JP3523091B2 - スイッチング電源装置 - Google Patents

スイッチング電源装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、定電流帰還ループ
を備えた電流モード制御形のスイッチング電源装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】従来から、大容量のDC−DCコンバー
タの主スイッチング素子として電力用のMOS−FET
(メタル・オキサイド・セミコンダクタ・電界効果トラ
ンジスタ)が使用されている。
【0003】図11は主スイッチング素子として電力用
のMOS−FETを用いたスイッチング電源装置の1例
であり、Tは一次巻線及び二次巻線を有するトランス、
Q10はMOS−FET、OP1,OP2は演算増幅器、R
11は電流検出抵抗である。トランスTの一次巻線、MO
S−FET Q10、電流検出抵抗R11の直列回路に対し
て直流電源Eからの直流電源電圧が印加されている。C
1は入力側のコンデンサであり、直流電源Eに並列接続
されている。トランスTの二次巻線には整流平滑回路を
構成するダイオードD2及びコンデンサC3が接続され、
これを介して負荷LDが二次巻線に接続されている。演
算増幅器OP1は負荷両端の電圧、すなわち出力電圧を
基準電圧Vrefと比較し、重負荷で出力電圧が低下して
いるときは、高い比較出力電圧を演算増幅器OP2に印
加し、軽負荷で出力電圧が上昇しているときは、低い比
較出力電圧を演算増幅器OP2の一端に印加する。従っ
て、重負荷の場合、演算増幅器OP2の一端の比較出力
電圧が高いため、その他端に加わる電流検出抵抗R11の
検出値が大きくなるまでMOS−FET Q10のオン状
態が継続される(ターンオフのタイミングが遅れる)。
逆に軽負荷の場合、演算増幅器OP2の一端の比較出力
電圧が低いため、その他端に加わる電流検出抵抗R11の
検出値が小さな値でMOS−FET Q10がターンオフ
する(ターンオフのタイミングが早まる)。
【0004】このように、図11の回路は、定電流帰還
ループを備えた電流モード制御形のスイッチング電源装
置を構成することで、トランス二次側の出力電圧の安定
化を図っている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図11のよ
うに、電流検出抵抗R11をMOS−FET Q10のソー
スとグランド間に挿入する場合は回路構成は簡単になる
が、図中点線にて示したMOS−FET Q10のゲート
容量(Ciss:ゲートからみたFET全容量)、ゲート
・ドレイン間容量、ゲート・ソース間容量による影響を
電流検出抵抗R11の検出電圧は受ける。すなわち、MO
S−FET Q10がオンする際に、図12(A)のよう
に、ゲート容量(Ciss)の充電電流と、ゲート・ドレ
イン間容量、ゲート・ソース間容量の放電電流とに起因
するスパイク状電流がトランス一次電流に重畳される。
このため、重負荷乃至全負荷時にはMOS−FET Q1
0をターンオフするトランス一次電流の検出レベルが前
記スパイク状電流のピークよりも高いため問題は生じな
いが、無負荷乃至軽負荷にかけてMOS−FET Q10
をターンオフするトランス一次電流の検出レベルが前記
スパイク状電流のピークよりも低くなる場合が生じ、出
力電圧安定化動作を不安定にする要因となっていた。つ
まり、トランス一次電流が前記スパイク状電流のピーク
以下だと、前記スパイク状電流をトランス一次電流と誤
認して制御してしまう危険性がある。
【0006】なお、公知技術として特開平4−2178
59号があり、MOS−FETのソース・グランド間に
電流検出手段を挿入し、前記スパイク状電流はピーク検
出回路の抵抗、コンデンサによるフィルタ作用で除去す
るようにしている。しかし、MOS−FETが大電力用
であって、前記スパイク状電流のピークが高く、フィル
タ作用による前記スパイク状電流の除去が不完全になる
と動作が不安定となるし、スイッチング周波数を高速化
した場合、抵抗、コンデンサの定数の選定も困難にな
る。
【0007】また、別の従来技術として、主スイッチン
グ素子がターンオンしてスパイク状電流が発生する期間
(数nsec乃至数百nsec)だけ電流検出回路を切り離し
て上記問題を回避したものがある。しかし、最小オン期
間がこの不感時間で決まってしまうため、高周波化が難
しく、無負荷近くでの動作が不安定となることがあっ
た。
【0008】本発明は、上記の点に鑑み、主スイッチン
グ素子の持つ静電容量の充放電電流に起因する出力安定
化制御の不安定性を除去し、無負荷から全負荷に至るま
で安定に出力制御可能なスイッチング電源装置を提供す
ることを目的とする。
【0009】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施の形態において明らかにする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願請求項1の発明は、トランスと、該トランスの
一次巻線の電流を断続するスイッチング素子と、前記ト
ランスの二次巻線の誘起電圧を整流平滑する整流平滑回
路と、該整流平滑回路の出力電圧と前記スイッチング素
子に流れる電流とを制御する安定化制御回路とを備えた
電流モード制御形スイッチング電源装置において、前記
スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出手段
を、前記一次巻線の前記スイッチング素子の接続されな
い側と直流電源間、又は前記一次巻線と前記スイッチン
グ素子間に挿入し、前記電流検出手段は、前記一次巻線
の前記スイッチング素子の接続されない側と直流電源
間、又は前記一次巻線と前記スイッチング素子間に検出
抵抗を挿入し、第1及び第2のトランジスタのベースを
共通に接続したカレントミラー回路の前記第2のトラン
ジスタのエミッタを前記検出抵抗の一端に接続しかつコ
レクタを定電流源又は抵抗に接続し、前記第1のトラン
ジスタのエミッタは直列抵抗を介して前記検出抵抗の他
端に接続し、前記検出抵抗に流れる被検出電流を前記第
1のトランジスタのコレクタ側にて検出することを特徴
としている。
【0011】
【0012】
【0013】
【0014】請求項2の発明は、チョークコイルと、該
チョークコイルの電流を断続するスイッチング素子と、
前記チョークコイルの出力側の誘起電圧を整流平滑する
整流平滑回路と、該整流平滑回路の出力電圧と前記スイ
ッチング素子に流れる電流とを制御する安定化制御回路
とを備えた電流モード制御形スイッチング電源装置にお
いて、前記スイッチング素子に流れる電流を検出する電
流検出手段を、前記チョークコイルの入力側と直流電源
間、又は前記チョークコイル出力側と前記スイッチング
素子間に挿入し、前記電流検出手段が、前記チョークコ
イルの入力側と直流電源間、又は前記チョークコイル出
力側と前記スイッチング素子間に検出抵抗を挿入し、第
1及び第2のトランジスタのベースを共通に接続したカ
レントミラー回路の前記第2のトランジスタのエミッタ
を前記検出抵抗の一端に接続しかつコレクタを定電流源
又は抵抗に接続し、前記第1のトランジスタのエミッタ
は直列抵抗を介して前記検出抵抗の他端に接続し、前記
検出抵抗に流れる被検出電流を前記第1のトランジスタ
のコレクタ側にて検出することを特徴としている。
【0015】
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るスイッチング
電源装置の実施の形態を図面に従って説明する。
【0017】図1は本発明の第1の実施の形態であっ
て、定電流帰還ループを備えた電流モード制御形のスイ
ッチング電源装置(DC−DCコンバータ)において電
流検出手段DTを、トランスTの一次巻線のスイッチン
グ素子の接続されない側と直流電源E間に挿入してい
る。スイッチング素子としてのMOS−FET Q10の
ソースはグランドに直結されている。
【0018】前記電流検出手段DTは直流電源Eの正側
に挿入されているため、グランドレベルを基準とした電
流検出値を得るための工夫が必要である。図2はこの点
に配慮した電流検出手段DTの第1具体例を示す。この
電流検出手段DTはカレントミラー回路を利用した電流
検出回路であって、第1及び第2のPNPトランジスタ
Q1,Q2のベースを共通に接続したカレントミラー回路
の前記第2のトランジスタQ2のエミッタを検出抵抗R1
の一端(電流流出端)bに接続しかつコレクタを定電流
源1に接続し、前記第1のトランジスタQ1のエミッタ
は直列抵抗R2を介して検出抵抗R1の他端(電流流入
端)aに接続し、検出抵抗R1を電流検出線路に直列に
挿入している。そして、前記検出抵抗R1に流れる被検
出電流Iinを、第1のトランジスタQ1のコレクタ側の
検出信号電流Ioutから検出する構成となっている。
【0019】なお、モノリシックの対のトランジスタを
Q1,Q2に使用することが望ましい。また、電流検出線
路は、グランド線路に対して高い電位となっていること
が前提であり、トランジスタQ1のコレクタとグランド
間にトランジスタQ1の保護用抵抗R31、出力検出用抵
抗R32を接続して、検出信号電流Ioutに比例した検出
信号電圧(電流検出値)を出力端子cより取り出してい
る。
【0020】前記第1のトランジスタQ1のエミッタを
直列抵抗R2を介して検出抵抗R1に接続した図2の回路
の場合、検出信号電流Ioutが被検出電流Iinに対しほ
ぼリニアに変化するから、抵抗R32の両端の検出信号電
圧からトランスTの一次電流(MOS−FET Q10の
電流)を検出してスイッチング電源装置の出力電圧の安
定化制御を実行できる。なお、その他の構成は前述した
図11と同様である。
【0021】図12(B)は全負荷時及び軽負荷時にお
ける前記検出抵抗R1に流れる被検出電流Iinの例であ
り、MOS−FET Q10のゲート容量(Ciss)、ゲー
ト・ドレイン間容量、ゲート・ソース間容量による影響
は受けていないことが判る。
【0022】この第1の実施の形態によれば、次の通り
の効果を得ることができる。
【0023】(1) 電流検出手段DTを、トランスTの
一次巻線のスイッチング素子の接続されない側と直流電
源E間に挿入したので、電流検出手段DT内の検出抵抗
R1に流れる被検出電流Iinは、MOS−FET Q10の
ゲート容量(Ciss)、ゲート・ドレイン間容量、ゲー
ト・ソース間容量による影響を受けない。このため、無
負荷から全負荷に至るまで安定した出力安定化制御が可
能である。
【0024】(2) 電流検出手段DTとして図2のカレ
ントミラー回路を利用した電流検出回路を用いること
で、グランドレベルを基準とした電流検出値を容易に得
ることができ、しかも被検出電流Iinに正比例した電流
検出値が得られ、高精度の制御が可能である。
【0025】図3は本発明の第2の実施の形態を示す。
この場合、電流検出手段DTを、トランスTの一次巻線
とスイッチング素子間に挿入している。スイッチング素
子としてのMOS−FET Q10のソースはグランドに
直結されている。その他の構成及び作用効果は前述の第
1の実施の形態と同様である。
【0026】図4は本発明の第3の実施の形態であっ
て、トランスの代わりにチョークコイルCHを用いたチ
ョッパー型のスイッチング電源装置(DC−DCコンバ
ータ)の例である。この場合、電流検出手段DTを、チ
ョークコイルCHの入力側(スイッチング素子の接続さ
れない側)と直流電源E間に挿入している。スイッチン
グ素子としてのMOS−FET Q10のソースはグラン
ドに直結されている。なお、その他の構成は前述の第1
の実施の形態と同様であり、同一又は相当部分に同一符
号を付した。
【0027】この第3の実施の形態の場合、チョッパー
方式の動作原理である点を除けば、出力安定化のための
構成は前述した第1の実施の形態と同様であり、同様の
作用効果を得ることができる。
【0028】図5は本発明の第4の実施の形態であっ
て、トランスの代わりにチョークコイルCHを用いたチ
ョッパー型のスイッチング電源装置(DC−DCコンバ
ータ)の例である。この場合、電流検出手段DTを、チ
ョークコイルCHの出力側とスイッチング素子としての
MOS−FET Q10間に挿入している。但し、整流平
滑回路のダイオードD2はMOS−FET Q10のドレイ
ンに接続されている。MOS−FET Q10のソースは
グランドに直結されている。なお、その他の構成及び作
用効果は前述の第3の実施の形態と同様であり、同一又
は相当部分に同一符号を付した。
【0029】図6は本発明の第5の実施の形態であっ
て、トランスの代わりにチョークコイルCHを用いたチ
ョッパー型のスイッチング電源装置(DC−DCコンバ
ータ)の例である。この場合、電流検出手段DTを、チ
ョークコイルCHの出力側と整流平滑回路のダイオード
D2との接続点とMOS−FET Q10との間に挿入して
いる。MOS−FET Q10のソースはグランドに直結
されている。なお、その他の構成及び作用効果は前述の
第4の実施の形態と同様であり、同一又は相当部分に同
一符号を付した。
【0030】図2の電流検出手段DTは検出抵抗R1の
電流流入端aとグランド間の電圧が変化するのに伴って
検出信号電圧(電流検出値)が変動するアーリー効果と
呼ばれる現象が発生するが、図7の電流検出手段DTの
第2具体例では上記のアーリー効果を解消するためにウ
ィルソンのカレントミラー回路(ウィルソンミラー回
路)を応用した回路構成を示している。この図におい
て、第1のトランジスタQ1のコレクタ側に第1のトラ
ンジスタQ1と同極性の第3のトランジスタQ3を直列に
挿入し、トランジスタQ1,Q2のベースを第3のトラン
ジスタQ3のエミッタに接続し、第3のトランジスタQ3
のベースを第2のトランジスタQ2のコレクタに接続
し、Q3のコレクタを出力端子cに接続している。な
お、その他の構成は前述した図2の電流検出手段DTの
第1具体例と同様である。
【0031】この図7の第2具体例では、アーリー効果
を解消して、検出抵抗R1の電流流入端aとグランド間
の電圧が変化するのに伴う検出信号電圧(電流検出値)
の変動を除去でき、電流検出精度のいっそうの改善を図
ることができ、前述した各実施の形態に適用できる。
【0032】図8は各実施の形態で使用可能な電流検出
手段DTの第3具体例であり、図2の第1具体例におけ
る第2のトランジスタQ2のコレクタ側の定電流源を抵
抗R4,R5及び定電圧ダイオードZDで実現している。
また、第1のトランジスタQ1のコレクタとグランド間
に検出信号電流Ioutを流す抵抗R31,R32の直列回路
が接続され、抵抗R31,R32の接続点が出力端子cとな
っている。その他の構成は前述した第1具体例と同様で
ある。
【0033】図9は各実施の形態で使用可能な電流検出
手段DTの第4具体例であり、図7の第2具体例におけ
る第2のトランジスタQ2のコレクタ側の定電流源を抵
抗R4,R5及び定電圧ダイオードZDで実現している。
また、第3のトランジスタQ3のコレクタとグランド間
に検出信号電流Ioutを流す抵抗R31,R32の直列回路
が接続され、抵抗R31,R32の接続点が出力端子cとな
っている。その他の構成は前述した第2具体例と同様で
ある。
【0034】図10は各実施の形態で使用可能な電流検
出手段DTの第5具体例であり、変流器(カレントトラ
ンス)CT及びこれによる電流検出値を電圧に変換する
電流−電圧変換器A1で構成されたものである。この電
流−電圧変換器A1の電圧出力値を図1等の演算増幅器
OP2に加えればよい。
【0035】なお、本発明は、定電流帰還ループを備え
た電流モード制御形のスイッチング電源装置であれば、
種々の回路構成に適用可能であることは明らかである。
【0036】また、電流検出手段DTの第1乃至第4具
体例において、出力端子c側にローパスフィルタを更に
付加した構成とすることもできる。
【0037】以上本発明の実施の形態について説明して
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るスイ
ッチング電源装置によれば、主スイッチング素子の持つ
静電容量の充放電電流に影響されることなく、無負荷か
ら全負荷に至るまで安定した制御が可能であり、とくに
出力電力の増大、スイッチング周波数の高速化に対応可
能な利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るスイッチング電源装置の第1の実
施の形態を示す回路図である。
【図2】各実施の形態で使用可能な電流検出手段DTの
第1具体例の回路図である。
【図3】本発明の第2の実施の形態を示す回路図であ
る。
【図4】本発明の第3の実施の形態を示す回路図であ
る。
【図5】本発明の第4の実施の形態を示す回路図であ
る。
【図6】本発明の第5の実施の形態を示す回路図であ
る。
【図7】各実施の形態で使用可能な電流検出手段DTの
第2具体例の回路図である。
【図8】各実施の形態で使用可能な電流検出手段DTの
第3具体例の回路図である。
【図9】各実施の形態で使用可能な電流検出手段DTの
第4具体例の回路図である。
【図10】各実施の形態で使用可能な電流検出手段DT
の第5具体例の回路図である。
【図11】従来のスイッチング電源装置の回路図であ
る。
【図12】従来と本発明の各実施の形態の電流検出波形
を対比して示す波形図である。
【符号の説明】
A1 電流−電圧変換器 C1,C3 コンデンサ CH チョークコイル D2 ダイオード E 直流電源 LD 負荷 Q1,Q2,Q3 トランジスタ Q10 MOS−FET OP1,OP2 演算増幅器 R1,R2,R4,R5,R11,R31,R32 抵抗 T トランス ZD 定電圧ダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−21362(JP,A) 特開 平4−87558(JP,A) 特開 平9−140129(JP,A) 特開 平10−127049(JP,A) 特開 平10−174428(JP,A) 特開 平1−67613(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H02M 3/28 H02M 3/335

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 トランスと、該トランスの一次巻線の電
    流を断続するスイッチング素子と、前記トランスの二次
    巻線の誘起電圧を整流平滑する整流平滑回路と、該整流
    平滑回路の出力電圧と前記スイッチング素子に流れる電
    流とを制御する安定化制御回路とを備えた電流モード制
    御形スイッチング電源装置において、 前記スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出
    手段を、前記一次巻線の前記スイッチング素子の接続さ
    れない側と直流電源間、又は前記一次巻線と前記スイッ
    チング素子間に挿入し、 前記電流検出手段は、前記一次巻線の前記スイッチング
    素子の接続されない側と直流電源間、又は前記一次巻線
    と前記スイッチング素子間に検出抵抗を挿入し、第1及
    び第2のトランジスタのベースを共通に接続したカレン
    トミラー回路の前記第2のトランジスタのエミッタを前
    記検出抵抗の一端に接続しかつコレクタを定電流源又は
    抵抗に接続し、前記第1のトランジスタのエミッタは直
    列抵抗を介して前記検出抵抗の他端に接続し、前記検出
    抵抗に流れる被検出電流を前記第1のトランジスタのコ
    レクタ側にて検出することを特徴とする スイッチング電
    源装置。
  2. 【請求項2】 チョークコイルと、該チョークコイルの
    電流を断続するスイッチング素子と、前記チョークコイ
    ルの出力側の誘起電圧を整流平滑する整流平滑回路と、
    該整流平滑回路の出力電圧と前記スイッチング素子に流
    れる電流とを制御する安定化制御回路とを備えた電流モ
    ード制御形スイッチング電源装置において、 前記スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出
    手段を、前記チョークコイルの入力側と直流電源間、又
    は前記チョークコイル出力側と前記スイッチング素子間
    に挿入し、 前記電流検出手段は、前記チョークコイルの入力側と直
    流電源間、又は前記チョークコイル出力側と前記スイッ
    チング素子間に検出抵抗を挿入し、第1及び第2のトラ
    ンジスタのベースを共通に接続したカレントミラー回路
    の前記第2のトランジスタのエミッタを前記検出抵抗の
    一端に接続しかつコレクタを定電流源又は抵抗に接続
    し、前記第1のトランジスタのエミッタは直列抵抗を介
    して前記検出抵抗の他端に接続し、前記検出抵抗に流れ
    る被検出電流を前記第1のトランジスタのコレクタ側に
    て検出することを特徴とするスイッチング電源装置。
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