JP3467595B2 - ミクロ配線検査の際の検査エラー認識方法 - Google Patents
ミクロ配線検査の際の検査エラー認識方法Info
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- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
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- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
- G01R31/306—Contactless testing using electron beams of printed or hybrid circuits
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は請求項１、２、３の
前文による方法に関する。
前文による方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】冒頭に記載した種類の方法はヨーロッパ
特許出願第 EP0189777B1号（特開昭６１−１７０６６９
号（特公平５−６２７００号）に対応）明細書から公知
である。その際に、たとえば検査すべきプリント回路板
上に存在するミクロフィールド（すなわち、ミクロ（極
小）電界）および表面汚染に基づいて誤った検査結果を
与え得る方法が扱われている。
特許出願第 EP0189777B1号（特開昭６１−１７０６６９
号（特公平５−６２７００号）に対応）明細書から公知
である。その際に、たとえば検査すべきプリント回路板
上に存在するミクロフィールド（すなわち、ミクロ（極
小）電界）および表面汚染に基づいて誤った検査結果を
与え得る方法が扱われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、追加
的な中間または後検査によりプリント回路板の検査エラ
ーと真のエラー（中断、短絡）との間の区別を可能にす
る改良された方法を提供することである。
的な中間または後検査によりプリント回路板の検査エラ
ーと真のエラー（中断、短絡）との間の区別を可能にす
る改良された方法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題は、請求項１、
２、３の特徴部分にあげられている特徴により解決され
る。
２、３の特徴部分にあげられている特徴により解決され
る。
【０００５】
【０００６】
【発明の効果】本発明により得られる利点は特に、本発
明による方法では比較的少ない追加的な検査（中間検
査、後検査）により上記の公知の方法にくらべて信頼性
のある検査結果が得られることにある。
明による方法では比較的少ない追加的な検査（中間検
査、後検査）により上記の公知の方法にくらべて信頼性
のある検査結果が得られることにある。
【０００７】
【実施例】以下、図面により本発明を説明する。
【０００８】本発明による方法を説明するため、図面に
は、プリント回路板ＬＰの斜視図が示されており、その
表面上に互いに隔てられて回路網ＮＷ１…ＮＷ９が位置
しており、その際に回路網ＮＷ１…ＮＷ３は検査群ＴＧ
１に、回路網ＮＷ４…ＮＷ６は検査群ＴＧ２に、また回
路網ＮＷ７…ＮＷ９は検査群ＴＧ３に一括されている。
回路網ＮＷ１…ＮＷ９の各々は多数の接触点１…２４を
有し、その際に回路網ＮＷ１は接触点１、２および３
を、回路網ＮＷ２は接触点４、５および６を、回路網Ｎ
Ｗ３は接触点７、８および９を、回路網ＮＷ４は接触点
１０および１１を、回路網ＮＷ５は接触点１２、１３お
よび１４を、回路網ＮＷ６は接触点１５および１６を、
回路網ＮＷ７は接触点１７、１８および１９を、回路網
ＮＷ８は接触点２０および２１を、また回路網ＮＷ９は
接触点２２、２３および２４を有する。回路網ＮＷ１…
ＮＷ９は２つの直角に交わる平行な対によりシンボル的
に示されており、また回路網ＮＷ２のなかに回路網の導
線が参照符号Ｌを付して示されている。導線Ｌは接触点
６を回路網ＮＷ２から隔てる中断Ｕを有する。回路網Ｎ
Ｗ２は短絡Ｋ１を介して回路網ＮＷ３と、短絡Ｋ２を介
して回路網ＮＷ１と、また検査群にわたる短絡Ｋ３を介
して回路網ＮＷ４と接続されている。
は、プリント回路板ＬＰの斜視図が示されており、その
表面上に互いに隔てられて回路網ＮＷ１…ＮＷ９が位置
しており、その際に回路網ＮＷ１…ＮＷ３は検査群ＴＧ
１に、回路網ＮＷ４…ＮＷ６は検査群ＴＧ２に、また回
路網ＮＷ７…ＮＷ９は検査群ＴＧ３に一括されている。
回路網ＮＷ１…ＮＷ９の各々は多数の接触点１…２４を
有し、その際に回路網ＮＷ１は接触点１、２および３
を、回路網ＮＷ２は接触点４、５および６を、回路網Ｎ
Ｗ３は接触点７、８および９を、回路網ＮＷ４は接触点
１０および１１を、回路網ＮＷ５は接触点１２、１３お
よび１４を、回路網ＮＷ６は接触点１５および１６を、
回路網ＮＷ７は接触点１７、１８および１９を、回路網
ＮＷ８は接触点２０および２１を、また回路網ＮＷ９は
接触点２２、２３および２４を有する。回路網ＮＷ１…
ＮＷ９は２つの直角に交わる平行な対によりシンボル的
に示されており、また回路網ＮＷ２のなかに回路網の導
線が参照符号Ｌを付して示されている。導線Ｌは接触点
６を回路網ＮＷ２から隔てる中断Ｕを有する。回路網Ｎ
Ｗ２は短絡Ｋ１を介して回路網ＮＷ３と、短絡Ｋ２を介
して回路網ＮＷ１と、また検査群にわたる短絡Ｋ３を介
して回路網ＮＷ４と接続されている。
【０００９】回路網を充電するため、たとえば一次電子
線が回路網の接触点に向けられる。回路網を充電するた
めの他の可能性は、イオン照射、レーザービームによる
光電子発生またはミクロ電極の使用にある。接触点にお
ける電位を測定するため、一般に充電のためにも利用さ
れるそれぞれ１つの一次電子線がそれぞれの接触点に向
けられ、またそれにより二次電子線が発生される。接触
点における電位を測定するため、逆電界により検出器の
なかに到達した二次電子流が評価される。負に充電され
た接触点は放出された二次電子を加速し、二次電子はそ
れにより逆電界に打ち勝ち得る。それにより充電された
接触点に対して高い検出された電流、従ってまた高い信
号が生じ、他方において充電されない接触点に対しては
低い電流、従ってまた低い信号が生ずる。接触点におけ
る電位の測定はたとえばミクロ電極を介しても行われ得
る。図面中ではたとえば接触点４に回路網ＮＷ２を充電
するための一次電子線ＰＥ１が向けられている。接触点
５に向けられた一次電子線ＰＥ２は二次電子線ＳＥ２を
発生し、接触点６に向けられた一次電子線ＰＥ３は二次
電子線ＳＥ３を発生し、接触点７に向けられた一次電子
線ＰＥ５は二次電子線ＳＥ５を発生し、接触点１０に向
けられた一次電子線ＰＥ６は二次電子線ＳＥ６を発生
し、また接触点１７に向けられた一次電子線ＰＥ７は二
次電子線ＳＥ７を発生し、それらを介してそれぞれ当該
の接触点の電位が決定される。検査の前にすべての接触
点が零電位を有することから出発して、回路網のなかの
中断を確認するための主検査の第１のステップは、それ
ぞれ１つのまだ充電されない回路網、たとえば回路網Ｎ
Ｗ２、がそれぞれの回路網の接触点、たとえば接触点
４、を介して零電位と異なる充電電位に充電されること
により開始する。表現“零電位”および“充電電位”
は、ここでは、また以下では、それぞれ、電位範囲とし
て理解されるべきであり、その際に“零電位”の電位範
囲および“充電電位”の電位範囲は互いに重なっていな
い。回路網のなかの中断を確認するための主検査の第２
のステップではそれぞれの回路網の接触点、たとえば回
路網ＮＷ２の接触点５および６、のまだ充電されない接
触点の電位が測定される。回路網のなかの中断を確認す
るための主検査の第３のステップではそれぞれの中断
が、それぞれの回路網の中断接触点（中断Ｕにより回路
網ＮＷ２から中断された接触点６）が導線を介して、た
とえば接触点６が導線Ｌを介して充電電位に充電されな
かったことにより確認される。ミクロ電界および（また
は）表面汚染によりたとえば二次電子は、中断が単に模
擬されるように影響され得る。この検査エラーを回避す
るため、主検査の後に本発明による第１の後検査が行わ
れる。その際に本発明による第１の後検査の前にプリン
ト回路板ＬＰのすべての接触点１…２４を放電させる必
要がある。放電はここでは、また以下では、接触点が負
に充電されているときに、低エネルギーの正のイオンビ
ームにより行われる。本発明による第１の後検査自体
は、第１のステップでそれぞれの中断接触点、たとえば
接触点６、が充電電位に充電され、第２のステップでこ
の後検査でそれぞれの回路網、たとえば回路網ＮＷ２、
の充電されない接触点、たとえば接触点４または５、の
電位が測定されることにより行われる。本発明による第
１の後検査の第３のステップで、主検査で確認されたそ
れぞれの中断が、それぞれの中断接触点を有する回路
網、ここでは中断接触点６を有する回路網ＮＷ２、がそ
れぞれの回路網の導線を介して充電電位に充電されなか
ったときに認識される。主検査中にたとえば中断接触点
６が中断Ｕが存在することなしに確認されていたなら
ば、たとえば回路網ＮＷ２の接触点４および５が充電電
位に充電され、また主検査中に生じた検査エラーが確認
されていたであろう。
線が回路網の接触点に向けられる。回路網を充電するた
めの他の可能性は、イオン照射、レーザービームによる
光電子発生またはミクロ電極の使用にある。接触点にお
ける電位を測定するため、一般に充電のためにも利用さ
れるそれぞれ１つの一次電子線がそれぞれの接触点に向
けられ、またそれにより二次電子線が発生される。接触
点における電位を測定するため、逆電界により検出器の
なかに到達した二次電子流が評価される。負に充電され
た接触点は放出された二次電子を加速し、二次電子はそ
れにより逆電界に打ち勝ち得る。それにより充電された
接触点に対して高い検出された電流、従ってまた高い信
号が生じ、他方において充電されない接触点に対しては
低い電流、従ってまた低い信号が生ずる。接触点におけ
る電位の測定はたとえばミクロ電極を介しても行われ得
