JP3434242B2 - 光磁気記録媒体及びその再生方法 - Google Patents
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- G11B11/10589—Details
- G11B11/10593—Details for improving read-out properties, e.g. polarisation of light
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録再生装
置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気
カード等の光磁気記録媒体及びその再生方法に関するも
のである。
置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気
カード等の光磁気記録媒体及びその再生方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、書き換え可能な光記録媒体と
して、光磁気記録媒体が実用化されている。このような
光磁気記録媒体では、光磁気記録媒体上に集光された半
導体レーザから出射される光ビームのビーム径に対し
て、記録用磁区である記録ビット径及び記録ビット間隔
が小さくなってくると、再生特性が劣化してくるという
欠点がある。
して、光磁気記録媒体が実用化されている。このような
光磁気記録媒体では、光磁気記録媒体上に集光された半
導体レーザから出射される光ビームのビーム径に対し
て、記録用磁区である記録ビット径及び記録ビット間隔
が小さくなってくると、再生特性が劣化してくるという
欠点がある。
【０００３】これは、目的とする記録ビット上に集光さ
れた光ビームのビーム径内に、隣接する記録ビットが入
るため、個々の記録ビットを分離して再生することがで
きなくなることが原因である。
れた光ビームのビーム径内に、隣接する記録ビットが入
るため、個々の記録ビットを分離して再生することがで
きなくなることが原因である。
【０００４】この問題を解決する手段として、磁性多層
膜を用いた様々な磁気的超解像再生技術が開発されてい
る。これらの磁気的超解像再生技術は、磁気的なマスク
領域を形成することにより、ビームスポットよりも小さ
い磁気的なアパーチャーを形成し、再生時の符号間干渉
を減少させ、光の回折限界以下の周期の信号を再生可能
とするものである。
膜を用いた様々な磁気的超解像再生技術が開発されてい
る。これらの磁気的超解像再生技術は、磁気的なマスク
領域を形成することにより、ビームスポットよりも小さ
い磁気的なアパーチャーを形成し、再生時の符号間干渉
を減少させ、光の回折限界以下の周期の信号を再生可能
とするものである。
【０００５】しかし、これらの磁気的超解像再生技術に
は、記録磁区の記録周期を小さくするにつれて、アパー
チャーも小さくする必要があり、再生信号強度が小さく
なるという問題が存在する。
は、記録磁区の記録周期を小さくするにつれて、アパー
チャーも小さくする必要があり、再生信号強度が小さく
なるという問題が存在する。
【０００６】上記の問題を解消するために、交流外部磁
界を印加することなしに磁区拡大再生を可能にする方法
が提案されている（『ＤＣ光、ＤＣ磁界による磁区拡大
再生（ＭＡＭＭＯＳ）』（１９９７年春季第４４回応用
物理学関係連合講演会講演予稿集、３０ａ−ＮＦ−３、
１０６８頁））。
界を印加することなしに磁区拡大再生を可能にする方法
が提案されている（『ＤＣ光、ＤＣ磁界による磁区拡大
再生（ＭＡＭＭＯＳ）』（１９９７年春季第４４回応用
物理学関係連合講演会講演予稿集、３０ａ−ＮＦ−３、
１０６８頁））。
【０００７】ここで、図１７から図１９を用いて、上記
の方法に係る光磁気記録媒体について説明する。図１７
及び図１８は上記光磁気記録媒体の再生時の磁化状態を
説明する平面模式図および断面模式図である。また、図
１９は上記光磁気記録媒体を適用した光磁気ディスクの
媒体構成を示す断面図である。
の方法に係る光磁気記録媒体について説明する。図１７
及び図１８は上記光磁気記録媒体の再生時の磁化状態を
説明する平面模式図および断面模式図である。また、図
１９は上記光磁気記録媒体を適用した光磁気ディスクの
媒体構成を示す断面図である。
【０００８】図１８に示すように、上記光磁気記録媒体
は、再生層２０１と、再生補助層２０３と、記録層２０
７とが積層されて構成されている。再生層２０１および
再生補助層２０３は、室温において面内磁化状態であ
り、光ビーム２０８（図１７中では光ビームスポット２
０８’）の集中照射による温度上昇とともに垂直磁化状
態となる。また、記録層２０７は垂直磁化膜からなり、
磁化情報が磁区２０９・２１０の磁化方向として記録さ
れている。
は、再生層２０１と、再生補助層２０３と、記録層２０
７とが積層されて構成されている。再生層２０１および
再生補助層２０３は、室温において面内磁化状態であ
り、光ビーム２０８（図１７中では光ビームスポット２
０８’）の集中照射による温度上昇とともに垂直磁化状
態となる。また、記録層２０７は垂直磁化膜からなり、
磁化情報が磁区２０９・２１０の磁化方向として記録さ
れている。
【０００９】再生層２０１が垂直磁化状態となる温度
は、再生補助層２０３が垂直磁化状態となる温度よりも
低く設定されている。よって、光ビーム２０８により加
熱された際、再生層２０１において垂直磁化状態となる
領域である磁区２１２は、再生補助層２０３が垂直磁化
状態となる領域である磁区２１１よりも広くなる。
は、再生補助層２０３が垂直磁化状態となる温度よりも
低く設定されている。よって、光ビーム２０８により加
熱された際、再生層２０１において垂直磁化状態となる
領域である磁区２１２は、再生補助層２０３が垂直磁化
状態となる領域である磁区２１１よりも広くなる。
【００１０】光ビーム２０８の加熱によって再生補助層
２０３の垂直磁化状態となった磁区２１１の磁化方向
は、記録層２０７との交換結合により決定される。これ
により、記録層２０７および再生補助層２０３の副格子
モーメントの向きをそろえるように、記録層２０７の磁
化情報が再生補助層２０３へと転写される。
２０３の垂直磁化状態となった磁区２１１の磁化方向
は、記録層２０７との交換結合により決定される。これ
により、記録層２０７および再生補助層２０３の副格子
モーメントの向きをそろえるように、記録層２０７の磁
化情報が再生補助層２０３へと転写される。
【００１１】つぎに、再生補助層２０３の垂直磁化状態
となった磁区２１１の磁化情報は、再生層２０１および
再生補助層２０３の遷移（ＴＭ）モーメントの向きをそ
ろえるように、再生層２０１へと転写される。ここで、
再生層２０１において垂直磁化状態となる磁区２１２
は、再生補助層２０３が垂直磁化状態となる磁区２１１
よりも広くなっているため、再生補助層２０３の磁化状
態、すなわち、記録層２０７の磁化状態は、再生層２０
１へと拡大転写されることになる。
となった磁区２１１の磁化情報は、再生層２０１および
再生補助層２０３の遷移（ＴＭ）モーメントの向きをそ
ろえるように、再生層２０１へと転写される。ここで、
再生層２０１において垂直磁化状態となる磁区２１２
は、再生補助層２０３が垂直磁化状態となる磁区２１１
よりも広くなっているため、再生補助層２０３の磁化状
態、すなわち、記録層２０７の磁化状態は、再生層２０
１へと拡大転写されることになる。
【００１２】以上のように、上記の方法に係る光磁気記
録媒体では、記録層２０７の小さな磁区を再生層２０１
において拡大して再生することができ、高記録密度を実
現した上で再生信号を大きくすることが可能となる。
録媒体では、記録層２０７の小さな磁区を再生層２０１
において拡大して再生することができ、高記録密度を実
現した上で再生信号を大きくすることが可能となる。
【００１３】なお、図１９に示すように、通常、図１８
の構成に加えて、基板２１３および透明誘電体保護層２
１４と保護層２１５等を積層した光磁気記録媒体が使用
される。
の構成に加えて、基板２１３および透明誘電体保護層２
１４と保護層２１５等を積層した光磁気記録媒体が使用
される。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法に係る磁区拡大再生可能な光磁気記録媒体では、記
録層２０７と再生補助層２０３及び再生層２０１とが交
換結合している。
方法に係る磁区拡大再生可能な光磁気記録媒体では、記
録層２０７と再生補助層２０３及び再生層２０１とが交
換結合している。
【００１５】このため、再生補助層２０３及び再生層２
０１における面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移が
温度上昇とともに徐々に進行し、再生分解能を向上させ
ることが困難となる。
０１における面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移が
温度上昇とともに徐々に進行し、再生分解能を向上させ
ることが困難となる。
【００１６】また、再生層２０１が垂直磁化状態に遷移
する遷移温度Ｔｐ２０１近傍において、再生補助層２０
３は面内磁化状態にあるため、再生層２０１と再生補助
層２０３との間に交換結合が働くことにより、再生層２
０１の垂直磁化状態への遷移が妨げられ、遷移温度Ｔｐ
２０１が見かけ上上昇する。これにより、再生層２０１
に形成される磁区２１２は交換結合が無い場合に比べて
小さくなってしまう。また、再生補助層２０３が垂直磁
化状態に遷移する遷移温度Ｔｐ２０３近傍においては、
再生層２０１が垂直磁化状態にあるため、再生層２０１
と再生補助層２０３との間に交換結合が働くことによ
り、再生補助層２０３が垂直磁化状態に遷移する遷移温
度Ｔｐ２０３に満たない温度から垂直磁化状態への遷移
を開始し、遷移温度Ｔｐ２０３が見かけ上低下する。こ
れにより、再生補助層２０３に形成される磁区２１１は
交換結合が無い場合に比べ大きくなってしまう。
する遷移温度Ｔｐ２０１近傍において、再生補助層２０
３は面内磁化状態にあるため、再生層２０１と再生補助
層２０３との間に交換結合が働くことにより、再生層２
０１の垂直磁化状態への遷移が妨げられ、遷移温度Ｔｐ
２０１が見かけ上上昇する。これにより、再生層２０１
に形成される磁区２１２は交換結合が無い場合に比べて
小さくなってしまう。また、再生補助層２０３が垂直磁
化状態に遷移する遷移温度Ｔｐ２０３近傍においては、
再生層２０１が垂直磁化状態にあるため、再生層２０１
と再生補助層２０３との間に交換結合が働くことによ
り、再生補助層２０３が垂直磁化状態に遷移する遷移温
度Ｔｐ２０３に満たない温度から垂直磁化状態への遷移
を開始し、遷移温度Ｔｐ２０３が見かけ上低下する。こ
れにより、再生補助層２０３に形成される磁区２１１は
交換結合が無い場合に比べ大きくなってしまう。
【００１７】したがって、記録層２０７の記録磁区２０
９の再生補助層２０３への転写にあたっては、磁区２１
１が記録磁区２０９よりも大きくなるため、記録磁区２
０９の周囲の磁区の影響を受けて再生補助層２０３への
転写時に高い分解能を得ることが困難となる。また、再
生補助層の磁区２１１の磁区２０１への拡大転写にあた
っては、磁区２１１が拡大転写される磁区２１２が充分
な大きさに拡大しないため、再生信号強度が低下し、良
好な信号品質を得られなくなるという問題点がある。
９の再生補助層２０３への転写にあたっては、磁区２１
１が記録磁区２０９よりも大きくなるため、記録磁区２
０９の周囲の磁区の影響を受けて再生補助層２０３への
転写時に高い分解能を得ることが困難となる。また、再
生補助層の磁区２１１の磁区２０１への拡大転写にあた
っては、磁区２１１が拡大転写される磁区２１２が充分
な大きさに拡大しないため、再生信号強度が低下し、良
好な信号品質を得られなくなるという問題点がある。
【００１８】したがって、温度上昇にともなう再生補助
層２０３及び再生層２０１における面内磁化状態から垂
直磁化状態への遷移を安定して行なうためには、再生補
助層２０３及び再生層２０１の膜厚を厚くする必要があ
り、膜厚増加にともない記録再生感度が悪くなるという
問題点が生ずる。
層２０３及び再生層２０１における面内磁化状態から垂
直磁化状態への遷移を安定して行なうためには、再生補
助層２０３及び再生層２０１の膜厚を厚くする必要があ
り、膜厚増加にともない記録再生感度が悪くなるという
問題点が生ずる。
【００１９】本発明は、上記従来の問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的は、再生信号振幅を
低下させることなく光の回折限界以下の周期の信号を再
生することが可能であり、かつ、良好な記録再生感度を
有する光磁気記録媒体を提供することにある。
めになされたものであり、その目的は、再生信号振幅を
低下させることなく光の回折限界以下の周期の信号を再
生することが可能であり、かつ、良好な記録再生感度を
有する光磁気記録媒体を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、第１の発明の光磁気記録媒体は、室温において面内
磁化状態であり温度上昇により垂直磁化状態に移行する
再生層と、該再生層に隣接し、該再生層が垂直磁化状態
に移行する温度近傍にキュリー温度を有する面内磁化膜
からなる面内磁化層と、からなる再生部と、情報を記録
する垂直磁化膜からなる記録層と、を有する光磁気記録
媒体において、室温において面内磁化状態であり温度上
昇により垂直磁化状態となる再生補助層と、該再生補助
層に隣接し、該再生補助層が垂直磁化状態に移行する温
度近傍にキュリー温度を有する面内磁化膜からなる再生
補助面内磁化層と、からなる再生補助部を、少なくとも
１つ、前記面内磁化層と前記記録層との間に、有してな
り、前記再生補助部における前記再生補助層は、その垂
直磁化状態に移行する温度が、前記再生層が垂直磁化状
態に移行する温度よりも高く設定されており、且つ、前
記記録層側に位置する再生補助部の再生補助層ほど、垂
直磁化状態に移行する温度が高く設定されていることを
特徴とする。
め、第１の発明の光磁気記録媒体は、室温において面内
磁化状態であり温度上昇により垂直磁化状態に移行する
再生層と、該再生層に隣接し、該再生層が垂直磁化状態
に移行する温度近傍にキュリー温度を有する面内磁化膜
からなる面内磁化層と、からなる再生部と、情報を記録
する垂直磁化膜からなる記録層と、を有する光磁気記録
媒体において、室温において面内磁化状態であり温度上
昇により垂直磁化状態となる再生補助層と、該再生補助
層に隣接し、該再生補助層が垂直磁化状態に移行する温
度近傍にキュリー温度を有する面内磁化膜からなる再生
補助面内磁化層と、からなる再生補助部を、少なくとも
１つ、前記面内磁化層と前記記録層との間に、有してな
り、前記再生補助部における前記再生補助層は、その垂
直磁化状態に移行する温度が、前記再生層が垂直磁化状
態に移行する温度よりも高く設定されており、且つ、前
記記録層側に位置する再生補助部の再生補助層ほど、垂
直磁化状態に移行する温度が高く設定されていることを
特徴とする。
【００２１】第２の発明の光磁気記録媒体は、第１の発
明の記載の光磁気記録媒体において、前記再生部及び各
再生補助部は、各再生補助層が前記面内磁化層または前
記再生補助面内磁化層を構成する面内磁化膜に挟まれて
配置され且つその面内磁化膜に隣接するよう、形成され
ていることを特徴とする。
明の記載の光磁気記録媒体において、前記再生部及び各
再生補助部は、各再生補助層が前記面内磁化層または前
記再生補助面内磁化層を構成する面内磁化膜に挟まれて
配置され且つその面内磁化膜に隣接するよう、形成され
ていることを特徴とする。
【００２２】第３の発明の光磁気記録媒体は、室温にお
いて面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ１において垂直磁
化状態に移行する再生層と、該再生層に隣接し、前記遷
移温度Ｔｐ１近傍にキュリー温度を有する面内磁化膜か
らなる第１の面内磁化層と、室温において面内磁化状態
であり遷移温度Ｔｐ３において垂直磁化状態となる第１
の再生補助層と、第１の再生補助層に隣接し、前記遷移
温度Ｔｐ３近傍にキュリー温度を有する面内磁化膜から
なる第２の面内磁化層と、情報を記録する垂直磁化膜か
らなる記録層と、をこの順に、少なくとも有してなり、
Ｔｐ１＜Ｔｐ３が成立することを特徴としている。
いて面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ１において垂直磁
化状態に移行する再生層と、該再生層に隣接し、前記遷
移温度Ｔｐ１近傍にキュリー温度を有する面内磁化膜か
らなる第１の面内磁化層と、室温において面内磁化状態
であり遷移温度Ｔｐ３において垂直磁化状態となる第１
の再生補助層と、第１の再生補助層に隣接し、前記遷移
温度Ｔｐ３近傍にキュリー温度を有する面内磁化膜から
なる第２の面内磁化層と、情報を記録する垂直磁化膜か
らなる記録層と、をこの順に、少なくとも有してなり、
Ｔｐ１＜Ｔｐ３が成立することを特徴としている。
【００２３】第４の発明の光磁気記録媒体は、第３の発
明の光磁気記録媒体において、前記遷移温度Ｔｐ１にお
ける前記記録層と前記再生層との静磁結合力よりも、前
記遷移温度Ｔｐ３における前記記録層と第１の再生補助
層との静磁結合力が強くなるように、前記再生層、前記
第１の再生補助層、および前記記録層の磁気特性が調整
されていることを特徴としている。
明の光磁気記録媒体において、前記遷移温度Ｔｐ１にお
ける前記記録層と前記再生層との静磁結合力よりも、前
記遷移温度Ｔｐ３における前記記録層と第１の再生補助
層との静磁結合力が強くなるように、前記再生層、前記
第１の再生補助層、および前記記録層の磁気特性が調整
されていることを特徴としている。
【００２４】第５の発明の光磁気記録媒体は、第４の発
明の光磁気媒体において、前記再生層、第１の再生補助
層のいずれか少なくとも一方は、ＧｄＤｙＦｅＣｏまた
はＧｄＴｂＦｅＣｏからなることを特徴としている。
明の光磁気媒体において、前記再生層、第１の再生補助
層のいずれか少なくとも一方は、ＧｄＤｙＦｅＣｏまた
はＧｄＴｂＦｅＣｏからなることを特徴としている。
【００２５】第６の発明の光磁気記録媒体は、第３の発
明の光磁気記録媒体において、第１の面内磁化層と前記
記録層との間に、室温において面内磁化状態であり遷移
温度Ｔｐ５において垂直磁化状態となる第２の再生補助
層と、第２の再生補助層に隣接し、前記遷移温度Ｔｐ５
近傍にキュリー温度を有する面内磁化膜からなる第３の
面内磁化層と、を前記再生補助層が前記再生層側に位置
するように有しており、Ｔｐ１＜Ｔｐ５＜Ｔｐ３が成立
することを特徴としている。
明の光磁気記録媒体において、第１の面内磁化層と前記
記録層との間に、室温において面内磁化状態であり遷移
温度Ｔｐ５において垂直磁化状態となる第２の再生補助
層と、第２の再生補助層に隣接し、前記遷移温度Ｔｐ５
近傍にキュリー温度を有する面内磁化膜からなる第３の
面内磁化層と、を前記再生補助層が前記再生層側に位置
するように有しており、Ｔｐ１＜Ｔｐ５＜Ｔｐ３が成立
することを特徴としている。
【００２６】第７の発明の光磁気記録媒体は、第６の発
明の光磁気記録媒体において、前記遷移温度Ｔｐ１にお
ける前記記録層と前記再生層との静磁結合力および前記
遷移温度Ｔｐ５における前記記録層と第２の再生補助層
との静磁結合力よりも、前記遷移温度Ｔｐ３における前
記記録層と第１の再生補助層との静磁結合力が強くなる
ように、前記再生層、第２の再生補助層、第１の再生補
助層および前記記録層の磁気特性が調整されていること
を特徴としている。
明の光磁気記録媒体において、前記遷移温度Ｔｐ１にお
ける前記記録層と前記再生層との静磁結合力および前記
遷移温度Ｔｐ５における前記記録層と第２の再生補助層
との静磁結合力よりも、前記遷移温度Ｔｐ３における前
記記録層と第１の再生補助層との静磁結合力が強くなる
ように、前記再生層、第２の再生補助層、第１の再生補
助層および前記記録層の磁気特性が調整されていること
を特徴としている。
【００２７】第８の発明の光磁気記録媒体は、第７の発
明の光磁気記録媒体において、前記再生層、第２の再生
補助層、第１の再生補助層のいずれか少なくとも一つ
は、ＧｄＤｙＦｅＣｏまたはＧｄＴｂＦｅＣｏからなる
ことを特徴としている。
明の光磁気記録媒体において、前記再生層、第２の再生
補助層、第１の再生補助層のいずれか少なくとも一つ
は、ＧｄＤｙＦｅＣｏまたはＧｄＴｂＦｅＣｏからなる
ことを特徴としている。
【００２８】第９の発明の光磁気記録媒体は、第３乃至
第８の発明のいずれかの光磁気記録媒体において、第２
の面内磁化層と前記記録層との間に、非磁性中間層を有
することを特徴としている。
第８の発明のいずれかの光磁気記録媒体において、第２
の面内磁化層と前記記録層との間に、非磁性中間層を有
することを特徴としている。
【００２９】第１０の発明の光磁気記録媒体の再生方法
は、第３の発明の光磁気記録媒体を再生する再生方法で
あって、再生時の光ビーム照射により、前記光磁気記録
媒体を前記遷移温度Ｔｐ３以上に加熱し、第１の再生補
助層における前記遷移温度Ｔｐ３以上の温度領域に、前
記記録層の磁化情報を転写するとともに、前記再生層に
おける前記遷移温度Ｔｐ１以上の温度領域に、第１の再
生補助層に転写された磁化情報を転写することを特徴と
している。
は、第３の発明の光磁気記録媒体を再生する再生方法で
あって、再生時の光ビーム照射により、前記光磁気記録
媒体を前記遷移温度Ｔｐ３以上に加熱し、第１の再生補
助層における前記遷移温度Ｔｐ３以上の温度領域に、前
記記録層の磁化情報を転写するとともに、前記再生層に
おける前記遷移温度Ｔｐ１以上の温度領域に、第１の再
生補助層に転写された磁化情報を転写することを特徴と
している。
【００３０】第１１の発明の光磁気記録媒体の再生方法
は、第６の発明の光磁気記録媒体を再生する再生方法で
あって、再生時の光ビーム照射により、前記光磁気記録
媒体を前記遷移温度Ｔｐ５以上に加熱し、第２の再生補
助層における前記遷移温度Ｔｐ５以上の温度領域に、前
記記録層の磁化情報を転写するとともに、第１の再生補
助層における前記遷移温度Ｔｐ３以上の温度領域に、第
１の再生補助層に転写された磁化情報を転写するととも
に、前記再生層における前記遷移温度Ｔｐ１以上の温度
領域に、第２の再生補助層に転写された磁化情報を転写
することを特徴としている。
は、第６の発明の光磁気記録媒体を再生する再生方法で
あって、再生時の光ビーム照射により、前記光磁気記録
媒体を前記遷移温度Ｔｐ５以上に加熱し、第２の再生補
助層における前記遷移温度Ｔｐ５以上の温度領域に、前
記記録層の磁化情報を転写するとともに、第１の再生補
助層における前記遷移温度Ｔｐ３以上の温度領域に、第
１の再生補助層に転写された磁化情報を転写するととも
に、前記再生層における前記遷移温度Ｔｐ１以上の温度
領域に、第２の再生補助層に転写された磁化情報を転写
することを特徴としている。
【００３１】
【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕本発明の一実施
の形態について図１から図５に基づいて説明すれば、以
下のとおりである。
の形態について図１から図５に基づいて説明すれば、以
下のとおりである。
【００３２】まず、図１および図２を用いて、本実施の
形態に係る光磁気記録媒体の再生原理について説明す
る。図１および図２は、上記光磁気記録媒体の再生時の
磁化状態を説明する平面模式図および断面模式図であ
る。
形態に係る光磁気記録媒体の再生原理について説明す
る。図１および図２は、上記光磁気記録媒体の再生時の
磁化状態を説明する平面模式図および断面模式図であ
る。
【００３３】図２に示すように、本実施の形態に係る光
磁気記録媒体は、再生層１と、第１の面内磁化層２と、
第１の再生補助層３と、第２の面内磁化層４と、記録層
７とが順次積層されて構成されている。なお、図２中の
各矢印は、黒い矢印が遷移金属（ＴＭ）の磁気モーメン
トの向きを、白抜き矢印が漏洩磁束の向きをそれぞれ表
している。
磁気記録媒体は、再生層１と、第１の面内磁化層２と、
第１の再生補助層３と、第２の面内磁化層４と、記録層
７とが順次積層されて構成されている。なお、図２中の
各矢印は、黒い矢印が遷移金属（ＴＭ）の磁気モーメン
トの向きを、白抜き矢印が漏洩磁束の向きをそれぞれ表
している。
【００３４】再生層１は、室温において面内磁化状態で
あり遷移温度Ｔｐ１以上で垂直磁化状態となる希土類遷
移金属合金からなる。第１の面内磁化層２は、膜面に水
平な方向に磁化を有し、希土類遷移金属、または、希土
類金属、または、遷移金属、または、遷移金属を主成分
とする磁性膜からなる。第１の再生補助層３は、室温に
おいて面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ３以上で垂直磁
化状態となる希土類遷移金属合金からなる。第２の面内
磁化層４は、膜面に水平な方向に磁化を有し、希土類遷
移金属、または、希土類金属、または、遷移金属、また
は、遷移金属を主成分とする磁性膜からなる。記録層７
は垂直磁化膜である希土類遷移金属合金からなる。
あり遷移温度Ｔｐ１以上で垂直磁化状態となる希土類遷
移金属合金からなる。第１の面内磁化層２は、膜面に水
平な方向に磁化を有し、希土類遷移金属、または、希土
類金属、または、遷移金属、または、遷移金属を主成分
とする磁性膜からなる。第１の再生補助層３は、室温に
おいて面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ３以上で垂直磁
化状態となる希土類遷移金属合金からなる。第２の面内
磁化層４は、膜面に水平な方向に磁化を有し、希土類遷
移金属、または、希土類金属、または、遷移金属、また
は、遷移金属を主成分とする磁性膜からなる。記録層７
は垂直磁化膜である希土類遷移金属合金からなる。
【００３５】再生層１及び第１の再生補助層３は、室温
において面内磁化状態であり温度上昇とともに垂直磁化
状態となる磁気特性を実現するため、少なくとも室温に
おいては、希土類（ＲＥ）モーメントの大きさと遷移
（ＴＭ）モーメントの大きさとが釣り合う補償組成より
もＲＥモーメントを多く含むＲＥｒｉｃｈ組成である。
また、再生層１及び第１の再生補助層３は、それぞれが
垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ１，Ｔｐ３近傍におい
ては、トータル磁化を大きくして漏洩磁界との静磁結合
力を強くするため、ＲＥｒｉｃｈ組成であることが望ま
しい。この場合、再生層１及び第１の再生補助層３にお
いて、ＴＭモーメントの向き（図中黒い矢印）とトータ
ル磁化の向き（図中白抜き矢印）とは反平行となる。
において面内磁化状態であり温度上昇とともに垂直磁化
状態となる磁気特性を実現するため、少なくとも室温に
おいては、希土類（ＲＥ）モーメントの大きさと遷移
（ＴＭ）モーメントの大きさとが釣り合う補償組成より
もＲＥモーメントを多く含むＲＥｒｉｃｈ組成である。
また、再生層１及び第１の再生補助層３は、それぞれが
垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ１，Ｔｐ３近傍におい
ては、トータル磁化を大きくして漏洩磁界との静磁結合
力を強くするため、ＲＥｒｉｃｈ組成であることが望ま
しい。この場合、再生層１及び第１の再生補助層３にお
いて、ＴＭモーメントの向き（図中黒い矢印）とトータ
ル磁化の向き（図中白抜き矢印）とは反平行となる。
【００３６】一方、記録層７は、温度上昇した領域にお
いて、大きな漏洩磁束が発生するように組成調整されて
いることが望ましい。したがって、記録層７には室温近
傍において補償温度を示し、室温以上の温度において、
希土類（ＲＥ）モーメントの大きさと遷移（ＴＭ）モー
メントの大きさとが釣り合う補償組成よりもＴＭモーメ
ントを多く含むＴＭｒｉｃｈ組成の垂直磁化膜を用いる
ことが望ましい。この場合、記録層７のＴＭモーメント
の向きとトータル磁化の向きとは平行となる。なお、記
録層７と第１の再生補助層３とが静磁結合する場合、両
層のトータル磁化が平行となるべく転写されるため、記
録層７のＴＭモーメントの向きと第１の再生補助層３の
ＴＭモーメントの向きとは反平行となる。
いて、大きな漏洩磁束が発生するように組成調整されて
いることが望ましい。したがって、記録層７には室温近
傍において補償温度を示し、室温以上の温度において、
希土類（ＲＥ）モーメントの大きさと遷移（ＴＭ）モー
メントの大きさとが釣り合う補償組成よりもＴＭモーメ
ントを多く含むＴＭｒｉｃｈ組成の垂直磁化膜を用いる
ことが望ましい。この場合、記録層７のＴＭモーメント
の向きとトータル磁化の向きとは平行となる。なお、記
録層７と第１の再生補助層３とが静磁結合する場合、両
層のトータル磁化が平行となるべく転写されるため、記
録層７のＴＭモーメントの向きと第１の再生補助層３の
ＴＭモーメントの向きとは反平行となる。
【００３７】再生層１の遷移温度Ｔｐ１は第１の再生補
助層３の遷移温度Ｔｐ３よりも低く設定されている。こ
れにより、再生層１に形成される垂直磁化状態の磁区の
大きさを、第１の再生補助層３に形成される垂直磁化状
態の磁区の大きさよりも大きくすることができ、磁区拡
大再生を円滑に行える。
助層３の遷移温度Ｔｐ３よりも低く設定されている。こ
れにより、再生層１に形成される垂直磁化状態の磁区の
大きさを、第１の再生補助層３に形成される垂直磁化状
態の磁区の大きさよりも大きくすることができ、磁区拡
大再生を円滑に行える。
【００３８】第１の面内磁化層２は、再生層１が垂直磁
化状態へと遷移する温度Ｔｐ１近傍にキュリー温度Ｔｃ
２を有し（再生マージンを大きく確保するためにはＴｃ
２はＴｐ１以下であることが望ましい）、その温度にお
いて磁化が消失するよう設定されている。これにより、
第１の面内磁化層２は、Ｔｐ１より低い温度領域では交
換結合により、再生層１の磁化状態を面内方向に向け面
内磁化マスクを強化することができ、且つ、Ｔｐ１以上
の温度では記録層７及び第１の再生補助層３からの漏洩
磁界を通すことができる。
化状態へと遷移する温度Ｔｐ１近傍にキュリー温度Ｔｃ
２を有し（再生マージンを大きく確保するためにはＴｃ
２はＴｐ１以下であることが望ましい）、その温度にお
いて磁化が消失するよう設定されている。これにより、
第１の面内磁化層２は、Ｔｐ１より低い温度領域では交
換結合により、再生層１の磁化状態を面内方向に向け面
内磁化マスクを強化することができ、且つ、Ｔｐ１以上
の温度では記録層７及び第１の再生補助層３からの漏洩
磁界を通すことができる。
【００３９】第２の面内磁化層４は、第１の再生補助層
３が垂直磁化状態へと遷移する温度Ｔｐ３近傍にキュリ
ー温度Ｔｃ４を有し（再生マージンを大きく確保するた
めにはＴｃ４はＴｐ３以下であることが望ましい）、そ
の温度において磁化が消失するよう設定されている。こ
れにより、第２の面内磁化層４は、Ｔｐ３より低い温度
領域では交換結合により、再生層１の磁化状態を面内方
向に向け面内磁化マスクを強化することができ、且つ、
Ｔｐ３以上の温度では記録層７からの漏洩磁界を通すこ
とができる。
３が垂直磁化状態へと遷移する温度Ｔｐ３近傍にキュリ
ー温度Ｔｃ４を有し（再生マージンを大きく確保するた
めにはＴｃ４はＴｐ３以下であることが望ましい）、そ
の温度において磁化が消失するよう設定されている。こ
れにより、第２の面内磁化層４は、Ｔｐ３より低い温度
領域では交換結合により、再生層１の磁化状態を面内方
向に向け面内磁化マスクを強化することができ、且つ、
Ｔｐ３以上の温度では記録層７からの漏洩磁界を通すこ
とができる。
【００４０】以上の構成において、再生時に、再生する
対象である記録層７の記録磁区９を中心に再生層１側か
ら光ビーム８（図１中では、光ビームスポット８’）が
集光照射されると、光ビーム８の集中照射によって光磁
気記録媒体に形成される温度分布に応じて、記録層７の
記録磁区９から発生する漏洩磁束と第１の再生補助層３
のトータル磁化とが静磁結合することにより、記録層７
の記録磁区９の磁化情報が第１の再生補助層３の垂直磁
化状態となった領域へと転写され、磁区１１が形成され
る。さらに、第１の再生補助層３に転写された磁区１１
が静磁結合力により再生層１へと拡大転写され、再生層
１に磁区１２が形成される。結局、磁区１２を再生する
ことにより、記録層７の記録磁区９の記録された情報の
再生が行われる。
対象である記録層７の記録磁区９を中心に再生層１側か
ら光ビーム８（図１中では、光ビームスポット８’）が
集光照射されると、光ビーム８の集中照射によって光磁
気記録媒体に形成される温度分布に応じて、記録層７の
記録磁区９から発生する漏洩磁束と第１の再生補助層３
のトータル磁化とが静磁結合することにより、記録層７
の記録磁区９の磁化情報が第１の再生補助層３の垂直磁
化状態となった領域へと転写され、磁区１１が形成され
る。さらに、第１の再生補助層３に転写された磁区１１
が静磁結合力により再生層１へと拡大転写され、再生層
１に磁区１２が形成される。結局、磁区１２を再生する
ことにより、記録層７の記録磁区９の記録された情報の
再生が行われる。
【００４１】以上説明した本実施の形態の光磁気記録媒
体では、再生層１が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ１
以下の温度において、再生層１、第１の面内磁化層２、
第１の再生補助層３および第２の面内磁化層４が強く交
換結合することにより、再生層１の遷移温度Ｔｐ１以下
の領域の面内磁化状態が安定化する。これにより、遷移
温度Ｔｐ１以上に加熱された領域で、再生層１が面内磁
化状態から垂直磁化状態へと急峻に変化し、再生分解能
が向上するとともに安定した磁区の拡大転写が行われ
る。さらに、第１の面内磁化層２によって再生層１と第
１の再生補助層３との間の交換結合が遮断され、遷移温
度Ｔｐ１の上昇、および、遷移温度Ｔｐ３の低下を防ぐ
ことが可能となる。
体では、再生層１が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ１
以下の温度において、再生層１、第１の面内磁化層２、
第１の再生補助層３および第２の面内磁化層４が強く交
換結合することにより、再生層１の遷移温度Ｔｐ１以下
の領域の面内磁化状態が安定化する。これにより、遷移
温度Ｔｐ１以上に加熱された領域で、再生層１が面内磁
化状態から垂直磁化状態へと急峻に変化し、再生分解能
が向上するとともに安定した磁区の拡大転写が行われ
る。さらに、第１の面内磁化層２によって再生層１と第
１の再生補助層３との間の交換結合が遮断され、遷移温
度Ｔｐ１の上昇、および、遷移温度Ｔｐ３の低下を防ぐ
ことが可能となる。
【００４２】また、第１の再生補助層３が垂直磁化状態
となる遷移温度Ｔｐ３以下の温度において、第１の再生
補助層３および第２の面内磁化層４が強く交換結合する
ことにより、第１の再生補助層３の遷移温度Ｔｐ３以下
の領域での面内磁化状態が安定化する。これにより、遷
移温度Ｔｐ３以上に加熱された領域で、第１の再生補助
層３が面内磁化状態から垂直磁化状態へと急峻に変化
し、第１の再生補助層３における再生分解能が向上する
とともに安定した磁区の拡大転写が行われる。
となる遷移温度Ｔｐ３以下の温度において、第１の再生
補助層３および第２の面内磁化層４が強く交換結合する
ことにより、第１の再生補助層３の遷移温度Ｔｐ３以下
の領域での面内磁化状態が安定化する。これにより、遷
移温度Ｔｐ３以上に加熱された領域で、第１の再生補助
層３が面内磁化状態から垂直磁化状態へと急峻に変化
し、第１の再生補助層３における再生分解能が向上する
とともに安定した磁区の拡大転写が行われる。
【００４３】このように、高い再生分解能でもって第１
の再生補助層３へと転写された磁区が、再生層１へと拡
大転写されることにより、高い再生分解能と良好な再生
信号品質を得ることが可能となる。
の再生補助層３へと転写された磁区が、再生層１へと拡
大転写されることにより、高い再生分解能と良好な再生
信号品質を得ることが可能となる。
【００４４】また、本実施の形態の光磁気記録媒体にお
いては、第２の面内磁化層４により記録層７の再生しよ
うとする記録磁区９以外の領域から発生する漏洩磁束を
抑制することができ、その漏洩磁界により第１の再生補
助層３に形成された磁区が再生層１に拡大転写されてで
きた磁区１２のみが光ビーム８により再生されることに
なる。すなわち、記録層７に存在する記録磁区９及び記
録磁区９以外の記録磁区１０の磁化情報は、光ビーム８
により直接再生されることはない。これにより、記録磁
区９に隣接する記録磁区１０の影響を受けずに、記録磁
区９だけを再生することができる。
いては、第２の面内磁化層４により記録層７の再生しよ
うとする記録磁区９以外の領域から発生する漏洩磁束を
抑制することができ、その漏洩磁界により第１の再生補
助層３に形成された磁区が再生層１に拡大転写されてで
きた磁区１２のみが光ビーム８により再生されることに
なる。すなわち、記録層７に存在する記録磁区９及び記
録磁区９以外の記録磁区１０の磁化情報は、光ビーム８
により直接再生されることはない。これにより、記録磁
区９に隣接する記録磁区１０の影響を受けずに、記録磁
区９だけを再生することができる。
【００４５】また、以上示した実施の形態において、よ
り確実に第１の再生補助層３への静磁結合による転写、
および再生層１への静磁結合による拡大転写を実現する
ためには、遷移温度Ｔｐ１近傍で記録層７から発生する
漏洩磁束を遷移温度Ｔｐ３近傍で記録層７から発生する
漏洩磁束より弱く設定するとともに、再生層１のキュリ
ー温度Ｔｃ１を第１の再生補助層３のキュリー温度Ｔｃ
３より低く設定する。これにより、再生層１のトータル
磁化を第１の再生補助層３のトータル磁化よりも小さく
し、遷移温度Ｔｐ１近傍での記録層７と再生層１との静
磁結合力を、温度Ｔｐ３近傍での記録層７と第１の再生
補助層３との静磁結合力よりも弱くすることができる。
り確実に第１の再生補助層３への静磁結合による転写、
および再生層１への静磁結合による拡大転写を実現する
ためには、遷移温度Ｔｐ１近傍で記録層７から発生する
漏洩磁束を遷移温度Ｔｐ３近傍で記録層７から発生する
漏洩磁束より弱く設定するとともに、再生層１のキュリ
ー温度Ｔｃ１を第１の再生補助層３のキュリー温度Ｔｃ
３より低く設定する。これにより、再生層１のトータル
磁化を第１の再生補助層３のトータル磁化よりも小さく
し、遷移温度Ｔｐ１近傍での記録層７と再生層１との静
磁結合力を、温度Ｔｐ３近傍での記録層７と第１の再生
補助層３との静磁結合力よりも弱くすることができる。
【００４６】これらの方法により、記録層７から第１の
再生補助層３への静磁結合による転写、および、第１の
再生補助層３から再生層１への拡大転写を安定に行うこ
とが可能となる。
再生補助層３への静磁結合による転写、および、第１の
再生補助層３から再生層１への拡大転写を安定に行うこ
とが可能となる。
【００４７】次に、本実施の形態の光磁気記録媒体を適
用した光磁気ディスクについて具体的に説明する。
用した光磁気ディスクについて具体的に説明する。
【００４８】図３に示すように、上記光磁気ディスク
は、基板１３上に、透明誘電体保護層１４、再生層１、
第１の面内磁化層２、第１の再生補助層３、第２の面内
磁化層４、記録層７、保護層１５が順次積層されて構成
されている。
は、基板１３上に、透明誘電体保護層１４、再生層１、
第１の面内磁化層２、第１の再生補助層３、第２の面内
磁化層４、記録層７、保護層１５が順次積層されて構成
されている。
【００４９】上記光磁気ディスクでは、その記録方式と
してキュリー温度記録方式が用いられる。すなわち、光
源である半導体レーザより出射した光ビーム８を、基板
１３及び透明誘電体保護層１４を通して再生層１へ絞り
こみ、記録層７をキュリー温度Ｔｃ７以上に昇温する。
そして、これと同時に記録信号に合わせて変調した外部
磁界を印加して、記録層７の磁化状態を制御することに
よって、上記光磁気記録媒体の記録を行う。
してキュリー温度記録方式が用いられる。すなわち、光
源である半導体レーザより出射した光ビーム８を、基板
１３及び透明誘電体保護層１４を通して再生層１へ絞り
こみ、記録層７をキュリー温度Ｔｃ７以上に昇温する。
そして、これと同時に記録信号に合わせて変調した外部
磁界を印加して、記録層７の磁化状態を制御することに
よって、上記光磁気記録媒体の記録を行う。
【００５０】また、上記光磁気記録媒体の再生は、記録
時よりも弱いパワーに設定された光ビーム８を集中照射
することにより、極カー効果として知られる光磁気効果
によって行う。なお、上記の極カー効果とは、光入射表
面に垂直な磁化の向きにより、反射光の偏光面の回転の
向きが逆方向になる現象である。
時よりも弱いパワーに設定された光ビーム８を集中照射
することにより、極カー効果として知られる光磁気効果
によって行う。なお、上記の極カー効果とは、光入射表
面に垂直な磁化の向きにより、反射光の偏光面の回転の
向きが逆方向になる現象である。
【００５１】基板１３は、例えばポリカーボネート等の
透明な基材からなり、ディスク状に形成され、膜形成表
面には光ビーム８を導く案内溝等が形成されている。な
お、本実施の形態では、上記案内溝はランド部分のみま
たは案内溝部分のみに記録を行なうための案内溝であっ
ても良く、また、ランド部分及び案内溝部分の両方に記
録を行なうための案内溝であっても良い。
透明な基材からなり、ディスク状に形成され、膜形成表
面には光ビーム８を導く案内溝等が形成されている。な
お、本実施の形態では、上記案内溝はランド部分のみま
たは案内溝部分のみに記録を行なうための案内溝であっ
ても良く、また、ランド部分及び案内溝部分の両方に記
録を行なうための案内溝であっても良い。
【００５２】透明誘電体保護層１４は、ＡｌＮ，Ｓｉ
Ｎ，ＡｌＳｉＮ，Ｔａ2Ｏ3等の透明誘電体を用いること
が望ましい。また、透明誘電体保護層１４の膜厚は、入
射する光ビーム８に対して、良好な干渉効果を実現し
て、媒体の極カー回転角を増大するように設定される。
すなわち、透明誘電体保護層１４は、光ビーム８の波長
λと、透明誘電体保護層１４の屈折率ｎとに基づいて、
膜厚が（λ／（４ｎ））程度に設定される。例えば、光
ビーム８の波長が６８０ｎｍである場合、透明誘電体保
護層１４の屈折率ｎが１．７〜２．５程度であるため、
膜厚は７０ｎｍ〜１００ｎｍ程度に設定すればよい。
Ｎ，ＡｌＳｉＮ，Ｔａ2Ｏ3等の透明誘電体を用いること
が望ましい。また、透明誘電体保護層１４の膜厚は、入
射する光ビーム８に対して、良好な干渉効果を実現し
て、媒体の極カー回転角を増大するように設定される。
すなわち、透明誘電体保護層１４は、光ビーム８の波長
λと、透明誘電体保護層１４の屈折率ｎとに基づいて、
膜厚が（λ／（４ｎ））程度に設定される。例えば、光
ビーム８の波長が６８０ｎｍである場合、透明誘電体保
護層１４の屈折率ｎが１．７〜２．５程度であるため、
膜厚は７０ｎｍ〜１００ｎｍ程度に設定すればよい。
【００５３】上記再生層１は、室温において面内磁化状
態であり、室温より高いある遷移温度Ｔｐ１で垂直磁化
状態となり、キュリー温度Ｔｃ１まで垂直磁化状態であ
る希土類遷移金属合金からなる磁性膜である。
態であり、室温より高いある遷移温度Ｔｐ１で垂直磁化
状態となり、キュリー温度Ｔｃ１まで垂直磁化状態であ
る希土類遷移金属合金からなる磁性膜である。
【００５４】上記第１の面内磁化層２は、希土類遷移金
属、または、希土類金属、または、遷移金属、または、
遷移金属を主成分とする磁性膜からなり、そのキュリー
温度Ｔｃ２が再生層１が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔ
ｐ１近傍（望ましくはＴｃ２≦Ｔｐ１）に設定された面
内磁化膜である。
属、または、希土類金属、または、遷移金属、または、
遷移金属を主成分とする磁性膜からなり、そのキュリー
温度Ｔｃ２が再生層１が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔ
ｐ１近傍（望ましくはＴｃ２≦Ｔｐ１）に設定された面
内磁化膜である。
【００５５】上記第１の再生補助層３は、室温において
面内磁化状態であり、室温より高いある遷移温度Ｔｐ３
で垂直磁化状態となり、キュリー温度Ｔｃ３まで垂直磁
化状態である希土類遷移金属合金からなる磁性膜であ
る。
面内磁化状態であり、室温より高いある遷移温度Ｔｐ３
で垂直磁化状態となり、キュリー温度Ｔｃ３まで垂直磁
化状態である希土類遷移金属合金からなる磁性膜であ
る。
【００５６】上記第２の面内磁化層４は、希土類遷移金
属、または、希土類金属、または、遷移金属、または、
遷移金属を主成分とする磁性膜からなり、そのキュリー
温度Ｔｃ４が第１の再生補助層３が垂直磁化状態となる
遷移温度Ｔｐ３近傍（望ましくはＴｃ４≦Ｔｐ３）に設
定された面内磁化膜である。
属、または、希土類金属、または、遷移金属、または、
遷移金属を主成分とする磁性膜からなり、そのキュリー
温度Ｔｃ４が第１の再生補助層３が垂直磁化状態となる
遷移温度Ｔｐ３近傍（望ましくはＴｃ４≦Ｔｐ３）に設
定された面内磁化膜である。
【００５７】本実施の形態では、第２の面内磁化層４に
より、記録層７の記録磁区９以外の領域から発生する漏
洩磁束を抑制して、記録層７の記録磁区９の磁化情報の
みを静磁結合により第１の再生補助層３の磁区１１へと
転写する。
より、記録層７の記録磁区９以外の領域から発生する漏
洩磁束を抑制して、記録層７の記録磁区９の磁化情報の
みを静磁結合により第１の再生補助層３の磁区１１へと
転写する。
【００５８】加えて、より確実に転写を行うため、必要
に応じて再生層１のキュリー温度Ｔｃ１を第１の再生補
助層３のキュリー温度Ｔｃ３よりも低く設定して、再生
層１のトータル磁化を第１の再生補助層３のトータル磁
化よりも小さくする。これによって、再生層１と記録層
７との静磁結合よりも第１の再生補助層３と記録層７と
の静磁結合が強くなるため、記録層７の記録磁区９の磁
化情報を静磁結合により第１の再生補助層３の磁区１１
へと転写することができる。
に応じて再生層１のキュリー温度Ｔｃ１を第１の再生補
助層３のキュリー温度Ｔｃ３よりも低く設定して、再生
層１のトータル磁化を第１の再生補助層３のトータル磁
化よりも小さくする。これによって、再生層１と記録層
７との静磁結合よりも第１の再生補助層３と記録層７と
の静磁結合が強くなるため、記録層７の記録磁区９の磁
化情報を静磁結合により第１の再生補助層３の磁区１１
へと転写することができる。
【００５９】また、上記再生層１が垂直磁化状態となる
遷移温度Ｔｐ１は、第１の再生補助層３が垂直磁化状態
となる遷移温度Ｔｐ３よりも低く設定される。これによ
って、第１の再生補助層３の磁区１１から再生層１の磁
区１２への磁区の拡大転写を実現することができる。
遷移温度Ｔｐ１は、第１の再生補助層３が垂直磁化状態
となる遷移温度Ｔｐ３よりも低く設定される。これによ
って、第１の再生補助層３の磁区１１から再生層１の磁
区１２への磁区の拡大転写を実現することができる。
【００６０】上記再生層１のキュリー温度Ｔｃ１は１６
０℃以上３００℃以下であることが望ましい。Ｔｃ１＜
１６０℃とした場合、再生層１のキュリー温度Ｔｃ１の
低下にともなうカー回転角の低下が顕著となるため、再
生信号強度が低下し、良好な再生特性が得られなくな
る。また、Ｔｃ１＞３００℃とした場合、再生層１のキ
ュリー温度Ｔｃ１が上昇することにより、再生層１の遷
移温度Ｔｐ１近傍での再生層１の磁化が大きくなるた
め、遷移温度Ｔｐ１近傍での再生層１と記録層７との結
合が強くなる。これによって、第１の再生補助層３から
再生層１への磁区の拡大転写が阻害されるため、再生ノ
イズが上昇し、再生信号品質が劣化する。
０℃以上３００℃以下であることが望ましい。Ｔｃ１＜
１６０℃とした場合、再生層１のキュリー温度Ｔｃ１の
低下にともなうカー回転角の低下が顕著となるため、再
生信号強度が低下し、良好な再生特性が得られなくな
る。また、Ｔｃ１＞３００℃とした場合、再生層１のキ
ュリー温度Ｔｃ１が上昇することにより、再生層１の遷
移温度Ｔｐ１近傍での再生層１の磁化が大きくなるた
め、遷移温度Ｔｐ１近傍での再生層１と記録層７との結
合が強くなる。これによって、第１の再生補助層３から
再生層１への磁区の拡大転写が阻害されるため、再生ノ
イズが上昇し、再生信号品質が劣化する。
【００６１】また、上記再生層１が垂直磁化状態となる
温度Ｔｐ１は、６０℃以上１８０℃以下であることが望
ましい。Ｔｐ１＜６０℃とした場合、室温における面内
磁化状態を安定に維持することが困難となるとともに、
より広い範囲において再生層１が垂直磁化状態となる。
これによって、光ピックアップからの漏れ磁界等の外乱
の影響を受け易くなり、安定した磁区拡大再生ができな
くなる。Ｔｐ１＞１８０℃とした場合、再生層１が垂直
磁化状態となる範囲が狭くなることにより、磁区拡大の
効果が得られなくなり、再生信号強度の低下による再生
信号品質の劣化が顕著となる。
温度Ｔｐ１は、６０℃以上１８０℃以下であることが望
ましい。Ｔｐ１＜６０℃とした場合、室温における面内
磁化状態を安定に維持することが困難となるとともに、
より広い範囲において再生層１が垂直磁化状態となる。
これによって、光ピックアップからの漏れ磁界等の外乱
の影響を受け易くなり、安定した磁区拡大再生ができな
くなる。Ｔｐ１＞１８０℃とした場合、再生層１が垂直
磁化状態となる範囲が狭くなることにより、磁区拡大の
効果が得られなくなり、再生信号強度の低下による再生
信号品質の劣化が顕著となる。
【００６２】第１の再生補助層３のキュリー温度Ｔｃ３
は２３０℃以上であることが望ましい。Ｔｃ３＜２３０
℃とした場合、第１の再生補助層３のキュリー温度Ｔｃ
３の低下にともない、第１の再生補助層３の遷移温度Ｔ
ｐ３近傍での第１の再生補助層３のトータル磁化が小さ
くなる。これによって、遷移温度Ｔｐ３近傍における記
録層７と第１の再生補助層３および第１の再生補助層３
と再生層１との静磁結合が弱くなるため、記録層７から
第１の再生補助層３への磁区の転写が安定して実現しな
くなる。なおキュリー温度Ｔｃ３が高いほど温度Ｔｐ３
近傍での第１の再生補助層３のトータル磁化が大きくな
るため、記録層７と第１の再生補助層３および第１の再
生補助層３と再生層１とのより強い静磁結合が実現でき
ることになるが、キュリー温度Ｔｃ３の上限は使用する
材料によって限定される。
は２３０℃以上であることが望ましい。Ｔｃ３＜２３０
℃とした場合、第１の再生補助層３のキュリー温度Ｔｃ
３の低下にともない、第１の再生補助層３の遷移温度Ｔ
ｐ３近傍での第１の再生補助層３のトータル磁化が小さ
くなる。これによって、遷移温度Ｔｐ３近傍における記
録層７と第１の再生補助層３および第１の再生補助層３
と再生層１との静磁結合が弱くなるため、記録層７から
第１の再生補助層３への磁区の転写が安定して実現しな
くなる。なおキュリー温度Ｔｃ３が高いほど温度Ｔｐ３
近傍での第１の再生補助層３のトータル磁化が大きくな
るため、記録層７と第１の再生補助層３および第１の再
生補助層３と再生層１とのより強い静磁結合が実現でき
ることになるが、キュリー温度Ｔｃ３の上限は使用する
材料によって限定される。
【００６３】また、第１の再生補助層３が垂直磁化状態
となる遷移温度Ｔｐ３は、少なくとも遷移温度Ｔｐ１よ
りも高い温度であり、かつ、記録層７のキュリー温度Ｔ
ｃ７よりも低い温度に設定される。具体的には、第１の
再生補助層３の遷移温度Ｔｐ３は１００℃以上２３０℃
以下であることが望ましい。Ｔｐ３＜１００℃とした場
合、低い温度で第１の再生補助層３が垂直磁化状態とな
るため、再生分解能が劣化して、短いマーク長における
再生信号品質が劣化する。また、Ｔｐ３＞２３０℃とし
た場合、第１の再生補助層３が垂直磁化状態となる遷移
温度Ｔｐ３と記録層７のキュリー温度Ｔｃ７とが近づく
ことにより、わずかな再生パワーの変動によっても記録
層７がキュリー温度Ｔｃ７以上に温度上昇するため、記
録された情報が消去されることになり、実用可能な再生
パワーマージンが得られない。
となる遷移温度Ｔｐ３は、少なくとも遷移温度Ｔｐ１よ
りも高い温度であり、かつ、記録層７のキュリー温度Ｔ
ｃ７よりも低い温度に設定される。具体的には、第１の
再生補助層３の遷移温度Ｔｐ３は１００℃以上２３０℃
以下であることが望ましい。Ｔｐ３＜１００℃とした場
合、低い温度で第１の再生補助層３が垂直磁化状態とな
るため、再生分解能が劣化して、短いマーク長における
再生信号品質が劣化する。また、Ｔｐ３＞２３０℃とし
た場合、第１の再生補助層３が垂直磁化状態となる遷移
温度Ｔｐ３と記録層７のキュリー温度Ｔｃ７とが近づく
ことにより、わずかな再生パワーの変動によっても記録
層７がキュリー温度Ｔｃ７以上に温度上昇するため、記
録された情報が消去されることになり、実用可能な再生
パワーマージンが得られない。
【００６４】また、上記再生層１の膜厚は、２０ｎｍ以
上６０ｎｍ以下の範囲に設定されていることが望まし
い。再生層１の膜厚が２０ｎｍより薄い場合、光ビーム
が再生層１を透過して第１の面内磁化層２において反射
されることにより、実際に再生層１から反射される光量
が少なくなるため、再生信号強度が低下して、再生信号
品質が劣化する。また、再生層１の膜厚が６０ｎｍより
厚い場合、膜厚増加により、記録感度の劣化が顕著とな
る。
上６０ｎｍ以下の範囲に設定されていることが望まし
い。再生層１の膜厚が２０ｎｍより薄い場合、光ビーム
が再生層１を透過して第１の面内磁化層２において反射
されることにより、実際に再生層１から反射される光量
が少なくなるため、再生信号強度が低下して、再生信号
品質が劣化する。また、再生層１の膜厚が６０ｎｍより
厚い場合、膜厚増加により、記録感度の劣化が顕著とな
る。
【００６５】また、上記第１の面内磁化層２の膜厚は、
２ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが望ましい。第１の
面内磁化層２の膜厚が２ｎｍより小さくなると、十分な
面内磁化マスク効果が得られず、再生分解能が低下して
しまうことになる。また、第１の面内磁化層２の膜厚が
４０ｎｍより大きくなると、再生層１と第１の再生補助
層３との間隔が大きくなることにより、再生層１と第１
の再生補助層３との間の静磁結合力が弱くなり、第１の
再生補助層３から再生層１への安定した磁区の拡大転写
が困難となる。
２ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが望ましい。第１の
面内磁化層２の膜厚が２ｎｍより小さくなると、十分な
面内磁化マスク効果が得られず、再生分解能が低下して
しまうことになる。また、第１の面内磁化層２の膜厚が
４０ｎｍより大きくなると、再生層１と第１の再生補助
層３との間隔が大きくなることにより、再生層１と第１
の再生補助層３との間の静磁結合力が弱くなり、第１の
再生補助層３から再生層１への安定した磁区の拡大転写
が困難となる。
【００６６】また、上記第１の再生補助層３の膜厚は、
２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲に設定されていること
が望ましい。第１の再生補助層３の膜厚が２０ｎｍより
薄い場合、記録層７から発生する漏洩磁束との静磁結合
が弱くなるため、記録層７から第１の再生補助層３への
磁区の転写が安定して実現しない。また、第１の再生補
助層３の膜厚が６０ｎｍより厚い場合、膜厚増加によっ
て、記録感度の劣化が顕著となる。
２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲に設定されていること
が望ましい。第１の再生補助層３の膜厚が２０ｎｍより
薄い場合、記録層７から発生する漏洩磁束との静磁結合
が弱くなるため、記録層７から第１の再生補助層３への
磁区の転写が安定して実現しない。また、第１の再生補
助層３の膜厚が６０ｎｍより厚い場合、膜厚増加によっ
て、記録感度の劣化が顕著となる。
【００６７】また、上記第２の面内磁化層４の膜厚は、
２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが望ましい。第２
の面内磁化層４の膜厚が２０ｎｍより小さくなると、記
録層７から働く交換結合により、第２の面内磁化層４の
面内磁化状態を安定して維持することが困難となり、再
生分解能が低下してしまう。また、第２の面内磁化層４
の膜厚が４０ｎｍより大きくなると、第１の再生補助層
３と記録層７との間隔が大きくなることにより、第１の
再生補助層３と記録層７との間の静磁結合力が弱くな
り、記録層７から第１の再生補助層３への安定した磁区
の転写が困難となる。
２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが望ましい。第２
の面内磁化層４の膜厚が２０ｎｍより小さくなると、記
録層７から働く交換結合により、第２の面内磁化層４の
面内磁化状態を安定して維持することが困難となり、再
生分解能が低下してしまう。また、第２の面内磁化層４
の膜厚が４０ｎｍより大きくなると、第１の再生補助層
３と記録層７との間隔が大きくなることにより、第１の
再生補助層３と記録層７との間の静磁結合力が弱くな
り、記録層７から第１の再生補助層３への安定した磁区
の転写が困難となる。
【００６８】上述したような磁気特性を満足する再生層
１および第１の再生補助層３としては、ＧｄＦｅ、Ｇｄ
ＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、Ｇｄ
ＮｄＦｅＣｏの材料からなる希土類遷移金属合金薄膜を
採用することが可能である。また、材料の耐湿性・耐酸
化性を改善するため、これらの材料にＴａ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ａｌ、Ｓｉ等の金属元素を添加してもよい。
１および第１の再生補助層３としては、ＧｄＦｅ、Ｇｄ
ＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、Ｇｄ
ＮｄＦｅＣｏの材料からなる希土類遷移金属合金薄膜を
採用することが可能である。また、材料の耐湿性・耐酸
化性を改善するため、これらの材料にＴａ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ａｌ、Ｓｉ等の金属元素を添加してもよい。
【００６９】第１の面内磁化層２および第２の面内磁化
層４としてはＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ、
ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＮｄＦｅ、ＧｄＮｄＦｅＣｏ、
ＮｄＦｅ、ＮｄＦｅＣｏ等の材料からなる面内磁化膜を
用いることが可能である。また、キュリー温度を調整す
るため、これらの材料にＴａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ
等の金属元素を添加してもよい。
層４としてはＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ、
ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＮｄＦｅ、ＧｄＮｄＦｅＣｏ、
ＮｄＦｅ、ＮｄＦｅＣｏ等の材料からなる面内磁化膜を
用いることが可能である。また、キュリー温度を調整す
るため、これらの材料にＴａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ
等の金属元素を添加してもよい。
【００７０】記録層７は、希土類遷移金属合金からなる
垂直磁化膜であり、その補償温度Ｔｃｏｍｐ７が−７０
℃以上６０℃以下に設定されることが望ましい。Ｔｃｏ
ｍｐ７＜−７０℃とした場合、再生層１の遷移温度Ｔｐ
１近傍の温度において記録層７が比較的大きな磁化を持
つため、遷移温度Ｔｐ１近傍における記録層７と再生層
１との静磁結合が強くなる。これにより、再生層１にお
ける安定した磁区の転写拡大が阻害されるため、再生信
号品質が劣化する。また、Ｔｃｏｍｐ７＞６０℃とした
場合、第１の再生補助層３の遷移温度Ｔｐ３近傍におけ
る記録層７の磁化が小さくなるため、遷移温度Ｔｐ３近
傍における記録層７と第１の再生補助層３との静磁結合
が弱くなる。これにより、記録層７から第１の再生補助
層３への磁区の転写が不安定となるため、再生信号品質
が劣化する。
垂直磁化膜であり、その補償温度Ｔｃｏｍｐ７が−７０
℃以上６０℃以下に設定されることが望ましい。Ｔｃｏ
ｍｐ７＜−７０℃とした場合、再生層１の遷移温度Ｔｐ
１近傍の温度において記録層７が比較的大きな磁化を持
つため、遷移温度Ｔｐ１近傍における記録層７と再生層
１との静磁結合が強くなる。これにより、再生層１にお
ける安定した磁区の転写拡大が阻害されるため、再生信
号品質が劣化する。また、Ｔｃｏｍｐ７＞６０℃とした
場合、第１の再生補助層３の遷移温度Ｔｐ３近傍におけ
る記録層７の磁化が小さくなるため、遷移温度Ｔｐ３近
傍における記録層７と第１の再生補助層３との静磁結合
が弱くなる。これにより、記録層７から第１の再生補助
層３への磁区の転写が不安定となるため、再生信号品質
が劣化する。
【００７１】また、上記記録層７のキュリー温度Ｔｃ７
は、少なくとも第１の再生補助層３が垂直磁化状態とな
る遷移温度Ｔｐ３よりも高く設定されている。具体的に
は、キュリー温度Ｔｃ７は、１８０℃以上３００℃以下
であることが望ましい。
は、少なくとも第１の再生補助層３が垂直磁化状態とな
る遷移温度Ｔｐ３よりも高く設定されている。具体的に
は、キュリー温度Ｔｃ７は、１８０℃以上３００℃以下
であることが望ましい。
【００７２】Ｔｃ７＜１８０℃とした場合、キュリー温
度Ｔｃ７が低くなり過ぎるため、再生時、第１の再生補
助層３を遷移温度Ｔｐ３以上に加熱して記録磁区９を第
１の再生補助層３へと転写する際、わずかな温度上昇に
より記録層７がキュリー温度Ｔｃ７以上に加熱されて、
記録された情報が失われる。すなわち、再生パワーマー
ジンが狭くなる。さらに、記録層７のキュリー温度Ｔｃ
７の低下に伴って、記録層７から発生する漏洩磁束が小
さくなるため、第１の再生補助層３と記録層７との安定
な静磁結合状態を維持することが困難となり、再生信号
品質が劣化する。
度Ｔｃ７が低くなり過ぎるため、再生時、第１の再生補
助層３を遷移温度Ｔｐ３以上に加熱して記録磁区９を第
１の再生補助層３へと転写する際、わずかな温度上昇に
より記録層７がキュリー温度Ｔｃ７以上に加熱されて、
記録された情報が失われる。すなわち、再生パワーマー
ジンが狭くなる。さらに、記録層７のキュリー温度Ｔｃ
７の低下に伴って、記録層７から発生する漏洩磁束が小
さくなるため、第１の再生補助層３と記録層７との安定
な静磁結合状態を維持することが困難となり、再生信号
品質が劣化する。
【００７３】また、Ｔｃ７＞３００℃とした場合、記録
を行なうためには記録層７を３００℃以上に加熱する必
要があり、記録感度の劣化が顕著となるとともに、再生
層１、第１の面内磁化層２、第１の再生補助層３、第２
の面内磁化層４及び記録層７が３００℃以上に加熱され
るため、各磁性層の磁気特性の劣化とともに、記録消去
にともなう再生信号品質の劣化が生じる。
を行なうためには記録層７を３００℃以上に加熱する必
要があり、記録感度の劣化が顕著となるとともに、再生
層１、第１の面内磁化層２、第１の再生補助層３、第２
の面内磁化層４及び記録層７が３００℃以上に加熱され
るため、各磁性層の磁気特性の劣化とともに、記録消去
にともなう再生信号品質の劣化が生じる。
【００７４】上記記録層７の膜厚は、３０ｎｍ以上１２
０ｎｍ以下の範囲に設定されることが望ましい。記録層
７の膜厚が３０ｎｍより薄い場合、記録層７から発生す
る漏洩磁束が小さくなるため、第１の再生補助層３と記
録層７との安定な静磁結合状態を維持することが困難と
なり、再生信号品質が劣化する。また、記録層７の膜厚
が１２０ｎｍより厚い場合、膜厚が増加するため記録感
度の劣化が顕著となる。
０ｎｍ以下の範囲に設定されることが望ましい。記録層
７の膜厚が３０ｎｍより薄い場合、記録層７から発生す
る漏洩磁束が小さくなるため、第１の再生補助層３と記
録層７との安定な静磁結合状態を維持することが困難と
なり、再生信号品質が劣化する。また、記録層７の膜厚
が１２０ｎｍより厚い場合、膜厚が増加するため記録感
度の劣化が顕著となる。
【００７５】上記のような磁気特性を満足する記録層７
としては、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅ、ＤｙＦ
ｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の材料から
なる垂直磁化膜を採用することが可能である。また、材
料の耐湿性・耐酸化性を改善するため、これらの材料に
Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ等の金属元素を添加して
もよい。
としては、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅ、ＤｙＦ
ｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ等の材料から
なる垂直磁化膜を採用することが可能である。また、材
料の耐湿性・耐酸化性を改善するため、これらの材料に
Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ等の金属元素を添加して
もよい。
【００７６】保護層１５は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉ
Ｎ，Ｔａ2Ｏ3等の透明誘電体、または、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔ
ａ，Ｎｉ等の金属からなる非磁性金属合金からなり、再
生層１、第１の面内磁化層２、第１の再生補助層３、第
２の面内磁化層４及び記録層７に用いる希土類遷移金属
合金の酸化を防止する目的で形成される。そして、保護
層１５の膜厚は５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に設定される。
Ｎ，Ｔａ2Ｏ3等の透明誘電体、または、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔ
ａ，Ｎｉ等の金属からなる非磁性金属合金からなり、再
生層１、第１の面内磁化層２、第１の再生補助層３、第
２の面内磁化層４及び記録層７に用いる希土類遷移金属
合金の酸化を防止する目的で形成される。そして、保護
層１５の膜厚は５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に設定される。
【００７７】さらに、上記保護層１５上に、Ａｌ、Ａｌ
Ｔａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、ＡｌＮｉ、ＡｌＣｏ、Ｃｕ
等からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の
熱的特性を改善することが可能となる。加えて、保護層
１５上または上記熱拡散金属層上に、紫外線硬化樹脂
層、熱硬化樹脂層または潤滑層などを形成することもで
きる。
Ｔａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、ＡｌＮｉ、ＡｌＣｏ、Ｃｕ
等からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の
熱的特性を改善することが可能となる。加えて、保護層
１５上または上記熱拡散金属層上に、紫外線硬化樹脂
層、熱硬化樹脂層または潤滑層などを形成することもで
きる。
【００７８】また、低磁界記録を目的として、記録層７
に接して、記録層７の保磁力より小さな保磁力を有し、
記録層７のキュリー温度Ｔｃ７よりも高いキュリー温度
を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記
録補助層を積層して形成してもよい。
に接して、記録層７の保磁力より小さな保磁力を有し、
記録層７のキュリー温度Ｔｃ７よりも高いキュリー温度
を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記
録補助層を積層して形成してもよい。
【００７９】次に、上記構成の光磁気ディスクの形成方
法および記録再生方法の具体例を説明する。
法および記録再生方法の具体例を説明する。
【００８０】（１）光磁気ディスクの形成方法
上記光磁気ディスク（図３）の形成方法は以下のとおり
である。
である。
【００８１】第一に、Ａｌターゲットと、Ｇｄターゲッ
トと、Ｔｂターゲットと、Ｆｅターゲットと、Ｃｏター
ゲットとをそれぞれ備えたスパッタ装置内に、案内溝を
有しディスク状に形成されたポリカーボネート製の基板
１３を配置する。そして、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒素との混合
ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス
圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、上記基板１３上にＡｌ
Ｎからなる透明誘電体保護層１４を膜厚８０ｎｍで形成
する。
トと、Ｔｂターゲットと、Ｆｅターゲットと、Ｃｏター
ゲットとをそれぞれ備えたスパッタ装置内に、案内溝を
有しディスク状に形成されたポリカーボネート製の基板
１３を配置する。そして、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒素との混合
ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス
圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、上記基板１３上にＡｌ
Ｎからなる透明誘電体保護層１４を膜厚８０ｎｍで形成
する。
【００８２】第二に、再度、スパッタ装置内を１×１０
-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し
て、Ｇｄターゲット、ＦｅターゲットおよびＣｏターゲ
ットに電力を供給し、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件
で、上記透明誘電体保護層１４上に、Ｇｄ0.27（Ｆｅ
0.88Ｃｏ0.12）0.73からなる再生層１を膜厚２５ｎｍで
形成する。なお、形成された再生層１は、室温において
面内磁化状態であり、９０℃の温度で垂直磁化状態とな
り、キュリー温度Ｔｃ１が２６０℃であった。
-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し
て、Ｇｄターゲット、ＦｅターゲットおよびＣｏターゲ
ットに電力を供給し、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件
で、上記透明誘電体保護層１４上に、Ｇｄ0.27（Ｆｅ
0.88Ｃｏ0.12）0.73からなる再生層１を膜厚２５ｎｍで
形成する。なお、形成された再生層１は、室温において
面内磁化状態であり、９０℃の温度で垂直磁化状態とな
り、キュリー温度Ｔｃ１が２６０℃であった。
【００８３】第三に、引き続き、Ｇｄターゲットおよび
Ｆｅターゲットに電力を供給し、ガス圧４×１０-3Ｔｏ
ｒｒの条件で、上記再生層１上にＧｄ0.09Ｆｅ0.91から
なる第１の面内磁化層２を膜厚１５ｎｍで形成する。な
お、形成された第１の面内磁化層２は、キュリー温度Ｔ
ｃ２が９０℃であり、室温からキュリー温度Ｔｃ２ま
で、膜面内に磁化を有する面内磁化膜であった。
Ｆｅターゲットに電力を供給し、ガス圧４×１０-3Ｔｏ
ｒｒの条件で、上記再生層１上にＧｄ0.09Ｆｅ0.91から
なる第１の面内磁化層２を膜厚１５ｎｍで形成する。な
お、形成された第１の面内磁化層２は、キュリー温度Ｔ
ｃ２が９０℃であり、室温からキュリー温度Ｔｃ２ま
で、膜面内に磁化を有する面内磁化膜であった。
【００８４】第四に、引き続き、Ｇｄターゲット、Ｆｅ
ターゲットおよびＣｏターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、上記第１の面内磁化
層２上に、Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.69からなる
第１の再生補助層３を膜厚２５ｎｍで形成する。なお、
形成された第１の再生補助層３は、室温において面内磁
化状態であり、１６０℃の温度で垂直磁化状態となり、
キュリー温度Ｔｃ３が３００℃であった。
ターゲットおよびＣｏターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、上記第１の面内磁化
層２上に、Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.69からなる
第１の再生補助層３を膜厚２５ｎｍで形成する。なお、
形成された第１の再生補助層３は、室温において面内磁
化状態であり、１６０℃の温度で垂直磁化状態となり、
キュリー温度Ｔｃ３が３００℃であった。
【００８５】第五に、引き続き、Ｇｄターゲットおよび
Ｆｅターゲットに電力を供給し、ガス圧４×１０-3Ｔｏ
ｒｒの条件で、上記第１の再生補助層３上にＧｄ0.13Ｆ
ｅ0. 87からなる第２の面内磁化層４を膜厚２５ｎｍで形
成する。なお、形成された第２の面内磁化層４は、キュ
リー温度Ｔｃ４が１６０℃であり、室温からキュリー温
度Ｔｃ４まで、膜面内に磁化を有する面内磁化膜であっ
た。
Ｆｅターゲットに電力を供給し、ガス圧４×１０-3Ｔｏ
ｒｒの条件で、上記第１の再生補助層３上にＧｄ0.13Ｆ
ｅ0. 87からなる第２の面内磁化層４を膜厚２５ｎｍで形
成する。なお、形成された第２の面内磁化層４は、キュ
リー温度Ｔｃ４が１６０℃であり、室温からキュリー温
度Ｔｃ４まで、膜面内に磁化を有する面内磁化膜であっ
た。
【００８６】第六に、引き続き、Ｔｂターゲット、Ｆｅ
ターゲットおよびＣｏターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、上記第２の面内磁化
層４上に、Ｔｂ0.25（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.75からなる
記録層７を膜厚６０ｎｍで形成する。なお、形成された
記録層７は、補償温度が２５℃、キュリー温度が２７０
℃であり、室温からそのキュリー温度Ｔｃ７まで、常
に、膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化膜で
あった。
ターゲットおよびＣｏターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、上記第２の面内磁化
層４上に、Ｔｂ0.25（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.75からなる
記録層７を膜厚６０ｎｍで形成する。なお、形成された
記録層７は、補償温度が２５℃、キュリー温度が２７０
℃であり、室温からそのキュリー温度Ｔｃ７まで、常
に、膜面に対して垂直方向に磁化を有する垂直磁化膜で
あった。
【００８７】第七に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、上記記録層７上にＡｌＮからなる
保護層１５を膜厚２０ｎｍで形成する。
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、上記記録層７上にＡｌＮからなる
保護層１５を膜厚２０ｎｍで形成する。
【００８８】ここで、図４を用いて、再生層１、第１の
再生補助層３および記録層７のトータル磁化の温度依存
性について説明する。
再生補助層３および記録層７のトータル磁化の温度依存
性について説明する。
【００８９】再生層１（ｃ１１）は、２５℃において面
内磁化状態であり、温度上昇にともないトータル磁化が
減少し、９０℃で垂直磁化状態となり、２７０℃（キュ
リー温度Ｔｃ１）においてトータル磁化がゼロとなる。
第１の再生補助層３（ｃ１３）は、２５℃において面内
磁化状態であり、温度上昇にともないトータル磁化が減
少し、１６０℃で垂直磁化状態となり、３００℃（キュ
リー温度Ｔｃ３）においてトータル磁化がゼロとなる。
記録層７（ｃ１７）は、２５℃に補償温度があり、２５
℃においてトータル磁化がゼロであり、温度上昇ととも
にトータル磁化が増加し、１６０℃近傍の温度でトータ
ル磁化が最大となり、その後トータル磁化は減少し、２
７０℃（キュリー温度Ｔｃ７）において再度トータル磁
化がゼロとなる。
内磁化状態であり、温度上昇にともないトータル磁化が
減少し、９０℃で垂直磁化状態となり、２７０℃（キュ
リー温度Ｔｃ１）においてトータル磁化がゼロとなる。
第１の再生補助層３（ｃ１３）は、２５℃において面内
磁化状態であり、温度上昇にともないトータル磁化が減
少し、１６０℃で垂直磁化状態となり、３００℃（キュ
リー温度Ｔｃ３）においてトータル磁化がゼロとなる。
記録層７（ｃ１７）は、２５℃に補償温度があり、２５
℃においてトータル磁化がゼロであり、温度上昇ととも
にトータル磁化が増加し、１６０℃近傍の温度でトータ
ル磁化が最大となり、その後トータル磁化は減少し、２
７０℃（キュリー温度Ｔｃ７）において再度トータル磁
化がゼロとなる。
【００９０】そして、第１の再生補助層３が垂直磁化状
態となる１６０℃（遷移温度Ｔｐ３）近傍における記録
層７のトータル磁化は、再生層１が垂直磁化状態となる
温度９０℃（遷移温度Ｔｐ１）近傍における記録層７の
トータル磁化より大きくなっている。また、遷移温度Ｔ
ｐ３近傍における第１の再生補助層３のトータル磁化
は、温度Ｔｐ１近傍における再生層１のトータル磁化よ
り大きくなっている。
態となる１６０℃（遷移温度Ｔｐ３）近傍における記録
層７のトータル磁化は、再生層１が垂直磁化状態となる
温度９０℃（遷移温度Ｔｐ１）近傍における記録層７の
トータル磁化より大きくなっている。また、遷移温度Ｔ
ｐ３近傍における第１の再生補助層３のトータル磁化
は、温度Ｔｐ１近傍における再生層１のトータル磁化よ
り大きくなっている。
【００９１】このような磁気的特性を有している場合、
第１の再生補助層３が再生層１よりも記録層７に近接し
ていることも考慮すると、遷移温度Ｔｐ３における第１
の再生補助層３と記録層７との静磁結合が、遷移温度Ｔ
ｐ１における再生層１と記録層７との静磁結合よりも強
くなる。このため、遷移温度Ｔｐ３近傍の記録層７の磁
化情報が第１の再生補助層３へと転写される温度（転写
温度領域）において、記録層７の磁化情報が静磁結合に
より第１の再生補助層３へと転写され、第１の再生補助
層３へと転写された磁化情報が静磁結合により再生層１
へと、安定に拡大転写されることになり、望ましい。
第１の再生補助層３が再生層１よりも記録層７に近接し
ていることも考慮すると、遷移温度Ｔｐ３における第１
の再生補助層３と記録層７との静磁結合が、遷移温度Ｔ
ｐ１における再生層１と記録層７との静磁結合よりも強
くなる。このため、遷移温度Ｔｐ３近傍の記録層７の磁
化情報が第１の再生補助層３へと転写される温度（転写
温度領域）において、記録層７の磁化情報が静磁結合に
より第１の再生補助層３へと転写され、第１の再生補助
層３へと転写された磁化情報が静磁結合により再生層１
へと、安定に拡大転写されることになり、望ましい。
【００９２】（２）記録再生特性
上記した形成方法で作成した光磁気ディスク（サンプル
＃１とする）の記録再生特性は以下のとおりである。
＃１とする）の記録再生特性は以下のとおりである。
【００９３】ここでは、サンプル＃１を、波長６８０ｎ
ｍの半導体レーザを用いた光磁気ピックアップで、線速
２．５ｍ／ｓの条件で評価した結果について説明する。
ｍの半導体レーザを用いた光磁気ピックアップで、線速
２．５ｍ／ｓの条件で評価した結果について説明する。
【００９４】まず、記録再生用レーザを７．２ｍＷで連
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより、記録層７に記録磁界の向きに対応した上向
き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。
そして、記録磁界の変調周波数を変えることにより、
０．２〜０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを
記録した。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する
長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成
していることを意味する。
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより、記録層７に記録磁界の向きに対応した上向
き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。
そして、記録磁界の変調周波数を変えることにより、
０．２〜０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを
記録した。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する
長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成
していることを意味する。
【００９５】図５は、記録再生用レーザを２．４ｍＷで
連続照射して測定したサンプル＃１のＣＮＲ（信号対雑
音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、比
較のため、従来技術（図１７，図１８）において説明し
た、記録層２０７と、再生補助層２０３および再生層２
０１との交換結合により磁区拡大再生を実現している光
磁気ディスク（比較サンプル＃ｒ１とする）および、サ
ンプル＃１の第１の面内磁化層２と第２の面内磁化層４
に代わり、ＡｌＮからなる非磁性中間層を積層した光磁
気ディスク（比較サンプル＃ｒ２とする）のＣＮＲのマ
ーク長依存性のグラフも併せて示す。
連続照射して測定したサンプル＃１のＣＮＲ（信号対雑
音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、比
較のため、従来技術（図１７，図１８）において説明し
た、記録層２０７と、再生補助層２０３および再生層２
０１との交換結合により磁区拡大再生を実現している光
磁気ディスク（比較サンプル＃ｒ１とする）および、サ
ンプル＃１の第１の面内磁化層２と第２の面内磁化層４
に代わり、ＡｌＮからなる非磁性中間層を積層した光磁
気ディスク（比較サンプル＃ｒ２とする）のＣＮＲのマ
ーク長依存性のグラフも併せて示す。
【００９６】上記比較サンプル＃ｒ１は、図１７に示し
たように、透明誘電体保護層２１４に膜厚８０ｎｍのＡ
ｌＮを、再生層２０１に、膜厚１００ｎｍのＧｄ
0.28（Ｆｅ 0.67Ｃｏ0.33）0.72を、再生補助層２０３
に、膜厚１００ｎｍのＧｄ0.31（Ｆｅ 0.67Ｃｏ0.33）
0.69を、記録層２０７に、膜厚４０ｎｍのＴｂ0.25（Ｆ
ｅ0.84Ｃｏ0.16）0.75を、保護層２１５に、膜厚２０ｎ
ｍのＡｌＮをそれぞれ用いた光磁気ディスクである。な
お、比較サンプル＃ｒ１では、再生層２０１および再生
補助層２０３が垂直磁化状態となる温度は、それぞれ１
００℃および１５０℃であった。
たように、透明誘電体保護層２１４に膜厚８０ｎｍのＡ
ｌＮを、再生層２０１に、膜厚１００ｎｍのＧｄ
0.28（Ｆｅ 0.67Ｃｏ0.33）0.72を、再生補助層２０３
に、膜厚１００ｎｍのＧｄ0.31（Ｆｅ 0.67Ｃｏ0.33）
0.69を、記録層２０７に、膜厚４０ｎｍのＴｂ0.25（Ｆ
ｅ0.84Ｃｏ0.16）0.75を、保護層２１５に、膜厚２０ｎ
ｍのＡｌＮをそれぞれ用いた光磁気ディスクである。な
お、比較サンプル＃ｒ１では、再生層２０１および再生
補助層２０３が垂直磁化状態となる温度は、それぞれ１
００℃および１５０℃であった。
【００９７】ここで、比較サンプル＃ｒ１においては、
再生層２０１および再生補助層２０３と記録層２０７と
が交換結合している。そのため、再生層２０１及び再生
補助層２０３の膜厚を上記のように１００ｎｍと厚くし
なければ、室温において面内磁化状態であり温度上昇と
ともに垂直磁化状態となる特性を実現することができな
かった。よって、比較サンプル＃ｒ１は膜厚が厚いため
サンプル＃１よりも記録再生のために大きなレーザパワ
ーが必要となる。したがって、比較サンプル＃ｒ１の評
価は、記録レーザパワーを９．４ｍＷ、再生レーザパワ
ーを３．６ｍＷとして行なった。
再生層２０１および再生補助層２０３と記録層２０７と
が交換結合している。そのため、再生層２０１及び再生
補助層２０３の膜厚を上記のように１００ｎｍと厚くし
なければ、室温において面内磁化状態であり温度上昇と
ともに垂直磁化状態となる特性を実現することができな
かった。よって、比較サンプル＃ｒ１は膜厚が厚いため
サンプル＃１よりも記録再生のために大きなレーザパワ
ーが必要となる。したがって、比較サンプル＃ｒ１の評
価は、記録レーザパワーを９．４ｍＷ、再生レーザパワ
ーを３．６ｍＷとして行なった。
【００９８】図５の結果から、ＣＮＲについて、サンプ
ル＃１と比較サンプル＃ｒ１とを比較すると、すべての
マーク長において、サンプル＃１のＣＮＲが高くなって
いることがわかる。これは、サンプル＃１において、第
１の面内磁化層２および第２の面内磁化層４により、再
生層１および第１の再生補助層３の面内磁化状態が安定
化したこと、さらに、再生層１および第１の再生補助層
３と記録層７との結合が静磁結合であり、面内磁化状態
から垂直磁化状態への遷移が比較サンプル＃ｒ１より急
激に起こり、再生分解能が向上したことによるものであ
る。
ル＃１と比較サンプル＃ｒ１とを比較すると、すべての
マーク長において、サンプル＃１のＣＮＲが高くなって
いることがわかる。これは、サンプル＃１において、第
１の面内磁化層２および第２の面内磁化層４により、再
生層１および第１の再生補助層３の面内磁化状態が安定
化したこと、さらに、再生層１および第１の再生補助層
３と記録層７との結合が静磁結合であり、面内磁化状態
から垂直磁化状態への遷移が比較サンプル＃ｒ１より急
激に起こり、再生分解能が向上したことによるものであ
る。
【００９９】このように、本実施の形態に係るサンプル
＃１は、比較サンプル＃ｒ１よりも良好な再生信号品質
および記録再生感度を備えた光磁気ディスクであること
がわかる。
＃１は、比較サンプル＃ｒ１よりも良好な再生信号品質
および記録再生感度を備えた光磁気ディスクであること
がわかる。
【０１００】また、上記比較サンプル＃ｒ２は、サンプ
ル＃１の第１の面内磁化層２および第２の面内磁化層４
の位置に、それぞれの面内磁化層に代わり、ＡｌＮから
なる非磁性中間層を各面内磁化層と等しい膜厚で積層し
た光磁気ディスクである。
ル＃１の第１の面内磁化層２および第２の面内磁化層４
の位置に、それぞれの面内磁化層に代わり、ＡｌＮから
なる非磁性中間層を各面内磁化層と等しい膜厚で積層し
た光磁気ディスクである。
【０１０１】比較サンプル＃ｒ２の評価は、記録レーザ
パワーを７．６ｍＷ再生レーザパワーを２．６ｍＷとし
て行なった。
パワーを７．６ｍＷ再生レーザパワーを２．６ｍＷとし
て行なった。
【０１０２】ＣＮＲについて、サンプル＃１と比較サン
プル＃ｒ２とを比較すると、図５の結果から、すべての
マーク長において、サンプル＃１のＣＮＲが高くなって
いることがわかる。これは、サンプル＃１においては、
再生層１および第１の再生補助層３が、面内磁化状態か
ら垂直磁化状態に遷移する温度近傍まで、強く面内磁化
膜と交換結合することにより、再生層１および第１の再
生補助層３の面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移が
比較サンプル＃ｒ２より急激に起こること。加えて、第
２の面内磁化層４により、遷移温度Ｔｐ３以下の温度領
域において記録層７から発生する漏洩磁束が抑制され安
定した磁区拡大再生が実現することによるものである。
プル＃ｒ２とを比較すると、図５の結果から、すべての
マーク長において、サンプル＃１のＣＮＲが高くなって
いることがわかる。これは、サンプル＃１においては、
再生層１および第１の再生補助層３が、面内磁化状態か
ら垂直磁化状態に遷移する温度近傍まで、強く面内磁化
膜と交換結合することにより、再生層１および第１の再
生補助層３の面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移が
比較サンプル＃ｒ２より急激に起こること。加えて、第
２の面内磁化層４により、遷移温度Ｔｐ３以下の温度領
域において記録層７から発生する漏洩磁束が抑制され安
定した磁区拡大再生が実現することによるものである。
【０１０３】このように、以上説明した本実施の形態の
光磁気記録媒体では、記録層７に記録された磁化情報が
再生層１へと高い分解能で拡大転写されることにより、
光の回折限界以下の周期の信号を記録層７に記録した場
合においても、再生信号振幅を低下させることなく再生
することが可能となる。
光磁気記録媒体では、記録層７に記録された磁化情報が
再生層１へと高い分解能で拡大転写されることにより、
光の回折限界以下の周期の信号を記録層７に記録した場
合においても、再生信号振幅を低下させることなく再生
することが可能となる。
【０１０４】さらに、本実施の形態に係る光磁気記録媒
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層７と再生層１との
静磁結合力よりも、遷移温度Ｔｐ３における記録層７と
第１の再生補助層３との静磁結合力が強くなるように、
再生層１、第１の再生補助層３、および記録層７の磁気
特性がそれぞれ調整することにより、記録層７と再生層
１との静磁結合状態および記録層７と第１の再生補助層
３との静磁結合状態とが最適化され、安定した磁区転写
および磁区拡大再生を行うことが可能となる。
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層７と再生層１との
静磁結合力よりも、遷移温度Ｔｐ３における記録層７と
第１の再生補助層３との静磁結合力が強くなるように、
再生層１、第１の再生補助層３、および記録層７の磁気
特性がそれぞれ調整することにより、記録層７と再生層
１との静磁結合状態および記録層７と第１の再生補助層
３との静磁結合状態とが最適化され、安定した磁区転写
および磁区拡大再生を行うことが可能となる。
【０１０５】〔実施の形態２〕本発明の他の実施の形態
について、図６から図９に基づいて説明すれば以下のと
おりである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１
において示した部材と同一の機能を有する部材には、同
一の符号を付し、その説明を省略する。
について、図６から図９に基づいて説明すれば以下のと
おりである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１
において示した部材と同一の機能を有する部材には、同
一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１０６】図７に示すように、本実施の形態に係る光
磁気記録媒体は、実施の形態１に係る光磁気記録媒体
（図２）の第２の面内磁化層４と記録層７との間に、非
磁性中間層１６が形成されている構成である。
磁気記録媒体は、実施の形態１に係る光磁気記録媒体
（図２）の第２の面内磁化層４と記録層７との間に、非
磁性中間層１６が形成されている構成である。
【０１０７】まず、図６および図７を用いて、本実施の
形態に係る光磁気記録媒体の再生原理について説明す
る。図６および図７は、上記光磁気記録媒体の再生時の
磁化状態を説明する平面模式図および断面模式図であ
る。
形態に係る光磁気記録媒体の再生原理について説明す
る。図６および図７は、上記光磁気記録媒体の再生時の
磁化状態を説明する平面模式図および断面模式図であ
る。
【０１０８】図７に示すように、本実施の形態に係る光
磁気記録媒体は、再生層１と、第１の面内磁化層２と、
第１の再生補助層３と、第２の面内磁化層４と、非磁性
中間層１６と、記録層７とが順次積層されて構成されて
いる。なお、図７中の各矢印は、黒い矢印が遷移金属
（ＴＭ）の磁気モーメントの向きを、白抜き矢印が漏洩
磁束の向きをそれぞれ表している。
磁気記録媒体は、再生層１と、第１の面内磁化層２と、
第１の再生補助層３と、第２の面内磁化層４と、非磁性
中間層１６と、記録層７とが順次積層されて構成されて
いる。なお、図７中の各矢印は、黒い矢印が遷移金属
（ＴＭ）の磁気モーメントの向きを、白抜き矢印が漏洩
磁束の向きをそれぞれ表している。
【０１０９】上記非磁性中間層１６は、非磁性材料から
なり、第２の面内磁化層４と記録層７との間に形成され
て、第２の面内磁化層４と記録層７との交換結合を遮断
する。
なり、第２の面内磁化層４と記録層７との間に形成され
て、第２の面内磁化層４と記録層７との交換結合を遮断
する。
【０１１０】図６および図７に示すように、上記の光磁
気記録媒体は、光ビーム８（光ビームスポット８’）に
より加熱されて、記録層７に形成された記録磁区９が、
第１の再生補助層３へと静磁結合により転写され、第１
の再生補助層３に転写された磁区１１が静磁結合力によ
り再生層１へと拡大転写され、再生層１に拡大転写され
た磁区１２が再生される。この再生の原理は、基本的に
前記の実施の形態１と同じである。
気記録媒体は、光ビーム８（光ビームスポット８’）に
より加熱されて、記録層７に形成された記録磁区９が、
第１の再生補助層３へと静磁結合により転写され、第１
の再生補助層３に転写された磁区１１が静磁結合力によ
り再生層１へと拡大転写され、再生層１に拡大転写され
た磁区１２が再生される。この再生の原理は、基本的に
前記の実施の形態１と同じである。
【０１１１】ただし、本実施の形態では、第２の面内磁
化層４と記録層７との間に、非磁性中間層１６が形成さ
れているため、第２の面内磁化層４と記録層７との交換
結合を遮断することができる。これにより、膜厚のより
薄い第２の面内磁化層４を用いた場合においても、前記
の実施の形態１と同様な効果を得ることができる。すな
わち、上記光磁気記録媒体では、非磁性中間層１６を設
けることによって、第２の面内磁化層４の膜厚がより薄
い場合でも、遷移温度Ｔｐ３以下の温度において第１の
再生補助層３の面内磁化状態を安定化させることができ
るため、加熱した領域においてのみ、記録層７と第１の
再生補助層３とが強く結合することになり、第１の再生
補助層３における再生分解能を向上させることが可能と
なる。
化層４と記録層７との間に、非磁性中間層１６が形成さ
れているため、第２の面内磁化層４と記録層７との交換
結合を遮断することができる。これにより、膜厚のより
薄い第２の面内磁化層４を用いた場合においても、前記
の実施の形態１と同様な効果を得ることができる。すな
わち、上記光磁気記録媒体では、非磁性中間層１６を設
けることによって、第２の面内磁化層４の膜厚がより薄
い場合でも、遷移温度Ｔｐ３以下の温度において第１の
再生補助層３の面内磁化状態を安定化させることができ
るため、加熱した領域においてのみ、記録層７と第１の
再生補助層３とが強く結合することになり、第１の再生
補助層３における再生分解能を向上させることが可能と
なる。
【０１１２】したがって、上記光磁気記録媒体では、よ
り高い再生分解能でもって第１の再生補助層３へと転写
された磁区１１が、再生層１へと拡大転写されるため、
より高い再生分解能とより良好な再生信号品質を得るこ
とが可能となる。ゆえに、上記光磁気記録媒体によれ
ば、良好な記録感度を維持しつつ、第１の再生補助層３
における再生分解能を向上させ、短いマーク長での良好
な再生信号品質を実現することが可能となる。
り高い再生分解能でもって第１の再生補助層３へと転写
された磁区１１が、再生層１へと拡大転写されるため、
より高い再生分解能とより良好な再生信号品質を得るこ
とが可能となる。ゆえに、上記光磁気記録媒体によれ
ば、良好な記録感度を維持しつつ、第１の再生補助層３
における再生分解能を向上させ、短いマーク長での良好
な再生信号品質を実現することが可能となる。
【０１１３】次に、上記の光磁気記録媒体を適用した光
磁気ディスクについて具体的に説明する。
磁気ディスクについて具体的に説明する。
【０１１４】図８に示すように、上記光磁気ディスク
は、基板１３上に、透明誘電体保護層１４、再生層１
と、第１の面内磁化層２と、第１の再生補助層３と、第
２の面内磁化層４と、非磁性中間層１６と、記録層７
と、保護層１５が順次積層されて構成されている。な
お、上記の基板１３、透明誘電体保護層１４、再生層
１、第１の面内磁化層２、第１の再生補助層３、第２の
面内磁化層４、記録層７、保護層１５には、実施の形態
１と同様の材料を同様にして用いることが可能である。
は、基板１３上に、透明誘電体保護層１４、再生層１
と、第１の面内磁化層２と、第１の再生補助層３と、第
２の面内磁化層４と、非磁性中間層１６と、記録層７
と、保護層１５が順次積層されて構成されている。な
お、上記の基板１３、透明誘電体保護層１４、再生層
１、第１の面内磁化層２、第１の再生補助層３、第２の
面内磁化層４、記録層７、保護層１５には、実施の形態
１と同様の材料を同様にして用いることが可能である。
【０１１５】ただし、本実施の形態においては、非磁性
中間層１６により第２の面内磁化層４と記録層７との交
換結合が遮断されるため、第２の面内磁化層４の膜厚を
前記の実施の形態１に係る光磁気ディスク（図３）のも
のより薄くすることが可能となる。具体的には、実施の
形態１では２０ｎｍ以上の膜厚が必要であったが、実施
の形態２では、５ｎｍ以上に設定されていれば良い。こ
こで、第２の面内磁化層４の膜厚が５ｎｍより薄い場
合、第２の面内磁化層４が薄すぎ、第１の再生補助層３
の温度上昇していない領域を面内磁化状態に固定する効
果が小さくなるため、再生分解能を向上させるという効
果が得られなくなる。
中間層１６により第２の面内磁化層４と記録層７との交
換結合が遮断されるため、第２の面内磁化層４の膜厚を
前記の実施の形態１に係る光磁気ディスク（図３）のも
のより薄くすることが可能となる。具体的には、実施の
形態１では２０ｎｍ以上の膜厚が必要であったが、実施
の形態２では、５ｎｍ以上に設定されていれば良い。こ
こで、第２の面内磁化層４の膜厚が５ｎｍより薄い場
合、第２の面内磁化層４が薄すぎ、第１の再生補助層３
の温度上昇していない領域を面内磁化状態に固定する効
果が小さくなるため、再生分解能を向上させるという効
果が得られなくなる。
【０１１６】上記非磁性中間層１６は、第２の面内磁化
層４と記録層７との交換結合を遮断するために形成され
るものであり、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ，Ａｕ，Ｃｕ等
の非磁性金属、および、これらの非磁性金属からなる非
磁性金属合金を用いることが可能である。また、Ａｌ
Ｎ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ等の非磁性誘電体を用いること
も可能である。
層４と記録層７との交換結合を遮断するために形成され
るものであり、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ，Ａｕ，Ｃｕ等
の非磁性金属、および、これらの非磁性金属からなる非
磁性金属合金を用いることが可能である。また、Ａｌ
Ｎ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ等の非磁性誘電体を用いること
も可能である。
【０１１７】上記非磁性中間層１６の膜厚は、０．５ｎ
ｍ以上に設定されていることが望ましい。非磁性中間層
１６の膜厚が０．５ｎｍより薄い場合、非磁性中間層１
６を均一に形成することができなくなるため、第２の面
内磁化層４と記録層７との交換結合を遮断することがで
きなくなる。
ｍ以上に設定されていることが望ましい。非磁性中間層
１６の膜厚が０．５ｎｍより薄い場合、非磁性中間層１
６を均一に形成することができなくなるため、第２の面
内磁化層４と記録層７との交換結合を遮断することがで
きなくなる。
【０１１８】さらに、第２の面内磁化層４および非磁性
中間層１６の膜厚の合計が４０ｎｍ以下に設定されてい
ることが望ましい。膜厚の合計が４０ｎｍより厚い場
合、記録層７と第１の再生補助層３との間隔が大きくな
るため、記録層７と第１の再生補助層３との間の静磁結
合力が弱くなる。これにより、記録層７から第１の再生
補助層３への安定した磁区の転写が困難となるため、再
生信号の品質が劣化する。
中間層１６の膜厚の合計が４０ｎｍ以下に設定されてい
ることが望ましい。膜厚の合計が４０ｎｍより厚い場
合、記録層７と第１の再生補助層３との間隔が大きくな
るため、記録層７と第１の再生補助層３との間の静磁結
合力が弱くなる。これにより、記録層７から第１の再生
補助層３への安定した磁区の転写が困難となるため、再
生信号の品質が劣化する。
【０１１９】また、上記保護層１５に、Ａｌ、ＡｌＴ
ａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、ＡｌＮｉ、ＡｌＣｏ、Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。加えて、保護層１
５上または上記熱拡散金属層上に、紫外線硬化樹脂、熱
硬化樹脂または潤滑層などを形成することもできる。
ａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、ＡｌＮｉ、ＡｌＣｏ、Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。加えて、保護層１
５上または上記熱拡散金属層上に、紫外線硬化樹脂、熱
硬化樹脂または潤滑層などを形成することもできる。
【０１２０】また、低磁界記録を目的として、記録層７
に接して、記録層７の保磁力より小さな保磁力を有し、
記録層７のキュリー温度Ｔｃ７よりも高いキュリー温度
を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記
録補助層を積層して形成してもよい。
に接して、記録層７の保磁力より小さな保磁力を有し、
記録層７のキュリー温度Ｔｃ７よりも高いキュリー温度
を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記
録補助層を積層して形成してもよい。
【０１２１】次に、上記した光磁気ディスクの形成方法
および記録再生特性について説明する。
および記録再生特性について説明する。
【０１２２】（１）光磁気ディスクの形成方法
上記光磁気ディスク（図８）の形成方法は以下のとおり
である。
である。
【０１２３】第一に、ＡｌＳｉターゲットと、Ｇｄター
ゲットと、Ｔｂターゲットと、Ｆｅターゲットと、Ｃｏ
ターゲットとを備えたスパッタ装置内に、案内溝を有し
ディスク状に形成されたポリカーボネート製の基板１３
を配置する。
ゲットと、Ｔｂターゲットと、Ｆｅターゲットと、Ｃｏ
ターゲットとを備えたスパッタ装置内に、案内溝を有し
ディスク状に形成されたポリカーボネート製の基板１３
を配置する。
【０１２４】そして、実施の形態１に係る光磁気ディス
ク（図３）と同様にして、上記基板１３上にＡｌＳｉＮ
からなる透明誘電体保護層１４を膜厚８０ｎｍで形成す
る。続けて、上記透明誘電体保護層１４上に、Ｇｄ0.27
（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.73からなる再生層１を膜厚２５
ｎｍで形成する。なお、続けて、上記再生層１上にＧｄ
0.09Ｆｅ0.91からなる第１の面内磁化層２を膜厚１５ｎ
ｍで形成する。さらに続けて、上記第１の面内磁化層２
上に、Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.69からなる第１
の再生補助層３を膜厚２５ｎｍで形成する。さらに続け
て、上記第１の再生補助層３上にＧｄ0.13Ｆｅ0.87から
なる第２の面内磁化層４を膜厚１５ｎｍで形成する。な
お、形成された第２の面内磁化層４は、キュリー温度Ｔ
ｃ４が１６０℃であり、室温からキュリー温度Ｔｃ４ま
で、膜面内に磁化を有する面内磁化膜であった。
ク（図３）と同様にして、上記基板１３上にＡｌＳｉＮ
からなる透明誘電体保護層１４を膜厚８０ｎｍで形成す
る。続けて、上記透明誘電体保護層１４上に、Ｇｄ0.27
（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0.73からなる再生層１を膜厚２５
ｎｍで形成する。なお、続けて、上記再生層１上にＧｄ
0.09Ｆｅ0.91からなる第１の面内磁化層２を膜厚１５ｎ
ｍで形成する。さらに続けて、上記第１の面内磁化層２
上に、Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.69からなる第１
の再生補助層３を膜厚２５ｎｍで形成する。さらに続け
て、上記第１の再生補助層３上にＧｄ0.13Ｆｅ0.87から
なる第２の面内磁化層４を膜厚１５ｎｍで形成する。な
お、形成された第２の面内磁化層４は、キュリー温度Ｔ
ｃ４が１６０℃であり、室温からキュリー温度Ｔｃ４ま
で、膜面内に磁化を有する面内磁化膜であった。
【０１２５】第二に、引き続き、ＡｌＳｉ合金ターゲッ
トに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件
で、上記第２の面内磁化層４上に、ＡｌＳｉからなる非
磁性中間層１６を膜厚１ｎｍで形成する。
トに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件
で、上記第２の面内磁化層４上に、ＡｌＳｉからなる非
磁性中間層１６を膜厚１ｎｍで形成する。
【０１２６】第三に、引き続き、前記実施の形態１に係
る光磁気ディスク（図３）と同様にして、上記非磁性中
間層１６上に、Ｔｂ0.25（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.75から
なる記録層７を膜厚６０ｎｍで形成する。続けて、上記
記録層７上にＡｌＳｉＮからなる保護層１５を膜厚２０
ｎｍで形成する。
る光磁気ディスク（図３）と同様にして、上記非磁性中
間層１６上に、Ｔｂ0.25（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.75から
なる記録層７を膜厚６０ｎｍで形成する。続けて、上記
記録層７上にＡｌＳｉＮからなる保護層１５を膜厚２０
ｎｍで形成する。
【０１２７】（２）記録再生特性
上記光磁気ディスク（サンプル＃２とする）の記録再生
特性は以下のとおりである。具体的には、上記光磁気デ
ィスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光磁
気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で評価した
結果について説明する。
特性は以下のとおりである。具体的には、上記光磁気デ
ィスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光磁
気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で評価した
結果について説明する。
【０１２８】まず、記録再生用レーザを６．６ｍＷで連
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより、記録層７に記録磁界の向きに対応した上向
き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。
そして、記録磁界の変調周波数を変えることにより、
０．２〜０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを
記録した。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する
長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成
していることを意味する。
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより、記録層７に記録磁界の向きに対応した上向
き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。
そして、記録磁界の変調周波数を変えることにより、
０．２〜０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを
記録した。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する
長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成
していることを意味する。
【０１２９】図９は、記録再生用レーザを２．２ｍＷで
連続照射して測定したサンプル＃２のＣＮＲ（信号対雑
音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、比
較のため、実施の形態１に係る光磁気ディスク、すなわ
ちサンプル＃２の非磁性中間層１６がなく、第２の面内
磁化層４の膜厚が大きい光磁気ディスク（図３）である
サンプル＃１（実施の形態１）のＣＮＲのマーク長依存
性のグラフも併せて示す。
連続照射して測定したサンプル＃２のＣＮＲ（信号対雑
音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、比
較のため、実施の形態１に係る光磁気ディスク、すなわ
ちサンプル＃２の非磁性中間層１６がなく、第２の面内
磁化層４の膜厚が大きい光磁気ディスク（図３）である
サンプル＃１（実施の形態１）のＣＮＲのマーク長依存
性のグラフも併せて示す。
【０１３０】図９に示したように、ＣＮＲについて、サ
ンプル＃２とサンプル＃１とを比較すると、同程度のＣ
ＮＲが得られていることがわかる。すなわち、サンプル
＃２では、非磁性中間層１６を設けることにより、サン
プル＃１より薄い膜厚の第２の面内磁化層４を用いて
も、再生分解能が向上し、短いマーク長において良好な
再生信号品質が得られることがわかる。
ンプル＃２とサンプル＃１とを比較すると、同程度のＣ
ＮＲが得られていることがわかる。すなわち、サンプル
＃２では、非磁性中間層１６を設けることにより、サン
プル＃１より薄い膜厚の第２の面内磁化層４を用いて
も、再生分解能が向上し、短いマーク長において良好な
再生信号品質が得られることがわかる。
【０１３１】このように、本実施の形態に係るサンプル
＃２は、膜厚のより薄い第２の面内磁化層４を用いた場
合においても、良好な再生信号品質を実現することので
きる光磁気ディスクである。
＃２は、膜厚のより薄い第２の面内磁化層４を用いた場
合においても、良好な再生信号品質を実現することので
きる光磁気ディスクである。
【０１３２】以上説明した本実施の形態によれば、記録
層７に記録された磁化情報が再生層１へと拡大転写され
ることにより、光の回折限界以下の周期の信号を記録層
７に記録した場合においても、再生信号振幅を低下させ
ることなく再生することが可能となる。そして、上記光
磁気記録媒体では、非磁性中間層１６によって、第２の
面内磁化層４と記録層７との交換結合が遮断されるた
め、第２の面内磁化層４の薄膜化が可能となり、記録パ
ワーおよび再生パワーを低減することが可能となる。
層７に記録された磁化情報が再生層１へと拡大転写され
ることにより、光の回折限界以下の周期の信号を記録層
７に記録した場合においても、再生信号振幅を低下させ
ることなく再生することが可能となる。そして、上記光
磁気記録媒体では、非磁性中間層１６によって、第２の
面内磁化層４と記録層７との交換結合が遮断されるた
め、第２の面内磁化層４の薄膜化が可能となり、記録パ
ワーおよび再生パワーを低減することが可能となる。
【０１３３】さらに、本実施の形態に係る光磁気記録媒
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層７と再生層１との
静磁結合力よりも、遷移温度Ｔｐ３における記録層７と
第１の再生補助層３との静磁結合力が強くなるように、
再生層１、第１の再生補助層３、および記録層７の磁気
特性がそれぞれ調整されている。
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層７と再生層１との
静磁結合力よりも、遷移温度Ｔｐ３における記録層７と
第１の再生補助層３との静磁結合力が強くなるように、
再生層１、第１の再生補助層３、および記録層７の磁気
特性がそれぞれ調整されている。
【０１３４】これにより、上記光磁気記録媒体では、記
録層７と再生層１との静磁結合状態および記録層７と第
１の再生補助層３との静磁結合状態とが最適化され、安
定した磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能と
なる。
録層７と再生層１との静磁結合状態および記録層７と第
１の再生補助層３との静磁結合状態とが最適化され、安
定した磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能と
なる。
【０１３５】〔実施の形態３〕本発明のさらに他の実施
の形態について説明すれば以下のとおりである。
の形態について説明すれば以下のとおりである。
【０１３６】本実施の形態に係る光磁気記録媒体は、上
記の実施の形態２に係る光磁気記録媒体（図７）と同じ
構成、同じ再生原理を用いた光磁気記録媒体であり、第
１の再生補助層３の材料として、実施の形態２で用いた
ＧｄＦｅＣｏに代わり、Ｇｄの一部ををＤｙで置換した
ＧｄＤｙＦｅＣｏを用いたものである。
記の実施の形態２に係る光磁気記録媒体（図７）と同じ
構成、同じ再生原理を用いた光磁気記録媒体であり、第
１の再生補助層３の材料として、実施の形態２で用いた
ＧｄＦｅＣｏに代わり、Ｇｄの一部ををＤｙで置換した
ＧｄＤｙＦｅＣｏを用いたものである。
【０１３７】上記構成の光磁気ディスク、すなわち、上
記実施の形態２に示した光磁気ディスク（図８）と同じ
構成であり、第１の再生補助層３の材料として、ＧｄＤ
ｙＦｅＣｏを用いた光磁気ディスクを作製し、記録再生
を行った。上記光磁気ディスクの記録再生にあたって
は、上記の実施の形態２に示した記録再生条件を用い
た。具体的には、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用い
た光磁気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で、
記録再生用レーザを６．６ｍＷで連続照射しながら、記
録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調することにより、記録層
７に記録磁界の向きに対応した上向き磁化と下向き磁化
との繰り返しパターンを形成した。再生時には、記録再
生用レーザを２．２ｍＷで連続照射して測定した。
記実施の形態２に示した光磁気ディスク（図８）と同じ
構成であり、第１の再生補助層３の材料として、ＧｄＤ
ｙＦｅＣｏを用いた光磁気ディスクを作製し、記録再生
を行った。上記光磁気ディスクの記録再生にあたって
は、上記の実施の形態２に示した記録再生条件を用い
た。具体的には、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用い
た光磁気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で、
記録再生用レーザを６．６ｍＷで連続照射しながら、記
録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調することにより、記録層
７に記録磁界の向きに対応した上向き磁化と下向き磁化
との繰り返しパターンを形成した。再生時には、記録再
生用レーザを２．２ｍＷで連続照射して測定した。
【０１３８】下記する表１および表２は、第１の再生補
助層３の材料として上記の実施の形態２で用いたＧｄＦ
ｅＣｏのＧｄの一部ををＤｙで置換したＧｄＤｙＦｅＣ
ｏを用い、該第１の再生補助層３が垂直磁化状態に遷移
する遷移温度Ｔｐ３を１６０℃一定としたときの、第１
の再生補助層３のキュリー温度およびマーク長０．２μ
ｍにおけるＣＮＲの測定結果を示す表である。ここで、
マーク長とは、マーク長に対応する長さの記録磁区をマ
ーク長の２倍の長さのピッチで形成していることを意味
する。
助層３の材料として上記の実施の形態２で用いたＧｄＦ
ｅＣｏのＧｄの一部ををＤｙで置換したＧｄＤｙＦｅＣ
ｏを用い、該第１の再生補助層３が垂直磁化状態に遷移
する遷移温度Ｔｐ３を１６０℃一定としたときの、第１
の再生補助層３のキュリー温度およびマーク長０．２μ
ｍにおけるＣＮＲの測定結果を示す表である。ここで、
マーク長とは、マーク長に対応する長さの記録磁区をマ
ーク長の２倍の長さのピッチで形成していることを意味
する。
【０１３９】
【表１】
表１は、第１の再生補助層３のＦｅとＣｏの比率を一定
とし、希土類金属成分に占めるＤｙの割合を変化させた
光磁気ディスクの測定結果を示している。ここで、遷移
温度Ｔｐ３を１６０℃に保つため、希土類金属と遷移金
属の比率を変化させ組成調整を行った。なお、ディスク
Ｎｏ．１−０として示した光磁気ディスクは、第１の再
生補助層３にＧｄＦｅＣｏを用いた光磁気ディスクであ
り、上記の実施の形態２に示したサンプル＃２に該当す
る。
とし、希土類金属成分に占めるＤｙの割合を変化させた
光磁気ディスクの測定結果を示している。ここで、遷移
温度Ｔｐ３を１６０℃に保つため、希土類金属と遷移金
属の比率を変化させ組成調整を行った。なお、ディスク
Ｎｏ．１−０として示した光磁気ディスクは、第１の再
生補助層３にＧｄＦｅＣｏを用いた光磁気ディスクであ
り、上記の実施の形態２に示したサンプル＃２に該当す
る。
【０１４０】表１に示したように、ディスクＮｏ．１−
１では、第１の再生補助層３に用いたＧｄＤｙＦｅＣｏ
の遷移金属成分に占めるＣｏの割合が５０％と高く、キ
ュリー温度も３３０℃と高いが、希土類金属成分に占め
るＤｙの割合が１％と低いため、遷移温度Ｔｐ３近傍に
おいて垂直磁化状態を安定に保つことができず、第１の
再生補助層３にＧｄＦｅＣｏを用いたディスクＮｏ．１
−０（サンプル＃２）と比較してＣＮＲが低くなってい
る。
１では、第１の再生補助層３に用いたＧｄＤｙＦｅＣｏ
の遷移金属成分に占めるＣｏの割合が５０％と高く、キ
ュリー温度も３３０℃と高いが、希土類金属成分に占め
るＤｙの割合が１％と低いため、遷移温度Ｔｐ３近傍に
おいて垂直磁化状態を安定に保つことができず、第１の
再生補助層３にＧｄＦｅＣｏを用いたディスクＮｏ．１
−０（サンプル＃２）と比較してＣＮＲが低くなってい
る。
【０１４１】これに対して、ディスクＮｏ．１−２から
ディスクＮｏ．１−７に示した光磁気ディスク、すなわ
ち、希土類金属成分に占めるＤｙの割合が２％以上２８
％以下の光磁気ディスクにおいては、第１の再生補助層
３にＧｄＦｅＣｏを用いたディスクＮｏ．１−０と比較
して０．５ｄＢ以上高いＣＮＲが得られていることがわ
かる。
ディスクＮｏ．１−７に示した光磁気ディスク、すなわ
ち、希土類金属成分に占めるＤｙの割合が２％以上２８
％以下の光磁気ディスクにおいては、第１の再生補助層
３にＧｄＦｅＣｏを用いたディスクＮｏ．１−０と比較
して０．５ｄＢ以上高いＣＮＲが得られていることがわ
かる。
【０１４２】これは、Ｄｙを添加したことにより、第１
の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷移温度Ｔ
ｐ３以上の温度での垂直磁化状態がＧｄＦｅＣｏを用い
た場合に比べて安定化したこと、および、第１の再生補
助層３の垂直磁気異方性が増大したことにより、Ｃｏ含
有量が多くキュリー温度が高い組成においても、安定し
た垂直磁化状態を維持することができるため、遷移温度
Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層３のトータル磁化が大
きくなり、第１の再生補助層３と再生層１および第１の
再生補助層３と記録層７との間の静磁結合力が強まった
ことによるものである。
の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷移温度Ｔ
ｐ３以上の温度での垂直磁化状態がＧｄＦｅＣｏを用い
た場合に比べて安定化したこと、および、第１の再生補
助層３の垂直磁気異方性が増大したことにより、Ｃｏ含
有量が多くキュリー温度が高い組成においても、安定し
た垂直磁化状態を維持することができるため、遷移温度
Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層３のトータル磁化が大
きくなり、第１の再生補助層３と再生層１および第１の
再生補助層３と記録層７との間の静磁結合力が強まった
ことによるものである。
【０１４３】これに対して、ディスクＮｏ．１−８に示
した光磁気ディスクにおいては、ＣＮＲがディスクＮ
ｏ．１−０のＣＮＲを下回っている。これは、希土類金
属成分に占めるＤｙの割合が３４％と高く、第１の再生
補助層３が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ３以上の温
度において、該第１の再生補助層３の保磁力が増大し、
再生時に記録層から発生する漏洩磁束に追従しにくくな
ったため、記録層の再生しようとする記録磁区９が第１
の再生補助層３の磁区１１に安定に転写されなくなった
ことによるものである。
した光磁気ディスクにおいては、ＣＮＲがディスクＮ
ｏ．１−０のＣＮＲを下回っている。これは、希土類金
属成分に占めるＤｙの割合が３４％と高く、第１の再生
補助層３が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ３以上の温
度において、該第１の再生補助層３の保磁力が増大し、
再生時に記録層から発生する漏洩磁束に追従しにくくな
ったため、記録層の再生しようとする記録磁区９が第１
の再生補助層３の磁区１１に安定に転写されなくなった
ことによるものである。
【０１４４】
【表２】
表２は、表１に示した測定結果において、最も高いＣＮ
Ｒを示した組成、すなわち、（Ｇｄ0.84Ｄｙ0.16）0.35
（Ｆｅ0.50Ｃｏ0.50）0.65の、希土類金属成分に占める
Ｄｙの割合を１６％一定とし、ＦｅとＣｏの比率を変化
させた光磁気ディスクの測定結果を示す表である。ここ
で、遷移温度Ｔｐ３を１６０℃に保つため、希土類金属
と遷移金属の比率を変化させて組成調整を行った。な
お、ディスクＮｏ．２−０として示した光磁気ディスク
は、第１の再生補助層３として、上記の実施の形態２に
示したＧｄＦｅＣｏを用いた光磁気ディスクであり、上
記実施の形態２のサンプル＃２に該当する。
Ｒを示した組成、すなわち、（Ｇｄ0.84Ｄｙ0.16）0.35
（Ｆｅ0.50Ｃｏ0.50）0.65の、希土類金属成分に占める
Ｄｙの割合を１６％一定とし、ＦｅとＣｏの比率を変化
させた光磁気ディスクの測定結果を示す表である。ここ
で、遷移温度Ｔｐ３を１６０℃に保つため、希土類金属
と遷移金属の比率を変化させて組成調整を行った。な
お、ディスクＮｏ．２−０として示した光磁気ディスク
は、第１の再生補助層３として、上記の実施の形態２に
示したＧｄＦｅＣｏを用いた光磁気ディスクであり、上
記実施の形態２のサンプル＃２に該当する。
【０１４５】表２に示したように、ディスクＮｏ．２−
１では、ディスクＮｏ．２−０（サンプル＃２）と比較
してＣＮＲが低くなっている。これは、遷移金属成分に
占めるＣｏの割合が３０％と小さく、第１の再生補助層
３のキュリー温度が２６０℃と低いため、第１の再生補
助層３の遷移温度Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層３の
トータル磁化が小さくなったことによるものである。こ
れによって、遷移温度Ｔｐ３近傍における記録層７と第
１の再生補助層３との静磁結合がディスクＮｏ．２−０
に比べて弱くなり、ＣＮＲが低下したものである。
１では、ディスクＮｏ．２−０（サンプル＃２）と比較
してＣＮＲが低くなっている。これは、遷移金属成分に
占めるＣｏの割合が３０％と小さく、第１の再生補助層
３のキュリー温度が２６０℃と低いため、第１の再生補
助層３の遷移温度Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層３の
トータル磁化が小さくなったことによるものである。こ
れによって、遷移温度Ｔｐ３近傍における記録層７と第
１の再生補助層３との静磁結合がディスクＮｏ．２−０
に比べて弱くなり、ＣＮＲが低下したものである。
【０１４６】一方、遷移金属成分に占めるＣｏの割合が
３５％及び４０％のディスクＮｏ．２−２およびディス
クＮｏ．２−３では、第１の再生補助層３のキュリー温
度がディスクＮｏ．２−０の第１の再生補助層３のキュ
リー温度よりも低いか、または、同程度であるが、ディ
スクＮｏ．２−０のＣＮＲと比較して０．５ｄＢ以上高
いＣＮＲが得られた。これは、Ｄｙを添加したことによ
り、第１の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷
移温度Ｔｐ３以上の温度での垂直磁化状態が安定化した
ことによるものである。これにより、Ｄｙを添加するこ
とにより垂直磁化状態が安定化し、高い分解能で磁区の
転写を行うことが可能であることがわかる。
３５％及び４０％のディスクＮｏ．２−２およびディス
クＮｏ．２−３では、第１の再生補助層３のキュリー温
度がディスクＮｏ．２−０の第１の再生補助層３のキュ
リー温度よりも低いか、または、同程度であるが、ディ
スクＮｏ．２−０のＣＮＲと比較して０．５ｄＢ以上高
いＣＮＲが得られた。これは、Ｄｙを添加したことによ
り、第１の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷
移温度Ｔｐ３以上の温度での垂直磁化状態が安定化した
ことによるものである。これにより、Ｄｙを添加するこ
とにより垂直磁化状態が安定化し、高い分解能で磁区の
転写を行うことが可能であることがわかる。
【０１４７】また、ディスクＮｏ．２−４からディスク
Ｎｏ．２−６に示した光磁気ディスク、すなわち、遷移
金属成分に占めるＣｏの割合が５０％以上７０％以下の
光磁気ディスクにおいては、ディスクＮｏ．２−０と比
較して１ｄＢ以上高いＣＮＲが得られた。
Ｎｏ．２−６に示した光磁気ディスク、すなわち、遷移
金属成分に占めるＣｏの割合が５０％以上７０％以下の
光磁気ディスクにおいては、ディスクＮｏ．２−０と比
較して１ｄＢ以上高いＣＮＲが得られた。
【０１４８】これは、Ｄｙを添加したことにより、第１
の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷移温度Ｔ
ｐ３以上の温度での垂直磁化状態が安定化したこと、お
よび、遷移金属成分に占めるＣｏの割合を高めたことに
より、第１の再生補助層３のキュリー温度が上昇し、こ
れによって、遷移温度Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層
３のトータル磁化が大きくなり、第１の再生補助層３と
再生層１および第１の再生補助層３と記録層７との間の
静磁結合力が強まったことによるものである。
の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷移温度Ｔ
ｐ３以上の温度での垂直磁化状態が安定化したこと、お
よび、遷移金属成分に占めるＣｏの割合を高めたことに
より、第１の再生補助層３のキュリー温度が上昇し、こ
れによって、遷移温度Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層
３のトータル磁化が大きくなり、第１の再生補助層３と
再生層１および第１の再生補助層３と記録層７との間の
静磁結合力が強まったことによるものである。
【０１４９】これに対し、遷移金属成分に占めるＣｏの
割合が８０％の光磁気ディスクＮｏ．２−７において
は、ＣＮＲが大きく低下した。これは、遷移金属成分に
占めるＣｏの割合が高すぎることにより、第１の再生補
助層３が面内磁化状態から垂直磁化状態に遷移しなかっ
たことによるものである。
割合が８０％の光磁気ディスクＮｏ．２−７において
は、ＣＮＲが大きく低下した。これは、遷移金属成分に
占めるＣｏの割合が高すぎることにより、第１の再生補
助層３が面内磁化状態から垂直磁化状態に遷移しなかっ
たことによるものである。
【０１５０】以上のことから、第１の再生補助層３の材
料として、希土類金属成分に占めるＤｙの割合が２％以
上２８％以下であり、遷移金属成分に占めるＣｏの割合
が３５％以上７０％以下のＧｄＤｙＦｅＣｏを用いるこ
とにより、第１の再生補助層３が垂直磁化状態となる遷
移温度Ｔｐ３近傍の温度において、第１の再生補助層３
の垂直磁化状態を安定化させることが可能となる。
料として、希土類金属成分に占めるＤｙの割合が２％以
上２８％以下であり、遷移金属成分に占めるＣｏの割合
が３５％以上７０％以下のＧｄＤｙＦｅＣｏを用いるこ
とにより、第１の再生補助層３が垂直磁化状態となる遷
移温度Ｔｐ３近傍の温度において、第１の再生補助層３
の垂直磁化状態を安定化させることが可能となる。
【０１５１】さらに、上記組成の範囲内において遷移金
属成分に占めるＣｏの割合が高い組成を選択すれば、第
１の再生補助層３のキュリー温度を高めることが可能と
なり、第１の再生補助層３のトータル磁化を大きくする
ことができる。これにより、第１の再生補助層３と再生
層１および第１の再生補助層３と記録層７との静磁結合
力を強めることができ、安定した磁区転写および磁区拡
大再生が実現することによって、高いＣＮＲを示す磁区
拡大再生光磁気記録媒体を実現することが可能となる。
属成分に占めるＣｏの割合が高い組成を選択すれば、第
１の再生補助層３のキュリー温度を高めることが可能と
なり、第１の再生補助層３のトータル磁化を大きくする
ことができる。これにより、第１の再生補助層３と再生
層１および第１の再生補助層３と記録層７との静磁結合
力を強めることができ、安定した磁区転写および磁区拡
大再生が実現することによって、高いＣＮＲを示す磁区
拡大再生光磁気記録媒体を実現することが可能となる。
【０１５２】なお、本実施の形態では実施の形態２の光
磁気記録媒体における第１の再生補助層３としてＧｄＤ
ｙＦｅＣｏを用いることについて説明したが、言うまで
もなく、実施の形態１の光磁気記録媒体にも同様に適用
できる。
磁気記録媒体における第１の再生補助層３としてＧｄＤ
ｙＦｅＣｏを用いることについて説明したが、言うまで
もなく、実施の形態１の光磁気記録媒体にも同様に適用
できる。
【０１５３】〔実施の形態４〕本発明のさらに他の実施
の形態について説明すれば以下のとおりである。
の形態について説明すれば以下のとおりである。
【０１５４】本実施の形態に係る光磁気記録媒体は、上
記の実施の形態２に係る光磁気記録媒体（図７）と同じ
構成、同じ再生原理を用いた光磁気記録媒体であり、第
１の再生補助層３の材料として、実施の形態２で用いた
ＧｄＦｅＣｏに代わり、Ｇｄの一部をＴｂで置換したＧ
ｄＴｂＦｅＣｏを用いたものである。
記の実施の形態２に係る光磁気記録媒体（図７）と同じ
構成、同じ再生原理を用いた光磁気記録媒体であり、第
１の再生補助層３の材料として、実施の形態２で用いた
ＧｄＦｅＣｏに代わり、Ｇｄの一部をＴｂで置換したＧ
ｄＴｂＦｅＣｏを用いたものである。
【０１５５】上記構成の光磁気ディスク、すなわち、上
記実施の形態２に示した光磁気ディスク（図８）と同じ
構成であり、第１の再生補助層３の材料として、ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏを用いた光磁気ディスクを作製し、記録再生
を行った。上記光磁気ディスクの記録再生にあたって
は、上記の実施の形態２に示した記録再生条件を用い
た。具体的には、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用い
た光磁気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で、
記録再生用レーザを６．６ｍＷで連続照射しながら、記
録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調することにより、記録層
７に記録磁界の向きに対応した上向き磁化と下向き磁化
との繰り返しパターンを形成した。再生時には、記録再
生用レーザを２．２ｍＷで連続照射して測定した。
記実施の形態２に示した光磁気ディスク（図８）と同じ
構成であり、第１の再生補助層３の材料として、ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏを用いた光磁気ディスクを作製し、記録再生
を行った。上記光磁気ディスクの記録再生にあたって
は、上記の実施の形態２に示した記録再生条件を用い
た。具体的には、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用い
た光磁気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で、
記録再生用レーザを６．６ｍＷで連続照射しながら、記
録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調することにより、記録層
７に記録磁界の向きに対応した上向き磁化と下向き磁化
との繰り返しパターンを形成した。再生時には、記録再
生用レーザを２．２ｍＷで連続照射して測定した。
【０１５６】下記の表３および表４は、第１の再生補助
層３の材料として上記の実施の形態２で用いたＧｄＦｅ
ＣｏのＧｄの一部をＴｂで置換したＧｄＴｂＦｅＣｏを
用い、第１の再生補助層３が垂直磁化状態に遷移する遷
移温度Ｔｐ３を１６０℃一定としたときの、第１の再生
補助層３のキュリー温度およびマーク長０．２μｍにお
けるＣＮＲの測定結果を示す表である。ここで、マーク
長とは、マーク長に対応する長さの記録磁区をマーク長
の２倍の長さのピッチで形成していることを意味する。
層３の材料として上記の実施の形態２で用いたＧｄＦｅ
ＣｏのＧｄの一部をＴｂで置換したＧｄＴｂＦｅＣｏを
用い、第１の再生補助層３が垂直磁化状態に遷移する遷
移温度Ｔｐ３を１６０℃一定としたときの、第１の再生
補助層３のキュリー温度およびマーク長０．２μｍにお
けるＣＮＲの測定結果を示す表である。ここで、マーク
長とは、マーク長に対応する長さの記録磁区をマーク長
の２倍の長さのピッチで形成していることを意味する。
【０１５７】
【表３】
表３は、第１の再生補助層３のＦｅとＣｏの比率を一定
とし、希土類金属成分に占めるＴｂの割合を変化させた
光磁気ディスクの測定結果を示している。ここで、遷移
温度Ｔｐ３を１６０℃に保つため、希土類金属と遷移金
属の比率を変化させ組成調整を行った。なお、ディスク
Ｎｏ．３−０として示した光磁気ディスクは、第１の再
生補助層３にＧｄＦｅＣｏを用いた光磁気ディスクであ
り、上記の実施の形態２に示したサンプル＃２に該当す
る。
とし、希土類金属成分に占めるＴｂの割合を変化させた
光磁気ディスクの測定結果を示している。ここで、遷移
温度Ｔｐ３を１６０℃に保つため、希土類金属と遷移金
属の比率を変化させ組成調整を行った。なお、ディスク
Ｎｏ．３−０として示した光磁気ディスクは、第１の再
生補助層３にＧｄＦｅＣｏを用いた光磁気ディスクであ
り、上記の実施の形態２に示したサンプル＃２に該当す
る。
【０１５８】表３に示したように、ディスクＮｏ．３−
１では、第１の再生補助層３に用いたＧｄＴｂＦｅＣｏ
の遷移金属成分に占めるＣｏの割合が６０％と高く、キ
ュリー温度も３５５℃と高いが、希土類金属成分に占め
るＴｂの割合が０．５％と低いため、遷移温度Ｔｐ３近
傍において垂直磁化状態を安定に保つことができず、第
１の再生補助層３にＧｄＦｅＣｏを用いたディスクＮ
ｏ．３−０（サンプル＃２）と比較してＣＮＲが低くな
っている。
１では、第１の再生補助層３に用いたＧｄＴｂＦｅＣｏ
の遷移金属成分に占めるＣｏの割合が６０％と高く、キ
ュリー温度も３５５℃と高いが、希土類金属成分に占め
るＴｂの割合が０．５％と低いため、遷移温度Ｔｐ３近
傍において垂直磁化状態を安定に保つことができず、第
１の再生補助層３にＧｄＦｅＣｏを用いたディスクＮ
ｏ．３−０（サンプル＃２）と比較してＣＮＲが低くな
っている。
【０１５９】これに対して、ディスクＮｏ．３−２から
ディスクＮｏ．３−７に示した光磁気ディスク、すなわ
ち、希土類金属成分に占めるＴｂの割合が１％以上２０
％以下の光磁気ディスクにおいては、第１の再生補助層
３にＧｄＦｅＣｏを用いたディスクＮｏ．３−０と比較
して０．５ｄＢ以上高いＣＮＲが得られた。
ディスクＮｏ．３−７に示した光磁気ディスク、すなわ
ち、希土類金属成分に占めるＴｂの割合が１％以上２０
％以下の光磁気ディスクにおいては、第１の再生補助層
３にＧｄＦｅＣｏを用いたディスクＮｏ．３−０と比較
して０．５ｄＢ以上高いＣＮＲが得られた。
【０１６０】これは、Ｔｂを添加したことにより、第１
の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷移温度Ｔ
ｐ３以上の温度での垂直磁化状態がＧｄＦｅＣｏを用い
た場合に比べて安定化したこと、および、第１の再生補
助層３の垂直磁気異方性が増大したことにより、Ｃｏ含
有量が多くキュリー温度が高い組成においても、安定し
た垂直磁化状態を維持することができるため、遷移温度
Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層３トータル磁化が大き
くなり、第１の再生補助層３と再生層１および第１の再
生補助層３と記録層７との間の静磁結合力が強まったこ
とによるものである。
の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷移温度Ｔ
ｐ３以上の温度での垂直磁化状態がＧｄＦｅＣｏを用い
た場合に比べて安定化したこと、および、第１の再生補
助層３の垂直磁気異方性が増大したことにより、Ｃｏ含
有量が多くキュリー温度が高い組成においても、安定し
た垂直磁化状態を維持することができるため、遷移温度
Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層３トータル磁化が大き
くなり、第１の再生補助層３と再生層１および第１の再
生補助層３と記録層７との間の静磁結合力が強まったこ
とによるものである。
【０１６１】これに対して、ディスクＮｏ．３−８に示
した光磁気ディスクにおいては、ＣＮＲがディスクＮ
ｏ．３−０のＣＮＲを下回っている。これは、希土類金
属成分に占めるＴｂの割合が２４％と高く、第１の再生
補助層３が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ３以上の温
度において、該第１の再生補助層３の保磁力が増大し、
再生時に記録層から発生する漏洩磁束に追従しにくくな
ったため、記録層の再生しようとする記録磁区９が第１
の再生補助層３の磁区１１に安定に転写されなくなった
ことによるものである。
した光磁気ディスクにおいては、ＣＮＲがディスクＮ
ｏ．３−０のＣＮＲを下回っている。これは、希土類金
属成分に占めるＴｂの割合が２４％と高く、第１の再生
補助層３が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ３以上の温
度において、該第１の再生補助層３の保磁力が増大し、
再生時に記録層から発生する漏洩磁束に追従しにくくな
ったため、記録層の再生しようとする記録磁区９が第１
の再生補助層３の磁区１１に安定に転写されなくなった
ことによるものである。
【０１６２】
【表４】
また、表４は、表３に示した測定結果において、最も高
いＣＮＲを示した組成、すなわち、（Ｇｄ0.84Ｔ
ｂ0.08）0.34（Ｆｅ0.40Ｃｏ0.60）0.66の、希土類金属
成分に占めるＴｂの割合を８％一定とし、ＦｅとＣｏの
比率を変化させた光磁気ディスクの測定結果を示してい
る。ここで、遷移温度Ｔｐ３を１６０℃に保つため、希
土類金属と遷移金属の比率を変化させて組成調整を行っ
た。なお、ディスクＮｏ．４−０として示した光磁気デ
ィスクは、第１の再生補助層３として、上記の実施の形
態２に示したＧｄＦｅＣｏを用いた光磁気ディスクであ
り、上記の実施の形態２のサンプル＃２に該当する。
いＣＮＲを示した組成、すなわち、（Ｇｄ0.84Ｔ
ｂ0.08）0.34（Ｆｅ0.40Ｃｏ0.60）0.66の、希土類金属
成分に占めるＴｂの割合を８％一定とし、ＦｅとＣｏの
比率を変化させた光磁気ディスクの測定結果を示してい
る。ここで、遷移温度Ｔｐ３を１６０℃に保つため、希
土類金属と遷移金属の比率を変化させて組成調整を行っ
た。なお、ディスクＮｏ．４−０として示した光磁気デ
ィスクは、第１の再生補助層３として、上記の実施の形
態２に示したＧｄＦｅＣｏを用いた光磁気ディスクであ
り、上記の実施の形態２のサンプル＃２に該当する。
【０１６３】表４に示したように、ディスクＮｏ．４−
１では、ディスクＮｏ．４−０（サンプル＃２）と比較
してＣＮＲが低くなっている。これは、遷移金属成分に
占めるＣｏの割合が２５％と小さく、第１の再生補助層
３のキュリー温度が２７０℃と低いため、第１の再生補
助層３の遷移温度Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層３の
トータル磁化が小さくなったことによるものである。こ
れによって、遷移温度Ｔｐ３近傍における記録層７と第
１の再生補助層３との静磁結合がディスクＮｏ．４−０
に比べて弱くなり、ＣＮＲが低下したものである。
１では、ディスクＮｏ．４−０（サンプル＃２）と比較
してＣＮＲが低くなっている。これは、遷移金属成分に
占めるＣｏの割合が２５％と小さく、第１の再生補助層
３のキュリー温度が２７０℃と低いため、第１の再生補
助層３の遷移温度Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層３の
トータル磁化が小さくなったことによるものである。こ
れによって、遷移温度Ｔｐ３近傍における記録層７と第
１の再生補助層３との静磁結合がディスクＮｏ．４−０
に比べて弱くなり、ＣＮＲが低下したものである。
【０１６４】一方、遷移金属成分に占めるＣｏの割合が
３０％のディスクＮｏ．４−２では、第１の再生補助層
３のキュリー温度がディスクＮｏ．４−０の第１の再生
補助層３のキュリー温度と同じであるが、ディスクＮ
ｏ．４−０のＣＮＲと比較して０．５ｄＢ以上高いＣＮ
Ｒが得られた。これは、Ｔｂを添加したことにより、第
１の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷移温度
Ｔｐ３以上の温度での垂直磁化状態が安定化したことに
よるものである。これにより、Ｔｂを添加することによ
り垂直磁化状態が安定化し、高い分解能で磁区の転写を
行うことが可能であることがわかる。
３０％のディスクＮｏ．４−２では、第１の再生補助層
３のキュリー温度がディスクＮｏ．４−０の第１の再生
補助層３のキュリー温度と同じであるが、ディスクＮ
ｏ．４−０のＣＮＲと比較して０．５ｄＢ以上高いＣＮ
Ｒが得られた。これは、Ｔｂを添加したことにより、第
１の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷移温度
Ｔｐ３以上の温度での垂直磁化状態が安定化したことに
よるものである。これにより、Ｔｂを添加することによ
り垂直磁化状態が安定化し、高い分解能で磁区の転写を
行うことが可能であることがわかる。
【０１６５】また、ディスクＮｏ．４−３からディスク
Ｎｏ．４−７に示した光磁気ディスク、すなわち、遷移
金属成分に占めるＣｏの割合が４０％以上の光磁気ディ
スクにおいては、ディスクＮｏ．４−０と比較して１ｄ
Ｂ以上高いＣＮＲが得られている。
Ｎｏ．４−７に示した光磁気ディスク、すなわち、遷移
金属成分に占めるＣｏの割合が４０％以上の光磁気ディ
スクにおいては、ディスクＮｏ．４−０と比較して１ｄ
Ｂ以上高いＣＮＲが得られている。
【０１６６】これは、Ｔｂを添加したことにより、第１
の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷移温度Ｔ
ｐ３以上の温度での垂直磁化状態が安定化したこと、お
よび、遷移金属成分に占めるＣｏの割合を高めたことに
より、第１の再生補助層３のキュリー温度が上昇し、こ
れによって、遷移温度Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層
３のトータル磁化が大きくなり、第１の再生補助層３と
再生層１および第１の再生補助層３と記録層７との間の
静磁結合力が強まったことによるものである。
の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷移温度Ｔ
ｐ３以上の温度での垂直磁化状態が安定化したこと、お
よび、遷移金属成分に占めるＣｏの割合を高めたことに
より、第１の再生補助層３のキュリー温度が上昇し、こ
れによって、遷移温度Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層
３のトータル磁化が大きくなり、第１の再生補助層３と
再生層１および第１の再生補助層３と記録層７との間の
静磁結合力が強まったことによるものである。
【０１６７】以上のことから、第１の再生補助層３の材
料として、希土類金属成分に占めるＴｂの割合が１％以
上２０％以下であり、遷移金属成分に占めるＣｏの割合
が３０％以上のＧｄＴｂＦｅＣｏを用いることにより、
第１の再生補助層３が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ
３近傍において、第１の再生補助層３の垂直磁化状態を
安定化させることが可能となる。
料として、希土類金属成分に占めるＴｂの割合が１％以
上２０％以下であり、遷移金属成分に占めるＣｏの割合
が３０％以上のＧｄＴｂＦｅＣｏを用いることにより、
第１の再生補助層３が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ
３近傍において、第１の再生補助層３の垂直磁化状態を
安定化させることが可能となる。
【０１６８】さらに、上記組成の範囲内において遷移金
属成分に占めるＣｏの割合が高い組成を選択すれば、第
１の再生補助層３のキュリー温度を高めることが可能と
なり、第１の再生補助層３のトータル磁化を大きくする
ことができる。これにより、第１の再生補助層３と再生
層１および第１の再生補助層３と記録層７との静磁結合
力を強めることができ、安定した磁区転写および磁区拡
大再生が実現することによって、高いＣＮＲを示す磁区
拡大再生光磁気記録媒体を実現することが可能となる。
属成分に占めるＣｏの割合が高い組成を選択すれば、第
１の再生補助層３のキュリー温度を高めることが可能と
なり、第１の再生補助層３のトータル磁化を大きくする
ことができる。これにより、第１の再生補助層３と再生
層１および第１の再生補助層３と記録層７との静磁結合
力を強めることができ、安定した磁区転写および磁区拡
大再生が実現することによって、高いＣＮＲを示す磁区
拡大再生光磁気記録媒体を実現することが可能となる。
【０１６９】なお、本実施の形態では実施の形態２の光
磁気記録媒体における第１の再生補助層３としてＧｄＴ
ｂＦｅＣｏを用いることについて説明したが、言うまで
もなく、実施の形態１の光磁気記録媒体にも同様に適用
できる。
磁気記録媒体における第１の再生補助層３としてＧｄＴ
ｂＦｅＣｏを用いることについて説明したが、言うまで
もなく、実施の形態１の光磁気記録媒体にも同様に適用
できる。
【０１７０】〔実施の形態５〕本発明のさらに他の実施
の形態について説明すれば以下のとおりである。
の形態について説明すれば以下のとおりである。
【０１７１】本実施の形態に係る光磁気記録媒体は、上
記の実施の形態２に係る光磁気記録媒体（図７）と同じ
構成、同じ再生原理を用いた光磁気記録媒体であり、再
生層１の材料として、実施の形態２で用いたＧｄＦｅＣ
ｏにＤｙを添加したＧｄＤｙＦｅＣｏを用いたものであ
る。
記の実施の形態２に係る光磁気記録媒体（図７）と同じ
構成、同じ再生原理を用いた光磁気記録媒体であり、再
生層１の材料として、実施の形態２で用いたＧｄＦｅＣ
ｏにＤｙを添加したＧｄＤｙＦｅＣｏを用いたものであ
る。
【０１７２】本実施の形態においては、再生層１として
（Ｇｄ0.84Ｄｙ0.16）0.32（Ｆｅ0. 68Ｃｏ0.32）0.68を
用いた。これは、実施の形態３で用いたＧｄＦｅＣｏに
Ｄｙを添加し、遷移温度Ｔｐ１およびキュリー温度Ｔｃ
１がともに、実施の形態２の再生層１と同じになるよう
組成調整を行ったものであり、その遷移温度Ｔｐ１は９
０℃、キュリー温度Ｔｃ１は２６０℃であった。
（Ｇｄ0.84Ｄｙ0.16）0.32（Ｆｅ0. 68Ｃｏ0.32）0.68を
用いた。これは、実施の形態３で用いたＧｄＦｅＣｏに
Ｄｙを添加し、遷移温度Ｔｐ１およびキュリー温度Ｔｃ
１がともに、実施の形態２の再生層１と同じになるよう
組成調整を行ったものであり、その遷移温度Ｔｐ１は９
０℃、キュリー温度Ｔｃ１は２６０℃であった。
【０１７３】上記構成の光磁気ディスク、すなわち、上
記実施の形態２に示した光磁気ディスク（図８）と同じ
構成であり、再生層１の材料として、ＧｄＤｙＦｅＣｏ
を用いた光磁気ディスクを作製し、記録再生を行った。
上記光磁気ディスク（サンプル＃３とする）の記録再生
にあたっては、上記の実施の形態２に示した記録再生条
件を用いた。具体的には、波長６８０ｎｍの半導体レー
ザを用いた光磁気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの
条件で、記録再生用レーザを６．６ｍＷで連続照射しな
がら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調することによ
り、記録層７に記録磁界の向きに対応した上向き磁化と
下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。そして、
記録磁界の変調周波数を変えることにより、０．２〜
０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを記録し
た。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する長さの
記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成してい
ることを意味する。
記実施の形態２に示した光磁気ディスク（図８）と同じ
構成であり、再生層１の材料として、ＧｄＤｙＦｅＣｏ
を用いた光磁気ディスクを作製し、記録再生を行った。
上記光磁気ディスク（サンプル＃３とする）の記録再生
にあたっては、上記の実施の形態２に示した記録再生条
件を用いた。具体的には、波長６８０ｎｍの半導体レー
ザを用いた光磁気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの
条件で、記録再生用レーザを６．６ｍＷで連続照射しな
がら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調することによ
り、記録層７に記録磁界の向きに対応した上向き磁化と
下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。そして、
記録磁界の変調周波数を変えることにより、０．２〜
０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを記録し
た。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する長さの
記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成してい
ることを意味する。
【０１７４】図１０は、再生時には、記録再生用レーザ
を２．２ｍＷで連続照射して測定したサンプル＃３のＣ
ＮＲ（信号対雑音比）のマーク長依存性を示すグラフで
ある。また、比較のため、上記実施の形態２に係る光磁
気ディスク、すなわちサンプル＃３の再生層１および第
１の再生補助層３の材料としてＧｄＦｅＣｏを用いた光
磁気ディスク（図８）であるサンプル＃２のＣＮＲのマ
ーク長依存性のグラフもあわせて示す。
を２．２ｍＷで連続照射して測定したサンプル＃３のＣ
ＮＲ（信号対雑音比）のマーク長依存性を示すグラフで
ある。また、比較のため、上記実施の形態２に係る光磁
気ディスク、すなわちサンプル＃３の再生層１および第
１の再生補助層３の材料としてＧｄＦｅＣｏを用いた光
磁気ディスク（図８）であるサンプル＃２のＣＮＲのマ
ーク長依存性のグラフもあわせて示す。
【０１７５】図１０に示したように、ＣＮＲについて、
サンプル＃３とサンプル＃２とを比較すると、いずれの
マーク長においてもサンプル＃３のＣＮＲがサンプル＃
２のＣＮＲよりも高くなっていることがわかる。
サンプル＃３とサンプル＃２とを比較すると、いずれの
マーク長においてもサンプル＃３のＣＮＲがサンプル＃
２のＣＮＲよりも高くなっていることがわかる。
【０１７６】このように、本実施の形態に係るサンプル
＃３は、再生層１の材料として、実施の形態２で用いた
ＧｄＦｅＣｏにＤｙを添加したＧｄＤｙＦｅＣｏを用い
ることにより、再生層１の垂直磁気異方性が増大する。
これにより、遷移温度Ｔｐ１以上の温度での垂直磁化状
態が安定化し、第１の再生補助層３から再生層１への拡
大転写がサンプル＃２よりも安定行われることになる。
したがって、第１の再生補助層３から再生層１へ高い分
解能で磁区の拡大転写が行われ、良好な信号品質が得ら
れる磁区拡大再生を実現することが可能となる。また、
加熱された領域において、再生層１の垂直磁化状態が安
定しているため、再生時に照射されるレーザーパワーが
変動した場合においても良好なＣＮＲを得ることがで
き、再生パワーマージンを拡大させることができる。
＃３は、再生層１の材料として、実施の形態２で用いた
ＧｄＦｅＣｏにＤｙを添加したＧｄＤｙＦｅＣｏを用い
ることにより、再生層１の垂直磁気異方性が増大する。
これにより、遷移温度Ｔｐ１以上の温度での垂直磁化状
態が安定化し、第１の再生補助層３から再生層１への拡
大転写がサンプル＃２よりも安定行われることになる。
したがって、第１の再生補助層３から再生層１へ高い分
解能で磁区の拡大転写が行われ、良好な信号品質が得ら
れる磁区拡大再生を実現することが可能となる。また、
加熱された領域において、再生層１の垂直磁化状態が安
定しているため、再生時に照射されるレーザーパワーが
変動した場合においても良好なＣＮＲを得ることがで
き、再生パワーマージンを拡大させることができる。
【０１７７】さらに、本実施の形態に係る光磁気記録媒
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層７と再生層１との
静磁結合力よりも、遷移温度Ｔｐ３における記録層７と
第１の再生補助層３との静磁結合力が強くなるように、
再生層１、第１の再生補助層３、および記録層７の磁気
特性がそれぞれ調整されている。
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層７と再生層１との
静磁結合力よりも、遷移温度Ｔｐ３における記録層７と
第１の再生補助層３との静磁結合力が強くなるように、
再生層１、第１の再生補助層３、および記録層７の磁気
特性がそれぞれ調整されている。
【０１７８】これにより、上記光磁気記録媒体では、記
録層７と再生層１との静磁結合状態および記録層７と第
１の再生補助層３との静磁結合状態とが最適化され、安
定した磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能と
なる。
録層７と再生層１との静磁結合状態および記録層７と第
１の再生補助層３との静磁結合状態とが最適化され、安
定した磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能と
なる。
【０１７９】本実施の形態では、再生層１の材料として
ＧｄＦｅＣｏにＤｙを添加したＧｄＤｙＦｅＣｏを用い
た場合の例を示したが、添加する元素はＧｄＦｅＣｏの
垂直磁気異方性を増大させ、再生層１の遷移温度Ｔｐ３
以上の温度において再生層１の垂直磁化状態を安定に保
つことができるものであれば良く、Ｄｙの代わりにＴｂ
を用いることも可能である。
ＧｄＦｅＣｏにＤｙを添加したＧｄＤｙＦｅＣｏを用い
た場合の例を示したが、添加する元素はＧｄＦｅＣｏの
垂直磁気異方性を増大させ、再生層１の遷移温度Ｔｐ３
以上の温度において再生層１の垂直磁化状態を安定に保
つことができるものであれば良く、Ｄｙの代わりにＴｂ
を用いることも可能である。
【０１８０】なお、本実施の形態では、実施の形態２の
光磁気記録媒体の再生層１をＧｄＤｙＦｅＣｏまたはＧ
ｄＴｂＦｅＣｏとしたが、言うまでもなく実施の形態
１，３，４の光磁気記録媒体にも同様に適用できる。
光磁気記録媒体の再生層１をＧｄＤｙＦｅＣｏまたはＧ
ｄＴｂＦｅＣｏとしたが、言うまでもなく実施の形態
１，３，４の光磁気記録媒体にも同様に適用できる。
【０１８１】〔実施の形態６〕本発明のさらに他の実施
の形態について、図１１から図１４に基づいて説明すれ
ば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施の形
態１から５において示した部材と同一の機能を有する部
材には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
の形態について、図１１から図１４に基づいて説明すれ
ば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、実施の形
態１から５において示した部材と同一の機能を有する部
材には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１８２】図１２に示すように、本実施の形態に係る
光磁気記録媒体は、実施の形態２に係る光磁気記録媒体
（図７）の第１の面内磁化層２と第１の再生補助層３と
の間に、第２の再生補助層５と第３の面内磁化層６とが
形成されている構成である。
光磁気記録媒体は、実施の形態２に係る光磁気記録媒体
（図７）の第１の面内磁化層２と第１の再生補助層３と
の間に、第２の再生補助層５と第３の面内磁化層６とが
形成されている構成である。
【０１８３】まず、図１１および図１２を用いて、本実
施の形態に係る光磁気記録媒体の再生原理について説明
する。図１１および図１２は、上記光磁気記録媒体の再
生時の磁化状態を説明する平面模式図および断面模式図
である。
施の形態に係る光磁気記録媒体の再生原理について説明
する。図１１および図１２は、上記光磁気記録媒体の再
生時の磁化状態を説明する平面模式図および断面模式図
である。
【０１８４】図１２に示すように、本実施の形態に係る
光磁気記録媒体は、再生層１と、第１の面内磁化層２
と、第２の再生補助層５と、第３の面内磁化層６と、第
１の再生補助層３と、第２の面内磁化層４と、非磁性中
間層１６と、記録層７とが順次積層されて構成されてい
る。なお、図１２中の各矢印は、黒い矢印が遷移金属
（ＴＭ）の磁気モーメントの向きを、白抜き矢印が漏洩
磁束の向きをそれぞれ表している。
光磁気記録媒体は、再生層１と、第１の面内磁化層２
と、第２の再生補助層５と、第３の面内磁化層６と、第
１の再生補助層３と、第２の面内磁化層４と、非磁性中
間層１６と、記録層７とが順次積層されて構成されてい
る。なお、図１２中の各矢印は、黒い矢印が遷移金属
（ＴＭ）の磁気モーメントの向きを、白抜き矢印が漏洩
磁束の向きをそれぞれ表している。
【０１８５】上記第２の再生補助層５は、室温において
面内磁化状態であり、温度上昇とともに垂直磁化状態と
なる希土類遷移金属合金からなる。上記第３の面内磁化
層６は、希土類遷移金属、または、希土類金属、また
は、遷移金属、または、遷移金属を主成分とする磁性膜
からなり、膜面に水平な方向に磁化を有するものであ
る。
面内磁化状態であり、温度上昇とともに垂直磁化状態と
なる希土類遷移金属合金からなる。上記第３の面内磁化
層６は、希土類遷移金属、または、希土類金属、また
は、遷移金属、または、遷移金属を主成分とする磁性膜
からなり、膜面に水平な方向に磁化を有するものであ
る。
【０１８６】図１１および図１２に示すように、上記の
光磁気記録媒体は、光ビーム８（光ビームスポット
８’）により加熱されて、記録層７に形成された記録磁
区９が、第１の再生補助層３へと静磁結合により転写さ
れ、第１の再生補助層３に転写された磁区１１が形成さ
れる。第１の再生補助層３に転写された磁区１１は静磁
結合力により第２の再生補助層５へと拡大転写され、磁
区１７が形成される。さらに、該磁区１７が静磁結合力
により再生層１へと拡大転写され、再生層１に拡大転写
された磁区１２が再生される。
光磁気記録媒体は、光ビーム８（光ビームスポット
８’）により加熱されて、記録層７に形成された記録磁
区９が、第１の再生補助層３へと静磁結合により転写さ
れ、第１の再生補助層３に転写された磁区１１が形成さ
れる。第１の再生補助層３に転写された磁区１１は静磁
結合力により第２の再生補助層５へと拡大転写され、磁
区１７が形成される。さらに、該磁区１７が静磁結合力
により再生層１へと拡大転写され、再生層１に拡大転写
された磁区１２が再生される。
【０１８７】第１の再生補助層３に転写された磁区１１
が再生層１の磁区１２に直接転写されるのではなく、一
旦、磁区１１と磁区１２の中間の大きさの磁区１７に拡
大転写され、磁区１７から再生層１の磁区１２に拡大転
写されることによって、磁区１１から磁区１２へ至るス
ムーズな拡大転写が行われる。加えて、磁区１２に対し
て記録磁区９のトータル磁化方向と平行な漏洩磁束を与
える領域の面積を増大させることができ、高い分解能で
磁区１２への拡大転写を行うことができる。さらに、磁
区１２の安定性を高めることができ、光ピックアップか
らの漏れ磁界等の外部から加わる磁界の影響を受けにく
くすることができる。
が再生層１の磁区１２に直接転写されるのではなく、一
旦、磁区１１と磁区１２の中間の大きさの磁区１７に拡
大転写され、磁区１７から再生層１の磁区１２に拡大転
写されることによって、磁区１１から磁区１２へ至るス
ムーズな拡大転写が行われる。加えて、磁区１２に対し
て記録磁区９のトータル磁化方向と平行な漏洩磁束を与
える領域の面積を増大させることができ、高い分解能で
磁区１２への拡大転写を行うことができる。さらに、磁
区１２の安定性を高めることができ、光ピックアップか
らの漏れ磁界等の外部から加わる磁界の影響を受けにく
くすることができる。
【０１８８】ここで、第２の再生補助層５は、室温にお
いて面内磁化状態であり温度上昇とともに垂直磁化状態
となる磁気特性を有するものであり、またトータル磁化
が大きい方が良いため、ＲＥｒｉｃｈ組成であることが
望ましい。この場合、第２の再生補助層５において、Ｔ
Ｍモーメントの向きとトータル磁化の向きとは反平行と
なる。
いて面内磁化状態であり温度上昇とともに垂直磁化状態
となる磁気特性を有するものであり、またトータル磁化
が大きい方が良いため、ＲＥｒｉｃｈ組成であることが
望ましい。この場合、第２の再生補助層５において、Ｔ
Ｍモーメントの向きとトータル磁化の向きとは反平行と
なる。
【０１８９】また、第３の面内磁化層６のキュリー温度
Ｔｃ６は、第２の再生補助層５が垂直磁化状態となる遷
移温度Ｔｐ６近傍（どちらかと言えばＴｃ６≦Ｔｐ６で
ある方が再生マージンを拡大する上で望ましい）に設定
されている。これにより、第３の面内磁化層６における
遷移温度Ｔｐ６未満の温度領域においては、第３の面内
磁化層６との交換結合により面内磁化が強固に保持され
る。
Ｔｃ６は、第２の再生補助層５が垂直磁化状態となる遷
移温度Ｔｐ６近傍（どちらかと言えばＴｃ６≦Ｔｐ６で
ある方が再生マージンを拡大する上で望ましい）に設定
されている。これにより、第３の面内磁化層６における
遷移温度Ｔｐ６未満の温度領域においては、第３の面内
磁化層６との交換結合により面内磁化が強固に保持され
る。
【０１９０】また、第２の再生補助層５は、第１の再生
補助層３に転写された磁区１１が磁区１７に拡大転写さ
れ、拡大転写された磁区１７は、さらに再生層１の磁区
１２へと拡大転写される。したがって、第２の再生補助
層５が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ５は、第１の再
生補助層３が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ３より低
く、再生層１が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ１より
高い温度に設定されている。
補助層３に転写された磁区１１が磁区１７に拡大転写さ
れ、拡大転写された磁区１７は、さらに再生層１の磁区
１２へと拡大転写される。したがって、第２の再生補助
層５が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ５は、第１の再
生補助層３が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ３より低
く、再生層１が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ１より
高い温度に設定されている。
【０１９１】以上により、記録層７の再生しようとする
記録磁区９の第１の再生補助層３への静磁結合による転
写、第２の再生補助層５への静磁結合による拡大転写、
および再生層１への静磁結合による拡大転写がスムーズ
に行われる。
記録磁区９の第１の再生補助層３への静磁結合による転
写、第２の再生補助層５への静磁結合による拡大転写、
および再生層１への静磁結合による拡大転写がスムーズ
に行われる。
【０１９２】より確実に第１の再生補助層３への静磁結
合による転写、第２の再生補助層５への静磁結合による
拡大転写、および再生層１への静磁結合による拡大転写
を実現するためには、遷移温度Ｔｐ１および遷移温度Ｔ
ｐ５近傍で記録層７から発生する漏洩磁束を遷移温度Ｔ
ｐ３近傍で記録層７から発生する漏洩磁束より弱く設定
するとともに、再生層１のキュリー温度Ｔｃ１および第
２の再生補助層５のキュリー温度Ｔｃ５を第１の再生補
助層３のキュリー温度Ｔｃ３より低く設定する。これに
より、再生層１および第２の再生補助層５のトータル磁
化を第１の再生補助層３のトータル磁化よりも小さく
し、遷移温度Ｔｐ１近傍での記録層７と再生層１との静
磁結合力および遷移温度Ｔｐ５近傍での記録層７と第２
の再生補助層５との静磁結合力を、遷移温度Ｔｐ３近傍
での記録層７と第１の再生補助層３との静磁結合力より
も弱くすることができる。
合による転写、第２の再生補助層５への静磁結合による
拡大転写、および再生層１への静磁結合による拡大転写
を実現するためには、遷移温度Ｔｐ１および遷移温度Ｔ
ｐ５近傍で記録層７から発生する漏洩磁束を遷移温度Ｔ
ｐ３近傍で記録層７から発生する漏洩磁束より弱く設定
するとともに、再生層１のキュリー温度Ｔｃ１および第
２の再生補助層５のキュリー温度Ｔｃ５を第１の再生補
助層３のキュリー温度Ｔｃ３より低く設定する。これに
より、再生層１および第２の再生補助層５のトータル磁
化を第１の再生補助層３のトータル磁化よりも小さく
し、遷移温度Ｔｐ１近傍での記録層７と再生層１との静
磁結合力および遷移温度Ｔｐ５近傍での記録層７と第２
の再生補助層５との静磁結合力を、遷移温度Ｔｐ３近傍
での記録層７と第１の再生補助層３との静磁結合力より
も弱くすることができる。
【０１９３】これらの方法により、記録層７から第１の
再生補助層３への静磁結合による転写、第１の再生補助
層３から第２の再生補助層５への静磁結合による拡大転
写、および、第１の再生補助層３から再生層１への拡大
転写が安定に行われる。
再生補助層３への静磁結合による転写、第１の再生補助
層３から第２の再生補助層５への静磁結合による拡大転
写、および、第１の再生補助層３から再生層１への拡大
転写が安定に行われる。
【０１９４】さらに、本実施の形態では、第２の再生補
助層５と第１の再生補助層３との間に、第３の面内磁化
層６が形成されている。これによって、第２の再生補助
層５が垂直磁化状態に遷移する遷移温度Ｔｐ５以下の温
度において、第２の再生補助層５の面内磁化状態が安定
化する。このため、遷移温度Ｔｐ５以上に加熱された領
域で、第２の再生補助層５が面内磁化状態から垂直磁化
状態へと急峻に変化する。したがって、加熱した領域に
おいてのみ、第１の再生補助層３と第２の再生補助層５
とが強く結合することになり、第２の再生補助層５にお
ける再生分解能を向上させることが可能となる。
助層５と第１の再生補助層３との間に、第３の面内磁化
層６が形成されている。これによって、第２の再生補助
層５が垂直磁化状態に遷移する遷移温度Ｔｐ５以下の温
度において、第２の再生補助層５の面内磁化状態が安定
化する。このため、遷移温度Ｔｐ５以上に加熱された領
域で、第２の再生補助層５が面内磁化状態から垂直磁化
状態へと急峻に変化する。したがって、加熱した領域に
おいてのみ、第１の再生補助層３と第２の再生補助層５
とが強く結合することになり、第２の再生補助層５にお
ける再生分解能を向上させることが可能となる。
【０１９５】以上より、上記光磁気記録媒体では、記録
層７から第１の再生補助層３に転写された記録磁区１１
を再生層１に拡大転写する際に、第１の再生補助層３か
ら第２の再生補助層５、再生層１と順次磁区を拡大させ
て転写を行うことによって、スムーズな拡大転写が実現
する。加えて、より広い面積から再生層１の垂直磁化状
態となった領域に対して記録磁区のトータル磁化と平行
な方向の漏洩磁束を加えることができるため、短いマー
ク長においてもより安定に再生層１への拡大転写が実現
すると同時に、光ピックアップからの漏れ磁界等の外乱
の影響を受けにくくすることができる。
層７から第１の再生補助層３に転写された記録磁区１１
を再生層１に拡大転写する際に、第１の再生補助層３か
ら第２の再生補助層５、再生層１と順次磁区を拡大させ
て転写を行うことによって、スムーズな拡大転写が実現
する。加えて、より広い面積から再生層１の垂直磁化状
態となった領域に対して記録磁区のトータル磁化と平行
な方向の漏洩磁束を加えることができるため、短いマー
ク長においてもより安定に再生層１への拡大転写が実現
すると同時に、光ピックアップからの漏れ磁界等の外乱
の影響を受けにくくすることができる。
【０１９６】さらに、上記光磁気記録媒体では、高い再
生分解能でもって第２の再生補助層５へと拡大転写され
た磁区１７が、再生層１へと拡大転写されるため、より
良好な再生信号品質を得ることが可能となる。ゆえに、
上記光磁気記録媒体によれば、良好な記録感度を維持し
つつ、第２の再生補助層５における再生分解能を向上さ
せ、短いマーク長での良好な再生信号品質を実現するこ
とが可能となる。
生分解能でもって第２の再生補助層５へと拡大転写され
た磁区１７が、再生層１へと拡大転写されるため、より
良好な再生信号品質を得ることが可能となる。ゆえに、
上記光磁気記録媒体によれば、良好な記録感度を維持し
つつ、第２の再生補助層５における再生分解能を向上さ
せ、短いマーク長での良好な再生信号品質を実現するこ
とが可能となる。
【０１９７】本実施の形態では、上記の効果を得るため
に、再生層１と第１の再生補助層３との間に、室温にお
いて面内磁化状態であり、Ｔｐ１以上Ｔｐ３以下の遷移
温度以上の温度において垂直磁化状態となる再生補助層
と、該遷移温度近傍にキュリー温度を有する面内磁化層
とをそれぞれ１層づつ積層する形態を示したが、同様の
効果を得るべく、該再生補助層と該面内磁化層とを複数
層繰り返し積層し、該再生補助層の遷移温度を再生層１
側から記録層７側へ順に高くなるように設定する方法を
とることも可能である。
に、再生層１と第１の再生補助層３との間に、室温にお
いて面内磁化状態であり、Ｔｐ１以上Ｔｐ３以下の遷移
温度以上の温度において垂直磁化状態となる再生補助層
と、該遷移温度近傍にキュリー温度を有する面内磁化層
とをそれぞれ１層づつ積層する形態を示したが、同様の
効果を得るべく、該再生補助層と該面内磁化層とを複数
層繰り返し積層し、該再生補助層の遷移温度を再生層１
側から記録層７側へ順に高くなるように設定する方法を
とることも可能である。
【０１９８】つづいて、上記の光磁気記録媒体を適用し
た光磁気ディスクについて具体的に説明する。
た光磁気ディスクについて具体的に説明する。
【０１９９】図１３に示すように、上記光磁気ディスク
は、基板１３上に、透明誘電体保護層１４、再生層１
と、第１の面内磁化層２と、第２の再生補助層５と、第
３の面内磁化層６と、第１の再生補助層３と、第２の面
内磁化層４と、非磁性中間層１６と、記録層７と、保護
層１５が順次積層されて構成されている。なお、上記の
基板１３、透明誘電体保護層１４、再生層１、第１の面
内磁化層２、第１の再生補助層３、第２の面内磁化層
４、非磁性中間層１６、記録層７、保護層１５には、前
記の実施の形態１と同じ材料を同様にして用いることが
可能である。
は、基板１３上に、透明誘電体保護層１４、再生層１
と、第１の面内磁化層２と、第２の再生補助層５と、第
３の面内磁化層６と、第１の再生補助層３と、第２の面
内磁化層４と、非磁性中間層１６と、記録層７と、保護
層１５が順次積層されて構成されている。なお、上記の
基板１３、透明誘電体保護層１４、再生層１、第１の面
内磁化層２、第１の再生補助層３、第２の面内磁化層
４、非磁性中間層１６、記録層７、保護層１５には、前
記の実施の形態１と同じ材料を同様にして用いることが
可能である。
【０２００】第２の再生補助層５のキュリー温度Ｔｃ５
は１６０℃以上３００℃以下であることが望ましい。Ｔ
ｃ１＜１６０℃とした場合、第２の再生補助層５のキュ
リー温度Ｔｃ５の低下にともない第２の再生補助層５の
遷移温度Ｔｐ５近傍での第２の再生補助層５のトータル
磁化が小さくなる。これによって、遷移温度Ｔｐ５近傍
における第１の再生補助層３と第２の再生補助層５との
静磁結合、および、第２の再生補助層５と再生層１との
静磁結合が弱くなるため、第１の再生補助層３から第２
の再生補助層５への磁区の拡大転写、および、第２の再
生補助層５から再生層１への磁区の拡大転写が安定して
実現しなくなる。また、Ｔｃ＞３００℃とした場合、第
２の再生補助層５のキュリー温度Ｔｃ５が上昇すること
により、第２の再生補助層５の遷移温度Ｔｐ５近傍での
第２の再生補助層５の磁化が大きくなるため、遷移温度
Ｔｐ５近傍での第２の再生補助層５と記録層７との結合
が強くなる。これによって、第１の再生補助層３から第
２の再生補助層５への磁区の拡大転写が阻害されるた
め、再生ノイズが上昇し、再生信号品質が劣化する。
は１６０℃以上３００℃以下であることが望ましい。Ｔ
ｃ１＜１６０℃とした場合、第２の再生補助層５のキュ
リー温度Ｔｃ５の低下にともない第２の再生補助層５の
遷移温度Ｔｐ５近傍での第２の再生補助層５のトータル
磁化が小さくなる。これによって、遷移温度Ｔｐ５近傍
における第１の再生補助層３と第２の再生補助層５との
静磁結合、および、第２の再生補助層５と再生層１との
静磁結合が弱くなるため、第１の再生補助層３から第２
の再生補助層５への磁区の拡大転写、および、第２の再
生補助層５から再生層１への磁区の拡大転写が安定して
実現しなくなる。また、Ｔｃ＞３００℃とした場合、第
２の再生補助層５のキュリー温度Ｔｃ５が上昇すること
により、第２の再生補助層５の遷移温度Ｔｐ５近傍での
第２の再生補助層５の磁化が大きくなるため、遷移温度
Ｔｐ５近傍での第２の再生補助層５と記録層７との結合
が強くなる。これによって、第１の再生補助層３から第
２の再生補助層５への磁区の拡大転写が阻害されるた
め、再生ノイズが上昇し、再生信号品質が劣化する。
【０２０１】また、第２の再生補助層５の膜厚は、２０
ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲に設定されていることが望
ましい。第２の再生補助層５の膜厚が２０ｎｍより薄い
場合、再生層１および第１の再生補助層３との静磁結合
が弱くなるため、第１の再生補助層３から第２の再生補
助層５への磁区の拡大転写および第２の再生補助層５か
ら再生層１への磁区の拡大転写が安定して実現しない。
また、第２の再生補助層５の膜厚が６０ｎｍより厚い場
合、膜厚増加によって、記録感度の劣化が顕著となる。
ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲に設定されていることが望
ましい。第２の再生補助層５の膜厚が２０ｎｍより薄い
場合、再生層１および第１の再生補助層３との静磁結合
が弱くなるため、第１の再生補助層３から第２の再生補
助層５への磁区の拡大転写および第２の再生補助層５か
ら再生層１への磁区の拡大転写が安定して実現しない。
また、第２の再生補助層５の膜厚が６０ｎｍより厚い場
合、膜厚増加によって、記録感度の劣化が顕著となる。
【０２０２】また、上記第３の面内磁化層６の膜厚は、
２ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが望ましい。第３の
面内磁化層６の膜厚が２ｎｍより小さくなると、十分な
面内磁化マスク効果が得られず、再生分解能が低下して
しまうことになる。また、第３の面内磁化層６の膜厚が
４０ｎｍより大きくなると、第２の再生補助層５と第１
の再生補助層３との間隔が大きくなることにより、第２
の再生補助層５と第１の再生補助層３との間の静磁結合
力が弱くなり、第１の再生補助層３から第２の再生補助
層５への安定した磁区の転写が困難となる。
２ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが望ましい。第３の
面内磁化層６の膜厚が２ｎｍより小さくなると、十分な
面内磁化マスク効果が得られず、再生分解能が低下して
しまうことになる。また、第３の面内磁化層６の膜厚が
４０ｎｍより大きくなると、第２の再生補助層５と第１
の再生補助層３との間隔が大きくなることにより、第２
の再生補助層５と第１の再生補助層３との間の静磁結合
力が弱くなり、第１の再生補助層３から第２の再生補助
層５への安定した磁区の転写が困難となる。
【０２０３】上述したような磁気特性を満足する第２の
再生補助層５としては、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＮｄＦｅＣｏの
材料からなる希土類遷移金属合金薄膜を採用することが
可能である。また、材料の耐湿性・耐酸化性を改善する
ため、これらの材料にＴａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ等
の金属元素を添加してもよい。第３の面内磁化層６とし
てはＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＤｙ
ＦｅＣｏ、ＧｄＮｄＦｅ、ＧｄＮｄＦｅＣｏ、ＮｄＦ
ｅ、ＮｄＦｅＣｏ等の材料からなる面内磁化膜を用いる
ことが可能である。また、キュリー温度を調整するた
め、これらの材料にＴａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ等の
金属元素を添加してもよい。
再生補助層５としては、ＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＮｄＦｅＣｏの
材料からなる希土類遷移金属合金薄膜を採用することが
可能である。また、材料の耐湿性・耐酸化性を改善する
ため、これらの材料にＴａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ等
の金属元素を添加してもよい。第３の面内磁化層６とし
てはＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＤｙ
ＦｅＣｏ、ＧｄＮｄＦｅ、ＧｄＮｄＦｅＣｏ、ＮｄＦ
ｅ、ＮｄＦｅＣｏ等の材料からなる面内磁化膜を用いる
ことが可能である。また、キュリー温度を調整するた
め、これらの材料にＴａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ等の
金属元素を添加してもよい。
【０２０４】また、上記保護層１５に、Ａｌ、ＡｌＴ
ａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、ＡｌＮｉ、ＡｌＣｏ、Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。加えて、保護層１
５上または上記熱拡散金属層上に、紫外線硬化樹脂、熱
硬化樹脂または潤滑層などを形成することもできる。
ａ、ＡｌＴｉ、ＡｌＣｒ、ＡｌＮｉ、ＡｌＣｏ、Ｃｕ等
からなる熱拡散金属層を付加することにより、媒体の熱
的特性を改善することが可能となる。加えて、保護層１
５上または上記熱拡散金属層上に、紫外線硬化樹脂、熱
硬化樹脂または潤滑層などを形成することもできる。
【０２０５】また、低磁界記録を目的として、記録層７
に接して、記録層７の保磁力より小さな保磁力を有し、
記録層７のキュリー温度Ｔｃ７よりも高いキュリー温度
を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記
録補助層を積層して形成してもよい。
に接して、記録層７の保磁力より小さな保磁力を有し、
記録層７のキュリー温度Ｔｃ７よりも高いキュリー温度
を有する垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記
録補助層を積層して形成してもよい。
【０２０６】次に、上記構成の光磁気ディスクの形成方
法および記録再生方法の具体例を説明する。
法および記録再生方法の具体例を説明する。
【０２０７】（１）光磁気ディスクの形成方法
上記光磁気ディスク（図１３）の形成方法は以下のとお
りである。
りである。
【０２０８】第一に、ＡｌＳｉターゲットと、Ｇｄター
ゲットと、Ｔｂターゲットと、Ｆｅターゲットと、Ｃｏ
ターゲットとを備えたスパッタ装置内に、案内溝を有し
ディスク状に形成されたポリカーボネート製の基板１３
を配置する。
ゲットと、Ｔｂターゲットと、Ｆｅターゲットと、Ｃｏ
ターゲットとを備えたスパッタ装置内に、案内溝を有し
ディスク状に形成されたポリカーボネート製の基板１３
を配置する。
【０２０９】そして、前記実施の形態１に係る光磁気デ
ィスク（図８）と同様にして、上記基板１３上にＡｌＳ
ｉＮからなる透明誘電体保護層１４を膜厚８０ｎｍで形
成する。続けて、上記透明誘電体保護層１４上に、Ｇｄ
0.27（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0. 73からなる再生層１を膜厚
２０ｎｍで形成する。なお、続けて、上記再生層１上に
Ｇｄ0.09Ｆｅ0.91からなる第１の面内磁化層２を膜厚１
０ｎｍで形成する。
ィスク（図８）と同様にして、上記基板１３上にＡｌＳ
ｉＮからなる透明誘電体保護層１４を膜厚８０ｎｍで形
成する。続けて、上記透明誘電体保護層１４上に、Ｇｄ
0.27（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12）0. 73からなる再生層１を膜厚
２０ｎｍで形成する。なお、続けて、上記再生層１上に
Ｇｄ0.09Ｆｅ0.91からなる第１の面内磁化層２を膜厚１
０ｎｍで形成する。
【０２１０】さらに続けて、上記第１の面内磁化層２上
に、Ｇｄ0.29（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12） 0.71からなる第２の
再生補助層５を膜厚２０ｎｍで形成する。さらに続け
て、上記第２の再生補助層５上にＧｄ0.11Ｆｅ0.89から
なる第３の面内磁化層６を膜厚１０ｎｍで形成する。上
記第３の面内磁化層６上に、Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.
22）0.69からなる第１の再生補助層３を膜厚２０ｎｍで
形成する。さらに続けて、上記第１の再生補助層３上に
Ｇｄ0.13Ｆｅ0.87からなる第２の面内磁化層４を膜厚１
０ｎｍで形成する。なお、形成された第２の再生補助層
５は、室温において面内磁化状態であり、１２５℃の温
度で垂直磁化状態となり、キュリー温度Ｔｃ５が２５０
℃であった。また、形成された第３の面内磁化層６は、
キュリー温度Ｔｃ４が１２５℃であり、室温からキュリ
ー温度Ｔｃ６まで、膜面内に磁化を有する面内磁化膜で
あった。
に、Ｇｄ0.29（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.12） 0.71からなる第２の
再生補助層５を膜厚２０ｎｍで形成する。さらに続け
て、上記第２の再生補助層５上にＧｄ0.11Ｆｅ0.89から
なる第３の面内磁化層６を膜厚１０ｎｍで形成する。上
記第３の面内磁化層６上に、Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.
22）0.69からなる第１の再生補助層３を膜厚２０ｎｍで
形成する。さらに続けて、上記第１の再生補助層３上に
Ｇｄ0.13Ｆｅ0.87からなる第２の面内磁化層４を膜厚１
０ｎｍで形成する。なお、形成された第２の再生補助層
５は、室温において面内磁化状態であり、１２５℃の温
度で垂直磁化状態となり、キュリー温度Ｔｃ５が２５０
℃であった。また、形成された第３の面内磁化層６は、
キュリー温度Ｔｃ４が１２５℃であり、室温からキュリ
ー温度Ｔｃ６まで、膜面内に磁化を有する面内磁化膜で
あった。
【０２１１】第二に、引き続き、ＡｌＳｉ合金ターゲッ
トに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件
で、上記第３の面内磁化層６上に、ＡｌＳｉからなる非
磁性中間層１６を膜厚１ｎｍで形成する。
トに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件
で、上記第３の面内磁化層６上に、ＡｌＳｉからなる非
磁性中間層１６を膜厚１ｎｍで形成する。
【０２１２】第三に、引き続き、前記実施の形態２に係
る光磁気ディスク（図８）と同様にして、上記非磁性中
間層１６上に、Ｔｂ0.25（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.75から
なる記録層７を膜厚６０ｎｍで形成する。続けて、上記
記録層７上にＡｌＳｉＮからなる保護層１５を膜厚２０
ｎｍで形成する。
る光磁気ディスク（図８）と同様にして、上記非磁性中
間層１６上に、Ｔｂ0.25（Ｆｅ0.84Ｃｏ0.16）0.75から
なる記録層７を膜厚６０ｎｍで形成する。続けて、上記
記録層７上にＡｌＳｉＮからなる保護層１５を膜厚２０
ｎｍで形成する。
【０２１３】（２）記録再生特性
上記光磁気ディスク（サンプル＃４とする）の記録再生
特性は以下のとおりである。具体的には、上記光磁気デ
ィスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光磁
気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で評価した
結果について説明する。
特性は以下のとおりである。具体的には、上記光磁気デ
ィスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光磁
気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で評価した
結果について説明する。
【０２１４】まず、記録再生用レーザを７．２ｍＷで連
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより、記録層７に記録磁界の向きに対応した上向
き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。
そして、記録磁界の変調周波数を変えることにより、
０．２〜０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを
記録した。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する
長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成
していることを意味する。
続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調する
ことにより、記録層７に記録磁界の向きに対応した上向
き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。
そして、記録磁界の変調周波数を変えることにより、
０．２〜０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを
記録した。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する
長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成
していることを意味する。
【０２１５】図１４は、記録再生用レーザを２．４ｍＷ
で連続照射して測定したサンプル＃４のＣＮＲ（信号対
雑音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、
比較のため、実施の形態２に係る光磁気ディスク、すな
わちサンプル＃４の第２の再生補助層５と第３の面内磁
化層６がない光磁気ディスク（図８）であるサンプル＃
２のＣＮＲのマーク長依存性のグラフもあわせて示す。
で連続照射して測定したサンプル＃４のＣＮＲ（信号対
雑音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、
比較のため、実施の形態２に係る光磁気ディスク、すな
わちサンプル＃４の第２の再生補助層５と第３の面内磁
化層６がない光磁気ディスク（図８）であるサンプル＃
２のＣＮＲのマーク長依存性のグラフもあわせて示す。
【０２１６】図１４に示したように、ＣＮＲについて、
サンプル＃４とサンプル＃２とを比較すると、いずれの
マーク長においてもサンプル＃４のＣＮＲがサンプル＃
２のＣＮＲよりも高くなっていることがわかる。
サンプル＃４とサンプル＃２とを比較すると、いずれの
マーク長においてもサンプル＃４のＣＮＲがサンプル＃
２のＣＮＲよりも高くなっていることがわかる。
【０２１７】このように、本実施の形態に係るサンプル
＃４は、第２の再生補助層５および第３の面内磁化層６
を設けることにより、サンプル＃２よりもより安定に磁
区の拡大転写が行われるとともに、再生層１と第２の再
生補助層５とが強く静磁結合することにより、拡大転写
後の磁区１２がより安定に保持されるため、光ピックア
ップからの漏れ磁界等の外乱の影響を受けにくく、良好
な信号品質が得られる磁区拡大再生を実現することがで
きる。
＃４は、第２の再生補助層５および第３の面内磁化層６
を設けることにより、サンプル＃２よりもより安定に磁
区の拡大転写が行われるとともに、再生層１と第２の再
生補助層５とが強く静磁結合することにより、拡大転写
後の磁区１２がより安定に保持されるため、光ピックア
ップからの漏れ磁界等の外乱の影響を受けにくく、良好
な信号品質が得られる磁区拡大再生を実現することがで
きる。
【０２１８】以上のように、本実施の形態に係る光磁気
記録媒体によれば、記録層７に記録された磁化情報が第
１の再生補助層３へと転写され、さらに第２の再生補助
層５、再生層１へと順次拡大転写される。これにより、
第１の再生補助層３の磁区１１から再生層１の磁区１２
への拡大転写が安定に行われる。加えて、より広い面積
から再生層１の垂直磁化状態となった領域に対して記録
磁区のトータル磁化と平行な方向の漏洩磁束を加えるこ
とができ、光の回折限界以下の周期の信号を記録層７に
記録した場合においても、再生信号振幅を低下させるこ
となく、外乱の影響を受けにくい磁区拡大を実現するこ
とができる。そして、上記光磁気記録媒体では、非磁性
中間層１６によって、第２の面内磁化層４と記録層７と
の交換結合が遮断されるため、第２の面内磁化層４の薄
膜化が可能となり、記録パワーおよび再生パワーを低減
することが可能となる。
記録媒体によれば、記録層７に記録された磁化情報が第
１の再生補助層３へと転写され、さらに第２の再生補助
層５、再生層１へと順次拡大転写される。これにより、
第１の再生補助層３の磁区１１から再生層１の磁区１２
への拡大転写が安定に行われる。加えて、より広い面積
から再生層１の垂直磁化状態となった領域に対して記録
磁区のトータル磁化と平行な方向の漏洩磁束を加えるこ
とができ、光の回折限界以下の周期の信号を記録層７に
記録した場合においても、再生信号振幅を低下させるこ
となく、外乱の影響を受けにくい磁区拡大を実現するこ
とができる。そして、上記光磁気記録媒体では、非磁性
中間層１６によって、第２の面内磁化層４と記録層７と
の交換結合が遮断されるため、第２の面内磁化層４の薄
膜化が可能となり、記録パワーおよび再生パワーを低減
することが可能となる。
【０２１９】さらに、遷移温度Ｔｐ１における記録層７
と再生層１との静磁結合力および遷移温度Ｔｐ５におけ
る記録層７と第２の再生補助層５との静磁結合よりも、
遷移温度Ｔｐ３における記録層７と第１の再生補助層３
との静磁結合力が強くなるように、再生層１、第２の再
生補助層５、第１の再生補助層３、および記録層７の磁
気特性がそれぞれ調整しておけば、記録層７と再生層１
との静磁結合状態、記録層７と第２の再生補助層５との
静磁結合状態および記録層７と第１の再生補助層３との
静磁結合状態とが最適化され、安定した磁区転写および
磁区拡大再生を行うことが可能となる。
と再生層１との静磁結合力および遷移温度Ｔｐ５におけ
る記録層７と第２の再生補助層５との静磁結合よりも、
遷移温度Ｔｐ３における記録層７と第１の再生補助層３
との静磁結合力が強くなるように、再生層１、第２の再
生補助層５、第１の再生補助層３、および記録層７の磁
気特性がそれぞれ調整しておけば、記録層７と再生層１
との静磁結合状態、記録層７と第２の再生補助層５との
静磁結合状態および記録層７と第１の再生補助層３との
静磁結合状態とが最適化され、安定した磁区転写および
磁区拡大再生を行うことが可能となる。
【０２２０】なお、本実施の形態では、実施の形態２の
光磁気記録媒体に第２の再生補助層５と第３の面内磁化
層６とを加えたものについて説明したが、もちろん実施
の形態１の光磁気記録媒体にも適用できる。
光磁気記録媒体に第２の再生補助層５と第３の面内磁化
層６とを加えたものについて説明したが、もちろん実施
の形態１の光磁気記録媒体にも適用できる。
【０２２１】〔実施の形態７〕本発明のさらに他の実施
の形態について説明すれば以下のとおりである。
の形態について説明すれば以下のとおりである。
【０２２２】本実施の形態に係る光磁気記録媒体は、上
記の実施の形態６に係る光磁気記録媒体（図１２）と同
じ構成、同じ再生原理を用いた光磁気記録媒体であり、
第１の再生補助層３の材料として、実施の形態３で用い
たＧｄＦｅＣｏに代わり、Ｇｄの一部をＤｙで置換した
ＧｄＤｙＦｅＣｏを用いたものである。
記の実施の形態６に係る光磁気記録媒体（図１２）と同
じ構成、同じ再生原理を用いた光磁気記録媒体であり、
第１の再生補助層３の材料として、実施の形態３で用い
たＧｄＦｅＣｏに代わり、Ｇｄの一部をＤｙで置換した
ＧｄＤｙＦｅＣｏを用いたものである。
【０２２３】上記構成の光磁気ディスク、すなわち、上
記実施の形態６に示した光磁気ディスク（図１３）と同
じ構成であり、第１の再生補助層３の材料として、Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏを用いた光磁気ディスクを作製し、記録再
生を行った。上記光磁気ディスクの記録再生にあたって
は、上記の実施の形態６に示した記録再生条件を用い
た。具体的には、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用い
た光磁気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で、
記録再生用レーザを７．２ｍＷで連続照射しながら、記
録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調することにより、記録層
７に記録磁界の向きに対応した上向き磁化と下向き磁化
との繰り返しパターンを形成した。再生時には、記録再
生用レーザを２．４ｍＷで連続照射して測定した。
記実施の形態６に示した光磁気ディスク（図１３）と同
じ構成であり、第１の再生補助層３の材料として、Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏを用いた光磁気ディスクを作製し、記録再
生を行った。上記光磁気ディスクの記録再生にあたって
は、上記の実施の形態６に示した記録再生条件を用い
た。具体的には、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用い
た光磁気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で、
記録再生用レーザを７．２ｍＷで連続照射しながら、記
録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調することにより、記録層
７に記録磁界の向きに対応した上向き磁化と下向き磁化
との繰り返しパターンを形成した。再生時には、記録再
生用レーザを２．４ｍＷで連続照射して測定した。
【０２２４】第１の再生補助層３の材料としては、上記
の実施の形態３の表１および表２に示したものと同一組
成のＧｄＤｙＦｅＣｏを用い、上記の実施の形態３と同
様にマーク長０．２μｍにおけるＣＮＲの測定を行っ
た。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する長さの
記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成してい
ることを意味する。
の実施の形態３の表１および表２に示したものと同一組
成のＧｄＤｙＦｅＣｏを用い、上記の実施の形態３と同
様にマーク長０．２μｍにおけるＣＮＲの測定を行っ
た。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する長さの
記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成してい
ることを意味する。
【０２２５】希土類金属成分に占めるＤｙの割合を変化
させた光磁気ディスクについて測定した結果、希土類金
属成分に占めるＤｙの割合が１％と小さい光磁気ディス
クにおいては、上記の実施の形態４と同様に、第１の再
生補助層３が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ３近傍に
おいて、第１の再生補助層３の垂直磁化状態を安定に保
つことができず、第１の再生補助層３にＧｄＦｅＣｏを
用いた光磁気ディスク（上記実施の形態６におけるサン
プル＃４）と比較してＣＮＲが低くなった。
させた光磁気ディスクについて測定した結果、希土類金
属成分に占めるＤｙの割合が１％と小さい光磁気ディス
クにおいては、上記の実施の形態４と同様に、第１の再
生補助層３が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ３近傍に
おいて、第１の再生補助層３の垂直磁化状態を安定に保
つことができず、第１の再生補助層３にＧｄＦｅＣｏを
用いた光磁気ディスク（上記実施の形態６におけるサン
プル＃４）と比較してＣＮＲが低くなった。
【０２２６】これに対して、希土類金属成分に占めるＤ
ｙの割合が２％以上２８％以下の光磁気ディスクにおい
ては、サンプル＃３と比較して０．５ｄＢ以上高いＣＮ
Ｒが得られることが確認された。
ｙの割合が２％以上２８％以下の光磁気ディスクにおい
ては、サンプル＃３と比較して０．５ｄＢ以上高いＣＮ
Ｒが得られることが確認された。
【０２２７】これは、Ｄｙを添加したことにより、第１
の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷移温度Ｔ
ｐ３以上の温度での垂直磁化状態がＧｄＦｅＣｏを用い
た場合に比べて安定化したこと、および、第１の再生補
助層３の垂直磁気異方性が増大したことにより、Ｃｏ含
有量が多くキュリー温度が高い組成においても、安定し
た垂直磁化状態を維持することができるため、遷移温度
Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層３トータル磁化が大き
くなり、第１の再生補助層３と第２の再生補助層５、お
よび第１の再生補助層３と記録層７との間の静磁結合力
が強まったことによるものである。
の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷移温度Ｔ
ｐ３以上の温度での垂直磁化状態がＧｄＦｅＣｏを用い
た場合に比べて安定化したこと、および、第１の再生補
助層３の垂直磁気異方性が増大したことにより、Ｃｏ含
有量が多くキュリー温度が高い組成においても、安定し
た垂直磁化状態を維持することができるため、遷移温度
Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層３トータル磁化が大き
くなり、第１の再生補助層３と第２の再生補助層５、お
よび第１の再生補助層３と記録層７との間の静磁結合力
が強まったことによるものである。
【０２２８】これに対して、希土類金属成分に占めるＤ
ｙの割合がが３４％と高い光磁気ディスクでは、第１の
再生補助層３が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ３以上
の温度において、該第１の再生補助層３の保磁力が増大
し、再生時に記録層から発生する漏洩磁束に追従しにく
くなったため、記録層の再生しようとする記録磁区９が
第１の再生補助層３の磁区１１に安定に転写されず、Ｃ
ＮＲはサンプル＃４のＣＮＲを下回った。
ｙの割合がが３４％と高い光磁気ディスクでは、第１の
再生補助層３が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ３以上
の温度において、該第１の再生補助層３の保磁力が増大
し、再生時に記録層から発生する漏洩磁束に追従しにく
くなったため、記録層の再生しようとする記録磁区９が
第１の再生補助層３の磁区１１に安定に転写されず、Ｃ
ＮＲはサンプル＃４のＣＮＲを下回った。
【０２２９】また、上記の希土類金属成分に占めるＤｙ
の割合を変化させた測定結果において、最も高いＣＮＲ
を示した組成、すなわち、（Ｇｄ0.84Ｄｙ0.16）
0.35（Ｆｅ 0.50Ｃｏ0.50）0.65の、希土類金属成分に占
めるＤｙの割合を１６％一定とし、ＦｅとＣｏの比率を
変化させた光磁気ディスクについても、上記の実施の形
態３の表２に示したものと同一組成のＧｄＤｙＦｅＣｏ
を用い、マーク長０．２μｍにおけるＣＮＲを測定し
た。
の割合を変化させた測定結果において、最も高いＣＮＲ
を示した組成、すなわち、（Ｇｄ0.84Ｄｙ0.16）
0.35（Ｆｅ 0.50Ｃｏ0.50）0.65の、希土類金属成分に占
めるＤｙの割合を１６％一定とし、ＦｅとＣｏの比率を
変化させた光磁気ディスクについても、上記の実施の形
態３の表２に示したものと同一組成のＧｄＤｙＦｅＣｏ
を用い、マーク長０．２μｍにおけるＣＮＲを測定し
た。
【０２３０】その結果、遷移金属成分に占めるＣｏの割
合が３０％と小さい光磁気ディスクにおいては、上記の
実施の形態３と同様に、第１の再生補助層３のキュリー
温度が２６０℃と低く、第１の再生補助層３の遷移温度
Ｔｐ３近傍でのトータル磁化が小さくなったことによ
り、遷移温度Ｔｐ３近傍における記録層７と第１の再生
補助層３との静磁結合がサンプル＃４よりも弱くなり、
サンプル＃４と比較してＣＮＲが低くなった。
合が３０％と小さい光磁気ディスクにおいては、上記の
実施の形態３と同様に、第１の再生補助層３のキュリー
温度が２６０℃と低く、第１の再生補助層３の遷移温度
Ｔｐ３近傍でのトータル磁化が小さくなったことによ
り、遷移温度Ｔｐ３近傍における記録層７と第１の再生
補助層３との静磁結合がサンプル＃４よりも弱くなり、
サンプル＃４と比較してＣＮＲが低くなった。
【０２３１】一方、遷移金属に占めるＣｏの割合が３５
％および４０％の光磁気ディスクでは、第１の再生補助
層３のキュリー温度がサンプル＃４の第１の再生補助層
３のキュリー温度よりも低いか、または、同程度であっ
たが、サンプル＃４のＣＮＲと比較して０．５ｄＢ以上
高いＣＮＲが得られた。これは、Ｄｙを添加したことに
より、第１の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、
遷移温度Ｔｐ３以上の温度での垂直磁化状態が安定化し
たことによるものである。これにより、Ｄｙを添加する
ことにより垂直磁化状態が安定化し、高い分解能で磁区
の転写を行うことが可能であることがわかる。
％および４０％の光磁気ディスクでは、第１の再生補助
層３のキュリー温度がサンプル＃４の第１の再生補助層
３のキュリー温度よりも低いか、または、同程度であっ
たが、サンプル＃４のＣＮＲと比較して０．５ｄＢ以上
高いＣＮＲが得られた。これは、Ｄｙを添加したことに
より、第１の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、
遷移温度Ｔｐ３以上の温度での垂直磁化状態が安定化し
たことによるものである。これにより、Ｄｙを添加する
ことにより垂直磁化状態が安定化し、高い分解能で磁区
の転写を行うことが可能であることがわかる。
【０２３２】また、遷移金属に占めるＣｏの割合が５０
％以上７０％以下の光磁気ディスクにおいては、サンプ
ル＃４と比較して１ｄＢ以上高いＣＮＲが得られた。
％以上７０％以下の光磁気ディスクにおいては、サンプ
ル＃４と比較して１ｄＢ以上高いＣＮＲが得られた。
【０２３３】これは、Ｄｙを添加したことにより、第１
の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷移温度Ｔ
ｐ３以上の温度での垂直磁化状態が安定化したこと、お
よび、遷移金属成分に占めるＣｏの割合を高めたことに
より、第１の再生補助層３のキュリー温度が上昇し、こ
れによって、遷移温度Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層
３のトータル磁化が大きくなり、第１の再生補助層３と
第２の再生補助層５および第１の再生補助層３と記録層
７との間の静磁結合力が強まったことによるものであ
る。
の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷移温度Ｔ
ｐ３以上の温度での垂直磁化状態が安定化したこと、お
よび、遷移金属成分に占めるＣｏの割合を高めたことに
より、第１の再生補助層３のキュリー温度が上昇し、こ
れによって、遷移温度Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層
３のトータル磁化が大きくなり、第１の再生補助層３と
第２の再生補助層５および第１の再生補助層３と記録層
７との間の静磁結合力が強まったことによるものであ
る。
【０２３４】これに対し、遷移金属に占めるＣｏの割合
が８０％の光磁気ディスクにおいては、ＣＮＲが大きく
低下した。これは、遷移金属成分に占めるＣｏの割合が
高すぎることにより、第１の再生補助層３が面内磁化状
態から垂直磁化状態に遷移しなかったことによるもので
ある。
が８０％の光磁気ディスクにおいては、ＣＮＲが大きく
低下した。これは、遷移金属成分に占めるＣｏの割合が
高すぎることにより、第１の再生補助層３が面内磁化状
態から垂直磁化状態に遷移しなかったことによるもので
ある。
【０２３５】以上のことから、第１の再生補助層３の材
料として、希土類金属成分に占めるＤｙの割合が２％以
上２８％以下であり、遷移金属成分に占めるＣｏの割合
が３５％以上７０％以下のＧｄＤｙＦｅＣｏを用いるこ
とにより、第１の再生補助層３が垂直磁化状態となる遷
移温度Ｔｐ３近傍の温度において、第１の再生補助層３
の垂直磁化状態を安定化させることが可能となる。
料として、希土類金属成分に占めるＤｙの割合が２％以
上２８％以下であり、遷移金属成分に占めるＣｏの割合
が３５％以上７０％以下のＧｄＤｙＦｅＣｏを用いるこ
とにより、第１の再生補助層３が垂直磁化状態となる遷
移温度Ｔｐ３近傍の温度において、第１の再生補助層３
の垂直磁化状態を安定化させることが可能となる。
【０２３６】さらに、上記組成の範囲内において遷移金
属成分に占めるＣｏの割合が高い組成を選択すれば、第
１の再生補助層３のキュリー温度を高めることが可能と
なり、第１の再生補助層３のトータル磁化を大きくする
ことができる。これにより、第１の再生補助層３と第２
の再生補助層５および第１の再生補助層３と記録層７と
の静磁結合力を強めることができ、安定した磁区転写お
よび磁区拡大再生が実現することによって、高いＣＮＲ
を示す磁区拡大再生光磁気記録媒体を実現することが可
能となる。
属成分に占めるＣｏの割合が高い組成を選択すれば、第
１の再生補助層３のキュリー温度を高めることが可能と
なり、第１の再生補助層３のトータル磁化を大きくする
ことができる。これにより、第１の再生補助層３と第２
の再生補助層５および第１の再生補助層３と記録層７と
の静磁結合力を強めることができ、安定した磁区転写お
よび磁区拡大再生が実現することによって、高いＣＮＲ
を示す磁区拡大再生光磁気記録媒体を実現することが可
能となる。
【０２３７】〔実施の形態８〕本発明のさらに他の実施
の形態について説明すれば以下のとおりである。
の形態について説明すれば以下のとおりである。
【０２３８】本実施の形態に係る光磁気記録媒体は、上
記の実施の形態６に係る光磁気記録媒体（図１２）と同
じ構成、同じ再生原理を用いた光磁気記録媒体であり、
第１の再生補助層３の材料として、実施の形態６で用い
たＧｄＦｅＣｏに代わり、Ｇｄの一部をＴｂで置換した
ＧｄＴｂＦｅＣｏを用いたものである。
記の実施の形態６に係る光磁気記録媒体（図１２）と同
じ構成、同じ再生原理を用いた光磁気記録媒体であり、
第１の再生補助層３の材料として、実施の形態６で用い
たＧｄＦｅＣｏに代わり、Ｇｄの一部をＴｂで置換した
ＧｄＴｂＦｅＣｏを用いたものである。
【０２３９】上記構成の光磁気ディスク、すなわち、上
記実施の形態６に示した光磁気ディスク（図１３）と同
じ構成であり、第１の再生補助層３の材料として、Ｇｄ
ＴｂＦｅＣｏを用いた光磁気ディスクを作製し、記録再
生を行った。上記光磁気ディスクの記録再生にあたって
は、上記の実施の形態６に示した記録再生条件を用い
た。具体的には、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用い
た光磁気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で、
記録再生用レーザを７．２ｍＷで連続照射しながら、記
録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調することにより、記録層
７に記録磁界の向きに対応した上向き磁化と下向き磁化
との繰り返しパターンを形成した。再生時には、記録再
生用レーザを２．４ｍＷで連続照射して測定した。
記実施の形態６に示した光磁気ディスク（図１３）と同
じ構成であり、第１の再生補助層３の材料として、Ｇｄ
ＴｂＦｅＣｏを用いた光磁気ディスクを作製し、記録再
生を行った。上記光磁気ディスクの記録再生にあたって
は、上記の実施の形態６に示した記録再生条件を用い
た。具体的には、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用い
た光磁気ピックアップで、線速２．５ｍ／ｓの条件で、
記録再生用レーザを７．２ｍＷで連続照射しながら、記
録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調することにより、記録層
７に記録磁界の向きに対応した上向き磁化と下向き磁化
との繰り返しパターンを形成した。再生時には、記録再
生用レーザを２．４ｍＷで連続照射して測定した。
【０２４０】第１の再生補助層３の材料としては、上記
の実施の形態４の表３および表４に示したものと同一組
成のＧｄＴｂＦｅＣｏを用い、上記の実施の形態６と同
様にマーク長０．２μｍにおけるＣＮＲの測定を行っ
た。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する長さの
記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成してい
ることを意味する。
の実施の形態４の表３および表４に示したものと同一組
成のＧｄＴｂＦｅＣｏを用い、上記の実施の形態６と同
様にマーク長０．２μｍにおけるＣＮＲの測定を行っ
た。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する長さの
記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成してい
ることを意味する。
【０２４１】まず、希土類金属成分に占めるＴｂの割合
を変化させた光磁気ディスクについて測定した結果、希
土類金属成分に占めるＴｂの割合が０．０５％と小さい
光磁気ディスクにおいては、上記の実施の形態４と同様
に、第１の再生補助層３が垂直磁化状態となる遷移温度
Ｔｐ３近傍において、第１の再生補助層３の垂直磁化状
態を安定に保つことができず、第１の再生補助層３にＧ
ｄＦｅＣｏを用いた光磁気ディスク（上記実施の形態６
におけるサンプル＃４）と比較してＣＮＲが低くなっ
た。
を変化させた光磁気ディスクについて測定した結果、希
土類金属成分に占めるＴｂの割合が０．０５％と小さい
光磁気ディスクにおいては、上記の実施の形態４と同様
に、第１の再生補助層３が垂直磁化状態となる遷移温度
Ｔｐ３近傍において、第１の再生補助層３の垂直磁化状
態を安定に保つことができず、第１の再生補助層３にＧ
ｄＦｅＣｏを用いた光磁気ディスク（上記実施の形態６
におけるサンプル＃４）と比較してＣＮＲが低くなっ
た。
【０２４２】これに対して、希土類金属成分に占めるＴ
ｂの割合が１％以上２０％以下の光磁気ディスクにおい
ては、サンプル＃４と比較して０．５ｄＢ以上高いＣＮ
Ｒが得られることが確認された。
ｂの割合が１％以上２０％以下の光磁気ディスクにおい
ては、サンプル＃４と比較して０．５ｄＢ以上高いＣＮ
Ｒが得られることが確認された。
【０２４３】これは、Ｔｂを添加したことにより、第１
の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷移温度Ｔ
ｐ３以上の温度での垂直磁化状態がＧｄＦｅＣｏを用い
た場合に比べて安定化したこと、および、第１の再生補
助層３の垂直磁気異方性が増大したことにより、Ｃｏ含
有量が多くキュリー温度が高い組成においても、安定し
た垂直磁化状態を維持することができるため、遷移温度
Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層３トータル磁化が大き
くなり、第１の再生補助層３と第２の再生補助層５およ
び第１の再生補助層３と記録層７との間の静磁結合力が
強まったことによるものである。
の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷移温度Ｔ
ｐ３以上の温度での垂直磁化状態がＧｄＦｅＣｏを用い
た場合に比べて安定化したこと、および、第１の再生補
助層３の垂直磁気異方性が増大したことにより、Ｃｏ含
有量が多くキュリー温度が高い組成においても、安定し
た垂直磁化状態を維持することができるため、遷移温度
Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層３トータル磁化が大き
くなり、第１の再生補助層３と第２の再生補助層５およ
び第１の再生補助層３と記録層７との間の静磁結合力が
強まったことによるものである。
【０２４４】これに対して、希土類金属成分に占めるＴ
ｂの割合がが２４％と高い光磁気ディスクでは、第１の
再生補助層３が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ３以上
の温度において、該第１の再生補助層３の保磁力が増大
し、再生時に記録層から発生する漏洩磁束に追従しにく
くなったため、記録層の再生しようとする記録磁区９が
第１の再生補助層３の磁区１１に安定に転写されず、Ｃ
ＮＲはサンプル＃４のＣＮＲを下回った。
ｂの割合がが２４％と高い光磁気ディスクでは、第１の
再生補助層３が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ３以上
の温度において、該第１の再生補助層３の保磁力が増大
し、再生時に記録層から発生する漏洩磁束に追従しにく
くなったため、記録層の再生しようとする記録磁区９が
第１の再生補助層３の磁区１１に安定に転写されず、Ｃ
ＮＲはサンプル＃４のＣＮＲを下回った。
【０２４５】また、上記の希土類金属成分に占めるＴｂ
の割合を変化させた測定結果において、最も高いＣＮＲ
を示した組成、すなわち、（Ｇｄ0.84Ｔｂ0.08）
0.34（Ｆｅ 0.40Ｃｏ0.60）0.66の、希土類金属成分に占
めるＴｂの割合を８％一定とし、ＦｅとＣｏの比率を変
化させた光磁気ディスクについても、上記の実施の形態
４の表４に示したものと同一組成のＧｄＴｂＦｅＣｏを
用い、マーク長０．２μｍにおけるＣＮＲを測定した。
の割合を変化させた測定結果において、最も高いＣＮＲ
を示した組成、すなわち、（Ｇｄ0.84Ｔｂ0.08）
0.34（Ｆｅ 0.40Ｃｏ0.60）0.66の、希土類金属成分に占
めるＴｂの割合を８％一定とし、ＦｅとＣｏの比率を変
化させた光磁気ディスクについても、上記の実施の形態
４の表４に示したものと同一組成のＧｄＴｂＦｅＣｏを
用い、マーク長０．２μｍにおけるＣＮＲを測定した。
【０２４６】その結果、遷移金属成分に占めるＣｏの割
合が２５％と小さい光磁気ディスクにおいては、上記の
実施の形態４と同様に、第１の再生補助層３のキュリー
温度が２７０℃と低く、第１の再生補助層３の遷移温度
Ｔｐ３近傍でのトータル磁化が小さくなったことによ
り、遷移温度Ｔｐ３近傍における記録層７と第１の再生
補助層３との静磁結合がサンプル＃４よりも弱くなり、
サンプル＃４と比較してＣＮＲが低くなった。
合が２５％と小さい光磁気ディスクにおいては、上記の
実施の形態４と同様に、第１の再生補助層３のキュリー
温度が２７０℃と低く、第１の再生補助層３の遷移温度
Ｔｐ３近傍でのトータル磁化が小さくなったことによ
り、遷移温度Ｔｐ３近傍における記録層７と第１の再生
補助層３との静磁結合がサンプル＃４よりも弱くなり、
サンプル＃４と比較してＣＮＲが低くなった。
【０２４７】一方、遷移金属に占めるＣｏの割合が３０
％の光磁気ディスクでは、第１の再生補助層３のキュリ
ー温度がサンプル＃４の第１の再生補助層３のキュリー
温度と同じであったが、サンプル＃４のＣＮＲと比較し
て０．５ｄＢ以上高いＣＮＲが得られた。これは、Ｔｂ
を添加したことにより、第１の再生補助層３の垂直磁気
異方性が増大し、遷移温度Ｔｐ３以上の温度での垂直磁
化状態が安定化したことによるものである。これによ
り、Ｔｂを添加することにより垂直磁化状態が安定化
し、高い分解能で磁区の転写を行うことが可能であるこ
とがわかる。
％の光磁気ディスクでは、第１の再生補助層３のキュリ
ー温度がサンプル＃４の第１の再生補助層３のキュリー
温度と同じであったが、サンプル＃４のＣＮＲと比較し
て０．５ｄＢ以上高いＣＮＲが得られた。これは、Ｔｂ
を添加したことにより、第１の再生補助層３の垂直磁気
異方性が増大し、遷移温度Ｔｐ３以上の温度での垂直磁
化状態が安定化したことによるものである。これによ
り、Ｔｂを添加することにより垂直磁化状態が安定化
し、高い分解能で磁区の転写を行うことが可能であるこ
とがわかる。
【０２４８】また、遷移金属に占めるＣｏの割合が４０
％以上の光磁気ディスクにおいては、サンプル＃４と比
較して１ｄＢ以上高いＣＮＲが得られた。
％以上の光磁気ディスクにおいては、サンプル＃４と比
較して１ｄＢ以上高いＣＮＲが得られた。
【０２４９】これは、Ｔｂを添加したことにより、第１
の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷移温度Ｔ
ｐ３以上の温度での垂直磁化状態が安定化したこと、お
よび、遷移金属成分に占めるＣｏの割合を高めたことに
より、第１の再生補助層３のキュリー温度が上昇し、こ
れによって、遷移温度Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層
３のトータル磁化が大きくなり、第１の再生補助層３と
第２の再生補助層５および第１の再生補助層３と記録層
７との間の静磁結合力が強まったことによるものであ
る。
の再生補助層３の垂直磁気異方性が増大し、遷移温度Ｔ
ｐ３以上の温度での垂直磁化状態が安定化したこと、お
よび、遷移金属成分に占めるＣｏの割合を高めたことに
より、第１の再生補助層３のキュリー温度が上昇し、こ
れによって、遷移温度Ｔｐ３近傍での第１の再生補助層
３のトータル磁化が大きくなり、第１の再生補助層３と
第２の再生補助層５および第１の再生補助層３と記録層
７との間の静磁結合力が強まったことによるものであ
る。
【０２５０】以上のことから、第１の再生補助層３の材
料として、希土類金属成分に占めるＴｂの割合が１％以
上２０％以下であり、遷移金属成分に占めるＣｏの割合
が３０％以上のＧｄＴｂＦｅＣｏを用いることにより、
第１の再生補助層３が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ
３近傍の温度において、第１の再生補助層３の垂直磁化
状態を安定化させることが可能となる。
料として、希土類金属成分に占めるＴｂの割合が１％以
上２０％以下であり、遷移金属成分に占めるＣｏの割合
が３０％以上のＧｄＴｂＦｅＣｏを用いることにより、
第１の再生補助層３が垂直磁化状態となる遷移温度Ｔｐ
３近傍の温度において、第１の再生補助層３の垂直磁化
状態を安定化させることが可能となる。
【０２５１】さらに、上記組成の範囲内において遷移金
属成分に占めるＣｏの割合が高い組成を選択すれば、第
１の再生補助層３のキュリー温度を高めることが可能と
なり、第１の再生補助層３のトータル磁化を大きくする
ことができる。これにより、第１の再生補助層３と第２
の再生補助層５および第１の再生補助層３と記録層７と
の静磁結合力を強めることができ、安定した磁区転写お
よび磁区拡大再生が実現することによって、高いＣＮＲ
を示す磁区拡大再生光磁気記録媒体を実現することが可
能となる。
属成分に占めるＣｏの割合が高い組成を選択すれば、第
１の再生補助層３のキュリー温度を高めることが可能と
なり、第１の再生補助層３のトータル磁化を大きくする
ことができる。これにより、第１の再生補助層３と第２
の再生補助層５および第１の再生補助層３と記録層７と
の静磁結合力を強めることができ、安定した磁区転写お
よび磁区拡大再生が実現することによって、高いＣＮＲ
を示す磁区拡大再生光磁気記録媒体を実現することが可
能となる。
【０２５２】〔実施の形態９〕本発明のさらに他の実施
の形態について説明すれば以下のとおりである。
の形態について説明すれば以下のとおりである。
【０２５３】本実施の形態に係る光磁気記録媒体は、上
記の実施の形態６に係る光磁気記録媒体（図１２）と同
じ構成、同じ再生原理を用いた光磁気記録媒体であり、
再生層１の材料として、実施の形態６で用いたＧｄＦｅ
ＣｏにＤｙを添加したＧｄＤｙＦｅＣｏを用いたもので
ある。
記の実施の形態６に係る光磁気記録媒体（図１２）と同
じ構成、同じ再生原理を用いた光磁気記録媒体であり、
再生層１の材料として、実施の形態６で用いたＧｄＦｅ
ＣｏにＤｙを添加したＧｄＤｙＦｅＣｏを用いたもので
ある。
【０２５４】本実施の形態においては、再生層1として
（Ｇｄ0.84Ｄｙ0.16）0.32（Ｆｅ0.6 8Ｃｏ0.32）0.68を
用いた。これは、実施の形態３で用いたＧｄＦｅＣｏに
Ｄｙを添加し、遷移温度Ｔｐ１およびキュリー温度Ｔｃ
１がともに、実施の形態２の再生層１と同じになるよう
組成調整を行ったものであり、その遷移温度Ｔｐ１は９
０℃、キュリー温度Ｔｃ１は２６０℃であった。
（Ｇｄ0.84Ｄｙ0.16）0.32（Ｆｅ0.6 8Ｃｏ0.32）0.68を
用いた。これは、実施の形態３で用いたＧｄＦｅＣｏに
Ｄｙを添加し、遷移温度Ｔｐ１およびキュリー温度Ｔｃ
１がともに、実施の形態２の再生層１と同じになるよう
組成調整を行ったものであり、その遷移温度Ｔｐ１は９
０℃、キュリー温度Ｔｃ１は２６０℃であった。
【０２５５】上記構成の光磁気ディスク、すなわち、上
記実施の形態６に示した光磁気ディスク（図１３）と同
じ構成であり、再生層１の材料として、ＧｄＤｙＦｅＣ
ｏを用いた光磁気ディスクを作製し、記録再生を行っ
た。上記光磁気ディスク（サンプル＃５とする）の記録
再生にあたっては、上記の実施の形態３に示した記録再
生条件を用いた。具体的には、波長６８０ｎｍの半導体
レーザを用いた光磁気ピックアップで、線速２．５ｍ／
ｓの条件で、記録再生用レーザを７．２ｍＷで連続照射
しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調することに
より、記録層７に記録磁界の向きに対応した上向き磁化
と下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。そし
て、記録磁界の変調周波数を変えることにより、０．２
〜０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを記録し
た。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する長さの
記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成してい
ることを意味する。
記実施の形態６に示した光磁気ディスク（図１３）と同
じ構成であり、再生層１の材料として、ＧｄＤｙＦｅＣ
ｏを用いた光磁気ディスクを作製し、記録再生を行っ
た。上記光磁気ディスク（サンプル＃５とする）の記録
再生にあたっては、上記の実施の形態３に示した記録再
生条件を用いた。具体的には、波長６８０ｎｍの半導体
レーザを用いた光磁気ピックアップで、線速２．５ｍ／
ｓの条件で、記録再生用レーザを７．２ｍＷで連続照射
しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調することに
より、記録層７に記録磁界の向きに対応した上向き磁化
と下向き磁化との繰り返しパターンを形成した。そし
て、記録磁界の変調周波数を変えることにより、０．２
〜０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パターンを記録し
た。ここで、マーク長とは、マーク長に対応する長さの
記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで形成してい
ることを意味する。
【０２５６】図１５は、再生時には、記録再生用レーザ
を２．４ｍＷで連続照射して測定したサンプル＃５のＣ
ＮＲ（信号対雑音比）のマーク長依存性を示すグラフで
ある。また、比較のため、上記実施の形態６に係る光磁
気ディスク、すなわちサンプル＃５の再生層１、第２の
再生補助層５および第１の再生補助層３の材料としてＧ
ｄＦｅＣｏを用いた光磁気ディスク（図１３）であるサ
ンプル＃４のＣＮＲのマーク長依存性のグラフも併せて
示す。
を２．４ｍＷで連続照射して測定したサンプル＃５のＣ
ＮＲ（信号対雑音比）のマーク長依存性を示すグラフで
ある。また、比較のため、上記実施の形態６に係る光磁
気ディスク、すなわちサンプル＃５の再生層１、第２の
再生補助層５および第１の再生補助層３の材料としてＧ
ｄＦｅＣｏを用いた光磁気ディスク（図１３）であるサ
ンプル＃４のＣＮＲのマーク長依存性のグラフも併せて
示す。
【０２５７】図１５に示したように、ＣＮＲについて、
サンプル＃５とサンプル＃４とを比較すると、いずれの
マーク長においてもサンプル＃５のＣＮＲがサンプル＃
４のＣＮＲよりも高くなっていることがわかる。
サンプル＃５とサンプル＃４とを比較すると、いずれの
マーク長においてもサンプル＃５のＣＮＲがサンプル＃
４のＣＮＲよりも高くなっていることがわかる。
【０２５８】このように、本実施の形態に係るサンプル
＃５は、再生層１の材料として、実施の形態６で用いた
ＧｄＦｅＣｏにＤｙを添加したＧｄＤｙＦｅＣｏを用い
ることにより、再生層１の垂直磁気異方性が増大する。
これにより、遷移温度Ｔｐ１以上の温度での垂直磁化状
態が安定化し、第２の再生補助層５から再生層１への拡
大転写がサンプル＃４よりも安定行われることになる。
したがって、第２の再生補助層５から再生層１へ高い分
解能で磁区の拡大転写が行われ、良好な信号品質が得ら
れる磁区拡大再生を実現することが可能となる。また、
加熱された領域において、再生層１の垂直磁化状態が安
定しているため、再生時に照射されるレーザーパワーが
変動した場合においても良好なＣＮＲを得ることがで
き、再生パワーマージンを拡大させることができる。
＃５は、再生層１の材料として、実施の形態６で用いた
ＧｄＦｅＣｏにＤｙを添加したＧｄＤｙＦｅＣｏを用い
ることにより、再生層１の垂直磁気異方性が増大する。
これにより、遷移温度Ｔｐ１以上の温度での垂直磁化状
態が安定化し、第２の再生補助層５から再生層１への拡
大転写がサンプル＃４よりも安定行われることになる。
したがって、第２の再生補助層５から再生層１へ高い分
解能で磁区の拡大転写が行われ、良好な信号品質が得ら
れる磁区拡大再生を実現することが可能となる。また、
加熱された領域において、再生層１の垂直磁化状態が安
定しているため、再生時に照射されるレーザーパワーが
変動した場合においても良好なＣＮＲを得ることがで
き、再生パワーマージンを拡大させることができる。
【０２５９】さらに、本実施の形態に係る光磁気記録媒
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層７と再生層１との
静磁結合力および遷移温度Ｔｐ５における記録層７と第
２の再生補助層５との静磁結合よりも、遷移温度Ｔｐ３
における記録層７と第１の再生補助層３との静磁結合力
が強くなるように、再生層１、第２の再生補助層５、第
１の再生補助層３、および記録層７の磁気特性がそれぞ
れ調整されている。
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層７と再生層１との
静磁結合力および遷移温度Ｔｐ５における記録層７と第
２の再生補助層５との静磁結合よりも、遷移温度Ｔｐ３
における記録層７と第１の再生補助層３との静磁結合力
が強くなるように、再生層１、第２の再生補助層５、第
１の再生補助層３、および記録層７の磁気特性がそれぞ
れ調整されている。
【０２６０】これにより、上記光磁気記録媒体では、記
録層７と再生層１との静磁結合状態、記録層７と第２の
再生補助層５との静磁結合状態および記録層７と第１の
再生補助層３との静磁結合状態とが最適化され、安定し
た磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能とな
る。
録層７と再生層１との静磁結合状態、記録層７と第２の
再生補助層５との静磁結合状態および記録層７と第１の
再生補助層３との静磁結合状態とが最適化され、安定し
た磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能とな
る。
【０２６１】本実施の形態では、再生層１の材料として
ＧｄＦｅＣｏにＤｙを添加したＧｄＤｙＦｅＣｏを用い
た場合の実施例を示したが、添加する元素はＧｄＦｅＣ
ｏの垂直磁気異方性を増大させ、再生層１の遷移温度Ｔ
ｐ３以上の温度において再生層１の垂直磁化状態を安定
に保つことができるものであれば良く、Ｄｙの代わりに
Ｔｂを用いることも可能である。この場合においても、
磁気特性を調整することにより本実施の形態と同様の効
果を得ることが可能となる。
ＧｄＦｅＣｏにＤｙを添加したＧｄＤｙＦｅＣｏを用い
た場合の実施例を示したが、添加する元素はＧｄＦｅＣ
ｏの垂直磁気異方性を増大させ、再生層１の遷移温度Ｔ
ｐ３以上の温度において再生層１の垂直磁化状態を安定
に保つことができるものであれば良く、Ｄｙの代わりに
Ｔｂを用いることも可能である。この場合においても、
磁気特性を調整することにより本実施の形態と同様の効
果を得ることが可能となる。
【０２６２】また、本実施の形態では、実施の形態６の
光磁気記録媒体の再生層５の材料を変更したものである
が、実施の形態７，８における光磁気記録媒体にも適用
できる。
光磁気記録媒体の再生層５の材料を変更したものである
が、実施の形態７，８における光磁気記録媒体にも適用
できる。
【０２６３】〔実施の形態１０〕本発明のさらに他の実
施の形態について説明すれば以下のとおりである。
施の形態について説明すれば以下のとおりである。
【０２６４】本実施の形態に係る光磁気記録媒体は、上
記の実施の形態６に係る光磁気記録媒体（図１２）と同
じ構成、同じ再生原理を用いた光磁気記録媒体であり、
第２の再生補助層５の材料として、実施の形態６で用い
たＧｄＦｅＣｏにＤｙを添加したＧｄＤｙＦｅＣｏを用
いたものである。
記の実施の形態６に係る光磁気記録媒体（図１２）と同
じ構成、同じ再生原理を用いた光磁気記録媒体であり、
第２の再生補助層５の材料として、実施の形態６で用い
たＧｄＦｅＣｏにＤｙを添加したＧｄＤｙＦｅＣｏを用
いたものである。
【０２６５】本実施の形態においては、第２の再生補助
層５として（Ｇｄ0.84Ｄｙ0.16）0. 34（Ｆｅ0.68Ｃｏ
0.32）0.66を用いた。これは、実施の形態６で用いたＧ
ｄＦｅＣｏにＤｙを添加し、遷移温度Ｔｐ１およびキュ
リー温度Ｔｃ１がともに、実施の形態２の第２の再生補
助層５と同じになるよう組成調整を行ったものであり、
その遷移温度Ｔｐ１は１２５℃、キュリー温度Ｔｃ１は
２５０℃であった。
層５として（Ｇｄ0.84Ｄｙ0.16）0. 34（Ｆｅ0.68Ｃｏ
0.32）0.66を用いた。これは、実施の形態６で用いたＧ
ｄＦｅＣｏにＤｙを添加し、遷移温度Ｔｐ１およびキュ
リー温度Ｔｃ１がともに、実施の形態２の第２の再生補
助層５と同じになるよう組成調整を行ったものであり、
その遷移温度Ｔｐ１は１２５℃、キュリー温度Ｔｃ１は
２５０℃であった。
【０２６６】上記構成の光磁気ディスク、すなわち、上
記実施の形態６に示した光磁気ディスク（図１３）と同
じ構成であり、第２の再生補助層５の材料として、Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏを用いた光磁気ディスクを作製し、記録再
生を行った。上記光磁気ディスク（サンプル＃６とす
る）の記録再生にあたっては、上記の実施の形態６に示
した記録再生条件を用いた。具体的には、波長６８０ｎ
ｍの半導体レーザを用いた光磁気ピックアップで、線速
２．５ｍ／ｓの条件で、記録再生用レーザを７．２ｍＷ
で連続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調
することにより、記録層７に記録磁界の向きに対応した
上向き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを形成し
た。そして、記録磁界の変調周波数を変えることによ
り、０．２〜０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パター
ンを記録した。ここで、マーク長とは、マーク長に対応
する長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで
形成していることを意味する。
記実施の形態６に示した光磁気ディスク（図１３）と同
じ構成であり、第２の再生補助層５の材料として、Ｇｄ
ＤｙＦｅＣｏを用いた光磁気ディスクを作製し、記録再
生を行った。上記光磁気ディスク（サンプル＃６とす
る）の記録再生にあたっては、上記の実施の形態６に示
した記録再生条件を用いた。具体的には、波長６８０ｎ
ｍの半導体レーザを用いた光磁気ピックアップで、線速
２．５ｍ／ｓの条件で、記録再生用レーザを７．２ｍＷ
で連続照射しながら、記録磁界を±１５ｋＡ／ｍで変調
することにより、記録層７に記録磁界の向きに対応した
上向き磁化と下向き磁化との繰り返しパターンを形成し
た。そして、記録磁界の変調周波数を変えることによ
り、０．２〜０．５μｍの範囲のマーク長の磁区パター
ンを記録した。ここで、マーク長とは、マーク長に対応
する長さの記録磁区をマーク長の２倍の長さのピッチで
形成していることを意味する。
【０２６７】図１６は、記録再生用レーザを２．４ｍＷ
で連続照射して測定したサンプル＃６のＣＮＲ（信号対
雑音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、
比較のため、上記実施の形態６に係る光磁気ディスク、
すなわちサンプル＃４の再生層１、第２の再生補助層５
および第１の再生補助層３の材料としてＧｄＦｅＣｏを
用いた光磁気ディスク（図１３）であるサンプル＃４の
ＣＮＲのマーク長依存性のグラフもあわせて示す。
で連続照射して測定したサンプル＃６のＣＮＲ（信号対
雑音比）のマーク長依存性を示すグラフである。また、
比較のため、上記実施の形態６に係る光磁気ディスク、
すなわちサンプル＃４の再生層１、第２の再生補助層５
および第１の再生補助層３の材料としてＧｄＦｅＣｏを
用いた光磁気ディスク（図１３）であるサンプル＃４の
ＣＮＲのマーク長依存性のグラフもあわせて示す。
【０２６８】図１６に示したように、ＣＮＲについて、
サンプル＃６とサンプル＃４とを比較すると、いずれの
マーク長においてもサンプル＃６のＣＮＲがサンプル＃
４のＣＮＲよりも高くなっていることがわかる。
サンプル＃６とサンプル＃４とを比較すると、いずれの
マーク長においてもサンプル＃６のＣＮＲがサンプル＃
４のＣＮＲよりも高くなっていることがわかる。
【０２６９】このように、本実施の形態に係るサンプル
＃６は、第２の再生補助層５の材料として、実施の形態
６で用いたＧｄＦｅＣｏにＤｙを添加したＧｄＤｙＦｅ
Ｃｏを用いることにより、第２の再生補助層５の垂直磁
気異方性が増大する。これにより、遷移温度Ｔｐ５以上
の温度での垂直磁化状態が安定化し、第１の再生補助層
３から第２の再生補助層５への拡大転写がサンプル＃４
よりも安定行われることになる。したがって、第１の再
生補助層３から第２の再生補助層５から再生層１へ高い
分解能で磁区の拡大転写が行われ、良好な信号品質が得
られる磁区拡大再生を実現することが可能となる。ま
た、加熱された領域において、第２の再生補助層５の垂
直磁化状態が安定しているため、再生時に照射されるレ
ーザーパワーが変動した場合においても良好なＣＮＲを
得ることができ、再生パワーマージンを拡大させること
ができる。
＃６は、第２の再生補助層５の材料として、実施の形態
６で用いたＧｄＦｅＣｏにＤｙを添加したＧｄＤｙＦｅ
Ｃｏを用いることにより、第２の再生補助層５の垂直磁
気異方性が増大する。これにより、遷移温度Ｔｐ５以上
の温度での垂直磁化状態が安定化し、第１の再生補助層
３から第２の再生補助層５への拡大転写がサンプル＃４
よりも安定行われることになる。したがって、第１の再
生補助層３から第２の再生補助層５から再生層１へ高い
分解能で磁区の拡大転写が行われ、良好な信号品質が得
られる磁区拡大再生を実現することが可能となる。ま
た、加熱された領域において、第２の再生補助層５の垂
直磁化状態が安定しているため、再生時に照射されるレ
ーザーパワーが変動した場合においても良好なＣＮＲを
得ることができ、再生パワーマージンを拡大させること
ができる。
【０２７０】さらに、本実施の形態に係る光磁気記録媒
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層７と再生層１との
静磁結合力および遷移温度Ｔｐ５における記録層７と第
２の再生補助層５との静磁結合よりも、遷移温度Ｔｐ３
における記録層７と第１の再生補助層３との静磁結合力
が強くなるように、再生層１、第２の再生補助層５、第
１の再生補助層３、および記録層７の磁気特性がそれぞ
れ調整されている。
体は、遷移温度Ｔｐ１における記録層７と再生層１との
静磁結合力および遷移温度Ｔｐ５における記録層７と第
２の再生補助層５との静磁結合よりも、遷移温度Ｔｐ３
における記録層７と第１の再生補助層３との静磁結合力
が強くなるように、再生層１、第２の再生補助層５、第
１の再生補助層３、および記録層７の磁気特性がそれぞ
れ調整されている。
【０２７１】これにより、上記光磁気記録媒体では、記
録層７と再生層１との静磁結合状態、記録層７と第２の
再生補助層５との静磁結合状態および記録層７と第１の
再生補助層３との静磁結合状態とが最適化され、安定し
た磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能とな
る。
録層７と再生層１との静磁結合状態、記録層７と第２の
再生補助層５との静磁結合状態および記録層７と第１の
再生補助層３との静磁結合状態とが最適化され、安定し
た磁区転写および磁区拡大再生を行うことが可能とな
る。
【０２７２】本実施の形態では、第２の再生補助層５の
材料としてＧｄＦｅＣｏにＤｙを添加したＧｄＤｙＦｅ
Ｃｏを用いた場合の実施例を示したが、添加する元素は
ＧｄＦｅＣｏの垂直磁気異方性を増大させ、再生層１の
遷移温度Ｔｐ３以上の温度において再生層１の垂直磁化
状態を安定に保つことができるものであれば良く、Ｄｙ
の代わりにＴｂを用いることも可能である。この場合に
おいても、磁気特性を調整することにより本実施の形態
と同様の効果を得ることが可能となる。
材料としてＧｄＦｅＣｏにＤｙを添加したＧｄＤｙＦｅ
Ｃｏを用いた場合の実施例を示したが、添加する元素は
ＧｄＦｅＣｏの垂直磁気異方性を増大させ、再生層１の
遷移温度Ｔｐ３以上の温度において再生層１の垂直磁化
状態を安定に保つことができるものであれば良く、Ｄｙ
の代わりにＴｂを用いることも可能である。この場合に
おいても、磁気特性を調整することにより本実施の形態
と同様の効果を得ることが可能となる。
【０２７３】また、本実施の形態では、実施の形態６の
光磁気記録媒体の第２の再生補助層５の材料を変更した
ものであるが、実施の形態７，８，９における光磁気記
録媒体にも適用できる。
光磁気記録媒体の第２の再生補助層５の材料を変更した
ものであるが、実施の形態７，８，９における光磁気記
録媒体にも適用できる。
【０２７４】なお、以上実施の形態１〜１０において本
発明について説明してきたが、本発明はこれに限るもの
ではなく、 室温で面内磁化状態であり遷移温度以上で垂直磁化状
態となる再生層と、それに隣接してキュリー温度が上記
遷移温度近傍に設定された面内磁化膜からなる面内磁化
層（実施の形態における第１の面内磁化層）と、からな
る再生部 垂直磁化膜からなる記録層とを有する光磁気記録媒体
において、上記再生部（）と記録層（）との間に、 室温で面内磁化状態であり遷移温度以上で垂直磁化状
態となる再生補助層（実施の形態における第１，第２の
再生補助層）と、それに隣接してキュリー温度が上記遷
移温度近傍に設定された面内磁化膜からなる再生補助面
内磁化層（実施の形態における第２，第３の再生補助
層）と、からなる再生補助部を少なくとも１つ有し、全
ての再生補助部における再生補助層の遷移温度が、再生
層の遷移温度より高く、且つ、記録層側に位置する再生
補助部における再生補助層の遷移温度ほど遷移温度が高
ければ良い。
発明について説明してきたが、本発明はこれに限るもの
ではなく、 室温で面内磁化状態であり遷移温度以上で垂直磁化状
態となる再生層と、それに隣接してキュリー温度が上記
遷移温度近傍に設定された面内磁化膜からなる面内磁化
層（実施の形態における第１の面内磁化層）と、からな
る再生部 垂直磁化膜からなる記録層とを有する光磁気記録媒体
において、上記再生部（）と記録層（）との間に、 室温で面内磁化状態であり遷移温度以上で垂直磁化状
態となる再生補助層（実施の形態における第１，第２の
再生補助層）と、それに隣接してキュリー温度が上記遷
移温度近傍に設定された面内磁化膜からなる再生補助面
内磁化層（実施の形態における第２，第３の再生補助
層）と、からなる再生補助部を少なくとも１つ有し、全
ての再生補助部における再生補助層の遷移温度が、再生
層の遷移温度より高く、且つ、記録層側に位置する再生
補助部における再生補助層の遷移温度ほど遷移温度が高
ければ良い。
【０２７５】但し、再生部及び各再生補助部を、各再生
補助層が、面内磁化膜により挟まれるように、隣接して
配置すれば、再生補助層の遷移温度未満の温度領域にお
いて、面内磁化状態を強固にすることができ、安定な面
内磁化マスクを実現できる。
補助層が、面内磁化膜により挟まれるように、隣接して
配置すれば、再生補助層の遷移温度未満の温度領域にお
いて、面内磁化状態を強固にすることができ、安定な面
内磁化マスクを実現できる。
【０２７６】また、本発明の光磁気記録媒体は、上記
の再生部が上記の記録層に対して光入射側に配置され
ておれば良く、基板に対する配置は、必ずしも上述の実
施の形態１〜１０に限るものではない。
の再生部が上記の記録層に対して光入射側に配置され
ておれば良く、基板に対する配置は、必ずしも上述の実
施の形態１〜１０に限るものではない。
【０２７７】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体では、再生層と
記録層との間に、室温で面内磁化状態で遷移温度以上で
垂直磁化状態となる再生補助層と、上記遷移温度近傍に
キュリー温度を有する面内磁化層と、を互いに隣接させ
て設けており、さらに、再生補助層の遷移温度を再生層
の遷移温度より高く設定しているため、再生の対象であ
る記録層の記録磁区の磁化状態を再生補助層へと転写
し、さらに、再生層に拡大転写することができ、且つ、
再生層及び再生補助層を面内磁化状態から垂直磁化状態
に急峻に遷移させること可能となる。
記録層との間に、室温で面内磁化状態で遷移温度以上で
垂直磁化状態となる再生補助層と、上記遷移温度近傍に
キュリー温度を有する面内磁化層と、を互いに隣接させ
て設けており、さらに、再生補助層の遷移温度を再生層
の遷移温度より高く設定しているため、再生の対象であ
る記録層の記録磁区の磁化状態を再生補助層へと転写
し、さらに、再生層に拡大転写することができ、且つ、
再生層及び再生補助層を面内磁化状態から垂直磁化状態
に急峻に遷移させること可能となる。
【０２７８】これにより、光の回折限界以下の周期の信
号を記録層に記録した場合においても、再生信号振幅を
低下させることなく、高い再生分解能での再生が実現で
きる。
号を記録層に記録した場合においても、再生信号振幅を
低下させることなく、高い再生分解能での再生が実現で
きる。
【０２７９】また、本発明の光磁気記録媒体の再生方法
によれば、記録層の記録磁区を再生補助層に拡大転写
し、さらに再生補助層に形成された磁区再生層に拡大転
写するため、より広い面積からの漏洩磁界を再生層に与
えることが可能となり、再生信号品質を向上できる。
によれば、記録層の記録磁区を再生補助層に拡大転写
し、さらに再生補助層に形成された磁区再生層に拡大転
写するため、より広い面積からの漏洩磁界を再生層に与
えることが可能となり、再生信号品質を向上できる。
【図１】実施の形態１の光磁気記録媒体の再生動作を説
明する平面模式図である。
明する平面模式図である。
【図２】実施の形態１の光磁気記録媒体の再生時の磁化
状態を示す断面模式図である。
状態を示す断面模式図である。
【図３】図２の光磁気記録媒体を適用した光磁気ディス
クの構成の概略を示す断面図である。
クの構成の概略を示す断面図である。
【図４】図２の光磁気ディスクのトータル磁化の温度依
存性を示す図である。
存性を示す図である。
【図５】図３の光磁気ディスクの信号対雑音比のマーク
長依存性を示す図である。
長依存性を示す図である。
【図６】実施の形態２の光磁気記録媒体の再生動作を説
明する平面模式図である。
明する平面模式図である。
【図７】実施の形態２の光磁気記録媒体の再生時の磁化
状態を示す断面模式図である。
状態を示す断面模式図である。
【図８】図７の光磁気記録媒体を適用した光磁気ディス
クの構成の概略を示す断面図である。
クの構成の概略を示す断面図である。
【図９】図８の光磁気ディスクの信号対雑音比のマーク
長依存性を示す図である。
長依存性を示す図である。
【図１０】実施の形態５で示した光磁気ディスクの信号
対雑音比のマーク長依存性を示すグラフである。
対雑音比のマーク長依存性を示すグラフである。
【図１１】実施の形態６の光磁気記録媒体の再生動作を
説明する平面模式図である。
説明する平面模式図である。
【図１２】実施の形態６の光磁気記録媒体の再生時の磁
化状態を示す断面模式図である。
化状態を示す断面模式図である。
【図１３】図１２の光磁気記録媒体を適用した光磁気デ
ィスクの構成の概略を示す断面図である。
ィスクの構成の概略を示す断面図である。
【図１４】図１３の光磁気ディスクの信号対雑音比のマ
ーク長依存性を示すグラフである。
ーク長依存性を示すグラフである。
【図１５】実施の形態９の光磁気ディスクの信号対雑音
比のマーク長依存性を示す図である。
比のマーク長依存性を示す図である。
【図１６】実施の形態１０の光磁気ディスクの信号対雑
音比のマーク長依存性を示す図である。
音比のマーク長依存性を示す図である。
【図１７】従来の光磁気記録媒体の再生動作を説明する
平面模式図である。
平面模式図である。
【図１８】従来の光磁気記録媒体の再生時の磁化状態を
示す断面模式図である。
示す断面模式図である。
【図１９】図１８に示した光磁気記録媒体を適用した光
磁気ディスクの構成の概略を示す断面図である。
磁気ディスクの構成の概略を示す断面図である。
１ 再生層
２ 第１の面内磁化層
３ 第１の再生補助層
４ 第２の面内磁化層
５ 第２の再生補助層
６ 第３の面内磁化層
７ 記録層
８ 光ビーム
９，１０ 記録磁区
１１，１２，１７ 磁区
１３ 基板
１４ 透明誘電体保護層
１５ 保護層
１６ 非磁性中間層
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｇ１１Ｂ 11/105 ５８６ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５８６Ｍ
(56)参考文献 特開2000−163817（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−162029（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−39736（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−255344（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−295479（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 11/105
Claims (11)
- 【請求項１】 室温において面内磁化状態であり温度上
昇により垂直磁化状態に移行する再生層と、該再生層に
隣接し、該再生層が垂直磁化状態に移行する温度近傍に
キュリー温度を有する面内磁化膜からなる面内磁化層
と、からなる再生部と、 情報を記録する垂直磁化膜からなる記録層と、を有する
光磁気記録媒体において、 室温において面内磁化状態であり温度上昇により垂直磁
化状態となる再生補助層と、該再生補助層に隣接し、該
再生補助層が垂直磁化状態に移行する温度近傍にキュリ
ー温度を有する面内磁化膜からなる再生補助面内磁化層
と、からなる再生補助部を、少なくとも１つ、前記面内
磁化層と前記記録層との間に、有してなり、 前記再生補助部における前記再生補助層は、その垂直磁
化状態に移行する温度が、前記再生層が垂直磁化状態に
移行する温度よりも高く設定されており、且つ、前記記
録層側に位置する再生補助部の再生補助層ほど、垂直磁
化状態に移行する温度が高く設定されていることを特徴
とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
て、 前記再生部及び各再生補助部は、各再生補助層が前記面
内磁化層または前記再生補助面内磁化層を構成する面内
磁化膜に挟まれて配置され且つその面内磁化膜に隣接す
るよう、形成されていることを特徴とする光磁気記録媒
体。 - 【請求項３】 室温において面内磁化状態であり遷移温
度Ｔｐ１において垂直磁化状態に移行する再生層と、 該再生層に隣接し、前記遷移温度Ｔｐ１近傍にキュリー
温度を有する面内磁化膜からなる第１の面内磁化層と、 室温において面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ３におい
て垂直磁化状態となる第１の再生補助層と、 第１の再生補助層に隣接し、前記遷移温度Ｔｐ３近傍に
キュリー温度を有する面内磁化膜からなる第２の面内磁
化層と、 情報を記録する垂直磁化膜からなる記録層と、をこの順
に、少なくとも有してなり、 Ｔｐ１＜Ｔｐ３ が成立することを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 請求項３に記載の光磁気記録媒体におい
て、 前記遷移温度Ｔｐ１における前記記録層と前記再生層と
の静磁結合力よりも、前記遷移温度Ｔｐ３における前記
記録層と第１の再生補助層との静磁結合力が強くなるよ
うに、前記再生層、前記第１の再生補助層、および前記
記録層の磁気特性が調整されていることを特徴とする光
磁気記録媒体。 - 【請求項５】 請求項４に記載の光磁気媒体において、 前記再生層、第１の再生補助層のいずれか少なくとも一
方は、ＧｄＤｙＦｅＣｏまたはＧｄＴｂＦｅＣｏからな
ることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項６】 請求項３に記載の光磁気記録媒体におい
て、 第１の面内磁化層と前記記録層との間に、室温において
面内磁化状態であり遷移温度Ｔｐ５において垂直磁化状
態となる第２の再生補助層と、第２の再生補助層に隣接
し、前記遷移温度Ｔｐ５近傍にキュリー温度を有する面
内磁化膜からなる第３の面内磁化層と、を前記再生補助
層が前記再生層側に位置するように有しており、 Ｔｐ１＜Ｔｐ５＜Ｔｐ３ が成立することを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 請求項６に記載の光磁気記録媒体におい
て、 前記遷移温度Ｔｐ１における前記記録層と前記再生層と
の静磁結合力および前記遷移温度Ｔｐ５における前記記
録層と第２の再生補助層との静磁結合力よりも、前記遷
移温度Ｔｐ３における前記記録層と第１の再生補助層と
の静磁結合力が強くなるように、前記再生層、第２の再
生補助層、第１の再生補助層および前記記録層の磁気特
性が調整されていることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項８】 請求項７に記載の光磁気媒体において、 前記再生層、第２の再生補助層、第１の再生補助層のい
ずれか少なくとも一つは、ＧｄＤｙＦｅＣｏまたはＧｄ
ＴｂＦｅＣｏからなることを特徴とする光磁気記録媒
体。 - 【請求項９】 請求項３乃至請求項８のいずれかに記載
の光磁気記録媒体において、 第２の面内磁化層と前記記録層との間に、非磁性中間層
を有することを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 請求項３に記載の光磁気記録媒体を再
生する再生方法であって、 再生時の光ビーム照射により、前記光磁気記録媒体を前
記遷移温度Ｔｐ３以上に加熱し、 第１の再生補助層における前記遷移温度Ｔｐ３以上の温
度領域に、前記記録層の磁化情報を転写するとともに、 前記再生層における前記遷移温度Ｔｐ１以上の温度領域
に、第１の再生補助層に転写された磁化情報を転写する
ことを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。 - 【請求項１１】 請求項６に記載の光磁気記録媒体を再
生する再生方法であって、 再生時の光ビーム照射により、前記光磁気記録媒体を前
記遷移温度Ｔｐ５以上に加熱し、 第２の再生補助層における前記遷移温度Ｔｐ５以上の温
度領域に、前記記録層の磁化情報を転写するとともに、 第１の再生補助層における前記遷移温度Ｔｐ３以上の温
度領域に、第１の再生補助層に転写された磁化情報を転
写するとともに、 前記再生層における前記遷移温度Ｔｐ１以上の温度領域
に、第２の再生補助層に転写された磁化情報を転写する
ことを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21497799A JP3434242B2 (ja) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21497799A JP3434242B2 (ja) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
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|---|---|
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Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21497799A Expired - Fee Related JP3434242B2 (ja) | 1999-07-29 | 1999-07-29 | 光磁気記録媒体及びその再生方法 |
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| JP (1) | JP3434242B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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1999
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