JP2003294420A - 試料面高さ調整装置とオートフォーカス装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 外乱的な戻り光によるフォーカス位置の変動
を招くことなく、光学系とフォトマスクとの距離を焦点
深度内に保つことができ、欠陥検査精度の向上をはか
る。 【解決手段】 ＬＳＩパターンが形成されたフォトマス
ク１１の表面を、該表面に対向配置される検査光学系１
３の焦点位置に合わせるためのオートフォーカス装置で
あって、光源２１からフォトマスク１１の表面に測定光
を照射し、その反射光を光センサ２２で検出し、検出信
号をＡ／Ｄ変換器３１により一定周期でサンプリング
し、高さ測定回路３２によりＡ／Ｄ変換された信号を一
時的に記憶し、一定期間の複数の測定信号のヒストグラ
ム分布を求め、ヒストグラム分布に基づいて試料表面の
高さ位置を測定し、測定された高さ位置に基づいてＺテ
ーブル駆動回路３３によりフォトマスク１１を載置した
Ｚテーブル１２を駆動する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、試料面の高さを目
標位置に調整するための試料面高さ調整装置に関する。
また、欠陥検査装置などの検査光学系の焦点位置に試料
面を合わせるためのオートフォーカス装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】大規模集積回路（ＬＳＩ）の製造におけ
る歩留まりの低下の大きな原因の一つとして、デバイス
をフォトリソグラフィ技術で製造する際に使用されるフ
ォトマスクに生じているパターンの欠陥があげられてお
り、かかる欠陥を検査するための種々の欠陥検査装置が
開発され実用化されている。

【０００３】この種の欠陥検査装置おいて、検査の対象
となるフォトマスクのパターンは、クロム等の金属膜を
ガラス基板上に蒸着した後、露光，エッチングプロセス
により形成される。これらフォトマスクのパターンは年
々微細化が進み、そのためパターン像を撮像するための
検査光学系は高倍率化と高ＮＡ化が行われている。

【０００４】光学系の高倍率化と高ＮＡ化により、像を
鮮明に結像することができる光学系とフォトマスクとの
距離の許容範囲である焦点深度が益々狭くなり、光学系
とフォトマスクとの距離が僅かに変化しただけで、パタ
ーン像がぼやけ、その後の欠陥検出処理に支障をきたす
ようになってきた。

【０００５】そのため、光学系とフォトマスクとの距離
を常に一定に保持するためのオートフォーカス装置が用
いられている。このオートフォーカス装置では、測定光
をフォトマスクに照射し、フォトマスクから反射した光
を光検出素子により電気信号に変換し、その電気信号の
変化からフォトマスクの高さ位置を測定し、フォトマス
クと光学系との距離が常に一定になるように制御してい
る。具体的には、フォトマスクの測定位置に応じて、フ
ォトマスクを載置したステージを高さ方向（Ｚ方向）に
移動している。

【０００６】しかしながら、この種のオートフォーカス
装置にあっては、次のような問題があった。即ち、測定
光がフォトマスクに描かれているパターンのエッジを横
切る際に、エッジでの散乱光や回折光、反射率分布によ
る光量むらが原因となって、光検出素子での光強度分布
が変化する。その結果として測定値が変動し、変化した
測定値に合わせるようにステージを制御してしまうた
め、観察像がボケてしまう問題があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このように従来、フォ
トマスクに描画されているパターンの微細化により、検
査光学系の高倍率化や高ＮＡ化が進み、そのため観察像
を鮮明に結像できる焦点深度が益々狭くなり、フォトマ
スク上に描画されているパターンで発生する測定光の回
折などによる外乱的な戻り光によるフォーカス位置の変
動が無視できなくなってきた。

【０００８】本発明は、上記事情を考慮して成されたも
ので、その目的とするところは、試料面の高さを目標と
する位置に精度良く調整することのできる試料面高さ調
整装置を提供することにある。

【０００９】また、本発明の他の目的は、外乱的な戻り
光によるフォーカス位置の変動を招くことなく、光学系
と試料表面との距離を焦点深度内に保つことができ、欠
陥検査精度の向上等に寄与し得るオートフォーカス装置
を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】（構成）上記課題を解決
するために本発明は次のような構成を採用している。

【００１１】即ち本発明は、試料の高さ方向の調整を行
う試料面高さ調整装置であって、試料の表面に測定光を
照射する光源と、前記測定光の照射による前記試料の表
面からの反射光を検出する光検出素子と、前記光検出素
子の出力を一定周期でサンプリングするＡ／Ｄ変換器
と、前記Ａ／Ｄ変換された測定信号を一時記憶するメモ
リと、前記メモリに記憶された一定期間の複数の測定信
号のヒストグラム分布を求めるヒストグラム分布回路
と、前記求められたヒストグラム分布に基づいて前記試
料の高さ位置を調整する手段と、を具備してなることを
特徴とする。

【００１２】また本発明は、所定のパターンが形成され
た試料の表面を、該表面に対向配置される光学系の焦点
位置に合わせるためのオートフォーカス装置であって、
前記試料の表面に測定光を照射する光源と、前記測定光
の照射による前記試料の表面からの反射光を検出する光
検出素子と、前記光検出素子の出力を一定周期でサンプ
リングするＡ／Ｄ変換器と、前記Ａ／Ｄ変換された測定
信号を一時的に記憶するメモリと、前記メモリに記憶さ
れた一定期間の複数の測定信号のヒストグラム分布を求
めるヒストグラム分布回路と、前記求められたヒストグ
ラム分布に基づいて試料表面の高さ位置を判定する高さ
判定回路と、前記判定された高さ位置に基づいて前記試
料及び光学系の少なくとも一方を高さ方向に移動制御す
る手段と、を具備してなることを特徴とする。

【００１３】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は次のものが挙げられる。

【００１４】(1) 光学系は、試料表面のパターンの欠陥
を検査するための検査光学系であること。

【００１５】(2) 試料はステージ上に載置されており、
高さ判定回路により判定された高さ位置に基づいてステ
ージが高さ方向に移動されること。

【００１６】(3) 試料表面の高さ位置を測定するための
光学系は、試料の表面に対し斜め方向から光を照射し、
その反射光をＰＳＤ（Position Sensitive Device）等
の位置センサで受光する、いわゆる斜入射照明系である
こと。

【００１７】(4) 試料を高さ方向と直交する平面内で一
方向に連続的に移動しながら高さ判定を行い、且つ測定
光を試料の表面上で該試料の移動方向と直角でない方向
にスキャンすること。

【００１８】(5) 高さ判定回路は、ヒストグラム分布で
度数の一番多いところを測定高さと判定し、且つ測定高
さ判定位置に指定するオフセット量を加えた位置を最終
的な測定高さとすること。

【００１９】(6) 高さ判定回路は、ヒストグラム分布で
度数の多いところが複数存在する場合は、それぞれの度
数の多いところの測定高さの平均位置を測定高さとする
か、何れかの度数の多い位置を選択的に測定高さ判定位
置とし、且つ測定高さ判定位置に指定するオフセット量
を加えた位置を最終的な測定高さとすること。

【００２０】（作用）本発明では、試料の表面から反射
して戻ってきた測定光を光検出素子により電気信号に変
換し、得られた電気信号で試料の高さ位置を測定するの
ではなく、得られた電気信号から一定の周期毎にヒスト
グラム分布を求め、得られたヒストグラム分布から試料
の高さ位置を測定する。こうすることにより、パターン
エッジで発生する散乱光や回折光、光量むらなど一時的
な外乱の影響は、ヒストグラム分布上では度数が低くな
り、高さ測定への影響を無くすことができる。

【００２１】従って本発明によれば、試料面の高さを目
標とする位置に精度良く調整することが可能となる。よ
り具体的には、外乱的な戻り光によるフォーカス位置の
変動を招くことなく、光学系と試料表面との距離を焦点
深度内に保つことができ、欠陥検査精度の向上等に寄与
することが可能となる。

【００２２】また、このようにして得られた測定高さに
対して、オフセット量も考慮して、試料載置のステージ
を制御することにより、光検出素子で得られた高さ情報
に対して、対象物上のプロセス等の影響により、少し高
さを変えたい場合などにも有効に対応することができ
る。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。

【００２４】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係わるオートフォーカス装置を示す概略構
成図である。本構成は一般的な斜入射型の変位計であ
り、マスク高さ変位を反射光の光軸変位から検出するも
のである。

【００２５】フォトマスク（試料）１１は垂直方向に移
動可能なＺテーブル１２上に載置されており、このＺテ
ーブル１２は図示しないＸＹテーブルにより水平方向に
移動可能となっている。フォトマスク１１の上方には、
マスクパターンの欠陥を検出するための欠陥検査用光学
系１３が配置されている。検査用光学系１３は、ＣＣＤ
等からなるラインセンサを備えたもので、フォトマスク
１１の一方向の移動により上記ライン幅で短冊状の領域
を検査し、これを繰り返すことによりフォトマスク１１
の全体の検査が可能となっている。なお、本実施形態に
おけるオートフォーカスとは、この検査用光学系１３の
焦点位置をフォトマスク１１の表面に合わせるものであ
る。

【００２６】オートフォーカス機構は、検査対象となる
フォトマスク１１に対して高さ測定用の光を照射する光
源２１と、フォトマスク１１を反射した光の位置を測定
するＰＳＤ等の光センサ２２を主とする光学的測定系を
具備している。この光学的測定系には、さらにフォトマ
スク１１に光を集光するための集光レンズ２３が光源２
１とＺテーブル１２の間に、センサ２２に光を集光する
ための対物レンズ２４がＺテーブル１２とセンサ２２の
間に配置されている。また、測定光が固定されている
と、測定光がちょうどパターンのエッジにかかった状態
が続いた場合にパターンエッジの影響を受け続けてしま
うため、光源２１とフォトマスク１１の間に可動ミラー
２５を配置し、このミラー２５を微小な角度を高速で振
ることによりフォトマスク１１上で測定光をスキャン
し、パターンエッジの影響を受け続けないようにしてい
る。また、フォトマスク１１とセンサ２２との間に可動
ミラー２６を配置し、可動ミラー２５，２６を同期して
振ることにより、センサ２２上で反射光が振れないよう
にしている。

【００２７】センサ２２で得られた電気信号は、Ａ／Ｄ
変換器３１によりデジタル信号に変換されて高さ測定回
路３２に供給される。高さ測定回路３２では、入力され
たオフセット値と目標高さに対する差分信号が出力され
る。このオフセット値の入力により、測定高さに対して
希望するオフセット量を与え、目標高さに対する差分信
号を変化させている。こうすることにより、測定高さに
対して希望量だけずらして位置決めすることが可能とな
っている。

【００２８】高さ測定回路３２で出力される目標値との
差分信号は、Ｚテーブル１２を駆動するためのＺテーブ
ル駆動回路３３に供給される。Ｚテーブル駆動回路３３
では、差分信号に従ってＺテーブル１２を駆動し、光学
系１３とフォトマスク１１との距離が常に一定になるよ
うに制御する。なお、高さ測定回路３２に与えているオ
フセット値は、Ｚテーブル駆動回路３３に与える構成と
してもよい。

【００２９】また、光学系１３とフォトマスク１１との
距離が常に一定になるように制御するためには、フォト
マスク１１をＺ方向に駆動する構成の代わりに、光学系
１３をＺ方向に駆動する構成を採用してもよい。

【００３０】高さ測定回路３２の具体的構成を、図２に
示す。高さ測定回路３２は、メモリ回路４１，ヒストグ
ラム分布回路４２，及び高さ判定回路４３から構成され
ている。メモリ回路４１には、図１の光センサ２２から
出力された電気信号を図１のＡ／Ｄ変換器３１で一定の
サンプリング周期でＡ／Ｄ変換した測定信号が入力され
る。メモリ回路４１は、ＦＩＦＯのように常に新しいデ
ータが残るように構成されたもので、Ａ／Ｄ変換された
測定信号を一定量記憶する。ヒストグラム分布回路４２
はメモリ回路４１と接続されており、メモリ回路４１に
記憶されている測定信号の中の一定数の測定信号を参照
し、そのヒストグラム分布を求めるようになっている。

【００３１】高さ判定回路４３は、ヒストグラム分布回
路４２で求められたヒストグラム分布から測定高さを判
定する回路である。この高さ判定回路４３には、外部か
らオフセット値を指定できるようになっており、ヒスト
グラム分布回路４２で求められたヒストグラム分布から
判断した測定高さに対して、指定されたオフセット量を
考慮して、Ｚステージ１２を駆動するための目標高さと
の差分信号を出力するようになっている。ここで、メモ
リ回路４１，ヒストグラム分布回路４２，高さ判定回路
４３は、処理速度に問題が無ければプログラムで構成す
ることも可能である。

【００３２】次に、図３を使用して、ヒストグラムから
試料面の高さ位置を判定する方法を説明する。光センサ
２２の出力を一定のサンプリング周期でＡ／Ｄ変換した
測定信号を時間の流れに沿って表示したのが（ａ）であ
る。この中から一定期間の測定信号を抜き出したイメー
ジが（ｂ）である。この（ｂ）の測定信号をヒストグラ
ム分布に変換した結果が（ｃ）である。この例では、測
定信号が低いレベルから高いレベルに変わったところを
抜き出している。即ち、フォトマスクで考えると何もパ
ターンが無いガラス面から、例えばクロムのパターンに
移った状態を意味している。

【００３３】この測定信号を良く見ると、低いレベルか
ら高いレベルに変化したところで、パターンのエッジの
影響により角のように測定信号値が飛び跳ねたかっこう
になっている。従来の方式だと、この測定信号により直
接Ｚテーブル１２の制御を行っているため、このエッジ
部分で観察像がボケてしまう。これに対し本実施形態で
は、ヒストグラム分布上では、この信号の飛び跳ねた部
分は度数としては低いため影響されず、低いレベルの信
号が度数が高くなっているので、低いレベルの位置を測
定高さと判断している。

【００３４】低いレベルの位置とは、フォトマスク１１
の場合は実質的にガラス面を意味する。焦点深度がクロ
ムパターンの厚さ程度であれば、焦点位置をガラス面に
保持することにより、全ての部分でボケなしに検査が可
能である。仮にヒストグラムが２番目に高い位置（クロ
ム面）にＺテーブル１２が駆動されても、クロム面は勿
論のことガラス面も焦点深度内となるため、全ての部分
でボケなしに検査が可能である。

【００３５】しかし、エッジ部分のように信号の飛び跳
ねた部分にＺテーブル１２が駆動されると、ガラス面は
焦点深度から外れてしまい、ボケが発生する。信号の飛
び跳ね部分は図に示した以上に大きくなる場合があり、
この場合はクロムパターン面も焦点深度から外れてしま
うことになる。

【００３６】なお、ヒストグラムから現在の測定位置で
の有効な高さ情報を得るためには、現在の測定位置のみ
ならず、その前後の情報が必要である。本実施形態で
は、図４に示すように、テーブル移動方向に対して例え
ば４５度傾いた方向に測定光をスキャンしている。従っ
て、光センサ２２で得られる電気信号には、本来の測定
位置だけではなく、その前後の位置の情報も含まれるこ
とになり、これにより有効なヒストグラムを得ることが
できるのである。ここで、測定光のスキャン方向は、有
効なヒストグラムを得るためにテーブル移動方向の成分
を持つ必要があり、従ってテーブル移動方向と直角でな
い方向であればよい。

【００３７】このように本実施形態によれば、高さ測定
信号を一定期間分保存し、それらのデータからヒストグ
ラム分布を求め、求められたヒストグラム分布の度数が
高いところを測定高さとすることにより、フォトマスク
１１のパターンエッジで生じる散乱及び回折光、反射率
分布による光量むら等により生じる、高さ測定信号誤差
を最小限に抑えることができる。このため、フォトマス
ク１１のパターンエッジによる、一時的な高さ測定信号
誤差による影響を排除し、正確な高さ合わせを行うこと
ができる。

【００３８】従って、フォトマスク１１のパターン欠陥
を高精度に検査することができる。また、様々な検査の
要求に合わせた、より実用性の高いパターン欠陥検査装
置を実現することが可能となる。

【００３９】（第２の実施形態）図５に、高さ判定方法
のもう一例を説明する。この例では図３と同じように多
値化信号を時間の流れに沿って表示した（ａ）の部分か
ら一定期間のデータを抜き出したイメージが（ｂ）であ
る。図３と違うのは、この一定期間のデータを抜き出し
たイメージである図４（ｂ）が図３（ｂ）よりも時間的
に少しずれたことである。

【００４０】この場合、図４（ｂ）の多値化信号をヒス
トグラム分布に変換した結果は図４（ｃ）となり、度数
の高いところが低いレベル（ガラス面）と高いレベル
（クロム面）の両方に存在する。これはちょうど高さ測
定位置がガラスとクロムの境にさしかかった状態を意味
している。

【００４１】この場合、測定高さの判断としては、低い
レベル（ガラス面）と高いレベル（クロム面）の中間を
測定高さとしても良いし、高いレベル（クロム面）を固
定的に測定高さとしても良い。同様に固定的に低いレベ
ル（ガラス面）を測定高さとすることもできる。即ち、
この方法を使えば、全体のシステムとして都合の良い位
置を測定高さとすることができる。そして、外部から与
えたオフセット値によって測定高さに対して、オフセッ
ト量を加えることもできる。

【００４２】将来的に、検査光学系の更なる高倍率化と
高ＮＡ化により、検査光学系の焦点深度が極めて狭くな
った場合を考えると、ガラス面とクロム面に忠実に高さ
方向の位置合わせを行うのが望ましい。このとき、ヒス
トグラムではなく従来のようにセンサ出力から直接フォ
トマスク１１の高さ位置を測定すると、ガラス面とクロ
ム面との境界において、パターンエッジの影響で測定信
号が跳ね上がっており、これに基づきＺテーブルを駆動
制御した場合、クロム面の検査がエッジ付近ではデフォ
ーカス状態となってしまう。本実施形態では、ヒストグ
ラムに基づいて制御することにより、このような不都合
を未然に防止することができる。

【００４３】また、図６に示すように、得られたヒスト
グラム分布に幅があるような場合は、分布の平均を求
め、その位置を測定高さとすればよい。具体的には、あ
るしきい値を越える部分の平均を取る、又は最大値の左
右数本の平均値を取るようにすればよい。この場合も、
フォトマスク１１のパターンエッジで生じる散乱及び回
折光、反射率分布による光量むら等により生じる、高さ
測定信号誤差を最小限に抑えることができる。従って、
第１の実施形態と同様の効果が得られる。

【００４４】（変形例）なお、本発明は上述した各実施
形態に限定されるものではない。実施形態では、斜め方
向から光を照射し斜め方向に反射した光を検出する、い
わゆる斜入射方式としたが、図７に示すように、いわゆ
る共焦点方式を採用してもよい。この方式では、フォト
マスク１１に対してハーフミラーを介して測定光を垂直
方向から照射する。そして、フォトマスク１１で反射し
た測定光をフォトマスク１１に対して光学距離の異なる
２点で検出する。具体的には、焦点位置の前後に配置し
たピンホールＰＨ１，ＰＨ２を通過した光を光検出素子
５１，５２で検出する。

【００４５】ＰＨ１，ＰＨ２を通過した光の検出出力は
図８に示すようになり、これらの差分信号は図中の太線
に示すようになる。差分信号が０となる位置が焦点位置
である。従って、差分信号が０となるようにテーブルを
Ｚ方向に駆動すればよい。この場合に、先の実施形態と
同様に差分信号のヒストグラム分布を求め、ヒストグラ
ムに基づいて高さ調整を行うようにすればよい。

【００４６】また、実施形態ではフォトマスクを載置し
たテーブルを移動したが、この代わりに検査用光学系を
Ｚ方向に移動するようにしてもよい。また、本発明は必
ずしも欠陥検査装置に限るものではなく、試料の表面の
高さ位置を正確に調整する必要のあるものであれば適用
可能である。

【００４７】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。

【００４８】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、試
料の表面からの反射光を検出する光検出素子の検出信号
そのものではなく、得られた電気信号から一定の周期毎
にヒストグラム分布を求め、求めたヒストグラム分布か
ら試料の高さ位置を測定することにより、試料面の高さ
を目標とする位置に精度良く調整することができる。ま
た、欠陥検査等に適用した場合、パターンエッジで発生
する散乱光や回折光、光量むらなど一時的な外乱の影響
はヒストグラム分布上では度数が低くなるため、外乱的
な戻り光によるフォーカス位置の変動を招くことなく、
光学系と試料表面との距離を焦点深度内に保つことがで
き、欠陥検査精度の向上等に寄与することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態に係わるオートフォーカス装置
を示す概略構成図。

【図２】図１における高さ測定回路の具体的構成例を示
すブロック図。

【図３】第１の実施形態における高さ判定方法を説明す
るための模式図。

【図４】試料面上での測定光のスキャン方向を示す図。

【図５】第２の実施形態における高さ判定方法を説明す
るための模式図。

【図６】第２の実施形態における高さ判定方法の別の例
を説明するための模式図。

【図７】本発明の変形例を説明するためのもので、共焦
点方式の測定系の構成を示す図。

【図８】図７の測定系により得られる測定信号波形を示
す図。

【符号の説明】

１１…フォトマスク（試料） １２…Ｚテーブル １３…検査用光学系 ２１…光源 ２２…光センサ ２３，２４…レンズ ２５，２６…ミラー ３１…Ａ／Ｄ変換器 ３２…高さ測定回路 ３３…Ｚテーブル駆動回路 ４１…メモリ回路 ４２…ヒストグラム分布回路 ４３…高さ判定回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA24 BB02 CC18 FF01 HH04 HH12 JJ03 JJ16 LL12 LL13 PP12 QQ03 QQ43 2H051 AA15 BB27 DA03 2H095 BD02 BD11

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】試料の表面に測定光を照射する光源と、 前記測定光の照射による前記試料の表面からの反射光を
   検出する光検出素子と、 前記光検出素子の出力を一定周期でサンプリングするＡ
   ／Ｄ変換器と、 前記Ａ／Ｄ変換された測定信号を一時記憶するメモリ
   と、 前記メモリに記憶された一定期間の複数の測定信号のヒ
   ストグラム分布を求めるヒストグラム分布回路と、 前記求められたヒストグラム分布に基づいて前記試料の
   高さ位置を調整する手段と、 を具備してなることを特徴とする試料面高さ調整装置。
2. 【請求項２】所定のパターンが形成された試料の表面
   を、該表面に対向配置される光学系の焦点位置に合わせ
   るためのオートフォーカス装置であって、 前記試料の表面に測定光を照射する光源と、 前記測定光の照射による前記試料の表面からの反射光を
   検出する光検出素子と、 前記光検出素子の出力を一定周期でサンプリングするＡ
   ／Ｄ変換器と、 前記Ａ／Ｄ変換された測定信号を一時的に記憶するメモ
   リと、 前記メモリに記憶された一定期間の複数の測定信号のヒ
   ストグラム分布を求めるヒストグラム分布回路と、 前記求められたヒストグラム分布に基づいて試料表面の
   高さ位置を判定する高さ判定回路と、 前記判定された高さ位置に基づいて前記試料及び光学系
   の少なくとも一方を高さ方向に移動制御する手段と、 を具備してなることを特徴とするオートフォーカス装
   置。
3. 【請求項３】前記試料を高さ方向と直交する平面内で一
   方向に連続的に移動しながら高さ判定を行い、且つ前記
   測定光を前記試料の表面上で該試料の移動方向と直角で
   ない方向にスキャンすることを特徴とする請求項２記載
   のオートフォーカス装置。
4. 【請求項４】前記高さ判定回路は、前記ヒストグラム分
   布で度数の一番多いところを測定高さと判定し、且つこ
   の判定位置に指定するオフセット量を加えた位置を最終
   的な測定高さと判定することを特徴とする請求項２記載
   のオートフォーカス装置。
5. 【請求項５】前記高さ判定回路は、前記ヒストグラム分
   布で度数の多いところが複数存在する場合は、それぞれ
   の度数の多いところの測定高さの平均位置を測定高さと
   するか、何れかの度数の多い位置を選択的に測定高さ判
   定位置とし、且つこの判定位置に指定するオフセット量
   を加えた位置を最終的な測定高さと判定することを特徴
   とする請求項２記載のオートフォーカス装置。