JP3449925B2 - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents

ポジ型感光性樹脂組成物

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JP3449925B2
JP3449925B2 JP21769298A JP21769298A JP3449925B2 JP 3449925 B2 JP3449925 B2 JP 3449925B2 JP 21769298 A JP21769298 A JP 21769298A JP 21769298 A JP21769298 A JP 21769298A JP 3449925 B2 JP3449925 B2 JP 3449925B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、高感度で高残膜率
のパターンを得ることができ、かつ封止樹脂との密着性
に優れたポジ型感光性樹脂組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子の表面保護膜、層間絶
縁膜には耐熱性が優れ、又卓越した電気特性、機械特性
等を有するポリイミド樹脂が用いられているが、近年半
導体素子の高集積化、大型化、パッケージの薄型化、小
型化、半田リフローによる表面実装への移行等により耐
熱サイクル性、耐熱ショック性等の著しい向上の要求が
あり、更に高性能の樹脂が必要とされるようになってき
た。一方、ポリイミド樹脂自身に感光性を付与する技術
が最近注目を集めてきており、例えば下記式(6)に示
される感光性ポリイミド樹脂が挙げられる。
【0003】
【化9】
【0004】これを用いるとパターン作成工程の一部が
簡略化でき、工程短縮および歩留まり向上の効果はある
が、現像の際にN−メチル−2−ピロリドン等の溶剤が
必要となるため、安全性、取扱い性に問題がある。
【0005】そこで最近、アルカリ水溶液で現像ができ
るポジ型の感光性樹脂が開発されている。例えば、特公
平1−46862号公報においてはポリベンゾオキサゾ
ール前駆体とジアゾキノン化合物より構成されるポジ型
感光性樹脂が開示されている。これは高い耐熱性、優れ
た電気特性、微細加工性を有し、ウェハーコート用のみ
ならず層間絶縁用樹脂としての可能性も有している。こ
のポジ型の感光性樹脂の現像メカニズムは、未露光部の
ジアゾキノン化合物はアルカリ水溶液に不溶であるが、
露光することによりジアゾキノン化合物が化学変化を起
こし、アルカリ水溶液に可溶となる。この露光部と未露
光部との溶解性の差を利用し、露光部を溶解除去するこ
とにより未露光部のみの塗膜パターンの作成が可能とな
るものである。
【0006】これら感光性樹脂を実際に使用する場合、
特に重要となるのは感光性樹脂の感度である。低感度で
あると、露光時間が長くなりスループットが低下する。
そこで感光性樹脂の感度を向上させようとして、例えば
ベース樹脂の分子量を単に小さくしただけでは、現像時
に未露光部の膜減りが大きくなるために、必要とされる
膜厚が得られなかったり、パターン形状が崩れるといっ
た問題が生じる。またこの様な処置をとった場合、熱に
より脱水閉環させた硬化膜の機械的特性も著しく低下す
るという不具合も起こる。この様なことから、上記特性
を満足しながら高感度である感光性樹脂の開発が強く望
まれている。
【0007】又このような感光性樹脂を半導体素子の表
面保護膜として用いた場合、特に問題となるのは後工程
でその上に成形されるパッケージ用封止樹脂との密着性
である。これらは主に層間絶縁用として永久保護膜とな
って回路素子と封止樹脂との間に存在することになるた
め、密着性が悪いとその界面で剥離が発生し、半導体パ
ッケージがクラックしたり、そのクラックに水が進入し
半導体の電気的不良を発生したりする。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高感度で高
残膜率のパターンを得ることができ、かつ封止樹脂との
密着性に優れたポジ型感光性樹脂を提供することを目的
とする。
【0009】
【課題を解決する為の手段】本発明は、一般式(1)で
示されるポリアミド(A)100重量部と感光性ジアゾ
キノン化合物(B)1〜100重量部と一般式(2)で
表されるフェノール化合物(C)1〜30重量部とから
るポジ型感光性樹脂組成物であって、一般式(1)で
示されるポリアミドが、(ア)重量平均分子量5000
〜17000、Mw/Mnで求められる分子量分布が1
〜2であるポリアミドと(イ)重量平均分子量3000
0〜70000、分子量分布2〜4であるポリアミドと
の混合物であることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成
物である。
【0010】
【化10】
【0011】
【化11】
【0012】式(1)のポリアミドは、Xの構造を有す
るビスアミノフェノールとYの構造を有するジカルボン
酸と、更にEの構造を有する酸無水物からなり、このポ
リアミドを約300〜400℃で加熱すると脱水閉環
し、ポリベンゾオキサゾールという耐熱性樹脂に変化す
る。本発明のポリアミド(1)のXは、例えば、
【0013】
【化12】
【0014】等であるがこれらに限定されるものではな
い。これらの中で特に好ましいものとしては、
【0015】
【化13】
【0016】より選ばれるものである。又式(1)のY
は、例えば、
【0017】
【化14】
【0018】等であるがこれらに限定されるものではな
い。これらの中で特に好ましいものとしては、
【0019】
【化15】
【0020】より選ばれるものである。又式(1)のE
は、例えば、
【0021】
【化16】
【0022】等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。これらの中で特に好ましいものとしては、
【0023】
【化17】
【0024】より選ばれるものである。本発明はYの構
造を有するジカルボン酸誘導体とXの構造を有するビス
アミノフェノールを反応させてポリアミドを合成した
後、式(1)のEに示すアルケニル基又はアルキニル基
を少なくとも1個有する酸無水物を用いて末端のアミノ
基をキャップするものである。更に、式(1)のZは、
例えば
【0025】
【化18】
【0026】等であるがこれらに限定されるものではな
い。式(1)のZは、例えば、シリコンウェハーのよう
な基板に対して、特に優れた密着性が必要な場合に用い
るが、その使用割合bは最大40.0モル%までであ
る。40.0モル%を越えると樹脂の溶解性が極めて低
下し、現像後のパターン底部に樹脂の残り(スカム)が
発生し、パターン加工ができない。なお、これらX、
Y、E、Zの使用にあたっては、それぞれ1種類であっ
ても2種類以上の混合物であっても構わない。
【0027】本発明のポジ型感光性樹脂において、高感
度を目的とする場合、式(1)のポリアミド成分が、重
量平均分子量5000〜17000、Mw/Mnで求め
られる分子量分布が1〜2であるポリアミド成分と、重
量平均分子量30000〜70000、分子量分布2〜
4であるポリアミド成分との混合物であり、その全体量
の内、低分子量成分が全体の20〜70重量%含まれて
いることが必要である。この様な分子量が異なるポリア
ミドは、合成する際のビスアミノフェノールとジカルボ
ン酸誘導体の仕込みモル比を変えることによって容易に
得ることが出来る。該ポリアミドについて、重量平均分
子量5000以下のポリマーを合成することは困難であ
り、また重量平均分子量70000以上のポリマーを使
用した際には、現像後にスカムが発生して好ましくな
い。低分子量成分がポリアミト゛成分全体量の20重量%
未満の場合には高感度の効果が小さくなり、70重量%
を越えた場合は、未露光部の現像時における膜減り量が
多くなるためパターン形状が悪化するだけでなく、熱硬
化させた後の膜の機械的特性も低下するので好ましくな
い。
【0028】本発明で用いる感光性ジアゾキノン化合物
は、1,2−ベンゾキノンジアジドあるいは1,2−ナ
フトキノンジアジド構造を有する化合物であり、米国特
許明細書第2,772,972号、第2,797,21
3号、第3,669,658号により公知の物質であ
る。例えば、下記のものが挙げられるがこれらに限定さ
れるものではない。
【0029】
【化19】
【0030】
【化20】
【0031】これらの中で特に高感度、高残膜率の点か
ら好ましいものとしては下記のものが挙げられる。
【0032】
【化21】
【0033】感光性ジアゾキノン化合物(B)のポリア
ミド(A)への配合量は、ポリアミド100重量部に対
して1〜100重量部である。配合量が1重量部未満だ
と樹脂のパターニング性が不良となり、逆に100重量
部を越えると感度が大幅に低下するだけでなく、封止樹
脂との密着性やフィルムの引っ張り伸び率が著しく低下
する。
【0034】本発明のポジ型感光性樹脂組成物には、必
要により感光特性を高めるためにジヒドロピリジン誘導
体を加えることができる。ジヒドロピリジン誘導体とし
ては、例えば2,6−ジメチル−3,5−ジアセチル−
4−(2′−ニトロフェニル)−1,4−ジヒドロピリ
ジン、4−(2′−ニトロフェニル)−2,6−ジメチ
ル−3,5−ジカルボエトキシ−1,4−ジヒドロピリ
ジン、4−(2′,4′−ジニトロフェニル)−2,6
−ジメチル−3,5−ジカルボメトキシ−1,4−ジヒ
ドロピリジン等を挙げることができる。
【0035】本発明のポジ型感光性樹脂組成物において
は更に一般式(2)で示されるフェノール化合物を含有
させることが重要である。
【0036】
【化22】
【0037】フェノール化合物類をポジ型レジスト組成
物に添加する技術としては、例えば、特開平3−200
251号公報、特開平3−200252号公報、特開平
3−200253号公報、特開平3−200254号公
報、特開平4−1650号公報、特開平4−11260
号公報、特開平4−12356号公報、特開平4−12
357号公報に示されている。しかし、これらに示され
ているようなフェノール化合物は、本発明におけるポリ
アミドをベース樹脂としたポジ型感光性樹脂に用いても
感度向上の効果は小さい。
【0038】しかし、本発明における一般式(2)で表
されるフェノール化合物を用いた場合、露光部における
溶解速度が増して感度が向上する。また単にベース樹脂
の分子量を小さくして感度を上げた場合に見られるよう
な未露光部の膜減りも非常に小さい。また本発明におい
て、一般式(2)で表されるフェノール化合物を添加す
ることによる新たな特性として、封止樹脂との密着性が
向上したポジ型感光性樹脂組成物が得られるということ
を見いだした。
【0039】一般式(2)に示されるフェノール化合物
