JP3541326B2 - 半導体基板の処理装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は半導体基板の処理装置、特にセラミック基体の中央部に金属板を被着せしめて成る半導体基板の処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体基板は、所望サイズの金属板、例えば銅板をこれより十分に大きいセラミック基体上に被着し、研磨し、パターン付けの後セラミック基体の周縁部を治具により折り曲げ、除去している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
然しながら、従来においては上記半導体基板におけるセラミック基体の周縁部の折り曲げ除去等は人手によって行なっており、極めて非能率的であると共に、コスト高となる欠点があった。
【０００４】
本発明は上記の欠点を除くようにしたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体基板の処理装置は、半導体基板を前、後方向に移動自在に支持する搬送手段と、この搬送手段の前、後及び左、右に配置したブレイクカッターと、上記搬送手段の左、右に配置した右、左基板寄せ機構と、上記半導体基板を固定する固定手段とより成り、上記半導体基板を前、後、左、右で位置決めした状態で上記ブレイクカッターを駆動し、上記半導体基板におけるセラミック基体の周縁部を切断するようにしたセラミック基体周縁部切断装置を有することを特徴とする。
【０００８】
【実施例】
以下図面によって本発明の実施例を説明する。
【０００９】
図１及び図２は本発明の半導体基板の処理装置を示し、１はパターン付けのためのエッチング機、２はエスケープ機構部、３は反転装置、４はセラミック基体周縁部切断装置、５は半導体基板ストック装置である。
【００１０】
図３は、金属板、例えば銅板６と、これを被着した上記銅板６より十分に大きいセラミック基体７とより成る半導体基板８を示し、上記セラミック基体７は上記銅板６の外周より例えば５ｍｍ大きい枠部分に切断用割り溝９を有し、上記銅板６に対するパターン付けのためのエッチング処理後上記割り溝９の部分で上記セラミック基体７の周縁部１０が折り曲げ、除去される。
【００１１】
また、このようにした半導体基板８はエッチング処理に際し表，裏が逆になる場合もあり、その後の処理に支障をきたすようになる。
【００１２】
上記セラミック基体７の一つのコーナーに面取り１１を形成し、この面取り１１の位置をセンサー（図示せず）により検出して基板が裏向きになっていると判定された場合、上記反転装置３によって補正せしめる。
【００１３】
上記反転装置３は、図１に示すように半導体基板８の先端部を挾持する基板受け１２と、この基板受け１２を半導体基板８と共に垂直面内で１８０°回転する反転手段１３と、上記基板受け１２を垂直面内で例えば９０°回転した位置で、回転半径を軸として、この場合には垂直となった軸のまわりに１８０°回転する回転手段１４とより成り、上記センサーによって半導体基板８の向きが反対となっていると判定された場合には、上記半導体基板８の先端を基板受け１２によって挾持した後、この基板受け１２を上記反転手段１３により垂直面内で１８０°回転せしめる。これにより半導体基板８の向きが正常となる。
【００１４】
また、上記半導体基板８の向きが正常であると判定された場合には、半導体基板８を上記基板受け１２によって垂直面内で例えば９０°回動して垂直ならしめた状態で、上記回転手段１４により上記基板受け１２を半導体基板８と共に回転半径を軸として、この場合には垂直となった軸の周りに１８０°回転し、その後上記反転手段１３によって上記基板受け１２を更に垂直面内で９０°回動して上記セラミック基体周縁部切断装置４に送るようにする。この場合には半導体基板８の向きは正常のままとなる。
【００１５】
本発明のセラミック基体周縁部切断装置４は、図４及び図５に示すように水平方向に順次に配列された基板投入コンベアー１５と、ブレイクコンベアー１６と、基板排出コンベアー１７と、上記基板投入コンベアー１５とブレイクコンベアー１６間に介挿した基板ストッパー１８及び上流側ブレイクカッター１９と、上記ブレイクコンベアー１６と基板排出コンベアー１７間に介挿した下流側ブレイクカッター２０と、上記ブレイクコンベアー１６の幅方向の左右に夫々配置した左方ブレイクカッター２１及び右方ブレイクカッター２２、及び幅方向に移動自在な右基板寄せ機構２３及び左基板寄せ機構２４と、上記ブレイクコンベアー１６の上方に配置した基板押え２５と、上記基板ストッパー１８、ブレイクカッター１９〜２２及び基板押え２５を夫々駆動するシリンダー２６〜３１とにより構成する。
【００１６】
なお、上記ブレイクコンベアー１６は、例えば搬送方向と直角方向に延びる軸を有し、搬送方向に互いに離間した複数のローラーより成るローラーコンベアーであり、上記右、左基板寄せ機構２３，２４は、例えば上記ローラー間を通って左、右方向に移動自在な棒状体である。
【００１７】
本発明のセラミック基体周縁部切断装置４は上記のような構成であるから、反転装置３を介して基板投入コンベアー１５に送られた半導体基板８を、ストッパー上下シリンダー２６によって基板ストッパー１８を下動して停止せしめ、送り方向に整列せしめる。
【００１８】
次いで上記基板ストッパー１８を開き、半導体基板８を基板投入コンベアー１５及びブレイクコンベアー１６によって移動し、下流側ブレイクカッター２０によって半導体基板８のセラミック基体７の先端を位置決めし、右基板寄せ機構２３によってセラミック基体７の右端を右方ブレイクカッター２２に押し付け、これによってセラミック基体７の前端及び右端を位置決めし、基板押えシリンダー３１を付勢し、基板押え２５を下降して基板８を固定する。
【００１９】
この状態でシリンダー２８，３０によりブレイクカッター２０，２２を上昇してセラミック基体７の前端及び右端の周縁部１０を割り溝９の部分で切断する。
【００２０】
次いで基板押え２５を上動し、ブレイクコンベアー１６によって半導体基板８を上流側ブレイクカッター１９に向かって逆走してセラミック基体７の後端を位置決めし、また、左基板寄せ機構２４によってセラミック基体７の左端を左方ブレイクカッター２１に押し付けて位置決めし、ブレイクカッター１９、２１により上記と同様の操作で残りの周縁部１０を切断せしめる。
【００２１】
周縁部切断終了後、半導体基板８を基板排出コンベアー１７によって半導体基板ストック装置５に供給する。
【００２２】
上記半導体基板ストック装置５は、図６に示すように基板排出コンベアー１７の下流端から下方に傾斜して延びるシューター３２と、このシューター３２の下側に水平に配置した遊動ベルトコンベアー３３と、このベルトコンベアー３３のベルト３４の上側走行部分の上流側に突出して設けた、半導体基板８を斜めに保持するためのストックガイド３５と、上記シューター３２の下端部にその表面から突出自在に設けたストッパー３６と、このストッパー３６を上記表面から回動して引き込めるための回動枢支軸３７と、上記シューター３２の裏面に対接し、上記シューターをその下端を基点として傾動せしめるための基板押し出しブロック３８と、この基板押し出しブロック３８の駆動シリンダー３９とより成る。
【００２３】
なお、半導体基板ストック装置５においては、シューター３２にガイドされて下降した半導体基板８は、ストッパー３６により停止せしめ、その後上記ストッパー３６を上記回動枢支軸３７を中心として回動することによってシューター３２の表面から引き込め半導体基板８の下端が上記ベルト３４迄下降し保持されるようにする。
【００２４】
また、この状態で駆動シリンダー３９を付勢して基板押し出しブロック３８を水平方向に前進せしめ、この結果シューター３２がその下端を基点として図６において時計方向に垂直ラインを越えて回動されるようにする。
【００２５】
半導体基板ストック装置５は上記のような構成であるから、基板排出コンベアー１７からシューター３２上に供給された半導体基板８はシューター３２の回動によってストックガイド３５の傾斜ストック面により斜めに保持され、順次半導体基板８がベルト３４上に斜めに積層された状態となる。
【００２６】
なお、４０は上記ベルト３４を遊動自在に支持するローラー、４１はベルト３４の上方走行部分を撓まないように支持するベルトガイド、４２はベルト３４に張力を加えるための張力印加手段である。
【００２７】
【発明の効果】
本発明の半導体基板の処理装置は上記のような構成であるから、反転装置３により半導体基板を常時正しい向きでセラミック基体周縁部切断装置４に供給でき、ここで人手や治具を用いることなくいかなる厚さ、サイズのものでも簡単且つ容易に自動的にセラミック基体周縁部を切断できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体処理装置の正面図である。
【図２】本発明の半導体処理装置の平面図である。
【図３】本発明の半導体処理装置によって処理する半導体基板の平面図である。
【図４】本発明のセラミック基体周縁部切断装置の正面図である。
【図５】本発明のセラミック基体周縁部切断装置の側面図である。
【図６】本発明の半導体基板ストック装置の正面図である。
【符号の説明】
１ エッチング機
２ エスケープ機構部
３ 反転装置
４ セラミック基体周縁部切断装置
５ 半導体基板ストック装置
６ 銅板
７ セラミック基体
８ 半導体基板
９ 切断用割り溝
１０ 周縁部
１１ 面取り
１２ 基板受け
１３ 反転手段
１４ 回転手段
１５ 基板投入コンベアー
１６ ブレイクコンベアー
１７ 基板排出コンベアー
１８ 基板ストッパー
１９ 上流側ブレイクカッター
２０ 下流側ブレイクカッター
２１ 左方ブレイクカッター
２２ 右方ブレイクカッター
２３ 右基板寄せ機構
２４ 左基板寄せ機構
２５ 基板押え
２６ シリンダー
２７ シリンダー
２８ シリンダー
２９ シリンダー
３０ シリンダー
３１ シリンダー
３２ シューター
３３ ベルトコンベアー
３４ ベルト
３５ ストックガイド
３６ ストッパー
３７ 回動枢支軸
３８ 基板押し出しブロック
３９ 駆動シリンダー
４０ ローラー
４１ ベルトガイド
４２ 張力印加手段
【産業上の利用分野】
本発明は半導体基板の処理装置、特にセラミック基体の中央部に金属板を被着せしめて成る半導体基板の処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体基板は、所望サイズの金属板、例えば銅板をこれより十分に大きいセラミック基体上に被着し、研磨し、パターン付けの後セラミック基体の周縁部を治具により折り曲げ、除去している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
然しながら、従来においては上記半導体基板におけるセラミック基体の周縁部の折り曲げ除去等は人手によって行なっており、極めて非能率的であると共に、コスト高となる欠点があった。
【０００４】
本発明は上記の欠点を除くようにしたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体基板の処理装置は、半導体基板を前、後方向に移動自在に支持する搬送手段と、この搬送手段の前、後及び左、右に配置したブレイクカッターと、上記搬送手段の左、右に配置した右、左基板寄せ機構と、上記半導体基板を固定する固定手段とより成り、上記半導体基板を前、後、左、右で位置決めした状態で上記ブレイクカッターを駆動し、上記半導体基板におけるセラミック基体の周縁部を切断するようにしたセラミック基体周縁部切断装置を有することを特徴とする。
【０００８】
【実施例】
以下図面によって本発明の実施例を説明する。
【０００９】
図１及び図２は本発明の半導体基板の処理装置を示し、１はパターン付けのためのエッチング機、２はエスケープ機構部、３は反転装置、４はセラミック基体周縁部切断装置、５は半導体基板ストック装置である。
【００１０】
図３は、金属板、例えば銅板６と、これを被着した上記銅板６より十分に大きいセラミック基体７とより成る半導体基板８を示し、上記セラミック基体７は上記銅板６の外周より例えば５ｍｍ大きい枠部分に切断用割り溝９を有し、上記銅板６に対するパターン付けのためのエッチング処理後上記割り溝９の部分で上記セラミック基体７の周縁部１０が折り曲げ、除去される。
【００１１】
また、このようにした半導体基板８はエッチング処理に際し表，裏が逆になる場合もあり、その後の処理に支障をきたすようになる。
【００１２】
上記セラミック基体７の一つのコーナーに面取り１１を形成し、この面取り１１の位置をセンサー（図示せず）により検出して基板が裏向きになっていると判定された場合、上記反転装置３によって補正せしめる。
【００１３】
上記反転装置３は、図１に示すように半導体基板８の先端部を挾持する基板受け１２と、この基板受け１２を半導体基板８と共に垂直面内で１８０°回転する反転手段１３と、上記基板受け１２を垂直面内で例えば９０°回転した位置で、回転半径を軸として、この場合には垂直となった軸のまわりに１８０°回転する回転手段１４とより成り、上記センサーによって半導体基板８の向きが反対となっていると判定された場合には、上記半導体基板８の先端を基板受け１２によって挾持した後、この基板受け１２を上記反転手段１３により垂直面内で１８０°回転せしめる。これにより半導体基板８の向きが正常となる。
【００１４】
また、上記半導体基板８の向きが正常であると判定された場合には、半導体基板８を上記基板受け１２によって垂直面内で例えば９０°回動して垂直ならしめた状態で、上記回転手段１４により上記基板受け１２を半導体基板８と共に回転半径を軸として、この場合には垂直となった軸の周りに１８０°回転し、その後上記反転手段１３によって上記基板受け１２を更に垂直面内で９０°回動して上記セラミック基体周縁部切断装置４に送るようにする。この場合には半導体基板８の向きは正常のままとなる。
【００１５】
本発明のセラミック基体周縁部切断装置４は、図４及び図５に示すように水平方向に順次に配列された基板投入コンベアー１５と、ブレイクコンベアー１６と、基板排出コンベアー１７と、上記基板投入コンベアー１５とブレイクコンベアー１６間に介挿した基板ストッパー１８及び上流側ブレイクカッター１９と、上記ブレイクコンベアー１６と基板排出コンベアー１７間に介挿した下流側ブレイクカッター２０と、上記ブレイクコンベアー１６の幅方向の左右に夫々配置した左方ブレイクカッター２１及び右方ブレイクカッター２２、及び幅方向に移動自在な右基板寄せ機構２３及び左基板寄せ機構２４と、上記ブレイクコンベアー１６の上方に配置した基板押え２５と、上記基板ストッパー１８、ブレイクカッター１９〜２２及び基板押え２５を夫々駆動するシリンダー２６〜３１とにより構成する。
【００１６】
なお、上記ブレイクコンベアー１６は、例えば搬送方向と直角方向に延びる軸を有し、搬送方向に互いに離間した複数のローラーより成るローラーコンベアーであり、上記右、左基板寄せ機構２３，２４は、例えば上記ローラー間を通って左、右方向に移動自在な棒状体である。
【００１７】
本発明のセラミック基体周縁部切断装置４は上記のような構成であるから、反転装置３を介して基板投入コンベアー１５に送られた半導体基板８を、ストッパー上下シリンダー２６によって基板ストッパー１８を下動して停止せしめ、送り方向に整列せしめる。
【００１８】
次いで上記基板ストッパー１８を開き、半導体基板８を基板投入コンベアー１５及びブレイクコンベアー１６によって移動し、下流側ブレイクカッター２０によって半導体基板８のセラミック基体７の先端を位置決めし、右基板寄せ機構２３によってセラミック基体７の右端を右方ブレイクカッター２２に押し付け、これによってセラミック基体７の前端及び右端を位置決めし、基板押えシリンダー３１を付勢し、基板押え２５を下降して基板８を固定する。
【００１９】
この状態でシリンダー２８，３０によりブレイクカッター２０，２２を上昇してセラミック基体７の前端及び右端の周縁部１０を割り溝９の部分で切断する。
【００２０】
次いで基板押え２５を上動し、ブレイクコンベアー１６によって半導体基板８を上流側ブレイクカッター１９に向かって逆走してセラミック基体７の後端を位置決めし、また、左基板寄せ機構２４によってセラミック基体７の左端を左方ブレイクカッター２１に押し付けて位置決めし、ブレイクカッター１９、２１により上記と同様の操作で残りの周縁部１０を切断せしめる。
【００２１】
周縁部切断終了後、半導体基板８を基板排出コンベアー１７によって半導体基板ストック装置５に供給する。
【００２２】
上記半導体基板ストック装置５は、図６に示すように基板排出コンベアー１７の下流端から下方に傾斜して延びるシューター３２と、このシューター３２の下側に水平に配置した遊動ベルトコンベアー３３と、このベルトコンベアー３３のベルト３４の上側走行部分の上流側に突出して設けた、半導体基板８を斜めに保持するためのストックガイド３５と、上記シューター３２の下端部にその表面から突出自在に設けたストッパー３６と、このストッパー３６を上記表面から回動して引き込めるための回動枢支軸３７と、上記シューター３２の裏面に対接し、上記シューターをその下端を基点として傾動せしめるための基板押し出しブロック３８と、この基板押し出しブロック３８の駆動シリンダー３９とより成る。
【００２３】
なお、半導体基板ストック装置５においては、シューター３２にガイドされて下降した半導体基板８は、ストッパー３６により停止せしめ、その後上記ストッパー３６を上記回動枢支軸３７を中心として回動することによってシューター３２の表面から引き込め半導体基板８の下端が上記ベルト３４迄下降し保持されるようにする。
【００２４】
また、この状態で駆動シリンダー３９を付勢して基板押し出しブロック３８を水平方向に前進せしめ、この結果シューター３２がその下端を基点として図６において時計方向に垂直ラインを越えて回動されるようにする。
【００２５】
半導体基板ストック装置５は上記のような構成であるから、基板排出コンベアー１７からシューター３２上に供給された半導体基板８はシューター３２の回動によってストックガイド３５の傾斜ストック面により斜めに保持され、順次半導体基板８がベルト３４上に斜めに積層された状態となる。
【００２６】
なお、４０は上記ベルト３４を遊動自在に支持するローラー、４１はベルト３４の上方走行部分を撓まないように支持するベルトガイド、４２はベルト３４に張力を加えるための張力印加手段である。
【００２７】
【発明の効果】
本発明の半導体基板の処理装置は上記のような構成であるから、反転装置３により半導体基板を常時正しい向きでセラミック基体周縁部切断装置４に供給でき、ここで人手や治具を用いることなくいかなる厚さ、サイズのものでも簡単且つ容易に自動的にセラミック基体周縁部を切断できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体処理装置の正面図である。
【図２】本発明の半導体処理装置の平面図である。
【図３】本発明の半導体処理装置によって処理する半導体基板の平面図である。
【図４】本発明のセラミック基体周縁部切断装置の正面図である。
【図５】本発明のセラミック基体周縁部切断装置の側面図である。
【図６】本発明の半導体基板ストック装置の正面図である。
【符号の説明】
１ エッチング機
２ エスケープ機構部
３ 反転装置
４ セラミック基体周縁部切断装置
５ 半導体基板ストック装置
６ 銅板
７ セラミック基体
８ 半導体基板
９ 切断用割り溝
１０ 周縁部
１１ 面取り
１２ 基板受け
１３ 反転手段
１４ 回転手段
１５ 基板投入コンベアー
１６ ブレイクコンベアー
１７ 基板排出コンベアー
１８ 基板ストッパー
１９ 上流側ブレイクカッター
２０ 下流側ブレイクカッター
２１ 左方ブレイクカッター
２２ 右方ブレイクカッター
２３ 右基板寄せ機構
２４ 左基板寄せ機構
２５ 基板押え
２６ シリンダー
２７ シリンダー
２８ シリンダー
２９ シリンダー
３０ シリンダー
３１ シリンダー
３２ シューター
３３ ベルトコンベアー
３４ ベルト
３５ ストックガイド
３６ ストッパー
３７ 回動枢支軸
３８ 基板押し出しブロック
３９ 駆動シリンダー
４０ ローラー
４１ ベルトガイド
４２ 張力印加手段
Claims (1)
- 半導体基板を前、後方向に移動自在に支持する搬送手段と、この搬送手段の前、後及び左、右に配置したブレイクカッターと、上記搬送手段の左、右に配置した右、左基板寄せ機構と、上記半導体基板を固定する固定手段とより成り、上記半導体基板を前、後、左、右で位置決めした状態で上記ブレイクカッターを駆動し、上記半導体基板におけるセラミック基体の周縁部を切断するようにしたセラミック基体周縁部切断装置を有することを特徴とする半導体基板の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20301394A JP3541326B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 半導体基板の処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20301394A JP3541326B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 半導体基板の処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0851296A JPH0851296A (ja) | 1996-02-20 |
| JP3541326B2 true JP3541326B2 (ja) | 2004-07-07 |
Family
ID=16466898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20301394A Expired - Fee Related JP3541326B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 半導体基板の処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3541326B2 (ja) |
-
1994
- 1994-08-05 JP JP20301394A patent/JP3541326B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0851296A (ja) | 1996-02-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040113 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040309 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040318 |
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