JP3539408B2 - 電界効果トランジスタ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁ゲート型の電界効果トランジスタに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の電界効果トランジスタとしては、例えば特開平2−7571号公報に記載されたものがある。図10は上記従来例の構造を示す断面図である。
【0003】
図10において、N型Si基板120上に、ゲート絶縁膜40を介してゲート電極60が形成されている。また、ゲート電極60と絶縁膜50により絶縁されて、ソース電極70が形成されている。ソース電極70は、N型Si基板120とショットキー接続80を形成している。また、N型Si基板120の裏面にはドレイン電極90が形成されている。
【0004】
この従来例の動作は、以下の通りである。ゲート電極60が接地されている時、ドレイン電極90に正の電圧が印加された場合は、通常のショットキーダイオードの逆方向バイアス特性と同じである。すなわち、ドレイン電圧Vdsがブレイクダウン電圧Vbになるまでは、ドレイン電極90とソース電極70との間には電流は流れず、ドレイン電圧Vdsがブレイクダウン電圧Vb以上になるとトンネル現象によりドレイン電極90とソース電極70との間に電流が流れ始める。
【0005】
また、ドレイン電極90とソース電極70との間に電圧が印加された状態で、ゲート電極60に電圧が印加されると、ショットキー接続80のうちゲート電極60に隣接される部分に高電界が作用し、電界集中によりショットキー障壁層の見掛け上の厚さが薄くなるトンネル現象によりドレイン電極90とソース電極70との間に電流が流れる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図10に示した従来例においては、ドレイン電極に高電圧が印加された時、ゲート絶縁膜40に電圧が加わるので、半導体基板とゲート絶縁膜との間の界面準位に電子が注入され、ゲート絶縁膜の耐圧が徐々に低下し、電界効果トランジスタの信頼性が低下するという問題点があった。
【0007】
また、高いドレイン電圧まで電界効果トランジスタを動作させるためには、ショットキー接続80によるショットキーダイオードの高いブレイクダウン電圧が必要となる。しかし高いブレイクダウン電圧を得るには、ショットキー障壁高さが高く、またN型Si基板の不純物濃度が低いほうが望ましいが、逆にゲート電圧によって素子をオンさせるためには、高いゲート電圧が必要となり、ゲート電圧による駆動が困難となるという問題点があった。
【0008】
以上の問題点に鑑み、本発明の目的は、ゲート絶縁膜の信頼性を高めた電界効果トランジスタを提供することである。
【0009】
また本発明の目的は、電界効果トランジスタに内蔵したショットキーダイオードのブレイクダウン電圧を高めると共に低いゲート電圧で容易に駆動できる電界効果トランジスタを提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は、上記目的を達成するために、第1導電型の半導体基板と、該半導体基板の一主面の一部の領域に接合してショットキー接合を形成する金属ソース電極と、前記半導体基板と前記金属ソース電極とのショットキー接合部に隣接した前記半導体基板の一主面の平坦な領域にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記半導体基板にオーミック接続するドレイン電極と、を具備した電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極にゲート絶縁膜を介して対向する前記第1導電型の半導体基板表面の一部に、第2導電型の半導体領域を形成したことを要旨とする。
【0011】
請求項2記載の発明は、上記目的を達成するために、請求項1に記載の電界効果トランジスタにおいて、異なるショットキー障壁高さの複数種の金属が前記第1導電型の半導体基板に接合して前記ショットキー接合を形成したことを要旨とする。
【0012】
請求項3記載の発明は、上記目的を達成するために、請求項1または請求項2に記載の電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極にゲート絶縁膜を介して対向する前記第1導電型の半導体基板の一部に、第2の第1導電型の半導体領域が形成されており、該第2の第1導電型の半導体領域が前記金属ソース電極と接続していることを要旨とする。
【0013】
請求項4記載の発明は、上記目的を達成するために、請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の電界効果トランジスタにおいて、前記ショットキー接合が形成されている第1導電型の半導体基板表面の一部に、第2の第2導電型の半導体領域を形成したことを要旨とする。
【0014】
請求項5記載の発明は、上記目的を達成するために、請求項1乃至請求項4の何れか1項に記載の電界効果トランジスタにおいて、前記半導体基板が炭化珪素よりなることを要旨とする。
【0015】
【発明の効果】
請求項1記載の発明によれば、第1導電型の半導体基板と、該半導体基板の一主面の一部の領域に接合してショットキー接合を形成する金属ソース電極と、前記半導体基板と前記金属ソース電極とのショットキー接合部に隣接した前記半導体基板の一主面の平坦な領域にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記半導体基板にオーミック接続するドレイン電極と、を具備した電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極にゲート絶縁膜を介して対向する前記第1導電型の半導体基板表面の一部に、第2導電型の半導体領域を形成したことにより、酸化膜に印加される電界が緩和されるので、ゲート酸化膜の信頼性を向上することができるという効果がある。
【0016】
請求項2記載の発明によれば、請求項1記載の発明の効果に加えて、異なるショットキー障壁高さの複数種の金属が前記第1導電型の半導体基板に接合して前記ショットキー接合を形成したことにより、高いブレイクダウン電圧が得られるとともに、ゲート駆動電圧を低下させることができるという効果がある。
【0017】
請求項3記載の発明によれば、請求項1または請求項2記載の発明の効果に加えて、前記ゲート電極にゲート絶縁膜を介して対向する前記第1導電型の半導体基板の一部に、第2の第1導電型の半導体領域が形成されており、該第2の第1導電型の半導体領域が前記金属ソース電極と接続しているようにしたので、更に高いブレイクダウン電圧が得られるとともに,ゲート電圧による駆動が容易となるという効果がある。
【0018】
請求項4記載の発明によれば、請求項1乃至請求項3記載の発明の効果に加えて、前記ショットキー接合が形成されている第1導電型の半導体基板表面の一部に、第2の第2導電型の半導体領域を形成したことにより、高いブレイクダウン電圧を得ることが容易となるという効果がある。
【0019】
請求項5記載の発明によれば、請求項1乃至請求項4に記載の発明の効果に加えて、前記半導体基板に炭化珪素を用いたので、高温環境下でも動作する電界効果トランジスタを提供することができるという効果がある。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
〔第1の実施形態〕
図1は、本発明に係る電界効果トランジスタの第1の実施形態の構成を説明する断面図である。図1において、N+型SiC基板10の上に、N型SiCエピタキシャル領域20が一面に形成されている。さらに、N型SiCエピタキシャル領域20の表層の一部にP型SiC領域30が離散的に形成されている。また、P型SiC領域30とこれに隣接するN型SiCエピタキシャル領域20との表面にゲート絶縁膜40を介してゲート電極60が形成されている。また、絶縁膜50によってゲート電極60と絶縁されて、ソース電極70が形成されている。このソース電極70の一部とN型SiCエピタキシャル領域20との間にショットキー接続80が形成されている。さらに、N+型SiC基板10の裏面にはオーミック接続によりドレイン電極90が形成されている。
【0021】
以下、本実施形態の電界効果トランジスタの動作を説明する。ゲート電極60が接地されている時、ドレイン電極90に正の電圧が印加された場合は、ドレイン電圧Vdsがブレイクダウン電圧Vbになるまでは、ドレイン電極90とソース電極70との間には電流は流れない。ドレイン電圧Vdsがブレイクダウン電圧Vb以上になるとトンネル現象によりドレイン電極90とソース電極70との間に電流が流れ始める。
【0022】
また、ドレイン電極90とソース電極70との間にブレークダウン電圧未満の電圧が印加された状態で、ゲート電極60に電圧が印加されると、ショットキー接続80のうちゲート電極60に隣接される部分に高電界が作用し、電界集中によりショットキー障壁層の見掛け上の厚さが薄くなるトンネル現象により、ゲート電圧に応じた電流がドレイン電極90とソース電極70との間に流れる。
【0023】
次に、本実施形態の作用を説明する。
ゲート電極60が接地されている時、ドレイン電極90に正の電圧が印加された場合、P型SiC領域30とN型SiCエピタキシャル領域20との間に空乏層が広がり、ゲート絶縁膜40に印加される電界がシールドされるので、ゲート絶縁膜の信頼性向上が可能となる。
【0024】
次に、第1の実施形態の電界効果トランジスタの製造方法を説明する。図2から図6は、第1の実施形態の電界効果トランジスタの製造工程を示す工程順断面図である。
【0025】
まず、図2の工程においては、N+型SiC単結晶基板(以下、N+型SiC基板)10の上に、例えば不純物濃度が1E14〜1E18cm-3のN型SiCエピタキシャル領域20が形成されている。N+型SiC基板10は、例えばSiC多結晶粉末から気相成長法によって、種結晶上に成長させたものである。このとき、ドナー不純物として例えば窒素(N)を含むようにしてN+型とする。
【0026】
次に図3の工程においては、例えば酸化膜よりなる絶縁層25をマスクとして、例えばイオン注入技術により不純物濃度が1E14〜1E20cm-3、深さが0.1μm〜数μmのP型SiC領域30を形成する。P型領域を形成するアクセプター不純物としては、例えば、アルミニウム(Al)、ホウ素(B)、ガリウム(Ga)等が考えられる。
【0027】
次いで、絶縁層25を除去したのち、例えばアルゴン(Ar)等の不活性雰囲気中で900℃〜1800℃の熱処理を行うことにより、各不純物領域を活性化する。
【0028】
次に、図4の工程においては、例えば厚さが10nm(100Å)〜500nm(5000Å)の酸化膜よりなるゲート絶縁膜40と、例えば多結晶シリコンよりなるゲート電極60を所望の領域に形成する。
【0029】
次に、図5の工程においては、絶縁膜50を所望の領域に形成し、ゲート絶縁膜40の一部を除去する。
【0030】
次に、図6の工程においてはソース電極70を形成する。このとき、ソース電極の一部とN型SiCエピタキシャル領域20との間にショットキー接続80が形成されている。こののち、ドレイン電極90を形成して、図1に示す第1実施形態の電界効果トランジスタが得られる。
【0031】
〔第2の実施形態〕
図7は、本発明に係る電界効果トランジスタの第2の実施形態の構造を示す断面図である。図7において、N+型SiC基板10の上に、N型SiCエピタキシャル領域20が一面に形成されている。さらに、N型SiCエピタキシャル領域20の表層の一部にP型SiC領域30が離散的に形成されている。また、P型SiC領域とこれに隣接するN型SiCエピタキシャル領域20との表面にゲート絶縁膜40を介してゲート電極60が形成されている。
【0032】
さらに、絶縁膜50によってゲート電極60と絶縁されて、ソース電極70が形成されている。この時、ソース電極の一部と前記N型SiCエピタキシャル領域との間のショットキー接続80が形成されている。また、N+型SiC基板10の裏面にはオーミック接続によりドレイン電極90が形成されている。さらに、前記ソース電極とショットキー障壁高さの異なる電極100により、第2のショットキー接続85が形成されている。
【0033】
第2のショットキー接続85のショットキー障壁高さをショットキー接続80のショットキー障壁高さより低くすれば、低いゲート電圧でトンネル電流が流れるので、ゲート電圧による駆動が容易となる。また、ゲート電極60が接地されている時、ドレイン電極90に正の電圧が印加された場合、ショットキー接続80から延びた空乏層により、第2のショットキー接続85に印加される電界がシールドされるので、ショットキー障壁高さの低い第2のショットキー接続85を形成してもブレイクダウン電圧の低下を防止することができる。
【0034】
〔第3の実施形態〕
図8は、本発明に係る電界効果トランジスタの第3の実施形態の構造を示す断面図である。図8において、N+型SiC基板10の上に、N型SiCエピタキシャル領域20が一面に形成されている。さらに、N型SiCエピタキシャル領域20の表層の一部にP型SiC領域30が離散的に形成されている。また、P型SiC領域30とこれに隣接するN型SiCエピタキシャル領域20との表面にゲート絶縁膜40を介してゲート電極60が形成されている。
【0035】
また、絶縁膜50によってゲート電極60と絶縁されて、ソース電極70が形成されている。このソース電極70の一部とN型SiCエピタキシャル領域20との間にショットキー接続80が形成されている。また、N+型SiC基板10の裏面にはオーミック接続によりドレイン電極90が形成されている。さらに、N型SiCエピタキシャル領域20の表層には、P型SiC領域30と離間してN型SiC領域110が形成されている。
【0036】
ここで、N型SiCエピタキシャル領域20の濃度よりN型SiC領域110の不純物濃度を高くすれば、低いゲート電圧でトンネル電流が流れるので、ゲート電圧による電界効果トランジスタの駆動が容易となる。また、ゲート電極60が接地されている時、ドレイン電極90に正の電圧が印加された場合、ショットキー接続80から延びた空乏層により、N型SiC領域110に印加される電界がシールドされるので、不純物濃度の高いN型SiC領域110を形成してもブレイクダウン電圧の低下を防止することができる。
【0037】
〔第4の実施形態〕
図9は、本発明に係る電界効果トランジスタの第4の実施形態の構造を示す断面図である。図9においては、図1で示した第1の実施形態の構成に加えて、N型SiCエピタキシャル領域20のショットキー接続部80の一部にP型SiC領域35が形成されている。
【0038】
図9において、ショットキー接続80のショットキー障壁高さをより低くすれば、低いゲート電圧でトンネル電流が流れるので、ゲート電圧による駆動が容易となる。また、ゲート電極60が接地されている時、ドレイン電極90に正の電圧が印加された場合、P型SiC領域30およびP型SiC領域35とN型SiCエピタキシャル領域20との間に空乏層が広がり、ゲート絶縁膜40に印加される電界がシールドされるとともに、ショットキー接続80に印加される電界がシールドされるので、ショットキー障壁高さの低いショットキー接続80を形成してもブレイクダウン電圧の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る電界効果トランジスタの第1の実施形態の構造を説明する断面図である。
【図2】第1の実施形態の電界効果トランジスタの製造方法を説明する工程順断面図(1)である。
【図3】第1の実施形態の電界効果トランジスタの製造方法を説明する工程順断面図(2)である。
【図4】第1の実施形態の電界効果トランジスタの製造方法を説明する工程順断面図(3)である。
【図5】第1の実施形態の電界効果トランジスタの製造方法を説明する工程順断面図(4)である。
【図6】第1の実施形態の電界効果トランジスタの製造方法を説明する工程順断面図(5)である。
【図7】本発明に係る電界効果トランジスタの第2の実施形態の構造を説明する断面図である。
【図8】本発明に係る電界効果トランジスタの第3の実施形態の構造を説明する断面図である。
【図9】本発明に係る電界効果トランジスタの第4の実施形態の構造を説明する断面図である。
【図10】従来例のSi電界効果トランジスタの構造を示す断面図である。
【符号の説明】
10…N+型SiC基板
20…N型SiCエピタキシャル領域
25…絶縁膜
30…P型SiC領域
35…P型SiC領域
40…ゲート絶縁膜
50…絶縁膜
60…ゲート電極
70…ソース電極
80…ショットキー接続
85…第2のショットキー接続
90…ドレイン電極
100…電極
110…N型SiC領域
120…N型Si基板
Claims (5)
- 第1導電型の半導体基板と、該半導体基板の一主面の一部の領域に接合してショットキー接合を形成する金属ソース電極と、前記半導体基板と前記金属ソース電極とのショットキー接合部に隣接した前記半導体基板の一主面の平坦な領域にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記半導体基板にオーミック接続するドレイン電極と、を具備した電界効果トランジスタにおいて、
前記ゲート電極にゲート絶縁膜を介して対向する前記第1導電型の半導体基板表面の一部に、第2導電型の半導体領域を形成したことを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 異なるショットキー障壁高さの複数種の金属が前記第1導電型の半導体基板に接合して前記ショットキー接合を形成したことを特徴とする請求項1に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記ゲート電極にゲート絶縁膜を介して対向する前記第1導電型の半導体基板の一部に、第2の第1導電型の半導体領域が形成されており、該第2の第1導電型の半導体領域が前記金属ソース電極と接続していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記ショットキー接合が形成されている第1導電型の半導体基板表面の一部に、第2の第2導電型の半導体領域を形成したことを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載の電界効果トランジスタ。
- 前記半導体基板が炭化珪素よりなることを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れか1項に記載の電界効果トランジスタ。
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