JP3527075B2 - 磁気記録媒体用ガラス基板、磁気記録媒体、及びそれらの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータ等の
記録媒体として使用される磁気記録媒体、その磁気記録
媒体の基板として用いられるガラス基板、及びそれらの
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスク等の磁気記録媒体用ガラス
基板としては、アルミニウム基板が広く用いられてきた
が、磁気ディスクの小型・薄板化と、高密度記録化に伴
い、アルミニウム基板に比べ強度及び平坦性に優れたガ
ラス基板に徐々に置き換わりつつある。

【０００３】また、磁気ヘッドの方も高密度記録化に伴
って、薄膜ヘッドから、磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッ
ド）、大型磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）へと推移
してきている。したがって、ガラス基板を用いた磁気記
録媒体を磁気抵抗型ヘッドで再生することが、これから
の大きな潮流となることが予想されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ガラス基板
を用いた磁気記録媒体を磁気抵抗型ヘッドで再生する
際、記録密度の向上を求めてヘッドのフライングハイト
（浮上高さ）を下げると、再生の誤動作、あるいは、再
生が不可能になる現象に遭遇することがあり、問題とな
っている。

【０００５】本発明は上記問題点にかんがみてなされた
ものであり、ヘッドのフライングハイトを下げた場合で
あっても、再生の誤動作や再生が不可能になる現象が生
ずることがなく、磁気抵抗型ヘッドによる再生に適した
磁気記録媒体及びその製造方法の提供を第一の目的とす
る。

【０００６】また、上記磁気記録媒体の基板として用い
られるガラス基板及びその製造方法の提供を第二の目的
とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明者らは上述した再生の誤動作等の原因を究明し
たところ、磁気ディスク表面にガラス基板上のパーティ
クルによって形成された凸部が、サーマル・アスペリテ
ィ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｓｐｅｒｉｔｙ）となって、磁
気抵抗型ヘッドに熱が発生し、ヘッドの抵抗値を変動さ
せ、電磁変換に悪影響を与えていることがその原因であ
ることが判明した。

【０００８】また、このサーマル・アスペリティは、ヘ
ッドクラッシュを調べるためのグライドテストを通過し
た磁気ディスクでも発生することがある。これは、サー
マル・アスペリティを引き起こすパーティクルとしては
種々考えられるが、ヘッドが浮上する際にヘッドの浮上
に急激な変化を起こさせる（浮上に悪影響を及ぼす）パ
ーティクル（例えば、角張ったパーティクルや、ディス
ク表面に対して比較的急峻な立ち上がりを持ったパーテ
ィクルなど）がその一因として考えられる。

【０００９】次に、ガラス基板上にパーティクルが発生
する原因を考察した。その結果、ガラス基板の端面（基
板側面及び面取部）が鏡面になっていないため、ガラス
基板、あるいは、ガラス基板を用いた磁気ディスクを、
ポリカーボネート等からなる収納容器に出し入れする際
に、収納容器の内周面とガラス基板等の端面とが接触
し、端面から発塵したパーティクルがガラス基板あるい
は磁気ディスク表面に付着していることが判った。

【００１０】そこで、本発明者らは、従来、ガラス基板
の強度の観点からしか考察されていなかったガラス基板
の端面（例えば、特開平７−２３０６２１号公報）に対
し、全く異なる観点であるサーマル・アスペリティを引
き起こすパーティクルの発生防止の観点からガラス基板
の端面を考察した。その結果、化学エッチングを施した
状態ではガラス基板の端面（基板側面及び面取部）は、
なし地状態の面（光沢のない面）になっており、ガラス
基板の端面を化学エッチングによって処理する等の従来
行われていた端面処理レベルでは不十分であり、サーマ
ル・アスペリティを引き起こすパーティクルが発生しな
いようなレベルまで、機械研磨等により端面を精密研磨
して、端面を従来にないレベルの鏡面とする必要がある
こと見出し本第一発明を完成するに至った。なお、化学
エッチングを施すと、ガラス基板の内周端面と外周端面
との間で芯ずれを起こしやすいという問題があり、この
面においてもガラス基板の端面に化学エッチングを施す
ことには問題がある。また、ガラス基板の側面と面取部
（連接面）とが交差する部位、及びガラス基板の主表面
と面取部（連接面）とが交差する部位が角張っており、
この角張った部位と収納容器とが擦れてパーティクルが
発生することが判った。この認識に基づいて、上述した
パーティクルが発生しないように角張った部位を曲面に
する必要があること見出し本第二発明を完成するに至っ
た。

【００１１】すなわち、本第一発明の磁気記録媒体用ガ
ラス基板は、磁気記録媒体用ガラス基板において、面取
部及び側壁部のうちの少なくとも一方の表面が、鏡面で
ある構成としてある。

【００１２】また、本第一発明の磁気記録媒体用ガラス
基板は、磁気記録媒体用ガラス基板において、面取部及
び側壁部のうちの少なくとも一方の表面粗さＲａが、１
μｍ未満の鏡面である構成としてある。

【００１３】また、本第一発明の磁気記録媒体用ガラス
基板は、磁気記録媒体用ガラス基板において、面取部及
び側壁部のうちの少なくとも一方の表面粗さＲａが、
０．００１〜０．５μｍの範囲の鏡面である構成として
ある。

【００１４】また、本第一発明の磁気記録媒体用ガラス
基板は、磁気記録媒体用ガラス基板において、面取部及
び側壁部のうちの少なくとも一方の表面粗さＲａが、
０．００１〜０．１μｍの範囲の鏡面である構成として
ある。

【００１５】また、本第一発明の磁気記録媒体用ガラス
基板は、磁気記録媒体用ガラス基板において、面取部及
び側壁部のうちの少なくとも一方の表面粗さが、Ｒｍａ
ｘ：０．０１〜４μｍの範囲の鏡面である構成としてあ
る。

【００１６】また、本第一発明の磁気記録媒体用ガラス
基板は、磁気記録媒体用ガラス基板において、面取部及
び側壁部のうちの少なくとも一方の表面粗さが、Ｒｍａ
ｘ：０．０１〜２μｍの範囲の鏡面である構成としてあ
る。

【００１７】また、本第一発明の磁気記録媒体用ガラス
基板は、磁気記録媒体用ガラス基板において、面取部及
び側壁部のうちの少なくとも一方の表面粗さが、Ｒｍａ
ｘ：０．０１〜１μｍの範囲の鏡面である構成としてあ
る。

【００１８】本第二発明の磁気記録媒体用ガラス基板
は、磁性層を含む薄膜を形成するガラス基板の主表面と
ガラス基板の側面との間に面取りによる面取部を設けた
磁気記録媒体用ガラス基板であって、ガラス基板の側面
と面取部との間、及びガラス基板の主表面と面取部との
間のうちの少なくとも一方に、半径０．２〜１０ｍｍの
曲面を介在させたことを特徴とする構成としてある。

【００１９】さらに、本発明の磁気記録媒体用ガラス基
板は、上記本第一又は第二発明の磁気記録媒体用ガラス
基板であって、表面粗さＲａが２ｎｍ以下の主表面を持
つ構成としてある。

【００２０】また、本発明の磁気記録媒体は、上記本第
一又は第二発明の磁気記録媒体用ガラス基板上に、少な
くとも磁性層を形成した構成、磁気抵抗型ヘッド（ＭＲ
ヘッド）又は大型磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）対
応の磁気記録媒体である構成、あるいは、磁性層が、Ｃ
ｏＰｔ系の磁性層である構成としてある。

【００２１】さらに、本第一発明の磁気記録媒体用ガラ
ス基板の製造方法は、サーマル・アスペリティを引き起
こすパーティクルの発生を防止するためガラス基板の端
面を鏡面研磨又は機械研磨する構成としてある。

【００２２】また、本第二発明の磁気記録媒体用ガラス
基板の製造方法は、サーマル・アスペリティを引き起こ
すパーティクルの発生を防止するためにガラス基板の側
面と面取部とが交差する部位、及びガラス基板の主表面
と面取部とが交差する部位のうちの少なくとも一方を研
磨して曲面にすることを特徴とする構成としてある。

【００２３】さらに、本発明の磁気記録媒体用ガラス基
板の製造方法は、上記製造方法において、研磨が、研磨
剤、固定砥粒、遊離砥粒、スラリーから選ばれた少なく
とも一種と、研磨ブラシ、研磨パッド、砥石から選ばれ
た一種とによって行われる構成としてある。

【００２４】また、本発明の磁気記録媒体の製造方法
は、上記製造方法によって製造された磁気記録媒体用ガ
ラス基板上に、少なくとも磁性層を形成する構成として
ある。

【００２５】

【作用】本第一発明では、ガラス基板の端面を従来にな
いレベルの鏡面としているので、サーマル・アスペリテ
ィの原因となるパーティクルが発生することがなく、サ
ーマル・アスペリティによる再生機能の低下を防止する
ことができる。特に、磁気抵抗型ヘッドで再生を行う磁
気記録媒体にとって必要不可欠の技術である。

【００２６】本第二発明では、ガラス基板の端面部分に
おける面取部の両端の角張った部位を曲面としてあるの
で、サーマル・アスペリティの原因となるパーティクル
が発生することがなく、サーマル・アスペリティによる
再生機能の低下を防止することができる。特に、磁気抵
抗型ヘッドで再生を行う磁気記録媒体にとって必要不可
欠の技術である。

【００２７】本第一及び第二発明では、サーマル・アス
ペリティの原因となるパーティクルが発生することがな
いので、ガラス基板上に磁性層等を形成して磁気記録媒
体を製造する際にガラス基板の主表面にサーマル・アス
ペリティの原因となるパーティクルによって形成される
凸部が発生せず、より高いレベルでヘッドクラッシュを
防止できる。

【００２８】同様に、磁気記録媒体の記録・再生面にお
いてもサーマル・アスペリティの原因となるパーティク
ルによって形成される凸部が発生せず、より高いレベル
でヘッドクラッシュを防止できる。

【００２９】以下、本発明を詳細に説明する。

【００３０】まず、本第一発明について説明する。本第
一発明の磁気記録媒体用ガラス基板は、ガラス基板の面
取部及び側壁部（側面部）のうちの少なくとも一方の面
の表面粗さが所定の値の鏡面であることを特徴とする。

【００３１】本第一発明の目的を達成するためにはガラ
ス基板の面取部及び／又は側壁部（以下、端面という）
の表面粗さＲａは、Ｒａ：１μｍ未満、好ましくは、Ｒ
ａ：０．００１〜０．５μｍ、さらに好ましくは、Ｒ
ａ：０．００１〜０．１μｍ、より以上に好ましくは、
Ｒａ：０．００１〜０．０５μｍである。同様に、端面
の表面粗さＲｍａｘは、Ｒｍａｘ：０．０１〜４μｍ、
好ましくは、Ｒｍａｘ：０．０１〜２μｍ、さらに好ま
しくは、Ｒｍａｘ：０．０１〜１μｍ、より以上に好ま
しくは、Ｒｍａｘ：０．０１〜０．５μｍである。な
お、ガラス基板の面取部又は側壁部のいずれか一方の表
面粗さが上記範囲の鏡面であれば、その面に基づくサー
マル・アスペリティの原因となるパーティクルの発生を
抑制できる。特に、本第一発明では、面取部を形成した
後に、この面取部に上述したような鏡面加工を施すこと
により、ガラス基板を収納容器に出し入れする際、ガラ
ス基板が斜めになって容器と接触するときに発生するパ
ーティクルを効果的に抑えることができる。また、通常
の面取り加工を施した状態ではその面取部の表面が粗れ
ておりパーティクル発生の原因となる傾向が側壁部に比
べ大きいので、面取部に鏡面加工を施すことは、パーテ
ィクルの発生を抑制するのに効果的である。なお、サー
マル・アスペリティの原因となるパーティクルの発生を
より完全に抑制するためには、面取部及び側壁部の両方
の表面粗さが所定の値の鏡面であることが好ましい。同
様に、表面粗さＲａ及びＲｍａｘの両方が所定の範囲で
あることが好ましい。本第一発明でいう「ガラス基板の
端面」には内周端面と外周端面とが含まれる。サーマル
・アスペリティの原因となるパーティクルの発生をより
完全に抑制するためには、ガラス基板の内周端面と外周
端面の両方の表面粗さが所定の値の鏡面であることが好
ましい。なお、ガラス基板の主表面（磁性薄膜等が形成
される面）についても、サーマル・アスペリティによる
弊害を考慮して、表面粗さＲａを２ｎｍ以下にすること
が好ましい。

【００３２】ガラス基板の端面の表面粗さを上記範囲の
鏡面とすることにより、サーマル・アスペリティの原因
となるパーティクルが発生することがなく、サーマル・
アスペリティによる再生機能の低下を防止することがで
きる。特に、磁気抵抗型ヘッドで再生を行う磁気記録媒
体にとって効果が著しい。

【００３３】次に、本第二発明について説明する。本第
二発明の磁気記録媒体用ガラス基板は、図２に示すよう
に、ガラス基板１の側壁部（側面）２と面取部（連接
面）３との間、又はガラス基板１の主表面４と面取部
（連接面）３との間、すなわち、ガラス基板の端面部分
５における角張った部位６の少なくとも一方に、半径
０．２〜１０ｍｍの曲面７を介在させたことを特徴とす
る。なお、本第二発明でいう「ガラス基板の端面部分に
おける角張った部位」には内周端面及び外周端面におけ
る角張った部位が含まれる。

【００３４】本第二発明の目的を達成するためには上記
曲面は、好ましくは、半径０．２〜２ｍｍ、さらに好ま
しくは、半径０．２〜１ｍｍである。

【００３５】上記曲面部分の表面粗さＲａは、Ｒａ：１
μｍ未満、好ましくは、Ｒａ：０．００１〜０．５μ
ｍ、さらに好ましくは、Ｒａ：０．００１〜０．１μ
ｍ、より以上に好ましくは、Ｒａ：０．００１〜０．０
５μｍである。同様に、曲面部分の表面粗さＲｍａｘ
は、Ｒｍａｘ：０．０１〜４μｍ、好ましくは、Ｒｍａ
ｘ：０．０１〜２μｍ、さらに好ましくは、Ｒｍａｘ：
０．０１〜１μｍ、より以上に好ましくは、Ｒｍａｘ：
０．０１〜０．５μｍである。

【００３６】なお、サーマル・アスペリティの原因とな
るパーティクルの発生を完全に防止するには、ガラス基
板の側壁部及び面取部の表面粗さＲａは、Ｒａ：１μｍ
未満、好ましくは、Ｒａ：０．００１〜０．５μｍ、さ
らに好ましくは、Ｒａ：０．００１〜０．１μｍ、より
以上に好ましくは、Ｒａ：０．００１〜０．０５μｍで
ある。同様に、側壁部及び面取部の表面粗さＲｍａｘ
は、Ｒｍａｘ：０．０１〜４μｍ、好ましくは、Ｒｍａ
ｘ：０．０１〜２μｍ、さらに好ましくは、Ｒｍａｘ：
０．０１〜１μｍ、より以上に好ましくは、Ｒｍａｘ：
０．０１〜０．５μｍとする必要がある。また、ガラス
基板の主表面（磁性薄膜等が形成される面）について
も、サーマル・アスペリティによる弊害を考慮して、表
面粗さＲａを２ｎｍ以下にすることが好ましい。

【００３７】ガラス基板の端面部分における角張った部
位を曲面とすることにより、この角張った部位に起因し
て、サーマル・アスペリティの原因となるパーティクル
がほとんど発生することがなく、サーマル・アスペリテ
ィによる再生機能の低下を防止することができる。特
に、磁気抵抗型ヘッドで再生を行う磁気記録媒体にとっ
て効果が著しい。

【００３８】上記本第一発明及び第二発明において、ガ
ラス基板の端面（面取部及び側壁部）の表面粗さを上記
範囲の鏡面とするには、あるいは、ガラス基板の端面部
分における角張った部位を曲面とするには、例えば、研
磨剤、固定砥粒、遊離砥粒、スラリー等を使用した、研
磨ブラシ、軟質ポリシャや硬質ポリシャ等の研磨パッ
ド、砥石等による研磨などを適宜組み合わせた機械研磨
（物理的、力学的研磨）による鏡面研磨等を端面部分又
は角張った部位に施す。なお、これらの機械研磨は、必
要な表面粗さの鏡面を得るため、異なる種類の機械研
磨、あるいは、ポリシャや研磨剤の種類や粒径等を異と
する機械研磨等を適宜組み合わせて実施できる。ガラス
基板の端面部分における角張った部位の研磨と、ガラス
基板の側壁部及び面取部の研磨は、研磨方法やその条件
等を選択することで同時に行うことができ、あるいは、
別々に行うこともできる。

【００３９】ここで、軟質ポリシャとしては、例えば、
スウェード、ベロアを素材とするもの等が挙げられ、硬
質ポリシャとしては、例えば、硬質ベロア、ウレタン発
砲、ピッチ含浸スウェード等が挙げられる。また、研磨
剤として、酸化セリウム（ＣｅＯ₂）、アルミナ（γ−
Ａｌ₂Ｏ₃）、べんがら（Ｆｅ₂Ｏ₃）、酸化クロム（Ｃｒ
₂Ｏ₃）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）、酸化チタン
（ＴｉＯ₂）などが挙げられる。

【００４０】ガラス基板の端面部分（角張った部位、側
壁部及び面取部）の機械研磨による鏡面研磨は、ガラス
基板の研削、研磨工程のいずれの工程の後に行ってもよ
く、あるいは、各工程の後に行ってもよい。研削、研磨
の工程は、通常、大きく分けて、（１）荒ずり（粗研
削）、（２）砂掛け（精研削、ラッピング）、（３）第
一研磨（ポリッシュ）、（４）第二研磨（ファイナル研
磨、ポリッシュ）の各工程からなる。なお、研削する前
の面の状態によって、（１）荒ずり、（２）砂掛け、
（３）第一研磨の何れか又は全ての工程を除いても良
い。また、高精密プレスによってガラス基板を製造した
場合にあっては、研削、研磨をしなくても良い。

【００４１】ガラス基板の端面部分（角張った部位、側
壁部及び面取部）の機械研磨による鏡面研磨工程は、例
えば、荒ずり（粗研削）工程後に行う以外に、砂掛け
（精研削、ラッピング）工程後、あるいは、第一研磨
（ポリッシュ）又は第二研磨（ファイナル研磨、ポリッ
シュ）工程後に行ってもよい。ラッピング工程の前にガ
ラス基板端面の鏡面加工を行うと、ラッピング工程の際
に、ラップの砂によりガラス基板端面が若干粗くなるこ
とがある。

【００４２】ガラス基板の種類、サイズ、厚さ等は特に
制限されない。ガラス基板の材質としては、例えば、ア
ルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダ
アルミノケイ酸ガラス、アルミノボロシリケートガラ
ス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリ
ケートガラス、又は、結晶化ガラス等のガラスセラミッ
クなどが挙げられる。

【００４３】アルミノシリケートガラスとしては、Ｓｉ
Ｏ₂：６２〜７５重量％、Ａｌ₂Ｏ₃：５〜１５重量％、
Ｌｉ₂Ｏ：４〜１０重量％、Ｎａ₂Ｏ：４〜１２重量％、
ＺｒＯ₂：５．５〜１５重量％を主成分として含有する
とともに、Ｎａ₂Ｏ／ＺｒＯ₂の重量比が０．５〜２．
０、Ａｌ₂Ｏ₃／ＺｒＯ₂の重量比が０．４〜２．５であ
る化学強化用ガラス等が好ましい。また、ＺｒＯ₂の未
溶解物が原因で生じるガラス基板表面の突起をなくすた
めには、モル％表示で、ＳｉＯ₂を５７〜７４％、Ｚｎ
Ｏ₂を０〜２．８％、Ａｌ₂Ｏ₃を３〜１５％、ＬｉＯ₂を
７〜１６％、Ｎａ₂Ｏを４〜１４％含有する化学強化用
ガラス等を使用することが好ましい。このような組成の
アルミノシリケートガラス等は、化学強化することによ
って、抗折強度が増加し、圧縮応力層の深さも深く、ヌ
ープ硬度にも優れる。

【００４４】本第一及び第二発明では、耐衝撃性や耐振
動性等の向上を目的として、ガラス基板の表面に低温イ
オン交換法による化学強化処理を施すことができる。こ
こで、化学強化方法としては、従来より公知の化学強化
法であれば特に制限されないが、例えば、ガラス転移点
の観点から転移温度を超えない領域でイオン交換を行う
低温型化学強化などが好ましい。化学強化に用いるアル
カリ溶融塩としては、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、
あるいは、それらを混合した硝酸塩などが挙げられる。

【００４５】上記本第一及び第二発明の磁気記録媒体用
ガラス基板は、ガラス基板端面から発生する微細なパー
ティクルを嫌う光磁気ディスク用のガラス基板や、光デ
ィスクなどの電子光学用ディスク基板としても利用でき
る。

【００４６】次に、本発明の磁気記録媒体について説明
する。

【００４７】本発明の磁気記録媒体は、上記本第一及び
第二発明の磁気記録媒体用ガラス基板上に、少なくとも
磁性層を形成したものである。

【００４８】本発明の磁気記録媒体では、ガラス基板の
端面部分（角張った部位、側壁部及び面取部）からサー
マル・アスペリティの原因となるパーティクルが発生す
ることがないので、ガラス基板上に磁性層等を形成して
磁気記録媒体を製造する際にガラス基板の主表面にサー
マル・アスペリティの原因となるパーティクルによって
形成される凸部が発生せず、より高いレベルでヘッドク
ラッシュを防止できる。特に、磁気抵抗型ヘッドによっ
て再生を行う磁気記録媒体にとって、磁気抵抗型ヘッド
の機能を十分に引き出すことができる。また、磁気抵抗
型ヘッドに好適に使用することができるＣｏＰｔ系等の
磁気記録媒体としてもその性能を十分に引き出すことが
できる。

【００４９】同様に、磁気記録媒体の記録・再生面にお
いてもサーマル・アスペリティの原因となるパーティク
ルによって形成される凸部が発生せず、より高いレベル
でヘッドクラッシュを防止できる。

【００５０】また、サーマル・アスペリティの原因とな
るパーティクルによって、磁性層等の膜に欠陥が発生し
エラーの原因となるということもない。

【００５１】磁気記録媒体は、通常、磁気ディスク用ガ
ラス基板上に、下地層、磁性層、保護層、潤滑層を順次
積層して製造する。

【００５２】磁気記録媒体は、通常、所定の平坦度、表
面粗さを有し、必要に応じ表面の化学強化処理を施した
磁気ディスク用ガラス基板上に、下地層、磁性層、保護
層、潤滑層を順次積層して製造する。

【００５３】本発明の磁気記録媒体における下地層は、
磁性層に応じて選択される。

【００５４】下地層としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔ
ａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌなどの非磁性金属から選ば
れる少なくとも一種以上の材料からなる下地層等が挙げ
られる。Ｃｏを主成分とする磁性層の場合には、磁気特
性向上等の観点からＣｒ単体やＣｒ合金であることが好
ましい。また、下地層は単層とは限らず、同一又は異種
の層を積層した複数層構造とすることもできる。例え
ば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、Ｃｒ
Ｖ／ＣｒＶ、Ａｌ／Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ａｌ／Ｃｒ／Ｃ
ｒ、Ａｌ／Ｃｒ／ＣｒＶ、Ａｌ／ＣｒＶ／ＣｒＶ等の多
層下地層等が挙げられる。

【００５５】本発明の磁気記録媒体における磁性層の材
料は特に制限されない。

【００５６】磁性層としては、例えば、Ｃｏを主成分と
するＣｏＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ、Ｃ
ｏＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＮｉＰｔや、ＣｏＮｉ
ＣｒＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＣｒＴａＰｔ、Ｃｏ
ＣｒＰｔＳｉＯなどの磁性薄膜が挙げられる。磁性層
は、磁性膜を非磁性膜（例えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、Ｃｒ
Ｖなど）で分割してノイズの低減を図った多層構成（例
えば、ＣｏＰｔＣｒ／ＣｒＭｏ／ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣ
ｒＴａＰｔ／ＣｒＭｏ／ＣｏＣｒＴａＰｔなど）として
もよい。

【００５７】磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッド）又は大型
磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）対応の磁性層として
は、Ｃｏ系合金に、Ｙ、Ｓｉ、希土類元素、Ｈｆ、Ｇ
ｅ、Ｓｎ、Ｚｎから選択される不純物元素、又はこれら
の不純物元素の酸化物を含有させたものなども含まれ
る。

【００５８】また、磁性層としては、上記の他、フェラ
イト系、鉄−希土類系や、ＳｉＯ₂、ＢＮなどからなる
非磁性膜中にＦｅ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ、ＣｏＮｉＰｔ等の
磁性粒子が分散された構造のグラニュラーなどであって
もよい。また、磁性層は、内面型、垂直型のいずれの記
録形式であってもよい。

【００５９】本発明の磁気記録媒体における保護層は特
に制限されない。

【００６０】保護層としては、例えば、Ｃｒ膜、Ｃｒ合
金膜、カーボン膜、ジルコニア膜、シリカ膜等が挙げら
れる。これらの保護膜は、下地層、磁性層等とともにイ
ンライン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、
これらの保護膜は、単層としてもよく、あるいは、同一
又は異種の膜からなる多層構成としてもよい。

【００６１】本発明では、上記保護層上に、あるいは上
記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。例え
ば、上記保護層に替えて、Ｃｒ膜の上にテトラアルコキ
シランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダ
ルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化
ケイ素（ＳｉＯ₂）膜を形成してもよい。

【００６２】本発明の磁気記録媒体における潤滑層は特
に制限されない。

【００６３】潤滑層は、例えば、液体潤滑剤であるパー
フロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶
媒で希釈し、媒体表面にディッピング法、スピンコート
法、スプレイ法によって塗布し、必要に応じ加熱処理を
行って形成する。

【００６４】

【実施例】以下、実施例にもとづき本発明をさらに具体
的に説明する。

【００６５】まず、本第一発明にかかる実施例について
説明する。実施例１

【００６６】（１）荒ずり工程 まず、ダウンドロー法で形成したシートガラスから、研
削砥石で直径９６ｍｍφ、厚さ３ｍｍの円盤状に切り出
したアルミノシリケイトガラスからなるガラス基板を、
比較的粗いダイヤモンド砥石で研削加工して、直径９６
ｍｍφ、厚さ１．５ｍｍに成形した。この場合、ダウン
ドロー法の代わりに、溶融ガラスを、上型、下型、胴型
を用いてダイレクト・プレスして、円盤状のガラス体を
得てもよい。

【００６７】なお、アルミノシリケイトガラスとして
は、モル％表示で、ＳｉＯ₂を５７〜７４％、ＺｎＯ₂を
０〜２．８％、Ａｌ₂Ｏ₃を３〜１５％、ＬｉＯ₂を７〜
１６％、Ｎａ₂Ｏを４〜１４％、を主成分として含有す
る化学強化用ガラス（例えば、モル％表示で、Ｓｉ
Ｏ₂：６７．０％、ＺｎＯ₂：１．０％、Ａｌ₂Ｏ₃：９．
０％、ＬｉＯ₂：１２．０％、Ｎａ₂Ｏ：１０．０％を主
成分として含有する化学強化用ガラス）を使用した。

【００６８】次いで、上記砥石よりも粒度の細かいダイ
ヤモンド砥石で上記ガラス基板の両面を片面ずつ研削加
工した。このときの荷重は１００ｋｇ程度とした。これ
により、ガラス基板両面の表面粗さをＲｍａｘ（ＪＩＳ
Ｂ ０６０１で測定）で１０μｍ程度に仕上げた。

【００６９】次に、円筒状の砥石を用いてガラス基板の
中央部分に孔を開けるとともに、外周端面も研削して直
径を９５ｍｍφとした後、外周端面及び内周面に所定の
面取り加工を施した。このときのガラス基板端面の表面
粗さは、Ｒｍａｘで１４μｍ程度であった。

【００７０】（２）端面鏡面加工工程 次いで、スラリーを使用してブラシ研磨又は機械研磨に
より、ガラス基板を回転させながらガラス基板の内周及
び外周端面の表面粗さが所定の範囲になるように鏡面研
磨した。なお、試料１〜４に関しては、ブラシの回転
数、研磨時間、研磨剤等を変化させることで、端面の表
面粗さが良くなるように条件出しを行った。また、試料
５に関しては、ウレタン系ポリシャを用いた機械研磨と
した。

【００７１】上記端面鏡面加工を終えたガラス基板の表
面を水洗浄した。

【００７２】（３）砂掛け（ラッピング）工程 次に、ガラス基板に砂掛け加工を施した。この砂掛け工
程は、寸法精度及び形状精度の向上を目的としている。
砂掛け加工は、ラッピング装置を用いて行い、砥粒の粒
度を＃４００、＃１０００と替えて２回行った。

【００７３】詳しくは、はじめに、粒度＃４００のアル
ミナ砥粒を用い、荷重Ｌを１００ｋｇ程度に設定して、
内転ギアと外転ギアを回転させることによって、キャリ
ア内に収納したガラス基板の両面を面精度０〜１μｍ、
表面粗さ（Ｒｍａｘ）６μｍ程度にラッピングした。

【００７４】次いで、アルミナ砥粒の粒度を＃１０００
に替えてラッピングを行い、表面粗さ（Ｒｍａｘ）２μ
ｍ程度とした。

【００７５】上記砂掛け加工を終えたガラス基板を、中
性洗剤、水の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。

【００７６】（４）第一研磨工程 次に、第一研磨工程を施した。この第一研磨工程は、上
述した砂掛け工程で残留したキズや歪みの除去を目的と
するもので、研磨装置を用いて行った。

【００７７】詳しくは、ポリシャ（研磨粉）として硬質
ポリシャ（セリウムパッドＭＨＣ１５：スピードファム
社製）を用い、以下の研磨条件で第一研磨工程を実施し
た。

【００７８】研磨液：酸化セリウム＋水 荷重：３００ｇ／ｃｍ²（Ｌ＝２３８ｋｇ） 研磨時間：１５分 除去量：３０μｍ 下定盤回転数：４０ ｒｐｍ 上定盤回転数：３５ ｒｐｍ 内ギア回転数：１４ ｒｐｍ 外ギア回転数：２９ ｒｐｍ

【００７９】上記第一研磨工程を終えたガラス基板を、
中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコー
ル）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、
洗浄した。

【００８０】（５）第二研磨工程 次に、第一研磨工程で使用した研磨装置を用い、ポリシ
ャを硬質ポリシャから軟質ポリシャ（ポリラックス：ス
ピードファム社製）に替えて、第二研磨工程を実施し
た。研磨条件は、荷重を１００ｇ／ｃｍ²、研磨時間を
５分、除去量を５μｍとしたこと以外は、第一研磨工程
と同様とした。

【００８１】上記第二研磨工程を終えたガラス基板を、
中性洗剤、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ（イソプロピ
ルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次
浸漬して、洗浄した。なお、各洗浄槽には超音波を印加
した。

【００８２】（６）化学強化工程 次に、上記研削、研磨工程を終えたガラス基板に化学強
化を施した。化学強化は、硝酸カリウム（６０％）と硝
酸ナトリウム（４０％）を混合した化学強化溶液を用意
し、この化学強化溶液を４００℃に加熱し、３００℃に
予熱された洗浄済みのガラス基板を約３時間浸漬して行
った。この浸漬の際に、ガラス基板の表面全体が化学強
化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保
持されるようにホルダーに収納した状態で行った。

【００８３】このように、化学強化溶液に浸漬処理する
ことによって、ガラス基板表層のリチウムイオン、ナト
リウムイオンは、化学強化溶液中のナトリウムイオン、
カリウムイオンにそれぞれ置換されガラス基板は強化さ
れる。

【００８４】ガラス基板の表層に形成された圧縮応力層
の厚さは、約１００〜２００μｍであった。

【００８５】上記化学強化を終えたガラス基板を、２０
℃の水槽に浸漬して急冷し約１０分間維持した。

【００８６】上記急冷を終えたガラス基板を、約４０℃
に加熱した硫酸に浸漬し、超音波をかけながら洗浄を行
った。

【００８７】上記の工程を経て得られたガラス基板の端
面の表面粗さは図１に示す各部位（面取部Ａ（長さ０．
１５ｍｍ）及びＣ（長さ０．１５ｍｍ）、側壁部Ｂ（長
さ０．３５ｍｍ））において表１に示す通りであった。
また、ガラス基板の主表面の表面粗さＲａは０．５〜１
ｎｍであった。なお、Ａ，Ｃ面に比べＢ面の表面粗さの
値が大きいのは、端面鏡面加工工程後に行われる研磨工
程においてＢ面が若干粗れるためであると考えられる。
さらに、ガラス表面を精密検査したところサーマル・ア
スペリティの原因となるパーティクルは認められなかっ
た。

【００８８】

【表１】

【００８９】（７）磁気ディスク製造工程 上述した工程を経て得られた磁気ディスク用ガラス基板
の両面に、インライン式のスパッタリング装置を用い
て、ＡｌＮのスパッタによるテクスチャー層、Ｃｒ下地
層、ＣｒＭｏ下地層、ＣｏＰｔＣｒＴａ磁性層、Ｃ保護
層を順次成膜して磁気ディスクを得た。

【００９０】得られた磁気ディスクについてグライドテ
ストを実施したところ、ヒット（ヘッドが磁気ディスク
表面の突起にかすること）やクラッシュ（ヘッドが磁気
ディスク表面の突起に衝突すること）は認められなかっ
た。また、サーマル・アスペリティの原因となるパーテ
ィクルによって、磁性層等の膜に欠陥が発生していない
ことも確認できた。

【００９１】なお、本発明のようにガラス基板の端面を
鏡面研磨した本実施例（試料６〜１３）と、ガラス基板
の端面を化学エッチング処理した比較例（試料１４〜１
５）と、ガラス基板の端面を研磨もエッチングもしない
未処理品（試料１６〜１７）に関し、それぞれ成膜後の
各１００枚について、比較のためフライングハイトを
１．１〜１．３インチとしてグライドテストを実施して
膜下欠陥不良率（歩留まり）を調べたところ、表２に示
す通り、本実施例の方が優れていることが判明した。

【００９２】

【表２】

【００９３】このように、ガラス基板の端面を化学エッ
チング処理したものでは、本発明の目的を達成できない
ことが判る。なお、試料１４〜１５においてはガラス基
板の端面が、なし地（光沢のない面）の状態であった。

【００９４】また、グライドテストを終えた本実施例の
磁気ディスクについて、磁気抵抗型ヘッドで再生試験を
行ったが、複数のサンプル（５００枚）の全数について
サーマル・アスペリティによる再生の誤動作は認められ
なかった。さらに、Ａ面の表面粗さＲａ：０．０４μ
ｍ、Ｒｍａｘ：０．５μｍ、Ｂ面の表面粗さＲａ：０．
０７μｍ、Ｒｍａｘ：０．６２μｍ、Ｃ面の表面粗さＲ
ａ：０．０５μｍ、Ｒｍａｘ：０．４８μｍの試料（端
面研磨品）、及び端面未研磨品（それぞれ２５枚、表裏
で５０面）について、表３に示す各種欠陥検査（certif
ication test）を行ったところ、端面研磨品の方が欠陥
が少なく優れていることが判明した。なお、表３におい
て、各記号は以下の内容を意味する。「Ｐ−Ｍｏｄ」は
ポジティブモジュレーションエラー試験（Positive Mod
uration Error Test）を示し、緩やな突起を検出する試
験を意味する。「Ｎ−Ｍｏｄ」はネガティブモジュレー
ションエラー試験（Negative Moduration Error Test）
を示し、緩やなへこみを検出、評価する試験を意味す
る。同様に、「Ｍｉｓ」はミッシングパルスエラー試験
（Missing Pulse Error Test）を示し、磁性膜の欠落を
検出、評価する試験を意味する。この場合、記号「Ｃ」
は修正可能な（Corrective）欠落欠陥を示し、記号
「Ｕ」は修正不可能な（Uncorrective）欠落欠陥を示
し、「Ｌ」はエラービット長の長い（Long）欠落欠陥を
示す。「Ｓｐｉｋｅ」はスパイクパルスエラー試験（Sp
ike Pulse Error Test）を示し、急峻な突起を検出、評
価する試験を意味する。この場合、記号「Ｃ」、
「Ｕ」、「Ｌ」の表す意味は上記と同様である。「Ｅｘ
ｔｒａ」はエキストラパルスエラー試験（Extra Pulse
Error Test）を示し、消し残し信号を検出、評価する試
験を意味する。この場合、記号「Ｃ」、「Ｕ」、「Ｌ」
の表す意味は上記と同様である。上記表３に示す各試験
は、読み取り／書き込みヘッドとしてＭＲヘッドを用
い、読み取り／書き込みのトラック幅Ｒ／Ｗ＝３．０／
２．４μｍ、フライングハイト＝５０μｍ、周速＝７ｍ
／ｓｅｃの条件下、信号の書き込み、再生、消去を行い
実施した。

【００９５】

【表３】

【００９６】実施例２〜３ アルミノシリケートガラスの代わりにソーダライムガラ
ス（実施例２）、ソーダアルミノケイ酸ガラス（実施例
３）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、磁気デ
ィスク用ガラス基板及び磁気ディスクを得た。

【００９７】その結果、ソーダライムガラスの場合、ガ
ラス基板の外周端面と内周端面の表面粗さは、Ｒｍａｘ
で１．５μｍとなり、アルミノシリケートガラスに比べ
やや粗面ではあったが、実用上問題はなかった。

【００９８】実施例４ 実施例１で得られた磁気ディスク用ガラス基板の両面
に、Ａｌ（膜厚５０オングストローム）／Ｃｒ（１００
０オングストローム）／ＣｒＭｏ（１００オングストロ
ーム）からなる下地層、ＣｏＰｔＣｒ（１２０オングス
トローム）／ＣｒＭｏ（５０オングストローム）／Ｃｏ
ＰｔＣｒ（１２０オングストローム）からなる磁性層、
Ｃｒ（５０オングストローム）保護層をインライン型ス
パッタ装置で形成した。

【００９９】上記基板を、シリカ微粒子（粒経１００オ
ングストローム）を分散した有機ケイ素化合物溶液（水
とＩＰＡとテトラエトキシシランとの混合液）に浸し、
焼成することによってＳｉＯ₂からなるテクスチャー機
能を持った保護層を形成し、さらに、この保護層上をパ
ーフロロポリエーテルからなる潤滑剤でディップ処理し
て潤滑層を形成して、ＭＲヘッド用磁気ディスクを得
た。

【０１００】得られた磁気ディスクについてグライドテ
ストを実施したところ、ヒットやクラッシュは認められ
なかった。また、磁性層等の膜に欠陥が発生していない
ことも確認できた。さらに、磁気抵抗型ヘッドによる再
生試験の結果、サーマル・アスペリティによる再生の誤
動作は認められなかった。

【０１０１】実施例５ 下地層をＡｌ／Ｃｒ／Ｃｒとし、磁性層をＣｏＮｉＣｒ
Ｔａとしたこと以外は実施例４と同様にして薄膜ヘッド
用磁気ディスクを得た。

【０１０２】上記磁気ディスクについて実施例４と同様
のことが確認された。

【０１０３】次に、本第二発明にかかる実施例について
説明する。実施例６

【０１０４】（１）荒ずり工程 まず、ダウンドロー法で形成したシートガラスから、研
削砥石で直径９６ｍｍφ、厚さ３ｍｍの円盤状に切り出
したアルミノシリケイトガラスからなるガラス基板を、
比較的粗いダイヤモンド砥石で研削加工して、直径９６
ｍｍφ、厚さ１．５ｍｍに成形した。この場合、ダウン
ドロー法の代わりに、溶融ガラスを、上型、下型、胴型
を用いてダイレクト・プレスして、円盤状のガラス体を
得てもよい。

【０１０５】なお、アルミノシリケイトガラスとして
は、モル％表示で、ＳｉＯ₂を５７〜７４％、ＺｎＯ₂を
０〜２．８％、Ａｌ₂Ｏ₃を３〜１５％、ＬｉＯ₂を７〜
１６％、Ｎａ₂Ｏを４〜１４％、を主成分として含有す
る化学強化用ガラス（例えば、モル％表示で、Ｓｉ
Ｏ₂：６７．０％、ＺｎＯ₂：１．０％、Ａｌ₂Ｏ₃：９．
０％、ＬｉＯ₂：１２．０％、Ｎａ₂Ｏ：１０．０％を主
成分として含有する化学強化用ガラス）を使用した。

【０１０６】次いで、上記砥石よりも粒度の細かいダイ
ヤモンド砥石で上記ガラス基板の両面を片面ずつ研削加
工した。このときの荷重は１００ｋｇ程度とした。これ
により、ガラス基板両面の表面粗さをＲｍａｘ（ＪＩＳ
Ｂ ０６０１で測定）で１０μｍ程度に仕上げた。

【０１０７】次に、円筒状の砥石を用いてガラス基板の
中央部分に孔を開けるとともに、外周端面も研削して直
径を９５ｍｍφとした後、外周端面及び内周面に所定の
面取り加工を施した。このときのガラス基板の端面（側
面及び面取部）の表面粗さは、Ｒｍａｘで１４μｍ程度
であった。

【０１０８】（２）端面鏡面加工工程 次いで、スラリーを使用したブラシ研磨により、ガラス
基板を回転させながらガラス基板の端面部分（角張った
部位、側面及び面取部）の研磨を行い、角張った部位を
半径０．２〜１０ｍｍの曲面とするとともに、それらの
表面粗さを、Ｒｍａｘで１μｍ、Ｒａで０．３μｍ程度
とした。

【０１０９】上記端面鏡面加工を終えたガラス基板の表
面を水洗浄した。

【０１１０】（３）砂掛け（ラッピング）工程 次に、ガラス基板に砂掛け加工を施した。この砂掛け工
程は、寸法精度及び形状精度の向上を目的としている。
砂掛け加工は、ラッピング装置を用いて行い、砥粒の粒
度を＃４００、＃１０００と替えて２回行った。

【０１１１】詳しくは、はじめに、粒度＃４００のアル
ミナ砥粒を用い、荷重Ｌを１００ｋｇ程度に設定して、
内転ギアと外転ギアを回転させることによって、キャリ
ア内に収納したガラス基板の両面を面精度０〜１μｍ、
表面粗さ（Ｒｍａｘ）６μｍ程度にラッピングした。

【０１１２】次いで、アルミナ砥粒の粒度を＃１０００
に替えてラッピングを行い、表面粗さ（Ｒｍａｘ）２μ
ｍ程度とした。

【０１１３】上記砂掛け加工を終えたガラス基板を、中
性洗剤、水の各洗浄槽に順次浸漬して、洗浄した。

【０１１４】（４）第一研磨工程 次に、第一研磨工程を施した。この第一研磨工程は、上
述した砂掛け工程で残留したキズや歪みの除去を目的と
するもので、研磨装置を用いて行った。

【０１１５】詳しくは、ポリシャ（研磨粉）として硬質
ポリシャ（セリウムパッドＭＨＣ１５：スピードファム
社製）を用い、以下の研磨条件で第一研磨工程を実施し
た。

【０１１６】研磨液：酸化セリウム＋水 荷重：３００ｇ／ｃｍ²（Ｌ＝２３８ｋｇ） 研磨時間：１５分 除去量：３０μｍ 下定盤回転数：４０ ｒｐｍ 上定盤回転数：３５ ｒｐｍ 内ギア回転数：１４ ｒｐｍ 外ギア回転数：２９ ｒｐｍ

【０１１７】上記第一研磨工程を終えたガラス基板を、
中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコー
ル）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して、
洗浄した。

【０１１８】（５）第二研磨工程 次に、第一研磨工程で使用した研磨装置を用い、ポリシ
ャを硬質ポリシャから軟質ポリシャ（ポリラックス：ス
ピードファム社製）に替えて、第二研磨工程を実施し
た。研磨条件は、荷重を１００ｇ／ｃｍ²、研磨時間を
５分、除去量を５μｍとしたこと以外は、第一研磨工程
と同様とした。

【０１１９】上記第二研磨工程を終えたガラス基板を、
中性洗剤、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ（イソプロピ
ルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次
浸漬して、洗浄した。なお、各洗浄槽には超音波を印加
した。

【０１２０】（６）化学強化工程 次に、上記研削、研磨工程を終えたガラス基板に化学強
化を施した。化学強化は、硝酸カリウム（６０％）と硝
酸ナトリウム（４０％）を混合した化学強化溶液を用意
し、この化学強化溶液を４００℃に加熱し、３００℃に
予熱された洗浄済みのガラス基板を約３時間浸漬して行
った。この浸漬の際に、ガラス基板の表面全体が化学強
化されるようにするため、複数のガラス基板が端面で保
持されるようにホルダーに収納した状態で行った。

【０１２１】このように、化学強化溶液に浸漬処理する
ことによって、ガラス基板表層のリチウムイオン、ナト
リウムイオンは、化学強化溶液中のナトリウムイオン、
カリウムイオンにそれぞれ置換されガラス基板は強化さ
れる。

【０１２２】ガラス基板の表層に形成された圧縮応力層
の厚さは、約１００〜２００μｍであった。

【０１２３】上記化学強化を終えたガラス基板を、２０
℃の水槽に浸漬して急冷し約１０分間維持した。

【０１２４】上記急冷を終えたガラス基板を、約４０℃
に加熱した硫酸に浸漬し、超音波をかけながら洗浄を行
った。

【０１２５】上記の工程を経て得られたガラス基板を収
納容器に出し入れした後、ガラス基板表面を精密検査し
たところサーマル・アスペリティの原因となるパーティ
クルは認められなかった。

【０１２６】（７）磁気ディスク製造工程 上述した工程を経て得られた磁気ディスク用ガラス基板
の両面に、インライン式のスパッタリング装置を用い
て、ＡｌＮのスパッタによるテクスチャー層、Ｃｒ下地
層、ＣｒＭｏ下地層、ＣｏＰｔＣｒＴａ磁性層、Ｃ保護
層を順次成膜して磁気ディスクを得た。

【０１２７】得られた磁気ディスクについてグライドテ
ストを実施したところ、ヒット（ヘッドが磁気ディスク
表面の突起にかすること）やクラッシュ（ヘッドが磁気
ディスク表面の突起に衝突すること）は認められなかっ
た。また、サーマル・アスペリティの原因となるパーテ
ィクルによって、磁性層等の膜に欠陥が発生していない
ことも確認できた。

【０１２８】さらに、グライドテストを終えた本実施例
の磁気ディスクについて、磁気抵抗型ヘッドで再生試験
を行ったが、複数のサンプル（５００枚）の全数につい
てサーマル・アスペリティによる再生の誤動作は認めら
れなかった。また、実施例１と同様にグライドテスト及
び欠陥検査（certification test）を行ったところ、膜
下欠陥不良率の低下、及び欠陥減少率の向上が認められ
た。

【０１２９】実施例７〜８ アルミノシリケートガラスの代わりにソーダライムガラ
ス（実施例７）、ソーダアルミノケイ酸ガラス（実施例
８）を用いたこと以外は実施例６と同様にして、磁気デ
ィスク用ガラス基板及び磁気ディスクを得た。

【０１３０】その結果、ソーダライムガラスの場合、ガ
ラス基板の端面部分の表面粗さは、Ｒｍａｘで１．５μ
ｍとなり、アルミノシリケートガラスに比べやや粗面で
はあったが、実用上問題はなかった。

【０１３１】実施例９ 実施例６で得られた磁気ディスク用ガラス基板の両面
に、Ａｌ（膜厚５０オングストローム）／Ｃｒ（１００
０オングストローム）／ＣｒＭｏ（１００オングストロ
ーム）からなる下地層、ＣｏＰｔＣｒ（１２０オングス
トローム）／ＣｒＭｏ（５０オングストローム）／Ｃｏ
ＰｔＣｒ（１２０オングストローム）からなる磁性層、
Ｃｒ（５０オングストローム）保護層をインライン型ス
パッタ装置で形成した。

【０１３２】上記基板を、シリカ微粒子（粒経１００オ
ングストローム）を分散した有機ケイ素化合物溶液（水
とＩＰＡとテトラエトキシシランとの混合液）に浸し、
焼成することによってＳｉＯ₂からなるテクスチャー機
能を持った保護層を形成し、さらに、この保護層上をパ
ーフロロポリエーテルからなる潤滑剤でディップ処理し
て潤滑層を形成して、ＭＲヘッド用磁気ディスクを得
た。

【０１３３】得られた磁気ディスクについてグライドテ
ストを実施したところ、ヒットやクラッシュは認められ
なかった。また、磁性層等の膜に欠陥が発生していない
ことも確認できた。さらに、磁気抵抗型ヘッドによる再
生試験の結果、サーマル・アスペリティによる再生の誤
動作は認められなかった。

【０１３４】実施例１０ 下地層をＡｌ／Ｃｒ／Ｃｒとし、磁性層をＣｏＮｉＣｒ
Ｔａとしたこと以外は実施例９と同様にして薄膜ヘッド
用磁気ディスクを得た。

【０１３５】上記磁気ディスクについて実施例９と同様
のことが確認された。

【０１３６】以上好ましい実施例を挙げて本発明を説明
したが、本発明は必ずしも上記実施例に限定されるもの
ではない。

【０１３７】例えば、ガラス基板の種類や磁性層の種類
は実施例のものに限定されない。

【０１３８】

【発明の効果】以上説明したように本第一発明では、ガ
ラス基板の端面を従来にないレベルの鏡面としているの
で、ヘッドクラッシュや、サーマル・アスペリティの原
因となるパーティクルが発生することがなく、サーマル
・アスペリティによる再生機能の低下を防止することが
できる。

【０１３９】また、本第二本発明では、ガラス基板の端
面部分における面取部の両端の角張った部位を曲面とし
てあるので、ヘッドクラッシュや、サーマル・アスペリ
ティの原因となるパーティクルが発生することがなく、
サーマル・アスペリティによる再生機能の低下を防止す
ることができる。

【０１４０】さらに、本発明では、サーマル・アスペリ
ティの原因となるパーティクルに起因する不良を回避で
き、より高品質の磁気記録媒体が高歩留まりで得られ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気記録媒体用ガラス基板の端面を示す拡大図
である。

【図２】磁気記録媒体用ガラス基板の端面を示す拡大図
である。

【符号の説明】

１ ガラス基板 Ａ 面取部 Ｂ 側壁部 Ｃ 面取部 ２ 側壁部（側面） ３ 面取部（連接面） ４ 主表面 ５ 端面部分 ６ 角張った部位 ７ 曲面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−195707（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−167121（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−111023（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−17031（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−102120（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−146928（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−86341（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/82 G11B 5/84

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気記録媒体用ガラス基板において、該
   磁気記録媒体用ガラス基板は、磁気抵抗型ヘッド（ＭＲ
   ヘッド）又は大型磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）対
   応の磁気記録媒体の基板として用いられるガラス基板で
   あって、面取部及び側壁部のうちの少なくとも一方の表
   面が、表面粗さＲａが、１μｍ未満の鏡面であり、表面
   粗さが、Ｒｍａｘ：０．０１〜４μｍの範囲の鏡面であ
   ることを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板。
2. 【請求項２】 前記面取部及び前記側壁部の両方の表面
   粗さＲａ及びＲｍａｘが、前記所定の値の鏡面であるこ
   とを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体用ガラス
   基板。
3. 【請求項３】 前記ガラス基板の内周端面と外周端面の
   両方の表面粗さＲａ及びＲｍａｘが、前記所定の値の鏡
   面であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気
   記録媒体用ガラス基板。
4. 【請求項４】 磁性層を含む薄膜を形成するガラス基板
   の主表面とガラス基板の側面との間に面取りによる面取
   部を設けた磁気記録媒体用ガラス基板であって、 該磁気記録媒体用ガラス基板は、磁気抵抗型ヘッド（Ｍ
   Ｒヘッド）又は大型磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）
   対応の磁気記録媒体の基板として用いられるガラス基板
   であって、 ガラス基板の側面と面取部との間、及びガラス基板の主
   表面と面取部との間のうちの少なくとも一方に、半径
   ０．２〜１０ｍｍの曲面を介在させ、前記曲面部分の表
   面粗さＲａは、Ｒａ：１μｍ未満、前記曲面部分の表面
   粗さＲｍａｘは、Ｒｍａｘ：０．０１〜４μｍ、である
   ことを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか一に記載の磁
   気記録媒体用ガラス基板であって、表面粗さＲａが２ｎ
   ｍ以下の主表面を持つことを特徴とする磁気記録媒体用
   ガラス基板。
6. 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか一に記載の磁
   気記録媒体用ガラス基板上に、少なくとも磁性層を形成
   したことを特徴とする磁気記録媒体。
7. 【請求項７】 サーマル・アスペリティを引き起こすパ
   ーティクルの発生を防止するために、ブラシ研磨によ
   り、ガラス基板の端面を研磨することを特徴とする磁気
   記録媒体用ガラス基板の製造方法。
8. 【請求項８】 サーマル・アスペリティを引き起こすパ
   ーティクルの発生を防止するために、スラリーを使用し
   てブラシ研磨により、ガラス基板の端面を研磨すること
   を特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
9. 【請求項９】 サーマル・アスペリティを引き起こすパ
   ーティクルの発生を防止するために、ブラシ研磨によ
   り、ガラス基板の側面と面取部とが交差する部位、及び
   ガラス基板の主表面と面取部とが交差する部位を研磨し
   て曲面にすることを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基
   板の製造方法。
10. 【請求項１０】 サーマル・アスペリティを引き起こす
    パーティクルの発生を防止するために、スラリーを使用
    してブラシ研磨により、ガラス基板の側面と面取部とが
    交差する部位、及びガラス基板の主表面と面取部とが交
    差する部位を研磨して曲面にすることを特徴とする磁気
    記録媒体用ガラス基板の製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項７乃至１０のいずれか一に記載
    の方法によって製造された磁気記録媒体用ガラス基板上
    に、少なくとも磁性層を形成することを特徴とする磁気
    記録媒体の製造方法。