JP3443026B2 - 複数の接合部を有する安定した磁気トンネル・デバイス - Google Patents
複数の接合部を有する安定した磁気トンネル・デバイスInfo
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Description
書込み可能な磁気トンネル接合(「MTJ」)デバイス
から形成された磁気デバイス、たとえば、磁気ランダム
・アクセス・メモリ(「MRAM」)デバイスに関す
る。
第5,650,958号に詳述されているように、適切
に形成された磁気トンネル接合メモリ・セルの電気抵抗
は、その接合部に印加される磁気書込み刺激によって決
まる。セル応答はヒステリシスであり、したがって、セ
ルは印加された磁気書込み刺激をある程度記憶しておく
ことができる。トンネル接合デバイスの残留磁気構成
と、その結果的な電気抵抗値は、電気的にアクセスされ
るMRAMアレイにこのようなデバイスを応用するため
の基礎である。
ルを含む大規模かつ確実にアクセスされるMRAMアレ
イを作成するためには、各セルの磁気応答特性の均一性
および予測精度は非常に重要なことである。しかし、多
くの要因が製造上の不確実性および固有磁気変動に関連
するため、セルごとの応答変動は非常に大きくなる可能
性がある。このセルごとの磁気応答変動は、各セルにア
クセスするために必要な電気および結果的な磁気書込み
刺激に直接影響し、したがって、好ましい一定の電気お
よび結果的な磁気書込み刺激値を使用してアレイ規模の
選択性が発生するのを防止する。
と、MRAMアレイでは、導電線1〜6からなる長方形
グリッド例の交点にセルが位置決めされている。これら
の線は基板の上に配置されて交差し、それにより、セル
が位置決めされる交差領域、たとえば、セル9を形成す
る。以下に詳述するように、各セルは通常、自由磁気領
域24と基準磁気領域22とを含む。(基準領域という
用語は、自由または可変性領域と協力して、全体として
デバイスを検出可能状態にするような、いかなるタイプ
の領域も示すように、ここでは広い意味で使用する。)
このタイプのセルが電気的にアクセス可能なデータを格
納できる能力はこの2つの領域間の電子トンネル効果に
よって決まり、その効果はこの2つの領域の相対磁化方
向に依存する。自由領域内の磁化を2通り(おそらく、
それ以上)の選択可能方向の一方に双安定方式で回転す
ると、2進状態がセル内に格納される。その磁化容易軸
(「EA」)が水平になる向きにセルを向けた場合、垂
直線を流れる書込み電流はセルにEA磁界を印加し、水
平線を流れる電流はセルにハード軸(「HA」)磁界を
印加する。
ルに書き込む場合、切替え用アステロイドという概念を
厳守している。単一自由領域の切替えしきい値は、それ
に印加されたEA磁界とHA磁界との組合せによって決
まる。図3に示すこの「Stoner-Wohlfarth」アステロイ
ド・モデルは、印加されたEAおよびHA磁界の平面内
のこのようなしきい値を示している。そのセルでのEA
磁界とHA磁界とを組み合わせた結果、アステロイド外
部のベクトルが発生すると、切替えが行われる。アステ
ロイド内部のベクトルは、その電流双安定状態の一方か
らセルを切り替えることはない。このアステロイド・モ
デルは、HAバイアス磁界が存在する場合にデバイスを
切り替えるために必要なEAフィールドがどのように低
減されるかも示している。アレイ内での単一セルの選択
切替えは、選択した1対の水平線と垂直線により電流を
印加することによって達成される。このような電流は、
これらの線の交点に位置するセルのみにEA磁界とHA
磁界の組合せを発生し、理論的には近隣セルではなく、
選択したセルを切り替える。
A磁界を経験することになる。同様に、垂直線に沿った
すべてのセルが同じ印加EA磁界を経験する。しかし、
これらの線の交点に位置するセルだけは、切替えに必要
な両方の磁界の組合せを経験する。
し、同じセル内のヒステリシス・ループごとに変動する
場合、問題が発生する。この結果、図4に示すように、
アステロイドが広がって、しきい値の帯域ができる。セ
ルを選択的に切り替える能力は、単一の印加HA磁界ま
たはEA磁界の下では切り替えられない線に沿ったセル
を除く、すべてのセルによって決まるので、このアステ
ロイドの帯域が広くなりすぎる場合、同等の書込み刺激
で個々のセルに選択的に書き込むことは、もはや不可能
である。というのは、この線に沿った他の非選択セルも
切り替わるからである。
について各デバイスごとに2通りのEA書込みループを
取り、本発明者が実際に測定した12個の近隣MRAM
デバイスの磁気応答の変動を示している。各図は、所与
のHAバイアス磁界ごとに印加したEA磁界(He)に
対する測定抵抗変化(%)を示している。(これらの図
は、セルのヒステリシス応答が印加したHAバイアス磁
界にどのように依存するかも示している。交差線を選択
的に使用して前述のセルを提供するためには、一方の線
上の何らかの印加HAバイアス磁界およびもう一方の線
上の印加EA磁界、すなわち、図3および図4のHY1お
よびHX2とともに機能することが望ましい。しかし、印
加したEA磁界とHA磁界を除去したときにセルが引き
続き2通り双安定状態の一方になるように、何らかのヒ
ステリシスを保持することも望ましい。)この変動は、
このようなループのEA保磁界に対するHAバイアス磁
界を示す「アステロイド」図に要約することができる
(図6)。この1組のデバイスの場合、散乱が非常に多
いので、このようなセルに有効な印加刺激動作窓が存在
しなくなる。すなわち、それに同時に印加した場合に各
セルを切り替え、別々に印加した場合にいずれのセルも
切り替えないような、印加したEA磁界とHA磁界の組
はまったく存在しなくなる。
かまたは他の選択モデルを使用するかにかかわらず、有
効セルの選択性を備えたMRAMアレイの好結果の実施
態様における重要な課題は、ほぼ同一の電気および磁気
特性を備えた多くのメモリ・セルを作成することであ
る。これは、磁気デバイスにとって特に困難なことであ
る。というのは、その応答が局所欠陥だけでなくエッジ
または表面粗さにも敏感であるからである。
合セルの前述の欠点を克服するため、本発明は、複数の
磁気交換減結合トンネル接合を単一の複合磁気デバイス
に結合し、それにより、その構成トンネル接合デバイス
のうちのいずれか1つのそれぞれの応答とは対照的に、
印加した書込み刺激に対するデバイスの応答の品質およ
び均一性において明瞭な利点を発生することに関する。
の一態様は、少なくとも1つの電極を使用して動作可能
であり、第1および第2の電極によりそれに印加された
磁気刺激に応じて、平均状態になるように同時に書込み
可能な、少なくとも2つの磁気トンネル接合を含む、磁
気デバイス、たとえば、メモリ・セルに関する。
メモリ・セルとして使用することができ、アレイを横切
る複数の交差領域を形成するそれぞれ複数の第1および
第2の交差導線を含む。それぞれが複数の交差領域のそ
れぞれ1つに配置された複数の磁気メモリ・セルが設け
られ、各セルは少なくとも2つの磁気トンネル接合をそ
の中に有する。各セル内の少なくとも2つの磁気トンネ
ル接合から得られる予測可能な平均応答の結果、選択し
た交差領域を形成する第1および第2の導線により印加
された磁気刺激によって選択される交差領域にあるセル
のみが書き込まれ、選択した交差領域を形成する第1お
よび第2の導線に沿った他のセルには書き込まれないと
いう特徴が得られる。
気刺激を受け入れるために直列あるいは並列に第1およ
び第2の電極間に配置することができる。
ぞれは、基準磁化方向を有する第1の領域と、磁気刺激
に応じて変化可能な磁化方向を有する第2の自由領域と
を含むことができる。
ぞれの第1の基準領域は、基準磁化方向を有する単一の
凝集磁気領域の一部にすることができる。
ぞれの第2の自由領域は、複数の磁気細粒をその中に有
し、したがって、各磁気細粒がそれぞれの第2の領域を
形成する、磁気媒体タイプの材料からパターン形成した
領域内におそらく配置された磁気細粒を含むことができ
る。
ぞれの第2の自由領域は、それに印加された電気および
結果的な磁気刺激に応じて同時に変化可能な逆平行磁化
方向をその中に含むことができ、逆平行磁化方向の一方
がそのそれぞれの第1の領域と連絡してセル・トンネル
効果を実施し、逆平行磁化方向が磁気メモリ・セル内の
他の磁気トンネル接合との磁気結合を最小限にするとい
う特徴をもたらす。
トンネル接合は、ビット線とワード線により印加された
磁気刺激の定義済み動作窓を使用してメモリ・セルの選
択性がアレイ規模で得られるという利点を磁気メモリに
もたらす。さらに、各セルは複数のトンネル接合から形
成されるので、各セル内のトンネル接合の平均応答を使
用する場合、少数の欠陥トンネル接合によってアレイの
動作が重大な影響を受けることはない。
における磁気応答データを平均化することにより、より
適切で予測精度が高い磁気応答が得られることを発見し
た。たとえば、図6の散乱データを平均化すると、図7
の予測精度がいくらか高いアステロイド形状が得られ
る。本発明者は、1つのメモリ・セルとして並列に配置
された8個の磁気トンネル接合を実現し、その応答を測
定し、同じアレイ内に同様の接合部を備えているが互い
に離れて位置している4個のこのような複数接合セルの
応答を測定した。このような測定の結果は図8に示す。
観察した散乱は、取られたループの数が20まで増加し
たことによるものである。このような複数接合セルの2
0ループ・アステロイド・データ(図9)は個々の接合
部のそれぞれのアステロイドよりかなり改善され、すべ
てのループ、すなわち、すべてのデバイスにおける平均
アステロイド(図10)は理想的なアステロイド形状に
さらに近くなる。ウェハ全域で接合特性が変動するにも
かかわらず、このような4個の接合部の組合せのアステ
ロイドは、選択切替えが可能になるように動作の窓を提
供する。
一磁気デバイス、たとえば、MRAMアレイのメモリ・
セル内で複数の磁気トンネル接合を使用する。したがっ
て、その中に複数のトンネル接合を設けることにより、
図1および図2の単一磁気トンネル接合(「MTJ」)
セル9が改善される。本発明の複数MTJセルの代替実
施例については図11〜図16に関連して以下に述べる
が、さらに紹介するため、ここで図1および図2のアレ
イについて、本出願人に譲渡された前記米国特許第5,
640,343号および第5,650,958号により
詳述する。
は、水平平面内の平行なワード線1、2、3として機能
する1組の導電線と、他の水平平面内の平行なビット線
4、5、6として機能する1組の導電線とを含む。上か
ら見たときに2組の線が交差するように、ビット線は異
なる方向に、たとえば、ワード線に対して直角に向けら
れている。図2に詳細に示す典型的なメモリ・セル9な
どのメモリ・セルは、線同士の間に垂直に間隔をあけた
交差領域内のワード線とビット線との各交差点に位置す
る。図1には3本のワード線と3本のビット線が示され
ているが、線の数は通常、これよりかなり多くなるだろ
う。メモリ・セル9は垂直スタックとして配置され、ダ
イオード7と磁気トンネル接合(「MTJ」)8とを含
むことができる。アレイの動作中、電流はセル9内を垂
直方向に流れる。電流がメモリ・セルを垂直に通ること
により、メモリ・セルが占有する表面積を非常に小さく
することができる。ワード線との接点、MTJ、ダイオ
ード、ビット線との接点は、いずれも同じ面積を占有す
る。図1には示されていないが、このアレイは、他の回
路が存在するはずのシリコン基板などの基板上に形成す
ることができる。また、交差領域以外のMRAMの領域
では、ビット線とワード線との間に通常、絶縁材料の層
が位置する。
ついて詳細に説明する。メモリ・セル9は、ワード線3
(図1)上およびワード線に接触して形成されている。
メモリ・セル9は、ダイオード状デバイスの垂直スタッ
ク、たとえば、電気的に直列接続になっているシリコン
接合ダイオード7とMTJ8とを含む。ダイオード7
は、n型シリコン層10とp型シリコン層11とを含む
シリコン接合ダイオードである。ダイオードのp型シリ
コン層11は、タングステン・スタッド12を介してM
TJ8に接続されている。ダイオードのn型シリコン層
10はワード線3に接続されている。
材料層で形成することができる。図2のMTJ8は、P
tなどのテンプレート層15と、パーマロイ(Ni−F
e)などの初期強磁性層16と、Mn−Feなどの反強
磁性層(AF)18と、Co、Fe、パーマロイなどの
一定または「固定」型の基準強磁性層(FMF)20
と、アルミナ(Al2O3)の薄いトンネル・バリア層2
2と、薄いCo−Feとパーマロイとのサンドイッチな
どの柔らかい可変性「自由」強磁性層(FMS)24
と、Ptなどの接点層25とを含む。
磁化方向のための好ましい軸を有するように作成されて
いる。この磁化容易軸に沿った自由層の磁化方向として
2通りの方向が可能であり、これがメモリ・セルの2通
りの状態を定義する。対照的に、基準層は、その単一方
向異方性方向という好ましい磁化方向を1つだけ有する
ように作成することができ、この方向は自由層の磁化容
易軸に平行である。自由層の所望の磁化容易軸は、MT
Jの固有異方性とひずみ誘導異方性と形状異方性との組
合せによって設定される。図示のMTJと自由層は、長
さがLで幅がWの矩形として作成することができ、Lは
Wより大きい(図2)。自由層の磁気モーメントは、L
方向に沿って整列される傾向がある。
性層16上にFe−Mn AF層18を成長させること
によって設定され、初期強磁性層自体は、PtまたはC
uまたはTaなどのテンプレート層15上で成長する。
テンプレート層15は、初期強磁性層16内に111の
結晶学的組織を誘導する。これらの層は、自由層の所望
の磁化容易軸に平行に向けられた磁界内に付着され、基
準層の所望の固有単一方向異方性方向を作成する。ある
いは、AF層は、AF材料の耐ブロッキング温度より高
い温度まで基板を加熱している間に前記磁化容易軸に平
行な十分な大きさの磁界内のテンプレート層上に付着す
ることもできる。この代替実施例では、初期強磁性層1
6は不要である。また、付着中の印加磁界方向に沿って
磁化を整列する磁気異方性を処理中に発生させるために
一定層の磁気ひずみを利用することも可能である。
いるため、基準層の磁化方向は自由層の磁化方向より変
更するのが難しい。ビット線とワード線を通る電流によ
って印加された磁界の範囲内では、この実施例では基準
層の磁化方向は一定になるかまたは固定される。基準層
の形状異方性は、MTJの形状異方性に従うものであ
り、一定層の磁化方向の安定性を追加する。メモリ・セ
ルに書き込むために印加された磁界は、基準層の方向で
はなく、自由層の磁化方向を反転させるのに十分な大き
さである。したがって、一定層を磁化しても、MRAM
内のメモリ・セルの動作中に方向を変更することはな
い。
RAMの書込み線とビット線の両方を通過すると、書込
み線とビット線との交点で結合された電流の自己電磁界
は、励起された書込み線とビット線の交点に位置する単
一の特定のMTJの自由層の磁化を回転させることにな
る。電流レベルは、結合された自己電磁界が自由層のス
イッチング磁界を超えるように設計されている。この自
己電磁界は、基準層の磁化を回転させるために必要な磁
界よりかなり小さくなるように設計されている。セル・
アレイ・アーキテクチャは、書込み電流がMTJ自体を
通過しないように設計されている。メモリ・セルは、ダ
イオードとMTJを通って基準層からトンネル接合バリ
アを通り自由層まで(またはその逆)センス電流を垂直
に通過させることによって読み取られる。Al2O3トン
ネル・バリアの抵抗はAl2O3層の厚さに著しく依存
し、この層の厚さに応じてほぼ指数関数的に変化するの
で、これは、電流が主にAl2O3トンネル・バリアを通
って垂直に流れることを意味する。Al2O3の厚さを増
加するにつれて電荷担体がバリアを通り抜ける確率は著
しく低下するので、接合部を通り抜ける唯一の担体は接
合層に対して垂直に移動するものになる。メモリ・セル
の状態は、書込み電流よりかなり小さいセンス電流がM
TJを垂直に通過するときにメモリ・セルの抵抗を測定
することによって決まる。このセンス電流または読取り
電流の自己電磁界はごくわずかなので、メモリ・セルの
磁気状態に影響しない。電荷担体がトンネル・バリアを
通り抜ける確率は、自由層と基準層との磁気モーメント
の相対整列に依存する。トンネル電流はスピン偏極さ
れ、強磁性層の1つ、たとえば、一定層から伝わる電流
が主に1つのスピン・タイプ(強磁性層の磁化の配向に
応じて、スピン・アップまたはスピン・ダウン)の電子
から構成されることを意味する。電流のスピン偏極の程
度は、強磁性層とトンネル・バリアとの境界面にある強
磁性層を構成する磁性材料の電子バンド構造によって決
まる。したがって、第1の強磁性層トンネル・バリアは
スピン・フィルタとして動作する。電荷担体が通り抜け
る確率は、第2の強磁性層内の電流のスピン偏極と同じ
スピン偏極の電子状態が得られるかどうかに依存する。
通常、第2の強磁性層の磁気モーメントが第1の強磁性
層の磁気モーメントに整列されると、第2の強磁性層の
磁気モーメントが第1の強磁性層の磁気モーメントに逆
整列されたときより多くの電子状態が得られる。したが
って、電化担体のトンネル確率は、両方の層の磁気モー
メントが整列されたときに最高になり、磁気モーメント
が逆整列されたときに最低になる。整列でも逆整列でも
なく、モーメントが配置されたときに、トンネル確率は
中間値を取る。したがって、セルの電気抵抗は、両方の
強磁性層の電流のスピン偏極と電子状態の両方に依存す
る。その結果、自由層の2通りの磁化方向によって、メ
モリ・セルの2通りのビット状態(0または1)が明確
に定義される。
メモリ・セル109は導線103と105(あるいはこ
こでは電極と呼ぶが、電極という用語は電気または磁気
刺激を課すことができるものとして広い意味で定義す
る)との間に設けられている。セル109は少なくとも
2つの磁気トンネル接合108aおよび108bを含
む。図11の実施例は、線103および105によりそ
れに印加された電気および結果的な磁気刺激を受け入れ
るように並列に配置された磁気トンネル接合108aお
よび108bを示している。詳細に前述したように、各
磁気トンネル接合は、それぞれの基準領域120a、1
20bと、それぞれのトンネル領域122a、122b
と、それぞれの自由領域124a、124bとを含むこ
とができる。磁気メモリ・セルの書込みは、線103お
よび105により印加された電気および結果的な磁気刺
激に応じて自由領域内の磁化方向を変更することによっ
て実施されるが、これは基準領域内の単一矢印に対して
自由領域内に描かれた対向する矢印によって記号で表記
されている。
果的な磁気刺激の有効動作窓を提供し、さらに有効セル
の選択性を提供するために利用するのは、各セル内のす
べてのトンネル接合の平均応答である。したがって、各
セル内の複数接合部は平均状態を保持するものと見なす
ことができるが、個々の接合部は実際には各セル内の異
なるそれぞれの状態にすることができる。
領域120aおよび120bとトンネル領域122aお
よび122bは実際には単一の凝集層のそれぞれの部分
を含むことができるが、自由領域124aおよび124
bは別々にする、おそらく磁気絶縁材料によって分離す
る必要があり、それにより、各セル内の少なくとも2つ
のトンネル接合のそれぞれについて別々のそれぞれのト
ンネル動作を実施する。領域124aおよび124b
は、磁気的に独立している、たとえば、交換減結合にな
っている必要がある。したがって、複数のトンネル接合
は、本発明による複数の自由領域の存在によって実施さ
れる。
て磁気メモリ・セルを形成するために使用するのと同じ
技法を使用して、本発明の複数トンネル接合セルを形成
することができる。各セル内の複数トンネル接合は、E
ビーム・リソグラフィ、干渉リソグラフィ、STMリソ
グラフィ、レジストへのスタンピング、または小型デバ
イスを定義するためのその他の既知の技法を使用して、
