JP3536194B2 - 末端に非共有電子対を有する官能基を導入した高分子化合物、その製造方法及び該高分子化合物を使用したポジ型レジスト材料 - Google Patents
末端に非共有電子対を有する官能基を導入した高分子化合物、その製造方法及び該高分子化合物を使用したポジ型レジスト材料Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビニルモノマーを
有機金属系開始剤の存在下でイオン重合した後、ケト
ン、イミン、２硫化炭素、ハロメチルエーテル、ハロメ
チルスルフィドを付加或いは縮合させたポリマー主鎖の
末端４級炭素に炭素原子１つを介して非共有電子対を有
する官能基を導入した新規な高分子化合物、その製造方
法及び該化合物を用いたポジ型レジスト材料に関するも
のである。
有機金属系開始剤の存在下でイオン重合した後、ケト
ン、イミン、２硫化炭素、ハロメチルエーテル、ハロメ
チルスルフィドを付加或いは縮合させたポリマー主鎖の
末端４級炭素に炭素原子１つを介して非共有電子対を有
する官能基を導入した新規な高分子化合物、その製造方
法及び該化合物を用いたポジ型レジスト材料に関するも
のである。
【０００２】
【従来技術】従来より高分子化合物の末端に不飽和基を
導入する方法はマクロモノマー合成法として広く試みら
れてきた（山下雄也編著、マクロモノマーの化学と工
業、アイピーシー出版部、１９８７年）しかしながらそ
れらの多くはブロックポリマーやグラフトポリマーの前
駆体として合成されてきているのが現状である。したが
って、マクロモノマーとして得られているポリマーの多
くは光や電子線などによって重合反応を示す。本発明者
らは光や電子線等の照射によって効率的に反応活性を示
し、生じた活性種が生長鎖と同様な構造を有することに
より解重合せしめ、効率的に解重合するポジ型レジスト
を目指し、検討を重ねた。一般にビニルモノマーのカチ
オン重合反応では連鎖移動反応（プロトン移動）により
一部構造式（Ｃ）に示すポリマーが生成しているもの
の、定量的にこれら不飽和末端を導入する方法として
は、本発明者らの出願である特願平６−２２８０３９号
（特開平８−９２３１２号公報）に記載の製造方法によ
って高収率で定量的に末端に２−フェニルアリル末端構
造を導入することに成功した例があるだけである。特に
繰り返し骨格にα−メチルスチレンを有するポリマーは
電子線照射等により効率的に末端から解重合が進行し、
効率的なポジ型電子線レジストを供給する。ポリ（α−
メチルスチレン）を主鎖骨格とするレジストはそのポリ
マー自身の摂動性の低さから、極めて高い解像性能を有
するものの、２−フェニルアリル末端にたいする電子線
の感受性は必ずしも高いものではなかった。
導入する方法はマクロモノマー合成法として広く試みら
れてきた（山下雄也編著、マクロモノマーの化学と工
業、アイピーシー出版部、１９８７年）しかしながらそ
れらの多くはブロックポリマーやグラフトポリマーの前
駆体として合成されてきているのが現状である。したが
って、マクロモノマーとして得られているポリマーの多
くは光や電子線などによって重合反応を示す。本発明者
らは光や電子線等の照射によって効率的に反応活性を示
し、生じた活性種が生長鎖と同様な構造を有することに
より解重合せしめ、効率的に解重合するポジ型レジスト
を目指し、検討を重ねた。一般にビニルモノマーのカチ
オン重合反応では連鎖移動反応（プロトン移動）により
一部構造式（Ｃ）に示すポリマーが生成しているもの
の、定量的にこれら不飽和末端を導入する方法として
は、本発明者らの出願である特願平６−２２８０３９号
（特開平８−９２３１２号公報）に記載の製造方法によ
って高収率で定量的に末端に２−フェニルアリル末端構
造を導入することに成功した例があるだけである。特に
繰り返し骨格にα−メチルスチレンを有するポリマーは
電子線照射等により効率的に末端から解重合が進行し、
効率的なポジ型電子線レジストを供給する。ポリ（α−
メチルスチレン）を主鎖骨格とするレジストはそのポリ
マー自身の摂動性の低さから、極めて高い解像性能を有
するものの、２−フェニルアリル末端にたいする電子線
の感受性は必ずしも高いものではなかった。
【０００３】
【化５】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者ら
