JP3429888B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波装置のイン
タデジタル電極（以下、ＩＤＴという）を構成する材料
に関するものである。
タデジタル電極（以下、ＩＤＴという）を構成する材料
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波装置は、圧電体基板上に設け
られたＩＤＴ（すだれ状電極、くし型電極ともいう）に
より、電気信号と圧電体基板表面を伝搬する弾性表面波
とを相互に変換し、この弾性表面波を利用してフィル
タ、共振子、遅延線などの機能を発揮するデバイスであ
る。ＩＤＴを構成する電極材料としては、低抵抗であ
り、微細加工がしやすく、信頼性に優れたアルミニウム
が主に用いられている。また、このＩＤＴは、基板の圧
電性により電気信号に比例して機械的に振動する。
られたＩＤＴ（すだれ状電極、くし型電極ともいう）に
より、電気信号と圧電体基板表面を伝搬する弾性表面波
とを相互に変換し、この弾性表面波を利用してフィル
タ、共振子、遅延線などの機能を発揮するデバイスであ
る。ＩＤＴを構成する電極材料としては、低抵抗であ
り、微細加工がしやすく、信頼性に優れたアルミニウム
が主に用いられている。また、このＩＤＴは、基板の圧
電性により電気信号に比例して機械的に振動する。
【０００３】この機械的振動により、ＩＤＴを構成する
電極指が疲労劣化する現象（ストレスマイグレーショ
ン）が知られている。このストレスマイグレーションに
より、使用中に弾性表面波装置が劣化し、当初の特性を
発揮できなくなることがある。そのため、ストレスマイ
グレーションに対する耐性を高めるように、アルミニウ
ムにシリコン、銅などを添加したり、結晶方位的に配向
したアルミニウム膜を用いたりすることが検討されてい
る。
電極指が疲労劣化する現象（ストレスマイグレーショ
ン）が知られている。このストレスマイグレーションに
より、使用中に弾性表面波装置が劣化し、当初の特性を
発揮できなくなることがある。そのため、ストレスマイ
グレーションに対する耐性を高めるように、アルミニウ
ムにシリコン、銅などを添加したり、結晶方位的に配向
したアルミニウム膜を用いたりすることが検討されてい
る。
【０００４】このような弾性表面波装置として、特開平
３−０４８５１１号公報や特開平６−１３２７７７号公
報に記載されたものが知られている。特開平３−０４８
５１１号公報に記載の発明は、耐ストレスマイグレーシ
ョン特性に優れた弾性表面波装置を提供するためになさ
れたもので、この公報には、２５度から３９度回転Ｙカ
ット水晶基板上に（３１１）面に配向したアルミニウム
膜が形成された弾性表面波装置が開示されている。
３−０４８５１１号公報や特開平６−１３２７７７号公
報に記載されたものが知られている。特開平３−０４８
５１１号公報に記載の発明は、耐ストレスマイグレーシ
ョン特性に優れた弾性表面波装置を提供するためになさ
れたもので、この公報には、２５度から３９度回転Ｙカ
ット水晶基板上に（３１１）面に配向したアルミニウム
膜が形成された弾性表面波装置が開示されている。
【０００５】特開平６−１３２７７７号公報に記載の発
明は、弾性表面波素子における電極用金属膜内部の応力
変化をなくし、素子の動作中の周波数変化を少なくした
弾性表面波装置を提供するためになされたもので、この
公報には、水晶のＺ板をＸ軸の回りに反時計方向に７度
から１５度の範囲で傾斜してカットしたＬＳＴカット水
晶基板に単結晶アルミニウム電極が形成された弾性表面
波装置が開示されている。
明は、弾性表面波素子における電極用金属膜内部の応力
変化をなくし、素子の動作中の周波数変化を少なくした
弾性表面波装置を提供するためになされたもので、この
公報には、水晶のＺ板をＸ軸の回りに反時計方向に７度
から１５度の範囲で傾斜してカットしたＬＳＴカット水
晶基板に単結晶アルミニウム電極が形成された弾性表面
波装置が開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アルミ
ニウムにシリコン、銅などを添加した際には、電極の微
細加工が困難になる場合があった。また、上記公開公報
に記載された弾性表面波装置のような結晶方位に配向し
たアルミニウム膜を用いた際には、圧電性基板に依って
はストレスマイグレーションに対する耐性が充分ではな
い場合があった。
ニウムにシリコン、銅などを添加した際には、電極の微
細加工が困難になる場合があった。また、上記公開公報
に記載された弾性表面波装置のような結晶方位に配向し
たアルミニウム膜を用いた際には、圧電性基板に依って
はストレスマイグレーションに対する耐性が充分ではな
い場合があった。
【０００７】本発明の目的は、水晶基板を用いた場合に
ストレスマイグレーションに対して充分な耐性を有する
弾性表面波装置を提供することにある。
ストレスマイグレーションに対して充分な耐性を有する
弾性表面波装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による弾性表面波
装置は、水晶基板と該水晶基板上のインタデジタル電極
とを含み、前記インタデジタル電極が低指数面に配向し
た単結晶アルミニウム膜からなるものである。低指数面
としては、（１１１）面、（１００）面などが用いら
れ、特に、前記水晶基板が実質的に３５度回転Ｙカット
水晶であり、前記単結晶アルミニウム膜が実質的に（１
１１）面に配向していること、または、前記水晶基板が
実質的に２８度回転Ｙカット水晶であり、前記単結晶ア
ルミニウム膜が実質的に（１００）面に配向しているこ
とが望ましい。
装置は、水晶基板と該水晶基板上のインタデジタル電極
とを含み、前記インタデジタル電極が低指数面に配向し
た単結晶アルミニウム膜からなるものである。低指数面
としては、（１１１）面、（１００）面などが用いら
れ、特に、前記水晶基板が実質的に３５度回転Ｙカット
水晶であり、前記単結晶アルミニウム膜が実質的に（１
１１）面に配向していること、または、前記水晶基板が
実質的に２８度回転Ｙカット水晶であり、前記単結晶ア
ルミニウム膜が実質的に（１００）面に配向しているこ
とが望ましい。
【０００９】さらに、前記単結晶アルミニウム膜中の炭
素量が０．０１ａｔｏｍ％以下、水素、酸素量がそれぞ
れ０．５ａｔｏｍ％以下であることが望ましい。
素量が０．０１ａｔｏｍ％以下、水素、酸素量がそれぞ
れ０．５ａｔｏｍ％以下であることが望ましい。
【００１０】
【作用】本発明によれば、水晶基板上の低指数面に配向
した単結晶アルミニウム膜を電極として用いているの
で、電極の電気抵抗が低く、かつ、結晶構造的に安定で
ありストレスマイグレーションに対して優れた耐性を有
する。また、約３５度回転Ｙカット水晶基板上の（１１
１）面に配向した単結晶アルミニウム膜、および、約２
８度回転Ｙカット水晶基板上の（１００）面に配向した
単結晶アルミニウム膜は、特に安定であり、ストレスマ
イグレーションに対して特に優れた高い耐性を有する。
した単結晶アルミニウム膜を電極として用いているの
で、電極の電気抵抗が低く、かつ、結晶構造的に安定で
ありストレスマイグレーションに対して優れた耐性を有
する。また、約３５度回転Ｙカット水晶基板上の（１１
１）面に配向した単結晶アルミニウム膜、および、約２
８度回転Ｙカット水晶基板上の（１００）面に配向した
単結晶アルミニウム膜は、特に安定であり、ストレスマ
イグレーションに対して特に優れた高い耐性を有する。
【００１１】さらに、炭素量が０．０１ａｔｏｍ％以
下、水素、酸素量がそれぞれ０．５ａｔｏｍ％以下であ
るアルミニウムを用いれば、結晶性のよい低抵抗の単結
晶アルミニウム膜を形成することができる。
下、水素、酸素量がそれぞれ０．５ａｔｏｍ％以下であ
るアルミニウムを用いれば、結晶性のよい低抵抗の単結
晶アルミニウム膜を形成することができる。
【００１２】
【実施例】本発明の実施例による弾性表面波装置を図１
を用いて説明する。本実施例の弾性表面波装置である弾
性表面波フィルタは、３５゜回転Ｙカットの水晶基板１
０の表面上に、３つの入力用ＩＤＴ２１、２２、２３と
４つの出力用ＩＤＴ２４、２５、２６、２７とが交互に
配置され、これら入力用ＩＤＴ２１、２２、２３と出力
用ＩＤＴ２４、２５、２６、２７が一対の反射器２８、
２９により挟まれた電極構造列２０が形成されている。
３つの入力用ＩＤＴ２１、２２、２３は並列接続され、
４つの出力用ＩＤＴ２４、２５、２６、２７も並列接続
されている。
を用いて説明する。本実施例の弾性表面波装置である弾
性表面波フィルタは、３５゜回転Ｙカットの水晶基板１
０の表面上に、３つの入力用ＩＤＴ２１、２２、２３と
４つの出力用ＩＤＴ２４、２５、２６、２７とが交互に
配置され、これら入力用ＩＤＴ２１、２２、２３と出力
用ＩＤＴ２４、２５、２６、２７が一対の反射器２８、
２９により挟まれた電極構造列２０が形成されている。
３つの入力用ＩＤＴ２１、２２、２３は並列接続され、
４つの出力用ＩＤＴ２４、２５、２６、２７も並列接続
されている。
【００１３】これらＩＤＴを含む電極構造列２０は、水
晶基板１０の表面に平行な方向が（１１１）面である配
向した単結晶アルミニウム膜３０により構成されてい
る。電極の膜厚は約１００ｎｍ、電極指の幅及びその間
隔は、フィルタの通過中心周波数に対応した弾性表面波
波長の１／４に相当する約５００ｎｍである。各ＩＤＴ
２１〜２７の開口幅は３０λであり、２０．５対の電極
指により構成され、反射器２８、２９は１２０本の電極
により構成されている。ＩＤＴ２１〜２７及び反射器２
８、２９は同一の周期構造であり、ＩＤＴとＩＤＴ間及
び反射器とＩＤＴ間も同じ周期で形成され、電極構造列
２０全体として同一の周期構造をしている。
晶基板１０の表面に平行な方向が（１１１）面である配
向した単結晶アルミニウム膜３０により構成されてい
る。電極の膜厚は約１００ｎｍ、電極指の幅及びその間
隔は、フィルタの通過中心周波数に対応した弾性表面波
波長の１／４に相当する約５００ｎｍである。各ＩＤＴ
２１〜２７の開口幅は３０λであり、２０．５対の電極
指により構成され、反射器２８、２９は１２０本の電極
により構成されている。ＩＤＴ２１〜２７及び反射器２
８、２９は同一の周期構造であり、ＩＤＴとＩＤＴ間及
び反射器とＩＤＴ間も同じ周期で形成され、電極構造列
２０全体として同一の周期構造をしている。
【００１４】次に、本実施例の弾性表面波装置の製造方
法を図２を用いて説明する。まず、３５゜回転Ｙカット
の水晶基板１０の表面をアセトン、イソプロパノールな
どの有機溶剤により超音波洗浄し、表面の残留有機物を
除去するために酸素プラズマ中でアッシングする。これ
により、基板表面の有機物が酸化して十分に除去される
（図２（ａ））。
法を図２を用いて説明する。まず、３５゜回転Ｙカット
の水晶基板１０の表面をアセトン、イソプロパノールな
どの有機溶剤により超音波洗浄し、表面の残留有機物を
除去するために酸素プラズマ中でアッシングする。これ
により、基板表面の有機物が酸化して十分に除去される
（図２（ａ））。
【００１５】次に、水晶基板１０を電子ビーム真空蒸着
装置に装着し、０．０１ｍＰａ以下の真空度を保ったま
ま、基板温度を４００℃以上にして、１時間以上保持す
ることで表面の吸着水分を充分に除去する。なお、基板
温度を２００℃程度にして、６時間保持することにより
表面の吸着水分を充分に除去するようにしてもよい。次
に、厚さ１００ｎｍの単結晶アルミニウム膜３０を、基
板温度が１００℃、成長速度が０．８５ｎｍ／秒の真空
蒸着法により形成する（図２（ｂ））。この単結晶アル
ミニウム膜３０の電気抵抗は３．０μΩ・ｃｍと、バル
クのアルミニウムと同程度の充分に低い値がえられる。
装置に装着し、０．０１ｍＰａ以下の真空度を保ったま
ま、基板温度を４００℃以上にして、１時間以上保持す
ることで表面の吸着水分を充分に除去する。なお、基板
温度を２００℃程度にして、６時間保持することにより
表面の吸着水分を充分に除去するようにしてもよい。次
に、厚さ１００ｎｍの単結晶アルミニウム膜３０を、基
板温度が１００℃、成長速度が０．８５ｎｍ／秒の真空
蒸着法により形成する（図２（ｂ））。この単結晶アル
ミニウム膜３０の電気抵抗は３．０μΩ・ｃｍと、バル
クのアルミニウムと同程度の充分に低い値がえられる。
【００１６】この単結晶アルミニウム膜を二次イオン質
量分析法（ＳＩＭＳ）により分析したところ、アルミニ
ウム膜３０中の不純物は、炭素量は０．０１ａｔｏｍ％
以下、水素、酸素量はそれぞれ０．５ａｔｏｍ％以下で
あった。アルミニウム膜３０中の炭素、水素、酸素量が
これより大きいと、成長速度、基板温度等の成膜条件に
かかわらず、アルミニウム膜３０は多結晶またはアモル
ファスの膜となり単結晶のアルミニウム膜とならない。
量分析法（ＳＩＭＳ）により分析したところ、アルミニ
ウム膜３０中の不純物は、炭素量は０．０１ａｔｏｍ％
以下、水素、酸素量はそれぞれ０．５ａｔｏｍ％以下で
あった。アルミニウム膜３０中の炭素、水素、酸素量が
これより大きいと、成長速度、基板温度等の成膜条件に
かかわらず、アルミニウム膜３０は多結晶またはアモル
ファスの膜となり単結晶のアルミニウム膜とならない。
【００１７】なお、真空蒸着の条件としては、アルミニ
ウム膜３０中の炭素、水素、酸素量が上記の量以下であ
れば、基板温度を１００℃以上３００℃以下とし、か
つ、成長速度を１ｎｍ／秒以下０．１ｎｍ／秒以上とす
ることで、単結晶アルミニウム膜の結晶性が向上する。
基板温度を１００℃未満としたり、成長速度を１ｎｍ／
秒を越える速度にすると、単結晶アルミニウムが形成さ
れるが、単結晶アルミニウム膜の結晶性が悪くなる。
ウム膜３０中の炭素、水素、酸素量が上記の量以下であ
れば、基板温度を１００℃以上３００℃以下とし、か
つ、成長速度を１ｎｍ／秒以下０．１ｎｍ／秒以上とす
ることで、単結晶アルミニウム膜の結晶性が向上する。
基板温度を１００℃未満としたり、成長速度を１ｎｍ／
秒を越える速度にすると、単結晶アルミニウムが形成さ
れるが、単結晶アルミニウム膜の結晶性が悪くなる。
【００１８】また、成長速度を０．１ｎｍ／秒未満の低
速にしたり、逆に、１ｎｍ／秒を越える高速にすると、
単結晶アルミニウムが形成されるが、膜厚の制御性、生
産性が著しく低下する。この真空蒸着の初期において、
面心立方構造を有する金属アルミニウムは、最も表面エ
ネルギーの低い（１１１）面が現われやすい。水晶基板
１０のカット面を種々変更して検討したところ、３３度
回転Ｙカット〜３７度回転Ｙカットの範囲では、この
（１１１）面が安定に成長することがわかった。このエ
ピタキシャル配向方位は、
速にしたり、逆に、１ｎｍ／秒を越える高速にすると、
単結晶アルミニウムが形成されるが、膜厚の制御性、生
産性が著しく低下する。この真空蒸着の初期において、
面心立方構造を有する金属アルミニウムは、最も表面エ
ネルギーの低い（１１１）面が現われやすい。水晶基板
１０のカット面を種々変更して検討したところ、３３度
回転Ｙカット〜３７度回転Ｙカットの範囲では、この
（１１１）面が安定に成長することがわかった。このエ
ピタキシャル配向方位は、
【００１９】
【数１】
であり、ミスフィット率は−０．７％程度と考えられ
る。上記式１の１行目は、一致している単結晶アルミニ
ウム膜３０の方向と水晶基板１０の方向を示しており、
その２行目は、単結晶アルミニウム膜３０の７個の結晶
格子と水晶基板１０の２個の結晶格子が一致しているこ
とを示している。
る。上記式１の１行目は、一致している単結晶アルミニ
ウム膜３０の方向と水晶基板１０の方向を示しており、
その２行目は、単結晶アルミニウム膜３０の７個の結晶
格子と水晶基板１０の２個の結晶格子が一致しているこ
とを示している。
【００２０】なお、真空蒸着前に充分に基板表面を浄化
していない場合、特に、酸素プラズマ中でアッシングし
ない場合には、アルミニウムの単結晶配向膜は成長しな
かった。これは、基板表面に汚れが残っているため、そ
の汚れた部分から（１１１）面方向以外の成長が起こり
やすく単結晶に配向しないためと思われる。次に、アル
ミニウム膜３０上にレジスト膜４０を塗布し、ＩＤＴを
含む電極構造列２０の形状にパターニングする（図２
（ｃ））。ＩＤＴの電極指の幅およびその間隔は、フィ
ルタの通過中心周波数に対応した弾性表面波波長の１／
４に相当する約５００ｎｍである。
していない場合、特に、酸素プラズマ中でアッシングし
ない場合には、アルミニウムの単結晶配向膜は成長しな
かった。これは、基板表面に汚れが残っているため、そ
の汚れた部分から（１１１）面方向以外の成長が起こり
やすく単結晶に配向しないためと思われる。次に、アル
ミニウム膜３０上にレジスト膜４０を塗布し、ＩＤＴを
含む電極構造列２０の形状にパターニングする（図２
（ｃ））。ＩＤＴの電極指の幅およびその間隔は、フィ
ルタの通過中心周波数に対応した弾性表面波波長の１／
４に相当する約５００ｎｍである。
【００２１】次に、レジスト層４０に覆われていない部
分のアルミニウム膜３０を燐酸系エッチング液（容積比
がＨ3 ＰＯ4 ：ＣＨ3 ＣＯＯＨ：ＨＮＯ3 ：Ｈ2 Ｏ＝１
６：２：２：２）によりエッチング除去し、ＩＤＴを含
む電極構造列２０を作製する。最後に、レジスト膜４０
を除去して、ＩＤＴを含む電極構造列２０の加工を終了
する（図２（ｄ））。
分のアルミニウム膜３０を燐酸系エッチング液（容積比
がＨ3 ＰＯ4 ：ＣＨ3 ＣＯＯＨ：ＨＮＯ3 ：Ｈ2 Ｏ＝１
６：２：２：２）によりエッチング除去し、ＩＤＴを含
む電極構造列２０を作製する。最後に、レジスト膜４０
を除去して、ＩＤＴを含む電極構造列２０の加工を終了
する（図２（ｄ））。
【００２２】このようにして、本実施例による弾性表面
波装置を形成することができる。本発明の他の実施例又
は比較例として、水晶基板１０のカット角度を他の角度
に特定した場合にも低指数面に配向した単結晶アルミニ
ウム膜３を得ることができる。他の実施例として、約２
８゜回転Ｙカットの水晶基板１０では、（１００）面が
表れたアルミニウム膜が安定に成長することが分かっ
た。このエピタキシャル配向方位は、
波装置を形成することができる。本発明の他の実施例又
は比較例として、水晶基板１０のカット角度を他の角度
に特定した場合にも低指数面に配向した単結晶アルミニ
ウム膜３を得ることができる。他の実施例として、約２
８゜回転Ｙカットの水晶基板１０では、（１００）面が
表れたアルミニウム膜が安定に成長することが分かっ
た。このエピタキシャル配向方位は、
【００２３】
【数２】
であり、ミスフィット率は１．９％程度と考えられる。
上記式２の１行目は、一致している単結晶アルミニウム
膜３０の方向と水晶基板１０の方向を示しており、その
２行目は、単結晶アルミニウム膜３０の７個の結晶格子
と水晶基板１０の４個の結晶格子が一致していることを
示している。なお、約２８度回転Ｙカットの前後２度程
度ずれた水晶基板１０、すなわち、２６度〜３０度回転
Ｙカットの水晶基板でも同様に配向する。
上記式２の１行目は、一致している単結晶アルミニウム
膜３０の方向と水晶基板１０の方向を示しており、その
２行目は、単結晶アルミニウム膜３０の７個の結晶格子
と水晶基板１０の４個の結晶格子が一致していることを
示している。なお、約２８度回転Ｙカットの前後２度程
度ずれた水晶基板１０、すなわち、２６度〜３０度回転
Ｙカットの水晶基板でも同様に配向する。
【００２４】また、比較例として、約３２度回転Ｙカッ
トの水晶基板１０では、（２１０）面が表れたアルミニ
ウム膜が安定に成長することが分かった。このエピタキ
シャル配向方位は、
トの水晶基板１０では、（２１０）面が表れたアルミニ
ウム膜が安定に成長することが分かった。このエピタキ
シャル配向方位は、
【００２５】
【数３】
であり、ミスフィット率は３．３％程度であると考えら
れる。上記式３の１行目は、一致している単結晶アルミ
ニウム膜３０の方向と水晶基板１０の方向を示してお
り、その２行目は、単結晶アルミニウム膜３０の３個の
結晶格子と水晶基板１０の７個の結晶格子が一致してい
ることを示している。なお、約３２度回転Ｙカットの前
後に角度がずれた水晶基板１０、すなわち、３１度〜３
３度回転Ｙカットの水晶基板でも同様に配向する。
れる。上記式３の１行目は、一致している単結晶アルミ
ニウム膜３０の方向と水晶基板１０の方向を示してお
り、その２行目は、単結晶アルミニウム膜３０の３個の
結晶格子と水晶基板１０の７個の結晶格子が一致してい
ることを示している。なお、約３２度回転Ｙカットの前
後に角度がずれた水晶基板１０、すなわち、３１度〜３
３度回転Ｙカットの水晶基板でも同様に配向する。
【００２６】また、他の比較例として、約３８度回転Ｙ
カットの水晶基板１０では、（３１１）面が表れたアル
ミニウム膜が安定に成長することが分かった。このエピ
タキシャル配向方位は、
カットの水晶基板１０では、（３１１）面が表れたアル
ミニウム膜が安定に成長することが分かった。このエピ
タキシャル配向方位は、
【００２７】
【数４】
であり、ミスフィット率は０．６％程度であると考えら
る。上記式４の１行目は、一致している単結晶アルミニ
ウム膜３０の方向と水晶基板１０の方向を示しており、
その２行目は、単結晶アルミニウム膜３０の７個の結晶
格子と水晶基板１０の２個の結晶格子が一致しているこ
とを示している。なお、約３８度回転Ｙカットの前後に
角度がずれた水晶基板１０、すなわち、３７度〜４０度
回転Ｙカットの水晶基板でも同様に配向する。
る。上記式４の１行目は、一致している単結晶アルミニ
ウム膜３０の方向と水晶基板１０の方向を示しており、
その２行目は、単結晶アルミニウム膜３０の７個の結晶
格子と水晶基板１０の２個の結晶格子が一致しているこ
とを示している。なお、約３８度回転Ｙカットの前後に
角度がずれた水晶基板１０、すなわち、３７度〜４０度
回転Ｙカットの水晶基板でも同様に配向する。
【００２８】上述した実施例及び比較例におけるよう
に、（１１１）面、（１００）面、（２１０）面、（３
１１）面に配向したアルミニウム膜によるＩＤＴを用い
た弾性表面波フィルタの耐電力性について評価した。約
４００ｍＷの電力を弾性表面波装置に印加し、電気的特
性が劣化するまでの時間（ＭＴＦ）を測定することによ
り評価した。ＭＴＦは、実施例である（１１１）面に配
向したアルミニウム膜を用いた場合には２５００時間で
あり、実施例である（１００）面に配向したアルミニウ
ム膜を用いた場合には２０００時間であったが、比較例
である（２１０）面または（３１１）面に配向したアル
ミニウム膜を用いた場合には１８００時間と短かった。
に、（１１１）面、（１００）面、（２１０）面、（３
１１）面に配向したアルミニウム膜によるＩＤＴを用い
た弾性表面波フィルタの耐電力性について評価した。約
４００ｍＷの電力を弾性表面波装置に印加し、電気的特
性が劣化するまでの時間（ＭＴＦ）を測定することによ
り評価した。ＭＴＦは、実施例である（１１１）面に配
向したアルミニウム膜を用いた場合には２５００時間で
あり、実施例である（１００）面に配向したアルミニウ
ム膜を用いた場合には２０００時間であったが、比較例
である（２１０）面または（３１１）面に配向したアル
ミニウム膜を用いた場合には１８００時間と短かった。
【００２９】また、更に他の比較例として、厚さ１００
ｎｍの配向していない多結晶純アルミニウム膜を用いた
弾性表面波装置についても耐電力性について同様に測定
した。この比較例の場合には、同一の約４００ｍＷの印
加電力に対して電気的特性が劣化するまでの時間は１５
００時間であった。このように本実施例によれば、耐電
力性に関して、比較例に比べ大きな改善がみられ、耐ス
トレスマイグレーション性が向上していることが分か
る。
ｎｍの配向していない多結晶純アルミニウム膜を用いた
弾性表面波装置についても耐電力性について同様に測定
した。この比較例の場合には、同一の約４００ｍＷの印
加電力に対して電気的特性が劣化するまでの時間は１５
００時間であった。このように本実施例によれば、耐電
力性に関して、比較例に比べ大きな改善がみられ、耐ス
トレスマイグレーション性が向上していることが分か
る。
【００３０】本発明は上記実施例に限らず種々の変形が
可能である。例えば、上記実施例では、高純度アルミニ
ウムによりアルミニウム膜を構成しているが、配向性に
影響を与えない程度のＣｕ，Ｓｉ，Ｃｏなどを添加する
こともできる。また、本発明は、ストレスマイグレーシ
ョンによる影響を受けやすいＩＩＤＴ構造を有する弾性
表面波装置において有効であるが、他のトランスバーサ
ル型フィルタや共振器構造等の他の構造の弾性表面波装
置にも有効である。
可能である。例えば、上記実施例では、高純度アルミニ
ウムによりアルミニウム膜を構成しているが、配向性に
影響を与えない程度のＣｕ，Ｓｉ，Ｃｏなどを添加する
こともできる。また、本発明は、ストレスマイグレーシ
ョンによる影響を受けやすいＩＩＤＴ構造を有する弾性
表面波装置において有効であるが、他のトランスバーサ
ル型フィルタや共振器構造等の他の構造の弾性表面波装
置にも有効である。
【００３１】なお、ＩＩＤＴ構造の弾性表面波フィルタ
とは複数の入力用ＩＤＴと複数の出力用ＩＤＴとが交互
に配列され、複数の入力用ＩＤＴと複数の出力用ＩＤＴ
がそれぞれ並列接続された構造の弾性表面波フィルタで
ある。
とは複数の入力用ＩＤＴと複数の出力用ＩＤＴとが交互
に配列され、複数の入力用ＩＤＴと複数の出力用ＩＤＴ
がそれぞれ並列接続された構造の弾性表面波フィルタで
ある。
【００３２】
【発明の効果】以上の通り、水晶基板上の低指数面に配
向した単結晶アルミニウム膜を電極として用いているの
で、電極の電気抵抗が低く、結晶構造的に安定でありス
トレスマイグレーションに対して優れた耐性を有するイ
ンタデジタル電極が得られ、耐電力性に優れた弾性表面
波装置が実現できる。
向した単結晶アルミニウム膜を電極として用いているの
で、電極の電気抵抗が低く、結晶構造的に安定でありス
トレスマイグレーションに対して優れた耐性を有するイ
ンタデジタル電極が得られ、耐電力性に優れた弾性表面
波装置が実現できる。
【図１】本発明の一実施例による弾性表面波装置を示す
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施例による弾性表面波装置の製造
方法を示す工程断面図である。
方法を示す工程断面図である。
１０…水晶基板
２０…電極構造列
２１、２２、２３…入力用ＩＤＴ
２４、２５、２６、２７…出力用ＩＤＴ
２８、２９…反射器
３０…アルミニウム膜
４０…レジスト膜
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平６−132777（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−226337（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−183373（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−190548（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−48511（ＪＰ，Ａ)
家木英治、櫻井 敦，エピタキシャル
Ａ１電極を用いたＳＡＷ共振子，電子情
報通信学会論文誌Ａ，1993年 ２月25
日，ＶＯＬ．Ｊ76−Ａ，ＮＯ．２，ｐ.
145−152
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03H 9/145
H03H 9/25
Claims (2)
- 【請求項１】 実質的に２８度回転Ｙカットの水晶基板
と、該水晶基板上のインタデジタル電極とを含み、前記
インタデジタル電極が実質的に（１００）面に配向した
単結晶アルミニウム膜からなることを特徴とする弾性表
面波装置。 - 【請求項２】 前記単結晶アルミニウム膜中の炭素量が
０．０１ａｔｏｍ％以下、水素、酸素量がそれぞれ０．
５ａｔｏｍ％以下であることを特徴とする請求項１記載
の弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05127795A JP3429888B2 (ja) | 1994-08-05 | 1995-03-10 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20299094 | 1994-08-05 | ||
| JP6-202990 | 1994-08-05 | ||
| JP05127795A JP3429888B2 (ja) | 1994-08-05 | 1995-03-10 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08102641A JPH08102641A (ja) | 1996-04-16 |
| JP3429888B2 true JP3429888B2 (ja) | 2003-07-28 |
Family
ID=26391812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05127795A Expired - Fee Related JP3429888B2 (ja) | 1994-08-05 | 1995-03-10 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3429888B2 (ja) |
-
1995
- 1995-03-10 JP JP05127795A patent/JP3429888B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 家木英治、櫻井 敦，エピタキシャルＡ１電極を用いたＳＡＷ共振子，電子情報通信学会論文誌Ａ，１９９３年 ２月２５日，ＶＯＬ．Ｊ７６−Ａ，ＮＯ．２，ｐ．１４５−１５２ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08102641A (ja) | 1996-04-16 |
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