JP2940215B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JP2940215B2 JP2940215B2 JP3105470A JP10547091A JP2940215B2 JP 2940215 B2 JP2940215 B2 JP 2940215B2 JP 3105470 A JP3105470 A JP 3105470A JP 10547091 A JP10547091 A JP 10547091A JP 2940215 B2 JP2940215 B2 JP 2940215B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，レーザ光等の光学的手
段を用いて情報の記録，再生または消去を行う光記録再
生装置の光記録媒体に関するものである。
段を用いて情報の記録，再生または消去を行う光記録再
生装置の光記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年，電子計算機，情報処理システムの
発達による処理情報量の急激な増加にともない，低価格
でしかも大容量の補助記憶装置およびその記録媒体，と
りわけ光ディスクの記録媒体（以下，光記録媒体）が注
目されている。光記録媒体には，光ビームのトラッキン
グガイドのための案内溝があり，これによって高密度記
録及びランダムアクセスが実現されている。
発達による処理情報量の急激な増加にともない，低価格
でしかも大容量の補助記憶装置およびその記録媒体，と
りわけ光ディスクの記録媒体（以下，光記録媒体）が注
目されている。光記録媒体には，光ビームのトラッキン
グガイドのための案内溝があり，これによって高密度記
録及びランダムアクセスが実現されている。
【０００３】以下、図面を参照しながら、上述した従来
の光記録媒体の一例について説明する。
の光記録媒体の一例について説明する。
【０００４】図３は従来の光記録媒体の構造図を示すも
のである。図３において、２１は光スポットのトラッキ
ングガイドのための案内溝を備えたポリカーボネート，
ポリオレフィン，メタクリル樹脂（以下アクリル樹脂と
称す），エポキシ樹脂等のプラスチック基板であり，２
２はＳｉ０２，ＺｎＳ等の誘電体膜，２３はＴｂＦｅＣ
ｏ，ＤｙＦｅＣｏ等の記録膜，２４はＳｉ０２，ＺｎＳ
等の中間誘電体膜，２５はＡＩ，ＡＩＴｉ，Ｃｕ等の反
射膜，２６は２Ｍｇ０・Ｓｉ０２，ＺｎＳ・Ｓｉ０２，
ＳｉＮ等の保護膜，２７はアクリレート樹脂（以下エポ
キシアクリレートと称す），エポキシ樹脂，アクリル樹
脂等のオーバーコート層，２８はエポキシアクリレー
ト，エポキシ樹脂，アクリル樹脂等のハードコート層で
ある。前記プラスチック基板２１上には，誘電体膜２
２，記録膜２３，中間誘電体膜２４，反射膜２５，保護
膜２６が順次積層されており，その上にオーバーコート
層２７でコーティングされた単板型構造の構成をしてい
る。また，プラスチック基板２１の光投入面側には，さ
らにハードコート層２８によりコーティングされた構成
をしている。
のである。図３において、２１は光スポットのトラッキ
ングガイドのための案内溝を備えたポリカーボネート，
ポリオレフィン，メタクリル樹脂（以下アクリル樹脂と
称す），エポキシ樹脂等のプラスチック基板であり，２
２はＳｉ０２，ＺｎＳ等の誘電体膜，２３はＴｂＦｅＣ
ｏ，ＤｙＦｅＣｏ等の記録膜，２４はＳｉ０２，ＺｎＳ
等の中間誘電体膜，２５はＡＩ，ＡＩＴｉ，Ｃｕ等の反
射膜，２６は２Ｍｇ０・Ｓｉ０２，ＺｎＳ・Ｓｉ０２，
ＳｉＮ等の保護膜，２７はアクリレート樹脂（以下エポ
キシアクリレートと称す），エポキシ樹脂，アクリル樹
脂等のオーバーコート層，２８はエポキシアクリレー
ト，エポキシ樹脂，アクリル樹脂等のハードコート層で
ある。前記プラスチック基板２１上には，誘電体膜２
２，記録膜２３，中間誘電体膜２４，反射膜２５，保護
膜２６が順次積層されており，その上にオーバーコート
層２７でコーティングされた単板型構造の構成をしてい
る。また，プラスチック基板２１の光投入面側には，さ
らにハードコート層２８によりコーティングされた構成
をしている。
【０００５】以上のように構成された光記録媒体では，
媒体上に光ビームを照射し，光吸収による局部的な温度
上昇あるいは化学変化を誘起して記録を行う。再生は，
記録によって誘起された媒体上の局部的な変化を記録時
とは強度あるいは波長の異なる光ビームを照射し，その
反射光あるいは透過光を検出して行う。
媒体上に光ビームを照射し，光吸収による局部的な温度
上昇あるいは化学変化を誘起して記録を行う。再生は，
記録によって誘起された媒体上の局部的な変化を記録時
とは強度あるいは波長の異なる光ビームを照射し，その
反射光あるいは透過光を検出して行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では，単板型構造であるために記録膜の内部応
力が大きい場合，またはオーバーコート層，ハードコー
ト層の膜厚が厚く硬化により膨張あるいは収縮する場合
には，ディスクが反るという課題を有していた。特に，
基板の光投入面が凹型に反っている場合，記録膜及び保
護膜を形成すると圧縮応力が加わり易く，反り量，ある
いは，反り角の大きさであるチルト量が非常に大きくな
るという課題を有していた。
うな構成では，単板型構造であるために記録膜の内部応
力が大きい場合，またはオーバーコート層，ハードコー
ト層の膜厚が厚く硬化により膨張あるいは収縮する場合
には，ディスクが反るという課題を有していた。特に，
基板の光投入面が凹型に反っている場合，記録膜及び保
護膜を形成すると圧縮応力が加わり易く，反り量，ある
いは，反り角の大きさであるチルト量が非常に大きくな
るという課題を有していた。
【０００７】さらに，光記録再生装置内の温度が上昇し
た場合には，記録膜が形成されていない側の基板面から
脱湿するので，基板の光投入面が凹型に反る方向に変化
するため，チルト量の増加により，記録再生時のサーボ
特性及び記録再生特性が低下するという課題を有してい
た。
た場合には，記録膜が形成されていない側の基板面から
脱湿するので，基板の光投入面が凹型に反る方向に変化
するため，チルト量の増加により，記録再生時のサーボ
特性及び記録再生特性が低下するという課題を有してい
た。
【０００８】本発明は上記課題に鑑み、単板型構造の光
記録媒体であって，基板からの脱吸湿のない場合には反
り量が小さく，記録膜が形成されてない側から脱湿した
場合にも反り量が大きくならない，信頼性の高い光記録
媒体を提供するものである。
記録媒体であって，基板からの脱吸湿のない場合には反
り量が小さく，記録膜が形成されてない側から脱湿した
場合にも反り量が大きくならない，信頼性の高い光記録
媒体を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明の光記録媒体は，光により情報の記録，再生，
消去を行う単板型構造の光記録媒体であって，投入した
光を用いて基板を介して記録層の情報の記録再生を行う
構成であって，記録層の形成されていない側の面である
光投入面側が凸型の透明なプラスチック基板上に記録
膜，反射膜，保護膜を積層してなる前記基板に対して圧
縮性の応力をもってなる記録層，紫外線硬化型のオーバ
ーコート層を形成したという構成，あるいはさらにハー
ドコート層を形成したという構成を備えたものである。
に本発明の光記録媒体は，光により情報の記録，再生，
消去を行う単板型構造の光記録媒体であって，投入した
光を用いて基板を介して記録層の情報の記録再生を行う
構成であって，記録層の形成されていない側の面である
光投入面側が凸型の透明なプラスチック基板上に記録
膜，反射膜，保護膜を積層してなる前記基板に対して圧
縮性の応力をもってなる記録層，紫外線硬化型のオーバ
ーコート層を形成したという構成，あるいはさらにハー
ドコート層を形成したという構成を備えたものである。
【００１０】
【作用】本発明は上記した構成によって，基板からの脱
吸湿のない場合には反り量が小さく，記録膜が形成され
てない側から脱湿した場合にも反り量が大きくならな
い，信頼性の高い光記録媒体を実現できることとなる。
吸湿のない場合には反り量が小さく，記録膜が形成され
てない側から脱湿した場合にも反り量が大きくならな
い，信頼性の高い光記録媒体を実現できることとなる。
【００１１】
【実施例】以下本発明の一実施例の光記録媒体につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１２】図１は、本発明の第１の実施例における光
記録媒体の構造図を示すものである。図１に於いて、１
は光スポットのトラッキングガイドのための案内溝を備
えたポリオレフィンの基板であり，２はＺｎＳの誘電体
膜，３はＴｂＦｅＣｏの記録膜，４はＺｎＳの中間誘電
体膜，５はＡｌＴｉの反射膜，６はＺｎＳ・Ｓｉ０2の
保護膜，７はエポキシアクリレートをベース樹脂とした
アクリレート樹脂を用いたのオーバーコート層である。
記録媒体の構造図を示すものである。図１に於いて、１
は光スポットのトラッキングガイドのための案内溝を備
えたポリオレフィンの基板であり，２はＺｎＳの誘電体
膜，３はＴｂＦｅＣｏの記録膜，４はＺｎＳの中間誘電
体膜，５はＡｌＴｉの反射膜，６はＺｎＳ・Ｓｉ０2の
保護膜，７はエポキシアクリレートをベース樹脂とした
アクリレート樹脂を用いたのオーバーコート層である。
【００１３】前記ポリオレフィンの基板１は射出圧縮成
形によって１．６μｍピッチでスパイラル状のトラッキ
ングガイドの溝及びフォーマット用のピット列を形成し
たものであり，光投入面が１〜２ｍrad凸型となるよう
に成形した。２のＺｎＳ誘電体膜，４のＺｎＳ中間誘電
体膜は，それぞれ２×１０-3torrのアルゴンガス圧力の
雰囲気中でＲＦマグネトロンスパッタリング法により成
膜したものである。３のＴｂＦｅＣｏ記録膜はＴｂＦｅ
Ｃｏ合金ターゲットを用い，１×１０-2torrのアルゴン
ガス圧力の雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタリング
法により成膜したものである。５のＡｌＴｉ反射膜は，
ＡｌＴｉ合金ターゲットを用い，１×１０-2torrのアル
ゴンガス圧力の雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタリ
ング法により成膜したものである。６のＺｎＳ・Ｓｉ０
2保護穣は，ＺｎＳターゲット，Ｓｉ０2ターゲットの２
種類のターゲットを１×１０-2torrのアルゴンガス圧力
の雰囲気中でＲＦマグネトロンスパッタリング法により
同時にスパッタリングし，積層混合して成膜したもので
ある。以上のように順次積層し，１×１０10dyn／cm2以
下の圧縮応力をもった記録層を形成する。７のエポキシ
アクリレートのオーバーコート層は，保護膜６の上にエ
ポキシアクリレートの樹脂を滴下させたあとスピンコー
トにより３６００rpmの回転数で硬化後の膜厚が４μｍ
の条件に塗布し，メタルハライドランプにより紫外線を
照射して硬化させたものである。ここでは，記録層が形
成されてない側の基板面上にハードコートは行っていな
い。
形によって１．６μｍピッチでスパイラル状のトラッキ
ングガイドの溝及びフォーマット用のピット列を形成し
たものであり，光投入面が１〜２ｍrad凸型となるよう
に成形した。２のＺｎＳ誘電体膜，４のＺｎＳ中間誘電
体膜は，それぞれ２×１０-3torrのアルゴンガス圧力の
雰囲気中でＲＦマグネトロンスパッタリング法により成
膜したものである。３のＴｂＦｅＣｏ記録膜はＴｂＦｅ
Ｃｏ合金ターゲットを用い，１×１０-2torrのアルゴン
ガス圧力の雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタリング
法により成膜したものである。５のＡｌＴｉ反射膜は，
ＡｌＴｉ合金ターゲットを用い，１×１０-2torrのアル
ゴンガス圧力の雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタリ
ング法により成膜したものである。６のＺｎＳ・Ｓｉ０
2保護穣は，ＺｎＳターゲット，Ｓｉ０2ターゲットの２
種類のターゲットを１×１０-2torrのアルゴンガス圧力
の雰囲気中でＲＦマグネトロンスパッタリング法により
同時にスパッタリングし，積層混合して成膜したもので
ある。以上のように順次積層し，１×１０10dyn／cm2以
下の圧縮応力をもった記録層を形成する。７のエポキシ
アクリレートのオーバーコート層は，保護膜６の上にエ
ポキシアクリレートの樹脂を滴下させたあとスピンコー
トにより３６００rpmの回転数で硬化後の膜厚が４μｍ
の条件に塗布し，メタルハライドランプにより紫外線を
照射して硬化させたものである。ここでは，記録層が形
成されてない側の基板面上にハードコートは行っていな
い。
【００１４】ここで，図４の記録層の応力とチルト量と
の関係図に示すように，記録層の応力が大きい場合に
は，プラスチック基板のチルト量が大きくなる。また，
図５のオーバーコート層の膜厚とチルト量との関係図に
示すように，オーバーコート層の膜厚が厚くなるとチル
ト量が大きくなる。したがって，基板，記録層及びオー
バーコート層の応力のバランスをとるためには，１×１
０10dyn/cm2以下の圧縮応力をもった記録層と，１０μ
ｍ以下，好ましくは５μｍ以下の硬化収縮型のオーバー
コート層を用いればよい。
の関係図に示すように，記録層の応力が大きい場合に
は，プラスチック基板のチルト量が大きくなる。また，
図５のオーバーコート層の膜厚とチルト量との関係図に
示すように，オーバーコート層の膜厚が厚くなるとチル
ト量が大きくなる。したがって，基板，記録層及びオー
バーコート層の応力のバランスをとるためには，１×１
０10dyn/cm2以下の圧縮応力をもった記録層と，１０μ
ｍ以下，好ましくは５μｍ以下の硬化収縮型のオーバー
コート層を用いればよい。
【００１５】このように光投入面が１〜２mrad凸型とな
るように成形したポリオレフィン基板と，１×１０10dy
n/cm2以下の圧縮応力をもった記録層と，１０μm以下の
硬化収縮型のオーバーコート層を備えた構成により単板
型構造の場合にも応力のバランスがとれて，基板からの
脱吸湿のない場合にはチルト量が２.０mrad以下であ
り，記録膜が形成されてない側から脱湿した場合にもチ
ルト量が４.０mrad以下の優れた光記録媒体を実現でき
るものである。
るように成形したポリオレフィン基板と，１×１０10dy
n/cm2以下の圧縮応力をもった記録層と，１０μm以下の
硬化収縮型のオーバーコート層を備えた構成により単板
型構造の場合にも応力のバランスがとれて，基板からの
脱吸湿のない場合にはチルト量が２.０mrad以下であ
り，記録膜が形成されてない側から脱湿した場合にもチ
ルト量が４.０mrad以下の優れた光記録媒体を実現でき
るものである。
【００１６】次に本発明の第２の実施例について図面を
参照しながら説明する。図２は、本発明の第２の実施例
における光記録媒体の構造図を示すものである。図２に
於し、て、１１は光スポットのトラッキングガイドのた
めの案内溝を備えたポリカーボネートの基板であり，１
２はＺｎＳの誘電体膜，１３はＴｂＦｅＣｏの記録膜，
１４はＺｎＳの中間誘電体膜，１５はＡｌＴｉの反射
膜，１６はＺｎＳ・Ｓ ｉ０２の保護膜．１７はエポキ
シアクリレートのオーバーコート層，１８はエポキシア
クリレートをベース樹脂としたアクリレート樹脂を用い
たハードコート層である。
参照しながら説明する。図２は、本発明の第２の実施例
における光記録媒体の構造図を示すものである。図２に
於し、て、１１は光スポットのトラッキングガイドのた
めの案内溝を備えたポリカーボネートの基板であり，１
２はＺｎＳの誘電体膜，１３はＴｂＦｅＣｏの記録膜，
１４はＺｎＳの中間誘電体膜，１５はＡｌＴｉの反射
膜，１６はＺｎＳ・Ｓ ｉ０２の保護膜．１７はエポキ
シアクリレートのオーバーコート層，１８はエポキシア
クリレートをベース樹脂としたアクリレート樹脂を用い
たハードコート層である。
【００１７】前記ポリカーボネートの基板１１は射出圧
縮成形によって１．６μｍピッチでスパイラル状のトラ
ッキングガイドの溝及びフォーマット用のピット列を形
成したものであり，光投入面が１〜２mrad凸型となるよ
うに成形した。１２のＺｎＳ誘電体膜，１４のＺｎＳ中
間誘電体膜は，それぞれ２×１０-3torrのアルゴンガス
圧力の雰囲気中でＲＦマグネトロンスパッタリング法に
より成膜したものである。１３のＴｂＦｅＣｏ記録膜は
ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い，１×１０-2torrの
アルゴンガス圧力の雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッ
タリング法により成膜したものである。１５のＡｌＴｉ
反射膜は，ＡｌＴｉ合金ターゲットを用い，１×１０-2
torrのアルゴンガス圧力の雰囲気中でＤＣマグネトロン
スパッタリング法により成膜したものである。１６のＺ
ｎＳ・Ｓｉ０2保護膜は，ＺｎＳターゲット，Ｓｉ０2タ
ーゲットの２種類のターゲットを１×１０-2 torrのア
ルゴンガス圧力の雰囲気中でＲＦマグネトロンスパッタ
リング法により同時にスパッタリングし，積層混合して
成膜したものである。以上のように順次積層し，１×１
０10 dyn/cm2以下の圧縮応力をもった記録層を形成す
る。１７のオーバコート層は，保護層１６の上にアクリ
レート樹脂を滴下させたあとスピンコートにより３００
０rpmの回転数で硬化後の膜厚が５μｍの条件に塗布
し，メタルハライドランプにより紫外線を照射して硬化
させたものである。１８のエポキシアクリレートのハー
ドコート層は，記録層が形成されてない側の基板面上に
エポキシアクリレートをベース樹脂としたアクリレート
樹脂を滴下させたあとスピンコートにより３６００rpm
の回転数で４μｍの厚みに塗布し，メタルハライドラン
プにより紫外線を照射して硬化させたものである。
縮成形によって１．６μｍピッチでスパイラル状のトラ
ッキングガイドの溝及びフォーマット用のピット列を形
成したものであり，光投入面が１〜２mrad凸型となるよ
うに成形した。１２のＺｎＳ誘電体膜，１４のＺｎＳ中
間誘電体膜は，それぞれ２×１０-3torrのアルゴンガス
圧力の雰囲気中でＲＦマグネトロンスパッタリング法に
より成膜したものである。１３のＴｂＦｅＣｏ記録膜は
ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い，１×１０-2torrの
アルゴンガス圧力の雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッ
タリング法により成膜したものである。１５のＡｌＴｉ
反射膜は，ＡｌＴｉ合金ターゲットを用い，１×１０-2
torrのアルゴンガス圧力の雰囲気中でＤＣマグネトロン
スパッタリング法により成膜したものである。１６のＺ
ｎＳ・Ｓｉ０2保護膜は，ＺｎＳターゲット，Ｓｉ０2タ
ーゲットの２種類のターゲットを１×１０-2 torrのア
ルゴンガス圧力の雰囲気中でＲＦマグネトロンスパッタ
リング法により同時にスパッタリングし，積層混合して
成膜したものである。以上のように順次積層し，１×１
０10 dyn/cm2以下の圧縮応力をもった記録層を形成す
る。１７のオーバコート層は，保護層１６の上にアクリ
レート樹脂を滴下させたあとスピンコートにより３００
０rpmの回転数で硬化後の膜厚が５μｍの条件に塗布
し，メタルハライドランプにより紫外線を照射して硬化
させたものである。１８のエポキシアクリレートのハー
ドコート層は，記録層が形成されてない側の基板面上に
エポキシアクリレートをベース樹脂としたアクリレート
樹脂を滴下させたあとスピンコートにより３６００rpm
の回転数で４μｍの厚みに塗布し，メタルハライドラン
プにより紫外線を照射して硬化させたものである。
【００１８】このように光投入面が１〜２mrad凸型とな
るように成形したポリカーボネート基板と，１×１０10
dyn/cm2以下の圧縮応力をもった記録層と，１０μm以下
の硬化収縮型のオーバーコート層及びハードコート層を
備えた構成により単板型構造の場合にも応力のバランス
がとれて，基板からの脱吸湿のない場合にはチルト量が
２.０mrad以下であり，記録膜が形成されてない側から
脱湿した場合にもチルト量が４.０mrad以下の優れた光
記録媒体を実現できるものである。
るように成形したポリカーボネート基板と，１×１０10
dyn/cm2以下の圧縮応力をもった記録層と，１０μm以下
の硬化収縮型のオーバーコート層及びハードコート層を
備えた構成により単板型構造の場合にも応力のバランス
がとれて，基板からの脱吸湿のない場合にはチルト量が
２.０mrad以下であり，記録膜が形成されてない側から
脱湿した場合にもチルト量が４.０mrad以下の優れた光
記録媒体を実現できるものである。
【００１９】なお，本実施例では，光スポットのトラッ
キングガイドのための案内溝を備えたポリカーボネート
あるいはポリオレフィンの基板１上に，ＺｎＳの誘電体
膜２，ＴｂＦｅＣｏの記録膜３，ＺｎＳの中間誘電体膜
４，ＡｌＴｉの反射膜５，ＺｎＳ・Ｓｉ０2の保護膜６
がそれぞれ順次積層された記録層の上に．エポキシアク
リレートのオーバーコート層７を，記録層が形成されて
ない側の基板面上にエポキシアクリレートのハードコー
ト層８をそれぞれ形成された構成の光記録媒体を用いて
述べてきたが，プラスチック基板１には，アクリル樹
脂，エポキシ樹脂，その他のプラスチック基板を用いて
も光投入面が０〜３mrad凸型となるように成形したもの
であり，圧縮応力をもった記録層と，オーバーコート層
により応力のバランスがとれた構成、あるいはさらにハ
ードコート層により応力のバランスがとれた構成であれ
ばよい。
キングガイドのための案内溝を備えたポリカーボネート
あるいはポリオレフィンの基板１上に，ＺｎＳの誘電体
膜２，ＴｂＦｅＣｏの記録膜３，ＺｎＳの中間誘電体膜
４，ＡｌＴｉの反射膜５，ＺｎＳ・Ｓｉ０2の保護膜６
がそれぞれ順次積層された記録層の上に．エポキシアク
リレートのオーバーコート層７を，記録層が形成されて
ない側の基板面上にエポキシアクリレートのハードコー
ト層８をそれぞれ形成された構成の光記録媒体を用いて
述べてきたが，プラスチック基板１には，アクリル樹
