JP3394925B2 - Manufacturing method of liquid crystal display device - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、外部からの入射光
を反射することによって表示を行う液晶表示装置の製造
方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a liquid crystal display device which displays by reflecting incident light from the outside.

【０００２】[0002]

【従来の技術】近年、ワードプロセッサ、ラップトップ
型パーソナルコンピュータ、ポケットテレビなどへの液
晶表示装置の応用が急速に進展している。特に、液晶表
示装置の中でも外部から入射した光を反射させて表示を
行う反射型液晶表示装置は、バックライトが不要である
ため消費電力が低く、薄型であり、軽量化が可能である
ことから注目されている。2. Description of the Related Art In recent years, application of liquid crystal display devices to word processors, laptop personal computers, pocket televisions, etc. has been rapidly progressing. In particular, among liquid crystal display devices, a reflective liquid crystal display device that reflects light incident from the outside to perform display has low power consumption because it does not require a backlight, is thin, and can be lightweight. Attention has been paid.

【０００３】しかしながら、従来の反射型液晶表示装置
は、周囲の明るさなどの使用環境あるいは使用条件によ
って、その表示の明るさやコントラストなどが左右され
てしまうというような問題を有しており、そのため、現
在では、良好な反射特性を有し、容易にかつ再現性よく
作製することができるとともに、表示品位の高い反射型
液晶表示装置の実現に大きな期待が寄せられている。However, the conventional reflection type liquid crystal display device has a problem that the brightness and contrast of the display are influenced by the usage environment or the usage conditions such as the ambient brightness. At present, great expectations are placed on the realization of a reflective liquid crystal display device which has good reflection characteristics, can be easily and reproducibly manufactured, and has high display quality.

【０００４】ここで、特開平６−７５２３８号公報に
は、反射型液晶表示装置の表示品位を向上させるため
に、反射電極に凹凸をランダムにかつ高密度に発生させ
る技術が開示されている。[0004] Here, Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-75238 discloses a technique of randomly generating irregularities on the reflective electrode at high density in order to improve the display quality of the reflective liquid crystal display device.

【０００５】これは、反射電極に微細な凹凸形状を付加
するための樹脂層を、ランダムな凹凸をパターニングし
た第一の感光性樹脂層と、この凹凸をさらに滑らかにす
るための第二の感光性樹脂層とから構成したものであ
り、この第一の感光性樹脂をパターニングするためのマ
スクを円形の遮光部をランダムに配置し、その遮光領域
の面積を反射板の面積の４０％以上にするというもので
ある。This is because a resin layer for adding fine irregularities to the reflective electrode, a first photosensitive resin layer having random irregularities patterned, and a second photosensitive resin layer for smoothing the irregularities. A mask for patterning the first photosensitive resin, circular light-shielding portions are randomly arranged, and the light-shielding area is 40% or more of the area of the reflector. Is to do.

【０００６】そして、このようにランダム性を増大させ
ることによって繰り返しパターンによる干渉を防止し、
反射光の色づきを避けるとともに、凹凸密度を上げるこ
とによって、平坦部を減少させて正反射成分を減少させ
るということが記載されている。Then, by increasing the randomness in this way, interference due to repetitive patterns is prevented,
It is described that by avoiding coloring of reflected light and increasing the unevenness density, the flat portion is reduced and the regular reflection component is reduced.

【０００７】また、従来の反射型液晶表示装置の製造プ
ロセス短縮のために、ポジ型感光性樹脂を１層のみ用い
て凹凸形成用パターンとコンタクトホールとを同時に露
光する技術がある。Further, in order to shorten the manufacturing process of the conventional reflective liquid crystal display device, there is a technique of simultaneously exposing the concavo-convex forming pattern and the contact hole by using only one layer of positive photosensitive resin.

【０００８】ここで、従来の反射型液晶表示装置の製造
方法について、図面を用いて簡単に説明する。Here, a conventional method of manufacturing a reflection type liquid crystal display device will be briefly described with reference to the drawings.

【０００９】図１４は、従来の製造方法を基に作製され
た反射型液晶表示装置の構造を示した断面図であり、図
１４は、その製造工程のフローを示した断面図である。FIG. 14 is a sectional view showing the structure of a reflection type liquid crystal display device manufactured based on the conventional manufacturing method, and FIG. 14 is a sectional view showing the flow of the manufacturing process thereof.

【００１０】図１４に示すように、従来の反射型液晶表
示装置は、反射基板２３として液晶駆動用素子２４が形
成された基板を用い、反射基板２３に設けられるアルミ
画素電極１０と、これに対向する透明電極１２と、この
透明電極１２を支持するカラーフィルター基板２５と、
これらによって挟持される液晶１１と、カラーフィルタ
ー基板の上方（液晶と対向しない面側）に配置される位
相差板１５と、位相差板１５上に配置される偏光板１６
とを有する構成となっている。As shown in FIG. 14, a conventional reflective liquid crystal display device uses a substrate having a liquid crystal driving element 24 as a reflective substrate 23, and an aluminum pixel electrode 10 provided on the reflective substrate 23 and the aluminum pixel electrode 10 provided on the aluminum pixel electrode 10. A transparent electrode 12 facing each other, a color filter substrate 25 supporting the transparent electrode 12,
The liquid crystal 11 sandwiched between them, the phase difference plate 15 arranged above the color filter substrate (on the side not facing the liquid crystal), and the polarizing plate 16 arranged on the phase difference plate 15.
It is configured to have and.

【００１１】そして、この反射基板２３は、ガラス基板
１上に液晶駆動用素子２４としてアモルファスシリコン
トランジスタを形成した構成となっており、図１４に示
すように、この液晶駆動用素子２４は、ガラス基板１上
のゲート電極２としてのＴａ、ゲート絶縁層３としての
ＳｉＮｘ、半導体層４としてのａ−Ｓｉ、ｎ型半導体層
５としてのｎ型ａ−Ｓｉ、ソース電極７としてのＴｉ、
ドレイン電極８としてのＴｉなどから構成されている。The reflecting substrate 23 has a structure in which an amorphous silicon transistor is formed as a liquid crystal driving element 24 on the glass substrate 1. As shown in FIG. 14, the liquid crystal driving element 24 is made of glass. Ta as the gate electrode 2 on the substrate 1, SiNx as the gate insulating layer 3, a-Si as the semiconductor layer 4, n-type a-Si as the n-type semiconductor layer 5, Ti as the source electrode 7,
The drain electrode 8 is made of Ti or the like.

【００１２】ここで、従来の反射型液晶表示装置の反射
基板２３の製造工程について、図１５を基に説明する。Now, a manufacturing process of the reflective substrate 23 of the conventional reflective liquid crystal display device will be described with reference to FIG.

【００１３】まず、図１５（ａ）に示すように、基板１
上にポジ型の感光性樹脂９を塗布する。First, as shown in FIG. 15A, the substrate 1
A positive photosensitive resin 9 is applied on top.

【００１４】次に、図１５（ｂ）に示すように、図１６
に示すようなコンタクトホール部３０を透過部とし、そ
れ以外にも凹凸形成部に透過部１８を有するフォトマス
クを用いて、高照度で露光を行う。Next, as shown in FIG.
Exposure is performed with high illuminance using a photomask having a contact hole portion 30 as a transparent portion and a transparent portion 18 as a concavo-convex forming portion in addition to the contact hole portion 30.

【００１５】次に、図１５（ｃ）に示すように、現像液
により現像を行うことにより、上述した露光部分の樹脂
が完全に除去され、マスクパターンに対してポジ型の樹
脂形状が形成される。Next, as shown in FIG. 15C, the resin in the exposed portion is completely removed by developing with a developing solution, and a positive resin shape is formed with respect to the mask pattern. It

【００１６】次に、図１５（ｄ）に示すように、加熱処
理を行うことにより、熱だれ現象によって露光された領
域の樹脂が変形し、滑らかな凹凸形状となる。ただし、
このときの露光領域については、上述した現像工程によ
って樹脂が完全に除去されているため平面となってい
る。Next, as shown in FIG. 15 (d), a heat treatment is performed to deform the resin in the exposed region due to the heat sag phenomenon to form a smooth uneven shape. However,
The exposed area at this time is flat because the resin is completely removed by the above-described development process.

【００１７】次に、図１５（ｅ）に示すように、反射電
極１０としてＡｌ薄膜を形成し、１つのトランジスタに
対して１つの反射電極１０が対応するようにパターニン
グを行っている。Next, as shown in FIG. 15E, an Al thin film is formed as the reflective electrode 10, and patterning is performed so that one reflective electrode 10 corresponds to one transistor.

【００１８】従来の反射型液晶表示装置は、以上のよう
な工程によって反射電極１０を形成しているが、このよ
うな反射基板２３は、露光部分のポジ型感光性樹脂が完
全に除去された状態で凹凸形状を形成しているため、平
面部の多い反射板となってしまう。このような平面部の
多い反射板では、その平面領域において光源を移し込ん
でしまうため、正反射成分の多い反射板となる。光源が
写り込んでしまうと表示が確認しづらくなるため、一般
に反射型の表示装置を見るときには正反射成分を避ける
傾向がある。In the conventional reflection type liquid crystal display device, the reflection electrode 10 is formed by the steps as described above. In the reflection substrate 23, the positive type photosensitive resin in the exposed portion is completely removed. Since the uneven shape is formed in this state, the reflection plate has many flat portions. In such a reflection plate having a large number of flat portions, the light source is transferred in the flat area, so that the reflection plate has a large amount of regular reflection components. Since it is difficult to confirm the display when the light source is reflected, it is generally apt to avoid the specular reflection component when viewing a reflective display device.

【００１９】従って、従来の反射型液晶表示装置におけ
る反射板の正反射成分は、明るさに寄与するものではな
く、結果として暗い表示になってしまう。Therefore, the regular reflection component of the reflection plate in the conventional reflection type liquid crystal display device does not contribute to the brightness, resulting in a dark display.

【００２０】[0020]

【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
反射型液晶表示装置に対して、先出の特開平６−７５２
３８号公報には、反射板の凹凸密度を向上させて理想的
な散乱状態を作り出すために複雑な凹凸形成プロセスを
採用した反射型液晶表示装置が開示されている。これ
は、第一のポジ型感光性樹脂を塗布後、十分な強度の第
一の露光現像を行い、凹凸形状を完全にパターニングし
た後、凹凸の隙間を埋めて滑らかな凹凸とし、平坦部分
を減少させるために第二のポジ型感光性樹脂を塗布し
て、その後コンタクトホール部分のみを第二の露光現像
を行いて再度パターニングするというものである。In contrast to the conventional reflection type liquid crystal display device as described above, Japanese Patent Laid-Open No. 6-752 mentioned above is used.
Japanese Patent Laid-Open No. 38-38 discloses a reflective liquid crystal display device that employs a complicated unevenness forming process in order to improve the unevenness density of the reflection plate and create an ideal scattering state. This is because after applying the first positive-type photosensitive resin, the first exposure and development with sufficient strength is performed to completely pattern the uneven shape, then fill the gaps of the unevenness to make smooth unevenness, In order to reduce the amount, a second positive type photosensitive resin is applied, and then only the contact hole portion is subjected to the second exposure and development and is re-patterned.

【００２１】しかしながら、このようなプロセスでは、
感光性樹脂を２層重ねていることから、感光性樹脂のフ
ォトプロセス（塗布−露光−現像−熱処理）が２回必要
となってしまい、コスト高となることが明白である。However, in such a process,
Since the two layers of the photosensitive resin are stacked, it is obvious that the photoprocess of the photosensitive resin (coating-exposure-development-heat treatment) is required twice, resulting in high cost.

【００２２】さらに、従来の反射型液晶表示装置では、
１層のポジ型感光性樹脂を使用しており、よって感光性
樹脂のフォトプロセスが１回ですむため簡潔なプロセス
となりコストの削減を図ることが可能となるものの、コ
ンタクトホール部の感光性樹脂を確実に除去する必要が
あるため、必然的に凹凸形成パターン部の被露光エリア
のポジ型感光性樹脂も除去されることになり、従って、
被露光エリアは平面となって凹凸密度の小さな正反射の
多い反射板となってしまう。Further, in the conventional reflection type liquid crystal display device,
Since one layer of positive-type photosensitive resin is used, and the photoprocess of the photosensitive resin is only required once, the process becomes simple and cost can be reduced, but the photosensitive resin in the contact hole part Therefore, the positive photosensitive resin in the exposed area of the concavo-convex forming pattern portion is inevitably also removed, and therefore,
The exposed area becomes a flat surface and becomes a reflection plate having a small uneven density and a large amount of regular reflection.

【００２３】また、感光性樹脂を除去するための露光領
域にダストなどが存在すると、未露光となった部分が現
像によって除去することができなくなってしまう。した
がって、コンタクトホールや信号入力端子部において導
通不良が発生しやすくなってしまう。Further, if dust or the like exists in the exposed area for removing the photosensitive resin, the unexposed portion cannot be removed by the development. Therefore, the conduction failure is likely to occur in the contact hole and the signal input terminal portion.

【００２４】本発明は、上述したような反射型液晶表示
装置における問題点を解決するためになされたものであ
り、その目的とするところは、導通不良が起こりにく
く、良好な反射特性を有する液晶表示装置を容易にかつ
再現性よく作製することができる液晶表示装置の製造方
法を提供することにある。The present invention has been made in order to solve the problems in the reflective liquid crystal display device as described above, and its purpose is to provide a liquid crystal which is less likely to cause conduction failure and has good reflection characteristics. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, which can easily and reproducibly manufacture a display device.

【００２５】[0025]

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置の
製造方法は、液晶層を介在して対向配置される一対の基
板のうち一方の基板上に、他方の基板側からの入射光を
反射する反射手段を有する液晶表示装置の製造方法にお
いて、前記一方の基板上にネガ型の感光性樹脂を塗布す
る工程と、第１領域の感光性樹脂に、円形もしくは多角
形の領域の総面積がフォトマスクの総面積の２０％以上
４０％以下であるフォトマスクを用いて露光し、前記第
１領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値を第２領域
の感光性樹脂が受ける露光量の積分値よりも多くするよ
うに露光する工程と、前記第１領域の感光性樹脂を現像
して、該第１領域の感光性樹脂の表面に凹凸を形成し、
前記第２領域の感光性樹脂を現像して除去する工程と、
現像後の感光性樹脂を加熱処理する工程と、加熱処理後
の感光性樹脂上に反射膜を形成する工程と、を含むこと
を特徴としており、そのことにより、目的は達成され
る。In the liquid crystal display device of the present invention,
The manufacturing method is such that a pair of substrates arranged to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween.
The incident light from the other board is placed on one of the boards.
In a method for manufacturing a liquid crystal display device having a reflecting means for reflecting
The negative type photosensitive resin on one of the substrates.
Process and the photosensitive resin in the first area is circular or polygonal.
20% or more of the total area of the photomask
Exposure using a photomask of 40% or less,
The integrated value of the amount of exposure received by the photosensitive resin in one area is the second area
More than the integrated value of the amount of exposure that the photosensitive resin of
And the photosensitive resin in the first area is developed.
To form irregularities on the surface of the photosensitive resin in the first region,
Developing and removing the photosensitive resin in the second region;
After the heat treatment of the photosensitive resin after development,
And a step of forming a reflective film on the photosensitive resin, and thereby the object is achieved.

【００２６】本発明の液晶表示装置の製造方法は、液晶
層を介在して対向配置される一対の基板のうち一方の基
板上に、他方の基板側からの入射光を反射する反射手段
を有する液晶表示装置の製造方法において、前記一方の
基板上にネガ型の感光性樹脂を塗布する工程と、第１領
域の感光性樹脂に、円形もしくは多角形の領域が隣り合
う該領域の重心間隔を５μｍ以上５０μｍ以下としたフ
ォトマスクを用いて露光し、前記第１領域の感光性樹脂
が受ける露光量の積分値を第２領域の感光性樹脂が受け
る露光量の積分値よりも多くするように露光する工程
と、前記第１領域の感光性樹脂を現像して、該第１領域
の感光性樹脂の表面に凹凸を形成し、前記第２領域の感
光性樹脂を現像して除去する工程と、現像後の感光性樹
脂を加熱処理する工程と、加熱処理後の感光性樹脂上に
反射膜を形成する工程と、を含むことを特徴としてお
り、そのことにより、目的は達成される。 The liquid crystal display device manufacturing method of the present invention is
One of a pair of substrates that are opposed to each other with a layer interposed
Reflecting means for reflecting the incident light from the other substrate side on the plate
In the method for manufacturing a liquid crystal display device having:
Step of applying a negative photosensitive resin on the substrate, and the first step
A circular or polygonal area is adjacent to the photosensitive resin in the area
The distance between the centers of gravity of the regions is 5 μm or more and 50 μm or less.
Exposure using a photomask to expose the first region of the photosensitive resin
Is received by the photosensitive resin in the second area.
Exposure step to make the exposure value larger than the integrated value
And developing the photosensitive resin in the first area to
Unevenness is formed on the surface of the photosensitive resin of
The process of developing and removing the light-sensitive resin and the photosensitive resin after development
The process of heat-treating fat and the photosensitive resin after heat-treatment
And a step of forming a reflective film.
By that, the purpose is achieved.

【００２７】このとき、前記フォトマスクに形成された
円形もしくは多角形の領域が透過部であることが望まし
い。 At this time, the photomask formed on the photomask
It is desirable that the circular or polygonal area is the transparent part.
Yes.

【００２８】また、前記第１領域には前記反射膜からな
る反射電極が形成されるとともに、該反射電極は前記第
２領域において該反射電極の下層に形成される配線と接
続されていることが望ましい。 Further , the first region is made of the reflective film.
A reflective electrode is formed, and the reflective electrode is
Contact with the wiring formed in the lower layer of the reflective electrode in the two areas
It is desirable to continue.

【００２９】また、前記第２領域は、前記一方の基板上
の表示外領域に形成される端子部を含むことが望まし
い。 The second region is on the one substrate.
It is desirable to include a terminal portion formed in the non-display area of
Yes.

【００３０】また、前記フォトマスクは透過部と遮光部
と半透過部とを有し、該フォトマスクの透過部および半
透過部に対応する領域を用いて前記第１領域を露光する
とともに、該フォトマスクの遮光部は前記第２領域に対
応させることが望ましい。 Further , the photomask has a transmitting portion and a light shielding portion.
And a semi-transmissive part, and the transmissive part and the semi-transmissive part of the photomask.
Exposing the first region using a region corresponding to the transmissive portion
At the same time, the light-shielding portion of the photomask faces the second region.
It is desirable to respond.

【００３１】また、前記第１領域の露光は、第２のフォ
トマスクを用いた露光を含むことが望ましい。 Further , the exposure of the first region is performed by the second photo
It is desirable to include exposure using a mask.

【００３２】[0032]

【００３３】[0033]

【００３４】以下に、本発明の液晶表示装置の製造方法
における作用について説明する。The operation of the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention will be described below.

【００３５】本発明によれば、基板上に塗布した感光性
樹脂のパターンが異なる領域に対して、露光量の積分値
を面積的に分割して露光することにより、滑らかで高密
度な凹凸形状とそれ以外の領域とをより少ない工程で形
成することができる。According to the present invention, a region having a different pattern of the photosensitive resin applied on the substrate is exposed by dividing the integrated value of the exposure amount into an area, thereby exposing a smooth and high-density uneven shape. It is possible to form the region and the other region with fewer steps.

【００３６】すなわち、凹凸形成領域には、感光性樹脂
の完全に除去された部分がない状態で、熱処理工程によ
り曲面化させることができるため、平面部がほとんど存
在しなくなる。したがって、正反射成分を少なくした良
好な反射特性を実現することができる。That is, since the unevenness forming region can be curved by the heat treatment step in a state where there is no portion where the photosensitive resin is completely removed, there is almost no flat portion. Therefore, it is possible to realize good reflection characteristics with a reduced specular reflection component.

【００３７】ここで、露光工程では、フォトマスクによ
り遮光された部分（遮光領域）のネガ型の感光性樹脂は
現像液に溶解されやすいため、円形もしくは多角形の柱
または穴が形成されることになり、また、フォトマスク
により遮光されない部分（透過領域）のネガ型の感光性
樹脂は現像液に溶解されにくくなるため、露光後に感光
性樹脂を現像液により現像することによって、フォトマ
スクの透過領域と遮光領域とに対応して、基板上に凹凸
形状の感光性樹脂が形成されることになる。Here, in the exposure step, since the negative photosensitive resin in the portion shielded by the photomask (shielded area) is easily dissolved in the developing solution, circular or polygonal columns or holes are formed. In addition, since the negative photosensitive resin in the portion (transmissive area) that is not shielded by the photomask is less likely to be dissolved in the developing solution, the photosensitive resin is developed by the developing solution after exposure, so that An uneven photosensitive resin is formed on the substrate corresponding to the regions and the light-shielded regions.

【００３８】なお、感光性樹脂を層間絶縁膜として作用
させることにより、工程数をなるべく少なくして反射電
極を製造することができる。そして、感光性樹脂の第１
領域に反射電極を形成するとともに、この反射電極を感
光性樹脂の第２領域において反射電極の下層に形成され
る配線と接続することにより、すなわち、反射電極と液
晶駆動用素子とを接続するためのコンタクトホールに対
応する領域の樹脂は除去していることにより、コンタク
トホールを除く表示絵素領域全体にわたって感光性樹脂
が残るため、平面部の少ない、かつ絵素領域全体にわた
って滑らかな凹凸を形成することが可能になり、正反射
が低減された明るい反射光を得ることが可能となる。By using the photosensitive resin as an interlayer insulating film, the number of steps can be reduced as much as possible to manufacture the reflective electrode. And the first of the photosensitive resin
In order to connect the reflective electrode to the liquid crystal driving element by forming the reflective electrode in the area and connecting the reflective electrode to the wiring formed in the lower layer of the reflective electrode in the second area of the photosensitive resin. Since the resin in the area corresponding to the contact hole is removed, the photosensitive resin remains over the entire display pixel area excluding the contact hole, so that there are few flat parts and smooth unevenness is formed over the entire pixel area. It is possible to obtain bright reflected light with reduced specular reflection.

【００３９】また、感光性樹脂を層間絶縁膜として作用
させ、感光性樹脂の第２領域において外部からの信号を
入力するための端子部に対応する透過領域を形成してい
ることにより、工程数をなるべく少なくして端子部を製
造することができる。Further, since the photosensitive resin is caused to act as an interlayer insulating film and a transparent region corresponding to a terminal portion for inputting a signal from the outside is formed in the second region of the photosensitive resin, the number of steps is reduced. It is possible to manufacture the terminal portion by reducing the number of the components as much as possible.

【００４０】また、透過部と遮光部と半透過部とを有す
るフォトマスクを用いて露光する工程を含み、フォトマ
スクの透過部および半透過部に対応する領域に第１領域
を形成し、フォトマスクの遮光部に対応する領域に前記
第２領域を形成することで、露光回数を一回にすること
ができる。The method further includes the step of exposing using a photomask having a transmissive portion, a light-shielding portion, and a semi-transmissive portion, and forming a first region in a region corresponding to the transmissive portion and the semi-transmissive portion of the photomask. By forming the second region in the region corresponding to the light-shielding portion of the mask, the number of exposures can be once.

【００４１】また、第１のフォトマスクを用いて露光す
る工程と、第２のフォトマスクを用いて露光する工程と
を含み、第１および第２のフォトマスクにより、第１領
域および第２領域をそれぞれ形成することで、透過部お
よび遮光部のみで構成されたフォトマスクを使用するこ
とが可能となり、フォトマスクの設計や製造が簡単であ
り、露光工程数も少なくすることができる。In addition, the method includes the step of exposing using the first photomask and the step of exposing using the second photomask. The first and second regions are formed by the first and second photomasks. By forming each of them, it becomes possible to use a photomask composed only of a transmissive portion and a light shielding portion, the photomask can be easily designed and manufactured, and the number of exposure steps can be reduced.

【００４２】このとき、第１のフォトマスクを用いた露
光と第２のフォトマスクを用いた露光とをそれぞれ同じ
照射光量で行うことにより、光量調整が簡単になるため
露光工程のスループットを向上させることができる。At this time, the exposure using the first photomask and the exposure using the second photomask are performed with the same irradiation light amount, respectively, so that the light amount adjustment is simplified and the throughput of the exposure process is improved. be able to.

【００４３】また、第１のフォトマスクを用いて露光す
る工程では均一かつ低照度な露光を行い、第２のフォト
マスクを用いて露光する工程では均一かつ高照度な露光
を行うことにより、第１領域のうちの凸部を形成する領
域にのみ高照度露光で照射することが可能となるため、
第１領域にはより確実に感光性樹脂を完全に残膜するこ
とができる。なお、ここでいう高照度露光とは、ネガ型
の感光性樹脂において樹脂の架橋が十分に進み、現像後
の残膜量が現像前の膜厚のほぼ５０％より大きくなるよ
うな露光量を示しており、また、低照度露光とは、ネガ
型の感光性樹脂において樹脂の架橋が十分に行われず、
現像後の残膜量が現像前の膜厚の０％より大きく５０％
未満、好ましくは１０％以上５０％未満となるような露
光量を示している。Further, in the step of exposing using the first photomask, uniform and low illuminance exposure is performed, and in the step of exposing using the second photomask, uniform and high illuminance exposure is performed. Since it is possible to irradiate only the region forming the convex portion of one region with the high illuminance exposure,
The photosensitive resin can be completely left on the first region more reliably. The high-illuminance exposure here means an exposure amount such that the resin cross-links sufficiently in the negative type photosensitive resin and the residual film amount after development becomes larger than about 50% of the film thickness before development. In addition, the low light exposure means that the resin is not sufficiently crosslinked in the negative photosensitive resin,
The amount of remaining film after development is greater than 0% and 50% of the film thickness before development.
The exposure amount is less than 10% and preferably less than 50%.

【００４４】更に詳しくは、基板上に形成されたネガ型
の感光性樹脂は、第１のフォトマスクを用いて低照度露
光を行うことにより、第１のフォトマスクを用いて低照
度露光を行った部分の感光性樹脂の架橋が十分に行われ
ないため、露光後の現像液による現像によって低照度露
光部は一様に膜減りした状態となる。More specifically, the negative type photosensitive resin formed on the substrate is exposed to low illuminance using the first photomask, and is thus exposed to low illuminance using the first photomask. Since the photosensitive resin in the exposed portion is not sufficiently crosslinked, the low-illuminance exposed portion is uniformly thinned by the development with the developing solution after the exposure.

【００４５】また、基板上に形成されたネガ型の感光性
樹脂は、第２のフォトマスクを用いて高照度露光を行う
ことにより、第２のフォトマスクを用いて高照度露光を
行った部分の感光性樹脂の架橋が十分に進むため、露光
後の現像液による現像によって第２のフォトマスクによ
る未露光部分よりも一段高い凸部が形成された状態とな
り、その後の熱処理工程によって熱だれを起こして、滑
らかな凹凸形状を形成することを可能としている。Further, the negative photosensitive resin formed on the substrate is exposed to high illuminance using the second photomask, so that the portion exposed to high illuminance using the second photomask is exposed. Since the cross-linking of the photosensitive resin of No. 2 is sufficiently advanced, the development after development by the developing solution results in a state in which a convex portion that is one step higher than the unexposed portion by the second photomask is formed, and heat slump is generated by the subsequent heat treatment step. It is possible to raise it to form a smooth uneven shape.

【００４６】このように、１層のネガ型の感光性樹脂に
対して、高照度の露光と低照度の露光とを行って現像し
た後、この感光性樹脂を加熱処理することにより、基板
上に形成された凹凸形状の感光性樹脂は熱だれの変形を
起こし、平面部分のない連続した高密度で滑らかな凹凸
面が基板上に形成されることになる。As described above, the one-layer negative type photosensitive resin is exposed to high illuminance and exposed to low illuminance to be developed, and then the photosensitive resin is heat-treated to form a substrate. The uneven photosensitive resin formed on the substrate undergoes heat droop deformation, and a continuous high-density and smooth uneven surface with no flat portion is formed on the substrate.

【００４７】さらに、この加熱処理後の滑らかな凹凸面
を有する感光性樹脂上に反射電極を形成することによっ
て、正反射成分の少ない良好な反射手段を作製すること
が可能となる。Further, by forming the reflecting electrode on the photosensitive resin having the smooth uneven surface after the heat treatment, it becomes possible to manufacture a good reflecting means having a small specular reflection component.

【００４８】なお、本発明では、第１の露光工程と第２
の露光工程との順序は、上述したものと逆の順序であっ
てもかまわない。In the present invention, the first exposure step and the second exposure step
The order of the exposure step may be the reverse of the order described above.

【００４９】また、露光工程から現像工程へのプロセス
については、露光（低照度露光と高照度露光）−現像の
プロセスと、露光（低照度露光もしくは高照度露光）−
現像−露光（高照度露光もしくは低照度露光）−現像の
プロセスとの２つが考えられ、本発明ではどちらのプロ
セスでも可能であるが、プロセスの簡略化という点から
前者のプロセスが望ましい。Regarding the process from the exposure process to the development process, exposure (low illuminance exposure and high illuminance exposure) -development process and exposure (low illuminance exposure or high illuminance exposure)-
There are two possible processes: development-exposure (high-illuminance exposure or low-illuminance exposure) -development process. In the present invention, either process is possible, but the former process is preferable from the viewpoint of process simplification.

【００５０】また、第２のフォトマスクには円形もしく
は多角形の領域が不規則に配列されて、この円形もしく
は多角形の領域の総面積がフォトマスクの総面積の２０
％以上４０％以下となっており、円形もしくは多角形の
領域が不規則に配列していることにより、基板上に形成
される感光性樹脂の凹凸パターンに周期性が無くなり、
光干渉現象を防ぐことが可能で、結果として色づきのな
い白色の散乱光を得ることが可能となる。また、この凹
凸面からの散乱光は特定方向に偏ることがなくなるた
め、均一な散乱光を得ることもできる。Further, circular or polygonal regions are irregularly arranged in the second photomask, and the total area of the circular or polygonal regions is 20 of the total area of the photomask.
% Or more and 40% or less, and since the circular or polygonal areas are irregularly arranged, the unevenness pattern of the photosensitive resin formed on the substrate has no periodicity,
It is possible to prevent the light interference phenomenon, and as a result, it is possible to obtain white scattered light without coloring. Further, since the scattered light from this uneven surface is not biased in a specific direction, it is possible to obtain uniform scattered light.

【００５１】そして、この第２のフォトマスクにおける
円形もしくは多角形の領域の総面積をフォトマスクの総
面積の２０％以上４０％以下としていることにより、光
を効率よく利用できるように、基板上に形成される感光
性樹脂の凹凸形状の傾斜角度を制御することができる。By setting the total area of the circular or polygonal regions in the second photomask to be 20% or more and 40% or less of the total area of the photomask, light can be efficiently used on the substrate. It is possible to control the inclination angle of the uneven shape of the photosensitive resin formed on the substrate.

【００５２】ここで、フォトマスクの総面積とは、具体
的には反射電極の総面積のことであり、この第２のフォ
トマスクにおける円形もしくは多角形の領域を４０％以
上にすると、円形もしくは多角形の領域をランダムに配
置した場合に、互いに隣り合う円形もしくは多角形の領
域が重なり合って大きなパターンとなってしまい、全体
としてパターンの密度が下がってしまい平坦部の比率が
増加して正反射の多い反射板となってしまう。また、こ
の第２のフォトマスクにおける円形もしくは多角形の領
域を２０％以下にすると、円形もしくは多角形の領域を
ランダムに配置した場合に、互いに隣り合う円形もしく
は多角形の領域の間隔が離れてすぎて、現像によって形
成される感光性樹脂の形状の凸部と凸部または凹部と凹
部の間隔が離れてしまい、加熱による熱だれ時に凸部と
凸部または凹部と凹部の間に平坦部が残存してしまい正
反射の多い反射板となってしまう。このような点から、
本発明では第２のフォトマスクにおける円形状の領域の
総面積をフォトマスクの総面積の２０％以上４０％以下
とした。Here, the total area of the photomask is specifically the total area of the reflective electrode, and if the circular or polygonal area of this second photomask is 40% or more, it will be circular or When polygonal areas are randomly arranged, adjacent circular or polygonal areas overlap each other to form a large pattern, and the pattern density decreases as a whole, resulting in an increase in the ratio of flat portions and regular reflection. It becomes a reflective plate with many. Further, if the circular or polygonal area in this second photomask is set to 20% or less, when the circular or polygonal areas are randomly arranged, the intervals between the circular or polygonal areas adjacent to each other are separated. As a result, the distance between the convex portion and the convex portion or the concave portion and the concave portion in the shape of the photosensitive resin formed by the development becomes large, and a flat portion is formed between the convex portion and the convex portion or the concave portion and the concave portion when heat is lost due to heating. It remains and becomes a reflector with many regular reflections. From this point,
In the present invention, the total area of the circular regions in the second photomask is set to 20% or more and 40% or less of the total area of the photomask.

【００５３】なお、第２のフォトマスクに配列された円
形もしくは多角形の領域において隣り合う領域の重心間
隔を５μｍ以上５０μｍ以下の範囲内で不規則に配列さ
せることにより、液晶表示装置の１絵素に対して十分な
数の凹凸パターンを配置することが可能となり、絵素間
における特性差の無い散乱光を得ることができる。In the circular or polygonal area arranged on the second photomask, the distance between the centers of gravity of adjacent areas is irregularly arranged within the range of 5 μm or more and 50 μm or less, so that one picture of the liquid crystal display device can be obtained. It is possible to arrange a sufficient number of concavo-convex patterns for the pixels, and it is possible to obtain scattered light with no characteristic difference between the pixels.

【００５４】ここで、隣り合う円形もしくは多角形の領
域を重ねないように配置すると、ステッパの解像力限界
より、重心間隔が５μｍ以下のパターンは解像せずに平
坦部となって正反射の多い反射板となってしまう。ま
た、一般に液晶表示装置においては、１つの絵素サイズ
が１００μｍ×３００μｍ程度以下であることから、均
一な散乱性を得るために１つの絵素に１０個程度以上の
凸部または凹部を配するためには、重心間隔をほぼ５０
μｍ以下とする必要があり、重心間隔を５０μｍより大
きくしてしまうと円形状の領域の間隔が広いために平坦
部の比率が大きくなって正反射の多い反射板となってし
まう。このような点から、本発明では第２のフォトマス
クに配列された円形もしくは多角形の領域を隣り合う円
形もしくは多角形の領域の重心間隔が５μｍ以上５０μ
ｍ以下の範囲内となるように不規則に配列した。If the circular or polygonal areas adjacent to each other are arranged so as not to overlap each other, a pattern having a center-of-gravity interval of 5 μm or less will not be resolved and will become a flat portion and will have many regular reflections due to the resolution limit of the stepper. It becomes a reflector. Generally, in a liquid crystal display device, one picture element size is about 100 μm × 300 μm or less, and therefore, in order to obtain a uniform scattering property, about 10 or more convex portions or concave portions are arranged in one picture element. In order to achieve
The distance between the centers of gravity must be less than 50 .mu.m, and if the distance between the centers of gravity is greater than 50 .mu.m, the ratio of the flat portions increases due to the large distance between the circular regions, resulting in a reflector plate with a lot of regular reflections. From this point of view, in the present invention, the circular or polygonal regions arranged in the second photomask have a center of gravity interval of 5 μm or more and 50 μm between adjacent circular or polygonal regions.
It was arranged irregularly so as to be within the range of m or less.

【００５５】[0055]

【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、本発明の
実施の形態１における反射型の液晶表示装置について、
図面に基づいて説明する。図１は、本実施の形態におけ
る反射型の液晶表示装置における反射基板を示した平面
図であり、図２は、図１に示した反射基板の断面図であ
り、図３は、その製造工程のフローを示した断面図であ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION (Embodiment 1) A reflective liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention will be described below.
It will be described with reference to the drawings. 1 is a plan view showing a reflective substrate in a reflective liquid crystal display device according to the present embodiment, FIG. 2 is a sectional view of the reflective substrate shown in FIG. 1, and FIG. It is sectional drawing which showed the flow of.

【００５６】図１および図２に示すように、本実施の形
態における反射型の液晶表示装置に使用される反射基板
２３には、反射電極１０が形成され、その表面は円形状
の凹部または凸部３３からなる滑らかな凹凸状を有して
いる。そして、ガラス基板１上に液晶駆動用素子２４と
してアモルファスシリコントランジスタを形成した構成
となっている。この液晶駆動用素子２４は、ガラス基板
１上のゲート電極２としてのＴａ、ゲート絶縁層３とし
てのＳｉＮｘ、半導体層４としてのａ−Ｓｉ、ｎ型半導
体層５としてのｎ型ａ−Ｓｉ、ソース電極７としてのＴ
ｉ、ドレイン電極８としてのＴｉなどから構成されてい
る。As shown in FIG. 1 and FIG. 2, a reflective electrode 10 is formed on a reflective substrate 23 used in the reflective liquid crystal display device according to the present embodiment, and its surface has a circular concave or convex shape. The portion 33 has a smooth uneven shape. Then, an amorphous silicon transistor is formed as the liquid crystal driving element 24 on the glass substrate 1. The liquid crystal driving element 24 includes Ta as the gate electrode 2 on the glass substrate 1, SiNx as the gate insulating layer 3, a-Si as the semiconductor layer 4, and n-type a-Si as the n-type semiconductor layer 5. T as source electrode 7
i, Ti as the drain electrode 8 and the like.

【００５７】また、ゲートバスラインおよびソースバス
ラインに信号を入力するための信号入力端子部２７は、
ゲートバスライン、ゲート電極と同時にパターニングさ
れるＴａからなる端子部電極２とＩＴＯからなる端子部
接続電極部２６との２層により構成されている。Further, the signal input terminal section 27 for inputting signals to the gate bus line and the source bus line,
The gate bus line and the gate electrode are composed of two layers of a terminal portion electrode 2 made of Ta and a terminal portion connecting electrode portion 26 made of ITO which are patterned at the same time.

【００５８】ここで、本実施の形態における反射型液晶
表示装置の反射基板２３の製造工程について、図３を基
に説明する。なお、図中、左側には画素領域を示し、右
側には信号入力端子部領域を示している。Here, the manufacturing process of the reflective substrate 23 of the reflective liquid crystal display device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. In the figure, the pixel area is shown on the left side and the signal input terminal area is shown on the right side.

【００５９】まず、図３（ａ）に示すように、ガラス基
板１上にネガ型の感光性樹脂９（製品名：ＦＥ３０１
Ｎ：富士フィルムオーリン製）を１〜５μｍの厚さに塗
布する。本実施の形態では、３μｍの厚さで塗布した。First, as shown in FIG. 3A, a negative photosensitive resin 9 (product name: FE301) is formed on the glass substrate 1.
N: made by Fuji Film Orin Co., Ltd.) to a thickness of 1 to 5 μm. In the present embodiment, it is applied with a thickness of 3 μm.

【００６０】次に、図４に示すように、コンタクトホー
ル部３０に対応する遮光部１８が配置された第１のフォ
トマスク１９を用いて、図３（ｂ）に示すように、コン
タクトホール部を除いた領域を均一に低照度で露光を行
った。なお、このときの露光量は２０ｍｊ〜１００ｍｊ
が好ましいが、本実施の形態では、４０ｍｊの露光量に
よりで露光を行った。Next, as shown in FIG. 4, using the first photomask 19 in which the light shielding portion 18 corresponding to the contact hole portion 30 is arranged, as shown in FIG. 3B, the contact hole portion is formed. The region except for was uniformly exposed with low illuminance. The exposure amount at this time is 20 mj to 100 mj.
However, in the present embodiment, the exposure is performed with an exposure amount of 40 mj.

【００６１】次に、図５に示すように、コンタクトホー
ル部３０を除いた領域に円形状の領域として透過部１７
の面積が２０％以上４０％以下である第２のフォトマス
ク２０を用いて、図３（ｃ）に示すように、コンタクト
ホール部３０を除いた領域を均一に高照度で露光を行っ
た。このときの露光量は１６０ｍｊ〜５００ｍｊが好ま
しいが、本実施の形態では、２４０ｍｊの露光量により
で露光を行った。なお、このときの第２のフォトマスク
の円形もしくは多角形の透過部１７は、隣り合う透過部
１７の中心間隔が５μｍ以上５０μｍ以下、好ましくは
１０μｍ〜２０μｍとなるようにランダムに配置された
ものを用いた。Next, as shown in FIG. 5, the transparent portion 17 is formed as a circular area in the area excluding the contact hole portion 30.
Using the second photomask 20 having an area of 20% or more and 40% or less, the region excluding the contact hole portion 30 was uniformly exposed with high illuminance as shown in FIG. 3C. The exposure amount at this time is preferably 160 mj to 500 mj, but in the present embodiment, the exposure amount was 240 mj. The circular or polygonal transmissive portions 17 of the second photomask at this time are randomly arranged such that the center distance between adjacent transmissive portions 17 is 5 μm or more and 50 μm or less, preferably 10 μm to 20 μm. Was used.

【００６２】なお、このとき、第１および第２のフォト
マスクは、コンタクトホールの遮光状態と同様に信号入
力端子部２７も遮光するような構造とした。At this time, the first and second photomasks have a structure in which the signal input terminal portion 27 is also shielded from light in the same manner as the contact hole is shielded.

【００６３】次に、図３（ｄ）に示すように、現像液で
ある東京応化工業（株）製のＴＭＡＨ（テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイド）により現像を行うこと
により、上述した未露光部分（コンタクトホール部およ
び信号入力端子部）の樹脂は完全に除去されるととも
に、低照度露光部分の樹脂は初期の膜厚に対して約４０
％残膜し、また、高照度露光部分の樹脂は初期の膜厚に
対して約８０％残膜した状態となった。Next, as shown in FIG. 3 (d), development is carried out with TMAH (tetramethylammonium hydroxide) manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., which is a developing solution to develop the above-mentioned unexposed portion (contact). The resin in the hole and signal input terminal) is completely removed, and the resin in the low-illuminance exposed area is about 40% of the initial film thickness.
% Of the remaining film, and the resin in the high-illuminance exposed portion was in a state of remaining about 80% of the initial film thickness.

【００６４】次に、図３（ｅ）に示すように、２００℃
で６０分間の加熱処理を行うことにより、熱だれ現象に
よって上述したような状態の樹脂が変形し、滑らかな凹
凸形状となった。Next, as shown in FIG. 3 (e), 200 ° C.
By performing the heat treatment for 60 minutes in the above, the resin in the above-described state was deformed due to the heat sag phenomenon, and a smooth uneven shape was formed.

【００６５】次に、図３（ｆ）に示すように、基板１上
に反射電極１０としてＡｌ薄膜をスパッタリング法によ
って２０００Åの厚さに形成し、図３（ｇ）〜（ｋ）に
示すように、１つのトランジスタに対して１つの反射電
極１０が対応するようにパターニングを行った。Next, as shown in FIG. 3F, an Al thin film is formed as a reflective electrode 10 on the substrate 1 by a sputtering method to a thickness of 2000 Å, and as shown in FIGS. Then, patterning was performed so that one reflective electrode 10 corresponds to one transistor.

【００６６】具体的には、図３（ｇ）に示すように、フ
ォトレジスト２８を塗布し、図３（ｈ）に示すように、
画素電極毎に分離するためのヌキ部および信号入力端子
部２７を露光し、図３（ｉ）〜（ｋ）に示すように、現
像、エッチング、剥離の工程を行うことによって反射電
極１０となるＡｌ電極のパターニングを行った。Specifically, as shown in FIG. 3G, a photoresist 28 is applied, and as shown in FIG.
By exposing the blank portion and the signal input terminal portion 27 for separation for each pixel electrode, and performing the steps of development, etching, and peeling, as shown in FIGS. 3I to 3K, the reflective electrode 10 is formed. The Al electrode was patterned.

【００６７】以上のような工程により、滑らかで高密度
な凹凸部を有する反射電極１０を形成した。このような
反射基板２３は、平坦部が減少しており、正反射成分の
少ない理想的な反射特性を実現することが可能となって
いる。また、感光性樹脂のフォトプロセスの回数を削減
することが可能となっており、反射板の製造に必要なコ
ストの低減も可能となっている。Through the steps described above, the reflective electrode 10 having smooth and high-density irregularities was formed. In such a reflective substrate 23, the flat portion is reduced, and it is possible to realize ideal reflection characteristics with a small specular reflection component. Further, it is possible to reduce the number of photo processes of the photosensitive resin, and it is also possible to reduce the cost required for manufacturing the reflection plate.

【００６８】最後に、従来技術と同様な方法で、反射基
板２３と、透明電極を支持するカラーフィルター基板と
をスペーサーを介して貼り合わせ、液晶を注入して、カ
ラーフィルター基板に位相差板と偏光板とを貼り付けて
本実施の形態における反射型の液晶表示装置を完成させ
た。Finally, the reflective substrate 23 and the color filter substrate supporting the transparent electrode are bonded together via a spacer by a method similar to the conventional technique, liquid crystal is injected, and a phase difference plate is formed on the color filter substrate. A polarizing plate was attached to complete the reflection type liquid crystal display device according to the present embodiment.

【００６９】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２における反射型の液晶表示装置について、図面に基
づいて説明する。なお、本実施の形態における反射型の
液晶表示装置を構成する反射基板は、図１に示した反射
基板と同じものであるが、その製造方法が異なるので、
図６に示した断面図を用いて以下に説明する。(Second Embodiment) A reflective liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The reflective substrate that constitutes the reflective liquid crystal display device according to the present embodiment is the same as the reflective substrate shown in FIG. 1, but its manufacturing method is different.
This will be described below with reference to the sectional view shown in FIG.

【００７０】図６は、本実施の形態における反射型の液
晶表示装置に使用される反射基板の製造工程を示した断
面図であり、図中、左側には画素領域を示し、右側には
信号入力端子部領域を示している。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a reflective substrate used in the reflective liquid crystal display device according to the present embodiment, in which the left side shows a pixel region and the right side shows a signal region. The input terminal area is shown.

【００７１】まず、図６（ａ）に示すように、ガラス基
板１上にネガ型の感光性樹脂９（製品名：ＦＥ３０１
Ｎ：富士フィルムオーリン製）を１〜５μｍの厚さに塗
布する。本実施の形態では、３μｍの厚さで塗布した。First, as shown in FIG. 6A, a negative photosensitive resin 9 (product name: FE301) is formed on the glass substrate 1.
N: made by Fuji Film Orin Co., Ltd.) to a thickness of 1 to 5 μm. In the present embodiment, it is applied with a thickness of 3 μm.

【００７２】次に、図７に示すように、透過部１７と遮
光部１８とそれ以外の半透過部２９とが混在し、円形状
の領域として透過部１７の面積が２０％以上４０％以下
であるフォトマスク３５を用いて、図６（ｂ）に示すよ
うに、均一に高照度で露光を行った。このときの露光量
は１６０ｍｊ〜５００ｍｊが好ましいが、本実施の形態
では、２４０ｍｊの露光量により露光を行った。なお、
このときのフォトマスクの円形もしくは多角形の透過部
１７の面積は３０％で、隣り合う透過部１７の中心間隔
が５μｍ以上５０μｍ以下、好ましくは１０μｍ〜２０
μｍとなるようにランダムに配置されており、また、コ
ンタクトホール３０に対応する領域には遮光部１８、そ
れ以外の領域には、光透過率が透過部の１７％であるよ
うな半透過部２９がそれぞれ配置されているものを用い
た。また、図示していないが、表示領域以外の領域につ
いては遮光領域とした構造となっている。Next, as shown in FIG. 7, the transmissive part 17, the light-shielding part 18, and the other semi-transmissive part 29 are mixed, and the area of the transmissive part 17 is 20% or more and 40% or less as a circular region. As shown in FIG. 6 (b), the exposure was performed uniformly with high illuminance by using the photomask 35 as shown in FIG. The exposure amount at this time is preferably 160 mj to 500 mj, but in the present embodiment, the exposure amount was 240 mj. In addition,
At this time, the area of the circular or polygonal transmission part 17 of the photomask is 30%, and the center interval between the adjacent transmission parts 17 is 5 μm or more and 50 μm or less, preferably 10 μm to 20 μm.
The light-shielding portions 18 are randomly arranged so as to have a thickness of .mu.m, and the light-transmitting portions have a light transmittance of 17% of the light-transmitting portions in the regions corresponding to the contact holes 30 and the other regions. Those in which 29 were arranged were used. Although not shown, the area other than the display area has a light-shielding area.

【００７３】その後の工程は、上述した実施の形態１と
同様で、図６（ｃ）に示すように現像を行い、図６
（ｄ）に示すように加熱処理を行うことにより、熱だれ
現象によって滑らかな凹凸形状を形成した。The subsequent steps are the same as in the first embodiment described above, and the development is performed as shown in FIG.
By performing the heat treatment as shown in (d), a smooth uneven shape was formed by the heat sag phenomenon.

【００７４】そして、図６（ｅ）に示すように、基板１
上に反射電極１０としてＡｌ薄膜を形成し、図６（ｆ）
〜（ｊ）に示すように、１つのトランジスタに対して１
つの反射電極１０が対応するようにパターニングを行っ
た。Then, as shown in FIG. 6E, the substrate 1
An Al thin film is formed as the reflective electrode 10 on the upper surface, and FIG.
1 to 1 for one transistor as shown in FIG.
Patterning was performed so that the two reflective electrodes 10 corresponded.

【００７５】以上のような工程により、滑らかで高密度
な凹凸部を有する反射電極１０を形成した。このような
反射基板２３は、平坦部が減少しており、正反射成分の
少ない理想的な反射特性を実現することが可能となって
いる。また、感光性樹脂のフォトプロセスの回数を削減
することが可能となっており、反射板の製造に必要なコ
ストの低減も可能となっている。Through the steps described above, the reflective electrode 10 having smooth and high-density irregularities was formed. In such a reflective substrate 23, the flat portion is reduced, and it is possible to realize ideal reflection characteristics with a small specular reflection component. Further, it is possible to reduce the number of photo processes of the photosensitive resin, and it is also possible to reduce the cost required for manufacturing the reflection plate.

【００７６】最後に、従来技術と同様な方法で、反射基
板２３と、透明電極を支持するカラーフィルター基板と
をスぺーサーを介して貼り合わせ、液晶を注入して、カ
ラーフィルター基板に位相差板と偏光板とを貼り付けて
本実施の形態における反射型の液晶表示装置を完成させ
た。Finally, the reflective substrate 23 and the color filter substrate supporting the transparent electrode are bonded together via a spacer by a method similar to the prior art, liquid crystal is injected, and a phase difference is applied to the color filter substrate. The plate and the polarizing plate were attached to each other to complete the reflective liquid crystal display device according to the present embodiment.

【００７７】なお、本実施の形態における反射型の液晶
表示装置では、上述した実施の形態１と同様に、滑らか
で高密度な反射凹凸を有する反射電極を形成している
が、感光性樹脂のフォトプロセス中で半透過部を有する
フォトマスクを用いることにより、更に露光の回数を削
減することが可能となっており、反射基板の製造に必要
なコストを低減させることが可能となっている。In the reflective liquid crystal display device according to the present embodiment, the reflective electrode having smooth and high-density reflective unevenness is formed as in the first embodiment described above. By using a photomask having a semi-transmissive portion in the photo process, it is possible to further reduce the number of times of exposure, and it is possible to reduce the cost required for manufacturing the reflective substrate.

【００７８】（実施の形態３）以下、本発明の実施の形
態３における反射型の液晶表示装置について、図面に基
づいて説明する。なお、本実施の形態における反射型の
液晶表示装置を構成する反射基板は、図１に示した反射
基板と同じものであるが、その製造方法が異なるので、
図８に示した断面図を用いて以下に説明する。(Third Embodiment) A reflective liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The reflective substrate that constitutes the reflective liquid crystal display device according to the present embodiment is the same as the reflective substrate shown in FIG. 1, but its manufacturing method is different.
This will be described below with reference to the sectional view shown in FIG.

【００７９】図８は、本実施の形態における反射型の液
晶表示装置に使用される反射基板の製造工程を示した断
面図であり、図中、左側には画素領域を示し、右側には
信号入力端子部領域を示している。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a reflective substrate used in the reflective liquid crystal display device according to the present embodiment. In the figure, the left side shows a pixel region and the right side shows a signal region. The input terminal area is shown.

【００８０】まず、図８（ａ）に示すように、ガラス基
板１上にネガ型の感光性樹脂９（製品名：ＦＥ３０１
Ｎ：富士フィルムオーリン製）を１〜５μｍの厚さに塗
布する。本実施の形態では、３μｍの厚さで塗布した。First, as shown in FIG. 8A, a negative photosensitive resin 9 (product name: FE301) is formed on the glass substrate 1.
N: made by Fuji Film Orin Co., Ltd.) to a thickness of 1 to 5 μm. In the present embodiment, it is applied with a thickness of 3 μm.

【００８１】次に、図５に示すように、コンタクトホー
ル部３０を除いた領域に円形状の領域として透過部１７
の面積が２０％以上４０％以下である第２のフォトマス
ク２０を用いて、図８（ｂ）に示すように、コンタクト
ホール部３０を除いた領域を均一に低照度で露光を行っ
た。このときの露光量は２０ｍｊ〜１００ｍｊが好まし
いが、本実施の形態では、４０ｍｊの露光量によりで露
光を行った。なお、このときの第２のフォトマスクの円
形もしくは多角形の透過部１７は、隣り合う透過部１７
の中心間隔が５μｍ以上５０μｍ以下、好ましくは１０
μｍ〜２０μｍとなるようにランダムに配置されたもの
を用いた。Next, as shown in FIG. 5, the transparent portion 17 is formed as a circular area in the area excluding the contact hole portion 30.
Using the second photomask 20 having an area of 20% or more and 40% or less, as shown in FIG. 8B, the region excluding the contact hole portion 30 was uniformly exposed with low illuminance. The exposure amount at this time is preferably 20 mj to 100 mj, but in this embodiment, the exposure amount was 40 mj. The circular or polygonal transmissive portions 17 of the second photomask at this time are adjacent transmissive portions 17
Has a center interval of 5 μm or more and 50 μm or less, preferably 10
What was arranged at random so that it might be set to μm-20 μm was used.

【００８２】次に、図４に示すように、コンタクトホー
ル部３０に対応する遮光部１８を配置した第１のフォト
マスク１９を用いて、図８（ｃ）に示すように、コンタ
クトホール部３０を除いた領域を均一に、上述した第１
の露光工程と同じ４０ｍｊの露光量で露光を行った。な
お、この第１および第２のフォトマスクは、コンタクト
ホールの遮光状態と同様に、信号入力端子部２７につい
ても遮光するような構造とした。Next, as shown in FIG. 4, using the first photomask 19 in which the light shielding portion 18 corresponding to the contact hole portion 30 is arranged, as shown in FIG. 8C, the contact hole portion 30 is formed. The area excluding
Exposure was carried out with the same exposure amount of 40 mj as in the exposure step. The first and second photomasks have a structure in which the signal input terminal portion 27 is also shielded from light, as in the case where the contact holes are shielded from light.

【００８３】次に、図８（ｄ）に示すように、現像液で
ある東京応化工業（株）製のＴＭＡＨ（テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイド）により現像を行うこと
により、未露光の部分（コンタクトホール部および信号
入力端子部）の樹脂は完全に除去されるとともに、１回
露光された部分の樹脂は初期の膜厚に対して約３０％残
膜し、また、２回露光された部分の樹脂は初期の膜厚に
対して約７０％残膜した状態となった。Next, as shown in FIG. 8 (d), development is performed with TMAH (tetramethylammonium hydroxide) manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., which is a developing solution, to thereby develop an unexposed portion (contact hole). Part and the signal input terminal part) are completely removed, and the resin of the part exposed once is about 30% of the initial film thickness, and the resin of the part exposed twice is Was about 70% of the initial film thickness.

【００８４】次に、図８（ｅ）に示すように、２００℃
で６０分間の加熱処理を行うことにより、熱だれ現象に
よって上述したような状態の樹脂が変形し、滑らかな凹
凸形状となった。Next, as shown in FIG. 8 (e), 200 ° C.
By performing the heat treatment for 60 minutes in the above, the resin in the above-described state was deformed due to the heat sag phenomenon, and a smooth uneven shape was formed.

【００８５】その後の工程は、上述した実施の形態１お
よび２と同様で、図８（ｆ）に示すように、基板１上に
反射電極１０としてＡｌ薄膜を形成し、図８（ｊ）〜
（ｋ）に示すように、１つのトランジスタに対して１つ
の反射電極１０が対応するようにパターニングを行っ
た。The subsequent steps are the same as those in the first and second embodiments described above. As shown in FIG. 8F, an Al thin film is formed as the reflective electrode 10 on the substrate 1 and the steps shown in FIGS.
As shown in (k), patterning was performed so that one reflective electrode 10 corresponds to one transistor.

【００８６】以上のような工程により、滑らかで高密度
な凹凸部を有する反射電極１０を形成した。このような
反射基板２３は、平坦部が減少しており、正反射成分の
少ない理想的な反射特性を実現することが可能となって
いる。また、感光性樹脂のフォトプロセスの回数を削減
することが可能となっており、反射板の製造に必要なコ
ストの低減も可能となっている。Through the steps described above, the reflective electrode 10 having smooth and high-density irregularities was formed. In such a reflective substrate 23, the flat portion is reduced, and it is possible to realize ideal reflection characteristics with a small specular reflection component. Further, it is possible to reduce the number of photo processes of the photosensitive resin, and it is also possible to reduce the cost required for manufacturing the reflection plate.

【００８７】最後に、従来技術と同様な方法で、反射基
板２３と、透明電極を支持するカラーフィルター基板と
をスぺーサーを介して貼り合わせ、液晶を注入して、カ
ラーフィルター基板に位相差板と偏光板とを貼り付けて
本実施の形態における反射型の液晶表示装置を完成させ
た。Finally, the reflective substrate 23 and the color filter substrate supporting the transparent electrode are bonded together via a spacer by a method similar to the prior art, liquid crystal is injected, and a phase difference is applied to the color filter substrate. The plate and the polarizing plate were attached to each other to complete the reflective liquid crystal display device according to the present embodiment.

【００８８】なお、本実施の形態における反射型の液晶
表示装置では、上述した実施の形態１と同様に、滑らか
で高密度な反射凹凸を有する反射電極を形成している
が、感光性樹脂のフォトプロセス中の１回目と２回目の
露光量を等しくすることにより、装置のスループットが
向上し、反射基板の製造に必要なコストを低減させるこ
とが可能となっている。In the reflective liquid crystal display device according to the present embodiment, the reflective electrode having smooth and high-density reflective unevenness is formed as in the above-described first embodiment. By equalizing the exposure amounts of the first and second exposures during the photo process, the throughput of the apparatus is improved and the cost required for manufacturing the reflective substrate can be reduced.

【００８９】（実施の形態４）以下、本発明の実施の形
態４における透過反射両用型の液晶表示装置について、
図面に基づいて説明する。図９は、本実施の形態におけ
る透過反射両用型の液晶表示装置における基板を示した
平面図であり、図１０は、図９に示した基板の断面図で
あり、図１１は、その製造工程のフローを示した断面図
である。(Embodiment 4) Hereinafter, a transflective liquid crystal display device according to Embodiment 4 of the present invention will be described.
It will be described with reference to the drawings. 9 is a plan view showing a substrate of the transflective liquid crystal display device according to the present embodiment, FIG. 10 is a sectional view of the substrate shown in FIG. 9, and FIG. 11 is a manufacturing process thereof. It is sectional drawing which showed the flow of.

【００９０】図９および図１０に示すように、本実施の
形態における透過反射両用型の液晶表示装置に使用され
る基板２３には、基板２３上に形成された１つの画素電
極が反射電極１０が形成される反射領域と、透明電極が
形成される透過領域３１とに分割されている。そして、
この反射電極１０の表面は、実施の形態１〜３と同様
に、円形状の凹部または凸部からなる滑らかで高密度な
凹凸状を有している。As shown in FIGS. 9 and 10, in the substrate 23 used in the transflective liquid crystal display device according to the present embodiment, one pixel electrode formed on the substrate 23 is provided on the reflective electrode 10. Is divided into a reflective region in which a transparent electrode is formed and a transmissive region 31 in which a transparent electrode is formed. And
Similar to the first to third embodiments, the surface of the reflective electrode 10 has a smooth and high-density concave-convex shape composed of circular concave portions or convex portions.

【００９１】このような構造により、透過型の液晶表示
装置では表示が霞んでしまう位に強い周囲光であれば、
反射型の液晶表示装置として使用することができ、一
方、薄暗い環境で反射型の液晶表示装置では表示が見え
にくいようであれば、バックライトを点灯して透過型の
液晶表示装置として使用することができる。With such a structure, in a transmissive liquid crystal display device, if the ambient light is strong enough to make the display haze,
It can be used as a reflective liquid crystal display device, while if the display is difficult to see with a reflective liquid crystal display device in a dim environment, turn on the backlight and use it as a transmissive liquid crystal display device. You can

【００９２】このような本実施の形態における透過反射
両用型の液晶表示装置は、図９および図１０に示すよう
に、ガラス基板１上に液晶駆動用素子２４としてアモル
ファスシリコントランジスタを形成した構成となってい
る。この液晶駆動用素子２４は、ガラス基板１上のゲー
ト電極２としてのＴａ、ゲート絶縁層３としてのＳｉＮ
ｘ、半導体層４としてのａ−Ｓｉ、ｎ型半導体層５とし
てのｎ型ａ−Ｓｉ、ＩＴＯからなるソース電極７、ドレ
イン電極８と、それに積層するＴａ層３２などから構成
されている。なお、このドレイン電極８のＩＴＯは、画
素領域にまで延在して透過領域に構成される透明電極を
形成している。As shown in FIGS. 9 and 10, the transflective liquid crystal display device according to the present embodiment has a structure in which an amorphous silicon transistor is formed as the liquid crystal driving element 24 on the glass substrate 1. Has become. The liquid crystal driving element 24 includes Ta as the gate electrode 2 on the glass substrate 1 and SiN as the gate insulating layer 3.
x, a-Si as the semiconductor layer 4, n-type a-Si as the n-type semiconductor layer 5, a source electrode 7 and a drain electrode 8 made of ITO, and a Ta layer 32 laminated thereon. The ITO of the drain electrode 8 forms a transparent electrode that extends to the pixel region and is configured as a transmissive region.

【００９３】また、ゲートバスラインおよびソースバス
ラインに信号を入力するための信号入力端子部２７につ
いては、本実施の形態では図示していないが、上述した
実施の形態１〜３と同様である。Further, although the signal input terminal portion 27 for inputting a signal to the gate bus line and the source bus line is not shown in this embodiment, it is the same as in the above-mentioned first to third embodiments. .

【００９４】ここで、本実施の形態における透過反射両
用型の液晶表示装置の基板２３の製造工程について、図
１１を基に説明する。なお、この図１１では、透過領域
３１に存在するＩＴＯは省略した。Here, the manufacturing process of the substrate 23 of the transflective liquid crystal display device according to the present embodiment will be described with reference to FIG. In addition, in FIG. 11, the ITO existing in the transmissive region 31 is omitted.

【００９５】まず、図１１（ａ）に示すように、ガラス
基板１上にネガ型の感光性樹脂９（製品名：ＯＦＰＲ−
８００：東京応化製）を１〜５μｍの厚さに塗布する。
本実施の形態では、３μｍの厚さで塗布した。First, as shown in FIG. 11A, a negative photosensitive resin 9 (product name: OFPR-
800: manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) to a thickness of 1 to 5 μm.
In the present embodiment, it is applied with a thickness of 3 μm.

【００９６】次に、図１２に示すように、コンタクトホ
ール部３０および透過領域３１に対応する遮光部１８を
配置した第１のフォトマスク３４を用いて、図１１
（ｂ）に示すように、コンタクトホール部３０および透
過領域３１を均一に低照度で露光を行った。なお、この
ときの第１および第２のフォトマスクは、コンタクトホ
ールの遮光状態と同様に信号入力端子部２７についても
遮光するような構造とした。このときの露光量は２０ｍ
ｊ〜１００ｍｊが好ましいが、本実施の形態では、４０
ｍｊの露光量により露光を行った。Next, as shown in FIG. 12, using the first photomask 34 in which the light-shielding portions 18 corresponding to the contact hole portions 30 and the transmission regions 31 are arranged, as shown in FIG.
As shown in (b), the contact hole portion 30 and the transmissive region 31 were uniformly exposed with low illuminance. Note that the first and second photomasks at this time have a structure in which the signal input terminal portion 27 is also shielded from light as in the case where the contact holes are shielded. The exposure amount at this time is 20 m
j to 100 mj is preferable, but in the present embodiment, it is 40
Exposure was performed with an exposure amount of mj.

【００９７】次に、図１３に示すように、円形状の領域
として透過部１７がコンタクトホール部３０と透過領域
３１とに存在しないように配置されたの第２のフォトマ
スク３６を用いて、図１１（ｃ）に示すように、均一に
高照度で露光を行った。このときの露光量は１６０ｍｊ
〜５００ｍｊが好ましいが、本実施の形態では、透過部
１７の面積が３０％の第２のフォトマスク３６を用いて
２４０ｍｊの露光量により露光を行った。なお、このと
きの第２のフォトマスク３６の円形もしくは多角形の透
過部１７は、反射電極の面積の３０％、隣り合う透過部
１７の中心間隔が５μｍ以上５０μｍ以下、好ましくは
１０μｍ〜２０μｍとなるようにランダムに配置された
ものを用いた。Next, as shown in FIG. 13, using the second photomask 36 in which the transparent portion 17 is arranged so as not to exist in the contact hole portion 30 and the transparent region 31 as a circular area, As shown in FIG. 11C, uniform exposure was performed with high illuminance. The exposure amount at this time is 160 mj
In this embodiment, the exposure is performed with an exposure amount of 240 mj using the second photomask 36 in which the area of the transmissive portion 17 is 30%. At this time, the circular or polygonal transmissive portion 17 of the second photomask 36 has 30% of the area of the reflective electrode, and the center distance between adjacent transmissive portions 17 is 5 μm or more and 50 μm or less, preferably 10 μm to 20 μm. Those randomly arranged were used.

【００９８】次に、図１１（ｄ）に示すように、現像液
である東京応化工業（株）製のＴＭＡＨ（テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド）により現像を行うこ
とにより、上述した露光部分（コンタクトホール部、透
過領域、信号入力端子部）の樹脂は完全に除去されると
ともに、低照度露光部分の樹脂は初期の膜厚に対して約
４０％残膜し、また、未露光部の樹脂は初期の膜厚に対
して約８０％残膜した状態となった。Next, as shown in FIG. 11 (d), development was performed with TMAH (tetramethylammonium hydroxide) manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., which is a developing solution, to thereby develop the above-mentioned exposed portion (contact hole). Part, the transparent region, and the signal input terminal part) are completely removed, and the resin in the low-illuminance exposed part remains about 40% of the initial film thickness, and the resin in the unexposed part is initially removed. About 80% of the remaining film thickness was left.

【００９９】次に、図１１（ｅ）に示すように、２００
℃で６０分間の加熱処理を行うことにより、熱だれ現象
によって上述したような状態の樹脂が変形し、滑らかな
凹凸形状となった。た。Next, as shown in FIG.
By performing the heat treatment at 60 ° C. for 60 minutes, the resin in the above-described state was deformed due to the heat sag phenomenon, and a smooth uneven shape was formed. It was

【０１００】その後の工程は、上述した実施の形態１〜
３と同様で、図１１（ｆ）の示すように、基板１上に反
射電極１０としてＡｌ薄膜を形成し、１つのトランジス
タに対して１つの反射電極１０が対応するようにパター
ニングを行った。Subsequent steps are the same as those in the first to third embodiments described above.
11F, an Al thin film was formed as the reflective electrode 10 on the substrate 1 and patterning was performed so that one reflective electrode 10 corresponded to one transistor, as shown in FIG.

【０１０１】以上のような工程により、滑らかで高密度
な凹凸部を有する反射電極１０からなる反射領域と透明
電極からなる透過領域とを有する基板を形成した。この
ような基板における反射電極は、平坦部が減少してお
り、正反射成分の少ない理想的な反射特性を実現するこ
とが可能となっている。また、感光性樹脂のフォトプロ
セスの回数を削減することが可能となっており、反射板
の製造に必要なコストの低減も可能となっている。By the steps as described above, a substrate having a reflective region composed of the reflective electrode 10 and a transparent region composed of a transparent electrode having smooth and high-density irregularities was formed. In the reflective electrode on such a substrate, the flat portion is reduced, and it is possible to realize an ideal reflective characteristic with a small specular reflection component. Further, it is possible to reduce the number of photo processes of the photosensitive resin, and it is also possible to reduce the cost required for manufacturing the reflection plate.

【０１０２】最後に、従来技術と同様な方法で、基板２
３と、透明電極を支持するカラーフィルター基板とをス
ペーサーを介して貼り合わせ、液晶を注入して、カラー
フィルター基板に位相差板と偏光板とを貼り付けて、基
板の背面にはバックライトを設置して本実施の形態にお
ける透過反射両用型の液晶表示装置を完成させた。Finally, the substrate 2 is processed in the same manner as in the prior art.
3 and a color filter substrate supporting a transparent electrode are bonded together via a spacer, liquid crystal is injected, a retardation plate and a polarizing plate are bonded to the color filter substrate, and a backlight is provided on the back surface of the substrate. After installation, the transflective liquid crystal display device according to the present embodiment was completed.

【０１０３】[0103]

【発明の効果】本発明によれば、基板上に塗布した１層
の感光性樹脂に対して、面積的に分割して露光量の積分
値を異ならせて露光を行うことにより、滑らかで高密度
の凹凸形状を形成することができ、平坦部を減少させ正
反射成分の少ない理想的な反射手段を作製することが可
能となっている。従って、感光性樹脂のフォトプロセス
回数を削減し製造に必要なコストの削減を図ることが可
能となっている。According to the present invention, a single layer of photosensitive resin coated on a substrate is exposed area by area and with different integral values of the exposure dose for exposure. It is possible to form an uneven shape of density, reduce the flat portion, and manufacture an ideal reflecting means with a small specular reflection component. Therefore, it is possible to reduce the number of photo processes of the photosensitive resin and reduce the cost required for manufacturing.

【０１０４】なお、本発明では、ネガ型の感光性樹脂を
用いていることにより、ダストなどにより未露光となっ
た部分の樹脂を現像によって除去することが可能となっ
ていることから、コンタクトホール部および信号入力端
子部などにダストが付着した場合であっても、確実に導
通を確保することが可能となっている。In the present invention, since the negative photosensitive resin is used, it is possible to remove the resin unexposed due to dust or the like by development. Even if dust adheres to the parts and the signal input terminal part, it is possible to reliably ensure continuity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】図１は、本発明の実施の形態における反射型の
液晶表示装置に使用する反射基板の平面図である。FIG. 1 is a plan view of a reflective substrate used in a reflective liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図２】図２は、本発明の実施の形態における反射型の
液晶表示装置に使用する反射基板の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a reflective substrate used in the reflective liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention.

【図３】図３（ａ）〜（ｋ）は、本発明の実施の形態に
おける反射型の液晶表示装置に使用する反射基板の製造
工程を示した断面図である。FIG. 3A to FIG. 3K are cross-sectional views showing a manufacturing process of a reflective substrate used in the reflective liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention.

【図４】図４は、本発明の実施の形態における第１のフ
ォトマスクの透過領域と遮光領域とのパターンを示した
概略平面図である。FIG. 4 is a schematic plan view showing a pattern of a transmissive region and a light-shielded region of the first photomask according to the embodiment of the present invention.

【図５】図５は、本発明の実施の形態における第２のフ
ォトマスクの透過領域と遮光領域とのパターンを示した
概略平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view showing patterns of a transmissive region and a light shielding region of the second photomask according to the embodiment of the present invention.

【図６】図６（ａ）〜（ｊ）は、本発明の実施の形態に
おける反射型の液晶表示装置に使用する反射基板の製造
工程を示した断面図である。6A to 6J are cross-sectional views showing a manufacturing process of a reflective substrate used in the reflective liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention.

【図７】図７は、本発明の実施の形態におけるフォトマ
スクのパターンを示した概略平面図である。FIG. 7 is a schematic plan view showing a pattern of a photomask according to the embodiment of the present invention.

【図８】図８（ａ）〜（ｋ）は、本発明の実施の形態に
おける反射型の液晶表示装置に使用する反射基板の製造
工程を示した断面図である。FIGS. 8A to 8K are cross-sectional views showing a manufacturing process of a reflective substrate used in the reflective liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention.

【図９】図９は、本発明の実施の形態における透過反射
両用型の液晶表示装置に使用する反射基板の平面図であ
る。FIG. 9 is a plan view of a reflective substrate used in the transflective liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention.

【図１０】図１０は、本発明の実施の形態における透過
反射両用型の液晶表示装置に使用する反射基板の断面図
である。FIG. 10 is a cross-sectional view of a reflective substrate used in a transflective liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図１１】図１１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施の形
態における透過反射両用型の液晶表示装置に使用する反
射基板の製造工程を示した断面図である。11A to 11F are cross-sectional views showing a manufacturing process of a reflective substrate used in the transflective liquid crystal display device according to the embodiment of the present invention.

【図１２】図１２は、本発明の実施の形態における第１
のフォトマスクの透過領域と遮光領域とのパターンを示
した概略平面図である。FIG. 12 shows a first embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic plan view showing patterns of a transmissive region and a light shielding region of the photomask of FIG.

【図１３】図１３は、本発明の実施の形態における第２
のフォトマスクの透過領域と遮光領域とのパターンを示
した概略平面図である。FIG. 13 shows a second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic plan view showing patterns of a transmissive region and a light shielding region of the photomask of FIG.

【図１４】図１４は、従来の製造方法により作製した反
射型の液晶表示装置を示した断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing a reflective liquid crystal display device manufactured by a conventional manufacturing method.

【図１５】図１５（ａ）〜（ｅ）は、従来の反射型の液
晶表示装置における反射基板の製造工程を示した断面図
である。15A to 15E are cross-sectional views showing a manufacturing process of a reflective substrate in a conventional reflective liquid crystal display device.

【図１６】図１６は、従来のフォトマスクの透過領域と
遮光領域とのパターンを示した概略平面図である。FIG. 16 is a schematic plan view showing a pattern of a transmission region and a light shielding region of a conventional photomask.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ ガラス基板 ２ ゲートライン、ゲート電極、ゲート電極と同じ材
質の端子部電極 ３ ゲート絶縁膜 ４ 半導体層 ５ ｎ＋層 ６ エッチストッパ ７ ソースライン、ソース電極 ８ ドレイン電極 ９ 層間絶縁膜（感光性樹脂） １０ 反射電極 １１ 液晶層 １２ ＩＴＯ電極 １３ カラーフィルター １４ カラーフィルター側ガラス基板 １５ 位相差板 １６ 偏光板 １７ 透過部 １８ 遮光部 １９ 第１のフォトマスク ２０ 第２のフォトマスク ２１ フォトマスク ２２ ＵＶ光 ２３ 反射基板 ２４ 液晶駆動用素子 ２５ カラーフィルター基板 ２６ 端子部接続電極 ２７ 信号入力端子部 ２８ フォトレジスト ２９ 半透過部 ３０ コンタクトホール ３１ 透過領域 ３２ 金属層 ３３ 凹部または凸部 ３４ 第１のフォトマスク ３５ フォトマスク ３６ 第２のフォトマスク1 glass substrate 2 gate line, gate electrode, terminal electrode 3 made of the same material as the gate electrode 3 gate insulating film 4 semiconductor layer 5 n + layer 6 etch stopper 7 source line, source electrode 8 drain electrode 9 interlayer insulating film (photosensitive resin) 10 Reflective Electrode 11 Liquid Crystal Layer 12 ITO Electrode 13 Color Filter 14 Color Filter Side Glass Substrate 15 Phase Difference Plate 16 Polarizing Plate 17 Transmissive Part 18 Shading Part 19 First Photomask 20 Second Photomask 21 Photomask 22 UV Light 23 Reflective Substrate 24 Liquid Crystal Driving Element 25 Color Filter Substrate 26 Terminal Connection Electrode 27 Signal Input Terminal 28 Photoresist 29 Semi-Transparent Portion 30 Contact Hole 31 Transmissive Region 32 Metal Layer 33 Concave or Convex 34 First Photomask 35 Photo Mask 36 Second photomask

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開2000−89217（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1335 G02F 1/1343 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP 2000-89217 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. ⁷ , DB name) G02F 1/1335 G02F 1/1343

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 液晶層を介在して対向配置される一対の
基板のうち一方の基板上に、他方の基板側からの入射光
を反射する反射手段を有する液晶表示装置の製造方法に
おいて、 前記一方の基板上にネガ型の感光性樹脂を塗布する工程
と、第１領域の感光性樹脂に、円形もしくは多角形の領域の
総面積がフォトマスクの総面積の２０％以上４０％以下
であるフォトマスクを用いて露光し、 前記第１領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値を第
２領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値よりも多く
するように露光する工程と、 前記第１領域の感光性樹脂を現像して、該第１領域の感
光性樹脂の表面に凹凸を形成し、 前記第２領域の感光性樹脂を現像して除去する工程と、 現像後の 感光性樹脂を加熱処理する工程と、加熱処理後の 感光性樹脂上に反射膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。To 1. A substrate one of the pair of substrates disposed to face each other by interposing a liquid crystal layer, in the manufacturing method of the liquid crystal display device having a reflection means for reflecting the incident light from the other substrate side, wherein The step of applying the negative type photosensitive resin on one of the substrates, and the step of applying a circular or polygonal area to the photosensitive resin in the first area.
20% or more and 40% or less of the total area of the photomask
Exposure using a photomask, which is the integrated value of the exposure amount received by the photosensitive resin in the first region,
More than the integrated value of the exposure received by the photosensitive resin in the two areas
And exposing the photosensitive resin in the first region to develop the photosensitive resin in the first region.
A step of forming irregularities on the surface of the photosensitive resin and developing and removing the photosensitive resin in the second region, a step of heat-treating the photosensitive resin after development, and a step of applying heat treatment to the photosensitive resin after heat treatment. A step of forming a reflective film,
A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: 【請求項２】 液晶層を介在して対向配置される一対の
基板のうち一方の基板上に、他方の基板側からの入射光
を反射する反射手段を有する液晶表示装置の製造方法に
おいて、 前記一方の基板上にネガ型の感光性樹脂を塗布する工程
と、 第１領域の感光性樹脂に、円形もしくは多角形の領域が
隣り合う該領域の重心間隔を５μｍ以上５０μｍ以下と
したフォトマスクを用いて露光し、 前記第１領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値を第
２領域の感光性樹脂が受ける露光量の積分値よりも多く
するように露光する工程と、 前記第１領域の感光性樹脂を現像して、該第１領域の感
光性樹脂の表面に凹凸を形成し、 前記第２領域の感光性樹脂を現像して除去する工程と、 現像後の感光性樹脂を加熱処理する工程と、 加熱処理後の感光性樹脂上に反射膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 2. A pair of opposingly disposed liquid crystal layers
Incident light from one of the substrates and the other substrate side
Method for manufacturing liquid crystal display device having reflection means for reflecting
In the step of applying a negative-type photosensitive resin on the one substrate
And the photosensitive resin in the first area has a circular or polygonal area.
The distance between the centers of gravity of adjacent regions is 5 μm or more and 50 μm or less
Exposed using a photomask that has been exposed, and the integrated value of the exposure amount received by the photosensitive resin in the first region is
More than the integrated value of the exposure received by the photosensitive resin in the two areas
And exposing the photosensitive resin in the first region to develop the photosensitive resin in the first region.
A step of forming irregularities on the surface of the photosensitive resin and developing and removing the photosensitive resin in the second region, a step of heat-treating the photosensitive resin after development, and a step of applying heat treatment to the photosensitive resin. A step of forming a reflective film,
A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: 【請求項３】 前記フォトマスクに形成された円形もし
くは多角形の領域が透過部であることを特徴とする請求
項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。 3. A circular if formed on the photomask
Or a polygonal area is a transparent portion.
Item 3. A method for manufacturing a liquid crystal display device according to item 1 or 2. 【請求項４】 前記第１領域には前記反射膜からなる反
射電極が形成されるとともに、該反射電極は前記第２領
域において該反射電極の下層に形成される配線と接続さ
れていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに
記載の液晶表示装置の製造方法。 4. The antireflection film made of the reflective film in the first region.
A reflecting electrode is formed, and the reflecting electrode is formed in the second area.
Connected to the wiring formed in the lower layer of the reflective electrode in the area
The method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that
A method for manufacturing the liquid crystal display device described. 【請求項５】 前記第２領域は、前記一方の基板上の表
示外領域に形成される端子部を含むことを特徴とする請
求項１乃至４のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方
法。 5. The second area is a surface on the one substrate.
A contract characterized by including a terminal portion formed in an unshown area
5. A method of manufacturing a liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 4.
Law. 【請求項６】 前記フォトマスクは透過部と遮光部と半
透過部とを有し、該フォトマスクの透過部および半透過
部に対応する領域を用いて前記第１領域を露光するとと
もに、該フォトマスクの遮光部は前記第２領域に対応さ
せることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載
の液晶表示装置の製造方法。 6. The photomask comprises a transmissive part, a light-shielding part and a half part.
A transmissive part, and a transmissive part and a semi-transmissive part of the photomask
When the first region is exposed using a region corresponding to a part
The light-shielding portion of the photomask corresponds to the second region.
6. The method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that
Manufacturing method of the liquid crystal display device of. 【請求項７】 前記第１領域の露光は、第２のフォトマ
スクを用いた露光を含むことを特徴とする請求項１乃至
５のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。 7. The exposure of the first region is performed by a second photo-matrix.
3. An exposure process using a mask is included.
6. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to any one of 5 above.