JP3449856B2 - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents
ポジ型感光性樹脂組成物Info
- Publication number
- JP3449856B2 JP3449856B2 JP15967996A JP15967996A JP3449856B2 JP 3449856 B2 JP3449856 B2 JP 3449856B2 JP 15967996 A JP15967996 A JP 15967996A JP 15967996 A JP15967996 A JP 15967996A JP 3449856 B2 JP3449856 B2 JP 3449856B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive resin
- resin composition
- weight
- chemical
- polyamide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Polyamides (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板との密着性に
優れたポジ型感光性樹脂組成物に関するものである。
優れたポジ型感光性樹脂組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の表面保護膜、層間絶
縁膜等には、耐熱性が優れ、又卓越した電気的特性、機
械的特性等を有するポリイミド樹脂が用いられている
が、近年半導体素子の高集積化、大型化、封止樹脂パッ
ケージの薄型化、小型化、半田リフローによる表面実装
方式への移行等により耐熱サイクル性、耐熱ショック性
等の著しい向上の要求があり、更に高性能のポリイミド
樹脂が必要とされるようになってきた。一方、ポリイミ
ド樹脂自身に感光性を付与する技術が最近注目を集めて
きており、例えば感光性ポリイミド樹脂として、下記式
（３）等がある。
縁膜等には、耐熱性が優れ、又卓越した電気的特性、機
械的特性等を有するポリイミド樹脂が用いられている
が、近年半導体素子の高集積化、大型化、封止樹脂パッ
ケージの薄型化、小型化、半田リフローによる表面実装
方式への移行等により耐熱サイクル性、耐熱ショック性
等の著しい向上の要求があり、更に高性能のポリイミド
樹脂が必要とされるようになってきた。一方、ポリイミ
ド樹脂自身に感光性を付与する技術が最近注目を集めて
きており、例えば感光性ポリイミド樹脂として、下記式
（３）等がある。
【化６】
【０００３】これを用いるとパターン作成工程の一部が
簡略化でき、工程短縮の効果はあるが、現像の際にＮ−
メチル−２−ピロリドン等の溶剤が必要となるため、安
全、取扱いにおいて問題がある。そこで最近では、アル
カリ水溶液で現像ができるポジ型の感光性樹脂が開発さ
れている。例えば、特公平１−４６８６２号公報におい
てはポリベンゾオキサゾール前駆体とジアゾキノン化合
物からなるポジ型感光性樹脂が開示されている。これは
高い耐熱性、易加工性に加え、低誘電率等の優れた電気
特性、微細加工性、感度を有し、ウェハーコート用途の
みならず、層間絶縁用樹脂としての可能性も有してい
る。このポジ型の感光性樹脂は、ビァホール部の除去を
アルカリ性水溶液を用いて行うため、従来の他の感光性
ポリイミド樹脂のように有機溶剤を必要とせず作業の安
全性は更に向上している。しかし、この感光性ポリベン
ゾオキサゾール前駆体は、基板、特にシリコンウェハー
との密着性に劣り、硬化後の高温吸湿処理によって樹脂
が基板から剥離するという重大な欠陥をも有している。
そこで密着性改良のため市販されているシランカップリ
ング剤等を添加しても完全に解決できず、その用途も強
く制限されているのが現状である。
簡略化でき、工程短縮の効果はあるが、現像の際にＮ−
メチル−２−ピロリドン等の溶剤が必要となるため、安
全、取扱いにおいて問題がある。そこで最近では、アル
カリ水溶液で現像ができるポジ型の感光性樹脂が開発さ
れている。例えば、特公平１−４６８６２号公報におい
てはポリベンゾオキサゾール前駆体とジアゾキノン化合
物からなるポジ型感光性樹脂が開示されている。これは
高い耐熱性、易加工性に加え、低誘電率等の優れた電気
特性、微細加工性、感度を有し、ウェハーコート用途の
みならず、層間絶縁用樹脂としての可能性も有してい
る。このポジ型の感光性樹脂は、ビァホール部の除去を
アルカリ性水溶液を用いて行うため、従来の他の感光性
ポリイミド樹脂のように有機溶剤を必要とせず作業の安
全性は更に向上している。しかし、この感光性ポリベン
ゾオキサゾール前駆体は、基板、特にシリコンウェハー
との密着性に劣り、硬化後の高温吸湿処理によって樹脂
が基板から剥離するという重大な欠陥をも有している。
そこで密着性改良のため市販されているシランカップリ
ング剤等を添加しても完全に解決できず、その用途も強
く制限されているのが現状である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、基板との優
れた密着性を有する新規なポジ型感光性樹脂を提供する
ことを目的とする。
れた密着性を有する新規なポジ型感光性樹脂を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式（１）
で示されるポリアミド（Ａ）１００重量部と感光性ジア
ゾキノン化合物（Ｂ）１〜１００重量部と一般式（２）
で表わされる有機ケイ素化合物（Ｃ）０．１〜２０重量
部からなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物で
ある。
で示されるポリアミド（Ａ）１００重量部と感光性ジア
ゾキノン化合物（Ｂ）１〜１００重量部と一般式（２）
で表わされる有機ケイ素化合物（Ｃ）０．１〜２０重量
部からなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物で
ある。
【化７】
【０００６】
【化８】
【０００７】式（１）のポリアミドは、Ｘの構造を有す
るビスアミノフェノールとＹの構造を有するジカルボン
酸からなり、このポリアミドを約３００〜４００℃で加
熱すると閉環し、ポリベンゾオキサゾールという耐熱性
樹脂に変化する。本発明のポリアミド（１）のＸは、例
えば、
るビスアミノフェノールとＹの構造を有するジカルボン
酸からなり、このポリアミドを約３００〜４００℃で加
熱すると閉環し、ポリベンゾオキサゾールという耐熱性
樹脂に変化する。本発明のポリアミド（１）のＸは、例
えば、
【化９】
等であるがこれらに限定されるものではない。
【０００８】この中で特に好ましいものは、
【化１０】
より選ばれるものである。
【０００９】又式（１）のＹは、例えば、
【化１１】
等であるがこれらに限定されるものではない。
【００１０】これらの中で特に好ましいものは、
【化１２】
より選ばれるものである。
【００１１】更に、式（１）のＺは、例えば
【化１３】
等であるがこれらに限定されるものではない。
【００１２】式（１）のＺは、例えば、シリコンウェハ
ーのような基板に対して、特に密着性が必要な場合に用
いるが、その使用割合ｂについては最大４０．０モル％
まで使用することができる。４０．０モル％を越えると
樹脂の溶解性が極めて低下し、スカムが発生し、パター
ン加工ができない。なお、これらＸ、Ｙ、Ｚの使用にあ
たっては、それぞれ１種類であっても２種類以上の混合
物であっても構わない。
ーのような基板に対して、特に密着性が必要な場合に用
いるが、その使用割合ｂについては最大４０．０モル％
まで使用することができる。４０．０モル％を越えると
樹脂の溶解性が極めて低下し、スカムが発生し、パター
ン加工ができない。なお、これらＸ、Ｙ、Ｚの使用にあ
たっては、それぞれ１種類であっても２種類以上の混合
物であっても構わない。
【００１３】本発明で用いる感光性ジアゾキノン化合物
は、１，２−ベンゾキノンジアジドあるいは１，２−ナ
フトキノンジアジド構造を有する化合物であり、米国特
許明細書第２，７７２，９７２号、第２，７９７，２１
３号、第３，６６９，６５８号により公知の物質であ
る。例えば、下記のものが挙げられる。
は、１，２−ベンゾキノンジアジドあるいは１，２−ナ
フトキノンジアジド構造を有する化合物であり、米国特
許明細書第２，７７２，９７２号、第２，７９７，２１
３号、第３，６６９，６５８号により公知の物質であ
る。例えば、下記のものが挙げられる。
【化１４】
【００１４】
【化１５】
【００１５】これらの中で特に好ましいものとしては下
記のものがある。
記のものがある。
【化１６】
【００１６】感光性ジアジドキノン化合物（Ｂ）のポリ
アミド（Ａ）への配合量は、ポリアミド１００重量部に
対し、１〜１００重量部で、配合量が１重量部未満だと
樹脂のパターニング性が不良であり、逆に１００重量部
を越えるとフィルムの引張り伸び率が著しく低下する。
アミド（Ａ）への配合量は、ポリアミド１００重量部に
対し、１〜１００重量部で、配合量が１重量部未満だと
樹脂のパターニング性が不良であり、逆に１００重量部
を越えるとフィルムの引張り伸び率が著しく低下する。
【００１７】本発明のポジ型感光性樹脂組成物には、必
要により感光特性を高めるためにジヒドロキシピリジン
誘導体を加えることができる。ジヒドロキシピリジン誘
導体としては、例えば２，６−ジメチル−３，５−ジア
セチル−４−（２′−ニトロフェニル）−１，４−ジヒ
ドロピリジン、４−（２′−ニトロフェニル）−２，６
−ジメチル−３，５−ジカルボエトキシ−１，４−ジヒ
ドロピリジン、４−（２′，４′−ジニトロフェニル）
−２，６−ジメチル−３，５−ジカルボメトキシ−１，
４−ジヒドロピリジン等を挙げることができる。
要により感光特性を高めるためにジヒドロキシピリジン
誘導体を加えることができる。ジヒドロキシピリジン誘
導体としては、例えば２，６−ジメチル−３，５−ジア
セチル−４−（２′−ニトロフェニル）−１，４−ジヒ
ドロピリジン、４−（２′−ニトロフェニル）−２，６
−ジメチル−３，５−ジカルボエトキシ−１，４−ジヒ
ドロピリジン、４−（２′，４′−ジニトロフェニル）
−２，６−ジメチル−３，５−ジカルボメトキシ−１，
４−ジヒドロピリジン等を挙げることができる。
【００１８】本発明のポジ型感光性樹脂組成物において
は、更に一般式（２）で表わされる有機ケイ素化合物を
含有させることが重要である。
は、更に一般式（２）で表わされる有機ケイ素化合物を
含有させることが重要である。
【化１７】
【００１９】一般式（２）で表される有機ケイ素化合物
は、米国特許第３７５５３５４号及び第４４６０７３９
号明細書に開示されており、公知物質であるが本発明で
は、この有機ケイ素化合物を特公平１−４６８６２号公
報に示されているような感光性ポリベンゾオキサゾール
前駆体に加えるとシリコンウェハーに対して従来のシラ
ンカップリング剤等では得られないような高い密着性が
発現できることを見いだした。一般式（２）で示される
有機ケイ素化合物はアミノ基を有するケイ素化合物を酸
無水物に反応させて得ることができる。アミノ基を有す
るケイ素化合物としては例えば、３−アミノプロピルト
リメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピル
メチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−
３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。また酸無水
物としては例えば、無水マレイン酸、クロロ無水マレイ
ン酸、シアノ無水マレイン酸、シトコン酸、無水フタル
酸等を挙げることができ、これらの１種類を単独で又は
２種類以上を併用して使用することができる。一般式
（２）で示される有機ケイ素化合物のポジ型感光性樹脂
組成物への配合量はポリアミド（Ａ）１００重量部に対
して０．１〜２０重量部である。配合量が０．１重量部
未満だと基板に対して充分な密着性が得られず、また２
０重量部を超えると現像時の膜減りが大きくなり好まし
くない。
は、米国特許第３７５５３５４号及び第４４６０７３９
号明細書に開示されており、公知物質であるが本発明で
は、この有機ケイ素化合物を特公平１−４６８６２号公
報に示されているような感光性ポリベンゾオキサゾール
前駆体に加えるとシリコンウェハーに対して従来のシラ
ンカップリング剤等では得られないような高い密着性が
発現できることを見いだした。一般式（２）で示される
有機ケイ素化合物はアミノ基を有するケイ素化合物を酸
無水物に反応させて得ることができる。アミノ基を有す
るケイ素化合物としては例えば、３−アミノプロピルト
リメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピル
メチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−
３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。また酸無水
物としては例えば、無水マレイン酸、クロロ無水マレイ
ン酸、シアノ無水マレイン酸、シトコン酸、無水フタル
酸等を挙げることができ、これらの１種類を単独で又は
２種類以上を併用して使用することができる。一般式
（２）で示される有機ケイ素化合物のポジ型感光性樹脂
組成物への配合量はポリアミド（Ａ）１００重量部に対
して０．１〜２０重量部である。配合量が０．１重量部
未満だと基板に対して充分な密着性が得られず、また２
０重量部を超えると現像時の膜減りが大きくなり好まし
くない。
【００２０】本発明におけるポジ型感光性樹脂組成物に
は、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤等
の添加剤を添加することができる。本発明においてはこ
れらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。
溶剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチ
ロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メ
チル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３
−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−３−メトキ
シプロピオネート等を単独でも混合して用いてもよい。
は、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤等
の添加剤を添加することができる。本発明においてはこ
れらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。
溶剤としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチ
ロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メ
チル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３
−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−３−メトキ
シプロピオネート等を単独でも混合して用いてもよい。
【００２１】本発明のポジ型感光性樹脂組成物の使用方
法は、まず該組成物を適当な支持体、例えば、シリコン
ウェハー、セラミック、アルミ基板等に塗布する。塗布
方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレー
コーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーテ
ィング等がある。次に、６０〜１２０℃でプリベークし
て塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射す
る。化学線としては、Ｘ線、電子線、紫外線、可視光線
等が使用できるが、２００〜５００ｎｍの波長のものが
好ましい。次に照射部を現像液で溶解除去することによ
りレリーフパターンを得る。現像液としては、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナ
トリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無
機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の
第１アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミ
ン等の第２アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチ
ルアミン等の第３アミン類、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルア
ンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム塩等の
アルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノー
ルのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性
剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することができ
る。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音
波等の方式が可能である。次に、現像によって形成した
レリーフパターンをリンスする。リンス液としては、蒸
留水を使用する。次に加熱処理を行い、オキサゾール環
を形成し、耐熱性に富む最終パターンを得る。本発明に
よるポジ型感光性樹脂組成物は、半導体用途のみなら
ず、多層回路の層間絶縁やフレキシブル銅張板のカバー
コート、ソルダーレジスト膜や液晶配向膜等としても有
用である。
法は、まず該組成物を適当な支持体、例えば、シリコン
ウェハー、セラミック、アルミ基板等に塗布する。塗布
方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプレー
コーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコーテ
ィング等がある。次に、６０〜１２０℃でプリベークし
て塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照射す
る。化学線としては、Ｘ線、電子線、紫外線、可視光線
等が使用できるが、２００〜５００ｎｍの波長のものが
好ましい。次に照射部を現像液で溶解除去することによ
りレリーフパターンを得る。現像液としては、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナ
トリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無
機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の
第１アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミ
ン等の第２アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチ
ルアミン等の第３アミン類、ジメチルエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルア
ンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム塩等の
アルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノー
ルのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活性
剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することができ
る。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音
波等の方式が可能である。次に、現像によって形成した
レリーフパターンをリンスする。リンス液としては、蒸
留水を使用する。次に加熱処理を行い、オキサゾール環
を形成し、耐熱性に富む最終パターンを得る。本発明に
よるポジ型感光性樹脂組成物は、半導体用途のみなら
ず、多層回路の層間絶縁やフレキシブル銅張板のカバー
コート、ソルダーレジスト膜や液晶配向膜等としても有
用である。
【００２２】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 《実施例１》 ＊ポリアミドの合成 ２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）
ヘキサフルオロプロパン３６．６重量部（０．１００モ
ル）をＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１５０重量部及び
ピリジン３３．２（０．４２０モル）重量部に溶解し
た。次にシクロヘキサノン１００重量部に溶解したテレ
フタル酸クロリド１７．０重量部（０．０８４モル）と
イソフタル酸クロリド４．３重量部（０．０２１モル）
を−１０〜−１５℃で３０分かけて滴下し、その後室温
で４時間撹拌し反応を終了した。反応混合物を濾過した
後、溶液を水中に投入し目的の一般式（Ｉ）で示され、
Ｘが下記式Ｘ−１、Ｙが下記式Ｙ−１及びＹ−２の混合
で、ａ＝１００、ｂ＝０からなるポリアミド（Ａ1）を
沈殿させた。沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空
下８０℃で１昼夜乾燥させた。
る。 《実施例１》 ＊ポリアミドの合成 ２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）
ヘキサフルオロプロパン３６．６重量部（０．１００モ
ル）をＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１５０重量部及び
ピリジン３３．２（０．４２０モル）重量部に溶解し
た。次にシクロヘキサノン１００重量部に溶解したテレ
フタル酸クロリド１７．０重量部（０．０８４モル）と
イソフタル酸クロリド４．３重量部（０．０２１モル）
を−１０〜−１５℃で３０分かけて滴下し、その後室温
で４時間撹拌し反応を終了した。反応混合物を濾過した
後、溶液を水中に投入し目的の一般式（Ｉ）で示され、
Ｘが下記式Ｘ−１、Ｙが下記式Ｙ−１及びＹ−２の混合
で、ａ＝１００、ｂ＝０からなるポリアミド（Ａ1）を
沈殿させた。沈殿物を濾集し水で充分洗浄した後、真空
下８０℃で１昼夜乾燥させた。
【００２３】＊ポジ型感光性樹脂組成物の作製
合成したポリアミド（Ａ1）１００重量部、下記式の構
造を有するジアゾキノン（Ｑ１）２５重量部、下記式の
構造を有する有機ケイ素化合物（Ｓ−１）５重量部をＮ
−メチル−２−ピロリドン２００重量部に溶解した後、
０．２μｍのテフロンフィルターで濾過し感光性樹脂組
成物を得た。
造を有するジアゾキノン（Ｑ１）２５重量部、下記式の
構造を有する有機ケイ素化合物（Ｓ−１）５重量部をＮ
−メチル−２−ピロリドン２００重量部に溶解した後、
０．２μｍのテフロンフィルターで濾過し感光性樹脂組
成物を得た。
【００２４】＊特性評価
この感光性ワニスをシリコンウェハー上にスピンコータ
ーを用いて塗布した後、オーブン中７０℃で１時間乾燥
し、膜厚約６μｍの塗膜を得た。この塗膜に凸版印刷
(株)製マスク（テストチャートＮｏ．１；幅５０〜０．
８８μｍの残しパターン及び抜きパターンが描かれてい
る）を通して高圧水銀灯からの紫外光線を照射した後、
０．７９％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液に６０秒浸漬することによって露光部を溶解除去し
た後、純水で３０秒間現像液を洗い流した（リンス）。
その結果、シリコンウェハー上に５μｍの抜きパターン
が解像しているのが確認できた。この時の現像後膜厚は
５．１μｍで、残膜率（現像の膜厚／現像前膜厚×１０
０）は８５．０％であった。また、別に感光性ワニスを
同様にシリコンウェハー上に塗布し、プリベークした
後、オーブン中３０分／１５０℃、３０分／２５０℃、
３０分／３５０℃の順序で加熱し、樹脂を硬化させた。
得られた塗膜１ｍｍ角に１００個基盤目にカットし、セ
ロハンテープを貼りつけ、引き剥がして、塗膜をシリコ
ンウェハー上より剥がそうとしたが、剥がれた塗膜の数
（これを「硬化後剥がれ数」と称する）は０であり、硬
化膜のウェハーへの密着性も優れていることが確認され
た。更にこのシリコンウェハーを１２５℃、２．３ａｔ
ｍのプレシャークッカー（ＰＣＴ）処理１００時間を施
した後、同様にセロハンテープを貼り付け、引き剥がし
て評価したところ、剥がれた塗膜の数（これを「高温高
湿処理後剥がれ数」と称する）は０であり、高温湿度処
理後の密着性も優れていることが確認された。
ーを用いて塗布した後、オーブン中７０℃で１時間乾燥
し、膜厚約６μｍの塗膜を得た。この塗膜に凸版印刷
(株)製マスク（テストチャートＮｏ．１；幅５０〜０．
８８μｍの残しパターン及び抜きパターンが描かれてい
る）を通して高圧水銀灯からの紫外光線を照射した後、
０．７９％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水
溶液に６０秒浸漬することによって露光部を溶解除去し
た後、純水で３０秒間現像液を洗い流した（リンス）。
その結果、シリコンウェハー上に５μｍの抜きパターン
が解像しているのが確認できた。この時の現像後膜厚は
５．１μｍで、残膜率（現像の膜厚／現像前膜厚×１０
０）は８５．０％であった。また、別に感光性ワニスを
同様にシリコンウェハー上に塗布し、プリベークした
後、オーブン中３０分／１５０℃、３０分／２５０℃、
３０分／３５０℃の順序で加熱し、樹脂を硬化させた。
得られた塗膜１ｍｍ角に１００個基盤目にカットし、セ
ロハンテープを貼りつけ、引き剥がして、塗膜をシリコ
ンウェハー上より剥がそうとしたが、剥がれた塗膜の数
（これを「硬化後剥がれ数」と称する）は０であり、硬
化膜のウェハーへの密着性も優れていることが確認され
た。更にこのシリコンウェハーを１２５℃、２．３ａｔ
ｍのプレシャークッカー（ＰＣＴ）処理１００時間を施
した後、同様にセロハンテープを貼り付け、引き剥がし
て評価したところ、剥がれた塗膜の数（これを「高温高
湿処理後剥がれ数」と称する）は０であり、高温湿度処
理後の密着性も優れていることが確認された。
【００２５】《実施例２》実施例１における有機ケイ素
化合物を下記式Ｓ−２に替えて評価を行った。 《実施例３》実施例１における有機ケイ素化合物を下記
式Ｓ−３に替えて評価を行った。 《実施例４》実施例１における有機ケイ素化合物（Ｓ−
１）の添加量を１重量部して評価を行った。 《実施例５》実施例１におけるポリアミドの合成におい
て、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸クロリドの替
わりにジフェニルエーテル−４，４′−ジカルボン酸ク
ロリドに替え、一般式（１）で示され、Ｘが下記式Ｘ−
１、Ｙが下記式Ｙ−３で、ａ＝１００、ｂ＝０からなる
ポリアミド（Ａ2）を合成し、その他は実施例１と同様
の評価を行った。
化合物を下記式Ｓ−２に替えて評価を行った。 《実施例３》実施例１における有機ケイ素化合物を下記
式Ｓ−３に替えて評価を行った。 《実施例４》実施例１における有機ケイ素化合物（Ｓ−
１）の添加量を１重量部して評価を行った。 《実施例５》実施例１におけるポリアミドの合成におい
て、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸クロリドの替
わりにジフェニルエーテル−４，４′−ジカルボン酸ク
ロリドに替え、一般式（１）で示され、Ｘが下記式Ｘ−
１、Ｙが下記式Ｙ−３で、ａ＝１００、ｂ＝０からなる
ポリアミド（Ａ2）を合成し、その他は実施例１と同様
の評価を行った。
【００２６】《実施例６》実施例１におけるポリアミド
の合成において、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸
クロリドの替わりに、ジフェニルエーテル−４，４′−
ジカルボン酸クロリドを用い、また、２，２−ビス（３
−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパンの替わりに、３，３′−ジアミノ−４，４′−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホンを用いて、一般式（１）
で示され、Ｘが下記式Ｘ−２、Ｙが下記式Ｙ−３で、ａ
＝１００、ｂ＝０からなるポリアミド（Ａ3）の合成を
し、その他は実施例１と同様の評価を行った。 《実施例７》実施例１におけるポリアミドの合成におい
て、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸クロリドの替
わりに、ジフェニルエーテル−４，４′−ジカルボン酸
クロリドを用い、又２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンの替わり
に、３，３′−ジアミノ−４，４′−ジヒドロキシジフ
ェニルエーテルを用いて、一般式（１）で示され、Ｘが
下記式Ｘ−３、Ｙが下記式Ｙ−３で、ａ＝１００、ｂ＝
０からなるポリアミド（Ａ4）の合成をし、更にジアゾ
キノンとして下記式構造のジアゾキノン（Ｑ２）を使用
し、感光性樹脂組成物を得、その他は実施例１と同様の
評価を行った。 《実施例８》実施例１におけるポリアミドの合成におい
て２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパンを３４．８重量部（０．０
９５モル）に減らし、替わりに１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキ
サン１．２４重量部（０．００５モル）を加え、一般式
（１）で示され、Ｘが下記式Ｘ−１、Ｙが下記式Ｙ−１
及びＹ−２の混合、Ｚが下記式Ｚ−１で、ａ＝９５、ｂ
＝５からなるポリアミド（Ａ5）を合成し、その他は実
施例１と同様の評価を行った。
の合成において、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸
クロリドの替わりに、ジフェニルエーテル−４，４′−
ジカルボン酸クロリドを用い、また、２，２−ビス（３
−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパンの替わりに、３，３′−ジアミノ−４，４′−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホンを用いて、一般式（１）
で示され、Ｘが下記式Ｘ−２、Ｙが下記式Ｙ−３で、ａ
＝１００、ｂ＝０からなるポリアミド（Ａ3）の合成を
し、その他は実施例１と同様の評価を行った。 《実施例７》実施例１におけるポリアミドの合成におい
て、テレフタル酸クロリド、イソフタル酸クロリドの替
わりに、ジフェニルエーテル−４，４′−ジカルボン酸
クロリドを用い、又２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒ
ドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパンの替わり
に、３，３′−ジアミノ−４，４′−ジヒドロキシジフ
ェニルエーテルを用いて、一般式（１）で示され、Ｘが
下記式Ｘ−３、Ｙが下記式Ｙ−３で、ａ＝１００、ｂ＝
０からなるポリアミド（Ａ4）の合成をし、更にジアゾ
キノンとして下記式構造のジアゾキノン（Ｑ２）を使用
し、感光性樹脂組成物を得、その他は実施例１と同様の
評価を行った。 《実施例８》実施例１におけるポリアミドの合成におい
て２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパンを３４．８重量部（０．０
９５モル）に減らし、替わりに１，３−ビス（３−アミ
ノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキ
サン１．２４重量部（０．００５モル）を加え、一般式
（１）で示され、Ｘが下記式Ｘ−１、Ｙが下記式Ｙ−１
及びＹ−２の混合、Ｚが下記式Ｚ−１で、ａ＝９５、ｂ
＝５からなるポリアミド（Ａ5）を合成し、その他は実
施例１と同様の評価を行った。
【００２７】《比較例１》実施例１において有機ケイ素
化合物を添加しないで評価を行った。 《比較例２》実施例５において有機ケイ素化合物を添加
しないで評価を行った。 《比較例３》実施例６において有機ケイ素化合物を添加
しないで評価を行った。 《比較例４》実施例１においての有機ケイ素化合物の添
加量を０．５重量部に減らして評価を行った。 《比較例５》実施例１における有機ケイ素化合物の添加
量を５０重量部に増して評価を行った。 《比較例６》実施例１における有機ケイ素化合物をＳ−
４に替えて評価を行った。 《比較例７》実施例１における有機ケイ素化合物をＳ−
５に替えて評価を行った。 《比較例８》実施例１における有機ケイ素化合物をＳ−
６に替えて評価を行った。以上実施例１〜８、比較例１
〜８の評価結果を表１に示す。
化合物を添加しないで評価を行った。 《比較例２》実施例５において有機ケイ素化合物を添加
しないで評価を行った。 《比較例３》実施例６において有機ケイ素化合物を添加
しないで評価を行った。 《比較例４》実施例１においての有機ケイ素化合物の添
加量を０．５重量部に減らして評価を行った。 《比較例５》実施例１における有機ケイ素化合物の添加
量を５０重量部に増して評価を行った。 《比較例６》実施例１における有機ケイ素化合物をＳ−
４に替えて評価を行った。 《比較例７》実施例１における有機ケイ素化合物をＳ−
５に替えて評価を行った。 《比較例８》実施例１における有機ケイ素化合物をＳ−
６に替えて評価を行った。以上実施例１〜８、比較例１
〜８の評価結果を表１に示す。
【００２８】
【化１８】
【００２９】
【化１９】
【００３０】
【化２０】
【００３１】
【化２１】
【００３２】
【表１】
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、基板との密着性に優れ
るポジ型感光性樹脂組成物を得ることができる。
るポジ型感光性樹脂組成物を得ることができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｇ０３Ｆ 7/037 Ｇ０３Ｆ 7/037
(56)参考文献 特開 平８−123034（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−22118（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−281441（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−346993（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−49077（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 7/00 - 7/42
Claims (5)
- 【請求項１】 一般式（１）で示されるポリアミド
（Ａ）１００重量部と感光性ジアゾキノン化合物（Ｂ）
１〜１００重量部と一般式（２）で表わされる有機ケイ
素化合物（Ｃ）０．１〜２０重量部からなることを特徴
とするポジ型感光性樹脂組成物。 【化１】 【化２】 - 【請求項２】 一般式（２）で表される有機ケイ素化合
物（Ｃ）におけるＲ5 が、−ＣＨ＝ＣＨ− である請求
項１記載のポジ型感光性樹脂組成物。 - 【請求項３】 一般式（１）のポリアミドにおけるＸ
が、下記より選ばれてなる請求項１又は２記載のポジ型
感光性樹脂組成物。 【化３】 - 【請求項４】 一般式（１）のポリアミドにおけるＹ
が、下記より選ばれてなる請求項１、２又は３記載のポ
ジ型感光性樹脂組成物。 【化４】 - 【請求項５】 感光性ジアゾキノン化合物（Ｂ）が、下
記より選ばれてなる請求項１、２、３又は４記載のポジ
型感光性樹脂組成物。 【化５】
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15967996A JP3449856B2 (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
| TW086105647A TW502135B (en) | 1996-05-13 | 1997-04-29 | Positive type photosensitive resin composition and process for preparing polybenzoxazole resin film by using the same |
| EP97107190A EP0807852B1 (en) | 1996-05-13 | 1997-04-30 | Positive type photosensitive resin composition and semiconductor device using the same |
| DE69704294T DE69704294T2 (de) | 1996-05-13 | 1997-04-30 | Positiv arbeitende, fotoempfindliche Harzzusammensetzung und Halbleiteranordnung mit dieser Zusammensetzung |
| US08/854,863 US6071666A (en) | 1996-05-13 | 1997-05-12 | Positive type photosensitive resin composition and semiconductor device using the same |
| CN97111184A CN1113273C (zh) | 1996-05-13 | 1997-05-12 | 正型光敏树脂组合物和使用它的半导体装置 |
| KR1019970018351A KR100533488B1 (ko) | 1996-05-13 | 1997-05-12 | 파지티브형감광성수지조성물및이를이용한반도체장치 |
| US09/442,277 US6235436B1 (en) | 1996-05-13 | 1999-11-17 | Semiconductor device using positive photosensitive resin composition and process for preparation thereof |
| CNB021190453A CN1215380C (zh) | 1996-05-13 | 2002-04-29 | 正型光敏树脂组合物和使用它的半导体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15967996A JP3449856B2 (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1010727A JPH1010727A (ja) | 1998-01-16 |
| JP3449856B2 true JP3449856B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=15698964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15967996A Expired - Lifetime JP3449856B2 (ja) | 1996-05-13 | 1996-06-20 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3449856B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5128574B2 (ja) * | 1999-03-30 | 2013-01-23 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
| KR102331157B1 (ko) * | 2019-10-23 | 2021-11-26 | (주)휴넷플러스 | 폴리실록산 공중합체, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 수지 조성물 |
-
1996
- 1996-06-20 JP JP15967996A patent/JP3449856B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1010727A (ja) | 1998-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3207352B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP3478376B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP3919147B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP3176795B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP3449925B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP3422691B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP2002040654A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP3449856B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP3449926B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP2002278051A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3176802B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP3449858B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP3682898B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP3737342B2 (ja) | ポリアミド樹脂、ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3422704B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP2001042518A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP2003255533A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH11258787A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP3449931B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP2000131845A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置 | |
| JPH08123034A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP3801379B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物 | |
| JP2002241611A (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3452240B2 (ja) | ポジ型感光性樹脂組成物の製造方法 | |
| JPH09321038A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080711 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100711 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130711 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |