JP3409557B2 - 無電解メッキ方法 - Google Patents
無電解メッキ方法Info
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- JP3409557B2 JP3409557B2 JP01535996A JP1535996A JP3409557B2 JP 3409557 B2 JP3409557 B2 JP 3409557B2 JP 01535996 A JP01535996 A JP 01535996A JP 1535996 A JP1535996 A JP 1535996A JP 3409557 B2 JP3409557 B2 JP 3409557B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、無電解メッキ方法
に関するものであり、特に、無電解メッキに不可欠な、
無電解メッキ用触媒核の活性化処理方法に関するもので
ある。
に関するものであり、特に、無電解メッキに不可欠な、
無電解メッキ用触媒核の活性化処理方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来より、無電解メッキは、プラスチッ
ク、ガラス、セラミック等の絶縁物表面を金属化する方
法として用いられている。この無電解メッキの方法とし
ては、各種のエッチング方法により被メッキ物の表面を
粗面化及び親水化させた後、被メッキ物に無電解メッキ
の触媒核を付与（核付け処理）し、次いで、その触媒核
を活性化（活性化処理）した後、無電解メッキ液に浸漬
することにより、無電解メッキ皮膜を析出させる方法
が、一般に行われている。
ク、ガラス、セラミック等の絶縁物表面を金属化する方
法として用いられている。この無電解メッキの方法とし
ては、各種のエッチング方法により被メッキ物の表面を
粗面化及び親水化させた後、被メッキ物に無電解メッキ
の触媒核を付与（核付け処理）し、次いで、その触媒核
を活性化（活性化処理）した後、無電解メッキ液に浸漬
することにより、無電解メッキ皮膜を析出させる方法
が、一般に行われている。
【０００３】無電解メッキにおいては、核付け処理及び
活性化処理が重要な工程であり、これらの処理の良し悪
しが無電解メッキ皮膜の析出性、密着性に影響を及ぼ
す。
活性化処理が重要な工程であり、これらの処理の良し悪
しが無電解メッキ皮膜の析出性、密着性に影響を及ぼ
す。
【０００４】そのため、これらの方法として、塩化スズ
溶液に被メッキ物を浸漬し、表面に２価のスズイオンを
吸着させた後、塩化パラジウム溶液に浸漬することによ
り、パラジウムイオンを還元し、活性なパラジウム触媒
核を表面に付着させるセンシーアクチ法や、被メッキ物
をコンディショナー溶液に浸漬し、表面を触媒核が付着
し易いように調整し、次いでプリディツプ溶液に浸漬し
た後、コロイド状態の触媒核を含有するキャタリスト溶
液に浸漬して、表面に触媒核を付着させ、次いで、アク
セレーターと呼ばれる活性化液に浸漬することにより、
触媒核を活性化するコロイド法等が検討され行われてい
る。
溶液に被メッキ物を浸漬し、表面に２価のスズイオンを
吸着させた後、塩化パラジウム溶液に浸漬することによ
り、パラジウムイオンを還元し、活性なパラジウム触媒
核を表面に付着させるセンシーアクチ法や、被メッキ物
をコンディショナー溶液に浸漬し、表面を触媒核が付着
し易いように調整し、次いでプリディツプ溶液に浸漬し
た後、コロイド状態の触媒核を含有するキャタリスト溶
液に浸漬して、表面に触媒核を付着させ、次いで、アク
セレーターと呼ばれる活性化液に浸漬することにより、
触媒核を活性化するコロイド法等が検討され行われてい
る。
【０００５】しかし、これらの方法の場合、触媒核の活
性化時及びその直後の水洗で触媒核が脱落しやすく、被
メッキ物表面と無電解メッキ皮膜の密着力のばらつきが
発生しやすいという問題や、処理工程が多く、また湿式
で行うため、各種処理液の浴管理が必要、洗浄水等の多
量の廃液処理が必要というような種々の問題があった。
性化時及びその直後の水洗で触媒核が脱落しやすく、被
メッキ物表面と無電解メッキ皮膜の密着力のばらつきが
発生しやすいという問題や、処理工程が多く、また湿式
で行うため、各種処理液の浴管理が必要、洗浄水等の多
量の廃液処理が必要というような種々の問題があった。
【０００６】そこで、触媒核を被メッキ物に付与した
後、乾式法で活性化する方法が検討されている（例え
ば、特開昭６４−５５３８７号）。
後、乾式法で活性化する方法が検討されている（例え
ば、特開昭６４−５５３８７号）。
【０００７】しかし、特開昭６４−５５３８７号の実施
例に記載されているような、薄層の無電解メッキ皮膜を
形成するために、熱分解性の銀またはパラジウムを被メ
ッキ物上に積層した後、熱又はプラズマを用いて活性化
処理を行う方法の場合、活性化処理を熱処理で行うとき
には、４００〜５００℃の熱処理が必要なため、触媒核
が酸化し、被メッキ物表面と無電解メッキ皮膜の密着力
の低下が懸念される問題や、プラズマを用いると低温で
の処理が可能となるが、減圧プラズマを用いる必要があ
るため、真空ポンプ等の減圧用の大がかりな設備が必要
であり、また量産性が劣るという問題や、得られる無電
解メッキ皮膜は均一な薄層の皮膜とはなるものの、被メ
ッキ物表面と無電解メッキ皮膜の密着性が低いという問
題があった。
例に記載されているような、薄層の無電解メッキ皮膜を
形成するために、熱分解性の銀またはパラジウムを被メ
ッキ物上に積層した後、熱又はプラズマを用いて活性化
処理を行う方法の場合、活性化処理を熱処理で行うとき
には、４００〜５００℃の熱処理が必要なため、触媒核
が酸化し、被メッキ物表面と無電解メッキ皮膜の密着力
の低下が懸念される問題や、プラズマを用いると低温で
の処理が可能となるが、減圧プラズマを用いる必要があ
るため、真空ポンプ等の減圧用の大がかりな設備が必要
であり、また量産性が劣るという問題や、得られる無電
解メッキ皮膜は均一な薄層の皮膜とはなるものの、被メ
ッキ物表面と無電解メッキ皮膜の密着性が低いという問
題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
改善するために成されたもので、その目的とするところ
は、被メッキ物表面に貴金属化合物を付着した後、プラ
ズマ処理で活性化し、次いで無電解メッキを行う無電解
メッキ方法であって、常圧下で処理ができ、かつ、被メ
ッキ物表面と無電解メッキ皮膜の密着性が高い無電解メ
ッキ方法を提供することにある。
改善するために成されたもので、その目的とするところ
は、被メッキ物表面に貴金属化合物を付着した後、プラ
ズマ処理で活性化し、次いで無電解メッキを行う無電解
メッキ方法であって、常圧下で処理ができ、かつ、被メ
ッキ物表面と無電解メッキ皮膜の密着性が高い無電解メ
ッキ方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
無電解メッキ方法は、被メッキ物表面に貴金属化合物を
付着した後、プラズマ処理で活性化し、次いで無電解メ
ッキを行う無電解メッキ方法において、貴金属化合物を
付着及び活性化する方法が、被メッキ物表面に貴金属化
合物及び未硬化の熱硬化性樹脂を含有する液体を塗布し
た後、その熱硬化性樹脂を硬化し、次いで、常圧で励起
するガスプラズマを用いて常圧でプラズマ処理を行う方
法であることを特徴とする。
無電解メッキ方法は、被メッキ物表面に貴金属化合物を
付着した後、プラズマ処理で活性化し、次いで無電解メ
ッキを行う無電解メッキ方法において、貴金属化合物を
付着及び活性化する方法が、被メッキ物表面に貴金属化
合物及び未硬化の熱硬化性樹脂を含有する液体を塗布し
た後、その熱硬化性樹脂を硬化し、次いで、常圧で励起
するガスプラズマを用いて常圧でプラズマ処理を行う方
法であることを特徴とする。
【００１０】本発明の請求項２に係る無電解メッキ方法
は、請求項１記載の無電解メッキ方法において、貴金属
化合物が、パラジウム又は銀の化合物であることを特徴
とする。
は、請求項１記載の無電解メッキ方法において、貴金属
化合物が、パラジウム又は銀の化合物であることを特徴
とする。
【００１１】本発明の請求項３に係る無電解メッキ方法
は、請求項１又は請求項２記載の無電解メッキ方法にお
いて、貴金属化合物が、パラジウム又は銀の有機化合物
であることを特徴とする。
は、請求項１又は請求項２記載の無電解メッキ方法にお
いて、貴金属化合物が、パラジウム又は銀の有機化合物
であることを特徴とする。
【００１２】本発明の請求項４に係る無電解メッキ方法
は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の無電解メ
ッキ方法において、ガスプラズマが還元性ガスを用いて
励起する還元性ガスプラズマであることを特徴とする。
は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の無電解メ
ッキ方法において、ガスプラズマが還元性ガスを用いて
励起する還元性ガスプラズマであることを特徴とする。
【００１３】本発明の請求項５に係る無電解メッキ方法
は、請求項１から請求項４のいずれかに記載の無電解メ
ッキ方法において、ガスプラズマを用いて常圧でプラズ
マ処理を行う方法が、酸化性ガスを用いて励起する酸化
性ガスプラズマで処理した後、還元性ガスを用いて励起
する還元性ガスプラズマで処理する方法であることを特
徴とする。
は、請求項１から請求項４のいずれかに記載の無電解メ
ッキ方法において、ガスプラズマを用いて常圧でプラズ
マ処理を行う方法が、酸化性ガスを用いて励起する酸化
性ガスプラズマで処理した後、還元性ガスを用いて励起
する還元性ガスプラズマで処理する方法であることを特
徴とする。
【００１４】本発明によると、貴金属化合物及び未硬化
の熱硬化性樹脂を含有する液体を塗布した後、熱硬化性
樹脂を硬化するため、その硬化により、被メッキ物表面
と貴金属化合物を含有する樹脂が強固に接着する。その
ため貴金属化合物を活性化した後メッキ処理を行うと、
被メッキ物表面と密着性が高いメッキ皮膜が得られる。
また、常圧下でプラズマ処理をするため、貴金属化合物
の揮発が少なくなり、無電解メッキをするための触媒核
を確実に被メッキ物表面に形成することができ、被メッ
キ物表面と密着性が高いメッキ皮膜が得られる。
の熱硬化性樹脂を含有する液体を塗布した後、熱硬化性
樹脂を硬化するため、その硬化により、被メッキ物表面
と貴金属化合物を含有する樹脂が強固に接着する。その
ため貴金属化合物を活性化した後メッキ処理を行うと、
被メッキ物表面と密着性が高いメッキ皮膜が得られる。
また、常圧下でプラズマ処理をするため、貴金属化合物
の揮発が少なくなり、無電解メッキをするための触媒核
を確実に被メッキ物表面に形成することができ、被メッ
キ物表面と密着性が高いメッキ皮膜が得られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明に係る無電解メッキ方法
は、図１に示す工程フロー図のように、被メッキ物前処
理、塗布、硬化、プラズマ処理及び無電解メッキ処理の
各工程を有する。
は、図１に示す工程フロー図のように、被メッキ物前処
理、塗布、硬化、プラズマ処理及び無電解メッキ処理の
各工程を有する。
【００１６】被メッキ物前処理の工程は、被メッキ物表
面の汚れ状態等により必要に応じて行われる工程であ
り、例えば、脱脂処理、湯洗処理、粗面化処理等によ
り、被メッキ物表面の洗浄や、粗面化が行われる。な
お、被メッキ物としてはプラスチック、ガラス、セラミ
ック等の絶縁体が使用でき、特に限定されないが、プラ
スチック等の有機樹脂成形体の場合、本発明の無電解メ
ッキ皮膜の密着性を高める効果が大きく好ましい。
面の汚れ状態等により必要に応じて行われる工程であ
り、例えば、脱脂処理、湯洗処理、粗面化処理等によ
り、被メッキ物表面の洗浄や、粗面化が行われる。な
お、被メッキ物としてはプラスチック、ガラス、セラミ
ック等の絶縁体が使用でき、特に限定されないが、プラ
スチック等の有機樹脂成形体の場合、本発明の無電解メ
ッキ皮膜の密着性を高める効果が大きく好ましい。
【００１７】塗布の工程は、被メッキ物表面に、貴金属
化合物及び未硬化の熱硬化性樹脂を含有する液体を塗布
する工程であり、この液体は、貴金属化合物及び熱硬化
性樹脂を必須として含有し、必要に応じて硬化剤、硬化
助剤、溶剤等を含有する。
化合物及び未硬化の熱硬化性樹脂を含有する液体を塗布
する工程であり、この液体は、貴金属化合物及び熱硬化
性樹脂を必須として含有し、必要に応じて硬化剤、硬化
助剤、溶剤等を含有する。
【００１８】使用する貴金属化合物としては、銀、パラ
ジウム、白金、金等の貴金属化合物が挙げられる。これ
らはプラズマ処理すると、貴金属化合物が分解して金属
微粒子を生成するものであり、例えば、化合物として
は、ハロゲン化物、炭酸塩、無機酸塩、有機酸塩、有機
錯体、無機錯体等の無機あるいは有機化合物が挙げられ
る。なお、パラジウム又は銀の化合物の場合、プラズマ
処理すると無電解メッキ用触媒核としての活性が高くな
り好ましい。また、有機酸塩、有機錯体等の有機化合物
の場合、プラズマ処理で分解されやすく好ましい。な
お、これらの貴金属化合物は、塗布する液体中に２種類
以上を含有していてもよい。
ジウム、白金、金等の貴金属化合物が挙げられる。これ
らはプラズマ処理すると、貴金属化合物が分解して金属
微粒子を生成するものであり、例えば、化合物として
は、ハロゲン化物、炭酸塩、無機酸塩、有機酸塩、有機
錯体、無機錯体等の無機あるいは有機化合物が挙げられ
る。なお、パラジウム又は銀の化合物の場合、プラズマ
処理すると無電解メッキ用触媒核としての活性が高くな
り好ましい。また、有機酸塩、有機錯体等の有機化合物
の場合、プラズマ処理で分解されやすく好ましい。な
お、これらの貴金属化合物は、塗布する液体中に２種類
以上を含有していてもよい。
【００１９】貴金属化合物の量としては、特に制限はな
いが、液体中の貴金属化合物の濃度が、０．１〜５重量
％となるように配合すると好ましい。０．１重量％未満
では、被メッキ物の表面に付着する貴金属化合物の量が
少なくなるため、無電解メッキ皮膜が均一に析出しにく
くなり、５重量％を越えると、貴金属化合物が厚く付着
し破断が触媒核層内で起こる場合があるため、無電解メ
ッキとの十分な密着性が得にくくなる。
いが、液体中の貴金属化合物の濃度が、０．１〜５重量
％となるように配合すると好ましい。０．１重量％未満
では、被メッキ物の表面に付着する貴金属化合物の量が
少なくなるため、無電解メッキ皮膜が均一に析出しにく
くなり、５重量％を越えると、貴金属化合物が厚く付着
し破断が触媒核層内で起こる場合があるため、無電解メ
ッキとの十分な密着性が得にくくなる。
【００２０】使用する熱硬化性樹脂としては、特に限定
するものではなく、エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂
系、フェノール樹脂系、ポリフェニレンオキサイド樹脂
系等の熱硬化性樹脂が挙げられる。なお、エポキシ樹脂
系等自己硬化性の低い樹脂は、その樹脂を硬化するため
の硬化剤等も熱硬化性樹脂として配合する。
するものではなく、エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂
系、フェノール樹脂系、ポリフェニレンオキサイド樹脂
系等の熱硬化性樹脂が挙げられる。なお、エポキシ樹脂
系等自己硬化性の低い樹脂は、その樹脂を硬化するため
の硬化剤等も熱硬化性樹脂として配合する。
【００２１】なお、塗布する液体に必要に応じて溶剤を
含有させてもよい。使用できる溶剤は特に限定するもの
ではなく、例えば、ＭＥＫ、ＤＭＦ、アセトニトリル、
アセトン等が挙げられる。
含有させてもよい。使用できる溶剤は特に限定するもの
ではなく、例えば、ＭＥＫ、ＤＭＦ、アセトニトリル、
アセトン等が挙げられる。
【００２２】液体を塗布する方法としては、特に限定さ
れるものではなく、液体中に被メッキ物を浸漬、あるい
は液体を被メッキ物にスプレーする等の方法により塗布
を行う。被メッキ物を液体に浸漬する方法の場合、ｌ〜
５分程度浸漬すると好ましい。また、塗布後溶剤の乾燥
を必要に応じて実施するが、その条件は、室温〜１５０
℃程度の、表面の溶媒が除去できる温度であればよい。
なお、塗布及び乾燥は複数回繰り返してもよい。
れるものではなく、液体中に被メッキ物を浸漬、あるい
は液体を被メッキ物にスプレーする等の方法により塗布
を行う。被メッキ物を液体に浸漬する方法の場合、ｌ〜
５分程度浸漬すると好ましい。また、塗布後溶剤の乾燥
を必要に応じて実施するが、その条件は、室温〜１５０
℃程度の、表面の溶媒が除去できる温度であればよい。
なお、塗布及び乾燥は複数回繰り返してもよい。
【００２３】硬化の工程は、被メッキ物表面に塗布され
た熱硬化性樹脂を硬化させ、貴金属化合物を含有する樹
脂硬化物層を、被メッキ物表面に形成する工程である。
硬化により、被メッキ物表面と貴金属化合物を含有する
樹脂が強固に接着する。そのため以後の工程で、この樹
脂の表面に露出した貴金属化合物を活性化した後メッキ
処理を行うと、高い密着性が得られる。この理由とし
て、密着性の発現要因であるアンカー効果に加え、樹脂
の硬化により貴金属化合物と樹脂の間の結合が形成され
るためと推定される。硬化の条件は、使用する熱硬化性
樹脂の種類により調整するが、１００〜２５０℃程度で
行う。なお、熱硬化性樹脂の硬化は、後工程のプラズマ
処理で、完全には分解しない程度の硬化度であれば、半
硬化の状態でもよい。このような場合には、無電解メッ
キ等により必要な厚みの導体層を形成した後に完全に硬
化させると、さらに被メッキ物表面と無電解メッキ皮膜
の密着性を高めることができる。
た熱硬化性樹脂を硬化させ、貴金属化合物を含有する樹
脂硬化物層を、被メッキ物表面に形成する工程である。
硬化により、被メッキ物表面と貴金属化合物を含有する
樹脂が強固に接着する。そのため以後の工程で、この樹
脂の表面に露出した貴金属化合物を活性化した後メッキ
処理を行うと、高い密着性が得られる。この理由とし
て、密着性の発現要因であるアンカー効果に加え、樹脂
の硬化により貴金属化合物と樹脂の間の結合が形成され
るためと推定される。硬化の条件は、使用する熱硬化性
樹脂の種類により調整するが、１００〜２５０℃程度で
行う。なお、熱硬化性樹脂の硬化は、後工程のプラズマ
処理で、完全には分解しない程度の硬化度であれば、半
硬化の状態でもよい。このような場合には、無電解メッ
キ等により必要な厚みの導体層を形成した後に完全に硬
化させると、さらに被メッキ物表面と無電解メッキ皮膜
の密着性を高めることができる。
【００２４】プラズマ処理の工程は、被メッキ物表面に
塗布された貴金属化合物を、常圧で励起するガスプラズ
マで分解させて活性化し、被メッキ物表面に触媒核とな
る金属微粒子を形成する工程である。
塗布された貴金属化合物を、常圧で励起するガスプラズ
マで分解させて活性化し、被メッキ物表面に触媒核とな
る金属微粒子を形成する工程である。
【００２５】常圧で励起するガスプラズマを用いてプラ
ズマ処理する方法を図面に基づいて説明する。図２は本
発明に使用されるプラズマ処理装置を説明する図であ
る。図２に示すように、プラズマ装置は開放系となって
いる反応槽１を備え、この反応槽１の壁面にはガス導入
口７が設けられている。また、反応槽１内には図示しな
い熱電対が差し込まれており、反応槽１内の雰囲気温度
がモニターできるようになっている。また、反応槽１内
には上部電極２と下部電極３の２つの平板状電極が所定
距離を隔てて対面するようにして平行に設置されてお
り、下部電極３の上面には、固体誘電体６が置かれてい
る。上部電極２及び下部電極３はそれぞれ反応槽１とは
電気的に絶縁されており、上部電極２は交流電源に接続
され、下部電極３は接地されている。なお、固体誘電体
６は、上部電極２の下面と下部電極３の上面の両方に設
けられていても良いし、上部電極２の下面にのみ設けら
れていても良い。この固体誘電体６はアーク放電の発生
を防止しグロー放電を継続して発生させる働きをする。
ズマ処理する方法を図面に基づいて説明する。図２は本
発明に使用されるプラズマ処理装置を説明する図であ
る。図２に示すように、プラズマ装置は開放系となって
いる反応槽１を備え、この反応槽１の壁面にはガス導入
口７が設けられている。また、反応槽１内には図示しな
い熱電対が差し込まれており、反応槽１内の雰囲気温度
がモニターできるようになっている。また、反応槽１内
には上部電極２と下部電極３の２つの平板状電極が所定
距離を隔てて対面するようにして平行に設置されてお
り、下部電極３の上面には、固体誘電体６が置かれてい
る。上部電極２及び下部電極３はそれぞれ反応槽１とは
電気的に絶縁されており、上部電極２は交流電源に接続
され、下部電極３は接地されている。なお、固体誘電体
６は、上部電極２の下面と下部電極３の上面の両方に設
けられていても良いし、上部電極２の下面にのみ設けら
れていても良い。この固体誘電体６はアーク放電の発生
を防止しグロー放電を継続して発生させる働きをする。
【００２６】上部電極２及び下部電極３の間隔は、固体
誘電体６及び被メッキ物４が挿入できるための必要最小
間隔、具体的には処理時のガス流量等にも依存するが５
ｍｍ以下となるように設置されていることが望ましい。
誘電体６及び被メッキ物４が挿入できるための必要最小
間隔、具体的には処理時のガス流量等にも依存するが５
ｍｍ以下となるように設置されていることが望ましい。
【００２７】被メッキ物４は、上部電極２と下部電極３
の間に配置される。なおこの時、被メッキ物４は、上部
電極２及び下部電極３から共に離した状態に保つことが
好ましい。
の間に配置される。なおこの時、被メッキ物４は、上部
電極２及び下部電極３から共に離した状態に保つことが
好ましい。
【００２８】貴金属化合物を常圧で励起するガスプラズ
マで処理する条件としては、キャリアガスとして、ヘリ
ウム、アルゴン等の希ガス又は窒素のうち少なくとも一
つを使用し、反応ガスとして、水素、アンモニア等の還
元性ガス又は酸素、二酸化炭素等の酸化性ガスを使用す
る。なお、キャリアガス及び反応ガスとして空気を単独
で使用することも可能である。この場合は、空気中に含
まれる酸素ガスが反応ガスの役割を果たす。なお、還元
性ガスを反応ガスとして使用すると、メッキ皮膜との密
着性が向上し好ましい。また、酸化性ガスプラズマで処
理した後、還元性ガスプラズマで処理すると、更にメッ
キ皮膜との密着性が向上し好ましい。酸化性ガスプラズ
マで処理を行った後、還元性ガスプラズマで処理を行う
と、酸化性ガスプラズマにより、樹脂硬化物層の一部が
プラズマ酸化を受けてエッチングされ、貴金属成分が表
面に露出する量が多くなるため、メッキ皮膜との密着性
がアップすると考えられる。
マで処理する条件としては、キャリアガスとして、ヘリ
ウム、アルゴン等の希ガス又は窒素のうち少なくとも一
つを使用し、反応ガスとして、水素、アンモニア等の還
元性ガス又は酸素、二酸化炭素等の酸化性ガスを使用す
る。なお、キャリアガス及び反応ガスとして空気を単独
で使用することも可能である。この場合は、空気中に含
まれる酸素ガスが反応ガスの役割を果たす。なお、還元
性ガスを反応ガスとして使用すると、メッキ皮膜との密
着性が向上し好ましい。また、酸化性ガスプラズマで処
理した後、還元性ガスプラズマで処理すると、更にメッ
キ皮膜との密着性が向上し好ましい。酸化性ガスプラズ
マで処理を行った後、還元性ガスプラズマで処理を行う
と、酸化性ガスプラズマにより、樹脂硬化物層の一部が
プラズマ酸化を受けてエッチングされ、貴金属成分が表
面に露出する量が多くなるため、メッキ皮膜との密着性
がアップすると考えられる。
【００２９】プラズマ処理を行う際には、キャリアガス
ボンベ９内のキャリアガスをガス導入口７より反応槽１
内に導入するとともに、上部電極２及び下部電極３に交
流電力を供給する。この交流電力の供給により、上部電
極２及び下部電極３の間にグロー放電が生じ、プラズマ
が励起される。その後、還元性ガスボンベ１０又は酸化
性ガスボンベ１１内の反応ガスを、ガス導入口７より、
キャリアガスとともに反応槽１内に導入して、被メッキ
物４をプラズマ処理することにより、被メッキ物４表面
の貴金属化合物を分解させて活性化し、被メッキ物４表
面に触媒核となる金属微粒子を形成する。なおこの際、
流量調整により反応ガス及びキャリアガスはそれぞれ所
定流量が反応槽１内に導入されるようになっている。こ
のように、常圧で処理をするため、貴金属化合物の揮発
が少なくなり、無電解メッキをするときの触媒核を確実
に被メッキ物４の表面に形成することができる。
ボンベ９内のキャリアガスをガス導入口７より反応槽１
内に導入するとともに、上部電極２及び下部電極３に交
流電力を供給する。この交流電力の供給により、上部電
極２及び下部電極３の間にグロー放電が生じ、プラズマ
が励起される。その後、還元性ガスボンベ１０又は酸化
性ガスボンベ１１内の反応ガスを、ガス導入口７より、
キャリアガスとともに反応槽１内に導入して、被メッキ
物４をプラズマ処理することにより、被メッキ物４表面
の貴金属化合物を分解させて活性化し、被メッキ物４表
面に触媒核となる金属微粒子を形成する。なおこの際、
流量調整により反応ガス及びキャリアガスはそれぞれ所
定流量が反応槽１内に導入されるようになっている。こ
のように、常圧で処理をするため、貴金属化合物の揮発
が少なくなり、無電解メッキをするときの触媒核を確実
に被メッキ物４の表面に形成することができる。
【００３０】プラズマ処理の条件として、例えば、以下
のような条件で行うと好ましい。反応ガスとキャリアガ
スの混合割合としては、キャリアガスに対し反応ガスを
１５容積％以下にする。交流電力としては、周波数５０
Ｈｚ〜１３．６ＭＨｚの電力を印加する。処理時間とし
ては、処理条件にもよるが、０．５分〜５分程度とす
る。反応槽内の圧力は常圧で行う。なお、反応槽１内の
圧力は、本発明の効果を達成できる程度であれば、多少
の減圧状態、あるいは、加圧状態で処理を行ってもよ
い。
のような条件で行うと好ましい。反応ガスとキャリアガ
スの混合割合としては、キャリアガスに対し反応ガスを
１５容積％以下にする。交流電力としては、周波数５０
Ｈｚ〜１３．６ＭＨｚの電力を印加する。処理時間とし
ては、処理条件にもよるが、０．５分〜５分程度とす
る。反応槽内の圧力は常圧で行う。なお、反応槽１内の
圧力は、本発明の効果を達成できる程度であれば、多少
の減圧状態、あるいは、加圧状態で処理を行ってもよ
い。
【００３１】なお、一台の設備を使ってプラズマ処理を
行うことに限定するものではなく、酸化性ガスプラズマ
で処理する設備と、還元性ガスプラズマで処理する設備
の２台の設備を使用してもよく、また、被メッキ物を連
続的に処理するために、ベルト等の搬送装置を備える
と、連続処理を行うことも可能である。
行うことに限定するものではなく、酸化性ガスプラズマ
で処理する設備と、還元性ガスプラズマで処理する設備
の２台の設備を使用してもよく、また、被メッキ物を連
続的に処理するために、ベルト等の搬送装置を備える
と、連続処理を行うことも可能である。
【００３２】次いで、無電解メッキ処理工程では、無電
解メッキを行う。無電解メッキの方法としては特に限定
