JP3537918B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザなどの光により
情報の記録、再生、消去などを行う光ディスクに関する
ものであり、特に、透明基板の一方の側に2層以上の記
録層を有し、記録層を他方の側から読み出すこととした
光情報記録媒体に関するものである。
情報の記録、再生、消去などを行う光ディスクに関する
ものであり、特に、透明基板の一方の側に2層以上の記
録層を有し、記録層を他方の側から読み出すこととした
光情報記録媒体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】光ディスクは、高密度、大容量の情報記
録媒体として種々の研究、開発、商品化が行われてい
る。特に近年、マルチメディア時代の到来と共に、光デ
ィスクに動画情報を含む大容量の記憶が可能なような種
々の技術が開発されている。その1つに、片面から多層
の情報を読み出す多層光ディスク技術がある。
録媒体として種々の研究、開発、商品化が行われてい
る。特に近年、マルチメディア時代の到来と共に、光デ
ィスクに動画情報を含む大容量の記憶が可能なような種
々の技術が開発されている。その1つに、片面から多層
の情報を読み出す多層光ディスク技術がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の提案
では、これらの複数の情報面の間は数10μm−数100 μ
mの空気層か、充填されたフォトポリマー層などが使わ
れている。ところがこれらの方法は、工業的には次の欠
点がある。空気層は気圧の変動などでディスクの変形の
問題がある。数10μm−数100 μm のフォトポリマー層
は、紫外線による硬化時間が長く生産性が悪い。また厚
み方向の硬化の程度が不均一となり、情報のエラーが生
じやすい。
では、これらの複数の情報面の間は数10μm−数100 μ
mの空気層か、充填されたフォトポリマー層などが使わ
れている。ところがこれらの方法は、工業的には次の欠
点がある。空気層は気圧の変動などでディスクの変形の
問題がある。数10μm−数100 μm のフォトポリマー層
は、紫外線による硬化時間が長く生産性が悪い。また厚
み方向の硬化の程度が不均一となり、情報のエラーが生
じやすい。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる光情報記
録媒体は、透明基板の一方の側に2層以上の記録層を有
し、記録層を他方の側から読み出すこととした光情報記
録媒体において、該記録層の間に該読み取り光波長での
リタデーションが20nm以下で、かつ膜中の残存溶媒
濃度が0.1重量%以下である液体流延法により製造さ
れた光学等方性のポリカーボネートのシート状成型物を
介在させ、各層別に読み出しを可能としたことを特徴と
する。
録媒体は、透明基板の一方の側に2層以上の記録層を有
し、記録層を他方の側から読み出すこととした光情報記
録媒体において、該記録層の間に該読み取り光波長での
リタデーションが20nm以下で、かつ膜中の残存溶媒
濃度が0.1重量%以下である液体流延法により製造さ
れた光学等方性のポリカーボネートのシート状成型物を
介在させ、各層別に読み出しを可能としたことを特徴と
する。
【0005】また、好ましくは該ポリカーボネートの平
均分子量が20,000以上であることを特徴とする。
均分子量が20,000以上であることを特徴とする。
【0006】本発明の光情報記録媒体は光ディスクなど
のレーザー光などの光学的手段で情報の読み取り、また
は/及び情報の書き込み、または/及び消去を行う媒体
である。
のレーザー光などの光学的手段で情報の読み取り、また
は/及び情報の書き込み、または/及び消去を行う媒体
である。
【0007】本発明の記録媒体は透明基板の一方の側に
2層以上の記録層を有する。この透明基板は広く光ディ
スクに使われているポリカーボネート、ポリメチルメタ
クリレート、ポリオレフィン、エポキシなどの光学的に
透明なプラスチックスや、ガラスである。ただし、これ
らの材料に限定されるものではない。コンパクトディス
ク、レーザディスク、CD-ROM、ビディオディスク、コン
ピュータ用の光ディスクなどでは材料特性と工業的生産
性の利点から射出成型によるポリカーボネート基板が好
ましく使われる。また、複屈折などの光学的特性を改善
するため、平均分子量が20,000未満、特に15,000程度の
ポリカーボネートが特に好ましく使われる。
2層以上の記録層を有する。この透明基板は広く光ディ
スクに使われているポリカーボネート、ポリメチルメタ
クリレート、ポリオレフィン、エポキシなどの光学的に
透明なプラスチックスや、ガラスである。ただし、これ
らの材料に限定されるものではない。コンパクトディス
ク、レーザディスク、CD-ROM、ビディオディスク、コン
ピュータ用の光ディスクなどでは材料特性と工業的生産
性の利点から射出成型によるポリカーボネート基板が好
ましく使われる。また、複屈折などの光学的特性を改善
するため、平均分子量が20,000未満、特に15,000程度の
ポリカーボネートが特に好ましく使われる。
【0008】基板の厚みは光ディスクでは通常1.2mm 、
さらに用途によっては0.8mm や0.6mm がある。本発明で
は特にこの厚みを限定するものではない。
さらに用途によっては0.8mm や0.6mm がある。本発明で
は特にこの厚みを限定するものではない。
【0009】本発明の光情報記録媒体は透明基板の一方
の側に2層以上の記録層を有し、記録層を他方の側から
読み出す。本媒体には2層以上の記録層があり、基板を
介し読み出し光が記録面に入射および反射し、戻り光で
記録情報を読み出す。この2層以上の記録層の情報を読
み出すためには、各層に読み出し光が到達し、また各々
の光反射部からの光が基板を介し読み出しの検知器に戻
る必要がある。このために、本発明の光情報記録媒体の
2層以上の記録層の基板に近い側の記録層は少なくとも
読み出し光を部分的に透過し、基板により遠い側の記録
層の読み取りを可能とすることが必要である。この目的
には、各記録層で部分的光透過を可能とする膜厚の調
整、また記録層の材料の選択が適宜行われる必要があ
る。
の側に2層以上の記録層を有し、記録層を他方の側から
読み出す。本媒体には2層以上の記録層があり、基板を
介し読み出し光が記録面に入射および反射し、戻り光で
記録情報を読み出す。この2層以上の記録層の情報を読
み出すためには、各層に読み出し光が到達し、また各々
の光反射部からの光が基板を介し読み出しの検知器に戻
る必要がある。このために、本発明の光情報記録媒体の
2層以上の記録層の基板に近い側の記録層は少なくとも
読み出し光を部分的に透過し、基板により遠い側の記録
層の読み取りを可能とすることが必要である。この目的
には、各記録層で部分的光透過を可能とする膜厚の調
整、また記録層の材料の選択が適宜行われる必要があ
る。
【0010】本発明の光情報記録媒体の記録層は光によ
り情報の読みだし、または/及び記録、または/及び消
去がおこなわる。これらの記録層には読みだしだけが可
能なROM 型、読みだしと書き込みだけが可能なWORM型、
及び読み出し、書き込み、消去が可能な書き換え可能型
がある。ROM 形は誘電体やAlなどの金属などの光反射膜
を利用するCD、CD-ROMやビディオディスクなどがある。
またWORM型は有機色素などの有機材料やTe合金などの無
機材料を用いるCD-Rやテータ用の追記形ディスクがあ
