JP2006220922A

JP2006220922A - Display device and method for manufacturing the same

Info

Publication number: JP2006220922A
Application number: JP2005034444A
Authority: JP
Inventors: Hironori Kikkawa; 周憲吉川
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2005-02-10
Filing date: 2005-02-10
Publication date: 2006-08-24

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device whose reflectance is improved by uniformizing slopes of a projecting and recessing pattern of a reflection plate, and also to provide a method for manufacturing the same. SOLUTION: The display device utilizes incident light for a display by making it reflected with the reflection plate 23 formed on a substrate 10, and has: the substrate 10 with a first region Ar1 and a second region Ar2 having a difference of elevation or a difference of reflectance between them; a photosensitive organic insulating film 20 formed on the substrate 10 and having the projecting and recessing pattern 20a whose density in the first region Ar1 and that in the second region Ar2 are different from each other; and the reflection plate 23 formed on the upper layer of the organic insulating film 20 and having surface protrusions and recessions 23a. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、表示装置およびその製造方法に関し、特に、反射板による反射光を利用して表示を行う表示装置およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a display device that performs display using reflected light from a reflector and a manufacturing method thereof.

反射板が形成されたアクティブマトリクス基板は、主として反射型液晶表示装置や、反射型表示および透過型表示の双方を行う半透過型（併用型）液晶表示装置に広く使用されている。外部から入射した光を基板上に設けられた反射板で反射させる機能を有するため、野外での使用が予想される情報機器や低消費電力が要求される携帯端末などに利用されている。 An active matrix substrate on which a reflective plate is formed is widely used mainly in a reflective liquid crystal display device and a transflective (combination type) liquid crystal display device that performs both reflective display and transmissive display. Since it has a function of reflecting light incident from the outside with a reflector provided on a substrate, it is used for information devices expected to be used outdoors and portable terminals that require low power consumption.

上記の表示装置では、反射板の表面に凹凸パターンを形成して、拡散反射により明るい反射表示を実現している（例えば、特許文献１，２参照）。反射板の表面に凹凸パターンを形成する方法としては、反射板の下層の有機絶縁膜に凹凸パターンを形成し、当該有機絶縁膜上に反射板を形成することにより、下層の凹凸パターンを反映した表面凹凸をもつ反射板が得られる。有機絶縁膜としては、特許文献１に記載のように１層の有機絶縁膜を用いる場合と、特許文献２に記載のように２層の有機絶縁膜を用いる場合とが知られている。 In the above display device, a concavo-convex pattern is formed on the surface of the reflecting plate to realize bright reflective display by diffuse reflection (see, for example, Patent Documents 1 and 2). As a method of forming a concavo-convex pattern on the surface of the reflector, the concavo-convex pattern of the lower layer is reflected by forming the concavo-convex pattern on the organic insulating film below the reflector and forming the reflector on the organic insulating film. A reflector having surface irregularities is obtained. As an organic insulating film, a case where a single-layer organic insulating film is used as described in Patent Document 1 and a case where a two-layer organic insulating film is used as described in Patent Document 2 are known.

１層の有機絶縁膜を利用して、凹凸パターンをもつ反射板を形成する方法について、図１６を参照して説明する。 A method of forming a reflector having a concavo-convex pattern using a single layer of an organic insulating film will be described with reference to FIG.

図１６（ａ）に示すように、基板１００には、金属層１１８などによる高低差が形成されている。ここで、金属層１１８が形成され表面位置の高い領域を第１領域Ａｒ１とし、金属層１１８がなく表面位置の低い領域を第２領域Ａｒ２とする。上記の基板１００上に、有機絶縁膜１２０を形成すると、第１領域Ａｒ１の方が薄く、第２領域Ａｒ２の方が厚くなる。続いて、有機絶縁膜１２０に凹凸パターンの形成のための露光を施す。 As shown in FIG. 16A, the substrate 100 has a height difference due to the metal layer 118 and the like. Here, the region where the metal layer 118 is formed and the surface position is high is referred to as a first region Ar1, and the region where the metal layer 118 is not present and the surface position is low is referred to as a second region Ar2. When the organic insulating film 120 is formed on the substrate 100, the first region Ar1 is thinner and the second region Ar2 is thicker. Subsequently, the organic insulating film 120 is exposed to form a concavo-convex pattern.

図１６（ｂ）に示すように、露光後の有機絶縁膜１２０を現像すると、例えば光を照射した部分が溶解されて、有機絶縁膜１２０の表面に凹凸パターン１２０ａが形成される。その後、図１６（ｃ）に示すように、加熱（メルトベーク）により有機絶縁膜１２０をリフローさせて、なだらかな凹凸パターン１２０ａにする。最後に、図１６（ｄ）に示すように、有機絶縁膜１２０上に高反射率の金属膜を堆積させて、下地の有機絶縁膜１２０の凹凸パターン１２０ａを反映した凹凸パターン１２３ａをもつ反射板１２３を形成する。 As shown in FIG. 16B, when the exposed organic insulating film 120 is developed, for example, a portion irradiated with light is dissolved, and an uneven pattern 120 a is formed on the surface of the organic insulating film 120. Thereafter, as shown in FIG. 16C, the organic insulating film 120 is reflowed by heating (melt baking) to form a gentle uneven pattern 120a. Finally, as shown in FIG. 16D, a reflective film having a concavo-convex pattern 123a reflecting the concavo-convex pattern 120a of the underlying organic insulating film 120 by depositing a metal film having a high reflectance on the organic insulating film 120. 123 is formed.

次に、２層の有機絶縁膜を利用して、凹凸パターをもつ反射板を形成する方法について、図１７を参照して説明する。 Next, a method of forming a reflection plate having an uneven pattern using two layers of organic insulating films will be described with reference to FIG.

図１７（ａ）に示すように、金属層１１８が形成された基板１００上に、感光性の第１の有機絶縁膜１２１を形成する。ここで、上記と同様に、表面位置の高い領域を第１領域Ａｒ１とし、金属層１１８がなく表面位置の低い領域を第２領域Ａｒ２とする。続いて、第１の有機絶縁膜１２１に凹凸パターンの形成のための露光を施す。 As shown in FIG. 17A, a photosensitive first organic insulating film 121 is formed on the substrate 100 on which the metal layer 118 is formed. Here, similarly to the above, a region having a high surface position is referred to as a first region Ar1, and a region having no metal layer 118 and having a low surface position is referred to as a second region Ar2. Subsequently, the first organic insulating film 121 is exposed to form an uneven pattern.

図１７（ｂ）に示すように、露光後の第１の有機絶縁膜１２１を現像して、第１の有機絶縁膜により凹凸パターン１２１ａを形成する。その後、図１７（ｃ）に示すように、加熱（メルトベーク）により有機絶縁膜をリフローさせて、なだらかな凹凸パターン１２１ａにする。続いて、図１７（ｄ）に示すように、凹凸パターン１２１ａ上に第２の有機絶縁膜１２２を形成して、凹凸パターン１２１ａを反映した凹凸パターン１２２ａをもつ第２の有機絶縁膜１２２を形成する。最後に、図１７（ｅ）に示すように、第２の有機絶縁膜１２２上に、高反射率の金属膜を堆積させて、第２の有機絶縁膜１２２の凹凸パターン１２２ａを反映した凹凸パターン１２３ａをもつ反射板１２３を形成する。
特開２０００−３３０１０４号公報特開２０００−９９１１号公報 As shown in FIG. 17B, the exposed first organic insulating film 121 is developed to form a concavo-convex pattern 121a using the first organic insulating film. Thereafter, as shown in FIG. 17C, the organic insulating film is reflowed by heating (melt baking) to form a gentle uneven pattern 121a. Subsequently, as shown in FIG. 17D, a second organic insulating film 122 is formed on the concave / convex pattern 121a, and a second organic insulating film 122 having a concave / convex pattern 122a reflecting the concave / convex pattern 121a is formed. To do. Finally, as shown in FIG. 17E, a concavo-convex pattern reflecting the concavo-convex pattern 122 a of the second organic insulating film 122 by depositing a highly reflective metal film on the second organic insulating film 122. A reflector 123 having 123a is formed.
JP 2000-330104 A JP 2000-9911 A

しかしながら、有機絶縁膜１２０あるいは第１の有機絶縁膜１２１の下地に高低差が存在したり下地の反射率が異なると、第１領域Ａｒ１と第２領域Ａｒ２において、凹凸パターン１２０ａ，１２１ａの傾斜が異なってしまい、画素全体において、最適な傾斜角度をもつ凹凸パターンが得られず、所望の反射特性を得ることができないという問題があった。 However, if the underlying layer of the organic insulating film 120 or the first organic insulating film 121 has a difference in height or the reflectance of the underlying layer is different, the slopes of the concave and convex patterns 120a and 121a are inclined in the first region Ar1 and the second region Ar2. Therefore, there is a problem in that an uneven pattern having an optimum inclination angle cannot be obtained in the entire pixel, and desired reflection characteristics cannot be obtained.

すなわち、下地の高低差により、有機絶縁膜１２０の膜厚は、第１領域Ａｒ１で薄くなり、第２領域Ａｒ２で厚くなる。この状態で、図１６（ｃ）に示すメルトベークを施すと、たとえそれまで同じ凹凸パターン１２０ａが形成されていても、リフローの進み方が異なり、傾斜角度が異なってしまう。具体的には、第２領域Ａｒ２でのリフローの方が、第１領域Ａｒ１に比べて進みやすい。このため、第１領域Ａｒ１で傾斜が大きく、第２領域で傾斜の小さい凹凸パターン１２０ａとなる。 That is, due to the difference in height of the base, the film thickness of the organic insulating film 120 becomes thinner in the first region Ar1 and thicker in the second region Ar2. In this state, when the melt baking shown in FIG. 16C is performed, even if the same uneven pattern 120a is formed so far, the reflow progress is different and the inclination angle is different. Specifically, reflow in the second region Ar2 is easier to proceed than in the first region Ar1. For this reason, the uneven pattern 120a has a large inclination in the first region Ar1 and a small inclination in the second region.

さらに、第１領域Ａｒ１では金属層１１８が存在するため、図１６（ａ）に示す露光において、金属層１１８からの反射光により露光が助長され、図１６（ｂ）に示す現像後には、第２領域よりも第１領域Ａｒ１に、深くて傾斜の大きい凹凸パターン１２０ａが形成されてしまう。 Further, since the metal layer 118 is present in the first region Ar1, the exposure shown in FIG. 16A is facilitated by the reflected light from the metal layer 118. After the development shown in FIG. The uneven pattern 120a that is deeper and has a larger inclination is formed in the first region Ar1 than in the second region.

２層の有機絶縁膜を用いる場合も、下地の高低差により第１の有機絶縁膜による凹凸パターン１２１ａの大きさや厚さが、第１領域Ａｒ１と第２領域Ａｒ２とで異なってしまう。 Even when a two-layer organic insulating film is used, the size and thickness of the concave / convex pattern 121a of the first organic insulating film differs between the first region Ar1 and the second region Ar2 due to the difference in height of the base.

すなわち、第１領域Ａｒ１の方が、第２領域Ａｒ２に比べて第１の有機絶縁膜１２１の下地の表面位置が高い。そのために、同じ凹凸パターン１２１ａを形成したとしても、第２領域Ａｒ２に比べて第１領域Ａｒ１の方が、細くて間隔の広い凹凸パターン１２１ａとなってしまう。また、第１領域Ａｒ１には金属層１１８が存在するため、金属層１１８による露光光の反射により樹脂の除去量が多くなり、第２領域Ａｒ２に比べて第１領域Ａｒ１の方が、さらに細くて間隔の広い凹凸パターン１２１ａとなってしまう。 That is, the surface area of the base of the first organic insulating film 121 is higher in the first region Ar1 than in the second region Ar2. Therefore, even when the same uneven pattern 121a is formed, the first area Ar1 becomes narrower and wider in the uneven pattern 121a than the second area Ar2. Further, since the metal layer 118 is present in the first region Ar1, the amount of resin removed increases due to reflection of exposure light by the metal layer 118, and the first region Ar1 is thinner than the second region Ar2. As a result, the concavo-convex pattern 121a with a wide interval is formed.

第２の有機絶縁膜１２２の凹凸パターン１２２ａは、下地の凹凸パターン１２１ａをなだらかにした形状となる。このため、第１領域Ａｒ１の細くて間隔の広い凹凸パターン１２１ａでは、第２の有機絶縁膜１２２の表面にその形状を反映させることができない。この結果、第１領域Ａｒ１における第２の有機絶縁膜１２２の凹凸パターン１２２ａは、第２領域Ａｒ２に比べて傾斜が小さくなる傾向にある。 The concavo-convex pattern 122a of the second organic insulating film 122 has a shape in which the underlying concavo-convex pattern 121a is gently formed. For this reason, the shape of the uneven pattern 121a which is narrow and wide in the first region Ar1 cannot be reflected on the surface of the second organic insulating film 122. As a result, the concavo-convex pattern 122a of the second organic insulating film 122 in the first region Ar1 tends to be smaller in inclination than the second region Ar2.

本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、反射板の凹凸パターンの傾斜を均一にして、反射率を向上させることができる表示装置およびその製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a display device and a method for manufacturing the same that can improve the reflectance by making the inclination of the uneven pattern of the reflector uniform. is there.

上記の目的を達成するため、本発明は、基板に形成された反射板により、入射光を反射させて表示に利用する表示装置であって、高低差をもつあるいは反射率の異なる第１領域および第２領域を有する前記基板と、前記基板上に形成され、前記第１領域および前記第２領域とで密度の異なる凹凸パターンが形成された感光性の有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜の上層に形成され、表面凹凸をもつ前記反射板とを有する。 In order to achieve the above object, the present invention provides a display device for use in display by reflecting incident light by a reflector formed on a substrate, and includes a first region having a height difference or a different reflectance. The substrate having a second region, a photosensitive organic insulating film formed on the substrate and having a concavo-convex pattern having different densities in the first region and the second region, and an upper layer of the organic insulating film And the reflector having surface irregularities.

上記の本発明の表示装置では、第１領域と第２領域とで、有機絶縁膜に形成される凹凸パターンの密度を異ならせている。第１領域と第２領域とで、高低差が異なるかあるいは反射率が異なると、有機絶縁膜に同じパターン密度で凹凸パターンを形成しようとしても、第１領域と第２領域とで異なる傾斜の凹凸パターンが得られてしまう。本発明では、凹凸パターンの密度を異ならせることにより、高低差あるいは反射率の相違による影響を相殺して、凹凸パターンの傾斜を略均一にしている。有機絶縁膜上に形成された反射板は、下地の有機絶縁膜の凹凸パターンを反映させた表面凹凸をもつこととなり、第１領域と第２領域とで傾斜が略均一な表面凹凸が得られる。 In the display device of the present invention, the density of the uneven pattern formed in the organic insulating film is different between the first region and the second region. If the first region and the second region have different height differences or different reflectances, the first region and the second region have different slopes even if an uneven pattern is formed with the same pattern density on the organic insulating film. An uneven pattern is obtained. In the present invention, by varying the density of the concavo-convex pattern, the influence of the difference in elevation or the difference in reflectance is offset to make the inclination of the concavo-convex pattern substantially uniform. The reflector formed on the organic insulating film has surface unevenness reflecting the uneven pattern of the underlying organic insulating film, and surface unevenness having a substantially uniform inclination is obtained in the first region and the second region. .

上記の目的を達成するため、本発明は、基板に形成された反射板により、入射光を反射させて表示に利用する表示装置の製造方法であって、高低差をもつあるいは反射率の異なる第１領域および第２領域を有する前記基板を形成する工程と、前記基板上に感光性の有機絶縁膜を形成する工程と、露光および現像により前記有機絶縁膜を加工して、前記第１領域および前記第２領域とで密度の異なる凹凸パターンを形成する工程と、凹凸パターンをもつ前記有機絶縁膜の上層に、前記反射板を形成する工程とを有する。 In order to achieve the above object, the present invention provides a method of manufacturing a display device that uses incident light by reflecting incident light with a reflector formed on a substrate, and has a difference in height or a different reflectance. Forming the substrate having one region and a second region; forming a photosensitive organic insulating film on the substrate; processing the organic insulating film by exposure and development; Forming a concavo-convex pattern having a density different from that of the second region; and forming the reflector on the organic insulating film having the concavo-convex pattern.

上記の本発明の表示装置の製造方法では、露光および現像により有機絶縁膜を加工して、第１領域および第２領域とで密度の異なる凹凸パターンを形成する。第１領域と第２領域とで、高低差が異なるかあるいは反射率が異なると、有機絶縁膜に同じパターン密度で凹凸パターンを形成しようとしても、第１領域と第２領域とで異なる傾斜の凹凸パターンが得られてしまう。本発明では、凹凸パターンの密度を異ならせることにより、高低差あるいは反射率の相違による影響を相殺して、凹凸パターンの傾斜を略均一にしている。その後、有機絶縁膜の上層に反射板を形成することにより、反射板には、第１領域と第２領域とで傾斜が略均一な表面凹凸が形成される。 In the manufacturing method of the display device according to the present invention, the organic insulating film is processed by exposure and development to form uneven patterns having different densities in the first region and the second region. If the first region and the second region have different height differences or different reflectances, the first region and the second region have different slopes even if an uneven pattern is formed with the same pattern density on the organic insulating film. An uneven pattern is obtained. In the present invention, by varying the density of the concavo-convex pattern, the influence of the difference in elevation or the difference in reflectance is offset to make the inclination of the concavo-convex pattern substantially uniform. Thereafter, by forming a reflector on the upper layer of the organic insulating film, surface irregularities having a substantially uniform slope are formed in the reflector in the first region and the second region.

本発明によれば、反射板の凹凸パターンの傾斜を均一にして、反射率を向上させることができる表示装置を実現することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the display apparatus which can make the inclination of the uneven | corrugated pattern of a reflecting plate uniform, and can improve a reflectance is realizable.

以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。本実施形態では、表示装置の一例として、透過型表示と反射型表示の双方を可能な併用型の液晶表示装置について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In this embodiment, a combination type liquid crystal display device capable of both transmissive display and reflective display will be described as an example of a display device.

図１は、本実施形態に係る表示装置において、反射電極が形成される基板側の平面図である。 FIG. 1 is a plan view of a substrate side on which a reflective electrode is formed in the display device according to the present embodiment.

走査線１および信号線２が直交して配置されており、走査線１と信号線２により区画された領域が１つの画素領域となる。各画素領域には、例えば、薄膜トランジスタからなるスイッチング素子３が形成されている。 The scanning line 1 and the signal line 2 are arranged orthogonally, and an area partitioned by the scanning line 1 and the signal line 2 becomes one pixel area. In each pixel region, for example, a switching element 3 made of a thin film transistor is formed.

スイッチング素子３は、走査線１に接続されたゲート電極１１と、半導体層１４と、信号線２に接続されたドレイン電極１６と、ソース電極１７とにより構成される。ドレイン電極１６は、コンタクトホール１５ａを介して半導体層１４に接続され、ソース電極１７は、コンタクトホール１５ｂを介して半導体層１４に接続されている。 The switching element 3 includes a gate electrode 11 connected to the scanning line 1, a semiconductor layer 14, a drain electrode 16 connected to the signal line 2, and a source electrode 17. The drain electrode 16 is connected to the semiconductor layer 14 through the contact hole 15a, and the source electrode 17 is connected to the semiconductor layer 14 through the contact hole 15b.

各画素領域には、ソース電極１７と一体形成された補助容量電極１８が配置されている。補助容量電極１８は、絶縁膜を介して配置された補助容量線１２との間で補助容量を形成する。 In each pixel region, an auxiliary capacitance electrode 18 formed integrally with the source electrode 17 is disposed. The auxiliary capacitance electrode 18 forms an auxiliary capacitance with the auxiliary capacitance line 12 arranged via an insulating film.

各画素領域の大部分を覆って、反射電極２３が形成されており、当該反射電極２３に形成された窓部に透明電極２４が形成されている。反射電極２３は、本発明の反射板の一実施形態である。反射電極２３の領域は、反射型表示を行う領域となり、透明電極２４の領域は透過型表示を行う領域となる。 A reflective electrode 23 is formed so as to cover most of each pixel region, and a transparent electrode 24 is formed in a window portion formed in the reflective electrode 23. The reflective electrode 23 is an embodiment of the reflective plate of the present invention. The area of the reflective electrode 23 is an area for performing reflective display, and the area of the transparent electrode 24 is an area for performing transmissive display.

反射電極２３および透明電極２４は、コンタクトホール２０ｂを介してソース電極１７および補助容量電極１８に接続されている。反射電極２３は、画素領域に入射する光を反射するとともに、液晶に電圧を印加する。反射電極２３には、凹凸パターン２３ａが形成されており、入射光を拡散反射させて、反射率を高める構成となっている。 The reflective electrode 23 and the transparent electrode 24 are connected to the source electrode 17 and the auxiliary capacitance electrode 18 through the contact hole 20b. The reflective electrode 23 reflects light incident on the pixel region and applies a voltage to the liquid crystal. The reflective electrode 23 is provided with a concavo-convex pattern 23a, which diffuses and reflects incident light to increase the reflectance.

図２は、本実施形態に係る液晶表示装置の概略断面図である。図２は、図１のＡ−Ａ’線における断面図に相当する。 FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display device according to the present embodiment. 2 corresponds to a cross-sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 1.

ガラス基板や石英基板からなる第１の基板１０上には、ゲート電極１１および補助容量線１２が形成されている。ゲート電極１１および補助容量線１２を覆って、例えば、酸化シリコンからなるゲート絶縁膜１３が形成されている。 A gate electrode 11 and an auxiliary capacitance line 12 are formed on a first substrate 10 made of a glass substrate or a quartz substrate. A gate insulating film 13 made of, for example, silicon oxide is formed so as to cover the gate electrode 11 and the auxiliary capacitance line 12.

ゲート電極１１上には、ゲート絶縁膜１３を介して、例えばポリシリコンからなる半導体層１４が形成されている。半導体層１４およびゲート絶縁膜１３上には、例えば酸化シリコンからなる保護絶縁膜１５が形成されている。 A semiconductor layer 14 made of, for example, polysilicon is formed on the gate electrode 11 via a gate insulating film 13. A protective insulating film 15 made of, for example, silicon oxide is formed on the semiconductor layer 14 and the gate insulating film 13.

保護絶縁膜１５上には、ドレイン電極１６、ソース電極１７および補助容量電極１８が形成されている。ドレイン電極１６は、コンタクトホール１５ａを介して半導体層１４に接続されており、ソース電極１７は、コンタクトホール１５ｂを介して半導体層１４に接続されている。補助容量電極１８は、補助容量線１２との間で補助容量を形成する。 On the protective insulating film 15, a drain electrode 16, a source electrode 17, and an auxiliary capacitance electrode 18 are formed. The drain electrode 16 is connected to the semiconductor layer 14 through a contact hole 15a, and the source electrode 17 is connected to the semiconductor layer 14 through a contact hole 15b. The auxiliary capacitance electrode 18 forms an auxiliary capacitance with the auxiliary capacitance line 12.

ドレイン電極１６、ソース電極１７および補助容量電極１８上には、感光性の有機絶縁膜２０が形成されている。有機絶縁膜２０の表面には、凹凸パターン２０ａが形成されている。 A photosensitive organic insulating film 20 is formed on the drain electrode 16, the source electrode 17, and the auxiliary capacitance electrode 18. An uneven pattern 20 a is formed on the surface of the organic insulating film 20.

有機絶縁膜２０上には、反射電極２３が形成されている。反射電極２３の表面には、有機絶縁膜２０の凹凸パターン２０ａを反映した凹凸パターン２３ａが形成されている。反射電極２３は、有機絶縁膜２０に形成されたコンタクトホール２０ｂを介して、ソース電極１７および補助容量電極１８に接続されている。 A reflective electrode 23 is formed on the organic insulating film 20. A concavo-convex pattern 23 a reflecting the concavo-convex pattern 20 a of the organic insulating film 20 is formed on the surface of the reflective electrode 23. The reflective electrode 23 is connected to the source electrode 17 and the auxiliary capacitance electrode 18 through a contact hole 20 b formed in the organic insulating film 20.

第２の基板３０は、ガラス基板あるいは石英基板からなり、第１の基板１０に対向配置されている。第２の基板３０上には、カラーフィルタ３１が形成されており、カラーフィルタ３１上には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極からなる対向電極３２が形成されている。 The second substrate 30 is made of a glass substrate or a quartz substrate, and is disposed opposite to the first substrate 10. A color filter 31 is formed on the second substrate 30, and a counter electrode 32 made of a transparent electrode such as ITO (Indium Tin Oxide) is formed on the color filter 31.

第１の基板１０および第２の基板３０の間には、電気光学層としての液晶層４０が形成されている。反射電極２３および対向電極３２の間にかかる電圧により液晶層４０の配向が変化する。図示はしないが、第１の基板１０側の反射電極２３上および第２の基板３０側の対向電極３２上には、液晶層４０を所定方向に配向させるための配向膜が形成されている。 A liquid crystal layer 40 as an electro-optical layer is formed between the first substrate 10 and the second substrate 30. The orientation of the liquid crystal layer 40 is changed by the voltage applied between the reflective electrode 23 and the counter electrode 32. Although not shown, an alignment film for aligning the liquid crystal layer 40 in a predetermined direction is formed on the reflective electrode 23 on the first substrate 10 side and the counter electrode 32 on the second substrate 30 side.

図３は、上記の液晶表示装置における第１の基板１０側の断面図である。図３は、図１のＡ−Ａ’線における断面図に相当する。 FIG. 3 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device on the first substrate 10 side. FIG. 3 corresponds to a cross-sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 1.

図３に示すように、第１の基板１０上には、補助容量電極１８が形成された領域と、形成されていない領域とで、有機絶縁膜２０の下地に変化がある。ここで、画素領域のうち、補助容量電極１８が形成された領域を第１領域Ａｒ１とし、補助容量電極１８が形成されていないその他の領域を第２領域Ａｒ２とする。 As shown in FIG. 3, on the first substrate 10, there is a change in the base of the organic insulating film 20 between the region where the auxiliary capacitance electrode 18 is formed and the region where it is not formed. Here, in the pixel region, a region where the auxiliary capacitance electrode 18 is formed is referred to as a first region Ar1, and another region where the auxiliary capacitance electrode 18 is not formed is referred to as a second region Ar2.

第１領域Ａｒ１と第２領域Ａｒ２とでは、有機絶縁膜２０の下地の高低差および反射率が異なる。より詳細には、第１領域Ａｒ１では、第２領域Ａｒ２に比べて有機絶縁膜２０の下地の表面位置が高くなり、かつ高反射率となる。 The first region Ar1 and the second region Ar2 differ in the height difference and reflectance of the base of the organic insulating film 20. More specifically, in the first region Ar1, the surface position of the base of the organic insulating film 20 is higher and the reflectance is higher than in the second region Ar2.

本実施形態では、第１領域Ａｒ１と第２領域Ａｒ２とで傾斜が略均一にできるように、有機絶縁膜２０の凹凸パターン２０ａの凸部分の密度を異ならせている。すなわち、第２領域Ａｒ２に比べて第１領域Ａｒ１の方が、凹凸パターン２０ａの凸部分の密度が高い。密度を異ならせる方法として、本実施形態では、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２０ａの間隔Ｐ１は、第２領域Ａｒ２における凹凸パターン２０ａの間隔Ｐ２よりも小さくしている。間隔とは、凹凸パターン２０ａの凸部と凸部のスペースと定義する。 In the present embodiment, the density of the convex portions of the concavo-convex pattern 20a of the organic insulating film 20 is made different so that the inclination can be made substantially uniform between the first region Ar1 and the second region Ar2. That is, the density of the convex portions of the concavo-convex pattern 20a is higher in the first region Ar1 than in the second region Ar2. As a method of varying the density, in this embodiment, the interval P1 of the uneven pattern 20a in the first region Ar1 is set smaller than the interval P2 of the uneven pattern 20a in the second region Ar2. A space | interval is defined as the convex part of the uneven | corrugated pattern 20a, and the space of a convex part.

次に、上記の本実施形態に係る表示装置の製造方法について、図４および図５を参照して説明する。 Next, a method for manufacturing the display device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

まず、図４（ａ）に示すように、第１の基板１０上に、ゲート電極１１および補助容量線１２を形成する。なお、ゲート電極１１と同時に、ゲート電極１１に接続する走査線１（図１参照）を形成する。続いて、ゲート電極１１および補助容量線１２を被覆する酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜１３を形成する。 First, as shown in FIG. 4A, the gate electrode 11 and the auxiliary capacitance line 12 are formed on the first substrate 10. Note that the scanning line 1 (see FIG. 1) connected to the gate electrode 11 is formed simultaneously with the gate electrode 11. Subsequently, a gate insulating film 13 made of silicon oxide or the like covering the gate electrode 11 and the auxiliary capacitance line 12 is formed.

次に、図４（ｂ）に示すように、ゲート電極１１上に、ゲート絶縁膜１３を介してポリシリコンなどからなる半導体層１４を形成する。続いて、ゲート絶縁膜１３および半導体層１４上に、例えば酸化シリコンからなる保護絶縁膜１５を形成する。続いて、リソグラフィ技術およびエッチング技術により、保護絶縁膜１５にコンタクトホール１５ａ，１５ｂを形成する。 Next, as shown in FIG. 4B, a semiconductor layer 14 made of polysilicon or the like is formed on the gate electrode 11 with a gate insulating film 13 interposed therebetween. Subsequently, a protective insulating film 15 made of, for example, silicon oxide is formed on the gate insulating film 13 and the semiconductor layer 14. Subsequently, contact holes 15a and 15b are formed in the protective insulating film 15 by lithography and etching techniques.

次に、図４（ｃ）に示すように、保護絶縁膜１５上に、高反射率の金属材料を堆積して、パターニングを行うことにより、ドレイン電極１６、ソース電極１７および補助容量電極１８を形成する。上記の金属材料としては、例えばアルミニウム、チタン、アルミニウム合金、チタン合金、銀、銀合金を用いる。ドレイン電極１６は、コンタクトホール１５ａを介して半導体層１４に接続され、ソース電極１７はコンタクトホール１５ｂを介して半導体層１４に接続される。 Next, as shown in FIG. 4C, the drain electrode 16, the source electrode 17, and the auxiliary capacitance electrode 18 are formed by depositing a highly reflective metal material on the protective insulating film 15 and performing patterning. Form. As the metal material, for example, aluminum, titanium, an aluminum alloy, a titanium alloy, silver, or a silver alloy is used. The drain electrode 16 is connected to the semiconductor layer 14 through the contact hole 15a, and the source electrode 17 is connected to the semiconductor layer 14 through the contact hole 15b.

次に、図５（ａ）に示すように、補助容量電極１８等が形成された第１の基板１０上に、感光性の有機絶縁膜２０を形成する。続いて、有機絶縁膜２０に露光Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３を行う。露光Ｅ１は、有機絶縁膜２０に凹凸パターンを形成するための露光である。露光Ｅ２は、有機絶縁膜２０にコンタクトホールを形成するための露光である。露光Ｅ３は、スイッチング素子上の有機絶縁膜２０の膜厚を薄くするための露光である。上記の露光Ｅ１では、第２領域Ａｒ２よりも第１領域Ａｒ１の方が、間隔の小さい凹凸パターンが形成されるようなパターンをもつフォトマスクを用いる。 Next, as shown in FIG. 5A, a photosensitive organic insulating film 20 is formed on the first substrate 10 on which the auxiliary capacitance electrode 18 and the like are formed. Subsequently, exposures E1, E2, and E3 are performed on the organic insulating film 20. The exposure E 1 is exposure for forming an uneven pattern on the organic insulating film 20. The exposure E 2 is exposure for forming a contact hole in the organic insulating film 20. The exposure E3 is exposure for reducing the film thickness of the organic insulating film 20 on the switching element. In the exposure E1, a photomask having a pattern in which a concave / convex pattern having a smaller interval is formed in the first region Ar1 than in the second region Ar2.

次に、現像することにより、図５（ｂ）に示すように、有機絶縁膜２０に、凹凸パターン２０ａと、コンタクトホール２０ｂが形成される。また、スイッチング素子上の有機絶縁膜２０の膜厚が薄膜化される。 Next, by developing, as shown in FIG.5 (b), the uneven | corrugated pattern 20a and the contact hole 20b are formed in the organic insulating film 20. FIG. In addition, the film thickness of the organic insulating film 20 on the switching element is reduced.

現像後には、第１領域Ａｒ１の凹凸パターン２０ａの凸部分の間隔Ｐ１が、第２領域Ａｒ２の凹凸パターン２０ａの凸部分の間隔Ｐ２に比べて小さい凹凸パターン２０ａが形成される。ここで、例えば、凹凸パターン２０ａの幅（凸部の幅）は、１．５μｍ〜３μｍの間で設定し、凹凸パターン２０ａの間隔（凸部の間隔）は、２〜４μｍの間で設定する。例えば、第１領域Ａｒ１では、第２領域Ａｒ２よりも凹凸パターン２０ａの間隔を０．５μｍ小さくする。 After the development, the concave / convex pattern 20a is formed in which the convex portion interval P1 of the concave / convex pattern 20a in the first region Ar1 is smaller than the convex portion interval P2 of the concave / convex pattern 20a in the second region Ar2. Here, for example, the width of the concavo-convex pattern 20a (the width of the convex portion) is set between 1.5 μm and 3 μm, and the interval between the concavo-convex patterns 20a (the interval between the convex portions) is set between 2 and 4 μm. . For example, in the first region Ar1, the interval between the concavo-convex patterns 20a is made smaller by 0.5 μm than in the second region Ar2.

次に、図５（ｃ）に示すように、加熱（メルトベーク）により有機絶縁膜２０をリフローさせて、なだらかな凹凸パターン２０ａにする。 Next, as shown in FIG. 5C, the organic insulating film 20 is reflowed by heating (melt baking) to form a gentle uneven pattern 20a.

その後、コンタクトホール２０ｂを埋め込むようにして、有機絶縁膜２０上に高反射率の金属材料を堆積させて、反射電極２３を形成する。反射電極２３の表面には、下地の有機絶縁膜２０の凹凸パターン２０ａを反映させた凹凸パターン２３ａが形成される（図３参照）。その後、反射電極２３上に図示しない配向膜を形成する。 Thereafter, a reflective electrode 23 is formed by depositing a highly reflective metal material on the organic insulating film 20 so as to fill the contact hole 20b. A concavo-convex pattern 23a reflecting the concavo-convex pattern 20a of the underlying organic insulating film 20 is formed on the surface of the reflective electrode 23 (see FIG. 3). Thereafter, an alignment film (not shown) is formed on the reflective electrode 23.

一方で、第２の基板３０上に、カラーフィルタ３１および対向電極３２を形成し、対向電極３２上に図示しない配向膜を形成する。そして、第１の基板１０および第２の基板３０を対向配置させ、基板間に液晶材料を注入して液晶層４０を形成することにより、表示装置が完成する（図２参照）。 On the other hand, a color filter 31 and a counter electrode 32 are formed on the second substrate 30, and an alignment film (not shown) is formed on the counter electrode 32. Then, the first substrate 10 and the second substrate 30 are disposed to face each other, and a liquid crystal material is injected between the substrates to form the liquid crystal layer 40, thereby completing the display device (see FIG. 2).

上記の本実施形態に係る表示装置およびその製造方法の効果について説明する。 The effects of the display device and the manufacturing method thereof according to the above-described embodiment will be described.

第１領域Ａｒ１においては、第２領域Ａｒ２よりも下地の段差のために、有機絶縁膜２０の膜厚が薄くなっており、リフロー性が低い。また、第１領域Ａｒ１には、高反射率の金属層からなる補助容量電極１８が存在し、有機絶縁膜２０への露光光を反射するため樹脂の除去量が多くなる。このため、第１領域Ａｒ１では、第２領域Ａｒ２に比べて、凹凸パターン２０ａの傾斜角度が大きくなる傾向にある。 In the first region Ar1, the film thickness of the organic insulating film 20 is thinner due to the base step than in the second region Ar2, and the reflow property is low. Further, in the first region Ar1, there is an auxiliary capacitance electrode 18 made of a highly reflective metal layer, and the amount of resin to be removed increases because the exposure light to the organic insulating film 20 is reflected. For this reason, in the first region Ar1, the inclination angle of the concavo-convex pattern 20a tends to be larger than that in the second region Ar2.

しかし、本実施形態では、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２０ａの凸部の間隔Ｐ１を、第２領域Ａｒ２における凹凸パターン２０ａの凸部の間隔Ｐ２よりも小さくして、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２０ａの凸部の密度を第２領域Ａｒ２に比べて高くしている。逆にいえば、凹部の密度が、第２領域Ａｒ２に比べて第１領域Ａｒ１の方が低い。 However, in the present embodiment, the convexity interval P1 of the concavo-convex pattern 20a in the first region Ar1 is made smaller than the convexity interval P2 of the concavo-convex pattern 20a in the second region Ar2, and the concave-convex pattern in the first region Ar1. The density of the protrusions 20a is higher than that of the second region Ar2. Conversely, the density of the recesses is lower in the first region Ar1 than in the second region Ar2.

このように凹凸パターン２０ａの密度を異ならせたため、図５（ａ）に示す露光工程において、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２０ａ間（凹部となる領域）に照射される露光量が、第２領域Ａｒ２に比べて減る。この結果、補助容量電極１８からの反射光による影響も少なくなり、現像後に大きな傾斜をもつ凹凸パターン２０ａが第１領域Ａｒ１に形成されることが抑制される。 Since the density of the concavo-convex pattern 20a is made different in this way, in the exposure process shown in FIG. 5A, the exposure amount irradiated between the concavo-convex patterns 20a in the first area Ar1 (area to be a concave) is the second area. Reduced compared to Ar2. As a result, the influence of the reflected light from the auxiliary capacitance electrode 18 is reduced, and the formation of the concave / convex pattern 20a having a large inclination after development is suppressed in the first region Ar1.

また、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２０ａの凸部の間隔Ｐ１が、第２領域Ａｒ２における凹凸パターン２０ａの凸部の間隔Ｐ２に比べて小さいことから、図５（ｂ）に示すリフロー工程において、第１領域Ａｒ１における凸部間が樹脂により埋まりやすくなり、従来よりも、傾斜の低い凹凸パターン２０ａが得られる。 In addition, in the reflow process shown in FIG. 5B, the interval P1 between the protrusions of the uneven pattern 20a in the first region Ar1 is smaller than the interval P2 between the protrusions of the uneven pattern 20a in the second region Ar2. The convex portions in the first region Ar1 are easily filled with the resin, and the concave / convex pattern 20a having a lower slope than the conventional one can be obtained.

第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２０ａの傾斜角度が大きくなるのを抑えることができるため、第２領域Ａｒ２における凹凸パターン２０ａに近い傾斜角度を得ることができる。したがって、有機絶縁膜２０上の反射電極２３の凹凸パターン２３ａを画素領域内で均一にすることができ、より反射率を向上させた表示装置を実現することができる。 Since it is possible to suppress the inclination angle of the concavo-convex pattern 20a in the first region Ar1 from increasing, an inclination angle close to the concavo-convex pattern 20a in the second region Ar2 can be obtained. Therefore, the uneven pattern 23a of the reflective electrode 23 on the organic insulating film 20 can be made uniform in the pixel region, and a display device with improved reflectance can be realized.

（第２実施形態）
図６は、第２実施形態に係る表示装置において、反射電極が形成される基板側の平面図であり、図７は、図６のＡ−Ａ’線における断面図である。なお、第１実施形態と同様の構成要素には、同一の符号を付してあり、その説明は省略する。 (Second Embodiment)
6 is a plan view of the substrate side on which the reflective electrode is formed in the display device according to the second embodiment, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component similar to 1st Embodiment, and the description is abbreviate | omitted.

本実施形態では、第１領域Ａｒ１における有機絶縁膜２０の凹凸パターン２０ａの凸部の幅Ｗ１が、第２領域Ａｒ２における凹凸パターン２０ａの凸部の幅Ｗ２に比べて大きい。本実施形態では、凸部の幅を変えることにより、凹凸パターン２３ａの密度を異ならせる例である。 In the present embodiment, the width W1 of the convex portion of the concavo-convex pattern 20a of the organic insulating film 20 in the first region Ar1 is larger than the width W2 of the convex portion of the concavo-convex pattern 20a in the second region Ar2. In the present embodiment, the density of the concave / convex pattern 23a is varied by changing the width of the convex portion.

このため、有機絶縁膜２０上の反射電極２３の凹凸パターン２３ａの幅も第１領域Ａｒ１と第２領域Ａｒ２で異なることとなる。すなわち、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２３ａの凸部の幅Ｗ１が、第２領域Ａｒ２における凹凸パターン２３ａの凸部の幅Ｗ２に比べて大きくなる。 For this reason, the width of the concavo-convex pattern 23a of the reflective electrode 23 on the organic insulating film 20 is also different between the first region Ar1 and the second region Ar2. That is, the width W1 of the convex portion of the concave / convex pattern 23a in the first region Ar1 is larger than the width W2 of the convex portion of the concave / convex pattern 23a in the second region Ar2.

次に、上記の本実施形態に係る表示装置の製造方法について、図８および図９を参照して説明する。 Next, a method for manufacturing the display device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

まず、第１実施形態と同様にして、図４に示す工程を経ることにより、図８（ａ）に示す構造に至る。 First, similarly to the first embodiment, the structure shown in FIG. 8A is reached through the process shown in FIG.

次に、図８（ｂ）に示すように、補助容量電極１８等が形成された第１の基板１０上に、感光性の有機絶縁膜２０を形成する。続いて、有機絶縁膜２０に露光Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３を行う。露光Ｅ１は、有機絶縁膜２０に凹凸パターンを形成するための露光である。露光Ｅ２および露光Ｅ３については、第１実施形態で説明した通りである。上記の露光Ｅ１では、第２領域Ａｒ２よりも第１領域Ａｒ１の方が、凸部の大きい凹凸パターンが形成されるようなパターンをもつフォトマスクを用いる。 Next, as shown in FIG. 8B, a photosensitive organic insulating film 20 is formed on the first substrate 10 on which the auxiliary capacitance electrode 18 and the like are formed. Subsequently, exposures E1, E2, and E3 are performed on the organic insulating film 20. The exposure E 1 is exposure for forming an uneven pattern on the organic insulating film 20. The exposure E2 and the exposure E3 are as described in the first embodiment. In the exposure E1, a photomask having a pattern in which a concavo-convex pattern having a larger convex portion is formed in the first region Ar1 than in the second region Ar2.

次に、図９（ａ）に示すように、現像を行うことにより、有機絶縁膜２０に、凹凸パターン２０ａと、コンタクトホール２０ｂを形成する。また、スイッチング素子上の有機絶縁膜２０の膜厚が薄膜化される。 Next, as shown in FIG. 9A, development is performed to form an uneven pattern 20a and a contact hole 20b in the organic insulating film 20. In addition, the film thickness of the organic insulating film 20 on the switching element is reduced.

現像後には、第１領域Ａｒ１の凹凸パターン２０ａの凸部分の幅Ｗ１が、第２領域Ａｒ２の凹凸パターン２０ａの凸部分の幅Ｗ２に比べて大きい凹凸パターン２０ａが形成される。ここで、例えば、凹凸パターン２０ａの凸部の幅は、１．５μｍ〜３μｍの間で設定し、凹凸パターン２０ａの間隔（凸部の間隔）は、２〜４μｍの間で設定する。 After the development, a concavo-convex pattern 20a is formed in which the width W1 of the convex portion of the concavo-convex pattern 20a in the first region Ar1 is larger than the width W2 of the convex portion of the concavo-convex pattern 20a in the second region Ar2. Here, for example, the width of the convex portion of the concavo-convex pattern 20a is set between 1.5 μm and 3 μm, and the interval of the concavo-convex pattern 20a (interval of the convex portion) is set between 2 and 4 μm.

次に、図９（ｂ）に示すように、加熱（メルトベーク）により有機絶縁膜２０をリフローさせて、なだらかな凹凸パターン２０ａにする。 Next, as shown in FIG. 9B, the organic insulating film 20 is reflowed by heating (melt baking) to form a gentle uneven pattern 20a.

その後、コンタクトホール２０ｂを埋め込むようにして、有機絶縁膜２０上に高反射率の金属材料を堆積させて、反射電極２３を形成する。反射電極２３の表面には、下地の有機絶縁膜２０の凹凸パターン２０ａを反映させた凹凸パターン２３ａが形成される（図７参照）。その後、反射電極２３上に図示しない配向膜を形成する。 Thereafter, a reflective electrode 23 is formed by depositing a highly reflective metal material on the organic insulating film 20 so as to fill the contact hole 20b. A concavo-convex pattern 23a reflecting the concavo-convex pattern 20a of the underlying organic insulating film 20 is formed on the surface of the reflective electrode 23 (see FIG. 7). Thereafter, an alignment film (not shown) is formed on the reflective electrode 23.

上記の本実施形態では、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２０ａの凸部の幅Ｗ１を、第２領域Ａｒ２における凹凸パターン２０ａの凸部の幅Ｗ２よりも大きくして、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２０ａの凸部の密度を第２領域Ａｒ２に比べて高くしている。逆にいえば、凹部の密度が、第２領域Ａｒ２に比べて第１領域Ａｒ１の方が低い。 In the present embodiment, the width W1 of the convex portion of the concave / convex pattern 20a in the first region Ar1 is made larger than the width W2 of the convex portion of the concave / convex pattern 20a in the second region Ar2, and the concave / convex pattern in the first region Ar1. The density of the protrusions 20a is higher than that of the second region Ar2. Conversely, the density of the recesses is lower in the first region Ar1 than in the second region Ar2.

図９（ａ）に示す現像後においては、第２領域Ａｒ２に比べて第１領域Ａｒ１の方が傾斜の大きい凹凸パターン２０ａとなるが、その後の図９（ｂ）に示すリフロー後には、第１領域Ａｒ１におけるリフロー性が多少低くても、凸部間が樹脂により埋まって、従来よりも、傾斜の低い凹凸パターン２０ａが得られる。 After the development shown in FIG. 9 (a), the first region Ar1 becomes a concavo-convex pattern 20a having a larger inclination than the second region Ar2, but after the subsequent reflow shown in FIG. 9 (b), Even if the reflow property in one region Ar1 is somewhat low, the convex portions are filled with resin, and the concave / convex pattern 20a having a lower slope than the conventional one can be obtained.

第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２０ａの傾斜角度が大きくなるのを抑えることができるため、第２領域Ａｒ２における凹凸パターン２０ａに近い傾斜角度を得ることができる。 Since it is possible to suppress the inclination angle of the concavo-convex pattern 20a in the first region Ar1 from increasing, an inclination angle close to the concavo-convex pattern 20a in the second region Ar2 can be obtained.

以上説明したように、本実施形態に係る液晶表示装置およびその製造方法では、有機絶縁膜２０上の反射電極２３の凹凸パターン２３ａを画素領域内で均一にすることができ、より反射率を向上させた表示装置を実現することができる。 As described above, in the liquid crystal display device and the manufacturing method thereof according to the present embodiment, the uneven pattern 23a of the reflective electrode 23 on the organic insulating film 20 can be made uniform in the pixel region, and the reflectance is further improved. A display device can be realized.

（第３実施形態）
図１０は、第３実施形態に係る表示装置における断面図である。図１０は、図１のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。なお、本実施形態では、第１の基板の平面図は、図１に近いものとなる。なお、第１実施形態と同様の構成要素には、同一の符号を付してあり、その説明は省略する。 (Third embodiment)
FIG. 10 is a cross-sectional view of the display device according to the third embodiment. 10 is a cross-sectional view corresponding to the line AA ′ in FIG. In the present embodiment, the plan view of the first substrate is close to FIG. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component similar to 1st Embodiment, and the description is abbreviate | omitted.

本実施形態では、第１領域Ａｒ１および第２領域Ａｒ２において、感光性の第１の有機絶縁膜（本発明の有機絶縁膜に相当）による凹凸パターン２１ａが形成されており、凹凸パターン２１ａを覆って第２の有機絶縁膜２２が形成されている。第２の有機絶縁膜２２の表面には、下地の凹凸パターン２１ａよりもなだらかな凹凸パターン２２ａが形成されている。 In the present embodiment, in the first region Ar1 and the second region Ar2, an uneven pattern 21a is formed by a photosensitive first organic insulating film (corresponding to the organic insulating film of the present invention), and the uneven pattern 21a is covered. Thus, the second organic insulating film 22 is formed. On the surface of the second organic insulating film 22, a concavo-convex pattern 22a that is gentler than the underlying concavo-convex pattern 21a is formed.

第２の有機絶縁膜２２上には、反射電極２３が形成されている。反射電極２３の表面には、下地の第２の有機絶縁膜２２の凹凸パターン２２ａを反映させた凹凸パターン２３ａが形成されている。 A reflective electrode 23 is formed on the second organic insulating film 22. A concavo-convex pattern 23 a reflecting the concavo-convex pattern 22 a of the underlying second organic insulating film 22 is formed on the surface of the reflective electrode 23.

本実施形態では、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２１ａの間隔Ｐ１が、第２領域Ａｒ２における凹凸パターン２１ａの間隔Ｐ２に比べて小さい。本実施形態では、凹凸パターン２１ａの間隔を変えることにより、凹凸パターン２１ａの密度を異ならせる例である。 In the present embodiment, the interval P1 of the uneven pattern 21a in the first region Ar1 is smaller than the interval P2 of the uneven pattern 21a in the second region Ar2. In the present embodiment, the density of the uneven pattern 21a is varied by changing the interval of the uneven pattern 21a.

この結果、凹凸パターン２１ａ上の第２の有機絶縁膜２２には、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２２ａの凸部の間隔Ｐ１が、第２領域Ａｒ２における凹凸パターン２２ａの凸部の間隔Ｐ２よりも小さい凹凸パターン２２ａが形成される。また、反射電極２３には、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２３ａの凸部の間隔Ｐ１が、第２領域Ａｒ２における凹凸パターン２３ａの凸部の間隔Ｐ２よりも小さい凹凸パターン２３ａが形成される。 As a result, in the second organic insulating film 22 on the concave / convex pattern 21a, the interval P1 between the convex portions of the concave / convex pattern 22a in the first region Ar1 is larger than the interval P2 between the convex portions of the concave / convex pattern 22a in the second region Ar2. A small uneven pattern 22a is formed. Further, the reflective electrode 23 is formed with a concavo-convex pattern 23a in which the convexity interval P1 of the concavo-convex pattern 23a in the first region Ar1 is smaller than the convexity interval P2 of the concavo-convex pattern 23a in the second region Ar2.

次に、上記の本実施形態に係る表示装置の製造方法について、図１１および図１２を参照して説明する。 Next, a method for manufacturing the display device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

まず、第１実施形態と同様にして、図４に示す工程を経ることにより、図１１（ａ）に示す構造に至る。 First, similarly to the first embodiment, the structure shown in FIG. 11A is reached through the process shown in FIG.

次に、図１１（ｂ）に示すように、補助容量電極１８等が形成された第１の基板１０上に、感光性の第１の有機絶縁膜２１を形成する。続いて、第１の有機絶縁膜２１に露光Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３を行う。露光Ｅ１は、第１の有機絶縁膜２１を凹凸パターンに加工するための露光である。露光Ｅ２および露光Ｅ３では、第１の有機絶縁膜２１を完全に除去するような露光を行う。露光Ｅ１、Ｅ２，Ｅ３は同時に行っても良い。上記の露光Ｅ１では、第２領域Ａｒ２よりも第１領域Ａｒ１の方が、間隔の小さい凹凸パターンが形成されるようなパターンをもつフォトマスクを用いる。 Next, as shown in FIG. 11B, a photosensitive first organic insulating film 21 is formed on the first substrate 10 on which the auxiliary capacitance electrode 18 and the like are formed. Subsequently, exposures E1, E2, and E3 are performed on the first organic insulating film 21. The exposure E1 is exposure for processing the first organic insulating film 21 into a concavo-convex pattern. In exposure E2 and exposure E3, exposure is performed to completely remove the first organic insulating film 21. Exposures E1, E2, and E3 may be performed simultaneously. In the exposure E1, a photomask having a pattern in which a concave / convex pattern having a smaller interval is formed in the first region Ar1 than in the second region Ar2.

次に、図１２（ａ）に示すように、現像を行うことにより、第１の有機絶縁膜２１を凹凸パターン２１ａに加工する。これにより、第１領域Ａｒ１の凹凸パターン２１ａの間隔Ｐ１が、第２領域Ａｒ２の凹凸パターン２１ａの間隔Ｐ２に比べて小さい凹凸パターン２１ａが形成される。ここで、例えば、凹凸パターン２１ａの幅は１．５μｍ〜３μｍの間で設定し、凹凸パターン２１ａの間隔は２〜４μｍの間で設定する。例えば、第１領域Ａｒ１では、第２領域Ａｒ２よりも凹凸パターン２１ａの間隔を０．５μｍ小さくする。 Next, as shown in FIG. 12A, development is performed to process the first organic insulating film 21 into a concavo-convex pattern 21a. Thereby, the uneven | corrugated pattern 21a with the space | interval P1 of the uneven | corrugated pattern 21a of 1st area | region Ar1 smaller than the space | interval P2 of the uneven | corrugated pattern 21a of 2nd area | region Ar2 is formed. Here, for example, the width of the concavo-convex pattern 21a is set between 1.5 μm and 3 μm, and the interval between the concavo-convex patterns 21a is set between 2 and 4 μm. For example, in the first region Ar1, the interval between the concave and convex patterns 21a is made smaller by 0.5 μm than in the second region Ar2.

次に、図１２（ｂ）に示すように、加熱（メルトベーク）により第１の有機絶縁膜をリフローさせて、なだらかな凹凸パターン２１ａにする。 Next, as shown in FIG. 12B, the first organic insulating film is reflowed by heating (melt baking) to form a gentle uneven pattern 21a.

次に、図１２（ｃ）に示すように、第１の有機絶縁膜による凹凸パターン２１ａを覆うように、第２の有機絶縁膜２２を形成する。これにより、第２の有機絶縁膜２２の表面には、凹凸パターン２１ａをなだらかにした凹凸パターン２２ａが形成される。続いて、リソグラフィ技術およびエッチング技術により、第２の有機絶縁膜２２にコンタクトホール２２ｂ（図１のコンタクトホール２０ｂに相当）を形成する。 Next, as shown in FIG. 12C, a second organic insulating film 22 is formed so as to cover the uneven pattern 21a made of the first organic insulating film. As a result, a concavo-convex pattern 22 a having a gentle concavo-convex pattern 21 a is formed on the surface of the second organic insulating film 22. Subsequently, a contact hole 22b (corresponding to the contact hole 20b in FIG. 1) is formed in the second organic insulating film 22 by a lithography technique and an etching technique.

その後、コンタクトホール２２ｂを埋め込むようにして、第２の有機絶縁膜２２上に高反射率の金属材料を堆積させて、反射電極２３を形成する。反射電極２３の表面には、下地の第２の有機絶縁膜２２の凹凸パターン２２ａを反映させた凹凸パターン２３ａが形成される（図１０参照）。その後、反射電極２３上に図示しない配向膜を形成する。 Thereafter, a reflective electrode 23 is formed by depositing a highly reflective metal material on the second organic insulating film 22 so as to fill the contact hole 22b. A concavo-convex pattern 23a reflecting the concavo-convex pattern 22a of the underlying second organic insulating film 22 is formed on the surface of the reflective electrode 23 (see FIG. 10). Thereafter, an alignment film (not shown) is formed on the reflective electrode 23.

第１領域Ａｒ１においては、第２領域Ａｒ２に比べて第１の有機絶縁膜２１の下地の表面位置が高い。そのために、同じ間隔で凹凸パターン２１ａを形成したとしても、第２領域Ａｒ２に比べて第１領域Ａｒ１の方が、細くて間隔の広い凹凸パターン２１ａとなってしまう。また、第１領域Ａｒ１には補助容量電極１８が存在するため、露光光の反射により樹脂の除去量が多くなり、第２領域Ａｒ２に比べて第１領域Ａｒ１の方が、細くて間隔の広い凹凸パターン２１ａとなりやすい。 In the first region Ar1, the surface position of the base of the first organic insulating film 21 is higher than that in the second region Ar2. For this reason, even if the concave / convex patterns 21a are formed at the same interval, the first region Ar1 becomes narrower and wider in the concave / convex pattern 21a than the second region Ar2. In addition, since the auxiliary capacitance electrode 18 exists in the first region Ar1, the amount of resin removed increases due to reflection of exposure light, and the first region Ar1 is narrower and wider than the second region Ar2. It tends to be the uneven pattern 21a.

しかし、本実施形態では、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２１ａの間隔Ｐ１を、第２領域Ａｒ２における凹凸パターン２１ａの間隔Ｐ２よりも小さくして、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２１ａの密度を第２領域Ａｒ２に比べて高くしている。 However, in this embodiment, the interval P1 of the uneven pattern 21a in the first region Ar1 is made smaller than the interval P2 of the uneven pattern 21a in the second region Ar2, and the density of the uneven pattern 21a in the first region Ar1 is set to the second. It is higher than the area Ar2.

これにより、従来に比べて、第１領域Ａｒ１において小さくて間隔の広い凹凸パターン２１ａとなることを抑制することができる。このため、凹凸パターン２１ａ上に形成される第２の有機絶縁膜２２の凹凸パターン２２ａの傾斜を、第１領域Ａｒ１と第２領域Ａｒ２とで均一にすることができる。 Thereby, compared with the past, it can suppress that it becomes the uneven | corrugated pattern 21a which is small and wide in 1st area | region Ar1. For this reason, the inclination of the concavo-convex pattern 22a of the second organic insulating film 22 formed on the concavo-convex pattern 21a can be made uniform in the first region Ar1 and the second region Ar2.

また、図１１（ｂ）に示す露光工程において、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２１ａ間（凹部となる領域）に照射される露光量が、第２領域Ａｒ２に比べて減る。この結果、補助容量電極１８からの反射光による影響も少なくなり、現像後に第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２１ａが狭小化することを抑制することができる。 Further, in the exposure process shown in FIG. 11B, the amount of exposure irradiated between the concave and convex patterns 21a in the first region Ar1 (the region that becomes the concave portion) is smaller than that in the second region Ar2. As a result, the influence of the reflected light from the auxiliary capacitance electrode 18 is reduced, and it is possible to prevent the uneven pattern 21a in the first region Ar1 from being narrowed after development.

このように、第１領域Ａｒ１と第２領域Ａｒ２とで、第２の有機絶縁膜２２の凹凸パターン２２ａの傾斜角度を略均一にできるため、第２の有機絶縁膜２２上の反射電極２３の凹凸パターン２３ａを画素領域内で均一にすることができ、より反射率を向上させた表示装置を実現することができる。 Thus, since the inclination angle of the concave / convex pattern 22a of the second organic insulating film 22 can be made substantially uniform in the first region Ar1 and the second region Ar2, the reflective electrode 23 on the second organic insulating film 22 The uneven pattern 23a can be made uniform in the pixel region, and a display device with improved reflectance can be realized.

（第４実施形態）
図１３は、第４実施形態に係る表示装置における断面図である。図１３は、図６のＡ−Ａ’線に対応する断面図である。なお、本実施形態では、第１の基板の平面図は、図６に近いものとなる。なお、第１実施形態と同様の構成要素には、同一の符号を付してあり、その説明は省略する。 (Fourth embodiment)
FIG. 13 is a cross-sectional view of the display device according to the fourth embodiment. 13 is a cross-sectional view corresponding to the line AA ′ in FIG. In the present embodiment, the plan view of the first substrate is close to FIG. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component similar to 1st Embodiment, and the description is abbreviate | omitted.

本実施形態では、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２１ａの幅Ｗ１が、第２領域Ａｒ２における凹凸パターン２１ａの幅Ｗ２に比べて大きい。本実施形態では、凹凸パターン２１ａの幅を変えることにより、凹凸パターン２１ａの密度を異ならせた例である。 In the present embodiment, the width W1 of the concavo-convex pattern 21a in the first region Ar1 is larger than the width W2 of the concavo-convex pattern 21a in the second region Ar2. In the present embodiment, the density of the uneven pattern 21a is varied by changing the width of the uneven pattern 21a.

この結果、凹凸パターン２１ａ上の第２の有機絶縁膜２２には、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２２ａの凸部の幅Ｗ１が、第２領域Ａｒ２における凹凸パターン２２ａの凸部の幅Ｗ２よりも大きい凹凸パターン２２ａが形成される。また、反射電極２３には、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２３ａの凸部の幅Ｗ１が、第２領域Ａｒ２における凹凸パターン２３ａの凸部の幅Ｗ２よりも大きい凹凸パターン２３ａが形成される。 As a result, in the second organic insulating film 22 on the concave / convex pattern 21a, the width W1 of the convex portion of the concave / convex pattern 22a in the first region Ar1 is larger than the width W2 of the convex portion of the concave / convex pattern 22a in the second region Ar2. A large uneven pattern 22a is formed. Further, the reflective electrode 23 is provided with a concavo-convex pattern 23a in which the width W1 of the convex portion of the concavo-convex pattern 23a in the first region Ar1 is larger than the width W2 of the convex portion of the concavo-convex pattern 23a in the second region Ar2.

次に、上記の本実施形態に係る表示装置の製造方法について、図１４および図１５を参照して説明する。 Next, a method for manufacturing the display device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

まず、第１実施形態と同様にして、図４に示す工程を経ることにより、図１４（ａ）に示す構造に至る。 First, similarly to the first embodiment, the structure shown in FIG. 14A is reached through the steps shown in FIG.

次に、図１４（ｂ）に示すように、補助容量電極１８等が形成された第１の基板１０上に、感光性の第１の有機絶縁膜（本発明の有機絶縁膜に相当）２１を形成する。続いて、第１の有機絶縁膜２１に露光Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３を行う。露光Ｅ１は、第１の有機絶縁膜２１を凹凸パターンに加工するための露光である。露光Ｅ２および露光Ｅ３では、第１の有機絶縁膜２１を完全に除去するような露光を行う。露光Ｅ１、Ｅ２，Ｅ３は同時に行っても良い。上記の露光Ｅ１では、第２領域Ａｒ２よりも第１領域Ａｒ１の方が、幅の大きい凹凸パターンが形成されるようなパターンをもつフォトマスクを用いる。 Next, as shown in FIG. 14B, a photosensitive first organic insulating film (corresponding to the organic insulating film of the present invention) 21 is formed on the first substrate 10 on which the auxiliary capacitance electrode 18 and the like are formed. Form. Subsequently, exposures E1, E2, and E3 are performed on the first organic insulating film 21. The exposure E1 is exposure for processing the first organic insulating film 21 into a concavo-convex pattern. In exposure E2 and exposure E3, exposure is performed to completely remove the first organic insulating film 21. Exposures E1, E2, and E3 may be performed simultaneously. In the exposure E1 described above, a photomask having a pattern that forms a concavo-convex pattern having a larger width in the first region Ar1 than in the second region Ar2.

次に、図１５（ａ）に示すように、現像を行うことにより、第１の有機絶縁膜２１を凹凸パターン２１ａに加工する。これにより、第１領域Ａｒ１の凹凸パターン２１ａの幅Ｗ１が、第２領域Ａｒ２の凹凸パターン２１ａの幅Ｗ２に比べて大きい凹凸パターン２１ａが形成される。ここで、例えば、凹凸パターン２１ａの幅は１．５μｍ〜３μｍの間で設定し、凹凸パターン２１ａの間隔は２〜４μｍの間で設定する。 Next, as shown in FIG. 15A, development is performed to process the first organic insulating film 21 into a concavo-convex pattern 21a. Thereby, the uneven | corrugated pattern 21a whose width W1 of the uneven | corrugated pattern 21a of 1st area | region Ar1 is larger than the width W2 of the uneven | corrugated pattern 21a of 2nd area | region Ar2 is formed. Here, for example, the width of the concavo-convex pattern 21a is set between 1.5 μm and 3 μm, and the interval between the concavo-convex patterns 21a is set between 2 and 4 μm.

次に、図１５（ｂ）に示すように、加熱（メルトベーク）により有機絶縁膜２０をリフローさせて、なだらかな凹凸パターン２１ａにする。 Next, as shown in FIG. 15B, the organic insulating film 20 is reflowed by heating (melt baking) to form a gentle uneven pattern 21a.

次に、図１５（ｃ）に示すように、第１の有機絶縁膜による凹凸パターン２１ａを覆うように、第２の有機絶縁膜２２を形成する。これにより、第２の有機絶縁膜２２の表面には、凹凸パターン２１ａをなだらかにさせた凹凸パターン２２ａが形成される。続いて、リソグラフィ技術およびエッチング技術により、第２の有機絶縁膜２２にコンタクトホール２２ｂ（図６のコンタクトホール２０ｂに相当）を形成する。 Next, as shown in FIG. 15C, a second organic insulating film 22 is formed so as to cover the uneven pattern 21a made of the first organic insulating film. As a result, a concavo-convex pattern 22 a is formed on the surface of the second organic insulating film 22 by gently forming the concavo-convex pattern 21 a. Subsequently, a contact hole 22b (corresponding to the contact hole 20b in FIG. 6) is formed in the second organic insulating film 22 by a lithography technique and an etching technique.

その後、コンタクトホール２２ｂを埋め込むようにして、第２の有機絶縁膜２２上に高反射率の金属材料を堆積させて、反射電極２３を形成する。反射電極２３の表面には、下地の第２の有機絶縁膜２２の凹凸パターン２２ａを反映させた凹凸パターン２３ａが形成される（図１３参照）。その後、反射電極２３上に図示しない配向膜を形成する。 Thereafter, a reflective electrode 23 is formed by depositing a highly reflective metal material on the second organic insulating film 22 so as to fill the contact hole 22b. A concavo-convex pattern 23a reflecting the concavo-convex pattern 22a of the underlying second organic insulating film 22 is formed on the surface of the reflective electrode 23 (see FIG. 13). Thereafter, an alignment film (not shown) is formed on the reflective electrode 23.

本実施形態では、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２１ａの幅Ｗ１を、第２領域Ａｒ２における凹凸パターン２１ａの幅Ｗ２よりも大きくして、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２１ａの凸部の密度を第２領域Ａｒ２に比べて高くしている。逆にいえば、凹部の密度が、第２領域Ａｒ２に比べて第１領域Ａｒ１の方が低い。 In the present embodiment, the width W1 of the concavo-convex pattern 21a in the first region Ar1 is made larger than the width W2 of the concavo-convex pattern 21a in the second region Ar2, and the density of the convex portions of the concavo-convex pattern 21a in the first region Ar1 is set to the first. It is higher than the two regions Ar2. Conversely, the density of the recesses is lower in the first region Ar1 than in the second region Ar2.

表面位置が高く、かつ、補助容量電極１８により露光が助長される第１領域Ａｒ１では、より細い凹凸パターン２１ａとなりやすいが、本実施形態では、第１領域Ａｒ１における凹凸パターン２１ａの幅を大きくしていることから、従来に比べて、第１領域Ａｒ１において小さくて間隔の広い凹凸パターン２１ａとなることを抑制することができる。このため、凹凸パターン２１ａ上に形成される第２の有機絶縁膜２２の凹凸パターン２２ａの傾斜を、第１領域Ａｒ１と第２領域Ａｒ２とで均一にすることができる。 In the first region Ar1 where the surface position is high and the exposure is promoted by the auxiliary capacitance electrode 18, a narrower uneven pattern 21a tends to be formed. However, in this embodiment, the width of the uneven pattern 21a in the first region Ar1 is increased. Therefore, it is possible to suppress the formation of the concave and convex pattern 21a which is small and wide in the first region Ar1 as compared with the conventional case. For this reason, the inclination of the concavo-convex pattern 22a of the second organic insulating film 22 formed on the concavo-convex pattern 21a can be made uniform in the first region Ar1 and the second region Ar2.

したがって、第２の有機絶縁膜２２上の反射電極２３の凹凸パターン２３ａの傾斜を画素領域内で均一にすることができ、より反射率を向上させた表示装置を実現することができる。 Accordingly, the inclination of the concave / convex pattern 23a of the reflective electrode 23 on the second organic insulating film 22 can be made uniform in the pixel region, and a display device with improved reflectance can be realized.

本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
本実施形態では、有機絶縁膜２０、第１の有機絶縁膜２１として、光が照射された部分が後の現像により除去されるポジ型レジストを用いた例について説明したが、光が照射された部分が残るネガ型レジストを用いても良い。また、本実施形態では、第１領域Ａｒ１が第２領域Ａｒ２に比べて、金属層により表面位置が高くなっている例を示したが、高低差のみが存在する場合や、高低差はないが金属層などの高反射率材料がどちらかの領域に形成されている場合にも適用可能である。 The present invention is not limited to the description of the above embodiment.
In the present embodiment, the organic insulating film 20 and the first organic insulating film 21 are described using an example of using a positive resist in which a portion irradiated with light is removed by subsequent development. You may use the negative resist in which a part remains. Further, in the present embodiment, an example in which the surface position of the first region Ar1 is higher than that of the second region Ar2 by the metal layer is shown. However, when there is only a height difference, there is no height difference. The present invention is also applicable when a high reflectivity material such as a metal layer is formed in either region.

例えば、本実施形態では、併用型の液晶表示装置について説明したが、反射型の液晶表示装置にも適用可能である。また、本実施形態では、液晶表示装置を例に説明したが、凹凸を設けた反射板により表示を行うものであれば、液晶以外の表示装置に適用可能である。例えば、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に適用することも可能である。このため、液晶表示装置のように、反射板が電極を兼ねなくてもよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。 For example, in the present embodiment, the combined liquid crystal display device has been described, but the present invention can also be applied to a reflective liquid crystal display device. Further, in the present embodiment, the liquid crystal display device has been described as an example, but the present invention can be applied to a display device other than the liquid crystal as long as the display is performed by a reflection plate provided with unevenness. For example, the present invention can be applied to an organic electroluminescence display device. For this reason, unlike the liquid crystal display device, the reflector may not serve as the electrode.
In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

本実施形態に係る表示装置における、第１の基板の平面図である。It is a top view of the 1st substrate in the display concerning this embodiment. 本実施形態に係る表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the display apparatus which concerns on this embodiment. 図１のＡ−Ａ’線における断面図である。It is sectional drawing in the A-A 'line of FIG. 第１実施形態に係る表示装置の製造における工程断面図である。It is process sectional drawing in manufacture of the display apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る表示装置の製造における工程断面図である。It is process sectional drawing in manufacture of the display apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第２実施形態に係る表示装置における、第１の基板の平面図である。It is a top view of the 1st substrate in the display concerning a 2nd embodiment. 第２実施形態に係る表示装置における第１の基板の断面図である。It is sectional drawing of the 1st board | substrate in the display apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第２実施形態に係る表示装置の製造における工程断面図である。It is process sectional drawing in manufacture of the display apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第２実施形態に係る表示装置の製造における工程断面図である。It is process sectional drawing in manufacture of the display apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 第３実施形態に係る表示装置における、第１の基板の断面図である。It is sectional drawing of the 1st board | substrate in the display apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 第３実施形態に係る表示装置の製造における工程断面図である。It is process sectional drawing in manufacture of the display apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 第３実施形態に係る表示装置の製造における工程断面図である。It is process sectional drawing in manufacture of the display apparatus which concerns on 3rd Embodiment. 第４実施形態に係る表示装置における、第１の基板の断面図である。It is sectional drawing of the 1st board | substrate in the display apparatus which concerns on 4th Embodiment. 第４実施形態に係る表示装置の製造における工程断面図である。It is process sectional drawing in manufacture of the display apparatus which concerns on 4th Embodiment. 第４実施形態に係る表示装置の製造における工程断面図である。It is process sectional drawing in manufacture of the display apparatus which concerns on 4th Embodiment. 従来例に係る表面凹凸をもつ反射板の形成方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the formation method of the reflecting plate with the surface unevenness | corrugation which concerns on a prior art example. 従来例に係る表面凹凸をもつ反射板の形成方法を示す工程断面図である。It is process sectional drawing which shows the formation method of the reflecting plate with the surface unevenness | corrugation which concerns on a prior art example.

符号の説明Explanation of symbols

１…走査線、２…信号線、３…スイッチング素子、１０…第１の基板、１１…ゲート電極、１２…補助容量線、１３…ゲート絶縁膜、１４…半導体層、１５…保護絶縁膜、１５ａ，１５ｂ…コンタクトホール、１６…ドレイン電極、１７…ソース電極、１８…補助容量電極、２０…有機絶縁膜、２０ａ…凹凸パターン、２０ｂ…コンタクトホール、２１…第１の有機絶縁膜、２１ａ…凹凸パターン、２２…第２の有機絶縁膜、２２ａ…凹凸パターン、２２ｂ…コンタクトホール、２３…反射電極、２３ａ…凹凸パターン、２４…透明電極、３０…第２の基板、３１…カラーフィルタ、３２…対向電極、４０…液晶層、１００…基板、１１８…金属層、１２０…有機絶縁膜、１２０ａ…凹凸パターン、１２１…第１の有機絶縁膜、１２１ａ…凹凸パターン、１２２…第２の有機絶縁膜、１２２ａ…凹凸パターン、１２３…反射板、１２３ａ…凹凸パターン、Ａｒ１…第１領域、Ａｒ２…第２領域、Ｐ１，Ｐ２…間隔、Ｗ１，Ｗ２…幅、Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３…露光
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Scan line, 2 ... Signal line, 3 ... Switching element, 10 ... 1st board | substrate, 11 ... Gate electrode, 12 ... Auxiliary capacity line, 13 ... Gate insulating film, 14 ... Semiconductor layer, 15 ... Protective insulating film, 15a, 15b ... contact hole, 16 ... drain electrode, 17 ... source electrode, 18 ... auxiliary capacitance electrode, 20 ... organic insulating film, 20a ... uneven pattern, 20b ... contact hole, 21 ... first organic insulating film, 21a ... Uneven pattern, 22 ... second organic insulating film, 22a ... uneven pattern, 22b ... contact hole, 23 ... reflective electrode, 23a ... uneven pattern, 24 ... transparent electrode, 30 ... second substrate, 31 ... color filter, 32 Reference electrode, 40 ... Liquid crystal layer, 100 ... Substrate, 118 ... Metal layer, 120 ... Organic insulating film, 120a ... Uneven pattern, 121 ... First organic insulating film, 121a ... Concave Pattern, 122 ... second organic insulating film, 122a ... uneven pattern, 123 ... reflector, 123a ... uneven pattern, Ar1 ... first area, Ar2 ... second area, P1, P2 ... interval, W1, W2 ... width, E1, E2, E3 ... Exposure

Claims

基板に形成された反射板により、入射光を反射させて表示に利用する表示装置であって、
高低差をもつあるいは反射率の異なる第１領域および第２領域を有する前記基板と、
前記基板上に形成され、前記第１領域および前記第２領域とで密度の異なる凹凸パターンが形成された感光性の有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜の上層に形成され、表面凹凸をもつ前記反射板と
を有する表示装置。 A display device that reflects incident light by a reflector formed on a substrate and uses it for display,
The substrate having first and second regions having different elevations or different reflectivities;
A photosensitive organic insulating film formed on the substrate and having a concavo-convex pattern having different densities in the first region and the second region;
A display device comprising: the reflective plate formed on an upper layer of the organic insulating film and having surface irregularities.

前記第１領域は、前記第２領域に比べて相対的に表面位置が高く、
前記有機絶縁膜は、前記第１領域において相対的に密度の高い凹凸パターンを有し、前記第２領域において相対的に密度の低い凹凸パターンを有する
請求項１記載の表示装置。 The first region has a relatively high surface position compared to the second region,
The display device according to claim 1, wherein the organic insulating film has a concavo-convex pattern having a relatively high density in the first region and a concavo-convex pattern having a relatively low density in the second region.

前記第１領域は、前記第２領域に比べて相対的に反射率が高く、
前記有機絶縁膜は、前記第１領域において相対的に密度の高い凹凸パターンを有し、前記第２領域において相対的に密度の低い凹凸パターンを有する
請求項１記載の表示装置。 The first region has a relatively high reflectance compared to the second region,
The display device according to claim 1, wherein the organic insulating film has a concavo-convex pattern having a relatively high density in the first region and a concavo-convex pattern having a relatively low density in the second region.

前記有機絶縁膜と前記反射板との間に形成された第２の有機絶縁膜をさらに有し、当該第２の有機絶縁膜の表面には、前記第１の有機絶縁膜の凹凸パターンよりも傾斜の小さい凹凸パターンが形成された
請求項１記載の表示装置。 A second organic insulating film formed between the organic insulating film and the reflecting plate; and a surface of the second organic insulating film is formed on the surface of the second organic insulating film more than the uneven pattern of the first organic insulating film. The display device according to claim 1, wherein an uneven pattern having a small inclination is formed.

前記有機絶縁膜は、前記第１領域および前記第２領域とで間隔あるいは幅の異なる凹凸パターンをもつ
請求項１記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the organic insulating film has a concavo-convex pattern having a different interval or width between the first region and the second region.

基板に形成された反射板により、入射光を反射させて表示に利用する表示装置の製造方法であって、
高低差をもつあるいは反射率の異なる第１領域および第２領域を有する前記基板を形成する工程と、
前記基板上に感光性の有機絶縁膜を形成する工程と、
露光および現像により前記有機絶縁膜を加工して、前記第１領域および前記第２領域とで密度の異なる凹凸パターンを形成する工程と、
凹凸パターンをもつ前記有機絶縁膜の上層に、前記反射板を形成する工程と
を有する表示装置の製造方法。 A method of manufacturing a display device that reflects incident light by a reflecting plate formed on a substrate and uses it for display,
Forming the substrate having a first region and a second region having different heights or different reflectivities; and
Forming a photosensitive organic insulating film on the substrate;
Processing the organic insulating film by exposure and development to form uneven patterns having different densities in the first region and the second region;
Forming the reflector on an upper layer of the organic insulating film having a concavo-convex pattern.

前記第１領域は、前記第２領域に比べて相対的に表面位置が高く、
前記有機絶縁膜を加工する工程において、前記第１領域において相対的に密度が高く、前記第２領域において相対的に密度の低い凹凸パターンを形成する
請求項６記載の表示装置の製造方法。 The first region has a relatively high surface position compared to the second region,
The method for manufacturing a display device according to claim 6, wherein, in the step of processing the organic insulating film, an uneven pattern having a relatively high density in the first region and a relatively low density in the second region is formed.

前記第１領域は、前記第２領域に比べて反射率が高く、
前記有機絶縁膜を加工する工程において、前記第１領域において相対的に密度が高く、前記第２領域において相対的に密度の低い凹凸パターンを形成する
請求項６記載の表示装置の製造方法。 The first region has a higher reflectance than the second region,
The method for manufacturing a display device according to claim 6, wherein, in the step of processing the organic insulating film, an uneven pattern having a relatively high density in the first region and a relatively low density in the second region is formed.

前記凹凸パターンを形成する工程の後、前記反射板を形成する工程の前に、前記有機絶縁膜上に第２の有機絶縁膜を形成する工程をさらに有し、
前記反射板を形成する工程において、前記第２の有機絶縁膜上に反射板を形成する
請求項６記載の表示装置の製造方法。 After the step of forming the concavo-convex pattern, before the step of forming the reflector, further comprising a step of forming a second organic insulating film on the organic insulating film,
The method for manufacturing a display device according to claim 6, wherein in the step of forming the reflection plate, a reflection plate is formed on the second organic insulating film.

前記有機絶縁膜を加工する工程において、前記第１領域および前記第２領域とで幅あるいは間隔の異なる凹凸パターンを形成する
請求項６記載の表示装置の製造方法。
The method for manufacturing a display device according to claim 6, wherein in the step of processing the organic insulating film, uneven patterns having different widths or intervals are formed in the first region and the second region.