JP3467124B2 - レジスト除去用粘着シ―ト類とレジスト除去方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体、回路、各種プ
リント基板、各種マスク、リ─ドフレ─ムなどの微細加
工部品の製造段階における微細パタ―ンの形成工程にお
いて、レジスト膜画像、つまりレジスト材からなる画像
を除去するためのレジスト除去用粘着シ―ト類と、これ
を用いたレジスト除去方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、レジストを用いたリソグラフイ―
工程は種々の分野で利用されている。このリソグラフイ
―工程は、基板上などに塗布したレジストの一部を現像
により取り除いたのち、その除去部分または残存部分に
適宜の加工を施し、対応する基板の部分に所望の機能を
付加することを目的としており、この機能付加を終了し
たのちは、レジストは除去される。

【０００３】たとえば、半導体集積回路装置の製造にお
いては、シリコンウエハなどの半導体基板上にレジスト
材を塗布し、通常のフオトプロセスにより、所定のレジ
スト膜画像（レジストパタ―ン）が形成される。これを
マスクとして、たとえば開孔部にＰ⁺ 、Ｂ⁺ 、Ａｓ⁺ な
どのイオン注入、その他エツチングなど種々の処理が施
される。この際、前記イオンは、レジスト膜画像の上表
面層にも注入される。その後、不要になつたレジスト膜
画像が除去され、所定の回路が形成される。ついで、つ
ぎの回路を形成するため、再度レジスト材を塗布すると
いうサイクルが繰り返し行われる。また、各種基板に回
路を形成する場合も、画像形成後、不要になつた画像が
除去される。

【０００４】この際、不要になつたレジスト膜画像の除
去は、灰化手段（イオンアシストエツチング）、溶剤
（剥離液）や薬品による方法で行われている。しかしな
がら、灰化手段では、レジスト材中の不純物イオンや前
記の注入イオンが半導体基板上に残留し、その後の熱処
理により半導体基板中に導入され、設計どおりの半導体
集積回路の構築が不可能となり、半導体装置の特性を劣
化させる問題がある。また、灰化手段に酸素プラズマを
使用した場合、半導体基板にダメ─ジを与えることがあ
り、半導体装置の信頼性を劣化させる問題もある。

【０００５】また、溶剤（剥離液）や薬品によるウエツ
ト洗浄法（湿式法）では、使用する液による逆汚染の防
止管理、使用後の液の処分などに手間がかかり、とく
に、ＮＨ₄ ＯＨ／Ｈ₂ Ｏ₂ ／Ｈ₂ Ｏ混合液によるＡＰＭ
洗浄ではＳｉ基板がエツチングされるという問題もあ
り、その改善が望まれている。

【０００６】このような不具合を解消するため、最近で
は、特開平４−３４５０１５号、同５−２７５３２４号
などの公報に、レジスト膜画像の上面に粘着シ―ト類を
貼り付け、この粘着シ―ト類とレジスト膜画像とを一体
に剥離除去する、いわゆる、シ―ト工法が提案されてい
る。このシ―ト工法には、前記した灰化手段やウエツト
洗浄法のような問題がないことから、レジスト膜画像の
新しい除去方法として注目されており、その実用化が検
討されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、このシ―ト
工法では、粘着シ―ト中の不純物がレジスト膜中に拡散
しこれが基板表面に転写したり、基板表面に粘着シ―ト
が直接触れる部分（レジスト材が存在しない部分）で
は、粘着剤中の不純物が基板表面に直接転写されるとい
う問題がある。すなわち、この転写物には、アルカリ金
属、アルカリ土類金属、遷移金属、アンチモンなどの金
属が含まれており、これらの金属が工程終了後も基板表
面に残存すると、たとえば、半導体デバイスでは、接合
リ―ク、ＤＲＡＭの電荷保持時間の短縮化などの問題を
生じる。シ―ト工法後に、ＲＣＡ洗浄などを施すことに
より、軽金属は比較的除去可能であるが、微量の遷移金
属などはその除去が極めて困難で、上記問題は解決され
ない。

【０００８】本発明は、このような事情に鑑み、シリコ
ンウエハなどの物品上の不要となつたレジスト膜画像を
粘着シ―ト類を用いて剥離除去するにあたり、粘着シ―
ト類中の不純物がウエハなどの物品表面に転写して電気
的障害による物品の歩留り、信頼性の低下などの問題を
引き起こすのを防止することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的に対し、鋭意検討した結果、まず、ウエハなどに転写
される不純物は、粘着剤中にもともと含まれているもの
だけでなく、基材に含まれている不純物が粘着剤中に拡
散移行してきたり、セパレ―タを貼り合わせているとき
は、このセパレ―タから粘着剤中に拡散移行する現象も
みられること、したがつて、セパレ―タを引き剥がして
ウエハなどに貼り付ける状態において、基材または粘着
剤中に存在する不純物がウエハなどの物品表面に転写
し、前記問題を引き起こすものであることを究明した。

【００１０】また、とくに、基材やセパレ―タなどに含
まれる不純物は、これらの素材となる樹脂、たとえばポ
リエステル樹脂を合成する際に、重合触媒としてアンチ
モンなどの金属元素またはその化合物を用いているた
め、これらの金属元素がシ―ト中に通常１００ｐｐｍ程
度の単位で混入し、これが粘着剤への拡散移行、ひいて
はウエハ表面などへの転写を引き起こすことも究明し
た。

【００１１】これらの知見をふまえ、本発明者らは、ポ
リエステル樹脂などの合成に際し、結晶構造としてダイ
アモンド型格子をつくる元素、たとえば、炭素、珪素、
ゲルマニウム、錫などの周期律第１４族元素またはその
化合物を、重合触媒に用いることにより、この樹脂より
作製される基材またはセパレ―タ中のアンチモンなどの
他種金属元素の量を減少させ、これに同じくアンチモン
などの他種金属元素の量を少なくした粘着剤を設けて、
粘着シ―ト類を作製した。

【００１２】この粘着シ―ト類をレジスト膜画像を有す
るウエハなどの物品上に貼り付け、剥離処理すると、ウ
エハなどの物品表面に転写されるアンチモンなどの金属
元素の量が少なくなり、また重合触媒として用いた周期
律第１４族元素は電気的に活性の低い元素のため、これ
がウエハなどの物品上に転写されてもウエハなどに電気
的障害を与えることがなく、レジスト剥離除去後の物品
の歩留り、信頼性が大幅に改善されることを見い出し、
本発明を完成するに至つた。

【００１３】すなわち、本発明は、物品上に存在するレ
ジスト膜画像を剥離除去するための粘着シ―ト類におい
て、基材上に粘着剤を設け、この粘着剤面に必要により
セパレ―タを貼り合わせてなり、使用に際しセパレ―タ
を剥離した状態での粘着剤とその基材中に含まれる周期
律第１４族元素以外の電気的に活性な金属元素およびそ
の化合物の量が個々の元素の金属元素換算で２０ｐｐｍ
以下であることを特徴とするレジスト除去用粘着シ―ト
類に係るものである。

【００１４】また、本発明は、レジスト膜画像が存在す
る物品上に、上記粘着シ―ト類を貼り付け、これとレジ
スト膜画像とを一体に剥離除去するレジスト除去方法で
あつて、粘着シ―ト類から物品上に転写される周期律第
１４族元素以外の電気的に活性な金属元素およびその化
合物が個々の元素の原子数密度で５×１０^１０ａｔｏｍ
／ｃｍ^２以下であることを特徴とするレジスト除去方法
に係るものである。

【００１５】

【発明の構成・作用】本発明における粘着シ―ト類は、
基材上に厚さが約１０〜２００μｍ程度の粘着剤の層を
設けて、シ―ト状やテ―プ状などの形態としたものであ
り、基材および粘着剤に含まれる周期律第１４族元素以
外の電気的に活性な金属元素およびその化合物の量が個
々の元素の金属元素換算で２０ｐｐｍ以下となることを
特徴とする。また、粘着剤面にセパレ―タを貼り合わせ
るときは、使用に際しこのセパレ―タを剥離した状態で
の基材および粘着剤に含まれる上記電気的に活性な金属
元素およびその化合物の量が上記同様の値となることを
特徴とする。

【００１６】ここで、電気的に活性な金属元素およびそ
の化合物とは、炭素、珪素、ゲルマニウム、錫などの周
期律第１４族元素を除く電気的に活性な金属元素および
その化合物を意味するものであつて、アルカリ金属、ア
ルカリ土類金属、アンチモンなどの金属をはじめとし
て、銅、亜鉛、チタン、マンガンなどの多くの金属元
素、さらにこれらと非金属元素や有機物質との化合物な
ども含まれる。また、これらの金属元素およびその化合
物の含有量として規定した「２０ｐｐｍ以下」は、上記
各元素毎の金属元素換算で表したものである。なおま
た、本明細書において、「周期律第１４族元素」とは、
ＩＵＰＡＣ無機化学命名法改訂版（１９８９）の表示方
法に基づくものである。

【００１７】電気的に活性な金属元素およびその化合物
の含有量を上記値に設定するため、基材およびセパレ―
タとしては、電気的に活性度の低い金属元素またはその
化合物を触媒として重合した樹脂、たとえば、ゲルマニ
ウムなどの周期律第１４族元素の化合物を触媒として重
合したポリエチレンテレフタレ―トなどのポリエステル
樹脂からなるフイルムが好ましい。石英ガラスの繊維で
織られた布、紙などであつて上記値に設定されたものも
好ましい。もちろん、材質にとくに限定されるわけでは
なく、上記含有量が上記値に設定されているかぎり、種
々の材質からなる基材またはセパレ―タを使用してよ
い。

【００１８】基材上に設けられる粘着剤についても同じ
であり、電気的に活性な金属元素およびその化合物の含
有量が、基材との合計量として上記値となるものであれ
ば、従来公知のものを広く使用することができる。一般
には、上記金属元素およびその化合物の含有量が低減さ
れた粘着性ポリマ―に必要によりレジスト浸透性成分、
架橋剤およびその他の配合剤を加えてなる粘着剤が用い
られる。

【００１９】粘着性ポリマ―としては、種々のものが用
いられるが、アクリル酸か、アクリル酸アルキルエステ
ルおよび／またはメタクリル酸アルキルエステルを主モ
ノマ―としたアクリル系ポリマ―が好ましい。このアク
リル系ポリマ―は、上記の主モノマ―と、必要によりカ
ルボキシル基や水酸基を含有するモノマ―、その他の改
質用モノマ―を用いて、これらを常法により溶液重合、
乳化重合、懸濁重合、塊状重合などの方法で重合させる
ことにより、得られるものである。

【００２０】上記のカルボキシル基含有モノマ―として
は、メタクリル酸、マレイン酸、イタコン酸などが、水
酸基含有モノマ―としては、ヒドロキシエチルアクリレ
―ト、ヒドロキシプロピルアクリレ―トなどが、それぞ
れ挙げられる。その他の改質用モノマ―としては、酢酸
ビニル、プロピオン酸ビニル、スチレン、アクリロニト
リル、アクリルアミド、グリシジルメタクリレ―トなど
が挙げられる。これらの改質用モノマ―の使用量として
は、前記した主モノマ―との合計量中、通常、５０重量
％以下であるのが好ましい。

【００２１】なお、上記の重合にあたり、重合触媒や塩
析用の塩などの合成操作の過程で使用する薬剤について
は、前記した基材およびセパレ―タ用の樹脂合成の場合
と同様に、有機化合物または非金属化合物を用いるか、
電気的に不活性な元素であるゲルマニウムなどの周期律
第１４族元素の化合物を用いることにより、アクリル系
ポリマ―中への電気的に活性な金属元素の混入を可及的
に防ぐようにするのが望ましい。活性金属元素をやむを
得ず用いる場合、最終的に十分な精製除去操作を施すこ
とが必要である。

【００２２】このようにして得られるアクリル系ポリマ
―の平均分子量は、重量平均で通常１，０００〜２００
万であるのがよい。分子量が低すぎると、接着剤が低粘
度となつて、保存中に流れるなどの不都合を生じやす
く、また高くなりすぎると、取り扱い上の問題を生じや
すく、いずれも好ましくない。

【００２３】このようなアクリル系ポリマ―をはじめと
する粘着性ポリマ―に必要により配合されるレジスト浸
透性成分とは、レジスト材中に移行または拡散してレジ
スト材を溶解または膨潤する性質を有するものであり、
上記性質の目安として、溶剤を十分に乾燥したレジスト
材をこのレジスト浸透性成分中に浸漬し、たとえば、１
３０℃に２４時間保存したときに、レジスト材が溶解、
膨潤または破壊する程度の性質を有するものであればよ
い。

【００２４】このようなレジスト浸透性成分には、アル
コ―ル類、ケトン類、エステル類、Ｃ_n Ｈ_2nＯ基（Ｈは
Ｃ，Ｏなどの元素で置換されていてもよい）を有する物
質、ペンタエリスリト―ル基を有する物質などがある。
たとえば、アルコ―ル類としては、メチルアルコ―ル、
エチルアルコ―ル、ヘキシルアルコ―ル、ドデシルアル
コ―ルなどが、ケトン類としては、アセトン、エチルメ
チルケトン、ジヘキシルケトンなどが、エステル類とし
ては、酢酸エチル、プロピオン酸エチル、酪酸エチルな
どが、それぞれ挙げられる。

【００２５】Ｃ_n Ｈ_2nＯ基を有する物質としては、エチ
レングリコ―ル、プロピレングリコ―ル、ネオペンチル
グリコ―ル、ヘキサンジオ―ル、デカンジオ―ル、オク
タデカンジオ―ル、ポリエチレングリコ―ル、ポリプロ
ピレングリコ―ル、メトキシ（ポリ）エチレングリコ―
ル、メトキシ（ポリ）エチレングリコ―ル、プロトキシ
（ポリ）エチレングリコ―ル、ブトキシ（ポリ）エチレ
ングリコ―ル、フエノキ（ポリ）エチレングリコ―ル、
グリセリン、ジグリセリン、ポリグリセリン、メチル−
ブタントリオ―ル、ヘキサントリオ―ル、ジメチルヘキ
サントリオ―ル、イソプロピル−オキシメチル−プロパ
ンジオ─ル、ヘキサンテトロ─ル、ヘキセンテトロ─
ル、タリツト、ソルビツトなどがある。

【００２６】その他、Ｃ_n Ｈ_2nＯ基を有する物質には、
ジセチルエ―テル、ビスヒドロキシ（ポリ）エトキシフ
エニル−プロパン、ポリオキシエチレンアルキルフエニ
ルエ―テル類、ポリオキシエチレンアルキルエ―テル
類、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル類、ポリオキシ
エチレンポリオキシプロピレンブロツクポリマ―、ソル
ビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタ
ン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンアルキルアミ
ンエ―テル類、脂肪酸ジエタノ―ルアミド類、ポリオキ
シエチレンラノリン脂肪酸エステル類などが挙げられ
る。

【００２７】ペンタエリスリト─ル基を有する物質とし
ては、ペンタエリスリト─ル、ジペンタエリスリト─
ル、ペンタエリスリト─ルジステアレ─トなどのほか、
ペンタエリスリト─ルテトラポリエチレングリコ─ル、
ペンタエリスリト─ルテトラポリプロピレングリコ─ル
などのエチレンオキサイド付加物、プロピレンオキサイ
ド付加物、ブチレンオキサイド付加物などが挙げられ
る。

【００２８】これらのレジスト浸透性成分は、粘着性ポ
リマ―１００重量部に対して、通常１〜５０重量部、好
ましくは５〜３０重量部の割合で用いられる。この使用
量が少なすぎると、レジスト材への移行，拡散によつて
レジスト膜画像の剥離性を高めるという効果が小さくな
り、また逆に多すぎると、レジスト材へ移行，拡散した
ときにレジストが溶解してしまつて、レジスト膜画像の
形が崩れ、この画像の除去後に異物が残りやすく、いず
れも好ましくない。

【００２９】粘着性ポリマ―に配合される架橋剤は、粘
着性ポリマ―を架橋して凝集力を高め、レジスト膜画像
への貼り付け作業性などに好結果を与えるものである。
たとえば、カルボキシル基や水酸基含有モノマ―を共重
合させたアクリル系ポリマ―に対し、上記官能基と反応
する多官能性化合物として、ポリイソシアネ―ト化合
物、メラミン化合物、ポリエポキシ化合物、各種金属
塩、キレ―ト化合物などを配合しておき、シ―ト状など
の成形段階で上記反応を促進させることにより、上記ポ
リマ―の架橋を行わせることができる。

【００３０】このような架橋剤の使用量としては、粘着
性ポリマ―１００重量部に対して、通常２０重量部以下
とすればよい。架橋剤の使用量が多すぎると、架橋に関
与しない成分がレジストの存在しない半導体基板表面な
どに移行し、これがパ―テイクルとして付着残存するた
め、好ましくない。

【００３１】粘着剤に配合される架橋剤以外の配合剤と
しては、微粉シリカなどの充填剤が挙げられ、これは架
橋剤とほぼ同じ目的で用いられる。その他、粘着付与
剤、着色剤、老化防止剤などの各種の配合剤を配合する
ようにしてもよい。これらの配合剤は、通常の使用量で
用いられる。

【００３２】このような配合成分を含む粘着剤は、より
良好な剥離効果を得るため、硬化型粘着剤であることが
好ましい。この場合、通常は、上記の配合成分のほか
に、硬化性化合物や、硬化触媒としての重合開始剤が配
合される。また、光硬化型のものでは、熱による重合反
応を防止する観点から、重合禁止剤として、たとえば、
ハイドロキノン、ベンゾキノン、ブチルカテコ―ル、ト
リ−ｐ−ニトロフエニルメチルなどを配合することもで
きる。

【００３３】硬化性化合物は、分子内に不飽和二重結合
を１個以上有する化合物であつて、分子量が通常１０，
０００以下であるのがよく、より好ましくは硬化時の粘
着剤の三次元網状化が効率よくなされるように、５，０
００以下の分子量を有しているのがよい。また、この硬
化性化合物は、その一部または全部がレジスト浸透性で
あることが望ましく、この場合、前記のレジスト浸透性
成分の一部または全部をこの硬化性化合物に置き換えて
使用してもよい。

【００３４】レジスト浸透性の硬化性化合物としては、
レジスト浸透性成分として例示した前記のＣ_n Ｈ_2nＯ基
を有する物質やペンタエリスリト―ル基を有する物質に
さらに（メタ）アクリレ―ト基を導入した物質などが挙
げられる。たとえば、ポリエチレングリコ―ル（メタ）
アクリレ―トや、ペンタエリスリト─ルトリアクリレ─
ト、ペンタエリスリト─ルテトラアクリレ─ト、ジペン
タエリスリト─ルモノヒドロキシペンタアクリレ─ト、
ジペンタエリスリト─ルヘキサアクリレ─ト、ジペンタ
エリスリト─ルテトラアクリレ─ト、ジペンタエリスリ
ト─ルヘキサ−５−ヒドロキシカプロエ─トアクリレ─
ト、これらのエチレンオキサイド付加物、プロピレンオ
キサイド付加物、ブチレンオキサイド付加物などがあ
る。

【００３５】硬化性化合物としては、上記のレジスト浸
透性の化合物以外に、たとえば、トリメチロ─ルプロパ
ントリアクリレ─ト、テトラメチロ─ルメタントリアク
リレ─ト、テトラメチロ─ルメタンテトラアクリレ─
ト、市販のオリゴエステルアクリレ─トなどの通常の硬
化性化合物を使用してもよい。また、特公平５−２５９
０７号公報（とくに従来技術の欄）に開示されているよ
うなオルガノポリシロキサン組成物や、その他、下記の
ポリオ─ル化合物と多価イソシアネ―ト化合物とヒドロ
キシ（メタ）アクリレ─トなどより合成されるウレタン
アクリレ─ト系オリゴマ─などを使用することもでき
る。

【００３６】上記のポリオ─ル化合物としては、エチレ
ングリコ─ル、プロピレングリコ─ル、ジエチレングリ
コ─ル、ブタンジオ─ル、ペンタンジオ―ル、トリメチ
ロ─ルエタン、トリメチロ─ルプロパン、ペンタエリス
リト─ルなどが挙げられる。また、多価イソシアネ―ト
化合物としては、トルエンジイソシアネ―ト、フエニレ
ンジイソシアネ―ト、ヘキサメチレンジイソシアネ―
ト、ジフエニルメタンジイソシアネ─ト、ジメチルジフ
エニルジイソシアネ―ト、ジシクロヘキシルメタンジイ
ソシアネ―ト、キシレンジイソシアネ―トなどが挙げら
れる。さらに、ヒドロキシ（メタ）アクリ─トとして
は、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレ─ト、ポリ
エチレングリコ─ル（メタ）アクリレ─ト、ペンタエリ
スリト─ルトリアクリレ─トなどが挙げられる。

【００３７】これらの硬化性化合物は、粘着性ポリマ―
１００重量部に対して、通常５〜１５０重量部、好まし
くは１０〜１２０重量部、さらに好ましくは、２０〜１
００重量部の使用量とするのがよい。この使用量が少な
すぎると、レジスト材の剥離効果が十分でなくなる場合
があり、また多すぎると、保存時に粘着剤が流れ出すお
それがあるため、好ましくない。

【００３８】硬化触媒としての重合開始剤は、熱硬化の
場合は、ベンゾイルパ―オキサイド、アゾビスイソブチ
ロニトリルなどの加熱によりラジカルを発生する熱重合
開始剤が用いられる。また、紫外線などの光硬化の場合
は、ベンゾイン、ベンゾインエチルエ―テル、ジベンジ
ル、イソプロピルベンゾインエ―テル、ベンゾフエノ
ン、ミヒラ―ズケトンクロロチオキサントン、ドデシル
チオキサントン、ジメチルチオキサントン、アセトフエ
ノンジエチルケタ―ル、ベンジルジメチルケタ―ル、α
−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン、２−ヒド
ロキシメチルフエニルプロパンなどの光重合開始剤が用
いられる。使用量は、粘着性ポリマ―１００重量部に対
して、通常０．５〜１５重量部である。

【００３９】本発明においては、このような基材と粘着
剤とで構成される粘着シ―ト類を用いて、これを、粘着
面にセパレ―タを貼り合わせているときはこのセパレ―
タを剥離したうえで、レジスト膜画像を有する半導体基
板などの物品上に貼り付け、レジスト膜画像と粘着剤と
を一体化させる。この貼り付け一体化を促進するため
に、上記貼り付け時に加熱および／または加圧すること
が好ましい。

【００４０】つぎに、粘着シ―ト類が硬化型粘着剤から
なるときは、加熱または光照射などによる所定の硬化処
理を行う。この際、半導体基板などの物品に与える熱的
影響を考慮に入れるならば、光照射による硬化処理がと
くに好適であり、その照射量は、紫外線では３００〜２
０，０００ｍｊ／ｃｍ² の範囲とするのがよい。なお、
このような光照射による硬化を行う場合は、基材として
あらかじめ紫外線などの光を透過するものが選択使用さ
れる。

【００４１】このように貼り付けおよび所要の硬化処理
を施したのち、粘着シ―ト類とレジスト膜画像を一体に
剥離処理すると、物品上から上記画像が簡単に除去され
る。ここで、粘着シ―ト類に含まれる周期律第１４族元
素以外の電気的に活性な金属元素およびその化合物の量
が個々の元素の金属元素換算で２０ｐｐｍ以下であるた
め、レジスト除去後の物品表面に転写される上記金属元
素およびその化合物の量は個々の元素の原子数密度で５
×１０^１０ａｔｏｍ／ｃｍ^２以下に抑えられる。このた
め、半導体基板などの物品に対してなんら電気的損傷を
与えず、上記物品の製造における歩留りや信頼性の向上
に好結果がもたらされる。

【００４２】

【発明の効果】以上のように、本発明のレジスト除去用
粘着シ―ト類とレジスト除去方法は、半導体、回路、各
種プリント基板、各種マスク、リ―ドフレ―ムなどの微
細加工部品の製造段階での微細パタ―ンの形成工程にお
いて、レジスト膜画像を除去するために用いられて、上
記画像を簡便にかつ確実に剥離除去できるとともに、上
記画像が除去される半導体基板などの物品表面に粘着シ
―ト類中の不純物が転写されて電気的障害による物品の
歩留り、信頼性の低下などの問題を引き起こす心配がな
く、上記歩留り、信頼性の向上を図ることができる。

【００４３】

【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。なお、以下、部とあるのは重量部を意
味するものとする。

【００４４】実施例１ 基材として、ゲルマニウム系重合触媒を用いて合成した
ポリエチレンテレフタレ―トからなる厚さが５０μｍの
フイルムＡを使用し、この上に、アクリル系ポリマ―Ａ
１００部、ポリエチレングリコ―ルアクリレ―ト（分子
量３０８）７０部、ポリイソアネ―ト化合物３部および
α−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン３部から
なるアクリル系粘着剤溶液ａを、乾燥後の厚さが３０μ
ｍとなるように塗布、乾燥して、レジスト除去用粘着シ
―トを作製した。

【００４５】実施例２ アクリル系粘着剤溶液ａに代えて、アクリル系ポリマ―
Ｂ１００部、ポリエチレングリコ―ルアクリレ―ト（分
子量７０８）５０部、ポリイソアネ―ト化合物３部およ
びα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケトン３部か
らなるアクリル系粘着剤溶液ｂを用いた以外は、実施例
１と同様にして、レジスト除去用粘着シ―トを作製し
た。

【００４６】実施例３ アクリル系粘着剤溶液ａに代えて、アクリル系ポリマ―
Ｃ１００部、ジペンタエリスリト―ルヘキサ−５−ヒド
ロキシカプロエ―トアクリレ―ト５０部、ポリイソアネ
―ト化合物３部およびα−ヒドロキシシクロヘキシルフ
エニルケトン３部からなるアクリル系粘着剤溶液ｃを用
いた以外は、実施例１と同様にして、レジスト除去用粘
着シ―トを作製した。

【００４７】実施例４ セパレ―タとして、実施例１で基材として用いたポリエ
チレンテレフタレ―トフイルムＡの片面をシリコン処理
してなるセパレ―タＡを使用し、このセパレ―タＡを実
施例１で作製した粘着シ―トの粘着面に貼り合わせるこ
とにより、セパレ―タ付きのレジスト除去用粘着シ―ト
とした。

【００４８】比較例１ 基材として、アンチモン系重合触媒を用いて合成したポ
リエチレンテレフタレ―トからなる厚さが５０μｍのフ
イルムＢを使用し、この上に、実施例１のアクリル系粘
着剤溶液ａを、乾燥後の厚さが３０μｍとなるように塗
布、乾燥して、レジスト除去用粘着シ―トを作製した。

【００４９】比較例２ アクリル系粘着剤溶液ａに代えて、実施例２のアクリル
系粘着剤溶液ｂを用いた以外は、比較例１と同様にし
て、レジスト除去用粘着シ―トを作製した。

【００５０】比較例３ アクリル系粘着剤溶液ａに代えて、実施例３のアクリル
系粘着剤溶液ｃを用いた以外は、比較例１と同様にし
て、レジスト除去用粘着シ―トを作製した。

【００５１】比較例４ 比較例１で作製した粘着シ―トの粘着面に、実施例４の
セパレ―タＡを貼り合わせることにより、セパレ―タ付
きのレジスト除去用粘着シ―トとした。

【００５２】以上の実施例１〜４および比較例１〜４の
各レジスト除去用粘着シ―トについて、基材および粘着
剤中に含まれる金属元素およびその化合物の量（金属元
素換算）を測定した。結果は、表１，表２に示されると
おりであつた。なお、上記測定は、チタンおよびゲルマ
ニウムについては、下記の元素分析法１により、その他
の元素については、下記の元素分析法２により、それぞ
れ行つた。また、実施例４および比較例４のセパレ―タ
付きのレジスト除去用粘着シ―トは、セパレ―タを剥離
したうえで、上記測定を行つたものである。

【００５３】＜元素分析法１＞ 基材と粘着剤とからなる粘着シ―トを石英坩堝中で加
熱した。灰化物を硫硝酸で分解し、加熱して硫酸を蒸
発除去したのち、希硝酸を加えた。溶解物を蒸留水で
希釈し、ＩＣＰ発光分析で定量した。とくに、ゲルマ
ニウムは揮散しやすい元素であるため、分解作業は穏や
かな条件で行い、添加回収試験を行つて収率を確認し
た。

【００５４】＜元素分析法２＞ 基材と粘着剤とからなる粘着シ―トを白金皿中５５０
℃で加熱した。灰化物を硫硝酸で溶解した。希塩酸
で希釈し、ＩＣＰ発光分析で定量した。とくに、アン
チモンは揮散しやすい元素であるため、分解作業は穏や
かな条件で行い、添加回収試験を行つて収率を確認し
た。

【００５５】

【表１】

【００５６】

【表２】

【００５７】つぎに、上記の実施例１〜４および比較例
１〜４の各レジスト除去用粘着シ―トを用いて、以下の
要領により、レジスト膜画像の除去試験を行つた。ま
ず、下記の方法でシリコンウエハ上に作製したレジスト
膜画像の全面に、各粘着シ―トを、１３０℃の加熱板上
で圧着して貼り付けた。つぎに、高圧水銀ランプにより
紫外線を１Ｊ／ｃｍ² の照射量で照射して硬化処理し
た。その後、この粘着シ―トを剥離したところ、いずれ
の粘着シ―トにおいても、上記のレジスト膜画像は粘着
シ―トと一体に剥離除去された。

【００５８】＜レジスト膜画像の作製＞シリコンウエハ
（半導体基板）の表面に、クレゾ―ルノボラツク樹脂と
ポリヒドロキシ化合物のナフトキノンジアジドスルホン
酸エステルと乳酸エチルからなるポジ型フオトレジスト
を塗布し、加熱、露光、現像、ポストベ―クを行い、レ
ジスト膜画像（レジストパタ―ン）を全表面に形成し
た。その後、Ｐ⁺ イオンを１×１０¹²ｉｏｎｓ／ｃｍ²
の濃度で全面に注入した。

【００５９】上記のレジスト膜画像の除去試験におい
て、粘着シ―トによる剥離除去後に、シリコンウエハ表
面に転写された金属元素を、全反射蛍光Ｘ線分析によ
り、Ｗ−Ｌβ１線、Ｍｏ−Ｋα１線で分析した。定量に
は既知濃度のＮｉで汚染したシリコンウエハを用いた。
結果は、表３に示されるとおりであつた。

【００６０】なお、表３中、「ＮＤ」は検出下限値以下
であることを意味し、各金属元素の検出下限値は、以下
のとおりである。 Ｋ ： ２．０ ×１０¹⁰ ａｔｏｍ／cm² Ｃａ ： １．６ ×１０¹⁰ ａｔｏｍ／cm² Ｔｉ ： １．０ ×１０¹⁰ ａｔｏｍ／cm² Ｍｎ ： ０．４０×１０¹⁰ ａｔｏｍ／cm² Ｆｅ ： ０．３２×１０¹⁰ ａｔｏｍ／cm² Ｎｉ ： ０．２０×１０¹⁰ ａｔｏｍ／cm² Ｃｕ ： ０．１８×１０¹⁰ ａｔｏｍ／cm² Ｚｎ ： ０．１５×１０¹⁰ ａｔｏｍ／cm² Ｇｅ ： ２．０ ×１０¹⁰ ａｔｏｍ／cm² Ｓｂ ： ３．３ ×１０¹⁰ ａｔｏｍ／cm²

【００６１】

【表３】

【００６２】つぎに、上記の実施例１〜４および比較例
１〜４の各レジスト除去用粘着シ―トを、シリコンウエ
ハに直接、つまりレジスト膜画像を介さないで貼り付け
たときの不純物（金属元素）の転写性を調べた。すなわ
ち、超純水で洗浄したシリコンウエハのミラ―面に粘着
シ―トを貼り付け、高圧水銀ランプで紫外線を１Ｊ／ｃ
ｍ² の照射量で照射して硬化処理し、その後剥離した。
剥離後に、シリコンウエハのミラ―面に転写された金属
元素を、前記と同様にして分析した。結果を、超純水で
洗浄した直後の、つまり粘着シ―トを貼り付ける前のシ
リコンウエハのミラ―面の分析結果（対照例１）ととも
に、表４に示した。

【００６３】

【表４】

【００６４】以上の表１，表２の結果から、比較例１〜
４の各粘着シ―トでは、基材および粘着剤に含まれるア
ンチモンの量が１５０ｐｐｍ以上の高い値となつている
のに対し、本発明の実施例１〜４の各粘着シ―トでは、
上記アンチモンの量が非常に少なくなつており、またア
ンチモン以外の他の金属元素（ゲルマニウムを除く）も
同様に低い値を示している。

【００６５】また、表３の結果から、比較例１〜４の各
粘着シ―トを用いて、シリコンウエハ上のレジスト膜画
像を剥離処理すると、シリコンウエハ表面に転写される
アンチモンの転写量は、（７．１〜１４）×１０¹⁰ａｔ
ｏｍ／cm² という高い値となるが、本発明の実施例１〜
４の各粘着シ―トでは、上記の転写量が検出下限値の
３．３×１０¹⁰ａｔｏｍ／cm² 以下という低い値となつ
ている。

【００６６】さらに、表４の結果から、比較例１〜４の
各粘着シ―トをシリコンウエハ上に直接貼り付けると、
上記転写量が（６．８〜９．２）×１０¹¹ａｔｏｍ／cm
² とより一段と増大するが、本発明の実施例１〜４の各
粘着シ―トでは、いぜんとして、検出下限値の３．３×
１０¹⁰ａｔｏｍ／cm² 以下に抑えられており、シリコン
ウエハ上に直接貼り付けるときでも、上記転写量は大き
く低減される。

【００６７】これらの結果からも明らかなように、比較
例１〜４の各粘着シ―トを用いて、シリコンウエハ上の
レジスト膜画像を剥離処理する方法では、粘着シ―ト中
の不純物元素の転写によりウエハに電気的障害が起こ
り、ウエハの歩留り、信頼性の低下などの問題を引き起
こす心配が高いが、本発明の実施例１〜４の各粘着シ―
トを用いたときには、このような問題が低減され、ウエ
ハの歩留り、信頼性の向上に大きく寄与できるものであ
ることがわかる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 雅之 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (72)発明者 橋本 浩一 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (72)発明者 原田 千秋 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日 東電工株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−267893（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−151298（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−345015（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 C09J 7/02

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 物品上に存在するレジスト膜画像を剥離
   除去するための粘着シ―ト類において、基材上に粘着剤
   を設け、この粘着剤面に必要によりセパレ―タを貼り合
   わせてなり、使用に際しセパレ―タを剥離した状態での
   粘着剤とその基材中に含まれる周期律第１４族元素以外
   の電気的に活性な金属元素およびその化合物の量が個々
   の元素の金属元素換算で２０ｐｐｍ以下であることを特
   徴とするレジスト除去用粘着シ―ト類。
2. 【請求項２】 レジスト膜画像が存在する物品上に、請
   求項１に記載の粘着シ―ト類を貼り付け、これとレジス
   ト膜画像とを一体に剥離除去するレジスト除去方法であ
   つて、粘着シ―ト類から物品上に転写される周期律第１
   ４族元素以外の電気的に活性な金属元素およびその化合
   物が個々の元素の原子数密度で５×１０^１０ａｔｏｍ／
   ｃｍ^２以下であることを特徴とするレジスト除去方法。