JP3484182B2 - Proximity effect correction method in electron beam exposure - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハへの微細パ
ターンの描画等に用いられる電子ビーム露光での近接効
果補正方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a proximity effect correction method in electron beam exposure used for drawing a fine pattern on a wafer.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、半導体素子におけるパターンの微
細化に伴って、リソグラフィ装置としての電子ビーム露
光装置の重要性が高まってきている。この電子ビーム露
光装置は、光ステッパよりも解像度が高いという利点が
ある反面、光ステッパのような一括露光ができないため
にスループットが低いという不利な面を備えている。こ
のため、電子ビーム露光装置を用いて如何にしてスルー
プットをあげるかが重要な問題となる。2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization of patterns in semiconductor elements, the importance of electron beam exposure apparatuses as lithography apparatuses has increased. This electron beam exposure apparatus has an advantage that the resolution is higher than that of the optical stepper, but has the disadvantage that the throughput is low because batch exposure cannot be performed unlike the optical stepper. Therefore, an important issue is how to increase the throughput by using the electron beam exposure apparatus.

【０００３】代表的な電子ビーム描画装置は、たとえば
Proceedings of 35th International Symposium on ele
ctron,ion,and photon beams p.2981 に記述されてい
る。この電子ビーム描画装置は、図１４に示すように構
成されている。A typical electron beam drawing apparatus is, for example,
Proceedings of 35th International Symposium on ele
ctron, ion, and photon beams p.2981. This electron beam drawing apparatus is configured as shown in FIG.

【０００４】すなわち、１つの電子源１で発生した電子
ビーム２を矩形の孔を持つ第１成型アパーチャ３に照射
し、矩形断面を持つビーム４を形成する。次に、この矩
形ビーム４を第２成型アパーチャ５に向けて第１成型ア
パーチャ３の像が第２成型アパーチャ５上に結ぶように
照射する。第２成型アパーチャ５には矩形または斜辺を
持った孔が設けられており、成型偏向器６によって第１
成型アパーチャ像と第２成型アパーチャ５の孔との重な
りを調整し、下流に異なる寸法の矩形または三角形の断
面を有するビーム７を形成する。この矩形または三角形
のビーム７を対物レンズ８によって縮小し、試料９の表
面に第２成型アパーチャ５の像を結ぶ。このとき、主偏
向器１０、副偏向器１１によってビーム７の照射位置を
所定の位置に移す。なお、図１４中、１２はプロジェク
ションレンズを示している。That is, the electron beam 2 generated by one electron source 1 is applied to the first molding aperture 3 having a rectangular hole to form a beam 4 having a rectangular cross section. Next, the rectangular beam 4 is directed toward the second shaping aperture 5 so that the image of the first shaping aperture 3 is formed on the second shaping aperture 5. The second molding aperture 5 is provided with a hole having a rectangular shape or a hypotenuse.
The overlap between the shaping aperture image and the holes of the second shaping aperture 5 is adjusted to form a beam 7 having a rectangular or triangular cross section with different dimensions downstream. The rectangular or triangular beam 7 is reduced by the objective lens 8 to form an image of the second molding aperture 5 on the surface of the sample 9. At this time, the irradiation position of the beam 7 is moved to a predetermined position by the main deflector 10 and the sub deflector 11. In addition, in FIG. 14, 12 indicates a projection lens.

【０００５】試料９へ実際にパターンを描画するとき
は、次のようにして行われる。まず、試料９上の全描画
領域を最大偏向領域面積程度の小区画に分割し、偏向幅
が大きく比較的速度の遅い主偏向器１０を用いて描画し
たい小区画にビーム７を導く。次に、この小区画内のビ
ーム７を偏向幅が小さく比較的速度の速い副偏向器１１
を用いて照射したい箇所へ導いて照射する。The pattern is actually drawn on the sample 9 in the following manner. First, the entire drawing area on the sample 9 is divided into small sections having a maximum deflection area area, and the beam 7 is guided to the small section to be drawn by using the main deflector 10 having a large deflection width and a relatively low speed. Next, the sub-deflector 11 which has a small deflection width and a relatively high speed is used for the beam 7 in this small section.
Use to guide and irradiate the desired area.

【０００６】このような電子ビーム露光装置に組込まれ
いる偏向器を駆動する電気回路では理想的なステップ波
形の信号を発生させることはできない。このため、その
信号波形には図１５に示すように、有限の立上がり・立
下がり領域および信号が一定になるまでの振動領域が含
まれている。したがって、通常、偏向器を用いてビーム
を動かしている間あるいはビームの動きが所定の位置で
安定するまでの間は、ブランキング電極に電圧を加えて
ビームが試料９に到達しないようにしている。この時間
はセトリング時間ｔｓと呼ばれている。そして、ビーム
が所定の位置に安定してから試料表面に所定の電荷量を
照射終了するまでの時間ｔｄはブランキング電極の電圧
を０にして、すなわちビームをアンブランクにしてビー
ムを試料９に照射するようにしている。１つの小区画内
の描画が終了したら再び主偏向器１０を用いて次に描画
すべき小区画にビームを移して描画を始める。さらに、
実際には主偏向器１０の偏向幅が試料９の長さに比べて
短いので、適当な頻度で試料９を移動させて描画すべき
小区画が常に主偏向器１０の偏向幅範囲に納まるように
している。An electric circuit for driving a deflector incorporated in such an electron beam exposure apparatus cannot generate an ideal step waveform signal. Therefore, the signal waveform includes a finite rising / falling region and a vibration region until the signal becomes constant, as shown in FIG. Therefore, normally, a voltage is applied to the blanking electrode to prevent the beam from reaching the sample 9 while the beam is being moved using the deflector or until the beam movement is stabilized at a predetermined position. . This time is called the settling time ts. Then, the time td from the time when the beam is stabilized at a predetermined position to the time when the irradiation of a predetermined amount of charge on the sample surface is completed, the blanking electrode voltage is set to 0, that is, the beam is unblanked and the beam is applied to the sample 9. I am trying to irradiate. When the drawing in one small section is completed, the main deflector 10 is used again to move the beam to the next small section to be drawn and the drawing is started. further,
In practice, the deflection width of the main deflector 10 is shorter than the length of the sample 9, so that the small section to be drawn by moving the sample 9 at an appropriate frequency is always within the deflection width range of the main deflector 10. I have to.

【０００７】上記説明からも判るように、電子ビーム露
光装置を用いて試料上にパターンを描画する場合、その
描画に要する時間を決める要素は主に２つある。As can be seen from the above description, when a pattern is drawn on a sample using an electron beam exposure apparatus, there are mainly two factors that determine the time required for the drawing.

【０００８】１つは、図１５中にｔｓで示す時間、すな
わち主偏向、副偏向によるセトリング時間である。ここ
では、セトリング時間ｔｓの総和をＴｓと略記する。成
型偏向器６を動作させる場合には、通常、同時に主また
は副偏向器も動作させる。したがって、描画時間を考え
るときには成型偏向器６のセトリング時間は考えなくて
もよい。また、多くの場合、主偏向の回数は副偏向の回
数に比べて著しく少ないので、Ｔｓは副偏向のセトリン
グ時間と副偏向の回数との積で近似できる。One is the time indicated by ts in FIG. 15, that is, the settling time by the main deflection and the sub deflection. Here, the total sum of the settling time ts is abbreviated as Ts. When the shaping deflector 6 is operated, usually, the main or sub deflector is also operated at the same time. Therefore, when considering the drawing time, it is not necessary to consider the settling time of the molding deflector 6. In many cases, the number of main deflections is significantly smaller than the number of sub-deflections, so Ts can be approximated by the product of the settling time of sub-deflection and the number of sub-deflections.

【０００９】もう１つは、電子ビームがレジストに必要
なエネルギーを与えるのに要する時間であり、これはレ
ジスト感度と電子ビーム電流とで決められる。これは図
１５中に示すｔｄの総和になる。ここでは、この時間を
Ｔｄと略記する。The other is the time required for the electron beam to give the required energy to the resist, which is determined by the resist sensitivity and the electron beam current. This is the sum of td shown in FIG. Here, this time is abbreviated as Td.

【００１０】従来の電子ビーム露光装置では、多くの場
合、ＴｄとＴｓとが同程度であり、いずれの時間も電子
ビーム直描を量産に適用しようとしたときに最低限望ま
れる時間、たとえば４ＧビットＤＲＡＭのパターンを描
画する場合で１ウェハ当たり２分であるのに対して二桁
以上長い。量産に電子ビーム直描を適用するためには、
Ｔｄ，Ｔｓの両方を現在より二桁程度以上短縮すること
が必要である。In a conventional electron beam exposure apparatus, Td and Ts are almost the same in many cases, and any time is the minimum desired time when the electron beam direct writing is applied to mass production, for example, 4G. When writing a pattern of bit DRAM, it takes 2 minutes or more while it takes 2 minutes per wafer. To apply electron beam direct writing to mass production,
It is necessary to reduce both Td and Ts by more than two orders of magnitude.

