JP3483969B2 - 液晶ディスプレイ用レーザリペア方法及びその装置並びにアクティブマトリクス型液晶ディスプレイの製造方法 - Google Patents

液晶ディスプレイ用レーザリペア方法及びその装置並びにアクティブマトリクス型液晶ディスプレイの製造方法

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JP3483969B2
JP3483969B2 JP01200195A JP1200195A JP3483969B2 JP 3483969 B2 JP3483969 B2 JP 3483969B2 JP 01200195 A JP01200195 A JP 01200195A JP 1200195 A JP1200195 A JP 1200195A JP 3483969 B2 JP3483969 B2 JP 3483969B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶ディスプレイを再
現性及び加工性よくリペアする液晶ディスプレイ用レー
ザリペア方法及びその装置並びにアクティブマトリクス
型液晶ディスプレイの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、アクティブマトリックス液晶デ
ィスプレイは、マトリックス状の複数の画素電極が配列
され、これら画素電極にそれぞれスイッチング素子が形
成されている。そして、これらスイッチング素子をオン
・オフ動作することにより、各画素電極に必要な電荷を
充放電して液晶を駆動している。
【0003】このような構成の液晶ディスプレイは、各
画素を表示するために形成するスイッチング素子と画素
電極との数が、数10万個に達し、中には100万個を
越えるものも製造されるようになってきた。
【0004】このような液晶ディスプレイにおいて、多
数の画素を形成する過程では、何らかの原因によってス
イッチング素子が動作しない、又は画素駆動電極が正常
に形成されないために液晶が駆動しない画素の箇所、つ
まり欠陥画素が発生する。
【0005】このような欠陥画素をリペアする方法とし
ては、例えば特開昭60−243635号公報にその開
示がある。このリペア方法は、画素サイズに近い比較的
大きな径のレーザスポット、例えば70×200μmの
レーザスポットに形成し、このレーザを数ショット配向
膜や画素電極に照射し、これら配向膜や画素電極を除去
加工するものである。
【0006】このように配向膜や画素電極を除去するこ
とで、液晶層の配向を乱だしてリペアを行ってきたが、
この配向膜や画素電極の除去加工について詳細な実験を
行って検討した結果、これら配向膜や画素電極を完全に
除去すると、輝度が低下する場合もあるが、レーザ照射
時の分解生成物によって周囲の画素に新たな欠陥が生じ
ることが確認された。
【0007】このため、リペア後に、欠陥画素を発生さ
せない安定したリペアを行うためには、配向膜等を除去
する方法よりも、配向膜の表面を粗し、その配向を乱す
方法の方が有効であることが確認された。
【0008】このように配向を乱す、つまり配向膜表面
のモホロジーを粗すためには、配向膜に急激な温度変化
を与えればよい。すなわち、配向膜へのレーザ照射を終
了した後は、このレーザ照射後に配向膜は冷却され、こ
の冷却過程で液晶が配向膜に常時接触することで実現す
る。
【0009】しかしながら、画素サイズに近い比較的大
きな径のレーザスポットを一括して欠陥画素に照射する
方法では、配向膜を加工するために必要なレーザエネル
ギーが数mJ/Pと大きいため、液晶はレーザ照射時に
蒸発し、このときに気化した液晶が、欠陥画素付近に気
泡となって滞在してしまう。このため、レーザ照射後の
冷却過程で液晶が配向膜に接触することは不可能とな
り、配向膜を除去しないでその表面を粗すことは困難で
ある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】以上のように安定した
リペアを行うために、画素サイズに近い比較的大きな径
のレーザスポットを欠陥画素に照射する方法では、液晶
がレーザ照射時に蒸発して欠陥画素付近に気泡となって
滞在し、レーザ照射後の冷却過程において液晶が配向膜
に接触すること出来ず、配向膜を除去しないでその表
面を粗すことは困難である。そこで本発明は、安定した
リペアができる液晶ディスプレイ用レーザリペア方法及
びその装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】請求項1によれば、マト
リックス状に配列されている複数の画素電極と、これら
画素電極にそれぞれ形成され、オン・オフ動作すること
により各画素電極に必要な電荷を充放電するスイッチン
グ素子と、液晶を配向するための配向膜とを備える液晶
ディスプレイに形成された欠陥画素にレーザ光を照射す
る液晶ディスプレイ用レーザリペア方法において、パル
スレーザをレーザスポットに成形して、欠陥画素上にス
キャンする工程を備えて上記目的を達成しようとする液
晶ディスプレイ用レーザリペア方法である。
【0012】請求項2によれば、パルスレーザを、互い
にオーバーラップして欠陥画素上に照射する液晶ディス
プレイ用レーザリペア方法である。
【0013】請求項3によれば、パルスレーザを、互い
にオーバーラップして欠陥画素上に照射し、かつそのオ
ーバーラップ率をほぼ一定にする液晶ディスプレイ用レ
ーザリペア方法である。
【0014】請求項4によれば、パルスレーザを、互い
にオーバーラップして欠陥画素上に照射するとき欠陥画
素を形成する材質や膜厚に応じたオーバラップ率に設定
する液晶ディスプレイ用レーザリペア方法である。請求
項5によれば、パルスレーザのスポット間のオーバラッ
プ率をa、パルスレーザのスポット径をd、パルスレー
ザの繰り返し周波数をf、パルスレーザのスキャン速度
をvとすると、オーバラップ率aを a=1−(v/f・d) で定義し、かつオーバラップ率aを0.5〜0.9に設
定する液晶ディスプレイ用レーザリペア方法である。
求項6によれば、パルスレーザの繰り返し周波数fを、
パルスレーザのスポット間のオーバラップ率aが一定値
になるようにスキャン速度vに同期させる液晶ディスプ
レイ用レーザリペア方法である請求項7によれば、パ
ルスレーザは、欠陥画素上にラスタースキャンする液晶
ディスプレイ用レーザリペア方法である請求項8によ
れば、パルスレーザは、1〜3μmのレーザスポット径
に成形する液晶ディスプレイ用レーザリペア方法であ
請求項9によれば、パルスレーザは、2μmのレー
ザスポット径に成形する液晶ディスプレイ用レーザリペ
ア方法である。 請求項10によれば、パルスレーザのス
ポット径を2μm、パルスレーザのレーザエネルギーを
1μJ/P、パルスレーザの繰り返し周波数を1kH
z、パルスレーザのスキャン速度を1mm/sに設定す
る液晶ディスプレイ用レーザリペア方法である。 請求項
11によれば、液晶ディスプレイを載置するためのテー
ブルと、パルスレーザを出力するパルスレーザ発振器
と、このパルスレーザ発振器から出力されたパルスレー
ザを小径スポットに形成して液晶ディスプレイの欠陥画
素に照射する照射光学系と、テーブルと小径スポットの
パルスレーザとを相互に移動してパルスレーザを欠陥画
素上にスキャンさせるコントローラとを備え、パルスレ
ーザの繰り返し周波数をスキャンの速度に同期させる構
成となっている液晶ディスプ レイ用レーザリペア装置で
ある。 請求項12によれば、パルスレーザ発振器は、Q
スイッチNd:YAGレーザ発振器である液晶ディスプ
レイ用レーザリペア装置である。 請求項13によれば、
照射光学系は、パルスレーザを1〜3μmのレーザスポ
ット径に成形する液晶ディスプレイ用レーザリペア装置
である請求項14によれば、照射光学系は、パルスレ
ーザを2μmのレーザスポット径に成形する液晶ディス
プレイ用レーザリペア装置である。 請求項15によれ
ば、照射光学系は、集光レンズである液晶ディスプレイ
用レーザリペア装置である。 請求項16によれば、コン
トローラは、テーブルとパルスレーザとを相互に移動し
てパルスレーザを欠陥画素上にラスタースキャンさせる
液晶ディスプレイ用レーザリペア装置である。 請求項1
7によれば、コントローラは、テーブルとパルスレーザ
とを相互に移動し、パルスレーザを互いにオーバーラッ
プして欠陥画素上に照射する液晶ディスプレイ用レーザ
リペア装置である。 請求項18によれば、コントローラ
は、テーブルとパルスレーザとを相互に移動し、パルス
レーザを互いにオーバーラップして欠陥画素上に照射す
るときのオーバーラップ率をほぼ一定にする液晶ディス
プレイ用レーザリペア装置である。 請求項19によれ
ば、マトリックス状に配列されている複数の画素電極
と、これら画素電極にそれぞれ形成され、オン・オフ動
作することにより各画素電極に必要な電荷を充放電する
スイッチング素子と、液晶を配向するための配向膜とを
備える液晶ディスプレイの製造方法において、欠陥画素
が発生した場合には、パルスレーザをレーザスポットに
成形して欠陥画素上にラスタースキャンさせる工程を備
えるアクティブマトリクス型液晶ディスプレイの製造方
法である。 請求項20によれば、ラスタースキャンさせ
る工程は、パルスレーザを、互いにオーバーラップして
欠陥画素上に照射するアクティブマトリクス型液晶ディ
スプレイの製造方法である。 請求項21によれば、ラス
タースキャンさせる工程は、パルスレーザを、互いにオ
ーバーラップして欠陥画素上に照射し、かつそのオーバ
ーラップ率をほぼ一 定にするアクティブマトリクス型液
晶ディスプレイの製造方法である。 請求項22によれ
ば、ラスタースキャンさせる工程は、パルスレーザを、
互いにオーバーラップして欠陥画素上に照射するとき欠
陥画素を形成する材質や膜厚に応じたオーバラップ率に
設定するアクティブマトリクス型液晶ディスプレイの製
造方法である。 請求項23によれば、ラスタースキャン
させる工程は、パルスレーザのスポット間のオーバラッ
プ率をa、パルスレーザのスポット径をd、パルスレー
ザの繰り返し周波数をf、パルスレーザのスキャン速度
をvとすると、オーバラップ率aを a=1−(v/f・d) で定義し、かつオーバラップ率aを0.5〜0.9に設
定するアクティブマトリクス型液晶ディスプレイの製造
方法である。 請求項24によれば、ラスタースキャンさ
せる工程は、パルスレーザの繰り返し周波数fを、パル
スレーザのスポット間のオーバラップ率aが一定値にな
るようにスキャン速度vに同期させるアクティブマトリ
クス型液晶ディスプレイの製造方法である。 請求項25
によれば、ラスタースキャンさせる工程は、パルスレー
ザを1〜3μmのレーザスポット径に成形するアクティ
ブマトリクス型液晶ディスプレイの製造方法である。
求項26によれば、ラスタースキャンさせる工程は、パ
ルスレーザを2μmのレーザスポット径に成形するアク
ティブマトリクス型液晶ディスプレイの製造方法であ
る。 請求項27によれば、ラスタースキャンさせる工程
は、パルスレーザのスポット径を2μm、パルスレーザ
のレーザエネルギーを1μJ/P、パルスレーザの繰り
返し周波数を1kHz、パルスレーザのスキャン速度を
1mm/sに設定するアクティブマトリクス型液晶ディ
スプレイの製造方法である。
【0015】
【作用】請求項1によれば、パルスレーザをレーザスポ
ットに成形して、欠陥画素上にスキャンする。これによ
り、液晶ディスプレイの配向膜の温度は上昇し、このと
きに液晶から発生する気泡は少なく、レーザの通過後、
液晶が配向膜に接触して冷却され、欠陥画素における配
向性は低下し、さらに配向膜や画素電極等に対して入熱
過剰とならず、別の欠陥を発生させることがない。
【0016】請求項2によれば、パルスレーザを、互い
にオーバーラップして欠陥画素上に照射する
【0017】請求項3によれば、パルスレーザを、互い
にオーバーラップして欠陥画素上に照射し、かつそのオ
ーバーラップ率をほぼ一定にする
【0018】請求項4によれば、パルスレーザを、互い
にオーバーラップして欠陥画素上に照射するとき欠陥画
素を形成する材質や膜厚に応じたオーバラップ率に設定
する請求項5によれば、パルスレーザのスポット間の
オーバラップ率をa、パルスレーザのスポット径をd、
パルスレーザの繰り返し周波数をf、パルスレーザのス
キャン速度をvとすると、オーバラップ率aを a=1−(v/f・d) で定義し、かつオーバラップ率aを0.5〜0.9に設
定する。 請求項6によれば、パルスレーザの繰り返し周
波数fを、パルスレーザのスポット間のオーバラップ率
aが一定値になるようにスキャン速度vに同期させる
請求項7によれば、パルスレーザを欠陥画素上にラスタ
ースキャンする請求項8によれば、パルスレーザを1
〜3μmのレーザスポット径に成形する請求項9によ
れば、パルスレーザを2μmのレーザスポット径に成形
する。 請求項10によれば、パルスレーザのスポット径
を2μm、パルスレーザのレーザエネルギーを1μJ/
P、パルスレーザの繰り返し周波数を1kHz、パルス
レーザのスキャン速度を1mm/sに設定する。 請求項
11によれば、パルスレーザ発振器から出力されたパル
スレーザを照射光学系により小径スポットに形成してテ
ーブル上の液晶ディスプレイの欠陥画素に照射し、かつ
コントローラによりテーブルとパルスレーザとを相互に
移動してパルスレーザを欠陥画素上にスキャンさせ、パ
ルスレーザの繰り返し周波数をスキャンの速度に同期さ
せる。 請求項12によれば、パルスレーザ発振器は、Q
スイッチNd:YAGレーザ発振器を用いる。 請求項1
3によれば、照射光学系によりパルスレーザを1〜3μ
mのレーザスポット径に成形する請求項14によれ
ば、照射光学系によりパルスレーザを2μmのレーザス
ポット径に成形する。 請求項15によれば、照射光学系
として集光レンズを用いる。 請求項16によれば、コン
トローラによりテーブルとパルスレーザとを相互に移動
してパルスレーザを欠陥画素上にラスタースキャンさせ
る。 請求項17によれば、コントローラによりテーブル
とパルスレーザとを相互に移動し、パルスレーザを互い
にオーバーラップして欠陥画素上に照射する。 請求項1
8によれば、コントローラによりテーブルとパルスレー
ザとを相互に移動し、パルスレーザを互いにオーバーラ
ップして欠陥画素上に照射するときのオーバーラップ率
をほぼ一定にする。 請求項19によれば、アクティブマ
トリクス型液晶ディスプレイを製造するときに、パルス
レーザをレーザスポットに成形して液晶ディスプレイの
欠陥画素上にラスタースキャンする。 請求項20によれ
ば、欠陥画素上にパルスレーザをラスタースキャンさせ
るとき、パルスレーザを互いにオーバーラップして欠陥
画素上に照射する。 請求項21によれば、欠陥画素上に
パルスレーザをラスタースキャンさせるとき、パルスレ
ーザを互いにオーバーラップして欠陥画素上に照射し、
かつそのオーバーラップ率をほぼ一定にする。 請求項2
2によれば、欠陥画素上にパルスレーザをラスタースキ
ャンさせるとき、パルスレーザを互いにオーバーラップ
して欠陥画素上に照射するとき欠陥画素を形成する材質
や膜厚に応じたオーバラップ率に設定する。 請求項23
によれば、欠陥画素上にパルスレーザをラスタースキャ
ンさせるとき、パルスレーザのスポット間のオーバラッ
プ率をa、パルスレーザのスポット径をd、パルスレー
ザの繰り返し周波数をf、パルスレーザのスキャン速度
をvとすると、オーバラップ率aを a=1−(v/f・d) で定義し、かつオーバラップ率aを0.5〜0.9に設
定する。 請求項24によれば、欠陥画素上にパルスレー
ザをラスタースキャンさせるとき、パルスレーザの繰り
返し周波数fを、パルスレーザのスポット間のオーバラ
ップ率aが一定値になるようにスキャン速度vに同期さ
せる。 請求項25によれば、欠陥画素上にパルスレーザ
をラスタースキャンさせると き、パルスレーザを1〜3
μmのレーザスポット径に成形する。 請求項26によれ
ば、欠陥画素上にパルスレーザをラスタースキャンさせ
るとき、パルスレーザを2μmのレーザスポット径に成
形する。 請求項27によれば、欠陥画素上にパルスレー
ザをラスタースキャンさせるとき、パルスレーザのスポ
ット径を2μm、パルスレーザのレーザエネルギーを1
μJ/P、パルスレーザの繰り返し周波数を1kHz、
パルスレーザのスキャン速度を1mm/sに設定する。
【0019】
【実施例】以下、本発明の第1の実施例について図面を
参照して説明する。図1は液晶ディスプレイ用レーザリ
ペア装置の構成図である。XYテーブル1上には、液晶
ディスプレイ2が載置されている。このXYテーブル1
には、開口3が形成され、この開口3の下方にバックラ
イト用の透過照明器具4が配置されている。
【0020】液晶ディスプレイ2は、図2に示す断面構
成となっている。すなわち、2枚のガラス板10、11
が、シール材12を介して対向配置されている。これら
ガラス板10、11の外側面には、それぞれ偏光フィル
ム13、14が形成されている。
【0021】一方のガラス板10の内側面には、R
(赤)G(緑)B(青)の各カラーフィルター15が形
成され、これらカラーフィルター15を覆うように保護
膜16が形成されている。
【0022】この保護膜16には、共通電極(ITO)
17が形成され、さらに配向膜18が形成されている。
他方のガラス板11の内側面には、各カラーフィルター
15の配置位置に対応して各駆動部(薄膜トランジスタ
等を有する)19が形成され、これら駆動部19を覆う
ように配向膜20が形成されている。
【0023】そうして、これら配向膜18、20の間に
は、液晶21が封入されている。なお、液晶21が、共
通電極17と駆動部19との間において平行状態であれ
ば光を透過せず、共通電極17と駆動部19との方向に
並べば光を透過することは周知のことである。
【0024】一方、QスイッチNd:YAGレーザ発振
器(以下、レーザ発振器と省略する)30が設けられて
いる。このQスイッチNd:YAGレーザを選定した理
由は、薄膜加工に有利な高いピークパワーが安定して得
られ、かつ光学系の製作が容易であり、さらにメンテナ
ンスが簡便といった特徴を有し、実用性が高いことによ
る。
【0025】このレーザ発振器30のレーザ光路上に
は、ハーフミラー31が配置され、レーザ発振器30か
ら出力されたパルスレーザが液晶ディスプレイ2に向か
って反射するものとなっている。
【0026】このハーフミラー31の反射光路上には、
照射光学系としての集光レンズ32が配置されている。
この集光レンズ32は、パルスレーザのレーザスポット
径を、例えば1〜3μmの比較的小さいレーザスポット
径に集光して、液晶ディスプレイ2の画素上に照射する
機能を有している。
【0027】コントローラ33は、XYテーブル1をX
Y方向に移動制御して図3に示すようにQスイッチ出力
のパルスレーザを欠陥画素G上にラスタースキャンさ
せ、かつこのときのレーザ発振器30のパルスレーザの
繰り返し周波数fを、これらパルスレーザの欠陥画素G
上におけるオーバラップ率aが一定値になるようにスキ
ャン速度vに同期させる機能を有している。
【0028】具体的にコントローラ33は、欠陥画素G
上にパルスレーザをラスタースキャンする場合、図4に
示すように各パルスレーザスポット間のオーバラップ率
aを、画素を形成する材質や膜厚に応じた値に設定して
いる。
【0029】すなわち、パルスレーザをスキャンしたと
きのずれ量をxとしたときのパルスレーザスポットのオ
ーバラップ率aは、パルスレーザスポット径d、このパ
ルスレーザの繰り返し周波数f、スキャン速度vとする
と、 x=v/f …(1) であり、 a=(d−x)/d …(2) と定義すれば、 a=1−(v/f・d) …(3) なる関係に設定される。
【0030】このオーバラップ率aは、具体的に例えば
0.5〜0.9に設定される。又、コントローラ33
は、パルスレーザをラスタースキャンさせる場合、この
スキャン速度を図5に示すように起動時及び停止時にお
いてそれぞれ加減速しているので、レーザ発振器30の
パルスレーザの繰り返し周波数fを、各パルスレーザの
欠陥画素G上におけるオーバラップ率aが一定値になる
ように加減速のあるスキャン速度vに同期させる機能を
有している。
【0031】又、液晶ディスプレイ2からハーフミラー
31を通る光路上には、リレーレンズ34を介してCC
Dカメラ35が配置されている。このCCDカメラ35
は、液晶ディスプレイ2を撮像してその画像信号をモニ
タテレビジョン等に送り、欠陥画素等を検索しやすいも
のとしている。
【0032】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。CCDカメラ35により液晶ディスプレ
イ2上の欠陥画素が検索されると、この欠陥画素に対す
るリペアが行われる。
【0033】レーザ発振器30は、繰り返し周波数f、
例えば1kHzでQスイッチ出力のパルスレーザを出力
する。これらパルスレーザは、ハーフミラー31で反射
し、集光レンズ32によりレーザスポット径d、例えば
2μmに集光されて欠陥画素G上に照射される。
【0034】一方、コントローラ33は、XYテーブル
1をXY方向に移動制御してパルスレーザを図3に示す
ように欠陥画素G上にラスタースキャンさせる。これと
共にコントローラ33は、レーザ発振器30のパルスレ
ーザの繰り返し周波数fを、これらパルスレーザの欠陥
画素G上におけるオーバラップ率aが一定値になるよう
にスキャン速度vに同期させる。
【0035】すなわち、コントローラ33は、オーバラ
ップ率a、パルスレーザスポット径d、このパルスレー
ザの繰り返し周波数f、スキャン速度vとの関係が上記
式(3) を満足するように、欠陥画素G上にラスタースキ
ャンさせ、パルスレーザの繰り返し周波数fを制御す
る。
【0036】このようにパルスレーザを欠陥画素Gにラ
スタースキャンさせると、これらパルスレーザは、図2
に示す液晶ディスプレイ2の配向膜18に吸収され、こ
の配向膜18の温度は上昇する。
【0037】このとき、レーザスポット径2μmの微小
なパルスレーザを照射するので、液晶21に発生する気
泡は非常に少なくなる。従って、パルスレーザ通過後
は、液晶21が配向膜18に接触し、配向膜18を急速
に冷却する。
【0038】この冷却により配向膜18は、この急激な
ヒートショックに起因する溶融、再凝固によって表面が
粗くなり、配向性が低下する。なお、典型的な加工条件
としては、レーザスポット径2μm、レーザエネルギー
1μJ/P、パルスレーザの繰り返し周波数1kHz、
スキャン速度1mm/sである。
【0039】このように上記第1の実施例においては、
パルスレーザ発振器30から出力されたQスイッチ出力
のパルスレーザを集光レンズ32により1〜3μmの小
径レーザスポットに形成して欠陥画素Gに照射し、かつ
液晶ディスプレイ2を載置するXYテーブル1をコント
ローラ33により移動制御してパルスレーザを欠陥画素
G上にラスタースキャンさせるので、パルスレーザは配
向膜18に吸収されて配向膜の温度は上昇し、パルスレ
ーザ通過後は、液晶21が配向膜18に接触し、配向膜
18を急速に冷却してこれに起因する溶融、再凝固によ
って配向膜18の表面が粗くなり、配向性を低下でき
る。
【0040】従って、配向膜18を除去しなくても再現
性良く配向膜18の表面を粗すことができ、欠陥画素G
の輝度を安定に低下できる。そのうえ、このときに液晶
21から発生する気泡の量は少なく、この気泡によりレ
ーザ照射後の冷却過程で液晶21が配向膜18に接触不
可能となることはない。
【0041】さらに、加工時に発生する気泡の量が減少
し、気泡が消えるまでに要する時間が24時間から2時
間へと大幅に短縮されるので、液晶ディスプレイ2に対
する輝度判定を加工終了後の早い時間に行えるようにな
り、生産性を向上できる。
【0042】又、パルスレーザのオーバーラップ率aを
加工する配向膜18の材質や膜厚に応じて適正範囲、例
えば0.5〜0.9程度に設定するので、確実に配向膜
18や画素電極等に対して入熱過剰とならず、別の欠陥
を発生させることがない。
【0043】すなわち、レーザエネルギー一定のもとオ
ーバーラップ率aが適正範囲よりも高くなると、配向膜
18への入熱は過剰となり、配向膜18や画素電極1
7、19、カラーフィルタ15等が損傷として別の欠陥
が発生し、一方、オーバーラップ率aが適正範囲よりも
低いと、単位面積当たりに照射されるレーザエネルギー
が減少し、配向膜18は十分に加熱されなくなるが、本
発明ではこのような状態にはならない。
【0044】又、パルスレーザのスキャン速度vは、図
5に示すように起動時、停止時に加減速しているが、こ
のスキャン速度vに同期してパルスレーザの繰り返し周
波数fを制御するので、スキャンの折り返し部でパルス
レーザのオーバーラップ率aが高くなって配向膜18へ
の入熱が過剰となることはない。
【0045】次に本発明の第2の実施例について説明す
る。図6は輝点欠陥画素の修正に適用される液晶ディス
プレイ用レーザリペア装置の構成図である。
【0046】XYテーブル40上には、液晶ディスプレ
イ2が載置されている。この液晶ディスプレイ2は、図
7に示すように簡略化して2枚のガラス板41、42を
対向配置し、これらガラス板41、42の各外側にそれ
ぞれ偏光板43、44を設け、かつこれらガラス板4
1、42の間に液晶45を封入した構成となっている。
【0047】一方、パルスレーザ発振器46としてCW
励起AO−Qスイッチ動作のFHG−YAGレーザ発振
器が設けられている。このパルスレーザ発振器46は、
波長266nmのパルス状の紫外線レーザ光を出力する
ものとなっている。
【0048】このパルスレーザ発振器46のレーザ光路
上には、ミラー47が配置され、このミラー47の反射
光路上に集光光学系48が配置されている。この集光光
学系48は、パルスレーザ発振器46から出力された紫
外線レーザ光を液晶ディスプレイ2のガラス板41の付
近に集光、例えば30μm程度の微小スポットに集光す
るものとなっている。
【0049】コントローラ49は、XYテーブル40を
動作制御するもので、パルスレーザ発振器46から出力
された紫外線レーザを、液晶ディスプレイ2の画素上に
図3に示すようにラスタースキャンさせる機能を有する
ものである。
【0050】この場合、紫外線レーザのスポット間のオ
ーバラップ率aを、紫外線レーザスポット径d、この紫
外線レーザの繰り返し周波数f、スキャン速度vとする
と、 a=1−(v/f・d) で定義し、かつこのレーザスポットのオーバラップ率a
を0.5〜0.9に設定する。
【0051】次に上記の如く構成された装置の作用につ
いて説明する。パルスレーザ発振器46から紫外線レー
ザ光が出力されると、この紫外線レーザ光は、ミラー4
7で反射し、集光光学系48により30μm程度の微小
スポットに集光されて液晶ディスプレイ2の画素、つま
り輝点欠陥画素に照射される。
【0052】このとき、紫外線レーザ光は、図7に示す
ように微小スポットに集光されてガラス板41の表面上
に集光される。このような紫外線レーザ光の照射により
ガラス板41及び偏光板43は、共に波長266nmの
紫外線レーザ光をほぼ100%吸収するので、偏光板4
3は除去され、さらにガラス板41の表面も除去加工さ
れて、いわゆるザラ加工される。
【0053】一方、コントローラ49は、XYテーブル
40を、紫外線レーザが液晶ディスプレイ2の輝点欠陥
画素上に図3に示すラスタースキャンさせるように動作
制御する。
【0054】このXYテーブル40の動作制御により紫
外線レーザ光は、輝点欠陥画素上に走査速度1mm/
s、送りピッチ20μmでラスタースキャンする。この
結果、輝点欠陥画素におけるガラス板41は、すり硝子
状に加工される。なお、輝点欠陥画素上における紫外線
レーザ光のラスタースキャンは、コントローラ49の制
御により輝点欠陥画素よりもやや大きめの部分をすり硝
子状に加工している。
【0055】図8は輝点欠陥画素に対するすり硝子状の
加工を施した液晶ディスプレイ2の断面図である。すり
硝子状に加工を施したガラス板41により、この部分に
入射するバックライト光は散乱される。この結果として
輝点欠陥画素を透過するバックライト光は減少する。
【0056】このように上記第2の実施例によれば、液
晶ディスプレイ2のガラス板41の表面のみをすり硝子
状に加工するので、液晶ディスプレイ2内部を加工する
方法とは異なり、他の正常な画素に対して悪影響を及ぼ
すことなく、加工むらが生じない。これにより、輝点欠
陥画素の全体にわたり均一に透過光を減少でき、欠陥画
素のリペアを確実にできる。
【0057】なお、本発明は、上記各実施例に限定され
るものでなく次の通りに変形してもよい。例えば、パル
スレーザのスキャン方法は、ラスタースキャンに限ら
ず、欠陥画素Gの全面に対してスキャンする方法であれ
ばよい。
【0058】又、このパルスレーザのスキャンは、XY
テーブル1を移動制御するに限らず、パルスレーザを直
接移動させることにより、パルスレーザを欠陥画素G上
にスキャンさせてもよい。さらに、パルスレーザは、Q
スイッチNd:YAGレーザに限らず、薄膜加工に有利
な高いピークパワーが安定して得らるレーザであれば適
用できる。
【0059】
【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、安
定したリペアができる液晶ディスプレイ用レーザリペア
方法及びその装置並びにアクティブマトリクス型液晶デ
ィスプレイの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる液晶ディスプレイ用レーザリペ
ア装置の第1の実施例を示す構成図。
【図2】液晶ディスプレイの構成図。
【図3】パルスレーザのラスタースキャンを示す図。
【図4】パルスレーザのスキャン速度や繰り返し周波数
等の関係を説明するための図。
【図5】パルスレーザの繰り返し周波数のスキャン速度
に対する同期を示す図。
【図6】本発明に係わる液晶ディスプレイ用レーザリペ
ア装置の第2の実施例を示す構成図。
【図7】液晶ディスプレイに対する紫外線レーザ光の照
射を示す図。
【図8】欠陥画素に対するすり硝子状の加工を施した液
晶ディスプレイの断面図。
【符号の説明】
1…XYテーブル、2…液晶ディスプレイ、18,20
…配向膜、30…QスイッチNd:YAGレーザ発振器
(レーザ発振器)、32…集光レンズ、33…コントロ
ーラ、40…XYテーブル、46…パルスレーザ発振
器、48…集光光学系、49…コントローラ。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−313167(JP,A) 特開 平4−358120(JP,A) 特開 平3−265820(JP,A) 特開 平3−72327(JP,A) 特開 昭60−243635(JP,A) 特開 平5−11261(JP,A) 特開 昭58−72183(JP,A) 特開 平6−82735(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02F 1/1337 G02F 1/13

Claims (27)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マトリックス状に配列されている複数の
    画素電極と、これら画素電極にそれぞれ形成され、オン
    ・オフ動作することにより前記各画素電極に必要な電荷
    を充放電するスイッチング素子と、液晶を配向するため
    の配向膜とを備える液晶ディスプレイに形成された欠陥
    画素にレーザ光を照射する液晶ディスプレイ用レーザリ
    ペア方法において、 パルスレーザをレーザスポットに成形して、前記欠陥画
    素上にスキャンする工程を備える ことを特徴とする液晶
    ディスプレイ用レーザリペア方法。
  2. 【請求項2】 前記パルスレーザを、互いにオーバーラ
    ップして前記欠陥画素上に照射することを特徴とする請
    求項1記載の液晶ディスプレイ用レーザリペア方法。
  3. 【請求項3】 前記パルスレーザを、互いにオーバーラ
    ップして前記欠陥画素上に照射し、かつそのオーバーラ
    ップ率をほぼ一定にすることを特徴とする請求項1記載
    液晶ディスプレイ用レーザリペア方法。
  4. 【請求項4】 前記パルスレーザを、互いにオーバーラ
    ップして前記欠陥画素上に照射するとき前記欠陥画素を
    形成する材質や膜厚に応じたオーバラップ率に設定する
    ことを特徴とする請求項1記載の液晶ディスプレイ用レ
    ーザリペア方法。
  5. 【請求項5】 前記パルスレーザのスポット間のオーバ
    ラップ率をa、前記パルスレーザのスポット径をd、前
    記パルスレーザの繰り返し周波数をf、前記パルスレー
    ザのスキャン速度をvとすると、前記オーバラップ率a
    a=1−(v/f・d) で定義し、かつ前記オーバラップ率aを0.5〜0.9
    に設定することを特徴とする請求項1記載の 液晶ディス
    プレイ用レーザリペア方法。
  6. 【請求項6】 前記パルスレーザの繰り返し周波数f
    を、前記パルスレーザのスポット間のオーバラップ率a
    が一定値になるようにスキャン速度vに同期させること
    を特徴とする請求項1記載の液晶ディスプレイ用レーザ
    リペア方法。
  7. 【請求項7】 前記パルスレーザは、前記欠陥画素上に
    ラスタースキャンすることを特徴とする請求項1記載の
    液晶ディスプレイ用レーザリペア方法
  8. 【請求項8】 前記パルスレーザは、1〜3μmのレー
    ザスポット径に成形することを特徴とする請求項1記載
    の液晶ディスプレイ用レーザリペア方法
  9. 【請求項9】 前記パルスレーザは、2μmのレーザス
    ポット径に成形することを特徴とする請求項1記載の液
    晶ディスプレイ用レーザリペア方法
  10. 【請求項10】 前記パルスレーザのスポット径を2μ
    m、前記パルスレーザのレーザエネルギーを1μJ/
    P、前記パルスレーザの繰り返し周波数を1kHz、前
    記パルスレーザのスキャン速度を1mm/sに設定する
    ことを特徴とする請求項1記載の液晶ディスプレイ用レ
    ーザリペア方法
  11. 【請求項11】 液晶ディスプレイを載置するためのテ
    ーブルと、 パルスレーザを出力するパルスレーザ発振器と、 このパルスレーザ発振器から出力された前記パルスレー
    ザを小径スポットに形成して前記液晶ディスプレイの欠
    陥画素に照射する照射光学系と、 前記テーブルと前記小径スポットのパルスレーザとを相
    互に移動して前記パルスレーザを前記欠陥画素上にスキ
    ャンさせるコントローラとを備え、 前記パルスレーザの繰り返し周波数を前記スキャンの速
    度に同期させる構成となっていることを特徴とする液晶
    ディスプレイ用レーザリペア装置
  12. 【請求項12】 前記パルスレーザ発振器は、Qスイッ
    チNd:YAGレーザ発振器であることを特徴とする請
    求項11記載の液晶ディスプレイ用レーザリペア装置
  13. 【請求項13】 前記照射光学系は、前記パルスレーザ
    を1〜3μmのレーザスポット径に成形することを特徴
    とする請求項11記載の液晶ディスプレイ用レーザリペ
    ア装置
  14. 【請求項14】 前記照射光学系は、前記パルスレーザ
    を2μmのレーザスポット径に成形することを特徴とす
    る請求項11記載の液晶ディスプレイ用レーザリペア装
  15. 【請求項15】 前記照射光学系は、集光レンズである
    ことを特徴とする請求項11記載の液晶ディスプレイ用
    レーザリペア装置
  16. 【請求項16】 前記コントローラは、前記テーブルと
    前記パルスレーザとを相互に移動して前記パルスレーザ
    を前記欠陥画素上にラスタースキャンさせる ことを特徴
    とする請求項11記載の液晶ディスプレイ用レーザリペ
    ア装置
  17. 【請求項17】 前記コントローラは、前記テーブルと
    前記パルスレーザとを相互に移動し、前記パルスレーザ
    を互いにオーバーラップして前記欠陥画素上に照射する
    ことを特徴とする請求項11記載の液晶ディスプレイ用
    レーザリペア装置
  18. 【請求項18】 前記コントローラは、前記テーブルと
    前記パルスレーザとを相互に移動し、前記パルスレーザ
    を互いにオーバーラップして前記欠陥画素上に照射する
    ときのオーバーラップ率をほぼ一定にすることを特徴と
    する請求項11記載の液晶ディスプレイ用レーザリペア
    装置
  19. 【請求項19】 マトリックス状に配列されている複数
    の画素電極と、これら画素電極にそれぞれ形成され、オ
    ン・オフ動作することにより前記各画素電極に必要な電
    荷を充放電するスイッチング素子と、液晶を配向するた
    めの配向膜とを備える液晶ディスプレイの製造方法にお
    いて、 欠陥画素が発生した場合には、パルスレーザをレーザス
    ポットに成形して前記欠陥画素上にラスタースキャンさ
    せる工程、 を備えることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶
    ディスプレイの製造方法
  20. 【請求項20】 前記ラスタースキャンさせる工程は、
    前記パルスレーザを、互いにオーバーラップして前記欠
    陥画素上に照射することを特徴とする請求項19記載の
    アクティブマトリクス型液晶ディスプレイの製造方法
  21. 【請求項21】 前記ラスタースキャンさせる工程は、
    前記パルスレーザを、互いにオーバーラップして前記欠
    陥画素上に照射し、かつそのオーバーラップ率をほぼ一
    定にすることを特徴とする請求項19記載のアクティブ
    マトリクス型液晶ディスプレイの製造方法
  22. 【請求項22】 前記ラスタースキャンさせる工程は、
    前記パルスレーザを、互いにオーバーラップして前記欠
    陥画素上に照射するとき前記欠陥画素を形成する材質や
    膜厚に応じたオーバラップ率に設定することを特徴とす
    る請求項19記載のアクティブマトリクス型液晶ディス
    プレイの製造方法
  23. 【請求項23】 前記ラスタースキャンさせる工程は、
    前記パルスレーザの スポット間のオーバラップ率をa、
    前記パルスレーザのスポット径をd、前記パルスレーザ
    の繰り返し周波数をf、前記パルスレーザのスキャン速
    度をvとすると、前記オーバラップ率aを a=1−(v/f・d) で定義し、かつ前記オーバラップ率aを0.5〜0.9
    に設定することを特徴とする請求項19記載のアクティ
    ブマトリクス型液晶ディスプレイの製造方法
  24. 【請求項24】 前記ラスタースキャンさせる工程は、
    前記パルスレーザの繰り返し周波数fを、前記パルスレ
    ーザのスポット間のオーバラップ率aが一定値になるよ
    うにスキャン速度vに同期させることを特徴とする請求
    項19記載のアクティブマトリクス型液晶ディスプレイ
    の製造方法
  25. 【請求項25】 前記ラスタースキャンさせる工程は、
    前記パルスレーザを1〜3μmのレーザスポット径に成
    形することを特徴とする請求項19記載のアクティブマ
    トリクス型液晶ディスプレイの製造方法
  26. 【請求項26】 前記ラスタースキャンさせる工程は、
    前記パルスレーザを2μmのレーザスポット径に成形す
    ることを特徴とする請求項19記載のアクティブマトリ
    クス型液晶ディスプレイの製造方法
  27. 【請求項27】 前記ラスタースキャンさせる工程は、
    前記パルスレーザのスポット径を2μm、前記パルスレ
    ーザのレーザエネルギーを1μJ/P、前記パルスレー
    ザの繰り返し周波数を1kHz、前記パルスレーザのス
    キャン速度を1mm/sに設定することを特徴とする請
    求項19記載のアクティブマトリクス型液晶ディスプレ
    イの製造方法
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