JP3218468B2 - Electron beam drawing equipment - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えばセルプロジェク
ション方式で近接効果の補正機構を備えた電子線描画装
置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam lithography system provided with a proximity effect correction mechanism by, for example, a cell projection system.

【０００２】[0002]

【従来の技術】例えば半導体メモリ素子等の微細パター
ンを高速に描画するために電子線描画装置が使用されて
いる。微細パターンを高速に描画するためには、断面形
状が変化できる可変成形ビームを用いて、例えば幅が広
いパターンは断面形状の大きな電子ビームで描画し、逆
に幅が狭いパターンは断面形状の小さな電子ビームで描
画すればよい。2. Description of the Related Art An electron beam lithography apparatus is used to draw a fine pattern such as a semiconductor memory device at a high speed. To draw a fine pattern at high speed, use a variable shaped beam whose cross-sectional shape can be changed.For example, a wide pattern is drawn with an electron beam having a large cross-sectional shape, and a narrow pattern is conversely drawn with a small cross-sectional shape. What is necessary is just to draw with an electron beam.

【０００３】また、半導体メモリ素子のように特定のメ
モリセルを繰り返すことにより構成されるパターンの場
合には、ステンシルマスク（電子線透過マスク）にその
繰り返しの基本となるパターンの拡大パターンを形成し
ておき、感光基板に所定間隔でそのパターンを縮小転写
していくことにより、全体の回路パターンを高速に高い
スループットで描画することができる。そこで、従来の
この種の電子線描画装置では、可変寸法の矩形のパター
ン及びメモリセルのパターン等のように繰り返しの基本
となる予め用意された複数個の転写用パターンの中から
任意に選んだパターンを縮小転写により描画できるよう
になっている。このような描画方式はセルプロジェクシ
ョン方式とも呼ばれている。In the case of a pattern formed by repeating a specific memory cell, such as a semiconductor memory element, an enlarged pattern of the basic pattern of the repetition is formed on a stencil mask (electron beam transmission mask). In advance, the entire circuit pattern can be drawn at high speed with high throughput by reducing and transferring the pattern on the photosensitive substrate at predetermined intervals. Therefore, in this type of conventional electron beam lithography apparatus, an arbitrary selection is made from a plurality of transfer patterns prepared in advance, which are the basis of repetition, such as a rectangular pattern of variable dimensions and a memory cell pattern. The pattern can be drawn by reduction transfer. Such a drawing method is also called a cell projection method.

【０００４】また、一般に電子線描画装置においては、
例えば周期的なパターンを描画すると、周辺のパターン
の形状が変形する現象である近接効果を如何に補正する
かが重要な課題となっている。近接効果は電子線の後方
散乱に起因する現象である。そして、従来のセルプロジ
ェクション方式の描画装置においては、近接効果を補正
するために、可変成形ビームで描画する領域では、描画
ショット毎にドーズ（照射エネルギー量）を変えて描画
を行っていた。これにより、可変成形ビームで描画する
領域では近接効果補正が良好に補正されていた。In general, in an electron beam lithography apparatus,
For example, when a periodic pattern is drawn, how to correct the proximity effect, which is a phenomenon in which the shape of a peripheral pattern is deformed, is an important issue. The proximity effect is a phenomenon caused by back scattering of an electron beam. In a conventional cell projection type drawing apparatus, in order to correct the proximity effect, in a region where a variable shaped beam is used for writing, writing is performed with a different dose (irradiation energy amount) for each writing shot. As a result, the proximity effect correction has been satisfactorily corrected in the area where the variable shaped beam is used.

【０００５】一方、繰り返しの基本となるパターンの縮
小転写により描画する領域においては、縮小転写により
描画されるパターンの感光基板上での単位面積が５μｍ
角程度であるため、その５μｍ角程度の領域を単位とし
てドーズを変えた補正描画が行われていた。On the other hand, in a region to be drawn by reduction transfer of a pattern which is the basis of repetition, the unit area of the pattern drawn by reduction transfer on the photosensitive substrate is 5 μm.
Since the area is about a square, the correction drawing is performed with the dose changed in units of the area of about 5 μm square.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、そのよ
うに５μｍ角程度の領域を単位としてドーズを変えたの
では、補正の単位が粗過ぎて、正確な近接効果補正が行
えない不都合があった。なお、そのように縮小転写によ
り描画する領域（セル部）で５μｍ角程度という粗いピ
ッチで近接効果の補正を行う方法は、電子線の加速電圧
が５０ｋＶでターゲットがシリコン（Ｓｉ）基板の場合
は、多少の効果がある。しかしながら、特にシリコン基
板上にタングステン（Ｗ）又はモリブデン（Ｍｏ）等の
重金属が堆積されているターゲットの場合には、後方散
乱電子量が多く、しかも後方散乱の拡がり半径が小さい
ために、５μｍ角程度ピッチでの補正では良好な補正が
できないという不都合があった。However, if the dose is changed in units of a region of about 5 μm square as described above, the unit of correction is too coarse, and accurate proximity effect correction cannot be performed. The method of correcting the proximity effect at a coarse pitch of about 5 μm square in the area (cell portion) to be drawn by the reduced transfer is described in the case where the acceleration voltage of the electron beam is 50 kV and the target is a silicon (Si) substrate. Has some effect. However, particularly in the case of a target in which a heavy metal such as tungsten (W) or molybdenum (Mo) is deposited on a silicon substrate, the amount of backscattered electrons is large and the spread radius of backscattering is small, so that a 5 μm square There is an inconvenience that good correction cannot be performed with correction at a pitch of about the same.