は、電子線などに対する感受性を改善すべく、α−メチ
ルスチレンなどのビニルモノマーを有機金属開始剤を用
いて重合して得られるポリマーの末端の電子線感受性を
向上させる技術について鋭意検討を重ねた結果、ポリマ
ー主鎖の末端４級炭素に炭素原子１つを介して非共有電
子対を有する官能基を導入することにより、高効率で電
子線などにより分解できる高分子化合物が得られること
を発見し、本発明を完成したもので、本発明の目的は、
電子線などの感受性を改善した構造式（Ａ）を有する高
分子化合物、その製造方法及び構造式（Ａ）の化合物を
用いた電子線などのレジスト材料を提供することであ
る。
は、電子線などに対する感受性を改善すべく、α−メチ
ルスチレンなどのビニルモノマーを有機金属開始剤を用
いて重合して得られるポリマーの末端の電子線感受性を
向上させる技術について鋭意検討を重ねた結果、ポリマ
ー主鎖の末端４級炭素に炭素原子１つを介して非共有電
子対を有する官能基を導入することにより、高効率で電
子線などにより分解できる高分子化合物が得られること
を発見し、本発明を完成したもので、本発明の目的は、
電子線などの感受性を改善した構造式（Ａ）を有する高
分子化合物、その製造方法及び構造式（Ａ）の化合物を
用いた電子線などのレジスト材料を提供することであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明の要
旨は、下記の構造式（Ａ）で表される、ポリマー主鎖の
末端４級炭素に炭素原子１つを介して非共有電子対を有
する官能基を導入した高分子化合物であり、請求項３に
係る発明は、構造式（Ａ）を持つポリマーの製造方法で
あり、請求項３に係る発明は構造式（Ａ）を持つポリマ
ーを用いた電子線などのレジスト材料である。本発明の
化合物（Ａ）は、ブチルリチュウムやナトリウウムナフ
タレンのような有機金属を開始剤としたビニルモノマー
のアニオン重合で得られたリビングアニオン末端にケト
ン、イミン、２硫化炭素、ハロメチルエーテル、ハロメ
チルスルフィド等を付加或いは縮合して末端を修飾する
ことにより合成される。この合成過程の末端の修飾過程
を有機リチュウム開始剤として用い、修飾剤をアセトン
とした場合を化学式で示すと、ポリマーの末端炭素にリ
チュウムを有するポリマーをアセトンで修飾する反応は
次のとおりである。
旨は、下記の構造式（Ａ）で表される、ポリマー主鎖の
末端４級炭素に炭素原子１つを介して非共有電子対を有
する官能基を導入した高分子化合物であり、請求項３に
係る発明は、構造式（Ａ）を持つポリマーの製造方法で
あり、請求項３に係る発明は構造式（Ａ）を持つポリマ
ーを用いた電子線などのレジスト材料である。本発明の
化合物（Ａ）は、ブチルリチュウムやナトリウウムナフ
タレンのような有機金属を開始剤としたビニルモノマー
のアニオン重合で得られたリビングアニオン末端にケト
ン、イミン、２硫化炭素、ハロメチルエーテル、ハロメ
チルスルフィド等を付加或いは縮合して末端を修飾する
ことにより合成される。この合成過程の末端の修飾過程
を有機リチュウム開始剤として用い、修飾剤をアセトン
とした場合を化学式で示すと、ポリマーの末端炭素にリ
チュウムを有するポリマーをアセトンで修飾する反応は
次のとおりである。
【０００６】
【化６】
【０００７】この反応に使用されるモノマー類は、リビ
ング的にアニオン重合するモノマーならば何れも可能で
あるが、特にα−メチルスチレン類（有機シリル基、有
機シロキシ基で置換していてもよい）が好ましい。その
他のモノマーとしてはスチレン、イソプレン、ブタジェ
ン等の共役炭化水素モノマーやエチレン、アクリル酸エ
ステル、ジアルキルアクリルアミド、ビニルケトンなど
の共役極性モノマー類を挙げることができる。
ング的にアニオン重合するモノマーならば何れも可能で
あるが、特にα−メチルスチレン類（有機シリル基、有
機シロキシ基で置換していてもよい）が好ましい。その
他のモノマーとしてはスチレン、イソプレン、ブタジェ
ン等の共役炭化水素モノマーやエチレン、アクリル酸エ
ステル、ジアルキルアクリルアミド、ビニルケトンなど
の共役極性モノマー類を挙げることができる。
【０００８】この反応に使用され有機金属系開始剤はメ
チルリチュウム、ブチルリチュウムなどの有機リチュウ
ム、ナトリウムナフタレン、カリウムナフタレン、クミ
ルナフタレン、クミルカリウムなどの有機ナトリウウム
や有機カリウム、リチュウムジイソプロピルアミドやカ
リウムジイソプロピルアミドなどの有機金属アミド類な
どが用いられる。また、α−メチルスチレンリビングオ
リゴマーなども使用できる。これらの開始剤の使用量
は、モノマーに対するモル比で０．００００１ないし１
００倍モルで使用可能であり、０．００１倍ないし１倍
モルがより好ましい。
チルリチュウム、ブチルリチュウムなどの有機リチュウ
ム、ナトリウムナフタレン、カリウムナフタレン、クミ
ルナフタレン、クミルカリウムなどの有機ナトリウウム
や有機カリウム、リチュウムジイソプロピルアミドやカ
リウムジイソプロピルアミドなどの有機金属アミド類な
どが用いられる。また、α−メチルスチレンリビングオ
リゴマーなども使用できる。これらの開始剤の使用量
は、モノマーに対するモル比で０．００００１ないし１
００倍モルで使用可能であり、０．００１倍ないし１倍
モルがより好ましい。
【０００９】この反応で用いられる末端修飾剤はアセト
ン、メチルエチルケトン、アセトフェノン等のケトン
類、ベンザルアニリン等のイミン類、２硫化炭素、クロ
ロメチルメチルエーテル、ブロモメチルメチルエーテ
ル、クロロメチルフェニルスルフィド、Ｎ，Ｏ−ビス
（トリメチルシリル）アセトアミド、２−ブロモテトラ
ヒドロフランなどのハロゲン化物などを挙げることがで
きる。これら末端修飾剤の生成ポリマーに対するモル比
は０．０１ないし１００倍モルで使用可能であり、１倍
モルないし１０倍モルがより好ましい。
ン、メチルエチルケトン、アセトフェノン等のケトン
類、ベンザルアニリン等のイミン類、２硫化炭素、クロ
ロメチルメチルエーテル、ブロモメチルメチルエーテ
ル、クロロメチルフェニルスルフィド、Ｎ，Ｏ−ビス
（トリメチルシリル）アセトアミド、２−ブロモテトラ
ヒドロフランなどのハロゲン化物などを挙げることがで
きる。これら末端修飾剤の生成ポリマーに対するモル比
は０．０１ないし１００倍モルで使用可能であり、１倍
モルないし１０倍モルがより好ましい。
【００１０】本発明の反応は、不活性溶媒の存在下で行
なうこともできる。溶媒としてはジエチルエーテル、ジ
オキサン、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジ
グライム等のエーテル類、ペンタン、ヘキサン、シクロ
ヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、ト
ルエン等の芳香族炭化水素ジメチルスルホキシド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリック
トリアミド、等の非プロトン性極性溶媒、反応条件下で
アルカリ金属アミド触媒と反応しない液体を用いること
ができる。この中でテトラヒドロフラン等のエーテル類
位、ベンゼン等の芳香族炭化水素類およびヘキサン等の
脂肪族炭化水素が好ましい。
なうこともできる。溶媒としてはジエチルエーテル、ジ
オキサン、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジ
グライム等のエーテル類、ペンタン、ヘキサン、シクロ
ヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、ト
ルエン等の芳香族炭化水素ジメチルスルホキシド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホリック
トリアミド、等の非プロトン性極性溶媒、反応条件下で
アルカリ金属アミド触媒と反応しない液体を用いること
ができる。この中でテトラヒドロフラン等のエーテル類
位、ベンゼン等の芳香族炭化水素類およびヘキサン等の
脂肪族炭化水素が好ましい。
【００１１】用いる溶媒の量は体積でモノマーの０．１
ないし１０００倍量が好ましく、より好ましくは０．５
ないし１００倍量である。溶媒の相対量が多くなると反
応は一般に遅くなる。本発明において反応を行う温度に
ついては特に制限はないが、−１５０℃ないし１５０℃
が好ましく、より好ましくは−１００℃ないし０℃であ
る。また反応時間に制限はないが１分ないし１０００時
間が好ましく、更に好ましくは１０分ないし１００時間
である。反応条件、目的物によって反応速度が異なるの
で、ガスクロマトグラフィーや液体クロマトグラフィー
等で原料や生成物の定量を行い反応の終了を決定するこ
とが望ましい。
ないし１０００倍量が好ましく、より好ましくは０．５
ないし１００倍量である。溶媒の相対量が多くなると反
応は一般に遅くなる。本発明において反応を行う温度に
ついては特に制限はないが、−１５０℃ないし１５０℃
が好ましく、より好ましくは−１００℃ないし０℃であ
る。また反応時間に制限はないが１分ないし１０００時
間が好ましく、更に好ましくは１０分ないし１００時間
である。反応条件、目的物によって反応速度が異なるの
で、ガスクロマトグラフィーや液体クロマトグラフィー
等で原料や生成物の定量を行い反応の終了を決定するこ
とが望ましい。
【００１２】本発明で得られる化合物（Ａ）の高分子化
合物は、末端に紫外光、電子線などに感受性の高い官能
基を持つため、紫外光、電子線等により効率よく解重合
する。その解重合の過程は次のとおりである。
合物は、末端に紫外光、電子線などに感受性の高い官能
基を持つため、紫外光、電子線等により効率よく解重合
する。その解重合の過程は次のとおりである。
【００１３】
【化７】
【００１４】すなわち、構造式（Ａ）の高分子化合物は
紫外線、電子線により照射部分は全てモノマーに解重合
して可溶性になるので新規な高感度ポジ型レジスト材料
として使用できる。したがって、上記化合物（Ａ）を用
いてレジスト膜を形成するには、上記化合物（Ａ）を溶
媒に溶解させ、スピナー等で薄膜形成させることによっ
て得られる。その際使用する溶媒としては、ジエチルエ
ーテル、ジオキサン、テトラヒドルフラン、ジメトキシ
エタン、ジグライム等のエーテル類、ペンタン、ヘキサ
ン、シクロヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素、ベ
ンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素、ジメチルスルホ
キシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ヘキサメルホ
スホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒等の化
合物（Ａ）を溶解せしめる液体を用いることができる。
溶媒の濃度は体積で化合物（Ａ）の０．１ないし１００
０倍が好ましく、より好ましくは１ないし２０倍量であ
る。溶媒の相対量が多くなると一般に膜は薄くなる。
紫外線、電子線により照射部分は全てモノマーに解重合
して可溶性になるので新規な高感度ポジ型レジスト材料
として使用できる。したがって、上記化合物（Ａ）を用
いてレジスト膜を形成するには、上記化合物（Ａ）を溶
媒に溶解させ、スピナー等で薄膜形成させることによっ
て得られる。その際使用する溶媒としては、ジエチルエ
ーテル、ジオキサン、テトラヒドルフラン、ジメトキシ
エタン、ジグライム等のエーテル類、ペンタン、ヘキサ
ン、シクロヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素、ベ
ンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素、ジメチルスルホ
キシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ヘキサメルホ
スホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒等の化
合物（Ａ）を溶解せしめる液体を用いることができる。
溶媒の濃度は体積で化合物（Ａ）の０．１ないし１００
０倍が好ましく、より好ましくは１ないし２０倍量であ
る。溶媒の相対量が多くなると一般に膜は薄くなる。
【００１５】得られた膜は可視光や紫外光、電子線、Ｘ
線などの照射により容易に解重合し、パターンを形成す
る。現像に用いる溶媒は水、メタノール、エタノール、
プロパノールなどのアルコール類、メチルエチルケトン
等のケトン類、ベンゼンやトルエン等の炭化水素類など
が用いられる。また、真空下で電子線、Ｘ線等を照射す
る場合は、現像剤を用いなくてもパターンが得られる。
線などの照射により容易に解重合し、パターンを形成す
る。現像に用いる溶媒は水、メタノール、エタノール、
プロパノールなどのアルコール類、メチルエチルケトン
等のケトン類、ベンゼンやトルエン等の炭化水素類など
が用いられる。また、真空下で電子線、Ｘ線等を照射す
る場合は、現像剤を用いなくてもパターンが得られる。
【００１６】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に説明する
が、これらの実施例は本発明の範囲を何ら限定するもの
ではない。 実施例１ 構造式（Ｄ）のサンプル１の合成
が、これらの実施例は本発明の範囲を何ら限定するもの
ではない。 実施例１ 構造式（Ｄ）のサンプル１の合成
【００１７】
【化８】
【００１８】反応容器内をアルゴン置換し、−７８℃
下、テトラヒドロフラン８．２ｍｌ、ｓｅｃ−ブチルリ
チュウムのヘキサン溶液０．３４ｍｌ及びα−メチルス
チレン１．３ｍｌを加え３０分間重合させる。この溶媒
にアセトン２ｍｌを加え、さらに３分間反応させた。こ
の溶媒を大過剰のメタノールに添加し、ポリマーを得
た。ポリマーは定量的に得られた。ゲルパーミエーショ
ンクロマトグラフィー（ＧＰＣ）から求めた分子量及び
分子量分布はそれぞれ５０００及び１．０８であった。
下、テトラヒドロフラン８．２ｍｌ、ｓｅｃ−ブチルリ
チュウムのヘキサン溶液０．３４ｍｌ及びα−メチルス
チレン１．３ｍｌを加え３０分間重合させる。この溶媒
にアセトン２ｍｌを加え、さらに３分間反応させた。こ
の溶媒を大過剰のメタノールに添加し、ポリマーを得
た。ポリマーは定量的に得られた。ゲルパーミエーショ
ンクロマトグラフィー（ＧＰＣ）から求めた分子量及び
分子量分布はそれぞれ５０００及び１．０８であった。
【００１９】実施例２
構造式（Ｅ）のサンプル２の合成
【００２０】
【化９】
【００２１】アセトンの代わりにベンザルアニリン１ｇ
のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液３ｍｌを用いるこ
と以外、実施例１と全く同様の条件でポリマーを合成し
た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰ
Ｃ）から求めた分子量及び分子量分布はそれぞれ５００
０及び１．０８であった。
のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液３ｍｌを用いるこ
と以外、実施例１と全く同様の条件でポリマーを合成し
た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰ
Ｃ）から求めた分子量及び分子量分布はそれぞれ５００
０及び１．０８であった。
【００２２】前記サンプル１、２のレジストとしての特
性 実施例３ 実施例１で得られたサンプル１の１０％トルエン溶液を
スピンコートして０．５μｍに製膜し、走査電子顕微鏡
にて２０Ｋｅｖで電子線照射を行った。４０％メタノー
ル含有メチルエチルケトンで現像し、感度特性曲線（図
１）を求めたところ、５０％残存膜厚時における電子線
照射強度は３５μＣ／ｃｍ2、その傾き（γ）は４．０
であった。
性 実施例３ 実施例１で得られたサンプル１の１０％トルエン溶液を
スピンコートして０．５μｍに製膜し、走査電子顕微鏡
にて２０Ｋｅｖで電子線照射を行った。４０％メタノー
ル含有メチルエチルケトンで現像し、感度特性曲線（図
１）を求めたところ、５０％残存膜厚時における電子線
照射強度は３５μＣ／ｃｍ2、その傾き（γ）は４．０
であった。
【００２３】実施例４
実施例２で得られたサンプル２を用いたこと以外実施例
３と全く同様に電子線描画特性を検討した。図２の感度
特性曲線より、５０％残存膜厚時における電子線照射強
度は３μＣ／ｃｍ2、その傾き（γ）は４．０であっ
た。
３と全く同様に電子線描画特性を検討した。図２の感度
特性曲線より、５０％残存膜厚時における電子線照射強
度は３μＣ／ｃｍ2、その傾き（γ）は４．０であっ
た。
【００２４】
【発明の効果】主鎖に４級炭素を有するビニルポリマー
は天井温度が低く、光や電子線に対して分解性を示すこ
とが知られているが、同時に架橋反応が併発し、必ずし
もポジ型レジストとして高い性能を示していない。ここ
で本発明のように定量的に炭素原子１つを介してポリマ