【００１１】セトリング時間の総和Ｔｓを短くする方法
としては従来から幾つか提案されている。代表的なもの
としては、Proceedings of 36th International Sympos
iumon electron,ion,and photon beams p.2759 に述べ
られているように、たとえば図１６(a) 中の破線で囲ま
れた領域のパターンのように、単位パターンの繰り返し
が多く現れるパターンを描画する際に、それらを先に述
べた矩形パターンと三角形パターンとの組合せで描画す
るのではなく、たとえば第２成型アパーチャ５に図１６
(b) に示すように、その繰り返しパターンの単位パター
ンに対応した孔１３を設けておき、これらの孔１３を使
って一度に複雑なパターンを描画するという方法があ
る。Several methods have been proposed in the past for shortening the total settling time Ts. Proceedings of 36th International Sympos
iumon electron, ion, and photon beams As described in p.2759, draw a pattern in which unit patterns are frequently repeated, such as the pattern of the area surrounded by the broken line in FIG. 16 (a). At this time, instead of drawing them in the combination of the rectangular pattern and the triangular pattern described above, for example, in the second shaping aperture 5, FIG.
As shown in (b), there is a method in which holes 13 corresponding to the unit pattern of the repeating pattern are provided and a complicated pattern is drawn at one time using these holes 13.

【００１２】これはキャラクタープロジェクション方式
またはセルプロジェクション方式と呼ばれている。ビー
ム断面積をある程度大きくしておけば、この方式によっ
て副偏向の回数を大幅に減らすことが可能である。詳し
い計算によると、本方式をたとえば４ＧビットＤＲＡＭ
の量産レベルで用いるためには、ビームの大きさは約１
０ミクロン角以上必要であり、また用いるキャラクタの
パターンの数も一層当たり２０程度必要である。This is called a character projection method or a cell projection method. If the beam cross-sectional area is increased to some extent, the number of sub-deflections can be significantly reduced by this method. According to detailed calculations, this method is applied to, for example, 4 Gbit DRAM.
The beam size is about 1 for use at the mass production level of
It is necessary to have a size of 0 micron square or more, and the number of character patterns used is about 20 per layer.

【００１３】キャラクタープロジェクション方式におい
ては有限個のキャラクタを選択してパターン描画を行う
が、これをさらに進めて、図１７に示すように試料９に
描画するパターン１４の全てを第２成型アパーチャ５に
形成しておき、ビーム７で第２成型アパーチャ５上を一
定速度で走査し、同時に第２成型アパーチャ５と試料９
の両方を移動させるという方式も特開昭６１−２８３１
２１号公報で提案されている。本方式ではキャラクター
プロジェクション方式よりもセトリングに要する時間を
短縮できる。In the character projection method, a finite number of characters are selected and pattern drawing is performed. By further advancing this, all of the patterns 14 drawn on the sample 9 are formed on the second molding aperture 5 as shown in FIG. After being formed, the beam 7 scans the second shaping aperture 5 at a constant speed, and at the same time, the second shaping aperture 5 and the sample 9 are scanned.
A method of moving both of them is also disclosed in JP-A-61-2831.
No. 21 is proposed. This method can reduce the settling time compared to the character projection method.

【００１４】一方、レジストの露光に必要な時間の総和
Ｔｄを短くするためには、レジストの感度の向上または
ビーム電流の増加が必要である。近年、レジスト開発が
進み、感度が従来に比べて一桁程度高いレジストが開発
されつつあり、近い将来Ｔｄの一桁程度の短縮が期待さ
れている。しかし、これでも不十分である。したがっ
て、電子ビームの大電流化が必要となる。On the other hand, in order to reduce the total time Td required for exposure of the resist, it is necessary to improve the sensitivity of the resist or increase the beam current. In recent years, resist development has progressed, and a resist having a sensitivity higher than that of a conventional resist by about one digit is being developed, and it is expected that Td will be reduced by about one digit in the near future. However, this is not enough. Therefore, it is necessary to increase the electron beam current.

【００１５】しかしながら、ビーム電流が増大すると電
子同士の相互作用が、特に電子密度の高いところでは無
視できなくなり、ビームの形状をぼかすことによりパタ
ーン精度を低下させる。図１８は図１４に示した従来装
置の結像系の概略図である。通常の電子ビーム露光装置
の光学系では電子源１としてＬａＢ₆ 結晶を用いている
ため、電子源１のエミッタンスが小さい。クロスオーバ
１５付近では通常ビーム径が小さく、大電流の場合には
電子密度が許容できない程に高くなる。クロスオーバ付
近での電子同士の相互作用を抑えて十分な精度を得るた
めにはビーム電流を下げて用いらざるを得ない。However, when the beam current increases, the interaction between the electrons cannot be ignored, especially in a high electron density, and the pattern shape is degraded by blurring the beam shape. FIG. 18 is a schematic diagram of an image forming system of the conventional apparatus shown in FIG. Since the LaB ₆ crystal is used as the electron source 1 in the optical system of a usual electron beam exposure apparatus, the emittance of the electron source 1 is small. The beam diameter is usually small in the vicinity of the crossover 15, and the electron density becomes unacceptably high in the case of a large current. In order to suppress the interaction between electrons near the crossover and obtain sufficient accuracy, the beam current must be lowered.

【００１６】したがって、前述した図１６および図１７
に示す方法を用いてセトリング時間の総和Ｔｓを短くし
たとしても、レジスト露光時間Ｔｄを短縮できないの
で、描画時間の短縮には限界がある。Therefore, FIG. 16 and FIG.
Even if the total settling time Ts is shortened by using the method described in (1), the resist exposure time Td cannot be shortened, so that there is a limit in shortening the drawing time.

【００１７】また、セトリング時間の総和Ｔｓを短縮し
ていく場合に残された問題として、これまで紹介した方
法では近接効果の補正が難しいことを挙げることができ
る。表面にレジストの塗布された試料に電子を照射した
場合、試料（通常はＳｉウェハ）内で後方に散乱された
電子がレジストにエネルギを与えるため、たとえ究極に
近い細いビームを照射したとしても、レジストに与えら
れるエネルギの空間分布はほぼδ（ｒ）＋ηexp （−ｒ
² ／β² ）に比例する。ここで、δ（ｒ）はデルタ関数
であり、ｒはビームを照射した位置からの距離、ηは後
方散乱電子の効果の割合、βは後方散乱の特徴的な広が
りを表す。したがって、電子の照射密度が疎な領域と密
な領域とで、レジストに与えられるエネルギ密度が異な
り、このためにレジストを現像した場合に電子の照射領
域の形状、寸法と現像領域の形状、寸法に違いが生じ
る。これは近接効果と呼ばれている。Another problem left behind when the total settling time Ts is shortened is that it is difficult to correct the proximity effect by the methods introduced so far. When a sample whose surface is coated with resist is irradiated with electrons, electrons scattered backward in the sample (usually a Si wafer) give energy to the resist, so even if a thin beam near the ultimate is irradiated, The spatial distribution of energy applied to the resist is approximately δ (r) + ηexp (−r
² / β ² ). Here, δ (r) is a delta function, r is the distance from the position where the beam is irradiated, η is the ratio of the effect of backscattered electrons, and β is the characteristic spread of backscattering. Therefore, the energy density applied to the resist is different between the area where the electron irradiation density is sparse and the area where the electron irradiation density is dense. Therefore, when the resist is developed, the shape and size of the electron irradiation area and the shape and size of the development area Makes a difference. This is called the proximity effect.

【００１８】図１９を用いて近接効果について説明す
る。図１９(a) の黒塗りの領域が電子を照射した部分で
ある。図１９(b) は図１９(a) 上の一点鎖線に沿った電
子の照射量の分布を示す。The proximity effect will be described with reference to FIG. The black-painted area in FIG. 19A is a portion irradiated with electrons. FIG. 19 (b) shows the distribution of the electron dose along the alternate long and short dash line in FIG. 19 (a).

【００１９】先に説明したように、レジストに与えられ
るエネルギは、照射電子だけではなく、後方散乱電子に
よるものもある。レジストに与えられたエネルギの分布
を示すと、たとえば図１９(d) のようになる。レジスト
の感光の閾値を図１９(d) 中の破線で示す値に設定した
場合には、図１９(c) に示すように、細い線は現像され
ない。レジストの感光の閾値を下げて、細い線も現像さ
れるようにすると、今度は太い線の線幅が広くなってし
まう。As described above, the energy applied to the resist is not limited to the irradiation electrons but also to the backscattered electrons. The distribution of energy applied to the resist is shown in FIG. 19 (d), for example. When the exposure threshold of the resist is set to the value shown by the broken line in FIG. 19 (d), the thin line is not developed as shown in FIG. 19 (c). When the threshold value of resist exposure is lowered so that a thin line is also developed, the line width of a thick line becomes wider this time.

【００２０】この問題に対する解決策の代表的なものと
して、図２０(a) に示すように、電子の照射量を一様と
せずに分布を持たせることで、図２０(b) に示すように
レジストに与えられたエネルギ分布を変え、図２０(c)
に示すように所望のパターンを得るという方式がある。
これは照射量補正方式と呼ばれている。As a typical solution to this problem, as shown in FIG. 20 (a), the irradiation amount of electrons is made non-uniform so as to have a distribution as shown in FIG. 20 (b). The energy distribution given to the resist is changed to Fig. 20 (c).
There is a method of obtaining a desired pattern as shown in FIG.
This is called a dose correction method.

【００２１】しかしながら、キャラクタープロジェクシ
ョン方式あるいはビームで第２成型アパーチャ上を走査
する方式で、たとえば図１９(a) に示したようなパター
ンを発生する場合、電子の試料での後方散乱の代表的な
長さと同程度あるいはそれ以上にビーム寸法が大きくな
ると、照射量補正が行えず、近接効果が起きてしまう。However, when a pattern as shown in FIG. 19 (a) is generated by the character projection method or the method of scanning the second shaping aperture with a beam, a typical example of backscattering of electrons in a sample is shown. If the beam size is as large as or longer than the length, the dose cannot be corrected and the proximity effect occurs.

