の添加量が０．５重量部と本願発明の範
囲を下回るもの、試料番号２４〜２６は、酸化チタン
（ＴｉＯ2）の添加量が１７重量部と本願発明の範囲を
上回るものである。
印を付したものは本願発明の範囲外の比較例である。す
なわち、試料番号１〜９は、酸化チタン（ＴｉＯ2）を
添加していないもの、試料番号１０，１１は、酸化チタ
ン（ＴｉＯ2）の添加量が０．５重量部と本願発明の範
囲を下回るもの、試料番号２４〜２６は、酸化チタン
（ＴｉＯ2）の添加量が１７重量部と本願発明の範囲を
上回るものである。
【００３９】また、表１，表２において、面積抵抗値
は、２５℃の温度条件で、デジタルボルトメータを用い
て測定した値である。
は、２５℃の温度条件で、デジタルボルトメータを用い
て測定した値である。
【００４０】また、面積抵抗値に対するＴＣＲ（Ｈ／Ｔ
ＣＲ）の関係を図１に示す。なお、図１の各線に付した
符号（ａ〜ｈ）と、条件（第１の抵抗材料（ＣａxＳｒ
1-xＲｕＯ3）のモル比ｘ、第１の抵抗材料、非還元性ガ
ラスフリット及び第２の抵抗材料の添加量）の関係は表
３に示す通りである。なお、表３において、符号（ａ〜
ｈ）に*印を付したものは本願発明の範囲外の比較例で
ある。
ＣＲ）の関係を図１に示す。なお、図１の各線に付した
符号（ａ〜ｈ）と、条件（第１の抵抗材料（ＣａxＳｒ
1-xＲｕＯ3）のモル比ｘ、第１の抵抗材料、非還元性ガ
ラスフリット及び第２の抵抗材料の添加量）の関係は表
３に示す通りである。なお、表３において、符号（ａ〜
ｈ）に*印を付したものは本願発明の範囲外の比較例で
ある。
【００４１】
【表３】
【００４２】図１に示すように、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2）を本願発明の範囲内で添加した実施例の試料
（ｄ，ｅ，ｆ，ｇ）の特性曲線は、いずれの抵抗材料組
成においても、酸化チタン（ＴｉＯ2）を添加していな
いかまたは本願発明の範囲を外れている比較例の試料
（比較例）に比べて上方にシフトしているとともに、同
一抵抗値で比較した場合には、そのＴＣＲレベルが±０
ppm／℃に近づいており、酸化チタン（ＴｉＯ2）の添加
がＴＣＲの改善に寄与していることがわかる。なお、酸
化チタン（ＴｉＯ2）を添加したものであってもその添
加量が本願発明の範囲を外れている試料については、比
較例の試料と比べて有意性のあるＴＣＲ改善効果が得ら
れていないことがわかる。
Ｏ2）を本願発明の範囲内で添加した実施例の試料
（ｄ，ｅ，ｆ，ｇ）の特性曲線は、いずれの抵抗材料組
成においても、酸化チタン（ＴｉＯ2）を添加していな
いかまたは本願発明の範囲を外れている比較例の試料
（比較例）に比べて上方にシフトしているとともに、同
一抵抗値で比較した場合には、そのＴＣＲレベルが±０
ppm／℃に近づいており、酸化チタン（ＴｉＯ2）の添加
がＴＣＲの改善に寄与していることがわかる。なお、酸
化チタン（ＴｉＯ2）を添加したものであってもその添
加量が本願発明の範囲を外れている試料については、比
較例の試料と比べて有意性のあるＴＣＲ改善効果が得ら
れていないことがわかる。
【００４３】また、表１，２より、酸化チタン（ＴｉＯ
2）を添加した本願発明の実施例の試料については、酸
化チタン（ＴｉＯ2）を添加していない比較例の試料に
比べて、高抵抗で、しかもＴＣＲが０（ppm／℃）に近
い抵抗体が得られていることがわかる。
2）を添加した本願発明の実施例の試料については、酸
化チタン（ＴｉＯ2）を添加していない比較例の試料に
比べて、高抵抗で、しかもＴＣＲが０（ppm／℃）に近
い抵抗体が得られていることがわかる。
【００４４】一方、酸化チタン（ＴｉＯ2）が添加され
ている試料であっても、その添加量が０．５重量部と本
願発明の範囲を下回る試料（試料番号１０，１１）にお
いては、面積抵抗値、ＴＣＲとも、必ずしも十分な特性
が得られておらず、また、その添加量が１７重量部と本
願発明の範囲を上回る試料（試料番号２４，２５，２
６）においては、面積抵抗値が不十分であるばかりでな
く、ＴＣＲが０から（−）側に大きく離れてしまうこと
がわかる。
ている試料であっても、その添加量が０．５重量部と本
願発明の範囲を下回る試料（試料番号１０，１１）にお
いては、面積抵抗値、ＴＣＲとも、必ずしも十分な特性
が得られておらず、また、その添加量が１７重量部と本
願発明の範囲を上回る試料（試料番号２４，２５，２
６）においては、面積抵抗値が不十分であるばかりでな
く、ＴＣＲが０から（−）側に大きく離れてしまうこと
がわかる。
【００４５】これらの結果から、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2）の添加量は１〜１５重量部の範囲が好ましいこと
がわかる。
Ｏ2）の添加量は１〜１５重量部の範囲が好ましいこと
がわかる。
【００４６】なお、上記実施例では、非還元性ガラスフ
リットとして、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＢａＯ、ＣａＯ、Ａ
ｌ2Ｏ3をそれぞれ、３６．０：３１．７：１８．０：
９．３：５．０のモル比で含有するガラスフリットを用
いた場合について説明したが、非還元性ガラスフリット
の成分や組成比はこれに限定されるものではなく、他の
成分からなる非還元性ガラスフリットや組成比の異なる
非還元性ガラスフリットを用いることも可能である。
リットとして、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＢａＯ、ＣａＯ、Ａ
ｌ2Ｏ3をそれぞれ、３６．０：３１．７：１８．０：
９．３：５．０のモル比で含有するガラスフリットを用
いた場合について説明したが、非還元性ガラスフリット
の成分や組成比はこれに限定されるものではなく、他の
成分からなる非還元性ガラスフリットや組成比の異なる
非還元性ガラスフリットを用いることも可能である。
【００４７】また、上記実施例では、ＢａＯ，Ｓｉ
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3，ＣａＯ，Ｂ2Ｏ3を重量比で３０：６
０：５：２：３の割合で含有させた低温焼結基板上に抵
抗体を形成した場合を例にとって説明したが、抵抗体を
形成する対象である基板は上記組成の低温焼結基板に限
定されるものではなく、他の種々の材料からなる基板や
基体上に抵抗体を形成する場合に本願発明を適用するこ
とが可能である。
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3，ＣａＯ，Ｂ2Ｏ3を重量比で３０：６
０：５：２：３の割合で含有させた低温焼結基板上に抵
抗体を形成した場合を例にとって説明したが、抵抗体を
形成する対象である基板は上記組成の低温焼結基板に限
定されるものではなく、他の種々の材料からなる基板や
基体上に抵抗体を形成する場合に本願発明を適用するこ
とが可能である。
【００４８】本願発明は、さらにその他の点においても
上記実施例に限定されるものではなく、第１及び第２の
抵抗材料と非還元性ガラスフリットの配合割合や酸化チ
タン（ＴｉＯ2）の添加割合、焼付け時の温度条件や雰
囲気条件などに関し、発明の要旨の範囲内において、種
々の応用、変形を加えることが可能である。
上記実施例に限定されるものではなく、第１及び第２の
抵抗材料と非還元性ガラスフリットの配合割合や酸化チ
タン（ＴｉＯ2）の添加割合、焼付け時の温度条件や雰
囲気条件などに関し、発明の要旨の範囲内において、種
々の応用、変形を加えることが可能である。
【００４９】
【発明の効果】上述のように、本願発明の抵抗材料組成
物は、一般式：ＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3（ｘ＝０．２５〜
０．７５モル）で表される第１の抵抗材料と、一般式：
ＬａyＳｒ1-yＣｏＯ3（ｙ＝０．４０〜０．６０モル）
で表される第２の抵抗材料と、酸化チタン（ＴｉＯ2）
とを含有していることから、これに非還元性ガラスフリ
ットや有機ビヒクルを配合してなる抵抗ペーストを用い
ることにより、従来の抵抗ペーストを用いて抵抗体を形
成した場合には、高抵抗領域を実現することが困難で、
しかもＴＣＲが０から（＋）側あるいは（−）側に大き
く離れてしまうような低温焼結基板上に、高抵抗でしか
もＴＣＲが０に近い抵抗体を形成することが可能にな
る。
物は、一般式：ＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3（ｘ＝０．２５〜
０．７５モル）で表される第１の抵抗材料と、一般式：
ＬａyＳｒ1-yＣｏＯ3（ｙ＝０．４０〜０．６０モル）
で表される第２の抵抗材料と、酸化チタン（ＴｉＯ2）
とを含有していることから、これに非還元性ガラスフリ
ットや有機ビヒクルを配合してなる抵抗ペーストを用い
ることにより、従来の抵抗ペーストを用いて抵抗体を形
成した場合には、高抵抗領域を実現することが困難で、
しかもＴＣＲが０から（＋）側あるいは（−）側に大き
く離れてしまうような低温焼結基板上に、高抵抗でしか
もＴＣＲが０に近い抵抗体を形成することが可能にな
る。
【００５０】また、第１の抵抗材料と非還元性ガラスフ
リットの配合割合を、第１の抵抗材料６５〜５重量部に
対して、非還元性ガラスフリット３５〜９５重量部の範
囲とすることにより、これに有機ビヒクルを配合してな
る抵抗ペーストを用いて低温焼結基板上に抵抗体を形成
した場合に、抵抗体の基板への密着性を向上させること
が可能になるとともに、ガラス成分が流れ出すことを抑
制、防止して、本願発明をさらに実効あらしめることが
できる。
リットの配合割合を、第１の抵抗材料６５〜５重量部に
対して、非還元性ガラスフリット３５〜９５重量部の範
囲とすることにより、これに有機ビヒクルを配合してな
る抵抗ペーストを用いて低温焼結基板上に抵抗体を形成
した場合に、抵抗体の基板への密着性を向上させること
が可能になるとともに、ガラス成分が流れ出すことを抑
制、防止して、本願発明をさらに実効あらしめることが
できる。
【００５１】また、具体的には、本願発明の抵抗ペース
トを用いることにより、例えば、ＢａＯ１５〜７５重量
％、ＳｉＯ2２５〜８０重量％、Ａｌ2Ｏ3３０重量％以
下、Ｂ2Ｏ3１．５〜５重量％、ＣａＯ１．５〜５重量％
の組成を有する低温焼結基板などのセラミックとガラス
の複合基板上に、高抵抗でしかもＴＣＲが０に近い抵抗
体を形成することができる。
トを用いることにより、例えば、ＢａＯ１５〜７５重量
％、ＳｉＯ2２５〜８０重量％、Ａｌ2Ｏ3３０重量％以
下、Ｂ2Ｏ3１．５〜５重量％、ＣａＯ１．５〜５重量％
の組成を有する低温焼結基板などのセラミックとガラス
の複合基板上に、高抵抗でしかもＴＣＲが０に近い抵抗
体を形成することができる。
【図１】本願発明の実施例及び比較例における、抵抗値
とＴＣＲ（Ｈ／ＴＣＲ）の関係を示す線図である。
とＴＣＲ（Ｈ／ＴＣＲ）の関係を示す線図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01C 7/00 C01G 51/00 C01G 55/00 C03C 8/20 H01B 1/16
Claims (7)
- 【請求項１】 一般式：ＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3（ｘ＝
０．２５〜０．７５モル）で表される第１の抵抗材料
と、 一般式：ＬａyＳｒ1-yＣｏＯ3（ｙ＝０．４０〜０．６
０モル）で表される第２の抵抗材料と、 酸化チタン（ＴｉＯ2）とを含有することを特徴とする
抵抗材料組成物。 - 【請求項２】 一般式：ＣａxＳｒ1-xＲｕＯ3（ｘ＝
０．２５〜０．７５モル）で表される第１の抵抗材料
と、 非還元性ガラスフリットと、 一般式：ＬａyＳｒ1-yＣｏＯ3（ｙ＝０．４０〜０．６
０モル）で表される第２の抵抗材料と、 前記第１及び第２の抵抗材料と非還元性ガラスフリット
の合計量１００重量部に対して１〜１５重量部の割合で
添加された酸化チタン（ＴｉＯ2）とを含有することを
特徴とする抵抗材料組成物。 - 【請求項３】 前記第１の抵抗材料と前記非還元性ガラ
スフリットの配合割合が、６５〜５重量部（第１の抵抗
材料）：３５〜９５重量部（非還元性ガラスフリット）
の範囲にあることを特徴とする請求項２記載の抵抗材料
組成物。 - 【請求項４】 請求項２又は３記載の抵抗材料組成物に
有機ビヒクルを添加、混練してなることを特徴とする抵
抗ペースト。 - 【請求項５】 請求項２又は３記載の抵抗材料組成物を
用いてなる抵抗ペーストであって、前記第１の抵抗材料
６２〜４重量部と、前記第２の抵抗材料５〜２０重量部
と、前記非還元性ガラスフリット２８〜９０重量部と、
前記酸化チタン（ＴｉＯ2）１〜１５重量部とを含有す
る組成物に有機ビヒクルを添加、混練してなることを特
徴とする抵抗ペースト。 - 【請求項６】 ＢａＯ１５〜７５重量％、ＳｉＯ2２５
〜８０重量％、Ａｌ2Ｏ3３０重量％以下、Ｂ2Ｏ3１．５
〜５重量％、ＣａＯ１．５〜５重量％の組成を有する低
温焼結基板上に抵抗体を形成するために用いられるもの
であることを特徴とする請求項４又は５記載の抵抗ペー
スト。 - 【請求項７】 請求項４，５又は６記載の抵抗ペースト
を塗布、焼付けすることにより形成された抵抗体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7117818A JP2937073B2 (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | 抵抗材料組成物、抵抗ペースト及び抵抗体 |
| US08/633,291 US5705099A (en) | 1995-04-18 | 1996-04-16 | Resistive material composition, resistive paste, and resistor |
| KR1019960011813A KR100201160B1 (ko) | 1995-04-18 | 1996-04-18 | 저항 재료 조성물, 저항 페이스트 및 저항체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7117818A JP2937073B2 (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | 抵抗材料組成物、抵抗ペースト及び抵抗体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288105A JPH08288105A (ja) | 1996-11-01 |
| JP2937073B2 true JP2937073B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=14721023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7117818A Expired - Lifetime JP2937073B2 (ja) | 1995-04-18 | 1995-04-18 | 抵抗材料組成物、抵抗ペースト及び抵抗体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5705099A (ja) |
| JP (1) | JP2937073B2 (ja) |
| KR (1) | KR100201160B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100379539B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2003-04-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 패키지 및 그의 제조방법 |
| JP2006093569A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Kyocera Corp | ガラスセラミック配線基板 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS596481A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-13 | Nissan Motor Co Ltd | アクスルケ−ス |
| US4536328A (en) * | 1984-05-30 | 1985-08-20 | Heraeus Cermalloy, Inc. | Electrical resistance compositions and methods of making the same |
| JPS625508A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-12 | 株式会社東芝 | 導電ペ−スト |
| JPH0828282B2 (ja) * | 1987-03-13 | 1996-03-21 | 株式会社村田製作所 | 抵抗ペ−スト |
| US4814107A (en) * | 1988-02-12 | 1989-03-21 | Heraeus Incorporated Cermalloy Division | Nitrogen fireable resistor compositions |
| JPH0736361B2 (ja) * | 1989-03-22 | 1995-04-19 | 株式会社村田製作所 | 抵抗材料、その製造方法およびそれを用いた抵抗ペースト |
-
1995
- 1995-04-18 JP JP7117818A patent/JP2937073B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-04-16 US US08/633,291 patent/US5705099A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-18 KR KR1019960011813A patent/KR100201160B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR100201160B1 (ko) | 1999-06-15 |
| US5705099A (en) | 1998-01-06 |
| KR960039327A (ko) | 1996-11-25 |
| JPH08288105A (ja) | 1996-11-01 |
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