ー主鎖の末端４級炭素に非共有電子対を有する官能基を
導入することによって、高効率で電子線に対して応答
し、その末端から定量的に分解が進行する系が達成でき
る。さらに、ポリ（α−メチルスチレン）の様にガラス
転移点が高く、分子の摂動が抑制される系でなおかつ分
子量分布が低いため、そのような系においては解像度が
極めて高く、高次の微細加工技術を必要とする半導体分
野で有用な材料となる。
は天井温度が低く、光や電子線に対して分解性を示すこ
とが知られているが、同時に架橋反応が併発し、必ずし
もポジ型レジストとして高い性能を示していない。ここ
で本発明のように定量的に炭素原子１つを介してポリマ
ー主鎖の末端４級炭素に非共有電子対を有する官能基を
導入することによって、高効率で電子線に対して応答
し、その末端から定量的に分解が進行する系が達成でき
る。さらに、ポリ（α−メチルスチレン）の様にガラス
転移点が高く、分子の摂動が抑制される系でなおかつ分
子量分布が低いため、そのような系においては解像度が
極めて高く、高次の微細加工技術を必要とする半導体分
野で有用な材料となる。
【図１】実施例１で得られた重合体の電子線感度特性曲
線
線
【図２】実施例２で得られた重合体の電子線感度特性曲
線
線
Claims (4)
- 【請求項１】 下記の構造式（Ａ）で表されるポリマー
主鎖の末端４級炭素に炭素原子１つを介して非共有電子
対を有する官能基を導入した末端官能基を有する高分子
化合物。 【化１】 ［式中、Ｒは任意の開始剤断片を示す。Ｒ1、は水素ま
たは有機シリル基、有機シロキシ基、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4
は水素または炭素数１から１０のアルキル基、アリール
基、アラルキル基を表す。Ｘは、Ｎ、Ｓのような非共有
電子対を有する置換基を示す。ｎは５〜１００００の整
数を表す。］ - 【請求項２】 下記の構造式（Ｂ）で表されるポリ（α
−メチルスチレン）骨格を有する請求項１に記載の高分
子化合物。 【化２】 ［式中、Ｒ、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｘ及びｎは上述と同
じ。］ - 【請求項３】 ビニルモノマーを有機金属系開始剤の存
在下でイオン重合した後、ケトン、イミン、２硫化炭
素、ハロメチルエーテル、ハロメチルスルフィドを付加
或いは縮合させポリマー主鎖の末端４級炭素に炭素原子
１つを介して非共有電子対を有する官能基を導入したこ
とを特徴とする化学式（Ａ）で表される高分子化合物の
製造方法。 【化３】 ［式中、Ｒ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｘ及びｎは上述と同
じ。］ - 【請求項４】化学式（Ａ）で表される化合物を用いた可
視光、紫外光、電子線、Ｘ線用ポジ型レジスト材料。 【化４】 ［式中、Ｒは任意の開始剤断片を示す。Ｒ 1 、は水素ま
たは有機シリル基、有機シロキシ基、Ｒ 2 、Ｒ 3 及びＲ 4
は水素または炭素数１から１０のアルキル基、アリール
基、アラルキル基を表す。Ｘは、Ｏ、Ｎ、Ｓのような非
共有電子対を有する置換基を示す。ｎは５〜１００００
の整数を表す。］
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18687297A JP3536194B2 (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | 末端に非共有電子対を有する官能基を導入した高分子化合物、その製造方法及び該高分子化合物を使用したポジ型レジスト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18687297A JP3536194B2 (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | 末端に非共有電子対を有する官能基を導入した高分子化合物、その製造方法及び該高分子化合物を使用したポジ型レジスト材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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