JP3521341B2 - 配線基板及びその製造方法、並びに被搭載基板を搭載した配線基板及びその製造方法 - Google Patents
配線基板及びその製造方法、並びに被搭載基板を搭載した配線基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3521341B2 JP3521341B2 JP16599296A JP16599296A JP3521341B2 JP 3521341 B2 JP3521341 B2 JP 3521341B2 JP 16599296 A JP16599296 A JP 16599296A JP 16599296 A JP16599296 A JP 16599296A JP 3521341 B2 JP3521341 B2 JP 3521341B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring board
- solder
- substrate
- pad
- board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 98
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 157
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 59
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 21
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 19
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 13
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 5
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/1012—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers
- H01L2224/10122—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body to be connected
- H01L2224/10135—Alignment aids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/1012—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers
- H01L2224/10152—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
- H01L2224/10165—Alignment aids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/13111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8112—Aligning
- H01L2224/81136—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8112—Aligning
- H01L2224/81136—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
- H01L2224/81138—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members the guiding structures being at least partially left in the finished device
- H01L2224/81139—Guiding structures on the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8112—Aligning
- H01L2224/81136—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
- H01L2224/81138—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members the guiding structures being at least partially left in the finished device
- H01L2224/8114—Guiding structures outside the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01087—Francium [Fr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01088—Radium [Ra]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
- H05K2201/09909—Special local insulating pattern, e.g. as dam around component
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10734—Ball grid array [BGA]; Bump grid array
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
- H05K2203/0278—Flat pressure, e.g. for connecting terminals with anisotropic conductive adhesive
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/03—Metal processing
- H05K2203/0338—Transferring metal or conductive material other than a circuit pattern, e.g. bump, solder, printed component
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/04—Soldering or other types of metallurgic bonding
- H05K2203/043—Reflowing of solder coated conductors, not during connection of components, e.g. reflowing solder paste
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/16—Inspection; Monitoring; Aligning
- H05K2203/167—Using mechanical means for positioning, alignment or registration, e.g. using rod-in-hole alignment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップ搭
載用基板やプリント基板等の配線基板及びその製造方
法、並びに被搭載基板を搭載した配線基板及びその製造
方法に関するものである。
載用基板やプリント基板等の配線基板及びその製造方
法、並びに被搭載基板を搭載した配線基板及びその製造
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、例えばフリップチップをフリ
ップチップ搭載用基板(以下、単に基板と記す)に接合
する場合には、図8に示すように、例えば下記の手順で
行われている。
ップチップ搭載用基板(以下、単に基板と記す)に接合
する場合には、図8に示すように、例えば下記の手順で
行われている。
【0003】まず、図8(a)に示すように、基板P1
の導通パッドP2上(またはフリップチップの導通パッ
ド上)に形成された半田バンプP3の周囲を覆うよう
に、フラックスP4を塗布する。このフラックスP4を
塗布するのは、半田バンプP3の溶融前にフリップチッ
プP5がずれないようにするためと、半田接合性を向上
させるためである。
の導通パッドP2上(またはフリップチップの導通パッ
ド上)に形成された半田バンプP3の周囲を覆うよう
に、フラックスP4を塗布する。このフラックスP4を
塗布するのは、半田バンプP3の溶融前にフリップチッ
プP5がずれないようにするためと、半田接合性を向上
させるためである。
【0004】次に、基板P1に設けられたアライメント
マークP6(図8(b)参照)とフリップチップP5の
外径を画像認識装置で読み込み、その情報を元に機械が
フリップチップP5を基板P1上の所定の位置に配置す
る。次に、半田バンプP3を加熱して溶融させて、フリ
ップチップP5と基板P1とを接合する。
マークP6(図8(b)参照)とフリップチップP5の
外径を画像認識装置で読み込み、その情報を元に機械が
フリップチップP5を基板P1上の所定の位置に配置す
る。次に、半田バンプP3を加熱して溶融させて、フリ
ップチップP5と基板P1とを接合する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な方法でフリップチップP5を基板P1に接合する場合
には、下記のような問題があり、一層の改善が求められ
ている。 フリップチップP5の位置合わせのために、高価な画
像認識装置が必要である。また、画像認識を使って位置
合わせを行うために、位置合わせに時間がかかる。
な方法でフリップチップP5を基板P1に接合する場合
には、下記のような問題があり、一層の改善が求められ
ている。 フリップチップP5の位置合わせのために、高価な画
像認識装置が必要である。また、画像認識を使って位置
合わせを行うために、位置合わせに時間がかかる。
【0006】品番別に、アライメントマークP6とフ
リップチップP5の搭載位置との関係を、位置合わせ機
に入力(学習)させなければならず、段取りが面倒であ
る。 アライメントマークP6は、その表面状態によって画
像認識ができないことがある(メッキにより光沢が強す
ぎる場合や、錆で変色した場合)。
リップチップP5の搭載位置との関係を、位置合わせ機
に入力(学習)させなければならず、段取りが面倒であ
る。 アライメントマークP6は、その表面状態によって画
像認識ができないことがある(メッキにより光沢が強す
ぎる場合や、錆で変色した場合)。
【0007】半田バンプP3の溶融前に、フリップチ
ップP5がずれないようにフラックスP4の粘着力を利
用してフリップチップP5を仮固定しているが、フラッ
クスP4には弱い粘着性しかないので、搬送中の振動で
フリップチップP5の位置がずれてしまうことがある。
ップP5がずれないようにフラックスP4の粘着力を利
用してフリップチップP5を仮固定しているが、フラッ
クスP4には弱い粘着性しかないので、搬送中の振動で
フリップチップP5の位置がずれてしまうことがある。
【0008】半田バンプP3の溶融前に、フリップチ
ップP5がずれないようにフラックスP4を塗布してい
るため、溶融後にはフラックスP4を洗浄して除去しな
ければならないが、基板P1とフリップチップP5の間
の隙間が狭いので洗浄が困難である。また、フラックス
P4が残っていると、腐食を生じたりその後の樹脂モー
ルドが不完全となり、信頼性が低下することがある。
ップP5がずれないようにフラックスP4を塗布してい
るため、溶融後にはフラックスP4を洗浄して除去しな
ければならないが、基板P1とフリップチップP5の間
の隙間が狭いので洗浄が困難である。また、フラックス
P4が残っていると、腐食を生じたりその後の樹脂モー
ルドが不完全となり、信頼性が低下することがある。
【0009】本発明は、前記課題を解決するためになさ
れたものであり、フリップチップ等の位置合わせやその
接合などを、精度良くしかも容易に行なうことができる
配線基板及びその製造方法、並びに被搭載基板を搭載し
た配線基板及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
れたものであり、フリップチップ等の位置合わせやその
接合などを、精度良くしかも容易に行なうことができる
配線基板及びその製造方法、並びに被搭載基板を搭載し
た配線基板及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の請求項1の発明は、ー主面に被搭載基板の端子用パッ
ドと接続するための接続用パッドを備える配線基板であ
って、前記被搭載基板を所定位置に位置決めするため、
該被搭載基板の周囲の外側面の位置を規制する半田から
なる突起を有するとともに、前記被搭載基板の端子用パ
ッドおよび前記配線基板の接続用パッドの少なくともい
ずれかに、半田バンプを設けたことを特徴とする配線基
板を要旨とする。
の請求項1の発明は、ー主面に被搭載基板の端子用パッ
ドと接続するための接続用パッドを備える配線基板であ
って、前記被搭載基板を所定位置に位置決めするため、
該被搭載基板の周囲の外側面の位置を規制する半田から
なる突起を有するとともに、前記被搭載基板の端子用パ
ッドおよび前記配線基板の接続用パッドの少なくともい
ずれかに、半田バンプを設けたことを特徴とする配線基
板を要旨とする。
【0011】ここで、前記被搭載基板とは、配線基板に
搭載される基板をいい、集積回路チップ、半導体素子基
板などのほか、集積回路チップ等を搭載した配線基板な
ども含まれる。
搭載される基板をいい、集積回路チップ、半導体素子基
板などのほか、集積回路チップ等を搭載した配線基板な
ども含まれる。
【0012】
【0013】また、前記半田バンプに用いられる半田と
しては、Pb−Sn系の軟ろうの他、通常バンプ材料と
して使用されるAu−Sn系、Au−Si系等、450
℃以下の融点を有する広義のろう材などを採用できる。
しては、Pb−Sn系の軟ろうの他、通常バンプ材料と
して使用されるAu−Sn系、Au−Si系等、450
℃以下の融点を有する広義のろう材などを採用できる。
【0014】更に、前記突起を構成する半田の材料とし
ては、前記半田バンプの材料と同様なものを採用でき
る。尚、半田の融点に関しては、突起の融点と半田バン
プの融点を同じとした場合には、半田バンプを溶融させ
て被搭載基板を接続する時に、突起も溶融しているの
で、被搭載基板のセルフアライメント作用を阻害しな
い。これは、突起の半田の融点が低い場合も同様であ
る。一方、突起の半田の融点が高い場合には、突起が溶
融するまで確実に被搭載基板の位置ずれを防止する。
ては、前記半田バンプの材料と同様なものを採用でき
る。尚、半田の融点に関しては、突起の融点と半田バン
プの融点を同じとした場合には、半田バンプを溶融させ
て被搭載基板を接続する時に、突起も溶融しているの
で、被搭載基板のセルフアライメント作用を阻害しな
い。これは、突起の半田の融点が低い場合も同様であ
る。一方、突起の半田の融点が高い場合には、突起が溶
融するまで確実に被搭載基板の位置ずれを防止する。
【0015】
【0016】
【0017】
【0018】請求項2の発明は、前記被搭載基板が平面
視して略矩形であり、前記突起が前記被搭載基板の各辺
に対して2つ以上配置されていることを特徴とする前記
請求項1のいずれかに記載の配線基板を要旨とする。
視して略矩形であり、前記突起が前記被搭載基板の各辺
に対して2つ以上配置されていることを特徴とする前記
請求項1のいずれかに記載の配線基板を要旨とする。
【0019】
【0020】請求項3の発明は、配線基板のー主面に、
被搭載基板の端子用パッドと接続するための接続用パッ
ドと、該被搭載基板を所定位置に位置決めするために該
被搭載基板の側面の位置を規制する突起を形成するため
の突起用パッドと、を形成した後に、前記突起用パッド
および前記接続用パッド上に半田材料を載置し、その
後、加熱により前記突起用パッド上および前記接続用パ
ッド上の半田材料を溶融させて、前記突起用パッド上に
前記半田製突起を形成するとともに、前記接続用パッド
に半田バンプを形成することを特徴とする配線基板の製
造方法を要旨とする。
被搭載基板の端子用パッドと接続するための接続用パッ
ドと、該被搭載基板を所定位置に位置決めするために該
被搭載基板の側面の位置を規制する突起を形成するため
の突起用パッドと、を形成した後に、前記突起用パッド
および前記接続用パッド上に半田材料を載置し、その
後、加熱により前記突起用パッド上および前記接続用パ
ッド上の半田材料を溶融させて、前記突起用パッド上に
前記半田製突起を形成するとともに、前記接続用パッド
に半田バンプを形成することを特徴とする配線基板の製
造方法を要旨とする。
【0021】ここで、前記半田を溶融する温度として
は、(半田バンプを構成する)半田材料の融点以上であ
ればよいが、例えば融点の10〜40℃高い温度を採用
できる。
は、(半田バンプを構成する)半田材料の融点以上であ
ればよいが、例えば融点の10〜40℃高い温度を採用
できる。
【0022】請求項4の発明は、配線基板のー主面に、
被搭載基板の端子用パッドと接続するための接続用パッ
ドと、該被搭載基板を所定位置に位置決めするために該
被搭載基板の側面の位置を規制する突起を形成するため
の突起用パッドと、を形成した後に、該突起用パッドお
よび前記端子用パッドに対応する位置に形成された複数
の凹部を有する凹版の該凹部に半田ペーストを充填し、
該凹部を前記突起用パッドおよび前記接続用パッドの位
置に合わせるように前記配線基板のー主面に前記凹版を
重ね、その後、加熱により前記半田材料を溶融させて、
前記突起用パッド上に半田製突起を形成するとともに、
前記接続用パッド上に半田バンプを形成することを特徴
とする配線基板の製造方法を要旨とする。
被搭載基板の端子用パッドと接続するための接続用パッ
ドと、該被搭載基板を所定位置に位置決めするために該
被搭載基板の側面の位置を規制する突起を形成するため
の突起用パッドと、を形成した後に、該突起用パッドお
よび前記端子用パッドに対応する位置に形成された複数
の凹部を有する凹版の該凹部に半田ペーストを充填し、
該凹部を前記突起用パッドおよび前記接続用パッドの位
置に合わせるように前記配線基板のー主面に前記凹版を
重ね、その後、加熱により前記半田材料を溶融させて、
前記突起用パッド上に半田製突起を形成するとともに、
前記接続用パッド上に半田バンプを形成することを特徴
とする配線基板の製造方法を要旨とする。
【0023】請求項5の発明は、前記請求項1又は2に
記載の配線基板の前記一主面に、前記突起によって位置
決めされた前記被搭載基板が接合されて一体化している
ことを特徴とする被搭載基板を載置した配線基板を要旨
とする。
記載の配線基板の前記一主面に、前記突起によって位置
決めされた前記被搭載基板が接合されて一体化している
ことを特徴とする被搭載基板を載置した配線基板を要旨
とする。
【0024】請求項6の発明は、前記請求項1又は2に
記載の配線基板の前記ー主面に、前記被搭載基板を前記
突起により位置合わせしつつ載置し、前記配線基板の接
続用パッドと前記被搭載基板の端子用パッドとを接続す
ることを特徴とする被搭載基板を載置した配線基板の製
造方法を要旨とする。
記載の配線基板の前記ー主面に、前記被搭載基板を前記
突起により位置合わせしつつ載置し、前記配線基板の接
続用パッドと前記被搭載基板の端子用パッドとを接続す
ることを特徴とする被搭載基板を載置した配線基板の製
造方法を要旨とする。
【0025】請求項7の発明は、前記請求項1に記載の
配線基板のー主面に、前記被搭載基板を前記突起により
位置合わせしつつ載置し、その後、加熱により前記配線
基板および前記被搭載基板の少なくともいずれかに形成
した前記半田バンプを溶融させて、前記配線基板の接続
用パッドと前記被搭載部材の端子用パッドとを接続する
ことを特徴とする被搭載基板を載置した配線基板の製造
方法を要旨とする。
配線基板のー主面に、前記被搭載基板を前記突起により
位置合わせしつつ載置し、その後、加熱により前記配線
基板および前記被搭載基板の少なくともいずれかに形成
した前記半田バンプを溶融させて、前記配線基板の接続
用パッドと前記被搭載部材の端子用パッドとを接続する
ことを特徴とする被搭載基板を載置した配線基板の製造
方法を要旨とする。
【0026】請求項8の発明は、前記突起が半田からな
り、前記半田バンプの溶融と共に、該突起も溶融させる
ことを特徴とする前記請求項7に記載の被搭載基板を載
置した配線基板の製造方法を要旨とする。
り、前記半田バンプの溶融と共に、該突起も溶融させる
ことを特徴とする前記請求項7に記載の被搭載基板を載
置した配線基板の製造方法を要旨とする。
【0027】
【0028】
【0029】
【発明の実施の形態】請求項1の発明では、配線基板
に、被搭載基板の周囲の外側面の位置を規制するように
位置決め用の突起が設けられている。従って、配線基板
上に被搭載基板を載置する場合には、突起によって被搭
載基板の周囲の外側面の位置を規制することにより、被
搭載基板の位置決めを容易に行なうことができる。ま
た、搬送時などに、被搭載基板の位置がずれるのも防止
でき、高い精度で配線基板との接続が可能である。
に、被搭載基板の周囲の外側面の位置を規制するように
位置決め用の突起が設けられている。従って、配線基板
上に被搭載基板を載置する場合には、突起によって被搭
載基板の周囲の外側面の位置を規制することにより、被
搭載基板の位置決めを容易に行なうことができる。ま
た、搬送時などに、被搭載基板の位置がずれるのも防止
でき、高い精度で配線基板との接続が可能である。
【0030】また、本発明では、配線基板上に被搭載基
板を載置する場合には、例えば被搭載基板の一端が所定
の突起に当たるまで傾けて移動させ、その突起に当たっ
たらそのまま被搭載基板を降ろすようにすることによ
り、被搭載基板の搭載の作業を一層簡易化できる。
板を載置する場合には、例えば被搭載基板の一端が所定
の突起に当たるまで傾けて移動させ、その突起に当たっ
たらそのまま被搭載基板を降ろすようにすることによ
り、被搭載基板の搭載の作業を一層簡易化できる。
【0031】更に、本発明では、被搭載基板の端子用パ
ッドや配線基板の接続用パッドに、半田バンプが設けら
れている。従って、前記突起を用いて位置合わせした後
に、加熱して半田バンプを溶融させることによって、被
搭載基板の端子用パッドと配線基板の接続用パッドとを
電気的に接続するとともに半田により接合することがで
きる。
ッドや配線基板の接続用パッドに、半田バンプが設けら
れている。従って、前記突起を用いて位置合わせした後
に、加熱して半田バンプを溶融させることによって、被
搭載基板の端子用パッドと配線基板の接続用パッドとを
電気的に接続するとともに半田により接合することがで
きる。
【0032】しかも、本発明では、突起を半田から構成
するので、半田の特性を生かした使用方法が可能であ
る。具体的には、半田は通常柔らかいものであるので、
(被搭載基板の両側に位置する)突起が狭めに配置され
た場合でも、被搭載基板を突起の間に押し込むようにし
て配線基板に載置することができる。また、半田は加熱
により溶融するので、前記半田バンプによる接合の際に
溶融させることができる。半田バンプが溶融してパッド
と接合すると、表面張力により向かい合う端子用パッド
と接合用パッドの位置が揃うように被搭載基板が動こう
とするセルフアライメント作用が働く。このとき、突起
が半田バンプと同様に溶融していると、被搭載基板の動
きを阻害することがなく、両パッドの位置が揃うように
接合できる。一方、突起が溶融していない場合には、樹
脂製突起と同様に、溶融時に大きな振動が生じたりして
も、位置ずれを生ずることがない。
するので、半田の特性を生かした使用方法が可能であ
る。具体的には、半田は通常柔らかいものであるので、
(被搭載基板の両側に位置する)突起が狭めに配置され
た場合でも、被搭載基板を突起の間に押し込むようにし
て配線基板に載置することができる。また、半田は加熱
により溶融するので、前記半田バンプによる接合の際に
溶融させることができる。半田バンプが溶融してパッド
と接合すると、表面張力により向かい合う端子用パッド
と接合用パッドの位置が揃うように被搭載基板が動こう
とするセルフアライメント作用が働く。このとき、突起
が半田バンプと同様に溶融していると、被搭載基板の動
きを阻害することがなく、両パッドの位置が揃うように
接合できる。一方、突起が溶融していない場合には、樹
脂製突起と同様に、溶融時に大きな振動が生じたりして
も、位置ずれを生ずることがない。
【0033】尚、被搭載基板としてフリップチップを採
用でき、配線基板としてフリップチップ搭載用基板を採
用できる。これにより、容易に、フリップチップ搭載用
基板にフリップチップを位置決めして載置することがで
きる。
用でき、配線基板としてフリップチップ搭載用基板を採
用できる。これにより、容易に、フリップチップ搭載用
基板にフリップチップを位置決めして載置することがで
きる。
【0034】また、被搭載基板として集積回路チップを
搭載したLGA基板またはBGA基板を採用でき、配線
基板としてプリント基板を採用できる。これにより、プ
リント基板にLGA基板またはBGA基板を位置決めし
て載置することができる。ここで、前記LGA基板と
は、接続パッド(ランド)が格子状に配列されたランド
グリッドアレイ基板を意味する。また、BGA基板と
は、LGA基板の各パッドに半田ボールが配設されたボ
ールグリッドアレイ基板を意味する。
搭載したLGA基板またはBGA基板を採用でき、配線
基板としてプリント基板を採用できる。これにより、プ
リント基板にLGA基板またはBGA基板を位置決めし
て載置することができる。ここで、前記LGA基板と
は、接続パッド(ランド)が格子状に配列されたランド
グリッドアレイ基板を意味する。また、BGA基板と
は、LGA基板の各パッドに半田ボールが配設されたボ
ールグリッドアレイ基板を意味する。
【0035】請求項2の発明では、被搭載基板が平面視
して略矩形であり、突起が被搭載基板の各辺に対して2
つ以上配置されている。従って、例えば略矩形の被搭載
基板の1辺が突起に当たるように被搭載基板を動かすこ
とにより、被搭載基板を配線基板上に容易に位置決めし
て載置することができる。また、被搭載基板の回転方向
の位置ずれを容易に防止できる。
して略矩形であり、突起が被搭載基板の各辺に対して2
つ以上配置されている。従って、例えば略矩形の被搭載
基板の1辺が突起に当たるように被搭載基板を動かすこ
とにより、被搭載基板を配線基板上に容易に位置決めし
て載置することができる。また、被搭載基板の回転方向
の位置ずれを容易に防止できる。
【0036】
【0037】請求項3の発明では、配線基板のー主面に
接続用パッド及び突起用パッドを形成した後に、突起用
パッド上および接続パッド上に半田材料を載置し、加熱
により、突起用パッド上および接続パッド上の半田材料
を溶融させて、接続用パッドに半田バンプを形成すると
ともに突起用パッド上に半田製突起を形成している。従
って、通常の半田バンプを形成する手段にて、容易に半
田製突起を形成することができるとともに、一度の加熱
によって、接続用の半田バンプと位置合わせ用の半田製
突起とを作成できるので、製造手順が簡易化される。
接続用パッド及び突起用パッドを形成した後に、突起用
パッド上および接続パッド上に半田材料を載置し、加熱
により、突起用パッド上および接続パッド上の半田材料
を溶融させて、接続用パッドに半田バンプを形成すると
ともに突起用パッド上に半田製突起を形成している。従
って、通常の半田バンプを形成する手段にて、容易に半
田製突起を形成することができるとともに、一度の加熱
によって、接続用の半田バンプと位置合わせ用の半田製
突起とを作成できるので、製造手順が簡易化される。
【0038】
【0039】請求項4の発明では、凹版の凹部に半田ペ
ーストを充填し、この凹部を接続用パッドおよび突起用
パッドの位置に合わせるように配線基板のー主面に凹版
を重ね、加熱により半田材料を溶融させて、接続用パッ
ド上に半田バンプを形成するとともに突起用パッドに半
田製突起を形成している。従って、半田バンプと半田製
突起を同時に形成することができる。更に、この凹部の
形状を違えることにより、大きさの異なる半田バンプ及
び半田製突起を同時に形成することができる。尚、半田
バンプを形成する際には、凹部の形状を調節することに
より、頂部を平坦にすると、向かい合う相手との接合性
を高めることもできる。
ーストを充填し、この凹部を接続用パッドおよび突起用
パッドの位置に合わせるように配線基板のー主面に凹版
を重ね、加熱により半田材料を溶融させて、接続用パッ
ド上に半田バンプを形成するとともに突起用パッドに半
田製突起を形成している。従って、半田バンプと半田製
突起を同時に形成することができる。更に、この凹部の
形状を違えることにより、大きさの異なる半田バンプ及
び半田製突起を同時に形成することができる。尚、半田
バンプを形成する際には、凹部の形状を調節することに
より、頂部を平坦にすると、向かい合う相手との接合性
を高めることもできる。
【0040】請求項5の発明では、配線基板の一主面に
は、突起によって位置決めされた被搭載基板が接合され
ている。従って、この被搭載基板を載置した配線基板で
は、被搭載基板と配線基板のパッド相互のずれの発生が
なく、精度よく接続しており、信頼性が高い。
は、突起によって位置決めされた被搭載基板が接合され
ている。従って、この被搭載基板を載置した配線基板で
は、被搭載基板と配線基板のパッド相互のずれの発生が
なく、精度よく接続しており、信頼性が高い。
【0041】請求項6の発明では、配線基板のー主面
に、被搭載基板を突起により位置合わせしつつ載置し、
配線基板の接続用パッドと被搭載基板の端子用パッドと
を接続している。これにより、被搭載基板を載置した配
線基板を容易にかつ精度よく製造することができる。
に、被搭載基板を突起により位置合わせしつつ載置し、
配線基板の接続用パッドと被搭載基板の端子用パッドと
を接続している。これにより、被搭載基板を載置した配
線基板を容易にかつ精度よく製造することができる。
【0042】請求項7の発明では、配線基板のー主面
に、被搭載基板を突起により位置合わせしつつ載置し、
加熱により配線基板や被搭載基板に形成した半田バンプ
を溶融させて、配線基板の接続用パッドと被搭載部材の
端子用パッドとを接続している。従って、突起によって
その移動が規制されているので、搬送の際に被搭載基板
がずれることがなく、加熱によって半田バンプを溶融さ
せることによって、配線基板と被搭載基板とを精密に位
置決めした状態で接合することができる。
に、被搭載基板を突起により位置合わせしつつ載置し、
加熱により配線基板や被搭載基板に形成した半田バンプ
を溶融させて、配線基板の接続用パッドと被搭載部材の
端子用パッドとを接続している。従って、突起によって
その移動が規制されているので、搬送の際に被搭載基板
がずれることがなく、加熱によって半田バンプを溶融さ
せることによって、配線基板と被搭載基板とを精密に位
置決めした状態で接合することができる。
【0043】請求項8の発明では、半田バンプの溶融と
共に、半田からなる突起も溶融する。即ち、半田バンプ
の溶融時には、突起も溶融して、被搭載基板のセルフア
ライメント作用による移動の邪魔にならないようになる
ので、半田バンプの接合時の表面張力によって、向かい
合う端子用パッドと接合用パッドとの位置が揃うように
働くことができ、それによって、位置のずれが修正され
る。
共に、半田からなる突起も溶融する。即ち、半田バンプ
の溶融時には、突起も溶融して、被搭載基板のセルフア
ライメント作用による移動の邪魔にならないようになる
ので、半田バンプの接合時の表面張力によって、向かい
合う端子用パッドと接合用パッドとの位置が揃うように
働くことができ、それによって、位置のずれが修正され
る。
【0044】尚、加熱時の雰囲気として、非酸化性雰囲
気を採用できる。この場合には、半田やパッド等が酸化
しないので、耐久性が向上することになる。ここで、非
酸化性雰囲気とは、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気ある
いは還元性雰囲気をいう。また、接合時にフラックスや
フラックスを含む半田ペーストを用いない構成を採用で
きる。この場合には、後からフラックスを除去する必要
がなく、より簡易に被搭載基板を載置した配線基板を製
造できる。
気を採用できる。この場合には、半田やパッド等が酸化
しないので、耐久性が向上することになる。ここで、非
酸化性雰囲気とは、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気ある
いは還元性雰囲気をいう。また、接合時にフラックスや
フラックスを含む半田ペーストを用いない構成を採用で
きる。この場合には、後からフラックスを除去する必要
がなく、より簡易に被搭載基板を載置した配線基板を製
造できる。
【0045】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。こ
こでは、集積回路チップ(LSI素子、以下単にフリッ
プチップと称す)をフェースダウンで実装するための樹
脂製の回路基板(フリップチップ搭載用基板、以下単に
配線基板と称す)、即ち、フリップチップをフリップチ
ップ法によって接合するための配線基板及びその製造方
法、並びにフリップチップを搭載した配線基板及びその
製造方法について述べる。 (実施例1)本実施例は、樹脂によって位置合わせ用突
起を形成するものである。
こでは、集積回路チップ(LSI素子、以下単にフリッ
プチップと称す)をフェースダウンで実装するための樹
脂製の回路基板(フリップチップ搭載用基板、以下単に
配線基板と称す)、即ち、フリップチップをフリップチ
ップ法によって接合するための配線基板及びその製造方
法、並びにフリップチップを搭載した配線基板及びその
製造方法について述べる。 (実施例1)本実施例は、樹脂によって位置合わせ用突
起を形成するものである。
【0046】図1(a)に示すように、本実施例の配線
基板3は、外径が約25mm角、板厚約1mmの樹脂製
の多層配線基板であり、その一方の面(図中上面)に
は、フリップチップ2(図4参照)の接合用に、直径約
150μm×高さ60μmの半田バンプ1が多数形成さ
れている。
基板3は、外径が約25mm角、板厚約1mmの樹脂製
の多層配線基板であり、その一方の面(図中上面)に
は、フリップチップ2(図4参照)の接合用に、直径約
150μm×高さ60μmの半田バンプ1が多数形成さ
れている。
【0047】また、配線基板3の上面には、前記多数の
半田バンプ1の周囲に、フリップチップ2の位置決めを
行うために、直径0.8mm×高さ0.4mmの位置決
め用突起4が、フリップチップ2の各辺に対応して2個
づつ合計8個、フリップチップ2の外径に合わせて配置
されている。尚、配線基板3に接合されるフリップチッ
プ2は、外径12.5mm×板厚0.4mmのSi製で
ある。
半田バンプ1の周囲に、フリップチップ2の位置決めを
行うために、直径0.8mm×高さ0.4mmの位置決
め用突起4が、フリップチップ2の各辺に対応して2個
づつ合計8個、フリップチップ2の外径に合わせて配置
されている。尚、配線基板3に接合されるフリップチッ
プ2は、外径12.5mm×板厚0.4mmのSi製で
ある。
【0048】以下に、位置決め用突起4を備えた配線基
板3の製造方法などについて順次説明する。 a)配線基板3の形成方法 本実施例の配線基板3を製造する場合には、図1
(b)に拡大及び破断して示すように、BTコア基板5
上にエポキシ樹脂による絶縁層7を形成するとともに、
BTコア基板5及び絶縁層7にわたって、無電解Cuメ
ッキ及び電解Cuメッキを用いたセミアディティブ法に
よってCu内部配線9を形成して積層する。尚、Cu内
部配線9の形成法としては、サブトラクティブ法やフル
アディティブ法によってもよい。
板3の製造方法などについて順次説明する。 a)配線基板3の形成方法 本実施例の配線基板3を製造する場合には、図1
(b)に拡大及び破断して示すように、BTコア基板5
上にエポキシ樹脂による絶縁層7を形成するとともに、
BTコア基板5及び絶縁層7にわたって、無電解Cuメ
ッキ及び電解Cuメッキを用いたセミアディティブ法に
よってCu内部配線9を形成して積層する。尚、Cu内
部配線9の形成法としては、サブトラクティブ法やフル
アディティブ法によってもよい。
【0049】次に、配線基板3の上面では、前記Cu
内部配線9と接合されるCu配線11の耐食のため及び
半田との密着性を向上させるために、無電解Ni−Pメ
ッキによって約3μmのNi−P層13を形成し、更に
その上に、無電解Auメッキによって約0.1μmのA
u層15を形成して、Ni−P層13及びAu層15か
らなる下地導電性パッド(以下単に接続用パッドと称
す)17を作成する。尚、その他の部位には、アクリル
やエポキシ樹脂などにより、ソルダーレジスト層19を
形成する。
内部配線9と接合されるCu配線11の耐食のため及び
半田との密着性を向上させるために、無電解Ni−Pメ
ッキによって約3μmのNi−P層13を形成し、更に
その上に、無電解Auメッキによって約0.1μmのA
u層15を形成して、Ni−P層13及びAu層15か
らなる下地導電性パッド(以下単に接続用パッドと称
す)17を作成する。尚、その他の部位には、アクリル
やエポキシ樹脂などにより、ソルダーレジスト層19を
形成する。
【0050】尚、上述したメッキ方法は、周知の多層プ
リント配線板のメッキ方法と同様であるので詳述しない
(例えば、「多層プリント配線板ステップ365」;藤
平・藤森共著;工業調査会;1989年発行参照)。 b)位置決め用突起4の形成方法 図2に模式的に示すように、配線基板3の上面の(接
続用パッド17も含めて)全てを覆うように、周知の感
光性エポキシ樹脂、例えば日本ペイント(株)製プロビ
コート5000(商品名)を、厚み0.4mmで塗布
し、感光性エポキシ樹脂層21を形成する。
リント配線板のメッキ方法と同様であるので詳述しない
(例えば、「多層プリント配線板ステップ365」;藤
平・藤森共著;工業調査会;1989年発行参照)。 b)位置決め用突起4の形成方法 図2に模式的に示すように、配線基板3の上面の(接
続用パッド17も含めて)全てを覆うように、周知の感
光性エポキシ樹脂、例えば日本ペイント(株)製プロビ
コート5000(商品名)を、厚み0.4mmで塗布
し、感光性エポキシ樹脂層21を形成する。
【0051】次に、感光性エポキシ樹脂層21上に、
突起形成部のみに孔23が明けられた露光マスク25を
載せ、感光性エポキシ樹脂層21の突起形成部のみに紫
外線を当てて露光を行なう。 その後、現像して余分な樹脂を除去することによっ
て、樹脂による位置決め用突起4を形成する。尚、この
場合、位置決め用突起4の形成位置の精度は、露光マス
ク25と配線基板3との位置合わせの精度によって決ま
る。 c)半田バンプ1の形成方法 接続用パッド17上に半田を塗布する方法としては、配
線基板3上に位置決め用突起4があるので印刷法は採用
しにくい。そこで、本実施例では、凹版を使用した方法
を採用する。この凹版を使用した方法とは、特願平8−
94314号に記載した方法であり、この方法によれ
ば、半田バンプ1の頂部が平坦でコーポラナリティが小
さく、接合性に優れた半田バンプ1が得られる。
突起形成部のみに孔23が明けられた露光マスク25を
載せ、感光性エポキシ樹脂層21の突起形成部のみに紫
外線を当てて露光を行なう。 その後、現像して余分な樹脂を除去することによっ
て、樹脂による位置決め用突起4を形成する。尚、この
場合、位置決め用突起4の形成位置の精度は、露光マス
ク25と配線基板3との位置合わせの精度によって決ま
る。 c)半田バンプ1の形成方法 接続用パッド17上に半田を塗布する方法としては、配
線基板3上に位置決め用突起4があるので印刷法は採用
しにくい。そこで、本実施例では、凹版を使用した方法
を採用する。この凹版を使用した方法とは、特願平8−
94314号に記載した方法であり、この方法によれ
ば、半田バンプ1の頂部が平坦でコーポラナリティが小
さく、接合性に優れた半田バンプ1が得られる。
【0052】まず、図3に模式的に示すように、凹版
27として、直径0.25mm×深さ0.15mmの凹
部29を有するものを使用する。そして、凹部29の中
に、共晶半田ペースト31(溶融温度183℃)をスキ
ージで充填する。 次に、凹部29と配線基板3の接続用パッド17との
位置合わせをして、配線基板3上に凹版27を載せる。
このとき、凹版27の外径をフリップチップ2と同じ1
2.5mm×18mmとしておくと、位置決め用突起4
にぶつからずに配線基板3上に凹版27を密着でき、更
に、この位置決め用突起4によって凹版27の位置合わ
せと固定とが同時にできる。
27として、直径0.25mm×深さ0.15mmの凹
部29を有するものを使用する。そして、凹部29の中
に、共晶半田ペースト31(溶融温度183℃)をスキ
ージで充填する。 次に、凹部29と配線基板3の接続用パッド17との
位置合わせをして、配線基板3上に凹版27を載せる。
このとき、凹版27の外径をフリップチップ2と同じ1
2.5mm×18mmとしておくと、位置決め用突起4
にぶつからずに配線基板3上に凹版27を密着でき、更
に、この位置決め用突起4によって凹版27の位置合わ
せと固定とが同時にできる。
【0053】次に、この状態にて、凹版27及び配線
基板3を、最高温度220℃の図示しないリフロー炉に
通し、共晶半田ペースト31を溶融させ、その後冷却し
てから凹版27を除去して、フリップチップ搭載用の半
田バンプ1を形成する。 d)フリップチップ2の搭載方法 図4に模式的に示すように、位置合わせ用突起4で囲
まれた場所に、機械又は人手により、フリップチップ2
をセットする。このとき、フリップチップ2の4辺は、
位置決め用突起4によって、その縦横方向の移動を規制
されているので、ずれたりしない。また、各辺に対して
2個づつ突起4を設けたので、回転方向のずれも防止で
きる。ただし、回転ずれ防止のためには、少なくとも1
辺にて2個以上の突起を設ければ足りる。尚、フリップ
チップ2と半田バンプ1の間にフラックスを塗布するこ
とはしていない。
基板3を、最高温度220℃の図示しないリフロー炉に
通し、共晶半田ペースト31を溶融させ、その後冷却し
てから凹版27を除去して、フリップチップ搭載用の半
田バンプ1を形成する。 d)フリップチップ2の搭載方法 図4に模式的に示すように、位置合わせ用突起4で囲
まれた場所に、機械又は人手により、フリップチップ2
をセットする。このとき、フリップチップ2の4辺は、
位置決め用突起4によって、その縦横方向の移動を規制
されているので、ずれたりしない。また、各辺に対して
2個づつ突起4を設けたので、回転方向のずれも防止で
きる。ただし、回転ずれ防止のためには、少なくとも1
辺にて2個以上の突起を設ければ足りる。尚、フリップ
チップ2と半田バンプ1の間にフラックスを塗布するこ
とはしていない。
【0054】次に、リフロー炉内に窒素ガスを8m2
/Hr流すとともに、最高温度を220℃にした状態
で、フリップチップ2を載置した配線基板3をリフロー
炉内に通す。これにより、半田バンプ1を溶融させ、配
線基板3とフリップチップ2との接合を行なう。即ち、
配線基板3の接続用パッド17とフリップチップの図示
しない端子用パッドとを半田バンプ1にて接合する。
/Hr流すとともに、最高温度を220℃にした状態
で、フリップチップ2を載置した配線基板3をリフロー
炉内に通す。これにより、半田バンプ1を溶融させ、配
線基板3とフリップチップ2との接合を行なう。即ち、
配線基板3の接続用パッド17とフリップチップの図示
しない端子用パッドとを半田バンプ1にて接合する。
【0055】尚、フリップチップ2を、確実に縦横に配
置された位置決め用突起4の間に配置するために、位置
決め用突起4の位置の精度を考慮して、フリップチップ
2と位置決め用突起4との間を、30μm程度空けてお
くことが望ましい。このように、本実施例では、樹脂に
よりフリップチップ2の位置合わせ用突起4を形成する
ので、従来のように、アライメントマーク及び画像認識
装置を使用せずに位置合わせを行なうことができ、その
ため、下記の作用効果を奏する。
置された位置決め用突起4の間に配置するために、位置
決め用突起4の位置の精度を考慮して、フリップチップ
2と位置決め用突起4との間を、30μm程度空けてお
くことが望ましい。このように、本実施例では、樹脂に
よりフリップチップ2の位置合わせ用突起4を形成する
ので、従来のように、アライメントマーク及び画像認識
装置を使用せずに位置合わせを行なうことができ、その
ため、下記の作用効果を奏する。
【0056】フリップチップ2の位置合わせのための
高価な画像認識装置が不要である。また、位置決め用突
起4を用いて位置合わせを行なうので、画像認識の場合
と比較して、位置合わせに時間がかからない。 従来のように、品番別に、アライメントマークとフリ
ップチップ2の搭載位置との関係を、位置合わせに機に
入力する必要がなく、この点からも作業工程が簡易化で
きる。
高価な画像認識装置が不要である。また、位置決め用突
起4を用いて位置合わせを行なうので、画像認識の場合
と比較して、位置合わせに時間がかからない。 従来のように、品番別に、アライメントマークとフリ
ップチップ2の搭載位置との関係を、位置合わせに機に
入力する必要がなく、この点からも作業工程が簡易化で
きる。
【0057】アライメントマークを使用しないので、
当然ながら、アライメントマーク使用による画像認識が
可能か否かという問題がない。 従来のように、半田バンプ1の溶融前にフラックスを
塗布してフリップチップ2がずれないようにするのでは
なく、位置決め用突起4を用いてフリップチップ2の位
置決めを行なうので、搬送中の振動でフリップチップ2
の位置がずれることがない。
当然ながら、アライメントマーク使用による画像認識が
可能か否かという問題がない。 従来のように、半田バンプ1の溶融前にフラックスを
塗布してフリップチップ2がずれないようにするのでは
なく、位置決め用突起4を用いてフリップチップ2の位
置決めを行なうので、搬送中の振動でフリップチップ2
の位置がずれることがない。
【0058】フラックスを使用しないため、溶融後に
フラックスを洗浄して除去する工程を省略できる。ま
た、配線基板3とフリップチップ2の間隔は狭いが、本
実施例ではフラックスは使用しないので、フラックスが
残ることがなく、樹脂モールドを完全に行なうことがで
き、腐食も生じないので信頼性が向上する。
フラックスを洗浄して除去する工程を省略できる。ま
た、配線基板3とフリップチップ2の間隔は狭いが、本
実施例ではフラックスは使用しないので、フラックスが
残ることがなく、樹脂モールドを完全に行なうことがで
き、腐食も生じないので信頼性が向上する。
【0059】特に、樹脂で位置決め用突起4を形成し
ているので、半田バンプ1の溶融中でも位置決め用突起
4は変形せず、よって、溶融時にかなり大きな振動があ
ってもフリップチップ2の位置ずれがない。 (実施例2)次に、実施例2について説明する。
ているので、半田バンプ1の溶融中でも位置決め用突起
4は変形せず、よって、溶融時にかなり大きな振動があ
ってもフリップチップ2の位置ずれがない。 (実施例2)次に、実施例2について説明する。
【0060】本実施例は、半田バンプによって位置合わ
せ用突起を形成するものである。尚、前記実施例1と同
様な部分の説明は、省略又は簡略化する。 a)配線基板の形成方法 前記実施例1と同様な材料を使用するともに、同様な
前記a)配線基板の形成方法のの工程にて、配線基板
内にCu内部配線を形成する。
せ用突起を形成するものである。尚、前記実施例1と同
様な部分の説明は、省略又は簡略化する。 a)配線基板の形成方法 前記実施例1と同様な材料を使用するともに、同様な
前記a)配線基板の形成方法のの工程にて、配線基板
内にCu内部配線を形成する。
【0061】次に、図5に模式的に示すように、配線
基板41の全面にわたって、無電解Cuメッキ及び電解
Cuメッキを施して、Cuメッキ層43を形成する。 その後、Cuメッキ層43上に、周知の感光性エッチ
ングレジスト45を塗布し、露光マスク47を載置して
露光・現像する。
基板41の全面にわたって、無電解Cuメッキ及び電解
Cuメッキを施して、Cuメッキ層43を形成する。 その後、Cuメッキ層43上に、周知の感光性エッチ
ングレジスト45を塗布し、露光マスク47を載置して
露光・現像する。
【0062】次に、不要部分のCuメッキをエッチン
グにより除去し、その後、無電解Ni−Pメッキ及び無
電解Auメッキを施して、フリップチップ44(図7参
照)接続用の半田バンプ45(図6参照)を設けるため
の接続用パッド47(直径150μm)と、位置決め用
の半田バンプ49(図6参照)を設けるための位置決め
用パッド51(直径800μm)とを同時に形成する。
グにより除去し、その後、無電解Ni−Pメッキ及び無
電解Auメッキを施して、フリップチップ44(図7参
照)接続用の半田バンプ45(図6参照)を設けるため
の接続用パッド47(直径150μm)と、位置決め用
の半田バンプ49(図6参照)を設けるための位置決め
用パッド51(直径800μm)とを同時に形成する。
【0063】つまり、サブトラクティブ法によって、C
uからなる接続用パッド47と位置決め用パッド51と
を同時に形成する。尚、サブトラクティブ法に代えて、
セミアディティブ法またはフルアディティブ法を用いて
よい。 b)半田バンプ45,49の形成方法 パッド47,51上に半田を塗布する方法としては、周
知の半田ボール搭載法、半田プリフォーム搭載法、半田
ペーストディスペンサー法、半田ペースト印刷法等各種
の方法を採用できるが、本実施例では、半田ペースト印
刷法による例を示す。尚、半田ボール搭載法、半田プリ
フォーム搭載法の場合、フリップチップ接続用の小さい
バンプ(接続用半田バンプ45)と位置決め用の大きい
バンプ(位置決め用半田バンプ49)をつくる為に、2
種類の大きさの半田ボール、半田プリフォームを用意せ
ねばならず、しかも、機械では2種類を同時にはパッド
47,51上に載せられないので、作業性が悪く、半田
ペーストディスペンサー法もバンプ1個分ずつ半田ペー
ストを滴下するので、バンプ数が多い場合は作業性が悪
い。従って、半田ペースト印刷法または実施例1で示し
たような凹版治具法が好ましい。
uからなる接続用パッド47と位置決め用パッド51と
を同時に形成する。尚、サブトラクティブ法に代えて、
セミアディティブ法またはフルアディティブ法を用いて
よい。 b)半田バンプ45,49の形成方法 パッド47,51上に半田を塗布する方法としては、周
知の半田ボール搭載法、半田プリフォーム搭載法、半田
ペーストディスペンサー法、半田ペースト印刷法等各種
の方法を採用できるが、本実施例では、半田ペースト印
刷法による例を示す。尚、半田ボール搭載法、半田プリ
フォーム搭載法の場合、フリップチップ接続用の小さい
バンプ(接続用半田バンプ45)と位置決め用の大きい
バンプ(位置決め用半田バンプ49)をつくる為に、2
種類の大きさの半田ボール、半田プリフォームを用意せ
ねばならず、しかも、機械では2種類を同時にはパッド
47,51上に載せられないので、作業性が悪く、半田
ペーストディスペンサー法もバンプ1個分ずつ半田ペー
ストを滴下するので、バンプ数が多い場合は作業性が悪
い。従って、半田ペースト印刷法または実施例1で示し
たような凹版治具法が好ましい。
【0064】図6に模式的に示すように、板厚70μ
m、開口径0.2mm(接続用半田バンプ用)と開口径
1.0mm(位置合わせ用半田バンプ用)の穴53が所
定位置にあけられたメタルマスク55を、各穴53が接
続用パッド47及び位置決め用パッド51上に位置する
ように配置する。
m、開口径0.2mm(接続用半田バンプ用)と開口径
1.0mm(位置合わせ用半田バンプ用)の穴53が所
定位置にあけられたメタルマスク55を、各穴53が接
続用パッド47及び位置決め用パッド51上に位置する
ように配置する。
【0065】次に、前記実施例1と同様な共晶半田ペ
ーストを印刷で塗布し、接続用パッド47及び位置決め
用パッド51上に共晶半田ペースト層55を形成する。 次に、共晶半田ペースト層55上に、特願平8−76
950号にて開示したような平坦化治具57を載置す
る。つまり、接続用パッド47上に形成された共晶半田
ペースト層55の上部を押圧するような平坦化治具57
を載置する。尚、この平坦化治具57は、位置決め用パ
ッド51上の共晶半田ペースト層55は押圧しないよう
に凹部57aが設けてある。
ーストを印刷で塗布し、接続用パッド47及び位置決め
用パッド51上に共晶半田ペースト層55を形成する。 次に、共晶半田ペースト層55上に、特願平8−76
950号にて開示したような平坦化治具57を載置す
る。つまり、接続用パッド47上に形成された共晶半田
ペースト層55の上部を押圧するような平坦化治具57
を載置する。尚、この平坦化治具57は、位置決め用パ
ッド51上の共晶半田ペースト層55は押圧しないよう
に凹部57aが設けてある。
【0066】この状態で、平坦化治具57及び配線基
板41を、最高温度220℃のリフロー炉に通し、共晶
半田ペーストを溶融させ、その後冷却してから平坦化治
具57を除去する。これによって、接続用パッド47上
に頂部が平坦なフリップチップ搭載用の半田バンプ45
を形成すると同時に、位置決め用パッド51上に位置決
め用突起である頂部が丸い位置決め用半田バンプ49を
形成する。 d)フリップチップ44の搭載方法 図7に模式的に示すように、位置合わせ用半田バンプ
49で囲まれた場所に、機械又は人手により、フリップ
チップ44をセットする。
板41を、最高温度220℃のリフロー炉に通し、共晶
半田ペーストを溶融させ、その後冷却してから平坦化治
具57を除去する。これによって、接続用パッド47上
に頂部が平坦なフリップチップ搭載用の半田バンプ45
を形成すると同時に、位置決め用パッド51上に位置決
め用突起である頂部が丸い位置決め用半田バンプ49を
形成する。 d)フリップチップ44の搭載方法 図7に模式的に示すように、位置合わせ用半田バンプ
49で囲まれた場所に、機械又は人手により、フリップ
チップ44をセットする。
【0067】次に、リフロー炉内に窒素ガスを8m2
/Hr流すとともに、最高温度を220℃にした状態
で、フリップチップ44を載置した配線基板41をリフ
ロー炉内に通す。これにより、接続用半田バンプ45と
位置決め用半田バンプ49とを同時に溶融させ、配線基
板41とフリップチップ44との接合を行なう。
/Hr流すとともに、最高温度を220℃にした状態
で、フリップチップ44を載置した配線基板41をリフ
ロー炉内に通す。これにより、接続用半田バンプ45と
位置決め用半田バンプ49とを同時に溶融させ、配線基
板41とフリップチップ44との接合を行なう。
【0068】このように、本実施例では、半田によりフ
リップチップ44の位置決め用の突起(位置決め用半田
バンプ49)を形成するので、従来のように、アライメ
ントマーク及び画像認識装置を使用せずに位置合わせを
行なうことができ、前記実施例1の〜と同様な作用
効果を奏する。
リップチップ44の位置決め用の突起(位置決め用半田
バンプ49)を形成するので、従来のように、アライメ
ントマーク及び画像認識装置を使用せずに位置合わせを
行なうことができ、前記実施例1の〜と同様な作用
効果を奏する。
【0069】特に、本実施例では、突起を樹脂よりも柔
らかい半田により形成するので、位置決め用半田バンプ
49とフリップチップ44との間に隙間をあけなくて
も、フリップチップ44を突起の間に押し込むようにし
て、配線基板41上に載置できる。
らかい半田により形成するので、位置決め用半田バンプ
49とフリップチップ44との間に隙間をあけなくて
も、フリップチップ44を突起の間に押し込むようにし
て、配線基板41上に載置できる。
【0070】また、共晶半田ペーストを用いた半田ペー
スト印刷法や凹版治具法では、使用する印刷マスクや凹
版のパターンを変更すれば、従来の工程のままで突起の
形成が可能であり、半田原料の増加分程度のコストの増
加しか生じない。更に、樹脂の突起の場合は、接続用パ
ッドの露光形成時と樹脂突起の露光形成時との間で露光
マスクのずれがあると、突起の位置精度が悪くなる恐れ
があるが、半田バンプ49の突起の場合は、接続用パッ
ド47と位置決め用パッド51との露光形成を、同一の
マスクで一度に行なうため、本質的に両者間に位置ずれ
がないという利点がある。
スト印刷法や凹版治具法では、使用する印刷マスクや凹
版のパターンを変更すれば、従来の工程のままで突起の
形成が可能であり、半田原料の増加分程度のコストの増
加しか生じない。更に、樹脂の突起の場合は、接続用パ
ッドの露光形成時と樹脂突起の露光形成時との間で露光
マスクのずれがあると、突起の位置精度が悪くなる恐れ
があるが、半田バンプ49の突起の場合は、接続用パッ
ド47と位置決め用パッド51との露光形成を、同一の
マスクで一度に行なうため、本質的に両者間に位置ずれ
がないという利点がある。
【0071】本発明は前記実施例になんら限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種
々の態様で実施しうることはいうまでもない。 (1)例えば、配線基板の材料としては、例示したBT
レジンやエポキシ樹脂のほか、ポリイミド等の他の樹脂
やガラス−エポキシ等,ガラス布などとの複合材などを
用いても良く、アルミナ、AlN、ガラスセラミック等
のセラミックスを用いてもよい。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種
々の態様で実施しうることはいうまでもない。 (1)例えば、配線基板の材料としては、例示したBT
レジンやエポキシ樹脂のほか、ポリイミド等の他の樹脂
やガラス−エポキシ等,ガラス布などとの複合材などを
用いても良く、アルミナ、AlN、ガラスセラミック等
のセラミックスを用いてもよい。
【0072】(2)前記実施例では、フリップチップ搭
載用基板に集積回路チップ(フリップチップ)を位置決
め搭載するために、樹脂製の突起又は半田バンプからな
る突起を形成し、フリップチップ法により接続した場合
について述べた。しかし、本発明は、これに限らず、例
えばランドグリッドアレイ(LGA)基板やボールグリ
ッドアレイ(BGA)基板をマザーボード等のプリント
基板に接合するために、プリント基板に位置決め用の樹
脂製の突起又は半田バンプからなる突起を形成する場合
などにも適用できる。
載用基板に集積回路チップ(フリップチップ)を位置決
め搭載するために、樹脂製の突起又は半田バンプからな
る突起を形成し、フリップチップ法により接続した場合
について述べた。しかし、本発明は、これに限らず、例
えばランドグリッドアレイ(LGA)基板やボールグリ
ッドアレイ(BGA)基板をマザーボード等のプリント
基板に接合するために、プリント基板に位置決め用の樹
脂製の突起又は半田バンプからなる突起を形成する場合
などにも適用できる。
【0073】(3)使用する半田の材質としては、用途
に応じて、Pb90%半田などの高融点半田や、Agや
In入り半田等適宜使用可能である。また、半田ペース
トに含まれるフラックスの種類も、(還元性の小さなも
のから)Rタイプ、RMAタイプ、RAタイプのどれで
も使用できる。また、通常、半田と称されるPb−Sn
系のろう材以外に、Au−Sn系、Au−Si系等の合
金も使用できる。
に応じて、Pb90%半田などの高融点半田や、Agや
In入り半田等適宜使用可能である。また、半田ペース
トに含まれるフラックスの種類も、(還元性の小さなも
のから)Rタイプ、RMAタイプ、RAタイプのどれで
も使用できる。また、通常、半田と称されるPb−Sn
系のろう材以外に、Au−Sn系、Au−Si系等の合
金も使用できる。
【0074】(4)パッド上の半田の付与方法として
は、上述した半田ペーストの印刷による方法以外に、デ
ィスペンサーを用いて半田ペーストを滴下する方法、プ
リフォーム、ペレット、又は半田ボールを搭載する方法
等を採用することができる。 (5)前記各実施例では、突起により配線基板の外側面
を規制して位置決めする例を述べたが、例えば配線基板
に孔を設けるとともに、この孔に対応する位置に突起を
設けることにより、位置決めを行なってもよい。この場
合、孔の大きさは、突起と同様な寸法でもよいが、配線
基板の位置決めを行うことができればよいので、突起よ
りはるかに大きなものでもよい。
は、上述した半田ペーストの印刷による方法以外に、デ
ィスペンサーを用いて半田ペーストを滴下する方法、プ
リフォーム、ペレット、又は半田ボールを搭載する方法
等を採用することができる。 (5)前記各実施例では、突起により配線基板の外側面
を規制して位置決めする例を述べたが、例えば配線基板
に孔を設けるとともに、この孔に対応する位置に突起を
設けることにより、位置決めを行なってもよい。この場
合、孔の大きさは、突起と同様な寸法でもよいが、配線
基板の位置決めを行うことができればよいので、突起よ
りはるかに大きなものでもよい。
【0075】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の配線基板
及びその製造方法、並びに被搭載基板を搭載した配線基
板及びその製造方法では、上述した構成を備えているの
で、以下に述べるように、フリップチップ等の位置合わ
せやその接合などを、精度良くしかも容易に行なうこと
ができる。
及びその製造方法、並びに被搭載基板を搭載した配線基
板及びその製造方法では、上述した構成を備えているの
で、以下に述べるように、フリップチップ等の位置合わ
せやその接合などを、精度良くしかも容易に行なうこと
ができる。
【0076】即ち、位置決めのために配線基板上に設け
られた突起を用いることにより、従来のように、高価な
画像認識装置が不要になるため、設備費が低減できる。
また、画像認識の手間がいらないので、フリップチップ
等の設置が短時間で行える。従来のように、半田の溶融
前にフラックスを用いてフリップチップの位置を保持す
るものではないので、半田の溶融前の搬送中に振動があ
っても、フリップチップ等が位置ずれすることがない。
そのため、歩留まりが向上するとともに、半田溶融前の
製品の取扱が容易になり、作業性が向上する。
られた突起を用いることにより、従来のように、高価な
画像認識装置が不要になるため、設備費が低減できる。
また、画像認識の手間がいらないので、フリップチップ
等の設置が短時間で行える。従来のように、半田の溶融
前にフラックスを用いてフリップチップの位置を保持す
るものではないので、半田の溶融前の搬送中に振動があ
っても、フリップチップ等が位置ずれすることがない。
そのため、歩留まりが向上するとともに、半田溶融前の
製品の取扱が容易になり、作業性が向上する。
【0077】フリップチップ等の接合の際に、フラック
スなどを使用しない為、半田の溶融後のフラックスの洗
浄が不要になり、フラックス洗浄機の分の設備費が低減
する。また、フラックス洗浄の工程が不要になるため、
工程短縮が実現でき、コストが低減する。更に、フラッ
クス残りによる樹脂モールドの不良や腐食がなくなり、
歩留まりが向上するとともに、信頼性が向上する。
スなどを使用しない為、半田の溶融後のフラックスの洗
浄が不要になり、フラックス洗浄機の分の設備費が低減
する。また、フラックス洗浄の工程が不要になるため、
工程短縮が実現でき、コストが低減する。更に、フラッ
クス残りによる樹脂モールドの不良や腐食がなくなり、
歩留まりが向上するとともに、信頼性が向上する。
【図1】 実施例1の半田バンプを有する配線基板を示
し、(a)はその斜視図、(b)はその一部を拡大して
示す断面図である。
し、(a)はその斜視図、(b)はその一部を拡大して
示す断面図である。
【図2】 実施例1における位置決め用突起の形成方法
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図3】 実施例1における接続用半田バンプの形成方
法を示す説明図である。
法を示す説明図である。
【図4】 実施例1におけるフリップチップの搭載方法
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図5】 実施例2における位置決め用突起の形成方法
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図6】 実施例2における接続用半田バンプの形成方
法を示す説明図である。
法を示す説明図である。
【図7】 実施例2におけるフリップチップの搭載方法
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図8】 従来技術を示す説明図である。
【符号の説明】
1…半田バンプ
2,44…フリップチップ
3,41…集積回路基板(配線基板)
4…位置決め用突起
17,47…接続用パッド
27…凹版
45…接続用半田バンプ
49…位置決め用半田バンプ
51…位置決め用パッド
57…平坦化治具
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H01L 21/60 311
H01L 23/12
H01R 12/06
Claims (8)
- 【請求項1】一主面に被搭載基板の端子用パッドと接続
するための接続用パッドを備える配線基板であって、前
記被搭載基板を所定位置に位置決めするため、該被搭載
基板の周囲の外側面の位置を規制する半田からなる突起
を有するとともに、前記被搭載基板の端子用パッドおよ
び前記配線基板の接続用パッドの少なくともいずれか
に、半田バンプを設けたことを特徴とする配線基板。 - 【請求項2】前記被搭載基板が平面視して略矩形であ
り、前記突起が前記被搭載基板の各辺に対して2つ以上
配置されていることを特徴とする前記請求項1に記載の
配線基板。 - 【請求項3】配線基板の一主面に、被搭載基板の端子用
パッドと接続するための接続用パッドと、該被搭載基板
を所定位置に位置決めするために該被搭載基板の側面の
位置を規制する突起を形成するための突起用パッドと、
を形成した後に、前記突起用パッドおよび前記接続用パ
ッド上に半田材料を載置し、その後、加熱により前記突
起用パッド上および前記接続用パッド上の半田材料を溶
融させて、前記突起用パッド上に前記半田製突起を形成
するとともに、前記接続用パッドに半田バンプを形成す
ることを特徴とする配線基板の製造方法。 - 【請求項4】配線基板の一主面に、被搭載基板の端子用
パッドと接続するための接続用パッドと、該被搭載基板
を所定位置に位置決めするために該被搭載基板の側面の
位置を規制する突起を形成するための突起用パッドと、
を形成した後に、該突起用パッドおよび前記端子用パッ
ドに対応する位置に形成された複数の凹部を有する凹版
の該凹部に半田ペーストを充填し、該凹部を前記突起用
パッドおよび前記接続用パッドの位置に合わせるように
前記配線基板の一主面に前記凹版を重ね、その後、加熱
により前記半田材料を溶融させて、前記突起用パッド上
に半田製突起を形成するとともに、前記接続用パッド上
に半田バンプを形成することを特徴とする配線基板の製
造方法。 - 【請求項5】 前記請求項1又は2に記載の配線基板の
前記一主面に、前記突起によって位置決めされた前記被
搭載基板が接合されて一体化していることを特徴とする
被搭載基板を載置した配線基板。 - 【請求項6】前記請求項1又は2に記載の配線基板の前
記一主面に、前記被搭載基板を前記突起により位置合わ
せしつつ載置し、前記配線基板の接続用パッドと前記被
搭載基板の端子用パッドとを接続することを特徴とする
被搭載基板を載置した配線基板の製造方法。 - 【請求項7】前記請求項1に記載の配線基板の一主面
に、前記被搭載基板を前記突起により位置合わせしつつ
載置し、その後、加熱により前記配線基板および前記被
搭載基板の少なくともいずれかに形成した前記半田バン
プを溶融させて、前記配線基板の接続用パッドと前記被
搭載部材の端子用パッドとを接続することを特徴とする
被搭載基板を載置した配線基板の製造方法。 - 【請求項8】 前記突起が半田からなり、前記半田バン
プの溶融と共に、該突起も溶融させることを特徴とする
前記請求項7に記載の被搭載基板を載置した配線基板の
製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16599296A JP3521341B2 (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 配線基板及びその製造方法、並びに被搭載基板を搭載した配線基板及びその製造方法 |
DE69700216T DE69700216T2 (de) | 1996-06-26 | 1997-06-16 | Leiterplatte mit verbesserten Positionierungsmitteln |
EP97109791A EP0817550B1 (en) | 1996-06-26 | 1997-06-16 | Circuit board with improved positioning means |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16599296A JP3521341B2 (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 配線基板及びその製造方法、並びに被搭載基板を搭載した配線基板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1012671A JPH1012671A (ja) | 1998-01-16 |
JP3521341B2 true JP3521341B2 (ja) | 2004-04-19 |
Family
ID=15822868
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16599296A Expired - Fee Related JP3521341B2 (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 配線基板及びその製造方法、並びに被搭載基板を搭載した配線基板及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0817550B1 (ja) |
JP (1) | JP3521341B2 (ja) |
DE (1) | DE69700216T2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6225205B1 (en) * | 1998-01-22 | 2001-05-01 | Ricoh Microelectronics Company, Ltd. | Method of forming bump electrodes |
DE10308871B3 (de) * | 2003-02-28 | 2004-07-22 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchip zum Aufbau eines Halbleiterchipstapels |
JP2007235284A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電発振器及びその製造方法。 |
JP5477999B2 (ja) * | 2006-10-04 | 2014-04-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、および半導体装置の製造方法 |
KR100927120B1 (ko) * | 2007-10-29 | 2009-11-18 | 옵토팩 주식회사 | 반도체 소자 패키징 방법 |
JP4966890B2 (ja) * | 2008-02-26 | 2012-07-04 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5949193B2 (ja) * | 2012-06-12 | 2016-07-06 | 富士通株式会社 | 電子装置の製造方法 |
CN103596354B (zh) * | 2012-08-14 | 2016-06-15 | 钰桥半导体股份有限公司 | 具有内建定位件、中介层、以及增层电路的复合线路板 |
US20140157593A1 (en) * | 2012-08-14 | 2014-06-12 | Bridge Semiconductor Corporation | Method of making hybrid wiring board with built-in stopper, interposer and build-up circuitry |
US8901435B2 (en) * | 2012-08-14 | 2014-12-02 | Bridge Semiconductor Corporation | Hybrid wiring board with built-in stopper, interposer and build-up circuitry |
CN104254190B (zh) * | 2013-06-26 | 2017-12-01 | 陈丽专 | 电路板的制作方法 |
JP2016115694A (ja) * | 2014-12-11 | 2016-06-23 | 日本電気株式会社 | 光モジュールの実装構造および製造方法 |
EP3905861A1 (de) * | 2020-04-30 | 2021-11-03 | ZKW Group GmbH | Barriere gegen verschwimmen von smt-bauteilen |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6115289A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-23 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | メモリ−カ−ド |
DE3501710A1 (de) * | 1985-01-19 | 1986-07-24 | Allied Corp., Morristown, N.J. | Leiterplatte mit integralen positioniermitteln |
US5413964A (en) * | 1991-06-24 | 1995-05-09 | Digital Equipment Corporation | Photo-definable template for semiconductor chip alignment |
JPH05167296A (ja) * | 1991-12-12 | 1993-07-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プリント回路基板における面実装部品の位置決め装置 |
JPH0823197A (ja) * | 1994-07-07 | 1996-01-23 | Asaka Denshi Kk | 表面実装用素子の位置決め方法及び実装用プリント配線板 |
JPH0837397A (ja) * | 1994-07-22 | 1996-02-06 | Fujikura Ltd | プリント配線板と部品との位置決め方法 |
-
1996
- 1996-06-26 JP JP16599296A patent/JP3521341B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-16 EP EP97109791A patent/EP0817550B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-16 DE DE69700216T patent/DE69700216T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0817550A1 (en) | 1998-01-07 |
EP0817550B1 (en) | 1999-05-12 |
DE69700216T2 (de) | 1999-09-09 |
DE69700216D1 (de) | 1999-06-17 |
JPH1012671A (ja) | 1998-01-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4928945B2 (ja) | バンプ−オン−リードフリップチップ相互接続 | |
US7262082B1 (en) | Method of making a three-dimensional stacked semiconductor package with a metal pillar and a conductive interconnect in an encapsulant aperture | |
US7067911B1 (en) | Three-dimensional stacked semiconductor package with metal pillar in encapsulant aperture | |
TWI549204B (zh) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP3521341B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法、並びに被搭載基板を搭載した配線基板及びその製造方法 | |
KR100571081B1 (ko) | 범프 및 그 제조 방법 | |
US20040232562A1 (en) | System and method for increasing bump pad height | |
US20020079577A1 (en) | Advanced electronic package | |
JP3679199B2 (ja) | 半導体パッケージ装置 | |
US6969674B2 (en) | Structure and method for fine pitch flip chip substrate | |
US7129113B1 (en) | Method of making a three-dimensional stacked semiconductor package with a metal pillar in an encapsulant aperture | |
JP2001094003A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR20020044577A (ko) | 개선된 플립-칩 결합 패키지 | |
JPH10247700A (ja) | 電子部品及びその実装方法並びにマスク | |
JPH11265967A (ja) | Lsi実装基板の構造及びその製造方法 | |
JP2001094002A (ja) | Bga実装方法およびその実装構造 | |
JP2010003927A (ja) | 回路基板及びその製造方法 | |
JP3383518B2 (ja) | 半田バンプを有する配線基板の製造方法 | |
JP3813767B2 (ja) | 樹脂製配線基板及びその製造方法 | |
JP2636779B2 (ja) | ボール状外部接続端子の構造およびその形成方法 | |
JP2692522B2 (ja) | パッケージモジュール基板 | |
JP2000151086A (ja) | プリント回路ユニット及びその製造方法 | |
JP3563170B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3487411B2 (ja) | 突起電極の形成方法 | |
JP4159631B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031204 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20031217 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040128 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |