JP3456544B2 - スチレン系樹脂組成物 - Google Patents
スチレン系樹脂組成物Info
- Publication number
- JP3456544B2 JP3456544B2 JP29044093A JP29044093A JP3456544B2 JP 3456544 B2 JP3456544 B2 JP 3456544B2 JP 29044093 A JP29044093 A JP 29044093A JP 29044093 A JP29044093 A JP 29044093A JP 3456544 B2 JP3456544 B2 JP 3456544B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- styrene
- bis
- butyl
- resin composition
- phenyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
- C08K5/22—Compounds containing nitrogen bound to another nitrogen atom
- C08K5/24—Derivatives of hydrazine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L25/00—Compositions of, homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Compositions of derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
- C08K5/0075—Antistatics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
- C08K5/20—Carboxylic acid amides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K5/00—Use of organic ingredients
- C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
- C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
- C08K5/3467—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having more than two nitrogen atoms in the ring
- C08K5/3477—Six-membered rings
- C08K5/3492—Triazines
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスチレン系樹脂組成物に
関し、更に詳しくは高度なシンジオタクチック構造を有
するスチレン系重合体からなるスチレン系樹脂組成物に
関する。
関し、更に詳しくは高度なシンジオタクチック構造を有
するスチレン系重合体からなるスチレン系樹脂組成物に
関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】高度の
シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体は耐
熱性，耐溶剤性，電気特性等に優れていることから、種
々の用途が期待され、特に電子機器部品，プリント基
板，絶縁粘着テープ，コンデンサー等の電気絶縁用途に
好適な素材として期待されている。しかしながら、従来
のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
は、例えば薄いフィルムなどに成形した場合、十分な耐
電圧を示さないことがあり、更に耐電圧の向上が望まれ
ていた。このようなシンジオタクチック構造を有するス
チレン系重合体の耐電圧を改良する方法として、例えば
特開平３−１２４７５０号公報には重合体の触媒残渣及
び残留モノマーを低減する方法が提案されているが、上
記方法によれば実用に供する程度の絶縁破壊電圧の改良
は認められるものの、プリント基板，コンデンサー等に
おける直流に対する高耐電圧の用途での利用可能性が限
られるという問題点があった。また、シンジオタクチッ
ク構造を有するスチレン系重合体にリン系酸化防止剤，
フェノール系酸化防止剤，イオウ系酸化防止剤などを添
加した組成物が提案されているが耐電圧の向上は未だ十
分でなかった。
シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体は耐
熱性，耐溶剤性，電気特性等に優れていることから、種
々の用途が期待され、特に電子機器部品，プリント基
板，絶縁粘着テープ，コンデンサー等の電気絶縁用途に
好適な素材として期待されている。しかしながら、従来
のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
は、例えば薄いフィルムなどに成形した場合、十分な耐
電圧を示さないことがあり、更に耐電圧の向上が望まれ
ていた。このようなシンジオタクチック構造を有するス
チレン系重合体の耐電圧を改良する方法として、例えば
特開平３−１２４７５０号公報には重合体の触媒残渣及
び残留モノマーを低減する方法が提案されているが、上
記方法によれば実用に供する程度の絶縁破壊電圧の改良
は認められるものの、プリント基板，コンデンサー等に
おける直流に対する高耐電圧の用途での利用可能性が限
られるという問題点があった。また、シンジオタクチッ
ク構造を有するスチレン系重合体にリン系酸化防止剤，
フェノール系酸化防止剤，イオウ系酸化防止剤などを添
加した組成物が提案されているが耐電圧の向上は未だ十
分でなかった。
【０００３】更に、ポリエチレン等ではピレン等の多環
芳香族化合物の添加による耐電圧の向上が報告されてい
るがシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
に関しては、これらの化合物の添加による効果は認めら
れなかった。同様にポリエチレン等において絶縁破壊電
圧を向上させる方法として知られている、架橋構造のポ
リエチレンを用いる方法、結晶サイズを微細にする方
法、結晶化度を向上させる方法等はいずれもシンジオタ
クチック構造を有するスチレン系重合体においては結晶
化挙動、結晶構造、加工方法・条件が異なるため適用は
困難であった。本発明は上記のような状況に鑑みてなさ
れたものである。即ち、本発明者らは、鋭意検討の結果
上記シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
の耐電圧性を改良する手段として、特定の構造を有する
低分子有機化合物の添加が有効であることを見出した。
本発明はかかる知見に基いて完成されたものである。
芳香族化合物の添加による耐電圧の向上が報告されてい
るがシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
に関しては、これらの化合物の添加による効果は認めら
れなかった。同様にポリエチレン等において絶縁破壊電
圧を向上させる方法として知られている、架橋構造のポ
リエチレンを用いる方法、結晶サイズを微細にする方
法、結晶化度を向上させる方法等はいずれもシンジオタ
クチック構造を有するスチレン系重合体においては結晶
化挙動、結晶構造、加工方法・条件が異なるため適用は
困難であった。本発明は上記のような状況に鑑みてなさ
れたものである。即ち、本発明者らは、鋭意検討の結果
上記シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
の耐電圧性を改良する手段として、特定の構造を有する
低分子有機化合物の添加が有効であることを見出した。
本発明はかかる知見に基いて完成されたものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は
（Ａ）高度のシンジオタクチック構造を有するスチレン
系重合体７０〜９9.９重量％、及び（Ｂ）−ＮＨ−基を
有し、かつ１0,０００未満の分子量を有する有機化合物
0.１〜３０重量％、を含むスチレン系樹脂組成物、を提
供するものである。以下に、本発明を更に詳細に説明す
る。
（Ａ）高度のシンジオタクチック構造を有するスチレン
系重合体７０〜９9.９重量％、及び（Ｂ）−ＮＨ−基を
有し、かつ１0,０００未満の分子量を有する有機化合物
0.１〜３０重量％、を含むスチレン系樹脂組成物、を提
供するものである。以下に、本発明を更に詳細に説明す
る。
【０００５】本発明におけるシンジオタクチック構造の
スチレン系重合体とは、立体化学構造がシンジオタクチ
ック構造、即ち炭素−炭素結合から形成される主鎖に対
して側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が交互に反
対方向に位置する立体構造を有するものであり、そのタ
クティシティーは同位体炭素による核磁気共鳴法(13Ｃ
−ＮＭＲ法）により定量される。13Ｃ−ＮＭＲ法により
測定されるタクティシティーは、連続する複数個の構成
単位の存在割合、例えば２個の場合はダイアッド，３個
の場合はトリアッド，５個の場合はペンタッドによって
示すことができるが、本発明にいう高度のシンジオタク
チック構造を有するスチレン系重合体とは、通常はラセ
ミダイアッドで７５％以上、好ましくは８５％以上、若
しくはラセミペンタッドで３０％以上、好ましくは５０
％以上のシンジオタクティシティーを有するポリスチレ
ン，ポリ( アルキルスチレン),ポリ( ハロゲン化スチレ
ン),ポリ( アルコキシスチレン),ポリ( ビニル安息香酸
エステル），これらの水素化重合体およびこれらの混合
物、あるいはこれらの構造単位を含む共重合体を指称す
る。なお、ここでポリ( アルキルスチレン) としては、
ポリ( メチルスチレン),ポリ( エチルスチレン),ポリ(
プロピルスチレン),ポリ( ブチルスチレン),ポリ( フェ
ニルスチレン),ポリ( ビニルナフタレン),ポリ( ビニル
スチレン),ポリ( アセナフチレン) などがあり、ポリ(
ハロゲン化スチレン) としては、ポリ( クロロスチレ
ン),ポリ( ブロモスチレン),ポリ( フルオロスチレン)
などがある。また、ポリ( アルコキシスチレン) として
は、ポリ( メトキシスチレン),ポリ( エトキシスチレ
ン) などがある。これらのうち特に好ましいスチレン系
重合体としては、ポリスチレン，ポリ( ｐ−メチルスチ
レン),ポリ( ｍ−メチルスチレン),ポリ( ｐ−ターシャ
リーブチルスチレン),ポリ( ｐ−クロロスチレン),ポリ
( ｍ−クロロスチレン),ポリ( ｐ−フルオロスチレン)
、またスチレンとｐ−メチルスチレンとの共重合体を
あげることができる（特開昭６２−１８７７０８号公
報）。
スチレン系重合体とは、立体化学構造がシンジオタクチ
ック構造、即ち炭素−炭素結合から形成される主鎖に対
して側鎖であるフェニル基や置換フェニル基が交互に反
対方向に位置する立体構造を有するものであり、そのタ
クティシティーは同位体炭素による核磁気共鳴法(13Ｃ
−ＮＭＲ法）により定量される。13Ｃ−ＮＭＲ法により
測定されるタクティシティーは、連続する複数個の構成
単位の存在割合、例えば２個の場合はダイアッド，３個
の場合はトリアッド，５個の場合はペンタッドによって
示すことができるが、本発明にいう高度のシンジオタク
チック構造を有するスチレン系重合体とは、通常はラセ
ミダイアッドで７５％以上、好ましくは８５％以上、若
しくはラセミペンタッドで３０％以上、好ましくは５０
％以上のシンジオタクティシティーを有するポリスチレ
ン，ポリ( アルキルスチレン),ポリ( ハロゲン化スチレ
ン),ポリ( アルコキシスチレン),ポリ( ビニル安息香酸
エステル），これらの水素化重合体およびこれらの混合
物、あるいはこれらの構造単位を含む共重合体を指称す
る。なお、ここでポリ( アルキルスチレン) としては、
ポリ( メチルスチレン),ポリ( エチルスチレン),ポリ(
プロピルスチレン),ポリ( ブチルスチレン),ポリ( フェ
ニルスチレン),ポリ( ビニルナフタレン),ポリ( ビニル
スチレン),ポリ( アセナフチレン) などがあり、ポリ(
ハロゲン化スチレン) としては、ポリ( クロロスチレ
ン),ポリ( ブロモスチレン),ポリ( フルオロスチレン)
などがある。また、ポリ( アルコキシスチレン) として
は、ポリ( メトキシスチレン),ポリ( エトキシスチレ
ン) などがある。これらのうち特に好ましいスチレン系
重合体としては、ポリスチレン，ポリ( ｐ−メチルスチ
レン),ポリ( ｍ−メチルスチレン),ポリ( ｐ−ターシャ
リーブチルスチレン),ポリ( ｐ−クロロスチレン),ポリ
( ｍ−クロロスチレン),ポリ( ｐ−フルオロスチレン)
、またスチレンとｐ−メチルスチレンとの共重合体を
あげることができる（特開昭６２−１８７７０８号公
報）。
【０００６】更に、スチレン系共重合体におけるコモノ
マーとしては、上述の如きスチレン系重合体のモノマー
のほか、エチレン，プロピレン，ブテン，ヘキセン，オ
クテン等のオレフィンモノマー、ブタジエン，イソプレ
ン等のジエンモノマー、環状ジエンモノマーやメタクリ
ル酸メチル，無水マレイン酸，アクリロニトリル等の極
性ビニルモノマー等をあげることができる。またこのス
チレン系重合体は、分子量について特に制限はないが、
重量平均分子量が10,000以上3,000,000 以下のものが好
ましく、とりわけ50,000以上 1,500,000以下のものが更
に好ましい。ここで重量平均分子量が 10,000 未満であ
ると、延伸が充分にできない場合がある。さらに、分子
量分布についてはその広狭は制約がなく、 様々なものを
充当することが可能であるが、重量平均分子量( Ｍw)／
数平均分子量( Ｍn)が 1. ５以上８以下のものが好まし
い。なお、このシンジオタクチック構造を有するスチレ
ン系重合体は、従来のアタクチック構造のスチレン系重
合体に比べて耐熱性が格段に優れている。
マーとしては、上述の如きスチレン系重合体のモノマー
のほか、エチレン，プロピレン，ブテン，ヘキセン，オ
クテン等のオレフィンモノマー、ブタジエン，イソプレ
ン等のジエンモノマー、環状ジエンモノマーやメタクリ
ル酸メチル，無水マレイン酸，アクリロニトリル等の極
性ビニルモノマー等をあげることができる。またこのス
チレン系重合体は、分子量について特に制限はないが、
重量平均分子量が10,000以上3,000,000 以下のものが好
ましく、とりわけ50,000以上 1,500,000以下のものが更
に好ましい。ここで重量平均分子量が 10,000 未満であ
ると、延伸が充分にできない場合がある。さらに、分子
量分布についてはその広狭は制約がなく、 様々なものを
充当することが可能であるが、重量平均分子量( Ｍw)／
数平均分子量( Ｍn)が 1. ５以上８以下のものが好まし
い。なお、このシンジオタクチック構造を有するスチレ
ン系重合体は、従来のアタクチック構造のスチレン系重
合体に比べて耐熱性が格段に優れている。
【０００７】本発明に係るシンジオタクチック構造を有
するスチレン系重合体は、上述した如きものであり、ま
たその不純物含量が極めて少なく、高純度のものが好ま
しい。つまり、このスチレン系重合体には、スチレン系
単量体を重合して該スチレン系重合体を製造する工程に
おいて使用された触媒に起因するIII Ｂ族化合物のアル
ミニウム分の含量が好ましくは１０００ppm 以下、更に
好ましくは８００ppmであり、またスチレン系単量体の
残留量が３０００ppm 以下、更に２０００ppm以下であ
ることが好ましい。ここで触媒に起因するIII Ｂ族化合
物としては、通常使用されるチタン化合物−アルミニウ
ム化合物触媒の場合、そこに含有されるアルミニウム化
合物が挙げられる。またスチレン系単量体とは、重合に
供する原料の単量体であり、共重合体を得るためにスチ
レン系単量体以外の単量体を使用した場合はその残留物
も含まれる。上記高度のシンジオタクチック構造を有す
るスチレン系重合体は、本発明のスチレン系樹脂組成物
中に７０〜９9.９重量％、好ましくは８０〜９9.９重量
％含有される。
するスチレン系重合体は、上述した如きものであり、ま
たその不純物含量が極めて少なく、高純度のものが好ま
しい。つまり、このスチレン系重合体には、スチレン系
単量体を重合して該スチレン系重合体を製造する工程に
おいて使用された触媒に起因するIII Ｂ族化合物のアル
ミニウム分の含量が好ましくは１０００ppm 以下、更に
好ましくは８００ppmであり、またスチレン系単量体の
残留量が３０００ppm 以下、更に２０００ppm以下であ
ることが好ましい。ここで触媒に起因するIII Ｂ族化合
物としては、通常使用されるチタン化合物−アルミニウ
ム化合物触媒の場合、そこに含有されるアルミニウム化
合物が挙げられる。またスチレン系単量体とは、重合に
供する原料の単量体であり、共重合体を得るためにスチ
レン系単量体以外の単量体を使用した場合はその残留物
も含まれる。上記高度のシンジオタクチック構造を有す
るスチレン系重合体は、本発明のスチレン系樹脂組成物
中に７０〜９9.９重量％、好ましくは８０〜９9.９重量
％含有される。
【０００８】このような高純度のスチレン系重合体を製
造するには、種々の方法があるが、例えば次の如くであ
る。なお、原料としては上述の重合体に対応する単量体
を用いる。まず、残留アルミニウム分及び残留スチレン
系単量体を調節するためには、高活性触媒を用いてス
チレン系重合体を製造する方法（特願昭６３−７４６６
号明細書参照）あるいは脱灰，洗浄による方法、即
ち、特開昭６２−１８７７０８号公報等に記載の通常の
IVＡ族の有機金属化合物（例えば、有機チタン化合物）
とメチルアルミノキサン等のアルキルアルミノキサンを
触媒成分として、スチレン系単量体を重合させた後、得
られたシンジオタクチック構造のスチレン系重合体を、
酸，アルカリを適当な溶媒に溶解させた溶液により脱灰
し、適当な溶媒で洗浄する方法がある。
造するには、種々の方法があるが、例えば次の如くであ
る。なお、原料としては上述の重合体に対応する単量体
を用いる。まず、残留アルミニウム分及び残留スチレン
系単量体を調節するためには、高活性触媒を用いてス
チレン系重合体を製造する方法（特願昭６３−７４６６
号明細書参照）あるいは脱灰，洗浄による方法、即
ち、特開昭６２−１８７７０８号公報等に記載の通常の
IVＡ族の有機金属化合物（例えば、有機チタン化合物）
とメチルアルミノキサン等のアルキルアルミノキサンを
触媒成分として、スチレン系単量体を重合させた後、得
られたシンジオタクチック構造のスチレン系重合体を、
酸，アルカリを適当な溶媒に溶解させた溶液により脱灰
し、適当な溶媒で洗浄する方法がある。
【０００９】このようにしてあるいはの方法によ
り、残留アルミニウム分の少ないシンジオタクチック構
造のスチレン系重合体が得られるが、さらに、これを下
記あるいはの方法で処理すれば、残留スチレン系単
量体が５０００ppm 以下のものとなる。この段階で残留
スチレン系単量体が５０００ppm 以下のものであれば、
フィルムとした場合に、目的である残留量を３０００pp
m とすることができる。 上記スチレン系重合体を減圧乾燥する方法 ここで減圧乾燥するにあたっては、乾燥温度を該重合体
のガラス転移温度以上とすると効率がよい。 上記スチレン系重合体を押出機により脱気する方法 このような処理を経て残留アルミニウム分及び残留スチ
レン系単量体の少ない高純度のシンジオタクチック構造
のスチレン系重合体が得られる。また特に触媒に起因し
て残留するIVＡ族元素化合物、具体的には残留チタン分
が１０ppm 以下、好ましくは残留チタン分が７ppm 以
下、脱灰操作によって含まれるハロゲン化合物は５０pp
m 以下、アルカリ金属化合物は１００ppm 以下となるよ
うに調整することが、電気的特性上好ましい。
り、残留アルミニウム分の少ないシンジオタクチック構
造のスチレン系重合体が得られるが、さらに、これを下
記あるいはの方法で処理すれば、残留スチレン系単
量体が５０００ppm 以下のものとなる。この段階で残留
スチレン系単量体が５０００ppm 以下のものであれば、
フィルムとした場合に、目的である残留量を３０００pp
m とすることができる。 上記スチレン系重合体を減圧乾燥する方法 ここで減圧乾燥するにあたっては、乾燥温度を該重合体
のガラス転移温度以上とすると効率がよい。 上記スチレン系重合体を押出機により脱気する方法 このような処理を経て残留アルミニウム分及び残留スチ
レン系単量体の少ない高純度のシンジオタクチック構造
のスチレン系重合体が得られる。また特に触媒に起因し
て残留するIVＡ族元素化合物、具体的には残留チタン分
が１０ppm 以下、好ましくは残留チタン分が７ppm 以
下、脱灰操作によって含まれるハロゲン化合物は５０pp
m 以下、アルカリ金属化合物は１００ppm 以下となるよ
うに調整することが、電気的特性上好ましい。
【００１０】本発明において、−ＮＨ−基を有しかつ１
0,０００未満の分子量を有する有機化合物としては、−
ＮＨ−基に電子吸引基が隣接しているものが好ましく、
このような電子吸引基としては、ベンゼン環，ナフタレ
ン環，アントラセン環，ピリジン環，トリアジン環，イ
ンデニル環及びこれらの誘導体等の芳香族環又はカルボ
ニル構造を含むことが好ましい。また、上記有機化合物
としては熱分解温度が２６０℃以上のものが特に好まし
い。具体的には以下の化合物、例えば、２，４−ビス−
（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５
−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジ
ン、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナミド）、Ｎ，
Ｎ’−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−ヒドロキ
シフェニル）プロピオニル〕ヒドラジン、３−（Ｎ−サ
リチロイル）アミノ−１，２，４−トリアゾール、デカ
メチレンジカルボン酸ジサリチロイルヒドラジド、イソ
フタル酸（２−フェノキシプロピオニルヒドラジド）、
２，２−オギザミド−ビス〔エチル−３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト〕、オギザリル−ビス（ベンジリデン−ヒドラジ
ド）、Ｎ−ホルミル−Ｎ’−サリシロイルヒドラジン、
２−メルカプトベンツイミダゾール、Ｎ，Ｎ’−ジ−２
−ナフチル−ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ビス
（α，α−ジメチルベンジル）ジフェニルアミン、２−
メルカプトメチルベンツイミダゾール，スチレン化ジフ
ェニルアミン、オクチル化ジフェニルアミン、Ｎ−フェ
ニル−１−ナフチルアミン、ポリ（２，２，４−トリメ
チル−１，２−ジヒドロキノリン）、６−エトキシ−
１，２−ジヒドロ−２，２，４−トリメチルキノリン、
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−
フェニル−Ｎ’−（１，３−ジメチルブチル）−ｐ−フ
ェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ’−（３−メタク
リルオキシ−２−ヒドロキシプロピル）−ｐ−フェニレ
ンジアミン、チオジフェニルアミン、ｐ−アミノジフェ
ニルアミン、Ｎ−サリシロイル−Ｎ’−アルデヒドヒド
ラジン、Ｎ−サリシロイル−Ｎ’−アセチルヒドラジ
ン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−オキサミド、Ｎ，Ｎ’−ジ
（２−ヒドロキシフェニル）オキサミド、６−エトキシ
−２，２，４−トリメチル−１，２−ジヒドロキノリ
ン、Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレ
ンジアミン等が使用できる。
0,０００未満の分子量を有する有機化合物としては、−
ＮＨ−基に電子吸引基が隣接しているものが好ましく、
このような電子吸引基としては、ベンゼン環，ナフタレ
ン環，アントラセン環，ピリジン環，トリアジン環，イ
ンデニル環及びこれらの誘導体等の芳香族環又はカルボ
ニル構造を含むことが好ましい。また、上記有機化合物
としては熱分解温度が２６０℃以上のものが特に好まし
い。具体的には以下の化合物、例えば、２，４−ビス−
（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５
−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジ
ン、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナミド）、Ｎ，
Ｎ’−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−ヒドロキ
シフェニル）プロピオニル〕ヒドラジン、３−（Ｎ−サ
リチロイル）アミノ−１，２，４−トリアゾール、デカ
メチレンジカルボン酸ジサリチロイルヒドラジド、イソ
フタル酸（２−フェノキシプロピオニルヒドラジド）、
２，２−オギザミド−ビス〔エチル−３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト〕、オギザリル−ビス（ベンジリデン−ヒドラジ
ド）、Ｎ−ホルミル−Ｎ’−サリシロイルヒドラジン、
２−メルカプトベンツイミダゾール、Ｎ，Ｎ’−ジ−２
−ナフチル−ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ビス
（α，α−ジメチルベンジル）ジフェニルアミン、２−
メルカプトメチルベンツイミダゾール，スチレン化ジフ
ェニルアミン、オクチル化ジフェニルアミン、Ｎ−フェ
ニル−１−ナフチルアミン、ポリ（２，２，４−トリメ
チル−１，２−ジヒドロキノリン）、６−エトキシ−
１，２−ジヒドロ−２，２，４−トリメチルキノリン、
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−
フェニル−Ｎ’−（１，３−ジメチルブチル）−ｐ−フ
ェニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ’−（３−メタク
リルオキシ−２−ヒドロキシプロピル）−ｐ−フェニレ
ンジアミン、チオジフェニルアミン、ｐ−アミノジフェ
ニルアミン、Ｎ−サリシロイル−Ｎ’−アルデヒドヒド
ラジン、Ｎ−サリシロイル−Ｎ’−アセチルヒドラジ
ン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−オキサミド、Ｎ，Ｎ’−ジ
（２−ヒドロキシフェニル）オキサミド、６−エトキシ
−２，２，４−トリメチル−１，２−ジヒドロキノリ
ン、Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピル−ｐ−フェニレ
ンジアミン等が使用できる。
【００１１】本発明においては、これらのうち好ましく
は、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−
ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−１，
３，５−トリアジン、Ｎ，Ｎ’ヘキサメチレンビス
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシ
ンナミド）、Ｎ，Ｎ’−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−
ブチル−ヒドロキシフェニル）プロピオニル〕ヒドラジ
ン、３−（Ｎ−サリチロイル）アミノ−１，２，４−ト
リアゾール、デカメチレンジカルボン酸ジサリチロイル
ヒドラジド、イソフタル酸（２−フェノキシプロピオニ
ルヒドラジド）、２，２−オギザミド−ビス〔エチル−
３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロピオネート〕、オギザリル−ビス（ベンジリデ
ン−ヒドラジド）、Ｎ−ホルミル−Ｎ’−サリシロイル
ヒドラジン、２−メルカプトベンツイミダゾール、Ｎ，
Ｎ’−ジ−２−ナフチル−ｐ−フェニレンジアミン、
４，４’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）ジフェニ
ルアミンが用いられる。
は、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−
ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−１，
３，５−トリアジン、Ｎ，Ｎ’ヘキサメチレンビス
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシ
ンナミド）、Ｎ，Ｎ’−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−
ブチル−ヒドロキシフェニル）プロピオニル〕ヒドラジ
ン、３−（Ｎ−サリチロイル）アミノ−１，２，４−ト
リアゾール、デカメチレンジカルボン酸ジサリチロイル
ヒドラジド、イソフタル酸（２−フェノキシプロピオニ
ルヒドラジド）、２，２−オギザミド−ビス〔エチル−
３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロピオネート〕、オギザリル−ビス（ベンジリデ
ン−ヒドラジド）、Ｎ−ホルミル−Ｎ’−サリシロイル
ヒドラジン、２−メルカプトベンツイミダゾール、Ｎ，
Ｎ’−ジ−２−ナフチル−ｐ−フェニレンジアミン、
４，４’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）ジフェニ
ルアミンが用いられる。
【００１２】上記−ＮＨ−基を有しかつ１0,０００未満
の分子量を有する有機化合物は、スチレン系樹脂組成物
中に0.１〜３０重量％、好ましくは0.１〜２０重量％、
更に好ましくは0.１〜１０重量％含有される。0.１重量
％未満では耐電圧改良の効果が得られず、３０重量％を
越える場合は成形が困難となり、成形品の力学特性及び
耐熱性が不十分となる。本発明のスチレン樹脂組成物に
は、その目的を阻害しない範囲で滑剤、他の熱可塑性樹
脂、酸化防止剤、ガラス繊維等の無機充填剤、ゴム、相
溶化剤、着色剤、難燃剤、架橋剤、架橋助剤、核剤、可
塑剤などを添加することもできる。滑剤としては、例え
ば無機微粒子を用いることができる。ここで、無機微粒
子とは、ＩＡ族，IIＡ族，IVＡ族，VIＡ族，VII Ａ族，
VIII族，ＩＢ族，IIＢ族，III Ｂ族，IVＢ族元素の酸化
物，水酸化物，硫化物，窒素化物，ハロゲン化物，炭酸
塩，硫酸塩，酢酸塩，燐酸塩，亜燐酸塩，有機カルボン
酸塩，珪酸塩，チタン酸塩，硼酸塩及びそれらの含水化
合物、それらを中心とする複合化合物，天然鉱物粒子を
示す。
の分子量を有する有機化合物は、スチレン系樹脂組成物
中に0.１〜３０重量％、好ましくは0.１〜２０重量％、
更に好ましくは0.１〜１０重量％含有される。0.１重量
％未満では耐電圧改良の効果が得られず、３０重量％を
越える場合は成形が困難となり、成形品の力学特性及び
耐熱性が不十分となる。本発明のスチレン樹脂組成物に
は、その目的を阻害しない範囲で滑剤、他の熱可塑性樹
脂、酸化防止剤、ガラス繊維等の無機充填剤、ゴム、相
溶化剤、着色剤、難燃剤、架橋剤、架橋助剤、核剤、可
塑剤などを添加することもできる。滑剤としては、例え
ば無機微粒子を用いることができる。ここで、無機微粒
子とは、ＩＡ族，IIＡ族，IVＡ族，VIＡ族，VII Ａ族，
VIII族，ＩＢ族，IIＢ族，III Ｂ族，IVＢ族元素の酸化
物，水酸化物，硫化物，窒素化物，ハロゲン化物，炭酸
塩，硫酸塩，酢酸塩，燐酸塩，亜燐酸塩，有機カルボン
酸塩，珪酸塩，チタン酸塩，硼酸塩及びそれらの含水化
合物、それらを中心とする複合化合物，天然鉱物粒子を
示す。
【００１３】具体的には、弗化リチウム，硼砂( 硼酸ナ
トリウム含水塩) 等のＩＡ族元素化合物、炭酸マグネシ
ウム，燐酸マグネシウム，酸化マグネシウム( マグネシ
ア),塩化マグネシウム，酢酸マグネシウム，弗化マグネ
シウム，チタン酸マグネシウム，珪酸マグネシウム，珪
酸マグネシウム含水塩( タルク),炭酸カルシウム，燐酸
カルシウム，亜燐酸カルシウム，硫酸カルシウム( 石
膏),酢酸カルシウム，テレフタル酸カルシウム，水酸化
カルシウム，珪酸カルシウム，弗化カルシウム，チタン
酸カルシウム，チタン酸ストロンチウム，炭酸バリウ
ム，燐酸バリウム，硫酸バリウム，亜燐酸バリウム等の
IIＡ族元素化合物、二酸化チタン（チタニア),一酸化チ
タン，窒化チタン，二酸化ジルコニウム( ジルコニア),
一酸化ジルコニウム等のIVＡ族元素化合物、二酸化モリ
ブデン，三酸化モリブデン，硫化モリブデン等のVIＡ族
元素化合物、塩化マンガン，酢酸マンガン等のVII Ａ族
元素化合物、塩化コバルト，酢酸コバルト等のVIII族元
素化合物、沃化第一銅等のＩＢ族元素化合物、酸化亜
鉛，酢酸亜鉛等のIIＢ族元素化合物、酸化アルミニウム
(アルミナ),水酸化アルミニウム，弗化アルミニウム，
アルミノシリケート( 珪酸アルミナ，カオリン，カオリ
ナイト) 等のIII Ｂ族元素化合物、酸化珪素( シリカ，
シリカゲル),石墨, カーボン，グラファイト，ガラス等
のIVＢ族元素化合物、カーナル石，カイナイト，雲母(
マイカ, キンウンモ),バイロース鉱等の天然鉱物の粒子
が挙げられる。ここで用いる無機微粒子の平均粒径は、
特に制限はないが、好ましくは 0. ０１〜３μｍ、成形
品中の含量は 0. ００１〜５重量％、好ましくは 0. ０
０５〜３重量％である。この無機微粒子は最終的な成形
品に含有されるが、含有される方法に限定はない。例え
ば、重合中の任意の過程で添加あるいは析出させる方
法、溶融押出する任意の過程で添加する方法が挙げられ
る。
トリウム含水塩) 等のＩＡ族元素化合物、炭酸マグネシ
ウム，燐酸マグネシウム，酸化マグネシウム( マグネシ
ア),塩化マグネシウム，酢酸マグネシウム，弗化マグネ
シウム，チタン酸マグネシウム，珪酸マグネシウム，珪
酸マグネシウム含水塩( タルク),炭酸カルシウム，燐酸
カルシウム，亜燐酸カルシウム，硫酸カルシウム( 石
膏),酢酸カルシウム，テレフタル酸カルシウム，水酸化
カルシウム，珪酸カルシウム，弗化カルシウム，チタン
酸カルシウム，チタン酸ストロンチウム，炭酸バリウ
ム，燐酸バリウム，硫酸バリウム，亜燐酸バリウム等の
IIＡ族元素化合物、二酸化チタン（チタニア),一酸化チ
タン，窒化チタン，二酸化ジルコニウム( ジルコニア),
一酸化ジルコニウム等のIVＡ族元素化合物、二酸化モリ
ブデン，三酸化モリブデン，硫化モリブデン等のVIＡ族
元素化合物、塩化マンガン，酢酸マンガン等のVII Ａ族
元素化合物、塩化コバルト，酢酸コバルト等のVIII族元
素化合物、沃化第一銅等のＩＢ族元素化合物、酸化亜
鉛，酢酸亜鉛等のIIＢ族元素化合物、酸化アルミニウム
(アルミナ),水酸化アルミニウム，弗化アルミニウム，
アルミノシリケート( 珪酸アルミナ，カオリン，カオリ
ナイト) 等のIII Ｂ族元素化合物、酸化珪素( シリカ，
シリカゲル),石墨, カーボン，グラファイト，ガラス等
のIVＢ族元素化合物、カーナル石，カイナイト，雲母(
マイカ, キンウンモ),バイロース鉱等の天然鉱物の粒子
が挙げられる。ここで用いる無機微粒子の平均粒径は、
特に制限はないが、好ましくは 0. ０１〜３μｍ、成形
品中の含量は 0. ００１〜５重量％、好ましくは 0. ０
０５〜３重量％である。この無機微粒子は最終的な成形
品に含有されるが、含有される方法に限定はない。例え
ば、重合中の任意の過程で添加あるいは析出させる方
法、溶融押出する任意の過程で添加する方法が挙げられ
る。
【００１４】本発明において上記のスチレン系重合体
に、添加できる他の熱可塑性樹脂としては各種のものが
あるが、例えば、アタクチック構造のスチレン系重合
体，アイソタクチック構造のスチレン系重合体，ポリフ
ェニレンエーテル等が、挙げられる。これらの樹脂は前
述のシンジオタクチック構造のスチレン系重合体と相溶
しやすく、延伸用予備成形体を作成するときの結晶化の
制御に有効で、その後の延伸性が向上し、延伸条件の制
御が容易で、且つ力学物性に優れたフィルムを得ること
ができる。このうち、アタクチック構造および／または
アイソタクチック構造のスチレン系重合体を含有させる
場合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体と
同様の単量体からなるものが好ましい。また、これら相
溶性樹脂成分の含有割合は１〜７０重量％、特に２〜５
０重量％とすればよい。ここで相溶性樹脂成分の含有割
合が７０重量％を超えると、シンジオタクチック構造の
スチレン系重合体の長所である耐熱性等が損なわれるこ
とがあるため好ましくない。
に、添加できる他の熱可塑性樹脂としては各種のものが
あるが、例えば、アタクチック構造のスチレン系重合
体，アイソタクチック構造のスチレン系重合体，ポリフ
ェニレンエーテル等が、挙げられる。これらの樹脂は前
述のシンジオタクチック構造のスチレン系重合体と相溶
しやすく、延伸用予備成形体を作成するときの結晶化の
制御に有効で、その後の延伸性が向上し、延伸条件の制
御が容易で、且つ力学物性に優れたフィルムを得ること
ができる。このうち、アタクチック構造および／または
アイソタクチック構造のスチレン系重合体を含有させる
場合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体と
同様の単量体からなるものが好ましい。また、これら相
溶性樹脂成分の含有割合は１〜７０重量％、特に２〜５
０重量％とすればよい。ここで相溶性樹脂成分の含有割
合が７０重量％を超えると、シンジオタクチック構造の
スチレン系重合体の長所である耐熱性等が損なわれるこ
とがあるため好ましくない。
【００１５】また、本発明の重合体に添加し得る他の樹
脂であって、非相溶性樹脂としては、例えば、ポリエチ
レン，ポリプロピレン，ポリブテン，ポリペンテン等の
ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート，ポリブ
チレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート等の
ポリエステル、ナイロン−６やナイロン６，６等のポリ
アミド、ポリフェニレンスルフィド等のポリチオエーテ
ル、ポリカーボネート，ポリアリレート，ポリスルホ
ン，ポリエーテルエーテルケトン，ポリエーテルスルホ
ン，ポリイミド，テフロン等のハロゲン化ビニル系重合
体、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル系重合体、ポ
リビニルアルコール等、上記相溶性の樹脂以外はすべて
相当し、さらに、上記相溶性の樹脂を含む架橋樹脂が挙
げられる。これらの樹脂は、本発明のシンジオタクチッ
ク構造のスチレン系重合体と非相溶であるため、少量含
有する場合、シンジオタクチック構造のスチレン系重合
体中に島のように分散させることができ、延伸後に程良
い光沢を与えたり、表面のすべり性を改良するのに有効
である。これら非相溶性樹脂成分の含有割合は、光沢を
目的とする場合は２〜５０重量％、表面性の制御を目的
とする場合は0.００１〜５重量％が好ましい。また、製
品として使用する温度が高い場合は、比較的耐熱性のあ
る非相溶性樹脂を用いることが好ましい。
脂であって、非相溶性樹脂としては、例えば、ポリエチ
レン，ポリプロピレン，ポリブテン，ポリペンテン等の
ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート，ポリブ
チレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート等の
ポリエステル、ナイロン−６やナイロン６，６等のポリ
アミド、ポリフェニレンスルフィド等のポリチオエーテ
ル、ポリカーボネート，ポリアリレート，ポリスルホ
ン，ポリエーテルエーテルケトン，ポリエーテルスルホ
ン，ポリイミド，テフロン等のハロゲン化ビニル系重合
体、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル系重合体、ポ
リビニルアルコール等、上記相溶性の樹脂以外はすべて
相当し、さらに、上記相溶性の樹脂を含む架橋樹脂が挙
げられる。これらの樹脂は、本発明のシンジオタクチッ
ク構造のスチレン系重合体と非相溶であるため、少量含
有する場合、シンジオタクチック構造のスチレン系重合
体中に島のように分散させることができ、延伸後に程良
い光沢を与えたり、表面のすべり性を改良するのに有効
である。これら非相溶性樹脂成分の含有割合は、光沢を
目的とする場合は２〜５０重量％、表面性の制御を目的
とする場合は0.００１〜５重量％が好ましい。また、製
品として使用する温度が高い場合は、比較的耐熱性のあ
る非相溶性樹脂を用いることが好ましい。
【００１６】酸化防止剤としてはリン系酸化防止剤，フ
ェノール系酸化防止剤又は硫黄系酸化防止剤を用いるこ
とができる。このように三元系の酸化防止剤を用いるこ
とにより、極めて熱安定性のよいポリスチレン系樹脂組
成物が得られる。ここでリン系酸化防止剤としては種々
のものが挙げられ、モノホスファイトやジホスファイト
等であることを問わない。モノホスファイトとしてはト
リス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイ
ト；トリス（モノおよびジ−ノニルフェニル）ホスファ
イト等が挙げられる。またジホスファイトとしては、一
般式
ェノール系酸化防止剤又は硫黄系酸化防止剤を用いるこ
とができる。このように三元系の酸化防止剤を用いるこ
とにより、極めて熱安定性のよいポリスチレン系樹脂組
成物が得られる。ここでリン系酸化防止剤としては種々
のものが挙げられ、モノホスファイトやジホスファイト
等であることを問わない。モノホスファイトとしてはト
リス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイ
ト；トリス（モノおよびジ−ノニルフェニル）ホスファ
イト等が挙げられる。またジホスファイトとしては、一
般式
【００１７】
【化１】
【００１８】〔式中、Ｒ1 及びＲ2 は同一でも異なって
いてもよく、それぞれ炭素数１〜２０のアルキル基，炭
素数３〜２０のシクロアルキル基あるいは炭素数６〜２
０のアリール基を示す。〕で表わされるホスファイトが
用いられ、具体例としては、ジステアリルペンタエリス
リトールジホスファイト；ジオクチルペンタエリスリト
ールジホスファイト；ジフェニルペンタエリスリトール
ジホスファイト；ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニ
ル）ペンタエリスリトールジホスファイト；ビス（２，
６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリ
スリトールジホスファイト；ジシクロヘキシルペンタエ
リスリトールジホスファイト；トリス（２，４−ジ−ｔ
−ブチルフェニル）ホスファイト；テトラキス（２，４
−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン
ホスフォナイトなどが挙げられる。これらの中でもビス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリト
ールジホスファイト；ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−
４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファ
イト；トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホス
ファイト；テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニ
ル）−４，４’−ビフェニレンホスフォナイトが好まし
く用いられる。
いてもよく、それぞれ炭素数１〜２０のアルキル基，炭
素数３〜２０のシクロアルキル基あるいは炭素数６〜２
０のアリール基を示す。〕で表わされるホスファイトが
用いられ、具体例としては、ジステアリルペンタエリス
リトールジホスファイト；ジオクチルペンタエリスリト
ールジホスファイト；ジフェニルペンタエリスリトール
ジホスファイト；ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニ
ル）ペンタエリスリトールジホスファイト；ビス（２，
６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリ
スリトールジホスファイト；ジシクロヘキシルペンタエ
リスリトールジホスファイト；トリス（２，４−ジ−ｔ
−ブチルフェニル）ホスファイト；テトラキス（２，４
−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレン
ホスフォナイトなどが挙げられる。これらの中でもビス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリト
ールジホスファイト；ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−
４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファ
イト；トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホス
ファイト；テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニ
ル）−４，４’−ビフェニレンホスフォナイトが好まし
く用いられる。
【００１９】また、フェノール系酸化防止剤としては種
々のものを使用することができるが、具体的には、ジア
ルキルフェノール，トリアルキルフェノール，ジフェニ
ルモノアルコキシフェノール，テトラアルキルフェノー
ル等が用いられる。ジアルキルフェノールとしては、
２，２' −メチレンビス（６−ｔ−ブチル−４−メチル
フェノール）；１，１−ビス（５−ｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシ−２−メチルフェニル）ブタン；２，２' −メ
チレンビス( ４−メチル−６−シクロヘキシルフェノー
ル）；４，４’−チオビス（６−ｔ−ブチル−３−メチ
ルフェノール）；２，２−ビス（５−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−４−ｎ−ドデシル
メルカプト−ブタンなどが挙げられる。トリアルキルフ
ェノールとしては、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチ
ルフェノール；２，２'−メチレンビス（６−ｔ−ブチ
ル−４−エチルフェノール）；２，２' −メチレンビス
〔４−メチル−６−（α−メチルシクロヘキシル）フェ
ノール〕；２，２' −メチレンビス（４−メチル−６−
ノニルフェノール）；１，１，３−トリス−（５−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）ブタ
ン；エチレングリコール−ビス〔３，３−ビス（３−ｔ
−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）ブチレート〕；１
−１−ビス（３，５−ジメチル−２−ヒドロキシフェニ
ル）−３−（ｎ−ドデシルチオ）−ブタン；１，３，５
−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベ
ンジル）−２，４，６−トリメチルベンゼン；２，２−
ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジ
ル）マロン酸ジオクタデシルエステル；ｎ−オクタデシ
ル−３−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフ
ェニル）プロピオネート；テトラキス〔メチレン（３，
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシハイドロシンナメ
ート）〕メタン；３，９−ビス〔１，１−ジメチル−２
−（β−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチ
ルフェニル）プロピオニルオキシ）エチル−２，４，
８，１０−テトラオキサスピロ〔５，５〕ウンデカン；
トリス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベ
ンジル）イソシアヌレイト等が挙げられる。また、ジフ
ェニルモノアルコキシフェノールとしては２，６−ジフ
ェニル−４−メトキシフェノール等が挙げられ、テトラ
アルキルフェノールとしてはトリス−（４−ｔ−ブチル
−２，６−ジ−メチル−３−ヒドロキシベンジル）−イ
ソシアヌレイト等が挙げられる。
々のものを使用することができるが、具体的には、ジア
ルキルフェノール，トリアルキルフェノール，ジフェニ
ルモノアルコキシフェノール，テトラアルキルフェノー
ル等が用いられる。ジアルキルフェノールとしては、
２，２' −メチレンビス（６−ｔ−ブチル−４−メチル
フェノール）；１，１−ビス（５−ｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシ−２−メチルフェニル）ブタン；２，２' −メ
チレンビス( ４−メチル−６−シクロヘキシルフェノー
ル）；４，４’−チオビス（６−ｔ−ブチル−３−メチ
ルフェノール）；２，２−ビス（５−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−４−ｎ−ドデシル
メルカプト−ブタンなどが挙げられる。トリアルキルフ
ェノールとしては、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチ
ルフェノール；２，２'−メチレンビス（６−ｔ−ブチ
ル−４−エチルフェノール）；２，２' −メチレンビス
〔４−メチル−６−（α−メチルシクロヘキシル）フェ
ノール〕；２，２' −メチレンビス（４−メチル−６−
ノニルフェノール）；１，１，３−トリス−（５−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）ブタ
ン；エチレングリコール−ビス〔３，３−ビス（３−ｔ
−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）ブチレート〕；１
−１−ビス（３，５−ジメチル−２−ヒドロキシフェニ
ル）−３−（ｎ−ドデシルチオ）−ブタン；１，３，５
−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベ
ンジル）−２，４，６−トリメチルベンゼン；２，２−
ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジ
ル）マロン酸ジオクタデシルエステル；ｎ−オクタデシ
ル−３−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフ
ェニル）プロピオネート；テトラキス〔メチレン（３，
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシハイドロシンナメ
ート）〕メタン；３，９−ビス〔１，１−ジメチル−２
−（β−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチ
ルフェニル）プロピオニルオキシ）エチル−２，４，
８，１０−テトラオキサスピロ〔５，５〕ウンデカン；
トリス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベ
ンジル）イソシアヌレイト等が挙げられる。また、ジフ
ェニルモノアルコキシフェノールとしては２，６−ジフ
ェニル−４−メトキシフェノール等が挙げられ、テトラ
アルキルフェノールとしてはトリス−（４−ｔ−ブチル
−２，６−ジ−メチル−３−ヒドロキシベンジル）−イ
ソシアヌレイト等が挙げられる。
【００２０】更に硫黄系酸化防止剤としては、チオエー
テル系のものが好ましく、具体的にはジラウリル−３，
３’−チオジプロピオネート；ジミリスチル−３，３’
−チオジプロピオネート；ジステアリル−３，３’−チ
オジプロピオネート；ペンタエリスリトール−テトラキ
ス−（β−ラウリル−チオプロピオネート）；ビス〔２
−メチル−４−（３−ｎ−アルキルチオプロピオニルオ
キシ）−５−ｔ−ブチルフェニル〕スルフィド；２−メ
ルカプトベイゾイミダゾール等が挙げられる。これらの
中でも特にペンタエリスリトール−テトラキス−（β−
ラウリル−チオプロピオネート）が好ましい。
テル系のものが好ましく、具体的にはジラウリル−３，
３’−チオジプロピオネート；ジミリスチル−３，３’
−チオジプロピオネート；ジステアリル−３，３’−チ
オジプロピオネート；ペンタエリスリトール−テトラキ
ス−（β−ラウリル−チオプロピオネート）；ビス〔２
−メチル−４−（３−ｎ−アルキルチオプロピオニルオ
キシ）−５−ｔ−ブチルフェニル〕スルフィド；２−メ
ルカプトベイゾイミダゾール等が挙げられる。これらの
中でも特にペンタエリスリトール−テトラキス−（β−
ラウリル−チオプロピオネート）が好ましい。
【００２１】本発明のスチレン系樹脂組成物は、任意の
方法、即ち従来の熱可塑性樹脂に用いられている種々の
方法で製造することができ、例えば、（Ａ）成分と
（Ｂ）成分を混合し押出機等で溶融混練する方法、
（Ａ）成分の押出工程のいずれかの段階で（Ｂ）成分を
添加する方法、（Ａ）成分の製造工程のいずれかの段階
で（Ｂ）成分を添加する方法、（Ａ）成分と（Ｂ）成分
を混合した材料と（Ａ）成分を溶融混練する方法、等が
適用可能である。本発明のスチレン系樹脂組成物を用い
てなる成形品はいずれの形状においても優れた効果を有
し、例えばフィルム，シート，繊維，ヤーン，パイプ，
トレイ，射出成形により得られる三次元成形体等に適用
される。本発明のスチレン系樹脂組成物を用いてシート
を製造する場合は、通常の押出成形，プレス成形等を用
いればよい。この時、加熱溶融温度は２７０〜３５０℃
が適当である。また、得られたシートをガラス転移温度
〜融点の間の温度で熱処理を施してもよい。本発明のス
チレン系樹脂組成物を用いて例えばフィルムを製造する
場合も、その方法は特に制限されず、これらの材料を加
熱溶融後、予備成形体とし、加熱延伸して、さらに必要
に応じて熱処理すること等によって得られる。
方法、即ち従来の熱可塑性樹脂に用いられている種々の
方法で製造することができ、例えば、（Ａ）成分と
（Ｂ）成分を混合し押出機等で溶融混練する方法、
（Ａ）成分の押出工程のいずれかの段階で（Ｂ）成分を
添加する方法、（Ａ）成分の製造工程のいずれかの段階
で（Ｂ）成分を添加する方法、（Ａ）成分と（Ｂ）成分
を混合した材料と（Ａ）成分を溶融混練する方法、等が
適用可能である。本発明のスチレン系樹脂組成物を用い
てなる成形品はいずれの形状においても優れた効果を有
し、例えばフィルム，シート，繊維，ヤーン，パイプ，
トレイ，射出成形により得られる三次元成形体等に適用
される。本発明のスチレン系樹脂組成物を用いてシート
を製造する場合は、通常の押出成形，プレス成形等を用
いればよい。この時、加熱溶融温度は２７０〜３５０℃
が適当である。また、得られたシートをガラス転移温度
〜融点の間の温度で熱処理を施してもよい。本発明のス
チレン系樹脂組成物を用いて例えばフィルムを製造する
場合も、その方法は特に制限されず、これらの材料を加
熱溶融後、予備成形体とし、加熱延伸して、さらに必要
に応じて熱処理すること等によって得られる。
【００２２】上記加熱溶融から熱固定までの操作を具体
的に説明すれば、次の通りである。まず、上述の如く得
られたスチレン系重合体を成形素材として、これを通常
は押出成形して、延伸用予備成形体( フィルム，シート
またはチューブ) とする。この成形にあっては、上記成
形素材の加熱溶融したものを押出成形機にて所定形状に
成形するのが一般的であるが、成形素材を加熱溶融させ
ずに、軟化した状態で成形してもよい。ここで用いる押
出成形機は、一軸押出成形機，二軸押出成形機のいずれ
でもよく、またベント付き，ベント無しのいずれでもよ
い。なお、押出機には適当なメッシュを使用すれば、夾
雑物や異物を除去することができる。またメッシュの形
状は、平板状，円筒状等適当に選定して使用することが
できる。またここで押出条件は、特に制限はなく、種々
の状況に応じて適宜選定すればよいが、好ましくは温度
を成形素材の融点〜分解温度より５０℃高い温度の範囲
で選定し、剪断応力を５×１０6 dyne／cm2 以下とす
る。用いるダイはＴ−ダイ，円環ダイ等をあげることが
できる。
的に説明すれば、次の通りである。まず、上述の如く得
られたスチレン系重合体を成形素材として、これを通常
は押出成形して、延伸用予備成形体( フィルム，シート
またはチューブ) とする。この成形にあっては、上記成
形素材の加熱溶融したものを押出成形機にて所定形状に
成形するのが一般的であるが、成形素材を加熱溶融させ
ずに、軟化した状態で成形してもよい。ここで用いる押
出成形機は、一軸押出成形機，二軸押出成形機のいずれ
でもよく、またベント付き，ベント無しのいずれでもよ
い。なお、押出機には適当なメッシュを使用すれば、夾
雑物や異物を除去することができる。またメッシュの形
状は、平板状，円筒状等適当に選定して使用することが
できる。またここで押出条件は、特に制限はなく、種々
の状況に応じて適宜選定すればよいが、好ましくは温度
を成形素材の融点〜分解温度より５０℃高い温度の範囲
で選定し、剪断応力を５×１０6 dyne／cm2 以下とす
る。用いるダイはＴ−ダイ，円環ダイ等をあげることが
できる。
【００２３】上記押出成形後、得られた延伸用予備成形
体を冷却固化する。この際の冷媒は、気体，液体，金属
ロール等各種のものを使用することができる。金属ロー
ル等を用いる場合、エアナイフ，エアチャンバー，タッ
チロール，静電印荷等の方法によると、厚みムラや波う
ち防止に効果的である。冷却固化の温度は、通常は０℃
〜延伸用予備成形体のガラス転移温度より３０℃高い温
度の範囲、好ましくはガラス転移温度より７０℃低い温
度〜ガラス転移温度の範囲である。また冷却速度は２０
０〜３℃／秒の範囲で適宜選択する。冷却，固化した予
備成形体は二軸延伸の場合は縦方向及び横方向に同時に
延伸してもよいが、任意の順序で逐次延伸してもよい。
また延伸は一段で行ってもよく、多段で行ってもよい。
この延伸倍率は面積比で２倍以上、好ましくは３倍以上
である。この範囲の延伸倍率であると、フィルムの結晶
化度が２５％以上となり、物性の好ましいものが得られ
る。
体を冷却固化する。この際の冷媒は、気体，液体，金属
ロール等各種のものを使用することができる。金属ロー
ル等を用いる場合、エアナイフ，エアチャンバー，タッ
チロール，静電印荷等の方法によると、厚みムラや波う
ち防止に効果的である。冷却固化の温度は、通常は０℃
〜延伸用予備成形体のガラス転移温度より３０℃高い温
度の範囲、好ましくはガラス転移温度より７０℃低い温
度〜ガラス転移温度の範囲である。また冷却速度は２０
０〜３℃／秒の範囲で適宜選択する。冷却，固化した予
備成形体は二軸延伸の場合は縦方向及び横方向に同時に
延伸してもよいが、任意の順序で逐次延伸してもよい。
また延伸は一段で行ってもよく、多段で行ってもよい。
この延伸倍率は面積比で２倍以上、好ましくは３倍以上
である。この範囲の延伸倍率であると、フィルムの結晶
化度が２５％以上となり、物性の好ましいものが得られ
る。
【００２４】ここで延伸方法としては、テンターによる
方法，ロール間で延伸する方法，気体圧力を利用してバ
ブリングによる方法，圧延による方法など種々のものが
使用でき、これらを適当に選定あるいは組み合わせて適
用すればよい。延伸温度は、一般には予備成形体のガラ
ス転移温度と融点の間で設定すればよい。また延伸速度
は、通常は１×１０〜１×１０5 ％／分、好ましくは１
×１０3 〜１×１０5％／分である。上述の如き条件で
延伸して得られた延伸フィルムに、さらに高温時の寸法
安定性，耐熱性，フィルム面内の強度バランスが要求さ
れる場合などには、さらに熱固定を行うことが好まし
い。熱固定は、通常行われている方法で行うことができ
るが、この延伸フィルムを緊張状態，弛緩状態あるいは
制限収縮状態の下で、該フィルムのガラス転移温度〜融
点、好ましくは融点より１００℃低い温度〜融点直前の
温度範囲にて、0.５〜１２０秒間保持することによって
行えばよい。なお、この熱固定は、上記範囲内で条件を
変えて二回以上行うことも可能である。また、この熱固
定はアルゴンガス，窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気下
で行っても良い。
方法，ロール間で延伸する方法，気体圧力を利用してバ
ブリングによる方法，圧延による方法など種々のものが
使用でき、これらを適当に選定あるいは組み合わせて適
用すればよい。延伸温度は、一般には予備成形体のガラ
ス転移温度と融点の間で設定すればよい。また延伸速度
は、通常は１×１０〜１×１０5 ％／分、好ましくは１
×１０3 〜１×１０5％／分である。上述の如き条件で
延伸して得られた延伸フィルムに、さらに高温時の寸法
安定性，耐熱性，フィルム面内の強度バランスが要求さ
れる場合などには、さらに熱固定を行うことが好まし
い。熱固定は、通常行われている方法で行うことができ
るが、この延伸フィルムを緊張状態，弛緩状態あるいは
制限収縮状態の下で、該フィルムのガラス転移温度〜融
点、好ましくは融点より１００℃低い温度〜融点直前の
温度範囲にて、0.５〜１２０秒間保持することによって
行えばよい。なお、この熱固定は、上記範囲内で条件を
変えて二回以上行うことも可能である。また、この熱固
定はアルゴンガス，窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気下
で行っても良い。
【００２５】
【実施例】以下に、本発明を実施例によりさらに具体的
に説明する。 参考例１ アルゴン置換した内容積５００ミリリットルのガラス製
容器に、硫酸銅５水塩( Ｃu ＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ）１７ｇ
（７１ミリモル),トルエン２００ミリリットル及びトリ
メチルアルミニウム２４ミリリットル（２５０ミリモ
ル）を入れ、４０℃で８時間反応させた。その後、固体
部分を除去して接触生成物 6. ７ｇを得た。このものの
凝固点降下法によって測定した分子量は６１０であっ
た。 製造例１ シンジオタクチック構造を有するスチレン
系重合体の製造 内容積２リットルの反応容器に、上記参考例１で得られ
た接触生成物をアルミニウム原子として7.５ミリモル，
トリイソブチルアルミニウムを７．５ミリモル，ペンタ
メチルシクロペンタジエニルチタントリメトキシドを
0. ０３８ミリモル及び精製スチレンを１リットルと
り、９０℃で５時間重合反応を行った。反応終了後、水
酸化ナトリウムのメタノール溶液で触媒成分を分解後、
生成物をメタノールで繰り返し洗浄し、乾燥して重合体
466gを得た。得られた重合体の重量平均分子量を１，
２，４−トリクロロベンゼンを溶媒として、１３０℃で
ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにて測定した
ところ２９0,０００であり、また重量平均分子量／数平
均分子量は2.７２であった。更に融点及び13Ｃ−ＮＭＲ
の測定により、得られた重合体はシンジオタクチック構
造のポリスチレンであることが確認された。
に説明する。 参考例１ アルゴン置換した内容積５００ミリリットルのガラス製
容器に、硫酸銅５水塩( Ｃu ＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ）１７ｇ
（７１ミリモル),トルエン２００ミリリットル及びトリ
メチルアルミニウム２４ミリリットル（２５０ミリモ
ル）を入れ、４０℃で８時間反応させた。その後、固体
部分を除去して接触生成物 6. ７ｇを得た。このものの
凝固点降下法によって測定した分子量は６１０であっ
た。 製造例１ シンジオタクチック構造を有するスチレン
系重合体の製造 内容積２リットルの反応容器に、上記参考例１で得られ
た接触生成物をアルミニウム原子として7.５ミリモル，
トリイソブチルアルミニウムを７．５ミリモル，ペンタ
メチルシクロペンタジエニルチタントリメトキシドを
0. ０３８ミリモル及び精製スチレンを１リットルと
り、９０℃で５時間重合反応を行った。反応終了後、水
酸化ナトリウムのメタノール溶液で触媒成分を分解後、
生成物をメタノールで繰り返し洗浄し、乾燥して重合体
466gを得た。得られた重合体の重量平均分子量を１，
２，４−トリクロロベンゼンを溶媒として、１３０℃で
ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにて測定した
ところ２９0,０００であり、また重量平均分子量／数平
均分子量は2.７２であった。更に融点及び13Ｃ−ＮＭＲ
の測定により、得られた重合体はシンジオタクチック構
造のポリスチレンであることが確認された。
【００２６】実施例１
製造例１で得られたシンジオタクチック構造のスチレン
系重合体９9.０重量％にＮ．Ｎ’−ヘキサメチレンビス
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシ
ンナミド）を1.０重量％混合し、Ｔ−ダイを先端に取り
付けた押出機を用いて３００℃にて溶融押出後、冷却し
て厚さ３００μｍ及び６０μｍの低結晶化度の予備成形
体を成形した。この予備成形体を１８０℃で１分間熱処
理し、シートを得た。また、この予備成形体を１１０℃
で縦方向に３倍、横方向に３倍延伸し２６０℃で２０秒
間熱処理を施しフィルムを得た。このシート及びフィル
ムの直流での絶縁破壊電圧を測定した。結果は第１表に
示すようにそれぞれ１９５ｋＶ／ｍｍ，５５０ｋＶ／ｍ
ｍであった。
系重合体９9.０重量％にＮ．Ｎ’−ヘキサメチレンビス
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシ
ンナミド）を1.０重量％混合し、Ｔ−ダイを先端に取り
付けた押出機を用いて３００℃にて溶融押出後、冷却し
て厚さ３００μｍ及び６０μｍの低結晶化度の予備成形
体を成形した。この予備成形体を１８０℃で１分間熱処
理し、シートを得た。また、この予備成形体を１１０℃
で縦方向に３倍、横方向に３倍延伸し２６０℃で２０秒
間熱処理を施しフィルムを得た。このシート及びフィル
ムの直流での絶縁破壊電圧を測定した。結果は第１表に
示すようにそれぞれ１９５ｋＶ／ｍｍ，５５０ｋＶ／ｍ
ｍであった。
【００２７】実施例２〜５
使用した有機化合物及びその添加量を、第１表に示すよ
うにした以外は実施例１と同様にしてフィルムを作製
し、絶縁破壊電圧を測定した。結果を第１表に示す。 実施例６ 実施例５の組成物に更に５重量％のポリフェニレンエー
テルを混合した組成物を用いた以外は実施例１と同様に
してフィルムを作製し、絶縁破壊電圧を測定した。結果
を第１表に示す。
うにした以外は実施例１と同様にしてフィルムを作製
し、絶縁破壊電圧を測定した。結果を第１表に示す。 実施例６ 実施例５の組成物に更に５重量％のポリフェニレンエー
テルを混合した組成物を用いた以外は実施例１と同様に
してフィルムを作製し、絶縁破壊電圧を測定した。結果
を第１表に示す。
【００２８】比較例１
Ｎ．Ｎ’−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナミド）を使用しなか
ったこと以外は実施例１と同様にしてフィルムを作製
し、絶縁破壊電圧を測定した。結果を第１表に示す。 比較例２〜５ 使用した有機化合物及びその添加量を、第１表に示すよ
うにした以外は実施例１と同様にしてフィルムを作製
し、絶縁破壊電圧を測定した。結果を第１表に示す。
ル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナミド）を使用しなか
ったこと以外は実施例１と同様にしてフィルムを作製
し、絶縁破壊電圧を測定した。結果を第１表に示す。 比較例２〜５ 使用した有機化合物及びその添加量を、第１表に示すよ
うにした以外は実施例１と同様にしてフィルムを作製
し、絶縁破壊電圧を測定した。結果を第１表に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【表２】
【００３１】なお、表中の各記号は、次の通りである。
Ａ：Ｎ，Ｎ’ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔ−ブ
チル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナミド） Ｂ：２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−
ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−１，
３，５−トリアジン Ｃ：Ｎ，Ｎ’−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
ヒドロキシフェニル）プロピオニル〕ヒドラジン Ｄ：イソフタル酸（２−フェノキシプロピオニルヒドラ
ジド） Ｅ：Ｎ，Ｎ’−ジ−２−ナフチル−ｐ−フェニレンジア
ミン Ｆ：ペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−
ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオエ
ート〕 Ｇ：トリス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シベンジル）−イソシアヌレイト Ｈ：２，２−チオ−ジエチレンビス〔３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオエー
ト Ｉ：ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニ
ル）ペンタエリスリトール−ジ−ホスファイト
チル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナミド） Ｂ：２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−
ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−１，
３，５−トリアジン Ｃ：Ｎ，Ｎ’−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
ヒドロキシフェニル）プロピオニル〕ヒドラジン Ｄ：イソフタル酸（２−フェノキシプロピオニルヒドラ
ジド） Ｅ：Ｎ，Ｎ’−ジ−２−ナフチル−ｐ−フェニレンジア
ミン Ｆ：ペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−
ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオエ
ート〕 Ｇ：トリス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シベンジル）−イソシアヌレイト Ｈ：２，２−チオ−ジエチレンビス〔３−（３，５−ジ
−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオエー
ト Ｉ：ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニ
ル）ペンタエリスリトール−ジ−ホスファイト
【００３２】
【発明の効果】以上詳細に述べたように、本発明により
電気絶縁性、特に直流に対する耐電圧性が向上したスチ
レン系樹脂組成物が得られる。従って本発明のスチレン
系樹脂組成物は、電子機器部品，プリント基板，絶縁粘
着テープ，コンデンサー，絶縁フィルム，ＦＰＣ等に好
適に用いることができる。
電気絶縁性、特に直流に対する耐電圧性が向上したスチ
レン系樹脂組成物が得られる。従って本発明のスチレン
系樹脂組成物は、電子機器部品，プリント基板，絶縁粘
着テープ，コンデンサー，絶縁フィルム，ＦＰＣ等に好
適に用いることができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平２−202939（ＪＰ，Ａ)
特開 昭51−16350（ＪＰ，Ａ)
特開 昭52−47042（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−124750（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C08L 1/00 - 101/16
Claims (4)
- 【請求項１】 （Ａ）高度のシンジオタクチック構造を
有するスチレン系重合体７０〜９9.９重量％、及び
（Ｂ）２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４
−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−
１，３，５−トリアジン、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビ
ス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロ
シンナミド）、Ｎ，Ｎ’−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔ
−ブチル−ヒドロキシフェニル）プロピオニル〕ヒドラ
ジン、３−（Ｎ−サリチロイル）アミノ−１，２，４−
トリアゾール、デカメチレンジカルボン酸ジサリチロイ
ルヒドラジド、イソフタル酸（２−フェノキシプロピオ
ニルヒドラジド）、２，２−オギザミド−ビス〔エチル
−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロピオネート〕、オギザリル−ビス（ベンジリ
デン−ヒドラジド）、Ｎ−ホルミル−Ｎ’−サリシロイ
ルヒドラジン、２−メルカプトベンツイミダゾール、
Ｎ，Ｎ’−ジ−２−ナフチル−ｐ−フェニレンジアミ
ン、４，４’−ビス（α，α−ジメチルベンジル）ジフ
ェニルアミン、２−メルカプトメチルベンツイミダゾー
ル，スチレン化ジフェニルアミン、オクチル化ジフェニ
ルアミン、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミン、ポリ
（２，２，４−トリメチル−１，２−ジヒドロキノリ
ン）、６−エトキシ−１，２−ジヒドロ−２，２，４−
トリメチルキノリン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェ
ニレンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ’−（１，３−ジメ
チルブチル）−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−フェニル
−Ｎ’−（３−メタクリルオキシ−２−ヒドロキシプロ
ピル）−ｐ−フェニレンジアミン、チオジフェニルアミ
ン、ｐ−アミノジフェニルアミン、Ｎ−サリシロイル−
Ｎ’−アルデヒドヒドラジン、Ｎ−サリシロイル−Ｎ’
−アセチルヒドラジン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−オキサ
ミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ヒドロキシフェニル）オキサ
ミド、６−エトキシ−２，２，４−トリメチル−１，２
−ジヒドロキノリン、Ｎ−フェニル−Ｎ’−イソプロピ
ル−ｐ−フェニレンジアミンから選ばれた少なくとも一
種の有機化合物0.１〜３０重量％、を含むスチレン系樹
脂組成物。 - 【請求項２】 請求項１記載のスチレン系樹脂組成物よ
りなるフィルム。 - 【請求項３】 請求項１記載のスチレン系樹脂組成物よ
りなるシート。 - 【請求項４】 請求項１記載のスチレン系樹脂組成物よ
りなるコンデンサー 。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29044093A JP3456544B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | スチレン系樹脂組成物 |
| PCT/JP1994/001940 WO1995014057A1 (fr) | 1993-11-19 | 1994-11-17 | Composition de resine de styrene |
| KR1019950702954A KR960700304A (ko) | 1993-11-19 | 1994-11-17 | 스티렌계수지 조성물 |
| EP95900911A EP0680999B1 (en) | 1993-11-19 | 1994-11-17 | Styrene resin composition |
| DE69416825T DE69416825T2 (de) | 1993-11-19 | 1994-11-17 | Styrolharzmischung |
| US08/738,653 US5907129A (en) | 1993-11-19 | 1996-10-30 | Syndiotactic styrenic resin composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29044093A JP3456544B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | スチレン系樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07138432A JPH07138432A (ja) | 1995-05-30 |
| JP3456544B2 true JP3456544B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=17756064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29044093A Expired - Fee Related JP3456544B2 (ja) | 1993-11-19 | 1993-11-19 | スチレン系樹脂組成物 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5907129A (ja) |
| EP (1) | EP0680999B1 (ja) |
| JP (1) | JP3456544B2 (ja) |
| KR (1) | KR960700304A (ja) |
| DE (1) | DE69416825T2 (ja) |
| WO (1) | WO1995014057A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3832775B2 (ja) * | 1995-09-25 | 2006-10-11 | 三菱化学株式会社 | スチレン系樹脂成形品及びその製造方法 |
| US6469088B1 (en) * | 2000-11-02 | 2002-10-22 | Equistar Chemicals, Lp | Polyolefin insulation compositions having improved oxidative stability |
| EP1712592B1 (en) * | 2004-01-29 | 2009-10-07 | Teijin Dupont Films Japan Limited | Biaxially oriented film |
| JP4869584B2 (ja) * | 2004-12-03 | 2012-02-08 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 熱伝導性シート及びその製造方法 |
| ES2340457B1 (es) * | 2008-05-23 | 2011-05-26 | Airbus España, S.L. | Metodo no destructivo para la deteccion de zonas con materiales no conductores en una pieza de composite. |
| JP5801532B2 (ja) | 2009-11-30 | 2015-10-28 | 帝人株式会社 | 高絶縁性フィルム |
| JP5684873B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-18 | 帝人株式会社 | 高絶縁性フィルム |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3245992A (en) * | 1965-07-20 | 1966-04-12 | Geigy Chem Corp | Phenoxy-, phenylthio-and phenylamino-1, 3, 5-triazines |
| US3505225A (en) * | 1966-04-07 | 1970-04-07 | Uniroyal Inc | Derivatives of diphenylamine and the phenylnaphthylamines as antioxidants and as synergists with dialkyl 3,3'-thiodipropionates |
| US3584047A (en) * | 1967-12-29 | 1971-06-08 | Geigy Chem Corp | Alkylhydroxyphenyl polyamides |
| JPS5428960B1 (ja) * | 1968-01-22 | 1979-09-20 | ||
| DE2041785C3 (de) * | 1970-08-22 | 1979-04-26 | Kabel- Und Metallwerke Gutehoffnungshuette Ag, 3000 Hannover | Thermoplastisches Mischpolymer zur Beschichtung von Metallen |
| US3849492A (en) * | 1970-10-08 | 1974-11-19 | Ciba Geigy Corp | Bis-salicyloyl-hydrazines |
| US4044200A (en) * | 1972-12-04 | 1977-08-23 | Union Carbide Corporation | Insulated wire or cable |
| GB1465200A (en) * | 1973-09-03 | 1977-02-23 | Dainichi Nippon Cables Ltd | Composition for electrical insulation |
| JPS5116350A (ja) * | 1974-07-31 | 1976-02-09 | Dainichi Nippon Cables Ltd | Anteikajugotaisoseibutsu |
| US4093774A (en) * | 1974-08-27 | 1978-06-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Stabilized polymeric composition in contact with metals |
| JPS5919143B2 (ja) * | 1975-10-09 | 1984-05-02 | 三菱電線工業株式会社 | 電気絶縁用重合体組成物 |
| US4140818A (en) * | 1977-09-19 | 1979-02-20 | United States Steel Corporation | Freely strippable electrical cable insulation composition and method |
| US5166238A (en) * | 1986-09-22 | 1992-11-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Styrene-based resin composition |
| DE3786389T2 (de) * | 1986-10-13 | 1993-11-04 | Sumitomo Dow Ltd | Waermebestaendige thermoplastische harzzusammensetzung. |
| IT1202611B (it) * | 1987-03-03 | 1989-02-09 | Enichem Sintesi | Composizione solida stabilizzante per polimeri sintetici |
| US4959435A (en) * | 1988-02-04 | 1990-09-25 | The Dow Chemical Company | Oriented optically transparent crystalline syndiotatic vinylaromatic polymer |
| US5109068A (en) * | 1988-08-31 | 1992-04-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Styrene-based polymer composition, stretched molding thereof and process for producing the same |
| US5145950A (en) * | 1988-08-31 | 1992-09-08 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Method of storing food or plant materials by wrapping with a stretched syndiotactic polystyrene film |
| JP2812972B2 (ja) * | 1989-02-02 | 1998-10-22 | 出光興産株式会社 | スチレン系樹脂組成物と成形品の製造方法 |
| JP2820947B2 (ja) * | 1989-02-21 | 1998-11-05 | 出光興産株式会社 | スチレン系樹脂組成物 |
| JP2996472B2 (ja) * | 1989-10-09 | 1999-12-27 | 出光興産株式会社 | 電気絶縁用フィルム及びコンデンサ |
| IT1248837B (it) * | 1990-06-13 | 1995-01-30 | Ciba Geigy Spa | Composizione stabilizzante per materiali sintetici termoplastici comprendente composti pirazolidinonici |
| DE69117457T2 (de) * | 1990-12-10 | 1996-10-24 | Idemitsu Kosan Co | Pfropfcopolymer und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US5357014A (en) * | 1991-08-09 | 1994-10-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Styrenic resin molding and process for producing same |
| JPH07138433A (ja) * | 1993-11-18 | 1995-05-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ポリスチレン系樹脂組成物 |
-
1993
- 1993-11-19 JP JP29044093A patent/JP3456544B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-11-17 DE DE69416825T patent/DE69416825T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-11-17 WO PCT/JP1994/001940 patent/WO1995014057A1/ja active IP Right Grant
- 1994-11-17 EP EP95900911A patent/EP0680999B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-11-17 KR KR1019950702954A patent/KR960700304A/ko not_active Application Discontinuation
-
1996
- 1996-10-30 US US08/738,653 patent/US5907129A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1995014057A1 (fr) | 1995-05-26 |
| US5907129A (en) | 1999-05-25 |
| DE69416825D1 (de) | 1999-04-08 |
| JPH07138432A (ja) | 1995-05-30 |
| EP0680999A1 (en) | 1995-11-08 |
| DE69416825T2 (de) | 1999-07-08 |
| EP0680999A4 (en) | 1996-04-24 |
| KR960700304A (ko) | 1996-01-19 |
| EP0680999B1 (en) | 1999-03-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2996472B2 (ja) | 電気絶縁用フィルム及びコンデンサ | |
| JPH01182346A (ja) | フィルム，シートまたはテープ、およびその製造方法 | |
| JPH06104337B2 (ja) | スチレン系樹脂延伸フィルム及びその製造方法 | |
| JP2858786B2 (ja) | スチレン系重合体成形品およびその製造方法 | |
| EP0742246B1 (en) | Stretched polystyrene film and process for the preparation thereof | |
| JP3456544B2 (ja) | スチレン系樹脂組成物 | |
| US5798172A (en) | Styrenic resin composition and polystyrene oriented film | |
| JP2790636B2 (ja) | 食品包装用延伸フイルム | |
| JP2779225B2 (ja) | スチレン系重合体フィルムの製造方法 | |
| JP2863223B2 (ja) | 延伸フィルム又はシートの製造方法 | |
| US5753354A (en) | Polystyrenic stretched film, process for producing said film, photographic film, process film for printing, and film for over-head projectors | |
| JPH08157666A (ja) | ポリスチレン系樹脂組成物及びポリスチレン系延伸フィルム | |
| JP3475976B2 (ja) | コンデンサ | |
| JPH08187779A (ja) | ポリスチレン系延伸フィルム及びその製造方法 | |
| JPH08157667A (ja) | ポリスチレン系樹脂組成物及びポリスチレン系延伸フィルム | |
| JPH08187776A (ja) | ポリスチレン系延伸フィルム、粘着テープ及び易裂性包装用フィルム | |
| JP3558232B2 (ja) | ポリスチレン系延伸フィルム | |
| JP4242523B2 (ja) | 積層用スチレン系共重合体フィルム | |
| JPH03109453A (ja) | 易滑性フィルム及びその製造方法 | |
| JPH0753735A (ja) | 帯電防止性延伸フィルム | |
| JPH0629146A (ja) | フィルムコンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |