JP4765099B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4765099B2 JP4765099B2 JP2005313883A JP2005313883A JP4765099B2 JP 4765099 B2 JP4765099 B2 JP 4765099B2 JP 2005313883 A JP2005313883 A JP 2005313883A JP 2005313883 A JP2005313883 A JP 2005313883A JP 4765099 B2 JP4765099 B2 JP 4765099B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- solder
- substrate
- semiconductor device
- metal part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 89
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 119
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 83
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 79
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 17
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910008433 SnCU Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910005887 NiSn Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 SnAgCu Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006913 SnSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005728 SnZn Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007637 SnAg Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010406 interfacial reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/325—Material
- H01L2224/32505—Material outside the bonding interface, e.g. in the bulk of the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
- H01L2224/8381—Soldering or alloying involving forming an intermetallic compound at the bonding interface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
この発明はパワーデバイス、高周波用途のスイッチングＩＣなどの各種半導体チップが良伝導体上にはんだ接合された半導体装置およびその製造方法に関する。
電力変換用途のスイッチングデバイスとして用いられるパワーデバイスや高周波スイッチング用途のパワーＩＣなどは半導体モジュールの形に組み立てられるものが多い。このような半導体モジュールの従来の組み立て構造は図５に示すように、銅（以下Ｃｕと略）などの良伝導体の材質で作られた支持基板１０１およびヒートシンク１０２にの上に、絶縁基板の両表面に形成されたはんだ接合を可能にする金属部を有する配線基板１０３の裏面をはんだ接合し、この配線基板１０３の表面の金属配線（金属部）１０６には、前記各用途の半導体チップ１０４をはんだ接合（はんだ接合は図示を省略）により搭載して、単体のモジュール１００を形成する。前記配線基板１０３の上下両面における前記はんだ接合は、通常、同じはんだ材を用いて同時にはんだ接合される。この半導体モジュール１００は、前記半導体チップ１０４から、そのチップ１０４の表面電極に一端が固着されたアルミワイヤ１０５が引き出され、他端は、前記配線基板１０３内の回路配線などから引き出された所定の電極パッド１０７上に固着され、さらに接続される図示しない引き出し端子を介して、外部に引き出され所定のスイッチング機能を奏する半導体モジュールとして構成される。
前述のような半導体モジュール構造の場合、半導体チップ１０４、配線基板１０３、支持基板１０１などの各主要部材を相互に信頼性高く強固に結合する目的で、はんだ接合が通常行われる。近年は環境問題への対策から鉛フリーはんだとしてＳｎＡｇ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＣｕ、ＳｎＢｉ、ＳｎＺｎ、ＳｎＳｂなどのいずれもＳｎリッチな組成の合金が用いられるようになりつつある。高放熱性と良伝導性（良導電性）の観点から、支持基板および配線基板上のチップ接合部を構成する各材料としては銅材が広く用いられている。しかし、銅は前述の鉛フリーはんだとの反応傾向が高く、合金を作りやすい。さらに、はんだ接合時に接合界面に形成されるＳｎＣｕ合金層は、半導体モジュールの実使用時の通電による温度上昇履歴により次第に成長して層厚が過大になりやすいという特徴がある。
また、前述のはんだ接合時に形成される前記ＳｎＣｕ合金層については、適度な厚みを持っていることがはんだ接合層の密着性の観点からは必要な要件であるが、他方では銅より硬度が高いものの脆性傾向の高い機械的性質をも有している。加えて前記ＳｎＣｕ合金層は合金形成時の体積変化のため接合部に応力ひずみが発生するので、前述のように実使用中における高温履歴により合金層が過大に成長すると、はんだ接合層に初期クラックを導入した場合と同様の理由により、所定の期間経過後にはんだ接合層が破壊されるという結果をもたらし、半導体モジュールの信頼性を損なう要因となることが判明した。従って、はんだの濡れ性などの接合安定性と接合後のＳｎＣｕ合金化反応の進行抑制を目的として、Ｎｉめっき等で被接合材（銅基板または銅層）を被覆するのが一般的になりつつある。
また、前述のはんだ接合時に形成される前記ＳｎＣｕ合金層については、適度な厚みを持っていることがはんだ接合層の密着性の観点からは必要な要件であるが、他方では銅より硬度が高いものの脆性傾向の高い機械的性質をも有している。加えて前記ＳｎＣｕ合金層は合金形成時の体積変化のため接合部に応力ひずみが発生するので、前述のように実使用中における高温履歴により合金層が過大に成長すると、はんだ接合層に初期クラックを導入した場合と同様の理由により、所定の期間経過後にはんだ接合層が破壊されるという結果をもたらし、半導体モジュールの信頼性を損なう要因となることが判明した。従って、はんだの濡れ性などの接合安定性と接合後のＳｎＣｕ合金化反応の進行抑制を目的として、Ｎｉめっき等で被接合材（銅基板または銅層）を被覆するのが一般的になりつつある。
一方、このようなはんだ接合に関する公知技術として、はんだ付け性、耐熱信頼性を高めるめっきを施した銅または銅合金に関する発明が知られている（特許文献１）。この特許文献１には、たとえば、厚さ０．０５〜１．０μｍのＮｉまたはＮｉ合金めっきを施し、次いで厚さ０．０３〜１．０μｍのＣｕめっきを施し、最表面に厚さ０．１５〜３．０μｍであるめっき厚さのＳｎまたはＳｎ合金めっきを施した後、少なくとも一回以上の加熱処理を行う製造方法の記載が見られる（特許文献１の請求項９）。
特開２００３−２９３１８７号公報
しかしながら、高温動作する半導体デバイスについては、はんだ接合部の工程を示す図６（ａ）と図６（ｂ）の断面図から、図６（ａ）のように、Ｎｉめっき１０９で被覆された銅基材１０８を加熱処理なしに図６（ｂ）のようにＳｎ系のはんだ１１２で接合すると、Ｎｉ自体の溶出やＳｎの侵食によるＮｉめっき層の目減り（図６（ｂ）の鎖線で示すＮｉ層１０９から実線で示す１１０へ）、およびＳｎとの反応により、脆弱性のあるＮｉＳｎ合金層１１１の成膜、成長が生じるので、Ｎｉめっき膜１０９を被着させてもなお、十分な信頼性が得られない場合も多いという問題を抱えている。
本発明は以上述べた点に鑑みて成されたものであり、本発明の目的は、半導体チップが良伝導体上にはんだ接合された半導体装置について、初期だけでなく、実使用中における高温動作履歴後においても、Ｓｎを主成分とする鉛フリーはんだを用いたはんだ接合部の信頼性を高くできる半導体装置およびその製造方法を提供することである。
本発明は以上述べた点に鑑みて成されたものであり、本発明の目的は、半導体チップが良伝導体上にはんだ接合された半導体装置について、初期だけでなく、実使用中における高温動作履歴後においても、Ｓｎを主成分とする鉛フリーはんだを用いたはんだ接合部の信頼性を高くできる半導体装置およびその製造方法を提供することである。
特許請求の範囲の請求項１記載の本発明によれば、半導体チップが金属部を有する基板上にはんだを用いた接合により搭載される半導体装置において、前記はんだがＰｂフリーのＳｎ系はんだであり、前記半導体チップと前記金属部の間のＳｎ系はんだ層と前記金属部の表面とが前記Ｓｎ系はんだ層側から、順次Ｓｎ系はんだ層とＮｉ／Ｓｎ層とＣｕ／Ｎｉ／Ｓｎ層とＣｕ／Ｎｉ層とＣｕ層とで構成される接合層構造を有する半導体装置とすることにより、前記本発明は達成される。
特許請求の範囲の請求項２記載の本発明によれば、前記金属部がＣｕ、Ａｌを含む良伝導体材料から選ばれる少なくともいずれか一種類の材料である請求項１記載の半導体装置とすることが好ましい。
特許請求の範囲の請求項３記載の本発明によれば、前記金属部を有する基板が、絶縁基板の表面に形成される金属配線パターンを含む金属部を有する基板である請求項１または２記載の半導体装置とすることが好適である。
特許請求の範囲の請求項２記載の本発明によれば、前記金属部がＣｕ、Ａｌを含む良伝導体材料から選ばれる少なくともいずれか一種類の材料である請求項１記載の半導体装置とすることが好ましい。
特許請求の範囲の請求項３記載の本発明によれば、前記金属部を有する基板が、絶縁基板の表面に形成される金属配線パターンを含む金属部を有する基板である請求項１または２記載の半導体装置とすることが好適である。
特許請求の範囲の請求項４記載の本発明によれば、前記金属部を有する基板が金属基板からなる請求項１または２記載の半導体装置とすることもできる。
特許請求の範囲の請求項５記載の本発明によれば、半導体チップをはんだを用いた接合により、基板の金属部上に搭載する半導体装置の製造方法において、表面側からＮｉ層とＣｕ層とをこの順に有する金属部を備える基板に所定の加熱処理を加えることにより、Ｃｕ／Ｎｉ層とＣｕ層とをこの順に有する金属部を備える基板に変えてから、Ｓｎを主成分とするＰｂフリーはんだ材を用いて半導体チップを前記金属部のＣｕ／Ｎｉ層の上にはんだ接合し、はんだ層側から、順次はんだ層、Ｎｉ／Ｓｎ層およびＣｕ／Ｎｉ／Ｓｎ層で構成される接合層構造を形成する半導体装置の製造方法とすることにより、前記本発明の目的は達成される。
特許請求の範囲の請求項６記載の本発明によれば、前記金属部を備える基板に所定の加熱処理を加えた後、前記金属部の最表面にＡｕ、Ｉｎ、Ｓｂから選ばれる少なくとも一種類を用いた金属層を形成し、前記半導体チップをはんだ接合する請求項５記載の半導体装置の製造方法とすることが好ましい。
特許請求の範囲の請求項５記載の本発明によれば、半導体チップをはんだを用いた接合により、基板の金属部上に搭載する半導体装置の製造方法において、表面側からＮｉ層とＣｕ層とをこの順に有する金属部を備える基板に所定の加熱処理を加えることにより、Ｃｕ／Ｎｉ層とＣｕ層とをこの順に有する金属部を備える基板に変えてから、Ｓｎを主成分とするＰｂフリーはんだ材を用いて半導体チップを前記金属部のＣｕ／Ｎｉ層の上にはんだ接合し、はんだ層側から、順次はんだ層、Ｎｉ／Ｓｎ層およびＣｕ／Ｎｉ／Ｓｎ層で構成される接合層構造を形成する半導体装置の製造方法とすることにより、前記本発明の目的は達成される。
特許請求の範囲の請求項６記載の本発明によれば、前記金属部を備える基板に所定の加熱処理を加えた後、前記金属部の最表面にＡｕ、Ｉｎ、Ｓｂから選ばれる少なくとも一種類を用いた金属層を形成し、前記半導体チップをはんだ接合する請求項５記載の半導体装置の製造方法とすることが好ましい。
特許請求の範囲の請求項７記載の本発明によれば、前記金属部の最表面にＡｕ、Ｉｎ、Ｓｂから選ばれる少なくとも一種類を用いた金属層を形成した後、前記半導体チップをはんだ接合する前に、前記金属層上にＳｎまたはＳｎ合金層を形成する請求項６記載の半導体装置の製造方法とすることが好適である。
本発明によれば、半導体チップが良伝導体上にはんだ接合された半導体装置について、初期だけでなく、実使用中における高温動作履歴後においても、Ｓｎを主成分とする鉛フリーはんだを用いたはんだ接合部の信頼性を高くする半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
図５は一般的な半導体装置の断面図であるが、本発明の半導体装置にかかる一実施例の断面図とマクロ的な外観は変らないので、以下の本発明の説明に使用することとする。図１、図２、図３、図４は、それぞれ、本発明の半導体装置およびその製造方法にかかり、前記図５に示す半導体装置において、半導体チップ１０４をはんだ接合するために搭載する配線基板１０３上の金属部１０６およびこの金属部１０６に半導体チップ１０４をはんだ接合した場合のはんだ接合部近傍の拡大断面図を示す。本発明の半導体装置は前記半導体チップの下のはんだ接合部近傍の層構成が従来技術とは異なるので、この部分を詳細に説明するために前記図１乃至図４に拡大断面図として示した。本発明の半導体装置を構成するはんだ接合部分にかかる相互の接合部材は、前記図５に示すような半導体チップ１０４と配線基板１０３の場合だけでなく、半導体チップと金属支持基板、前記半導体チップと配線基板を接続する配線体（アルミワイヤ）等、いずれの部材の組み合わせであってもよく、一方の接合表面がＣｕを主成分とする金属であって、Ｎｉ表面層を有し、はんだ材がＳｎを主成分とする鉛フリーはんだであるときに本発明はその効果を発揮する。
本発明は、本発明の要旨を超えない限り、下記の実施例の説明のみに限定されるものではない。本発明では、図１（ａ）に示すように、被接合材である金属部はＣｕ若しくはＣｕ合金、及びＣｕを含有する複合材などの基材１からなり、Ｎｉ（ニッケル）層２により被膜される（金属部がＣｕの場合を図示）。この場合、Ｎｉ層２は蒸着、スパッタ、めっきのいずれでも良く、無電解Ｎｉ−Ｐ（リン）、Ｎｉ−Ｂ（ホウ素）若しくは電解Ｎｉめっきであることが望ましい。また、Ｃｕを含有する合金、複合材などの場合、単一層のめっきだけでは被膜欠陥が生じやすい場合がある。そのような場合は下地層としてＮｉ、Ｃｒ（クロム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ−Ｓｉ（シリコン）などの下地被膜を形成した上で最表面にＮｉ被膜を成膜することが望ましい。図１（ｃ）に示すように、はんだ接合層３はＳｎ（スズ）Ａｇ（銀）、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＢｉ（ビスマス）、ＳｎＣｕ、ＳｎＺｎ（亜鉛）、ＳｎＳｂ（アンチモン）などのＳｎを主体とした鉛フリーのはんだを用いる。上述の構成の場合、はんだ接合により、通常、接合界面にはＮｉ／Ｓｎ系の化合物（Ｎｉ３Ｓｎ４など）を生じるが、本発明では、予め良伝導体層（銅層）パタン１を表面に形成した前記配線基板１０３に、図１（ａ）に示すように、Ｎｉめっき層２を形成してＣｕ層（基材）１とＮｉめっき層２との二層にした後、高温加熱処理することを特徴としており、その結果、図１（ｂ）に示すように、基板の銅層１からＮｉめっき層２に銅が拡散されてＣｕ／Ｎｉ層２−１が形成される。また、被接合材の界面付近にＮｉとＣｕが存在するので、はんだとの接合反応の際にはＳｎ、Ｎｉの反応により生成するＮｉＳｎ系の化合物に加えて、Ｎｉ被膜中に存在するＣｕが反応界面に析出するため、図１（ｃ）に示すように、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｓｎ系の三元成分の層４が生じる。従来、Ｃｕ層１０８にＮｉめっき後の高温加熱処理がない場合、前記図６に示したように、Ｎｉ層１０９は加熱時効によりはんだ接合層３に溶出するともにＮｉＳｎ系の合金層１１１の成長を促進するため、温度上昇を伴う実機への通電時において接合界面の脆化傾向を進展させ、その結果、はんだ接合の延展性を低下させると共に金属疲労傾向を増大させる結果となっていた。この場合は、接合層内部の脆性破壊傾向を加速させる要因となっていた。これに対し、本発明では、図１に示すように銅を含むＣｕ／Ｎｉ／Ｓｎ系の層４が生じ安定なバリアメタルとして作用するので、接合層界面のＮｉＳｎ系の合金層１０の成長を抑制することができ、接合層の経時脆化の影響が低減され、信頼性を向上させることができるのである。なお、被接合材は半導体チップそのものでも可能で、バンプ状に形成された銅、ニッケル層を含む被膜部及びそれらの拡散を防ぐＷ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、Ａｌなどの下地電極層（ＵＢＭ：Ｕｎｄｅｒ Ｂｕｍｐ Ｍｅｔａｌ）があればＣｕ、Ｎｉの拡散による不都合は生じないので、同様の作用を期待できる。
本発明の半導体装置の製造方法にかかる一実施例について、銅層または銅基板などを基材とする良伝導体上に半導体チップを鉛フリーのＳｎ系はんだを用いて、はんだ接合する前後の工程を中心にして以下詳細に説明する。銅若しくは銅合金からなる良伝導体（銅層または銅を基材）１の表面に電解めっきによりＮｉ層２を形成する。図１（ａ）は銅層１の表面にＮｉメッキ層２を形成したことを断面図により示した図である。Ｎｉ層２の厚みは５μｍ以下であるとよい。その後、還元雰囲気の加熱炉で４００〜８００℃の加熱処理を５〜３０分間行いＮｉ層２と良伝導体１の相互拡散を進展させる。低温（４００〜６００℃程度）加熱処理時においては結晶粒内を浸透した緩やかな相互拡散が進展するが、特に高温（６００℃〜８００℃）加熱処理時においては良伝導体１及びＮｉ層２は再結晶化が進行し、結晶粒の粗大化が進行する。結晶粒が粗粒化すると共にＮｉ層２の粒界近傍に良伝導体１のＣｕ成分の拡散が促進され、一部の拡散Ｃｕが最表面近傍に析出し、Ｃｕ／Ｎｉ合金層２−１が形成される（図１（ｂ））。被膜強度などの膜状態に対する影響としては前者の低温加熱処理の方が望ましいが、後者の高温加熱処理でも、最大結晶粒径が２〜３μｍ程度までの粗大化にとどまっていれば、はんだ接合した後の脆化の影響を前記低温加熱処理と比較しても信頼性に及ぼす影響は些少であるので、問題なく、高温加熱処理の方が処理時間を短かくできる分、より好ましいと言える。この状態でＳｎ３．５Ａｇなどの鉛フリーはんだ３との接合（最大加熱温度２４０〜３００℃）を行なうと、安定相であるＣｕ／Ｎｉ／Ｓｎ層（たとえば、η’−（Ｃｕ，Ｎｉ）６Ｓｎ５などを含む層）４が表面に形成される（図１（ｃ））。この図１（ｃ）では元のＣｕ／Ｎｉ２−１に相当する領域を鎖線で示し、新しいＣｕ／Ｎｉ層を２−２で示した。図１（ｃ）によれば、鎖線で示す元のＣｕ／Ｎｉ２−１の最表面はＣｕ／Ｎｉ／Ｓｎ層４であり、その上のはんだ層３側にはごく薄いＮｉ／Ｓｎ層１０が形成されているが、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｓｎ層４により、層の成長が抑制されているので影響は小さい。
前記実施例１の場合、良伝導体（Ｃｕ層またはＣｕ基板）１とＮｉ層２からなる基板の高温または低温の加熱処理後においては、はんだ接合界面を形成する最表面には銅とニッケルの双方が露出した状態となるが、特に銅の酸化傾向が腐食に及ぼす影響が強いので、加熱処理後の部材管理を通常の雰囲気内で行なうと、はんだ接合の際の濡れ性を劣化させる要因となる。実施例２では、図２の表面にＮｉめっきされた良伝導体１の断面図に示すように、酸化防止保護膜としてＡｕめっき層５を、前記図１（ａ）に示すＣｕ／Ｎｉ膜基板の加熱処理後の前記図１（ｂ）の基板に成膜する。Ａｕ（金）めっき層５はフラッシュめっきであればよく、膜厚は０．０５μｍ程度の薄膜で良い。この場合、Ａｕ層５はんだ接合前の基板表面に耐食性を付与すると共に濡れ性を保持することができ、また、はんだ接合の際にＡｕは界面近傍に残留することなく、はんだ層全体に均一にＡｕが分散するため、実質的には接合後の層構成は実施例１と同様のものとなる。また、Ａｕめっき層５に代えて、接合活性傾向が高いＩｎ（インジウム）、Ｓｂ等を成膜しても良い。Ｉｎ、Ｓｂ等は下地部分との界面反応に先んじてはんだとの液相拡散により、前記Ａｕと同様にはんだ層全体に分散するので、悪影響のある合金層を形成することなく、Ａｕめっき層と同様の効果が期待できる。
図３に実施例３の良伝導体の断面図を示す。良伝導体（基板）６はアルミニウム（Ａｌ）膜で、３〜５μｍ程度の厚みを有する。このアルミニウム膜の上に下地Ｎｉ膜７を無電解めっきで３μｍ程度成膜し、その上に電解めっきによりＣｕ層８を０．５〜２μｍ形成する。更に最表面に０．５〜２μｍ程度Ｎｉめっき２を施した（図３（ａ））後、前述の加熱処理とＡｕめっき膜形成を行なえば、Ｎｉ膜の最表面にＣｕ層８が拡散してＣｕ層の両界面にＣｕ／Ｎｉ層２−１がそれぞれ形成される（図３（ｂ））。この基板上に半導体チップをＳｎ３．５ＡｇなどのＳｎを主成分とする鉛フリーはんだ３を用いてはんだ接合を行なうと、図３（ｃ）に示すように、前述の実施例と同様の接合層構成を含む層（はんだ３、Ｎｉ／Ｓｎ層１０、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｓｎ層４、Ｃｕ／Ｎｉ層２−１、Ｃｕ層８、Ｃｕ／Ｎｉ層２−１、Ｎｉ層２、Ａｌ層６）が形成される。この場合、下地のＮｉめっき層２は接合後も一部が残存していることが望ましく、表面側の膜（Ｃｕ層８、Ｎｉ膜２）より厚みを大きくとることで、供給Ｃｕ分が拡散して表面側のＮｉ膜７に一部が分散した段階でもＮｉリッチなまま残存し、Ａｌ側の界面付近の層構成が変化しないものとした。
前述の実施例１、２では、リードフレーム基板材等に多い銅＋Ｎｉめっき部材、配線基板上に形成される導電配線材などへの応用が可能だが、現在配線基板などの上に搭載される半導体チップの表面側の電極は、ワイヤボンディングが可能なようにアルミニウム膜の形成が通常であり、敢えて、半導体チップの表面側電極膜にはんだ接合を行なうためには、その上にさらに電解または無電解Ｎｉめっき膜が形成されるので、通電動作時には最も高温負荷が掛かるところとなる。そのため、実施例３によれば、実機信頼性を向上させるために安定した界面状態を保持する効果が期待できる。
前記実施例１、２、３に加え、フローはんだ実装のように溶融はんだ材に浸漬させるような接合を行う場合は、前記図１（ａ）に示す銅基材１表面にＮｉめっき膜２形成された金属部材に実施例１と同様の加熱処理を施して、図１（ｂ）のようにＣｕ／Ｎｉ層２−１とした後、Ａｕ膜５を形成した後に、Ｓｎを主成分とする鉛フリーはんだめっき９を行うと、前述のようにＡｕ層は分散して消える（図４（ａ））。はんだ接合時の反応ではんだめっき層９とＮｉ、Ｃｕを含む下地界面の相互拡散によりＮｉ／Ｓｎ層１０とＣｕ／Ｎｉ／Ｓｎ層４が生成される（図４（ｂ））。一方、基板部材のはんだめっき９の最表面（鎖線で示す）は、はんだ３と同種の合金界面となるので液相状態で流動して部材の旧最表面下部の成分と混合する。すなわち、はんだ実装の際の溶融はんだ材の組成不均一などの品質上の影響を受けることなく、接合条件に依存せず安定してバリアメタル層４をＮｉ膜の境界表面付近に形成するため、実機の製造品質を均質化し、結果、信頼性を向上させることができる。なお、この場合、はんだめっき９とＣｕ／Ｎｉ層２−１に挟み込まれるＡｕ、Ｉｎ、Ｓｂは無くてもかまわない。あるいははんだめっき後の基板を放置することがある場合に、腐食を防ぐために最表面にＡｕ膜を成膜してもかまわない。
１、… Ｃｕ層、Ｃｕ基材、
２、… Ｎｉ皮膜、
２−１、… Ｃｕ／Ｎｉ層
３、… はんだ層、
４、… Ｃｕ／Ｎｉ／Ｓｎ層
５、… Ａｕ膜、
６、… Ａｌ層
７、… Ｎｉ層
８、… Ｃｕ層
９、… はんだめっき層
１０、… Ｎｉ／Ｓｎ層。
２、… Ｎｉ皮膜、
２−１、… Ｃｕ／Ｎｉ層
３、… はんだ層、
４、… Ｃｕ／Ｎｉ／Ｓｎ層
５、… Ａｕ膜、
６、… Ａｌ層
７、… Ｎｉ層
８、… Ｃｕ層
９、… はんだめっき層
１０、… Ｎｉ／Ｓｎ層。
Claims (7)
- 半導体チップが金属部を有する基板上にはんだを用いた接合により搭載される半導体装置において、前記はんだがＰｂフリーのＳｎ系はんだであり、前記半導体チップと前記金属部の間のＳｎ系はんだ層と前記金属部の表面とが前記Ｓｎ系はんだ層側から、順次Ｓｎ系はんだ層とＮｉ／Ｓｎ層とＣｕ／Ｎｉ／Ｓｎ層とＣｕ／Ｎｉ層とＣｕ層とで構成される接合層構造を有することを特徴とする半導体装置。
- 前記金属部がＣｕ、Ａｌを含む良伝導体材料から選ばれる少なくともいずれか一種類の材料であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
- 前記金属部を有する基板が、絶縁基板の表面に形成される金属配線パターンを含む金属部を有する基板であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
- 前記金属部を有する基板が金属基板からなることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
- 半導体チップをはんだ材を用いた接合により、基板の金属部上に搭載する半導体装置の製造方法において、表面側からＮｉ層とＣｕ層とをこの順に有する金属部を備える基板に所定の加熱処理を加えることにより、Ｃｕ／Ｎｉ層とＣｕ層とをこの順に有する金属部を備える基板に変えてから、Ｓｎを主成分とするＰｂフリーはんだ材を用いて半導体チップを前記金属部のＣｕ／Ｎｉ層の上にはんだ接合し、はんだ層側から、順次はんだ層、Ｎｉ／Ｓｎ層およびＣｕ／Ｎｉ／Ｓｎ層で構成される接合層構造を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記金属部を備える基板に所定の加熱処理を加えた後、前記金属部の最表面にＡｕ、Ｉｎ、Ｓｂから選ばれる少なくとも一種類を用いた金属層を形成し、前記半導体チップをはんだ接合することを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属部の最表面にＡｕ、Ｉｎ、Ｓｂから選ばれる少なくとも一種類を用いた金属層を形成した後、前記半導体チップをはんだ接合する前に、前記金属層上にＳｎまたはＳｎ合金層を形成することを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005313883A JP4765099B2 (ja) | 2005-10-28 | 2005-10-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005313883A JP4765099B2 (ja) | 2005-10-28 | 2005-10-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007123566A JP2007123566A (ja) | 2007-05-17 |
| JP4765099B2 true JP4765099B2 (ja) | 2011-09-07 |
Family
ID=38147079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005313883A Expired - Fee Related JP4765099B2 (ja) | 2005-10-28 | 2005-10-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4765099B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014705A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Hitachi Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP5677346B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2015-02-25 | 株式会社日立製作所 | 半導体素子、半導体装置、半導体装置の製造方法及び接続材料 |
| JP2014060341A (ja) | 2012-09-19 | 2014-04-03 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP6477517B2 (ja) * | 2016-01-20 | 2019-03-06 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US20220139852A1 (en) * | 2020-10-30 | 2022-05-05 | Cree, Inc. | Transistor packages with improved die attach |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3092603B2 (ja) * | 1998-11-02 | 2000-09-25 | 日本電気株式会社 | 半導体素子実装基板又は放熱板とその製造方法及び該基板又は放熱板と半導体素子との接合体 |
| JP2001011612A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ターゲット材料、電極材料、及び実装部品 |
| JP3880877B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2007-02-14 | Ｄｏｗａホールディングス株式会社 | めっきを施した銅または銅合金およびその製造方法 |
| JP2005026612A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Denso Corp | 半導体装置 |
| JP4663975B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2011-04-06 | 日本特殊陶業株式会社 | 電子部品用パッケージ |
-
2005
- 2005-10-28 JP JP2005313883A patent/JP4765099B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007123566A (ja) | 2007-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10930614B2 (en) | Chip arrangements | |
| KR101704030B1 (ko) | 구리 첨가에 의한 솔더 인터커넥트의 개선 | |
| US8092621B2 (en) | Method for inhibiting growth of nickel-copper-tin intermetallic layer in solder joints | |
| US20110042815A1 (en) | Semiconductor device and on-vehicle ac generator | |
| TW201323131A (zh) | 抑制柯肯達爾孔洞形成於銲料與銅銲墊之間的方法 | |
