JP3520865B2 - Hermetically sealed electronic components - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は水晶振動子等の電子部品
に関するものであり、特に無鉛化に対応した気密封止型
の電子部品に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic component such as a crystal oscillator, and more particularly to a hermetically sealed electronic component that is lead-free.

【０００２】[0002]

【従来の技術】金属製のシェルに絶縁ガラスが充填さ
れ、当該絶縁ガラスにリード端子が貫通固定された気密
ベースを用い、当該気密ベースに円筒状のキャップを圧
入する気密封止構成は、例えば特公昭５８−４７０８３
号で開示されているように音叉型水晶振動子等で慣用さ
れている。当該気密封止はベース、キャップのいずれか
一方あるいは両者の接合部分に軟質金属の封止層を形成
し、相対的に大きな径の略円柱状のベースに円筒状のキ
ャップを圧入することにより、軟質金属の塑性変形によ
りシールが行われるものである。2. Description of the Related Art An airtight sealing structure in which a metal shell is filled with insulating glass and a lead terminal is fixed through the insulating glass and a cylindrical cap is press-fitted into the airtight base is known. Japanese Patent Publication 58-47083
As is disclosed in Japanese Patent No. 3,849,865, it is commonly used in tuning fork type crystal oscillators and the like. The air-tight sealing is formed by forming a soft metal sealing layer on either one of the base and the cap or a joint between the two, and press-fitting a cylindrical cap into a substantially cylindrical base having a relatively large diameter. Sealing is performed by plastic deformation of soft metal.

【０００３】従来の構成は、例えばベースの金属製のシ
ェルの基材はコバールからなり、その表面にニッケルあ
るいは銅層がメッキ等の手段により形成され、さらにそ
の表面に鉛１：錫９比率の半田の封止層を形成した構成
である。また、キャップは洋白等の鉄ニッケル系合金か
らなり、少なくともベースと圧接される領域には鉛１：
錫９比率の半田の封止層が形成されていた。以上の構成
により、ベース側やキャップ側の半田層が軟質であるた
め、両金属が強く密着した状態で圧入されることにより
塑性変形し、圧入を容易にしていた。In the conventional structure, for example, the base material of the metallic shell of the base is made of Kovar, and a nickel or copper layer is formed on the surface thereof by means such as plating. This is a structure in which a solder sealing layer is formed. The cap is made of iron-nickel alloy such as nickel silver, and at least the lead 1:
A sealing layer of solder with a tin 9 ratio was formed. With the above configuration, since the solder layers on the base side and the cap side are soft, the two metals are press-fitted in a state of being firmly adhered to each other, which causes plastic deformation and facilitates press-fitting.

【０００４】しかしながら、従来の構成では、前記半田
層を形成する場合、バレルメッキ法などにより形成され
るのが一般的であるが、キャップ内周面に当該メッキ法
によるイオンガスが含まれた半田層が形成されており、
半田などの溶融温度の低いものであれば、高熱雰囲気に
さらされると、気密封止後のケース内部で前記イオンガ
ス等のベーパーが発生して水晶振動素子の電極面に付着
して周波数特性の変動を招いたり、ＣＩ値低下を招く原
因となり得ることがあった。However, in the conventional structure, when the solder layer is formed, it is generally formed by a barrel plating method or the like. However, the solder containing the ion gas by the plating method on the inner peripheral surface of the cap is used. Layers are formed,
If the melting temperature of solder or the like is low, when exposed to a high-temperature atmosphere, vapor such as the ion gas is generated inside the case after hermetically sealing and adheres to the electrode surface of the crystal vibrating element to prevent frequency characteristics. In some cases, it may cause fluctuation or cause a decrease in CI value.

【０００５】さらに、近年においては、鉛は人体に対し
て有害な物質であるため世界的にその使用を抑制あるい
は禁止する傾向にある。上記半田層はこのような無鉛化
の動向に反するものであり、代替品が求められていた。Further, in recent years, since lead is a harmful substance to the human body, its use tends to be suppressed or prohibited worldwide. The solder layer is against the trend of lead-free, and a substitute product has been demanded.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
解決するためになされたもので、封止層の無鉛化に対応
するとともに、この封止用の軟質金属層の気化による素
子の悪影響を抑制できる気密封止を行う電子部品を提供
することを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and corresponds to lead-free sealing layer, and adversely affects the element due to vaporization of the soft metal layer for sealing. It is an object of the present invention to provide an electronic component that performs airtight sealing that can suppress the above.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は請求項１に示す
ように、金属製のシェルに絶縁ガラスが充填され、当該
絶縁ガラスにリード端子が貫通固定されたベースと、当
該ベースに搭載される電子素子と、前記ベースに軟質金
属を介して圧入されることにより前記電子素子を気密封
止するキャップとからなる電子部品において、少なくと
も前記金属製のシェルには銅またはニッケルの下地層を
介して、錫の軟質金属層が１０ミクロン〜１５ミクロン
の厚さで形成され、前記キャップにはニッケルの介在層
のみが３ミクロン〜９ミクロンの厚さで形成されてなる
とともに、前記キャップの内径は前記ベースのシェル部
分より２〜５％小さな内径に設定されていることを特徴
とする。According to a first aspect of the present invention, a metal shell is filled with insulating glass, and lead terminals are fixed through the insulating glass, and the base is mounted on the base. In the electronic component comprising an electronic element and a cap for hermetically sealing the electronic element by being press-fitted into the base via a soft metal, at least the metal shell is provided with an underlayer of copper or nickel. And the soft metal layer of tin is 10 to 15 microns
It is formed to a thickness of, formed by a thickness of 3 microns to 9 microns only intervening layer of nickel on the cap
In addition, the inner diameter of the cap is the shell portion of the base.
The inner diameter is set to be 2 to 5% smaller than the minute .

【０００８】本発明は請求項２に示すように、前記金属
製のシェルとリード端子には銅またはニッケルの下地層
を介して、錫の軟質金属層が１０ミクロン〜１５ミクロ
ンの厚さで形成されていることを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, the soft metal layer of tin is 10 μm to 15 μm in thickness between the metal shell and the lead terminal via the underlayer of copper or nickel.
It is characterized in that it is formed with a thickness of 1 mm .

【０００９】[0009]

【発明の効果】本発明によれば、封止用の軟質金属層と
して錫のみを形成することで、錫の軟質性により圧入時
の気密性確保が有効に機能して圧入後の気密性を低下さ
せることなく、無鉛化に対応した気密封止型電子部品を
得ることができる。According to the present invention, by forming only tin as the soft metal layer for sealing, the softness of tin effectively functions to secure the airtightness at the time of press-fitting, and the airtightness after press-fitting is improved. It is possible to obtain a hermetically sealed electronic component compatible with lead-free without lowering.

【００１０】前記錫層は少なくとも前記金属製のシェル
の表面のみに形成されており、錫層が形成されないキャ
ップを被せて気密封止するので、電子部品の内部には錫
層がほとんど露出することがない。キャップには、ニッ
ケル層のみを形成するので、メッキ形成する場合、不純
物の混入が最小限度に抑えられる。従って、高熱雰囲気
にさらされても電子部品の内部でのイオンガス等のベー
パーが発生しなくなり、これらのベーパーが電子部品素
子への付着して電気的特性の劣化を招くことがなくなっ
た。特に、電子部品素子が水晶振動素子の場合、電極面
に付着して周波数特性の変動を招いたり、ＣＩ値低下を
招くがなくなった。Since the tin layer is formed only on at least the surface of the metallic shell and the cap is covered with the tin layer to hermetically seal it, almost no tin layer is exposed inside the electronic component. There is no. Since only the nickel layer is formed on the cap, mixing of impurities is suppressed to a minimum when plating is performed. Therefore, even when exposed to a high heat atmosphere, vapor such as ion gas is not generated inside the electronic component, and these vapors do not adhere to the electronic component element and cause deterioration of electrical characteristics. Particularly, when the electronic component element is a crystal vibrating element, it is not attached to the electrode surface to cause a change in frequency characteristics or a decrease in CI value.

【００１１】ベース側のみに、銅またはニッケルの下地
層を介して錫の軟質金属層を形成するため、ベースに錫
層が安定した状態で形成され、しかも、錫層の厚み管理
が容易に行え、より信頼性の高い封止用の軟質金属層が
形成できる。また、気密封止された際には、前記ベース
の錫層とキャップの間に、ニッケルの介在層が存在する
ため、キャップとの密着性が向上し、圧入後の気密性を
低下させることがない。Since the soft metal layer of tin is formed only on the base side through the underlayer of copper or nickel, the tin layer is stably formed on the base, and the thickness of the tin layer can be easily controlled. Thus, a more reliable soft metal layer for sealing can be formed. Further, when airtightly sealed, since an intervening layer of nickel is present between the tin layer of the base and the cap, the adhesion with the cap is improved, and the airtightness after press fitting may be reduced. Absent.

【００１２】また、ベースのみに軟質金属層を形成して
も圧入後の気密性を低下させることなく、キャップをベ
ースへ圧入する際の応力を緩和して、よりスムーズな気
密封止が行える。錫層が不均一な厚みで形成されること
による、リード端子間のピッチばらつきや、シェルの錫
層のリード端子側への回り込みをなくすことができるた
め、電子素子の搭載ずれ、シェルとリード端子のショー
トを抑制することができる。Further, even if the soft metal layer is formed only on the base, the airtightness after the press-fitting is not lowered, and the stress when the cap is press-fitted into the base is relaxed, so that a smoother hermetic sealing can be performed. Since the tin layer is formed with a non-uniform thickness, it is possible to eliminate the pitch variation between the lead terminals and the wraparound of the tin layer of the shell to the lead terminal side. It is possible to suppress the short circuit.

【００１３】さらに、圧入されたキャップがベースから
受けて拡張される応力や、圧入するベースがキャップか
ら受けて締め付けられる応力を最小限度に抑え、キャッ
プやベースの絶縁ガラスにクラックが入るのを防止する
ので、電子部品の気密不良をなくすことができる。Further, the stress that the press-fitted cap receives from the base and expands and the stress that the press-fitted base receives from the cap and tightens are minimized to prevent cracks from forming in the insulating glass of the cap and the base. Therefore, the airtightness of the electronic component can be eliminated.

【００１４】また、請求項２によれば、上記効果に加え
て、電子素子あるいは実装基板への半田付け性を向上さ
せることができる。According to the second aspect, in addition to the above effect, the solderability to the electronic element or the mounting substrate can be improved.

【００１５】次に本発明品について、比較確認を行っ
た。確認した性能は、気密性能である。気密性はヘリウ
ムリーク試験により確認した。すなわち、図１に示すよ
うに、各々メッキ処理したベースに水晶振動素子（電子
素子）を搭載し、キャップにて気密封止（圧入）した水
晶振動子をヘリウムリーク試験により気密性能を確認し
た。各比較品の１００個のサンプル中、試験前後で特性
変化が所定基準内のもの個数をピックアップした。Next, the products of the present invention were compared and confirmed. The confirmed performance is airtight performance. The airtightness was confirmed by a helium leak test. That is, as shown in FIG. 1, a quartz resonator element (electronic element) was mounted on each plated base, and a quartz resonator hermetically sealed (press-fitted) with a cap was checked for hermetic performance by a helium leak test. Among 100 samples of each comparative product, the number of samples whose characteristic change before and after the test was within a predetermined standard was picked up.

【００１６】[0016]

【検証１】比較品１について、１００個中、８２個が良
品 比較品２について、１００個中、９６個が良品 比較品３（本発明）について、１００個中、１００個が
良品 比較品４（本発明）について、１００個中、１００個が
良品 比較品１はニッケルを３ミクロン形成し錫を６ミクロン
形成したもの、比較品２はニッケルを３ミクロン形成し
錫を８ミクロン形成したもの、比較品３はニッケルを３
ミクロン形成し錫を１０ミクロンしたもの、比較品４は
ニッケルを３ミクロン形成し錫を１５ミクロン形成した
ものである。[Verification 1] In Comparative Product 1, 82 out of 100 products are Good Product Comparison Products 2, 96 out of 100 products are Good Product Comparison Products 3 (invention), and 100 out of 100 products are Good Product Comparison Products 4 Regarding (the present invention), 100 out of 100 are non-defective products. Comparative product 1 has nickel formed in 3 μm and tin formed in 6 μm, and comparative product 2 has nickel formed in 3 μm and tin formed in 8 μm. Comparative product 3 is nickel 3
Micron formed with 10 micron tin, Comparative product 4 is formed with 3 micron nickel and 15 micron tin.

【００１７】[0017]

【検証２】比較品５について、１００個中、９５個が良
品 比較品６について、１００個中、９８個が良品 比較品７（本発明）について、１００個中、１００個が
良品 比較品８（本発明）について、１００個中、１００個が
良品 比較品５はニッケルを５ミクロン形成し錫を６ミクロン
形成したもの、比較品６はニッケルを５ミクロン形成し
錫を８ミクロン形成したもの、比較品７はニッケルを５
ミクロン形成し錫を１０ミクロンしたもの、比較品８は
ニッケルを５ミクロン形成し錫を１５ミクロン形成した
ものである。[Verification 2] Regarding 100, 100 out of 100 out of 100 out of 100 out of 100 out of 100 out of 100 out of 100 out of 100 out of 100 out of 100 out of 100 out of 100 Regarding (the present invention), 100 out of 100 are non-defective products. Comparative product 5 has nickel of 5 μm and tin of 6 μm. Comparative product 6 has nickel of 5 μm and tin of 8 μm. Comparative product 7 contains 5 nickel
Micron formed and tin 10 micron, Comparative product 8 is nickel formed 5 micron and tin 15 micron.

【００１８】[0018]

【検証３】比較品９について、１００個中、７２個が良
品 比較品１０について、１００個中、９７個が良品 比較品１１（本発明）について、１００個中、１００個
が良品 比較品１２（本発明）について、１００個中、１００個
が良品 比較品９は銅を３ミクロン形成し錫を６ミクロン形成し
たもの、比較品１０は銅を３ミクロン形成し錫を８ミク
ロン形成したもの、比較品１１は銅を３ミクロン形成し
錫を１０ミクロンしたもの、比較品１２は銅を３ミクロ
ン形成し錫を１５ミクロン形成したものである。[Verification 3] Regarding 100 of the 9 comparative products, 72 of the 100 good products, and of 100 of the 97 good products of the comparative product 11 (invention), 100 of the 100 good products of the comparative product 12 Regarding (the present invention), 100 out of 100 are non-defective products. Comparative product 9 is copper having 3 μm and tin is 6 μm, and comparative product 10 is copper having 3 μm and tin is 8 μm. Comparative product 11 is copper having a thickness of 3 microns and tin having a thickness of 10 microns, and comparative product 12 has copper having a thickness of 3 microns and tin having a thickness of 15 microns.

【００１９】[0019]

【検証４】比較品１３について、１００個中、９３個が
良品 比較品１４について、１００個中、９７個が良品 比較品１５（本発明）について、１００個中、１００個
が良品 比較品１６（本発明）について、１００個中、１００個
が良品 比較品１３は銅を５ミクロン形成し錫を６ミクロン形成
したもの、比較品１４は銅を５ミクロン形成し錫を８ミ
クロン形成したもの、比較品１５は銅を５ミクロン形成
し錫を１０ミクロンしたもの、比較品１６は銅を５ミク
ロン形成し錫を１５ミクロン形成したものである。[Verification 4] Of the 100 products, 93 out of 100 products are non-defective products 14, 97 out of 100 products are non-defective product products 15 (invention), 100 out of 100 products are non-defective product products 16 Regarding (the present invention), 100 out of 100 are non-defective products. Comparative product 13 is copper having 5 microns and tin is 6 microns, and comparative product 14 is copper having 5 microns and tin is 8 microns. Comparative product 15 is copper having 5 μm and tin of 10 μm, and comparative product 16 is copper having 5 μm and tin of 15 μm.

【００２０】なお、上記いずれの金属膜もベースのシェ
ルおよびリード端子に形成しており、上記各比較品のキ
ャップにはニッケルメッキのみが６ミクロン形成されて
いる。Each of the above metal films is formed on the shell of the base and the lead terminal, and the cap of each comparative product is formed with nickel plating of 6 μm only.

【００２１】上記検証結果から、本発明に該当する錫を
１０ミクロン以上形成した比較品３、４、７、８、１
１、１２、１５、１６についてはいずれの試験品につい
ても良好な結果を得ているが、比較品１、２、５、６、
９、１０、１３、１４については若干気密性能が劣って
いるのがわかる。From the above verification results, comparative products 3, 4, 7, 8, 1 in which tin corresponding to the present invention is formed in a thickness of 10 μm or more
Good results were obtained for all the test products for 1, 12, 15, and 16, but comparative products 1, 2, 5, 6,
It can be seen that the airtightness is slightly inferior for 9, 10, 13, and 14.

【００２２】[0022]

【実施例】本発明の実施例について、音叉型水晶振動子
を例にし、図面を参照して説明する。図１は音叉型水晶
振動子の分解した内部構造を示す図であり、図２は図１
のベース部分の部分拡大図である。Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, taking a tuning fork type crystal oscillator as an example. FIG. 1 is a diagram showing the disassembled internal structure of a tuning fork type crystal unit, and FIG.
FIG. 3 is a partially enlarged view of the base portion of FIG.

【００２３】ベース１は、金属製のシェル１０と、当該
シェル内に充填された絶縁ガラス１３と、当該絶縁ガラ
ス１３に貫通固定されたリード端子１１、１２とからな
る。シェル１０は例えばコバールあるいは鉄ニッケル系
合金を基体としており、上下に貫通した円筒形状を有し
ている。リード端子１１，１２は例えばコバールを基体
とし線状に加工され、かつ前記シェルに所定の間隔をも
って貫通配置されている。絶縁ガラス１３は例えばホウ
ケイ酸ガラスからなり、前記シェル１０とリード端子１
１，１２とを各々電気的に独立した状態でガラス焼成技
術により一体的に成形される。The base 1 comprises a metal shell 10, an insulating glass 13 filled in the shell, and lead terminals 11 and 12 penetratingly fixed to the insulating glass 13. The shell 10 has, for example, a Kovar or iron-nickel-based alloy as a base, and has a cylindrical shape that penetrates vertically. The lead terminals 11 and 12 are formed into a linear shape using, for example, Kovar as a base, and are arranged through the shell at a predetermined interval. The insulating glass 13 is made of, for example, borosilicate glass, and includes the shell 10 and the lead terminal 1.
1 and 12 are integrally molded by a glass firing technique in an electrically independent state.

【００２４】この一体成形されたベースを酸洗浄等によ
り金属表面の洗浄や浸炭部分の除去を行い、その後次の
金属被膜が形成される。シェルおよびリード端子のコバ
ール表面には、ニッケル層あるいは銅層の下地層１０１
が３〜５ミクロンの厚さで形成され、その上面には錫層
１０２が１０〜１５ミクロンの厚さで形成される。これ
ら各金属被膜形成はバレルメッキを用いるとよい。バレ
ルメッキは被膜形成対象物を投入したバレルをメッキ浴
に浸漬し、バレルを回転させることにより電解メッキを
効率的に行うことができ、またバッチ処理が可能である
ことから、量産性にも優れている。This integrally molded base is subjected to acid cleaning or the like to clean the metal surface or remove the carburized portion, and then the next metal coating is formed. On the surface of the Kovar of the shell and the lead terminal, an underlayer 101 of a nickel layer or a copper layer is formed.
Are formed with a thickness of 3 to 5 microns, and a tin layer 102 is formed on the upper surface with a thickness of 10 to 15 microns. Barrel plating is preferably used for forming each of these metal coatings. Barrel plating is excellent in mass productivity because it is possible to perform electrolytic plating efficiently by immersing the barrel into which the film-forming target is placed in the plating bath and rotating the barrel, and batch processing is also possible. ing.

【００２５】このようなメッキ処理により、ベースのシ
ェルおよびリード端子表面に上記各金属層が形成され
る。そしてリード端子のインナー側１１ａ，１２ａには
電子素子である音叉型水晶振動子片２が半田等により接
合される。音叉型水晶振動子片の主面および側面には図
示していないが１対の励振電極が形成されており、それ
ぞれの電極がリード端子部分に引き出されている。By such plating treatment, the above metal layers are formed on the surface of the base and the lead terminals. The tuning fork type crystal resonator element 2 which is an electronic element is joined to the inner sides 11a and 12a of the lead terminals by soldering or the like. Although not shown, a pair of excitation electrodes are formed on the main surface and the side surface of the tuning fork type crystal unit, and each electrode is led out to the lead terminal portion.

【００２６】キャップ３は洋白（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ系合
金）からなり、有底の円筒状を有している。キャップの
外周および内周面にはニッケル層３１が３〜９ミクロン
の厚さでメッキ等の手段により形成されている。The cap 3 is made of nickel silver (Cu-Ni-Zn alloy) and has a bottomed cylindrical shape. A nickel layer 31 having a thickness of 3 to 9 μm is formed on the outer and inner peripheral surfaces of the cap by plating or the like.

【００２７】キャップの内径は前記ベースのシェル部分
よりも若干小さく設計されており、例えば２〜５％小さ
な内径に設定されている。このようなキャップを真空雰
囲気中で前記電子素子である音叉型水晶振動子片を被覆
し、キャップ開口部をベースに圧入することにより、ベ
ースとキャップが強く密着しキャップ内部が真空状態に
保たれた気密封止を行うことができる。The inner diameter of the cap is designed to be slightly smaller than the shell portion of the base, and is set to, for example, 2 to 5% smaller. By covering such a cap with the tuning-fork type crystal oscillator piece which is the electronic element in a vacuum atmosphere and press-fitting the cap opening into the base, the base and the cap are firmly adhered to each other, and the inside of the cap is kept in a vacuum state. Airtight sealing can be performed.

【００２８】なお、上記実施例においては、真空封止を
行う音叉型水晶振動子を例示したが、不活性ガス雰囲気
で他の振動モードの水晶振動子に適用することも可能で
あるし、他の電子素子の気密封止に適用することも可能
である。In the above embodiment, the tuning fork type crystal unit for vacuum sealing is illustrated, but it is also possible to apply to a crystal unit of another vibration mode in an inert gas atmosphere. It is also possible to apply to the hermetic sealing of the electronic device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】音叉型水晶振動子の分解した内部構造を示す
図。FIG. 1 is a diagram showing an exploded internal structure of a tuning fork type crystal unit.

【図２】図１のベース部分の部分拡大図。FIG. 2 is a partially enlarged view of a base portion of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ ベース ２ 音叉型水晶振動片 １０ シェル １１，１２ リード端子 １３ 絶縁ガラス 1 base 2 tuning fork type crystal vibrating piece 10 shell 11,12 Lead terminal 13 insulating glass

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−150115（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−83492（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−152212（ＪＰ，Ａ) 特開2001−285007（ＪＰ，Ａ) 特開2001−214295（ＪＰ，Ａ) 特開2001−214296（ＪＰ，Ａ) 特開2000−59173（ＪＰ，Ａ) 特開2000−325899（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−101821（ＪＰ，Ｕ) 川口寅之輔訳「エレクロトニクス・パ ッケージング用ハンダペースト」 （18992年１月10日），株式会社工業調 査会発行、第130頁表４．８ (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C25D 7/00 H01R 9/16 H03H 9/02 Continuation of the front page (56) References JP-A-10-150115 (JP, A) JP-A-53-83492 (JP, A) JP-A-57-152212 (JP, A) JP-A-2001-285007 (JP, A) JP 2001-214295 (JP, A) JP 2001-214296 (JP, A) JP 2000-59173 (JP, A) JP 2000-325899 (JP, A) Actual development Sho 60-101821 (JP , U) Translated by Torayuki Kawaguchi "Solder paste for electronics packaging" (January 10, 18992), published by Industrial Research Institute Co., Ltd., page 130, Table 4.8 (58) Fields surveyed (Int .Cl. ⁷ , DB name) C25D 7/00 H01R 9/16 H03H 9/02

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 金属製のシェルに絶縁ガラスが充填さ
れ、当該絶縁ガラスにリード端子が貫通固定されたベー
スと、当該ベースに搭載される電子素子と、前記ベース
に軟質金属を介して圧入されることにより前記電子素子
を気密封止するキャップとからなる電子部品において、 少なくとも前記金属製のシェルには銅またはニッケルの
下地層を介して、錫の軟質金属層が１０ミクロン〜１５
ミクロンの厚さで形成され、 前記キャップにはニッケルの介在層のみが３ミクロン〜
９ミクロンの厚さで形成されてなるとともに、 前記キャップの内径は前記ベースのシェル部分より２〜
５％小さな内径に設定されて いることを特徴とする気密
封止型電子部品。1. A base in which a metal shell is filled with insulating glass and lead terminals are fixed through the insulating glass, an electronic element mounted on the base, and the base is press-fitted through a soft metal. In the electronic component including the cap for hermetically sealing the electronic element, the soft metal layer of tin is 10 μm to 15 μm in at least the metal shell with the underlying layer of copper or nickel interposed.
The cap has only a nickel intervening layer of 3 microns or less.
Together formed by a thickness of 9 microns, an inner diameter of the cap 2 from the shell portion of the base
A hermetically sealed electronic component characterized by a 5% smaller inner diameter . 【請求項２】 前記金属製のシェルとリード端子には銅
またはニッケルの下地層を介して、錫の軟質金属層が１
０ミクロン〜１５ミクロンの厚さで形成されていること
を特徴とする特許請求項１記載の気密封止型電子部品。2. A through the base layer of copper or nickel to the metallic shell and the lead terminal, the soft metal layer of tin 1
The hermetically sealed electronic component according to claim 1, which is formed with a thickness of 0 to 15 microns .