JP3456980B2 - 化合物半導体層の形成方法 - Google Patents
化合物半導体層の形成方法Info
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Description
能な半導体レーザおよび発光ダイオードの製造に適用で
きる化合物半導体層の形成方法に関する。
−V族化合物半導体はエネルギーギャップが広いことか
ら可視および紫外域の発光材料として注目されている。
そのうち、AlGaN系材料を用いて、青色領域で発光
可能な半導体レーザおよび発光ダイオード等の発光素子
が検討されている。
[または発光ダイオード]の断面模式図を示す。なお、
[]内は発光ダイオードの場合である。
薄層のGaNまたはAlNからなるバッファ層102が
形成され、その上に、n型GaN層103、n型AlG
aN下部クラッド層104、ノンドープAlGaInN
系活性層[ZnをドープしたAlGaInN系発光層]
105、p型AlGaN上部クラッド層107、p型G
aNキャップ層108が積層形成されている。
電極90が形成されている。また、n型GaN層103
の上部が一部露出するように、その上側のn型下部クラ
ッド層104、活性層[または発光層]105、p型上
部クラッド層107およびp型キャップ層108は部分
的に除去され、露出したn型GaN層103の部分の上
にn型電極100が形成されている。
ド]の製造は、以下のようにして行われる。
法)により、サファイア基板101を約1050℃で表
面処理し、次に、基板温度を約500℃に下げて薄層の
GaNまたはAlNからなるバッファ層102を成長さ
せる。
型GaN層103を形成し、引き続いてn型AlGaN
下部クラッド層104を約1μm成長させる。
ンドープAlGaInN活性層[またはZnドープ発光
層]105を約100オングストローム〜500オング
ストローム成長させる。
p型AlGaN上部クラッド層107を約1μm成長さ
せ、引き続いてp型GaNキャップ層108を成長させ
る。
ザ[または発光ダイオード]において、光を活性層およ
びクラッド層に有効に閉じ込め、注入電流を活性層に有
効に閉じ込めるためには、上部クラッド層107および
下部クラッド層104の層厚は約1μm程度必要であ
る。
ダイオード]の素子構造および作製方法では、図4およ
び図5に示すように、AlGaN下部クラッド層104
を約1μm程度成長させた場合、表面にクラック109
が発生し、良質なクラッド層を得ることが困難であっ
た。
避できる化合物半導体層の形成を課題とし、より具体的
には、基板上に、MOCVD法によりAlyGa1-yN
(0<y<1)からなる下部クラッド層および上部クラ
ッド層としての化合物半導体層を形成する際の、表面で
のクラックの発生の問題を解決するものである。
体層の形成方法は、基板上に、MOCVD法によりAl
yGa1-yN(0<y<1)からなる化合物半導体層を形
成する方法において、前記化合物半導体層は、前記基板
側から順次、下部クラッド層と、活性層または発光層
と、上部クラッド層とを少なくとも備える化合物半導体
発光素子の前記下部クラッド層および上部クラッド層で
あって、これら下部クラッド層および上部クラッド層中
に緩衝層を単層または複数層形成することを特徴とす
る。
(0<y<1)層と基板との間にGaN層を備えている
ものを用いることができる。
上部クラッド層中に、緩衝層を1回乃至複数回繰り返し
て成長することにより、表面モフォロジーが良好でクラ
ックの無い良質な下部クラッド層および上部クラッド層
を所望の厚みに成長できる。
ラッド層とAlxGa1-xN(0≦x≦1)緩衝層を繰り
返して成長することにより、下部クラッド層および上部
クラッド層の厚みを約1μm程度にすることが可能であ
る。
よび下部クラッド層を用い、AlwGazIn1-w-zN
(0≦w≦1、0≦z≦1を活性層または発光層とし
て、AlGaInN系半導体レーザ素子および発光ダイ
オードが実現可能である。
(0<y<1)クラッド層の成長温度よりも高い成長温
度で成長させてもよいが、AlyGa1-yN(0<y<
1)クラッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長さ
せると緩衝層の蒸発による影響がなく、より良好な層が
得られる。
1)からなる緩衝層は、AlyGa1-yN(0<y<1)
クラッド層の成長温度よりも低い成長温度で成長させて
もよいが、緩衝層の蒸発を考慮する必要が無いのでAl
yGa1-yN(0<y<1)クラッド層の成長温度と同
じ、またはそれよりも高い成長温度で成長させることが
でき、製造が容易である。
図面を参照しながら説明する。尚、以下の図において、
同一の機能を有する部分は同一の番号で示している。
態であるAlGaN/InGaN/AlGaN系半導体
レーザ[または発光ダイオード]を示す断面図である。
のGaNまたはAlNからなるバッファ層2が形成さ
れ、その上に、n型GaN層3、n型下部クラッド層
4、ノンドープまたはSiドープAlwGazIn1-w-z
N(0≦w≦1、0≦z≦1)活性層[または発光層]
6、p型上部クラッド層7およびp型GaNキャップ層
9が積層形成されている。
Ga1-yN(0<y<1)クラッド層4aと薄層のn型
AlxGa1-xN(0≦x≦1)緩衝層5とが交互に積層
形成され、下部クラッド層4の厚みは約1μm程度にさ
れている。また、p型上部クラッド層7中には、p型A
lyGa1-yN(0<y<1)クラッド層7aと薄層のp
型AlxGa1-xN(0≦x≦1)緩衝層8とが交互に積
層形成されて、上部クラッド層7の厚みは約1μm程度
にされている。
形成されている。また、n型GaN層3の上部が一部露
出するように、その上側のn型下部クラッド層4、活性
層[または発光層]6、p型上部クラッド層7、p型緩
衝層8およびp型キャップ層9は部分的に除去され、露
出したn型GaN層3の部分の上にn型電極11が形成
されている。
0.3μmのn型Al0.1Ga0.9Nクラッド層4aと厚
み約200オングストロームのn型GaN緩衝層5とを
繰り返し成長して約1μmとしている。また、厚み約
0.15〜0.3μmのp型Al 0.1Ga0.9Nクラッド
層7aと厚み約200オングストロームのp型GaN緩
衝層8とを繰り返し成長して下部クラッド層4および上
部クラッド層7の厚みを約1μmとしている。また、活
性層[または発光層]6としては、厚み約200オング
ストロームのノンドープまたはSiドープGa0.2In
0.8N層を形成している。
ド]の製造は、以下のようにして行われる。
い、基板としてサファイア(0001)C面を用いる。
III族ガス源としてはトリメチルガリウム(TMG)、
トリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルインジ
ウム(TMI)を用い、V族ガス源としてはアンモニア
(NH3)を用いる。n型ドーパント源としてはモノシ
ラン(SiH4)を用い、p型ドーパント源としてはビ
スシクロペンタディエニルマグネシウム(Cp2Mg)
を用いる。また、キャリアガスとしてはH2を用いる。
1を導入して、H2中で基板温度約1050℃で基板を
熱することにより、基板の表面処理を行う。次に、基板
温度を約500℃に下げてGaNまたはAlNからなる
バッファ層2を成長させる。GaNからなるバッファ層
の厚みは250オングストローム、AlNからなるバッ
ファ層の厚みは500オングストロームとする。
型GaN層3を厚み約4μm成長させる。
0.9Nクラッド層4aを約0.15μm〜0.3μm成
長させ、その後、基板温度を約500℃に下げてn型G
aN緩衝層5を約200オングストローム成長させる。
さらに、上記n型クラッド層4a/n型緩衝層5の成長
を繰り返して、下部クラッド層4の厚みを約1μmとす
る。
ープまたはSiドープIn0.2Ga0 .8N活性層[または
発光層]6を厚み約200オングストローム成長させ
る。
p型Al0.1Ga0.9Nクラッド層7aを約0.15μm
〜0.3μm成長させ、その後、基板温度を約500℃
