JP3450565B2 - 電子源基板および画像形成装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子源およびその
応用である表示装置等の画像形成装置にかかわり、特に
表面伝導型電子放出素子を多数個備える電子源基板およ
びその応用である表示装置等の画像形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子放出素子として熱電子源と冷
陰極電子源の２種類が知られている。冷陰極電子源には
電界放出型（以下、ＦＥと称する）、金属／絶縁層／金
属型（以下、ＭＩＭと称する）や、表面伝導型電子放出
素子等がある。

【０００３】ＦＥ型の例としては、Dykeらの報告（W.
P. Dyke and W. W. Dolan, "Field emission", Advance
in Electron Physics, 8, 89(1956)）に記載のもの、S
pindtの報告（C. A. Spindt, "Physical Properties of
thin-film field emission cathodes with molybdeniu
m cones", J. Appl. Phys., 47, 5248(1976)）に記載の
もの等が知られている。

【０００４】ＭＩＭ型の例としては、Meadの報告（C.
A. Mead, "The tunnel-emission amplifier", J. Appl.
Phys., 32, 646(1961)）に記載のもの等が知られてい
る。

【０００５】表面伝導型電子放出素子の例としては、エ
リンソンの報告（M. I. Elinson, Radio Eng. Electron
Phys., 10(1965)）に記載のもの等がある。

【０００６】表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成
された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことに
より、電子放出が生ずる現象を利用するものである。

【０００７】この表面伝導型電子放出素子としては、前
記のエリンソンの報告に記載のＳｎＯ₂薄膜を用いたも
の、Ａｕ薄膜によるもの（G. Dittmer,"Thin Solid Fil
ms",9, 317(1972)）、Ｉｎ₂Ｏ₃／ＳｎＯ₂薄膜によるも
の（M. Hartwell and C. G. Fonstad,"IEEE Trans. ED
Conf.", 519(1975)）、カーボン薄膜によるもの（荒木
ら，真空，第２６巻，第１号，２２頁（１９８３））な
どが報告されている。

【０００８】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な素子構成として前述のハートウェル（Hartwell）の素
子の構成を図５に示す。同図において、１は基板であ
る。２は電子放出部形成用薄膜で、スパッタリングで形
成されたＨ型形状の金属酸化物薄膜等からなり、後述の
通電フォーミングと呼ばれる通電処理により電子放出部
３が形成される。なお、図中の素子電極間隔Ｌ1は、
０．５〜１．０ｍｍ、Ｗ’は、０．１ｍｍで設定されて
いる。なお、電子放出部３の位置および形状については
不明であるので模式図として表わした。

【０００９】従来、これらの表面伝導型電子放出素子に
おいては、電子放出をおこなう前に電子放出部形成用薄
膜２を予めフォーミングと呼ばれる通電処理によって電
子放出部３を形成するのが一般的であった。即ち、通電
フォーミングとは、前記電子放出部形成用薄膜２の両端
に直流電圧あるいは非常にゆっくりとした昇電圧、例え
ば１Ｖ／分程度を印加通電し、導電性薄膜を局所的に破
壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態に
した電子放出部３を形成することである。なお、電子放
出部３は電子放出部形成用薄膜２の一部に亀裂が発生
し、その亀裂付近から電子放出が行われる。以下、フォ
ーミングにより発生した電子放出部を含む電子放出部形
成用薄膜を電子放出部を含む薄膜（図中４）と呼ぶ。

【００１０】前記フォーミング処理をした表面伝導型電
子放出素子は、上述の電子放出部を含む薄膜４に電圧を
印加し、素子表面に電流を流すことにより、上述の電子
放出部３より電子を放出せしめるものである。

【００１１】さらに、通常はフォーミング工程の終了後
に、「活性化」と呼ばれる工程が導入されている。この
目的は、フォーミングにより高抵抗化された表面伝導型
電子放出素子に一定の電圧を一定時間通電しつづけるこ
とによって、電子放出量を増加せしめることである。

【００１２】上述の表面伝導型放出素子は構造が単純で
製造も容易であることから、それを大面積にわたり多数
配列形成できるという利点を有している。そこでこの特
徴を生かすべく各種の応用が研究されている。例えば、
荷電ビーム源、画像形成装置等の表示装置等への応用が
あげられる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上説
明したような表面伝導型電子放出素子を画像形成装置と
して大面積化するには以下のような問題点がある。前記
表面伝導型電子放出素子の製造工程において電極や配線
パターンを加工する場合、基板上に電極および配線材料
の金属薄膜を成膜し、これを通常のフォトリソグラフィ
ー、エッチング技術を用いてパターン加工し、電極や配
線パターンを形成する。しかしながら、例えば、４０ｃ
ｍ角以上の大型基板上にフォトリソグラフィー、エッチ
ング技術により製造する場合、蒸着装置を初め、露光装
置、エッチング装置等を含む大型製造設備が必要となり
莫大な費用がかかるだけでなく、基板を大型化した場
合、製造装置自体の大型化が困難となり、製造方法上あ
るいはコスト上の問題があった。また、大面積化するこ
とで電極数の増加や配線の増加・複雑化により、工程数
が増え、断線や短絡等の欠陥が発生しやすくなり、歩留
りが低下する等の問題があった。

【００１４】本発明は、かかる従来の問題を鑑みて、表
面伝導型電子放出素子を複数設置した電子源基板および
画像形成装置の製造方法で、安価で工程数が少なく、ま
た電極と配線部分の構成を簡略化することにより、相互
の電気的接続部分の信頼性向上が図れ、より高密度な画
素配列による高品位な画像が実現可能なものを提供する
ことを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、第１の素子電
極と第２の素子電極からなる素子電極対を有する電子放
出素子と、該電子放出素子を駆動するための互いに交差
する第１層の配線と第２層の配線とを有する電子源基板
の製造方法において、 １）基板上に複数の素子電極対を形成する工程、 ２）前記素子電極対の一方の第１の素子電極と接触する
帯状の第１層の配線を形成する工程、 ３）前記第１層の配線の全面を覆う帯状の絶縁層を形成
する工程、 ４）次に形成する第２層の配線の下に、該第２層配線方
向に沿う絶縁層を形成することなく、前記第１層の配線
と直交し、前記素子電極対のもう一方の第２の素子電極
と接触する帯状の第２層の配線を形成する工程、および ５）前記素子電極対を有する電子放出素子を形成する工
程を含むことを特徴とする電子源基板の製造方法に関す
る。

【００１６】前記電子放出素子を形成する工程は、前記
素子電極対の間に導電性薄膜を形成し、通電処理によっ
て該薄膜の一部に電子放出部を形成して、電子放出素子
として表面伝導型電子放出素子を形成する工程とするこ
とができる。また、前記素子電極対、第１層の配線、第
２層の配線および絶縁層の形成は印刷法などで行うこと
ができる。

【００１７】さらに本発明は、前述のそれぞれの方法で
製造される電子源基板と、画像が形成される領域を備え
た基板とを対向させ、支持枠を介して接合する工程、両
基板の間の空間を減圧状態とする工程、前記電子源基板
に画像形成用の駆動回路を接続する工程を含む画像形成
装置の製造方法に関する。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明にかかわる表面伝導型電子放出素子の基本的な構成と
製造方法およびその特徴（参考：特開平２−５６８２２
等）について概説する。

【００１９】まず、本発明の特徴である単純マトリクス
配線の構成および製造手順に関して、図１および図２を
用いて詳細に説明する。図１は本発明の電子源基板の１
実施態様の製造例を示す工程図であり、図２は、図１
（ｅ）のＢ1−Ｂ2断面の一部拡大図である。

【００２０】まず、良く洗浄した絶縁性基板（図２の５
６）の上に一対の素子電極５０および５１を形成する
（図１（ａ））。それらの素子電極はそれぞれ異なる大
きさで作られ、一方の素子電極５１がもう一方の素子電
極５０より長い。次に、第１導電層５２を、素子電極５
０の他方の素子電極５１と逆側の端部で電気的に接続す
るように重ねて形成する（図１（ｂ））。次に、絶縁層
５３を、第１導電層５２を電気的に絶縁するのに十分な
幅と厚みで第１導電層５２を覆うように形成する（図１
（ｃ））。次に、第２導電層５４を、第１導電層５２お
よび絶縁層５３に直交し、かつ素子電極５１が素子電極
５０よりも突出している部分で電気的に接続するように
重ねて形成する（図１（ｄ））。そして最後に、素子電
極５０・５１間の間隙にわたってこれら素子電極と電気
的に接続するように電子放出部形成用薄膜５５を形成す
る（図１（ｅ））。

【００２１】以上で形成した単純マトリクス配線は、絶
縁層も含めて、基板面内方向に関して、配線方向に細長
い長方形状のもので作製手段に依存するもの以外に凹凸
は存在しない。従って、配線および絶縁層形成時に必要
となるパターニングにおいて余分な凹凸や曲線を描く必
要がなく、様々な成膜方法に無理なく対応できる。しか
も、その凹凸の少なさのゆえに、従来のものに比べて絶
縁不良を起こしにくい。さらに、大面積化に際して、大
きなマスク等が必要な場合においてもパターンが単純な
ためその製作コストを低く抑えることができる。電子源
基板上でマトリクス配線が占有する面積を小さくするこ
とができるので、電子源を作るための領域を大きく取れ
る。配線とそれが電気的に接続する素子電極との位置合
わせにおいて、他の要因で制限されない限り配線方向の
自由度を大きく取れる。

【００２２】そのような単純マトリクス配線を実現する
手段には、スクリーン印刷法やメッキ法があるが、特に
これらに限定されるものではない。さらに、配線材料と
しては抵抗値の小さい材料であれば何でも良く、例え
ば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｎｉ等の金
属が用いられる。

【００２３】なお、素子電極と電子放出部形成用薄膜の
作製および材料、ならびに電子源基板の画像表示装置化
に関しては以下に述べる。

【００２４】本発明に関わる表面伝導型電子放出素子の
構成および製法の特徴としては、次のようなものが挙げ
られる。

【００２５】１）フォーミングと呼ばれる通電処理前の
電子放出部形成用薄膜は、微粒子分散体を分散し形成さ
れた微粒子からなる薄膜、あるいは有機金属等を加熱焼
成し形成された微粒子からなる薄膜等、基本的には、微
粒子より構成される。

【００２６】２）フォーミングと呼ばれる通電処理後の
電子放出部を含む薄膜は、電子放出部、電子放出部を含
む薄膜とも基本的には微粒子より構成される。

【００２７】図６（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、本
発明にかかわる基本的な表面伝導型電子放出素子の構成
を示す平面図および断面図である。図６を用いて、本発
明にかかわる素子の基本的な構成を説明するが、本発明
の電子源および画像形成装置では後述するように、この
表面伝導型電子放出素子を多数個、同一基体上に配線電
極と共に形成しているものである。

【００２８】図６において１は絶縁性基板、５と６は素
子電極、４は電子放出部を含む薄膜、３は電子放出部で
ある。

【００２９】絶縁性基板１としては、石英ガラス、Ｎａ
等の不純物含有量を減少させたガラス、青板ガラス、青
板ガラスにスパッタ法等により形成したＳｉＯ₂（絶縁
体層）を積層したガラス基板等およびアルミナ等のセラ
ミックス等があげられる。

【００３０】対向する素子電極５および６の材料として
は一般的な導電体が用いられ、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａ
ｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、
Ｒｕ、Ｔａ、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｂ、Ｌａ等の金属、
あるいはこれらの金属の合金、ならびにＰｄ、Ａｇ、Ａ
ｕ、ＲｕＯ₂、Ｐｄ−Ａｇ等の金属または金属酸化物と
ガラス等から構成される印刷導体、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂
等の透明導電体およびポリシリコン等の半導体材料等が
挙げられる。

【００３１】素子電極間隔Ｌ1は、数Å〜数百μｍであ
り、素子電極の製法の基本となるフォトリソグラフィー
技術、即ち、露光機の性能とエッチング方法等や、素子
電極間に印加する電圧と電子放出し得る電界強度等によ
り設定されるが、好ましくは、数μｍ〜数十μｍであ
る。素子電極長さＷ1、素子電極５および６の膜厚ｄ
は、電極の抵抗値、後述するＸ、Ｙ配線との結線、多数
配置された電子源の配置上の問題より適宜設計され、通
常は、素子電極長さＷ1は、数μｍ〜数百μｍであり、
素子電極５および６の膜厚ｄは、数百Å〜数千Åであ
る。