| JPH10511226A (ja) | フリップチップ実装用はんだバンプおよびその製造方法 | |
| WO2011081213A1 (ja) | 面実装部品のはんだ付け方法および面実装部品 | |
| US10328533B2 (en) | Hybrid lead-free solder wire | |
| JP6287759B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| WO2012053178A1 (ja) | 半導体接合構造体および半導体接合構造体の製造方法 | |
| JP4765099B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3796181B2 (ja) | 無鉛ハンダ合金、ハンダボール及びハンダバンプを有する電子部材 | |
| JP5614507B2 (ja) | Ｓｎ−Ｃｕ系鉛フリーはんだ合金 | |
| JP2005032834A (ja) | 半導体チップと基板との接合方法 | |
| CN115881673A (zh) | 层结构、芯片封装体以及它们的形成方法和焊料材料 | |
| JP2015205345A (ja) | 面実装部品のはんだ付け方法および面実装部品 | |
| JP2007031740A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| US20230126663A1 (en) | Layer structure and chip package that includes the layer structure | |
| JP2003223945A (ja) | Ａｕ−Ｇｅ系ろう材付リードピン | |
| US12023762B2 (en) | Layer structure with an intermetallic phase layer and a chip package that includes the layer structure | |
| JP6543890B2 (ja) | 高温はんだ合金 | |
| WO2001076335A1 (en) | Mounting structure of electronic device and method of mounting electronic device | |
| JP2012204476A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP4779710B2 (ja) | 接合方法およびこれを用いたインバータ | |
| JP3466498B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080204 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080916 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20081216 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090219 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20091112 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110204 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110215 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110408 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110422 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110510 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110523 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4765099 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140624 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |