JP3548042B2 - 導波路型光デバイス - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、40GHz以上の広帯域で使用できる導波路型光デバイスに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
現在、通信容量が飛躍的に増大しており、アナログ領域では、キャリア周波数が、マイクロ波帯(数GHz)からミリ波帯(30GHz以上)へと高周波化が進んでいる。このため、40GHz以上の広帯域で使用できる高速導波路型光デバイスが要請されている。
導波路型光デバイスとしては、電気光学効果を有する材質からなる基板上に、接地電極、信号電極および光導波路を形成し、信号電極にマイクロ波信号電圧を印加し、光導波路を伝搬する光波を変調する光デバイスが知られている。
こうした光デバイスにおいては、特定の周波数において、いわゆる「ロスディップ」と呼ばれる、伝送特性が劣化する問題があった。こうした光デバイスの使用可能な周波数帯域は、ロスディップの生ずる最低周波数(以下、ロスディップ周波数と呼ぶ)以下に制限される。
【0003】
導波路型光デバイスにおいて、ロスディップ周波数を高周波側へとシフトさせる方法は、例えば、特許第2669097号公報に開示されている。この公報によれば、導波路型光デバイスにおいて、外部電源と進行波型信号電極との接続部分で、基板の断面方向に誘電体共振器を形成し、その共振周波数においては、マイクロ波電力のうちのほとんどが基板側に漏洩し、このため光波に変調がかからないという問題があった。そして、このロスディップ周波数fcが、
fc=co/(2Nmd)
で与えられることを実験的に見いだしたと記載されている(coは、真空中の光速、Nmはマイクロ波の実効屈折率、dは長方形の基板断面における対角線の長さである)。そして、この発明の課題は、ロスディップ周波数を10GHz帯にシフトさせることであった。この結果、光導波路と垂直な基板断面の最も長くなる長さ(通常は対角線の長さ)dと、この方向へのマイクロ波の実効屈折率Nmとの積Nmdを、0.8mmより大きく、11mmよりも小さくすることによって、共振ピークの周波数を10GHz以上へとシフトさせることに成功したとされている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、基板の断面方向の対角線の長さdを小さくすることにより、ロスディップ周波数を高周波側にシフトさせる方法には、限界がある。即ち、前記特許公報において想定されている周波数帯よりも高周波帯で光デバイスを使用する場合には、基板の寸法が取り扱い不可能なほどに小さくなるという問題がある。
【0005】
例えば、基板の材料としてニオブ酸リチウム単結晶を使用し、基板の厚さを0.5mmとする。マイクロ波の実効屈折率Nmは、Z軸方向(基板断面の厚さ方向)では5.36であり、X、Y軸方向では6.59である。これらのデータを前提とし、上記の数式から、ロスディップ周波数を試算してみると、図1のグラフのように、ロスディップ周波数が10GHzの場合、dは2.3mm、20GHzの場合、dは1.2mm、30GHzの場合,dは0.8mmとなり、また、d=0.6mmとして試算すると、ロスディップ周波数は40GHzとなるが、その場合の基板の幅は0.4mmとなる。
【0006】
これらの結果から判るように、ロスディップ周波数を40GHz以上にシフトさせるためには、基板の厚み、幅を更に小さくし、即ち、基板の幅、もしくは厚さを0.4mm以下にする必要があり、基板の強度、作業性等を考慮した場合、現実的ではないことが判明した。
【0007】
本発明の課題は、導波路型の光デバイスにおいて、40GHz以上の周波数領域に、ロスディップ周波数をシフトさせることによって、40GHz以上の広帯域で実質的に使用可能な導波路型光デバイスを提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、40GHz以上の広帯域で使用するための導波路型光デバイスであって、電気光学効果を有する材質を含む基板と、この基板に形成されている光導波路と、光導波路を伝搬する光波を制御するために基板上に設けられている進行波型の信号電極と、少なくとも一つの接地電極とを備えており、信号電極が、入力部、作用部および出力部を備えており、入力部と作用部との間の曲部および出力部と作用部との間の曲部の少なくとも一方の幅方向の中心線が、75μm以上の曲率半径(以下、「中心線曲率半径」と言う)を有することを特徴とする。