る。また書き換え型はTbFeCoの材料に代表される光磁気
記録媒体やGeTeSbの材料に代表される相変化記録媒体が
あげられる。なお、本発明の媒体はこれらの材料に限ら
れるものではない。また、本発明の媒体の2層以上の記
録層にはこれらが同種および/または異種あるいは混在
していてもよい。
り情報の読みだし、または/及び記録、または/及び消
去がおこなわる。これらの記録層には読みだしだけが可
能なROM 型、読みだしと書き込みだけが可能なWORM型、
及び読み出し、書き込み、消去が可能な書き換え可能型
がある。ROM 形は誘電体やAlなどの金属などの光反射膜
を利用するCD、CD-ROMやビディオディスクなどがある。
またWORM型は有機色素などの有機材料やTe合金などの無
機材料を用いるCD-Rやテータ用の追記形ディスクがあ
る。また書き換え型はTbFeCoの材料に代表される光磁気
記録媒体やGeTeSbの材料に代表される相変化記録媒体が
あげられる。なお、本発明の媒体はこれらの材料に限ら
れるものではない。また、本発明の媒体の2層以上の記
録層にはこれらが同種および/または異種あるいは混在
していてもよい。
【0011】本発明の記録媒体は、該記録層の間に該読
み取り光波長で光学等方性のポリカーボネートのシート
状成型物を介在させる。該記録層の間とは基板からの距
離が異なり隣接する記録層の間であり、本発明ではここ
に読み取り波長に対し、偏光を含む波面への影響が記録
層に形成されている情報の読み取りに実用的に許容され
る範囲の光学的な擾乱の範囲内であるポリカーボネート
のシート状成型物を介在させる。この光学的な擾乱の範
囲は、記録層の種類などによっても異なるが、光ピック
アップへのサーボ信号への影響と信号レベルなどへの影
響より、リタデーションの値がシート状成型物を厚み方
向にシングルパスで通過する光に対し25nm以下、好まし
くは20nm以下、さらに15nm以下が好ましい。さらに読み
取り光の再生信号へのモジュレーションを小さくし、再
生信号レベルを安定化するためシート状成型物内でのバ
ラツキは5nm 以下が好ましい。
み取り光波長で光学等方性のポリカーボネートのシート
状成型物を介在させる。該記録層の間とは基板からの距
離が異なり隣接する記録層の間であり、本発明ではここ
に読み取り波長に対し、偏光を含む波面への影響が記録
層に形成されている情報の読み取りに実用的に許容され
る範囲の光学的な擾乱の範囲内であるポリカーボネート
のシート状成型物を介在させる。この光学的な擾乱の範
囲は、記録層の種類などによっても異なるが、光ピック
アップへのサーボ信号への影響と信号レベルなどへの影
響より、リタデーションの値がシート状成型物を厚み方
向にシングルパスで通過する光に対し25nm以下、好まし
くは20nm以下、さらに15nm以下が好ましい。さらに読み
取り光の再生信号へのモジュレーションを小さくし、再
生信号レベルを安定化するためシート状成型物内でのバ
ラツキは5nm 以下が好ましい。
【0012】また、高密度光記録は記録スポットを小さ
くすることで、一層の高密度化が達成される。小さなス
ポットサイズの記録を読み出す、あるいは書き込む場合
には、高いNA(開口数)を持つ光学系を採用すること
が好ましく、高いNAを有する光学系は急激な焦点の絞
り込みにより基板および中間層のフィルムの中に収束さ
れる光束が大きな入射角をもって通過することになる。
この場合後述のnz の軸がバラつくとノイズの原因とな
る。また3次元の屈折率異方性示す下式で定義されるパ
ラメーターKの絶対値が大きくなるとノイズ増大の原因
となる。この面から介在させるポリカーボネートのシー
ト状物は、そのnz の軸のバラツキが±10度以内である
ことが好ましく、更に好ましくは±5 度以内であり、K
の絶対値は好ましくは100nm 以下、更に好ましくは60nm
以下である。なお、この測定値は、前述のリタデーショ
ンと同様に可視光線630nm での測定値である。
くすることで、一層の高密度化が達成される。小さなス
ポットサイズの記録を読み出す、あるいは書き込む場合
には、高いNA(開口数)を持つ光学系を採用すること
が好ましく、高いNAを有する光学系は急激な焦点の絞
り込みにより基板および中間層のフィルムの中に収束さ
れる光束が大きな入射角をもって通過することになる。
この場合後述のnz の軸がバラつくとノイズの原因とな
る。また3次元の屈折率異方性示す下式で定義されるパ
ラメーターKの絶対値が大きくなるとノイズ増大の原因
となる。この面から介在させるポリカーボネートのシー
ト状物は、そのnz の軸のバラツキが±10度以内である
ことが好ましく、更に好ましくは±5 度以内であり、K
の絶対値は好ましくは100nm 以下、更に好ましくは60nm
以下である。なお、この測定値は、前述のリタデーショ
ンと同様に可視光線630nm での測定値である。
【0013】
【数2】
【0014】ここで、nx は面内方向の面内遅相軸方向
の屈折率、ny は面内進相軸方向の屈折率、nz は厚み
方向の屈折率で、dはシート状物の厚みである。
の屈折率、ny は面内進相軸方向の屈折率、nz は厚み
方向の屈折率で、dはシート状物の厚みである。
【0015】また、光学的な擾乱は光軸の揺ぎが影響す
る。この理由からシート状成型物の光軸のバラツキ、特
にこの性質をあらわす一つの指標である遅相軸のバラツ
キは±10度以内であることが好ましい。
る。この理由からシート状成型物の光軸のバラツキ、特
にこの性質をあらわす一つの指標である遅相軸のバラツ
キは±10度以内であることが好ましい。
【0016】ポリカーボネートのシート状成型物とは、
厚みが500μm以下で、成型物の長さ方向の形状が連
続的なものであり、離散的な成型物となる射出成型以外
の方法で連続的に作成されるものである。該シート状成
型物の形成法には、溶融押し出し法、液体流延法等の方
法があるが、該光学等方性をもつシートの工業的生産性
が良い方法としては液体流延法がより好ましい。
厚みが500μm以下で、成型物の長さ方向の形状が連
続的なものであり、離散的な成型物となる射出成型以外
の方法で連続的に作成されるものである。該シート状成
型物の形成法には、溶融押し出し法、液体流延法等の方
法があるが、該光学等方性をもつシートの工業的生産性
が良い方法としては液体流延法がより好ましい。
【0017】本記録媒体ではこのシート状成形物を記録
層の間に介在させることにより各層別に読み出しを可能
とする。これは読み出しで、光ピックアップによる焦点
位置の調節などで行われる。よって、シート状成形物の
厚みは2層以上の記録層の再生信号のクロストークを小
さくするために30μm以上が好ましく、また光ピックア
ップの記録層間のジャンプの容易さや、再生信号の状態
などから特に80μm以下がより好ましい。
層の間に介在させることにより各層別に読み出しを可能
とする。これは読み出しで、光ピックアップによる焦点
位置の調節などで行われる。よって、シート状成形物の
厚みは2層以上の記録層の再生信号のクロストークを小
さくするために30μm以上が好ましく、また光ピックア
ップの記録層間のジャンプの容易さや、再生信号の状態
などから特に80μm以下がより好ましい。
【0018】該記録層にはレーザなどの光が高いエネル
ギー密度でμmオーダー以下の微少領域に繰り返し入射
する。この結果、記録層近傍のミクロな領域に熱的スト
レスを与える。特に光書き込みが繰り返し行われる場合
は、この影響が材料に影響を与え、界面でのミクロな剥
離などが起こり記録の信頼性に影響を与える。この理由
により該ポリカーボネートのシート状成型物は熱安定性
が高いことが好ましい。ポリカーボネートの熱安定性は
平均分子量が高い方がより高い傾向にある。この理由か
ら、平均分子量は20,000以上、さらに熱的安定性よりは
30,000以上が好ましい。熱安定性は120 ℃で1時間熱処
理後フィルムの流れ方向と幅方向それぞれの寸法安定性
が0.05% 以下であり、かつ150 ℃で30分の熱処理後のフ
ィルムの流れ方向と幅方向でそれぞれ寸法安定性が0.1%
以下であることが好ましい。
ギー密度でμmオーダー以下の微少領域に繰り返し入射
する。この結果、記録層近傍のミクロな領域に熱的スト
レスを与える。特に光書き込みが繰り返し行われる場合
は、この影響が材料に影響を与え、界面でのミクロな剥
離などが起こり記録の信頼性に影響を与える。この理由
により該ポリカーボネートのシート状成型物は熱安定性
が高いことが好ましい。ポリカーボネートの熱安定性は
平均分子量が高い方がより高い傾向にある。この理由か
ら、平均分子量は20,000以上、さらに熱的安定性よりは
30,000以上が好ましい。熱安定性は120 ℃で1時間熱処
理後フィルムの流れ方向と幅方向それぞれの寸法安定性
が0.05% 以下であり、かつ150 ℃で30分の熱処理後のフ
ィルムの流れ方向と幅方向でそれぞれ寸法安定性が0.1%
以下であることが好ましい。
【0019】また、光情報記録媒体は高温高湿環境化で
も高い信頼性が要求される。該記録層の間に介在するポ
リカーボネートのシート状成型物はこの環境下でもとく
に記録膜へ信頼性を損なう影響を与えないことが必要で
ある。該シート状成型物中に残存溶媒が多くあると、記
録膜の界面でのボイドの発生や劣化の問題を生ずる。特
に、残存溶媒がメチレンクロライドなどのハロゲン系で
あると、Alなどの膜にピンホールを生ずるなど影響を与
える。よってシート状の膜中の残存溶媒濃度が0.1 重量
% 以下、特に好ましくは0.08重量% 以下であることが好
ましい。
も高い信頼性が要求される。該記録層の間に介在するポ
リカーボネートのシート状成型物はこの環境下でもとく
に記録膜へ信頼性を損なう影響を与えないことが必要で
ある。該シート状成型物中に残存溶媒が多くあると、記
録膜の界面でのボイドの発生や劣化の問題を生ずる。特
に、残存溶媒がメチレンクロライドなどのハロゲン系で
あると、Alなどの膜にピンホールを生ずるなど影響を与
える。よってシート状の膜中の残存溶媒濃度が0.1 重量
% 以下、特に好ましくは0.08重量% 以下であることが好
ましい。
【0020】また、本発明の光情報記録媒体は将来の一
層の高密度化技術に対し、光学等方性を有することが好
ましい。該高密度化の一つの方向として、光ピックアッ
プのレーザ波長の短波長化がある。熱的安定性に加え、
これらの理由から該ポリカーボネートに共重合での改質
が行われている。特に、ビスフェノールAに対して共重
合比5-30mol%のパーヒドロイソホロン骨格あるいはフル
オレン骨格からなるビスフェノール成分を共重合させた
共重合体よりなるものが好ましい。または該ポリカーボ
ネートが、ビスフェノールAに対して共重合比5-45mol%
のテレフタル酸あるいはイソフタル酸あるいはその混合
物を共重合させた共重合体よりなるものが好ましい。ま
た、該ポリカーボネートが、ビスフェノールAに対して
共重合比5-30mol%でパーヒドロイソホロン骨格あるいは
フルオレン骨格からなるビスフェノール成分、およびテ
レフタル酸あるいはイソフタル酸あるいはその混合物を
共重合させた共重合体も好ましい。
層の高密度化技術に対し、光学等方性を有することが好
ましい。該高密度化の一つの方向として、光ピックアッ
プのレーザ波長の短波長化がある。熱的安定性に加え、
これらの理由から該ポリカーボネートに共重合での改質
が行われている。特に、ビスフェノールAに対して共重
合比5-30mol%のパーヒドロイソホロン骨格あるいはフル
オレン骨格からなるビスフェノール成分を共重合させた
共重合体よりなるものが好ましい。または該ポリカーボ
ネートが、ビスフェノールAに対して共重合比5-45mol%
のテレフタル酸あるいはイソフタル酸あるいはその混合
物を共重合させた共重合体よりなるものが好ましい。ま
た、該ポリカーボネートが、ビスフェノールAに対して
共重合比5-30mol%でパーヒドロイソホロン骨格あるいは
フルオレン骨格からなるビスフェノール成分、およびテ
レフタル酸あるいはイソフタル酸あるいはその混合物を
共重合させた共重合体も好ましい。
【0021】該ポリカーボネートのシート状成型物は透
明基板の一方の側に2層以上の記録層を作るために積層
する。この積層は機械的方法、熱的方法、化学的方法、
物理的方法などいかなる方法を用いても良いが、接着層
を設けても良い。この接着層は該光情報記録媒体の光学
的特性を損なわないものであれば無機物、有機物などい
かなるものでも良い。例えば、アクリル系、エポキシ
系、ウレタン系、シリコン系、メラミン系などがある。
硬化の方法には、紫外線照射などの光照射、ホットメル
トなどの熱的方法、重合開始剤などの化学的方法、超音
波接着などの物理的方法などがある。本発明はこれらの
材料及びまたは方法に限定されるものではない。
明基板の一方の側に2層以上の記録層を作るために積層
する。この積層は機械的方法、熱的方法、化学的方法、
物理的方法などいかなる方法を用いても良いが、接着層
を設けても良い。この接着層は該光情報記録媒体の光学
的特性を損なわないものであれば無機物、有機物などい
かなるものでも良い。例えば、アクリル系、エポキシ
系、ウレタン系、シリコン系、メラミン系などがある。
硬化の方法には、紫外線照射などの光照射、ホットメル
トなどの熱的方法、重合開始剤などの化学的方法、超音
波接着などの物理的方法などがある。本発明はこれらの
材料及びまたは方法に限定されるものではない。
【0022】また、該ポリカーボネートのシート状成型
物の上に光サーボ用のガイド溝など、及び/または情報
のピットなどを形成しても良い。この目的に数ミクロン
程度の厚さの光硬化性(2P)樹脂などを設けることもあ
る。しかしながら、この場合でも記録層間の読み出し信
号の分離の大部分の機能は該ポリカーボネートのシート
状成型物が担うことから、2P樹脂などは単独で該スペー
サを形成する時よりははるかに薄くすみ、工業生産上、
優れる。
物の上に光サーボ用のガイド溝など、及び/または情報
のピットなどを形成しても良い。この目的に数ミクロン
程度の厚さの光硬化性(2P)樹脂などを設けることもあ
る。しかしながら、この場合でも記録層間の読み出し信
号の分離の大部分の機能は該ポリカーボネートのシート
状成型物が担うことから、2P樹脂などは単独で該スペー
サを形成する時よりははるかに薄くすみ、工業生産上、
優れる。
【0023】また、該ポリカーボネートのシート状成型
物には界面での接着性の改善にアンカー層を設けても良
い。この目的にはフェノキシ樹脂を含む樹脂などが好ま
しいが、該材料に限定されるものではない。
物には界面での接着性の改善にアンカー層を設けても良
い。この目的にはフェノキシ樹脂を含む樹脂などが好ま
しいが、該材料に限定されるものではない。
【0024】該光情報記録媒体では、2層以上の記録層
を形成する。これらの記録層の光反射膜の形成には塗布
法などの化学的方法、及びまたは真空蒸着やスパッタリ
ングなどの物理的方法などがある。これらの方法は限定
されない。また、通常の光記録媒体と同様に保護膜、ハ
ードコート膜などを適宜設けても良い。
を形成する。これらの記録層の光反射膜の形成には塗布