【００３２】絶縁性基板１上に設けられた対向する素子
電極対５・６間および素子電極対５・６上に設けられた
電子放出部を含む薄膜４は、電子放出部３を含むが、図
６（ｂ）に示された場合だけでなく、素子電極５および
６上には設けられない場合もある。すなわち、絶縁性基
板１上に、先述した電子放出部形成用薄膜、対向する素
子電極対５・６の順に積層される場合もあり得る。ま
た、製法によっては、対向する素子電極対５・６間の間
隔部全体が電子放出部として機能する場合もある。この
電子放出部を含む薄膜４の膜厚は、数Å〜数千Åであ
り、素子電極５および６へのステップカバレージ、電子
放出部３と素子電極５・６間の抵抗値および電子放出部
３の導電性微粒子の粒径、後述する通電処理条件等によ
って適宜設定される。その抵抗値は、１０³〜１０⁷Ω／
□のシート抵抗値を示す。

【００３３】電子放出部を含む薄膜４を構成する材料と
しては、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、
Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ等の金
属；ＰｄＯ、ＳｎＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＰｂＯ、Ｓｂ₂Ｏ₃等
の酸化物；ＨｆＢ₂、ＺｒＢ₂、ＬａＢ₆、ＣｅＢ₆、ＹＢ
₄、ＧｄＢ₄等の硼化物；ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、Ｔａ
Ｃ、ＳｉＣ、ＷＣ等の炭化物；ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ
等の窒化物；Ｓｉ、Ｇｅ等の半導体；カーボン等を挙げ
ることができる。

【００３４】なお、ここで述べる微粒子膜とは、複数の
微粒子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒
子が個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互い
に隣接あるいは重なり合った状態（島状も含む）の膜を
指しており、微粒子の粒径は、数Å〜数千Å、好ましく
は１０Å〜２００Åである。

【００３５】電子放出部３は電子放出部を含む薄膜４の
一部に形成された高抵抗の亀裂であり、通電フォーミン
グ等により形成される。また、亀裂内には数Å〜数百Å
の粒径の導電性微粒子を有することもある。この導電性
微粒子は電子放出部を含む薄膜４を構成する物質の少な
くとも一部の元素を含んでいる。また、電子放出部３お
よびその近傍の電子放出部を含む薄膜４は炭素または炭
素化合物を有することもある。

【００３６】電子放出部３を有する電子放出素子の製造
方法としては様々な方法が考えられるが、その１例を図
７に示す。２は電子放出部形成用薄膜で例えば微粒子膜
が挙げられる。

【００３７】以下、順を追ってこの素子の製造方法の説
明を図６および図７に基づいて説明する。

【００３８】１）絶縁性基板１を洗剤、純水および有機
溶剤により十分に洗浄後、真空蒸着法、スパッタ法等に
より素子電極材料を堆積後、フォトリソグラフィー技術
により、その絶縁性基板１の面上に素子電極５および６
を形成する（図７（ａ））。

【００３９】２）絶縁性基板１上に設けられた素子電極
５と６の間に有機金属溶液を塗布して放置することによ
り、有機金属薄膜を形成する。なおここで言う有機金属
溶液とは、前記Ｐｄ，Ｒｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｔｉ，Ｉｎ，
Ｃｕ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｔａ，Ｗ，Ｐｂ等の金
属を構成元素とする有機化合物の溶液である。この後、
有機金属薄膜を加熱焼成処理し、リフトオフ、エッチン
グ等によりパターニングし、電子放出部形成用薄膜２を
形成する（図７（ｂ））。

【００４０】なお、ここでは有機金属の塗布法により説
明したが、これに限るものではなく、真空蒸着法、スパ
ッタ法、化学的気相堆積法、分散塗布法、ディッピング
法、スピナー法等によって形成される場合もある。

【００４１】３）続いて、フォーミングと呼ばれる通電
処理を行う。通電フォーミングは素子電極５・６間に不
図示の電源により通電を行い、電子放出部形成用薄膜２
を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、構造を変化
させた部位を形成させるものである。この局所的に構造
変化させた部位を電子放出部３と呼ぶ（図７（ｃ））。
先に説明したように、電子放出部３は導電性微粒子で構
成されていることを本発明者は観察している。

【００４２】次に上記フォーミング処理の電圧波形の１
例を図８に示す。

【００４３】電圧波形は特にパルス形状が好ましく、パ
ルス波高値が一定の電圧パルスを連続的に印加する場合
（図８（ａ））と、パルス波高値を増加させながら電圧
パルスを印加する場合（図８（ｂ））とがある。まず、
パルス波高値を一定電圧とした場合（図８（ａ））につ
いて説明する。

【００４４】図８（ａ）におけるＴ1およびＴ2は電圧波
形のパルス幅とパルス間隔であり、Ｔ1を１μ秒〜１０
ミリ秒、Ｔ2を１０μ秒〜１００ミリ秒とし、三角波の
波高値（通電フォーミング時のピーク電圧）は表面伝導
型電子放出素子の形態に応じて適宜選択し、適当な真空
度、例えば１×１０^-5Ｔｏｒｒ程度の真空雰囲気下で、
数秒〜数十分印加する。なお、素子の電極間に印加する
波形は三角波に限定する必要はなく、矩形波など所望の
波形を用いてもよい。また、その波高値およびパルス幅
・パルス間隔等についても上述の値に限ることなく、電
子放出部が良好に形成されれば所望の値を選択すること
ができる。

【００４５】図８（ｂ）におけるＴ1およびＴ2は、図８
（ａ）の場合と同様であり、三角波の波高値（通電フォ
ーミング時のピーク電圧）は、例えば０．１Ｖステップ
程度ずつ増加させ適当な真空雰囲気下で印加する。

【００４６】なお、この場合の通電フォーミング処理
は、パルス間隔Ｔ2中に、電子放出部形成用薄膜２を局
所的に破壊・変形しない程度の電圧、例えば０．１Ｖ程
度の電圧で、素子電流を測定し、抵抗値を求め、例えば
１ＭΩ以上の抵抗を示した時に通電フォーミング終了と
する。

【００４７】次に通電フォーミングが終了した素子に活
性化工程と呼ぶ処理を施すことが望ましい。

【００４８】活性化工程とは、例えば、１０^-4〜１０^-5
Ｔｏｒｒ程度の真空度で、通電フォーミング同様、パル
ス波高値が一定の電圧パルスを繰返し印加する処理のこ
とであり、真空中に存在する有機物質に起因する炭素も
しくは炭素化合物を薄膜上に堆積させ素子電流Ｉf、放
出電流Ｉeを著しく変化させる処理である。活性化工程
は素子電流Ｉfと放出電流Ｉeを測定しながら、例えば、
放出電流Ｉeが飽和した時点で終了する。また、印加す
る電圧パルスは動作駆動電圧で行うことが好ましい。

【００４９】なお、ここで炭素もしくは炭素化合物と
は、グラファイト（単結晶および多結晶の両方を指
す。）、非晶質カーボン（非晶質カーボンおよび多結晶
グラファイトの混合物を指す）であり、その膜厚は５０
０Å以下が好ましく、より好ましくは３００Å以下であ
る。

【００５０】こうして作製した電子放出素子は、通電フ
ォーミング工程、活性化工程における真空度よりも高い
真空度の雰囲気下に置いて動作駆動させるのがよい。ま
た、さらに高い真空度の雰囲気下で、８０℃〜１５０℃
の加熱後に動作駆動させることが望ましい。

【００５１】なお、通電フォーミング工程や活性化処理
での真空度より高い真空度とは、例えば約１０^-6Ｔｏｒ
ｒ以上の真空度であり、より好ましくは超高真空系であ
り、新たに炭素もしくは炭素化合物が導電薄膜上にほと
んど堆積しない真空度である。こうすることによって、
素子電流Ｉf、放出電流Ｉeを安定化させることが可能と
なる。

【００５２】次に上述のような素子構成と製造方法によ
って作成された本発明に関わる電子放出素子の基本特性
について図９および図１０を用いて説明する。

【００５３】図９は図６で示した構成を有する素子の電
子放出特性を測定するための測定評価装置の概略構成図
である。図９において、１は絶縁性基板、５および６は
素子電極、４は電子放出部を含む薄膜、３は電子放出部
を示す。また、９１は素子に素子電圧Ｖfを印加するた
めの電源、９０は素子電極５・６間の電子放出部を含む
薄膜４を流れる素子電流Ｉfを測定するための電流計、
９４は素子の電子放出部より放出される放出電流Ｉeを
捕捉するためのアノード電極、９３はアノード電極９４
に電圧を印加するための高圧電源、９２は素子の電子放
出部３より放出される放出電流Ｉeを測定するための電
流計である。電子放出素子の上記素子電流Ｉfおよび放
出電流Ｉeの測定にあたっては、素子電極５および６に
電源９１と電流計９０とを接続し、その電子放出素子の
上方に高圧電源９３と電流計９２とを接続したアノード
電極９４を配置している。また、本電子放出素子および
アノード電極９４は真空装置内に配置され、その真空装
置には排気ポンプおよび真空計等の真空装置に必要な機
器が具備されており、所望の真空下にて本素子の測定評
価を行えるようになっている。なお、アノード電極の電
圧は１〜１０ｋＶ、アノード電極と電子放出素子との距
離Ｈは３〜８ｍｍの範囲で測定した。

【００５４】図９に示した測定評価装置により測定され
た放出電流Ｉeおよび素子電流Ｉfと素子電圧Ｖfの関係
の典型的な例を図１０に示す。なお、図１０は任意単位
で示されており、放出電流Ｉeは素子電流Ｉfのおよそ１
０００分の１程度である。図からも明らかなように、本
電子放出素子は放出電流Ｉeに対して３つの特性を有す
る。

【００５５】第１に、本素子では、ある電圧（閾値電圧
と呼ぶ。図１０中のＶth）以上の素子電圧を印加する
と、急激に放出電流Ｉeが増加する。一方、閾値電圧よ
り低い電圧では放出電流Ｉeはほとんど検出されない。
すなわち、放出電流Ｉeに対する明確な閾値電圧Ｖthを
持った非線形素子である。

【００５６】第２に、放出電流Ｉeが素子電圧Ｖfに依存
するため、放出電流Ｉeは素子電圧Ｖfで制御できる。

【００５７】第３に、アノード電極９４に捕捉される電
荷量は、素子電圧Ｖfを印加する時間により制御でき
る。

【００５８】以上のような特性を有するため、本発明に
関わる電子放出素子は、他方面への応用が期待される。
また、素子電流Ｉfは素子電圧Ｖfに対して単調に増加す
る（Ｍ１）特性の例を図１０に示したが、この他にも、
素子電流Ｉfが素子電圧Ｖfに対して電圧制御型負性抵抗
（ＶＣＮＲ）特性を示す場合もある。この場合も電子放
出素子は上述した３つの特性を有する。なお、予め導電
性微粒子を分散して構成した表面伝導型電子放出素子に
おいては、前記本発明の基本的な素子構成の基本的な製
造方法の一部を変更しても作製できる。

【００５９】次に、本発明の電子源および画像形成装置
について述ベる。

【００６０】画像形成装置に用いられる電子源基板は複
数の表面伝導型電子放出素子を基板上に配列することに
より形成される。表面伝導型電子放出素子の配列の方式
には表面伝導型電子放出素子を並列に配置し、個々の素
子の両端を配線で接続する梯子型配置（以下、梯子型配
置電子源基板と呼ぶ）や、表面伝導型電子放出素子の一
対の素子電極にそれぞれＸ方向配線、Ｙ方向配線を接続
した単純マトリクス配置（以下、マトリクス型配置電子
源基板と呼ぶ）があげられる。なお、梯子型配置電子源
基板を有する画像形成装置には電子放出素子からの電子
の飛翔を制御する電極である制御電極（グリッド電極）
を必要とする。

【００６１】以下、この原理に基づき構成した電子源基
板の構成について図１１を用いて説明する。１１１は絶
縁性基板、１１２はＸ方向配線、１１３はＹ方向配線、
１１４は表面伝導型電子放出素子、１１５は結線であ
る。同図において、絶縁性基板１１１は、前述したガラ
ス等であり、その大きさおよび厚みは、表面伝導型電子
放出素子の個数および個々の素子の設計上の形状、さら
には電子源の使用時に容器の一部を構成する場合には、
その容器を真空に保持するための条件等に依存して適宜
設定される。ｍ本のＸ方向配線１１２はＤx１、Ｄx２・
・・Ｄxｍからなり、絶縁性基板１１１上に、所定の形
状にパターニングされた導電性金属等からなり、多数の
表面伝導型電子放出素子にほぼ均等な電圧が供給される
ように、材料、膜厚、配線幅等が設定される。Ｙ方向配
線１１３は、Ｄy１、Ｄy２・・・Ｄyｎのｎ本の配線よ
りなり、Ｘ方向配線１１２と同様に所定の形状にパター
ニングされた導電性金属等からなり、多数の表面伝導型
電子放出素子にほぼ均等な電圧が供給されるように、材
料、膜厚、配線幅等が設定される。

【００６２】これらｍ本のＸ方向配線１１２とｎ本のＹ
方向配線１１３の間には、不図示の層間絶縁層が設置さ
れ、電気的に分離されて、マトリクス配線を構成する。
なお、このｍ、ｎは共に正の整数である。不図示の層間
絶縁層は、ＳｉＯ₂等からなる層であり、Ｘ方向配線１
１２を形成した絶縁性基板１１１の全面または一部に所
定の形状で形成され、特にＸ方向配線１１２とＹ方向配
線１１３の交差部の電位差に耐え得るように、膜厚、材
料、製法が適宜設定される。また、Ｘ方向配線１１２と
Ｙ方向配線１１３は、それぞれ外部端子として引き出さ
れている。

【００６３】なおここでは、ｍ本のＸ方向配線１１２の
上にｎ本のＹ方向配線１１３を層間絶縁層を介して設置
した例で説明しているが、ｎ本のＹ方向配線１１３の上
にｍ本のＸ方向配線１１２を層間絶縁層を介して設置す
ることもできる。

【００６４】さらに、前述と同様にして、表面伝導型電
子放出素子１１４の対向する素子電極（不図示）がＤx
１、Ｄx２・・・Ｄxｍのｍ本のＸ方向配線１１２と、Ｄ
y１、Ｄy２・・・Ｄyｎのｎ本のＹ方向配線１１３と結
線１１５によって電気的に接続されているものである。

【００６５】なお、ｍ本のＸ方向配線１１２とｎ本のＹ
方向配線１１３と結線１１５と素子電極の導電性金属
は、その構成元素の一部または全部が同一であっても異
なってもよく、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔ
ｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属またはそれらの合金；Ｐ
ｄ、Ａｇ、Ａｕ、ＲｕＯ₂、Ｐｄ−Ａｇ等の金属または
金属酸化物とガラス等から構成される印刷導体；Ｉｎ₂
Ｏ₃−ＳｎＯ₂等の透明導体およびポリシリコン等の半導
体材料等より適宜選択される。また表面伝導型電子放出
素子は、絶縁性基板１１１あるいは不図示の層間絶縁層
上のどちらに形成してもよい。

【００６６】また、前記Ｘ方向配線１１２には、Ｘ方向
に配列する表面伝導型電子放出素子１１４の行を任意に
走査するための走査信号を印加するための不図示の走査
信号発生手段が電気的に接続されている。一方Ｙ方向配
線１１３には、Ｙ方向に配列する表面伝導型電子放出素
子１１４の列の各列を任意に変調するための変調信号を
印加するための不図示の変調信号発生手段が電気的に接
続されている。

【００６７】さらに、各表面伝導型電子放出素子に印加
される駆動電圧は、その素子に印加される走査信号と変
調信号の差電圧として供給されるものである。上記の構
成において単純なマトリクス配線だけで個別の素子を選
択して独立に駆動可能になる。

【００６８】次に、以上のようにして作製される単純マ
トリクス配置の電子源を用いた画像形成装置について、
図３および図４を用いて説明する。図３は画像形成装置
の基本構成図であり、図４はその画像形成装置に用いら
れる蛍光膜のパターンである。

【００６９】図３において３１は上述のようにして電子
放出素子を基板上に作成した電子源基板、３４は電子放
出素子に相当し、３５および３６は表面伝導型電子放出
素子の一対の素子電極と接続されたＸ方向配線およｂび
Ｙ方向配線である。３２は電子源基板３１を固定したリ
アプレート、４０はガラス基板３７の内面の蛍光膜３８
とメタルバック３９等が形成されたフェースプレート、
３３は支持枠であり、リアプレート３２、支持枠３３お
よびフェースプレート４０にフリットガラス等を塗布
し、大気中あるいは窒素中で４００〜５００℃で１０分
以上焼成することで封着して外囲器４１を構成する。

【００７０】外囲器４１は、上述の如くフェースプレー
ト４０、支持枠３３、リアプレート３２で構成される
が、リアプレート３２は主に電子源基板３１の強度を補
強する目的で設けられることから、電子源基板３１自体
で十分な強度を持つ場合は別体のリアプレート３２は不
要であり、電子源基板３１に直接、支持枠３３を封着
し、フェースプレート４０、支持枠３３および電子源基
板３１で外囲器４１を構成しても良い。さらには、フェ
ースプレート４０とリアプレート３２の間にスペーサー
と呼ばれる耐大気圧支持部材を設置することで大気圧に
対して十分な強度を持つ外囲器４１とすることもでき
る。

【００７１】図３中、３８は蛍光膜である。蛍光膜３８
はモノクロームの場合は蛍光体のみからなるが、カラー
の蛍光膜３８の場合は、図４に示されるように、蛍光体
４３の配列によりブラックストライプあるいはブラック
マトリクスなどと呼ばれる黒色部材４２と蛍光体４３と
で構成される。ブラックストライプ、ブラックマトリク
スが設けられる目的は、カラー表示の場合、必要となる
三原色蛍光体の各蛍光体４３間の塗り分け部を黒くする
ことで混色等を目立たなくすることと、蛍光膜３８にお
ける外光反射によるコントラストの低下を抑制すること
である。ブラックストライプの材料としては通常、良く
用いられている黒鉛を主成分とする材料だけでなく、光
の透過および反射が少ない材料であればこれに限るもの
ではない。

【００７２】ガラス基板３７に蛍光体４３を塗布する方
法は、モノクロームかカラーかによらず、沈殿法や印刷
法が用いられる。

【００７３】また、蛍光膜３８の内面側には通常メタル
バック３９が設けられる。メタルバック３９の目的は、
蛍光体４３に照射された電子が帯電するのを防止するこ
と、蛍光体４３の発光のうち内面側への光をフェースプ
レート４０側へ鏡面反射することにより輝度を向上させ
ること、電子ビーム加速電圧を印加するための電極とし
て作用させること、外囲器内で発生した負イオンの衝突
によるダメージからの蛍光体４３の保護等である。メタ
ルバック３９は、蛍光膜３８作製後に蛍光膜３８の内面
側表面の平滑化処理（通常、フィルミングと呼ばれる）
を行い、その後、Ａｌを真空蒸着等で堆積することで作
製できる。フェースプレート４０には、さらに蛍光膜３
８の導電性を高めるため、蛍光膜３８の外面側に透明電
極（不図示）を設けてもよい。

【００７４】前述の封着を行う際、カラーの場合は各色
蛍光体と電子放出素子とを対応させなくてはいけないた
め、十分な位置合わせを行う必要がある。

【００７５】外囲器４１は不図示の排気管を通じ、１０
^-7Ｔｏｒｒ程度の真空度にされ、封止が行われる。ま
た、外囲器４１の封止後の真空度を維持するために、ゲ
ッター処理を行う場合もある。これは、外囲器４１の封
止を行う直前、あるいは封止後に抵抗加熱、高周波加熱
等の加熱法により、外囲器４１内の所定の位置（不図
示）に配置されたゲッターを加熱し、蒸着膜を形成する
処理である。ゲッターは通常、Ｂａ等が主成分であり、
その蒸着膜の吸着作用により、例えば１×１０^-5〜１×
１０^-7Ｔｏｒｒの真空度を維持するものである。なお、
表面伝導型電子放出素子のフォーミング以降の工程は適
宜設定される。

【００７６】以上のようにして作製される本発明の画像
形成装置において、各電子放出素子には、容器外端子Ｄ
x１〜Ｄxｍ、Ｄy１〜Ｄyｎを通じ、電圧を印加すること
により電子放出させ、高圧端子Ｈｖを通じ、メタルバッ
ク３９あるいは透明電極（不図示）に数ｋＶ以上の高圧
を印加し、電子ビームを加速し、蛍光膜３８に衝突さ
せ、励起・発光させることで画像を表示することができ
る。

【００７７】以上述ベた構成は、画像表示等に用いられ
る好適な画像形成装置を作成する上で必要な概略構成で
あり、例えば各部材の材料等、詳細な部分は上述内容に
限られるものではなく、画像形成装置の用途に適するよ
う適宜選択する。

【００７８】次に、前述の梯子型配置電子源基板および
それを用いた画像表示装置について図１２および図１３
を用いて説明する。

【００７９】図１２において、１２０は電子源基板、１
２１は電子放出素子、１２２のＤx１〜Ｄx１０は前記電
子放出素子に接続する共通配線である。電子放出素子１
２１は、基板１２０上にＸ方向に並列に複数個配置され
る（これを素子行と呼ぶ）。この素子行を複数個基板上
に配置することで梯子型電子源基板となる。各素子行の
共通配線間に適宜駆動電圧を印加することで、各素子行
を独立に駆動することが可能になる。すなわち、電子ビ
ームを放出させる素子行には電子放出閾値以上の電圧
を、電子ビームを放出させない素子行には電子放出閾値
以下の電圧を印加すれば良い。また、各素子行間の共通
配線Ｄx２〜Ｄx９では、例えばＤx２とＤx３を同一配線
とするような構成としても良い。

【００８０】図１３は、梯子型配置の電子源を備えた画
像形成装置の構造を示す図である。図１４において、１
３０はグリッド電極、１３１は電子が通過するための空
孔、１３２はＤox１、Ｄox２・・・Ｄoxｍよりなる容器
外端子、１３３はグリッド電極１３０と接続されたＧ
１、Ｇ２・・・Ｇｎからなる容器外端子、１３４は前述
のように各素子行間の共通配線を同一配線とした電子源
基板である。なお、図３と図１２で同一の符号は、同一
の部材を示す。前述の単純マトリクス配置の画像形成装
置（図３）との違いは、電子源基板１２０とフェースプ
レート４０の間にグリッド電極１３０を備えていること
である。

【００８１】グリッド電極１３０は、表面伝導型電子放
出素子から放出された電子ビームを変調することができ
るもので、梯子型配置の素子行と直交して設けられたス
トライプ状の電極に電子ビームを通過させるため、各素
子に対応して一個ずつ円形の開口１３１が設けられてい
る。グリッドの形状や設置位置は必ずしも図１３のよう
なものでなくとも良く、開口としてメッシュ状に多数の
通過口を設けることもあり、また表面伝導型電子放出素
子の周囲や近傍に設けても良い。容器外端子１３２およ
びグリッド容器外端子１３３は、不図示の制御回路と電
気的に接続されている。

【００８２】このような画像形成装置では、素子行を一
列ずつ順次駆動（走査）していくのと同期してグリッド
電極列に画像の１ライン分の変調信号を同時に印加する
ことにより、各電子ビームの蛍光体への照射を制御し、
画像を１ラインずつ表示することができる。

【００８３】本発明によれば、テレビジョン放送の表示
装置のみならずテレビ会議システム、コンピュータ等の
表示装置に適した画像形成装置を提供することができ
る。さらには本発明の電子源を、感光性ドラム等で構成
された光プリンタとしての画像形成装置として用いるこ
ともできる。

【００８４】

【実施例】実施例を用いて本発明を具体的に説明する。

【００８５】図１を用いて本発明の実施例を示す。同図
において５０、５１は図中で不図示の絶縁性基板である
青板ガラス上に形成された一対のＰｔ素子電極、５２は
素子電極５０に一部を重ねて形成した第１導電層（第１
層の配線）、５３は配線５２を覆うように形成された絶
縁層、５４は第１導電層５２および絶縁層５３に直交
し、かつ、素子電極５１に一部を重ねて形成した第２導
電層（第２層の配線）、５５は電子放出部形成用薄膜で
ある。以下で、図１の構成を有する単純マトリクス配線
の電子源基板を作製し、これを用いた画像形成装置を示
す。ただし、ここでは表現の簡易化のため電子源基板は
素子が３個×３個の例を示す。

【００８６】良く洗浄した青板ガラス基板上に、Ｐｔ
ＭＯＤペーストを用いてスクリーン印刷法により素子電
極５０、５１のパターンを転写する。乾燥および焼成工
程を経てＰｔ ＭＯＤペーストは膜厚３０００Å程度の
Ｐｔ薄膜へと変化し、素子電極５０、５１となる。これ
ら一対の素子電極５０、５１の一方の素子電極５０の一
部と重なるように、Ａｇペーストを用いてスクリーン印
刷法により第１導電層５２のパターンを転写する。乾
燥、焼成を行うことで素子電極５０と電気的に接続した
厚膜配線としての第１導電層５２が得られた。第１導電
層５２自身の露出している部分が容器外端子との接続部
のみとなるようにガラスペーストを用いてスクリーン印
刷法により、絶縁層５３のパターンを第１導電層を覆う
ように形成する。乾燥、焼成を行うことで図１のような
第１導電層に沿って形成された絶縁層５３を得た。第１
導電層５２および絶縁層５３に直交し、かつ、全ての素
子電極５１と一部が重なるようにＡｇペーストを用いて
スクリーン印刷法により第２導電層５４のパターンを形
成する。乾燥、焼成を行うことで、素子電極５１と電気
的に接続した厚膜配線としての第２導電層が得られた。

【００８７】一対の素子電極５０、５１間にフォトリソ
グラフィー法により有機Ｐｄ溶液を用いてＰｄＯ電子放
出部形成用薄膜５５を形成する。以上で単純マトリクス
配線の電子源基板が完成した。

【００８８】次に、以上のようにして作製した単純マト
リクス配線の電子源基板を用いて画像形成装置を構成し
た例を、図８と図９を用いて説明する。

【００８９】多数の表面伝導型電子放出素子を作製した
電子源基板３１をリアプレート３２上に固定した後、基
板３１の５ｍｍ上方に、フェースプレート４０（ガラス
基板３７の内面に蛍光膜３８とメタルバック３９が形成
されて構成される）を支持枠３３を介し配置し、フェー
スプレート４０、支持枠３３、リアプレート３２の接合
部にフリットガラスを塗布し、大気中あるいは窒素雰囲
気中で４００℃ないし５００℃で１０分以上焼成するこ
とで封着した（図３参照）。また、リアプレート３２へ
の基板３１の固定もフリットガラスで行った。図３にお
いて、３４は電子放出素子、３５、３６はそれぞれＸ方
向及びＹ方向の配線である。

【００９０】蛍光膜３８は、モノクロームの場合は蛍光
体のみから成るが、本実施例では蛍光体はストライプ形
状（図４参照）を採用し、先にブラックストライプを形
成し、その間隙部に各蛍光体を塗布し、蛍光膜３８を作
製した。ブラックストライプの材料は、通常良く用いら
れている黒鉛を主成分とする材料を用いた。

【００９１】ガラス基板３７に蛍光体を塗布する方法は
スラリー法を用いた。また、蛍光膜３８の内面側には通
常、メタルバック３９が設けられる。メタルバックは、
蛍光膜作製後、蛍光膜の内面側表面の平滑化処理（通
常、フィルミングと呼ばれる）を行ない、その後、Ａｌ
を真空蒸着することで作製した。

【００９２】フェースプレート４０には、更に蛍光膜３
８の導電性を高めるため、蛍光膜３８の外面側に透明電
極（不図示）が設けられる場合もあるが、本実施例で
は、メタルバックのみで十分な導電性が得られたので省
略した。

【００９３】前述の封着を行なう際、カラーの場合は各
色蛍光体と電子放出素子とを対応させなくてはいけない
ため、十分な位置合わせを行なった。以上のようにして
完成したガラス容器内の雰囲気を排気管（図示せず）を
通じ真空ポンプにて排気し、十分な真空度に達した後、
容器外端子Ｄx１〜ＤxｍとＤy１〜Ｄyｎを通じ、電子放
出素子３４の素子電極間に電圧を印加し、電子放出部形
成用薄膜２を通電処理（フォーミング処理）することに
より、電子放出部３を作製した。フォーミング処理の電
圧波形を図８に示す。

【００９４】図８中、Ｔ1及びＴ2は電圧波形のパルス幅
とパルス間隔であり、本実施例ではＴ1を１ミリ秒、Ｔ2
を１０ミリ秒とし、三角波の波高値（フォーミング時の
ピーク電圧）は１４Ｖとし、フォーミング処理は約１×
１０^-6Ｔｏｒｒの真空雰囲気下で６０秒間行なった。

【００９５】このように作製された電子放出部３はパラ
ジウム元素を主成分とする微粒子が分散配置された状態
となり、その微粒子の平均粒径は３０Åであった。

【００９６】次に、１×１０^-6Ｔｏｒｒ程度の真空度
で、不図示の排気管をガスバーナーで熱することで溶着
し、外囲器の封止を行なった。

【００９７】最後に封止後の真空度を維持するために、
ゲッター処理を行なった。これは封止を行なう直前、あ
るいは封止後に抵抗加熱あるいは高周波加熱等の加熱法
により、画像形成装置内の所定の位置（不図示）に配置
されたゲッターを加熱し、蒸着膜を形成する処理であ
る。ゲッターは通常Ｂａ等が主成分であり、その蒸着膜
の吸着作用により、例えば１×１０^-5Ｔｏｒｒ〜１×１
０^-7Ｔｏｒｒの真空度を維持するものである。

【００９８】以上のように完成した本発明の画像形成装
置において、各表面伝導型電子放出素子には、容器外端
子Ｄx１〜Ｄxｍ、Ｄy１〜Ｄyｎを通じ、走査信号及び変
調信号を不図示の信号発生手段によりそれぞれ印加する
ことによって電子放出させ、高圧端子Ｈｖを通じて、メ
タルバック３９に数ＫＶ以上の高圧を印加し、電子ビー
ムを加速して、蛍光膜３８に衝突させ、励起・発光させ
ることで画像を表示した。

【００９９】以上説明したように本実施例による画像表
示装置は、電子源基板の単純マトリクス配線作製におい
て、スクリーン印刷法を用いることでどうしても避けら
れないスクリーン印刷ペーストの印刷直後の拡大変形と
いった問題に対して、配線が余分な突出部を持たない構
成のため、拡大変形があるにも係わらずマトリクス配線
の開口部を大きく取ることができ、電子放出部を大きく
することができ、しかも凹凸が少ないことから絶縁不良
を起こしにくい信頼性の高いものであった。

【０１００】

【発明の効果】本発明を用いることで基板面方向での配
線形状を必要最低限の線幅の細長い長方形とすることが
できる。

【０１０１】したがって、配線および絶縁層形成時に必
要となるパターニングにおいて余分な凹凸や曲線を描く
必要がなく、様々な成膜方法に無理なく対応できる。し
かも、その凹凸の少なさのゆえに、従来のものに比べて
絶縁不良を起こしにくい。大面積化に際して、大きなマ
スク等が必要な場合においてもパターンが単純なためそ
の製作コストを低く抑えることができる。電子源基板上
でマトリクス配線が占有する面積を小さくすることがで
きるので、電子源を作るための領域を大きく取れる。配
線とそれが電気的に接続する素子電極との位置合わせに
おいて、他の要因で制限されない限り配線方向の自由度
を大きく取れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子源基板の１例の製造手順例を示す
工程図である。

【図２】図１のＢ1−Ｂ2線断面の一部拡大図である。

【図３】本発明の画像形成装置の１例の構成を示す部分
切り欠き斜視図である。

【図４】蛍光膜の構成を示す模式的部分図であり、
（ａ）はブラックストライプの設けられたもの、（ｂ）
はブラックマトリクスの設けられたものの図である。

【図５】表面伝導型電子放出素子の１例の構成を示す模
式的平面図である。

【図６】本発明の電子源に設けられる表面伝導型電子放
出素子の１例の構成を示す示す模式図であり、（ａ）は
平面図、（ｂ）は断面図である。

【図７】図６の素子の形成手順を示す工程図である。

【図８】本発明の電子源における表面伝導型電子放出素
子製造時の通電フォーミングにおける電圧波形を示すグ
ラフであり、（ａ）はパルス波高値が一定の場合、
（ｂ）はパルス波高値が増加する場合である。

【図９】表面伝導型電子放出素子の電子放出特性の測定
評価装置の概略構成図である。

【図１０】表面伝導型電子放出素子の電流―電圧特性を
示す図である。

【図１１】多数の表面伝導型電子放出素子を単純マトリ
クス配線して構成した電子源基板の概略図である。

【符号の説明】

１ 絶縁性基板 ２ 電子放出部形成用薄膜 ３ 電子放出部 ４ 電子放出部を含む薄膜 ５ 素子電極 ６ 素子電極 １１ 素子電極 １２ 素子電極 １３ 第１層の配線 １４ 層間絶縁層 １４ａ 凹部 １５ 第２層の配線 １６ 第３層の配線 １７ 電子放出部 ３１ 電子源基板 ３２ リアプレート ３３ 支持枠 ３４ 電子放出素子 ３５ Ｘ方向配線 ３６ Ｙ方向配線 ３７ ガラス基板 ３８ 蛍光膜 ３９ メタルバック ４０ フェースプレート ４１ 外囲器 ４２ 黒色部材 ４３ 蛍光体 ９０ 電流計 ９１ 電源 ９２ 電流計 ９３ 高圧電源 ９４ アノード電極 １１１ 絶縁性基板 １１２ Ｘ方向配線 １１３ Ｙ方向配線 １１４ 表面伝導型電子放出素子 １２０ 電子源基板 １２１ 表面伝導型電子放出素子 １２２ 共通配線 １３０ グリッド電極 １３１ 電子が通過するための空孔 １３２ 容器外端子 １３３ 容器外端子 １３４ 電子源基板 １４１ 素子電極 １４２ 素子電極 １４３ 第１層の配線 １４４ 第２層の配線 １４５ 電子放出部 １４６ 第３層の配線 １４７ 接続パターン（接続層） １４８ 接続パターン（接続層）

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 9/02 H01J 1/316 H01J 1/304 H01J 29/04 H01J 31/12 H05K 3/46

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の素子電極と第２の素子電極からな
   る素子電極対を有する電子放出素子と、該電子放出素子
   を駆動するための互いに交差する第１層の配線と第２層
   の配線とを有する電子源基板の製造方法において、 １）基板上に複数の素子電極対を形成する工程、 ２）前記素子電極対の一方の第１の素子電極と接触する
   帯状の第１層の配線を形成する工程、 ３）前記第１層の配線の全面を覆う帯状の絶縁層を形成
   する工程、 ４）次に形成する第２層の配線の下に、該第２層配線方
   向に沿う絶縁層を形成することなく、前記第１層の配線
   と直交し、前記素子電極対のもう一方の第２の素子電極
   と接触する帯状の第２層の配線を形成する工程、および ５）前記素子電極対を有する電子放出素子を形成する工
   程を含むことを特徴とする電子源基板の製造方法。
2. 【請求項２】 前記電子放出素子を形成する工程が、前
   記素子電極対の間に導電性薄膜を形成し、通電処理によ
   って該薄膜の一部に電子放出部を形成して、電子放出素
   子として表面伝導型電子放出素子を形成する工程である
   請求項１記載の製造方法。
3. 【請求項３】 前記素子電極対、第１層の配線、第２層
   の配線および絶縁層の形成を印刷法で行う請求項１また
   は２記載の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の方法で
   製造される電子源基板と、画像が形成される領域を備え
   た基板とを対向させ、支持枠を介して接合する工程、両
   基板の間の空間を減圧状態とする工程、前記電子源基板
   に画像形成用の駆動回路を接続する工程を含む画像形成
   装置の製造方法。