【0009】
本発明者は、ロスディップの発生原因である、信号電極に印加されたマイクロ波信号の基板への放射ポイントについて、鋭意研究を重ねた結果、信号電極の入力部または出力部と作用部との間に構成されている曲部において、基板内にマイクロ波信号の一部が放射されることを確認した。この基板内への放射によって、マイクロ波信号と、本来の光変調には望ましくない基板モードとが結合を起こす。即ち、信号電極から基板内へと漏れだしたマイクロ波信号が、基板モードを励振し、共振現象を生じさせ、ロスディップを発生させるわけである。
【0010】
そこで、信号電極の入力部と作用部との間の曲部と、出力部と作用部との間の曲部との少なくとも一方の中心線曲率半径を大きくすることによって、その曲部から基板内に放射するマイクロ波信号の放射量を抑制し、これによって共振現象を発生させるエネルギーの漏出を抑制し、ロスディップ周波数を高周波側へとシフトさせることに成功した。
【0011】
また、本発明者が見いだしたところでは、前記信号電極の入力部と作用部との間の曲部におけるマイクロ波信号の漏出エネルギーの方が、出力部と作用部との間の曲部におけるマイクロ波信号の漏出エネルギーよりも大きく、この結果、入力部と作用部との間の曲部の中心線曲率半径を75μm以上とすることが、ロスディップ周波数を40GHz以上の高周波側へとシフトさせる上で、より一層効果的であった。
【0012】
特に好ましくは、入力部と作用部との間の曲部および出力部と作用部との間の曲部の両方が、75μm以上の中心線曲率半径を有している。また、本発明において、入力部と作用部との間の曲部および出力部と作用部との間の曲部との少なくとも一方の中心線曲率半径は、100μm以上とすることが特に好ましい。
【0013】
なお、入力部と作用部との間の曲部と出力部と作用部との間の曲部との一方の中心線曲率半径を75μm以上とし、他方の中心線曲率半径を75μm未満とした場合には、他方の中心線曲率半径は50μm以上とすることが特に好ましい。
【0014】
本発明においては、信号電極の少なくとも一方の側に接地電極を設けるが、特に好ましくは、いわゆる対称型の接地電極配置(進行波型の信号電極の両側に、少なくとも一対の接地電極が設けられているもの)を採用する。このように、信号電極を挟んで接地電極を対称に配置することによって、信号電極から出力されるマイクロ波は、信号電極の左右に配置された接地電極に印加されやすくなるので、マイクロ波の基板側への放射を、より一層抑圧できる。
【0015】
基板の材質としては、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体等の電気光学結晶が特に好ましい。光導波路の形成方法としては、チタン拡散法等の内拡散法やプロトン交換法を利用できる。また、本発明の導波路型光デバイスは、光変調器、光位相変調器、偏波スクランブラ、光スイッチング素子、光コンピューター用の光論理素子等として好適に使用できる。
【0016】
図2(a)は、本発明の導波路型光デバイスの一例を示す平面図であり、図2(b)は、図2(a)のI−I線断面図である。光デバイス11は、いわゆるマッハツェンダー型の変調器である。基板1の主面には、例えばチタン拡散光導波路3が形成されている。光導波路3は、入力部3a、分岐部分3b、3cおよび出力部3dからなる。また、基板1の主面に、一対の接地電極4、5と、一対の接地電極に挟まれた信号電極2とが設けられている。各接地電極4、5と信号電極2との間は、絶縁領域である。
【0017】
本例の光デバイスにおいては、動作速度を一層向上させる目的で、いわゆるコプレナーウエーブガイド型(CPW)の形態を有する接地電極および信号電極を使用している。信号電極2は,入力部2a、作用部2b、出力部2c、入力側の曲部2dおよび出力側の曲部2eからなる。7は信号電極の幅方向の中心線である。本発明に従い、曲部2dと2eとの少なくとも一方の中心線曲率半径Rを、75μm以上とする。
【0018】
【実施例】
図2に示すような光デバイス11を製造した。Zカットのニオブ酸リチウムのウエハー上に、フォトリソグラフィー法によって、チタンをパターニングし、熱拡散法によってチタンを拡散させ、光導波路3を形成した。この際の条件は、チタンの厚さを800オングストロームとし、拡散温度を1000℃とし、拡散時間を20時間とした。基板1の主面に、SiO2の絶縁バッファー層を形成した(厚さ0.5−2μm)。次いで、これらの上に厚さ15−30μmの金属メッキからなる電極2、4、5を形成した。次いでウエハーを切断し、光デバイス11を作製した。ただし、基板1の長さは60mmとし、厚さは0.5mmとし、幅は0.8mmとした。
【0019】
各光デバイスにおいて、入力部2aと作用部2bとの間の曲部2d、および出力部2cと作用部2bとの間の曲部2eの中心線曲率半径Rを、表1に示すように変更した。
【0020】
各光デバイスと測定器との間を高周波ケーブルで接続した。測定器から、周波数が徐々に変わるスイープ信号を出力し、0−75GHzの各周波数における伝送特性を測定し、ロスディップ周波数を確認した。この結果を表1に示す。また、図3には、入力部2aと作用部2bとの間の曲部2dと、出力部2cと作用部2bとの間の曲部2eとの中心線曲率半径Rを50μmとしたときの、周波数と光伝送特性との測定結果を示し(比較例1)、図4には、曲部2eの中心線曲率半径Rを50μmとし、曲部2dの中心線曲率半径Rを75μmとしたときの、周波数と光伝送特性との測定結果を示す(実施例1)。
【0021】
【表1】
【0022】
以上のように、本発明に従い、信号電極の入力部と作用部との間の曲部の中心線曲率半径を75μm以上とすることによって、ロスディップ周波数が著しく高周波側へとシフトし、特に40GHz以上の高周波領域へとシフトさせることができた。
【0023】
【発明の効果】
本発明によれば、導波路型の光デバイスにおいて、40GHz以上の周波数領域に、ロスディップが発生する最小周波数をシフトさせることによって、40GHz以上の広帯域で実質的に使用可能な導波路型光デバイスを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】特願平2−52021号公報に基づく、基板断面の対角線の長さdとロスディップ周波数の計算値との関係を示すグラフである。
【図2】本発明の実施例に係る光デバイス11を示す平面図、及びそのI−I線断面図である。
【図3】図2の光デバイスにおいて、信号電極2の曲部2eと曲部2dとの中心線曲率半径Rを50μmとしたときの、周波数と光伝送特性との測定結果およびロスディップ周波数を示すグラフである。
【図4】図2の光デバイスにおいて、信号電極2の曲部2eの中心線曲率半径Rを50μmとし、曲部2dの中心線曲率半径Rを75μmとしたときの、周波数と光伝送特性との測定結果およびロスディップ周波数を示すグラフである。
【符号の説明】
1 基板、2 信号電極、2a 入力部、2b 作用部、2c 出力部、2d 入力部2aと作用部2bとの間の曲部、2e 出力部2cと作用部2bとの間の曲部、3 光導波路、4、5 接地電極、7 信号電極の幅方向の中心線、11
導波路型光デバイス、R 中心線曲率半径
Claims (2)
- 40GHz以上の広帯域で使用するための導波路型光デバイスであって、
電気光学効果を有する材質を含む基板と、この基板に形成されている光導波路と、光導波路を伝搬する光波を制御するために基板上に設けられている進行波型の信号電極と、少なくとも一つの接地電極とを備えており、前記信号電極が、入力部、作用部および出力部を備えており、入力部と作用部との間の曲部および出力部と作用部との間の曲部の少なくとも一方の幅方向の中心線が、75μm以上の曲率半径を有することを特徴とする、導波路型光デバイス。 - 前記信号電極の入力部と作用部との間の曲部の幅方向の中心線が、75μm以上の曲率半径を有することを特徴とする、請求項1記載の導波路型光デバイス。
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