JP3436342B2 - High frequency oscillation type proximity switch device - Google Patents
High frequency oscillation type proximity switch deviceInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＣタンク回路を
発振駆動するトランジスタ回路に対するバイアス電流を
適正化することができ、無駄な電流を抑えて低消費電流
化を図った高周波発振型近接スイッチ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency oscillation type proximity switch device capable of optimizing a bias current for a transistor circuit for oscillating and driving an LC tank circuit, suppressing wasteful current and reducing current consumption. Regarding
【０００２】[0002]
【関連する背景技術】検出部に高周波発振回路の一部を
なす検出コイルを備えた高周波発振型近接スイッチ（電
子スイッチ装置）は、検出対象物（磁性体）との間の電
磁誘導作用により検出コイルのインダクタンスや損失が
変化し、これに伴って高周波発振回路における発振振幅
や発振周波数が変化することを利用して検出対象物の近
接を検出するもので、検出感度が高く応答速度が速い等
の優れた特徴を有している。2. Related Background Art A high-frequency oscillation type proximity switch (electronic switching device) having a detection coil that forms a part of a high-frequency oscillation circuit in a detection section detects an electromagnetic induction action with an object to be detected (magnetic material). The proximity of an object to be detected is detected by utilizing the fact that the inductance and loss of the coil change and the oscillation amplitude and oscillation frequency of the high-frequency oscillation circuit change accordingly, and the detection sensitivity is high and the response speed is fast. It has the excellent characteristics of.
【０００３】一対の電源線を信号線と共用した２線式の
高周波発振型近接スイッチは、例えば図３にその概略的
な構成を示すように、高周波発振回路１、積分回路２、
比較回路３、信号処理回路４、そして定電圧源５からな
るセンサ回路部６と、このセンサ回路部６からの出力を
受けてＬＥＤ７ａを点灯駆動する表示回路７，および一
対の電源線Ｌａ,Ｌｂ間に介装された出力回路８とを備
えてなる。このような構成の近接スイッチは、上記一対
の電源線Ｌａ,Ｌｂを、負荷９を介してマイクロプロセ
ッサ等からなる監視装置１０の内部電源Ｖoutに接続さ
れ、該内部電源Ｖoutから電源供給されて作動する。A two-wire type high-frequency oscillation type proximity switch sharing a pair of power supply lines with signal lines has a high-frequency oscillation circuit 1, an integration circuit 2, and a high-frequency oscillation circuit 1 as shown in FIG.
A sensor circuit unit 6 including a comparison circuit 3, a signal processing circuit 4, and a constant voltage source 5, a display circuit 7 that receives the output from the sensor circuit unit 6 and drives the LED 7a to light up, and a pair of power supply lines La and Lb. And an output circuit 8 interposed therebetween. The proximity switch having such a configuration operates by connecting the pair of power supply lines La and Lb to the internal power supply Vout of the monitoring device 10 including a microprocessor via the load 9 and being supplied with power from the internal power supply Vout. To do.
【０００４】即ち、高周波発振回路１はＬＣタンク回路
をなすコイル（検出コイル）１ａとコンデンサ１ｂとを
備えて所定の周波数で発振動作し、積分回路２は発振回
路１の出力を積分処理（平滑化）することでその発振振
幅を検出している。そして積分電圧として検出された発
振振幅は比較回路３にて所定の閾値電圧と比較され、こ
れによって検出対象物（磁性体）の前記コイル１ａへの
近接に伴う発振振幅の低下が検出される。信号処理回路
４はこのようにして検出された検出対象物の近接を該近
接スイッチの設定状態に応じて出力する。尚、前記定電
圧源５は所定の内部基準電圧に基づいて前記一対の電源
線Ｌａ,Ｌｂを介して外部電源より供給される電源電圧
Ｖccから上記各回路１,２,３,４をそれぞれ駆動する駆
動電圧Ｖdrvを生成する。That is, the high frequency oscillating circuit 1 is equipped with a coil (detection coil) 1a forming an LC tank circuit and a capacitor 1b and oscillates at a predetermined frequency. ), The oscillation amplitude is detected. Then, the oscillation amplitude detected as the integrated voltage is compared with a predetermined threshold voltage in the comparison circuit 3, whereby a decrease in the oscillation amplitude due to the proximity of the object to be detected (magnetic material) to the coil 1a is detected. The signal processing circuit 4 outputs the proximity of the detection target detected in this way according to the setting state of the proximity switch. The constant voltage source 5 drives each of the circuits 1, 2, 3, 4 from a power source voltage Vcc supplied from an external power source via the pair of power source lines La, Lb based on a predetermined internal reference voltage. Drive voltage Vdrv is generated.
【０００５】しかして表示回路７は、例えば検出対象物
の近接が検出されたときにＬＥＤ７ａを点灯駆動する。
またバイポーラ・トランジスタ等からなる出力回路８
は、例えば常時は非導通状態にあり、上記ＬＥＤ７ａの
点灯に関連して（検出対象物の近接が検出されたとき
に）導通駆動されて前記一対の電源線Ｌａ,Ｌｂ間の電
圧Ｖccを変化させる。このような電源線Ｌａ,Ｌｂ間の
電圧Ｖccの変化によって前記負荷９が作動し、監視装置
１０は該負荷９の作動状態から前記近接スイッチによる
検出対象物の近接を検出することになる。Thus, the display circuit 7 drives the LED 7a to light up, for example, when the proximity of an object to be detected is detected.
Also, an output circuit 8 consisting of a bipolar transistor, etc.
Is in a non-conducting state at all times and changes its voltage Vcc between the pair of power supply lines La and Lb by being driven in conduction (when proximity of a detection object is detected) in association with lighting of the LED 7a. Let The load 9 operates due to such a change in the voltage Vcc between the power supply lines La and Lb, and the monitoring device 10 detects the proximity of the detection target by the proximity switch from the operating state of the load 9.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところでコイル１ａと
コンデンサ１ｂとからなるＬＣタンク回路を備えた高周
波発振回路１は、例えば図４に示すように定電流源１１
から一定電流Ｉrefを受けて動作してＬＣタンク回路を
発振駆動する一対のｎｐｎトランジスタＱ1,Ｑ2からな
る第１のカレントミラー回路１２と、上記トランジスタ
Ｑ2の出力電流を受けて動作して第１のカレントミラー
回路１２に対して正帰還作用を呈する一対のｐｎｐトラ
ンジスタＱ3,Ｑ4からなる第２のカレントミラー回路１
３とにより構成される。ちなみに上記定電流源１１は、
ＬＣタンク回路を発振駆動する発振用のトランジスタＱ
1の基体をなすサブストレートとそのコレクタとの間の
容量を充放電するバイアス電流Ｉbを供給する役割も担
う。A high-frequency oscillator circuit 1 having an LC tank circuit composed of a coil 1a and a capacitor 1b has a constant current source 11 as shown in FIG. 4, for example.
From the pair of npn transistors Q1 and Q2 for operating the LC tank circuit in an oscillating drive by receiving a constant current Iref from the first current mirror circuit 12 and the output current of the transistor Q2 to operate and Second current mirror circuit 1 including a pair of pnp transistors Q3 and Q4 exhibiting a positive feedback action to the current mirror circuit 12.
3 and 3. By the way, the constant current source 11 is
Oscillation transistor Q that oscillates and drives the LC tank circuit
It also plays a role of supplying a bias current Ib for charging / discharging the capacitance between the substrate forming the base body of 1 and its collector.
【０００７】一方、この種の高周波発振回路１における
発振周波数は、検出対象物やその近接検出距離等の仕様
に応じて設定され、一般的に上記発振周波数は数ｋＨz
と低いものから、数ＭＨzと高いものまで様々である。
ちなみに上記バイアス電流Ｉbは、上記発振周波数が高
いほど多く必要とする。On the other hand, the oscillation frequency in this type of high-frequency oscillation circuit 1 is set according to the specifications such as the object to be detected and its proximity detection distance. Generally, the oscillation frequency is several kHz.
And from low, Ru variety der up to a few MHz and high.
Above Chi par bias current Ib, the oscillation frequency requires many high <br/> Ihodo.
【０００８】しかして従来の高周波発振回路１において
は、特にこれをＩＣ化するような場合には、上述した発
振周波数が高く設定されることを見込んで前記定電流源
１１から供給されるバイアス電流Ｉbを大きく設定して
いる。この為、低い周波数で発振動作させる場合、余分
なバイアス電流Ｉbを流していることになることが否め
ない。この為、無駄な電流消費が生じて、その低消費電
流化の妨げの要因となっている。However, in the conventional high-frequency oscillator circuit 1, particularly when it is integrated into an IC, the bias current supplied from the constant current source 11 in anticipation of the oscillation frequency being set high. Ib is set to a large value. Therefore, when oscillating at a low frequency, it cannot be denied that an extra bias current Ib is flowing. Therefore, useless current consumption occurs, which is a factor for hindering the reduction of the current consumption.
【０００９】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たもので、その目的は、無駄な電流消費を防いで低消費
電流化を図るに好適な発振回路を備えた高周波発振型近
接スイッチ装置を提供することにある。The present invention has been made in consideration of such circumstances, and an object thereof is a high-frequency oscillation type proximity switch device provided with an oscillation circuit suitable for preventing unnecessary current consumption and achieving low current consumption. To provide.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
べく本発明に係る高周波発振型近接スイッチ装置は、検
出コイルとコンデンサとからなるＬＣタンク回路を発振
駆動するトランジスタ回路を備えたものであって、特に
前記トランジスタ回路に対するバイアス電流の供給回路
は、所定の電流を流す定電流源と、この定電流源により
駆動されるカレントミラー回路と、このカレントミラー
回路に介挿されてその出力電流を制御する電流調整用の
抵抗とからなることを特徴としている。Means for Solving the Problems The above-mentioned high-frequency oscillation type proximity switch device according to the present invention in order to achieve the object, be those which example Bei transistor circuit for oscillating drive the LC tank circuit comprising a detection coil and a capacitor Especially
Bias current supply circuit for the transistor circuit
Is a constant current source that flows a specified current, and this constant current source
Driven current mirror circuit and this current mirror
For current regulation that is inserted in the circuit and controls the output current
It is characterized by consisting of resistance .
【００１１】更に本発明の好ましい態様として請求項２
に記載するように、前記トランジスタ回路と定電流源お
よびカレントミラー回路を集積回路化してなり、前記電
流調整用の抵抗を、前記定電流源により駆動されるカレ
ントミラー回路をなす一対のトランジスタに対して外付
けするようにしたことを特徴としている。そして請求項
３に記載するように、上記バイアス電流により前記ＬＣ
タンク回路を発振駆動するトランジスタのコレクタ・サ
ブストレート間容量を充放電させることを特徴としてい
る。Further, as a preferred embodiment of the present invention, claim 2
The transistor circuit and constant current source
Also, the current mirror circuit is integrated into a circuit, and the current adjusting resistor is externally attached to a pair of transistors forming a current mirror circuit driven by the constant current source. And, as described in claim 3, the LC is generated by the bias current.
The feature is that the capacitance between the collector and substrate of the transistor that oscillates the tank circuit is charged and discharged.
【００１２】即ち、本発明はＬＣタンク回路を発振駆動
するトランジスタ回路に対して、定電流源により駆動さ
れるカレントミラー回路を介してバイアス電流を供給す
るようにし、該カレントミラー回路の出力電流（バイア
ス電流）を抵抗により調整可能としたことを特徴として
いる。That is, according to the present invention, a bias current is supplied to a transistor circuit which oscillates and drives an LC tank circuit through a current mirror circuit driven by a constant current source, and an output current ( It is characterized in that the bias current) can be adjusted by a resistor.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態に係る
高周波発振型近接スイッチ装置の、特に高周波発振回路
について図１を参照して説明する。尚、図１において
は、図４に示した従来の一般的な高周波発振回路と同一
部分には同一符号を付して示してある。この高周波発振
回路が特徴とするところは、ＬＣタンク回路を駆動する
第１のカレントミラー回路１２に対してバイアス電流Ｉ
bを供給するバイアス電流供給回路を、一対のｐｎｐト
ランジスタＱ5,Ｑ6とからなり、定電流源１４により駆
動される第３のカレントミラー回路１５として実現し、
上記定電流源１４の出力電流Ｉrefを電流増幅して出力
すると共に、該第３のカレントミラー回路１５に組み込
んだ抵抗Ｒbによりその出力電流（バイアス電流Ｉb）を
調整可能に構成したことを特徴としている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A high frequency oscillation type proximity switch device according to an embodiment of the present invention, particularly a high frequency oscillation circuit, will be described below with reference to FIG. Note that in FIG. 1 are indicated by the same reference numerals are given to the conventional general high-frequency oscillator in the same portion shown in FIG. The feature of this high-frequency oscillator circuit is that the bias current I is applied to the first current mirror circuit 12 that drives the LC tank circuit.
A bias current supply circuit for supplying b is realized as a third current mirror circuit 15 which is composed of a pair of pnp transistors Q5 and Q6 and is driven by a constant current source 14.
The output current Iref of the constant current source 14 is current-amplified and output, and the output current (bias current Ib) can be adjusted by a resistor Rb incorporated in the third current mirror circuit 15. There is.
【００１４】即ち、一定の電流Ｉrefを出力する定電流
源１４は、第３のカレントミラー回路１５のダイオード
接続されたトランジスタＱ5のコレクタに接続され、該
カレントミラー回路１５を一定電流で駆動するようにな
っている。そしてカレントミラー回路１５は、トランジ
スタＱ5にベースを共通接続したトランジスタＱ6を介し
て、上記駆動電流に見合う電流を前記第１のカレントミ
ラー回路１２の、特にトランジスタＱ1に対するバイア
ス電流Ｉbとして出力するものとなっている。また前記
トランジスタＱ5のエミッタには、該カレントミラー回
路１５の動作条件を調整してトランジスタＱ6からの出
力電流、ひいては前記第１のカレントミラー回路１２に
対するバイアス電流Ｉbを調整する為の抵抗Ｒbが直列に
介挿されている。特にこの抵抗Ｒbは、例えば前述した
第１および第２のカレントミラー回路１２,１３と共に
集積一体化される第３のカレントミラー回路１５に対し
て、所謂外付けの回路素子として組み込まれるようにな
っている。That is, the constant current source 14 which outputs a constant current Iref is connected to the collector of the diode-connected transistor Q5 of the third current mirror circuit 15 so as to drive the current mirror circuit 15 with a constant current. It has become. The current mirror circuit 15 outputs a current corresponding to the drive current as a bias current Ib for the first current mirror circuit 12, particularly for the transistor Q1 via the transistor Q6 having the base commonly connected to the transistor Q5. Has become. The emitter of the transistor Q5 is connected in series with a resistor Rb for adjusting the operating condition of the current mirror circuit 15 to adjust the output current from the transistor Q6, and thus the bias current Ib for the first current mirror circuit 12. Has been inserted in. Particularly, the resistor Rb is incorporated as a so-called external circuit element in the third current mirror circuit 15 which is integrated and integrated with the above-mentioned first and second current mirror circuits 12 and 13, for example. ing.
【００１５】このように定電流源１４からの電流Ｉref
を、一旦、第３のカレントミラー回路１５により受け、
この第３のカレントミラー回路１５からの出力電流によ
りＬＣタンク回路を発振駆動する第１のカレントミラー
回路１２に供給するように構成された高周波発振回路に
よれば、定電流源１４が出力する電流Ｉrefを一定に保
ったまま、第３のカレントミラー回路１５に組み込まれ
た抵抗ＲbによってトランジスタＱ1に対するバイアス電
流Ｉbを容易に調整することが可能となる。特に外付け
する抵抗Ｒbの抵抗値を選定するだけで、上記バイアス
電流Ｉbを設定することができる。Thus, the current Iref from the constant current source 14
Is once received by the third current mirror circuit 15,
According to the high-frequency oscillator circuit configured to supply the output current from the third current mirror circuit 15 to the first current mirror circuit 12 that oscillates and drives the LC tank circuit, the current output from the constant current source 14 The bias current Ib for the transistor Q1 can be easily adjusted by the resistor Rb incorporated in the third current mirror circuit 15 while keeping Iref constant. In particular, the bias current Ib can be set only by selecting the resistance value of the externally attached resistor Rb.
【００１６】従って上記構成のバイアス電流供給回路を
備えた高周波発振回路であれば、その主体部をなすカレ
ントミラー回路１２,１３等を集積回路化（ＩＣ化）し
たとしても、発振周波数の仕様に応じて前記抵抗Ｒbの
値を異ならせることだけで簡易に前記バイアス電流Ｉb
を調整することが可能となる。換言すれば、従来のよう
に発振周波数が高く設定されることを見込んでトランジ
スタＱ1に対するバイアス電流Ｉbを大きく設定しておく
必要がなくなり、発振周波数に応じた適正なバイアス電
流Ｉbを設定することが可能となる。この結果、発振周
波数を低く設定する場合であっても、ＬＣタンク回路を
駆動するトランジスタＱ1に対して過剰なバイアス電流
Ｉbを供給することがなくなり、電流の無駄を省いて低
消費電流化を図ることが可能となる。Therefore, in the case of the high-frequency oscillation circuit having the bias current supply circuit having the above-mentioned configuration, even if the current mirror circuits 12 and 13 forming the main part of the high-frequency oscillation circuit are integrated (integrated circuit), the oscillation frequency is specified. Accordingly, the bias current Ib can be easily changed only by changing the value of the resistor Rb.
Can be adjusted. In other words, it is not necessary to set the bias current Ib for the transistor Q1 large in anticipation that the oscillation frequency is set high as in the conventional case, and it is possible to set an appropriate bias current Ib according to the oscillation frequency. It will be possible. As a result, even when the oscillation frequency is set low, the excessive bias current Ib is not supplied to the transistor Q1 that drives the LC tank circuit, so that waste of current is eliminated and low current consumption is achieved. It becomes possible.
【００１７】また上述したように簡易にバイアス電流Ｉ
bを調整し、ＬＣタンク回路を駆動するトランジスタＱ1
のコレクタ・サブストレート間の容量を充放電するに必
要な最低限のバイアス電流Ｉbだけを流すことが可能な
ので、例えばＩＣ化される高周波発振回路を、上記バイ
アス電流Ｉbを異ならせて複数種類準備しておき、これ
らの高周波発振回路（ＩＣ）を発振周波数に応じて選択
的に用いる等の煩わしさをなくすこともできる等の効果
も奏せられる。As described above, the bias current I can be simply
Transistor Q1 that adjusts b and drives the LC tank circuit
Since it is possible to flow only the minimum bias current Ib necessary for charging and discharging the capacitance between the collector and the substrate, a plurality of types of high-frequency oscillation circuits to be integrated into IC are prepared by changing the bias current Ib. In addition, it is possible to eliminate the trouble of selectively using these high-frequency oscillation circuits (ICs) according to the oscillation frequency.
【００１８】尚、本発明は上述した実施形態に限定され
るものではない。例えば図２に示すように第３のカレン
トミラー回路１５を構成するトランジスタＱ5,Ｑ6の各
エミッタにそれぞれ抵抗Ｒb1,Ｒb2を介挿し、トランジ
スタＱ6側の抵抗Ｒb2を外付けとして前記バイアス電流
Ｉbを調節し得るようにしても良い。この場合、上記抵
抗Ｒb1,Ｒb2の双方を外付けとすることも勿論可能であ
る。またここでは２線式の近接スイッチに組み込む場合
について説明したが、電源線と信号線とを別個に備える
高周波発振型近接スイッチ装置に対しても同様に適用可
能なことは言うまでもなく、またディスクリート回路部
品（素子）を用いて実現する場合にも適用可能なことは
当然である。その他、本発明はその要旨を逸脱しない範
囲で種々変形して実施することができる。The present invention is not limited to the above embodiment. For example, as shown in FIG. 2, resistors Rb1 and Rb2 are respectively inserted in the emitters of the transistors Q5 and Q6 that form the third current mirror circuit 15, and the bias current Ib is adjusted by externally connecting the resistor Rb2 on the transistor Q6 side. You may be allowed to do so. In this case, both the resistors Rb1 and Rb2 can be externally attached. Further, here, the case of incorporating in a two-wire type proximity switch has been described, but it goes without saying that the same can be applied to a high frequency oscillation type proximity switch device provided with a power supply line and a signal line separately, and a discrete circuit. Needless to say, it can be applied to the case where it is realized by using parts (elements). In addition, the present invention can be variously modified and implemented without departing from the scope of the invention.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｌ
Ｃタンク回路を発振駆動するトランジスタ回路に対して
バイアス電流を供給する電流供給回路を、定電流源によ
って駆動されるカレントミラー回路により構成し、該カ
レントミラー回路に組み込まれる抵抗を用いてその動作
を調整して上記バイアス電流を調整し得るようにしてい
るので、発振周波数に応じた最適なバイアス電流を簡易
に設定して低消費電流化を図ることができる。As described above, according to the present invention, L
A current supply circuit that supplies a bias current to the transistor circuit that oscillates and drives the C tank circuit is configured by a current mirror circuit driven by a constant current source, and its operation is performed by using a resistor incorporated in the current mirror circuit. Since the bias current is adjusted so that the bias current can be adjusted, the optimum bias current according to the oscillation frequency can be easily set to reduce the current consumption.
【００２０】特にバイアス電流調整用の抵抗を抵抗を外
付けとすることにより、その抵抗値調整によるバイアス
電流の設定を簡易に行わしめる等の実用上多大なる効果
が奏せられる。In particular, by externally providing a resistor for adjusting the bias current, a great effect in practical use can be obtained such that the bias current can be easily set by adjusting the resistance value.
【図１】本発明の一実施形態に係る高周波発振型近接ス
イッチ装置の特徴部分を示す高周波発振回路の概略構成
を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a high-frequency oscillation circuit showing a characteristic portion of a high-frequency oscillation type proximity switch device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明に係る高周波発振回路の変形例を示す概
略構成図。FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a modified example of the high-frequency oscillator circuit according to the present invention.
【図３】２線式の高周波発振型近接スイッチ装置の全体
を示す概略構成図。FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing the entire two-wire high-frequency oscillation type proximity switch device.
【図４】従来の一般的な高周波発振回路の構成例を示す
図。FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of a conventional general high-frequency oscillator circuit.
１ 高周波発振回路 １ａ コイル １ｂ コンデンサ １１ 定電流源 １２ 第１のカレントミラー回路 １３ 第２のカレントミラー回路 １４ 定電流源 １５ 第３のカレントミラー回路 Ｒb バイアス電流調整用の抵抗 1 High frequency oscillator 1a coil 1b capacitor 11 constant current source 12 First current mirror circuit 13 Second current mirror circuit 14 constant current source 15 Third current mirror circuit Rb Bias current adjustment resistor
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03K 17/00 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H03K 17/00
Claims (3)
タンク回路を発振駆動するトランジスタ回路を備えてな
り、検出対象物と上記検出コイルとの間の電磁誘導作用
による発振動作の変化から前記検出対象物の近接を非接
触に検出する高周波発振型近接スイッチ装置であって、 前記トランジスタ回路に対するバイアス電流の供給回路
は、 所定の電流を流す定電流源と、 この定電流源により駆動されるカレントミラー回路と、 このカレントミラー回路に介挿されてその出力電流を制
御する電流調整用の抵抗とからなる ことを特徴とする高
周波発振型近接スイッチ装置。1. An LC comprising a detection coil and a capacitor
A high frequency oscillation type proximity switch comprising a transistor circuit for driving the tank circuit to oscillate, and detecting the proximity of the detection target in a non-contact manner from a change in the oscillation operation due to an electromagnetic induction action between the detection target and the detection coil. A device for supplying a bias current to the transistor circuit
Is a constant current source for flowing a predetermined current, a current mirror circuit driven by this constant current source, and an output current which is inserted in this current mirror circuit to control its output current.
A high-frequency oscillation type proximity switch device comprising a resistor for controlling a current .
ッチ装置は、前記トランジスタ回路と定電流源およびカ
レントミラー回路を集積回路化してなり、 前記電流調整用の抵抗は、カレントミラー回路をなす一
対のトランジスタに対して外付けされることを特徴とす
る高周波発振型近接スイッチ装置。2. A high-frequency oscillation type proximity switch according to claim 1.
The switch device consists of the transistor circuit, constant current source and
The rent mirror circuit is formed as an integrated circuit, and the current adjusting resistor is externally attached to a pair of transistors forming the current mirror circuit.
That high-frequency oscillation type proximity switch device.
発振駆動するトランジスタのコレクタ・サブストレート
間容量の充放電に用いられるものである請求項１に記載
の高周波発振型近接スイッチ装置。3. The high frequency oscillation type proximity switch device according to claim 1, wherein the bias current is used for charging and discharging the collector-substrate capacitance of a transistor that oscillates and drives an LC tank circuit.
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|---|---|---|---|
| JP01943398A JP3436342B2 (en) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | High frequency oscillation type proximity switch device |
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| JPH11220372A JPH11220372A (en) | 1999-08-10 |
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|---|---|---|---|---|
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1998
- 1998-01-30 JP JP01943398A patent/JP3436342B2/en not_active Expired - Lifetime
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| JPH11220372A (en) | 1999-08-10 |
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