JP2989936B2 - ガラスフリット、抵抗体ペーストおよび配線基板 - Google Patents
ガラスフリット、抵抗体ペーストおよび配線基板Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、厚膜抵抗体製造用のペ
ーストに用いられるガラスフリット、抵抗体ペーストお
よび配線基板に関する。
ーストに用いられるガラスフリット、抵抗体ペーストお
よび配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気・電子機器の配線基板などに用いる
基板材料として、低温で焼成可能なものが開発されてお
り、これにより基板材料、導体、抵抗体等を例えば１０
００℃以下の低温で同時一体焼成することが可能となっ
ている。
基板材料として、低温で焼成可能なものが開発されてお
り、これにより基板材料、導体、抵抗体等を例えば１０
００℃以下の低温で同時一体焼成することが可能となっ
ている。
【０００３】抵抗体ペーストは、通常、導電粒子、ガラ
スフリットおよびビヒクル等から構成され、基板上に印
刷後、焼成することにより厚膜抵抗体となるものであ
る。
スフリットおよびビヒクル等から構成され、基板上に印
刷後、焼成することにより厚膜抵抗体となるものであ
る。
【０００４】抵抗体ペーストに用いられる導電粒子とし
ては、二酸化ルテニウムあるいはルテニウム酸鉛等のパ
イロクロール化合物が多用されている。
ては、二酸化ルテニウムあるいはルテニウム酸鉛等のパ
イロクロール化合物が多用されている。
【０００５】抵抗体ペーストに用いられるガラスフリッ
トとしては、軟化点４５０〜８００℃、４０〜２９０℃
での平均熱膨張係数５〜８×１０-6deg-1 程度のホウケ
イ酸鉛系非結晶ガラスが一般的である。
トとしては、軟化点４５０〜８００℃、４０〜２９０℃
での平均熱膨張係数５〜８×１０-6deg-1 程度のホウケ
イ酸鉛系非結晶ガラスが一般的である。
【０００６】また、厚膜抵抗体に要求される特性として
は、抵抗値の温度係数（ＴＣＲ）が０に近いこと、ノイ
ズが低いこと等であり、例えば基板の熱膨張係数と、厚
膜抵抗の熱膨張係数とを近付けることによりＴＣＲ特性
を改善できることが知られている。
は、抵抗値の温度係数（ＴＣＲ）が０に近いこと、ノイ
ズが低いこと等であり、例えば基板の熱膨張係数と、厚
膜抵抗の熱膨張係数とを近付けることによりＴＣＲ特性
を改善できることが知られている。
【０００７】しかし、ホウケイ酸鉛系非結晶質ガラスを
初めとし、従来のガラスフリットは前記のとおり熱膨張
係数が高いため、基板の熱膨張係数と、厚膜抵抗体の熱
膨張係数とを近付けることが困難である。
初めとし、従来のガラスフリットは前記のとおり熱膨張
係数が高いため、基板の熱膨張係数と、厚膜抵抗体の熱
膨張係数とを近付けることが困難である。
【０００８】このため、抵抗体ペースト中にＴＣＲ調整
剤を添加してＴＣＲを減少させている。
剤を添加してＴＣＲを減少させている。
【０００９】しかし、ＴＣＲ調整剤は添加量が極めて微
量となるために均一な混合が困難であり、製造が難しく
製品に特性のバラツキが生じ易い。しかも、ＴＣＲ調整
剤の添加により抵抗値のトリミング性やＴＣＲ以外の電
気特性に悪影響を与える危険性がある。
量となるために均一な混合が困難であり、製造が難しく
製品に特性のバラツキが生じ易い。しかも、ＴＣＲ調整
剤の添加により抵抗値のトリミング性やＴＣＲ以外の電
気特性に悪影響を与える危険性がある。
【００１０】また、抵抗体の熱膨張係数が高いと、抵抗
体と基板との熱膨張係数の違いにより、特にガラスとア
ルミナ等の酸化物骨材とを含有する比較的熱膨張係数が
低い基板の場合には、焼成後抵抗体にクラックが生じ易
い。
体と基板との熱膨張係数の違いにより、特にガラスとア
ルミナ等の酸化物骨材とを含有する比較的熱膨張係数が
低い基板の場合には、焼成後抵抗体にクラックが生じ易
い。
【００１１】さらには、ホウケイ酸鉛系ガラスは焼成し
た場合流動性に富むため、外部導体パターンに抵抗体パ
ターンを印刷、焼成すると、外部導体中のガラスと抵抗
体中のガラスとが反応して、導体のガラスが押し出され
るブリードアウト現象が生じてしまい、抵抗体の電気特
性に悪影響を及ぼしてしまうという問題がある。特に配
線パターンを微細にし、かつ膜厚を薄くした高密度配線
基板では、このブリードアウト現象によりショートが生
じ易い。
た場合流動性に富むため、外部導体パターンに抵抗体パ
ターンを印刷、焼成すると、外部導体中のガラスと抵抗
体中のガラスとが反応して、導体のガラスが押し出され
るブリードアウト現象が生じてしまい、抵抗体の電気特
性に悪影響を及ぼしてしまうという問題がある。特に配
線パターンを微細にし、かつ膜厚を薄くした高密度配線
基板では、このブリードアウト現象によりショートが生
じ易い。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、厚膜
抵抗体製造用のペーストに用いた場合、抵抗体のＴＣＲ
特性を改善でき、抵抗体のクラックの発生を防止でき、
しかもブリードアウト現象を防止できるガラスフリット
と、抵抗体ペーストと、このような抵抗体ペーストを用
いた配線基板とを提供することにある。
抵抗体製造用のペーストに用いた場合、抵抗体のＴＣＲ
特性を改善でき、抵抗体のクラックの発生を防止でき、
しかもブリードアウト現象を防止できるガラスフリット
と、抵抗体ペーストと、このような抵抗体ペーストを用
いた配線基板とを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（８）の本発明により達成される。
（１）〜（８）の本発明により達成される。
【００１４】（１） 抵抗体ペーストのバインダガラス
であって、ＺｎＯ2 を４０〜７０重量％、Ｂ2 Ｏ3 を１
０〜３０重量％、ＳｉＯ2 を５〜１５重量％およびＭｎ
Ｏ2 を５〜１５重量％（但し５wt％を含まない）含有す
ることを特徴とするガラスフリット。 （２） ４０〜２９０℃での平均熱膨張係数αが３〜５
×１０-6deg-1である上記（１）に記載のガラスフリッ
ト。 （３） 上記（１）または（２）に記載のガラスフリッ
トと、導電粒子とを含有することを特徴とする抵抗体ペ
ースト。 （４） 前記導電粒子が二酸化ルテニウム、ルテニウム
酸鉛およびルテニウム酸ビスマスの１種以上を主成分と
する上記（３）に記載の抵抗体ペースト。 （５） 前記ガラスフリットおよび前記導電粒子全体に
対する前記ガラスフリットの含有量が、６０〜９０重量
％である上記（３）または（４）に記載の抵抗体ペース
ト。 （６） 上記（３）ないし（５）のいずれかに記載の抵
抗体ペーストを用いて厚膜抵抗体を形成したことを特徴
とする配線基板。 （７） 前記厚膜抵抗体がガラスと酸化物骨材とを含有
する基板上に形成されている上記（６）に記載の配線基
板。 （８） 前記厚膜抵抗体と接して外部導体が形成されて
いる上記（６）または（７）に記載の配線基板。
であって、ＺｎＯ2 を４０〜７０重量％、Ｂ2 Ｏ3 を１
０〜３０重量％、ＳｉＯ2 を５〜１５重量％およびＭｎ
Ｏ2 を５〜１５重量％（但し５wt％を含まない）含有す
ることを特徴とするガラスフリット。 （２） ４０〜２９０℃での平均熱膨張係数αが３〜５
×１０-6deg-1である上記（１）に記載のガラスフリッ
ト。 （３） 上記（１）または（２）に記載のガラスフリッ
トと、導電粒子とを含有することを特徴とする抵抗体ペ
ースト。 （４） 前記導電粒子が二酸化ルテニウム、ルテニウム
酸鉛およびルテニウム酸ビスマスの１種以上を主成分と
する上記（３）に記載の抵抗体ペースト。 （５） 前記ガラスフリットおよび前記導電粒子全体に
対する前記ガラスフリットの含有量が、６０〜９０重量
％である上記（３）または（４）に記載の抵抗体ペース
ト。 （６） 上記（３）ないし（５）のいずれかに記載の抵
抗体ペーストを用いて厚膜抵抗体を形成したことを特徴
とする配線基板。 （７） 前記厚膜抵抗体がガラスと酸化物骨材とを含有
する基板上に形成されている上記（６）に記載の配線基
板。 （８） 前記厚膜抵抗体と接して外部導体が形成されて
いる上記（６）または（７）に記載の配線基板。
【００１５】
【作用】本発明のガラスフリットは、ＺｎＯ2 を４０〜
７０重量％、Ｂ2 Ｏ3 を１０〜３０重量％、ＳｉＯ2 を
５〜１５重量％およびＭｎＯ2 を１〜１５重量％含有す
る。この組成のガラスは焼成により結晶化するため、抵
抗体ペーストに用いた場合、結晶相の存在により、外部
導体中のガラス成分と抵抗体中のガラス成分とが反応す
るのを抑制することができ、抵抗体ないし導体中のガラ
スのブリードアウト現象の発生が防止される。
７０重量％、Ｂ2 Ｏ3 を１０〜３０重量％、ＳｉＯ2 を
５〜１５重量％およびＭｎＯ2 を１〜１５重量％含有す
る。この組成のガラスは焼成により結晶化するため、抵
抗体ペーストに用いた場合、結晶相の存在により、外部
導体中のガラス成分と抵抗体中のガラス成分とが反応す
るのを抑制することができ、抵抗体ないし導体中のガラ
スのブリードアウト現象の発生が防止される。
【００１６】この結果、電気特性の劣化を防止するこが
でき、外部導体層のパターンを例えば２００μm 以下の
細線パターンとしてその膜厚も薄くした高密度配線基板
においてもショートの発生が有効に防止される。
でき、外部導体層のパターンを例えば２００μm 以下の
細線パターンとしてその膜厚も薄くした高密度配線基板
においてもショートの発生が有効に防止される。
【００１７】また、前記組成のガラスの４０〜２９０℃
における平均熱膨張係数α（以下αという）は低く、例
えば３〜５×１０-6deg-1程度であるため、抵抗体のα
を低く、例えば４〜６×１０-6deg-1 程度にできる。こ
のため基板のαと抵抗体のαとが一致ないし接近し、抵
抗値の温度係数（ＴＣＲ）が減少する。この場合、ＴＣ
Ｒが十分低いためＴＣＲ調整剤を添加する必要がないの
でトリミング性やＴＣＲ以外の電気特性に悪影響を与え
ることがなく、しかも製造が簡単でかつバラツキの少な
い製品を得ることができる。
における平均熱膨張係数α（以下αという）は低く、例
えば３〜５×１０-6deg-1程度であるため、抵抗体のα
を低く、例えば４〜６×１０-6deg-1 程度にできる。こ
のため基板のαと抵抗体のαとが一致ないし接近し、抵
抗値の温度係数（ＴＣＲ）が減少する。この場合、ＴＣ
Ｒが十分低いためＴＣＲ調整剤を添加する必要がないの
でトリミング性やＴＣＲ以外の電気特性に悪影響を与え
ることがなく、しかも製造が簡単でかつバラツキの少な
い製品を得ることができる。
【００１８】また、特にガラスと酸化物骨材とを含有す
る比較的αが低い基板を用いる場合でも、基板のαに抵
抗体のαを一致ないし基板のαより抵抗体のαを小さく
でき、しかも抵抗体のガラス中に結晶相が析出するた
め、抵抗体の強度が向上する。このため抵抗体のクラッ
クの発生を有効に防止できる。
る比較的αが低い基板を用いる場合でも、基板のαに抵
抗体のαを一致ないし基板のαより抵抗体のαを小さく
でき、しかも抵抗体のガラス中に結晶相が析出するた
め、抵抗体の強度が向上する。このため抵抗体のクラッ
クの発生を有効に防止できる。
【００１９】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。本発明のガラスフリットは、抵抗体ペース
トのガラスバインダであり、主成分としてＺｎＯ2 、Ｂ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 およびＭｎＯ2 を含有する。
に説明する。本発明のガラスフリットは、抵抗体ペース
トのガラスバインダであり、主成分としてＺｎＯ2 、Ｂ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 およびＭｎＯ2 を含有する。
【００２０】ガラスフリット中のＺｎＯ2 の含有量は、
４０〜７０重量％、好ましくは５０〜６５重量％とす
る。前記範囲未満では焼成時の結晶化が進まず、本発明
の効果が低い。前記範囲を超えるとガラス化しにくくな
る。
４０〜７０重量％、好ましくは５０〜６５重量％とす
る。前記範囲未満では焼成時の結晶化が進まず、本発明
の効果が低い。前記範囲を超えるとガラス化しにくくな
る。
【００２１】Ｂ2 Ｏ3 の含有量は、１０〜３０重量％、
好ましくは１５〜２５重量％とする。前記範囲未満では
ガラス化しにくくなる。前記範囲を超えると焼成後抵抗
体中に気泡が生じやすい。
好ましくは１５〜２５重量％とする。前記範囲未満では
ガラス化しにくくなる。前記範囲を超えると焼成後抵抗
体中に気泡が生じやすい。
【００２２】ＳｉＯ2 の含有量は、５〜１５重量％、好
ましくは１０〜１５重量％とする。前記範囲未満ではガ
ラス軟化点が低下し、ブリードアウト現象を生じやす
い。前記範囲を超えるとガラス軟化点が上昇し、緻密な
焼結体が得られにくい。
ましくは１０〜１５重量％とする。前記範囲未満ではガ
ラス軟化点が低下し、ブリードアウト現象を生じやす
い。前記範囲を超えるとガラス軟化点が上昇し、緻密な
焼結体が得られにくい。
【００２３】ＭｎＯ2 の含有量は、５〜１５重量％、好
ましくは５〜１０重量％とする。前記範囲未満では焼成
後の抵抗体と基板との接着強度が低下する。前記範囲を
超えるとガラス化が阻害される。
ましくは５〜１０重量％とする。前記範囲未満では焼成
後の抵抗体と基板との接着強度が低下する。前記範囲を
超えるとガラス化が阻害される。
【００２４】この場合、ガラスフリット中にはＭｇＯ、
ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ等の１種以上が５重量％程度以
下含有されていてもよい。
ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ等の１種以上が５重量％程度以
下含有されていてもよい。
【００２５】前記組成のガラスフリットは、通常、焼成
前は非晶質であるが、焼成により結晶化する。
前は非晶質であるが、焼成により結晶化する。
【００２６】また、本発明のガラスフリットは、軟化点
が、４００〜７００℃、特に５００〜６００℃程度のガ
ラスが好ましい。前記範囲未満ではブリードアウト現象
が生じ易く、前記範囲を超えると厚膜抵抗体を形成した
場合、抵抗体のノイズ特性が悪化する。なお、軟化点
は、５mm×５mm×１０mm程度の試料を用い、荷重１０g
にて、示差熱膨張計を用いて測定すればよい。
が、４００〜７００℃、特に５００〜６００℃程度のガ
ラスが好ましい。前記範囲未満ではブリードアウト現象
が生じ易く、前記範囲を超えると厚膜抵抗体を形成した
場合、抵抗体のノイズ特性が悪化する。なお、軟化点
は、５mm×５mm×１０mm程度の試料を用い、荷重１０g
にて、示差熱膨張計を用いて測定すればよい。
【００２７】また、ガラスフリットの４０〜２９０℃に
おける平均熱膨張係数αは、３〜５×１０-6deg-1 、特
に３．５〜４．０×１０-6deg-1 程度が好ましい。前記
範囲未満では抵抗体のαが基板のαに比べて小さくなり
すぎ、ＴＣＲ特性が悪化する。前記範囲を超えると抵抗
体のαを十分に低減できない。このため抵抗体にクラッ
クが発生する危険性があり、またＴＣＲ特性が悪化す
る。なお、本発明では前記のαを有するガラスフリット
が実現する。
おける平均熱膨張係数αは、３〜５×１０-6deg-1 、特
に３．５〜４．０×１０-6deg-1 程度が好ましい。前記
範囲未満では抵抗体のαが基板のαに比べて小さくなり
すぎ、ＴＣＲ特性が悪化する。前記範囲を超えると抵抗
体のαを十分に低減できない。このため抵抗体にクラッ
クが発生する危険性があり、またＴＣＲ特性が悪化す
る。なお、本発明では前記のαを有するガラスフリット
が実現する。
【００２８】本発明のガラスフリットの平均粒径には特
に制限がないが、５μm 程度以下が好ましい。前記範囲
を超えるとガラス成分の粒子径が大きくなるためスクリ
ーン印刷性が劣化する。
に制限がないが、５μm 程度以下が好ましい。前記範囲
を超えるとガラス成分の粒子径が大きくなるためスクリ
ーン印刷性が劣化する。
【００２９】本発明の抵抗体ペーストは、前記のガラス
フリットと、導電粒子と、ビヒクルとを含有する。
フリットと、導電粒子と、ビヒクルとを含有する。
【００３０】導電粒子の組成は特に制限がなく、例え
ば、ＲｕＯ2 、Ｐｂ2 Ｒｕ2 Ｏ7 、Ｂｉ2 Ｒｕ2 Ｏ7 、
ＣｄＢｉＲｕ2 Ｏ7 、ＮｄＢｉＲｕ2 Ｏ7 、ＢｉＩｎＲ
ｕ2 Ｏ7 、Ｂｉ2 ＩｒＲｕＯ7 、ＧｄＢｉＲｕ2 Ｏ7 、
ＢａＲｕＯ3 、Ｂａ2 ＲｕＯ4、ＳｒＲｕＯ3 、ＣａＲ
ｕＯ3 、Ｃｏ2 ＲｕＯ4、ＬａＲｕＯ3 、ＬｉＲｕＯ3、
ＳｎＯ2 、ＬａＢ6 、Ｐｄ−Ａｇ、ＣｏＣｒＯ4 、Ｎｉ
ＣｒＯ4、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＣａＢ6 、ＢａＢ6 、Ｓｒ
Ｂ6 、ＬａＢ6 、ＹＢ6 、Ｔａ2 Ｎ、ＴｉＳｉ2 、ＶＳ
ｉ2 、ＣｒＳｉ2 、ＴａＳｉ2 、ＭｏＳｉ2 、ＷＳｉ2
など、各種ルテニウム化合物や他の導電性化合物、ある
いは各種合金を用いることができるが、ＴＣＲ特性、ノ
イズ特性が良好である等の点で二酸化ルテニウム、ルテ
ニウム酸鉛およびルテニウム酸ビスマスの１種以上を主
成分とするものが好ましい。
ば、ＲｕＯ2 、Ｐｂ2 Ｒｕ2 Ｏ7 、Ｂｉ2 Ｒｕ2 Ｏ7 、
ＣｄＢｉＲｕ2 Ｏ7 、ＮｄＢｉＲｕ2 Ｏ7 、ＢｉＩｎＲ
ｕ2 Ｏ7 、Ｂｉ2 ＩｒＲｕＯ7 、ＧｄＢｉＲｕ2 Ｏ7 、
ＢａＲｕＯ3 、Ｂａ2 ＲｕＯ4、ＳｒＲｕＯ3 、ＣａＲ
ｕＯ3 、Ｃｏ2 ＲｕＯ4、ＬａＲｕＯ3 、ＬｉＲｕＯ3、
ＳｎＯ2 、ＬａＢ6 、Ｐｄ−Ａｇ、ＣｏＣｒＯ4 、Ｎｉ
ＣｒＯ4、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＣａＢ6 、ＢａＢ6 、Ｓｒ
Ｂ6 、ＬａＢ6 、ＹＢ6 、Ｔａ2 Ｎ、ＴｉＳｉ2 、ＶＳ
ｉ2 、ＣｒＳｉ2 、ＴａＳｉ2 、ＭｏＳｉ2 、ＷＳｉ2
など、各種ルテニウム化合物や他の導電性化合物、ある
いは各種合金を用いることができるが、ＴＣＲ特性、ノ
イズ特性が良好である等の点で二酸化ルテニウム、ルテ
ニウム酸鉛およびルテニウム酸ビスマスの１種以上を主
成分とするものが好ましい。
【００３１】この場合、二酸化ルテニウム、ルテニウム
酸鉛およびルテニウム酸ビスマスとしては、通常、Ｒｕ
Ｏ2 、Ｐｂ2 Ｒｕ2 Ｏ7 およびＢｉ2 Ｒｕ2 Ｏ7 で表さ
れるものを用いるが、これから多少偏倚した組成であっ
てもよく、偏倚した組成のものとの混合物、あるいは偏
倚した組成のもの同志の混合物であってもよい。
酸鉛およびルテニウム酸ビスマスとしては、通常、Ｒｕ
Ｏ2 、Ｐｂ2 Ｒｕ2 Ｏ7 およびＢｉ2 Ｒｕ2 Ｏ7 で表さ
れるものを用いるが、これから多少偏倚した組成であっ
てもよく、偏倚した組成のものとの混合物、あるいは偏
倚した組成のもの同志の混合物であってもよい。
【００３２】なお、二酸化ルテニウム、ルテニウム酸鉛
およびルテニウム酸ビスマスの１種以上を主成分とする
導電粒子とは、これらの合計の含有率が９０重量％以上
であることを意味し、これら以外に、例えば前記した各
種Ｒｕ化合物以外の導電成分や各種合金などの導電性物
質を含んでいてもよい。
およびルテニウム酸ビスマスの１種以上を主成分とする
導電粒子とは、これらの合計の含有率が９０重量％以上
であることを意味し、これら以外に、例えば前記した各
種Ｒｕ化合物以外の導電成分や各種合金などの導電性物
質を含んでいてもよい。
【００３３】導電粒子の平均粒径は０．０５〜１．０μ
m 程度が好ましい。前記範囲未満では導電粒子の粒径が
小さいためにペースト中で粒子の分散が不十分となり、
抵抗体ペーストの流動性が悪化する。前記範囲を超える
とノイズ特性等に悪影響を与える。
m 程度が好ましい。前記範囲未満では導電粒子の粒径が
小さいためにペースト中で粒子の分散が不十分となり、
抵抗体ペーストの流動性が悪化する。前記範囲を超える
とノイズ特性等に悪影響を与える。
【００３４】抵抗体ペースト中のガラスフリットと導電
粒子との含有比率には特に制限がなく、必要とされる抵
抗値に応じて適宜決定すればよいが、ガラスフリットお
よび導電粒子全体に対するガラスフリットの含有量は、
６０〜９０重量％、特に７０〜８５重量％が好ましい。
重量比が前記範囲未満では導電粒子過多のため抵抗値の
制御が困難となり、ＴＣＲ特性が非常に悪化する。重量
比が前記範囲を超える場合、ガラスが多すぎるため導電
粒子が導電ネットワークを形成できず、絶縁化する傾向
にある。
粒子との含有比率には特に制限がなく、必要とされる抵
抗値に応じて適宜決定すればよいが、ガラスフリットお
よび導電粒子全体に対するガラスフリットの含有量は、
６０〜９０重量％、特に７０〜８５重量％が好ましい。
重量比が前記範囲未満では導電粒子過多のため抵抗値の
制御が困難となり、ＴＣＲ特性が非常に悪化する。重量
比が前記範囲を超える場合、ガラスが多すぎるため導電
粒子が導電ネットワークを形成できず、絶縁化する傾向
にある。
【００３５】ビヒクルとしては、エチルセルロース、ポ
リビニルブチラール、メタクリル樹脂、ブチルメタアク
リレート等のバインダ、テルピネオール、ブチルカルビ
トール、ブチルカルビトールアセテート、アセテート、
トルエン、アルコール、キシレン等の溶剤、その他各種
分散剤、活性剤、可塑剤等が挙げられ、これらのうち任
意のものが目的に応じて適宜選択される。なお、前述し
たように本発明ではＴＣＲ調整剤を添加しなくても十分
に０に近いＴＣＲが得られるため、好ましくはＴＣＲ調
整剤を添加しないが、必要に応じて、ＣｕＯ、ＭｎＯ
2 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｎｄ2 Ｏ5 、ＭｇＯ、ＺｎＯ等の各種Ｔ
ＣＲ調整剤を添加してもよい。ＴＣＲ調整剤の添加量
は、導電粒子とガラスフリットの合計量１００重量部に
対し、０．１〜６重量部程度とすることが好ましい。ビ
ヒクルの添加量は、導電粒子とガラスフリットの合計量
１００重量部に対し、５〜３０重量部程度とすることが
好ましい。
リビニルブチラール、メタクリル樹脂、ブチルメタアク
リレート等のバインダ、テルピネオール、ブチルカルビ
トール、ブチルカルビトールアセテート、アセテート、
トルエン、アルコール、キシレン等の溶剤、その他各種
分散剤、活性剤、可塑剤等が挙げられ、これらのうち任
意のものが目的に応じて適宜選択される。なお、前述し
たように本発明ではＴＣＲ調整剤を添加しなくても十分
に０に近いＴＣＲが得られるため、好ましくはＴＣＲ調
整剤を添加しないが、必要に応じて、ＣｕＯ、ＭｎＯ
2 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｎｄ2 Ｏ5 、ＭｇＯ、ＺｎＯ等の各種Ｔ
ＣＲ調整剤を添加してもよい。ＴＣＲ調整剤の添加量
は、導電粒子とガラスフリットの合計量１００重量部に
対し、０．１〜６重量部程度とすることが好ましい。ビ
ヒクルの添加量は、導電粒子とガラスフリットの合計量
１００重量部に対し、５〜３０重量部程度とすることが
好ましい。
【００３６】本発明の抵抗体ペーストは、導電粒子と、
ガラスフリットとを混合し、さらに上記ビヒクルを加
え、これらを通常の３本ロール等を用いて混練してペー
スト化することにより得られる。
ガラスフリットとを混合し、さらに上記ビヒクルを加
え、これらを通常の３本ロール等を用いて混練してペー
スト化することにより得られる。
【００３７】本発明の抵抗体ペーストは、基板上に所定
のパターンに印刷されて焼成するなどして使用される。
のパターンに印刷されて焼成するなどして使用される。
【００３８】このように、本発明の抵抗体ペーストを用
いて厚膜抵抗体とした多層配線基板の一構成例が図１に
示されている。図１は、多層配線基板の部分断面図であ
る。
いて厚膜抵抗体とした多層配線基板の一構成例が図１に
示されている。図１は、多層配線基板の部分断面図であ
る。
【００３９】同図に示すように、多層配線基板１は、複
数の層を積層し、焼成により一体化した絶縁体の基板４
を有し、この基板４の内部には、所定パターンの内部導
体２が形成され、この内部導体２が基板４の表面に露出
した部分に外部導体３が形成されている。
数の層を積層し、焼成により一体化した絶縁体の基板４
を有し、この基板４の内部には、所定パターンの内部導
体２が形成され、この内部導体２が基板４の表面に露出
した部分に外部導体３が形成されている。
【００４０】基板４の構成材料には特に制限がないが、
内部導体２等とともに同時焼成可能なものとして、アル
ミナ−ホウケイ酸ガラス、アルミナ−鉛ホウケイ酸ガラ
ス、アルミナ−ホウケイ酸バリウムガラス、アルミナ−
ホウケイ酸カルシウムガラス、アルミナ−ホウケイ酸ス
トロンチウムガラス、アルミナ−ホウケイ酸マグネシウ
ムガラス等の酸化物骨材とガラスとを含む低温焼結材料
が好ましい。
内部導体２等とともに同時焼成可能なものとして、アル
ミナ−ホウケイ酸ガラス、アルミナ−鉛ホウケイ酸ガラ
ス、アルミナ−ホウケイ酸バリウムガラス、アルミナ−
ホウケイ酸カルシウムガラス、アルミナ−ホウケイ酸ス
トロンチウムガラス、アルミナ−ホウケイ酸マグネシウ
ムガラス等の酸化物骨材とガラスとを含む低温焼結材料
が好ましい。
【００４１】このような基板材料において、ガラスの含
有率は、一般に５０〜８０wt％程度とするのがよい。
有率は、一般に５０〜８０wt％程度とするのがよい。
【００４２】なお、アルミナ基板の４０〜２９０℃にお
ける平均熱膨張係数αは７〜８×１０-6deg-1 程度であ
り、酸化物骨材とガラスとを含む低温焼結材料を用いた
基板の４０〜２９０℃における平均熱膨張係数αは５〜
６．５×１０-6deg-1 程度である。
ける平均熱膨張係数αは７〜８×１０-6deg-1 程度であ
り、酸化物骨材とガラスとを含む低温焼結材料を用いた
基板の４０〜２９０℃における平均熱膨張係数αは５〜
６．５×１０-6deg-1 程度である。
【００４３】内部導体２は、通常多層配線され、基板４
の厚さ方向に形成されたスルーホール５を介して互いに
導通されている。
の厚さ方向に形成されたスルーホール５を介して互いに
導通されている。
【００４４】外部導体３は、基板４の表面に形成され、
抵抗体８への導通用として用いられ、あるいはチップイ
ンダクタ、チップコンデンサ等のチップ部品や半導体集
積回路素子、ダイオード等の素子等の表面実装部品７を
半田６により半田付けするためのパッドとして用いられ
る。なお、表面を覆うように絶縁被覆層が形成されてい
てもよい。
抵抗体８への導通用として用いられ、あるいはチップイ
ンダクタ、チップコンデンサ等のチップ部品や半導体集
積回路素子、ダイオード等の素子等の表面実装部品７を
半田６により半田付けするためのパッドとして用いられ
る。なお、表面を覆うように絶縁被覆層が形成されてい
てもよい。
【００４５】本発明の抵抗体ペーストは、上記抵抗体８
を形成するのに適用される。
を形成するのに適用される。
【００４６】抵抗体８の膜厚には特に制限はないが、通
常４〜２５μm 、特に８〜１５μm程度である。また、
抵抗体８の抵抗値には特に制限がなく、目的等に応じて
適宜選択されるが、通常１０Ω／□〜１ＭΩ／□程度で
ある。そして、抵抗体８は、抵抗値の温度係数（ＴＣ
Ｒ）が低い。具体的には、基板構成材料としてアルミナ
等の酸化物骨材とガラスとを含む低温焼成材料を用い、
しかもＴＣＲ調整剤を添加しない場合でも、−５０〜２
５℃において−５０〜１０ppm ／℃、特に−３０〜０pp
m ／℃、２５〜１２５℃において０〜５０ppm ／℃、特
に、０〜３０ppm／℃の範囲にＴＣＲが収まる。なお、
抵抗体８の４０〜２９０℃における平均熱膨張係数αは
６×１０-6deg-1 程度以下、特に４〜５．５×１０-6de
g-1 程度である。
常４〜２５μm 、特に８〜１５μm程度である。また、
抵抗体８の抵抗値には特に制限がなく、目的等に応じて
適宜選択されるが、通常１０Ω／□〜１ＭΩ／□程度で
ある。そして、抵抗体８は、抵抗値の温度係数（ＴＣ
Ｒ）が低い。具体的には、基板構成材料としてアルミナ
等の酸化物骨材とガラスとを含む低温焼成材料を用い、
しかもＴＣＲ調整剤を添加しない場合でも、−５０〜２
５℃において−５０〜１０ppm ／℃、特に−３０〜０pp
m ／℃、２５〜１２５℃において０〜５０ppm ／℃、特
に、０〜３０ppm／℃の範囲にＴＣＲが収まる。なお、
抵抗体８の４０〜２９０℃における平均熱膨張係数αは
６×１０-6deg-1 程度以下、特に４〜５．５×１０-6de
g-1 程度である。
【００４７】内部導体２には、導電性が良いことを優先
させる点でＡｇを主体とする導電粒子、特にＡｇを用い
ることが好ましい。内部導体用ペーストは、導電粒子
と、導電粒子に対し、１〜５重量％程度のガラスフリッ
トと、ビヒクルとを含有する。
させる点でＡｇを主体とする導電粒子、特にＡｇを用い
ることが好ましい。内部導体用ペーストは、導電粒子
と、導電粒子に対し、１〜５重量％程度のガラスフリッ
トと、ビヒクルとを含有する。
【００４８】また、内部導体２の膜厚は、通常５〜２０
μm 程度とされる。そして、内部導体の導通抵抗は、そ
の組成にもよるが、一般的に２〜１０ｍΩ／□程度が好
ましい。
μm 程度とされる。そして、内部導体の導通抵抗は、そ
の組成にもよるが、一般的に２〜１０ｍΩ／□程度が好
ましい。
【００４９】外部導体３には、耐マイグレーション性、
半田喰われ性、半田濡れ性等の点でＡｇを主体とする導
電粒子、特にＡｇと、Ｐｄおよび／またはＰｔとを含有
する導電粒子を用いることが好ましい。外部導体用ペー
ストは、導電粒子と導電粒子に対し１〜５重量％程度の
ガラスフリットと、ビヒクルとを含有する。また、ビヒ
クル含有量は、一般に外部導体ペースト中、３〜１０重
量％程度である。
半田喰われ性、半田濡れ性等の点でＡｇを主体とする導
電粒子、特にＡｇと、Ｐｄおよび／またはＰｔとを含有
する導電粒子を用いることが好ましい。外部導体用ペー
ストは、導電粒子と導電粒子に対し１〜５重量％程度の
ガラスフリットと、ビヒクルとを含有する。また、ビヒ
クル含有量は、一般に外部導体ペースト中、３〜１０重
量％程度である。
【００５０】ガラスフリットのガラス組成としては、Ｐ
ｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｚｎ
Ｏ、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2−ＺｎＯ、等が挙げら
れる。また、ガラスフリットの４０〜２９０℃の平均熱
膨張係数αは、６〜８×１０-6deg-1 程度、軟化点は４
００〜６００℃程度が好ましい。
ｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｚｎ
Ｏ、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2−ＺｎＯ、等が挙げら
れる。また、ガラスフリットの４０〜２９０℃の平均熱
膨張係数αは、６〜８×１０-6deg-1 程度、軟化点は４
００〜６００℃程度が好ましい。
【００５１】このようなガラスフリットを用いても本発
明によりブリードアウト現象を有効に防止できる。
明によりブリードアウト現象を有効に防止できる。
【００５２】また、ガラスは、０．１〜１０μm の平均
粒径の粉末として用いられる。平均粒径が０．１μm 未
満となると、粉砕時の不純物混入が著しくなり、１０μ
m を超えると、印刷性が悪くなる傾向にある。
粒径の粉末として用いられる。平均粒径が０．１μm 未
満となると、粉砕時の不純物混入が著しくなり、１０μ
m を超えると、印刷性が悪くなる傾向にある。
【００５３】さらに、ガラスフリット以外の添加剤とし
ては、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＣｕＯ、ＴｉＯ2 、Ｃ
ｏＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 等を挙げることができる。なお、この
なかでＢｉ2 Ｏ3 は焼成中にガラス化するものであり、
場合によってはガラス化して添加されることもある。
ては、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＣｕＯ、ＴｉＯ2 、Ｃ
ｏＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 等を挙げることができる。なお、この
なかでＢｉ2 Ｏ3 は焼成中にガラス化するものであり、
場合によってはガラス化して添加されることもある。
【００５４】外部導体２の膜厚は、通常５〜２０μm 程
度とされる。そして外部導体の導通抵抗は、その組成に
もよるが、一般に２〜１０ｍΩ／□程度が好ましい。
度とされる。そして外部導体の導通抵抗は、その組成に
もよるが、一般に２〜１０ｍΩ／□程度が好ましい。
【００５５】このような多層配線基板は、例えば以下の
ようにして製造する。
ようにして製造する。
【００５６】まず、基板材料となるグリーンシートを作
製する。
製する。
【００５７】このグリーンシートは、基板の原材料であ
るアルミナ粉末等の骨材とガラス粉末（例えば、ホウケ
イ酸ガラス）とを所定量混合し、これにバインダー樹
脂、溶剤等を加え、これらを混練してスラリー化し、例
えばドクターブレード法によりグリーンシートを所定枚
数作製する。
るアルミナ粉末等の骨材とガラス粉末（例えば、ホウケ
イ酸ガラス）とを所定量混合し、これにバインダー樹
脂、溶剤等を加え、これらを混練してスラリー化し、例
えばドクターブレード法によりグリーンシートを所定枚
数作製する。
【００５８】次いで、グリーンシートにパンチングマシ
ーンや金型プレスを用いてスルーホール５を形成し、そ
の後、内部導体用ペーストを各グリーンシート上に例え
ばスクリーン印刷法により印刷し、所定パターンの内部
導体２を形成するとともにスルーホール５内に充填す
る。
ーンや金型プレスを用いてスルーホール５を形成し、そ
の後、内部導体用ペーストを各グリーンシート上に例え
ばスクリーン印刷法により印刷し、所定パターンの内部
導体２を形成するとともにスルーホール５内に充填す
る。
【００５９】次いで、各グリーンシートを重ね合せ、熱
プレス（約４０〜１２０℃、５０〜１０００Kgf/cm2)を
加えてグリーンシートの積層体とし、必要に応じて脱バ
インダー処理、切断用溝の形成等を行なう。
プレス（約４０〜１２０℃、５０〜１０００Kgf/cm2)を
加えてグリーンシートの積層体とし、必要に応じて脱バ
インダー処理、切断用溝の形成等を行なう。
【００６０】その後、グリーンシートの積層体を通常空
気中で８００〜１０００℃程度の温度で焼成、一体化
し、基板４に内部導体が形成された多層配線基板を得
る。そして、外部導体用ペーストをスクリーン印刷法等
により印刷し、焼成して外部導体３を形成する。
気中で８００〜１０００℃程度の温度で焼成、一体化
し、基板４に内部導体が形成された多層配線基板を得
る。そして、外部導体用ペーストをスクリーン印刷法等
により印刷し、焼成して外部導体３を形成する。
【００６１】さらに、抵抗体材料ペーストを印刷して焼
成し、抵抗体８を形成する。この場合、好ましくは、こ
れら外部導体３や抵抗体８を基板４と一体同時焼成して
形成する。
成し、抵抗体８を形成する。この場合、好ましくは、こ
れら外部導体３や抵抗体８を基板４と一体同時焼成して
形成する。
【００６２】抵抗体８の焼成は、通常空気中にて、１０
００℃程度以下、特に８００〜１０００℃程度で１〜３
時間程度行ない、最高温度に保持する時間は５〜２０分
程度とすることが好ましい。この焼成により、抵抗体８
中のガラスフリットが結晶化し、ブリードアウト現象が
有効に防止される。
００℃程度以下、特に８００〜１０００℃程度で１〜３
時間程度行ない、最高温度に保持する時間は５〜２０分
程度とすることが好ましい。この焼成により、抵抗体８
中のガラスフリットが結晶化し、ブリードアウト現象が
有効に防止される。
【００６３】その後、所定の表面実装部品７を外部導体
３に半田付けし、必要に応じ、絶縁被覆層を形成して図
１に示す多層配線基板１が得られる。
３に半田付けし、必要に応じ、絶縁被覆層を形成して図
１に示す多層配線基板１が得られる。
【００６４】以上では、本発明を多層配線基板に適用し
た場合の例を説明したが、本発明は、これに限らず、例
えば、アルミナ基板、ＡｌＮ基板等の単層の基板等にも
適用することができる。
た場合の例を説明したが、本発明は、これに限らず、例
えば、アルミナ基板、ＡｌＮ基板等の単層の基板等にも
適用することができる。
【００６５】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００６６】導電粒子として平均粒径０．０５μm のＲ
ｕＯ2 粒子：１５重量部、平均粒径２μm のガラスフリ
ット：７０重量部およびビヒクル：１５重量部を３本ロ
ールで混練してペースト化し、抵抗体ペーストＮｏ．１
〜Ｎｏ．４を得た。ビヒクルには、バインダとしてエチ
ルセルロース、溶剤としてテルピネオールを用いた。な
お、ＴＣＲ調製剤は使用しなかった。また、ガラスフリ
ットのガラス組成、４０〜２９０℃における平均熱膨張
係数α、および軟化点は下記のとおりである。
ｕＯ2 粒子：１５重量部、平均粒径２μm のガラスフリ
ット：７０重量部およびビヒクル：１５重量部を３本ロ
ールで混練してペースト化し、抵抗体ペーストＮｏ．１
〜Ｎｏ．４を得た。ビヒクルには、バインダとしてエチ
ルセルロース、溶剤としてテルピネオールを用いた。な
お、ＴＣＲ調製剤は使用しなかった。また、ガラスフリ
ットのガラス組成、４０〜２９０℃における平均熱膨張
係数α、および軟化点は下記のとおりである。
【００６７】抵抗体ペーストＮｏ．１（本発明） ガラス組成 ＺｎＯ2 ： ６０重量％ Ｂ2 Ｏ3 ： ２０重量％ ＳｉＯ2 ： １０重量％ ＭｎＯ2 ： １０重量％ α： ３．８×１０-6deg-1 軟化点： ５８０℃ 抵抗体ペーストＮｏ．２（本発明） ガラス組成 ＺｎＯ2 ： ５０重量％ Ｂ2 Ｏ3 ： ２５重量％ ＳｉＯ2 ： １５重量％ ＭｎＯ2 ： １０重量％ α： ４．５×１０-6deg-1 軟化点： ６００℃ 抵抗体ペーストＮｏ．３（比較） ガラス組成 ＰｂＯ： ５４重量％ Ｂ2 Ｏ3 ： １３重量％ ＳｉＯ2 ： ３０重量％ Ａｌ2 Ｏ3 ： ３重量％ α： ６．２×１０-6deg-1 軟化点： ５８０℃ 抵抗体ペーストＮｏ．４（比較） ガラス組成 ＺｎＯ2 ： ４０重量％ Ｂ2 Ｏ3 ： ４０重量％ ＳｉＯ2 ： ３重量％ ＭｎＯ2 ： １７重量％ α： ５．０×１０-6deg-1 軟化点： ５２０℃
【００６８】次いで、平均粒径１０μm のＡｇ粒子：８
５重量部、平均粒径１μm のＰｄ粒子：１５重量部、平
均粒径２μm のガラスフリット：３重量部、平均粒径２
μmのＢｉ2 Ｏ3 粒子：１重量部およびビヒクル：４重
量部を３本ロールで混練してペースト化し、外部導体ペ
ーストとした。ガラスフリットのガラス組成は、Ｐｂ
Ｏ：５０重量部、Ｂ2 Ｏ3 ：２５重量部、Ａｌ2 Ｏ3 ：
１５重量部、ＳｉＯ2 ：１０重量部、４０〜２９０℃の
αは６．５×１０-6deg-1 、軟化点は５４０℃であっ
た。
５重量部、平均粒径１μm のＰｄ粒子：１５重量部、平
均粒径２μm のガラスフリット：３重量部、平均粒径２
μmのＢｉ2 Ｏ3 粒子：１重量部およびビヒクル：４重
量部を３本ロールで混練してペースト化し、外部導体ペ
ーストとした。ガラスフリットのガラス組成は、Ｐｂ
Ｏ：５０重量部、Ｂ2 Ｏ3 ：２５重量部、Ａｌ2 Ｏ3 ：
１５重量部、ＳｉＯ2 ：１０重量部、４０〜２９０℃の
αは６．５×１０-6deg-1 、軟化点は５４０℃であっ
た。
【００６９】次に、下記の基板材料を混合し、これに前
記ビヒクルを加えて基板ペーストとした。
記ビヒクルを加えて基板ペーストとした。
【００７０】基板構成材料 ガラス（平均径１．９μm ） ６０重量部 ＳｉＯ2 ： ５２．２重量％ Ａｌ2 Ｏ3 ： １１．４重量％ Ｂ2 Ｏ3 ： ３．９重量％ ＳｒＯ ： ２７．６重量％ ＣａＯ ： ３．１重量％ ＭｇＯ ： １．８重量％ Ａｌ2 Ｏ3 （平均粒径３．５μm ）４０重量部
【００７１】この基板ペーストを用い、ドクターブレー
ド法により厚さ０．２mmの基板グリーンシートを作製し
た。
ド法により厚さ０．２mmの基板グリーンシートを作製し
た。
【００７２】次いで、この基板グリーンシートにＡｇ内
部導体ペースト印刷後、熱プレスにより積層してグリー
ンシート積層体を得た。そして、この積層体を脱脂後、
空気中で温度９００℃で同時焼成した多層配線基板を得
た。
部導体ペースト印刷後、熱プレスにより積層してグリー
ンシート積層体を得た。そして、この積層体を脱脂後、
空気中で温度９００℃で同時焼成した多層配線基板を得
た。
【００７３】この多層配線基板にスクリーン印刷によ
り、外部導体ペーストを印刷し、空気中で８５０℃で焼
成し、細線パターンの外部導体を形成した。なお、同様
の方法で別に基板を作製したところ得られた基板の４０
〜２９０℃における平均熱膨張係数αは６．４×１０-6
deg であった。
り、外部導体ペーストを印刷し、空気中で８５０℃で焼
成し、細線パターンの外部導体を形成した。なお、同様
の方法で別に基板を作製したところ得られた基板の４０
〜２９０℃における平均熱膨張係数αは６．４×１０-6
deg であった。
【００７４】次いで、外部導体上の先端部に、外部導体
より広巾に抵抗体ペーストを厚さ２０μm に印刷した
後、空気中にて、８５０℃で６０分間焼成し、２μm ×
２μm、厚さ１０μm の抵抗体を形成した。このように
して、抵抗体ペーストＮｏ．１〜４を用い、多層配線基
板サンプルＮｏ．１〜４を得た。
より広巾に抵抗体ペーストを厚さ２０μm に印刷した
後、空気中にて、８５０℃で６０分間焼成し、２μm ×
２μm、厚さ１０μm の抵抗体を形成した。このように
して、抵抗体ペーストＮｏ．１〜４を用い、多層配線基
板サンプルＮｏ．１〜４を得た。
【００７５】得られた多層配線基板サンプルＮｏ．１〜
４に形成された抵抗体の抵抗値の４０〜２９０℃におけ
る平均熱膨張係数αおよび抵抗値は表１に示されるとお
りであった。
４に形成された抵抗体の抵抗値の４０〜２９０℃におけ
る平均熱膨張係数αおよび抵抗値は表１に示されるとお
りであった。
【００７６】次に各サンプルに対し、下記の評価を行な
った。 （１）低抗体の抵抗値の温度係数（ＴＣＲ） ＴＣＲは、−５０〜２５℃におけるＴＣＲ（ｃｏｌｄ
ＴＣＲ）と、２５〜１２５℃におけるＴＣＲ（ｈｏｔ
ＴＣＲ）とを測定した。
った。 （１）低抗体の抵抗値の温度係数（ＴＣＲ） ＴＣＲは、−５０〜２５℃におけるＴＣＲ（ｃｏｌｄ
ＴＣＲ）と、２５〜１２５℃におけるＴＣＲ（ｈｏｔ
ＴＣＲ）とを測定した。
【００７７】（２）耐クラック性 焼成後および冷熱衝撃試験（１２５℃で３０分間保持、
−４０℃で３０分間保持、２３サイクル）後、抵抗体を
光学顕微鏡にて観察し、下記◎、○、△、×の４段階で
評価した。 評価基準 ◎ ：焼成後および冷熱衝撃試験後クラックなし ○ ：焼成後クラックなし、冷熱衝撃試験後クラックあ
り △ ：焼成後一部クラックあり、冷熱衝撃試験後クラッ
クあり × ：焼成後クラックあり、冷熱衝撃試験後クラックあ
り
−４０℃で３０分間保持、２３サイクル）後、抵抗体を
光学顕微鏡にて観察し、下記◎、○、△、×の４段階で
評価した。 評価基準 ◎ ：焼成後および冷熱衝撃試験後クラックなし ○ ：焼成後クラックなし、冷熱衝撃試験後クラックあ
り △ ：焼成後一部クラックあり、冷熱衝撃試験後クラッ
クあり × ：焼成後クラックあり、冷熱衝撃試験後クラックあ
り
【００７８】（３）ブリードアウト現象の発生の有無 光学顕微鏡により、抵抗体近傍の細線外部導体パターン
端部を観察し、下記◎、△、×、××の４段階で評価し
た。 評価基準 ◎ ：ブリードアウト全くなし △ ：１０μm 以下の距離にブリードアウト観察 × ：５０μm 以下の距離にブリードアウト観察 ××：５０μm を超える距離にブリードアウト観察 これらの結果は表１に示されるとおりである。
端部を観察し、下記◎、△、×、××の４段階で評価し
た。 評価基準 ◎ ：ブリードアウト全くなし △ ：１０μm 以下の距離にブリードアウト観察 × ：５０μm 以下の距離にブリードアウト観察 ××：５０μm を超える距離にブリードアウト観察 これらの結果は表１に示されるとおりである。
【００７９】
【表１】
【００８０】表１に示される結果から本発明の効果が明
らかである。
らかである。
【００８１】なお、導電粒子をＰｂ2 Ｒｕ2 Ｏ7 、Ｂｉ
2 Ｒｕ2 Ｏ7 に替えて前記と同様の評価を行なったとこ
ろ同等の結果が得られた。
2 Ｒｕ2 Ｏ7 に替えて前記と同様の評価を行なったとこ
ろ同等の結果が得られた。
【００８２】
【発明の効果】本発明の抵抗体ペーストを用いて形成さ
れた厚膜抵抗体は、抵抗値の温度係数（ＴＣＲ）が低
い。また、基板の熱膨張係数αと抵抗体のαとの違い等
に起因する抵抗体へのクラックの発生を防止できる。し
かも、ブリードアウト現象の発生を防止でき、配線間の
ショートや電気特性の劣化を防止することができる。
れた厚膜抵抗体は、抵抗値の温度係数（ＴＣＲ）が低
い。また、基板の熱膨張係数αと抵抗体のαとの違い等
に起因する抵抗体へのクラックの発生を防止できる。し
かも、ブリードアウト現象の発生を防止でき、配線間の
ショートや電気特性の劣化を防止することができる。
【図１】本発明の抵抗体ペーストを用いて作製した多層
配線基板の部分断面図である。
配線基板の部分断面図である。
１ 多層配線基板 ２ 内部導体 ３ 外部導体 ４ 基板 ５ スルーホール ６ 半田 ７ 表面実装部品 ８ 抵抗体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮内 泰治 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−312201（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−167801（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01C 7/00 C03C 8/04 C03C 8/24 H05K 1/16
Claims (8)
- 【請求項１】 抵抗体ペーストのバインダガラスであっ
て、 ＺｎＯ2 を４０〜７０重量％、Ｂ2 Ｏ3 を１０〜３０重
量％、ＳｉＯ2 を５〜１５重量％およびＭｎＯ2 を５〜
１５重量％（但し５wt％を含まない）含有することを特
徴とするガラスフリット。 - 【請求項２】 ４０〜２９０℃での平均熱膨張係数αが
３〜５×１０-6deg- 1 である請求項１に記載のガラスフ
リット。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載のガラスフリッ
トと、導電粒子とを含有することを特徴とする抵抗体ペ
ースト。 - 【請求項４】 前記導電粒子が二酸化ルテニウム、ルテ
ニウム酸鉛およびルテニウム酸ビスマスの１種以上を主
成分とする請求項３に記載の抵抗体ペースト。 - 【請求項５】 前記ガラスフリットおよび前記導電粒子
全体に対する前記ガラスフリットの含有量が、６０〜９
０重量％である請求項３または４に記載の抵抗体ペース
ト。 - 【請求項６】 請求項３ないし５のいずれかに記載の抵
抗体ペーストを用いて厚膜抵抗体を形成したことを特徴
とする配線基板。 - 【請求項７】 前記厚膜抵抗体がガラスと酸化物骨材と
を含有する基板上に形成されている請求項６に記載の配
線基板。 - 【請求項８】 前記厚膜抵抗体と接して外部導体が形成
されている請求項６または７に記載の配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3155877A JP2989936B2 (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | ガラスフリット、抵抗体ペーストおよび配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3155877A JP2989936B2 (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | ガラスフリット、抵抗体ペーストおよび配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04354101A JPH04354101A (ja) | 1992-12-08 |
| JP2989936B2 true JP2989936B2 (ja) | 1999-12-13 |
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ID=15615462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3155877A Expired - Fee Related JP2989936B2 (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | ガラスフリット、抵抗体ペーストおよび配線基板 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2989936B2 (ja) |
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