法などの化学的方法、及びまたは真空蒸着やスパッタリ
ングなどの物理的方法などがある。これらの方法は限定
されない。また、通常の光記録媒体と同様に保護膜、ハ
ードコート膜などを適宜設けても良い。
【0025】以下に、本発明の光情報記録媒体の実施例
を示し、比較例と共に説明する。なお、本発明はこの実
施例に限定されるものではない。
を示し、比較例と共に説明する。なお、本発明はこの実
施例に限定されるものではない。
【0026】
〔実施例1〕ビスフェノール成分がビスフェノールAだ
けからなる平均分子量37,000のポリカーボネート樹脂
を、メチレンクロライドに20重量% 溶解した。そしてこ
の溶液を、ダイコーティング法により厚さ175 μmのポ
リエステルフィルム上に流延した。これをその後乾燥炉
に通過させ、残留溶媒濃度が13重量% 近くになった時点
で、ポリエステルフィルから剥離した。そしてさらに温
度120 ℃の乾燥炉中で、縦横の張力をバランスさせなが
ら、残留溶媒濃度が0.08重量% になるまで乾燥させた。
けからなる平均分子量37,000のポリカーボネート樹脂
を、メチレンクロライドに20重量% 溶解した。そしてこ
の溶液を、ダイコーティング法により厚さ175 μmのポ
リエステルフィルム上に流延した。これをその後乾燥炉
に通過させ、残留溶媒濃度が13重量% 近くになった時点
で、ポリエステルフィルから剥離した。そしてさらに温
度120 ℃の乾燥炉中で、縦横の張力をバランスさせなが
ら、残留溶媒濃度が0.08重量% になるまで乾燥させた。
【0027】こうして得られたフィルムは、厚みが60μ
m、幅方向の膜厚ムラは±2 μmであった。寸法安定性
は、120 ℃で1時間の熱処理後は0.03% であり、150 ℃
で30分後の熱処理後は0.08% であった。630nm における
リタデーションは幅方向で5nm であり、遅相軸はMD方向
具体的には流延方向に向いており、そのバラツキは±8
度であった。この得られたポリカーボネートフィルム
は、光学等方性フィルムであった。
m、幅方向の膜厚ムラは±2 μmであった。寸法安定性
は、120 ℃で1時間の熱処理後は0.03% であり、150 ℃
で30分後の熱処理後は0.08% であった。630nm における
リタデーションは幅方向で5nm であり、遅相軸はMD方向
具体的には流延方向に向いており、そのバラツキは±8
度であった。この得られたポリカーボネートフィルム
は、光学等方性フィルムであった。
【0028】このポリカーボネートフィルムを直径120m
m の円盤状にきり抜き、公知のディスク基板上に光硬化
性樹脂でプレピット、トラックグルーブ等を形成する2P
法の装置のスピンコーターに取り付けた。そして基板を
3000rpm で回転させながら、紫外線硬化性のフェノール
ノボラックエポキシアクリレート樹脂を塗布した。この
とき、樹脂は塗布前にブチルアルコールによって希釈
し、調整した。塗布後、第2の情報信号からなるCD-ROM
信号のはいったスタンパーを押し付け、紫外線を照射し
樹脂を硬化させた。この樹脂の厚さは約2 μmであっ
た。このようにして第2の情報のピットからなる記録層
(2) を有するフィルム基板を得た。
m の円盤状にきり抜き、公知のディスク基板上に光硬化
性樹脂でプレピット、トラックグルーブ等を形成する2P
法の装置のスピンコーターに取り付けた。そして基板を
3000rpm で回転させながら、紫外線硬化性のフェノール
ノボラックエポキシアクリレート樹脂を塗布した。この
とき、樹脂は塗布前にブチルアルコールによって希釈
し、調整した。塗布後、第2の情報信号からなるCD-ROM
信号のはいったスタンパーを押し付け、紫外線を照射し
樹脂を硬化させた。この樹脂の厚さは約2 μmであっ
た。このようにして第2の情報のピットからなる記録層
(2) を有するフィルム基板を得た。
【0029】一方、公知の第1の所定の情報を収納した
CD-ROMディスクを以下のように作成した。すなわち、平
均分子量15,000のポリカーボネート樹脂を用い、公知の
ように第1の情報信号からなるCD-ROM信号がはいったス
タンパーを用いた射出成型法で一方の面の表層に記録し
た第1の情報のCD-ROM信号のピットからなる記録層(1)
を有するCD-ROM基板を作成した。
CD-ROMディスクを以下のように作成した。すなわち、平
均分子量15,000のポリカーボネート樹脂を用い、公知の
ように第1の情報信号からなるCD-ROM信号がはいったス
タンパーを用いた射出成型法で一方の面の表層に記録し
た第1の情報のCD-ROM信号のピットからなる記録層(1)
を有するCD-ROM基板を作成した。
【0030】この基板を3 ターゲットの高周波マグネト
ロンスパッタ装置(アネルバ製SPF-430 型)の真空槽内
に固定し、5.3x10 -5Pa になるまで排気する。なお、膜
形成においては、基板1は15rpm で回転させた。そして
ガイド上の誘電体層2として、AlSiN 膜を次のようにし
て形成した。すなわち、ターゲットとしては直径100mm
、厚さ5mm の円盤状のAlSi(50:50) の焼結体を用い、
真空槽内にAr/N2 混合ガス(N2 30vol%) を導入し、圧力
0.4Pa になるようにガス流量を調整した。そして放電電
力400W、放電周波数13.56MHzで高周波スパッタリングを
行い、ガイド上の反射膜となる半透明層の誘電体層とし
てAlSiN 膜を80nm堆積し、CD-ROMディスクを作成した。
ロンスパッタ装置(アネルバ製SPF-430 型)の真空槽内
に固定し、5.3x10 -5Pa になるまで排気する。なお、膜
形成においては、基板1は15rpm で回転させた。そして
ガイド上の誘電体層2として、AlSiN 膜を次のようにし
て形成した。すなわち、ターゲットとしては直径100mm
、厚さ5mm の円盤状のAlSi(50:50) の焼結体を用い、
真空槽内にAr/N2 混合ガス(N2 30vol%) を導入し、圧力
0.4Pa になるようにガス流量を調整した。そして放電電
力400W、放電周波数13.56MHzで高周波スパッタリングを
行い、ガイド上の反射膜となる半透明層の誘電体層とし
てAlSiN 膜を80nm堆積し、CD-ROMディスクを作成した。
【0031】この半透明層の反射層付きのCD-ROMディス
クをスピンコーター上に取り付けた。そして基板を3,00
0rpmで回転させながら、紫外線硬化性のフェノールノボ
ラックエポキシアクリレート樹脂を塗布した。
クをスピンコーター上に取り付けた。そして基板を3,00
0rpmで回転させながら、紫外線硬化性のフェノールノボ
ラックエポキシアクリレート樹脂を塗布した。
【0032】この上に前記の記録層付きのフィルム基板
のフィルム面側を貼り、フィルム基板側から紫外線を照
射し、硬化、接着して、記録層が2層の複層ディスク基
板を得た。この複層ディスク基板を再び、前述のスパッ
タ装置に装着し、フィルム基板のCD-ROM信号の記録層
(2) 面上に、Al膜を50nmの厚さ形成し、光反射膜とし
た。 この複層ディスク基板を再び、スピンコーターに
取り付け紫外線硬化性のフェノールノボラックエポキシ
アクリレート樹脂を塗布した。紫外線を照射し樹脂を硬
化させ、保護膜を形成した。この樹脂の厚さは約5 μm
であった。
のフィルム面側を貼り、フィルム基板側から紫外線を照
射し、硬化、接着して、記録層が2層の複層ディスク基
板を得た。この複層ディスク基板を再び、前述のスパッ
タ装置に装着し、フィルム基板のCD-ROM信号の記録層
(2) 面上に、Al膜を50nmの厚さ形成し、光反射膜とし
た。 この複層ディスク基板を再び、スピンコーターに
取り付け紫外線硬化性のフェノールノボラックエポキシ
アクリレート樹脂を塗布した。紫外線を照射し樹脂を硬
化させ、保護膜を形成した。この樹脂の厚さは約5 μm
であった。
【0033】以上のようにして得たフィルムで隔てられ
た2層記録層を片面に有する複層光ディスクは、光ピッ
クアップの焦点位置を変えることで片面から2つ記録層
の情報を読み取ることができた。
た2層記録層を片面に有する複層光ディスクは、光ピッ
クアップの焦点位置を変えることで片面から2つ記録層
の情報を読み取ることができた。
【0034】〔比較例1〕実施例1において、ポリカー
ボネートフィルムをメチレンクロライドの残留溶媒濃度
が1.2 重量% であるポリカーボネートフィルムとした以
外は実施例1と同じ複層光ディスクを作成した。これら
のディスクを温度が80℃で、湿度が85% の高温高湿装置
に入れ、100 時間放置した。この後、室内に出し、ディ
スク面を観察したところ、実施例1のディスクには変化
はみられないが、比較例1のディスクはAl膜にピンポー
ルの発生がみられた。
ボネートフィルムをメチレンクロライドの残留溶媒濃度
が1.2 重量% であるポリカーボネートフィルムとした以
外は実施例1と同じ複層光ディスクを作成した。これら
のディスクを温度が80℃で、湿度が85% の高温高湿装置
に入れ、100 時間放置した。この後、室内に出し、ディ
スク面を観察したところ、実施例1のディスクには変化
はみられないが、比較例1のディスクはAl膜にピンポー
ルの発生がみられた。
【0035】〔実施例2〕実施例1と同じ方法で得た光
学等方性の巾20cm、長さ10m の2本のロール状のポリカ
ーボネートフィルムの表面に次の方法で第1の情報と第
2の情報の記録層(1) 、(2) を作成した。
学等方性の巾20cm、長さ10m の2本のロール状のポリカ
ーボネートフィルムの表面に次の方法で第1の情報と第
2の情報の記録層(1) 、(2) を作成した。
【0036】該フィルムを連続的に走行させ、コーター
で記録層となる紫外線硬化性のフェノールノボラックエ
ポキシアクリレート樹脂を5 μm厚に塗布した。このロ
ールフィルムを間欠的に走行させ、第1の情報のCD-ROM
信号が入ったスタンパーに押し付け、フィルム側から紫
外線を照射することにより、樹脂層の表層に第1の情報
のピットからなる記録層(1) を形成し、再びロールに巻
き上げた。
で記録層となる紫外線硬化性のフェノールノボラックエ
ポキシアクリレート樹脂を5 μm厚に塗布した。このロ
ールフィルムを間欠的に走行させ、第1の情報のCD-ROM
信号が入ったスタンパーに押し付け、フィルム側から紫
外線を照射することにより、樹脂層の表層に第1の情報
のピットからなる記録層(1) を形成し、再びロールに巻
き上げた。
【0037】この記録層付きのロールフィルムをフィル
ム巻き取り機構のついた真空蒸着装置に入れ、脱ガス
後、フィルムを連続的に走行し、情報のピットがある面
にZnS蒸着源から厚さ80nmの誘電体膜を形成した。
ム巻き取り機構のついた真空蒸着装置に入れ、脱ガス
後、フィルムを連続的に走行し、情報のピットがある面
にZnS蒸着源から厚さ80nmの誘電体膜を形成した。
【0038】次に、別のロールフィルムを用いて、スタ
ンパーを第2の情報のCD-ROM信号が入ったスタンパーと
し、また真空蒸着で蒸着源をZnS の変わりにAlとして誘
電体膜に替えて50nm厚のAl膜を形成する以外は上記と同
じにして、第2の情報のピットからなる記録層(2) を樹
脂の表層に形成したフィルムを形成した。
ンパーを第2の情報のCD-ROM信号が入ったスタンパーと
し、また真空蒸着で蒸着源をZnS の変わりにAlとして誘
電体膜に替えて50nm厚のAl膜を形成する以外は上記と同
じにして、第2の情報のピットからなる記録層(2) を樹
脂の表層に形成したフィルムを形成した。
【0039】以上で得られた第1と第2の情報を収容し
た両フィルムを120mm のCD寸法にあわせ円形に打ち抜い
た。この2つのフィルムのピット形成面と反対側の非情
報面のポリカーボネート面に接着層として、シクロヘキ
サノンとメチルエチルケトンの1:1 溶媒に固形分が30重
量% 溶解したポリウレタン(日本ポリウレタン工業
(株)製のニッポラン5196)をコーターで塗布した。こ
の後、溶媒をとばすため、130 ℃で5 分加熱した。
た両フィルムを120mm のCD寸法にあわせ円形に打ち抜い
た。この2つのフィルムのピット形成面と反対側の非情
報面のポリカーボネート面に接着層として、シクロヘキ
サノンとメチルエチルケトンの1:1 溶媒に固形分が30重
量% 溶解したポリウレタン(日本ポリウレタン工業
(株)製のニッポラン5196)をコーターで塗布した。こ
の後、溶媒をとばすため、130 ℃で5 分加熱した。
【0040】この2枚のフィルムを平均分子量15,000の
ポリカーボネート樹脂を射出成型法で成形した厚さ1.1m
m 、直径120mm の平板ディスク基板に、フィルムの非情
報面を基板側に向け、情報1のフィルム、情報2のフィ
ルムの順に重さね、ラミネートした後、130 ℃で5 分加
熱し、接着した。接着層の厚みは約3 μmであった。最
後にこのディスクを、スピンコーターに取り付け紫外線
硬化性のフェノールノボラックエポキシアクリレート樹
脂を塗布した。紫外線を照射し樹脂を硬化させ、保護膜
を形成した。この樹脂の厚さは約5 μmであった。
ポリカーボネート樹脂を射出成型法で成形した厚さ1.1m
m 、直径120mm の平板ディスク基板に、フィルムの非情
報面を基板側に向け、情報1のフィルム、情報2のフィ
ルムの順に重さね、ラミネートした後、130 ℃で5 分加
熱し、接着した。接着層の厚みは約3 μmであった。最
後にこのディスクを、スピンコーターに取り付け紫外線
硬化性のフェノールノボラックエポキシアクリレート樹
脂を塗布した。紫外線を照射し樹脂を硬化させ、保護膜
を形成した。この樹脂の厚さは約5 μmであった。
【0041】以上、簡易で生産性のよい方法で、ディス
ク基板上に情報を記録したフィルムが強固に接着した、
記録層(1) 、(2) がフィルムで隔てられた2層記録層の
複層光ディスクを得た。この複層光ディスクは光ピック
アップの焦点位置を変えることで片面から2つ記録層の
情報を読み取ることができた。
ク基板上に情報を記録したフィルムが強固に接着した、
記録層(1) 、(2) がフィルムで隔てられた2層記録層の
複層光ディスクを得た。この複層光ディスクは光ピック
アップの焦点位置を変えることで片面から2つ記録層の
情報を読み取ることができた。
【0042】〔実施例3〕ビスフェノールAとフルオレ
ン骨格のビスフェノール成分を、ホスゲン法を用いて共
重合した。そして平均分子量37,000の芳香族ポリカーボ
ネート樹脂を得た。得られたポリカーボネート樹脂の共
重合比は、ビスフェノールA/フルオレン骨格=90/10(m
ol比) であり、ガラス転移温度は170 ℃であった。この
ポリカーボネート樹脂を、メチレンクロライドに25重量
% 溶解した。そしてこの溶液を、ダイコーティング法に
より厚さ175 μmのポリエステルフィルム上に流延し
た。これをその後乾燥炉に通過させ、残留溶媒濃度が13
重量% 近くになった時点で、ポリエステルフィルから剥
離した。そしてさらに温度130 ℃の乾燥炉中で、縦横の
張力をバランスさせながら、残留溶媒濃度が0.07重量%
になるまで乾燥させた。
ン骨格のビスフェノール成分を、ホスゲン法を用いて共
重合した。そして平均分子量37,000の芳香族ポリカーボ
ネート樹脂を得た。得られたポリカーボネート樹脂の共
重合比は、ビスフェノールA/フルオレン骨格=90/10(m
ol比) であり、ガラス転移温度は170 ℃であった。この
ポリカーボネート樹脂を、メチレンクロライドに25重量
% 溶解した。そしてこの溶液を、ダイコーティング法に
より厚さ175 μmのポリエステルフィルム上に流延し
た。これをその後乾燥炉に通過させ、残留溶媒濃度が13
重量% 近くになった時点で、ポリエステルフィルから剥
離した。そしてさらに温度130 ℃の乾燥炉中で、縦横の
張力をバランスさせながら、残留溶媒濃度が0.07重量%
になるまで乾燥させた。
【0043】こうして得られたフィルムは、厚みが60μ
m、幅方向の膜厚ムラは±2 μmであった。寸法安定性
は、120 ℃で1時間の熱処理後は0.02% であり、150 ℃
で30分後の熱処理後は0.07% であった。630nm の波長に
おけるリタデーションは幅方向で4nm であり、遅相軸は
MD方向に向いておりそのバラツキは±7.5 度であった。
このように得られたポリカーボネートフィルムは光学等
方性のフィルムであった。
m、幅方向の膜厚ムラは±2 μmであった。寸法安定性
は、120 ℃で1時間の熱処理後は0.02% であり、150 ℃
で30分後の熱処理後は0.07% であった。630nm の波長に
おけるリタデーションは幅方向で4nm であり、遅相軸は
MD方向に向いておりそのバラツキは±7.5 度であった。
このように得られたポリカーボネートフィルムは光学等
方性のフィルムであった。
【0044】直径120mm で厚さ1.2mm のガラス基板上
に、アクリル酸エステルを使う前述の2P法で第1の情報
のROM 信号のピットを表層に形成した記録層(1) を設け
た。
に、アクリル酸エステルを使う前述の2P法で第1の情報
のROM 信号のピットを表層に形成した記録層(1) を設け
た。
【0045】この上に実施例1と同様にしてAlSiN 膜か
らなる部分光反射膜を設けた後、2P装置のスピンコータ
ーに取り付け、接着層として紫外線硬化性のフェノール
ノボラックエポキシアクリレート樹脂を塗布した。その
上に上記ポリカーボネートフィルムから切り抜いたガラ
ス基板と同形のディスクフィルムを載置して接着し、再
び紫外線硬化性のフェノールノボラックエポキシアクリ
レート樹脂を塗布した後、第2の情報のROM 信号のピッ
トをもつスタンパーを押し付け、ガラス基板側より紫外
線を照射し、硬化して第2の情報のピットからなる記録
層(2) をその表層に形成した。実施例1と同じにしてこ
の表面に50nmの厚さのAl膜、次いで保護膜を形成し、フ
ィルムで隔てられた2層の情報記録層を有する複層光デ
ィスクを作成した。
らなる部分光反射膜を設けた後、2P装置のスピンコータ
ーに取り付け、接着層として紫外線硬化性のフェノール
ノボラックエポキシアクリレート樹脂を塗布した。その
上に上記ポリカーボネートフィルムから切り抜いたガラ
ス基板と同形のディスクフィルムを載置して接着し、再
び紫外線硬化性のフェノールノボラックエポキシアクリ
レート樹脂を塗布した後、第2の情報のROM 信号のピッ
トをもつスタンパーを押し付け、ガラス基板側より紫外
線を照射し、硬化して第2の情報のピットからなる記録
層(2) をその表層に形成した。実施例1と同じにしてこ
の表面に50nmの厚さのAl膜、次いで保護膜を形成し、フ
ィルムで隔てられた2層の情報記録層を有する複層光デ
ィスクを作成した。
【0046】この複層光ディスクは、光ピックアップの
焦点位置を変えることで片面から2つ記録層の情報を読
み取ることができた。
焦点位置を変えることで片面から2つ記録層の情報を読
み取ることができた。
【0047】〔実施例4〕実施例1において、記録層
(2) を光磁気記録膜とする以外は、実施例1と同じ複層
光ディスクを同じようにして作成した。
(2) を光磁気記録膜とする以外は、実施例1と同じ複層
光ディスクを同じようにして作成した。
【0048】記録層(2) の光磁気記録膜は次の方法で作
成した。まず、ポリカーボネートフィルム面に紫外線硬
化性のフェノールノボラックエポキシアクリレート樹脂
を5μm厚に塗布した。この層にスタンパーと紫外線露
光により2P法でサーボトラック用のガイドとして1.6 μ
mピッチで深さ70nmの溝をスパイラル状に形成した。
成した。まず、ポリカーボネートフィルム面に紫外線硬
化性のフェノールノボラックエポキシアクリレート樹脂
を5μm厚に塗布した。この層にスタンパーと紫外線露
光により2P法でサーボトラック用のガイドとして1.6 μ
mピッチで深さ70nmの溝をスパイラル状に形成した。
【0049】このフィルムからCD-ROM基板と同形のフィ
ルム基板を切り抜き、この基板を、3ターゲットの高周
波マグネトロンスパッタ装置(アネルバ製SPF-430 型)
の真空槽内に固定し、5.3x10 -5Pa になるまで排気し
た。なお、膜形成においては基板は15rpm で回転させ
た。ガイド面上に記録層としてフィルム側からAlSiN/Tb
FeCo/AlSiN/Al 膜の積層膜を膜厚がそれぞれ110nm 、20
nm、25nm、80nmとなるようにスパッタ法で形成した。な
お、記録膜のTbFeCo膜の組成は22:71:7(原子% 比)であ
る。
ルム基板を切り抜き、この基板を、3ターゲットの高周
波マグネトロンスパッタ装置(アネルバ製SPF-430 型)
の真空槽内に固定し、5.3x10 -5Pa になるまで排気し
た。なお、膜形成においては基板は15rpm で回転させ
た。ガイド面上に記録層としてフィルム側からAlSiN/Tb
FeCo/AlSiN/Al 膜の積層膜を膜厚がそれぞれ110nm 、20
nm、25nm、80nmとなるようにスパッタ法で形成した。な
お、記録膜のTbFeCo膜の組成は22:71:7(原子% 比)であ
る。
【0050】このフィルムの記録層側と反対側のポリカ
ーボネートフィルム面に接着層として、シクロヘキサノ
ンとメチルエチルケトンの1:1 溶媒に固形分が30重量%
溶解したポリウレタン(日本ポリウレタン工業(株)製
のニッポラン5196)をコーターで塗布した。この後、溶
媒をとばすため、130 ℃で5 分加熱した。
ーボネートフィルム面に接着層として、シクロヘキサノ
ンとメチルエチルケトンの1:1 溶媒に固形分が30重量%
溶解したポリウレタン(日本ポリウレタン工業(株)製
のニッポラン5196)をコーターで塗布した。この後、溶
媒をとばすため、130 ℃で5 分加熱した。
【0051】このフィルムを接着層をCD-ROM基板側にし
てCD-ROM基板の記録層側に重さね、ラミネートした後、
130 ℃で5 分加熱し、CD-ROM基板に接着した。接着層の
厚みは約3 μmであった。
てCD-ROM基板の記録層側に重さね、ラミネートした後、
130 ℃で5 分加熱し、CD-ROM基板に接着した。接着層の
厚みは約3 μmであった。
【0052】最後にこの複層光ディスクを、スピンコー
ターに取り付け紫外線硬化性のフェノールノボラックエ
ポキシアクリレート樹脂を塗布した。紫外線を照射し樹
脂を硬化させ、保護膜を形成した。この樹脂の厚さは約
5 μmであった。
ターに取り付け紫外線硬化性のフェノールノボラックエ
ポキシアクリレート樹脂を塗布した。紫外線を照射し樹
脂を硬化させ、保護膜を形成した。この樹脂の厚さは約
5 μmであった。
【0053】以上、フィルムで隔てられたピットからな
るROM の記録層と光磁気記録膜からなる記録層の2層の
記録層を片面に有する複層光ディスクを作成した。この
複層光ディスクは、光磁気用の光ピックアップを用い、
また焦点位置を変えることで片面から2つの情報を読み
取ることができた。また外部磁界を加え、記録層(2)に
光磁気記録することもできた。
るROM の記録層と光磁気記録膜からなる記録層の2層の
記録層を片面に有する複層光ディスクを作成した。この
複層光ディスクは、光磁気用の光ピックアップを用い、
また焦点位置を変えることで片面から2つの情報を読み
取ることができた。また外部磁界を加え、記録層(2)に
光磁気記録することもできた。
【0054】〔実施例5〕表面にサーボトラック用のガ
イドを形成したポリカーボネート樹脂によるディスク基
板を用意した。この基板は、外形が直径130mm 、厚さ1.
2mm の円盤で、表面にサーボトラック用ガイドとして1.
6 μmピッチで深さ70nmの溝がスパイラル状に形成して
ある。
イドを形成したポリカーボネート樹脂によるディスク基
板を用意した。この基板は、外形が直径130mm 、厚さ1.
2mm の円盤で、表面にサーボトラック用ガイドとして1.
6 μmピッチで深さ70nmの溝がスパイラル状に形成して
ある。
【0055】この基板を3ターゲットの高周波マグネト
ロンスパッタ装置(アネルバ製SPF-430 型)の真空槽内
に固定し、5.3x10 -5Pa になるまで排気する。なお、膜
形成においては基板は15rpm で回転させた。そしてガイ
ド上の誘電体層として、AlSiN 膜を次のようにして形成
した。すなわち、ターゲットとしては直径100mm 、厚さ
5mm の円盤状のAlSi(50:50) の焼結体を用い、真空槽内
にAr/N2 混合ガス(N230vol%) を導入し、圧力0.4Pa に
なるようにガス流量を調整した。そして放電電力400W、
放電周波数13.56MHzで高周波スパッタリングを行い、ガ
イド上の誘電体層としてAlSiN 膜を80nm堆積した。
ロンスパッタ装置(アネルバ製SPF-430 型)の真空槽内
に固定し、5.3x10 -5Pa になるまで排気する。なお、膜
形成においては基板は15rpm で回転させた。そしてガイ
ド上の誘電体層として、AlSiN 膜を次のようにして形成
した。すなわち、ターゲットとしては直径100mm 、厚さ
5mm の円盤状のAlSi(50:50) の焼結体を用い、真空槽内
にAr/N2 混合ガス(N230vol%) を導入し、圧力0.4Pa に
なるようにガス流量を調整した。そして放電電力400W、
放電周波数13.56MHzで高周波スパッタリングを行い、ガ
イド上の誘電体層としてAlSiN 膜を80nm堆積した。
【0056】この基板をスパッタリング装置から取り出
し、スピンコーターに取り付けた。そして基板を3000rp
m で回転させながら、紫外線硬化性のフェノールノボラ
ックエポキシアクリレート樹脂を塗布した。このとき、
樹脂は塗布前にブチルアルコールによって希釈し、温度
20℃にて粘度がおよそ40cpとなるように調整した。塗布
後、スピンコーターから取り外し、紫外線照射装置を通
過させて樹脂を硬化させ、ガイド上以外の領域で厚さが
約250nm となる外表面が平坦な平坦化層を設けた。本基
板を第1の平坦化基板1とする。
し、スピンコーターに取り付けた。そして基板を3000rp
m で回転させながら、紫外線硬化性のフェノールノボラ
ックエポキシアクリレート樹脂を塗布した。このとき、
樹脂は塗布前にブチルアルコールによって希釈し、温度
20℃にて粘度がおよそ40cpとなるように調整した。塗布
後、スピンコーターから取り外し、紫外線照射装置を通
過させて樹脂を硬化させ、ガイド上以外の領域で厚さが
約250nm となる外表面が平坦な平坦化層を設けた。本基
板を第1の平坦化基板1とする。
【0057】次に、Alターゲットを用いAlSiN 膜のかわ
りに厚さ50nmのAl膜をつける以外は平坦化基板1と同じ
構造をもつ、第2の平坦化基板2を作成した。
りに厚さ50nmのAl膜をつける以外は平坦化基板1と同じ
構造をもつ、第2の平坦化基板2を作成した。
【0058】一方、ビスフェノールAとフルオレン骨格
のビスフェノール成分を、ホスゲン法をもちいて共重合
した。そして平均分子量37,000の芳香族ポリカーボネー
ト樹脂を得た。得られたポリカーボネート樹脂の共重合
比は、ビスフェノールA/フルオレン骨格=90/10(mol
比) であり、ガラス転移温度は170 ℃であった。
のビスフェノール成分を、ホスゲン法をもちいて共重合
した。そして平均分子量37,000の芳香族ポリカーボネー
ト樹脂を得た。得られたポリカーボネート樹脂の共重合
比は、ビスフェノールA/フルオレン骨格=90/10(mol
比) であり、ガラス転移温度は170 ℃であった。
【0059】このポリカーボネート樹脂を、メチレンク
ロライドに25重量% 溶解した。そしてこの溶液を、ダイ
コーティング法により厚さ175 μmのポリエステルフィ
ルム上に流延した。これをその後乾燥炉に通過させ、残
留溶媒濃度が13重量% 近くになった時点で、ポリエステ
ルフィルから剥離した。そしてさらに温度130 ℃の乾燥
炉中で、縦横の張力をバランスさせながら、残留溶媒濃
度が0.07重量% になるまで乾燥させた。
ロライドに25重量% 溶解した。そしてこの溶液を、ダイ
コーティング法により厚さ175 μmのポリエステルフィ
ルム上に流延した。これをその後乾燥炉に通過させ、残
留溶媒濃度が13重量% 近くになった時点で、ポリエステ
ルフィルから剥離した。そしてさらに温度130 ℃の乾燥
炉中で、縦横の張力をバランスさせながら、残留溶媒濃
度が0.07重量% になるまで乾燥させた。
【0060】こうして得られたフィルムは厚みが60um、
幅方向の膜厚ムラは±2 μmであった。寸法安定性は、
120 ℃で1時間の熱処理後は0.02% であり、150 ℃で30
分後の熱処理後は0.07% であった。630nm におけるリタ
デーションは幅方向で4nm であり、遅相軸はMD方向に向
いておりそのバラツキは±7.5 度であった。
幅方向の膜厚ムラは±2 μmであった。寸法安定性は、
120 ℃で1時間の熱処理後は0.02% であり、150 ℃で30
分後の熱処理後は0.07% であった。630nm におけるリタ
デーションは幅方向で4nm であり、遅相軸はMD方向に向
いておりそのバラツキは±7.5 度であった。
【0061】このフィルムから前記平坦化基板1、2と
同形のフィルム基板を切り抜き、その両面に記録層(1)
、(2) を以下のようにして形成した。すなわち、この
フィルム基板に前記該スパッタ装置でTeのターゲットか
ら、20nmの厚さのTe膜をその両面に形成した。
同形のフィルム基板を切り抜き、その両面に記録層(1)
、(2) を以下のようにして形成した。すなわち、この
フィルム基板に前記該スパッタ装置でTeのターゲットか
ら、20nmの厚さのTe膜をその両面に形成した。
【0062】次いで、得られたフィルム基板の両面に実
施例2と同様にポリウレタンを塗布し、130 ℃で5 分加
熱した。このフィルムを該平坦化基板1と2の間に該基
板のトラック用のサーボガイド面を内側にしてはさみ、
ラミネートし、 130℃で5 分加熱し貼り合わせ、フィル
ムで隔てられた2層の記録層(1) 、(2) を片面に有する
複層光ディスクを得た。
施例2と同様にポリウレタンを塗布し、130 ℃で5 分加
熱した。このフィルムを該平坦化基板1と2の間に該基
板のトラック用のサーボガイド面を内側にしてはさみ、
ラミネートし、 130℃で5 分加熱し貼り合わせ、フィル
ムで隔てられた2層の記録層(1) 、(2) を片面に有する
複層光ディスクを得た。
【0063】この複層光ディスクは、光ピックアップの
焦点位置を変えることで片面からそれぞれの記録層(1)
、(2) 面に情報を光書き込みでき、またそれぞれの層
の情報を読み取ることができた。
焦点位置を変えることで片面からそれぞれの記録層(1)
、(2) 面に情報を光書き込みでき、またそれぞれの層
の情報を読み取ることができた。
【0064】
【発明の効果】本発明は、以上詳述したごとく、複層の
記録層の間隔が精度よく安定して生産性よく形成できる
生産性のよい片面読み出しによる複層の記録層を有する
光情報記録媒体を実現するもので、大容量の光情報記録
媒体の工業生産に大きな寄与をなすものである。
記録層の間隔が精度よく安定して生産性よく形成できる
生産性のよい片面読み出しによる複層の記録層を有する
光情報記録媒体を実現するもので、大容量の光情報記録
媒体の工業生産に大きな寄与をなすものである。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平8−263874(JP,A)
特開 昭64−8525(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
G11B 7/24
G11B 11/105
Claims (16)
- 【請求項1】 透明基板の一方の側に2層以上の記録層
を有し、記録層を他方の側から読み出すこととした光情
報記録媒体において、該記録層の間に該読み取り光波長
でのリタデーションが20nm以下で、かつ膜中の残存
溶媒濃度が0.1重量%以下である液体流延法により製
造された光学等方性のポリカーボネートのシート状成型
物を介在させ、各層別に読み出しを可能としたことを特
徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項2】 該ポリカーボネートの平均分子量が2
0,000以上である請求項1記載の光情報記録媒体。 - 【請求項3】 該ポリカーボネートの平均分子量が3
0,000以上である請求項1または2記載の光情報記
録媒体。 - 【請求項4】 該ポリカーボネートが、ビスフェノール
Aに対して共重合比5−30mol%のパーヒドロイソ
ホロン骨格あるいはフルオレン骨格からなるビスフェノ
ール成分を共重合させた共重合体よりなる請求項1〜3
記載のいずれかの光情報記録媒体。 - 【請求項5】 該ポリカーボネートが、ビスフェノール
Aに対して共重合比5−45mol%のテレフタル酸あ
るいはイソフタル酸あるいはその混合物を共重合させた
共重合体よりなる請求項1〜3記載のいずれかの光情報
記録媒体。 - 【請求項6】 該ポリカーボネートが、ビスフェノール
Aに対して共重合比5−30mol%でパーヒドロイソ
ホロン骨格あるいはフルオレン骨格からなるビスフェノ
ール成分、およびテレフタル酸あるいはイソフタル酸あ
るいはその混合物を共重合させた共重合体からなる請求
項1〜3記載のいずれかの光情報記録媒体。 - 【請求項7】 該ポリカーボネートのシート状成型物の
リタデーションが15nm以下で厚みが30μm以上8
0μm以下である請求項1記載の光情報記録媒体。 - 【請求項8】 該ポリカーボネートのシート状成型物
が、面内方向の面内遅相軸方向の屈折率をn x 、面内進
相軸方向の屈折率をn y 、厚み方向の屈折率をn z とし、
厚みをdとした時、下式で示す3次元屈折率異方性を示
すパラメーター Kの絶対値が100nm以下であり、且
つn z の軸のバラツキが面の法線方向に対し±10度以
内であるポリカーボネートフィルムである請求項7記載
の光情報記録媒体。 【数1】 - 【請求項9】 該ポリカーボネートのシート状成型物の
遅相軸のバラツキが±10度以内である請求項7または
8記載の光情報記録媒体。 - 【請求項10】 該ポリカーボネートのシート状成型物
が120℃で1時間熱処理後のフィルムの流れ方向と幅
方向それぞれの寸法安定性が0.05%以下であり、か
つ150℃で30分の熱処理後のフィルムの流れ方向と
幅方向でそれぞれ寸法安定性が0.1%以下である請求
項7〜9のいずれか1項に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項11】 該ポリカーボネートのシート状成型物
が溶液流延法で形成されたシート状成形物である請求項
7〜10のいずれか1項に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項12】 該情報記録層の少なくとも1つが光反
射膜である請求項7〜11のいずれか1項に記載の光情
報記録媒体。 - 【請求項13】 該情報記録層の少なくとも1つが光で
追加書き込み可能な記録層である請求項7〜12のいず
れか1項に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項14】 該情報記録層の少なくとも1つが書き
換え可能な記録層である請求項7〜13のいずれか1項
に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項15】 該書き換え可能な記録層の少なくとも
1つが光磁気記録膜である請求項14記載の光情報記録
媒体。 - 【請求項16】 該書き換え可能な情報記録層の少なく
とも1つが相変化膜である請求項14記載の光情報記録
媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15149795A JP3537918B2 (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15149795A JP3537918B2 (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH097222A JPH097222A (ja) | 1997-01-10 |
JP3537918B2 true JP3537918B2 (ja) | 2004-06-14 |
Family
ID=15519801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15149795A Expired - Fee Related JP3537918B2 (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3537918B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2375620C (en) * | 2000-03-29 | 2005-11-15 | Teijin Limited | Protecting film for optical recording medium and optical recording medium |
-
1995
- 1995-06-19 JP JP15149795A patent/JP3537918B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH097222A (ja) | 1997-01-10 |
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