に下げてp型GaN緩衝層8を約200オングストロー
ム成長させる。さらに、上記p型クラッド層7a/p型
緩衝層8の成長を繰り返して、上部クラッド層7の厚み
を約1μmにする。
み約1μm成長させる。
2雰囲気中で熱アニーリングを行うことにより、p型緩
衝層8、p型クラッド層7aおよびp型キャップ層9を
高濃度のp型層に変化させる。
aN層3が露出するまでエッチングを行い、これにより
露出されたn型GaN層3上にn型電流11を形成し、
p型キャップ層9の上にp型電流10を形成する。
℃または約1200℃等、クラッド層と同じかまたは高
い成長温度で行ってもよいが、GaN緩衝層の蒸発を考
慮すれば、約500℃程度のクラッド層よりも低い成長
温度で行うのが好ましい。
ラッド層の間にGaN緩衝層が形成されているので、表
面状態が良好でクラックの無い良質なAlGaNクラッ
ド層の結晶成長が可能であった。このように良質で厚膜
のクラッド層が得られるので、量産性に優れ、電気特性
および光学特性が良好なAlGaInN系半導体レーザ
および発光ダイオードの実現が可能となる。
約0.15〜0.3μmのn型Al0.3Ga0.7Nクラッ
ド層4aと厚み約200オングストロームのn型GaN
緩衝層5とを繰り返し成長して下部クラッド層4の厚み
を約1μmとし、厚み約0.15〜0.3μmのp型A
l0.3Ga0.7Nクラッド層7aと厚み約200オングス
トロームのp型GaN緩衝層8とを繰り返し成長して上
部クラッド層7の厚みを約1μmとしている。また、活
性層[または発光層]6としては、実施形態1と同様
に、厚み約200オングストロームのノンドープまたは
SiドープGa0.2In0.8N層を形成している。その他
の構造は、実施形態1と同様である。
ド]の製造は、以下のようにして行われる。
OCVD法により行い、基板としてサファイア(000
1)C面を用いる。III族ガス源、V族ガス源、n型
ドーパント源、p型ドーパント源およびキャリアガスと
しては実施形態1と同様のものを用いる。
ア基板1上にバッファ層2およびn型GaN層3を成長
させる。
℃の基板温度でn型Al0.3Ga0.7Nクラッド層4aを
約0.15μm〜0.3μm成長させ、その後、基板温
度を約500℃に下げてn型GaN緩衝層5を約200
オングストローム成長させる。さらに、上記n型クラッ
ド層4a/n型緩衝層5の成長を繰り返して、下部クラ
ッド層4の厚みを約1μmにする。
たは発光層]6を成長させる。
p型Al0.3Ga0.7Nクラッド層7aを約0.15μm
〜0.3μm成長させ、その後、基板温度を約500℃
に下げてp型GaN緩衝層8を約200オングストロー
ム成長させる。さらに、上記p型クラッド層7a/p型
緩衝層8の成長を繰り返して、上部クラッド層7の厚み
を約1μmとする。
キャップ層9を成長させ、p型緩衝層8、p型クラッド
層7a、p型キャップ層9を高濃度のp型層に変化させ
る。その後、実施形態1と同様にしてp型電極10およ
びn型電極11を形成する。
℃または約1200℃等、クラッド層と同じかまたは高
い成長温度で行ってもよいが、GaN緩衝層の蒸発を考
慮すれば、約500℃程度のクラッド層よりも低い成長
温度で行うのが好ましい。
ラッド層の間にGaN緩衝層が形成されているので、表
面状態が良好でクラックの無い良質なAlGaNクラッ
ド層の結晶成長が可能であった。このように良質で厚膜
のクラッド層が得られるので、量産性に優れ、電気特性
および光学特性が良好なAlGaInN系半導体レーザ
および発光ダイオードの実現が可能となる。
約0.15〜0.3μmのn型Al0.1Ga0.9Nクラッ
ド層4aと厚み約200オングストロームのn型AlN
緩衝層5とを繰り返し成長して下部クラッド層4の厚み
を約1μmとし、厚み約0.15〜0.3μmのp型A
l0.1Ga0.9Nクラッド層7aと厚み約200オングス
トロームのp型AlN緩衝層8とを繰り返し成長して上
部クラッド層7の厚みを約1μmとしている。また、活
性層[または発光層]6としては、実施形態1と同様
に、厚み約200オングストロームのノンドープまたは
SiドープGa0.2In0.8N層を形成している。その他
の構造は、実施形態1と同様である。
ド]の製造は、以下のようにして行われる。
OCVD法により行い、基板としてサファイア(000
1)C面を用いる。III族ガス源、V族ガス源、n型ド
ーパント源、p型ドーパント源およびキャリアガスとし
ては実施形態1と同様のものを用いる。
ア基板1上にバッファ層2およびn型GaN層3を成長
させる。
℃の基板温度でn型Al0.1Ga0.9Nクラッド層4aを
約0.15μm〜0.3μm成長させ、その後、基板温
度を約1000℃または約1200℃にしてn型AlN
緩衝層5を約200オングストローム成長させる。さら
に、上記n型クラッド層4a/n型緩衝層5の成長を繰
り返して、下部クラッド層4の厚みを約1μmにする。
たは発光層]6を成長させる。
p型Al0.1Ga0.9Nクラッド層7aを約0.15μm
〜0.3μm成長させ、その後、基板温度を約500℃
に下げてp型AlN緩衝層8を約200オングストロー
ム成長させる。さらに、上記p型クラッド層7a/p型
緩衝層8の成長を繰り返して、上部クラッド層7の厚み
を約1μmにする。
キャップ層9を成長させ、p型緩衝層8、p型上部クラ
ッド層7、p型キャップ層9を高濃度のp型層に変化さ
せる。
10およびn型電極11を形成する。
0℃程度の低温でもよいが、AlN緩衝層はその蒸発を
考慮しなくてよく、約1000℃または約1200℃等
の高温の方が好ましい。また、成長中に温度を下げるこ
となく成長を行い得るため製造が容易になる。
ラッド層の間にAlN緩衝層が形成されているので、表
面状態が良好でクラックの無い良質なAlGaNクラッ
ド層の結晶成長が可能であった。このように良質で厚膜
のクラッド層が得られるので、量産性に優れ、電気特性
および光学特性が良好なAlGaInN系半導体レーザ
および発光ダイオードの実現が可能となる。
約0.15〜0.3μmのn型Al0.3Ga0.7Nクラッ
ド層4aと厚み約200オングストロームのn型Al
0.05Ga0.95N緩衝層5とを繰り返し成長して下部クラ
ッド層4の厚みを約1μmとし、厚み約0.15〜0.
3μmのp型Al0.3Ga0.7Nクラッド層7aと厚み約
200オングストロームのp型Al0.05Ga0.95N緩衝
層8とを繰り返し成長して上部クラッド層7aの厚みを
約1μmとしている。また、活性層[または発光層]6
としては、実施形態1と同様に、厚み約200オングス
トロームのノンドープまたはSiドープGa0.2In0.8
N層を形成している。その他の構造は、実施形態1と同
様である。
ド]の製造は、以下のようにして行われる。
OCVD法により行い、基板としてサファイア(000
1)C面を用いる。III族ガス源、V族ガス源、n型ド
ーパント源、p型ドーパント源およびキャリアガスとし
ては実施形態1と同様のものを用いる。
ア基板1上にバッファ層2およびn型GaN層3を成長
させる。
℃の基板温度でn型Al0.3Ga0.7Nクラッド層4aを
約0.15μm〜0.3μm成長させ、その後、基板温
度を約1000℃または約1200℃にしてn型Al
0.05Ga0.95N緩衝層5を約200オングストローム成
長させる。さらに、上記n型クラッド層4a/n型緩衝
層5の成長を繰り返して、下部クラッド層4の厚みを約
1μmにする。
たは発光層]6を成長させる。
p型Al0.3Ga0.7Nクラッド層7aを約0.15μm
〜0.3μm成長させ、その後、基板温度を約1000
℃または約1200℃にしてp型Al0.05Ga0.95N緩
衝層8を約200オングストローム成長させる。さら
に、上記p型クラッド層7a/p型緩衝層8の成長を繰
り返して、上部クラッド層7の厚みを約1μmにする。
キャップ層9を成長させ、p型緩衝層8、p型クラッド
層7a、p型キャップ層9を高濃度のp型層に変化させ
る。その後、実施形態1と同様にしてp型電極10およ
びn型電極11を形成する。
0℃程度の低温でもよいが、AlN緩衝層はその蒸発を
考慮しなくてよく、約1000℃または約1200℃等
の高温の方が好ましい。また、成長中に温度を下げるこ
となく成長を行い得るため製造が容易になる。
ラッド層の間にAlGaN緩衝層が形成されているの
で、表面状態が良好でクラックの無い良質なAlGaN
クラッド層の結晶成長が可能であった。このように良質
で厚膜のクラッド層が得られるので、量産性に優れ、電
気特性および光学特性が良好なAlGaInN系半導体
レーザおよび発光ダイオードの実現が可能となる。
形態であるAlGaN/InGaN/AlGaN系半導
体レーザ[または発光ダイオード]を示す断面図であ
る。
のGaNまたはAlNからなるバッファ層2が形成さ
れ、その上に、n型GaN層3、n型下部クラッド層
4、ノンドープまたはSiドープAlwGazIn1-w-z
N(0≦w≦1、0≦z≦1)活性層[または発光層]
6、p型上部クラッド層7およびp型GaNキャップ層
9が積層形成されている。
Ga1-yN(0<y<1)クラッド層4aと薄層のn型
AlxGa1-xN(0≦x≦1)緩衝層5が積層形成さ
れ、p型上部クラッド層7中には、p型AlyGa1-yN
(0<y<1)クラッド層7aと薄層のp型AlxGa
1-xN(0≦x≦1)緩衝層8が積層形成されて、下部
クラッド層4および上部クラッド層7の厚みが約1μm
程度にされている。
形成されている。また、n型下部クラッド層4、活性層
[または発光層]6、p型上部クラッド層7、p型緩衝
層8およびp型キャップ層9は、n型GaN層3が一部
露出するように部分的に除去され、そのn型GaN3の
露出部上にn型電極11が形成されている。
は、厚み約0.3μmのn型Al0.1Ga0.9Nクラッド
層4a、厚み約200オングストロームのn型GaN緩
衝層5、厚み約0.25μmのn型Al0.1Ga0.9Nク
ラッド層4a、厚み約200オングストロームのn型G
aN緩衝層5および厚み約0.15μmのn型Al0. 1
Ga0.9Nクラッド層4aを順次成長している。また、
上部クラッド層7は、厚み約0.15μmのp型Al
0.1Ga0.9Nクラッド層7a、厚み約200オングスト
ロームのp型GaN緩衝層8、厚み約0.25μmのp
型Al0.1Ga0.9Nクラッド層7a、厚み約200オン
グストロームのp型GaN緩衝層8および厚み約0.3
μmのp型Al0.1Ga0.9Nクラッド層7aを順次成長
している。さらに、活性層[または発光層]6として
は、実施形態1と同様に、厚み約200オングストロー
ムのノンドープまたはSiドープGa0.2In0.8N層を
形成している。その他の構造は、実施形態1と同様であ
る。
ド]の製造は、以下のようにして行われる。
OCVD法により行い、基板としてサファイア(000
1)C面を用いる。III族ガス源、V族ガス源、n型ド
ーパント源、p型ドーパント源およびキャリアガスとし
ては実施形態1と同様のものを用いる。
ア基板1上にバッファ層2およびn型GaN層3を成長
させる。
℃の基板温度でn型Al0.3Ga0.7Nクラッド層4aを
約0.3μm成長させ、その後、基板温度を約500℃
に下げてn型GaN緩衝層5を約200オングストロー
ム成長させる。次に、約1020℃の基板温度でn型A
l0.3Ga0.7Nクラッド層4aを約0.25μm成長さ
せ、その後、基板温度を約500℃に下げてn型GaN
緩衝層5を約200オングストローム成長させる。さら
に、約1020℃の基板温度でn型Al0.3Ga0.7Nク
ラッド層4aを約0.15μm成長させる。
たは発光層]6を成長させる。
p型Al0.3Ga0.7Nクラッド層7aを約0.15μm
成長させ、その後、基板温度を約500℃に下げてp型
GaN緩衝層8を約200オングストローム成長させ
る。次に、約1020℃の基板温度でp型Al0.3Ga
0.7Nクラッド層7aを約0.25μm成長させ、その
後、基板温度を約500℃に下げてp型GaN緩衝層8
を約200オングストローム成長らはる。さらに、約1
020℃の基板温度でp型Al0.3Ga0.7Nクラッド層
7aを約0.3μm成長させる。
キャップ層9を成長させ、p型緩衝層8、p型クラッド
層7a、p型キャップ層9を高濃度のp型層に変化させ
る。その後、実施形態1と同様にしてp型電極10およ
びn型電極11を形成する。
℃または約1200℃等、クラッド層と同じかまたは高
い成長温度で行ってもよいが、GaN緩衝層の蒸発を考
慮すれば、約500℃程度のクラッド層よりも低い成長
温度で行うのが好ましい。
ラッド層の間にGaN緩衝層が形成されているので、表
面状態が良好でクラックの無い良質なAlGaNクラッ
ド層の結晶成長が可能であった。また、活性層[または
発光層]に近付くにつれてAlGaNクラッド層を薄く
しているので、クラッド層の結晶状態をさらに良好にす
ることができた。このように良質で厚膜なクラッド層が
得られるので、量産性に優れ、電気特性および光学特性
が良好なAlGaInN系半導体レーザおよび発光ダイ
オードの実現が可能となる。
のではなく、成長条件、有機金属化合物ガスの種類、使
用材料等は上記実施形態に示した以外のものを用いるこ
とができる。
によれば、基板上に、MOCVD法によりAlyGa1-y
N(0<y<1)からなる化合物半導体層を形成する方
法において、前記化合物半導体層は、前記基板側から順
次、下部クラッド層と、活性層または発光層と、上部ク
ラッド層とを少なくとも備える化合物半導体発光素子の
前記下部クラッド層および上部クラッド層であって、こ
れら下部クラッド層および上部クラッド層中に緩衝層を
単層または複数層形成することにより、表面状態が良好
でクラックの無い良質な下部クラッド層および上部クラ
ッド層を所望の厚みに成長できる。
の場合、AlxGa1-xN(0≦x≦1)緩衝層とクラッ
ド層とを繰り返して成長することにより、上部クラッド
層および下部クラッド層を約1μm程度成長することが
可能である。この上部クラッド層、下部クラッド層およ
びAlwGazIn1-w-zN(0≦w≦1、0≦z≦1)
活性層[または発光層]により、量産性に優れ、電気特
性および光学特性が良好なAlGaInN系半導体レー
ザ素子および発光ダイオードが実現可能である。
は発光ダイオード]を示す断面模式図である。
たは発光ダイオード]を示す断面模式図である。
を示す断面模式図である。
ド層表面を示す平面模式図である。
ド層の作製工程を示す断面模式図である。
1-w-zN(0≦w≦1、0≦z≦1)活性層または発光
層 7 上部クラッド層 7a p型AlyGa1-yN(0<y<1)クラッド層 8 薄層p型AlxGa1-xN(0≦x≦1)緩衝層 9 p型GaNキャップ層 10 p型電極 11 n型電極
Claims (4)
- 【請求項1】 基板上に、MOCVD法によりAlyG
a1-yN(0<y<1)からなる化合物半導体層を形成
する方法において、前記化合物半導体層は、前記基板側
から順次、下部クラッド層と、活性層または発光層と、
上部クラッド層とを少なくとも備える化合物半導体発光
素子の前記下部クラッド層および上部クラッド層であっ
て、これら下部クラッド層および上部クラッド層中に緩
衝層を単層または複数層形成することを特徴とする化合
物半導体層の形成方法。 - 【請求項2】 前記緩衝層は、AlxGa1-xN(0≦x
≦1)からなる化合物半導体からなることを特徴とする
請求項1に記載の化合物半導体層の形成方法。 - 【請求項3】 前記緩衝層を含んだ前記下部クラッド層
および上部クラッド層としての化合物半導体層は、1μ
m程度の厚みを有することを特徴とする請求項1乃至2
のいずれかに記載の化合物半導体層の形成方法。 - 【請求項4】 前記緩衝層は、前記下部クラッド層およ
び上部クラッド層としてのAlyGa1-yN(0<y<
1)化合物半導体層の形成温度と異なる温度で形成され
ることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の
化合物半導体層の形成方法。
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