JP3551821B2

JP3551821B2 - 半導体装置の製造方法

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Publication number: JP3551821B2
Application number: JP08646999A
Authority: JP
Inventors: 敬子根木; 雅人橋本
Original assignee: Toyota Motor Corp
Current assignee: Toyota Motor Corp
Priority date: 1999-03-29
Filing date: 1999-03-29
Publication date: 2004-08-11
Anticipated expiration: 2019-03-29
Also published as: JP2000277755A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、上層、中層及び下層の３層からなり、上層の一部をその直下に位置する中層から隔離して下層に対して変位可能に構成した可動部とする半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の可動部を有する半導体装置の製造方法においては、例えば特開平１０−１４４９３５号公報に示されているように、上層、中層及び下層の３層からなり、上層の一部をその直下に位置する中層から隔離して下層に対して変位可能に構成した可動部とする半導体装置の製造方法において、前記中層をさらに上下の層に比べてエッチングされ易い中間層を挟んだ３層で構成しておき、可動部の水平方向外側に位置する上層の一部を除去した後、前記上層の一部を除去した可動部の水平方向外側位置から前記３層からなる中層のウェットエッチングを実施することにより、前記中層の中間層を完全に除去するとともに同中間層を挟んだ上下の層の各一部を残して、上層の下面上及び下層の上面上に突起をそれぞれ形成するようにしている。これによれば、半導体の製造中における乾燥工程時、また可動部の上下方向の振動時などに可動部が下層に接着されてしまうことを回避できる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来の製造方法においては、中層をさらに細分化した３層で構成する必要があり、半導体装置の製造効率が悪くなり、製造コストも高くなるという問題がある。したがって、本発明者らは前記中層を３層に細分化することなく、可動部の下方に突起を形成して前記可動部の下層への接着を回避する方法を考えていた。
【０００４】
しかし、中層を３層にすることなく単一材料で構成して、前記従来例のように可動部の水平方向外側の上層を除去した部分から中層のウェットエッチングをすることにより、可動部の直下にて下層の上面上に突起を残そうとすると、次のような課題に直面する。エッチング液の濃度のばらつき、中層の材質のばらつき、環境のばらつきにより、ウェットエッチングが進み過ぎると、可動部の直下の中層が全て除去されてしまい、前記突起が形成されないという事態が生じる。また、これを避けるために、ウェットエッチングが進み過ぎないように、ウェットエッチング時間を短くしたり、エッチング液の濃度を低くすると、前記上層を除去した可動部の水平方向外側の直下に位置する中層が残る。
【０００５】
このように下層上に水平方向に中層が連続して形成されていると、中層に生じる熱応力を開放させることができないので、中層の熱膨張により半導体装置に反りが発生し、半導体装置の所期の動作が得られないことがあるという問題がある。
【０００６】
【発明の概要】
本発明は、これらの問題に対処するためになされたもので、その目的は、上層、中層及び下層の３層からなり、上層の一部をその直下に位置する中層から隔離して下層に対して変位可能に構成した可動部とする半導体装置の製造方法において、中層を単一材料で構成した上で、可動部の直下に突起を確実に形成できるようにするとともに、同突起を形成しても半導体装置に反りが発生しないようにした半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の特徴は、前記可動部の水平方向外側に位置する上層の一部を除去する上層除去工程と、前記上層の一部を除去した可動部の水平方向外側位置から中層のウェットエッチングを行って、同可動部をその直下にて中層から隔離するとともに同可動部の直下に位置する中層に突起を形成する突起形成工程と、前記突起形成工程後に前記上層の一部を除去した可動部の水平方向外側直下に残った中層をドライエッチングにより除去する中層除去工程とを含むことにある。
【０００８】
これによれば、中層を単一材料で構成するようにしても、突起形成工程において、ウェットエッチング時間を短めに設定したり、エッチング液の濃度を低めに設定したりすることにより、下層上に断面円弧状の中層を残して可動部の直下に突起を確実に形成することができる。そして、中層除去工程により、前記上層の一部を除去した可動部の水平方向外側直下に残った中層がドライエッチングにより除去されるので、下層上の中層が前記可動部の水平方向外側直下にて切断され、水平方向に中層が連続して形成されることがなくなる。その結果、中層に生じる熱応力を開放させることができるので、中層の熱膨張により半導体装置に反りが発生することもなくなり、半導体装置の所期の動作が確保されるようになる。
【０００９】
また、本発明の他の特徴は、前記突起形成工程におけるウェットエッチング終了後に、前記上層の一部を除去した可動部の水平方向外側直下に残った中層の厚さを測定するようにしたことにある。
【００１０】
これによれば、可動部の水平方向外側直下におけるウェットエッチングによる中層の除去の度合いを知ることができ、また同ウェットエッチングにより除去される可動部の直下における中層の除去は前記可動部の水平方向外側直下における中層の除去の度合いに比例するので、可動部直下の中層による突起と可動部との隔離を確実に行えるとともに、可動部直下における中層による突起の欠落を確実に回避することができるようになる。
【００１１】
また、本発明の他の特徴は、上層、中層及び下層の３層からなり、上層の一部をその直下に位置する中層から隔離して下層に対して変位可能に構成した可動部とする半導体装置において、可動部を、中層の厚み（Ｙ）と可動部の水平方向の幅（Ｘ）との間にＹ＞Ｘ／２という関係が成立するように形成したことにある。
【００１２】
これによれば、可動部直下の中層を可動部から隔離した直後のエッチング量は中層の厚み（Ｙ）より小さいため、可動部の水平方向外側直下の中層が除去されず下層上に残存する。したがって、可動部の水平方向外側直下の中層の厚みが測定できるため、中層を可動部から確実に隔離することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を、角速度を検出するための半導体装置を例にして説明する。図１は半導体装置の平面図であり、図２は同装置の各部の端面図である。なお、図１〜図６においては、基板１０上面との間に隙間のある部材と隙間のない部材とで模様を異ならせて示している。
【００１４】
この半導体装置は、後述する上層ｃ、中層ｂ及び下層ａ（図３参照）の３層から構成されており、下層ａからなり方形状に形成された基板１０と、基板１０上ほぼ中央にその上面から小さな所定距離Ｙだけ隔てて平行に配置された振動子２０とを備えている。
【００１５】
振動子２０は、上層ｃからなり略方形状に形成されるとともに、所定の間隔にて配置された複数の方形状の貫通孔２１を有しており、梁１１ａ〜１１ｄを介してアンカ１２ａ〜１２ｄに基板１０（下層ａ）に対して変位可能に支持されている。振動子２０（貫通孔２１を除く上層ａ）の下方には、下層ａ上に形成された中層ｂからなる突起３１が形成されている（図２（Ａ）参照）。梁１１ａ〜１１ｄは、上層ｃからなり略Ｌ字状に形成されるとともに、振動子２０と同様に基板１０上面から前記所定距離Ｙだけ隔てて浮いている。これらの梁１１ａ〜１１ｄの下方にも、下層ａ上に形成された中層ｂからなる突起（図示しない）が形成されている。アンカ１２ａ〜１２ｄは、上層ｃからなり方形状に形成されるとともに、基板１０の上面に中層ｂを介して固着されており、アンカ１２ｃの上面には、振動子２０の変位にともなう静電容量の変化を表す静電容量信号を取り出すために、導電金属（例えばアルミニウム）で方形状に形成された電極パッド１３が設けられている。
【００１６】
振動子２０のＸ軸方向（図示左右方向）両外側には、基板１０の上面に中層ｂを介して固着されるとともに上層ｃからなる櫛歯状電極４０ａ，４０ｂがそれぞれ設けられ、各櫛歯状電極４０ａ，４０ｂは、Ｘ軸方向に延設されるとともにＹ軸方向（図示上下方向）に等間隔に配置された複数の電極指を備えている。また、各櫛歯状電極４０ａ，４０ｂのＸ軸方向各外側には、基板１０の上面に中層ｂを介して固着され各櫛歯状電極４０ａ，４０ｂに接続されるとともに上層ｃからなるパッド部４１ａ，４１ｂがそれぞれ設けられ、同パッド部４１ａ，４１ｂ上には導電金属（例えばアルミニウム）で方形状に形成された電極パッド４２ａ，４２ｂがそれぞれ設けられている。
【００１７】
振動子２０のＸ軸方向両側部には、振動子２０と同様に基板１０上から所定距離Ｙだけ隔てて同振動子２０と一体的に形成するとともに上層ｃからなる櫛歯状電極２２ａ，２２ｂがそれぞれ設けられている。櫛歯状電極２２ａ，２２ｂはＸ軸方向外側に延設されるとともにＹ軸方向に等間隔に配置された複数の電極指をそれぞれ備えており、これらの各電極指は櫛歯状電極４０ａ，４０ｂの各電極指間の幅方向（Ｙ軸方向）中心位置に侵入している。櫛歯状電極２２ａ，２２ｂの下方には、下層ａ上に形成された中層ｂからなる突起３２が形成されている（図２（Ｂ）参照）。この櫛歯状電極２２ａ，２２ｂは、櫛歯状電極４０ａ，４０ｂと共に振動子２０に対する駆動部を構成するもので、振動子２０を櫛歯状電極４０ａ，４０ｂへの駆動用信号の印加時に静電引力によりＸ軸方向に励振させるためのものである。
【００１８】
振動子２０のＹ軸方向両外側には、基板１０の上面に中層ｂを介して固着されるとともに上層ｃからなる櫛歯状電極５０ａ，５０ｂがそれぞれ設けられ、各櫛歯状電極５０ａ，５０ｂは、Ｙ軸方向に延設されるとともにＸ軸方向に等間隔に配置された複数の電極指を備えている。また、各櫛歯状電極５０ａ，５０ｂのＹ軸方向各外側には、基板１０の上面に中層ｂを介して固着され各櫛歯状電極５０ａ，５０ｂに接続されるとともに上層ｃからなるパッド部５１ａ，５１ｂがそれぞれ設けられ、同パッド部５１ａ，５１ｂ上には導電金属（例えばアルミニウム）で方形状に形成された電極パッド５２ａ，５２ｂがそれぞれ設けられている。
【００１９】
振動子２０のＹ軸方向両側部には、振動子２０と同様に基板１０上から所定距離Ｙだけ隔てて同振動子２０と一体的に形成するとともに上層ｃからなる櫛歯状電極２３ａ，２３ｂがそれぞれ設けられている。櫛歯状電極２３ａ，２３ｂはＹ軸方向外側に延設されるとともにＸ軸方向に等間隔に配置された複数の電極指をそれぞれ備えており、これらの各電極指は櫛歯状電極５０ａ，５０ｂの各電極指間の幅方向（Ｘ軸方向）中心位置に侵入している。櫛歯状電極２３ａ，２３ｂの下方にも、下層ａ上に形成された中層ｂからなる突起（図示しない）が形成されている。この櫛歯状電極２３ａ，２３ｂは、櫛歯状電極５０ａ，５０ｂと共に振動子２０に対する検出部を構成するもので、振動子２０のＹ軸方向の振動を検出するために用いられる。
【００２０】
次に、上記のように構成した半導体装置の使用にあたっては、各電極パッド１３，４２ａ，４２ｂ，５２ａ，５２ｂを図示しない電気回路装置に接続する。電気回路装置は、振動子２０をその固有振動数ｆ_０でＸ軸方向に一定振幅で振動させるために、互いに逆相の駆動用信号を電極パッド４２ａ，４２ｂにそれぞれ供給する。また、振動子２０のＹ軸方向の振動を検出するために、互いに逆相の検出用信号を電極パッド５２ａ，５２ｂに供給する。これによれば、振動子２０は、電気回路装置からの駆動用信号によって前記駆動部に発生する静電引力により、一定振幅かつ固有振動数ｆ_０でＸ軸方向に振動する。
【００２１】
この状態で、振動子２０にＸ，Ｙ両軸に直交するＺ軸回りの角速度が働くと、振動子２０はコリオリ力により前記角速度に比例した振幅でＹ軸方向にも振動する。この振動子２０のＹ軸方向の振動に伴い、振動子２０に接続された櫛歯状電極２３ａ，２３ｂもＹ軸方向に振動する。これにより、櫛歯状電極２３ａ，５０ａにおける静電容量と、櫛歯状電極２３ｂ，５０ｂにおける静電容量は互いに逆方向に変化する。この静電容量の変化を表す信号が、静電容量信号として電極パッド１３を介して電気回路装置に入力される。電気回路装置は、この静電容量信号を用いて前記Ｚ軸回りの角速度を導出する。
【００２２】
このように動作する半導体装置においては、振動子２０（厳密に言うと、振動子２０を構成するものであって貫通孔２１を除く上層ｃ）、櫛歯状電極２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ及び梁１１ａ〜１１ｄが基板１０（下層ａ）に対して変位するものであり、これらが本発明の可動部を構成する。
【００２３】
次に、上記のように構成した半導体装置の製造方法について図３及び図４を用いて説明する。この場合、図３は図１の２Ａ−２Ａ線に沿った一部分の製造工程を示しており、図４は図１の２Ｂ−２Ｂ線に沿った部分の製造工程を示している。
【００２４】
（１）第１工程
基板材料として単結晶シリコンからなる下層ａの上面上に約１μｍの厚さ（＝Ｙ）のシリコン酸化膜からなる中層ｂを介して約１０μｍの厚さの単結晶シリコンからなる上層ｃを設けたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用意し（図３（Ａ），図４（Ａ））、上層ｃにリン、ボロン等の不純物をドーピングして同層ｃを低抵抗化する。
【００２５】
（２）第２工程
上層ｃの上面であって振動子２０（貫通孔２１を除く）、櫛歯状電極２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ，４０ａ，４０ｂ，５０ａ，５０ｂ、パッド部４１ａ，４１ｂ，５１ａ，５１ｂ、梁１１ａ〜１１ｄ及びアンカ１２ａ〜１２ｄに相当する部分をレジスト膜にてマスクする。そして、上層ｃをＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等でエッチングして、中層ｂ上に櫛歯状電極４０ａ，４０ｂ，５０ａ，５０ｂ、パッド部４１ａ，４１ｂ，５１ａ，５１ｂ及びアンカ１２ａ〜１２ｄを形成するとともに、振動子２０、櫛歯状電極２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ及び梁１１ａ〜１１ｄに相当する部分を残す（図３（Ｂ），図４（Ｂ））。
【００２６】
（３）第３工程
フッ酸水溶液により上層ｃのうち前記第２工程のエッチングにより除去した部分すなわち上層ｃの残っていない部分から中層ｂのウェットエッチングを開始し、所定時間だけウェットエッチングを行うと、フッ酸水溶液は中層ｂをいずれの方向へも（等方的に）前記所定時間に比例する距離ｄだけエッチングする。この距離ｄは可動部の幅Ｘの半分より大きく、かつ中層ｂの厚さＹより小さい。なお、可動部の幅Ｘと中層ｂの厚さＹとの関係については後述する。したがって、上層ｃの残っていない部分の下においては、下層ａ上面に一様な厚さ（Ｙ−ｄ）の中層ｂを形成し、可動部の下においては、中層ｂを可動部から隔離するとともに下層ａ上面に中層ｂからなる断面円弧状の曲面を有する突起３１，３２を形成する。一方、上層ｃの残っている部分であって可動部以外の部分、例えば櫛歯状電極４０ａの下においては、その水平方向の幅Ｘを２Ｙより大きく設定しているので、中層ｂの一部はエッチングされずに櫛歯状電極４０ａの下面に密接している。
【００２７】
そして、上記エッチングの後、上層ｃの残っていない部分から同部分の下の中層ｂの厚さを測定し、同測定した厚さが可動部の幅Ｘの半分より小さければ、さらにエッチングし、同測定した厚さが可動部の幅Ｘの半分より大きければ、エッチングしないので、可動部と突起３１，３２（中層ｂ）とを確実に隔離することできる。したがって、振動子２０、櫛歯状電極２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ及び梁１１ａ〜１１ｄを中層ｂから浮かせて形成する（図３（Ｃ），図４（Ｃ））。
【００２８】
（４）第４工程
中層ｂをＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等でドライエッチングする。このとき、上層ｃの残っている部分がマスクとなるので、上層ｃの残っていない部分の直下に位置する中層ｂのみをエッチングする。これにより、下層ａ上の中層ｂが可動部４１，４２の水平方向外側直下にて切断され、水平方向に中層ｂが連続して形成されることがなくなる。
【００２９】
（５）第５工程
電極パッド１３，４２ａ，４２ｂ，５２ａ，５２ｂに相当する部分に、スパッタリング法等でアルミ膜を形成し、電極パッド１３，４２ａ，４２ｂ，５２ａ，５２ｂをそれぞれ形成する。
【００３０】
次に、上述した中層ｂの厚みＹと可動部の幅Ｘとの関係を図５を用いて詳しく説明する。可動部の直下においては、中層ｂを同可動部の水平方向端部から同端部下端を中心とする半径ｒの断面円弧状分だけエッチングするので、中層ｂを可動部から隔離するためには、前記半径ｒをＸ／２より大きくするようエッチングする必要がある。したがって、図５（Ａ）に示すように、可動部の幅ＸをＹ＜Ｘ／２となるように設定した場合、中層ｂの厚みＹよりエッチング量すなわち前記半径ｒの方が大きいので、可動部の水平方向外側直下の中層ｂが除去されてなくなってしまい、可動部の水平方向外側直下の中層ｂの厚みが測定できないため、中層ｂを可動部から確実に隔離したことを確認することができなくなってしまう。また、図５（Ｂ）に示すように、可動部の幅ＸをＹ＝Ｘ／２となるように設定した場合も、可動部の水平方向外側直下の中層ｂが除去されてなくなってしまうので、可動部の水平方向外側直下の中層ｂの厚みが測定できないため、中層ｂを可動部から確実に隔離したことを確認することができなくなってしまう。
【００３１】
したがって、中層ｂを可動部から確実に隔離したことを確認するため、すなわち、可動部の水平方向外側直下の中層ｂの厚みが測定できるようにするためには、図５（Ｃ）に示すように、可動部の幅ＸをＹ＞Ｘ／２となるように設定する必要がある。この設定によれば、中層ｂの厚みＹよりエッチング量すなわち前記半径ｒの方が小さいので、可動部の水平方向外側直下の中層ｂが除去されず下層ａ上に残存するので、可動部の水平方向外側直下の中層ｂの厚みが測定できるため、中層ｂを可動部から確実に隔離することができる。
【００３２】
上述した製造方法によれば、中層ｂを単一材料で構成するようにしても、前記第３工程（突起形成工程）において、ウェットエッチング時間を短めに設定したり、エッチング液の濃度を低くめに設定することにより、下層ａ上に断面円弧状の中層ｂを残して可動部の直下に突起３１，３２を確実に形成することができる。そして、第４工程（中層除去工程）により、前記上層ｃの一部を除去した可動部の水平方向外側直下に残った中層ｂがドライエッチングにより除去されるので、下層ａ上の中層ｂが前記可動部の水平方向外側直下にて切断され、水平方向に中層ｂが連続して形成されることがなくなる。その結果、中層ｂに生じる熱応力を開放させることができるので、中層ｂの熱膨張により半導体装置に反りが発生することもなくなり、半導体装置の所期の動作が確保されるようになる。
【００３３】
また、前記第３工程における測定により、可動部の水平方向外側直下におけるウェットエッチングによる中層ｂの除去の度合いを知ることができ、また同ウェットエッチングにより除去される可動部の直下における中層ｂの除去は前記可動部の水平方向外側直下における中層ｂの除去の度合いに比例するので、可動部直下の中層ｂによる突起３１，３２と可動部との隔離を確実に行えるとともに、可動部直下における中層ｂによる突起３１，３２の欠落を確実に回避することができるようになる。
【００３４】
次に、上記実施形態の可動部の幅Ｘと中層ｂの厚さＹの設定方法に関する変形例について図６を用いて説明する。一般的に、ウェットエッチングにおいては、エッチング時間、エッチング液の濃度のバラツキにより、目標とするエッチング量である目標エッチング量ｄに対してエッチング誤差αが生ずる。このエッチング誤差αが生じても、中層ｂを可動部から確実に隔離し、かつ可動部直下に突起を確実に残存させるために、中層ｂを可動部から隔離した直後のエッチング量ｄ１（図６（Ａ）参照）と、可動部直下の突起を完全に除去する直前のエッチング量ｄ２（図６（Ｃ）参照）との中間値を目標エッチング量ｄ（図６（Ｂ）参照）に設定している。エッチング量ｄ１は可動部の幅Ｘの半分（Ｘ／２）と等しく（ｄ１＝Ｘ／２）、エッチング量ｄ２は下記数１で表される。これは、突起の上端が可動部幅方向の中線上にあるからである。したがって、目標エッチング量ｄは下記数２で表される。
【００３５】
【数１】

【００３６】
【数２】

【００３７】
また、上述した目標エッチング量ｄを用いれば、実際のエッチング量の上限値及び下限値は、（１＋α）ｄ及び（１−α）ｄで表される。したがって、可動部直下に突起を確実に残存させるためには、実際のエッチング量の上限値（１＋α）ｄをエッチング量ｄ２より小さくするとともに、中層ｂを可動部から確実に隔離するためには、実際のエッチング量の下限値（１−α）ｄをエッチング量ｄ１より大きくする必要がある。したがって、目標エッチングｄと各エッチング量ｄ２，ｄ１の関係は下記数３及び数４のように表される。
【００３８】
【数３】
（１＋α）ｄ＜ｄ２
【００３９】
【数４】
（１−α）ｄ＞ｄ１
上記数３に上記数１及び数２を代入すると、同数３は下記数５のように変形されるとともに、上記数４に上記ｄ１及び数２を代入すると、同数４は下記数６のように変形される。
【００４０】
【数５】

【００４１】
【数６】

【００４２】
上記数５及び数６を解くと、下記数７が求められる。
【００４３】
【数７】

【００４４】
すなわち、可動部の幅Ｘを、エッチング誤差αを考慮して上記数７に示す関係を満たすように設定すれば、可動部直下の中層による突起と可動部との隔離を確実に行えるとともに、可動部直下における中層による突起の欠落を確実に回避することができるようになる。
【００４５】
上記変形例に係る半導体装置の製造方法においては、上記実施形態と同様に半導体装置をウェットエッチングして、可動部の水平方向外側直下の中層ｂのエッチング厚さを測定し、この測定の結果、可動部の水平方向外側直下の中層ｂが残っている場合のみ、上記第４工程と同様にドライエッチングを行い、可動部の水平方向外側直下の中層ｂが残っていない場合、上記第４工程を実施する必要はない。これによっても、下層ａ上の中層ｂが可動部の水平方向外側直下にて切断され、水平方向に中層ｂが連続して形成されることがなくなる。その結果、中層ｂに生じる熱応力を開放させることができるので、中層ｂの熱膨張により半導体装置に反りが発生することもなくなり、半導体装置の所期の動作が確保されるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の概略平面図である。
【図２】（Ａ）は図１に示す半導体装置の２Ａ−２Ａ線に沿った部分端面図であり、（Ｂ）は同装置の２Ｂ−２Ｂ線に沿った端面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の２Ａ−２Ａ線に沿った部分の製造工程図である。
【図４】図１に示す半導体装置の２Ｂ−２Ｂ線に沿った部分の製造工程図である。
【図５】可動部の幅と中層の厚さとの関係を説明するための図である。
【図６】エッチング誤差を考慮して可動部の幅と中層の厚さとの関係を説明するための図である。
【符号の説明】
１０…基板、１１ａ〜１１ｄ…梁、１２ａ〜１２ｄ…アンカ、１３，４２ａ，４２ｂ，５２ａ，５２ｂ…電極パッド、２０…振動子、２１…貫通孔、２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ，４０ａ，４０ｂ，５０ａ，５０ｂ…櫛歯状電極、３１，３２…突起、４１ａ，４１ｂ，５１ａ，５１ｂ…パッド部、ａ…下層、ｂ…中層、ｃ…上層。

Claims

上層、中層及び下層の３層からなり、上層の一部をその直下に位置する中層から隔離して下層に対して変位可能な可動部を形成する半導体装置の製造方法において、
前記可動部の水平方向外側に位置する前記上層の一部を除去する上層除去工程と、
前記上層の一部を除去した前記可動部の水平方向外側位置にて前記中層のウェットエッチングを行って、前記可動部をその直下にて前記中層から隔離するとともに同可動部の直下に位置する前記中層に突起を形成する突起形成工程と、
この突起形成工程後に前記上層の一部を除去した前記可動部の水平方向外側直下に残った前記中層をドライエッチングにより除去する中層除去工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記突起形成工程におけるウェットエッチングの終了後に、前記上層の一部を除去した可動部の水平方向外側直下に残った中層の厚さを測定して同中層が前記可動部から離間したことを確認するようにした請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記中層の厚み（Ｙ）と前記可動部の水平方向の幅（Ｘ）との間にＹ＞Ｘ／２という関係が成立するように前記可動部を形成したことを特徴とする請求項１に記載した半導体装置の製造方法。
前記突起形成工程にて、前記上層の一部を除去した前記可動部の水平方向外側に位置する前記中層を同可動部の水平方向端部から同端部下端を中心とする所定半径の断面円弧状分だけウェットエッチングするようにしたことを特徴とする請求項１に記載した半導体装置の製造方法。
前記突起形成工程にて、前記中層の厚み（Ｙ）と前記可動部の水平方向の幅（Ｘ）の関係がＹ＞Ｘ／２となるように前記可動部の幅を定めて前記中層のウェットエッチングを行うようにした請求項４に記載した半導体装置の製造方法。