JP3532941B2 - アルコキシベンゼン誘導体および液晶組成物 - Google Patents
アルコキシベンゼン誘導体および液晶組成物Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶材料として有用なア
ルコキシベンゼン誘導体に関し、さらにこのアルコキシ
ベンゼン誘導体を含有する液晶組成物に関するものであ
る。 【０００２】 【従来の技術】液晶表示装置は、時計、電卓をはじめワ
ープロ、テレビ等に広く利用されている。これらの液晶
表示装置の中で特に多く使用されているのは、液晶材料
の光学的異方性および誘電異方性を利用したＴＮ型（ね
じれネマティック型）液晶表示装置である。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】現在ＴＮ型などの液晶
表示装置に搭載されている液晶材料に要求される特性と
しては、液晶温度範囲が広いこと、電気光学的な応答速
度が速いこと、視野角範囲が広いこと、駆動電圧が低い
こと、化学的および光学的に安定であることなどが挙げ
られる。 【０００４】広視野角、高コントラストを得るために
は、液晶層のリターデーション△ｎ・ｄ（△ｎは液晶材
料の複屈折、ｄは液晶層の厚み）を最適化する必要があ
る。しかし、実際に使用されている液晶表示装置では液
晶層の厚みをある範囲に設定してしまうため、液晶材料
の複屈折Δｎの最適化が必要となっていた。 【０００５】また、高速化のために低粘度の液晶材料が
望まれている。電圧印加時の立ち上がり時間τonと電圧
遮断時の立ち下がり時間τoff は τon＝ηiiｄ2 （ε0 ΔεＶ2 −Ｋπ2 ）-1 τoff ＝ηiiｄ2 ／π2 Ｋ で与えられる。ここで、ηiiは粘度パラメータ、ｄは液
晶層の厚み、ε0 は真空中の誘電率、Δεは誘電率の異
方性、Ｖは印加電圧、Ｋ＝Ｋ11＋（Ｋ33−２Ｋ22）／４
である。よって、応答速度をより速くするためには液晶
材料が低粘度であること、つまり低粘度の液晶化合物が
不可欠となっていた。 【０００６】さらに駆動電圧はしきい値電圧Ｖthの値に
依存し、しきい値電圧Ｖthを小さくすることにより、よ
り低い電圧で液晶表示装置を駆動することができる。よ
って、しきい値電圧Ｖthを小さくする液晶材料が必要と
なっていた。 【０００７】以上のような特性を全て満足する単一の液
晶化合物は未だに見い出されていない。そのためにいろ
いろな特性をもった数種の液晶化合物を混合したり、あ
るいは非液晶化合物を混合したりして実用に供している
のが現状である。 【０００８】そこで本発明の目的は、液晶組成物に混合
することによって、その粘度、複屈折Δｎ、およびしき
い値電圧Ｖthを小さくすることのできるアルコキシベン
ゼン誘導体を提供することである。 【０００９】また本発明の他の目的は、低粘度、低しき
い値電圧Ｖｔｈ、および適切な複屈折Δｎを有する液晶
組成物を提供することである。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明のアルコキシベン
ゼン誘導体は一般式（Ｉ）で表されるものである。 【００１１】 【化２】 【００１２】（式中Ｒは炭素原子数１〜１０のアルキル
基を表し、Ｘはハロゲン原子またはシアノ基を表し、Ｙ
はハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、Ｙが塩
素原子である場合Ｘはハロゲン原子を表し、Ｙがフッ素
原子であり、かつＸがフッ素原子である場合Ｒは炭素原
子数２〜１０のアルキル基を表し、Ｙが水素原子である
場合Ｘはハロゲン原子を表し、Ｒは炭素原子数２〜１０
のアルキル基を表し、Ｙが水素原子であり、かつＸがフ
ッ素原子である場合Ｒは炭素原子数２〜４のアルキル基
を表す。） 【００１３】また、本発明の液晶組成物は、一般式
（Ｉ）で表されるアルコキシベンゼン誘導体を少なくと
も一種含有するものである。 【００１４】また本発明の液晶組成物は、４−メトキシ
フルオロベンゼン、４−メトキシクロロベンゼン、また
は４−メトキシ−１，２−ジフルオロベンゼンから選ば
れるアルコキシベンゼン誘導体を少なくとも一種含有す
るものである。 【００１５】一般式（Ｉ）で表されるアルコキシベンゼ
ン誘導体の製造方法について説明する。化３はその一例
を示したものである。アルキルブロマイド（ａ）と置換
フェノール（ｂ）とをアルカリ水溶液中で反応させた
後、反応混合物を水洗、乾燥、再結晶することにより一
般式（Ｉ）で表されるアルコキシベンゼン誘導体を得る
ことができる。 【００１６】 【化３】 【００１７】（式中Ｒは炭素原子数１〜１０のアルキル
基を表し、Ｘはハロゲン原子またはシアノ基を表し、Ｙ
はハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、Ｙが塩
素原子である場合Ｘはハロゲン原子を表し、Ｙがフッ素
原子であり、かつＸがフッ素原子である場合Ｒは炭素原
子数２〜１０のアルキル基を表し、Ｙが水素原子である
場合Ｘはハロゲン原子を表し、Ｒは炭素原子数２〜１０
のアルキル基を表し、Ｙが水素原子であり、かつＸがフ
ッ素原子である場合Ｒは炭素原子数２〜４のアルキル基
を表す。） 【００１８】４−メトキシフルオロベンゼン、４−メト
キシクロロベンゼン、または４−メトキシ−１，２−ジ
フルオロベンゼンもそれぞれ対応する置換フェノールと
メチルブロマイドから、化３で表される方法と同様の方
法で製造することができる。 【００１９】本発明のアルコキシベンゼン誘導体は多く
の液晶化合物と混合し液晶組成物を製造することができ
る。本発明のアルコキシベンゼン誘導体と混合可能な液
晶化合物としてはエステル系、シクロヘキシルフェニル
系、ビフェニル系、ピリミジン系、ジオキサン系、トラ
ン系などが挙げられる。 【００２０】 【実施例】実施例を基に本発明を具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 【００２１】（実施例１）水２０ｍｌに水酸化ナトリウ
ム１８ｇを溶かした溶液を、４−クロロフェノール１
６．０ｇに加えて、十分に攪拌しながら、エチルブロマ
イド１６．４ｇを加え、ウォーターバス上で１時間反応
させた。水を加えて有機層を分離し、希塩酸次いで希ア
ルカリ水溶液の順で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄し
た後、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥させた。次にこ
の有機層を濾過し、濾液から溶媒を減圧留去した。得ら
れた反応生成物をエタノールから再結晶し、１ｍｍＨｇ
で減圧蒸留を行い、化４で表される４−エトキシクロロ
ベンゼン１１ｇを得た。この化合物の融点は１８．１℃
であった。また、この化合物の赤外線吸収スペクトルを
図１に示す。 【００２２】 【化４】 【００２３】（実施例２）エチルブロマイド１６．４ｇ
の代わりにｎ−オクチルブロマイド２９．０ｇを使用す
る以外は実施例１と同様の方法で化５に示される４−オ
クチルオキシクロロベンゼン１７ｇを得た。この化合物
の融点は１２．２℃であった。また、この化合物の赤外
線吸収スペクトルを図２に示す。 【００２４】 【化５】 【００２５】（実施例３）４−クロロフェノール１６．
０ｇの代わりに４−フルオロフェノール１４．０ｇを使
用する以外は実施例１と同様の方法で化６に示される４
−エトキシフルオロベンゼン１０ｇを得た。この化合物
の融点は−５．５℃であった。また、この化合物の赤外
線吸収スペクトルを図３に示す。 【００２６】 【化６】 【００２７】（実施例４）エチルブロマイド１６．４ｇ
の代わりにｎ−ブチルブロマイド２０．６ｇを、４−ク
ロロフェノール１６．０ｇの代わりに４−フルオロフェ
ノール１４．０ｇ使用する以外は実施例１と同様の方法
で化７に示される４−ブチルオキシフルオロベンゼン１
２ｇを得た。この化合物の融点は−３．７℃であった。
また、この化合物の赤外線吸収スペクトルを図４に示
す。 【００２８】 【化７】 【００２９】（実施例５）４−クロロフェノール１６．
０ｇの代わりに３，４−ジフルオロフェノール１６．３
ｇを使用する以外は実施例１と同様の方法で化８に示さ
れる３，４−ジフルオロエトキシベンゼン１２ｇを得
た。この化合物の融点は１９．０℃であった。また、こ
の化合物の赤外線吸収スペクトルを図５に示す。 【００３０】 【化８】 【００３１】（実施例６）エチルブロマイド１６．４ｇ
の代わりにメチルブロマイド１４．３ｇを使用する以外
は実施例１と同様の方法で化９に示される４−メトキシ
クロロベンゼン１０ｇを得た。 【００３２】 【化９】 【００３３】（実施例７）化１０に示される化合物を混
合した液晶組成物９０重量部に、実施例１で製造した４
−エトキシクロロベンゼンを１０重量部加え液晶組成物
を作製した。その液晶組成物の特性を表１に示す。ここ
で、化１０に示される化合物のみからなる液晶組成物の
特性はＮ−Ｉ点７２℃、複屈折Δｎ０．１３８、粘度２
７．９ｃｐ、Ｖth１．６８ｖであった。 【００３４】 【化１０】 【００３５】 【表１】【００３６】（実施例８〜１２）実施例７と同様に化１
０に示される化合物を混合した液晶組成物９０重量部
に、実施例２〜６で製造したアルコキシベンゼン誘導体
をそれぞれ１０重量部ずつ加え、液晶組成物を作製し
た。その液晶組成物の特性を表１に示す。 【００３７】表１から明らかなように、本発明のアルコ
キシベンゼン誘導体は、粘度を小さくするとともに、複
屈折Δｎ、しきい値電圧Ｖthも小さくすることができ
る。 【００３８】 【発明の効果】本発明のアルコキシベンゼン誘導体は、
液晶組成物に混合することによって、液晶組成物の粘度
を小さくし、また複屈折Δｎ、しきい値電圧Ｖthも小さ
くすることができる。そのため本発明のアルコキシベン
ゼン誘導体を含有する液晶組成物は液晶材料として優れ
た特性を有し、またこの液晶組成物を搭載した液晶表示
装置は良好な表示特性を有する。さらに、本発明のアル
コキシベンゼン誘導体は種々の化合物との相互溶解性が
大きく、液晶組成物の構成物質として多くの液晶材料と
組み合わせて使用することができ、液晶組成物の特性改
良に有用なものである。
ルコキシベンゼン誘導体に関し、さらにこのアルコキシ
ベンゼン誘導体を含有する液晶組成物に関するものであ
る。 【０００２】 【従来の技術】液晶表示装置は、時計、電卓をはじめワ
ープロ、テレビ等に広く利用されている。これらの液晶
表示装置の中で特に多く使用されているのは、液晶材料
の光学的異方性および誘電異方性を利用したＴＮ型（ね
じれネマティック型）液晶表示装置である。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】現在ＴＮ型などの液晶
表示装置に搭載されている液晶材料に要求される特性と
しては、液晶温度範囲が広いこと、電気光学的な応答速
度が速いこと、視野角範囲が広いこと、駆動電圧が低い
こと、化学的および光学的に安定であることなどが挙げ
られる。 【０００４】広視野角、高コントラストを得るために
は、液晶層のリターデーション△ｎ・ｄ（△ｎは液晶材
料の複屈折、ｄは液晶層の厚み）を最適化する必要があ
る。しかし、実際に使用されている液晶表示装置では液
晶層の厚みをある範囲に設定してしまうため、液晶材料
の複屈折Δｎの最適化が必要となっていた。 【０００５】また、高速化のために低粘度の液晶材料が
望まれている。電圧印加時の立ち上がり時間τonと電圧
遮断時の立ち下がり時間τoff は τon＝ηiiｄ2 （ε0 ΔεＶ2 −Ｋπ2 ）-1 τoff ＝ηiiｄ2 ／π2 Ｋ で与えられる。ここで、ηiiは粘度パラメータ、ｄは液
晶層の厚み、ε0 は真空中の誘電率、Δεは誘電率の異
方性、Ｖは印加電圧、Ｋ＝Ｋ11＋（Ｋ33−２Ｋ22）／４
である。よって、応答速度をより速くするためには液晶
材料が低粘度であること、つまり低粘度の液晶化合物が
不可欠となっていた。 【０００６】さらに駆動電圧はしきい値電圧Ｖthの値に
依存し、しきい値電圧Ｖthを小さくすることにより、よ
り低い電圧で液晶表示装置を駆動することができる。よ
って、しきい値電圧Ｖthを小さくする液晶材料が必要と
なっていた。 【０００７】以上のような特性を全て満足する単一の液
晶化合物は未だに見い出されていない。そのためにいろ
いろな特性をもった数種の液晶化合物を混合したり、あ
るいは非液晶化合物を混合したりして実用に供している
のが現状である。 【０００８】そこで本発明の目的は、液晶組成物に混合
することによって、その粘度、複屈折Δｎ、およびしき
い値電圧Ｖthを小さくすることのできるアルコキシベン
ゼン誘導体を提供することである。 【０００９】また本発明の他の目的は、低粘度、低しき
い値電圧Ｖｔｈ、および適切な複屈折Δｎを有する液晶
組成物を提供することである。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明のアルコキシベン
ゼン誘導体は一般式（Ｉ）で表されるものである。 【００１１】 【化２】 【００１２】（式中Ｒは炭素原子数１〜１０のアルキル
基を表し、Ｘはハロゲン原子またはシアノ基を表し、Ｙ
はハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、Ｙが塩
素原子である場合Ｘはハロゲン原子を表し、Ｙがフッ素
原子であり、かつＸがフッ素原子である場合Ｒは炭素原
子数２〜１０のアルキル基を表し、Ｙが水素原子である
場合Ｘはハロゲン原子を表し、Ｒは炭素原子数２〜１０
のアルキル基を表し、Ｙが水素原子であり、かつＸがフ
ッ素原子である場合Ｒは炭素原子数２〜４のアルキル基
を表す。） 【００１３】また、本発明の液晶組成物は、一般式
（Ｉ）で表されるアルコキシベンゼン誘導体を少なくと
も一種含有するものである。 【００１４】また本発明の液晶組成物は、４−メトキシ
フルオロベンゼン、４−メトキシクロロベンゼン、また
は４−メトキシ−１，２−ジフルオロベンゼンから選ば
れるアルコキシベンゼン誘導体を少なくとも一種含有す
るものである。 【００１５】一般式（Ｉ）で表されるアルコキシベンゼ
ン誘導体の製造方法について説明する。化３はその一例
を示したものである。アルキルブロマイド（ａ）と置換
フェノール（ｂ）とをアルカリ水溶液中で反応させた
後、反応混合物を水洗、乾燥、再結晶することにより一
般式（Ｉ）で表されるアルコキシベンゼン誘導体を得る
ことができる。 【００１６】 【化３】 【００１７】（式中Ｒは炭素原子数１〜１０のアルキル
基を表し、Ｘはハロゲン原子またはシアノ基を表し、Ｙ
はハロゲン原子または水素原子を表す。ただし、Ｙが塩
素原子である場合Ｘはハロゲン原子を表し、Ｙがフッ素
原子であり、かつＸがフッ素原子である場合Ｒは炭素原
子数２〜１０のアルキル基を表し、Ｙが水素原子である
場合Ｘはハロゲン原子を表し、Ｒは炭素原子数２〜１０
のアルキル基を表し、Ｙが水素原子であり、かつＸがフ
ッ素原子である場合Ｒは炭素原子数２〜４のアルキル基
を表す。） 【００１８】４−メトキシフルオロベンゼン、４−メト
キシクロロベンゼン、または４−メトキシ−１，２−ジ
フルオロベンゼンもそれぞれ対応する置換フェノールと
メチルブロマイドから、化３で表される方法と同様の方
法で製造することができる。 【００１９】本発明のアルコキシベンゼン誘導体は多く
の液晶化合物と混合し液晶組成物を製造することができ
る。本発明のアルコキシベンゼン誘導体と混合可能な液
晶化合物としてはエステル系、シクロヘキシルフェニル
系、ビフェニル系、ピリミジン系、ジオキサン系、トラ
ン系などが挙げられる。 【００２０】 【実施例】実施例を基に本発明を具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 【００２１】（実施例１）水２０ｍｌに水酸化ナトリウ
ム１８ｇを溶かした溶液を、４−クロロフェノール１
６．０ｇに加えて、十分に攪拌しながら、エチルブロマ
イド１６．４ｇを加え、ウォーターバス上で１時間反応
させた。水を加えて有機層を分離し、希塩酸次いで希ア
ルカリ水溶液の順で洗浄し、さらに飽和食塩水で洗浄し
た後、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥させた。次にこ
の有機層を濾過し、濾液から溶媒を減圧留去した。得ら
れた反応生成物をエタノールから再結晶し、１ｍｍＨｇ
で減圧蒸留を行い、化４で表される４−エトキシクロロ
ベンゼン１１ｇを得た。この化合物の融点は１８．１℃
であった。また、この化合物の赤外線吸収スペクトルを
図１に示す。 【００２２】 【化４】 【００２３】（実施例２）エチルブロマイド１６．４ｇ
の代わりにｎ−オクチルブロマイド２９．０ｇを使用す
る以外は実施例１と同様の方法で化５に示される４−オ
クチルオキシクロロベンゼン１７ｇを得た。この化合物
の融点は１２．２℃であった。また、この化合物の赤外
線吸収スペクトルを図２に示す。 【００２４】 【化５】 【００２５】（実施例３）４−クロロフェノール１６．
０ｇの代わりに４−フルオロフェノール１４．０ｇを使
用する以外は実施例１と同様の方法で化６に示される４
−エトキシフルオロベンゼン１０ｇを得た。この化合物
の融点は−５．５℃であった。また、この化合物の赤外
線吸収スペクトルを図３に示す。 【００２６】 【化６】 【００２７】（実施例４）エチルブロマイド１６．４ｇ
の代わりにｎ−ブチルブロマイド２０．６ｇを、４−ク
ロロフェノール１６．０ｇの代わりに４−フルオロフェ
ノール１４．０ｇ使用する以外は実施例１と同様の方法
で化７に示される４−ブチルオキシフルオロベンゼン１
２ｇを得た。この化合物の融点は−３．７℃であった。
また、この化合物の赤外線吸収スペクトルを図４に示
す。 【００２８】 【化７】 【００２９】（実施例５）４−クロロフェノール１６．
０ｇの代わりに３，４−ジフルオロフェノール１６．３
ｇを使用する以外は実施例１と同様の方法で化８に示さ
れる３，４−ジフルオロエトキシベンゼン１２ｇを得
た。この化合物の融点は１９．０℃であった。また、こ
の化合物の赤外線吸収スペクトルを図５に示す。 【００３０】 【化８】 【００３１】（実施例６）エチルブロマイド１６．４ｇ
の代わりにメチルブロマイド１４．３ｇを使用する以外
は実施例１と同様の方法で化９に示される４−メトキシ
クロロベンゼン１０ｇを得た。 【００３２】 【化９】 【００３３】（実施例７）化１０に示される化合物を混
合した液晶組成物９０重量部に、実施例１で製造した４
−エトキシクロロベンゼンを１０重量部加え液晶組成物
を作製した。その液晶組成物の特性を表１に示す。ここ
で、化１０に示される化合物のみからなる液晶組成物の
特性はＮ−Ｉ点７２℃、複屈折Δｎ０．１３８、粘度２
７．９ｃｐ、Ｖth１．６８ｖであった。 【００３４】 【化１０】 【００３５】 【表１】【００３６】（実施例８〜１２）実施例７と同様に化１
０に示される化合物を混合した液晶組成物９０重量部
に、実施例２〜６で製造したアルコキシベンゼン誘導体
をそれぞれ１０重量部ずつ加え、液晶組成物を作製し
た。その液晶組成物の特性を表１に示す。 【００３７】表１から明らかなように、本発明のアルコ
キシベンゼン誘導体は、粘度を小さくするとともに、複
屈折Δｎ、しきい値電圧Ｖthも小さくすることができ
る。 【００３８】 【発明の効果】本発明のアルコキシベンゼン誘導体は、
液晶組成物に混合することによって、液晶組成物の粘度
を小さくし、また複屈折Δｎ、しきい値電圧Ｖthも小さ
くすることができる。そのため本発明のアルコキシベン
ゼン誘導体を含有する液晶組成物は液晶材料として優れ
た特性を有し、またこの液晶組成物を搭載した液晶表示
装置は良好な表示特性を有する。さらに、本発明のアル
コキシベンゼン誘導体は種々の化合物との相互溶解性が
大きく、液晶組成物の構成物質として多くの液晶材料と
組み合わせて使用することができ、液晶組成物の特性改
良に有用なものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のアルコキシベンゼン誘導体の赤外線吸
収スペクトルを表す図である。 【図２】本発明のアルコキシベンゼン誘導体の赤外線吸
収スペクトルを表す図である。 【図３】本発明のアルコキシベンゼン誘導体の赤外線吸
収スペクトルを表す図である。 【図４】本発明のアルコキシベンゼン誘導体の赤外線吸
収スペクトルを表す図である。 【図５】本発明のアルコキシベンゼン誘導体の赤外線吸
収スペクトルを表す図である。
収スペクトルを表す図である。 【図２】本発明のアルコキシベンゼン誘導体の赤外線吸
収スペクトルを表す図である。 【図３】本発明のアルコキシベンゼン誘導体の赤外線吸
収スペクトルを表す図である。 【図４】本発明のアルコキシベンゼン誘導体の赤外線吸
収スペクトルを表す図である。 【図５】本発明のアルコキシベンゼン誘導体の赤外線吸
収スペクトルを表す図である。
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フロントページの続き
(72)発明者 行成 俊郎
山梨県南都留郡河口湖町船津6663番地の
２ 河口湖精密株式会社内
(56)参考文献 特開 昭58−85833（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−208241（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−230855（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−264738（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−76029（ＪＰ，Ａ)
Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．， Ｆａｒａ
ｄａｙ Ｔｒａｎｓ． ２，1988， Ｖ
ｏｌ．84， Ｎｏ．８，ｐ．1041−1052
Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．,
1973， Ｖｏｌ．95， Ｎｏ．23，7660
−7663
Ｂｕｎｓｅｋｉ Ｋａｇａｋｕ,
1985， Ｖｏｌ．34，ｐ．575−579
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C09K 19/52
C09K 19/54
C07C 43/225
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 一般式（Ｉ）で表されるアルコキシベン
ゼン誘導体を少なくとも一種含有する液晶組成物。 【化１】 （式中Ｒは炭素原子数２〜１０のアルキル基を表し、
Ｘ、Ｙは、それぞれハロゲン原子を表す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19298293A JP3532941B2 (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | アルコキシベンゼン誘導体および液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19298293A JP3532941B2 (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | アルコキシベンゼン誘導体および液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0741448A JPH0741448A (ja) | 1995-02-10 |
| JP3532941B2 true JP3532941B2 (ja) | 2004-05-31 |
Family
ID=16300272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19298293A Expired - Fee Related JP3532941B2 (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | アルコキシベンゼン誘導体および液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3532941B2 (ja) |
-
1993
- 1993-07-09 JP JP19298293A patent/JP3532941B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Ｂｕｎｓｅｋｉ Ｋａｇａｋｕ，１９８５， Ｖｏｌ．３４，ｐ．５７５−５７９ |
| Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９７３， Ｖｏｌ．９５， Ｎｏ．２３，７６６０−７６６３ |
| Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．， Ｆａｒａｄａｙ Ｔｒａｎｓ． ２，１９８８， Ｖｏｌ．８４， Ｎｏ．８，ｐ．１０４１−１０５２ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0741448A (ja) | 1995-02-10 |
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