パターン形成することができる。
09が、電気および結果的な磁気刺激を受け入れるため
に線203と205との間に直列に配置された別々のト
ンネル接合208aおよび208bを含む、本発明の代
替実施例が示されている。この磁気メモリ・セル構造
は、各セル内の追加の磁気トンネル接合を定義するため
に追加の層を追加することにより、本出願人に譲渡され
た前記米国特許に記載された技法により形成することが
できる。
照すると、その中に複数の磁気トンネル接合308a〜
308hを有し、それぞれが互いに磁気的に減結合され
た自由領域324a〜324h(明瞭にするため、その
すべてを示しているわけではない)を有し、単一トンネ
ル層322を含む、磁気メモリ・セル309が設けられ
ている。この実施例では、単一の凝集磁気固定層を含
む、下にある基準領域例320が示されている。この単
一磁気メモリ・セルを形成する複数の減結合磁気「細
粒」は、たとえば、絶縁体の上に磁気細粒を付着させ、
次にそれを非磁性マトリックス、絶縁材料と導電材料の
同時付着、または絶縁粒子に埋め込むことによって形成
することができる。
の磁性材料と非磁性材料(銀など)という少なくとも2
つの薄い層の連続として付着されている。アニールする
と、磁性材料の薄い層は磁気的に減結合した粒子に分離
する。銀は薄い磁気層の粒界に拡散し、それらの間の交
換結合を切断すると考えられている。
固定層の上に同時に付着される、取り囲むトンネル接合
層を有する球体として形成できるだろう。
潜在的な作成技法を示しているが、同図では、セル領
域、たとえば、その中に細粒408a〜408eを有す
るセル領域409は、平面磁気媒体に似た層424から
パターン形成されている。これに関して、磁気媒体層4
24を付着させ、その後、パターン形成し、それによ
り、それぞれがその中に複数磁気細粒を有するセル領
域、たとえば、409を形成することができる。
基づくメモリ・セルは、通常、連続金属フィルムを使用
している。このようなフィルムは多結晶である場合が多
いが、磁気的に各セルが連続フィルムおよび単一接合デ
バイスとして動作するように、粒子内の磁化は強く交換
結合されている。本発明は、薄膜媒体として磁気記録で
使用するものと同様の粒状フィルムの使用に関する。こ
れらのフィルムは、交換相互作用の観点から磁気的に減
結合された粒子によって作られている。この粒子は交換
結合されていないが、何らかの静磁気相互作用を有する
ことになる。
粒子は個別の接合部である。各微粒子は互いに異なり、
異なる位置にあるので、各接合部はわずかに異なる保磁
界で切り替わることになる。メモリ・セルを動作させる
場合、選択セル内のすべての接合部を切り替える必要は
ないが、読取り中に書き込まれた状態を検出できるよう
に、そのうちの大部分を切り替えることだけが必要であ
る。同様に、非選択セル内のすべての接合部を切り替え
ないのではなく、記憶状態が変更されないように、大部
分の接合部を平静な状態のままにしておくことだけが必
要である。
で切り替わり、もう一度元に戻るようにするために行使
するセルについて検討する。書込みプロセスは完璧では
なく、格納された状態は完全に安定しているわけではな
い。書込み刺激を受けると、接合部の少なくとも90%
がまず「1」状態に切り替わり、10%未満は摂動磁界
のために元に戻る。格納された「1」状態から読み戻さ
れた信号は、完全な信号の少なくとも80%である。同
様に、デバイスを「0」に戻すと、接合部の少なくとも
90%が切り替わり、10%未満は他の磁界によって後
で乱される。格納された「0」から読み戻された信号
は、完全な信号の多くても20%である。
離は完全な信号の60%程度にすることができる。この
ような低減と引き替えに、もはや、書込み刺激を受けた
すべての接合部の切替えや摂動磁界を受けたすべての接
合部の安定性を保証する必要はない。
結合粒子は、信号振幅と切替えしきい値の再現性との兼
ね合いを見込んだものである。
ある基準領域420とトンネル領域422は、単一の凝
集層を含むことができる。さらに、前述のように、各セ
ル領域での書込みおよび読取りのために、上下の交差導
線402、403、405、406が設けられている。
参照すると、別々のトンネル接合508a、508b、
508cを含む磁気メモリ・セル509が設けられてい
る。この実施例では、各トンネル接合は、それぞれの固
定領域、たとえば、520aと、それぞれのトンネル領
域、たとえば、522aと、変化可能であるが対向する
磁化方向をその中に有する2つの領域を含む、それぞれ
の逆平行自由領域、たとえば、524aとを含む。領域
524a内の底部磁化領域は、トンネル層522aによ
り固定層520aと連絡してトンネル効果を実施する。
しかし、領域524a(あるいは固定または基準領域5
20a)内に対向する両方の磁化方向が存在するので、
その結果、正味磁化が低下し、したがって、磁気トンネ
ル接合508aは隣接するトンネル接合508bおよび
508cへの磁界結合を低減する。各トンネル接合で逆
平行の自由領域(あるいは固定または基準領域)を使用
すると、トンネル接合間の磁界結合が低減され、したが
って、その磁気独立性が保証される。この逆平行領域
は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、本
出願人に譲渡された米国特許第5341118号の原理
により実現することができる。
照すると、磁気メモリ・セル609が設けられ、そのセ
ルはワード線603とビット線605との間に6個のト
ンネル接合608a〜608fを含む。この実施例のト
ンネル接合は、線605の幅より長くなるように設計さ
れているので、セル動作のために、磁気的により不安定
なその端部部分ではなく、細長い自由領域の中央に向か
うより安定した磁気特性を当てにすることができる。こ
の概念は、米国特許出願第09/021,569号によ
り詳細に記載されている。
磁気トンネル接合を設けることにより、それぞれのセル
の応答の予測精度を増大し、したがって、アレイ規模で
セルの選択性をもたらす。詳細に前述したように、印加
した電気刺激およびその結果の磁気刺激の動作窓を使用
できるように各セルの平均応答を予測できるので、セル
の選択性が改善される。したがって、同時に印加した場
合にセルを切り替え、いずれかに別々に印加した場合に
セル、すなわち、アサートしたビット線とワード線との
交点にあるセル以外のアサートしたビット線またはワー
ド線のいずれかに沿ったセルを切り替えないような、1
組の印加した磁化容易軸およびハード軸磁界を識別する
ことができる。
数の磁気トンネル接合を設けることにより、欠陥接合に
関する内部許容度が得られることである。欠陥接合、た
とえば、印加した電気/磁気刺激に対する応答のないも
のは、アレイの全体的なパフォーマンスに影響しないだ
ろう。というのは、各セルへの状態の格納を実施するの
は、多くの接合部における平均応答であるからである。
対照的に、各セルごとにトンネル接合を1つだけ使用す
る実施例では、欠陥トンネル接合によって、所与のセル
にデータを格納する能力が完全に除去され、したがっ
て、アレイ全体の動作が破壊されることになる。
数のトンネル接合を設けることにより、アレイの磁気パ
ラメータのカストマイズを実施するために接合部の数と
それぞれのレイアウトおよび間隔を都合良く調整できる
ことである。たとえば、図17〜図18を参照すると、
複数の接合セル709は、顕微鏡的かつ微小磁気レベル
で、図示の間隔およびレイアウトでその中に配置された
接合部708a〜708jを含むことができる。しか
し、この顕微鏡的かつ微小磁気レベルの刺激磁界形状7
10は、この間隔およびレイアウトの結果であり、した
がって、特定のシステム要件により必要に応じてカスト
マイズすることができる。
したが、ここに開示した改善策は、このような接合部か
ら作成することができる他のデバイスにも適用可能であ
る。特に、このような改善策は、一般に、論理デバイ
ス、センサ、磁気記録ヘッドを含む、磁気デバイスに適
用できるだろう。
の事項を開示する。
作可能であり、前記少なくとも1つの電極によりそれに
印加された磁気刺激に応じて、平均状態になるように同
時に書込み可能な、少なくとも2つの磁気トンネル接合
を含む、磁気デバイス。 (2)メモリ・アレイと組み合わせて、前記磁気デバイ
スが前記メモリ・アレイの磁気メモリ・セルを含み、前
記組合せが、前記アレイを横切る複数の交差領域を形成
するそれぞれ複数の第1および第2の交差導線と、前記
磁気メモリ・セルを含み、それぞれが複数の交差領域の
それぞれ1つに配置された複数の磁気メモリ・セルであ
って、前記複数の磁気メモリ・セルのそれぞれが少なく
とも2つの磁気トンネル接合をその中に有し、したがっ
て、実質的に均一の磁気応答を有し、選択した交差領域
を形成する第1および第2の導線のそれぞれにより印加
された電気および結果的な磁気刺激によって選択される
交差領域にあるセルのみが書き込まれ、前記選択した交
差領域を形成する前記第1および第2の導線に沿ったセ
ル以外のセルには書き込まれないようになっている複数
の磁気メモリ・セルとを含む、上記(1)に記載の磁気
デバイス。 (3)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合が、前記
磁気刺激をそこから受け入れるために前記少なくとも1
つの電極のうちの第1および第2の電極間に直列に配置
される、上記(1)に記載の磁気メモリ・セル。 (4)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合が、前記
磁気刺激をそこから受け入れるために前記少なくとも1
つの電極のうちの第1および第2の電極間に並列に配置
される、上記(1)に記載の磁気メモリ・セル。 (5)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれぞ
れが、基準磁化方向を有する第1の領域と、それに印加
された前記磁気刺激に応じて変化可能な磁化方向を有す
る第2の領域とを含む、上記(1)に記載の磁気デバイ
ス。 (6)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれぞ
れの前記第1の領域が、前記基準磁化方向を有する単一
の凝集磁気領域の一部である、上記(5)に記載の磁気
デバイス。 (7)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合の前記第
2の領域が、互いに磁気的に減結合されるように形成さ
れる、上記(5)に記載の磁気デバイス。 (8)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合の前記第
2の領域が、互いに同一平面になるように配置され、非
磁性材料によって分離されているそれぞれの層を含む、
上記(7)に記載の磁気デバイス。 (9)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれぞ
れの前記第2の領域が磁気細粒を含む、上記(7)に記
載の磁気デバイス。 (10)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合の前記
第2の領域が、その中に複数の磁気細粒を有する磁気媒
体からパターン形成した領域を含み、各磁気細粒がそれ
ぞれの第2の領域を形成する、上記(9)に記載の磁気
デバイス。 (11)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれ
ぞれが、基準磁化方向を有する第1の領域と、それに印
加された前記電気および結果的な磁気刺激に応じて同時
に変化可能な逆平行磁化方向をその中に有する第2の領
域であって、前記逆平行磁化方向の一方がそのそれぞれ
の第1の領域と連絡してセル・トンネル効果を実施し、
前記逆平行磁化方向が前記磁気メモリ・セル内の他の磁
気トンネル接合との相互磁気結合を最小限にする第2の
領域とを含む、上記(1)に記載の磁気デバイス。 (12)少なくとも1つの電極を使用して磁気デバイス
に平均状態を格納するための方法であって、前記少なく
とも1つの電極によりそれに印加された磁気刺激に応じ
て、前記状態になるように同時に書込み可能な、少なく
とも2つの磁気トンネル接合を使用することを含む方
法。 (13)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合が、前
記磁気刺激をそこから受け入れるために前記少なくとも
1つの電極のうちの第1および第2の電極間に直列に配
置される、上記(12)に記載の方法。 (14)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合が、前
記磁気刺激をそこから受け入れるために前記少なくとも
1つの電極のうちの第1および第2の電極間に並列に配
置される、上記(12)に記載の方法。 (15)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれ
ぞれが、基準磁化方向を有する第1の領域と、それに印
加された前記磁気刺激に応じて変化可能な磁化方向を有
する第2の領域とを含む、上記(12)に記載の方法。 (16)磁気デバイスを形成するための方法であって、
少なくとも1つの電極を設けるステップと、前記少なく
とも1つの電極の最も近くに前記磁気デバイスを形成
し、前記磁気デバイスが前記少なくとも1つの電極によ
りそれに印加された磁気刺激に応じて、平均状態になる
ように同時に書込み可能な、少なくとも2つの磁気トン
ネル接合をその中に含むステップとを含む方法。 (17)前記磁気デバイスを形成するステップが、前記
磁気刺激をそこから受け入れるために前記少なくとも1
つの電極のそれぞれの第1および第2の電極間に直列に
前記少なくとも2つの磁気トンネル接合を形成すること
を含む、上記(16)に記載の方法。 (18)前記磁気デバイスを形成するステップが、前記
磁気刺激をそこから受け入れるために前記少なくとも1
つの電極の第1および第2の電極間に並列に前記少なく
とも2つの磁気トンネル接合を形成することを含む、上
記(16)に記載の方法。 (19)前記磁気デバイスを形成するステップが、前記
少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれぞれに第1の
領域を形成し、前記第1の領域のそれぞれが基準磁化方
向を有することと、前記少なくとも2つの磁気トンネル
接合のそれぞれに第2の領域を形成し、前記第2の領域
のそれぞれがそれに印加された前記磁気刺激に応じて変
化可能な磁化方向を有することとを含む、上記(16)
に記載の方法。 (20)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれ
ぞれの前記第1の領域が、前記基準磁化方向を有する単
一の凝集磁気領域から形成される、上記(19)に記載
の方法。 (21)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれ
ぞれの前記第2の領域が、互いに磁気的に減結合される
ように形成される、上記(19)に記載の方法。 (22)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合の前記
第2の領域が、互いに同一平面になるように配置され、
磁気絶縁材料によって分離されているそれぞれの層とし
て形成される、上記(21)に記載の方法。 (23)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれ
ぞれの前記第2の領域が磁気細粒として形成される、上
記(21)に記載の方法。 (24)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれ
ぞれに第2の領域を形成するステップが、その中に複数
の磁気細粒を有する磁気媒体から前記第2の領域を同時
にパターン形成し、各磁気細粒がそれぞれの第2の領域
を形成することを含む、上記(23)に記載の方法。 (25)磁気メモリ・アレイを形成するための方法であ
って、複数の第1の導線と、交差する複数の第2の導線
とを設け、それにより、前記アレイを横切る複数の交差
領域を形成するステップと、前記複数の交差領域の1つ
の交差領域に磁気メモリ・セルを形成し、前記磁気メモ
リ・セルが、前記1つの交差領域を形成する前記それぞ
れの第1および交差する第2の線によりそれに印加され
た磁気刺激に応じて、平均状態になるように同時に書込
み可能な、少なくとも2つの磁気トンネル接合をその中
に含むステップとを含む方法。 (26)前記磁気メモリ・セルを形成するステップが、
前記磁気刺激をそこから受け入れるために前記それぞれ
の第1および交差する第2の線間に直列に前記少なくと
も2つの磁気トンネル接合を形成することを含む、上記
(25)に記載の方法。 (27)前記磁気メモリ・セルを形成するステップが、
前記磁気刺激を受け入れるために前記それぞれの第1お
よび交差する第2の線間に並列に前記少なくとも2つの
磁気トンネル接合を形成することを含む、上記(25)
に記載の方法。 (28)前記磁気メモリ・セルを形成するステップが、
前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれぞれに第
1の領域を形成し、前記第1の領域のそれぞれが基準磁
化方向を有することと、前記少なくとも2つの磁気トン
ネル接合のそれぞれに第2の領域を形成し、前記第2の
領域のそれぞれがそれに印加された前記磁気刺激に応じ
て変化可能な磁化方向を有することとを含む、上記(2
5)に記載の方法。 (29)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれ
ぞれの前記第1の領域が、前記基準磁化方向を有する単
一の凝集磁気領域から形成される、上記(28)に記載
の方法。 (30)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれ
ぞれの前記第2の領域が、互いに磁気的に減結合される
ように形成される、上記(28)に記載の方法。 (31)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合の前記
第2の領域が、互いに同一平面になるように配置され、
磁気絶縁材料によって分離されているそれぞれの層とし
て形成される、上記(30)に記載の方法。 (32)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれ
ぞれの前記第2の領域が磁気細粒として形成される、上
記(30)に記載の方法。 (33)前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれ
ぞれに第2の領域を形成するステップが、その中に複数
の磁気細粒を有する磁気媒体から前記第2の領域を同時
にパターン形成し、各磁気細粒がそれぞれの第2の領域
を形成することを含む、上記(32)に記載の方法。 (34)前記磁気メモリ・セルを形成するステップが、
前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれぞれに第
1の領域を形成し、前記第1の領域のそれぞれが基準磁
化方向を有することと、前記少なくとも2つの磁気トン
ネル接合のそれぞれに第2の領域を形成し、前記第2の
領域のそれぞれがそれに印加された前記磁気刺激に応じ
て同時に変化可能な逆平行磁化方向をその中に有し、前
記逆平行磁化方向の一方がそのそれぞれの第1の領域と
連絡してセル・トンネル効果を実施し、前記逆平行磁化
方向が前記磁気メモリ・セル内の他の磁気トンネル接合
との相互磁気結合を最小限にすることとを含む、上記
(25)に記載の方法。
された磁気メモリ・セルを有するMRAMアレイを示す
図である。
例を示す図である。
「アステロイド」モデルを示す図である。
このようなセルのアレイを効果的に動作させるために可
能な電気および磁気刺激値の動作窓を狭くする、単一磁
気トンネル接合セルの磁気応答の「アステロイド」モデ
ルを示す図である。
収集したテスト・データを示す図である。
図である。
である。
複数の磁気トンネル接合を使用する4個の磁気メモリ・
セルについて収集したテスト・データを示す図である。
図である。
図である。
明の複数磁気トンネル接合セルの第1の実施例を示す図
である。
明の複数接合セルの第2の実施例を示す図である。
するために磁気細粒を使用する、本発明の他の実施例を
示す図である。
パターン形成手法を示す図である。
を含み、それぞれが逆平行磁化方向を備えた層を含む自
由領域を有する、本発明の他の実施例を示す図である。
ル接合をその中に含む、本発明の他の実施例を示す図で
ある。
イズを含む、追加の設計フレキシビリティを示す図であ
る。
イズを含む、追加の設計フレキシビリティを示す図であ
る。
Claims (34)
- 【請求項1】2つの電極を使用して動作可能であり、前記2つの電極の間に配置された2つの磁気トンネル接
合であって、前記2つの電極により同時に印加された磁
気刺激に応じて、平均状態になるように書込み可能 な、
少なくとも2つの磁気トンネル接合を含む、磁気デバイ
ス。 - 【請求項2】メモリ・アレイと組み合わせて、前記磁気
デバイスが前記メモリ・アレイの磁気メモリ・セルを含
み、前記組合せが、 前記アレイを横切る複数の交差領域を形成するそれぞれ
複数の第1および第2の交差導線と、 前記磁気メモリ・セルを含み、それぞれが複数の交差領
域のそれぞれ1つに配置された複数の磁気メモリ・セル
であって、前記複数の磁気メモリ・セルのそれぞれが少
なくとも2つの磁気トンネル接合をその中に有し、した
がって、実質的に均一の磁気応答を有し、選択した交差
領域を形成する第1および第2の導線のそれぞれにより
印加された電気および結果的な磁気刺激によって選択さ
れる交差領域にあるセルのみが書き込まれ、前記選択し
た交差領域を形成する前記第1および第2の導線に沿っ
たセル以外のセルには書き込まれないようになっている
複数の磁気メモリ・セルとを含む、請求項1に記載の磁
気デバイス。 - 【請求項3】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合
が、前記磁気刺激をそこから受け入れるために前記2つ
の電極のうちの第1および第2の電極間に直列に配置さ
れる、請求項1に記載の磁気メモリ・セル。 - 【請求項4】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合
が、前記磁気刺激をそこから受け入れるために前記2つ
の電極のうちの第1および第2の電極間に並列に配置さ
れる、請求項1に記載の磁気メモリ・セル。 - 【請求項5】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合の
それぞれが、 基準磁化方向を有する第1の領域と、 それに印加された前記磁気刺激に応じて変化可能な磁化
方向を有する第2の領域とを含む、請求項1に記載の磁
気デバイス。 - 【請求項6】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合の
それぞれの前記第1の領域が、前記基準磁化方向を有す
る単一の凝集磁気領域の一部である、請求項5に記載の
磁気デバイス。 - 【請求項7】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合の
前記第2の領域が、互いに磁気的に減結合されるように
形成される、請求項5に記載の磁気デバイス。 - 【請求項8】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合の
前記第2の領域が、互いに同一平面になるように配置さ
れ、非磁性材料によって分離されているそれぞれの層を
含む、請求項7に記載の磁気デバイス。 - 【請求項9】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合の
それぞれの前記第2の領域が磁気細粒を含む、請求項7
に記載の磁気デバイス。 - 【請求項10】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合
の前記第2の領域が、その中に複数の磁気細粒を有する
磁気媒体からパターン形成した領域を含み、各磁気細粒
がそれぞれの第2の領域を形成する、請求項9に記載の
磁気デバイス。 - 【請求項11】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合
のそれぞれが、 基準磁化方向を有する第1の領域と、 それに印加された前記電気および結果的な磁気刺激に応
じて同時に変化可能な逆平行磁化方向をその中に有する
第2の領域であって、前記逆平行磁化方向の一方がその
それぞれの第1の領域と連絡してセル・トンネル効果を
実施し、前記逆平行磁化方向が前記磁気メモリ・セル内
の他の磁気トンネル接合との相互磁気結合を最小限にす
る第2の領域とを含む、請求項1に記載の磁気デバイ
ス。 - 【請求項12】2つの電極を使用して磁気デバイスに平
均状態を格納するための方法であって、前記2つの電極の間に配置された2つの磁気トンネル接
合であって、前記2つの電極により同時に 磁気刺激に応
じて、前記状態になるように書込み可能な、少なくとも
2つの磁気トンネル接合を使用することを含む方法。 - 【請求項13】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合
が、前記磁気刺激をそこから受け入れるために前記2つ
の電極のうちの第1および第2の電極間に直列に配置さ
れる、請求項12に記載の方法。 - 【請求項14】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合
が、前記磁気刺激をそこから受け入れるために前記2つ
の電極のうちの第1および第2の電極間に並列に配置さ
れる、請求項12に記載の方法。 - 【請求項15】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合
のそれぞれが、 基準磁化方向を有する第1の領域と、 それに印加された前記磁気刺激に応じて変化可能な磁化
方向を有する第2の領域とを含む、請求項12に記載の
方法。 - 【請求項16】磁気デバイスを形成するための方法であ
って、2つの電極 を設けるステップと、前記2つの電極の間に配置された少なくとも2つの磁気
トンネル接合であって、前記2つの電極により同時に印
加された 磁気刺激に応じて、平均状態になるように書込
み可能な、少なくとも2つの磁気トンネル接合を含むス
テップとを含む磁気デバイスを形成するための方法。 - 【請求項17】前記磁気デバイスを形成するステップ
が、 前記磁気刺激をそこから受け入れるために前記2つの電
極のそれぞれの第1および第2の電極間に直列に前記少
なくとも2つの磁気トンネル接合を形成することを含
む、請求項16に記載の方法。 - 【請求項18】前記磁気デバイスを形成するステップ
が、 前記磁気刺激をそこから受け入れるために前記2つの電
極の第1および第2の電極間に並列に前記少なくとも2
つの磁気トンネル接合を形成することを含む、請求項1
6に記載の方法。 - 【請求項19】前記磁気デバイスを形成するステップ
が、 前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれぞれに第
1の領域を形成し、前記第1の領域のそれぞれが基準磁
化方向を有することと、 前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれぞれに第
2の領域を形成し、前記第2の領域のそれぞれがそれに
印加された前記磁気刺激に応じて変化可能な磁化方向を
有することとを含む、請求項16に記載の方法。 - 【請求項20】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合
のそれぞれの前記第1の領域が、前記基準磁化方向を有
する単一の凝集磁気領域から形成される、請求項19に
記載の方法。 - 【請求項21】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合
のそれぞれの前記第2の領域が、互いに磁気的に減結合
されるように形成される、請求項19に記載の方法。 - 【請求項22】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合
の前記第2の領域が、互いに同一平面になるように配置
され、磁気絶縁材料によって分離されているそれぞれの
層として形成される、請求項21に記載の方法。 - 【請求項23】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合
のそれぞれの前記第2の領域が磁気細粒として形成され
る、請求項21に記載の方法。 - 【請求項24】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合
のそれぞれに第2の領域を形成するステップが、その中
に複数の磁気細粒を有する磁気媒体から前記第2の領域
を同時にパターン形成し、各磁気細粒がそれぞれの第2
の領域を形成することを含む、請求項23に記載の方
法。 - 【請求項25】磁気メモリ・アレイを形成するための方
法であって、 複数の第1の導線と、交差する複数の第2の導線とを設
け、それにより、前記アレイを横切る複数の交差領域を
形成するステップと、 前記複数の交差領域の1つの交差領域に磁気メモリ・セ
ルを形成し、前記磁気メモリ・セルが、前記1つの交差
領域を形成する前記それぞれの第1および交差する第2
の線によりそれに印加された磁気刺激に応じて、平均状
態になるように同時に書込み可能な、少なくとも2つの
磁気トンネル接合をその中に含むステップとを含む方
法。 - 【請求項26】前記磁気メモリ・セルを形成するステッ
プが、 前記磁気刺激をそこから受け入れるために前記それぞれ
の第1および交差する第2の線間に直列に前記少なくと
も2つの磁気トンネル接合を形成することを含む、請求
項25に記載の方法。 - 【請求項27】前記磁気メモリ・セルを形成するステッ
プが、 前記磁気刺激を受け入れるために前記それぞれの第1お
よび交差する第2の線間に並列に前記少なくとも2つの
磁気トンネル接合を形成することを含む、請求項25に
記載の方法。 - 【請求項28】前記磁気メモリ・セルを形成するステッ
プが、 前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれぞれに第
1の領域を形成し、前記第1の領域のそれぞれが基準磁
化方向を有することと、 前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれぞれに第
2の領域を形成し、前記第2の領域のそれぞれがそれに
印加された前記磁気刺激に応じて変化可能な磁化方向を
有することとを含む、請求項25に記載の方法。 - 【請求項29】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合
のそれぞれの前記第1の領域が、前記基準磁化方向を有
する単一の凝集磁気領域から形成される、請求項28に
記載の方法。 - 【請求項30】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合
のそれぞれの前記第2の領域が、互いに磁気的に減結合
されるように形成される、請求項28に記載の方法。 - 【請求項31】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合
の前記第2の領域が、互いに同一平面になるように配置
され、磁気絶縁材料によって分離されているそれぞれの
層として形成される、請求項30に記載の方法。 - 【請求項32】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合
のそれぞれの前記第2の領域が磁気細粒として形成され
る、請求項30に記載の方法。 - 【請求項33】前記少なくとも2つの磁気トンネル接合
のそれぞれに第2の領域を形成するステップが、その中
に複数の磁気細粒を有する磁気媒体から前記第2の領域
を同時にパターン形成し、各磁気細粒がそれぞれの第2
の領域を形成することを含む、請求項32に記載の方
法。 - 【請求項34】前記磁気メモリ・セルを形成するステッ
プが、 前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれぞれに第
1の領域を形成し、前記第1の領域のそれぞれが基準磁
化方向を有することと、 前記少なくとも2つの磁気トンネル接合のそれぞれに第
2の領域を形成し、前記第2の領域のそれぞれがそれに
印加された前記磁気刺激に応じて同時に変化可能な逆平
行磁化方向をその中に有し、前記逆平行磁化方向の一方
がそのそれぞれの第1の領域と連絡してセル・トンネル
効果を実施し、前記逆平行磁化方向が前記磁気メモリ・
セル内の他の磁気トンネル接合との相互磁気結合を最小
限にすることとを含む、請求項25に記載の方法。
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