【００２２】なお、特開平３−１０１２１４号公報にお
いては、ビームで第２成型アパーチャ上を走査する場合
に、その走査速度に変調をかけて照射量補正を行うこと
が述べられているが、その場合でもビーム径を所定の大
きさに小さくする必要があり、さらに一定速度で走査す
る場合に比べて回路が複雑となるので、動作が遅くな
り、結果として描画時間が長くなることは避けられな
い。In Japanese Patent Laid-Open No. 3-101214, it is described that when scanning the second shaping aperture with a beam, the scanning speed is modulated to correct the dose. Even if it is necessary to reduce the beam diameter to a predetermined size, and the circuit becomes more complicated than when scanning at a constant speed, the operation becomes slower, and as a result the drawing time becomes longer. .

【００２３】これまで述べてきた成型アパーチャを用い
る方式のほかに、図２１に示すように、複数の電子源を
二次元あるいは一次元に配置して、それぞれのビームを
ON/OFFすることでパターン化されたビームを得る方式
が、たとえば特公平３−３５７７５号公報で提案されて
いる。In addition to the method using the shaping aperture described above, as shown in FIG. 21, a plurality of electron sources are arranged two-dimensionally or one-dimensionally and each beam is emitted.
A method of obtaining a patterned beam by turning on / off is proposed in, for example, Japanese Patent Publication No. 3-35775.

【００２４】この方式では、電子源１６と引き出し電極
１７との間に引き出し電圧１８が印加されて電子が各電
子源１６より放出される。引き出し電極１７の下流には
ブランキング板１９，２０が設けてあり、それぞれがス
イッチ２１を介して、電源２２，２３あるいはアース線
と接続される。ブランキング板１９，２０が接地されて
いるときは、電子はブランキング板２４に開けられた開
口２５より取り出され、電源２２，２３に接続されてい
るときはブランクされる。各スイッチ２１は独立に制御
されるので、各電子源１６からの電子の放出を独立に制
御できる。In this method, the extraction voltage 18 is applied between the electron source 16 and the extraction electrode 17, and electrons are emitted from each electron source 16. Blanking plates 19 and 20 are provided downstream of the extraction electrode 17, and are connected to power sources 22 and 23 or a ground wire via a switch 21, respectively. When the blanking plates 19 and 20 are grounded, the electrons are taken out from the opening 25 formed in the blanking plate 24, and blanked when connected to the power sources 22 and 23. Since each switch 21 is controlled independently, the emission of electrons from each electron source 16 can be controlled independently.

【００２５】これに類似したものとして、特開平３−１
７４７１５号公報では図２２に示すように、成型アパー
チャの位置２７にビームの透過を独立に制御するための
ブランキングアパーチャ２８を二次元あるいは一次元に
配置して複数電子源と同等の効果を得るという方式を提
案している。なお、図中、２９，３０はブランキング板
を示し、２９は接地されており、３０は独立に接地（OF
F ）または電圧が印加（ON）される。Similar to this, Japanese Patent Laid-Open No. 3-1
In Japanese Patent No. 74715, as shown in FIG. 22, a blanking aperture 28 for independently controlling the transmission of a beam is arranged at a position 27 of the shaping aperture in two dimensions or one dimension to obtain the same effect as that of a plurality of electron sources. I have proposed a method called. In the figure, 29 and 30 denote blanking plates, 29 is grounded, and 30 is independently grounded (OF
F) or voltage is applied (ON).

【００２６】この方式では電圧の印加されているブラン
キング板に対応するアパーチャ２８を通過した電子は軌
道を曲げられ、途中図示していないブランキングアパー
チャにおいて阻止される。したがって、試料９上には各
ブランキングアパーチャ列のON ／OFF パターンに応じ
てパターン化されたビーム２６が得られる。In this system, the electrons that have passed through the aperture 28 corresponding to the blanking plate to which a voltage is applied are bent in their trajectories and are blocked at a blanking aperture (not shown) on the way. Therefore, a beam 26 patterned on the sample 9 according to the ON / OFF pattern of each blanking aperture array is obtained.

【００２７】図２１および図２２に示す方式を用いれ
ば、原理的には予めパターン化されたアパーチャを用意
しなくても任意のパターン化されたビームを発生するこ
とが可能となる。By using the method shown in FIGS. 21 and 22, it is possible in principle to generate an arbitrary patterned beam without preparing a patterned aperture in advance.

【００２８】しかしながら、このような方式で描画時間
を短縮するためには、極めて速いビームの ON ／OFF が
必要となる。たとえば、0.1 ミクロンのパターンを精度
良く描くためには、0.01ミクロン幅内に20万個の電子源
を配置し、2 ミリ幅の電子ビームを得るとして、試料を
100mm/sec で動かすとすると、各電子源のON／OFF のサ
イクルは、10MHz となる。20万個の電子源をこの速度で
操作することは極めて困難で現実的でない。However, in order to shorten the drawing time by such a method, it is necessary to turn on / off the beam extremely fast. For example, in order to draw a 0.1-micron pattern with high accuracy, 200,000 electron sources are placed within a 0.01-micron width to obtain a 2 mm-wide electron beam,
If it is moved at 100 mm / sec, the ON / OFF cycle of each electron source will be 10 MHz. It is extremely difficult and impractical to operate 200,000 electron sources at this speed.

【００２９】さらに、マスクを用いた従来の電子ビーム
露光装置では電子源で発生した電子を有効に利用してい
ないという問題があった。これは図２３に示すように、
電子源１からの電子の放射角分布が一様ではないためで
あり、実際には、電子の分布がほぼ一様と見てよいごく
狭い範囲から放出される電子のみを利用している。電子
源１より放出された電子ビーム３１は概略同図に示す電
流分布を持っている。成型アパーチャを用いてパターン
化されたビームを得る場合、アパーチャ上での電流分布
は所定の一様性を持つことが必要である。したがって、
利用できる電子ビームは、たとえば３２で示す部分だけ
となる。このため、多くの場合、ビームの利用率は１％
以下である。これは電子源１として、ＬａＢ₆ を用いる
場合も、電界放出型電子源を用いる場合も同様である。
これは大電流の電子ビームを利用したい場合には問題と
なる。Further, the conventional electron beam exposure apparatus using a mask has a problem that the electrons generated by the electron source are not effectively used. This is as shown in FIG.
This is because the emission angle distribution of the electrons from the electron source 1 is not uniform, and in reality, only the electrons emitted from a very narrow range where the electron distribution can be considered to be substantially uniform are used. The electron beam 31 emitted from the electron source 1 has a current distribution shown in FIG. When using a shaped aperture to obtain a patterned beam, it is necessary that the current distribution on the aperture be uniform. Therefore,
The available electron beam is, for example, only the portion indicated by 32. Therefore, in most cases, the beam utilization rate is 1%.
It is the following. This is the same when LaB ₆ is used as the electron source 1 and when a field emission type electron source is used.
This becomes a problem when it is desired to use a high-current electron beam.

【００３０】一方、前述したキャラクタープロジェクシ
ョン方式では、ステンシルマスクを利用するために、た
とえば中抜きの輪といったパターンのビームを発生する
ことが原理的に困難である。On the other hand, in the character projection method described above, it is theoretically difficult to generate a beam having a pattern such as a hollow ring because the stencil mask is used.

【００３１】そこで、J.Vac.Technol.B9(1991)3000に示
されているように、パターンをメンブレン上に形成した
マスクを用い、マスクでの電子の散乱角の違いを用いて
試料上でビーム強度にコントラストを与える方法（ＳＣ
ＡＬＰＥＬ方式) が提案されている。Therefore, as shown in J.Vac.Technol.B9 (1991) 3000, a mask having a pattern formed on a membrane is used, and the difference in electron scattering angle between the masks is used to measure on the sample. Method to give contrast to beam intensity (SC
ALPEL method) has been proposed.

【００３２】図２４はこの方式の原理を説明するための
ものである。電子源４１より放出された電子ビーム４２
はたとえばエネルギが150keVで、レンズ４３によってク
ロスオーバを形成した後メンブレンマスク４４に照射さ
れ、これを透過した後レンズ４５で集束され、アパーチ
ャ板４６に開けられた穴４７を通過した後、再びレンズ
４９で集束されて試料５０に照射される。FIG. 24 is for explaining the principle of this system. Electron beam 42 emitted from electron source 41
Is, for example, with an energy of 150 keV, a crossover is formed by the lens 43, then the film is irradiated onto the membrane mask 44, and after passing through this, it is focused by the lens 45, passes through the hole 47 formed in the aperture plate 46, and then the lens again. It is focused at 49 and irradiated on the sample 50.

【００３３】ここで、メンブレンマスク４４では電子の
散乱の小さい領域５１と散乱の大きい領域５２とにパタ
ーン化されている。散乱の小さい領域はたとえば1000オ
ングストロームのＳｉＮで形成されており、散乱の大き
い領域は散乱の小さい領域の上に厚さ500 オングストロ
ームのタングステンを付けたものとなっている。Here, the membrane mask 44 is patterned into a region 51 in which the scattering of electrons is small and a region 52 in which the scattering of electrons is large. The low-scattering region is formed of, for example, 1000 angstroms of SiN, and the high-scattering region is formed by adding a 500-angstrom thick tungsten layer on the low-scattering region.

【００３４】この方式では、マスクで電子が散乱されな
い場合にクロスオーバの像が結像される位置にアパーチ
ャ板４６が設けられ、さらに上記位置に穴４７が設けら
れている。メンブレンマスク４４で受ける散乱の小さい
電子はほとんどがアパーチャ板４６の穴４７を通過す
る。一方、散乱の大きい電子のほとんどは、穴４７の周
囲の領域５３に衝突する。したがって、メンブレンマス
ク４４の像が試料５０上に結像するようにレンズ４９を
調節しておけば、メンブレンマスク４４のパターン像を
試料５０に描画することができる。In this method, an aperture plate 46 is provided at a position where a crossover image is formed when electrons are not scattered by the mask, and a hole 47 is provided at the above position. Most of the scattered electrons received by the membrane mask 44 pass through the hole 47 of the aperture plate 46. On the other hand, most of the scattered electrons collide with the region 53 around the hole 47. Therefore, if the lens 49 is adjusted so that the image of the membrane mask 44 is formed on the sample 50, the pattern image of the membrane mask 44 can be drawn on the sample 50.

【００３５】このＳＣＡＬＰＥＬ方式を採用した電子ビ
ーム露光装置にあっても、前述の如く後方散乱電子によ
って照射領域以外でもレジストが露光されるという、い
わゆる近接効果が起きるため、レジストを現像した後の
パターンにぼけが生じる。Even in the electron beam exposure apparatus adopting the SCALPEL system, since the resist is exposed by the backscattered electrons even in the area other than the irradiation area as described above, a so-called proximity effect occurs, so that the pattern after the resist is developed. Blurring occurs.

【００３６】この近接効果を補正するために、２つの方
式が提案されている。１つはドーズ量補正と呼ばれるも
ので、パターンの場所毎に電子の照射量を変えて、全体
として、露光領域とそれ以外の領域とで後方散乱電子を
含めた電子の照射量に必要なコントラストを与えるとい
ものである。Two methods have been proposed to correct this proximity effect. One is called dose correction, in which the electron irradiation amount is changed for each position of the pattern, and the contrast required for the electron irradiation amount including backscattered electrons in the exposed region and other regions as a whole is increased. Is to give.

【００３７】また、もう１つはJ.Vac.Technol.B6(1988)
448 に示されるＧＨＯＳＴ法と呼ばれるものである。こ
れは、後方散乱電子の分布が入射電子の分布に比べて極
めて広いことを利用したもので、露光領域への第１回目
の露光の後に、露光領域以外の領域に露光領域での後方
散乱電子による露光量と同じだけの電子を散乱電子の分
布と同程度となるように予めぼかして照射（第２回目の
露光）するようにしている。The other is J.Vac.Technol.B6 (1988).
This is called the GHOST method shown in 448. This utilizes the fact that the distribution of backscattered electrons is extremely wider than the distribution of incident electrons. After the first exposure of the exposure area, the backscattered electrons in the exposure area are exposed in areas other than the exposure area. The same amount of electrons as the exposure amount by (4) is previously blurred and irradiated (second exposure) so as to have the same degree as the distribution of scattered electrons.

【００３８】前者のドーズ量補正はＳＣＡＬＰＥＬ方式
で広い領域を一括して露光しようとする場合には不可能
である。なお、電子ビームでメンブレンマスク４４上を
走査する場合には可能であるが、電子の走査速度を場所
毎に変化させる必要があり、実現は容易ではない。一
方、ＧＨＯＳＴ法を適用する場合には、このような問題
は発生しないが、メンブレンマスク４４のパターンを反
転したマスクを別に用意する必要があるので、マスクの
製作と交換に要する費用と時間は無視できないものとな
る。The former dose correction cannot be performed when a large area is collectively exposed by the SCALPEL method. Although it is possible to scan the membrane mask 44 with the electron beam, it is not easy to realize it because it is necessary to change the electron scanning speed for each place. On the other hand, when the GHOST method is applied, such a problem does not occur, but since it is necessary to separately prepare a mask in which the pattern of the membrane mask 44 is inverted, the cost and time required for manufacturing and replacing the mask are neglected. It cannot be done.

【００３９】[0039]

【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来の電
子ビーム露光装置にあっては、主に、大電流化が難しい
こと、近接効果の補正が困難であることという問題があ
り、量産装置として求められる描画時間の大幅な短縮が
困難であった。As described above, the conventional electron beam exposure apparatus has the problems that it is difficult to increase the current and that it is difficult to correct the proximity effect. It was difficult to drastically reduce the drawing time required for.

【００４０】そこで本発明は、上述した不具合の全部あ
るいは一部を解決できる電子ビーム露光での近接効果補
正方法を提供することを目的としている。Therefore, an object of the present invention is to provide a proximity effect correction method in electron beam exposure which can solve all or some of the above-mentioned problems.

【００４１】[0041]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明では、ＳＣＡＬＰＥＬ方式で露光を行う
とともにＧＨＯＳＴ法で近接効果の補正を行う電子ビー
ム露光での近接効果補正方法において、マスクより下流
位置で、マスクで散乱されない電子がクロスオーバ像を
結像する位置に、マスクでの散乱の小さい電子に対して
は透過率が大きい第１のアパーチャとマスクでの散乱の
小さい電子に対しては透過率が小さい第２のアパーチャ
とを交換配置しながら露光を行うことによって近接効果
を補正している。In order to achieve the above object, in the first invention, in the proximity effect correction method in electron beam exposure in which exposure is performed by the SCALPEL method and the proximity effect is corrected by the GHOST method, At the position downstream of the mask, at the position where electrons not scattered by the mask form a crossover image, the first aperture having a large transmittance for electrons having a small scattering on the mask and the electron having a small scattering on the mask are formed. On the other hand, the proximity effect is corrected by exposing while exchanging the second aperture having a small transmittance.

【００４２】また、上記目的を達成するために、第２の
発明では、ＳＣＡＬＰＥＬ方式で露光を行うとともにＧ
ＨＯＳＴ法で近接効果の補正を行う電子ビーム露光での
近接効果補正方法において、マスクより下流位置に、マ
スクでの散乱の小さい電子に対しては透過率が大きい第
１の領域とマスクでの散乱の小さい電子に対しては透過
率が小さい第２の領域を持つ１つのアパーチャを配置
し、偏向手段で上記第１の領域と上記第２の領域とにク
ロスオーバ像が形成される条件を順次作り出して露光を
行うことによって近接効果を補正している。In order to achieve the above object, in the second invention, the exposure is performed by the SCALPEL system and the G
In the proximity effect correction method using electron beam exposure, which corrects the proximity effect by the HOST method, in the downstream position of the mask, the first region having a large transmittance for electrons having a small scattering in the mask and the scattering in the mask One electron having a second region having a small transmissivity is arranged for electrons having a small transmission factor, and the deflecting means sequentially sets the conditions for forming a crossover image in the first region and the second region. Proximity effect is corrected by creating and exposing.

【００４３】[0043]

【作用】第１及び第２の発明に係る近接効果補正方法で
は、反転パターンマスクを用いることなく、近接効果を
補正できるので、描画時間の短縮に寄与できる。In the proximity effect correction method according to the first and second aspects of the present invention, the proximity effect can be corrected without using an inversion pattern mask, which contributes to shortening the drawing time.

【００４４】[0044]

【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。Embodiments will be described below with reference to the drawings.

【００４５】図１には本発明の一実施例に係る電子ビー
ム露光装置の概略構成が示されている。FIG. 1 shows a schematic structure of an electron beam exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【００４６】図中、１０１は複数の電子源を二次元配置
してなる電子源装置を示し、１０２はアパーチャを示
し、１０３はアパーチャ１０２に描画するパターン形状
に合致する形状に形成された開口部を示している。１０
４は電子源装置１０１を構成している各電子源からのビ
ームレットを示し、１０５は各ビームレットのアパーチ
ャ１０２上での特徴的な広がりを示す円を示し、１０６
は試料を示し、１０７は開口部１０３の試料１０６上の
像を示している。In the figure, 101 is an electron source device in which a plurality of electron sources are two-dimensionally arranged, 102 is an aperture, and 103 is an opening formed in a shape that matches the pattern shape drawn on the aperture 102. Is shown. 10
Reference numeral 4 denotes a beamlet from each electron source constituting the electron source device 101, reference numeral 105 denotes a circle showing a characteristic spread of each beamlet on the aperture 102, and 106.
Indicates a sample, and 107 indicates an image of the opening 103 on the sample 106.

【００４７】なお。アパーチャ１０２の開口部１０３の
像を試料１０６上に導く図示しない電子光学系が設けら
れている。また、アパーチャ１０２をステップ的あるい
は連続的に移動させる図示しない機構が設けてあり、ア
パーチャ１０２を固定した場合よりも多くのパターンを
露光することが可能となっている。Incidentally. An electron optical system (not shown) that guides the image of the opening 103 of the aperture 102 onto the sample 106 is provided. In addition, a mechanism (not shown) for moving the aperture 102 stepwise or continuously is provided, and it is possible to expose more patterns than when the aperture 102 is fixed.

【００４８】ここで、各ビームレット１０４は、アパー
チャ１０２上において必要な均一性が得られるだけ重な
るように重なり設定手段によって設定されている。すな
わち、今、図２(a) に示すように、１つの電子源から放
出される電子の電流分布がアパーチャ１０２上におい
て、（１／（ｒ² ＋ａ² ））² に比例するとする。な
お、ｒは電流分布の中心からの距離、ａは電流分布の広
がりを表すパラメータで、これは電子源、電子源よりの
距離等で決まる。この例では、各電子源からの電流の分
布の中心が間隔ｄ＝ａ／２で格子状に並ぶようにしてあ
り、図２(b) に示すようにアパーチャ１０２上での電流
分布の一様性が0.1%以下となっている。なお、これ以上
の一様性が必要な場合には、間隔ｄを狭くするか、もし
くは１つの電子源からの電流の広がりａを広くすること
によって実現できる。Here, the beamlets 104 are set by the overlap setting means so that the beamlets 104 overlap each other on the aperture 102 to obtain the required uniformity. That is, as shown in FIG. 2A, it is assumed that the current distribution of electrons emitted from one electron source is proportional to (1 / (r ² + a ² )) ² on the aperture 102. Note that r is a distance from the center of the current distribution, and a is a parameter representing the spread of the current distribution, which is determined by the electron source, the distance from the electron source, and the like. In this example, the centers of the current distributions from the respective electron sources are arranged in a grid pattern at intervals d = a / 2, and as shown in FIG. 2 (b), the current distribution on the aperture 102 is uniform. Sex is less than 0.1%. If more uniformity is required, it can be realized by narrowing the interval d or widening the spread a of the current from one electron source.

【００４９】このように構成することによって、アパー
チャ１０２の縁の部分を除けば、各電子源から放出され
た電子のほとんどをアパーチャ１０２の開口部１０３に
通すことができるので、電子の利用効率を極めて高くす
ることができる。また、アパーチャ１０２の縁の付近で
はビームレット１０４の間隔を若干狭くする等により、
さらに若干の利用効率の向上が可能である。また、電子
源を複数個用いることで実効的に電子源のエミッタンス
を大きくできる。したがって、クロスオーバ位置１０８
において大電流が狭い領域に集中するのを避けることが
できるので、電子間の相互作用によるビーム軌道のずれ
やエネルギ分散の増加を防ぐことができる。With this structure, most of the electrons emitted from each electron source can pass through the opening 103 of the aperture 102 except for the edge portion of the aperture 102, so that the utilization efficiency of electrons is improved. It can be quite high. Further, near the edge of the aperture 102, the interval between the beamlets 104 is slightly narrowed,
Further, it is possible to slightly improve the utilization efficiency. Moreover, the emittance of the electron source can be effectively increased by using a plurality of electron sources. Therefore, the crossover position 108
Since it is possible to prevent the large current from concentrating in a narrow area in, it is possible to prevent the deviation of the beam orbit and the increase of energy dispersion due to the interaction between the electrons.

【００５０】なお、各電子源の配置は必ずしも二次元配
置に限られるものではなく、図３に示すように一次元に
配置することも可能である。さらに、電子源装置１０１
からの各ビームレット１０４は真に重なる必要はなく、
図４に示すように、矢印方向にみたときに各ビームレッ
トが重なって見えるようにアパーチャ１０２上に照射し
て、アパーチャ１０２を矢印の方向に移動させたり、ビ
ームレット１０４を矢印の方向に走査したりすることで
も必要な重なりを持たせることができる。The arrangement of the electron sources is not necessarily limited to the two-dimensional arrangement, but may be arranged in a one-dimensional arrangement as shown in FIG. Further, the electron source device 101
Each beamlet 104 from does not have to truly overlap,
As shown in FIG. 4, when the beamlets are viewed in the direction of the arrow, the beamlets are irradiated on the aperture 102 so that the beamlets appear to overlap with each other, and the aperture 102 is moved in the direction of the arrow, or the beamlet 104 is scanned in the direction of the arrow. You can also give the necessary overlap by doing.

【００５１】図１，３は本発明の特徴を概略的に示した
ものであるが、種々の構成を採用できる。たとえば、電
子源装置１０１，１０１ａの各ビームレット１０４の電
流を独立にON/OFFあるいは多値制御するようにしてもよ
い。Although FIGS. 1 and 3 schematically show the features of the present invention, various configurations can be adopted. For example, the current of each beamlet 104 of the electron source device 101, 101a may be independently turned on / off or multi-value controlled.

【００５２】このような電子源装置の構成例を図５に示
す。An example of the structure of such an electron source device is shown in FIG.

【００５３】この例において、電子源列１１１は同電位
の基板１１２上に二次元に配置されている。サプレッサ
１１３、引き出し電極１１４と基板１１２との間に電源
１１５，１１６で適当な電位を与えることによってビー
ムレット１０４が得られる。最初のクロスオーバ１１７
の位置にブランキングアパーチャ１１８を設け、ブラン
キング電極１１９に電位を加えることで、各ビームレッ
ト１０４をON/OFFもしくは電流を制御する。In this example, the electron source array 111 is two-dimensionally arranged on the substrate 112 having the same potential. The beamlet 104 is obtained by applying an appropriate potential between the suppressor 113, the extraction electrode 114, and the substrate 112 with power supplies 115 and 116. First crossover 117
A blanking aperture 118 is provided at the position and a potential is applied to the blanking electrode 119 to turn ON / OFF each beamlet 104 or control the current.

【００５４】なお、ブランキング電極１１９の上流側の
対と、下流側の対の長さを適当に調整して、ブランキン
グ電極１１９に電位を与えてクロスオーバ１１７を移動
させてもアパーチャ１０２上のビーム電流分布は殆ど変
化しないようにできる。Even if the crossover 117 is moved by adjusting the lengths of the upstream side pair and the downstream side pair of the blanking electrodes 119 and applying a potential to the blanking electrodes 119, the apertures 102 are not moved. The beam current distribution of can be made to hardly change.

【００５５】また、各ビームレット１０４のアパーチャ
１０２上の特徴的な広がりを示す前述した円１０５の半
径は、この円１０５の試料１０６上の像の半径が試料１
０６での電子の後方散乱の分布の特徴的な大きさよりも
十分に小さくしておくことが好ましい。また、アパーチ
ャ１０２上での電流密度分布が近接効果補正に必要なだ
けのコントラストが得られる程度に小さくしておくこと
が望ましい。たとえば円１０５の試料１０６上の像の半
径が、試料１０６での電子の後方散乱の分布の特徴的な
大きさの５分の１程度であれば多くの場合は十分であ
る。こうすることによって、図１９で説明した近接効果
を補正する場合、図２０(a) を近似する電流分布を容易
に得ることができる。The radius of the circle 105 described above showing the characteristic spread on the aperture 102 of each beamlet 104 is the radius of the image of the circle 105 on the sample 106.
It is preferable to make it sufficiently smaller than the characteristic size of the backscattering distribution of electrons at 06. Further, it is desirable to make the current density distribution on the aperture 102 small enough to obtain the contrast required for the proximity effect correction. For example, if the radius of the image of the circle 105 on the sample 106 is about one fifth of the characteristic size of the backscattering distribution of electrons on the sample 106, it is sufficient in many cases. By doing so, when correcting the proximity effect described with reference to FIG. 19, it is possible to easily obtain a current distribution approximating that shown in FIG.

【００５６】このように、各ビームレット１０４の電流
を制御することによって、アパーチャ１０２を通過して
パターン化されたビームはその電流分布が近接効果補正
に必要な分布となっており、近接効果の問題も解決され
る。As described above, by controlling the current of each beamlet 104, the patterned beam passing through the aperture 102 has a current distribution that is necessary for the proximity effect correction. The problem is also solved.

【００５７】なお、アパーチャ１０２と試料１０６とを
同時に移動させることで試料１０６にパターンを描画す
る場合には、各ビームレット１０４の電流を対応するパ
ターン上の照射位置に応じて制御する必要がある。しか
し、いわゆるマルチビーム方式で各ビームレットがパタ
ーンの最小寸法を描く場合に比べれば、その制御に必要
な速度は格段に遅くてもよい。たとえばマルチビーム方
式で最小寸法0.1 ミクロンのパターンを描く場合に、必
要な精度を得るためには試料１０６上において直径0.01
ミクロン程度のビームレットが必要となる。試料が100m
m/sec で移動しているとすると、各ビームレットを10MH
z で制御することが必要である。しかも、その場合に
は、たとえば２ミリの幅を描画するために20万個の電子
源が必要となる。When a pattern is drawn on the sample 106 by simultaneously moving the aperture 102 and the sample 106, it is necessary to control the current of each beamlet 104 according to the irradiation position on the corresponding pattern. . However, compared with the case where each beamlet draws the minimum dimension of the pattern by the so-called multi-beam method, the speed required for its control may be much slower. For example, in order to obtain the required accuracy when drawing a pattern with a minimum size of 0.1 micron using the multi-beam method, a diameter of 0.01
Beamlets on the order of microns are required. 100m sample
If you are moving at m / sec, each beamlet is 10 MH
Needs to be controlled by z. Moreover, in that case, 200,000 electron sources are required to draw a width of, for example, 2 mm.

【００５８】一方、本実施例の方式では、後方散乱の直
径を30ミクロン程度とし、電流分布制御を5 ミクロン程
度で行うとすると、20kHz 程度の速度でよく、電子源の
数も400 個程度で済むことになり、実現は遥かに容易で
ある。また、電子源の配置密度をこれよりも高くし、幾
つかの電子源を１つの単位にして制御するという方式を
とることもできる。このようにすることで電子源単体の
電流放出の揺らぎを平均化することができる。On the other hand, in the method of this embodiment, assuming that the backscattering diameter is about 30 μm and the current distribution is controlled at about 5 μm, the speed is about 20 kHz and the number of electron sources is about 400. It's done, and it's much easier to implement. It is also possible to adopt a system in which the arrangement density of electron sources is set higher than this and several electron sources are controlled as one unit. By doing so, it is possible to average fluctuations in current emission of the electron source alone.

【００５９】上記各例は複数の電子源を用いることを前
提にしているが、複数のビームを発生するようにしても
よい。Although the above examples assume that a plurality of electron sources are used, a plurality of beams may be generated.

【００６０】図６には１個の電子源からの電子を途中で
ビームレットに分割して、それぞれのビームレットの電
流を制御するようにした実施例が示されている。FIG. 6 shows an embodiment in which the electrons from one electron source are divided into beamlets on the way and the current of each beamlet is controlled.

【００６１】同図において、電子源２０１で発生したビ
ーム２０２を電極を設けたアパーチャ列２０３に照射し
てビームレットを得る。アパーチャ列２０３には各ビー
ムレットを集束させるレンズが設けてあり、アパーチャ
列２０３を通過したビームレットは一旦集束した後で広
がり、アパーチャ１０２で必要な電流分布の均一性が得
られるように重なっている。In the figure, a beam 202 generated by an electron source 201 is irradiated onto an aperture array 203 provided with electrodes to obtain a beamlet. A lens that focuses each beamlet is provided in the aperture array 203, and the beamlets that have passed through the aperture array 203 are once focused and then spread, and are overlapped so as to obtain the necessary current distribution uniformity in the aperture 102. There is.

【００６２】図７にはアパーチャ列２０３の１つのアパ
ーチャ部分２０３ａの拡大図が示されている。FIG. 7 shows an enlarged view of one aperture portion 203a of the aperture array 203.

【００６３】この例では、分割されたビームレット１０
４を電極２１１によって生じさせた電場によって偏向
し、電流制限用アパーチャ２１２によってビームの一部
あるいは全部を遮断することにより、各ビームレット１
０４の電流を制限することができるようにしている。In this example, the split beamlet 10
4 is deflected by the electric field generated by the electrode 211, and a part or all of the beam is blocked by the current limiting aperture 212, so that each beamlet 1
The current of 04 can be limited.

【００６４】図７に示す構成を用いて近接効果を補正す
る方法は、先の図５に示した例と同じである。本構成で
は、電子源から放射された電流の利用効率が先の例に比
べて劣るが、他の利点は備えている。The method of correcting the proximity effect using the configuration shown in FIG. 7 is the same as the example shown in FIG. In this configuration, the utilization efficiency of the current radiated from the electron source is inferior to the previous example, but it has other advantages.

【００６５】図８には本発明に係る近接効果補正方法の
原理を説明するための図が示されている。FIG. 8 is a diagram for explaining the principle of the proximity effect correction method according to the present invention.

【００６６】まず、この電子ビーム露光装置の露光方法
を説明する。First, the exposure method of this electron beam exposure apparatus will be described.

【００６７】電子源３０１より放出された電子ビーム３
０２は第１の成型アパーチャ３０３の開口部３０４の形
に成型され、第２の成型アパーチャ３０５上に照射され
る。ここで、第２の成型アパーチャ３０５上に開口部３
０４の像３０６が形成されるように光学系が設定されて
いる。Electron beam 3 emitted from electron source 301
02 is molded in the shape of the opening 304 of the first molding aperture 303, and is irradiated onto the second molding aperture 305. Here, the opening 3 is formed on the second molding aperture 305.
The optical system is set so that the image 306 of 04 is formed.

【００６８】第２の成型アパーチャ３０５には描画する
パターン形状の開口部３０７が設けてある。像３０６の
大きさは開口部３０７より小さいので、開口部３０７の
像を試料３０８上に得るために第２の成型アパーチャ３
０５上を走査する必要がある。この例では走査方法とし
て、いわゆるラスター走査を用いており、これによって
精度よく等速で走査でき、折り返しに要する時間を除け
ば、ベクトル走査におけるようなセトリング時間は不要
となる。したがって、実効的には大口径のパターン化さ
れたビームを用いるのとほぼ等しいスループットの向上
を期待できる。なお、第１の成型アパーチャ３０３を省
略して、丸いビームを第２の成型アパーチャ３０５に照
射する方式も可能である。The second molding aperture 305 is provided with a pattern-shaped opening 307 for drawing. Since the size of the image 306 is smaller than the opening 307, the second molding aperture 3 is used to obtain the image of the opening 307 on the sample 308.
05 need to scan over. In this example, so-called raster scanning is used as a scanning method, which enables accurate and uniform scanning, and the settling time as in vector scanning is unnecessary except for the time required for folding. Therefore, the throughput can be expected to be substantially equal to that obtained by using a large-diameter patterned beam. It is also possible to omit the first shaping aperture 303 and irradiate the second shaping aperture 305 with a round beam.

【００６９】ところで、本装置を用いて露光する場合
は、開口部３０７の試料３０８上の像３０９では電流密
度が一定となり、近接効果が生じる。そこで、本実施例
では次のようにしている。By the way, when exposure is performed using this apparatus, the current density becomes constant in the image 309 on the sample 308 in the opening 307, and the proximity effect occurs. Therefore, in this embodiment, the following is performed.

【００７０】すなわち、本実施例では、電流エミッショ
ン制御回路３１０によって電子源３０１の電流を制御し
たり、ブランキング板３１１に印加する電圧を変化させ
ることで電流密度を制御している。ここで、ブランキン
グ板３１１に電圧を印加してブランキングする場合もア
パーチャ３０３の開口部３０４上の電流分布の一様性が
保たれるように、上流側のブランキング板対と下流側の
ブランキング板対の偏向感度が調整してある。これによ
り、電流密度を変化させても像３０６の電流密度分布は
一様に保たれる。That is, in the present embodiment, the current density is controlled by controlling the current of the electron source 301 by the current emission control circuit 310 or changing the voltage applied to the blanking plate 311. Here, even when a voltage is applied to the blanking plate 311 to perform blanking, the upstream side blanking plate pair and the downstream side blanking plate pair are maintained so that the current distribution on the opening 304 of the aperture 303 is kept uniform. The deflection sensitivity of the pair of blanking plates is adjusted. Thereby, even if the current density is changed, the current density distribution of the image 306 is kept uniform.

【００７１】なお、図８中、３１２はブランク回路を示
し、３１３はブランキングアパーチャを示し、３１４は
成型偏向器を示し、３１５は偏向器駆動回路を示し、３
１６は上記各回路を制御する制御回路を示している。In FIG. 8, reference numeral 312 represents a blank circuit, 313 represents a blanking aperture, 314 represents a molded deflector, and 315 represents a deflector drive circuit.
Reference numeral 16 denotes a control circuit for controlling the above circuits.

【００７２】本方式によれば、ビームの電流密度調整と
ビーム成型とが独立であるため、それぞれが干渉するこ
となく精度の良い制御が可能となる。また、図９に示す
ようにブランキング板３１１と独立に電流変調板３１７
を設けることも可能である。すなわち、ブランキング板
３１１は電流の大きい変化を受け持ち、電流変調板３１
７は細かい変化を受け持つようにすることで、電流の変
調を細かく行うことが電気回路的に容易となる。ブラン
キング板、変調板の２種類だけではなく、電流変調の細
かさの必要に応じて種類を増やしてより細かい制御を行
うことも可能である。ブランキング板および各電流変調
板の配置は図９の例に限らず、異なるクロスオーバ位置
に設けてもよい。また、ブランキング板だけでなく電子
源のエミッションそのものを引き出し電圧の調整等によ
って制御することで電流密度を調整することも可能であ
る。ここで説明している電子ビーム露光装置では走査す
るビームの断面が後方散乱の広がりよりも十分小さいよ
うにしてある。したがって、ビーム源として、図１，図
３に示した実施例の如く複数の電子源の集合を用い、各
ビームレットを独立に制御する代わりに全ビームレット
を同一に制御するという方式も可能である。ビームレッ
トは一次元あるいは二次元に配置することができる。According to this method, since the current density adjustment of the beam and the beam shaping are independent of each other, it is possible to perform accurate control without interference between the two. Further, as shown in FIG. 9, a current modulation plate 317 is provided independently of the blanking plate 311.
It is also possible to provide. That is, the blanking plate 311 takes charge of a large change in current, and the current modulating plate 31
Since 7 is responsible for minute changes, it becomes easy for the electric circuit to finely modulate the electric current. Not only two types of blanking plate and modulation plate, but also more types can be performed by increasing the types depending on the need for fineness of current modulation. The arrangement of the blanking plate and each current modulation plate is not limited to the example of FIG. 9 and may be provided at different crossover positions. Further, it is possible to adjust the current density by controlling not only the blanking plate but also the emission itself of the electron source by adjusting the extraction voltage or the like. In the electron beam exposure apparatus described here, the cross section of the beam to be scanned is made sufficiently smaller than the spread of backscattering. Therefore, as a beam source, a method of using a set of a plurality of electron sources as in the embodiment shown in FIGS. 1 and 3 and controlling all the beamlets to be the same instead of controlling each beamlet independently is also possible. is there. The beamlets can be arranged in one or two dimensions.

【００７３】図１０には本発明に係る近接効果補正方法
の別の例を説明するための図が示されている。FIG. 10 is a diagram for explaining another example of the proximity effect correction method according to the present invention.

【００７４】この例は、図２４を用いて説明したＳＣＡ
ＬＰＥＬ法を採用し、かつＧＨＯＳＴ法を用いて近接効
果を補正する方法に本発明を適用した例である。したが
って、図２４と同一機能部分を同一符号で示し、詳しい
説明は省略する。This example is based on the SCA described with reference to FIG.
This is an example in which the present invention is applied to a method of adopting the LPEL method and correcting the proximity effect using the GHOST method. Therefore, the same functional portions as those in FIG. 24 are denoted by the same reference numerals, and detailed description will be omitted.

【００７５】図２４を用いて説明したようにＧＨＯＳＴ
法では、露光領域への第１回目の露光の後、露光領域以
外に露光領域での後方散乱電子による露光量と同じだけ
の電子を散乱電子の分布と同程度になるように第２回目
の露光を行う必要がある。As described with reference to FIG. 24, GHOST
According to the method, after the first exposure to the exposure region, the second exposure is performed so that the same amount of electrons as the exposure amount of the backscattered electrons in the exposure region other than the exposure region becomes similar to the distribution of scattered electrons. It is necessary to perform exposure.

【００７６】この図１０に示す例では、第１回目の露光
に際しては図１０(a) に示すように、従来と同様にマス
ク４４で電子が散乱されない場合にクロスオーバの像が
結像される位置に穴４７を有した第１のアパーチャ板４
６を用いる。そして、第２回目の露光を行うときには、
図１０(b) に示すように上記クロスオーバの像が結像さ
れる位置には穴が開いておらず、周囲の主に散乱の大き
い電子が結像される位置に穴４０１を有した第２のアパ
ーチャ板４０２に交換するようにしている。In the example shown in FIG. 10, in the first exposure, as shown in FIG. 10A, a crossover image is formed when electrons are not scattered by the mask 44 as in the conventional case. First aperture plate 4 with holes 47 in position
6 is used. Then, when performing the second exposure,
As shown in FIG. 10 (b), there is no hole at the position where the image of the crossover is formed, and there is a hole 401 at the position where mainly the electrons with large scattering are imaged. The aperture plate 402 of 2 is exchanged.

【００７７】すなわち、この例では、ＧＨＯＳＴ法を用
いて近接効果補正を行う場合に、第１回目の露光の後に
アパーチャ板を交換して第２回目の露光を行うようにし
ている。この時に、レンズ４９を適当に調整して、試料
５０上ではＧＨＯＳＴ法の第２回目の露光に必要なだけ
ぼけた像が領域４０３上で得られるようにしている。That is, in this example, when the proximity effect correction is performed using the GHOST method, the aperture plate is exchanged after the first exposure and the second exposure is performed. At this time, the lens 49 is appropriately adjusted so that the image on the sample 50 which is blurred as much as necessary for the second exposure of the GHOST method is obtained on the region 403.

【００７８】したがって、従来の方法とは違ってメンブ
レンマスク４４のパターンを反転した別のマスクを用意
する必要がないので、コストの低減を図ることができ
る。Therefore, unlike the conventional method, it is not necessary to prepare another mask in which the pattern of the membrane mask 44 is reversed, so that the cost can be reduced.

【００７９】図１１には本発明に係る近接効果補正方法
のさらに別の例を説明するための図が示されている。FIG. 11 is a diagram for explaining still another example of the proximity effect correction method according to the present invention.

【００８０】この例も、図２４を用いて説明したＳＣＡ
ＬＰＥＬ法を採用し、かつＧＨＯＳＴ法を用いて近接効
果を補正する方法に本発明を適用した例である。したが
って、図２４および図１０と同一機能部分を同一符号で
示し、詳しい説明は省略する。Also in this example, the SCA described with reference to FIG.
This is an example in which the present invention is applied to a method of adopting the LPEL method and correcting the proximity effect using the GHOST method. Therefore, the same functional portions as those in FIGS. 24 and 10 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【００８１】図１０に示した例では第１回目の露光の後
に第１のアパーチャ板４６を第２のアパーチャ板４０２
に交換して第２回目の露光を行う方式を採用している
が、この例では、先の例の第１のアパーチャ板４６に設
けられた穴４７に相当する穴と第２のアパーチャ板４０
２に設けられた穴４０１に相当する穴とを図中左右方向
に位置的にずらして設けた１枚のアパチャー板４０４を
用いるとともにレンズ４５の下にビーム偏向器４０５を
設け、第１回目の露光を行うときには図１１(a)に示す
ように前述したクロスオーバ像を穴４７へ移動さ、第２
回目の露光を行うときには図１１(b) に示すようにクロ
スオーバ像を穴４０１が設けられている領域の中心へ移
動させるようにしている。In the example shown in FIG. 10, the first aperture plate 46 and the second aperture plate 402 are exposed after the first exposure.
However, in this example, a hole corresponding to the hole 47 provided in the first aperture plate 46 of the previous example and the second aperture plate 40 are used.
The first aperture plate 404, which is provided by shifting the hole corresponding to the hole 401 provided in 2 in the left-right direction in the drawing, is used, and the beam deflector 405 is provided under the lens 45. When performing the exposure, the above-mentioned crossover image is moved to the hole 47 as shown in FIG.
When the second exposure is performed, the crossover image is moved to the center of the area where the hole 401 is provided, as shown in FIG. 11 (b).

【００８２】したがって、この例では図１０の場合より
遥かに簡単に近接効果補正を行うことができる。Therefore, in this example, the proximity effect correction can be performed much more easily than in the case of FIG.

【００８３】図１２には本発明に係る近接効果補正方法
のさらに異なる例を説明するための図が示されている。FIG. 12 is a view for explaining a further different example of the proximity effect correction method according to the present invention.

【００８４】この例も、図２４を用いて説明したＳＣＡ
ＬＰＥＬ法を採用し、かつＧＨＯＳＴ法を用いて近接効
果を補正する方法に本発明を適用した例である。したが
って、図２４および図１０と同一機能部分は同一符号で
示し、詳しい説明は省略する。Also in this example, the SCA described with reference to FIG.
This is an example in which the present invention is applied to a method of adopting the LPEL method and correcting the proximity effect using the GHOST method. Therefore, the same functional portions as those in FIGS. 24 and 10 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【００８５】先に説明した例ではいずれも一括露光方式
を採用しているが、この例ではビーム成型用のアパーチ
ャ板４０６と偏向器４０７とを使ってマスク４４上を電
子ビーム４０８でラスター走査する方式と、図１０に示
した第１回目の露光終了後に第１のアパーチャ板４６を
第２のアパーチャ板４０２に交換して第２回目の露光を
行う方式とを併用している。In the above-described examples, the batch exposure method is used in all cases. In this example, the electron beam 408 is raster-scanned on the mask 44 using the aperture plate 406 for beam shaping and the deflector 407. The method and the method of performing the second exposure by replacing the first aperture plate 46 with the second aperture plate 402 after the first exposure shown in FIG. 10 are used together.

【００８６】この方式であると、マスク４４、試料５０
を同期させて移動させることで、偏向器４０７の能力に
制限されずに大面積のマスクを用いて大きなパターンを
試料５０上に描くことが可能である。なお、このラスタ
ー走査方式と図１１に示した偏向器４０５を用いてアパ
ーチャの切り替えを行う方式とを併用した方式を採用す
ることも有効である。With this method, the mask 44 and the sample 50 are
It is possible to draw a large pattern on the sample 50 by using a mask having a large area without being limited by the capability of the deflector 407, by moving in synchronization with each other. Note that it is also effective to adopt a method that uses both the raster scanning method and the method of switching the aperture using the deflector 405 shown in FIG.

【００８７】図１３には本発明に係る近接効果補正方法
のさらに異なる例を説明するための図が示されている。FIG. 13 is a diagram for explaining a further different example of the proximity effect correction method according to the present invention.

【００８８】この例も、図２４を用いて説明したＳＣＡ
ＬＰＥＬ法を採用し、かつＧＨＯＳＴ法を用いて近接効
果を補正する方法に本発明を適用した例である。したが
って、図２４および図１０と同一機能部分は同一符号で
示し、詳しい説明は省略する。Also in this example, the SCA described with reference to FIG.
This is an example in which the present invention is applied to a method of adopting the LPEL method and correcting the proximity effect using the GHOST method. Therefore, the same functional portions as those in FIGS. 24 and 10 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【００８９】この例では、図１０(a) に示される第１の
アパーチャ板４６に設けられた穴４７に相当する穴と図
１０(b) に示される第２のアパーチャ板４０２に設けら
れた穴４０１に相当する穴とを同心的に設けた１枚のア
パーチャ４０９を用いている。In this example, holes corresponding to the holes 47 provided in the first aperture plate 46 shown in FIG. 10A and the second aperture plate 402 shown in FIG. 10B are provided. A single aperture 409 is concentrically provided with a hole corresponding to the hole 401.

【００９０】ここで、穴４０１の大きさは、散乱の大き
い電子の通過量がＧＨＯＳＴ法での第２回目の露光に必
要な量となるように決めらている。すなわち、穴４０１
には必要に応じて薄膜を取り付け、散乱の大きい電子に
よる試料５０上の像がＧＨＯＳＴ法での第２回目の露光
に必要な程度にぼけるように電子を散乱させている。こ
の方式を用いれば、１回の露光で近接効果補正のための
露光も同時に行われることになり、露光に要する時間を
大幅に短縮できる。Here, the size of the hole 401 is determined so that the amount of passing electrons having large scattering is the amount necessary for the second exposure in the GHOST method. That is, the hole 401
If necessary, a thin film is attached to scatter the electrons so that the image on the sample 50 due to the electrons with large scattering is blurred to the extent necessary for the second exposure in the GHOST method. If this method is used, the exposure for the proximity effect correction is simultaneously performed in one exposure, and the time required for the exposure can be greatly reduced.

【００９１】なお、図１３に示す例では一括転写方式を
採用しているが、図１２に示す例のようにビームでマス
ク上を走査する方式と併用することもできる。Although the batch transfer method is adopted in the example shown in FIG. 13, it can be used in combination with the method of scanning the mask with a beam as in the example shown in FIG.

【００９２】このように、図１０〜図１３に示す例で
は、クロスオーバ位置に第２のアパーチャを設けること
で、反転パターンを容易に得ることができる。As described above, in the example shown in FIGS. 10 to 13, the inverted pattern can be easily obtained by providing the second aperture at the crossover position.

【００９３】なお、本発明は、上述した各実施例に限定
されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で具体的な
電子光学系の構造やビームの走査方法等を選択できるこ
とは勿論である。The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and it goes without saying that a specific structure of the electron optical system, a beam scanning method and the like can be selected within the scope of the gist of the present invention. is there.

【００９４】[0094]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
大電流化もしくは近接効果補正の容易化を図ることがで
きるので、描画時間の短縮化に寄与できる。As described above, according to the present invention,
Since it is possible to increase the current or facilitate the correction of the proximity effect, it is possible to contribute to shortening the drawing time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の一実施例に係る電子ビーム露光装置の
概念図FIG. 1 is a conceptual diagram of an electron beam exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図２】同装置における各ビームの重なりを説明するた
めの図FIG. 2 is a diagram for explaining overlapping of beams in the same apparatus.

【図３】同装置の変形例を説明するための概念図FIG. 3 is a conceptual diagram for explaining a modified example of the device.

【図４】同装置のさらに別の変形例を説明するための概
念図FIG. 4 is a conceptual diagram for explaining still another modified example of the device.

【図５】同装置に組込まれた電子源装置の概略構成図FIG. 5 is a schematic configuration diagram of an electron source device incorporated in the same device.

【図６】電子源装置の変形例を説明するための概念図FIG. 6 is a conceptual diagram for explaining a modified example of the electron source device.

【図７】同電子源装置におけるビーム分割用アパーチャ
部の概略構成図FIG. 7 is a schematic configuration diagram of an aperture unit for beam splitting in the electron source device.

【図８】本発明に係る近接効果補正方法を実施する電子
ビーム露光装置の概念図FIG. 8 is a conceptual diagram of an electron beam exposure apparatus that implements the proximity effect correction method according to the present invention.

【図９】同装置に組込まれたビーム制御部の概略構成図FIG. 9 is a schematic configuration diagram of a beam control unit incorporated in the apparatus.

【図１０】本発明に係る別の近接効果補正方法を実施す
る電子ビーム露光装置の概念図FIG. 10 is a conceptual diagram of an electron beam exposure apparatus that implements another proximity effect correction method according to the present invention.

【図１１】本発明に係るさらに別の近接効果補正方法を
実施する電子ビーム露光装置の概念図FIG. 11 is a conceptual diagram of an electron beam exposure apparatus that implements yet another proximity effect correction method according to the present invention.

【図１２】本発明に係る異なる近接効果補正方法を実施
する電子ビーム露光装置の概念図FIG. 12 is a conceptual diagram of an electron beam exposure apparatus that implements different proximity effect correction methods according to the present invention.

【図１３】本発明に係るさらに異なる近接効果補正方法
を実施する電子ビーム露光装置の概念図FIG. 13 is a conceptual diagram of an electron beam exposure apparatus that implements a different proximity effect correction method according to the present invention.

【図１４】従来の電子ビーム露光装置の概念図FIG. 14 is a conceptual diagram of a conventional electron beam exposure apparatus.

【図１５】同装置の問題点を説明するための図FIG. 15 is a diagram for explaining a problem of the device.

【図１６】問題点を改善するための従来の手法を説明す
るための図FIG. 16 is a diagram for explaining a conventional method for improving a problem.

【図１７】問題点を改善するための従来の手法を説明す
るための図FIG. 17 is a diagram for explaining a conventional method for improving a problem.

【図１８】別の問題点を説明するための図FIG. 18 is a diagram for explaining another problem.

【図１９】同問題点をさらに詳しく説明するための図FIG. 19 is a diagram for explaining the same problem in more detail.

【図２０】同問題点をさらに詳しく説明するための図FIG. 20 is a diagram for explaining the same problem in more detail.

【図２１】問題点を改善するための従来の別の手法を説
明するための図FIG. 21 is a diagram for explaining another conventional method for improving the problem.

【図２２】問題点を改善するための従来のさらに別の手
法を説明するための図FIG. 22 is a diagram for explaining still another conventional method for improving the problem.

【図２３】従来装置のさらに別の問題点を説明するため
の図FIG. 23 is a diagram for explaining still another problem of the conventional device.

【図２４】従来装置のさらに異なる問題点を説明するた
めの図FIG. 24 is a diagram for explaining still another problem of the conventional device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

４１…電子源 ４４…メンブレン
マスク ４６…アパーチャ ４７…穴 ５０…試料 １０１，１０１ａ
…電子源装置 １０２…アパーチャ １０３…開口部 １０４…ビームレット １０５…ビームレットのアパーチャでの広がりを示す円 １０６，３０８…試料 １１１…電子源列 １１２…基板 １１３…サプレッ
サ １１４…引き出し電極 １１７…クロスオ
ーバ １１８…ブランキングアパーチャ １１９…ブランキ
ング電極 ２０１…電子源 ２０３…アパーチ
ャ列 ２０３ａ…１つのアパーチャ部 ３０３…第１の成
型アパーチャ ３０４，３０７…開口部 ３０５…第２の成
型アパーチャ ３１０…電流エミッション回路 ３１１…ブランキ
ング板 ３１３…ブランキングアパーチャ ３１４…成型偏向
器 ３１５は偏向器駆動回路 ３１７…電流変調
板 ４０１…穴 ４０２…第２のア
パチャー板 ４０４，４０９…アパーチャ板 ４０５…偏向器41 ... Electron source 44 ... Membrane mask 46 ... Aperture 47 ... Hole 50 ... Sample 101, 101a
... Electron source device 102 ... Aperture 103 ... Aperture 104 ... Beamlet 105 ... Circles 106, 308 ... Samples 111 ... Electron source row 112 ... Substrate 113 ... Suppressor 114 ... Extraction electrode 117 ... Cross Over 118 ... Blanking aperture 119 ... Blanking electrode 201 ... Electron source 203 ... Aperture row 203a ... One aperture section 303 ... First shaping apertures 304, 307 ... Opening 305 ... Second shaping aperture 310 ... Current emission circuit 311 ... Blanking plate 313 ... Blanking aperture 314 ... Molding deflector 315 is a deflector drive circuit 317 ... Current modulation plate 401 ... Hole 402 ... Second aperture plates 404, 409 ... Aperture plate 405 ... Deflector

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 聡 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 吉武 秀介 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 小碇 創司 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 五明 由夫 神奈川県川崎市幸区堀川町72番地 株式 会社東芝堀川町工場内 (56)参考文献 特開 昭62−30321（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−216011（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−61880（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−302506（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−61328（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−117325（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Satoshi Yamazaki 1 Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Toshiba Research & Development Center Co., Ltd. (72) Inventor Shusuke Yoshitake Komukai-Toshiba, Kawasaki-shi, Kanagawa No. 1 Toshiba Research & Development Center Co., Ltd. (72) Inventor Souji Ikari No. 1 Komukai Toshiba-cho, Sachi-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Toshiba Research & Development Center Co., Ltd. (72) Inventor Yoshio Gomei, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture 72 Horikawa-cho, Toshiba Corporation Horikawa-cho factory (56) References JP 62-30321 (JP, A) JP 6-216011 (JP, A) JP 54-61880 (JP, A) Special Kaihei 6-302506 (JP, A) JP 62-61328 (JP, A) JP 1-117325 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. ⁷ , DB name) H01L 21 / 027

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】ＳＣＡＬＰＥＬ方式で露光を行うとともに
ＧＨＯＳＴ法で近接効果の補正を行う電子ビーム露光で
の近接効果補正方法において、マスクより下流位置で、
マスクで散乱されない電子がクロスオーバ像を結像する
位置に、マスクでの散乱の小さい電子に対しては透過率
が大きい第１のアパーチャとマスクでの散乱の小さい電
子に対しては透過率が小さい第２のアパーチャとを交換
配置しながら露光を行うことを特徴とする電子ビーム露
光での近接効果補正方法。1. A proximity effect correction method in electron beam exposure, wherein exposure is performed by the SCALPEL method and the proximity effect is corrected by the GHOST method.
At the position where electrons not scattered by the mask form a crossover image, the transmittance is large for the first aperture having small scattering electrons on the mask and for the electrons having small scattering on the mask. A proximity effect correction method in electron beam exposure, characterized in that exposure is performed while arranging a second small aperture interchangeably. 【請求項２】ＳＣＡＬＰＥＬ方式で露光を行うとともに
ＧＨＯＳＴ法で近接効果の補正を行う電子ビーム露光で
の近接効果補正方法において、マスクより下流位置に、
マスクでの散乱の小さい電子に対しては透過率が大きい
第１の領域とマスクでの散乱の小さい電子に対しては透
過率が小さい第２の領域を持つ１つのアパーチャを配置
し、偏向手段で上記第１の領域と上記第２の領域とにク
ロスオーバ像が形成される条件を順次作り出して露光す
ることを特徴とする電子ビーム露光での近接効果補正方
法。2. A proximity effect correction method in electron beam exposure, which performs exposure by the SCALPEL method and correction of the proximity effect by the GHOST method, in a position downstream of the mask,
One aperture having a first region having a large transmittance for electrons having a small scattering on the mask and a second region having a small transmittance for electrons having a small scattering on the mask is arranged, and the deflection means is provided. 2. A method for correcting a proximity effect in electron beam exposure, which comprises sequentially creating a condition for forming a crossover image in the first region and the second region and performing exposure.