【０００７】本発明は斯かる点に鑑み、セルプロジェク
ション方式で描画を行う場合にも近接効果を良好に補正
できる電子線描画装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the foregoing, it is an object of the present invention to provide an electron beam lithography apparatus capable of satisfactorily correcting a proximity effect even when performing lithography by a cell projection method.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明による第１の電子
線描画装置は、例えば図１及び図２に示す如く、電子銃
（１）と、この電子銃から放出された電子線が照射され
る第１の矩形の開口パターン（３ａ）が形成された第１
の電子線透過マスク（３）と、複数の矩形の開口パター
ン（１８，１７−ｉ）が配列されると共に、この複数の
開口パターンの間にそれぞれ該開口パターンの幅の１／
２以上の幅の遮蔽領域（１９）が形成された第２の電子
線透過マスク（７）と、その第１の矩形の開口パターン
を透過した電子線を偏向させてその第２の電子線透過マ
スクの複数の開口パターンの１つの開口パターンの全部
又は一部に照射する第１の偏向手段（５）と、第２の矩
形の開口パターン（２１）及び縮小転写用のパターン
（２０−ｊ）を含む複数の転写パターンが配列されると
共に、これら複数の転写パターンの間にそれぞれこれら
の転写パターンの幅Ｌｃの１／２以上の幅Ｌｄの遮蔽領
域（２２）が形成された第３の電子線透過マスク（１
０）と、その第２の電子線透過マスクの複数の開口パタ
ーンの１つを透過した電子線を偏向させてその第３の電
子線透過マスク（１０）の複数の転写パターンの１つの
転写パターンの全部又は一部に照射する第２の偏向手段
（８）と、この電子線が照射された転写パターンの全部
又は一部の縮小像をターゲット（１６）上に結像する結
像手段（１２，１５）と、そのターゲット（１６）への
電子線の照射量を調整する照射量制御手段（２ａ，２
ｂ，１１）とを有し、可変成形ビームによる描画と一括
縮小転写による描画とを切り換えて描画するものであ
る。A first electron beam drawing apparatus according to the present invention is, as shown in FIGS. 1 and 2, for example, an electron gun (1) and an electron beam emitted from the electron gun. The first rectangular opening pattern (3a) formed on the first
Electron transmission mask (3) and a plurality of rectangular aperture patterns
(18, 17-i) are arranged, and the plurality of
1 / １ ／ of the width of the opening pattern
Second electron having a shielding region (19) having a width of 2 or more.
Line transmission mask (7) and its first rectangular opening pattern
Deflects the electron beam transmitted through the second electron beam transmission mask.
All of one opening pattern of the plurality of opening patterns of the disc
Alternatively , a plurality of transfer patterns including a first deflecting means (5) for irradiating a part thereof, a second rectangular opening pattern (21) and a pattern for reduced transfer (20-j) are arranged, and A third electron beam transmission mask (1) in which a shielding region (22) having a width Ld equal to or more than の of the width Lc of each of these transfer patterns is formed between the plurality of transfer patterns.
0) and a plurality of aperture patterns of the second electron beam transmission mask.
And irradiating all or a part of one transfer pattern of the plurality of transfer patterns of the third electron beam transmission mask (10) by deflecting the electron beam transmitted through one of the electron beams . deflection means of
(8) , image forming means (12, 15) for forming a reduced image of all or a part of the transfer pattern irradiated with the electron beam on the target (16), and an electron beam to the target (16). Dose control means (2a, 2a) for adjusting the dose of radiation
b, 11), and switches between drawing by the variable shaped beam and drawing by batch reduction transfer.

【０００９】また、本発明による第２の電子線描画装置
は、例えば図１及び図２に示す如く、電子銃（１）と、
この電子銃から放出された電子線が照射される第１の矩
形の開口パターン（３ａ）が形成された第１の電子線透
過マスク（３）と、第２の矩形の開口パターン（２１）
と縮小転写用のパターン（２０−６２）とこの縮小転写
用のパターンを分割してなる複数の分割パターン（２０
−２７，２０−３６，２０−４４，２０−５３）とを含
む複数の転写パターンが配列された第２の電子線透過マ
スク（１０）と、その第１の矩形の開口パターン（３
ｃ）を透過した電子線を偏向させて、その第２の電子線
透過マスクのその縮小転写用のパターン（２０−６２）
にその電子線を照射する際には、この縮小転写用のパタ
ーンの全部又は一部にその電子線を照射すると共に、そ
の第２の電子線透過マスクのその複数の分割パターン
（２０−２７，２０−３６，２０−４４，２０−５３）
の１つにその電子線を照射する際には、この分割パター
ンの全部にその電子線を照射する偏向手段（５，８）
と、この電子線が照射された転写パターンの縮小像をタ
ーゲット（１６）上に結像する結像手段（１２，１５）
と、そのターゲット（１６）への電子線の照射量を調整
する照射量制御手段（２ａ，２ｂ，１１）とを有し、可
変成形ビームによる描画と一括縮小転写による描画とを
切り換えて描画するものである。A second electron beam writing apparatus according to the present invention comprises an electron gun (1) as shown in FIGS. 1 and 2, for example.
A first electron beam transmission mask (3) formed with a first rectangular opening pattern (3a) to be irradiated with an electron beam emitted from the electron gun; and a second rectangular opening pattern (21).
And a pattern for reduced transfer (20-62) and a plurality of divided patterns (20
-27, 20-36, 20-44, and 20-53), and a second electron beam transmission mask (10) in which a plurality of transfer patterns are arranged, and a first rectangular aperture pattern (3
c) deflects the electron beam transmitted through the second electron beam
Pattern for reduction transfer of transmission mask (20-62)
When irradiating the electron beam to the
All or part of the electron beam is irradiated with the electron beam, and
A plurality of divided patterns of the second electron beam transmission mask
(20-27, 20-36, 20-44, 20-53)
When irradiating the electron beam to one of the
Deflecting means (5, 8) for irradiating the entire electron beam with the electron beam
Image forming means (12, 15) for forming a reduced image of the transfer pattern irradiated with the electron beam on the target (16).
And an irradiation amount control means (2a, 2b, 11) for adjusting the irradiation amount of the electron beam to the target (16), and performs drawing by switching between drawing by a variable shaped beam and drawing by batch reduction transfer. Things.

【００１０】この場合、それら複数の分割パターン（２
０−２７，２０−３６，２０−４４，２０−５３）の面
積はそれぞれその縮小転写用のパターン（２０−６２）
の面積の３／５〜１／２５程度であることが望ましい。In this case, the plurality of divided patterns (2
0-27, 20-36, 20-44, and 20-53) respectively correspond to the reduced transfer patterns (20-62).
Is preferably about 3/5 to 1/25 of the area.

【００１１】[0011]

【作用】斯かる本発明の第１の電子線描画装置によれ
ば、その第２の電子線透過マスク（７）には開口パター
ンの幅Ｌａの１／２以上の幅Ｌｂの遮蔽領域（１９）が
設けられ、同様にその第３の電子線透過マスク（１０）
には転写パターンの幅Ｌｃの１／２以上の幅Ｌｄの遮蔽
領域（２２）が設けられている。従って、第１の矩形の
開口パターン（３ｃ）を透過した電子線を、その第２の
電子線透過マスク（７）を介して順次偏向手段（５，
８）で横ずれさせて、その第２の電子線透過マスク（１
０）の或る縮小転写用のパターン（２０−ｊ）及び遮蔽
領域（２２）上にその電子線を照射することにより、そ
の縮小転写用のパターン（２０−ｊ）の任意の幅の分割
パターンの像がターゲット（１６）上に描画される。According to the first electron beam writing apparatus of the present invention, the second electron beam transmission mask (7) has an aperture pattern.
The shielding area (19) having a width Lb that is １ ／ or more of the width La of the
A third electron beam transmission mask (10) that is also provided
Is provided with a shielding region (22) having a width Ld which is equal to or more than 1/2 of the width Lc of the transfer pattern. Therefore, the electron beam transmitted first rectangular aperture pattern (3c), the second
Deflection means (5, 5 ) is sequentially passed through an electron beam transmission mask (7) .
8), the second electron beam transmission mask (1)
By irradiating the electron beam on the certain reduced transfer pattern (20-j) and the shielding area (22) in (0), a divided pattern having an arbitrary width of the reduced transfer pattern (20-j) is obtained. Is drawn on the target (16).

【００１２】この場合、その縮小転写用のパターン（２
０−ｊ）全体のターゲット（１６）上の面積を例えば５
μｍ角とすると、その分割パターンの大きさは幅がほぼ
０になるまで小さくできる。そして、このような分割パ
ターンをターゲット（１６）上に投影して、照射量制御
手段（２ａ，２ｂ，１１）を用いて電子線のドーズを調
整することにより、従来よりも小さいピッチで近接効果
の補正を行うことができ、より良好に近接効果補正が行
われる。In this case, the reduced transfer pattern (2
0-j) The area on the entire target (16) is, for example, 5
μm square, the size of the divided pattern is almost
It can be reduced to zero . Then, by projecting such a divided pattern onto the target (16) and adjusting the dose of the electron beam using the irradiation amount control means (2a, 2b, 11), the proximity effect can be reduced at a smaller pitch than in the conventional case. , And the proximity effect correction can be performed more favorably.

【００１３】次に、第２の電子線描画装置によれば、そ
の第２の電子線透過マスク（１０）には、縮小転写用の
パターン（２０−６２）とこの縮小転写用のパターンを
分割してなる複数の分割パターン（２０−２７，２０−
３６，２０−４４，２０−５３）とが配列されている。
そして、照射量制御手段（２ａ，２ｂ，１１）を用いて
電子線のドーズを調整することにより、それら分割パタ
ーン（２０−２７，２０−３６，２０−４４，２０−５
３）の像を順次ターゲット（１６）上に描画する。これ
により、従来よりも小さいピッチで近接効果の補正を行
うことができ、より良好に補正が行われる。Next, according to the second electron beam drawing apparatus, the pattern for reduced transfer (20-62) and the pattern for reduced transfer are divided on the second electron beam transmitting mask (10). Divided patterns (20-27, 20-
36, 20-44 and 20-53).
By adjusting the dose of the electron beam using the irradiation amount control means (2a, 2b, 11), the divided patterns (20-27, 20-36, 20-44, 20-5) are adjusted.
The images of 3) are sequentially drawn on the target (16). As a result, the proximity effect can be corrected at a smaller pitch than in the related art, and the correction is performed more favorably.

【００１４】また、特にそれら複数の分割パターンの面
積がそれぞれその縮小転写用のパターン（２０−６２）
の面積の３／５〜１／２５程度であるときには、近接効
果の補正を従来の３／５〜１／２５程度の面積単位で行
うことができる。また、分割パターンの面積がその縮小
転写用のパターン（２０−６２）に比べて小さすぎる
と、描画時間が長くなる不都合がある。従って、分割の
割合がその程度の場合に近接効果が良好に補正されると
共に、特に露光時間がそれ程長くならない。In particular, the area of each of the plurality of divided patterns has a reduced transfer pattern (20-62).
When the area is about 3/5 to 1/25, the correction of the proximity effect can be performed in the conventional area unit of about 3/5 to 1/25. If the area of the divided pattern is too small as compared with the reduced transfer pattern (20-62), there is a disadvantage that the drawing time becomes longer. Therefore, when the division ratio is at that level, the proximity effect is favorably corrected, and the exposure time is not particularly long.

【００１５】[0015]

【実施例】以下、本発明による電子線描画装置の一実施
例につき図面を参照して説明する。本例は、セルプロジ
ェクション方式の縮小転写による描画と可変成形ビーム
による描画とを切り換えて描画する描画装置に本発明を
適用したものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of an electron beam lithography apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. In the present embodiment, the present invention is applied to a drawing apparatus that performs drawing by switching between drawing by reduced transfer of a cell projection system and drawing by a variable shaped beam.

【００１６】図１は本例の電子線描画装置の構成を示
し、この図１において、１は電子銃である。この電子銃
１から順にブランキング用の上段の偏向器２ａ、ブラン
キング用の下段の偏向器２ｂ、第１成形開口板３、コン
デンサーレンズ４、セル選択用の偏向器５、第１成形レ
ンズ６及び第２成形開口板７を配置する。第１成形開口
板３の光軸ＡＸを含む中央部には正方形の１個の開口パ
ターン３ａを形成する。第２成形開口板７の下に、可変
成形用の偏向器８、第２成形レンズ９及びステンシルマ
スク１０を配置する。第２成形レンズ９により第２成形
開口板７の開口パターンの像をステンシルマスク１０上
に結像する。即ち、第２成形開口板７の配置面とステン
シルマスク１０の配置面とは共役である。FIG. 1 shows the configuration of an electron beam writing apparatus according to the present embodiment. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes an electron gun. From the electron gun 1, an upper deflector 2a for blanking, a lower deflector 2b for blanking, a first shaping aperture plate 3, a condenser lens 4, a deflector 5 for cell selection, and a first shaping lens 6 in this order. And the second forming aperture plate 7 is arranged. One square opening pattern 3a is formed at the center of the first forming aperture plate 3 including the optical axis AX. Below the second forming aperture plate 7, a variable forming deflector 8, a second forming lens 9, and a stencil mask 10 are arranged. An image of the opening pattern of the second forming aperture plate 7 is formed on the stencil mask 10 by the second forming lens 9. That is, the arrangement surface of the second forming aperture plate 7 and the arrangement surface of the stencil mask 10 are conjugate.

【００１７】このステンシルマスク１０の下側に順に、
ブランキングアパーチャ板１１、縮小レンズ１２、副偏
向器１３、主偏向器１４、対物レンズ１５及びターゲッ
ト１６を配置する。ブランキング用の偏向器２ａ及び２
ｂが動作していない状態ではブランキングアパーチャ板
１１の開口内にクロスオーバー像（電子線源の像）が結
像される。これに対して、偏向器２ａ及び２ｂを動作さ
せることにより、そのクロスオーバー像をブランキング
アパーチャ板１１の遮蔽部上に結像して、ターゲット１
６への電子線の照射を中断することができる。これによ
りターゲット１６への電子線の各ショットのドーズを調
整することができ、偏向器２ａ，２ｂ及びブランキング
アパーチャ板１１は照射量制御手段として機能する。In order below the stencil mask 10,
A blanking aperture plate 11, a reduction lens 12, a sub deflector 13, a main deflector 14, an objective lens 15, and a target 16 are arranged. Deflectors 2a and 2 for blanking
When b is not operating, a crossover image (an image of the electron beam source) is formed in the opening of the blanking aperture plate 11. On the other hand, by operating the deflectors 2a and 2b, the crossover image is formed on the shielding portion of the blanking aperture plate 11 and the target 1
The irradiation of the electron beam to 6 can be interrupted. Thereby, the dose of each shot of the electron beam to the target 16 can be adjusted, and the deflectors 2a and 2b and the blanking aperture plate 11 function as irradiation amount control means.

【００１８】図２（ａ）は図１の第２成形開口板７のパ
ターンを示し、この図２（ａ）に示すように、第２成形
開口板７のパターン領域を９行×９列の小領域に分割す
る。そして、光軸ＡＸの直下の１個の小領域を除く８０
個の小領域にはそれぞれ比較的大きな矩形又は正方形の
開口パターン１７−１，１７−２〜１７−８０を形成す
る。また、その光軸ＡＸの直下の小領域には、可変成形
ビーム用の正方形の開口パターン１８を形成する。FIG. 2 (a) shows the pattern of the second forming aperture plate 7 of FIG. 1. As shown in FIG. 2 (a), the pattern area of the second forming aperture plate 7 is 9 rows × 9 columns. Divide into small areas. Then, except for one small area immediately below the optical axis AX, 80
In each of the small areas, relatively large rectangular or square opening patterns 17-1, 17-2 to 17-80 are formed. In a small area immediately below the optical axis AX, a square aperture pattern 18 for a variable shaped beam is formed.

【００１９】また、ｉ番目（ｉ＝１〜８０）の開口パタ
ーン１７−ｉのＸ方向及びこれに垂直なＹ方向の幅をそ
れぞれＬａ及びＭａとすると、この開口パターン１７−
ｉとこのパターンに隣接する開口パターンとの間にはＸ
方向の幅がＬｂでＹ方向の幅がＭｂの遮蔽領域１９を形
成する。この場合、遮蔽領域１９のＸ方向の幅Ｌｂは幅
Ｌａの１／２以上に設定し、遮蔽領域１９のＹ方向の幅
Ｍｂは幅Ｍａの１／２以上に設定する。即ち、以下の関
係が成立している。 Ｌｂ≧Ｌａ／２，Ｍｂ≧Ｍａ／２ （１）Assuming that the width of the i-th (i = 1 to 80) opening pattern 17-i in the X direction and the Y direction perpendicular thereto is La and Ma, respectively, this opening pattern 17-i
X between the i and the opening pattern adjacent to this pattern.
A shield region 19 having a width in the direction Lb and a width in the Y direction Mb is formed. In this case, the width Lb of the shielding area 19 in the X direction is set to be equal to or more than の of the width La, and the width Mb of the shielding area 19 in the Y direction is set to be equal to or more than の of the width Ma. That is, the following relationship is established. Lb ≧ La / 2, Mb ≧ Ma / 2 (1)

【００２０】図２（ｂ）は図１のステンシルマスク１０
のパターンを示し、この図２（ｂ）に示すように、ステ
ンシルマスク１０のパターン領域も９行×９列の小領域
に分割する。これらステンシルマスク１０上の８１個の
小領域又はその近傍にはそれぞれ図２（ａ）の第２成形
開口板７の８１個の小領域を通過した電子線が１対１で
結像される。そして、図２（ｂ）のステンシルマスク１
０において、光軸ＡＸの上の１個の小領域を除く８０個
の小領域にはそれぞれ、メモリセル等の繰り返しの基本
となる転写用パターン２０−１，２０−２，２０−３〜
２０−８０を形成する。また、光軸ＡＸ上の１個の小領
域上には可変成形ビーム用の正方形の開口パターン２１
を形成する。この開口パターン２１は、第２成形開口板
７上の開口パターン１８に対して共役である。FIG. 2B shows the stencil mask 10 of FIG.
2B, the pattern area of the stencil mask 10 is also divided into small areas of 9 rows × 9 columns. The electron beams passing through the 81 small regions of the second forming aperture plate 7 of FIG. 2A are formed one-to-one on the 81 small regions on or near the stencil mask 10, respectively. Then, the stencil mask 1 shown in FIG.
At 0, 80 small areas except one small area on the optical axis AX are respectively provided with transfer patterns 20-1, 20-2, 20-3 to 20-3, which are the basis of repetition of memory cells and the like.
20-80 are formed. A square aperture pattern 21 for a variable shaped beam is provided on one small area on the optical axis AX.
To form The opening pattern 21 is conjugate to the opening pattern 18 on the second forming aperture plate 7.

【００２１】また、ｊ番目（ｊ＝１〜８０）の転写用パ
ターン２０−ｊのＸ方向及びこれに垂直なＹ方向の最大
の幅をそれぞれＬｃ及びＭｃとすると、この転写用パタ
ーン２０−ｊとこのパターンに隣接する転写用パターン
との間にはＸ方向の幅がＬｄでＹ方向の幅がＭｄの遮蔽
領域２２を形成する。この場合、遮蔽領域２２のＸ方向
の幅Ｌｄは幅Ｌｃの１／２以上に設定し、遮蔽領域２２
のＹ方向の幅Ｍｄは幅Ｍｃの１／２以上に設定する。即
ち、以下の関係が成立している。 Ｌｄ≧Ｌｃ／２，Ｍｄ≧Ｍｃ／２ （２）Assuming that the maximum widths of the j-th (j = 1 to 80) transfer pattern 20-j in the X direction and the Y direction perpendicular thereto are Lc and Mc, respectively, this transfer pattern 20-j A shielding region 22 having a width in the X direction Ld and a width in the Y direction Md is formed between the transfer region and the transfer pattern adjacent to this pattern. In this case, the width Ld of the shielding area 22 in the X direction is set to be equal to or more than の of the width Lc.
Is set to be equal to or more than に of the width Mc. That is, the following relationship is established. Ld ≧ Lc / 2, Md ≧ Mc / 2 (2)

【００２２】また、図２（ｂ）において、転写用パター
ン２０−６２は全面に回路パターン等が形成されている
が、この転写用パターン２０−６２を複数に分割したパ
ターンが形成された転写用パターン２０−２７，２０−
３６，２０−４４，２０−５３をもステンシルマスク１
０上に配置する。従って、本例では順次転写用パターン
２０−２７，２０−３６，２０−４４，２０−５３のパ
ターンをターゲット１６上に縮小転写することによって
も、転写用パターン２０−６２のパターンと同一のパタ
ーンを描画することができる。In FIG. 2B, a circuit pattern or the like is formed on the entire surface of the transfer pattern 20-62, and the transfer pattern 20-62 is formed by dividing the transfer pattern 20-62 into a plurality of patterns. Patterns 20-27, 20-
Stencil mask 1 for 36, 20-44 and 20-53
0. Therefore, in this example, the same pattern as the transfer pattern 20-62 can also be obtained by sequentially reducing and transferring the pattern of the transfer patterns 20-27, 20-36, 20-44, and 20-53 onto the target 16. Can be drawn.

【００２３】図１の装置の基本的な動作につき説明する
に、電子銃１から放出された電子線は第１成形開口板３
の正方形の開口パターン３ａを一様な強度で照明する。
第１成形開口板３で断面が正方形に整形された電子線
は、コンデンサーレンズ４及び第１成形レンズ６を介し
て第２成形開口板７の一つの開口パターン上又はその近
傍に照射され、この領域に第１成形開口板３の開口パタ
ーンの像が結像される。この際に、セル選択用の偏向器
５に与える電圧を調整することによって第２成形開口板
７の開口パターン群の任意の一つの開口パターン又はそ
の近傍が照明される。The basic operation of the apparatus shown in FIG. 1 will be described. The electron beam emitted from the electron gun 1 is applied to the first shaped aperture plate 3.
Is illuminated with uniform intensity.
The electron beam whose cross section is shaped into a square by the first shaping aperture plate 3 is irradiated on or near one of the opening patterns of the second shaping aperture plate 7 via the condenser lens 4 and the first shaping lens 6, An image of the opening pattern of the first forming aperture plate 3 is formed in the area. At this time, by adjusting the voltage applied to the deflector 5 for cell selection, any one of the opening patterns in the group of opening patterns of the second shaping opening plate 7 or its vicinity is illuminated.

【００２４】その電子線により照明された第２成形開口
板７の開口パターンの全部又は一部の像が、第２成形レ
ンズ９によりステンシルマスク１０の対応する領域上に
結像される。ステンシルマスク１０を透過した電子線
は、縮小レンズ１２及び対物レンズ１５を介してターゲ
ット１６上に集束され、そのステンシルマスク１０上の
選択されたパターンの全部又は一部の縮小像がターゲッ
ト１６上に露光される。この際に、ターゲット１６上で
可変成形ビームによる描画を行うときには、第２成形開
口板７の開口パターン１８及びステンシルマスク１０の
開口パターン２１が選択される。そして、偏向器８を動
作させてステンシルマスク１０上で電子線を横ずれさせ
ることにより、ターゲット１６上で断面が可変の矩形の
電子ビームによる描画を行うことができる。An image of the whole or a part of the aperture pattern of the second shaping aperture plate 7 illuminated by the electron beam is formed on the corresponding area of the stencil mask 10 by the second shaping lens 9. The electron beam transmitted through the stencil mask 10 is focused on the target 16 via the reduction lens 12 and the objective lens 15, and a reduced image of all or a part of the selected pattern on the stencil mask 10 is placed on the target 16. Exposed. At this time, when performing writing with the variable shaping beam on the target 16, the opening pattern 18 of the second shaping aperture plate 7 and the opening pattern 21 of the stencil mask 10 are selected. By operating the deflector 8 to shift the electron beam laterally on the stencil mask 10, it is possible to draw on the target 16 with a rectangular electron beam having a variable cross section.

【００２５】一方、メモリセル等のパターンを縮小転写
する場合には、ステンシルマスク１０上の転写用パター
ン２０−１，２０−２〜２０−８０の何れかが選択さ
れ、この選択されたパターンの全部又は一部が縮小され
てターゲット１６上に露光される。On the other hand, when a pattern of a memory cell or the like is reduced and transferred, one of the transfer patterns 20-1, 20-2 to 20-80 on the stencil mask 10 is selected. The whole or a part is reduced and exposed on the target 16.

【００２６】次に、図３及び図４を参照して本例で近接
効果を補正する露光を行う場合の動作につき説明する。
この場合、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２成
形開口板７上の開口パターン１７−２及びステンシルマ
スク１０上の転写用パターン２０−２を選択して描画を
行うものとする。Next, with reference to FIGS. 3 and 4, the operation in the case of performing exposure for correcting the proximity effect in this embodiment will be described.
In this case, as shown in FIGS. 3A and 3B, the pattern is drawn by selecting the opening pattern 17-2 on the second forming aperture plate 7 and the transfer pattern 20-2 on the stencil mask 10. And

【００２７】先ず、図１の第１成形開口板３の開口パタ
ーン３ａの第２成形開口板７上での像を３ａＧとして、
図１の偏向器５を動作させて、図３（ａ）に示すよう
に、開口パターン１７−２上でその像３ａＧをＸ方向に
横ずれさせる。その開口パターン３ａの像３ａＧは開口
パターン１７−２よりやや大きい程度である。また、本
例では幅Ｌａの開口パターン１７−２とそれにＸ方向に
隣接する開口パターン１７−１との間には幅Ｌｂ（≧Ｌ
ａ／２）の遮光領域１９が形成されているが、その像３
ａＧは最大でもその遮光領域１９を超えて開口パターン
１７−１にかからない程度に横ずれさせる。従って、開
口パターン１７−２と像３ａＧとが重なったパターン領
域２３を照射する電子線だけがステンシルマスク１０に
向かう。First, an image of the opening pattern 3a of the first forming aperture plate 3 in FIG. 1 on the second forming aperture plate 7 is defined as 3aG.
By operating the deflector 5 of FIG. 1, the image 3aG is laterally shifted in the X direction on the opening pattern 17-2 as shown in FIG. The image 3aG of the opening pattern 3a is slightly larger than the opening pattern 17-2. In this example, the width Lb (≧ L) is provided between the opening pattern 17-2 having the width La and the opening pattern 17-1 adjacent thereto in the X direction.
The light shielding area 19 of a / 2) is formed.
aG is shifted laterally so that it does not reach the opening pattern 17-1 beyond the light shielding area 19 at the maximum. Therefore, only the electron beam that irradiates the pattern area 23 where the opening pattern 17-2 and the image 3aG overlap is directed to the stencil mask 10.

【００２８】次に、その領域２３を通過した電子線は、
図１の第２成形レンズ９によりステンシルマスク１０の
対応する転写パターン２０−２の上にその領域２３の像
２３Ｇを結像する。この際に、図１の可変成形ビーム用
の偏向器８を動作させて、図３（ｂ）に示すように、そ
のＸ方向の幅Ｌｃの転写パターン２０−２上でその領域
２３の像２３ＧをＸ方向に横ずれさせる。図３（ａ）の
開口パターン１７−２全体の像は転写用パターン２０−
２よりやや大きい程度である。また、本例では幅Ｌｃの
転写用パターン２０−２とそれにＸ方向に隣接する転写
用パターン２０−１との間には幅Ｌｄ（≧Ｌｃ／２）の
遮光領域２２が形成されているが、その像２３Ｇは最大
でもその遮光領域２２を超えて転写用パターン２０−１
にかからない程度に横ずれさせる。Next, the electron beam passing through the region 23 is
An image 23G of the area 23 is formed on the corresponding transfer pattern 20-2 of the stencil mask 10 by the second molding lens 9 of FIG. At this time, the deflector 8 for the variable shaped beam shown in FIG. 1 is operated, and as shown in FIG. 3B, the image 23G of the area 23 on the transfer pattern 20-2 having the width Lc in the X direction is obtained. Is shifted laterally in the X direction. The entire image of the opening pattern 17-2 in FIG.
It is slightly larger than 2. In this example, the light-shielding region 22 having the width Ld (≧ Lc / 2) is formed between the transfer pattern 20-2 having the width Lc and the transfer pattern 20-1 adjacent thereto in the X direction. The image 23G exceeds the light-shielding region 22 at the maximum, and the transfer pattern 20-1
Sideways to the extent that it does not stick.

【００２９】従って、転写用パターン２０−２と像２３
Ｇとが重なったパターン領域２４を照射する電子線だけ
がターゲット１６に向かう。これにより、ターゲット１
６上には転写用パターン２０−２の一部のパターン領域
２４の縮小像が描画される。また、図２に示すように、
第２成形開口板７及びステンシルマスク１０にはそれぞ
れＹ方向にも遮光領域１９及び２２が設けてあるため、
転写用パターン２０−２をＹ方向に制限したパターンを
も同様にターゲット１６上に縮小転写することができ
る。Therefore, the transfer pattern 20-2 and the image 23
Only the electron beam that irradiates the pattern area 24 where G overlaps goes to the target 16. Thereby, target 1
On 6, a reduced image of a part of the pattern area 24 of the transfer pattern 20-2 is drawn. Also, as shown in FIG.
Since the second shaping aperture plate 7 and the stencil mask 10 are also provided with light shielding regions 19 and 22 in the Y direction, respectively.
A pattern in which the transfer pattern 20-2 is restricted in the Y direction can be similarly reduced-transferred onto the target 16.

【００３０】また、図３（ａ）及び（ｂ）において、遮
光領域１９の幅Ｌｂは開口パターン１７−２の幅Ｌａの
１／２以上であり、遮光領域２２の幅Ｌｄは転写用パタ
ーン２０−２の幅Ｌｃの１／２以上であるため、開口パ
ターン３ａの像３ａＧ及び像２３Ｇをそれぞれ最大限横
ずれさせることにより、転写用パターン２０−２と像２
３Ｇとが重なったパターン領域２４の面積はほぼ０にす
ることができる。そして、転写用パターン２０−２の一
部のパターンの縮小像をターゲット１６上に描画してい
る際には、ブランキング用の偏向器２ａ，２ｂ及びブラ
ンキングアパーチャ板１１を用いてそのターゲット１６
に対する電子線のドーズを調整する。3A and 3B, the width Lb of the light-shielding region 19 is at least half the width La of the opening pattern 17-2, and the width Ld of the light-shielding region 22 is equal to the width Ld of the transfer pattern 20. Since the width 3c of the opening pattern 3a is not less than １ ／ of the width Lc of the transfer pattern 20-2 and the image 2
The area of the pattern region 24 where 3G overlaps can be made substantially zero. When a reduced image of a part of the transfer pattern 20-2 is drawn on the target 16, the target 16 is deflected by using the blanking deflectors 2 a and 2 b and the blanking aperture plate 11.
Adjust the dose of the electron beam with respect to.

【００３１】その場合、パターンを高密度に描画する領
域では、その転写用パターン２０−２の全体をそのまま
ターゲット１６上に露光する。そして、パターンが粗な
領域ではその転写用パターン２０−２を一部ずつターゲ
ット１６上に露光すると共に、各露光におけるドーズを
多くする。これにより後方散乱電子の量がターゲット１
６の全面でほぼ一様になり近接効果が補正される。更
に、転写用パターン２０−２を部分的に露光してそれぞ
れドーズを調整することにより、近接効果の補正ピッチ
を従来よりも小さくでき、より良好に近接効果を補正で
きる。In this case, in a region where the pattern is drawn at a high density, the entire transfer pattern 20-2 is exposed on the target 16 as it is. Then, in the region where the pattern is coarse, the transfer pattern 20-2 is partially exposed on the target 16 and the dose in each exposure is increased. As a result, the amount of backscattered electrons decreases in the target 1
6, and the proximity effect is corrected. Furthermore, by adjusting the dose by partially exposing the transfer pattern 20-2, the correction pitch for the proximity effect can be made smaller than in the past, and the proximity effect can be corrected better.

【００３２】例えばターゲット１６に電子線を入射させ
たときの後方散乱電子の拡がり半径はほぼその電子線の
レンジ程度である。ターゲット１６がシリコン（Ｓｉ）
基板の場合、５０ｋＶで加速された電子線のシリコン中
のレンジは１５μｍ程度である。従って、後方散乱電子
の拡がり半径が１５μｍ程度であるから、この１／５程
度のピッチ即ち３μｍピッチで補正描画を行えば近接効
果はかなり良好に補正ができる。従って、５μｍ角の縮
小像に対応するステンシルマスク１０上の転写用パター
ンのうち幅及び長さがそれぞれ３／５の領域だけ照明し
て、この領域を通過した電子ビームで補正描画を行えば
よい。For example, when an electron beam is incident on the target 16, the spread radius of the backscattered electrons is substantially in the range of the electron beam. The target 16 is silicon (Si)
In the case of a substrate, the range of the electron beam accelerated at 50 kV in silicon is about 15 μm. Therefore, since the spreading radius of the backscattered electrons is about 15 μm, the proximity effect can be corrected quite well by performing correction drawing at a pitch of about １ ／, that is, at a pitch of 3 μm. Accordingly, the transfer pattern on the stencil mask 10 corresponding to the reduced image of 5 μm square is illuminated only in a region having a width and a length of ５, and the correction drawing is performed by the electron beam passing through this region. .

【００３３】また、タングステン（Ｗ）等の重金属中で
の電子線のレンジは２．５μｍ程度であるが、通常タン
グステン等の層は薄いので、後方散乱電子の拡がり半径
は２．５μｍとシリコン基板の場合の１５μｍとの中間
の５μｍ程度であり、１μｍピッチ程度で補正露光を行
えばよい。従って１μｍ×１μｍの大きさの縮小像のビ
ームでドーズを補正して描画を行えばよい。The range of an electron beam in a heavy metal such as tungsten (W) is about 2.5 μm. However, since a layer of tungsten or the like is usually thin, the spreading radius of backscattered electrons is 2.5 μm, which is a silicon substrate. In this case, the distance is about 5 μm, which is an intermediate value of 15 μm, and the correction exposure may be performed at a pitch of about 1 μm. Therefore, drawing may be performed by correcting the dose with a beam of a reduced image having a size of 1 μm × 1 μm.

【００３４】図４を参照して、より具体的に説明する。
図４（ａ）はターゲット１６上のパターンの一例を示
し、この図４（ａ）において、２５−１，２５−２，２
５−３，‥‥は周辺部の低密度（粗）のパターンであ
り、点線で示す領域２６内には高密度のパターン２７が
僅かな隙間で多数配列されているとする。この場合、領
域２６の内部を周辺部では細かく、中央部では５μｍ角
に分割する。即ち、中央の領域３３の一辺の長さＬは５
μｍであり、５μｍ角とは図３（ｂ）の転写用パターン
２０−２の全体の縮小像と同じ面積である。そして、領
域２８では中央部の１．５倍のドーズを与え、領域２９
では１．４倍、領域３０では１．３倍、領域３１では
１．２倍、領域３２では１．１倍のドーズを与える。更
に、周辺の低密度のパターン２５−１，２５−２，２５
−３，‥‥は可変成形ビームで描画すると共に、そのド
ーズは中央の領域３３の場合の２．１倍とした。A more specific description will be given with reference to FIG.
FIG. 4A shows an example of a pattern on the target 16. In FIG.
5-3, ‥‥ are low-density (coarse) patterns in the peripheral portion, and it is assumed that a large number of high-density patterns 27 are arranged in a region 26 indicated by a dotted line with slight gaps. In this case, the inside of the region 26 is finely divided at the periphery and divided into 5 μm squares at the center. That is, the length L of one side of the central region 33 is 5
5 μm square is the same area as the entire reduced image of the transfer pattern 20-2 in FIG. In the region 28, a dose 1.5 times that of the central portion is applied, and
In the region 30, the dose is 1.3 times, in the region 30, 1.3 times, in the region 31, 1.2 times, and in the region 32, 1.1 times. Furthermore, the peripheral low-density patterns 25-1, 25-2, 25
-3 and ‥‥ were drawn with a variable shaped beam, and the dose was 2.1 times that of the central region 33.

【００３５】次に、図４（ｂ）はシリコン（Ｓｉ）基板
表面にタングステン（Ｗ）が０．２μｍの厚みで部分的
に蒸着されているターゲット上に描画する場合を示し、
この図４（ｂ）において、３４がタングステンの下地パ
ターンである。そして、下地パターン３４の周辺部では
領域を細かく分割し、下地パターン３４から離れた所で
は領域３５のように５μｍ角に分割する。即ち、領域３
５の一辺Ｌ２は５μｍである。そして、領域３５のドー
ズを１とすると、領域３６では０．９倍、領域３７では
０．８倍、領域３８では０．７倍、領域３９では０．６
５倍、領域４０では０．６倍、領域４１では０．５倍の
ドーズでそれぞれ描画した。Next, FIG. 4B shows a case in which tungsten (W) is drawn on a target in which tungsten (W) is partially deposited to a thickness of 0.2 μm on the surface of a silicon (Si) substrate,
In FIG. 4B, reference numeral 34 denotes a tungsten base pattern. Then, the region is finely divided at the peripheral portion of the base pattern 34, and is divided into 5 μm squares like the region 35 at a position away from the base pattern 34. That is, region 3
One side L2 of 5 is 5 μm. Assuming that the dose of the region 35 is 1, the region 36 is 0.9 times, the region 37 is 0.8 times, the region 38 is 0.7 times, and the region 39 is 0.6 times.
Drawing was performed at a dose of 5 times, at a dose of 0.6 times in the region 40, and at 0.5 times in the region 41.

【００３６】次に、図２（ｂ）に示すステンシルマスク
１０上の分割された転写用パターン２０−２７，２０−
３６，２０−４４，２０−５３を用いて近接効果を補正
する方法について説明する。その前に、図３（ａ）及び
（ｂ）のように転写用パターン２０−２の一部のみを照
明する方法の場合には次のような不都合がある。即ち、
図３（ｂ）の領域２４のパターンをターゲット１６上に
露光する際には、その領域２４に隣接する領域のパター
ンもそのターゲット１６上で接続されるように露光され
る。このターゲット１６上の接続部には図３（ａ）の開
口パターン１７−２のエッジの像が現れる。Next, the divided transfer patterns 20-27, 20- on the stencil mask 10 shown in FIG.
36, 20-44, 20-53, a method of correcting the proximity effect will be described. Before that, the method of illuminating only a part of the transfer pattern 20-2 as shown in FIGS. 3A and 3B has the following disadvantages. That is,
When the pattern of the region 24 in FIG. 3B is exposed on the target 16, the pattern of the region adjacent to the region 24 is also exposed so as to be connected on the target 16. An image of the edge of the opening pattern 17-2 shown in FIG.

【００３７】この場合、開口パターン１７−２のステン
シルマスク１０上の像は、図１の第２成形開口板７から
ステンシルマスク１０の間で余分に空間電荷効果を受け
ているため、その像のエッジがシャープでない。そのた
めに、ターゲット１６上のパターンの接続部が歪む虞が
ある。その対策として、図２（ｂ）に示すステンシルマ
スク１０上の小面積の転写用パターン２０−２７，２０
−３６，２０−４４，２０−５３の像をターゲット１６
上に順にドーズを調整しながら露光する。これにより、
空間電荷効果で開口パターン１７−２のエッジが不鮮明
になった場合でも、ターゲット１６上には接続部の歪の
無い、且つ近接効果が補正されたパターンを描画でき
る。In this case, the image of the aperture pattern 17-2 on the stencil mask 10 is subjected to an extra space charge effect between the second shaping aperture plate 7 and the stencil mask 10 in FIG. Edges are not sharp. For this reason, there is a possibility that the connection portion of the pattern on the target 16 is distorted. As a countermeasure, transfer patterns 20-27, 20 having a small area on the stencil mask 10 shown in FIG.
-36,20-44,20-53 images as targets 16
Exposure is performed while sequentially adjusting the dose upward. This allows
Even if the edge of the opening pattern 17-2 becomes unclear due to the space charge effect, a pattern in which the connection portion has no distortion and the proximity effect is corrected can be drawn on the target 16.

【００３８】なお、本発明は上述実施例に限定されず本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得るこ
とは勿論である。It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can adopt various configurations without departing from the gist of the present invention.

【００３９】[0039]

【発明の効果】本発明の第１の電子線描画装置によれ
ば、第２及び第３の電子線透過マスクの遮蔽領域に電子
線を順次横ずれさせて転写パターンの一部だけをドーズ
を変えてターゲット上に描画できるので、セルプロジェ
クション方式で描画を行う場合にも近接効果を良好に補
正できる利点がある。この場合、マスクパターンの形状
を変える必要がないので、パターンを部分的に太らせた
り細らせたりして近接効果の補正を行う場合よりも簡単
に近接効果が補正できる。According to the first electron beam writing apparatus of the present invention, the electron beam is sequentially shifted laterally to the shielding areas of the second and third electron beam transmitting masks, and the dose of only a part of the transfer pattern is changed. Therefore, there is an advantage that the proximity effect can be satisfactorily corrected even when performing drawing by the cell projection method. In this case, since it is not necessary to change the shape of the mask pattern, the proximity effect can be corrected more easily than when the proximity effect is corrected by partially thickening or narrowing the pattern.

【００４０】また、第２の電子線描画装置によれば、分
割パターンをドーズを変えてターゲット上に描画するこ
とにより、セルプロジェクション方式で描画を行う場合
にも近接効果を良好に補正できる利点がある。Further, according to the second electron beam lithography apparatus, the proximity effect can be satisfactorily corrected even when performing drawing by the cell projection method by drawing the divided pattern on the target while changing the dose. is there.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明による電子線描画装置の一実施例の縦断
面に沿う端面図である。FIG. 1 is an end view along a longitudinal section of one embodiment of an electron beam lithography apparatus according to the present invention.

【図２】（ａ）は図１の第２成形開口板７のパターンを
示す平面図、（ｂ）は図１のステンシルマスク１０のパ
ターンを示す平面図である。2A is a plan view showing a pattern of a second forming aperture plate 7 of FIG. 1, and FIG. 2B is a plan view showing a pattern of a stencil mask 10 of FIG.

【図３】（ａ）は図１の第２成形開口板７上での電子線
の横ずれの説明図、（ｂ）は図１のステンシルマスク１
０上での電子線の横ずれの説明図である。3A is an explanatory view of a lateral shift of an electron beam on a second forming aperture plate 7 of FIG. 1, and FIG. 3B is a stencil mask 1 of FIG.
FIG. 4 is an explanatory diagram of a lateral displacement of an electron beam on 0.

【図４】（ａ）は実施例で近接効果の補正を行う際のタ
ーゲット上での領域の分割方法の一例を示す平面図、
（ｂ）はターゲット上での領域の分割方法の他の例を示
す平面図である。FIG. 4A is a plan view illustrating an example of a method of dividing a region on a target when correcting a proximity effect in the embodiment;
(B) is a plan view showing another example of a method for dividing a region on a target.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 電子銃 ２ａ，２ｂ ブランキング用の偏向器 ３ 第１成形開口板 ４ コンデンサーレンズ ５ セル選択用の偏向器 ６ 第１成形レンズ ７ 第２成形開口板 ８ 可変成形ビーム用の偏向器 ９ 第２成形レンズ １０ ステンシルマスク １１ ブランキングアパーチャ板 １２ 縮小レンズ １３ 副偏向器 １４ 主偏向器 １５ 対物レンズ １６ ターゲット １７−１，１７−２，１７−３，‥‥ 開口パターン ２０−１，２０−２，２０−３，‥‥ 転写用パターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electron gun 2a, 2b Deflector for blanking 3 First shaping aperture plate 4 Condenser lens 5 Deflector for cell selection 6 First shaping lens 7 Second shaping aperture plate 8 Deflector for variable shaping beam 9 Second Molded lens 10 Stencil mask 11 Blanking aperture plate 12 Reduction lens 13 Secondary deflector 14 Main deflector 15 Objective lens 16 Target 17-1, 17-2, 17-3, 開口 Opening pattern 20-1, 20-2, 20-3, ‥‥ Transfer pattern

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 電子銃と、 該電子銃から放出された電子線が照射される第１の矩形
の開口パターンが形成された第１の電子線透過マスク
と、複数の矩形の開口パターンが配列されると共に、該複数
の開口パターンの間にそれぞれ該開口パターンの幅の１
／２以上の幅の遮蔽領域が形成された第２の電子線透過
マスクと、 前記第１の矩形の開口パターンを透過した電子線を偏向
させて前記第２の電子線透過マスクの前記複数の開口パ
ターンの１つの開口パターンの全部又は一部に照射する
第１の偏向手段と、 第２の矩形の開口パターン及び縮小転写用のパターンを
含む複数の転写パターンが配列されると共に、該複数の
転写パターンの間にそれぞれ該転写パターンの幅の１／
２以上の幅の遮蔽領域が形成された第３の電子線透過マ
スクと、 前記第２の電子線透過マスクの前記複数の開口パターン
の１つを透過した電子線を偏向させて前記第３の電子線
透過マスクの前記複数の転写パターンの１つの転写パタ
ーンの全部又は一部に照射する第２の偏向手段と、 該電子線が照射された転写パターンの全部又は一部の縮
小像をターゲット上に結像する結像手段と、 前記ターゲットへの電子線の照射量を調整する照射量制
御手段とを有し、 可変成形ビームによる描画と一括縮小転写による描画と
を切り換えて描画することを特徴とする電子線描画装
置。1. An electron gun, a first electron beam transmission mask on which a first rectangular opening pattern to be irradiated with an electron beam emitted from the electron gun is formed, and a plurality of rectangular opening patterns are arranged. And the plurality
Of the width of each of the opening patterns
The second electron beam transmission in which a shielding area having a width of at least / 2 is formed.
The mask deflects the electron beam transmitted through the first rectangular opening pattern.
Then, the plurality of apertures of the second electron beam transmission mask are
Irradiate all or part of one opening pattern of turn
A first deflecting means, a plurality of transfer patterns including a second rectangular opening pattern and a pattern for reduction transfer are arranged, and each of the plurality of transfer patterns has a width of 1 / の of the width of the transfer pattern.
A third electron beam transmission mask in which a shielding region having a width of 2 or more is formed, and the plurality of opening patterns of the second electron beam transmission mask
A second deflecting means for deflecting an electron beam transmitted through one of the plurality of transfer patterns of the third electron beam transmission mask to irradiate all or a part of one of the plurality of transfer patterns; Imaging means for forming a reduced image of all or a part of the transferred transfer pattern on a target, and irradiation amount control means for adjusting an irradiation amount of the electron beam to the target; An electron beam lithography apparatus characterized by switching between drawing and drawing by batch reduction transfer for drawing. 【請求項２】 電子銃と、 該電子銃から放出された電子線が照射される第１の矩形
の開口パターンが形成された第１の電子線透過マスク
と、 第２の矩形の開口パターンと縮小転写用のパターンと該
縮小転写用のパターンを分割してなる複数の分割パター
ンとを含む複数の転写パターンが配列された第２の電子
線透過マスクと、 前記第１の矩形の開口パターンを透過した電子線を偏向
させて、前記第２の電子線透過マスクの前記縮小転写用
のパターンに前記電子線を照射する際には、該 縮小転写
用のパターンの全部又は一部に前記電子線を照射すると
共に、前記第２の電子線透過マスクの前記複数の分割パ
ターンの１つに前記電子線を照射する際には、該分割パ
ターンの全部に前記電子線を照射する偏向手段と、 該電子線が照射された転写パターンの縮小像をターゲッ
ト上に結像する結像手段と、 前記ターゲットへの電子線の照射量を調整する照射量制
御手段とを有し、 可変成形ビームによる描画と一括縮小転写による描画と
を切り換えて描画することを特徴とする電子線描画装
置。2. An electron gun, a first electron beam transmission mask formed with a first rectangular opening pattern to be irradiated with an electron beam emitted from the electron gun, and a second rectangular opening pattern. A second electron beam transmission mask in which a plurality of transfer patterns including a pattern for reduction transfer and a plurality of division patterns obtained by dividing the pattern for reduction transfer are arranged; and the first rectangular opening pattern. The transmitted electron beam is deflected to reduce the size of the second electron beam transmission mask for the reduction transfer.
When the pattern irradiation of the electron beam, the reduced and transferred
Irradiating the electron beam on all or part of the pattern for
In both cases, the plurality of divided patterns of the second electron beam transmission mask
When irradiating one of the turns with the electron beam,
Deflecting means for irradiating the entirety of the turn with the electron beam, imaging means for forming a reduced image of the transfer pattern irradiated with the electron beam on a target, and adjusting the irradiation amount of the electron beam to the target An electron beam lithography apparatus, comprising: an irradiation amount control unit, wherein the writing is performed by switching between writing using a variable shaped beam and writing using batch reduction transfer.