するものではなく各種の方法を用いることができる。な
お、無電解メッキ液としては、銅、ニッケル、銀等の各
種メッキ液が使用できる。被メッキ物の表面に活性化さ
れた触媒核が形成されているため、無電解メッキを行う
と、被メッキ物表面と密着性が高いメッキ皮膜が形成さ
れる。
解メッキを行う。無電解メッキの方法としては特に限定
するものではなく各種の方法を用いることができる。な
お、無電解メッキ液としては、銅、ニッケル、銀等の各
種メッキ液が使用できる。被メッキ物の表面に活性化さ
れた触媒核が形成されているため、無電解メッキを行う
と、被メッキ物表面と密着性が高いメッキ皮膜が形成さ
れる。
【００３３】
（実施例１）両面銅張り積層板（ＦＲ−４タイプ）［松
下電工社製 品番Ｒ１７０５］の銅箔をエッチングし、
表面の銅を除去した基板を用意し、水酸化カリウム溶液
で脱脂処理した。次に、表１に示す貴金属化合物、テト
ラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ジシアンジ
アミド、硬化促進剤及び溶剤を配合した液体に、脱脂処
理した基板を浸漬し、溶剤成分を乾燥した後、１７０℃
に昇温した乾燥機で９０分処理して樹脂を硬化させた。
なお、液体中の貴金属化合物の濃度は表１に示す濃度で
あり、熱硬化性樹脂（テトラブロモビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ジシアンジアミド、硬化促進剤）の濃度
は０．５重量％であった。
下電工社製 品番Ｒ１７０５］の銅箔をエッチングし、
表面の銅を除去した基板を用意し、水酸化カリウム溶液
で脱脂処理した。次に、表１に示す貴金属化合物、テト
ラブロモビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ジシアンジ
アミド、硬化促進剤及び溶剤を配合した液体に、脱脂処
理した基板を浸漬し、溶剤成分を乾燥した後、１７０℃
に昇温した乾燥機で９０分処理して樹脂を硬化させた。
なお、液体中の貴金属化合物の濃度は表１に示す濃度で
あり、熱硬化性樹脂（テトラブロモビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ジシアンジアミド、硬化促進剤）の濃度
は０．５重量％であった。
【００３４】次いで、ガスプラズマ装置を用いて、常圧
下で、表１に示す還元性ガスを用いて励起する還元性ガ
スプラズマで処理した後、無電解銅メッキ液［シプレイ
社製品番ＣＭ３８５２］に基板を浸漬し、無電解銅メッ
キ皮膜を約０．３μｍ析出させた。なお、プラズマ処理
の条件は、表１に示す条件で行った。
下で、表１に示す還元性ガスを用いて励起する還元性ガ
スプラズマで処理した後、無電解銅メッキ液［シプレイ
社製品番ＣＭ３８５２］に基板を浸漬し、無電解銅メッ
キ皮膜を約０．３μｍ析出させた。なお、プラズマ処理
の条件は、表１に示す条件で行った。
【００３５】（実施例２）両面銅張り積層板（ＦＲ−４
タイプ）［松下電工社製 品番Ｒ１７６６］の銅箔をエ
ッチングして表面の銅を除去した基板を用いたこと、及
び、表１に示す貴金属化合物、テトラブロモビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、ジシアンジアミド、硬化促進剤及び溶剤を配合
した液体を用いたこと、及び、表１に示す条件でプラズ
マ処理を行ったこと以外は実施例１と同様にしてプラズ
マ処理した後、無電解銅メッキを行った。なお、液体中
の貴金属化合物の濃度は表１に示す濃度であり、熱硬化
性樹脂の濃度は０．５重量％であった。
タイプ）［松下電工社製 品番Ｒ１７６６］の銅箔をエ
ッチングして表面の銅を除去した基板を用いたこと、及
び、表１に示す貴金属化合物、テトラブロモビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、ジシアンジアミド、硬化促進剤及び溶剤を配合
した液体を用いたこと、及び、表１に示す条件でプラズ
マ処理を行ったこと以外は実施例１と同様にしてプラズ
マ処理した後、無電解銅メッキを行った。なお、液体中
の貴金属化合物の濃度は表１に示す濃度であり、熱硬化
性樹脂の濃度は０．５重量％であった。
【００３６】（実施例３）両面銅張り積層板（ＧＰＹタ
イプ）［松下電工社製 品番Ｒ４７７５］の銅箔をエッ
チングして表面の銅を除去した基板を用いたこと、及
び、表１に示す貴金属化合物、ポリアミノビスマレイミ
ド及び溶剤を配合した液体を用いたこと、及び、２００
℃に昇温した乾燥機で１２０分処理して硬化させたこ
と、及び、表１に示す条件で酸化性ガスプラズマで処理
を行った後、還元性ガスプラズマで処理をしたこと以外
は実施例１と同様にしてプラズマ処理した後、無電解銅
メッキを行った。なお、液体中の貴金属化合物の濃度は
表１に示す濃度であり、熱硬化性樹脂の濃度は０．７重
量％であった。
イプ）［松下電工社製 品番Ｒ４７７５］の銅箔をエッ
チングして表面の銅を除去した基板を用いたこと、及
び、表１に示す貴金属化合物、ポリアミノビスマレイミ
ド及び溶剤を配合した液体を用いたこと、及び、２００
℃に昇温した乾燥機で１２０分処理して硬化させたこ
と、及び、表１に示す条件で酸化性ガスプラズマで処理
を行った後、還元性ガスプラズマで処理をしたこと以外
は実施例１と同様にしてプラズマ処理した後、無電解銅
メッキを行った。なお、液体中の貴金属化合物の濃度は
表１に示す濃度であり、熱硬化性樹脂の濃度は０．７重
量％であった。
【００３７】（実施例４）両面銅張り積層板（ポリフェ
ニレンオキサイドタイプ）［松下電工社製 品番Ｒ４７
２６］の銅箔をエッチングして表面の銅を除去した基板
を用いたこと、及び、表１に示す貴金属化合物、ポリ
（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンオキサイ
ド）、架橋性樹脂、架橋助剤、ラジカル反応開始剤及び
溶剤を配合した液体を用いたこと、及び、表１に示す条
件で酸化性ガスプラズマで処理を行った後、還元性ガス
プラズマで処理をしたこと以外は実施例１と同様にして
プラズマ処理した後、無電解銅メッキを行った。なお、
液体中の貴金属化合物の濃度は表１に示す濃度であり、
熱硬化性樹脂の濃度は０．５重量％であった。
ニレンオキサイドタイプ）［松下電工社製 品番Ｒ４７
２６］の銅箔をエッチングして表面の銅を除去した基板
を用いたこと、及び、表１に示す貴金属化合物、ポリ
（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンオキサイ
ド）、架橋性樹脂、架橋助剤、ラジカル反応開始剤及び
溶剤を配合した液体を用いたこと、及び、表１に示す条
件で酸化性ガスプラズマで処理を行った後、還元性ガス
プラズマで処理をしたこと以外は実施例１と同様にして
プラズマ処理した後、無電解銅メッキを行った。なお、
液体中の貴金属化合物の濃度は表１に示す濃度であり、
熱硬化性樹脂の濃度は０．５重量％であった。
【００３８】（比較例１）実施例１で用いた表面の銅を
除去した基板を用いて、実施例１と同様に脱脂処理を行
った。次いで、コンディショナー溶液［シプレイ社製
品番クリーナコンディショナー２３１］に基板を所定時
間浸漬後、水洗した。次いで、プレディップ溶液［シプ
レイ社製 品番キャタプリップ４０４］に浸漬後、キャ
タリスト溶液［シプレイ社製 品番キャタボジット４
４，キャタプリップ４０４］に浸漬し、水洗してコロイ
ド状態の触媒核を基板表面に付着させた。次いで、アク
セレーター溶液［シプレイ社製 品番アクセレーター１
９］に基板を浸漬した後、水洗した。次いで、実施例１
と同様に無電解銅メッキ液に浸漬し、基板表面に無電解
銅メッキ皮膜を約０．３μｍ析出させた。
除去した基板を用いて、実施例１と同様に脱脂処理を行
った。次いで、コンディショナー溶液［シプレイ社製
品番クリーナコンディショナー２３１］に基板を所定時
間浸漬後、水洗した。次いで、プレディップ溶液［シプ
レイ社製 品番キャタプリップ４０４］に浸漬後、キャ
タリスト溶液［シプレイ社製 品番キャタボジット４
４，キャタプリップ４０４］に浸漬し、水洗してコロイ
ド状態の触媒核を基板表面に付着させた。次いで、アク
セレーター溶液［シプレイ社製 品番アクセレーター１
９］に基板を浸漬した後、水洗した。次いで、実施例１
と同様に無電解銅メッキ液に浸漬し、基板表面に無電解
銅メッキ皮膜を約０．３μｍ析出させた。
【００３９】（比較例２）実施例２で用いた表面の銅を
除去した基板を用いたこと以外は比較例１と同様にし
て、無電解銅メッキを行った。
除去した基板を用いたこと以外は比較例１と同様にし
て、無電解銅メッキを行った。
【００４０】（比較例３）実施例３で用いた表面の銅を
除去した基板を用いたこと以外は比較例１と同様にし
て、無電解銅メッキを行った。
除去した基板を用いたこと以外は比較例１と同様にし
て、無電解銅メッキを行った。
【００４１】（比較例４）実施例４で用いた表面の銅を
除去した基板を用いたこと以外は比較例１と同様にし
て、無電解銅メッキを行った。
除去した基板を用いたこと以外は比較例１と同様にし
て、無電解銅メッキを行った。
【００４２】
【表１】
【００４３】（評価、結果）実施例１〜実施例４及び比
較例１〜比較例４で得られた基板の、メッキ皮膜の密着
性評価として、ピール強度を測定した。方法としては、
硫酸銅電気メッキにより、メッキ皮膜厚合計が約３５ミ
クロンとなるように厚付けした後、基板を１０ｍｍ×１
００ｍｍに切断し、５０ｍｍ／分の引き剥がし速度で測
定した。結果は、表２に示すように、各実施例は各比較
例と比較してピール強度が高く、被メッキ物表面と無電
解メッキ皮膜の密着性が高いことが確認された。
較例１〜比較例４で得られた基板の、メッキ皮膜の密着
性評価として、ピール強度を測定した。方法としては、
硫酸銅電気メッキにより、メッキ皮膜厚合計が約３５ミ
クロンとなるように厚付けした後、基板を１０ｍｍ×１
００ｍｍに切断し、５０ｍｍ／分の引き剥がし速度で測
定した。結果は、表２に示すように、各実施例は各比較
例と比較してピール強度が高く、被メッキ物表面と無電
解メッキ皮膜の密着性が高いことが確認された。
【００４４】
【表２】
【００４５】
【発明の効果】本発明に係る無電解メッキ方法は、被メ
ッキ物表面に貴金属化合物及び未硬化の熱硬化性樹脂を
含有する液体を塗布した後、熱硬化性樹脂を硬化し、次
いで常圧で励起するガスプラズマを用いてプラズマ処理
を行うため、本発明の無電解メッキ方法を用いると、常
圧下で処理ができ、かつ、被メッキ物表面と密着性が高
いメッキ皮膜が得られる。
ッキ物表面に貴金属化合物及び未硬化の熱硬化性樹脂を
含有する液体を塗布した後、熱硬化性樹脂を硬化し、次
いで常圧で励起するガスプラズマを用いてプラズマ処理
を行うため、本発明の無電解メッキ方法を用いると、常
圧下で処理ができ、かつ、被メッキ物表面と密着性が高
いメッキ皮膜が得られる。
【図１】本発明に係る無電解メッキ方法の一実施の形態
の工程フロー図である。
の工程フロー図である。
【図２】本発明に係る無電解メッキ方法に使用されるプ
ラズマ処理装置を説明する図である。
ラズマ処理装置を説明する図である。
１ 反応槽
２ 上部電極
３ 下部電極
４ 被メッキ物
７ ガス導入口
９ キャリアガスボンベ
１０ 還元性ガスボンベ
１１ 酸化性ガスボンベ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平１−55387（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−54718（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−17874（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−64393（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−250180（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−102092（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−234437（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−136184（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−199380（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−228059（ＪＰ，Ａ)
特許3336796（ＪＰ，Ｂ２)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C23C 18/20
C23C 18/30
Claims (5)
- 【請求項１】 被メッキ物表面に貴金属化合物を付着し
た後、プラズマ処理で活性化し、次いで無電解メッキを
行う無電解メッキ方法において、貴金属化合物を付着及
び活性化する方法が、被メッキ物表面に貴金属化合物及
び未硬化の熱硬化性樹脂を含有する液体を塗布した後、
その熱硬化性樹脂を硬化し、次いで、常圧で励起するガ
スプラズマを用いて常圧でプラズマ処理を行う方法であ
ることを特徴とする無電解メッキ方法。 - 【請求項２】 貴金属化合物が、パラジウム又は銀の化
合物であることを特徴とする請求項１記載の無電解メッ
キ方法。 - 【請求項３】 貴金属化合物が、パラジウム又は銀の有
機化合物であることを特徴とする請求項１又は請求項２
記載の無電解メッキ方法。 - 【請求項４】 ガスプラズマが還元性ガスを用いて励起
する還元性ガスプラズマであることを特徴とする請求項
１から請求項３のいずれかに記載の無電解メッキ方法。 - 【請求項５】 ガスプラズマを用いて常圧でプラズマ処
理を行う方法が、酸化性ガスを用いて励起する酸化性ガ
スプラズマで処理した後、還元性ガスを用いて励起する
還元性ガスプラズマで処理する方法であることを特徴と
する請求項１から請求項４のいずれかに記載の無電解メ
ッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01535996A JP3409557B2 (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 無電解メッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01535996A JP3409557B2 (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 無電解メッキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09209163A JPH09209163A (ja) | 1997-08-12 |
| JP3409557B2 true JP3409557B2 (ja) | 2003-05-26 |
Family
ID=11886615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01535996A Expired - Fee Related JP3409557B2 (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | 無電解メッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3409557B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100726234B1 (ko) * | 2004-06-29 | 2007-06-08 | 삼성전자주식회사 | 슬라이드 타입 휴대용 무선단말기의 안테나 장치 |
-
1996
- 1996-01-31 JP JP01535996A patent/JP3409557B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09209163A (ja) | 1997-08-12 |
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