脂，エポキシ樹脂，その他のプラスチック基板を用いて
も光投入面が０〜３mrad凸型となるように成形したもの
であり，圧縮応力をもった記録層と，オーバーコート層
により応力のバランスがとれた構成、あるいはさらにハ
ードコート層により応力のバランスがとれた構成であれ
ばよい。
【００２０】また，誘電体膜２および中間誘電体膜４に
は，ＳｉＯ2，ＳｉＮ，ＺｎＳｅ・ＳｉＯ2，ＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ2，ＡｌＯＮ，ＡｌＴｉＯＮ等の材料を，記録膜３に
は，ＴｂＦｅ，ＴｂＣｏ，ＧｄＴｂＦｅ，ＤｙＦｅＣｏ
等の光磁気材料，ＧｅＴｅＳｂ等の相変化型光記録材料
を，反射膜５には，Ａｌ，ＡｌＣｒ，Ｃｕ，ＣｕＴｉ等
の材料を，保護膜６には，２ＭｇＯ・ＳｉＯ2，ＺｎＳｅ
・ＳｉＯ2，ＳｉＮ，ＡｌＴｉＯＮ等の材料を用い，個々
の材料の内部応力は，圧縮応力と引張り応力の組合せで
あっても，積層した膜全体の持つ応力が１×１０10dyn/
cm2以下の圧縮応力をもった記録層であれば同等あるい
はそれ以上の効果が得られる。
は，ＳｉＯ2，ＳｉＮ，ＺｎＳｅ・ＳｉＯ2，ＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ2，ＡｌＯＮ，ＡｌＴｉＯＮ等の材料を，記録膜３に
は，ＴｂＦｅ，ＴｂＣｏ，ＧｄＴｂＦｅ，ＤｙＦｅＣｏ
等の光磁気材料，ＧｅＴｅＳｂ等の相変化型光記録材料
を，反射膜５には，Ａｌ，ＡｌＣｒ，Ｃｕ，ＣｕＴｉ等
の材料を，保護膜６には，２ＭｇＯ・ＳｉＯ2，ＺｎＳｅ
・ＳｉＯ2，ＳｉＮ，ＡｌＴｉＯＮ等の材料を用い，個々
の材料の内部応力は，圧縮応力と引張り応力の組合せで
あっても，積層した膜全体の持つ応力が１×１０10dyn/
cm2以下の圧縮応力をもった記録層であれば同等あるい
はそれ以上の効果が得られる。
【００２１】さらに，オーバーコート層７には，エポキ
シ樹脂，アクリル樹脂，エポキシアクリレートとアクリ
ルモノマー，揮発性の溶剤等を加えた高分子材料を，ハ
ードコート層８には，エポキシ樹脂，アクリル樹脂，エ
ポキシアクリレートとアクリルモノマー，揮発性の溶剤
等を加えた高分子材料を，オーバーコート層７とハード
コート層８とは異なった組合せの材料を用いた場合に
も，膜厚が１０μm以下の紫外線硬化型のコート層であ
れば，また，表面硬度の大きい材料の基板１を用いた場
合にはハードコート層８を用いなくても基板，記録層及
びオーバーコート層により応力のバランスがとれた構
成，あるいはさらにハードコート層により応力のバラン
スがとれた構成であれば同等あるいはそれ以上の効果が
得られる。
シ樹脂，アクリル樹脂，エポキシアクリレートとアクリ
ルモノマー，揮発性の溶剤等を加えた高分子材料を，ハ
ードコート層８には，エポキシ樹脂，アクリル樹脂，エ
ポキシアクリレートとアクリルモノマー，揮発性の溶剤
等を加えた高分子材料を，オーバーコート層７とハード
コート層８とは異なった組合せの材料を用いた場合に
も，膜厚が１０μm以下の紫外線硬化型のコート層であ
れば，また，表面硬度の大きい材料の基板１を用いた場
合にはハードコート層８を用いなくても基板，記録層及
びオーバーコート層により応力のバランスがとれた構
成，あるいはさらにハードコート層により応力のバラン
スがとれた構成であれば同等あるいはそれ以上の効果が
得られる。
【００２２】また，本実施例では，誘電体膜２，記録膜
３，中間誘電体膜４，反射膜５，保護膜６がそれぞれ順
次積層された５層構造の記録層としたが，中間誘電体膜
４のない４層構造の場合，あるいは，中間誘電体膜４，
反射膜５がなく，記録膜を誘電体膜および保護膜で挟ん
だ３層構造の場合にも，さらに，個々の材料の内部応力
は，圧縮応力と引張り応力の組合せであっても，積層し
た膜全体の持つ応力が１×１０10dyn/cm2以下の圧縮応
力をもった記録層であれば同等あるいはそれ以上の効果
が得られる。
３，中間誘電体膜４，反射膜５，保護膜６がそれぞれ順
次積層された５層構造の記録層としたが，中間誘電体膜
４のない４層構造の場合，あるいは，中間誘電体膜４，
反射膜５がなく，記録膜を誘電体膜および保護膜で挟ん
だ３層構造の場合にも，さらに，個々の材料の内部応力
は，圧縮応力と引張り応力の組合せであっても，積層し
た膜全体の持つ応力が１×１０10dyn/cm2以下の圧縮応
力をもった記録層であれば同等あるいはそれ以上の効果
が得られる。
【００２３】以上のように本実施例によれば，光により
情報の記録，再生，消去を行う単板型構造の光記録媒体
であって，光投入面が凸型となるように成形したプラス
チック基板と，記録膜，反射膜，保護膜を積層してなる
１×１０10dyn/cm2以下の圧縮応力をもった記録層記録
層と，紫外線硬化型のオーバーコート層により応力のバ
ランスがとれた構成，あるいはさらにハードコート層に
より応力のバランスがとれた構成を備えたことにより，
基板からの脱吸湿のない場合にはチルト量が２.０mrad
以下と小さく，記録層が形成されてない側から脱湿した
場合にもチルト量が４.０mrad以下というようにディス
クの反り量の変化が小さく，優れた光記録媒体を実現す
ることができる。
情報の記録，再生，消去を行う単板型構造の光記録媒体
であって，光投入面が凸型となるように成形したプラス
チック基板と，記録膜，反射膜，保護膜を積層してなる
１×１０10dyn/cm2以下の圧縮応力をもった記録層記録
層と，紫外線硬化型のオーバーコート層により応力のバ
ランスがとれた構成，あるいはさらにハードコート層に
より応力のバランスがとれた構成を備えたことにより，
基板からの脱吸湿のない場合にはチルト量が２.０mrad
以下と小さく，記録層が形成されてない側から脱湿した
場合にもチルト量が４.０mrad以下というようにディス
クの反り量の変化が小さく，優れた光記録媒体を実現す
ることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明は，光により情報の
記録，再生，消去を行う単板型構造の光記録媒体であっ
て，光投入面が凸型となるように成形したプラスチック
基板と，記録膜，反射膜，保護膜を積層してなる１×１
０10dyn/cm2以下の圧縮応力をもった記録層と，硬化収
縮型のオーバーコート層により応力のバランスがとれた
構成，あるいはさらにハードコート層により応力のバラ
ンスがとれた構成を備えたことにより，基板からの脱吸
湿のない場合にはチルト量が２.０mrad以下と小さく，
記録層が形成されてない側から脱湿した場合にもチルト
量が４.０mrad以下というようにディスクの反り量の変
化が小さく，信頼性の高い光記録媒体を実現することが
できる。
記録，再生，消去を行う単板型構造の光記録媒体であっ
て，光投入面が凸型となるように成形したプラスチック
基板と，記録膜，反射膜，保護膜を積層してなる１×１
０10dyn/cm2以下の圧縮応力をもった記録層と，硬化収
縮型のオーバーコート層により応力のバランスがとれた
構成，あるいはさらにハードコート層により応力のバラ
ンスがとれた構成を備えたことにより，基板からの脱吸
湿のない場合にはチルト量が２.０mrad以下と小さく，
記録層が形成されてない側から脱湿した場合にもチルト
量が４.０mrad以下というようにディスクの反り量の変
化が小さく，信頼性の高い光記録媒体を実現することが
できる。
【００２５】さらに，ディスクのチルト量の変化が小さ
いために，サーボ特性にも優れ，環境変化に対しても記
録再生特性の安定した優れた光記録媒体を実現すること
ができる。
いために，サーボ特性にも優れ，環境変化に対しても記
録再生特性の安定した優れた光記録媒体を実現すること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施例に於ける光記録媒体の構
成図である。
成図である。
【図２】本発明の第２の実施例に於ける光記録媒体の構
成図である。
成図である。
【図３】従来の光記録媒体の構成図である。
【図４】光記録媒体の記録層の応力とチルト量との関係
図である。
図である。
【図５】光記録媒体のオーバーコート層の膜厚とチルト
量との関係図である。
量との関係図である。
１ 基板 ２ 誘電体膜 ３ 記録膜 ４ 中間誘電体膜 ５ 反射膜 ６ 保護膜 ７ オーバーコート層 １１ 基板 １２ 誘電体膜 １３ 記録膜 １４ 中間誘電体膜 １５ 反射膜 １６ 保護膜 １７ オーバーコート層 １８ ハードコート層 ２１ 基板 ２２ 誘電体膜 ２３ 記録膜 ２４ 中間誘電体膜 ２５ 反射膜 ２６ 保護膜 ２７ オーバーコート層 ２８ ハードコート層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川端 秀次 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−89241（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−285534（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−44839（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10 511 G11B 11/10 506 G11B 7/24 531
Claims (5)
- 【請求項１】 光により情報の記録，再生，消去を行う
記録層を有する単板型構造の光記録媒体であって，前記
記録層の形成されない側の面が凸型の透明なプラスチッ
ク基板上に記録膜，反射膜，保護膜を積層した構成の記
録層で，かつ，前記記録層が前記プラスチック基板に対
して圧縮性の内部応力を有する構成に形成され，前記記
録層の上に紫外線硬化型のオーバーコート層を備えたこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 光により情報の記録，再生，消去を行う
記録層を有する単板型構造の光記録媒体であって，前記
記録層の形成されない側の面が凸型の透明なプラスチッ
ク基板上に，記録膜，反射膜，保護膜を積層した構成の
記録層で，かつ，前記記録層が前記プラスチック基板に
対して圧縮性の内部応力を有する構成に形成され，前記
記録層の上に紫外線硬化型のオーバーコート層を備え，
前記プラスチック基板の記録層の形成されていない側の
表面に紫外線硬化型のハードコート層を備えたことを特
徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 透明なプラスチック基板としては，ポリ
カーボネート，ポリオレフィン，メタクリル樹脂，エポ
キシ樹脂を用い，前記基板の記録層の形成されない光投
入面側が凸型であって，反り角が０ｍｒａｄより大き
く，３ｍｒａｄ以下であることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 記録層は，積層された膜全体が１×１０
9 ｄｙｎ／ｃｍ 2 以上１×１０10ｄｙｎ／ｃｍ2以下の圧
縮応力をもった記録層であることを特徴とする請求項１
または２記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 オーバーコート層及びハードコート層と
しては，紫外線硬化型のアクリレート樹脂，エポキシ樹
脂，アクリル樹脂を用い，コート層の膜厚が３μｍ以上
１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２
記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3105470A JP2940215B2 (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3105470A JP2940215B2 (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04335222A JPH04335222A (ja) | 1992-11-24 |
| JP2940215B2 true JP2940215B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=14408480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3105470A Expired - Lifetime JP2940215B2 (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2940215B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005251279A (ja) | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Nec Corp | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-05-10 JP JP3105470A patent/JP2940215B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04335222A (ja) | 1992-11-24 |
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