る。図面中ではたとえば接触点４に回路網ＮＷ２を充電
するための一次電子線ＰＥ１が向けられている。接触点
５に向けられた一次電子線ＰＥ２は二次電子線ＳＥ２を
発生し、接触点６に向けられた一次電子線ＰＥ３は二次
電子線ＳＥ３を発生し、接触点７に向けられた一次電子
線ＰＥ５は二次電子線ＳＥ５を発生し、接触点１０に向
けられた一次電子線ＰＥ６は二次電子線ＳＥ６を発生
し、また接触点１７に向けられた一次電子線ＰＥ７は二
次電子線ＳＥ７を発生し、それらを介してそれぞれ当該
の接触点の電位が決定される。検査の前にすべての接触
点が零電位を有することから出発して、回路網のなかの
中断を確認するための主検査の第１のステップは、それ
ぞれ１つのまだ充電されない回路網、たとえば回路網Ｎ
Ｗ２、がそれぞれの回路網の接触点、たとえば接触点
４、を介して零電位と異なる充電電位に充電されること
により開始する。表現“零電位”および“充電電位”
は、ここでは、また以下では、それぞれ、電位範囲とし
て理解されるべきであり、その際に“零電位”の電位範
囲および“充電電位”の電位範囲は互いに重なっていな
い。回路網のなかの中断を確認するための主検査の第２
のステップではそれぞれの回路網の接触点、たとえば回
路網ＮＷ２の接触点５および６、のまだ充電されない接
触点の電位が測定される。回路網のなかの中断を確認す
るための主検査の第３のステップではそれぞれの中断
が、それぞれの回路網の中断接触点（中断Ｕにより回路
網ＮＷ２から中断された接触点６）が導線を介して、た
とえば接触点６が導線Ｌを介して充電電位に充電されな
かったことにより確認される。ミクロ電界および（また
は）表面汚染によりたとえば二次電子は、中断が単に模
擬されるように影響され得る。この検査エラーを回避す
るため、主検査の後に本発明による第１の後検査が行わ
れる。その際に本発明による第１の後検査の前にプリン
ト回路板ＬＰのすべての接触点１…２４を放電させる必
要がある。放電はここでは、また以下では、接触点が負
に充電されているときに、低エネルギーの正のイオンビ
ームにより行われる。本発明による第１の後検査自体
は、第１のステップでそれぞれの中断接触点、たとえば
接触点６、が充電電位に充電され、第２のステップでこ
の後検査でそれぞれの回路網、たとえば回路網ＮＷ２、
の充電されない接触点、たとえば接触点４または５、の
電位が測定されることにより行われる。本発明による第
１の後検査の第３のステップで、主検査で確認されたそ
れぞれの中断が、それぞれの中断接触点を有する回路
網、ここでは中断接触点６を有する回路網ＮＷ２、がそ
れぞれの回路網の導線を介して充電電位に充電されなか
ったときに認識される。主検査中にたとえば中断接触点
６が中断Ｕが存在することなしに確認されていたなら
ば、たとえば回路網ＮＷ２の接触点４および５が充電電
位に充電され、また主検査中に生じた検査エラーが確認
されていたであろう。
【００１０】回路網の間の短絡を確認するための検査の
際には、主検査の開始前にすべての接触点が零電位を有
するという前提のもとに、主検査の第１のステップでそ
れぞれまだ充電されない回路網、たとえば回路網ＮＷ
２、がそれぞれの回路網の少なくとも１つの接触点、た
とえば接触点４、を介して零電位と異なる充電電位に充
電される。この主検査の第２のステップでそれぞれ他の
まだ充電されない回路網、たとえば回路網ＮＷ３、の電
位がそれぞれの他の回路網の少なくとも１つの接触点、
たとえば接触点７、を介して測定される。ここで主検査
の第３のステップでそれぞれの短絡、たとえば既に充電
された回路網、たとえばＮＷ１およびＮＷ２、の１つか
らそれぞれの他のまだ充電されない回路網、たとえば回
路網ＮＷ３、への短絡Ｋ１が、それぞれの他のまだ充電
されない回路網の１つの少なくとも短絡接触点（短絡Ｋ
１を介して回路網ＮＷ２と接続された回路網ＮＷ３の接
触点）、たとえば接触点７、が既にそれぞれの短絡を介
して充電電位に充電されたことにより確認される。回路
網の接触点の電位の測定の際に同じく、たとえばミクロ
電界および（または）表面汚染により、充電された回路
網、従ってまた短絡、たとえば回路網ＮＷ３により短絡
Ｋ１、が模擬され得る。この検査エラーを回避するた
め、本発明による第２の後検査が行われる。その際に、
すべての接触点１…２４が放電された後に、第１のステ
ップでそれぞれの短絡接触点、たとえば接触点７、を介
してそれぞれの短絡接触点を有する回路網、たとえば回
路網ＮＷ３、が充電電位に充電され、また第２のステッ
プでこの後検査中にまだ充電されない回路網、たとえば
回路網ＮＷ１およびＮＷ２、の電位が、それぞれ電位が
それぞれの後検査中にまだ充電されない回路網の１つの
少なくとも接触点、たとえば接触点２または５、を介し
て測定されることにより求められる。本発明による第２
の後検査の第３のステップでその際に、後検査中にまだ
充電されない回路網、たとえば回路網ＮＷ２、がそれぞ
れの短絡を介して充電電位に充電されたときに、それぞ
れの主検査の第３のステップで確認された短絡、たとえ
ば短絡Ｋ１、が認識される。短絡Ｋ１なしではたとえば
回路網ＮＷ１およびＮＷ２はこの場合に充電されておら
ず、また主検査中に確認された短絡は単に検査エラーに
基づいて報知されたものであろう。
際には、主検査の開始前にすべての接触点が零電位を有
するという前提のもとに、主検査の第１のステップでそ
れぞれまだ充電されない回路網、たとえば回路網ＮＷ
２、がそれぞれの回路網の少なくとも１つの接触点、た
とえば接触点４、を介して零電位と異なる充電電位に充
電される。この主検査の第２のステップでそれぞれ他の
まだ充電されない回路網、たとえば回路網ＮＷ３、の電
位がそれぞれの他の回路網の少なくとも１つの接触点、
たとえば接触点７、を介して測定される。ここで主検査
の第３のステップでそれぞれの短絡、たとえば既に充電
された回路網、たとえばＮＷ１およびＮＷ２、の１つか
らそれぞれの他のまだ充電されない回路網、たとえば回
路網ＮＷ３、への短絡Ｋ１が、それぞれの他のまだ充電
されない回路網の１つの少なくとも短絡接触点（短絡Ｋ
１を介して回路網ＮＷ２と接続された回路網ＮＷ３の接
触点）、たとえば接触点７、が既にそれぞれの短絡を介
して充電電位に充電されたことにより確認される。回路
網の接触点の電位の測定の際に同じく、たとえばミクロ
電界および（または）表面汚染により、充電された回路
網、従ってまた短絡、たとえば回路網ＮＷ３により短絡
Ｋ１、が模擬され得る。この検査エラーを回避するた
め、本発明による第２の後検査が行われる。その際に、
すべての接触点１…２４が放電された後に、第１のステ
ップでそれぞれの短絡接触点、たとえば接触点７、を介
してそれぞれの短絡接触点を有する回路網、たとえば回
路網ＮＷ３、が充電電位に充電され、また第２のステッ
プでこの後検査中にまだ充電されない回路網、たとえば
回路網ＮＷ１およびＮＷ２、の電位が、それぞれ電位が
それぞれの後検査中にまだ充電されない回路網の１つの
少なくとも接触点、たとえば接触点２または５、を介し
て測定されることにより求められる。本発明による第２
の後検査の第３のステップでその際に、後検査中にまだ
充電されない回路網、たとえば回路網ＮＷ２、がそれぞ
れの短絡を介して充電電位に充電されたときに、それぞ
れの主検査の第３のステップで確認された短絡、たとえ
ば短絡Ｋ１、が認識される。短絡Ｋ１なしではたとえば
回路網ＮＷ１およびＮＷ２はこの場合に充電されておら
ず、また主検査中に確認された短絡は単に検査エラーに
基づいて報知されたものであろう。
【００１１】回路網のなかの中断および回路網の間の短
絡を確認するための検査は、次のようにして組み合わさ
れ得る。すなわち、それぞれの回路網のなかの中断を確
認するため次々とそれぞれ回路網が充電され、また続い
て既に充電された回路網の１つとそれぞれの回路網との
間の短絡を確認するためまだ充電されない回路網が測定
されるようにして組み合わされ得る。たとえば回路網Ｎ
Ｗ１およびＮＷ２が主検査中に既に充電されたならば、
たとえば回路網ＮＷ３は、回路網ＮＷ１への短絡および
（または）回路網ＮＷ２への短絡により充電されてい
る。それぞれの短絡に関与する回路網の確認は一義的な
仕方で可能ではない。図面中に記入されている短絡Ｋ２
およびＫ３はこの際に問題ではない。回路網のなかの中
断および回路網の間の短絡を確認するための主検査に本
発明による第３の後検査が続き、その際に最初にプリン
ト回路板ＬＰのすべての接触点１…２４が放電され、第
１のステップでそれぞれの短絡接触点を介して、たとえ
ば接触点７を介して、それぞれの短絡接触点を有する回
路網、たとえば回路網ＮＷ３、が充電電位に充電され、
また後検査の第２のステップで後検査中にまだ充電され
ない他の回路網、たとえば回路網ＮＷ１およびＮＷ２、
の電位が、それぞれ電位がそれぞれの後検査中に充電さ
れない他の回路網の少なくとも１つの接触点、たとえば
接触点２または５、を介して測定されることにより求め
られる。本発明による第３の後検査の第３のステップ
で、後検査中に充電されない回路網がそれぞれの短絡を
介して充電電位に充電されたとき、主検査の第５のステ
ップで確認されたそれぞれの短絡、たとえば短絡Ｋ１、
が認識され、また、それぞれのまだ充電されていない、
それぞれの短絡に関与する他の回路網、たとえば回路網
ＮＷ２、が決定され、また当該短絡に関与する他の回路
網がそれぞれの短絡接触点、たとえば接触点７、を有す
る回路網と一緒に報知される。こうしてこの後検査によ
り、充電された回路網がそれぞれ他の回路網の意図され
た充電の前に放電されずに、充電された状態にとどまっ
ても、それぞれの短絡に関与する回路網の一義的な対応
付けが可能である。本発明による第２の後検査の際のよ
うに、ここで相応の仕方でたとえばミクロ電界および
（または）表面汚染に基づく検査エラーがたとえば中断
および短絡のような真のプリント回路板エラーから区別
され得る。
絡を確認するための検査は、次のようにして組み合わさ
れ得る。すなわち、それぞれの回路網のなかの中断を確
認するため次々とそれぞれ回路網が充電され、また続い
て既に充電された回路網の１つとそれぞれの回路網との
間の短絡を確認するためまだ充電されない回路網が測定
されるようにして組み合わされ得る。たとえば回路網Ｎ
Ｗ１およびＮＷ２が主検査中に既に充電されたならば、
たとえば回路網ＮＷ３は、回路網ＮＷ１への短絡および
（または）回路網ＮＷ２への短絡により充電されてい
る。それぞれの短絡に関与する回路網の確認は一義的な
仕方で可能ではない。図面中に記入されている短絡Ｋ２
およびＫ３はこの際に問題ではない。回路網のなかの中
断および回路網の間の短絡を確認するための主検査に本
発明による第３の後検査が続き、その際に最初にプリン
ト回路板ＬＰのすべての接触点１…２４が放電され、第
１のステップでそれぞれの短絡接触点を介して、たとえ
ば接触点７を介して、それぞれの短絡接触点を有する回
路網、たとえば回路網ＮＷ３、が充電電位に充電され、
また後検査の第２のステップで後検査中にまだ充電され
ない他の回路網、たとえば回路網ＮＷ１およびＮＷ２、
の電位が、それぞれ電位がそれぞれの後検査中に充電さ
れない他の回路網の少なくとも１つの接触点、たとえば
接触点２または５、を介して測定されることにより求め
られる。本発明による第３の後検査の第３のステップ
で、後検査中に充電されない回路網がそれぞれの短絡を
介して充電電位に充電されたとき、主検査の第５のステ
ップで確認されたそれぞれの短絡、たとえば短絡Ｋ１、
が認識され、また、それぞれのまだ充電されていない、
それぞれの短絡に関与する他の回路網、たとえば回路網
ＮＷ２、が決定され、また当該短絡に関与する他の回路
網がそれぞれの短絡接触点、たとえば接触点７、を有す
る回路網と一緒に報知される。こうしてこの後検査によ
り、充電された回路網がそれぞれ他の回路網の意図され
た充電の前に放電されずに、充電された状態にとどまっ
ても、それぞれの短絡に関与する回路網の一義的な対応
付けが可能である。本発明による第２の後検査の際のよ
うに、ここで相応の仕方でたとえばミクロ電界および
（または）表面汚染に基づく検査エラーがたとえば中断
および短絡のような真のプリント回路板エラーから区別
され得る。
【００１２】既に充電された回路網が他の回路網の電位
の測定に擾乱作用をし得るので、また回路網がプリント
回路板の制限された絶縁能力に基づいて制限された時間
のみ充電された状態にとどまるので、なかんずく、より
大きいプリント回路板では検査すべき回路網の検査群へ
の一括が行われなければならない。最大でも１つの検査
群のすべての回路網しか同時に充電されていないので、
たとえば多くの最終充電ステップおよび検査群の間の短
絡の確認のための追加的ステップが必要であり、このこ
とは追加的な費用を意味する。この理由から検査群を任
意に小さくすることはできない。検査群のある大きさ以
下では状況によっては、エラー、たとえばプリント回路
板の十分でない絶縁能力またはそれぞれの回路網を覆う
電荷雲、に基づいて、検査群が完全に検査される以前に
回路網の放電に通ずることがあり得る。回路網ＮＷ１と
ＮＷ２との間の短絡Ｋ２のみが存在し、また検査群ＴＧ
１の主検査の開始時に回路網ＮＷ１が充電されることか
ら出発すると、たとえば回路網ＮＷ２の電位が短絡の確
認のために測定されるとき、回路網ＮＷ１は既に再び放
電した状態にあり得る。すなわち回路網ＮＷ１は短絡Ｋ
２を介して回路網ＮＷ２をもはや充電し得ず、それによ
って短絡Ｋ２が主検査中に発見されずにとどまる。この
検査エラーを回避するため、回路網のなかの中断および
回路網の間の短絡を確認するための主検査の後に、本発
明による中間検査が主検査とその後続の後検査との間で
行われ得る。本発明による中間検査中に、それぞれの検
査群ＴＧ１のなかのたとえば回路網ＮＷ１のような既に
再び充電されない回路網が、それぞれそれぞれの回路網
の少なくとも１つの接触点、たとえば回路網ＮＷ１の接
触点２、の電位が測定され、またその電位が充電電位に
一致するか否かを確認されることにより求められる。中
間検査中に求められた充電されない回路網、すなわち短
絡の確認のために適していなかった回路網に対しては、
それぞれ本発明による第３の後検査が実行され、その際
に短絡接触点を有する回路網の代わりに、または短絡接
触点を有する回路網に追加して、先行の本発明による中
間検査中に求められた回路網がこの後検査を受ける。こ
うしてたとえば中間検査中に求められた回路網ＮＷ１が
充電され、また、回路網ＮＷ１が主検査中に既に放電さ
れたとしても、回路網ＮＷ２への短絡Ｋ２が求められ
る。
の測定に擾乱作用をし得るので、また回路網がプリント
回路板の制限された絶縁能力に基づいて制限された時間
のみ充電された状態にとどまるので、なかんずく、より
大きいプリント回路板では検査すべき回路網の検査群へ
の一括が行われなければならない。最大でも１つの検査
群のすべての回路網しか同時に充電されていないので、
たとえば多くの最終充電ステップおよび検査群の間の短
絡の確認のための追加的ステップが必要であり、このこ
とは追加的な費用を意味する。この理由から検査群を任
意に小さくすることはできない。検査群のある大きさ以
下では状況によっては、エラー、たとえばプリント回路
板の十分でない絶縁能力またはそれぞれの回路網を覆う
電荷雲、に基づいて、検査群が完全に検査される以前に
回路網の放電に通ずることがあり得る。回路網ＮＷ１と
ＮＷ２との間の短絡Ｋ２のみが存在し、また検査群ＴＧ
１の主検査の開始時に回路網ＮＷ１が充電されることか
ら出発すると、たとえば回路網ＮＷ２の電位が短絡の確
認のために測定されるとき、回路網ＮＷ１は既に再び放
電した状態にあり得る。すなわち回路網ＮＷ１は短絡Ｋ
２を介して回路網ＮＷ２をもはや充電し得ず、それによ
って短絡Ｋ２が主検査中に発見されずにとどまる。この
検査エラーを回避するため、回路網のなかの中断および
回路網の間の短絡を確認するための主検査の後に、本発
明による中間検査が主検査とその後続の後検査との間で
行われ得る。本発明による中間検査中に、それぞれの検
査群ＴＧ１のなかのたとえば回路網ＮＷ１のような既に
再び充電されない回路網が、それぞれそれぞれの回路網
の少なくとも１つの接触点、たとえば回路網ＮＷ１の接
触点２、の電位が測定され、またその電位が充電電位に
一致するか否かを確認されることにより求められる。中
間検査中に求められた充電されない回路網、すなわち短
絡の確認のために適していなかった回路網に対しては、
それぞれ本発明による第３の後検査が実行され、その際
に短絡接触点を有する回路網の代わりに、または短絡接
触点を有する回路網に追加して、先行の本発明による中
間検査中に求められた回路網がこの後検査を受ける。こ
うしてたとえば中間検査中に求められた回路網ＮＷ１が
充電され、また、回路網ＮＷ１が主検査中に既に放電さ
れたとしても、回路網ＮＷ２への短絡Ｋ２が求められ
る。
【００１３】より多くの検査群が形成されると、たとえ
ば回路網ＮＷ２とＮＷ４との間の検査群にわたる短絡Ｋ
３のように、異なった検査群の回路網の間の検査群にわ
たる短絡も生じ得る。別の本発明による中間検査中にそ
れぞれ他の検査群の回路網、たとえば検査群ＴＧ２およ
びＴＧ３の回路網ＮＷ４…ＮＷ９、の電位が他の検査群
のそれぞれの回路網の少なくとも１つの接触点、たとえ
ば検査群ＴＧ２の回路網ＮＷ４の接触点１０、を介して
測定される。それぞれの別の中間検査の第２のステップ
で、それぞれの主検査中に既に充電されたそれぞれの検
査群の回路網の１つから他の検査群のそれぞれの回路網
へのそれぞれの検査群にわたる短絡が、他の検査群のそ
れぞれの回路網の少なくとも１つの検査群にわたる短絡
接触点が既にそれぞれの検査群にわたる短絡を介して充
電電位に充電されたことにより確認される。たとえば検
査群にわたる短絡Ｋ３は、少なくともたとえば検査群Ｔ
Ｇ２の回路網ＮＷ４の短絡接触点１０が既に検査群にわ
たる短絡Ｋ３を介して充電電位に充電されたことにより
確認される。
ば回路網ＮＷ２とＮＷ４との間の検査群にわたる短絡Ｋ
３のように、異なった検査群の回路網の間の検査群にわ
たる短絡も生じ得る。別の本発明による中間検査中にそ
れぞれ他の検査群の回路網、たとえば検査群ＴＧ２およ
びＴＧ３の回路網ＮＷ４…ＮＷ９、の電位が他の検査群
のそれぞれの回路網の少なくとも１つの接触点、たとえ
ば検査群ＴＧ２の回路網ＮＷ４の接触点１０、を介して
測定される。それぞれの別の中間検査の第２のステップ
で、それぞれの主検査中に既に充電されたそれぞれの検
査群の回路網の１つから他の検査群のそれぞれの回路網
へのそれぞれの検査群にわたる短絡が、他の検査群のそ
れぞれの回路網の少なくとも１つの検査群にわたる短絡
接触点が既にそれぞれの検査群にわたる短絡を介して充
電電位に充電されたことにより確認される。たとえば検
査群にわたる短絡Ｋ３は、少なくともたとえば検査群Ｔ
Ｇ２の回路網ＮＷ４の短絡接触点１０が既に検査群にわ
たる短絡Ｋ３を介して充電電位に充電されたことにより
確認される。
【００１４】前記別の本発明による中間検査中に少なく
とも１つの検査群にわたる短絡接触点または検査群にわ
たる短絡、たとえば短絡接触点１０および短絡Ｋ３、が
確認されたならば、本発明によりそれぞれの中間検査の
第３のステップとしてプリント回路板のすべての接触点
１…２４が、この場合にも場合によっては短絡を認識、
するためにまたは検査エラーを確認するために本発明に
よる後検査が実行される以前に、放電される。この本発
明による後検査の際に第１のステップでたとえば検査群
にわたる短絡接触点１０を介して回路網ＮＷ２が充電電
位に充電され、第２のステップで後検査中にまだ充電さ
れない検査群ＴＧ１およびＴＧ３の回路網ＮＷ１…ＮＷ
３およびＮＷ７…ＮＷ９の電位が、それぞれ電位が少な
くとも１つの接触点２、４、７、１７、２０および２２
を介して測定されることにより求められ、また第３のス
テップで前記別の本発明による中間検査の第２のステッ
プで確認されたそれぞれの検査群にわたる短絡Ｋ３が、
後検査中にまだ充電されないそれぞれの他の検査群の回
路網、たとえば検査群ＴＧ１の回路網ＮＷ２、がそれぞ
れの検査群にわたる短絡Ｋ３を介して充電電位に充電さ
れたときに認識される。検査群にわたる短絡Ｋ３が本発
明による後検査中に認識されない場合には、検査エラー
が存在する。
とも１つの検査群にわたる短絡接触点または検査群にわ
たる短絡、たとえば短絡接触点１０および短絡Ｋ３、が
確認されたならば、本発明によりそれぞれの中間検査の
第３のステップとしてプリント回路板のすべての接触点
１…２４が、この場合にも場合によっては短絡を認識、
するためにまたは検査エラーを確認するために本発明に
よる後検査が実行される以前に、放電される。この本発
明による後検査の際に第１のステップでたとえば検査群
にわたる短絡接触点１０を介して回路網ＮＷ２が充電電
位に充電され、第２のステップで後検査中にまだ充電さ
れない検査群ＴＧ１およびＴＧ３の回路網ＮＷ１…ＮＷ
３およびＮＷ７…ＮＷ９の電位が、それぞれ電位が少な
くとも１つの接触点２、４、７、１７、２０および２２
を介して測定されることにより求められ、また第３のス
テップで前記別の本発明による中間検査の第２のステッ
プで確認されたそれぞれの検査群にわたる短絡Ｋ３が、
後検査中にまだ充電されないそれぞれの他の検査群の回
路網、たとえば検査群ＴＧ１の回路網ＮＷ２、がそれぞ
れの検査群にわたる短絡Ｋ３を介して充電電位に充電さ
れたときに認識される。検査群にわたる短絡Ｋ３が本発
明による後検査中に認識されない場合には、検査エラー
が存在する。
【図１】本発明による方法を説明するためのプリント回
路板の斜視図。
路板の斜視図。
１…２４ 接触点
Ｋ１、Ｋ２ 検査群のなかでの短絡
Ｋ３ 検査群にわたる短絡
Ｌ ＮＷ２の導線
ＮＷ１…ＮＷ９ ＬＰの回路網
ＰＥ１…ＰＥ７ 種々の接触点における一次電子線
ＳＥ１…ＳＥ７ 種々の接触点における二次電子線
ＴＧ１…ＴＧ３ 検査群
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特公 平５−62700（ＪＰ，Ｂ２)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01R 31/02
H01L 21/66
Claims (3)
- 【請求項１】 多数の回路網（ＮＷ１…ＮＷ９）を有す
るプリント配線板（ＬＰ）の形態のミクロ配線の検査の
際の検査エラーを認識するための方法であって、各回路
網が多数の接触点（１…２４）を有しており、主検査の
開始前にすべての接触点が零電位を有し、主検査の第１
のステップでそれぞれまだ充電されない回路網（ＮＷ
２）がそれぞれの回路網の接触点（４）を介して零電位
と異なる充電電位に充電され、主検査の第２のステップ
でそれぞれの回路網（ＮＷ２）の充電されなかった接触
点（５、６）の電位が測定され、また主検査の第３のス
テップでそれぞれの回路網（ＮＷ２）の中断（Ｕ）が、
それぞれの回路網の中断接触点（６）、ここで、中断接
触点（６）とは中断（Ｕ）によりそれぞれの回路網（Ｎ
Ｗ２）から中断された接触点である、がそれぞれの回路
網の導線（Ｌ）を介して充電電位に充電されなかったこ
とにより確認される方法において、後検査の前にすべて
の接触点（１…２４）が放電され、後検査の第１のステ
ップでそれぞれの中断接触点（６）が充電電位に充電さ
れ、後検査の第２のステップでそれぞれの回路網（ＮＷ
２）の後検査中に充電されない接触点（４、５）の電位
が測定され、後検査の第３のステップで主検査の第３の
ステップで確認されたそれぞれの中断が、それぞれの回
路網（ＮＷ２）の少なくとも１つの接触点（４、５）が
それぞれの回路網（ＮＷ２）の導線（Ｌ）を介して充電
電位に充電されなかったことを前記後検査の第２のステ
ップでの電位測定の結果が示しているときに認識され、
またそれぞれ主検査中に生じた検査エラーが、主検査の
第３のステップで確認されたそれぞれの中断が認識され
ないときに確認されることを特徴とするミクロ配線検査
の際の検査エラー認識方法。 - 【請求項２】 多数の回路網（ＮＷ１…ＮＷ９）を有す
るプリント配線板（ＬＰ）の形態のミクロ配線の検査の
際の検査エラーを認識するための方法であって、各回路
網が多数の接触点（１…２４）を有しており、主検査の
開始前にすべての接触点が零電位を有し、主検査の第１
のステップでそれぞれまだ充電されない回路網（ＮＷ
２）がそれぞれの回路網（ＮＷ２）の少なくとも１つの
接触点（４）を介して零電位と異なる充電電位に充電さ
れ、主検査の第２のステップでまだ充電されない他の回
路網（ＮＷ３）の電位がそれぞれの他の回路網（ＮＷ
３）の少なくとも１つの接触点（７）を介して測定さ
れ、また主検査の第３のステップで既に充電された回路
網（ＮＷ１、ＮＷ２）の１つからそれぞれの他のまだ充
電されない回路網（ＮＷ３）へのそれぞれの短絡（Ｋ
１）が、それぞれの他のまだ充電されない回路網（ＮＷ
３）の少なくとも１つの短絡接触点（７）、ここで、短
絡接触点（７）とは短絡（Ｋ１）を介して前記回路網
（ＮＷ１、ＮＷ２）の前記１つと接続された回路網（Ｎ
Ｗ３）の接触点である、が既にそれぞれの短絡（Ｋ１）
を介して充電電位に充電されたことにより確認される方
法において、後検査の前にすべての接触点（１…２４）
が放電され、後検査の第１のステップでそれぞれの短絡
接触点（７）を介してそれぞれの短絡接触点（７）の回
路網（ＮＷ３）が充電電位に充電され、後検査の第２の
ステップで後検査中にまだ充電されない回路網（ＮＷ
１、ＮＷ２）の電位が、それぞれ電位がそれぞれの後検
査中にまだ充電されない回路網（ＮＷ１、ＮＷ２）の少
なくとも１つの接触点（２、５）を介して測定されるこ
とにより求められ、後検査の第３のステップで主検査の
第３のステップで確認されたそれぞれの短絡（Ｋ１）
が、後検査中にまだ充電されない回路網（ＮＷ２）がそ
れぞれの短絡（Ｋ１）を介して充電電位に充電されたこ
とを前記後検査の第２のステップでの電位測定の結果が
示しているときに認識され、またそれぞれ主検査中に生
じた検査エラーが、主検査の第３のステップで確認され
たそれぞれの短絡が認識されないときに確認されること
を特徴とするミクロ配線検査の際の検査エラー認識方
法。 - 【請求項３】 多数の回路網（ＮＷ１…ＮＷ９）を有す
るプリント配線板（ＬＰ）の形態のミクロ配線の検査の
際の検査エラーを認識するための方法であって、各回路
網が多数の接触点（１…２４）を有しており、主検査の
開始前にすべての接触点が零電位を有し、主検査の第１
のステップでそれぞれまだ充電されない回路網（ＮＷ
２）がそれぞれの回路網の接触点（４）を介して零電位
と異なる充電電位に充電され、主検査の第２のステップ
でそれぞれの回路網（ＮＷ２）の充電されなかった接触
点（５、６）の電位が測定され、主検査の第３のステッ
プでそれぞれの回路網（ＮＷ２）の中断（Ｕ）が、それ
ぞれの回路網の中断接触点（６）、ここで、中断接触点
（６）とは中断（Ｕ）によりそれぞれの回路網（ＮＷ
２）から中断された接触点である、がそれぞれの回路網
の導線（Ｌ）を介して充電電位に充電されなかったこと
により確認され、主検査の第４のステップでそれぞれま
だ充電されない他の回路網（ＮＷ３）の電位がそれぞれ
の他の回路網（ＮＷ３）の少なくとも１つの接触点
（７）を介して測定され、また主検査の第５のステップ
で既に充電電位に充電された回路網（ＮＷ１、ＮＷ２）
の１つからそれぞれの他のまだ充電されない回路網（Ｎ
Ｗ３）へのそれぞれの短絡（Ｋ１）が、それぞれの他の
まだ充電されない回路網（ＮＷ３）の少なくとも１つの
短絡接触点（７）、ここで、短絡接触点（７）とは短絡
（Ｋ１）を介して前記回路網（ＮＷ１、ＮＷ２）の前記
１つと接続された回路網（ＮＷ３）の接触点である、が
既にそれぞれの短絡（Ｋ１）を介して充電電位に充電さ
れたことにより確認される方法において、後検査の前に
プリント配線板（ＬＰ）のすべての接触点（１…２４）
が放電され、後検査の第１のステップでそれぞれの短絡
接触点（７）を介してそれぞれの短絡接触点（７）の回
路網（ＮＷ３）が充電電位に充電され、後検査の第２の
ステップで後検査中にまだ充電されない他の回路網（Ｎ
Ｗ１、ＮＷ２）の電位が、それぞれ電位が後検査中にま
だ充電されない他の回路網（ＮＷ１、ＮＷ２）の少なく
とも１つの接触点（２、５）を介して測定されることに
より測定され、後検査の第３のステップで主検査の第５
のステップで確認されたそれぞれの短絡（Ｋ１）が、後
検査中にまだ充電されない回路網（ＮＷ２）がそれぞれ
の短絡（Ｋ１）を介して充電電位に充電されたことを前
記後検査の第２のステップでの電位測定の結果が示して
いるときに認識され、またまだ充電されていない、それ
ぞれの短絡（Ｋ１）に関与するそれぞれの他の回路網
（ＮＷ２）が決定され、当該短絡（Ｋ１）に関与するそ
れぞれの他の回路網（ＮＷ２）がそれぞれの短絡接触点
（７）の回路網（ＮＷ３）と一緒に報知され、またそれ
ぞれ主検査中に生じた検査エラーが、主検査の第５のス
テップで確認されたそれぞれの短絡が認識されないとき
に確認されることを特徴とするミクロ配線検査の際の検
査エラー認識方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4134243 | 1991-10-16 | ||
| DE4134243.7 | 1991-10-16 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05215801A JPH05215801A (ja) | 1993-08-27 |
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ID=6442806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30050792A Expired - Lifetime JP3467595B2 (ja) | 1991-10-16 | 1992-10-12 | ミクロ配線検査の際の検査エラー認識方法 |
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|---|---|
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| EP (1) | EP0537505B1 (ja) |
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