としては下記のものを挙げることが出来るがこれらに限
定されない。
【0040】
【化23】
【0041】
【化24】
【0042】
【化25】
【0043】
【化26】
【0044】これらの中で、特に感度および残膜率の点
で好ましいものとしては、
【0045】
【化27】
【0046】であり、一般式(4)又は(5)で表され
る化合物は単独、または混合物の形で全フェノール化合
物(C)中に50重量%以上含まれるものである。フェ
ノール化合物(C)の添加量は、一般式(1)で示され
るポリアミド100重量部に対して1〜30重量部が好
ましい。フェノール化合物の添加量が30重量部より多
いと、現像時に著しい残膜率の低下が起こったり、冷凍
保存中において析出が起こり実用性に欠ける。添加量が
1重量部未満では、封止樹脂との密着性が低下するばか
りか感度向上の効果が得られない。
【0047】本発明におけるポジ型感光性樹脂組成物に
は、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤等
の添加剤を添加することができる。本発明においてはこ
れらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。
溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチ
ロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メ
チル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3
−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキ
シプロピオネート等が挙げられ、単独でも混合して用い
てもよい。
【0048】本発明のポジ型感光性樹脂組成物の使用方
法は、まず該組成物を適当な支持体、例えば、シリコン
ウェハー、セラミック基板、アルミ基板等に塗布する。
塗布量は、半導体装置の場合、硬化後の最終膜厚が0.
1〜20μmになるよう塗布する。膜厚が0.1μm以
下であると、半導体素子の保護表面膜としての機能を十
分に発揮することが困難となり、20μm以上である
と、微細な加工パターンを得ることが困難となるばかり
でなく、加工に時間がかかりスループットが低下する。
塗布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプ
レーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコ
ーティング等がある。
【0049】次に、60〜130℃でプリベークして塗
膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射する。
化学線としては、X線、電子線、紫外線、可視光線等が
使用できるが、200〜500nmの波長のものが好ま
しい。次に照射部を現像液で溶解除去することによりレ
リーフパターンを得る。現像液としては、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリ
ウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機ア
ルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第1
アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン等
の第2アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルア
ミン等の第3アミン類、ジメチルエタノールアミン、ト
リエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニ
ウムヒドロキシド等の第4級アンモニウム塩等のアルカ
リ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノールのご
ときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性剤を適
当量添加した水溶液を好適に使用することができる。現
像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波等の
方式が可能である。
【0050】次に、現像によって形成したレリーフパタ
ーンをリンスする。リンス液としては、蒸留水を使用す
る。次に加熱処理を行い、オキサゾール環を形成し、耐
熱性に富む最終パターンを得る。本発明によるポジ型感
光性樹脂組成物は、半導体用途のみならず、多層回路の
層間絶縁やフレキシブル銅張板のカバーコート、ソルダ
ーレジスト膜や液晶配向膜等としても有用である。
【0051】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 《実施例1》 *ポリアミドの合成 ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸1モルと
1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モ
ルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体372.
4g(0.93モル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス
(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン36
6.3g(1.0モル)とを温度計、攪拌機、原料投入
口、乾燥窒素ガス導入管を備えた4つ口のセパラブルフ
ラスコに入れ、N−メチル−2−ピロリドン3000g
を加えて溶解させた。その後オイルバスを用いて75℃
にて12時間反応させた。
【0052】次にN−メチル−2−ピロリドン500g
に溶解させた5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸
無水物32.8g(0.2モル)を加え、更に12時間
攪拌して反応を終了した。反応混合物をろ過した後、反
応混合物を水/メタノール=3/1の溶液に投入、沈殿
物を濾集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、目的
のポリアミド(A−1)を得た。A−1の重量平均分子
量は40200、分子量分布は2.30だった。今度は
ジフェニルエーテル−4,4’−ジカルボン酸1モルと
1−ヒドロキシ−1,2,3−ベンゾトリアゾール2モ
ルとを反応させて得られたジカルボン酸誘導体の仕込量
を328.4g(0.82モル)にして同様に合成を行
い、重量平均分子量10600、分子量分布1.40の
ポリアミド(A−2)を得た。
【0053】*ポジ型感光性樹脂組成物の作製 合成したポリアミド(A−1)45g、ポリアミド(A
−2)を55g、下記式の構造を有する感光性ジアゾキ
ノン化合物(Q−1)25g、下記式の構造を有するフ
ェノール化合物(P−1)15gをN−メチル−2−ピ
ロリドン200gに溶解した後、0.2μmのテフロン
フィルターで濾過し感光性樹脂組成物を得た。
【0054】*特性評価 このポジ型感光性樹脂組成物をシリコンウェハー上にス
ピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて
120℃で4分乾燥し、膜厚約3μmの塗膜を得た。こ
の塗膜にg線ステッパー露光機NSR−1505G3A
(ニコン(株)製)によりレチクルを通して50mJ/c
2から10mJ/cm2ずつ増やして540mJ/cm
2まで露光を行った。次に1.40%のテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド水溶液に60秒浸漬することに
よって露光部を溶解除去した後、純水で30秒間リンス
した。その結果、露光量180mJ/cm2で照射した
部分よりパターンが成形されており、パターン底部にス
カムが無いことが確認できた(感度は180mJ/cm
2)。この時の残膜率(現像後の膜厚/現像前の膜厚×
100)は92.0%と非常に高い値を示した。
【0055】また、別にポジ型感光性樹脂組成物を同様
に2枚のシリコンウエハー上に塗布し、プリベークした
後、オーブン中30分/150℃、30分/250℃、
30分/350℃の順で加熱、樹脂を硬化させた後、1
枚はこの硬化膜の上に半導体封止用エポキシ樹脂組成物
(住友ベークライト(株)製、EME−6300H)を2
×2×2mm(横×縦×高さ)の大きさに成形した。テ
ンシロンを用いて、ポリベンゾオキサゾール樹脂硬化膜
上に成形した封止用エポキシ樹脂組成物の剪断強度を測
定した結果、3.6kg/mm2であった。残りの1枚
は10mm幅になる様にダイシングを行い、2%フッ化
水素水溶液に浸漬することによりシリコンウェハーから
剥離したフィルムを水で十分洗浄して乾燥した。このフ
ィルムをテンシロンで引っ張り強度を測定したところ1
0.5kg/mm2という高い値を得た。
【0056】《実施例2》実施例1におけるヘキサフル
オロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェ
ニル)プロパン366.3g(1.0モル)を3,3
‘−ジアミノ−4,4’−ジヒドロキシジフェニルスル
ホン280.3g(1.0モル)に替えて、一般式
(1)で示される、Xが下記式X−2、Yが下記式Y−
1で、a=100、b=0からなるポリアミドを合成し
た。実施例1におけるジカルボン酸誘導体が0.93モ
ルの時に得られたポリアミド(A−3)の重量平均分子
量は39000、分子量分布は2.25で、同様に0.
82モルの時に得られたポリアミド(A−4)の重量平
均分子量は9300、分子量分布は1.32だった。更
に各成分の添加量を表1の様に変えた他は実施例1と同
様の評価を行った。
【0057】《実施例3》実施例1におけるジカルボン
酸誘導体合成において、ジフェニルエーテル−4,4’
−ジカルボン酸1モルの替わりに4,4‘−ベンゾフェ
ノンジカルボン酸1モルを、またヘキサフルオロ−2,
2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロ
パン366.3g(1モル)の替わりに3,3’−ジア
ミノ−4,4‘−ジヒドロキシジフェニルエーテル23
2.2g(1モル)を用いて、一般式(1)で示され、
Xが下記式X−3、Yが下記式Y−2で、a=100、
b=0からなるポリアミドを合成した。4,4‘−ベン
ゾフェノンジカルボン酸を用いたジカルボン酸誘導体が
0.93モルの時に得られたポリアミド(A−5)の重
量平均分子量は35000、分子量分布は2.17で、
同様に0.82モルの時に得られたポリアミド(A−
6)の重量平均分子量は8900、分子量分布は1.3
0だった。ポジ型感光性樹脂組成物を作製するときのA
−5とA−6の重量はそれぞれ50gずつとした。更に
各成分の添加量を表1の様に変えた他は実施例1と同様
の評価を行った。
【0058】《実施例4》実施例1におけるポリアミド
の合成において、ヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−
アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパンを348.
0g(0.95モル)に減らし、替わりに1,3−ビス
(3−アミノプロピル)−1,1,3,3−テトラメチ
ルジシロキサン12.4g(0.05モル)を加え、一
般式(1)で示され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y
−1、Zが下記式Z−1で、a=95、b=5からなる
ポリアミドを合成した。ジフェニルエーテル−4,4
‘−ジカルボン酸を用いたジカルボン酸誘導体が0.9
3モルの時に得られたポリアミド(A−7)の重量平均
分子量は41300、分子量分布は2.33で、同様に
0.82モルの時に得られたポリアミド(A−8)の重
量平均分子量は12000、分子量分布は1.42だっ
た。ポジ型感光性樹脂組成物を作製するときのA−7と
A−8の重量はそれぞれ42g、58gとした。その他
は実施例1と同様の評価を行った。
【0059】《実施例5》実施例1におけるジフェニル
エーテル−4,4’−ジカルボン酸を用いたジカルボン
酸誘導体の仕込量をそれぞれ380.4g(0.95モ
ル)、336.4g(0.84モル)に変更し、一般式
(1)で示され、Xが下記式X−1、Yが下記式Y−1
で、a=100、b=0からなるポリアミドを合成し
た。ジカルボン酸誘導体が0.95モルの時に得られた
ポリアミド(A−9)の重量平均分子量は59000、
分子量分布は3.06で、同様に0.84モルの時に得
られたポリアミド(A−10)の重量平均分子量は15
600、分子量分布は1.56だった。ポジ型感光性樹
脂組成物を作製するときのA−9とA−10の重量はそ
れぞれ40g、60gとした。更に各成分の添加量を表
1の様に変えた他は実施例1と同様の評価を行った。
【0060】《実施例6》実施例1におけるジアゾキノ
ン化合物(Q−1)を下記式(Q−2)に替えて、更に
各成分の添加量を表1の様に変えた他は実施例1と同様
の評価を行った。 《実施例7》実施例1におけるフェノール化合物(P−
1)を下記式(P−2)に替えて、更に各成分の添加量
を表1の様に変えた他は実施例1と同様の評価を行っ
た。 《実施例8》実施例1におけるフェノール化合物(P−
1)の添加量を5gに変えた他は実施例1と同様の評価
を行った。
【0061】《比較例1》実施例1において、ポリアミ
ド(A−2)を合成する際のジカルボン酸誘導体の仕込
みモル量を0.82モルから0.91モルに変更し、重
量平均分子量25000、分子量分布1.89のポリア
ミド(A−11)を得た。更に各成分の添加量を表1の
様に変えた他は実施例1と同様の評価を行った。 《比較例2》実施例1において、ポリアミド(A−1)
を合成する際のジカルボン酸誘導体の仕込みモル量を
0.93モルから0.96モルに変更し、重量平均分子
量79200、分子量分布3.42のポリアミド(A−
12)を得た。更に各成分の添加量を表1の様に変えた
他は実施例1と同様の評価を行った。 《比較例3》実施例1において、ポリアミド(A−1)
を合成する際のジカルボン酸誘導体の仕込みモル量を
0.93モルから0.90モルに変更し、重量平均分子
量22000、分子量分布1.77のポリアミド(A−
13)を得た。更に各成分の添加量を表1の様に変えた
他は実施例1と同様の評価を行った。 《比較例4》実施例2において、ポジ型感光性樹脂組成
物を調製するときのA−3とA−4の重量を量をそれぞ
れ95g、5gとした。更に各成分の添加量を表1の様
に変えた他は実施例1と同様の評価を行った。
【0062】《比較例5》実施例2において、ポジ型感
光性樹脂組成物を調製するときのA−3とA−4の重量
を量をそれぞれ10g、90gとした。更に各成分の添
加量を表1の様に変えた他は実施例1と同様の評価を行
った。 《比較例6》実施例1において、フェノール化合物(P
−1)の添加量を0gに変更した他は実施例1と同様の
評価を行った。 《比較例7》実施例1において、フェノール化合物(P
−1)の添加量を0.5gに変更し、更に各成分の添加
量を表1の様に変えた他は実施例1と同様の評価を行っ
た。 《比較例8》実施例1において、フェノール化合物(P
−1)の添加量を60gに変更し、更に各成分の添加量
を表1の様に変えた他は実施例1と同様の評価を行っ
た。 以上実施例1〜8、比較例1〜8の評価結果を表2に示
す。
【0063】
【化28】
【0064】
【化29】
【0065】
【化30】
【0066】
【表1】
【0067】
【表2】
【0068】
【発明の効果】本発明によって、高感度で高残膜率のパ
ターンを形成することができ、かつ封止樹脂との密着性
に優れたポジ型感光性樹脂を得ることが出来る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI G03F 7/037 G03F 7/037 H01L 21/027 H01L 21/30 502R (56)参考文献 特開 平8−123034(JP,A) 特開 平5−197153(JP,A) 特開 平9−127697(JP,A) 特開 平9−302221(JP,A) 特表 平7−500932(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03F 7/00 - 7/42

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式(1)で示されるポリアミド(A)
    100重量部と感光性ジアゾキノン化合物(B)1〜1
    00重量部と一般式(2)で表されるフェノール化合物
    (C)1〜30重量部とからなるポジ型感光性樹脂組成
    であって、一般式(1)で示されるポリアミドが、
    (ア)重量平均分子量5000〜17000、Mw/M
    nで求められる分子量分布が1〜2であるポリアミドと
    (イ)重量平均分子量30000〜70000、分子量
    分布2〜4であるポリアミドとの混合物であることを特
    徴とするポジ型感光性樹脂組成物。 【化1】 【化2】
  2. 【請求項2】一般式(1)のポリアミドにおけるXが、
    下記より選ばれてなる請求項1記載のポジ型感光性樹脂
    組成物。 【化3】
  3. 【請求項3】一般式(1)のポリアミドにおけるYが、
    下記より選ばれてなる請求項1又は2記載のポジ型感光
    性樹脂組成物。 【化4】
  4. 【請求項4】一般式(1)のポリアミドにおけるEが、
    下記より選ばれてなる請求項1、2又は3記載のポジ型
    感光性樹脂組成物。 【化5】
  5. 【請求項5】一般式(1)で示されるポリアミド成分に
    おいて、低分子量成分である(ア)成分が全体の20〜7
    0重量%含まれていることを特徴とする請求項1、2、
    3又は4記載のポジ型感光性樹脂組成物。
  6. 【請求項6】感光性ジアゾキノン化合物(B)が、下記
    より選ばれてなる請求項1記載のポジ型感光性樹脂組成
    物。 【化6】
  7. 【請求項7】フェノール化合物(C)が一般式(3)で
    表されるフェノール化合物である請求項1記載のポジ型
    感光性樹脂組成物。 【化7】
  8. 【請求項8】フェノール化合物(C)が、一般式(4)
    又は(5)で表される化合物であり、単独又は混合物の
    形で、フェノール化合物(C)全体の50重量%以上を
    含む請求項1又は記載のポジ型感光性樹脂組成物。 【化8】
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