JP3494363B2 - １，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンの製造方法 - Google Patents
１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンの製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】医薬、農薬および電子材料な
どの中間体として有用な１，１，１，５，５，５−ヘキ
サフルオロアセチルアセトンの製造及び回収方法に関
し、より詳しくは高純度品の製造及び回収方法に関す
る。
どの中間体として有用な１，１，１，５，５，５−ヘキ
サフルオロアセチルアセトンの製造及び回収方法に関
し、より詳しくは高純度品の製造及び回収方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子材料の製造工程において、１，１，
１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンの金
属錯体をＣＶＤで蒸着させた後に、大量の１，１，１，
５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトン金属錯体
を含んだ物質が排出され廃棄されているが、現状では
１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセ
トンの回収については報告されていない。これは、コス
ト面においても、環境への負荷の観点からも問題であ
る。
１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンの金
属錯体をＣＶＤで蒸着させた後に、大量の１，１，１，
５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトン金属錯体
を含んだ物質が排出され廃棄されているが、現状では
１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセ
トンの回収については報告されていない。これは、コス
ト面においても、環境への負荷の観点からも問題であ
る。
【０００３】１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ
アセチルアセトンの銅錯体をエーテル中において硫化水
素で銅を取り除いて無水の１，１，１，５，５，５−ヘ
キサフルオロアセチルアセトンとする方法が文献(J.Ame
r.Chem.Soc.,69,1819(1947))に報告されている。
アセチルアセトンの銅錯体をエーテル中において硫化水
素で銅を取り除いて無水の１，１，１，５，５，５−ヘ
キサフルオロアセチルアセトンとする方法が文献(J.Ame
r.Chem.Soc.,69,1819(1947))に報告されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、１，１，
１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンの金
属錯体から１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロア
セチルアセトンを回収することを目的とする。
１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンの金
属錯体から１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロア
セチルアセトンを回収することを目的とする。
【０００５】回収された１，１，１，５，５，５−ヘキ
サフルオロアセチルアセトンが医・農薬や電子材料の製
造原料として使用しうる高純度の製品とすることも目的
である。
サフルオロアセチルアセトンが医・農薬や電子材料の製
造原料として使用しうる高純度の製品とすることも目的
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、１，１，
１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンの金
属錯体から１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロア
セチルアセトンを回収する方法において、その金属錯体
を加水分解し、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオ
ロアセチルアセトン・二水和物を得、これを脱水するこ
とにより、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロア
セチルアセトンが得られることを見いだし、本発明を完
成させた。
１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンの金
属錯体から１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロア
セチルアセトンを回収する方法において、その金属錯体
を加水分解し、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオ
ロアセチルアセトン・二水和物を得、これを脱水するこ
とにより、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロア
セチルアセトンが得られることを見いだし、本発明を完
成させた。
【０００７】すなわち、本発明は、１，１，１，５，
５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンの金属錯体を
加水分解することからなる１，１，１，５，５，５−ヘ
キサフルオロアセチルアセトン水和物の製造方法であ
り、また、該水和物を脱水することからなる１，１，
１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンの製
造方法である。
５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンの金属錯体を
加水分解することからなる１，１，１，５，５，５−ヘ
キサフルオロアセチルアセトン水和物の製造方法であ
り、また、該水和物を脱水することからなる１，１，
１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンの製
造方法である。
【０００８】本発明の回収方法を適用する１，１，１，
５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンの金属錯
体はどの様な方法によって得られたものでもよく、各種
の製造工程特に１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオ
ロアセチルアセトン金属錯体の製造工程等であり、ま
た、それを用いたＣＶＤ法による製膜工程、高純度金属
精製処理工程などで使用された後回収されたものであっ
てもよい。
５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンの金属錯
体はどの様な方法によって得られたものでもよく、各種
の製造工程特に１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオ
ロアセチルアセトン金属錯体の製造工程等であり、ま
た、それを用いたＣＶＤ法による製膜工程、高純度金属
精製処理工程などで使用された後回収されたものであっ
てもよい。
【０００９】金属錯体は、例えば、１，１，１−トリフ
ルオロアセトンとトリフルオロ酢酸のエステルを反応さ
せて得られた１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ
アセチルアセトンを反応試剤として、溶媒中金属化合
物、例えば、酸化第一銅、塩化第一銅、硫酸銅(II)など
と反応して製造することができる。
ルオロアセトンとトリフルオロ酢酸のエステルを反応さ
せて得られた１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ
アセチルアセトンを反応試剤として、溶媒中金属化合
物、例えば、酸化第一銅、塩化第一銅、硫酸銅(II)など
と反応して製造することができる。
【００１０】金属錯体の金属は特に限定されないが、
銅、ウラン、クロム、鉄などが挙げられ、銅が最も好適
である。
銅、ウラン、クロム、鉄などが挙げられ、銅が最も好適
である。
【００１１】金属錯体は、本発明が１，１，１，５，
５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンを回収しうる
ことが目的であることから、少なくとも１個の１，１，
１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンを配
位子としていればよいが、全ての配位子が１，１，１，
５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンであるの
が好ましい。
５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンを回収しうる
ことが目的であることから、少なくとも１個の１，１，
１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンを配
位子としていればよいが、全ての配位子が１，１，１，
５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンであるの
が好ましい。
【００１２】１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ
アセチルアセトン銅錯体の他の配位子としては、一般式
（１）、
アセチルアセトン銅錯体の他の配位子としては、一般式
（１）、
【００１３】
【化１】
【００１４】〔式中、Ｒ1、Ｒ2は炭素数１〜８の炭化水
素基、または珪素原子を有する炭素数１〜８の有機
基〕、一般式（２）、 ＰＲ3（Ｒ4）（Ｒ5） （２） 〔式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5は水素原子、炭素数１〜６の炭
化水素基〕、２個以上の二重結合を有する炭素数５〜１
８の側鎖を有することもある環状炭化水素、一般式
（３）、 Ｒ6（Ｒ7）（Ｒ8）Ｓｉ−（ＣＨ2）n−Ｃ（Ｒ9）＝ＣＲ10（Ｒ11） （３） 〔式中、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11は水素原子、
炭素数１〜６の炭化水素基、または珪素原子を有する炭
素数１〜８の有機基。ｎは１または２〕で表される不飽
和化合物が挙げられる。
素基、または珪素原子を有する炭素数１〜８の有機
基〕、一般式（２）、 ＰＲ3（Ｒ4）（Ｒ5） （２） 〔式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5は水素原子、炭素数１〜６の炭
化水素基〕、２個以上の二重結合を有する炭素数５〜１
８の側鎖を有することもある環状炭化水素、一般式
（３）、 Ｒ6（Ｒ7）（Ｒ8）Ｓｉ−（ＣＨ2）n−Ｃ（Ｒ9）＝ＣＲ10（Ｒ11） （３） 〔式中、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11は水素原子、
炭素数１〜６の炭化水素基、または珪素原子を有する炭
素数１〜８の有機基。ｎは１または２〕で表される不飽
和化合物が挙げられる。
【００１５】具体的には、トリメチルビニルシラン（ト
リメチルシリルエチレン）、トリエチルビニルシラン、
２−ブチン、１，５−シクロオクタジエン、シクロペン
タジエンなどが例示できる。
リメチルシリルエチレン）、トリエチルビニルシラン、
２−ブチン、１，５−シクロオクタジエン、シクロペン
タジエンなどが例示できる。
【００１６】また、金属錯体として具体的には銅（II）
ビス（１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチ
ルアセトナト）、銅（II）（１，１，１，５，５，５−
ヘキサフルオロアセチルアセトナト）（トリメチルシリ
ルエチレン）などが挙げられ、銅（II）ビス（１，１，
１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトナト）
はより好ましい。
ビス（１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチ
ルアセトナト）、銅（II）（１，１，１，５，５，５−
ヘキサフルオロアセチルアセトナト）（トリメチルシリ
ルエチレン）などが挙げられ、銅（II）ビス（１，１，
１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトナト）
はより好ましい。
【００１７】本発明の方法をこれらの金属錯体に適用す
る際には、遊離の１，１，１，５，５，５−ヘキサフル
オロアセチルアセトンまたは１，１，１，５，５，５−
ヘキサフルオロアセチルアセトン水和物を含んでいても
よい。
る際には、遊離の１，１，１，５，５，５−ヘキサフル
オロアセチルアセトンまたは１，１，１，５，５，５−
ヘキサフルオロアセチルアセトン水和物を含んでいても
よい。
【００１８】本発明の方法の実施方法を説明するが、当
業者が容易に考え得る変更は本発明の実施態様である。
反応容器に、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ
アセチルアセトンの金属錯体または不純物を含んだ１，
１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトン
の金属錯体を入れ、これに水を加え、次いで酸を加えて
加水分解し、その後反応液に抽出溶媒を加えて、有機層
を分離し、得られた有機層から溶媒を除去すると１，
１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトン
・二水和物が固体として得られる。また、必要に応じて
反応器の温度を高め反応の完結を速めることができる。
業者が容易に考え得る変更は本発明の実施態様である。
反応容器に、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ
アセチルアセトンの金属錯体または不純物を含んだ１，
１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトン
の金属錯体を入れ、これに水を加え、次いで酸を加えて
加水分解し、その後反応液に抽出溶媒を加えて、有機層
を分離し、得られた有機層から溶媒を除去すると１，
１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトン
・二水和物が固体として得られる。また、必要に応じて
反応器の温度を高め反応の完結を速めることができる。
【００１９】この製造方法において、反応器は通常、ガ
ラス、フッ素樹脂またはこれらの材質でライニングした
容器が用いられる。酸としては、通常鉱酸であり、具体
的には、硫酸、塩酸、硝酸などである。反応温度は、０
〜１１０℃程度であり、２０〜９０℃程度が好ましい。
０℃未満では反応の進行が遅く、１１０℃を超えると
１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセ
トン・二水和物の収量が減ずるので好ましくない。
ラス、フッ素樹脂またはこれらの材質でライニングした
容器が用いられる。酸としては、通常鉱酸であり、具体
的には、硫酸、塩酸、硝酸などである。反応温度は、０
〜１１０℃程度であり、２０〜９０℃程度が好ましい。
０℃未満では反応の進行が遅く、１１０℃を超えると
１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセ
トン・二水和物の収量が減ずるので好ましくない。
【００２０】本発明で用いる１，１，１，５，５，５−
ヘキサフルオロアセチルアセトン・水和物の抽出溶媒と
しては、主としてエ−テル系溶媒であり、含ハロゲン系
溶媒も使用できる。
ヘキサフルオロアセチルアセトン・水和物の抽出溶媒と
しては、主としてエ−テル系溶媒であり、含ハロゲン系
溶媒も使用できる。
【００２１】これらの溶媒は使用状態で液体であること
は当然であり、沸点は特に限定されないが１００℃程度
以下であるのが好ましい。具体的には、エ−テル系溶媒
としては、ジエチルエ−テル、ジイソプロピルエーテ
ル、ジイソブチルエ−テル、ジブチルエ−テル、ｔ−ブ
チルメチルエ−テル、テトラヒドロフラン、アニソー
ル、ジオキサンなどが挙げられる。また、含ハロゲン系
溶媒としては、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭
素、１，２−ジクロロエタン、１，２-ビス（トリフル
オロメチル）ベンゼン、１，３-ビス（トリフルオロメ
チル）ベンゼン、１，４-ビス（トリフルオロメチル）
ベンゼン、２，４−ジクロロベンゾトリフルオリドなど
が挙げられる。これらのうち、エーテル系溶媒が好まし
く、ｔ−ブチルメチルエーテルは特に好ましい。
は当然であり、沸点は特に限定されないが１００℃程度
以下であるのが好ましい。具体的には、エ−テル系溶媒
としては、ジエチルエ−テル、ジイソプロピルエーテ
ル、ジイソブチルエ−テル、ジブチルエ−テル、ｔ−ブ
チルメチルエ−テル、テトラヒドロフラン、アニソー
ル、ジオキサンなどが挙げられる。また、含ハロゲン系
溶媒としては、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭
素、１，２−ジクロロエタン、１，２-ビス（トリフル
オロメチル）ベンゼン、１，３-ビス（トリフルオロメ
チル）ベンゼン、１，４-ビス（トリフルオロメチル）
ベンゼン、２，４−ジクロロベンゾトリフルオリドなど
が挙げられる。これらのうち、エーテル系溶媒が好まし
く、ｔ−ブチルメチルエーテルは特に好ましい。
【００２２】本発明の方法で回収した１，１，１，５，
５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトン・二水和物
は、公知の方法で脱水して、無水物とすることができ
る。例えば、J.Inorganic and Nuclear Chemistry,195
6,Vol.2,pp.11-31では、１，１，１，５，５，５−ヘキ
サフルオロアセチルアセトン・二水和物と３倍容量の９
８％硫酸を攪拌して分散させ、一晩経た後に再度硫酸を
変えて繰り返し、上層を形成した無水物をサイホンで取
りだし、それを蒸留して７０．０〜７０．２℃の留分と
して無水物を９８％の収率で得ている。
５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトン・二水和物
は、公知の方法で脱水して、無水物とすることができ
る。例えば、J.Inorganic and Nuclear Chemistry,195
6,Vol.2,pp.11-31では、１，１，１，５，５，５−ヘキ
サフルオロアセチルアセトン・二水和物と３倍容量の９
８％硫酸を攪拌して分散させ、一晩経た後に再度硫酸を
変えて繰り返し、上層を形成した無水物をサイホンで取
りだし、それを蒸留して７０．０〜７０．２℃の留分と
して無水物を９８％の収率で得ている。
【００２３】J.Amer.Chem.Soc.,78,2790(1956)では、無
水硫酸カルシウム（石膏）と１，１，１，５，５，５−
ヘキサフルオロアセチルアセトン・二水和物を混合し、
加熱し、その際の留出液に再度同じ脱水処理をして沸点
６８℃（７３６ｍｍ．）の無水物を得ている。
水硫酸カルシウム（石膏）と１，１，１，５，５，５−
ヘキサフルオロアセチルアセトン・二水和物を混合し、
加熱し、その際の留出液に再度同じ脱水処理をして沸点
６８℃（７３６ｍｍ．）の無水物を得ている。
【００２４】また、エーテル中で五酸化リンと加熱する
ことにより脱水する方法も知られている。
ことにより脱水する方法も知られている。
【００２５】
【実施例】以下に実施例をもって本発明を説明するが、
本発明の実施態様はこれらに限られない。
本発明の実施態様はこれらに限られない。
【００２６】〔実施例１〕
・１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチルア
セトン・二水和物の回収 温度計、滴下ロ-ト及び還流冷却器を備えた２００ｍｌ
三ツ口フラスコに銅(II)ビス（１，１，１，５，５，５
-ヘキサフルオロアセチルアセトナト）２０．０ｇ(０．
０４１７モル)を入れた。これに、水８０ｍｌ、９８％
硫酸１１．０ｇ(０．１１０モル)を混合したものを、マ
グミキサ-で撹拌しながら内温３０℃以下で加え、添加
終了後内温５０℃で６時間反応させた。反応終了後、室
温まで冷却した後、ｔ-ブチルメチルエ-テル５０ｍｌを
加え抽出し、有機層を二層分離した。水層にｔ-ブチル
メチルエ-テル３０ｍｌを加え再抽出し、有機層を合わ
せてエバポレ-タ-により濃縮して、１，１，１，５，
５，５-ヘキサフルオロアセチルアセトン・二水和物１
６．２ｇを得た。
セトン・二水和物の回収 温度計、滴下ロ-ト及び還流冷却器を備えた２００ｍｌ
三ツ口フラスコに銅(II)ビス（１，１，１，５，５，５
-ヘキサフルオロアセチルアセトナト）２０．０ｇ(０．
０４１７モル)を入れた。これに、水８０ｍｌ、９８％
硫酸１１．０ｇ(０．１１０モル)を混合したものを、マ
グミキサ-で撹拌しながら内温３０℃以下で加え、添加
終了後内温５０℃で６時間反応させた。反応終了後、室
温まで冷却した後、ｔ-ブチルメチルエ-テル５０ｍｌを
加え抽出し、有機層を二層分離した。水層にｔ-ブチル
メチルエ-テル３０ｍｌを加え再抽出し、有機層を合わ
せてエバポレ-タ-により濃縮して、１，１，１，５，
５，５-ヘキサフルオロアセチルアセトン・二水和物１
６．２ｇを得た。
【００２７】・１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオ
ロアセチルアセトンの製造 １００ｍｌナス型フラスコに得られた１，１，１，５，
５，５-ヘキサフルオロアセチルアセトン・二水和物１
６．２ｇ、及び９８％硫酸３３．０ｇを加え栓をし、室
温でマグミキサ-により４時間撹拌した。１時間静定し
た後、二層分離して、１２．５ｇの１，１，１，５，
５，５-ヘキサフルオロアセチルアセトンを得た。これ
をガスクロマトグラフ（ＧＬＣ：：検出器：ＦＩＤ、カ
ラム：ＤＢ-１ ０．２５ｍｍ×６０ｍ）にて分析する
と９９．９％の１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオ
ロアセチルアセトンであった。
ロアセチルアセトンの製造 １００ｍｌナス型フラスコに得られた１，１，１，５，
５，５-ヘキサフルオロアセチルアセトン・二水和物１
６．２ｇ、及び９８％硫酸３３．０ｇを加え栓をし、室
温でマグミキサ-により４時間撹拌した。１時間静定し
た後、二層分離して、１２．５ｇの１，１，１，５，
５，５-ヘキサフルオロアセチルアセトンを得た。これ
をガスクロマトグラフ（ＧＬＣ：：検出器：ＦＩＤ、カ
ラム：ＤＢ-１ ０．２５ｍｍ×６０ｍ）にて分析する
と９９．９％の１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオ
ロアセチルアセトンであった。
【００２８】〔実施例２〕
・１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチルア
セトン・二水和物の回収 温度計、滴下ロ-ト及び還流冷却器を備えた２００ｍｌ
三ツ口フラスコに銅(II)ビス（１，１，１，５，５，５
-ヘキサフルオロアセチルアセトナト）２０．０ｇ(０．
０４１７モル)を入れた。これに、水８０ｍｌ、９８％
硫酸１１．０ｇ(０．１１０モル)を混合したものを、マ
グミキサ-で撹拌しながら内温３０℃以下で加え、添加
終了後内温５０℃で６時間反応させた。反応終了後、室
温まで冷却した後、ｔ-ブチルメチルエ-テル５０ｍｌを
加え抽出し、有機層を二層分離した。水層にｔ-ブチル
メチルエ-テル３０ｍｌを加え再抽出し、有機層を合わ
せてエバポレ-タ-により濃縮して、１，１，１，５，
５，５-ヘキサフルオロアセチルアセトン・二水和物１
６．５ｇを得た。
セトン・二水和物の回収 温度計、滴下ロ-ト及び還流冷却器を備えた２００ｍｌ
三ツ口フラスコに銅(II)ビス（１，１，１，５，５，５
-ヘキサフルオロアセチルアセトナト）２０．０ｇ(０．
０４１７モル)を入れた。これに、水８０ｍｌ、９８％
硫酸１１．０ｇ(０．１１０モル)を混合したものを、マ
グミキサ-で撹拌しながら内温３０℃以下で加え、添加
終了後内温５０℃で６時間反応させた。反応終了後、室
温まで冷却した後、ｔ-ブチルメチルエ-テル５０ｍｌを
加え抽出し、有機層を二層分離した。水層にｔ-ブチル
メチルエ-テル３０ｍｌを加え再抽出し、有機層を合わ
せてエバポレ-タ-により濃縮して、１，１，１，５，
５，５-ヘキサフルオロアセチルアセトン・二水和物１
６．５ｇを得た。
【００２９】・１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオ
ロアセチルアセトンの製造 温度計、攪拌機、ガラス球を充填した還流冷却器を備え
た１００ｍｌガラス反応器に窒素ガスを通じながら、得
られた１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチ
ルアセトン・二水和物１６．５ｇ及び９８％硫酸３３．
０ｇを加え、マグミキサ-で撹拌しながら徐々に８０℃
まで加熱した。約７０℃の留分を収集し１２．３ｇを
得、これを実施例１と同じ条件でＧＬＣ分析すると９
９．９％の１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオロア
セチルアセトンであった。
ロアセチルアセトンの製造 温度計、攪拌機、ガラス球を充填した還流冷却器を備え
た１００ｍｌガラス反応器に窒素ガスを通じながら、得
られた１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチ
ルアセトン・二水和物１６．５ｇ及び９８％硫酸３３．
０ｇを加え、マグミキサ-で撹拌しながら徐々に８０℃
まで加熱した。約７０℃の留分を収集し１２．３ｇを
得、これを実施例１と同じ条件でＧＬＣ分析すると９
９．９％の１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオロア
セチルアセトンであった。
【００３０】〔実施例３〕
・１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチルア
セトン・二水和物の回収 温度計、滴下ロ-ト及び還流冷却器を備えた２００ｍｌ
三ツ口フラスコに多量の不純物を含む銅(II)ビス（１，
１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト）（銅（II）（１，１，１，５，５，５−ヘキサフル
オロアセチルアセトナト）（トリメチルシリルエチレ
ン）を用いたＣＶＤ法による製膜工程から排出された全
揮発物を液体窒素トラップに凝縮させたもの）２０．０
ｇを入れた。これに、水４０ｍｌ、９８％硫酸６．０ｇ
を混合したものを、マグミキサ-で撹拌しながら内温３
０℃以下で加え、添加終了後内温５０℃で６時間反応さ
せた。反応終了後、室温まで冷却した後、ｔ-ブチルメ
チルエ-テル５０ｍｌを加え抽出し、有機層を二層分離
した。水層にｔ-ブチルメチルエ-テル３０ｍｌを加え再
抽出し、有機層を合わせてエバポレ-タ-により濃縮し
て、１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチル
アセトン・二水和物１２．８ｇを得た。
セトン・二水和物の回収 温度計、滴下ロ-ト及び還流冷却器を備えた２００ｍｌ
三ツ口フラスコに多量の不純物を含む銅(II)ビス（１，
１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト）（銅（II）（１，１，１，５，５，５−ヘキサフル
オロアセチルアセトナト）（トリメチルシリルエチレ
ン）を用いたＣＶＤ法による製膜工程から排出された全
揮発物を液体窒素トラップに凝縮させたもの）２０．０
ｇを入れた。これに、水４０ｍｌ、９８％硫酸６．０ｇ
を混合したものを、マグミキサ-で撹拌しながら内温３
０℃以下で加え、添加終了後内温５０℃で６時間反応さ
せた。反応終了後、室温まで冷却した後、ｔ-ブチルメ
チルエ-テル５０ｍｌを加え抽出し、有機層を二層分離
した。水層にｔ-ブチルメチルエ-テル３０ｍｌを加え再
抽出し、有機層を合わせてエバポレ-タ-により濃縮し
て、１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチル
アセトン・二水和物１２．８ｇを得た。
【００３１】・１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオ
ロアセチルアセトンの製造 ２０ｍｌナス型フラスコに得られた１，１，１，５，
５，５-ヘキサフルオロアセチルアセトン・二水和物１
２．８ｇ、及び９８％硫酸２６．０ｇを加え栓をし、室
温でマグミキサ-により４時間撹拌した。１時間静定し
た後、二層分離して、９．８ｇの１，１，１，５，５，
５-ヘキサフルオロアセチルアセトンを得た。これを実
施例１と同じ条件でＧＬＣ分析すると９９．９％の１，
１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチルアセトン
であった。
ロアセチルアセトンの製造 ２０ｍｌナス型フラスコに得られた１，１，１，５，
５，５-ヘキサフルオロアセチルアセトン・二水和物１
２．８ｇ、及び９８％硫酸２６．０ｇを加え栓をし、室
温でマグミキサ-により４時間撹拌した。１時間静定し
た後、二層分離して、９．８ｇの１，１，１，５，５，
５-ヘキサフルオロアセチルアセトンを得た。これを実
施例１と同じ条件でＧＬＣ分析すると９９．９％の１，
１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチルアセトン
であった。
【００３２】〔実施例４〕
・１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチルア
セトン・二水和物の回収 温度計、滴下ロ-ト及び還流冷却器を備えた２００ｍｌ
三ツ口フラスコに多量の不純物を含む銅(II)ビス（１，
１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト）（銅（II）（１，１，１，５，５，５−ヘキサフル
オロアセチルアセトナト）（トリメチルシリルエチレ
ン）を用いたＣＶＤ法による製膜工程から排出された全
揮発物を液体窒素トラップに凝縮させたもの）２０．０
ｇを入れた。これに、水４０ｍｌ、９８％硫酸６．０ｇ
を混合したものを、マグミキサ-で撹拌しながら内温３
０℃以下で加え、添加終了後内温５０℃で６時間反応さ
せた。反応終了後、室温まで冷却した後、ｔ-ブチルメ
チルエ-テル５０ｍｌを加え抽出し、有機層を二層分離
した。水層にｔ-ブチルメチルエ-テル３０ｍｌを加え再
抽出し、有機層を合わせてエバポレ-タ-により濃縮し
て、１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチル
アセトン・二水和物１２．５ｇを得た。
セトン・二水和物の回収 温度計、滴下ロ-ト及び還流冷却器を備えた２００ｍｌ
三ツ口フラスコに多量の不純物を含む銅(II)ビス（１，
１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト）（銅（II）（１，１，１，５，５，５−ヘキサフル
オロアセチルアセトナト）（トリメチルシリルエチレ
ン）を用いたＣＶＤ法による製膜工程から排出された全
揮発物を液体窒素トラップに凝縮させたもの）２０．０
ｇを入れた。これに、水４０ｍｌ、９８％硫酸６．０ｇ
を混合したものを、マグミキサ-で撹拌しながら内温３
０℃以下で加え、添加終了後内温５０℃で６時間反応さ
せた。反応終了後、室温まで冷却した後、ｔ-ブチルメ
チルエ-テル５０ｍｌを加え抽出し、有機層を二層分離
した。水層にｔ-ブチルメチルエ-テル３０ｍｌを加え再
抽出し、有機層を合わせてエバポレ-タ-により濃縮し
て、１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチル
アセトン・二水和物１２．５ｇを得た。
【００３３】・１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオ
ロアセチルアセトンの製造 温度計、攪拌機、ガラス球を充填した還流冷却器を備え
た１００ｍｌガラス反応器に窒素ガスを通じながら、得
られた１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチ
ルアセトン・二水和物１２．５ｇ及び９８％硫酸２５ｇ
を加え、マグミキサ-で撹拌しながら徐々に８０℃まで
加熱した。約７０℃の留分を収集し９．５ｇを得、これ
を実施例１と同じ条件でＧＬＣ分析すると９９．９％の
１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチルアセ
トンであった。
ロアセチルアセトンの製造 温度計、攪拌機、ガラス球を充填した還流冷却器を備え
た１００ｍｌガラス反応器に窒素ガスを通じながら、得
られた１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチ
ルアセトン・二水和物１２．５ｇ及び９８％硫酸２５ｇ
を加え、マグミキサ-で撹拌しながら徐々に８０℃まで
加熱した。約７０℃の留分を収集し９．５ｇを得、これ
を実施例１と同じ条件でＧＬＣ分析すると９９．９％の
１，１，１，５，５，５-ヘキサフルオロアセチルアセ
トンであった。
【００３４】
【発明の効果】本発明の回収方法によると、酸加水分解
という簡便な操作で、１，１，１，５，５，５−ヘキサ
フルオロアセチルアセトン・二水和物が得られ、それか
ら容易に高純度の１，１，１，５，５，５−ヘキサフル
オロアセチルアセトンを得ることができる。
という簡便な操作で、１，１，１，５，５，５−ヘキサ
フルオロアセチルアセトン・二水和物が得られ、それか
ら容易に高純度の１，１，１，５，５，５−ヘキサフル
オロアセチルアセトンを得ることができる。
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C07C 45/00 - 45/90
C07C 47/00 - 49/92
Claims (6)
- 【請求項１】１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ
アセチルアセトンの金属錯体に水および酸を加えて加水
分解することからなる１，１，１，５，５，５−ヘキサ
フルオロアセチルアセトン水和物の製造方法。 - 【請求項２】１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ
アセチルアセトンの金属錯体を加水分解して得られた
１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセ
トン水和物を脱水することからなる１，１，１，５，
５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンの製造方法。 - 【請求項３】１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ
アセチルアセトンの金属錯体の金属が銅である請求項１
乃至２の何れかに記載の製造方法。 - 【請求項４】１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ
アセチルアセトンの金属錯体が少なくとも１個の１，
１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトン
を配位子とする錯体である請求項１乃至３の何れかに記
載の製造方法。 - 【請求項５】１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ
アセチルアセトンの金属錯体が銅（ＩＩ）ビス（１，
１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトナ
ト）である請求項１乃至４の何れかに記載の製造方法。 - 【請求項６】１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ
アセチルアセトンの金属錯体が、１，１，１−トリフル
オロアセトンとトリフルオロ酢酸のエステルを反応させ
て得られた１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロア
セチルアセトンから製造された金属錯体であることを特
徴とする請求項２乃至５の何れかに記載の１，１，１，
５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンの回収方
法。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP2000076838A JP3494363B2 (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | １，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンの製造方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000076838A JP3494363B2 (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | １，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトンの製造方法 |
Publications (2)
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3356527A (en) | 1964-04-23 | 1967-12-05 | Ross W Moshier | Vapor-plating metals from fluorocarbon keto metal compounds |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5322712A (en) * | 1993-05-18 | 1994-06-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for improved quality of CVD copper films |
| JP2622671B2 (ja) | 1995-03-07 | 1997-06-18 | 株式会社トリケミカル研究所 | 銅のβ−ジケトネート錯体の製造方法 |
| US6046364A (en) * | 1998-12-07 | 2000-04-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Regeneration of metal CVD precursors |
-
2000
- 2000-03-17 JP JP2000076838A patent/JP3494363B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2001
- 2001-03-15 US US09/808,105 patent/US6548712B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-16 DE DE10112847A patent/DE10112847B4/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3356527A (en) | 1964-04-23 | 1967-12-05 | Ross W Moshier | Vapor-plating metals from fluorocarbon keto metal compounds |
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|---|---|
| DE10112847B4 (de) | 2005-07-28 |
| US20010034462A1 (en) | 2001-10-25 |
| JP2001261607A (ja) | 2001-09-26 |
| DE10112847A1 (de) | 2002-03-07 |
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