JP3422703B2 - ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置Info
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Description
基板との密着性に優れ、かつ、硬化工程において厳密な
酸素濃度の管理を行わないで硬化しても充分な密着性が
得られるポジ型感光性樹脂組成物とそれを用いた半導体
装置に関するものである。
間絶縁膜として耐熱性が優れ、卓越した電気特性、機械
特性等を有するポリイミド樹脂が用いられているが、近
年半導体素子の高集積化、大型化、パッケージの薄型
化、小型化、半田リフローによる表面実装への移行等に
より耐熱サイクル性、耐熱ショック性等の著しい向上の
要求があり、更に高性能の樹脂が必要とされるようにな
ってきた。一方、ポリイミド樹脂自身に感光性を付与す
る技術が最近注目を集めてきており、例えば下記式
(X)に示される感光性ポリイミド樹脂が挙げられる。
簡略化でき、工程短縮の効果はあるが、現像の際にN−
メチル−2−ピロリドン等の溶剤が必要となるため、安
全性、取扱い性に問題がある。そこで最近、アルカリ水
溶液で現像ができるポジ型の感光性樹脂が開発されてい
る。例えば、特公平1−46862号公報においてはポ
リベンゾオキサゾール前駆体とジアゾキノン化合物より
構成されるポジ型感光性樹脂が開示されている。これは
高い耐熱性、優れた電気特性、微細加工性を有し、ウェ
ハーコート用のみならず層間絶縁用樹脂としての可能性
も有している。このポジ型の感光性樹脂の現像メカニズ
ムは、未露光部のジアゾキノン化合物はアルカリ水溶液
に不溶であるが、露光することによりジアゾキノン化合
物が化学変化を起こし、アルカリ水溶液に可溶となる。
この露光部と未露光部との溶解性の差を利用し、露光部
を溶解除去することにより、未露光部のみの塗膜パター
ンの作成が可能となるものである。
ている感光性樹脂を実際に使用する場合、特に問題とな
るのは基板、特にシリコンウエハーとの密着性である。
つまり現像工程において現像液を用いたウエットエッチ
ングを行う際、本来残すべき未露光部の塗膜が剥がれ落
ちたり、浮き上がったりする問題がある。またパターン
加工を行った後、熱処理(硬化)工程でオキサゾール環
を形成させるが、硬化後の密着性が不充分で、特に高温
吸湿処理を行うと塗膜が基板から剥離するというも問題
もある。
ミド樹脂用の接着助剤としてシラン変性カルボン酸誘導
体が示されている。これを特公平1−46862号公報
に示されている感光性樹脂に加えると現像時の密着性、
硬化後の密着性について改善が見られる。しかし、硬化
工程中の酸素雰囲気濃度の管理が重要で、酸素濃度を1
0ppm以下にしないと充分な密着性が得られない。こ
の酸素濃度10ppm以下という雰囲気条件で硬化を行
うには、気密性の優れたオーブンや拡散炉が必要でかな
り高額の投資が必要となる。このため半導体製造側よ
り、簡易な酸素濃度管理で硬化を行っても充分な密着性
がえられる表面コート材料が望まれている。
おいて基板との密着性に優れ、かつ硬化工程において厳
密な酸素濃度の管理を行わないで硬化しても充分な密着
性が得られるポジ型感光性樹脂組成物とそれを用いた半
導体装置を提供することを目的とする。
で示されるポリアミド(A)100重量部と感光性ジア
ゾキノン化合物(B)1〜100重量部と一般式(II)
で表わされる有機ケイ素化合物(C)0.1〜10重量
部と一般式(III)で表わされる有機ケイ素化合物
(D)0.1〜10重量部からなることを特徴とするポ
ジ型感光性樹脂組成物である。
るジアミンとYの構造を有するジカルボン酸と更にEの
構造を有するカルボン酸誘導体から合成され、このポリ
アミドを約300〜400℃で加熱すると脱水閉環し、
ポリベンゾオキサゾールという耐熱性樹脂に変化する。
本発明のポリアミド(1)のXは、例えば、
い。この中で特に好ましいものは、
は、例えば、
い。これらの中で特に好ましいものは、
は、Yの構造を有するジカルボン酸誘導体とXの構造を
有するジアミンを反応させてポリアミドを合成した後、
末端アミノ基をアルケニル基又はアルキニル基を少なく
とも1個有するカルボン酸誘導体を反応させ、末端封止
を行うもので、カルボン酸誘導体としては5−ノルボル
ネン−2,3−ジカルボン酸無水物、無水マレイン酸等
が挙げられるが、特に5−ノルボルネン−2,3−ジカ
ルボン酸無水物が好ましい。更に、式(1)のZは、例
えば
い。式(1)のZは、更により高い密着性が必要な場合
に用いるが、その使用割合bは最大40.0モル%まで
である。40.0モル%を越えると樹脂の溶解性が極め
て低下し、現像残り(スカム)が発生し、パターン加工
ができない。なお、これらX、Y、E、Zの使用にあた
っては、それぞれ1種類であっても2種類以上の混合物
であっても構わない。
は、1,2−ベンゾキノンジアジドあるいは1,2−ナ
フトキノンジアジド構造を有する化合物であり、米国特
許明細書第2,772,972号、第2,797,21
3号、第3,669,658号により公知の物質であ
る。例えば、下記のものが挙げられる。
記のものがある。
ミド(A)への配合量は、ポリアミド100重量部に対
し、1〜100重量部であり、配合量が1重量部未満だ
と樹脂のパターニング性が不良であり、逆に100重量
部を越えるとフィルムの引張り伸び率が著しく低下す
る。
要により感光特性を高めるためにジヒドロピリジン誘導
体を加えることができる。ジヒドロピリジン誘導体とし
ては、例えば2,6−ジメチル−3,5−ジアセチル−
4−(2′−ニトロフェニル)−1,4−ジヒドロピリ
ジン、4−(2′−ニトロフェニル)−2,6−ジメチ
ル−3,5−ジカルボエトキシ−1,4−ジヒドロピリ
ジン、4−(2′,4′−ジニトロフェニル)−2,6
−ジメチル−3,5−ジカルボメトキシ−1,4−ジヒ
ドロピリジン等を挙げることができる。
は更に一般式(II)で示される有機ケイ素化合物(C)
と一般式(III)で示される有機ケイ素化合物(D)と
を併用することが重要である。一般式(II)で示される
ケイ素化合物(C)は日本国特許第2627632号、
特開平1−215869号公報に記載されている公知物
質である。また一般式(III)で示されるケイ素化合物
(D)は米国特許第3755354号及び第44607
39号明細書に開示されている公知物質である。本発明
では、これら両有機ケイ素化合物をポリベンゾオキサゾ
ール前駆体と感光性ジアゾキノンからなる樹脂組成物に
加えることにより従来のシランカップリング剤等では見
られないような、現像時における優れた密着性と硬化時
に厳密な酸素濃度の管理を行わないでも充分な密着性が
得られるポジ型感光性樹脂組成物が得られることを見い
だした。
(C)をポリベンゾオキサゾール前駆体と感光性ジアゾ
キノンからなる樹脂組成物に単独に加えた場合、現像時
の密着性、硬化後の密着性は改善できる。しかし、硬化
の際に酸素濃度が10ppm以下にできるような硬化オ
ーブンが必要で、例えば酸素濃度が1〜3%レベルにし
か下げれないオーブンでは剥がれが生じる。酸素濃度が
1〜3%レベルにしか下げれないオーブンで硬化しても
剥がれないようにするにはポリアミド100重量部に対
してケイ素化合物(C)を20重量部以上添加する必要
がある。ところが、そのように添加量を増やすと室温保
存安定性が極めて悪くなり、凝集物が発生するという問
題がある。一方、一般式(III)で示されるケイ素化合
物(D)は単独では現像時の密着性が悪く剥がれが生じ
る。更に酸素濃度が1〜3%レベルで硬化を行っても硬
化後に充分な密着性が得られるためにはポリアミド10
0重量部に対して10重量部以上の添加が必要であり、
そのように添加量を増やすと現像時の残膜率が著しく低
下するという問題がある。
化合物(C)と一般式(III)で示されるケイ素化合物
(D)を併用すると、酸素濃度1〜3%レベルで硬化を
行っても、硬化後に充分な密着性が得られるということ
を見いだした。更に両ケイ素化合物の添加量の合計量が
ポリアミド100重量部に対して20重量部以下でよい
ため、現像時の残膜率の著しい低下や室温での保存安定
性が低下することはない。両有機ケイ素化合物併用によ
るこの密着性向上の原因は不明である。
はアミノ基を有するケイ素化合物と酸二無水物とを反応
して得る。アミノ基を有するケイ素化合物としてはたと
えば3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(2
−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン、3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N
−(2−アミノエチル)―3−アミノプロピルトリエト
キシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン等
があげられるがこれらに限定されない。
ット酸二無水物、ベンゼン−1,2,3,4−テトラカ
ルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−
2,3,6,7−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレ
ン−1,2,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ナフ
タレン−1,2,4,5−テトラカルボン酸二無水物、
ナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水
物、ナフタレン−1,2,6,7−テトラカルボン酸二
無水物、4,8−ジメチル−1,2,3,5,6,7−
ヘキサヒドロナフタレン−1,2,5,6−テトラカル
ボン酸二無水物、4,8−ジメチル−1,2,3,5,
6,7−ヘキサヒドロナフタレン−2,3,6,7−テ
トラカルボン酸二無水物、2,6−ジクロロナフタレン
−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,7
−ジクロロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボ
ン酸二無水物、2,3,6,7−テトラクロロナフタレ
ン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、1,
4,5,8−テトラクロロナフタレン−2,3,6,7
−テトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−
ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,
4’−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,
3”, 4,4”−p−テルフェニルテトラカルボン酸二
無水物, 2,2”, 3,3”−p−テルフェニルテトラ
カルボン酸二無水物, 2,3,3”,4”−p−テルフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(2,
3−ジカルボキシフェニル)−プロパン二無水物、2,
2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−プロパン
二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エー
テル二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)
エーテル二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニ
ル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェ
ニル)メタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフ
ェニル)スルホン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキ
シフェニル)スルホン二無水物、1,1−ビス(2,3
−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビ
ス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、
ペリレン−2,3,8,9−テトラカルボン酸二無水
物、ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボン酸二
無水物、ペリレン−4,5,10,11−テトラカルボ
ン酸二無水物、ペリレン−5,6,11,12−テトラ
カルボン酸二無水物、フェナンスレン−1,2,7,8
−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−1,
2,6,7,8−テトラカルボン酸二無水物、フェナン
スレン−1,2,9,10−テトラカルボン酸二無水
物、ピラジン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無
水物、ピロリジン−2,3,4,5−テトラカルボン酸
二無水物、チオフェン−2,3,4,5,−テトラカル
ボン酸二無水物、4,4’−ヘキサフルオロイソプロピ
リデンジフタル酸二無水物等などが挙げられるが、これ
らに限定されるものでない。また、使用にあたっては1
種類でも2種類以上の混合物でもかまわない。
は、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二
無水物、3,3’, 4,4’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)スルホン二無水物である。一般式(II)に示される
有機ケイ素化合物のポジ型感光性樹脂組成物への配合量
はポリアミド(A)100重量部に対して0.1〜10
重量部である。配合量が0.1重量部未満だと基板に対
して充分な密着性が得られず、また10重量部を超える
と室温保存安定性が悪くなり好ましくない。
物はアミノ基を有するケイ素化合物を酸無水物に反応さ
せて得ることができる。アミノ基を有するケイ素化合物
としてはたとえば3−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルト
リメトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジメトキ
シシラン、N−(2−アミノエチル)―3−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリエト
キシシラン等があげられるがこれらに限定されない。
ン酸、クロロ無水マレイン酸、シアノ無水マレイン酸、
シトラコン酸、無水フタル酸等を挙げることができ、こ
れらを単独で又は2種類以上を併用して使用することが
できる。これらの中で特に好ましいのは無水マレイン酸
である。一般式(II)に示される有機ケイ素化合物のポ
ジ型感光性樹脂組成物への配合量はポリアミド(A)1
00重量部に対して0.1〜10重量部である。配合量
が0.1重量部未満だと基板に対して充分な密着性が得
られず、また10重量部を超えると現像時の膜減りが大
きくなり好ましくない。
は、必要によりレベリング剤、シランカップリング剤等
の添加剤を添加することができる。本発明においてはこ
れらの成分を溶剤に溶解し、ワニス状にして使用する。
溶剤としては、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチ
ロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチル
スルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチ
ルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メ
チル−1,3−ブチレングリコールアセテート、1,3
−ブチレングリコール−3−モノメチルエーテル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メチル−3−メトキ
シプロピオネート等が挙げられ、単独でも混合して用い
てもよい。
法は、まず該組成物を適当な支持体、例えば、シリコン
ウェハー、セラミック基板、アルミ基板等に塗布する。
塗布方法としては、スピンナーを用いた回転塗布、スプ
レーコーターを用いた噴霧塗布、浸漬、印刷、ロールコ
ーティング等がある。次に、60〜130℃でプリベー
クして塗膜を乾燥後、所望のパターン形状に化学線を照
射する。化学線としては、X線、電子線、紫外線、可視
光線等が使用できるが、200〜500nmの波長のも
のが好ましい。次に照射部を現像液で溶解除去すること
によりレリーフパターンを得る。現像液としては、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ
酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等
の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン
等の第1アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピル
アミン等の第2アミン類、トリエチルアミン、メチルジ
エチルアミン等の第3アミン類、ジメチルエタノールア
ミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチル
アンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニウム塩等
のアルカリ類の水溶液、及びこれにメタノール、エタノ
ールのごときアルコール類等の水溶性有機溶媒や界面活
性剤を適当量添加した水溶液を好適に使用することがで
きる。現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超
音波等の方式が可能である。次に、現像によって形成し
たレリーフパターンをリンスする。リンス液としては、
蒸留水を使用する。次に加熱処理を行い、オキサゾール
環を形成し、耐熱性に富む最終パターンを得る。本発明
によるポジ型感光性樹脂組成物は、半導体用途のみなら
ず、多層回路の層間絶縁やフレキシブル銅張板のカバー
コート、ソルダーレジスト膜や液晶配向膜等としても有
用である。
る。 《実施例1》 *ポリアミドの合成 ジフェニルエーテル−4、4’−ジカルボン酸1モルと
1−ヒドロキシベンゾトリアゾール2モルとを反応させ
て得られたジカルボン酸誘導体443.2g(0.9モ
ル)とヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4
−ヒドロキシフェニル)プロパン366.3g(1.0
モル)とを温度計、攪拌機、原料投入口、乾燥窒素ガス
導入管を備えた4つ口のセパラブルフラスコに入れ、N
−メチル−2−ピロリドン3000gを加えて溶解させ
た。その後オイルバスを用いて75℃にて12時間反応
させた。次にN−メチル−2−ピロリドン500gに溶
解させた5−ノルボルネン−2、3−ジカルボン酸無水
物32.8g(0.2モル)を加え、更に12時間攪拌
し反応を終了した。反応混合物をろ過した後、反応混合
物を水/メタノール=3/1の溶液に投入、沈殿物を濾
集し水で充分洗浄した後、真空下で乾燥し、目的のポリ
アミド(A−1)を得た。
を有するジアゾキノン(B−1)25g、下記式の構造
を有する有機ケイ素化合物(C−1)5g、下記式の構
造を有する有機ケイ素化合物(D−1)5gをN−メチ
ル−2−ピロリドン250gに溶解した後、0.2μm
のテフロンフィルターで濾過し感光性樹脂組成物を得
た。
ピンコーターを用いて塗布した後、ホットプレートにて
120℃で4分プリベークし、膜厚約5μmの塗膜を得
た。この塗膜にg線ステッパー露光機NSR−1505
G3A(ニコン(株)製)によりレチクルを通して露光を
行った。次に1.4%のテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド水溶液に60秒浸漬することによって露光部を
溶解除去した後、純水で30秒間リンスした。その結
果、パターンが成形されていることが確認できた。この
時の残膜率(現像後の膜厚/現像前の膜厚)は87.6
%と非常に高い値を示した。また残しパターンにおい
て、剥がれは全く観察されず、現像時の密着性が優れて
いることが確認できた。次にポジ型感光性樹脂組成物を
上と同様にしてシリコンウエハー上に塗布し、プリベー
クした後、光洋リンドバーク製のクリーンオーブンを用
い、30分/150℃、30分/250℃、30分/3
50℃の順で、加熱、硬化させた。この時の酸素雰囲気
濃度は1〜2%であった。得られた塗膜を1mm角に1
00個の碁盤目にカットした。これにセロテープを貼り
付け、引き剥がそうとしたが、剥がれた塗膜の数(これ
を「硬化後剥がれ数」と称する)は0であり、硬化膜の
シリコンウエハーへの密着性も優れていることが確認で
きた。更にこのシリコンウエハーを125℃、2.3a
tm500時間のプレッシャークッカー処理(PCT)
を施した後、同様にセロハンテープを貼り付け、引き剥
がして評価したところ、剥がれた塗膜の数(これを「高
温高湿処理後剥がれ数」と称する)は0であり、高温高
湿後処理後の密着性も優れていることが確認された。
上に上記ポジ型感光性樹脂を最終5μmとなるように塗
布した後、パターン加工を施して上と同様に硬化した。
その後、チップサイズ毎に分割、16Pin DIP(Dual Inl
ine Package)用リードフレームに導電性ペーストを用い
てマウントした後、半導体封止用エポキシ樹脂(住友ベ
ークライト(株)製、EME―6300H)で封止して、
16Pin DIPを得た。これらのパッケージを85℃/8
5%湿度の条件で168時間処理した後、260℃半田
浴槽に10秒浸漬し、ついで高温、高湿のプレッシャー
クッカー処理(125℃、2.3atm、100%R
H)を施してAl回路のオープン不良をチェックした。
その結果を表1に示すようにPCT1000時間でも、
半導体の不良は皆無であった。
化合物C−1をC−2に替えて評価を行った。 《実施例3》実施例1における有機ケイ素化合物C―1
をC−3に替えて評価を行った。 《実施例4》実施例1における有機ケイ素化合物D―1
をD−2に替えて評価を行った。 《実施例5》実施例1における有機ケイ素化合物D―1
をD−3に替えて評価を行った。 《実施例6》実施例1における有機ケイ素化合物C−1
の添加量を3g、有機ケイ素化合物D―1を1gにして
評価を行った。 《実施例7》実施例1における有機ケイ素化合物C−1
の添加量を9g、有機ケイ素化合物D―1を9gにして
評価を行った。 《実施例8》実施例1における感光性ジアゾキノン化合
物B−1をB−2に替えて評価を行った。 《実施例9》実施例1におけるポリアミドの合成におい
て、ジフェニルエーテル−4、4’−ジカルボン酸1モ
ルの替わりに、ジフェニルスルホン−4、4’−ジカル
ボン酸1モルを反応させて得られたジカルボン酸誘導体
を用いてポリアミド(A−2)を合成し、その他は実施
例1と同様の評価を行った。
ドの合成において、ジフェニルエーテル−4、4’−ジ
カルボン酸1モルの替わりに、テレフタル酸0.8モ
ル、イソフタル酸0.2モルを反応させて得られたジカ
ルボン酸誘導体を用いてポリアミド(A−3)を合成
し、その他は実施例1と同様の評価を行った。 《実施例11》実施例1におけるポリアミドの合成にお
いてヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−
ヒドロキシフェニル)プロパン1モルの替わりに3、
3’−ジアミノ−4、4’−ジヒドロキシジフェニルス
ルホン1モルを用いて、ポリアミド(A−4)を合成
し、その他は実施例1と同様の評価を行った。 《実施例12》実施例1におけるポリアミドの合成にお
いてヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−
ヒドロキシフェニル)プロパン1モルの替わりに3、3
‘−ジアミノ−4、4’−ジヒドロキシジフェニルエー
テル1モルを用いて、ポリアミド(A−5)を合成し、
その他は実施例1と同様の評価を行った。 《実施例13》実施例1におけるポリアミドの合成にお
いてヘキサフルオロ−2,2−ビス(3−アミノ−4−
ヒドロキシフェニル)プロパンを329.6g(0.9
モル)に減らし、替わりに1,3−ビス(3−アミノプ
ロピル)−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン
24.9g(0.1モル)を加え、ポリアミド(A−
6)を合成し、その他は実施例1と同様の評価を行っ
た。 《実施例14》実施例1におけるポリアミドの合成にお
いて5−ノルボルネン−2、3−ジカルボン酸無水物
0.2モルの替わりに無水マレイン酸0.2モルを用い
てポリアミド(A−7)を合成し、その他は実施例1と
同様の評価を行った。 《実施例15》実施例1における感光性ジアゾキノン化
合物B−1をB−3に替えて、更に添加量を25gから
15gに減らし、また有機ケイ素化合物D―1の添加量
を0.5gにして評価を行った。 《実施例16》実施例1における感光性ジアゾキノン化
合物B−1をB−4に替えて、更に添加量を25gから
32gに増やし、また有機ケイ素化合物C―1の添加量
を0.5gにして評価を行った。以上実施例2〜16の
結果は表1に示すように、全て良好な性能を示した。
化合物C−1、また有機ケイ素化合物D−1を添加しな
いで評価を行った。その結果、表1に示すように硬化後
剥がれ数は100と非常に悪かった。また半導体信頼性
評価でも不良が発生した。 《比較例2》実施例1において有機ケイ素化合物C−1
を添加しないで評価を行った。その結果、硬化後剥がれ
数は66、高温高湿処理後剥がれ数は100と非常に悪
かった。また半導体信頼性評価でも不良が発生した。 《比較例3》実施例1において有機ケイ素化合物D−1
を添加しないで評価を行った。その結果、硬化後剥がれ
数は100と非常に悪かった。また半導体信頼性評価で
も不良が発生した。 《比較例4》実施例1において有機ケイ素化合物C−1
の添加量を15gにして、有機ケイ素化合物D−1を添
加しないで評価を行った。その結果、硬化後剥がれ数は
5、高温高湿処理後剥がれ数は90と非常に悪かった。
また半導体信頼性評価でも不良が発生した。 《比較例5》実施例1において有機ケイ素化合物D−1
の添加量を8gにして、有機ケイ素化合物C−1を添加
しないで評価を行った。その結果、高温高湿処理後剥が
れ数は37と非常に悪かった。また半導体信頼性評価で
も不良が発生した。 《比較例6》実施例1において有機ケイ素化合物D−1
の添加量を15gにして、有機ケイ素化合物C−1を添
加しないで評価を行った。その結果、現像後の残膜率は
67.1%と非常に悪かった。以上実施例1〜16、比
較例1〜6の評価結果を表1に示す。
との密着性に優れ、かつ硬化工程において厳密な酸素濃
度の管理を行わないで硬化しても充分な密着性が得られ
るポジ型感光性樹脂組成物、及びそれを用いた高信頼性
の半導体装置を得ることができる。
Claims (7)
- 【請求項1】 一般式(I)で示されるポリアミド
(A)100重量部と感光性ジアゾキノン化合物(B)
1〜100重量部と一般式(II)で表わされる有機ケイ
素化合物(C)0.1〜10重量部と一般式(III)で
表わされる有機ケイ素化合物(D)0.1〜10重量部
からなることを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。 【化1】 【化2】 【化3】 - 【請求項2】 有機ケイ素化合物(C)におけるR
5が、下記より選ばれてなる請求項1記載のポジ型感光
性樹脂組成物。 【化4】 - 【請求項3】 有機ケイ素化合物(D)におけるR
9が、下記構造である請求項1記載のポジ型感光性樹脂
組成物。 【化5】 - 【請求項4】 一般式(I)のポリアミドにおけるX
が、下記より選ばれてなる請求項1、2又は3記載のポ
ジ型感光性樹脂組成物。 【化6】 - 【請求項5】 一般式(I)のポリアミドにおけるY
が、下記より選ばれてなる請求項1、2又は3記載のポ
ジ型感光性樹脂組成物。 【化7】 - 【請求項6】 感光性ジアゾキノン化合物(B)が、下
記より選ばれてなる請求項1、2、3、4又は5記載の
ポジ型感光性樹脂組成物。 【化8】 - 【請求項7】 請求項1、2、3、4、5又は6記載の
ポジ型感光性樹脂組成物を、加熱脱水閉環後の膜厚が
0.1〜20μmになるように半導体素子上に塗布し、
プリベーク、露光、現像、加熱してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34866798A JP3422703B2 (ja) | 1997-12-11 | 1998-12-08 | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9-341764 | 1997-12-11 | ||
JP34176497 | 1997-12-11 | ||
JP34866798A JP3422703B2 (ja) | 1997-12-11 | 1998-12-08 | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11258787A JPH11258787A (ja) | 1999-09-24 |
JP3422703B2 true JP3422703B2 (ja) | 2003-06-30 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34866798A Expired - Fee Related JP3422703B2 (ja) | 1997-12-11 | 1998-12-08 | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3422703B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100669508B1 (ko) * | 2005-08-31 | 2007-01-16 | 한국화학연구원 | 아믹산-실록산 화합물과 이 화합물을 졸-겔 반응하여제조된 이미드-실록산 중합체 |
JP4918313B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2012-04-18 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
WO2008065944A1 (fr) * | 2006-11-30 | 2008-06-05 | Toray Industries, Inc. | Composition de siloxane photosensible, film durci formé à partir de celle-ci et dispositif ayant le film durci |
JP2008203613A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ポリオルガノシロキサン組成物 |
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CN102016718B (zh) * | 2008-05-07 | 2013-10-16 | 住友电木株式会社 | 正型感光性树脂组合物、固化膜、保护膜和绝缘膜以及使用它们的半导体装置和显示装置 |
-
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- 1998-12-08 JP JP34866798A patent/JP3422703B2/ja not_active Expired - Fee Related
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